KR20110101387A

KR20110101387A - Liquid crystal display and method for manufacturing the same

Info

Publication number: KR20110101387A
Application number: KR1020100020356A
Authority: KR
Inventors: 이기엽; 강윤호; 김용환
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2010-03-08
Filing date: 2010-03-08
Publication date: 2011-09-16
Also published as: KR101688999B1

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나 위에 형성되어 있는 전기장 생성 전극, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있으며 액정 및 반응성 메조겐을 갖는 액정층을 포함한다. 여기서, 상기 반응성 메조겐은 자외선 조사에 의하여 액정분자의 배향을 유도하며, 상기 액정표시장치는 상기 제1 기판 및 제 2 기판 중 적어도 하나에 자외선 차단층을 포함한다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention may include a first substrate, a second substrate facing the first substrate, an electric field generating electrode formed on at least one of the first substrate and the second substrate, and the first substrate. And a liquid crystal layer interposed between and the second substrate and having a liquid crystal and a reactive mesogen. Here, the reactive mesogen induces alignment of liquid crystal molecules by ultraviolet irradiation, and the liquid crystal display includes an ultraviolet blocking layer on at least one of the first substrate and the second substrate.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Liquid crystal display device and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 액정표시장치 및 액정표시장치의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액정표시장치의 제조에 이용되는 액정표시패널 및 액정표시패널의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display panel and a method for manufacturing a liquid crystal display panel used for manufacturing a liquid crystal display device.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display includes two display panels on which electrodes are formed and a liquid crystal layer interposed therebetween to rearrange the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer by applying a voltage to the electrode. The display device controls the amount of light transmitted.

액정 표시 장치 중에서도 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자를 그 장축이 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(vertically aligned mode) 액정 표시 장치가 개발되고 있다.Among liquid crystal displays, vertically aligned mode liquid crystal displays have been developed in which liquid crystal molecules are arranged such that their major axes are perpendicular to the display panel without an electric field applied thereto.

상기 수직 배향 방식의 일종인 PVA 모드(Patterned Vertical Alignment mode)는, 패터닝된 투명 전극을 이용하여 액정 분자들을 서로 다른 방향으로 배열시켜 액정 도메인을 형성함으로써 액정표시장치의 시야각을 향상시킬 수 있다. 상기 PVA 모드의 액정표시장치에서 상기 투명 전극의 패터닝으로 인해 낮은 개구율을 갖는 문제점을 해결하기 위해서, 최근에는 표시 기판의 화소 전극을 마이크로 슬릿 패턴으로 형성하고, 대향 기판의 공통 전극을 통판으로 형성하는 구조의 액정표시장치를 이용하고 있다.The patterned vertical alignment mode (PVA) mode, which is a type of the vertical alignment method, may improve the viewing angle of the liquid crystal display by forming liquid crystal domains by arranging liquid crystal molecules in different directions using a patterned transparent electrode. In order to solve the problem of having a low aperture ratio due to the patterning of the transparent electrode in the liquid crystal display of the PVA mode, recently, the pixel electrode of the display substrate is formed in a micro slit pattern, and the common electrode of the opposite substrate is formed of a plate. A liquid crystal display device having a structure is used.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 마이크로 슬릿 패턴을 이용하는 액정 표시 장치에서 액정층이 선경사를 가지도록 하며, 액정층이 선경사를 가지도록 할 때 사용하는 자외선으로부터 유기막을 보호하는 자외선 차단층을 도입하여 표시품질에 이상이 없는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to introduce a UV blocking layer that protects the organic film from ultraviolet rays when the liquid crystal layer has a pretilt, and the liquid crystal layer has a pretilt in a liquid crystal display device using a micro slit pattern. The present invention provides a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which have no abnormality in display quality.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 액정표시장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나 위에 형성되어 있는 한 쌍의 전기장 생성 전극, 그리고 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있으며 액정 및 반응성 메조겐을 포함하는 액정층을 포함하고, 상기 제1 기판과 제 2기판 중 하나의 기판에 자외선 차단층을 포함하며, 상기 자외선 차단층은 자외선 흡수제를 포함하며, 상기 자외선 흡수제는 발색단을 포함하는 유기 물질이다.The liquid crystal display according to the embodiment for realizing the object of the present invention is formed on at least one of a first substrate, a second substrate facing the first substrate, the first substrate and the second substrate. A pair of electric field generating electrodes, and a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate, the liquid crystal layer comprising a liquid crystal and a reactive mesogen, and blocking ultraviolet rays on one of the first and second substrates. A layer, wherein the UV blocking layer comprises a UV absorber, the UV absorber being an organic material comprising a chromophore.

상기 반응성 메조겐은 자외선 조사 공정에 의해 배향 중합체로 변환될 수 있다.The reactive mesogen may be converted into an oriented polymer by an ultraviolet irradiation process.

상기 자외선 차단층은 상기 제1기판과 제2 기판 중 상기 자외선 조사 공정에서 자외선이 가해지는 기판이 아닌 다른 하나의 기판에 위치할 수 있다.The UV blocking layer may be positioned on one of the first substrate and the second substrate, instead of a substrate to which ultraviolet rays are applied in the ultraviolet irradiation process.

상기 자외선 차단층은 상기 전기장 생성전극의 하부에 위치할 수 있다.The ultraviolet blocking layer may be located under the electric field generating electrode.

상기 자외선 차단층은 상기 전기장 생성전극의 상부에 위치할 수 있다.The UV blocking layer may be positioned on the electric field generating electrode.

상기 자외선 흡수제는 400nm 이하의 빛을 흡수할 수 있다.The ultraviolet absorber may absorb light of 400 nm or less.

상기 발색단은 화학식 1 내지 2로 표현되는 화합물 중 하나를 포함할 수 있다.The chromophore may include one of the compounds represented by Chemical Formulas 1 and 2.

[화학식 1][Formula 1]

[화학식 2][Formula 2]

상기 자외선 차단층은 0.05um 이상의 두께를 가질 수 있다.The UV blocking layer may have a thickness of 0.05um or more.

본 발명의 한 실시예에 다른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 색필터를 형성하는 단계, 상기 색필터 위에 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 평탄화층 위에 자외선 차단층을 형성하는 단계, 제2 기판 위에 공통전극을 형성하는 단계, 제 1기판과 제 2기판 사이에 액정과 반응성 메조겐의 혼합물을 도입하는 단계를 포함하며, 상기 자외선 차단층은 자외선 흡수제를 포함하며, 상기 자외선 흡수제는 발색단을 포함하는 유기 물질이다.In another embodiment, a method of manufacturing a liquid crystal display includes forming a gate line including a gate electrode on a first substrate, forming a gate insulating layer on the gate line, and including a source electrode on the gate insulating layer. Forming a data line and a drain electrode facing the source electrode, forming a color filter on the gate insulating layer, forming a planarization layer on the color filter, and forming an ultraviolet blocking layer on the planarization layer. Forming a common electrode on the second substrate, introducing a mixture of liquid crystal and reactive mesogen between the first substrate and the second substrate, wherein the UV blocking layer comprises an ultraviolet absorber, Is an organic material comprising a chromophore.

상기 제1 기판의 자외선 차단층 위에 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a pixel electrode on the UV blocking layer of the first substrate.

상기 제1기판의 자외선 차단층 아래에 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a pixel electrode under the UV blocking layer of the first substrate.

상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 전압을 인가하는 단계, 및 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 전압을 인가한 상태에서 상기 액정층에 광을 조사하여 상기 반응성 메조겐을 광 중합하는 단계를 더 포함할 수 있다.Applying a voltage to the pixel electrode and the common electrode, and photopolymerizing the reactive mesogen by irradiating light to the liquid crystal layer in a state where voltage is applied to the pixel electrode and the common electrode. Can be.

상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 전압을 오프하는 단계, 및 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 전압을 인가하지 않은 상태에서 상기 액정층에 광을 조사하여 상기 반응성 메조겐을 광 중합하는 단계를 더 포함할 수 있다.Turning off the voltages on the pixel electrode and the common electrode, and photopolymerizing the reactive mesogen by irradiating light onto the liquid crystal layer without applying voltage to the pixel electrode and the common electrode. can do.

[화학식 1][Formula 1]

[화학식 2][Formula 2]

본 발명의 실시예에 의하면, 액정 표시 장치에서 액정층이 자외선의 조사만으로도 선경사를 가지도록 하며, 이때 사용하는 자외선으로 인한 유기막의 손상을 보호하기 위하여 자외선 차단층을 도입하여 액정 표시 장치의 표시품질의 저하를 제어할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, in the liquid crystal display device, the liquid crystal layer has a pretilt even by irradiation of ultraviolet rays, and in this case, a UV blocking layer is introduced to protect the organic layer from damage caused by ultraviolet rays. The degradation of quality can be controlled.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 3은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 화소 전극을 도시한 평면도이다.
도5는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응성 메조겐에 의해 액정의 선경사를 형성하는 방법을 도시한 개략도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 자외선 차단층의 자외선 차단효과를 나타낸 그래프이다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 2.
4 is a plan view illustrating a pixel electrode in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a schematic diagram illustrating a method of forming a pretilt of a liquid crystal by a reactive mesogen according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of another embodiment of the present invention.
7 is a graph showing the ultraviolet blocking effect of the ultraviolet blocking layer of the present invention.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소에 대한 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 그리고 그 사이에 개재되어 있는 액정층(3)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other, and a liquid crystal layer 3 interposed therebetween. .

액정 표시 장치는 복수의 게이트선(GL), 복수 쌍의 데이터선(DLa, DLb) 및 복수의 유지 전극선(SL)을 포함하는 신호선과 이에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함한다. The liquid crystal display includes a signal line including a plurality of gate lines GL, a plurality of pairs of data lines DLa and DLb, and a plurality of storage electrode lines SL, and a plurality of pixels PX connected thereto.

각 화소(PX)는 한 쌍의 부화소(PXa, PXb)를 포함하며, 부화소(PXa, PXb)는 스위칭 소자(Qa, Qb)와 액정 축전기(Clca, Clcb) 및 유지 축전기(storage capacitor)(Csta, Cstb)를 포함한다.Each pixel PX includes a pair of subpixels PXa and PXb, and the subpixels PXa and PXb include switching elements Qa and Qb, liquid crystal capacitors Clca and Clcb, and storage capacitors. (Csta, Cstb).

스위칭 소자(Qa, Qb)는 박막 트랜지스터 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(GL)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(DLa, DLb)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(Clca, Clcb) 및 유지 축전기(Csta, Cstb)와 연결되어 있다.The switching elements Qa and Qb are three-terminal elements such as thin film transistors provided in the thin film transistor array panel 100, the control terminals of which are connected to the gate line GL, and the input terminals of the data lines DLa and DLb. ) And the output terminals are connected to the liquid crystal capacitors Clca and Clcb and the storage capacitors Csta and Cstb.

액정 축전기(Clca, Clcb)는 부화소 전극(191a, 191b)과 공통 전극(270)을 두 단자로 하고, 두 단자 사이의 액정층(3) 부분을 유전체로 하여 형성된다.The liquid crystal capacitors Clca and Clcb are formed using the subpixel electrodes 191a and 191b and the common electrode 270 as two terminals, and the liquid crystal layer 3 between the two terminals as a dielectric.

액정 축전기(Clca, Clcb)의 보조적인 역할을 하는 유지 축전기(Csta, Cstb)는 박막 트랜지스터 표시판(100)에 구비된 유지 전극선(SL)과 부화소 전극(191a, 191b)이 절연체를 사이에 두고 중첩되어 이루어지며 유지 전극선(SL)에는 공통 전압(Vcom) 따위의 정해진 전압이 인가된다.In the storage capacitors Csta and Cstb, which serve as an auxiliary role of the liquid crystal capacitors Clca and Clcb, the storage electrode line SL and the subpixel electrodes 191a and 191b of the thin film transistor array panel 100 are interposed between the insulators. Overlapping and a predetermined voltage such as the common voltage Vcom is applied to the storage electrode line SL.

두 액정 축전기(Clca, Clcb)에 충전되는 전압은 서로 약간의 차이가 나도록 설정되어 있다. 예를 들면, 액정 축전기(Clca)에 인가되는 데이터 전압이 액정 축전기(Clcb)에 인가되는 데이터 전압에 비하여 항상 낮거나 높도록 설정한다. 이렇게 두 액정 축전기(Clca, Clcb)의 전압을 적절하게 조절하면 측면에서 바라보는 영상이 정면에서 바라보는 영상에 근접하도록 할 수 있어 액정 표시 장치의 측면 시인성이 향상된다.The voltages charged in the two liquid crystal capacitors Clca and Clcb are set to be slightly different from each other. For example, the data voltage applied to the liquid crystal capacitor Clca is set to be always lower or higher than the data voltage applied to the liquid crystal capacitor Clcb. When the voltages of the two liquid crystal capacitors Clca and Clcb are appropriately adjusted, the image viewed from the side may be closer to the image viewed from the front, thereby improving side visibility of the liquid crystal display.

도2 내지 도5를 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 5.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 자른 단면도이다. 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 기본 화소 전극을 도시한 평면도이다. 도5는 본 발명의 한 실시예에 따른 배향 보조제에 의해 액정의 선경사를 형성하는 방법을 도시한 개략도이다.FIG. 2 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 2. 4 is a plan view illustrating a basic pixel electrode in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. 5 is a schematic diagram showing a method of forming the pretilt of the liquid crystal by the alignment aid according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.2 and 3, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other and between the two display panels 100 and 200. The liquid crystal layer 3 is included.

먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the thin film transistor array panel 100 will be described.

절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 돌출한 복수의 제1 및 제2 게이트 전극 (124a, 124b)을 포함한다. 또한, 게이트 전극(124a, 124b) 사이에 돌출한 돌출부(125)를 포함한다. 유지 전극선(131)은 게이트선(121)과 실질적으로 나란하게 뻗어 있으며, 이로부터 뻗어 나온 복수의 유지 전극(135)을 포함한다. 유지 전극선(131) 및 유지 전극(135)의 모양 및 배치는 여러 형태로 변형될 수 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on the insulating substrate 110. The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of protruding first and second gate electrodes 124a and 124b. In addition, a protrusion 125 protruding between the gate electrodes 124a and 124b is included. The storage electrode line 131 extends substantially in parallel with the gate line 121 and includes a plurality of storage electrodes 135 extending therefrom. The shape and arrangement of the storage electrode line 131 and the storage electrode 135 may be modified in various forms.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(140) 위에는 비정질 또는 결정질 규소 등으로 만들어진 복수의 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131, and a plurality of semiconductors 154a and 154b made of amorphous or crystalline silicon are formed on the gate insulating layer 140.

반도체(154a, 154b) 위에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)가 형성되어 있으며, 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.A plurality of pairs of ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b are formed on the semiconductors 154a and 154b, respectively. The ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b are formed of silicide or n-type impurities. It can be made of materials such as highly doped n + hydrogenated amorphous silicon.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수 쌍의 데이터선(171a, 171b)과 복수 쌍의 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)이 형성되어 있다.A plurality of pairs of data lines 171a and 171b and a plurality of pairs of first and second drain electrodes 175a and 175b are formed on the ohmic contacts 163a, 163b, 165a and 165b and the gate insulating layer 140.

데이터선(171a, 171b)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 데이터선(171a, 171b)은 제1, 제2 게이트 전극(124a, 124b)을 향하여 뻗어 U자형으로 굽은 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)을 포함하며, 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)은 각각 제1, 제2 게이트 전극(124a, 124b)을 중심으로 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)과 마주한다.The data lines 171a and 171b transmit data signals and mainly extend in the vertical direction to cross the gate lines 121 and the storage electrode lines 131. The data lines 171a and 171b include first and second source electrodes 173a and 173b extending toward the first and second gate electrodes 124a and 124b and bent in a U-shape, and the first and second source electrodes. 173a and 173b face the first and second drain electrodes 175a and 175b around the first and second gate electrodes 124a and 124b, respectively.

제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 각각 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)으로 일부 둘러싸인 한 쪽 끝에서부터 위로 뻗어 있으며 반대쪽 끝은 다른 층과의 접속을 위해 면적이 넓을 수 있다. 그러나 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 비롯한 데이터선(171a, 171b)의 모양 및 배치는 여러 형태로 변형될 수 있다.The first and second drain electrodes 175a and 175b extend upward from one end partially surrounded by the first and second source electrodes 173a and 173b, respectively, and the other end may have a large area for connection with another layer. have. However, the shape and arrangement of the data lines 171a and 171b including the first and second drain electrodes 175a and 175b may be modified in various forms.

제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b), 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b) 및 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)와 함께 제1 및 제2 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)과 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b) 사이의 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)에 형성된다.The first and second gate electrodes 124a and 124b, the first and second source electrodes 173a and 173b, and the first and second drain electrodes 175a and 175b are formed of the first and second semiconductors 154a and 154b. Together with the first and second thin film transistors (TFTs), the channels of the first and second thin film transistors are the first and second source electrodes 173a and 173b and the first and second thin film transistors. It is formed in the first and second semiconductors 154a and 154b between the drain electrodes 175a and 175b.

반도체(154a, 154b)에는 소스 전극(173a, 173b)과 드레인 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The semiconductors 154a and 154b have portions exposed between the source electrodes 173a and 173b and the drain electrodes 175a and 175b and not covered by the data lines 171a and 171b and the drain electrodes 175a and 175b.

데이터선(171a, 171b), 드레인 전극(175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위로 만들어진 보호막(180)이 형성되어 있다.A passivation layer 180 made of silicon nitride or silicon oxide is formed on the data lines 171a and 171b, the drain electrodes 175a and 175b, and the exposed semiconductors 154a and 154b.

보호막(180) 위에 색필터(230)가 형성되어 있다. The color filter 230 is formed on the passivation layer 180.

색필터 위에는 박막 트랜지스터 표시판(100)을 평탄화하는 평탄화막(188)이 형성되어 있다. 평탄화막(188)은 유기 물질로 이루어져 있다.The planarization film 188 is formed on the color filter to planarize the thin film transistor array panel 100. The planarization film 188 is made of an organic material.

평탄화막(188) 위에는 자외선 차단층(185)이 형성되어 있다.An ultraviolet blocking layer 185 is formed on the planarization film 188.

상기 자외선 차단층은 발색단(chromophore)과 같은 자외선 흡수제를 포함하는 유기물질로 구성되어 있으며, 상기 발색단의 예로는 다음과 같은 화학식이 있다.The UV blocking layer is composed of an organic material including an ultraviolet absorber such as a chromophore. Examples of the chromophore include the following chemical formulas.

[화학식 1][Formula 1]

[화학식 2][Formula 2]

먼저 화학식 1은 365nm를 중심으로 310nm 이상 400nm 이하의 파장을 흡수할 수 있으며, 화학식 2는 388nm를 중심으로 310nm 이상 400nm 이하의 파장을 흡수할 수 있다.First, Formula 1 may absorb wavelengths of 310 nm or more and 400 nm or less, centering on 365 nm, and Formula 2 may absorb wavelengths of 310 nm or more and 400 nm or less, centering on 388 nm.

상기 화학식 1 및 화학식 2 외의 자외선 흡수제에 포함되는 물질은 파장이 400nm 이하인 자외선을 흡수하는 발색단을 가지는 물질 중 하나일 수 있으며, 바람직하게는 유기막에 손상을 가하는 300nm 이하의 자외선을 흡수하는 물질 중 하나 일 수 있다. The material included in the ultraviolet absorbents other than the formulas (1) and (2) may be one of materials having a chromophore absorbing ultraviolet rays having a wavelength of 400 nm or less. Can be one.

평탄화막(188), 색필터(230), 자외선 차단층(185) 및 보호막(180)에는 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 드러내는 복수의 접촉구(185a, 185b)가 형성되어 있다. A plurality of contact holes 185a and 185b exposing the first and second drain electrodes 175a and 175b are formed in the planarization film 188, the color filter 230, the UV blocking layer 185, and the passivation layer 180. have.

자외선 차단층 (185) 위에는 복수의 화소 전극(191)이 형성되어 있고, 각 화소 전극(191)은 서로 분리되어 있는 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)을 포함한다. A plurality of pixel electrodes 191 are formed on the UV blocking layer 185, and each pixel electrode 191 includes first and second subpixel electrodes 191a and 191b separated from each other.

화소 전극(191) 전체에서 제2 부화소 전극(191b)이 차지하는 면적이 제1 부화소 전극(191a)이 차지하는 면적보다 클 수 있으며, 이때, 제2 부화소 전극(191b)는 제1 부화소 전극(191a)의 면적보다 1.0배에서 2.5배 정도 크도록 형성한다. 그러나, 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)의 형태나 면적 비는 다양하게 변형 가능하다.The area occupied by the second subpixel electrode 191b in the entire pixel electrode 191 may be larger than the area occupied by the first subpixel electrode 191a, wherein the second subpixel electrode 191b is the first subpixel. It is formed to be 1.0 to 2.5 times larger than the area of the electrode 191a. However, the shape and area ratio of the first and second subpixel electrodes 191a and 191b may be variously modified.

제2 부화소 전극(191b)은 데이터선(171a, 171b)을 따라 뻗은 한 쌍의 가지(195)를 포함한다. 한 쌍의 가지(195)는 제1 부화소 전극(191a)과 데이터선(171a, 171b) 사이에 위치하며 제1 부화소 전극(191a)의 하단에서 서로 연결되고, 게이트선(121)과 중첩한다. 둘 중 하나의 가지는 확장되어 있으며 접촉구(185b)을 통하여 제2 드레인 전극(175b)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있다. 그리고 제1 부화소 전극(191a)은 접촉구(185a)을 통해서 제1 드레인 전극(175a)과 연결되어 있다.The second subpixel electrode 191b includes a pair of branches 195 extending along the data lines 171a and 171b. The pair of branches 195 are positioned between the first subpixel electrode 191a and the data lines 171a and 171b and are connected to each other at the lower end of the first subpixel electrode 191a and overlap the gate line 121. do. One of the two branches is extended and is physically and electrically connected to the second drain electrode 175b through the contact hole 185b. The first subpixel electrode 191a is connected to the first drain electrode 175a through the contact hole 185a.

제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)은 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.The first and second subpixel electrodes 191a and 191b receive a data voltage from the first and second drain electrodes 175a and 175b.

평탄화막(188) 위에 게이트선(121), 데이터선(171a, 171b), 제1 및 제2 박막 트랜지스터에 대응하는 부분에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다.A light blocking member 220 is formed on a portion of the planarization film 188 corresponding to the gate line 121, the data lines 171a and 171b, and the first and second thin film transistors.

다음, 공통 전극 표시판(200)에 대해서 설명한다.Next, the common electrode display panel 200 will be described.

공통 전극 표시판(200)은 투명한 절연 기판(210) 위에 공통 전극(270)이 전면에 형성되어 있다. In the common electrode display panel 200, the common electrode 270 is formed on the front surface of the transparent insulating substrate 210.

공통 전극 표시판(200)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에는 액정층(3)이 위치한다. The liquid crystal layer 3 is positioned between the common electrode panel 200 and the thin film transistor array panel 100.

도시되지 않았으나 공통 전극 표시판과 박막 트랜지스터 표시판 사이에는 액정층(3)의 간격을 유지하기 위한 간격재가 형성되어 있을 수 있다.Although not shown, a spacer may be formed between the common electrode panel and the thin film transistor array panel to maintain the gap of the liquid crystal layer 3.

그러면 도 4를 참고하여, 화소 전극(191)에서 액정이 동작하는 방향에 대해 상세하게 설명한다.Next, the direction in which the liquid crystal operates in the pixel electrode 191 will be described in detail with reference to FIG. 4.

도4에 도시한 바와 같이 화소 전극(191)의 전체적인 모양은 사각형이며 가로 줄기부(193) 및 이와 직교하는 세로 줄기부(192)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한 화소 전극(191)은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부영역(Da), 제2 부영역(Db), 제3 부영역(Dc), 그리고 제4 부영역(Dd)으로 나뉘어지며 각 부영역(Da, Db, Dc, Dd)은 복수의 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the overall shape of the pixel electrode 191 is quadrangular and includes a cross stem portion including a horizontal stem portion 193 and a vertical stem portion 192 orthogonal thereto. In addition, the pixel electrode 191 may include the first subregion Da, the second subregion Db, the third subregion Dc, and the fourth subsection by the horizontal stem portion 193 and the vertical stem portion 192. The sub-regions Da, Db, Dc, and Dd are divided into regions Dd, and include a plurality of first to fourth minute branches 194a, 194b, 194c, and 194d.

액정(310)이 기울어지는 방향은 화소 전극(191)의 미세 가지(194a, 194b, 194c, 194d)에 의해 결정되며, 액정(310)은 미세 가지(194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어진다. 하나의 화소 전극(191)은 미세 가지(194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향이 서로 다른 네 개의 부영역(Da, Db, Dc, Dd)을 포함하므로 액정(310)이 기울어지는 방향은 대략 네 방향이며 액정층(3)에는 액정(310)의 배향 방향이 다른 네 개의 도메인(domain)이 형성된다. 이와 같이 액정이 기울어지는 방향을 다양하게 함으로써 액정 표시 장치의 시야각을 개선할 수 있다.The direction in which the liquid crystal 310 is inclined is determined by the fine branches 194a, 194b, 194c, and 194d of the pixel electrode 191, and the liquid crystal 310 is in the longitudinal direction of the fine branches 194a, 194b, 194c, and 194d. Tilt in a direction parallel to Since one pixel electrode 191 includes four subregions Da, Db, Dc, and Dd having different length directions of the minute branches 194a, 194b, 194c, and 194d, the direction in which the liquid crystal 310 is inclined is Four domains having approximately four directions and different alignment directions of the liquid crystal 310 are formed in the liquid crystal layer 3. As described above, the viewing angle of the liquid crystal display may be improved by varying the direction in which the liquid crystal is inclined.

도시하지 않았으나 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 폭은 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에 가까울수록 넓어질 수 있다.Although not illustrated, the widths of the minute branches 194a, 194b, 194c, and 194d may be wider as they are closer to the horizontal stem 193 or the vertical stem 192.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응성 메조겐에 의해 액정의 선경사를 형성하는 방법을 도시한 개략도이다.5 is a schematic diagram illustrating a method of forming a pretilt of a liquid crystal by a reactive mesogen according to an embodiment of the present invention.

먼저 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 각각 제조한다.First, the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200 are manufactured, respectively.

박막 트랜지스터 표시판(100)은 다음과 같은 방법으로 제조한다.The thin film transistor array panel 100 is manufactured by the following method.

기판(110) 위에 복수의 박막을 적층 및 패터닝하여 게이트 전극(124a, 124b)을 포함하는 게이트선(121), 게이트 절연막(140), 반도체(154a, 154b), 소스 전극(173a, 173b)을 포함하는 데이터선(171a, 171b), 드레인 전극(175a, 175b) 및 하부 보호막(180)을 차례로 형성한다.A plurality of thin films are stacked and patterned on the substrate 110 to form the gate line 121 including the gate electrodes 124a and 124b, the gate insulating layer 140, the semiconductors 154a and 154b, and the source electrodes 173a and 173b. The data lines 171a and 171b, the drain electrodes 175a and 175b, and the lower passivation layer 180 are sequentially formed.

이어서 하부 보호막(180) 위에 색필터(230)와 평탄화막(188)을 형성한다. Subsequently, the color filter 230 and the planarization film 188 are formed on the lower passivation layer 180.

평탄화막(188) 위에 자외선차단층 (185)을 형성하고, ITO 또는 IZO 따위의 도전층을 적층하고 패터닝하여 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 세로 줄기부(192), 가로 줄기부(193) 및 이들로부터 뻗어 나온 복수의 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)를 가지는 화소 전극(191)을 형성한다. A UV blocking layer 185 is formed on the planarization film 188, and a conductive layer such as ITO or IZO is stacked and patterned to form a vertical stem 192 and a horizontal stem 193 as shown in FIGS. 4 and 5. ) And a plurality of fine branch portions 194a, 194b, 194c, and 194d extending from them.

이어서 화소 전극(191) 위에 배향막(도시하지 않음)을 도포한다. Subsequently, an alignment film (not shown) is coated on the pixel electrode 191.

공통 전극 표시판(200)은 다음과 같은 방법으로 제조한다.The common electrode panel 200 is manufactured by the following method.

기판(210) 위에 공통 전극(270)을 형성한다. 이어서 공통 전극(270) 위에 배향막(21)을 도포한다. The common electrode 270 is formed on the substrate 210. Subsequently, an alignment layer 21 is coated on the common electrode 270.

다음으로, 상기와 같은 방법으로 제조된 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)의 사이에 액정(310) 및 반응성 메조겐(50)의 혼합물을 주입하여 액정층(3)을 형성한다. 액정층(3)은 박막 트랜지스터 표시판(100) 또는 공통 전극 표시판(200) 위에 액정(310) 및 반응성 메조겐(50)의 혼합물을 적하하는 방식으로 형성할 수도 있다.Next, the liquid crystal layer 3 is formed by injecting a mixture of the liquid crystal 310 and the reactive mesogen 50 between the thin film transistor array panel 100 and the common electrode panel 200 manufactured by the above method. . The liquid crystal layer 3 may be formed by dropping a mixture of the liquid crystal 310 and the reactive mesogen 50 on the thin film transistor array panel 100 or the common electrode display panel 200.

반응성 메조겐(50)의 중합에 의해 형성된 배향 중합체(50a)는 액정의 초기 배향 방향인 선경사(pre-tilt)를 제어하는 역할을 한다. 반응성 메조겐(50)은 액정과 유사한 모양을 가지며 액정과 마찬가지로 중심축을 이루는 중심부(core group)와 이것에 연결되어 있는 말단기(terminal group)를 가진다. 본 발명의 실시예에 따른 반응성 메조겐(50)은 중심부로서 메조겐(mesogen)을 가지며 말단기로서 광중합기(photo-polymerizable group)를 가진다.The alignment polymer 50a formed by the polymerization of the reactive mesogen 50 serves to control pre-tilt, which is the initial alignment direction of the liquid crystal. The reactive mesogen 50 has a shape similar to that of the liquid crystal, and has a core group forming a central axis and a terminal group connected thereto, similarly to the liquid crystal. Reactive mesogen 50 according to the embodiment of the present invention has a mesogen (mesogen) as the center portion and a photo-polymerizable group as the end group.

다음으로, 도5의 (a)와 도4를 참고하여 선경사각 형성 과정을 설명하면, 화소 전극(191)과 공통 전극(270)에 전압을 인가한다. 전압 인가에 의해 액정(310) 및 반응성 메조겐(50)은 화소 전극(191)의 미세 가지(194a-194d)의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어진다. 배향막(도시하지 않음) 부근에 위치하는 액정(310)은 배향막 사슬(11a, 21a)에 의해 수직 배향을 유지한다.Next, referring to FIGS. 5A and 4, the pretilt forming process will be described. A voltage is applied to the pixel electrode 191 and the common electrode 270. By applying a voltage, the liquid crystal 310 and the reactive mesogen 50 are inclined in a direction parallel to the length direction of the minute branches 194a to 194d of the pixel electrode 191. The liquid crystal 310 positioned near the alignment film (not shown) maintains the vertical alignment by the alignment film chains 11a and 21a.

이와 같이 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에 전압이 인가된 상태에서 광(1)을 조사한다. 광(1)은 반응성 메조겐(50)를 중합시킬 수 있는 파장을 가지는 것을 사용하며 자외선 광 등이 사용될 수 있으며, 고압 수은 램프를 사용할 수도 있다. 이에 따라 인접한 위치에 모여있는 반응성 메조겐(50)끼리 광 중합되어 배향 중합체(50a)를 형성한다. 이러한 배향 중합체(50a)는 액정(310)의 선경사를 제어할 수 있다.As such, the light 1 is irradiated in a state where a voltage is applied between the pixel electrode 191 and the common electrode 270. The light 1 may be one having a wavelength capable of polymerizing the reactive mesogen 50, ultraviolet light, or the like, and a high pressure mercury lamp may be used. As a result, the reactive mesogens 50 collected at adjacent positions are photopolymerized to form the alignment polymer 50a. The alignment polymer 50a may control the pretilt of the liquid crystal 310.

화소 전극(191) 및 공통 전극(270)에 인가하는 전압은 직류 전압이고, 그 크기는 5V 내지 20V 일 수 있고, 조사하는 광(1)의 에너지는 3J/cm² 내지 10J/cm² 일 수 있다.The voltage applied to the pixel electrode 191 and the common electrode 270 may be a DC voltage, and the magnitude thereof may be 5V to 20V, and the energy of the irradiated light 1 may be 3J / cm ² to 10J / cm ^2. have.

이어서 도 5의 (b)에서 보는 바와 같이, 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이의 전압을 오프한다.Subsequently, as shown in FIG. 5B, the voltage between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 is turned off.

이어서 화소 전극(191) 및 상기 공통 전극(270)에 전압을 오프한 상태에서 액정층(3)에 빛을 조사하여 중합율을 높일 수 있다.Subsequently, in the state where the voltage is turned off to the pixel electrode 191 and the common electrode 270, light may be irradiated to the liquid crystal layer 3 to increase the polymerization rate.

광을 조사하는 공정을 진행한 후의 액정층(3)은 광에 의해 중합된 배향 중합체(50a) 및 미중합된 반응성 메조겐(50)을 함께 포함할 수 있으며, 미중합된 반응성 메조겐(50)은 액정표시장치를 장시간 구동할 경우 잔상과 같은 표시품질 저하를 나타낼 수 있기 때문에, 도5의 (b)에 도시한 단계에서 20J/cm² 이상의 빛의 에너지를 조사하여 미중합된 반응성 메조겐(50)의 비율을 최소화한다. After the process of irradiating light, the liquid crystal layer 3 may include the alignment polymer 50a polymerized by light and the unpolymerized reactive mesogen 50 together, and the unpolymerized reactive mesogen 50 ) Shows deterioration of display quality such as afterimage when the LCD is operated for a long time, and the unpolymerized reactive mesogen is irradiated with energy of 20J / cm ² or more at the step shown in FIG. Minimize the ratio of 50.

이 때 상기 액정표시장치에 포함된 색필터(230)나 평탄화막(188)과 같은 유기물질도 함께 자외선에 노출되어 유기물질의 화학적 결합이 분해되거나, 유기물질의 성분 중 일부가 액정층으로 유출되는 아웃개싱(outgassing) 현상이 발생할 수 있다. 이는, 액정표시장치의 잔상이나 유기막 등의 일부가 채워지지 않는 불량(AUA (Active Unfilled Area) 불량)으로 나타나 표시 품질을 저하시키는 원인이 된다. At this time, organic materials such as the color filter 230 and the planarization film 188 included in the liquid crystal display are also exposed to ultraviolet rays to decompose chemical bonds of the organic materials, or some of the components of the organic materials are leaked to the liquid crystal layer. Outgassing may occur. This causes defects in which some of the afterimages of the liquid crystal display, the organic film, and the like are not filled (a defective Active Unfilled Area (AUA)), which causes a decrease in display quality.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 자외선 차단층(185)이 기판 내의 유기막이 분해되지 않도록 400nm 이하의 단파장의 자외선을 차단하는 역할을 하여 표시품질을 유지하는 역할을 한다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the ultraviolet blocking layer 185 serves to block ultraviolet rays having a short wavelength of 400 nm or less so that the organic film in the substrate is not decomposed, thereby maintaining display quality.

도6은 본 발명의 또 다른 실시예의 단면도이다. 6 is a cross-sectional view of another embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조는 도 2 내지 5에 도시한 액정 표시 장치의 구조와 대부분 동일하므로 다른 부분에 대해서 구체적으로 설명한다. 즉, 공통 전극 표시판 및 동작원리와 선경사각 형성과정은 동일하므로 박막 트랜지스터 표시판에 대해서만 설명한다.Since the structure of the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment is substantially the same as the structure of the liquid crystal display shown in FIGS. 2 to 5, other parts will be described in detail. That is, since the common electrode display panel, the operation principle, and the pretilt forming process are the same, only the thin film transistor array panel will be described.

도6의 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.The thin film transistor array panel 100 of FIG. 6 will be described.

평탄화막(188), 색필터(230) 및 보호막(180)에는 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 드러내는 복수의 접촉구(185a, 185b)가 형성되어 있다. A plurality of contact holes 185a and 185b exposing the first and second drain electrodes 175a and 175b are formed in the planarization film 188, the color filter 230, and the passivation layer 180.

평탄화막(188) 위에는 복수의 화소 전극(191)이 형성되어 있고, 각 화소 전극(191)은 서로 분리되어 있는 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)을 포함한다. A plurality of pixel electrodes 191 are formed on the planarization film 188, and each pixel electrode 191 includes first and second subpixel electrodes 191a and 191b separated from each other.

제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b) 및 평탄화막(188) 위에는 자외선 차단층(185)이 형성되어 있다.An ultraviolet blocking layer 185 is formed on the first and second subpixel electrodes 191a and 191b and the planarization layer 188.

[화학식 1][Formula 1]

[화학식 2][Formula 2]

자외선차단층(185) 위에 게이트선(121), 데이터선(171a, 171b), 제1 및 제2 박막 트랜지스터에 대응하는 부분에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다.A light blocking member 220 is formed on a portion of the UV blocking layer 185 corresponding to the gate line 121, the data lines 171a and 171b, and the first and second thin film transistors.

도7은 본 발명의 실시예에 따른 자외선 차단층(185)의 자외선 차단효과에 대한 그래프이다. 7 is a graph showing the ultraviolet blocking effect of the ultraviolet blocking layer 185 according to the embodiment of the present invention.

자외선 차단효과를 측정하기 위해 빛을 반사하는 기판(웨이퍼) 위에 자외선 차단층을 형성한 후 반사율을 측정하여 자외선 흡수효과를 측정하였다. 즉, 자외선 흡수도가 높을수록 그래프에서 반사율이 낮게 표시되며, 반사율의 값이 0에 가까울수록 자외선 차단층의 차단효과가 높음을 나타낸다.In order to measure the UV blocking effect, the UV blocking layer was formed on a substrate (wafer) reflecting light, and then the UV absorbing effect was measured by measuring the reflectance. That is, the higher the UV absorbance, the lower the reflectance is displayed on the graph, and the closer the value of the reflectance is to 0, the higher the blocking effect of the UV blocking layer.

그래프의 x축은 자외선 차단층의 두께를 나타내며 단위는 um이다.The x-axis of the graph represents the thickness of the sunscreen and is in um.

그래프의 y축에서 좌측의 축은 반사율에 대한 환산값(normalized value)으로 S의 값을 나타내며, 여기서 환산(normalization)의 기준이 되는 값은 자외선 차단층이 없는 경우의 반사율 측정값이다. 한편, 그래프에서 y축 중 우측의 축은 반사율 R 값을 나타낸다. The axis on the left side of the y-axis of the graph represents a value of S as a normalized value for the reflectance, wherein a value used as a reference for the normalization is a reflectance measurement value when there is no UV blocking layer. In the graph, the axis on the right side of the y axis represents the reflectance R value.

도7의 (a)는 화학식 1의 물질을 적층한 경우이며, 굴절율이 1.25인 자외선 차단층에 대한 반사율 측정결과이며, 두께가 0.1295 um일 때 최소의 S 값 0.48%를 나타낸다. 도 7의 (a) 그래프에 의하면 자외선 차단층의 두께가 0.1um 이상 0.15um이하의 두께에서는 충분한 자외선 흡수율을 나타냄을 알 수 있다.FIG. 7A illustrates a case where the material of Chemical Formula 1 is stacked, and reflectance of the UV blocking layer having a refractive index of 1.25 is 0.42% when the thickness is 0.1295 um. According to the graph of (a) of FIG. 7, it can be seen that the UV absorbing layer exhibits sufficient ultraviolet absorption at a thickness of 0.1 μm or more and 0.15 μm or less.

도7의 (b)는 화학식 2의 물질을 적층한 경우이며, 굴절율이 1.80인 자외선 차단층에 대한 반사도 측정결과이며, 두께가 0.0698 um일 때 최소의 S 값 0.56%를 나타낸다. 도 7의 (b) 그래프에 의하면 자외선 차단층의 두께가 0.06um 이상 0.095um이하의 두께에서는 충분한 자외선 흡수율을 나타냄을 알 수 있다.Figure 7 (b) is a case of laminating the material of the formula (2), the reflectivity measurement results for the UV blocking layer having a refractive index of 1.80, showing a minimum S value of 0.56% when the thickness is 0.0698 um. According to the graph of (b) of FIG. 7, it can be seen that the UV absorbing layer exhibits sufficient ultraviolet absorption at a thickness of 0.06 μm or more and 0.095 μm or less.

이와 같이 막두께 조절과 UV 흡수제의 함량 조절 등을 통하여 자외선 차단층의 차단효과를 조절할 수 있다.As such, the blocking effect of the UV blocking layer may be controlled by controlling the film thickness and adjusting the content of the UV absorber.

이상의 실시예에서 자외선 차단층(185)은 박막 트랜지스터 표시판(100)에 위치하는 것으로 설명하였지만, 색필터(230)가 공통 전극 표시판(200)에 위치하는 액정표시장치의 경우 빛을 하부표시판(100) 측 방면에서 조사하게 되므로 자외선 차단층(185)은 공통 전극 표시판(200)에 위치하여 공통 전극 표시판(200) 내의 유기재료를 보호할 수 있다.In the above-described embodiment, the UV blocking layer 185 is described as being positioned on the thin film transistor array panel 100. However, in the case of the liquid crystal display in which the color filter 230 is positioned on the common electrode panel 200, light is emitted from the lower panel 100. The UV blocking layer 185 may be disposed on the common electrode panel 200 to protect the organic material in the common electrode panel 200.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

3: 액정층 50: 반응성 메조겐
100: 박막 트랜지스터 표시판 200: 공통 전극 표시판
121: 게이트선 171: 데이터선
185: 자외선 차단층 188: 평탄화막
191: 화소 전극 230: 색필터
270: 공통 전극3: liquid crystal layer 50: reactive mesogen
100: thin film transistor display panel 200: common electrode display panel
121: gate line 171: data line
185: UV blocking layer 188: planarization film
191: pixel electrode 230: color filter
270 common electrode

Claims

제1 기판,
상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나 위에 형성되어 있는 한 쌍의 전기장 생성 전극, 그리고
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있으며 액정 및 반응성 메조겐을 포함하는 액정층을 포함하고,
상기 제1 기판과 제 2기판 중 하나의 기판에 자외선 차단층을 포함하며,
상기 자외선 차단층은 자외선 흡수제를 포함하며,
상기 자외선 흡수제는 발색단을 포함하는 유기 물질인
액정 표시 장치.First substrate,
A second substrate facing the first substrate,
A pair of field generating electrodes formed on at least one of the first substrate and the second substrate, and
A liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate and including a liquid crystal and a reactive mesogen,
Including a UV blocking layer on one of the first substrate and the second substrate,
The UV blocking layer includes a UV absorber,
The ultraviolet absorber is an organic material containing a chromophore
Liquid crystal display.

제1항에서,
상기 반응성 메조겐은 자외선 조사 공정에 의해 배향 중합체로 변환되는 액정 표시 장치.In claim 1,
The reactive mesogen is converted into an alignment polymer by an ultraviolet irradiation process.

제2항에서,
상기 자외선 차단층은 상기 제1기판과 제2 기판 중 상기 자외선 조사 공정에서 자외선이 가해지는 기판이 아닌 다른 하나의 기판에 위치하는 액정 표시 장치.In claim 2,
The ultraviolet blocking layer is a liquid crystal display device of the first substrate and the second substrate is located on a substrate other than the substrate to which ultraviolet light is applied in the ultraviolet irradiation process.

제3항에서,
상기 자외선 차단층은 상기 전기장 생성전극의 하부에 위치하는 액정 표시 장치 4. The method of claim 3,
The UV blocking layer is a liquid crystal display device disposed under the electric field generating electrode.

제4항에서,
상기 자외선 흡수제는 400nm 이하의 빛을 흡수하는 액정 표시 장치In claim 4,
The UV absorber absorbs light of 400 nm or less

제5항에서
상기 발색단은 화학식 1 내지 2로 표현되는 화합물 중 하나를 포함하는 액정표시장치
[화학식 1]

[화학식 2]

In paragraph 5
The chromophore is a liquid crystal display comprising one of the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 2
[Formula 1]

(2)

제4항에서,
상기 자외선 차단층은 0.05um 이상의 두께를 가지는 액정표시장치. In claim 4,
The UV blocking layer has a thickness of 0.05um or more.

제3항에서,
상기 자외선 차단층은 상기 전기장 생성전극의 상부에 위치하는 액정 표시 장치 4. The method of claim 3,
The UV blocking layer is a liquid crystal display disposed above the field generating electrode.

제8항에서,
상기 자외선 흡수제는 400nm 이하의 빛을 흡수하는 액정 표시 장치9. The method of claim 8,
The UV absorber absorbs light of 400 nm or less

제9항에서,
상기 발색단은 화학식 1 내지 2로 표현되는 화합물 중 하나를 포함하는 액정표시장치
[화학식 1]

[화학식 2]

In claim 9,
The chromophore is a liquid crystal display comprising one of the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 2
[Formula 1]

(2)

제8항에서,
상기 자외선 차단층은 0.05um 이상의 두께를 가지는 액정표시장치. 9. The method of claim 8,
The UV blocking layer has a thickness of 0.05um or more.

제1 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계,
상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,
상기 게이트 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 형성하는 단계,
상기 게이트 절연막 위에 색필터를 형성하는 단계,
상기 색필터 위에 평탄화층을 형성하는 단계,
상기 평탄화층 위에 자외선 차단층을 형성하는 단계,
제2 기판 위에 공통전극을 형성하는 단계,
제 1기판과 제 2기판 사이에 액정과 반응성 메조겐의 혼합물을 도입하는 단계
를 포함하며,
상기 자외선 차단층은 자외선 흡수제를 포함하며,
상기 자외선 흡수제는 발색단을 포함하는 유기 물질인 액정 표시 장치의 제조 방법.Forming a gate line including a gate electrode on the first substrate,
Forming a gate insulating film on the gate line;
Forming a data line including a source electrode and a drain electrode facing the source electrode on the gate insulating layer;
Forming a color filter on the gate insulating layer;
Forming a planarization layer on the color filter;
Forming an ultraviolet blocking layer on the planarization layer,
Forming a common electrode on the second substrate,
Introducing a mixture of liquid crystal and reactive mesogen between the first substrate and the second substrate
Including;
The UV blocking layer includes a UV absorber,
The ultraviolet absorber is an organic material containing a chromophore.

제12항에서,
상기 제1 기판의 자외선 차단층 위에 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조방법.In claim 12,
And forming a pixel electrode on the UV blocking layer of the first substrate.

제12항에서,
상기 제1기판의 자외선 차단층 아래에 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조방법.In claim 12,
And forming a pixel electrode under the UV blocking layer of the first substrate.

제12항에서,
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 전압을 인가하는 단계, 및
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 전압을 인가한 상태에서 상기 액정층에 광을 조사하여 상기 반응성 메조겐을 광 중합하는 단계
를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.In claim 12,
Applying a voltage to the pixel electrode and the common electrode, and
Photopolymerizing the reactive mesogen by irradiating light to the liquid crystal layer in a state where voltage is applied to the pixel electrode and the common electrode.
Method of manufacturing a liquid crystal display device further comprising.

제15항에서,
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 전압을 오프하는 단계, 및
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 전압을 인가하지 않은 상태에서 상기 액정층에 광을 조사하여 상기 반응성 메조겐을 광 중합하는 단계
를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 15,
Turning off a voltage to the pixel electrode and the common electrode, and
Photopolymerizing the reactive mesogen by irradiating light onto the liquid crystal layer without applying a voltage to the pixel electrode and the common electrode
Method of manufacturing a liquid crystal display device further comprising.

제12항에서,
상기 자외선 흡수제는 400nm 이하의 빛을 흡수하는 액정표시장치의 제조방법In claim 12,
The ultraviolet absorber manufacturing method of the liquid crystal display device that absorbs light of 400nm or less

제12항에서,
상기 발색단은 화학식 1 내지 2로 표현되는 화합물 중 하나를 포함하는 액정표시장치.
[화학식 1]

[화학식 2]

In claim 12,
The chromophore is a liquid crystal display comprising one of the compounds represented by Formula 1 to 2.
[Formula 1]

(2)