KR20110072519A - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20110072519A
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Abstract

실시예에 따른 이미지 센서는 픽셀영역 및 주변영역을 포함하며, 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치되며, 금속배선을 포함하는 층간절연층; 상기 층간절연층 상의 픽셀영역에 배치된 컬러필터층; 상기 컬러필터층 상의 픽셀영역에 배치된 다수개의 마이크로렌즈; 및 상기 픽셀영역에 형성되며, 상기 다수개의 마이크로렌즈를 덮도록 형성된 집광렌즈를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 픽셀영역 및 주변영역을 포함하며, 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 금속배선을 포함하는 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층 상의 픽셀영역에 컬러필터층을 형성하는 단계; 상기 컬러필터층 상의 픽셀영역에 다수개의 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 및 상기 픽셀영역에 형성되며, 상기 다수개의 마이크로렌즈를 덮도록 집광렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
이미지 센서, 집광렌즈

Description

이미지 센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method for Manufacturing thereof}
실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
이러한 이미지 센서를 제조함에 있어서, 이미지 센서의 광감도(photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있으며, 그 중 하나가 집광기술이다.
실시예는 집광효율을 향상시켜, 이미지 센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는 픽셀영역 및 주변영역을 포함하며, 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치되며, 금속배선을 포함하는 층간절연층; 상기 층간절연층 상의 픽셀영역에 배치된 컬러필터층; 상기 컬러필터층 상의 픽셀영역에 배치된 다수개의 마이크로렌즈; 및 상기 픽셀영역에 형성되며, 상기 다수개의 마이크로렌즈를 덮도록 형성된 집광렌즈를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 픽셀영역 및 주변영역을 포함하며, 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 금속배선을 포함하는 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층 상의 픽셀영역에 컬러필터층을 형성하는 단계; 상기 컬러필터층 상의 픽셀영역에 다수개의 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 및 상기 픽셀영역에 형성되며, 상기 다수개의 마이크로렌즈를 덮도록 집광렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 마이크로렌즈의 상부에 집광렌즈를 형성하여, 집광렌즈에 의해 광을 모으고, 이렇게 모아진 광이 마이크로렌즈에 전달되어 광 효율이 증대될 수 있다.
또한, 집광렌즈는 댐을 통해 흡수되는 광을 집광하여 마이크로렌즈로 전달할 수 있어, 이미지 센서의 광 효율이 증대될 수 있다.
또한, 반도체 기판의 후면에 패드를 형성함으로써, 패키지 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.
이하, 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
실시예의 설명에 있어서 씨모스 이미지 센서(CIS)에 대한 구조의 도면을 이용하여 설명하나, 본 발명은 씨모스 이미지 센서에 한정되는 것이 아니며, CCD 이미지센서 등 모든 이미지센서에 적용이 가능하다.
도 7은 실시예에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서는 반도체 기판(100), 층간절연층(150), 컬러필터(200), 평탄화층(250), 마이크로렌즈(300), 집광렌즈(400), 댐(350) 및 보호글라스(500)를 포함한다.
상기 반도체 기판(100)의 액티브 영역에는 포토다이오드(20)를 포함하는 단위화소가 형성될 수 있다.
상기 단위화소는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(20) 및 상 기 포토다이오드(20)에 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 씨모스 회로를 포함한다.
상기 층간절연층(150)은 제1배선(M1), 제2배선(M2) 및 제3배선(M3)을 포함하는 금속배선(30)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제3배선(M3)은 탑 메탈(Top metal)이 될 수 있다.
상기 컬러필터(200)는 청색(Blue), 녹색(Green), 적색(Red)에 따라 높이가 달라, 각 단위화소간에는 단차가 형성된다.
이에, 상기 컬러필터(200) 상에는 이러한 단차를 보상해주기 위해 상기 평탄화층(250)이 형성된다.
상기 마이크로렌즈(300), 댐(350) 및 집광렌즈(400)는 포토레지스트로 형성될 수 있다.
상기 댐(350)은 상기 반도체 기판(100)의 포토다이오드(20)가 형성된 픽셀영역이 아닌, 주변영역에 형성될 수 있다.
상기 집광렌즈(400)는 상기 마이크로렌즈(300)를 덮도록 형성되며, 광을 집광하여, 상기 마이크로렌즈(300)로 보내 이미지 센서의 집광효율을 향상시킬 수 있다.
상기 댐(350), 마이크로렌즈(300) 및 집광렌즈(400)는 모두 상기 평탄화층(250) 상에 형성된다.
또한, 상기 댐(350)의 높이는 상기 집광렌즈(400)의 높이보다 높게 형성된다.
또한, 상기 집광렌즈(400)는 상기 댐(350)을 통해 흡수되는 광을 집광하여 상기 마이크로렌즈(300)로 전달할 수 있어, 이미지 센서의 광 효율이 증대될 수 있다.
상기 댐(350)의 높이는 상기 집광렌즈(400)의 높이보다 높게 형성되므로, 상기 보호글라스(500)와 집광렌즈(400) 사이에는 에어 갭(air gap)이 형성된다.
상기 보호글라스(500)는 내열유리(Pyrex Glass)가 될 수 있다.
상기 관통전극(620)은 상기 반도체 기판(100) 및 층간절연막(150)을 관통하여, 상기 금속배선(30)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도시한 공정단면도이며, 이를 참조로 이미지 센서의 제조방법에 관하여 자세히 설명하도록 한다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100)에 포토다이오드(20)를 형성한다.
도시되지는 않았지만, 상기 반도체 기판(100)에는 액티브 영역과 필드영역을 정의하는 소자분리막이 형성되어 있다.
상기 반도체 기판(100)의 액티브 영역에는 포토다이오드(20)를 포함하는 단위화소가 형성될 수 있다.
상기 단위화소는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(20) 및 상기 포토다이오드(20)에 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 씨모스 회 로를 포함한다.
도 1에서는 단위화소의 포토다이오드(20)만을 도시하였으며, 상기 포토다이오드(20)는 트랜지스터 회로와 연결된 상태일 수 있다.
또한, 상기 포토다이오드(20)는 픽셀영역에 형성될 수 있다.
이어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(100) 상에 금속배선(30)을 포함하는 층간절연층(150)을 형성한다.
상기 층간절연층(150)은 제1배선(M1), 제2배선(M2) 및 제3배선(M3)을 포함하는 금속배선(30)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제3배선(M3)은 탑 메탈(Top metal)이 될 수 있다.
또한, 상기 제1배선(M1), 제2배선(M2) 및 제3배선(M3)은 상기 포토다이오드(20)로 입사되는 빛을 가리지 않도록 레이아웃되어 형성된다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 층간절연층(150) 상에 컬러필터(200) 및 평탄화층(250)을 형성한다.
상기 컬러필터(200)는 청색(Blue), 녹색(Green), 적색(Red)에 따라 높이가 달라, 각 단위화소간에는 단차가 형성된다.
이에, 상기 컬러필터(200) 상에는 이러한 단차를 보상해주기 위해 상기 평탄화층(250)이 형성된다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화층(250) 상에 마이크로렌즈(300)를 형성한다.
상기 마이크로렌즈(300)는 포토레지스트를 이용하여 형성할 수 있으며, 반구 형의 모양으로 형성될 수 있다.
즉, 상기 마이크로렌즈(300)는 마이크로렌즈 형성용 포토레지스트를 형성한 후, 리플로우(reflow) 공정을 진행하여 형성될 수 있다.
이때, 각 단위화소당 한가지 색의 컬러필터가 배치되고, 또한 이에 대응되게 상기 마이크로렌즈(300)가 배치된다.
상기 마이크로렌즈(300)는 상기 반도체 기판(100)의 포토다이오드(20)가 형성된 필셀영역(미도시)에 형성될 수 있으며, 다수개가 어레이(array)로 형성될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 상기 마이크로렌즈(300)를 3개만 도시하였으나, 상기 마이크로렌즈(300)는 개략적으로 생략하여 도시한 것일 뿐, 상기 마이크로렌즈(300)의 갯수는 더 많이 형성될 수 있다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 마이크로렌즈(300)의 주위에 댐(Dam)(350)을 형성하고, 상기 마이크로렌즈(300)를 덮도록 집광렌즈(400)를 형성한다.
상기 댐(350)은 상기 반도체 기판(100)의 포토다이오드(20)가 형성된 픽셀영역이 아닌, 주변영역에 형성될 수 있다.
이때, 주변영역은 회로가 형성된 영역일 수도 있으며, 이에 한정되지 않고, 상기 포토다이오드(20), 컬러필터(200) 및 마이크로렌즈(300)가 형성된 영역이 아닌 이와 인접한 영역이 될 수 있다.
특히, 상기 댐(350)을 형성한 이후에 상기 마이크로렌즈(300) 상에 집광렌 즈(400)가 형성되므로, 상기 댐(350)은 상기 마이크로렌즈(300)의 사이에는 형성되지는 않으며, 다수개의 상기 마이크로렌즈(300)가 형성된 영역이 아닌 영역에 형성될 수 있다.
상기 댐(350)은 포토레지스트로 형성될 수 있다.
이때, 상기 마이크로렌즈(300)는 이미 리플로우 공정으로 경화되어, 상기 댐(350) 형성을 위한 포토레지스트에 의해 상기 마이크로렌즈(300)가 영향을 받지는 않는다.
상기 댐(350)을 형성한 후, 상기 마이크로렌즈(300)를 덮도록 집광렌즈(400)를 형성할 수 있는데, 상기 집광렌즈(400)는 포토레지스트로 형성될 수 있다.
즉, 상기 마이크로렌즈(300) 상에 렌즈 형성용 포토레지스트를 형성한 후, 리플로우 공정을 진행하여 형성될 수 있다.
이때, 상기 댐(350), 마이크로렌즈(300) 및 집광렌즈(400)는 모두 상기 평탄화층(250) 상에 형성된다.
또한, 상기 댐(350)의 높이는 상기 집광렌즈(400)의 높이보다 높게 형성된다.
상기 집광렌즈(400)는 이후 상기 마이크로렌즈(300) 상에 형성되는 보호글라스에 의해 손실되는 광손실을 보완하기 위해 형성된다.
즉, 상기 마이크로렌즈(300) 상에 상기 집광렌즈(400)를 형성하여, 상기 집광렌즈(400)에 의해 광을 모으고, 이렇게 모아진 광이 상기 마이크로렌즈(300)에 전달되어 광 효율이 증대될 수 있다.
또한, 상기 집광렌즈(400)는 상기 댐(350)을 통해 흡수되는 광을 집광하여 상기 마이크로렌즈(300)로 전달할 수 있어, 이미지 센서의 광 효율이 증대될 수 있다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 보호글라스(500)를 상기 댐(350)과 본딩(bonding)한다.
이때, 상기 댐(350)의 높이는 상기 집광렌즈(400)의 높이보다 높게 형성되므로, 상기 보호글라스(500)와 집광렌즈(400) 사이에는 에어 갭(air gap)이 형성된다.
상기 보호글라스(500)는 상기 금속배선(30)의 일부와 연결된 패드를 상기 반도체 기판(100)의 후면에 형성하기 위한 공정시, 상기 마이크로렌즈(300) 및 집광렌즈(400)를 보호하기 위해 형성된다.
상기 보호글라스(500)는 내열유리(Pyrex Glass)가 될 수 있다.
상기 보호글라스(500)를 상기 댐(350)과 본딩한 후, 상기 반도체 기판(100)의 후면을 백 그라인딩(Back Grinding) 또는 에치백(Etch-Back)한다.
상기 반도체 기판(100)의 후면으로 패드를 형성하기 위해서, 상기 반도체 기판(100)의 일부를 제거한다.
즉, 상기 반도체 기판(100)의 일부를 제거하기 위한 백 그라인딩 또는 에치백 공정시, 상기 마이크로렌즈(300)가 형성된 상기 반도체 기판(100)의 상면을 아래쪽으로 위치하게 한 후 진행되기 때문에, 상기 보호글라스(500)가 상기 마이크로렌즈(300) 및 집광렌즈(400)를 보호할 수 있다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(100) 및 층간절연층(150)을 관통하는 관통전극(620) 및 상기 관통전극(620)과 전기적으로 연결된 패드(600)를 형성한다.
상기 관통전극(620)은 상기 반도체 기판(100) 및 층간절연막(150)을 관통하여, 상기 금속배선(30)과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서는 탑 메탈인 상기 제3배선(M3)과 전기적으로 연결시켰지만, 이에 한정되지 않고, 상기 관통전극(620)은 상기 제1배선(M1) 또는 제2배선(M2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 관통전극(620)은 상기 반도체 기판(100) 및 층간절연막(150)을 관통하는 관통홀을 형성한 후, 상기 관통홀을 금속물질로 매립하여 형성할 수 있다.
이때, 상기 관통홀에 텅스텐(W)과 같은 배리어층(610)을 형성한 후, 상기 관통홀을 알루미늄(Al) 또는 알루미늄구리(AlCu)로 매립하여 상기 관통전극(620)을 형성할 수 있다.
그리고, 상기 관통전극(620)을 형성한 후, 상기 반도체 기판(100)의 후면에 상기 관통전극(620)과 전기적으로 연결된 패드(600)를 형성할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 상기 반도체 기판(100)의 후면에 패드(600)를 형성함으로써, 패키지 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 마이크로렌즈의 상부에 집광렌즈를 형성하여, 집광렌즈에 의해 광을 모으고, 이렇게 모아진 광이 마이크로렌즈에 전달되어 광 효율이 증대될 수 있다.
또한, 집광렌즈는 댐을 통해 흡수되는 광을 집광하여 마이크로렌즈로 전달할 수 있어, 이미지 센서의 광 효율이 증대될 수 있다.
또한, 반도체 기판의 후면에 패드를 형성함으로써, 패키지 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도시한 공정단면도이다.

Claims (11)

  1. 픽셀영역 및 주변영역을 포함하며, 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판;
    상기 반도체 기판 상에 배치되며, 금속배선을 포함하는 층간절연층;
    상기 층간절연층 상의 픽셀영역에 배치된 컬러필터층;
    상기 컬러필터층 상의 픽셀영역에 배치된 다수개의 마이크로렌즈; 및
    상기 픽셀영역에 형성되며, 상기 다수개의 마이크로렌즈를 덮도록 형성된 집광렌즈를 포함하는 이미지 센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 주변영역의 상기 층간절연층 상에 배치된 댐(dam); 및
    상기 댐과 집광렌즈 상에 배치되는 보호글라스를 포함하는 이미지 센서.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 보호글라스의 끝단은 상기 주변영역에 형성된 댐과 접촉하며,
    상기 집광렌즈와 상기 보호글라스는 서로 이격되어 배치된 것을 포함하는 이미지 센서.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 댐, 마이크로렌즈 및 집광렌즈는 포토레지스트로 형성된 것을 포함하는 이미지 센서.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 후면을 관통하여, 상기 금속배선과 전기적으로 연결된 관통전극; 및
    상기 관통전극과 전기적으로 연결되어, 상기 반도체 기판의 후면에 배치된 패드를 포함하는 이미지 센서.
  6. 픽셀영역 및 주변영역을 포함하며, 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계;
    상기 반도체 기판 상에 금속배선을 포함하는 층간절연층을 형성하는 단계;
    상기 층간절연층 상의 픽셀영역에 컬러필터층을 형성하는 단계;
    상기 컬러필터층 상의 픽셀영역에 다수개의 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 및
    상기 픽셀영역에 형성되며, 상기 다수개의 마이크로렌즈를 덮도록 집광렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 집광렌즈를 형성하기 전,
    상기 주변영역의 상기 층간절연층 상에 댐(dam)을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 집광렌즈를 형성한 후,
    상기 댐과 집광렌즈 상에 보호글라스를 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 보호글라스의 끝단은 상기 주변영역에 형성된 댐과 접촉하며,
    상기 집광렌즈와 상기 보호글라스는 서로 이격되어 배치된 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 댐, 마이크로렌즈 및 집광렌즈는 포토레지스트로 형성되는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
  11. 제 6항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 후면을 관통하여, 상기 금속배선과 전기적으로 연결된 관통전극을 형성하는 단계; 및
    상기 관통전극과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 기판의 후면에 패드를 형 성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101401608B1 (ko) * 2011-08-04 2014-06-02 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 유전체 층의 이중 개구에 형성되는 패드 구조
KR20150003565A (ko) * 2013-07-01 2015-01-09 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
WO2015026040A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Dongbu Hitek Co., Ltd. Method for manufacturing image sensor
KR20210022306A (ko) * 2019-08-20 2021-03-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101401608B1 (ko) * 2011-08-04 2014-06-02 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 유전체 층의 이중 개구에 형성되는 패드 구조
US8987855B2 (en) 2011-08-04 2015-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad structures formed in double openings in dielectric layers
US9184207B2 (en) 2011-08-04 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad structures formed in double openings in dielectric layers
KR20150003565A (ko) * 2013-07-01 2015-01-09 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
WO2015026040A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Dongbu Hitek Co., Ltd. Method for manufacturing image sensor
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