KR20110097743A - Methode for manufacturing substrate for flexible display device and method for manufacturing organic light emitting device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 제조 과정 중에 발생할 수 있는 베리어층과 기판 사이의 필오프(peel-off) 현상을 방지할 수 있는 플렉서블 디스플레이용 기판을 제조하는 방법 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다. An embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a flexible display substrate and a method for manufacturing an organic light emitting display device that can prevent a peel-off phenomenon between the barrier layer and the substrate that may occur during the manufacturing process. do.

Description

플렉서블 디스플레이용 기판을 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법{Methode for manufacturing substrate for flexible display device and method for manufacturing organic light emitting device using the same}Method for manufacturing substrate for flexible display device and method for manufacturing organic light emitting device using the same}

본 발명은 플렉서블 디스플레이 장치용 기판을 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a substrate for a flexible display device and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the substrate manufacturing method.

최근 플렉서블 디스플레이(flexible Display)가 디스플레이 분야의 신기술로 각광받고 있다. 이러한 플렉서블 디스플레이는 플라스틱 등의 얇은 기판에 구현되어 종이처럼 접거나 말아도 손상되지 않는다. 현재 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)를 구비한 액정 디스플레이(LCD: liquid crystal display) 및 유기 발광 디스플레이(OLED: organic light emitting display) 등을 채용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하고 있다. Recently, flexible displays have been spotlighted as new technologies in the display field. The flexible display is implemented on a thin substrate such as plastic, so that it is not damaged even when folded or rolled like paper. Currently, a flexible display is implemented by adopting a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting display (OLED) having a thin film transistor (TFT).

플렉서블 디스플레이 패널은 지지 기판 위에 플라스틱을 코팅하고 그 위에 배리어(barrier)를 증착한 후 백플레인(backplane) 형성 및 박막 인캡(Thin Film Encapsulation: TFE) 공정을 적용한다. 현재 플렉서블 디스플레이 장치는 높은 유기 화소정의막을 사용하고, TFE 공정시 두꺼운 패시베이션막을 형성하여 패시베이션막의 유기층에 의해 평탄화를 도모하고 있다. 이후 플라스틱 패널을 지지 기판으로부터 분리하고, 상하부에 보호필름을 부착하여 제작된다. The flexible display panel coats a plastic on a support substrate and deposits a barrier thereon, and then applies a backplane formation and thin film encapsulation (TFE) process. Currently, the flexible display device uses a high organic pixel definition film and forms a thick passivation film during the TFE process to planarize the organic layer of the passivation film. Thereafter, the plastic panel is separated from the supporting substrate, and is manufactured by attaching a protective film on the upper and lower parts.

본 발명의 주된 목적은 베리어층과 제1 기판 사이의 필오프(peel-off) 현상을 방지할 수 있는 플렉서블 디스플레이용 기판을 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. The main object of the present invention is a method of manufacturing a flexible display substrate capable of preventing a peel-off phenomenon between the barrier layer and the first substrate, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the substrate manufacturing method To provide.

본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법은, 적어도 일측에 평활면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계와, 상기 제1 기판 상에 보강층을 형성하는 단계와, 상기 보강층 상에 플렉서블한 제2 기판을 형성하는 단계 및 상기 제2 기판의 상면을 덮으며, 상기 보강층과 상기 제2 기판의 측부를 둘러싸는 베리어층을 형성하는 단계를 구비한다. According to one or more exemplary embodiments, a method of manufacturing a substrate for a flat panel display device includes preparing a first substrate having a smooth surface on at least one side, forming a reinforcement layer on the first substrate, and forming a reinforcement layer on the reinforcement layer. Forming a flexible second substrate on the substrate; and forming a barrier layer covering an upper surface of the second substrate and surrounding the side of the reinforcement layer and the second substrate.

본 발명에 있어서, 상기 제1 기판은 유리로 이루어질 수 있다.In the present invention, the first substrate may be made of glass.

본 발명에 있어서, 상기 보강층은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 접착을 보강할 수 있다.In the present invention, the reinforcing layer may reinforce the adhesion between the first substrate and the second substrate.

본 발명에 있어서,상기 보강층을 형성하는 단계는 상기 제1 기판 상에 ITO를 증착함으로써 상기 보강층을 형성할 수 있다.In the present invention, the forming of the reinforcing layer may form the reinforcing layer by depositing ITO on the first substrate.

본 발명에 있어서, 상기 제2 기판은 연성을 가지는 합성수지재로 이루어질 수 있다. In the present invention, the second substrate may be made of a synthetic resin material having a ductility.

본 발명에 있어서, 상기 제2 기판을 형성하는 단계는, 상기 보강층 상에 상기 보강층의 가장자리를 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와, 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 보강층 상의 영역에 상기 제2 기판을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the present invention, the forming of the second substrate may include forming a partition wall surrounding the edge of the reinforcement layer on the reinforcement layer, and forming the second substrate in an area on the reinforcement layer surrounded by the partition wall. It may include a step.

본 발명에 있어서, 상기 제2 기판은 스핀 코팅(Spin Coating)법에 의해 형성될 수 있다.In the present invention, the second substrate may be formed by a spin coating method.

본 발명에 있어서, 상기 제2 기판 형성 후, 상기 격벽을 제거하는 단계와, 상기 보강층 중 상기 제2 기판이 덮이지 않은 제1 부분을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include removing the barrier rib after forming the second substrate and removing a first portion of the reinforcing layer not covered by the second substrate.

본 발명에 있어서, 상기 제1 부분을 제거하는 단계는 상기 제1 부분이 식각을 통해 제거될 수 있다.In the present invention, removing the first portion may remove the first portion by etching.

본 발명에 있어서, 상기 제1 부분은 습식 식각에 의해 제거될 수 있다.In the present invention, the first portion may be removed by wet etching.

본 발명에 있어서, 상기 습식 식각은 상기 제2 기판에 비해 상기 보강층의 식각률이 높은 에천트를 이용할 수 있다.In the present invention, the wet etching may use an etchant having a higher etching rate of the reinforcing layer than the second substrate.

본 발명에 있어서, 상기 베리어층을 형성하는 단계는, 상기 제2 기판의 상면, 상기 제2 기판 및 상기 보강층의 측부, 및 상기 제1 부분이 제거되어 노출된 상기 제1 기판 상의 영역을 덮을 수 있다.In the present invention, the forming of the barrier layer may cover an upper surface of the second substrate, side portions of the second substrate and the reinforcement layer, and an area on the first substrate that is exposed by removing the first portion. have.

본 발명에 있어서, 상기 베리어층은 무기물로 이루어질 수 있다.In the present invention, the barrier layer may be made of an inorganic material.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법은, 적어도 일측에 평활면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계와, 상기 제1 기판 상에 보강층을 형성하는 단계와, 상기 보강층 상에 플렉서블한 제2 기판을 형성하는 단계와, 상기 제2 기판의 상면을 덮으며, 상기 보강층과 상기 제2 기판의 측부를 둘러싸는 베리어층을 형성하는 단계와, 상기 베리어층 상에 유기 발광부를 형성하는 단계와, 상기 유기 발광부를 밀봉하는 봉지부를 형성하는 단계와, 상기 제1 기판 및 상기 보강층을 제거하는 단계를 구비한다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a first substrate having a smooth surface on at least one side, forming a reinforcement layer on the first substrate, and on the reinforcement layer Forming a flexible second substrate, forming a barrier layer covering an upper surface of the second substrate and surrounding the side of the reinforcement layer and the second substrate, and forming an organic light emitting part on the barrier layer And forming an encapsulation part sealing the organic light emitting part, and removing the first substrate and the reinforcement layer.

본 발명에 있어서, 상기 제2 기판을 형성하는 단계는, 상기 보강층 상에 상기 보강층의 가장자리를 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계와, 상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 보강층 상의 영역에 상기 제2 기판을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the present invention, the forming of the second substrate may include forming a partition wall surrounding the edge of the reinforcement layer on the reinforcement layer, and forming the second substrate in an area on the reinforcement layer surrounded by the partition wall. It may include a step.

본 발명에 있어서, 상기 제2 기판 형성 후, 상기 격벽을 제거하는 단계와, 상기 보강층 중 상기 제2 기판이 덮이지 않은 제1 부분을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include removing the barrier rib after forming the second substrate and removing a first portion of the reinforcing layer not covered by the second substrate.

본 발명에 있어서, 상기 제1 부분을 제거하는 단계는 상기 제1 부분이 습식 식각을 통해 제거될 수 있다.In the present invention, the removing of the first portion may include removing the first portion by wet etching.

본 발명에 있어서, 상기 습식 식각은 상기 제2 기판에 비해 상기 보강층의 식각률이 높은 에천트를 이용할 수 있다.In the present invention, the wet etching may use an etchant having a higher etching rate of the reinforcing layer than the second substrate.

본 발명에 있어서, 상기 제2 기판은 스핀 코팅(Spin Coating)법에 의해 형성될 수 있다.In the present invention, the second substrate may be formed by a spin coating method.

본 발명에 있어서, 상기 제1 기판은 유리로 이루어지며, 상기 제2 기판은 연성을 가지는 합성수지재로 이루어질 수 있다.In the present invention, the first substrate may be made of glass, and the second substrate may be made of a synthetic resin material having ductility.

본 발명에 따르면, 제조 과정 중에 발생할 수 있는 베리어층과 제1 기판 사이의 필오프(peel-off) 현상을 방지할 수 있다.According to the present invention, a peel-off phenomenon between the barrier layer and the first substrate, which may occur during the manufacturing process, can be prevented.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 평판 디스플레이 장치용 기판을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3 내지 도 7은 도 1에 도시된 기판을 제조 공정별로 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate for a flexible flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view schematically illustrating the substrate illustrated in FIG. 1.
3 to 7 are cross-sectional views illustrating the substrate illustrated in FIG. 1 for each manufacturing process.
8 to 10 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치용 기판(100)을 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 2는 도 1에 도시된 기판(100)의 평면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate 100 for a flexible display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the substrate 100 illustrated in FIG. 1.

도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치용 기판(100)은 제1 기판(101), 보강층(103), 제2 기판(102), 및 베리어층(104)을 구비할 수 있다. 1 and 2, a substrate 100 for a flexible display device according to an embodiment of the present invention may include a first substrate 101, a reinforcement layer 103, a second substrate 102, and a barrier layer 104. It may be provided.

제1 기판(101)은 적어도 일측에 평활면을 가질 수 있다. 제1 기판(101)의 평활면 상에는 보강층(103), 제2 기판(102) 등이 순차적으로 적층될 수 있다. 제1 기판(101)은 유리로 이루어질 수 있다. The first substrate 101 may have a smooth surface on at least one side. The reinforcement layer 103, the second substrate 102, and the like may be sequentially stacked on the smooth surface of the first substrate 101. The first substrate 101 may be made of glass.

보강층(103)은 제1 기판(101)의 평활면 상에 형성되며, 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이에 배치된다. 보강층(103)과 제2 기판(102)은 도 2에 도시된 바와 같이 제1 기판(101)의 중앙부에 배치되며 제1 기판(101)의 가장자리에는 배치되지 않는다.The reinforcement layer 103 is formed on the smooth surface of the first substrate 101, and is disposed between the first substrate 101 and the second substrate 102. As shown in FIG. 2, the reinforcement layer 103 and the second substrate 102 are disposed at the center of the first substrate 101 and are not disposed at the edge of the first substrate 101.

플렉서블 디스플레이 장치에서는 제2 기판(102)이 연성을 가진 합성 수지재로 이루어지는데, 유리로 이루어지는 제1 기판(101) 상에 합성 수지재인 제2 기판(102)을 직접 형성하면 유기와 합성 수지재 사이의 접착 특성이 좋지 않아 이후 공정 중에 제2 기판(102)이 뜯겨 나가는 현상이 발생한다. 보강층(103)은 유리재인 제1 기판(101)과 합성 수지재인 제2 기판(102) 사이에 배치되어 제1 기판(101)과 제2 기판(102) 사이의 접착 특성을 향상시켜서 이후 공정 후에 제2 기판(102)이 뜯겨 나가는 현상을 방지할 수 있다. 보강층(103)은 ITO로 이루어지며, 제1 기판(101) 상에 증착에 의해 형성될 수 있다. In the flexible display device, the second substrate 102 is made of a flexible synthetic resin material. When the second substrate 102, which is a synthetic resin material, is directly formed on the first substrate 101 made of glass, the organic and synthetic resin materials are used. Since the adhesive property between them is not good, the second substrate 102 is torn off during the process. The reinforcement layer 103 is disposed between the first substrate 101 made of glass and the second substrate 102 made of synthetic resin to improve the adhesive property between the first substrate 101 and the second substrate 102, and then A phenomenon in which the second substrate 102 is torn off can be prevented. The reinforcement layer 103 is made of ITO, and may be formed on the first substrate 101 by deposition.

베리어층(104)은 제2 기판(102) 상에 형성되며, 특히 베리어층(104)은 제2 기판(102)의 상부를 덮으면서 제2 기판(102)의 측부와 보강층(103)의 측부를 덮도록 제1 기판(101)에 형성될 수 있다. 베리어층(104) 상에는 유기 발광부(도 8의 110)가 형성된다. 베리어층(104)은 산소, 수분 등 이물질이 제1 기판(101)과 제2 기판(102)을 통해 유기 발광부(110)에 침투하는 것을 방지하는 기능을 한다. 베리어층(104)은 무기물로 이루어질 수 있다. 베리어층(104)은 다층의 무기막으로 이루어질 수 있다. 베리어층(104)은 산화 규소(SiOx)막과 질화 규소(SiNx)막이 교대로 적층된 다층막일 수 있다. 베리어층(104)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion) 공정에 의해 이루어질 수 있다. The barrier layer 104 is formed on the second substrate 102, in particular the barrier layer 104 covers the top of the second substrate 102 and the side of the second substrate 102 and the side of the reinforcement layer 103. It may be formed on the first substrate 101 to cover the. An organic light emitting part (110 of FIG. 8) is formed on the barrier layer 104. The barrier layer 104 serves to prevent foreign substances such as oxygen and moisture from penetrating into the organic light emitting unit 110 through the first substrate 101 and the second substrate 102. The barrier layer 104 may be made of an inorganic material. The barrier layer 104 may be formed of a multilayer inorganic film. The barrier layer 104 may be a multilayer film in which a silicon oxide (SiOx) film and a silicon nitride (SiNx) film are alternately stacked. The barrier layer 104 may be formed by a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion (PECVD) process.

도 3 내지 도 7은 도 1에 도시된 기판을 제조 공정별로 나타내는 단면도이다. 3 to 7 are cross-sectional views illustrating the substrate illustrated in FIG. 1 for each manufacturing process.

우선, 도 3을 참조하면, 적어도 일측에 평활면을 가지는 제1 기판(101)을 준비하고, 제1 기판(101)의 평활면 상 일부에 보강층(103)을 도포한다. 제1 기판(101)은 유리로 이루어질 수 있다. 보강층(103)은 제1 기판(101) 상에 ITO를 증착하여 형성할 수 있다. First, referring to FIG. 3, a first substrate 101 having a smooth surface on at least one side is prepared, and a reinforcement layer 103 is coated on a part of the smooth surface of the first substrate 101. The first substrate 101 may be made of glass. The reinforcement layer 103 may be formed by depositing ITO on the first substrate 101.

다음으로, 도 4를 참조하면, 보강층(103)의 가장자리를 둘러싸는 격벽(105)을 형성한다. 격벽(105)은 보강층(103)의 중심부는 도포하지 않고 보강층(103)의 가장자리만을 도포한다. 격벽(105)에 의해 둘러싸인 보강층(103) 상에는 제2 기판(102)이 형성된다. 제2 기판(102)은 연성을 가지는 합성수지재로 이루어질 수 있다. 제2 기판(102)은 스핀 코팅(spin coating)법에 의해 형성된다. 격벽(105)은 형성될 제2 기판(102)의 높이(t2) 보다 높게 형성된다. 즉, 격벽(105)의 높이는 제2 기판(102)의 높이(t2) 보다 더 크다. 이에 따라, 격벽(105)은 제2 기판(102)이 형성되는 동안에 합성수지재가 흘러넘치는 것을 방지할 수 있다. 격벽(105)은 PET(Poly-Ethylen Terephthalate) 필름으로 이루어질 수 있다. Next, referring to FIG. 4, a partition wall 105 surrounding the edge of the reinforcing layer 103 is formed. The partition walls 105 apply only the edges of the reinforcing layer 103 without applying the central portion of the reinforcing layer 103. The second substrate 102 is formed on the reinforcement layer 103 surrounded by the partition wall 105. The second substrate 102 may be made of a synthetic resin material having ductility. The second substrate 102 is formed by a spin coating method. The partition wall 105 is formed higher than the height t2 of the second substrate 102 to be formed. That is, the height of the partition wall 105 is greater than the height t2 of the second substrate 102. Accordingly, the partition wall 105 can prevent the synthetic resin material from overflowing while the second substrate 102 is formed. The partition wall 105 may be formed of a poly-ethyllen terephthalate (PET) film.

이어서, 도 5를 참조하면, 제2 기판(102) 형성 후 격벽(105)을 제거한다. 이후, 보강층(103)의 제1 부분(103a)을 제거한다. 제1 부분(103a)은 보강층(103) 중 제2 기판(102)이 덮이지 않은 부분을 나타낸다. 제1 부분(103a)의 제거는 식각에 의해 이루어질 수 있다. 일 예로서, 습식 식각에 의해 제1 부분(103a)가 제거될 수 있다. 제1 부분(103a)의 제거 단계에서는 제1 부분(103a)이 선택적으로 식각되며, 제2 기판(102)은 식각되지 않는다. 제1 부분(103a)의 선택적 식각은 식각액에 따라 이루어질 수 있다. 즉, 제1 부분(103a)에 대한 식각률이 제2 기판(102)의 식각률보다 큰 식각액을 사용함으로써 제1 부분(103a)의 선택적 식각이 가능하다. Subsequently, referring to FIG. 5, after the formation of the second substrate 102, the partition wall 105 is removed. Thereafter, the first portion 103a of the reinforcing layer 103 is removed. The first portion 103a represents a portion of the reinforcing layer 103 not covered with the second substrate 102. Removal of the first portion 103a may be performed by etching. As an example, the first portion 103a may be removed by wet etching. In the removing of the first portion 103a, the first portion 103a is selectively etched, and the second substrate 102 is not etched. Selective etching of the first portion 103a may be performed according to the etchant. That is, selective etching of the first portion 103a is possible by using an etchant having an etching rate with respect to the first portion 103a greater than that of the second substrate 102.

도 6은 제1 부분(103a)가 제거된 플렉서블 디스플레이 장치용 기판을 나타내는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 식각에 의해 제1 부분(103a)이 제거된 플렉서블 디스플레이 장치용 기판은 제1 기판(101) 상에 보강층(103)과 제2 기판(102)이 적층되어 있으며, 제1 기판(101)의 가장자리에는 보강층(103)의 제1 부분(도5의 103a)가 제거되어 보강층(103) 및 제2 기판(102)이 존재하지 않는다. 6 is a cross-sectional view illustrating a substrate for a flexible display device with the first portion 103a removed. Referring to FIG. 6, in the flexible display apparatus substrate from which the first portion 103a is removed by etching, the reinforcement layer 103 and the second substrate 102 are stacked on the first substrate 101, and the first substrate 103 is formed on the first substrate 101. At the edge of the substrate 101, the first portion (103a of FIG. 5) of the reinforcement layer 103 is removed so that the reinforcement layer 103 and the second substrate 102 do not exist.

종래에는 격벽(105)을 제거하기 위해 포토리소그래피 공정이 행하여졌으나, 포토리소그래피 공정의 경우 포토 리지스트 도포, 노광, 현상등 공정이 복잡하고 비용이 추가로 발생하였으며, 또한 보강층(103)의 제1 부분(103a)의 제거가 불완전하여 베리어층(104)과 제1 기판(101)이 분리되는 필오프(peel off) 현상이 발생하였다. Conventionally, a photolithography process is performed to remove the barrier ribs 105. However, in the photolithography process, a process such as photoresist coating, exposure, development, etc. is complicated, and additional costs are generated. Incomplete removal of the portion 103a caused a peel off phenomenon in which the barrier layer 104 and the first substrate 101 were separated.

본 발명의 일 실시예에서는 상술한 바와 같이 포토리소그래피 공정이 아닌 식각에 의해 보강층(103)의 제1 부분(103a)을 제거함으로써, 공정이 단순화되고 제조 비용 절감되며, 필오프 현상을 방지할 수 있다. In one embodiment of the present invention, by removing the first portion 103a of the reinforcing layer 103 by etching rather than the photolithography process as described above, the process is simplified, manufacturing cost can be reduced, and the peel off phenomenon can be prevented. have.

다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 베리어층(104)은 제2 기판(102)의 상면을 모두 덮으며, 또한, 제2 기판(102)의 측부와 보강층(103)의 측부를 덮을 수 있도록 제1 기판(101)의 가장자리까지 도포된다. 베리어층(104)은 산소, 수분 등 이물질이 제1 기판(101)과 제2 기판(102)을 통해 유기 발광부(110)에 침투하는 것을 방지하는 기능을 한다. Next, as shown in FIG. 7, the barrier layer 104 may cover all of the top surface of the second substrate 102, and may also cover the side of the second substrate 102 and the side of the reinforcing layer 103. To the edge of the first substrate 101 to be applied. The barrier layer 104 serves to prevent foreign substances such as oxygen and moisture from penetrating into the organic light emitting unit 110 through the first substrate 101 and the second substrate 102.

베리어층(104)은 무기물로 이루어질 수 있다. 베리어층(104)은 다층의 무기막으로 이루어질 수 있다. 베리어층(104)은 산화 규소(SiOx)막과 질화 규소(SiNx)막이 교대로 적층된 다층막일 수 있다. 베리어층(104)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion) 공정에 의해 이루어질 수 있다. The barrier layer 104 may be made of an inorganic material. The barrier layer 104 may be formed of a multilayer inorganic film. The barrier layer 104 may be a multilayer film in which a silicon oxide (SiOx) film and a silicon nitride (SiNx) film are alternately stacked. The barrier layer 104 may be formed by a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion (PECVD) process.

도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 8 to 10 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

상술한 바와 같이 플렉서블 디스플레이 장치용 기판(100)을 준비한 후, 도 8에 도시된 바와 같이, 베리어층(104) 상에 유기 발광부(110)와 봉지부(120)을 형성한다. After preparing the substrate 100 for the flexible display device as described above, as shown in FIG. 8, the organic light emitting part 110 and the encapsulation part 120 are formed on the barrier layer 104.

유기 발광부(110)는 화소 회로부(130)와 유기 발광 소자(140)로 이루어질 수 있다. 유기 발광부(110)는 베리어층(104) 상에 순차적으로 화소 회로부(130)와 유기 발광 소자(140)가 형성됨으로써 이루어진다. 회소 회로부(130)는 박막 트랜지스터(thin film transistor: TFT)일 수 있다. The organic light emitting unit 110 may include the pixel circuit unit 130 and the organic light emitting element 140. The organic light emitting unit 110 is formed by sequentially forming the pixel circuit unit 130 and the organic light emitting element 140 on the barrier layer 104. The recovery circuit unit 130 may be a thin film transistor (TFT).

도 10을 참조하면, 기판(100)의 베리어층(104) 상에 소정 패턴의 활성층(52)이 구비된다. 활성층(52)의 상부에는 게이트 절연막(53)이 구비되고, 게이트 절연막(53) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(54)이 형성된다. 게이트 전극(54)은 박막 트랜지스터 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다. 게이트 전극(54)의 상부로는 층간 절연막(55)이 형성되고, 컨택 홀을 통해 소스/드레인 전극(56)(57)이 각각 활성층(52)의 소스/드레인 영역(52b)(52c)에 접하도록 형성된다. 소스/드레인 전극(56)(57) 상부에는 절연막(58)이 형성된다. 절연막(58)은 SiO2, SiNx 등으로 이루어진 패시베이션막일 수 있다. 절연막인 패시베이션막(58)의 상부에는 아크릴(acryl), 폴리 이미드(polyimide), BCB(Benzocyclobutene) 등의 유기물질로 평탄화막(59)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 10, an active layer 52 having a predetermined pattern is provided on the barrier layer 104 of the substrate 100. The gate insulating layer 53 is provided on the active layer 52, and the gate electrode 54 is formed in a predetermined region above the gate insulating layer 53. The gate electrode 54 is connected to a gate line (not shown) for applying a thin film transistor on / off signal. An interlayer insulating layer 55 is formed on the gate electrode 54, and the source / drain electrodes 56 and 57 are respectively formed in the source / drain regions 52b and 52c of the active layer 52 through the contact holes. It is formed to be in contact. An insulating film 58 is formed on the source / drain electrodes 56 and 57. The insulating film 58 may be a passivation film made of SiO 2 , SiNx, or the like. The planarization layer 59 may be formed on the passivation layer 58, which is an insulating layer, of an organic material such as acryl, polyimide, and benzocyclobutene (BCB).

그리고, 평탄화막(59)의 상부에 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드 전극이 되는 화소 전극(141)이 형성되고, 이를 덮도록 유기물로 화소 정의막(Pixel Define Layer: 144)이 형성된다. 화소 정의막(144)에 소정의 개구를 형성한 후, 화소 정의막(144)의 상부 및 개구가 형성되어 외부로 노출된 화소 전극(141)의 상부에 중간층(142)을 형성한다. 여기서, 중간층(142)은 발광층을 포함한다. 본 발명은 반드시 이와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며, 다양한 유기 발광 디스플레이장치의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.The pixel electrode 141 serving as an anode of the organic light emitting diode OLED is formed on the planarization layer 59, and a pixel defining layer 144 is formed of an organic material to cover the pixel electrode 141. After the predetermined opening is formed in the pixel defining layer 144, an upper layer and an opening of the pixel defining layer 144 are formed to form an intermediate layer 142 on the pixel electrode 141 exposed to the outside. Here, the intermediate layer 142 includes a light emitting layer. The present invention is not necessarily limited to such a structure, and the structures of various organic light emitting display devices can be applied as it is.

유기 전계 발광 소자(140)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 박막 트랜지스터의 드레인 전극(56)에 연결되어 이로부터 플러스 전원을 공급받는 화소 전극(141)과, 전체 화소를 덮도록 구비되어 마이너스 전원을 공급하는 대향 전극(143) 및 이들 화소 전극(141)과 대향 전극(143)의 사이에 배치되어 발광하는 중간층(142)으로 구성된다.The organic electroluminescent element 140 emits red, green, and blue light according to the flow of current to display predetermined image information, and is connected to the drain electrode 56 of the thin film transistor to receive positive power therefrom. A pixel electrode 141 and an opposite electrode 143 provided to cover all the pixels to supply negative power, and an intermediate layer 142 disposed between the pixel electrodes 141 and the opposite electrode 143 to emit light. do.

화소 전극(141)과 대향 전극(143)은 중간층(142)에 의해 서로 절연되어 있으며, 중간층(142)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 중간층(142)에서 발광이 이뤄지도록 한다.The pixel electrode 141 and the opposite electrode 143 are insulated from each other by the intermediate layer 142, and light is emitted from the intermediate layer 142 by applying voltages having different polarities to the intermediate layer 142.

여기서, 중간층(142)은 저분자 또는 고분자 유기층이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기층을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기층은 진공증착의 방법으로 형성된다.Here, the intermediate layer 142 may be a low molecular or polymer organic layer, when using a low molecular organic layer, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML) , Electron Transport Layer (ETL), Electron Injection Layer (EIL), etc. may be formed by stacking in a single or complex structure, and the usable organic materials may be copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), Tris Various applications include, for example, tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3). These low molecular weight organic layers are formed by the vacuum deposition method.

고분자 유기층의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이때, 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.In the case of the polymer organic layer, the structure may include a hole transport layer (HTL) and a light emitting layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transport layer, and poly-phenylene vinylene (PPV) and polyfluorene (Polyfluorene) are used as the light emitting layer. A polymer organic material such as) may be used, and it may be formed by screen printing or inkjet printing.

이와 같은 중간층은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.Such an intermediate layer is not necessarily limited thereto, and various embodiments may be applied.

중간층(142)은 스핀 코팅(spin coatin) 방법으로 형성될 수 있다. 상세하게는, 화소 전극(141)과 화소 정의막(144)을 덮도록 유기 물질을 도포한다. 이후 기판(50)을 회전시킨다. 기판(50)의 회전량에 따라 화소 정의막(144) 상에 도포된 유기 물질은 제거되고, 화소 전극(141) 상에 도포된 유기 물질만이 남게 된다. 다음으로, 화소 전극(141) 상에 도포된 유기 물질을 소성시켜서 중간층(142)을 형성할 수 있다. The intermediate layer 142 may be formed by a spin coatin method. In detail, an organic material is coated to cover the pixel electrode 141 and the pixel defining layer 144. Thereafter, the substrate 50 is rotated. According to the rotation amount of the substrate 50, the organic material applied on the pixel defining layer 144 is removed, and only the organic material applied on the pixel electrode 141 remains. Next, the intermediate layer 142 may be formed by baking the organic material applied on the pixel electrode 141.

화소 전극(141)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(143)은 캐소드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(141)과 대향 전극(143)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. The pixel electrode 141 functions as an anode electrode, and the counter electrode 143 functions as a cathode electrode. Of course, the polarities of these pixel electrodes 141 and the counter electrode 143 may be reversed.

화소 전극(141)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성할 수 있다.The pixel electrode 141 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode, and when used as a transparent electrode, may be formed of ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 , and when used as a reflective electrode, Ag, Mg After forming a reflecting film with Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and a compound thereof, ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 can be formed thereon.

한편, 대향 전극(143)은 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 대향 전극(143)이 캐소드 전극으로 사용되므로, 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물이 중간층(62)의 방향을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.Meanwhile, the counter electrode 143 may be provided as a reflective electrode. When the counter electrode 143 is used as a transparent electrode, the counter electrode 143 is used as a cathode, and thus, a metal having a small work function, that is, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and their compounds are deposited to face the direction of the intermediate layer 62, and then assisted with a material for forming a transparent electrode such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 thereon. An electrode layer and a bus electrode line can be formed. When used as a reflective electrode, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and compounds thereof are formed by depositing the entire surface.

유기 발광부(110) 형성 후에는 봉지부(110)로 유기 발광부(110)를 밀봉한다. 봉지부(110)는 유기물 박막층과 무기물 박막층이 교대로 적층되어 이루어질 수 있으며, 또 다른 변형예로서 금속막으로 이루어질 수 있다. After the organic light emitting unit 110 is formed, the organic light emitting unit 110 is sealed by the encapsulation unit 110. The encapsulation unit 110 may be formed by alternately stacking an organic thin film layer and an inorganic thin film layer, and may be formed of a metal film as another modified example.

이어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 기판(102)과 제1 기판(101)을 분리하는 층간 분리(delamination) 공정이 수행된다. 보강층(103)에 사용된 재료에 따라 레이저빔의 조사 또는 화학적 용해 등의 방법을 통해 보강층(103)을 박리시킴으로써 제1 기판(101)을 제2 기판(102)으로부터 분리시킨다. Subsequently, as shown in FIG. 9, an delamination process for separating the second substrate 102 and the first substrate 101 is performed. Depending on the material used for the reinforcement layer 103, the first substrate 101 is separated from the second substrate 102 by peeling the reinforcement layer 103 by a method such as irradiation of a laser beam or chemical dissolution.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

101: 제1 기판 103: 보강층
102: 제2 기판 104: 베리어층
110: 유기 발광부 120: 봉지부
130: 화소 회로부 140: 유기 발광 소자101: first substrate 103: reinforcing layer
102: second substrate 104: barrier layer
110: organic light emitting portion 120: encapsulation
130: pixel circuit portion 140: organic light emitting element

Claims (20)

적어도 일측에 평활면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 기판 상에 보강층을 형성하는 단계;
상기 보강층 상에 플렉서블한 제2 기판을 형성하는 단계; 및
상기 제2 기판의 상면을 덮으며, 상기 보강층과 상기 제2 기판의 측부를 둘러싸는 베리어층을 형성하는 단계;를 구비하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.Preparing a first substrate having a smooth surface on at least one side;
Forming a reinforcing layer on the first substrate;
Forming a flexible second substrate on the reinforcing layer; And
Forming a barrier layer covering an upper surface of the second substrate and enclosing the reinforcement layer and the side portions of the second substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1 기판은 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 1,
The said 1st board | substrate consists of glass, The manufacturing method of the board | substrate for flat panel display apparatuses characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,
상기 보강층은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 접착을 보강하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 1,
And the reinforcing layer reinforces adhesion between the first substrate and the second substrate. 제3항에 있어서,
상기 보강층을 형성하는 단계는 상기 제1 기판 상에 ITO를 증착함으로써 상기 보강층을 형성하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 3,
The forming of the reinforcing layer may include forming the reinforcing layer by depositing ITO on the first substrate. 제1항에 있어서,
상기 제2 기판은 연성을 가지는 합성수지재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 1,
And said second substrate is made of a synthetic resin material having a ductility. 제5항에 있어서,
상기 제2 기판을 형성하는 단계는,
상기 보강층 상에 상기 보강층의 가장자리를 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계; 및
상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 보강층 상의 영역에 상기 제2 기판을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 5,
Forming the second substrate,
Forming a partition wall on the reinforcement layer surrounding an edge of the reinforcement layer; And
And forming the second substrate in an area on the reinforcement layer surrounded by the partition wall. 제6항에 있어서,
상기 제2 기판은 스핀 코팅(Spin Coating)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 6,
The second substrate is a method of manufacturing a substrate for a flat panel display device, characterized in that formed by spin coating (Spin Coating) method. 제6항에 있어서,
상기 제2 기판 형성 후,
상기 격벽을 제거하는 단계; 및
상기 보강층 중 상기 제2 기판이 덮이지 않은 제1 부분을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 6,
After forming the second substrate,
Removing the partition wall; And
And removing a first portion of the reinforcing layer not covered with the second substrate. 제8항에 있어서,
상기 제1 부분을 제거하는 단계는 상기 제1 부분이 식각을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 8,
Removing the first portion is a method of manufacturing a substrate for a flat panel display device, characterized in that the first portion is removed by etching. 제9항에 있어서,
상기 제1 부분은 습식 식각에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.10. The method of claim 9,
And said first portion is removed by wet etching. 제10항에 있어서,
상기 습식 식각은 상기 제2 기판에 비해 상기 보강층의 식각률이 높은 에천트를 이용하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 10,
The wet etching method of manufacturing a substrate for a flat panel display device using an etchant having a higher etching rate of the reinforcing layer than the second substrate. 제8항에 있어서,
상기 베리어층을 형성하는 단계는, 상기 제2 기판의 상면, 상기 제2 기판 및 상기 보강층의 측부, 및 상기 제1 부분이 제거되어 노출된 상기 제1 기판 상의 영역을 덮는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 8,
The forming of the barrier layer may include a top surface of the second substrate, side portions of the second substrate and the reinforcement layer, and the first portion may be removed to cover an area on the exposed first substrate. The manufacturing method of the board | substrate for apparatuses. 제1항에 있어서,
상기 베리어층은 무기물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치용 기판의 제조 방법.The method of claim 1,
The barrier layer is a method of manufacturing a substrate for a flat panel display device, characterized in that the inorganic material. 적어도 일측에 평활면을 가지는 제1 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 기판 상에 보강층을 형성하는 단계;
상기 보강층 상에 플렉서블한 제2 기판을 형성하는 단계;
상기 제2 기판의 상면을 덮으며, 상기 보강층과 상기 제2 기판의 측부를 둘러싸는 베리어층을 형성하는 단계;
상기 베리어층 상에 유기 발광부를 형성하는 단계;
상기 유기 발광부를 밀봉하는 봉지부를 형성하는 단계; 및
상기 제1 기판 및 상기 보강층을 제거하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.Preparing a first substrate having a smooth surface on at least one side;
Forming a reinforcing layer on the first substrate;
Forming a flexible second substrate on the reinforcing layer;
Forming a barrier layer covering an upper surface of the second substrate and surrounding the side of the reinforcement layer and the second substrate;
Forming an organic light emitting part on the barrier layer;
Forming an encapsulation part that seals the organic light emitting part; And
And removing the first substrate and the reinforcement layer. 제14항에 있어서,
상기 제2 기판을 형성하는 단계는,
상기 보강층 상에 상기 보강층의 가장자리를 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계; 및
상기 격벽에 의해 둘러싸인 상기 보강층 상의 영역에 상기 제2 기판을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 14,
Forming the second substrate,
Forming a partition wall on the reinforcement layer surrounding an edge of the reinforcement layer; And
Forming the second substrate in an area on the reinforcement layer surrounded by the partition wall. 제15항에 있어서,
상기 제2 기판 형성 후,
상기 격벽을 제거하는 단계; 및
상기 보강층 중 상기 제2 기판이 덮이지 않은 제1 부분을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15,
After forming the second substrate,
Removing the partition wall; And
And removing a first portion of the reinforcing layer not covered by the second substrate. 제16항에 있어서,
상기 제1 부분을 제거하는 단계는 상기 제1 부분이 습식 식각을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 16,
The removing of the first portion may include removing the first portion by wet etching. 제17항에 있어서,
상기 습식 식각은 상기 제2 기판에 비해 상기 보강층의 식각률이 높은 에천트를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 17,
The wet etching method of manufacturing an organic light emitting display device using an etchant having a higher etching rate of the reinforcing layer than the second substrate. 제14항에 있어서,
상기 제2 기판은 스핀 코팅(Spin Coating)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 14,
The second substrate is a method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that formed by spin coating (Spin Coating) method. 제14항에 있어서,
상기 제1 기판은 유리로 이루어지며, 상기 제2 기판은 연성을 가지는 합성수지재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 14,
And the first substrate is made of glass, and the second substrate is made of a synthetic resin material having ductility.
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