KR20110086558A - 루테늄의 무전해 증착을 위한 도금액 - Google Patents

루테늄의 무전해 증착을 위한 도금액 Download PDF

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Abstract

본 명세서에는 무전해 루테늄 도금액이 개시되어 있다. 이 용액은 루테늄 소스, 폴리아미노 폴리카르복실산 착화제, 환원제, 안정화제, 및 pH 변경 물질을 포함한다. 무전해 루테늄 도금액을 조제하는 방법도 또한 제공된다.

Description

루테늄의 무전해 증착을 위한 도금액{PLATING SOLUTIONS FOR ELECTROLESS DEPOSITION OF RUTHENIUM}
집적 회로, 메모리 셀 등과 같은 반도체 디바이스의 제조는 반도체 웨이퍼 ("웨이퍼") 상에 피쳐 (feature) 들을 정의하도록 실시하는 일련의 제조 공정들을 수반한다. 웨이퍼는 실리콘 기판 상에 정의된 멀티-레벨 구조 형태의 집적 회로 디바이스들을 포함한다. 기판 레벨에서, 확산 영역들을 갖는 트랜지스터 디바이스가 형성된다. 후속 레벨들에서, 상호 접속 금속화 선들이 패터닝되고 트랜지스터 디바이스들에 전기적으로 접속되어 원하는 집적 회로 디바이스를 정의한다. 또한, 패터닝된 도전층들이 유전체 재료들에 의해 다른 도전층들로부터 절연된다.
집적 회로를 형성하기 위하여, 트랜지스터들이 먼저 웨이퍼 표면 상에 생성된다. 이후, 일련의 제조 프로세스 단계들을 통해 배선과 절연 구조물들이 다중 박막층들로서 추가된다. 통상적으로, 유전체 (절연) 재료의 제 1 층이, 형성된 트랜지스터들의 상부에 증착된다. 금속 (예를 들어, 구리, 알루미늄 등) 의 후속 층들이 이 기저층의 상부에 형성되고, 에칭되어 전기를 전달하는 도선들을 생성하고, 이후 유전체 재료로 충전되어 도선들 사이에 필요한 절연체들을 생성한다. 구리 선들을 제조하기 위해 적용된 프로세스는 듀얼 다마신 프로세스로 불리며, 여기서 트렌치들이 평면 등각 유전체층에 형성되고 비아들이 그 트렌치에 형성되어, 이전에 형성된 하부 금속층에 콘택을 개방하며, 구리가 전역에 증착된다. 구리는 이후 평탄화 (초과부분 제거) 되어, 비아들과 트렌치들에만 구리를 남긴다.
구리 재료들이 사용되는 경우, 금속 배리어 층들은 구리가 층간 유전체 (ILD) 층으로 확산하는 것을 방지할 필요가 있다. 구리의 ILD 로의 확산은 ILD 의 포이즈닝 (poisoning) 으로 불리는 경우가 있다. 금속 배리어용 재료는 구리 확산에 대해 우수한 배리어를 형성한다. 또한, 반도체 디바이스의 제작자들은 캡핑 층 아래에 배치된 층의 산화를 방지하기 위해 캡핑 층으로서 사용하기 위한 재료를 검토하고 있다.
이것은 실시형태가 기재되는 이 명세서 범위 내에 있다.
대략적으로 말하면, 본 발명은 루테늄의 무전해 증착의 개선된 조성물들을 제공함으로써 이들 필요성을 충족한다. 본 발명은 소정의 방법 및 소정의 화학 용액을 포함하는 다양한 방식으로 구현될 수 있음이 이해되어야 한다. 이하, 본 발명의 여러가지 진보된 실시형태들을 기재한다.
예시적인 일 실시형태에서, 무전해 루테늄 도금액이 개시된다. 이 용액은 루테늄 소스, 폴리아미노 폴리카르복실산 착화제, 환원제, 안정화제, 및 pH 변경 물질을 포함한다. 폴리아미노 폴리카르복실산은 니트릴로트리아세트산 (NTA), 트랜스-시클로헥산 1,2-디아민 테트라아세트산 (CDTA), 또는 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA) 일 수 있다. 일 실시형태에서는, 이 용액에 암모니아가 없다.
본 발명의 다른 양태들 및 이점들은 첨부된 도면과 함께 본 발명의 원리들을 예로써 기재한 하기의 상세한 설명들로부터 명백해질 것이다.
본 발명은 첨부된 도면과 함께 하기의 상세한 설명에 의해 용이하게 이해될 것이고, 동일한 참조 부호들은 동일한 구성 요소들을 나타낸다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 NTA 의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 CDTA 의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 수소화붕소 나트륨의 농도에 따른 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 루테늄 소스의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 안정화제의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다.
도 6 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 용액 온도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 본 명세서에 기재된 도금액을 구리 전극 상에 적용한 무전해 증착의 반응속도 (kinetics) 를 그래프로 나타낸다.
본 발명은 무전해 증착 프로세스에서 사용하기 위한 무전해 루테늄 용액의 조성물을 제공하기 위하여 기재된다. 그러나, 당업자에게는 본 발명이 이들 상세한 설명의 일부 또는 전부 없이도 실시될 수도 있음이 자명할 것이다. 다른 경우에서는, 잘 알려진 프로세스 공정들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않게 하기 위하여 상세히 기술하지 않았다.
반도체 제조 애플리케이션들에 사용된 무전해 금속 증착 프로세스들은 간단한 전자 수송의 개념들에 기초한다. 그 프로세스들은 준비된 반도체 웨이퍼를 무전해 금속 도금 용액조 (solution bath) 에 배치한 다음 웨이퍼의 표면 상으로 환원된 금속의 증착을 야기하는 환원제로부터 전자를 받아들이기 위하여 금속 이온을 유도하는 것을 수반한다. 무전해 금속 증착 프로세스의 성공은 도금 용액의 다양한 물리적 매개변수 (예를 들어, 온도 등) 들과 화학적 매개변수 (예를 들어, pH, 시약 등) 들에 매우 의존한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 환원제는 다른 화합물 또는 원소를 환원시키는 산화-환원 반응에서의 원소 또는 화합물이다. 이렇게 할 때, 환원제는 산화된다. 즉, 환원제는 환원되는 화합물 또는 원소에 전자를 주는 전자 공여기이다.
착화제 (즉, 킬레이터 또는 킬레이트제) 는 화합물 및 원소에 가역적으로 바인딩하도록 이용되어 착물을 형성할 수 있는 임의의 화학제이다. 염은 양으로 하전된 양이온 (cation) (예를 들어, Ru+ 등) 과 음으로 하전된 음이온 (anion) 으로 구성된 임의의 이온성 화합물이어서, 그 생성물은 중성이고 순 전하 (net charge) 가 없다. 단순염 (simple salt) 은 (산성 염 중 수소 이온 이외의) 한 종류의 양이온만을 포함하는 임의의 염 종이다. 착염 (complex salt) 은 하나 이상의 전자-공여성 분자들에 부착된 금속 이온으로 이루어지는 착이온을 포함하는 임의의 염 종이다. 통상적으로 착이온은 하나 이상의 전자-공여성 분자 (예를 들어, (Ru)에틸렌다이아민2+ 등) 들에 부착된 금속 원자 또는 이온으로 이루어진다. 양자화된 화합물은 수소 이온 (즉, H+) 을 수용하여 순 양전하를 갖는 화합물을 형성하는 화합물이다.
일부 실시형태에서, 추가 구리 도금을 위해 평활한 표면을 제공하기 위해서 배리어층 상부에 라이너 (liner) 층을 증착되게 하는 것이 바람직할 수도 있다. 아래에 기재된 실시형태는 구리 상의 무전해 루테늄 도금을 제공한다. 또한, 여기서 증착된 루테늄 필름에 캡핑층을 제공하여, 아래에 배치된 층들의 산화를 방지할 수 있다.
실시형태는 아래의 구리를 식각하지 않고 루테늄 필름 증착을 추가 제공하는 것임을 이해해야 한다. 표 1 내지 표 4 는 본 명세서에 기재된 4개의 상이한 용액들을 나타낸다. 도 1 내지 도 7 은 정보 제공 목적을 위해 본 명세서에 기재된 상이한 조성물에 대한 상이한 파라미터들의 효과를 나타낸 각종 그래프들을 나타낸다. 도 1 에서는, NTA 의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 본 발명의 일 실시형태에 따라서 나타낸다. 도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 CDTA 의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. 도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 수소화붕소 나트륨의 농도에 따른 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. 도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 루테늄 소스의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. 도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 안정화제의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. 도 6 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 용액 온도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 간략화된 그래프이다. 도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 구리 전극 상의 무전해 증착의 반응속도를 나타낸 그래프이다.
구리 표면 상의 루테늄에 대한 무전해 도금에 사용하기 위한 4개의 가능한 조성물이 아래 표 1 내지 표 4 에 기재된다. 아래에 기재된 예시적인 도금액에 대한 실시형태에서, 폴리아미노 폴리카르복실산이 무전해 루테늄 증착의 조성물을 위한 착화제로서 사용될 수 있다. 착화제는 또한 킬레이터 또는 리간드로 불릴 수도 있음을 주의해야 한다. 일 실시형태에서는, 니트릴로트리아세트산 (NTA) 이 폴리아미노 폴리카르복실산이다. 다른 실시형태에서는, 트랜스-시클로헥산 1,2-디아민 테트라아세트산 (CDTA) 이 폴리아미노 폴리카르복실산으로 이용된다. 또 다른 실시형태에서는, 암모니아를 가진 또는 가지지 않은 에틸렌디아민테트라아세트산이 착화제로서 이용된다. 실시형태에서, 소정의 킬레이터/착화제/리간드의 사용은 50 ℃ 미만의 온도에서, 예를 들어, 대기 조건 하에서 무전해 루테늄 도금 프로세스를 실시하는 것을 허용한다. 당업자는 조성물 성분의 양이 제공된 구체예들과 상이할 수도 있음을 이해할 것이다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
예시적인 일 실시형태에서, 용액은 루테늄 소스, 예를 들어, (RuNO)2(SO4)3 을 수산화 나트륨 용액에 용해함으로써 조제된다. 하나의 예시적인 양은 약 5.5 g/ℓ 의 루테늄 소스 재료를 40 g/ℓ 의 수산화 나트륨 용액에 용해하는 것을 포함한다. 다음, 히드록실아민 히드로설페이트 (NH2OH)2H2SO4 (안정화제로서 기능함) 를 약 1 g/ℓ 로 첨가한다. 용액 조성에 따라, NTA, CDTA, 암모니아 (NH3), 또는 EDTA 와 암모니아가 착화제로서 이용될 수도 있다. 용액은 이후 35 - 70 ℃ 로 가열되고, 수소화붕소 나트륨 (NaBH4) 이 첨가된다. 일 실시형태에서는, 수소화붕소 나트륨이 첨가 이전에 수산화 나트륨에 용해되고 이들 2가지 성분은 마지막에 첨가된다. 이 실시형태에서는, NTA 및 CDTA 조성물을 이용하여 도금하기 위해 저온이 이용된다. 또한, EDTA 와 암모니아 조성물은 암모니아 단독의 조성물보다 더 낮은 온도를 이용한다.
도금되는 2 종류의 기판이 본 명세서에 기재된 무전해 도금액과 함께 사용되었다. 2 종류의 기판은 1) 스퍼터링된 PVD TaN/Ta 배리어 및 Cu 씨드를 구비한 비처리된 블랭킷 실리콘 웨이퍼 또는 2) 비엔나 라임 (Vienna lime)(칼슘 카보네이트) 및 산 용액으로 미리 처리된 다음 물로 린싱된 구리 호일을 포함하였다. 도금 절차 이후, 도금된 웨이퍼 또는 도금된 구리 호일이, 도금 전후의 중량 차이로부터 증착된 코팅의 질량을 결정하기 위해 사용되었다. 질량 증가는 재계산을 위해 사용되었고, 도금 속도는 30분에 ㎛ 로 나타낸다 (루테늄 코팅의 밀도는 12.0 g cm-3 과 동일하게 취해졌다). 무전해 루테늄 도금은 30 분 동안 수행되었다. 부하 (loading)(도금될 기판의 표면적/도금액의 체적) 는 약 1 ㎠/㎖ 이었다.
이 실시형태는 무전해 루테늄 증착의 조성물을 위한 착화제로 사용되는 시판되는 폴리아미노 폴리카르복실산, 즉 NTA (니트릴로트리아세트산) 및 CDTA (트랜스-시클로헥산-1,2-디아민테트라아세트산) 를 개시하고 있다. 언급된 킬레이터의 사용은 50 ℃ 미만의 온도, 예를 들어, 35-40 ℃ 또는 심지어 대기 온도에서 무전해 루테늄 도금 프로세스를 수행하는 것을 허용한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 NTA 의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. 무전해 루테늄 도금에 5-10 g/L 의 NTA 를 첨가하는 것은, NTA 없는 용액, 예를 들어, 단독 암모니아와 비교하여, 도금 속도를 실질적으로 2 배 증가시키고, 30분에 0.5 ㎛ 두께를 갖는 코팅을 획득하게 한다. 도 1에 대한 용액의 조성은 다음과 같으며, 모든 단위는 (g/ℓ) 이다: (RuNO)2(SO4)3 - 2.75, (NH2OH)2ㆍH2SO4 - 0.61, NaOH - 40, NaBH4 - 2; 35 ℃ 및 부하 = 2 ㎠/2 ㎖.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 CDTA 의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. CDTA 의 경우, CDTA 의 보다 높은 농도가 최고의 도금 속도를 획득하기 위해서 요구되며, 즉, (NTA 를 사용하는 최고 속도에 상당한) 30 분에 0.5 ㎛ 의 속도가 18 g/L 의 CDTA 를 사용하여 도달된다. 도 2에 대한 용액의 조성은 다음과 같으며, 모든 단위는 (g/ℓ) 이다: (RuNO)2(SO4)3 - 2.75, (NH2OH)2ㆍH2SO4 - 0.61, NaOH - 40, NaBH4 - 2; 35 ℃ 및 부하 = 2 ㎠/2 ㎖.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따라서 수소화붕소 나트륨의 농도에 따른 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. 무전해 루테늄 도금 속도는 환원제 (NaBH4) 의 농도 증가에 대응하여 증가한다. 도금 속도의 최대 값은 약 2 g/L 의 NaBH4 농도에서 발생하고, 이후 감소한다. 환원제의 보다 높은 농도를 포함하는 용액은 20-30 분 이후 불안정해지고 루테늄 환원이 용액 벌크에서 관측되기 때문에, 2 g/L 의 NaBH4 농도가 최적임을 이해해야 한다. 도 3에 대한 용액의 조성은 다음과 같으며, 모든 단위는 (g/ℓ) 이다: (RuNO)2(SO4)3 - 2.75, (NH2OH)2ㆍH2SO4 - 0.61, NaOH - 40, CDTA - 18.2; 35 ℃ 및 부하 = 2 ㎠/2 ㎖.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 루테늄 소스의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. 루테늄 소스 ((RuNO)2(SO4)3) 농도의 증가는 무전해 루테늄 도금 속도에서의 실질적인 증가를 야기시키고, 10 g/L 의 (RuNO)2(SO4)3 농도에서 1.2 ㎛ 두께까지의 루테늄 코팅이 증착되었다. 도금액은 적어도 30분 동안 안정하다. 조사된 최고의 루테늄 염 농도 (10 g/L) 를 적용하는 경우에만, 루테늄 환원이 30분보다 더 빨리 즉, 27 분 이후 관측되었다. 도 4에 대한 용액의 조성은 다음과 같으며, 모든 단위는 (g/ℓ) 이다: CDTA - 9.1, (NH2OH)2ㆍH2SO4 - 0.61, NaOH - 40, NaBH4 - 2; 35 ℃. 부하 = 2 ㎠/2 ㎖.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라서 안정화제의 농도에 대한 루테늄 증착 속도의 의존성을 나타낸 그래프이다. 히드록실아민 히드로설페이트가 안정화제로서 무전해 루테늄 도금액에 사용되고, 일반적으로 착화제로서 폴리아미노 폴리카르복실산을 포함하는 용액에서의 루테늄 증착 속도를 약화시킨다. 착화제로서 CDTA 및 안정화제로서 히드록실아민 히드로설페이트를 사용하여 오히려 예측하지 못한 결과가 획득되었다. 히드록실아민 히드로설페이트의 농도를 0.6 g/L 내지 약 1 g/L 로 증가시키는 경우, 도금 속도는 10 % 이상 상승한다. 또한, 도금 속도의 약화는 2 g/L 까지의 히드록실아민 히드로설페이트의 보다 높은 농도에서는 관측되지 않는다. 따라서, 히드록실아민 히드로설페이트의 농도는 이 실시형태에서 1 g/ℓ 로 유지될 수 있다. 도 5에 대한 용액의 조성은 다음과 같으며, 모든 단위는 (g/ℓ) 이다: (RuNO)2(SO4)3 - 2.75, CDTA - 9.1, NaOH - 40, NaBH4 - 2; 35 ℃ 및 부하 = 2 ㎠/2 ㎖.
도 6 의 데이터는 무전해 루테늄 코팅의 획득 가능성이 실질적으로 대기 조건에서 존재한다는 것을 나타낸다. 26 ℃ 에서의 도금 속도는 30분에 약 0.3 ㎛ 이다. 온도의 상승은 이에 따라 도금 속도를 증가시킨다. 도 6에 대한 용액의 조성은 다음과 같으며, 모든 단위는 (g/ℓ) 이다: (RuNO)2(SO4)3 - 2.75, CDTA - 9.1, (NH2OH)2ㆍH2SO4 - 1, NaOH - 40, NaBH4 - 2 및 부하 = 2 ㎠/2 ㎖.
유도 기간 (induction period) 은 사용된 용액의 온도에 강하게 의존한다는 것이 부가될 수도 있다. 35 ℃ 에서, 유도 기간은 약 2-3 분이고, 온도의 상승에 따라 감소된다. 유도 기간은 NaBH4 의 알칼리성 용액에서의 Cu 표면의 예비-활성화를 통해 또한 단축될 수 있다.
도 7 에서는, 유도 기간의 지속 기간 및 즉각적인 무전해 루테늄 도금 속도의 관측을 허용하는 구리 도금된 쿼츠 공진기 상에서의 EQCM (Electrochemical Quartz Crystal Microgravimetry) 의 데이터를 나타낸다. EQCM 실험에서, 부하가 상술한 실험보다 10 배 더 낮았고, 따라서, 구해진 유도 기간이 오히려 길었음을 알 수 있다 - 도 7 의 그래프의 하부에서는 약 3분. 3 분 이후, 구리 상의 무전해 루테늄 증착이 시작하고, 실질적으로 일정한 속도로 진행한다. 이전에 만들어진 캘리브레이션 (calibration) 은, 1000 Hz 인 쿼츠 공진기 주파수의 감소가 1.092 μg 의 질량 감소에 상응한다는 것을 제공하였다. 결과적으로, 무전해 루테늄 증착이 (유도 기간 이후) 진행하는 경우, 3.5 nm 의 루테늄 코팅이 1분 안에 획득된다. 유도 기간이 부하에 의존한다고 할 만하다. 40 ℃ 에서, 부하가 0.2 ㎠/2 ㎖ 인 경우에는, 유도 기간은 3 분이었으며, 반면에 2 ㎠/2 ㎖ 까지의 부하 상승 이후에는, 유도 기간은 1 분까지 감소하였다.
본 발명의 몇몇 실시형태들이 본 명세서에서 상세히 기재되었지만, 당업자에 의해, 본 발명이 본 발명의 사상 또는 범위로부터 벗어나지 않고 많은 다른 구체적 형태로 구현될 수도 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 본 발명의 실시예들 및 실시형태들은 예시적이지만 제한적이지는 않은 것으로 생각될 것이며, 본 발명은 본 명세서에서 제공된 상세에 제한되지 않으며, 첨부된 청구항의 범위 내에서 변형 및 실시될 수도 있다.

Claims (18)

  1. 루테늄 소스;
    폴리아미노 폴리카르복실산 착화제;
    환원제;
    안정화제로서 기능하는 히드록실아민 히드로설페이트 ((NH2OH)2H2SO4); 및
    pH 변경 물질을 포함하는, 무전해 루테늄 도금액.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 루테늄 소스는 (RuNO)2(SO4)3 인, 무전해 루테늄 도금액.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 착화제는 니트릴로트리아세트산 (NTA), 트랜스-시클로헥산-1,2-디아민 테트라아세트산 (CDTA), 및 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA) 으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 무전해 루테늄 도금액.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 환원제는 NaBH4 인, 무전해 루테늄 도금액.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 pH 변경 물질은 수산화 나트륨인, 무전해 루테늄 도금액.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 착화제는 EDTA 및 암모니아의 혼합물인, 무전해 루테늄 도금액.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 루테늄 소스는 루테늄 염인, 무전해 루테늄 도금액.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 도금액에서의 상기 루테늄 소스의 농도는 약 5g/L 및 약 10g/L 사이인, 무전해 루테늄 도금액.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 도금액에서의 상기 환원제의 농도는 약 lg/L 및 약 2g/L 사이인, 무전해 루테늄 도금액.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 루테늄 소스의 농도는 약 5.5g/L 인, 무전해 루테늄 도금액.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리아미노 폴리카르복실산 착화제의 농도는 약 10g/L 및 약 20g/L 사이인, 무전해 루테늄 도금액.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 안정화제의 농도는 약 0.5 및 약 2 g/L 사이인, 무전해 루테늄 도금액.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 pH 변경 물질의 농도는 약 40 g/L 인, 무전해 루테늄 도금액.
  14. 루테늄 소스;
    니트릴로트리아세트산 (NTA) 또는 트랜스-시클로헥산-1,2-디아민 테트라아세트산 (CDTA) 중 하나로 필수적으로 이루어지는 폴리아미노 폴리카르복실산 착화제;
    환원제로서의 NaBH4;
    안정화제; 및
    pH 변경 물질을 포함하는, 무전해 루테늄 도금액.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 안정화제는 히드록실아민 히드로설페이트 ((NH2OH)2H2SO4) 인, 무전해 루테늄 도금액.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 루테늄 소스는 루테늄 염이고, 상기 pH 변경 물질은 염기인, 무전해 루테늄 도금액.
  17. 루테늄 소스로서의 (RuNO)2(SO4)3;
    폴리아미노 폴리카르복실산 착화제;
    환원제;
    안정화제; 및
    pH 변경 물질을 포함하는, 무전해 루테늄 도금액.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 안정화제는 히드록실아민 히드로설페이트 ((NH2OH)2H2SO4) 이고, 상기 환원제는 NaBH4 인, 무전해 루테늄 도금액.
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