KR20110109222A - 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

발광 소자 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110109222A
KR20110109222A KR1020100028843A KR20100028843A KR20110109222A KR 20110109222 A KR20110109222 A KR 20110109222A KR 1020100028843 A KR1020100028843 A KR 1020100028843A KR 20100028843 A KR20100028843 A KR 20100028843A KR 20110109222 A KR20110109222 A KR 20110109222A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
cavity
emitting device
lead frame
disposed
Prior art date
Application number
KR1020100028843A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101693852B1 (ko
Inventor
이주석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100028843A priority Critical patent/KR101693852B1/ko
Publication of KR20110109222A publication Critical patent/KR20110109222A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101693852B1 publication Critical patent/KR101693852B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

실시 예는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체; 상기 캐비티에 배치된 적어도 2개의 리드 프레임; 상기 리드 프레임들 중 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및 상기 리드 프레임들 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 임베디드된 보호 소자를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지 및 그 제조방법{Light emitting device package and fabrication method thereof}
실시 예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시 예는 복수의 리드 프레임 중 적어도 한 리드 프레임 위에 보호 소자가 임베디드된 발광 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 보호 소자에 의한 발광소자의 광 효율 저하를 방지할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체; 상기 캐비티에 배치된 적어도 2개의 리드 프레임; 상기 리드 프레임들 중 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및 상기 리드 프레임들 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 임베디드된 보호 소자를 포함한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법은, 적어도 2개의 리드 프레임 중 어느 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 적어도 2개의 리드 프레임 중 제1 및 제2리드 프레임에 보호 소자를 전기적으로 연결하는 단계; 상기 적어도 2개의 리드 프레임 위에 상부가 개방된 캐비티를 형성하고 상기 보호 소자를 임베디드한 패키지 몸체를 형성하는 단계; 상기 적어도 2개의 리드 프레임 중 제1 및 제2리드 프레임에 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계; 및 상기 캐비티에 수지물을 형성하는 단계를 포함한다.
실시 예는 보호 소자를 갖는 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시 예는 몸체 내부의 리드 프레임 위에 임베디드된 보호 소자를 구비할 수 있다.
실시 예는 보호 소자에 의한 광 흡수를 줄여 광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 1의 캐비티 내를 나타낸 평면도이다.
도 3은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 4는 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 4의 측 단면도이다.
도 6은 제4실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 7은 도 6의 평면도이다.
도 8은 제5실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 8의 패키지에서 리드 프레임의 배치 형태를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 8의 A-A측 단면도이다.
도 11은 도 8의 B-B측 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것일 수 있다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110), 캐비티(150), 리드 프레임(122,124), 발광 소자(130), 보호소자(140), 및 수지물(160)을 포함한다.
상기 패키지 몸체(110)는 수지 재료(예: PPA 등) 또는 반사 특성이 좋은 재료를 이용하여 일체로 형성되며, 기능적으로 캐비티(150)의 하부는 베이스부(111)이며, 캐비티 둘레는 반사부(113)가 될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)의 내측에는 상부가 개방된 캐비티(150)가 형성되며, 상기 패키지 몸체(110)의 내측에서 외측으로 관통된 복수의 리드 프레임(122,124)이 형성된다.
상기 복수의 리드 프레임(122,124)의 내측은 상기 캐비티(150)의 소정 측면 예컨대, 바닥면에 배치될 수 있고, 외측(123,125)은 상기 패키지 몸체(110)의 외측에 노출된다. 상기 복수의 리드 프레임(122,124)은 상기 캐비티(150)의 바닥면에서 분리부(117)에 의해 서로 이격되며 전기적으로 오픈된다.
상기 캐비티(150)의 둘레면은 수직하거나 경사지게 형성될 수 있으며, 또한 다단 캐비티 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 소자(130)는 복수의 리드 프레임(122,124) 중 적어도 한 리드 프레임 예컨대, 제1리드 프레임(122) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(130)는 상기 리드 프레임(122,124)에 적어도 하나의 와이어(132) 또는/및 플립 방식으로 연결될 수 있다.
상기 발광 소자(130)는 청색, 녹색, 적색 등과 같은 유색의 LED 칩을 포함하거나 소정 컬러를 방출하는 적어도 하나의 LED 칩 또는 UV LED 칩을 포함할 수 있다.
상기 캐비티(150)에는 수지물(160)이 형성된다. 상기 수지물(160)은 투광성 수지재료 또는 형광체가 첨가된 수지 재료로 형성될 수 있다. 상기 수지물(160)은 실리콘 또는 에폭시 재료를 포함하며, 상기 수지물(160)은 상기 발광 소자(130)의 광을 흡수하여 다른 컬러를 방출하는 적어도 한 종류의 형광체를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 리드 프레임(122,124)의 타측(123,125)은 적어도 하나로 분기될 수 있으며, 소정의 트림밍(trimming) 및 포밍(forming)되어 상기 패키지 몸체(110)의 다른 측면 예컨대, 측면 또는 바닥면 등에 연장되어 배치된다.
상기 보호 소자(140)는 상기 패키지 몸체(110) 내에 임베디드될 수 있다. 상기 보호 소자(140)는 예컨대, TVS(Transient Voltage Suppressors) 소자 또는 제너 다이오드로서 상기 발광 소자(132)와 병렬로 연결되며, ESD와 같은 비정상적인 전원으로부터 상기 발광 소자(132)를 보호하게 된다.
상기 보호 소자(140)는 상기 복수의 리드 프레임(122,124) 중 어느 하나 예컨대, 제2리드 프레임(124)의 위에 배치되며, 구체적으로 상기 반사부(113) 내부에 배치된다. 상기 보호 소자(140)는 상기 반사부(113) 내에서 복수의 리드 프레임(122,124)과 적어도 하나의 와이어(142) 또는 플립 방식으로 연결될 수 있다.
상기 반사부(113) 내에서 상기 보호 소자(140)가 임베디드된 영역(115)(이하, 보호 소자 영역이라 함)에는 복수의 리드 프레임(122,124)의 단부가 배치된다.
상기 보호 소자 영역(115)은 상기 캐비티 영역으로 돌출되게 형성되며, 그 상면은 상기 반사부(113)의 상면과 동일 평면으로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 캐비티(150)의 바닥면 폭(D2,D3)은 서로 다른 폭을 갖는다. 예컨대, 상기 캐비티(150)의 양측 바닥면 폭(D2, D3)은 보호 소자 영역(115)의 크기에 의해 달라지게 된다. 상기 캐비티(150)의 일측 바닥면 폭(D2)은 상기 리드 프레임(122)의 폭(D1) 이하이고 상기 캐비티(150)의 타측 바닥면 폭(D3) 보다는 크게 형성될 수 있다. 상기 캐비티(150)의 타측 바닥면 폭(D3)은 상기 보호 소자 영역(115)에 의해 달라질 수 있다. 또한 상기 캐비티(150)의 측면에 인접한 상기 반사부(113)의 한 쪽 폭은 보호 소자 영역(115)에 따라 서로 다른 폭(D4,D5)으로 형성될 수 있다. 이러한 보호 소자 영역(115)은 상기 캐비티(150)의 영역에 실질적으로 배치됨으로써, 작은 사이즈의 패키지에 적용할 수 있다.
실시 예는 상기 패키지 몸체(110) 내에 보호 소자(140)를 배치함으로써, 발광 소자(130)로부터 방출된 광이 상기 보호 소자(140)에 의해 흡수되는 것을 방지할 수 있다. 또한 상기 보호 소자(140)를 상기 리드 프레임(124) 상에 배치함으로써, 상기 패키지 몸체(110)의 사출 성형시 사출 구조물의 주입구가 베이스부(111)에 배치되어 있어서, 상기 보호 소자(140)에 연결된 와이어(142)가 분리되는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 제2실시 예를 나타낸 발광 소자 패키지의 평면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예를 참조하여 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(101)는 보호 소자(140)를 캐비티(150)에 벗어난 영역에 형성한 구조이다.
상기 보호 소자(140)는 제2리드 프레임(24) 위에 배치되며, 제1 및 제2리드 프레임(122,124)에 전기적으로 연결된다.
상기 캐비티(150)의 바닥면에 배치된 상기 제1리드 프레임(122)과 상기 제2리드 프레임(124)은 적어도 2면이 대응된다. 상기 제1리드 프레임(122)의 일단(122A)은 캐비티 바닥면의 폭(D2)보다 작은 폭(D6)을 갖고 돌출되며, 상기 제2리드 프레임(124)의 타단(124A)은 상기 제2리드 프레임(124)의 폭보다 작은 폭을 갖고 돌출된다. 상기 제1리드 프레임(122)의 일단(122A)과 상기 제2리드 프레임(124)의 타단(124A)은 서로 엇갈리게 배치된다.
상기 캐비티(150)의 바닥면 타측에는 상기 제2리드 프레임(124)의 타단(124A)이 노출된다. 상기 분리부(117)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(122,124) 사이에 2번 정도 꺾여진 형상으로 형성될 수 있다.
상기 보호 소자(140)는 상기 패키지 몸체(110)의 캐비티(150) 영역에 간섭을 주지 않는 영역 즉, 상기 제2리드 프레임(124) 위에 임베디드된다.
도 4 및 도 5는 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도 및 그 측 단면도이다. 제3실시 예의 설명에 있어서, 상기 실시 예들과 동일한 부분에 대해서는 상기 실시 예들을 참조하기로 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 소자 패키지(102)는 캐비티(150)의 바닥면에 상기 제1 및 제2리드 프레임(126,127)이 경사지게 대응된다. 상기 제1리드 프레임(126)과 제2리드 프레임(127) 사이에는 경사진 분리부(117)가 배치되며, 상기 발광 소자(130A)는 제1리드 프레임(126)에 다이 본딩되고, 와이어(132)로 제2리드 프레임(127)에 연결된다.
상기 캐비티(150)의 일측에는 상기 캐비티 방향으로 돌출된 보호 소자 영역(115)이 배치된다. 상기 보호 소자(140)는 패키지 몸체(110) 내에 임베디드되며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(126,127)에 전기적으로 연결된다.
상기 제1리드 프레임(126) 및 제2리드 프레임(127)의 하면은 상기 패키지 몸체(110)의 하면과 동일 평면을 이루게 된다.
도 6 및 도 7은 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도 및 그 평면도이다. 제4실시 예의 설명에 있어서, 상기 실시 예들과 동일한 부분에 대해서는 상기 실시 예들을 참조하기로 한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210), 제1리드 프레임(222), 제2리드 프레임(224), 제3리드 프레임(226), 발광 소자(230), 보호 소자(240), 캐비티(250), 홈부(252), 및 수지물(260)을 포함한다.
상기 패키지 몸체(210)는 상부가 개방된 캐비티(250)를 구비하고, 상기 캐비티(250)의 중앙부에는 상기 제3리드 프레임(226)이 배치된다.
상기 제3리드 프레임(226)은 상기 발광 소자(230)가 부착되며, 상기 발광 소자(230)로부터 발생된 열을 방열하게 된다. 상기 제3리드 프레임(226)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)과 전기적으로 오픈되며, 적어도 2개의 양 단이 상기 패키지 몸체(210: 201,203)의 외측에 노출된다.
상기 제3리드 프레임(226)의 내측 중앙에는 홈부(252)가 형성되며, 상기 홈부(252)는 상기 제3리드 프레임(226)의 일부로 형성되며, 상기 캐비티(250)에 배치된 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)을 기준으로 소정 깊이로 형성된다. 상기 홈부(252)는 그 둘레 형상이 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3리드 프레임(226)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)와 전기적으로 분리된다.
상기 발광 소자(230)는 상기 제3리드 프레임(226)의 홈부(252)에 배치되며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)에 와이어(232)를 이용하여 전기적으로 연결된다.
캐비티(250)의 외측에는 보호 소자(240)가 배치되며, 상기 보호 소자(240)는 상기 발광 소자(230)와 다른 평면에 배치된다. 상기 보호 소자(240)는 상기 패키지 몸체(210)의 반사부(203)에 배치되며, 복수의 와이어(242)를 이용하여 상기 제1리드 프레임(222)의 일단(222A)과 상기 제2리드 프레임(224)의 타단(224A)에 전기적으로 연결된다. 상기 제1리드 프레임(222)의 일단(222A)과 상기 제2리드 프레임(224)의 타단(224A) 사이에는 상기 제3리드 프레임(226)의 일단부(226A)가 배치된다.
상기 제1리드 프레임(222)의 타측(223) 및 상기 제2리드 프레임(224)의 타측(225)은 상기 패키지 몸체(210)의 베이스부(201)에 접촉되며, 상기 제3리드 프레임(226)의 하면은 상기 패키지 몸체(210)의 하면과 동일 평면에 배치될 수 있으며, 이러한 배치 구조는 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기와 같이 보호 소자(240)는 상기 발광 소자(230)과 서로 다른 평면에 배치됨으로써, 상기 발광 소자(230)의 광 지향 분포에 벗어난 영역에 존재할 수 있다. 이에 따라 상기 보호 소자(240)에 의한 상기 발광 소자(230)의 광 효율 저하를 방지할 수 있다.
도 8 내지 도 11은 제5실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다. 도 8은 발광 소자 패키지의 평면도이고, 도 9는 도 8의 리드 프레임들과 소자들을 나타낸 도면이며, 도 10은 도 8의 A-A 측 단면도이고, 도 11은 도 8의 B-B측 단면도이다. 제5실시 예의 설명에 있어서, 상기 실시 예들과 동일한 부분에 대해서는 상기 실시 예들을 참조하기로 한다.
도 8 내지 도 11을 참조하면, 발광 소자 패키지(300)는 패키지 몸체(310), 제1리드 프레임(322), 제2리드 프레임(324), 제3리드 프레임(326), 발광 소자(330), 보호 소자(340), 캐비티(350) 및 수지물(360)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(310)는 상부가 개방된 캐비티(350)를 구비하고, 상기 캐비티(350)의 중앙부에는 상기 제3리드 프레임(326)이 배치된다. 상기 제1리드 프레임(322)과 상기 제2리드 프레임(324) 사이에는 상기 제3리드 프레임(326)이 배치된다. 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제 1내지 제3리드 프레임(322,324,326)은 동일 평면 상에 서로 평행하게 배치될 수 있다.
상기 제3리드 프레임(326)에는 복수의 발광 소자(330)가 부착되며, 상기 복수의 발광 소자(330)로부터 발생된 열을 방열하게 된다. 상기 제3리드 프레임(326)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(322,324)과 전기적으로 오픈되며, 적어도 2개의 양 단이 상기 패키지 몸체(310)의 외측에 노출된다.
상기 복수의 발광 소자(330)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(222,224)에 전기적으로 연결되며 서로 병렬로 구성된다.
도 7 및 도 8과 같이, 상기 캐비티(350)의 폭(P5)의 외측에는 보호 소자(340)가 배치되며, 상기 보호 소자(340)는 상기 제3리드 프레임(326) 위에 상기 발광 소자(330)와 동일 평면에 배치된다. 상기 보호 소자(340)는 상기 패키지 몸체(310)의 반사부(303) 내에 배치되며, 상기 제1리드 프레임(322)과 제2리드 프레임(324)에 와이어(342)로 연결된다.
상기 캐비티(350)에는 수지물(360)이 형성되며, 상기 수지물(360)에는 적어도 한 종류의 형광체가 포함될 수 있다.
실시 예는 발광 소자 패키지에 있어서, 복수의 리드 프레임을 트림 및 포밍하는 과정에 대해 설명하였으나, 한 개의 리드 프레임은 비아 구조를 채용할 수 있어, 나머지 리드 프레임을 트림 및 포밍할 수 있으며, 실시 예의 기술적 범위 내에서 한 개 또는 복수의 리드 프레임의 외측에 대해 수행할 수 있으며, 상기의 실시 예로 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 기판에 어레이 형태로 배치되어 라이트 유닛으로 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다.
이상에서 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100,101,102,200,300 : 발광 소자 패키지
110,210,310 : 패키지 몸체
122,124,222,224,226.322,324,326 : 리드 프레임
130,230,330 : 발광소자
140,240,340 : 보호소자
150,250,350 : 캐비티
160,260,360 : 수지물

Claims (19)

  1. 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 패키지 몸체;
    상기 캐비티에 배치된 적어도 2개의 리드 프레임;
    상기 리드 프레임들 중 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및
    상기 리드 프레임들 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 프레임에 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체에 임베디드된 보호 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호 소자는 상기 제1 및 제2리드 프레임 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치되는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 캐비티의 일측에 상기 패키지 몸체의 보호소자 영역이 상기 캐비티 방향으로 돌출되며,
    상기 캐비티의 일측 바닥면 폭은 상기 캐비티의 타측 바닥면 폭보다 좁게 형성되는 발광 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보호 소자는 상기 제1 및 제2리드 프레임에 복수의 와이어 또는 플립 방식으로 연결되는 발광 소자 패키지.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 보호소자가 임베디드된 영역에는 상기 제1 및 제2리드 프레임이 이격되게 배치되는 발광 소자 패키지.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제1 및 제2리드 프레임의 하면은 상기 패키지 몸체의 하면과 동일 평면에 형성되는 발광 소자 패키지.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임의 일단과 상기 제2리드 프레임의 타단은 상기 캐비티 바닥면에서 서로 경사지게 대응되는 발광 소자 패키지.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 캐비티에 제1리드 프레임의 일측 및 상기 제2리드 프레임의 타측이 배치되며,
    상기 제1리드 프레임의 일측과 상기 제2리드 프레임의 타 측은 적어도 2측면이 대응되게 배치되는 발광 소자 패키지.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 제3리드 프레임을 포함하는 발광 소자 패키지.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제3리드 프레임은 캐비티의 중앙부에 원 또는 다각형 형상의 홈부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 제3리드 프레임은 캐비티의 중앙에 배치되며 복수의 발광 소자가 직렬 또는 병렬로 어레이되는 발광 소자 패키지.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제3리드 프레임 위에 상기 보호 소자가 배치되는 발광 소자 패키지.
  13. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩이며,
    상기 보호 소자는 상기 발광 소자에 병렬로 연결된 제너 다이오드인 발광 소자 패키지.
  14. 제9항에 있어서, 상기 보호소자가 임베디드된 영역에는 상기 제1 및 제2리드 프레임의 일단이 서로 이격되고, 상기 이격된 제1 및 제2리드 프레임 사이에 상기 제3리드 프레임의 단부가 배치되는 발광 소자 패키지.
  15. 제1항 또는 제9항에 있어서,
    상기 캐비티에 형성된 수지물을 포함하는 발광 소자 패키지.
  16. 적어도 2개의 리드 프레임 중 어느 한 리드 프레임 위에 배치되고 상기 적어도 2개의 리드 프레임 중 제1 및 제2리드 프레임에 보호 소자를 전기적으로 연결하는 단계;
    상기 적어도 2개의 리드 프레임 위에 상부가 개방된 캐비티를 형성하고 상기 보호 소자를 임베디드한 패키지 몸체를 형성하는 단계;
    상기 적어도 2개의 리드 프레임 중 제1 및 제2리드 프레임에 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계; 및
    상기 캐비티에 수지물을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 패키지 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 제3리드 프레임이 배치하며, 상기 제3리드 프레임 위에 상기 보호 소자가 배치하는 발광 소자 패키지 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 보호 소자가 임베디드된 영역은 상기 캐비티의 일측에 배치되며 상기 제1 및 제2리드 프레임이 서로 대응되게 배치되는 발광 소자 패키지 제조방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 캐비티의 바닥면 폭 또는 상기 캐비티의 바닥면에 배치된 적어도 하나의 리드 프레임의 폭이 다른 발광 소자 패키지 제조방법.
KR1020100028843A 2010-03-30 2010-03-30 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 KR101693852B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100028843A KR101693852B1 (ko) 2010-03-30 2010-03-30 발광 소자 패키지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100028843A KR101693852B1 (ko) 2010-03-30 2010-03-30 발광 소자 패키지 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110109222A true KR20110109222A (ko) 2011-10-06
KR101693852B1 KR101693852B1 (ko) 2017-01-06

Family

ID=45390306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100028843A KR101693852B1 (ko) 2010-03-30 2010-03-30 발광 소자 패키지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101693852B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130118552A (ko) * 2012-04-20 2013-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
KR20140092081A (ko) * 2013-01-15 2014-07-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2018174355A (ja) * 2018-08-02 2018-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019088701A1 (ko) * 2017-11-01 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR102029808B1 (ko) * 2018-12-14 2019-10-08 럭스피아(주) 발광소자 패키지
JP2022058187A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070087485A (ko) * 2006-02-23 2007-08-28 노밸리트 옵트로닉스 코포레이션 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2008112966A (ja) * 2006-10-05 2008-05-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR100870950B1 (ko) * 2007-11-19 2008-12-01 일진반도체 주식회사 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법
JP2009200321A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070087485A (ko) * 2006-02-23 2007-08-28 노밸리트 옵트로닉스 코포레이션 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2008112966A (ja) * 2006-10-05 2008-05-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR100870950B1 (ko) * 2007-11-19 2008-12-01 일진반도체 주식회사 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법
JP2009200321A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130118552A (ko) * 2012-04-20 2013-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
KR20140092081A (ko) * 2013-01-15 2014-07-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
WO2019088701A1 (ko) * 2017-11-01 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
US11355679B2 (en) 2017-11-01 2022-06-07 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device package and lighting source device
JP2018174355A (ja) * 2018-08-02 2018-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102029808B1 (ko) * 2018-12-14 2019-10-08 럭스피아(주) 발광소자 패키지
JP2022058187A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101693852B1 (ko) 2017-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9786827B2 (en) Light emitting diode package
CN105977246B (zh) 发光器件
KR101766299B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101047791B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US20150171282A1 (en) Resin package and light emitting device
US9997683B2 (en) Light emitting device package and lighting device having the same
KR101693852B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20160054667A (ko) 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR101645009B1 (ko) 방열기판을 갖는 ｌｅｄ 패키지
KR20160112192A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈
US9048395B2 (en) Light emitting device package, lighting module and lighting system
US8513697B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and illumination system
KR101055074B1 (ko) 발광 장치
US20200066943A1 (en) Light-emitting apparatus
KR20140004351A (ko) 발광 다이오드 패키지
EP2315275A1 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and lighting system
KR101260180B1 (ko) 엘이디 패키지 및 그 제조방법
KR101064094B1 (ko) 발광 소자 패키지
US8829541B2 (en) Light emitting device, light emitting device package, and lighting system
KR102261953B1 (ko) 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템
KR100862531B1 (ko) 멀티 캐비티 발광다이오드 패키지
KR102187484B1 (ko) 발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템
KR20120019697A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 채용한 멀티칩 조명모듈
KR101078833B1 (ko) 발광 다이오드 유닛
KR101858387B1 (ko) 발광다이오드 어레이

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191209

Year of fee payment: 4