KR20110078407A - Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device, and semiconductor apparatus using the same - Google Patents
Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device, and semiconductor apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110078407A KR20110078407A KR1020090135211A KR20090135211A KR20110078407A KR 20110078407 A KR20110078407 A KR 20110078407A KR 1020090135211 A KR1020090135211 A KR 1020090135211A KR 20090135211 A KR20090135211 A KR 20090135211A KR 20110078407 A KR20110078407 A KR 20110078407A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- formula
- semiconductor device
- lead frame
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3218—Carbocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
- C08G59/62—Alcohols or phenols
- C08G59/621—Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
- C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
- C08K5/3442—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
- C08K5/3462—Six-membered rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 각종 리드프레임과의 부착력을 개선시킴으로써 내크랙성을 포함한 소자 신뢰도를 향상시킬 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 반도체 소자가 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an epoxy resin composition for sealing semiconductor elements and a semiconductor device using the same. More specifically, epoxy resin for sealing semiconductor elements that can improve device reliability including crack resistance by improving adhesion to various lead frames. A composition and a semiconductor device sealed with a semiconductor device using the same.
근래 폐기되는 전기/전자 제품 내의 납 성분의 인체에의 치명적인 영향이 밝혀짐에 따라 국가별로 지하수 1리터 당 납 용출량을 0.05 내지 0.3 mg으로 규제하고 있다. 특히 유럽을 중심으로 납 규제에 대한 법제화가 활발히 진행되고 있으며, 유해물질제한지침(Restriction of Hazardous Substances, RoHS) 규정을 통하여 납, 수은, 카드뮴, 6가 크롬 등의 무기 원소 및 브롬계 유기 난연제 규제법이 곧 시행될 예정이다.In recent years, the lead-discharge of leaded components in discarded electrical and electronic products has been found to be harmful to the human body. Particularly, legislation on lead regulation has been actively conducted in Europe, and the regulation of inorganic elements such as lead, mercury, cadmium, and hexavalent chromium () and bromine-based organic flame retardants has been regulated through the Restriction of Hazardous Substances (RoHS). It will be implemented soon.
따라서 규제법이 시행되기 이전에 전기/전자 제품 내 유해물질이 함유된 부 품 전부를 환경 친화적으로 교체하여야 하므로 무연화(Pb free) 제품에 대한 개발이 절실히 필요한 실정이다. 전기/전자 부품 메이커(Maker) 및 세트(Set) 메이커에서 전자 부품 내 무연화하여야 할 대상은 다음과 같다.Therefore, the development of Pb free products is urgently needed because all parts containing hazardous substances in electrical / electronic products must be replaced with environmentally-friendly conditions before the enforcement of the regulation law. In the electrical / electronic parts makers and sets makers, the subjects to be lead-free in electronic parts are as follows.
현재 솔더(Solder, 땜납)의 경우 해외에서는 거의 무연화 솔더로 진행되고 있으며, Sn-Pb 도금(plating)도 점차 무연화가 진행되고 있는 단계이다. 기존의 주석-납(Sn-Pb) 도금을 대체하기 위하여 현재 개발되고 있는 무연화 방법으로는 순수 주석 도금(Pure Sn plating)과 니켈-팔라듐(Ni-Pd)의 선도금(pre-plating)을 들 수 있다.Currently, solder (solder) is progressing to lead-free solder almost abroad, and Sn-Pb plating is gradually becoming lead-free. In order to replace the existing tin-lead (Sn-Pb) plating, currently developed lead-free methods include pure-plating and pre-plating of nickel-palladium (Ni-Pd). Can be mentioned.
일부 대형 반도체 제조업체에서는 니켈합금(Alloy42) 리드프레임(lead frame) 또는 구리(Cu) 리드프레임에 순수 주석 도금을 하는 방법을 적극적으로 검토하고 있다. 그러나, 휘스커(whisker) 문제를 극복하여야 하는 과제가 남아 있어 양산까지는 상당 시간이 소요될 것으로 예상된다. Some large semiconductor manufacturers are actively looking at pure tin plating on nickel alloy leadframes or copper leadframes. However, the problem of overcoming the whiskers problem remains, so it is expected that it will take a long time for mass production.
이러한 문제를 극복하기 위해 니켈-팔라듐(Ni-Pd)의 도금 후에 은(Ag) 및 금(Au) 중 하나 이상을 도금한 리드프레임(소위 PPF: pre-plated frame)이 대안으로 제시되고 있다. 특히 유럽을 중심으로 구리 리드프레임에 대해 PPF 리드프레임으로의 대체가 활발히 진행되고 있으며 PPF 리드프레임의 사용량이 큰 폭으로 증가할 것으로 예상되고 있다.In order to overcome this problem, a lead frame (so-called PPF: pre-plated frame) in which at least one of silver (Ag) and gold (Au) is plated after plating of nickel-palladium (Ni-Pd) has been proposed as an alternative. In particular, the replacement of PPF lead frames with respect to copper lead frames is actively underway in Europe, and the use of PPF lead frames is expected to increase significantly.
그러나 PPF 리드프레임은 기존의 니켈합금 및 구리 재질의 리드프레임에 비하여 에폭시 수지 조성물과의 계면 부착력이 굉장히 낮아 후경화(PMC; post mold cure)후 박리가 발생하는 등 신뢰도가 현저하게 저하되는 문제를 가지고 있다.However, PPF leadframes have much lower interfacial adhesion with epoxy resin compositions than lead alloys made of nickel alloys and copper, resulting in significantly lower reliability such as peeling after post-cure (PMC). Have.
일반적으로 용접 후의 신뢰도 저하를 개선하기 위해서는 무기 충전제의 충전량을 증가시켜 저흡습 및 저열팽창화를 달성하여 내크랙성을 향상시킴과 동시에 저점도 수지를 사용하여 고유동성을 유지하는 방법을 적용한다. 그러나, 용접처리 후의 신뢰성은 에폭시 수지 조성물의 경화물과 반도체 장치 내부에 존재하는 반도체 소자나 리드프레임 등의 기재와의 계면에서의 부착력에 더 크게 의존하게 된다. 만약 이러한 계면에서의 부착력이 약하다면 용접처리 후, 기재와의 계면에서 박리가 발생하고 나아가서는 이 박리에 의하여 반도체 소자에 크랙이 발생할 수 있다.In general, in order to improve the reliability reduction after welding, a method of maintaining high fluidity using low viscosity resins while improving crack resistance by increasing the amount of filling of inorganic fillers to achieve low moisture absorption and low thermal expansion is applied. However, the reliability after the welding treatment is more dependent on the adhesive force at the interface between the cured product of the epoxy resin composition and the substrate such as a semiconductor element or lead frame existing inside the semiconductor device. If the adhesion force at this X interface is weak, peeling may occur at the interface with the substrate after the welding treatment, and further, cracking may occur in the semiconductor device due to this peeling.
이에, 계면에서의 부착력을 향상시킬 목적으로 아민계 커플링제 등이 수지 조성물에 첨가되어 왔으나(일본특허공개 제2002-105172호, 일본특허공개 제2002-155130호), 무연화에 의한 용접처리 온도의 상승(215~240℃ → 260℃)과 PPF 리드 프레임 등의 출현으로 충분한 부착 성능을 발휘하는 데는 한계가 있다.Therefore, amine coupling agents and the like have been added to the resin composition for the purpose of improving the adhesion at the interface (JP-A-2002-105172 and J-A-2002-155130). There is a limit to exerting sufficient "attachment" performance due to the rise of (215 ~ 240 ℃ → 260 ℃) and the appearance of PPF lead frame.
이에, 본 발명자들은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉진제, 무기 충전제 및 커플링제를 포함하는 에폭시 수지 조성물에 4-tert-부틸페놀을 추가로 포함한 조성물이 리드프레임에 효과적으로 부착되고 반도체 소자에 크랙이 발생하지 않는 것을 확인함으로써, 본 발명을 완성하였다.Accordingly, the present inventors are effective to attach the composition further comprising 4-tert-butylphenol to the epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler and a coupling agent in order to solve the above problems, This invention was completed by confirming that a crack does not generate | occur | produce in a semiconductor element.
따라서, 본 발명의 목적은 각종 리드프레임과의 부착력을 개선시킴으로써 내크랙성을 포함한 소자 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an epoxy resin composition for semiconductor element sealing that can improve device reliability including crack resistance by improving adhesion to various lead frames.
본 발명의 다른 목적은 상기 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 밀봉함으로써 신뢰성이 개선된 반도체 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device having improved reliability by sealing a semiconductor device using the epoxy resin composition.
상기 목적에 따라, 본 발명은 에폭시 수지; 경화제; 경화 촉진제; 무기 충전제; 커플링제; 및 하기 화학식 1의 4-tert-부틸페놀을 포함하는, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.According to the above object, the present invention is an epoxy resin; Curing agent; Curing accelerators; Inorganic fillers; Coupling agents; And it provides an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device comprising 4-tert-butylphenol of the formula (1).
<화학식 1><Formula 1>
상기 다른 목적에 따라, 본 발명은 상기 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 밀봉처리한 반도체 장치를 제공한다.According to the said another object, this invention provides the semiconductor device which sealed the semiconductor element using the said epoxy resin composition.
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 우수한 유동성, 성형성 및 난연성을 유지하면서, 각종 리드프레임과의 부착력 및 내크랙성이 우수하여 신뢰성이 향상된 반도체 장치를 제작하는 데에 효과적이다.The epoxy resin composition for semiconductor element sealing of the present invention is effective in producing a semiconductor device having improved reliability by excellent adhesion and crack resistance with various lead frames while maintaining excellent fluidity, moldability and flame retardancy.
본 발명은 에폭시 수지; 경화제; 경화 촉진제; 무기 충전제; 커플링제; 및 하기 화학식 1의 4-tert-부틸페놀을 포함하는, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공한다:The present invention is an epoxy resin; Curing agent; Curing accelerators; Inorganic fillers; Coupling agents; And it provides an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device comprising 4-tert- butylphenol of the formula (1):
<화학식 1><Formula 1>
본 발명에서 사용된 상기 4-tert-부틸페놀('4-(1,1-디메틸에틸)페놀 또는 p-tert-부틸페놀'로도 언급됨)은 반도체 장치의 리드프레임에 대한 반도체 소자 밀봉용 경화물의 부착력을 향상시키기 위해 사용되며, 직접 합성하거나 시판중인 제품(예: SONGNOXTM PTBP-H, Songwon, 한국)을 입수하여 사용할 수 있다. 사용량은 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 2 중량%일 수 있으며, 바람직하게는 0.05 내지 1.2 중량%일 수 있다. The 4-tert-butylphenol (also referred to as '4- (1,1-dimethylethyl) phenol or p-tert-butylphenol') used in the present invention is cured for sealing semiconductor devices on leadframes of semiconductor devices. It is used to improve the adhesion of water, and can be obtained by directly synthesizing or commercially available products (eg, SONGNOX TM PTBP-H, Songwon, Korea). The amount used may be 0.01 to 2% by weight based on the total weight of the epoxy resin composition, preferably 0.05 to 1.2% by weight.
상기 4-tert-부틸페놀은 에폭시 수지 조성물 제조시에 단독으로 투입하여 사용할 수 있으며, 균일한 분산을 위해 에폭시 수지 조성물 제조 전에 멜트 마스터배치(melt master batch; MMB)와 같은 방법을 통하여 에폭시 수지 또는 경화제의 용융물에 미리 녹여 분산하여 조성물에 투입하여 사용할 수 있다. 그 중 경화제와 미리 선 반응하는 것이 보다 바람직하다.The 4-tert-butylphenol can be used alone when the epoxy resin composition is prepared, and before the epoxy resin composition for uniform dispersion, the epoxy resin or the like through a method such as melt master batch (MMB) It can be melted in advance in the melt of the curing agent and dispersed and added to the composition. It is more preferable to pre-react with a hardening | curing agent among them.
본 발명의 에폭시 수지로는 반도체 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 에폭시 수지라면 특별히 제한되지 않으며, 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물인 것이 바람직하다. 이와 같은 에폭시 수지로는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀Ａ/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀Ａ/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시비페닐계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시 수지 등을 들 수 있다. The epoxy resin of the present invention is not particularly limited as long as it is an epoxy resin generally used for semiconductor sealing, and is preferably an epoxy compound containing two or more epoxy groups in a molecule. Such epoxy resins include epoxy resins obtained by epoxidizing condensates of phenol or alkyl phenols with hydroxybenzaldehyde, phenol novolak type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, polyfunctional type epoxy resins, naphthol novolak type epoxys, etc. Resins, novolac epoxy resins of bisphenol A / bisphenol F / bisphenol AD, glycidyl ethers of bisphenol A / bisphenol F / bisphenol AD, bishydroxybiphenyl epoxy resins, dicyclopentadiene epoxy resins, and the like. Can be.
특히 바람직한 에폭시 수지로서 하기 화학식 2로 표시되는, 분자 중에 바이페닐(biphenyl) 유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 에폭시 수지 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 바이페닐(biphenyl)형 에폭시 수지를 들 수 있다. Particularly preferred epoxy resins include phenol aralkyl type epoxy resins having a novolak structure containing a biphenyl derivative, or a biphenyl type epoxy resin represented by the following formula have.
상기 식에서, n의 평균치는 1 내지 7이다. In the above formula, the average value of n is 1 to 7.
상기 식에서 n의 평균치는 0 내지 7이다. In the above formula, the mean value of n is 0 to 7
상기 화학식 2의 페놀아랄킬형 에폭시 수지는 페놀 골격을 바탕으로 하면서 중간에 바이페닐을 가지고 있는 구조를 형성하여 흡습성, 인성, 내산화성, 및 내 크랙성이 우수하며, 가교 밀도가 낮아서 고온에서 연소 시 탄소층(char)을 형성하면서 그 자체로 어느 정도 수준의 난연성을 확보할 수 있는 장점이 있다. 상기 화학식 3의 바이페닐형 에폭시 수지는 수지 조성물의 유동성 및 신뢰성 강화 측면에서 바람직하다.The phenol aralkyl-type epoxy resin of Formula 2 forms a structure having a biphenyl in the middle based on the phenol skeleton, and thus has excellent hygroscopicity, toughness, oxidation resistance, and crack resistance, and has a low crosslinking density. While forming a carbon layer (char), there is an advantage that can secure a certain level of flame resistance in itself. The biphenyl type epoxy resin of the above formula (3) is preferable in view of fluidity and reliability strengthening of the resin composition.
이들 에폭시 수지는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 에폭시 수지에 경화제, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제, 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터배치(melt master batch)와 같은 선반응을 시켜 만든 부가 화합물도 사용할 수 있다. 또한 내습 신뢰성 향상을 위해 이러한 에폭시 수지 중에 함유된 염소 이온(ion), 나트륨 이온(sodium ion), 및 그 밖의 이온성 불순물이 낮은 것을 사용한 것이 바람직하다. 사용량은 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대하여 8 내지 15 중량%일 수 있으며, 9 내지 12 중량%인 것이 바람직하다. These epoxy resins may be used alone or in combination, and may also be used in combination with other components such as hardeners, curing accelerators, mold release agents, coupling agents, stress relieving agents, and the like in melt master batches. Can be used. In addition, in order to improve the moisture resistance reliability, those having low chlorine ions, sodium ions, and other ionic impurities contained in such epoxy resins are preferably used. The amount used may be 8 to 15% by weight based on the total weight of the epoxy resin composition, preferably 9 to 12% by weight.
본 발명의 경화제는 반도체 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 것으로 2개 이상의 반응기를 가진 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는 페놀아랄킬형 페놀수지, 페놀노볼락형 페놀수지, 자일록(xylok)형 페놀수지, 크레졸 노볼락형 페놀수지, 나프톨형 페놀수지, 테르펜형 페놀수지, 다관능형 페놀수지, 디시클로펜타디엔계 페놀수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물, 무수 말레인산 및 무수 프탈산을 포함하는 산무수물, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐설폰 등의 방향족 아민 등을 들 수 있다. 특히 바람직한 경화제로는 하기 화학식 4로 표시되는, 분자 중에 바이페닐 유도체 를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 페놀수지 또는 하기 화학식 5로 표시되는 자일록(xylok)형 페놀수지를 들 수 있다. The curing agent of the present invention is generally used for semiconductor sealing and is not particularly limited as long as it has two or more reactors. Specifically, phenol aralkyl phenol resins, phenol phenol novolac phenol resins, xylok phenol resins, cresol novolak phenol resins, naphthol phenol resins, terpene phenol resins, polyfunctional phenol resins, and dicyclopenta Diene-based phenolic resins, novolac-type phenolic resins synthesized from bisphenol A and resol, polyhydric phenol compounds including tris (hydroxyphenyl) methane, dihydroxybiphenyl, acidic anhydrides including maleic anhydride and phthalic anhydride, Aromatic amines, such as phenylenediamine, diamino diphenylmethane, and diamino diphenyl sulfone, etc. are mentioned. Particularly preferred "curing agents" include a phenol aralkyl type phenol resin having a novolak structure containing a biphenyl derivative in a molecule represented by the following general formula (4) or a xylok type phenol resin represented by the following general formula (5).
상기 식에서, n의 평균치는 1 내지 7이다. In the above formula, the average value of n is 1 to 7.
상기 식에서 n의 평균치는 0 내지 7이다.In the above formula, the mean value of n is 0 to 7
상기 화학식 4의 페놀아랄킬형 페놀수지는 상기 페놀아랄킬형 에폭시수지와 반응하여 탄소층(char)을 형성하여 주변의 열 및 산소의 전달을 차단함으로써 난연성을 달성하게 된다. 상기 화학식 5의 자일록형 페놀수지는 수지 조성물의 유동성 및 신뢰성 강화 측면에서 바람직하다.The phenol aralkyl type phenol resin of Chemical Formula 4 reacts with the phenol aralkyl type epoxy resin to form a carbon layer (char) to block the transfer of heat and oxygen in the surroundings to achieve flame retardancy. Xyloxy phenol resin of the formula (5) is preferred in view of the fluidity and reliability strengthening of the resin composition.
이들 경화제는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 경화제에 에폭시 수지, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제, 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터배치(melt master batch)와 같은 선반응을 시켜 만든 부가 화합물로도 사용할 수 있 다. 사용량은 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대하여 0.05 내지 0.3 중량%일 수 있으며, 0.07 내지 0.2 중량%인 것이 바람직하다. These hardeners may be used alone or in combination, and may also be used as additive compounds made by preliminary reactions such as melt master batches with other components such as epoxy resins, hardening accelerators, mold release agents, coupling agents, stress relief agents and the like. Can be used. The amount used may be 0.05 to 0.3% by weight based on the total weight of the epoxy resin composition, preferably 0.07 to 0.2% by weight.
상기 에폭시 수지와 경화제와의 배합비는 패키지에서의 기계적 성질 및 내습 신뢰성의 요구에 따라 경화제에 대한 에폭시 수지의 화학 당량비가 0.95 내지 1.5일 수 있으며, 1.0 내지 1.1 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.The compounding ratio of the epoxy resin and the curing agent may be 0.95 to 1.5 chemical equivalent ratio of the epoxy resin to the curing agent according to the requirements of mechanical properties and moisture resistance reliability in the package, it is preferable to use in the range 1.0 to 1.1.
본 발명에 사용되는 경화 촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질이다. 예를 들면, 3급 아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸, 붕소화합물 등이 사용 가능하다. 3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실산염 등이 있다. 유기 금속화합물에는 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트 등이 있다. 유기인화합물에는 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논 부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-아미노이미다졸, 2메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등이 있다. 붕소화합물에는 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5- diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene: DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및 페놀노볼락 수지염 등을 사용할 수 있다. 특히 바람직한 경화 촉진제로는 유기인화합물, 아민계 또는 이미다졸계 경화 촉진제를 단독 혹은 혼합하여 사용하는 것을 들 수 있다. 상기 경화 촉진제는 에폭시 수지 또는 경화제와 선반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다. The hardening accelerator used in the present invention is a substance that promotes the reaction of the epoxy resin and the hardener. For example, a tertiary amine, an organometallic compound, an organophosphorus compound, an imidazole, a boron compound, etc. can be used. Tertiary amines include benzyldimethylamine, triethanolamine, triethylenediamine, diethylaminoethanol, tri (dimethylaminomethyl) phenol, 2-2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6-tris (diaminomethyl ) Phenol and tri-2-ethylhexyl acid salt. Organometallic compounds include chromium acetylacetonate, zinc acetylacetonate, nickel acetylacetonate, and the like. Organophosphorus compounds include tris-4-methoxyphosphine, tetrabutylphosphonium bromide, tetraphenylphosphonium bromide, phenylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine, triphenylphosphine triphenylborane, triphenylphosphate And pin-1,4-benzoquinones adducts. The imidazoles include 2-methylimidazole, # 2-phenylimidazole, # 2-aminoimidazole, 2methyl-1-vinylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, and 2-heptadecyl. Midazoles. Boron compounds include tetraphenylphosphonium-tetraphenylborate, triphenylphosphine tetraphenylborate, tetraphenylboron salt, trifluoroborane-n-hexylamine, trifluoroborane monoethylamine, tetrafluoroboranetriethylamine And tetrafluoroboraneamine. In addition, 1,5- diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene (1, 5- diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene: DBN), 1, 8- diazabicyclo [5.4. 0] undec-7-ene (1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene: DBU) and phenol novolac resin salts may be used. As an especially preferable hardening accelerator, what uses an organophosphorus compound, an amine type, or an imidazole series hardening accelerator individually or in mixture is mentioned. The curing accelerator may also use an epoxy resin or an adduct made by preliminary reaction with a curing agent.
본 발명에서 사용되는 경화 촉진제의 사용량은 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대하여 0.05 내지 0.3 중량%일 수 있으며, 0.07 내지 0.2 중량%가 바람직하다. The amount of the curing accelerator used in the present invention may be from 0.05% to 0.3% by weight based on the total weight of the epoxy resin composition, preferably 0.07 to 0.2% by weight.
본 발명에 사용되는 무기 충전제는 에폭시 수지 조성물의 기계적 물성의 향상과 저응력화를 위하여 사용되는 물질이다. 일반적으로 사용되는 예로서는 용융실리카, 결정성 실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크, 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유 등을 들 수 있다. 저응력화를 위해서는 선팽창계수가 낮은 용융실리카를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 용융실리카는 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함된다. 용융실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지는 않지만, 평균 입경 5~30 ㎛의 구상용융실리카를 50~99 중량%, 평균입경 0.001~1 ㎛의 구상용융실리카를 1~50 중량%를 포함한 용융실리카 혼합물을 전체 충전제에 대하여 40~100 중량%가 되도록 포함하는 것이 좋다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 45 ㎛, 55 ㎛및 75 ㎛ 중 어느 하나로 조정해서 사용할 수가 있다. 용융구상실리카에는 도전 성의 카본이 실리카 표면에 이물질로서 포함되는 경우가 있으나 극성 이물질의 혼입이 적은 물질을 선택하는 것도 중요하다. The inorganic filler used in the present invention is a material used for improving the mechanical properties and reducing the stress of the epoxy resin composition. Examples generally used include molten silica, crystalline silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, alumina, magnesia, clay, talc, calcium silicate, titanium oxide, antimony oxide, glass fibers and the like. In order to reduce the stress, it is preferable to use molten silica having a low coefficient of linear expansion. The molten silica refers to amorphous silica having a specific gravity of 2.3 Pa or less, and includes amorphous silica made by melting crystalline silica or synthesized from various raw materials. The shape and particle size of the molten silica are not particularly limited, but the molten silica includes 50 to 99% by weight of spherical molten silica having an average particle diameter of 5 to 30 µm and 1 to 50% by weight of spherical molten silica having an average particle diameter of 0.001 to 1 µm. The mixture may preferably comprise from 40 to 100% by weight relative to the total filler. In addition, the maximum particle diameter can be adjusted to any one of 45 µm, 55 µm and # 75 µm according to the application. In molten spherical silica, conductive carbon may be included as a foreign material on the surface of silica, but it is also important to select a material containing less polar foreign matter.
본 발명에서 무기 충전제의 사용량은 성형성, 저응력성, 고온강도 등의 요구 물성에 따라 다르지만, 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대하여 70 내지 90 중량%일 수 있으며, 바람직하게는 75 내지 89 중량%일 수 있다.The amount of the inorganic filler used in the present invention depends on the required physical properties such as formability, low stress, high temperature strength, etc., but may be 70 to 90% by weight based on the total weight of the epoxy resin composition, preferably 75 to 89% by weight. Can be.
본 발명에서 사용되는 커플링제는 실란 커플링제일 수 있다. 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전재 사이에서 반응하여, 에폭시 수지와 무기 충전재의 계면강도를 향상시키는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 에폭시 실란, 아미노 실란, 우레이도 실란, 머캅토 실란 등일 수 있다. 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다. 사용량은 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대해 0.01 내지 0.5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 0.3 중량%일 수 있다.The coupling agent used in the present invention may be a silane coupling agent. The silane coupling agent is not particularly limited as long as it reacts between the epoxy resin and the inorganic filler to improve the interfacial strength of the epoxy resin and the inorganic filler, and may be, for example, epoxy silane, amino silane, ureido silane, mercapto silane, or the like. . The coupling agent may be used alone or in combination. The amount used may be 0.01 to 0.5% by weight, preferably 0.1 to 0.3% by weight based on the total weight of the epoxy resin composition.
이외에도, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 에스테르계 왁스 등의 이형제; 카본블랙, 유기염료, 무기염료 등의 착색제; 및 변성 실리콘 오일, 실리콘 파우더, 실리콘 레진 등의 응력완화제 등을 필요에 따라 추가로 함유할 수 있다. In addition, the epoxy resin composition of the present invention includes: releasing agents such as higher fatty acids, higher fatty acid metal salts, and ester waxes within the scope of not impairing the object of the present invention; Coloring agents such as carbon black, organic dyes and inorganic dyes; And stress release agents such as modified silicone oil, silicone powder, silicone resin, and the like, may be further contained as necessary.
이상과 같은 원재료를 이용하여 에폭시 수지 조성물을 제조하는 일반적인 방법으로는 소정의 배합량을 헨셀 믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀(roll-mill)이나 니이더(kneader)로 용융혼련한 후, 냉각, 분쇄과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법이 사용되고 있다. As a general method for producing an epoxy resin composition using the raw materials described above, a predetermined amount is uniformly mixed sufficiently using a Henschel mixer or Lodige mixer, and then roll-mill After kneading with a kneader or a kneader, cooling and grinding are used to obtain a final powder product.
본 발명에서 얻어진 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로써는 저압 트랜스퍼 성형법이 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 인젝션(injection) 성형법이나 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형이 가능하다. 상기 방법에 의해 에폭시 수지 조성물을, 구리계 리드프레임(예: 은 도금된 구리 리드프레임), 니켈합금계 리드프레임, 상기 리드프레임에 니켈과 팔라듐을 포함하는 물질로 선도금후 은(Ag) 및 금(Au) 중 하나 이상으로 도금된 리드프레임 등과 부착시켜 반도체 소자를 밀봉한 반도체 장치를 제조할 수 있다.As a method of sealing a semiconductor element using the epoxy resin composition obtained in the present invention, a low pressure transfer molding method can be generally used. However, molding can also be performed by injection molding or casting. The epoxy resin composition may be prepared by the above method, including a copper lead frame (eg, a silver plated copper lead frame), a nickel alloy lead frame, and a material containing nickel and palladium in the lead frame. A semiconductor device in which a semiconductor element is sealed by attaching to a lead frame or the like plated with one or more of Au can be manufactured.
본 발명의 일 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 밀봉처리한 반도체 장치의 개략적인 단면을 도 1에 나타내고 있다. 도 1을 참조하면, 다이본딩재 경화물(6)을 매개로 다이패드(die pad)(2)상에 반도체 소자(1)가 고정되어 있다. 반도체 소자(1)의 전극패드와 리드프레임(4) 사이는 금속 배선(3)에 의해 접속되어 있다. 반도체 소자(1)는 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 경화하여 얻어진 경화물(5)에 의해서 밀봉된다.A schematic cross section of a semiconductor device in which a semiconductor device is sealed using an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. 1 . Referring to FIG. 1 , the semiconductor element 1 is fixed on a
이하 본 발명을 하기 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하겠으나, 본 발명의 범위는 이들 실시예에 의해 제약되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the scope of the present invention is not limited by these examples.
<< 실시예Example 1, 2, 3 및 1, 2, 3 and 비교예Comparative example 1, 2> 1, 2>
하기 표 1의 조성에 따라 헨셀 믹서(KEUM SUNG MACHINERY CO.LTD(KSM-22)를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 자체 제작한 연속 니이더를 이용하여 최고온도 110℃에서 용융 혼련 후 냉각, 분쇄하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. After mixing uniformly using a Henschel mixer (KEUM SUNG MACHINERY CO.LTD (KSM-22)) according to the composition of Table 1, using a continuous kneader produced by the self kneading at a maximum temperature of 110 ℃ after cooling and grinding To prepare an epoxy resin composition for sealing semiconductor elements.
Phenolic Aralkyl Epoxy Resin Note 1)
Biphenyl Epoxy Resin Note 2)
Xylox Phenolic Resin Note3)
Phenolic Aralkyl Type Phenolic Resin Note 4)
Boron Compound Note 5)
4-tert-butylphenol Note 6 )
1) 화학식 2의 화합물 (Nippon Kayaku)
2) 화학식 3의 화합물 (Japan Epoxy Resin)
3) 화학식 5의 화합물 (Nippon Kayaku)
4) 화학식 4의 화합물 (Nippon Kayaku)
5) Tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Hokko)
6) Songwon 산업(week)
1) Compound of Formula 2 (Nippon Kayaku)
2) Compound of Formula 3 (Japan Epoxy Resin)
3) Compound of Formula 5 (Nippon Kayaku)
4) Compound of Formula 4 (Nippon Kayaku)
5) Tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Hokko)
6) Songwon Industry
<< 시험예Test Example >>
각종 물성은 다음의 방법에 의해 평가하였다. Various physical properties were evaluated by the following method.
<< 스파이럴Spiral 플로우Flow >>
저압 트랜스퍼 성형기를 사용하여, EMMI-1-66에 준한 스파이럴 플로우 측정용 금형에, 금형온도 175℃, 주입압력 9 MPa, 경화시간 90초의 조건으로 에폭시 수지 조성물을 주입하고, 유동장(流動長)(단위: inch)을 측정하였다. 측정값이 높을수록 유동성이 우수한 것이다.The low pressure transfer molding machine was used to inject the epoxy resin composition into a spiral flow measurement mold according to EMMI-1-66 under a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9 MPa, and a curing time of 90 seconds. Unit: inch) was measured. The higher the measured value, the better the fluidity.
<유리전이온도(<Glass transition temperature ( TgTg )>)>
표준시편(12.7×10.0×6.4 mm)을 만든 후 175℃에서 4시간 동안 경화시킨 시편으로 TMA(thermomechanical analyzer)를 이용하여 물성변곡점을 측정하였다.After the standard specimen (12.7 × 10.0 × 6.4 mm) was made and the material was cured at 175 ℃ for 4 hours using a TMA (thermomechanical analyzer) to measure the physical inflection point.
<난연성><Flammability>
UL 94 V-O 규격에 준하여 난연성을 평가하였다.Flame retardancy was evaluated according to the UL 94 V-O standard.
<부착력 및 <Adhesion and 내크랙성Crack resistance >>
구리 시편, Alloy42 시편, 은 도금된 구리 시편, 니켈-팔라듐 선도금후 은-금 도금된 시편을 준비하였다. 이렇게 준비된 금속 시편에 표 1의 에폭시 수지 조성물을 금형온도 175℃, 이송압력 9 MPa, 이송속도 1 mm/sec, 경화시간 90초의 조건으로 성형하여 경화 시편을 얻은 후, 시편을 175℃의 오븐에 넣어 4시간 동안 후경화(PMC; post mold cure)시켰다. 이후, 60℃, 60% 상대습도 조건하에서 120시간 동안 방치시킨 후 260℃에서 30 초간 IR 리플로우를 1회 통과시키는 것을 3회 반복하는 프리컨디션 조건하에서 패키지 크랙 발생 유무를 C-SAM(scanning acoustic microscope, Sonix사)으로 평가하고 인장력(kgf)을 측정하였다. 이때 금속 시편에 닿는 에폭시 수지 조성물의 면적은 1 x 1 cm이며 인장력 측정은 각 측정 공정 당 2개의 시편에 대하여 UTM(Universal Testing Machine)을 이용하여 수행되었으며 평균값을 계산하였다.Copper specimens, Alloy42 specimens, silver plated copper specimens and nickel-palladium leaded silver-gold plated specimens were prepared. The epoxy resin composition of Table 1 was formed on the metal specimens prepared in this manner under conditions of a mold temperature of 175 ° C., a feed pressure of 9 MPa, a feed rate of 1 mm / sec, and a curing time of 90 seconds to obtain a cured specimen. 4 hours post-cure (PMC; post mold cure). Subsequently, C-SAM (scanning acoustic) is observed under the pre-condition conditions of three times of allowing the IR reflow to pass once for 30 seconds at 60 ° C. and 60% relative humidity for 120 hours. microscope, Sonix Co., Ltd.) and the tensile force (kgf) was measured. At this time, the area of the epoxy resin composition in contact with the metal specimen is 1 x 1 cm and the tensile force measurement was performed using a universal testing machine (UTM) for the two specimens for each measurement process and the average value was calculated.
상기 평가 결과를 하기 표 2에 요약하였다.The evaluation results are summarized in Table 2 below.
Cu Note 1)
/60%+120hrsAfter 60 ℃
/ 60% + 120hrs
Alloy 42 Note 2)
/60%+120hrsAfter 60 ℃
/ 60% + 120hrs
Ag Note 3)
/60%+120hrsAfter 60 ℃
/ 60% + 120hrs
Ni / Pd / Ag-Au Note 4)
/60%+120hrsAfter 60 ℃
/ 60% + 120hrs
1) 구리 리드프레임
2) 니켈합금(Alloy42) 리드프레임
3) 구리 리드프레임에 은(Ag) 도금시킨 리드프레임
4) 구리 리드프레임에 니켈-팔라듐으로 도금 후 Ag-Au 도금시킨 리드프레임(week)
1) copper leadframe
2) Nickel Alloy (Alloy42) Leadframe
3) Lead frame with silver (Ag) plated on copper lead frame
4) Lead frame with Ag-Au plating after plating with nickel-palladium on copper lead frame
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 4-tert-부틸페놀을 포함하는 본 발명에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 각종 리드프레임, 특히 은 도금된 구리 리드프레임 및 니켈-팔라듐으로 선도금 후 은 및/또는 금으로 도금된 구리 리드프레임과의 부착력이 우수하여 반도체 소자 밀봉시 높은 신뢰성을 갖는 반도체 장치를 제작할 수 있음을 알 수 있다.As shown in Table 2, the epoxy resin composition for sealing a semiconductor device according to the present invention containing 4-tert-butylphenol is a lead after various lead frames, in particular silver plated copper lead frame and nickel-palladium, It can be seen that it is possible to fabricate a semiconductor device having high reliability when sealing a semiconductor device due to excellent adhesion with a copper lead frame plated with gold.
이상에서 설명한 본 발명은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.The present invention described above is merely exemplary, and the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Belongs to the scope of.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 밀봉처리한 반도체 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device in which a semiconductor device is sealed using an epoxy resin composition according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
1: 반도체 소자 4: 리드프레임1: semiconductor device 4: lead frame
5: 반도체 소자 밀봉용 경화물5: hardened | cured material for semiconductor element sealing
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090135211A KR20110078407A (en) | 2009-12-31 | 2009-12-31 | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device, and semiconductor apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090135211A KR20110078407A (en) | 2009-12-31 | 2009-12-31 | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device, and semiconductor apparatus using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110078407A true KR20110078407A (en) | 2011-07-07 |
Family
ID=44917873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090135211A KR20110078407A (en) | 2009-12-31 | 2009-12-31 | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device, and semiconductor apparatus using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20110078407A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180076258A (en) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same |
-
2009
- 2009-12-31 KR KR1020090135211A patent/KR20110078407A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180076258A (en) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101266536B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR101340545B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device, and semiconductor apparatus using the same | |
| KR101845147B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semicomductor device and semiconductor device encapsulated using the same | |
| KR20100069106A (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR101266534B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR20110078407A (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device, and semiconductor apparatus using the same | |
| KR100923443B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device?and semiconductor device using the?same | |
| KR100836571B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device??using the same | |
| KR100953822B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device?and semiconductor device?using the same | |
| KR100673630B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device | |
| KR100779903B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR20120073017A (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device, and semiconductor apparatus using the same | |
| KR100896792B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR102052197B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semicomductor device and semiconductor device encapsulated by using the same | |
| KR100953823B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device?and semiconductor device?using the same | |
| KR100834069B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device??using the same | |
| KR100908925B1 (en) | Epoxy Resin Compositions for Sealing Semiconductor Devices and Semiconductor Devices Using the Same | |
| KR101309818B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR100826105B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device | |
| KR20080062440A (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR20100069129A (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR20110044103A (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR101943698B1 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semicomductor device and semiconductor device encapsulated using the same | |
| KR20100072720A (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same | |
| KR20100062110A (en) | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |