KR20110070566A - Fringe field switchiig liquid crystal display device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display of a fringe field switching method and manufacturing method thereof are provided to improve transmittance by stabilizing an electricity field neighboring to a gate line. CONSTITUTION: A liquid crystal display of a fringe field switching method includes as follows. A gate line(103) and a data line(121) are formed crossly on a transparent substrate. A pixel electrode(109) is connected to a drain electrode of the thin film transistor. A protective film is formed on upper part of the pixel electrode and the thin film transistor.

Description

프린지 필드 스위칭 방식 액정표시장치 및 그 제조방법{FRINGE FIELD SWITCHIIG LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Fringe field switching type liquid crystal display device and manufacturing method therefor {FRINGE FIELD SWITCHIIG LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 프린지 필드 스위칭 방식의 액정표시장치에서 게이트라인 인접 관계를 안정화시켜 투과율을 개선하고자 한 프린지 필드 스위칭 방식프린지 필드 스위칭 방식(Fringe Field Switching; FFS) 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display and a method of manufacturing the same. More specifically, a fringe field switching scheme for improving a transmittance by stabilizing a gate line adjacent relationship in a fringe field switching scheme is a fringe field switching scheme. Switching (FFS) It relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

일반적으로 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한다. 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.In general, the driving principle of the liquid crystal display device uses the optical anisotropy and polarization property of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.

따라서, 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 영상을 표시할 수 있다.Accordingly, if the molecular arrangement direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular arrangement direction of the liquid crystal due to optical anisotropy to display an image.

액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터기판과 화소전극이 형성된 어레이기판과, 두 기판 사이에 충진된 액정으로 이루어진다. 이와 같은 액정표시장치에서는, 공통전극과 화소전극 사이에서 상하로 인가되는 전기장에 의해 액정이 구동 된다.The LCD includes a color filter substrate on which a common electrode is formed, an array substrate on which a pixel electrode is formed, and a liquid crystal filled between the two substrates. In such a liquid crystal display device, the liquid crystal is driven by an electric field applied up and down between the common electrode and the pixel electrode.

그러나, 상하로 인가되는 전기장에 의한 액정구동은, 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 가지고 있기 때문에, 이와 같은 단점을 해결하기 위해 제안된 기술이 횡전계 방식의 액정표시장치이다.However, since the liquid crystal drive by the electric field applied up and down has a disadvantage that the viewing angle characteristics are not excellent, a technique proposed to solve such a disadvantage is a transverse electric field type liquid crystal display device.

이 횡전계 방식 액정표시장치는 어레이기판 상에 서로 이격된 화소전극과 공통전극이 위치하여 기판면에 평행한 횡전계를 형성하는 장치이다.The transverse electric field type liquid crystal display device is a device in which a pixel electrode and a common electrode spaced apart from each other are disposed on an array substrate to form a transverse electric field parallel to the substrate surface.

그런데, 이 횡전계 방식의 액정표시장치는 휘도가 저하되는 단점을 가지고 있기 때문에, 이러한 횡전계 방식의 액정표시장치의 위와 같은 단점을 해결하기 위해 제안된 기술이 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치이다.However, since the transverse electric field type liquid crystal display device has a disadvantage in that luminance is deteriorated, a technique proposed to solve the above disadvantages of the transverse electric field type liquid crystal display device is a fringe field switching type liquid crystal display device.

이러한 기존의 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치에 대해 도 1 및 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The conventional fringe field switching type liquid crystal display will be described with reference to FIGS. 1 and 2 as follows.

도 1은 종래기술에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a fringe field switching type liquid crystal display device according to the prior art.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극들의 상태를 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 and illustrates a state of a plurality of common electrodes branched from the common electrode wiring.

종래기술에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치는, 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 어레이기판(11) 상에 상기 투명한 어레이기판(11) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(13)과 데이터라인(21)이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인(13)과 데이터라인(21)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다.In the fringe field switching type liquid crystal display device according to the related art, as illustrated in FIGS. 1 and 2, a gate line is arranged on the array substrate 11 vertically and horizontally on the transparent array substrate 11 to define a pixel region. 13) and a data line 21 are formed, and a thin film transistor T, which is a switching element, is formed at an intersection of the gate line 13 and the data line 21.

여기서, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트라인(13)에 연결된 게이트전극(13a), 상기 데이터라인(21)에 연결된 소스전극(21a) 및 이 화소전극(19)에 연결된 드레인전극(21b)으로 구성된다.The thin film transistor T may include a gate electrode 13a connected to the gate line 13, a source electrode 21a connected to the data line 21, and a drain electrode 21b connected to the pixel electrode 19. It consists of.

또한, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트전극(13a)과 소스전극(21a) 및 드레인전극(21b)사이의 절연을 위한 게이트절연막(15) 및 상기 게이트전극(13a)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소스전극(21a)과 드레인전극(21b) 사이에 전도 채널(conductive channel)을 형성하는 액티브패턴(17)을 포함한다.In addition, the thin film transistor T is applied to the gate insulating film 15 and the gate voltage supplied to the gate electrode 13a for insulation between the gate electrode 13a, the source electrode 21a, and the drain electrode 21b. The active pattern 17 forms a conductive channel between the source electrode 21a and the drain electrode 21b.

그리고, 상기 화소영역 내에는 박스 형태의 공통전극배선(25)과 화소전극 (19)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극배선(25)은 상기 화소전극(19)과 프린지 필드(fringe field)를 발생시키기 위해 상기 화소전극(19) 내에 다수 개의 공통전극(25a)이 분기되어 있다. 또한, 상기 화소전극(19) 에는 상기 공통전극(25a)들에 의해 다수의 슬릿(slit)이 형성된다. 이때, 도 2의 "A"와 같이, 상기 공통전극 (25a)들은 상기 화소전극(19) 내에 형성되어 있어, 게이트라인(13)과 화소전극(19) 사이에는 슬릿 (slit)이 형성되지 않게 된다.In the pixel area, a box-shaped common electrode wiring 25 and a pixel electrode 19 are formed. In this case, the common electrode wiring 25 has a plurality of common electrodes 25a branched in the pixel electrode 19 to generate a fringe field with the pixel electrode 19. In addition, a plurality of slits are formed in the pixel electrode 19 by the common electrodes 25a. At this time, as shown in "A" of FIG. 2, the common electrodes 25a are formed in the pixel electrode 19 so that a slit is not formed between the gate line 13 and the pixel electrode 19. do.

또한, 상기 화소전극(19)은 상기 드레인전극(21b)과 전기적으로 접속되어 있다.The pixel electrode 19 is electrically connected to the drain electrode 21b.

그러나, 종래기술에 따른 프린지 필드방식 액정표시장치에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.However, the fringe field type liquid crystal display device according to the related art has the following problems.

종래기술에 따른 프린지 필드방식 액정표시장치는, 시야각이 160 도 정도로 넓은 장점을 가지고 있으나, 일반적인 프린지 필드방식 액정표시장치의 경우에는 화소전극 내에 형성된 슬릿(slit)이 공통전극과 대응하는 영역에만 형성됨에 따라 데이터라인 및 게이트라인과 인접한 영역에는 프린지 필드(fringe field)가 형성되지 않아 투과율이 저하되는 문제점이 있다. 즉, 화소전극에 형성된 슬릿이 공통전극과 대응되는 영역에만 형성되어 있어, 이 대응되는 영역 이외에는 프린지 필드가 형성되지 않고, 대응되는 영역의 외곽에서는 인접 전계의 영향으로 필드가 왜곡되는 현상이 발생하여 투과율이 저하된다.The fringe field type liquid crystal display according to the related art has an advantage that a viewing angle of about 160 degrees is wide. However, in the case of a typical fringe field type liquid crystal display, slits formed in the pixel electrode are formed only in a region corresponding to the common electrode. As a result, a fringe field is not formed in the region adjacent to the data line and the gate line, thereby decreasing transmittance. That is, since the slits formed in the pixel electrode are formed only in the region corresponding to the common electrode, no fringe field is formed except the corresponding region, and the field is distorted due to the influence of the adjacent electric field outside the corresponding region. The transmittance is lowered.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 프린지 필드 방식 액정표시장치에서 게이트라인 인접 전계를 안정시켜 투과율을 개선시킬 수 있는 프린지 필드 방식 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems of the prior art, an object of the present invention is to fringe field-type liquid crystal display device that can improve the transmittance by stabilizing the adjacent electric field of the gate line in the fringe field type liquid crystal display device and It is to provide a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치는, 투명기판 상에 서로 수직 교차되게 형성된 게이트라인과 데이터라인; 상기 게이트라인에서 분기된 게이트전극과, 이 게이트전극 상부에 형성된 게이트절연막, 액티브층패턴 및 상기 액티브층패턴 상에 형성되고 채널영역만큼 이격된 소스전극과 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 연결된 화소전극; 상기 박막트랜지스터와 화소전극 상부에 형성된 보호막; 및 상기 보호막 상에 형성되고, 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A fringe field type liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object, the gate line and the data line formed perpendicular to each other on the transparent substrate; A thin film transistor comprising a gate electrode branched from the gate line, a gate insulating layer formed on the gate electrode, an active layer pattern, and a source electrode and a drain electrode formed on the active layer pattern and spaced apart from each other by a channel region; A pixel electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor; A passivation layer formed on the thin film transistor and the pixel electrode; And a common electrode wiring formed on the passivation layer and having a common electrode on the pixel electrode and having a plurality of slits between the gate line and the pixel electrode.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법은, 투명기판 상에 게이트라인을 형성하는 단계; 상기 게이트라인을 포함한 투명기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 상부의 게이트절연막 상에 액티브층패턴을 형성하는 단계; 상기 액티브층패턴 상에 소스전극과, 상기 화소전극과 연결되는 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 소스전극과 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device, including: forming a gate line on a transparent substrate; Forming a gate insulating film on an entire surface of the transparent substrate including the gate line; Forming a pixel electrode on the gate insulating film; Forming an active layer pattern on the gate insulating layer on the gate electrode; Forming a source electrode and a drain electrode connected to the pixel electrode on the active layer pattern; Forming a protective film on an entire surface of the substrate including the source electrode and the drain electrode; And forming a common electrode wiring on the passivation layer and having a common electrode having a plurality of slits on the pixel electrode and between the gate line and the pixel electrode.

본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.According to the fringe field type liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention has the following advantages.

본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 및 그 제조방법은, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극 일부분을 분리하여 게이트라인에 인가되는 게이트전압에 의한 전계 왜곡을 안정시킴으로써, 게이트라인과 인접하는 러빙 디스클리네이션(rubbing disclination) 영역을 최소화하여 블랙매트릭스 설계 마진 (margin)을 줄일 수 있으므로 투과율을 개선시킬 수 있다. A fringe field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention, by separating a plurality of common electrode portions branched from the common electrode wiring to stabilize the electric field distortion due to the gate voltage applied to the gate line, adjacent to the gate line By reducing the rubbing disclination area, the black matrix design margin can be reduced, thereby improving the transmittance.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a fringe field type liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a fringe field switching liquid crystal display according to the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도로서, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극들 중 일부가 분리된 상태를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3 and illustrates a state in which some of the plurality of common electrodes branched from the common electrode wiring are separated.

본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치는, 도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 어레이기판(101) 상에 상기 투명한 어레이기판(101) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(103)과 데이터라인(121)이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인(103)과 데이터라인(121)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다.In the fringe field switching type liquid crystal display device according to the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, a gate line is arranged on the array substrate 101 vertically and horizontally on the transparent array substrate 101 to define a pixel region. 103 and a data line 121 are formed, and a thin film transistor T, which is a switching element, is formed at an intersection of the gate line 103 and the data line 121.

여기서, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트라인(103)에 연결된 게이트전극(103a), 상기 데이터라인(121)에 연결된 소스전극(121a) 및 이 화소전극(109)에 연결된 드레인전극(121b)으로 구성된다.The thin film transistor T may include a gate electrode 103a connected to the gate line 103, a source electrode 121a connected to the data line 121, and a drain electrode 121b connected to the pixel electrode 109. It consists of.

또한, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트전극(103a)과 소스전극(121a) 및 드레인전극(121b)사이의 절연을 위한 게이트절연막(105) 및 상기 게이트전극 (103a)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소스전극(121a)과 드레인전극(121b) 사이에 전도 채널(conductive channel)을 형성하는 액티브패턴(107)을 포함한다.In addition, the thin film transistor T is applied to the gate insulating film 105 and the gate voltage supplied to the gate electrode 103a for insulation between the gate electrode 103a, the source electrode 121a, and the drain electrode 121b. The active pattern 107 forms a conductive channel between the source electrode 121a and the drain electrode 121b.

그리고, 상기 화소영역 내에는 박스 형태의 공통전극배선(125)과 화소전극 (109)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극배선(125)은 상기 화소전극(109)과 프린지 필드(fringe field)를 발생시키기 위해 상기 화소전극(109) 내에 다수 개의 공통전극(125a)들이 분기되어 있다. 이때, 상기 화소전극(109) 내에는 상기 공통전극(125a)들에 의해 다수의 슬릿(slit)이 형성된다. 또한, 도 4의 "B"와 같이, 상기 공통전극(125a)들 중 일부는 공통전극배선(125)에서 분리 형성되어 있어, 상기 게이트라인(103)과 화소전극(109) 사이에는 슬릿(slit)이 형성되어 있어, 프린지 필드(fringe field)가 생성된다.In the pixel region, a box-shaped common electrode wiring 125 and a pixel electrode 109 are formed. In this case, the common electrode wiring 125 is divided into a plurality of common electrodes 125a in the pixel electrode 109 to generate a fringe field with the pixel electrode 109. In this case, a plurality of slits are formed in the pixel electrode 109 by the common electrodes 125a. 4, some of the common electrodes 125a are separated from the common electrode wiring 125 so that a slit is formed between the gate line 103 and the pixel electrode 109. ) Is formed, resulting in a fringe field.

이러한 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치는 공통전극(125a)에 0V 전압을 인가하고, 게이트전압을 - 10V 전압을 인가하였을때, 기존의 구조에 대비하여 공통전극배선(125a)의 일부분이 분리시켜 형성된 공통전극 구조가 공통전극배선 사이에서 프린지 필드가 형성되어 디스클리네이션 (disclination)이 형성되는 것을 상쇄시킨다.In the fringe field type liquid crystal display according to the present invention having the above configuration, when the 0V voltage is applied to the common electrode 125a and the gate voltage is -10V, the common electrode wiring 125a is prepared in comparison with the existing structure. The common electrode structure formed by separating portions of the fringe offsets the formation of fringe fields between the common electrode wirings.

따라서, 공통전극배선으로 부터 공통전극을 분리 형성함으로 인해, 게이트라인 전압에 의한 전계 왜곡을 안정시킴으로써, 게이트라인과 인접된 러빙 디스클리네이션 영역을 최소화하여 블랙매트릭스 설계 마진을 줄일 수 있어 투과율을 개선시킬 수 있게 된다.Therefore, by forming the common electrode separately from the common electrode wiring, the field distortion caused by the gate line voltage is stabilized, thereby minimizing the rubbing discretion area adjacent to the gate line, thereby reducing the black matrix design margin, thereby improving transmittance. You can do it.

상기 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 제조방법에 대해 도 4 및 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device according to the present invention having the above configuration will be described with reference to FIGS. 4 and 5A to 5D.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 제조방법을 설명하기 위한 평면도이다.5A to 5D are plan views illustrating a method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device according to the present invention.

도 5a에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(101) 상에 금속과 같은 도전물질로 이루어진 도전층(미도시)을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 게이트라인(103)과, 이 게이트라인(103)에서 분기된 게이트전극(103a)을 형성한다. As shown in FIG. 5A, a conductive layer (not shown) made of a conductive material such as metal is deposited on the transparent substrate 101 and then selectively patterned to form the gate line 103 and the gate line 103. A branched gate electrode 103a is formed.

그 다음, 상기 게이트전극(103a)을 포함한 기판(101) 전면에 실리콘질화막(SiX)이나 실리콘산화막(SiO2)으로 이루어진 게이트절연막(105)을 형성한다.Next, a gate insulating film 105 made of a silicon nitride film (SiX) or a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the entire surface of the substrate 101 including the gate electrode 103a.

이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트절연막(105) 상에 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(미도시)과 불순물이 도핑된 비정질실리콘으로 이루어진 오믹콘택층(미도시)을 차례로 증착한 후, 포토리쏘그라피 공정기술을 이용한 노광 및 현상공정을 통해 상기 액티브층(미도시) 및 오믹콘택층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여 액티브층패턴(107) 및 오믹콘택층패턴(미도시)을 형성한다.Subsequently, although not shown in the drawing, an active layer (not shown) made of amorphous silicon and an ohmic contact layer (not shown) made of amorphous silicon doped with impurities are sequentially deposited on the gate insulating film 105, and then photolithography is performed. The active layer (not shown) and the ohmic contact layer (not shown) are selectively patterned to form an active layer pattern 107 and an ohmic contact layer pattern (not shown) through an exposure and development process using a graphitic process technology.

그 다음, 도 5b에 도시된 바와 같이, 기판 전면에 투명 도전물질을 이용하여 도전층(미도시)을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 화소전극(109)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 5B, a conductive layer (not shown) is deposited on the entire surface of the substrate using a transparent conductive material, and then selectively patterned to form the pixel electrode 109.

이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층패턴(107), 오믹콘택층(미도시) 및 화소전극(109) 상에 도전물질을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 데이터라인(121), 이 데이터라인(121)에서 분기된 소스전극(121a) 및 이 소스전극(121a)과 채널영역만큼 이격된 드레인전극(121b)을 형성한다. 이때, 상기 드레인전극(121b)은 상기 화소전극(109)과 연결된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 5C, a conductive material is deposited on the active layer pattern 107, the ohmic contact layer (not shown), and the pixel electrode 109, and then selectively patterned to form a data line 121. A source electrode 121a branched from the data line 121 and a drain electrode 121b spaced apart from the source electrode 121a by a channel region are formed. In this case, the drain electrode 121b is connected to the pixel electrode 109.

그 다음, 상기 소스전극(121a) 및 드레인전극(121b)을 포함한 기판 전면에 실리콘질화막(SiNx)이나 실리콘산화막(SiO2) 또는 유기절연막(organic insulator)으로 이루어진 보호막(123)을 형성한다. Next, a passivation layer 123 including a silicon nitride layer (SiNx), a silicon oxide layer (SiO 2 ), or an organic insulator is formed on the entire surface of the substrate including the source electrode 121a and the drain electrode 121b.

이어서, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(123) 상에 도전물질을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 공통전극배선(125)과 이 공통전극배선(125)에서 분기된 다수 개의 공통전극(125a)을 형성한다. 이때, 상기 다수 개의 공통전극(125a) 중 일부가 도 4의 "B"에서와 같이 상기 공통전극배선(125a)으로 부터 분 리 형성되어 상기 게이트라인(103) 및 화소전극(109) 사이에 슬릿(slit)이 형성되어 프린지 필드가 형성된다. Subsequently, as illustrated in FIG. 5D, a conductive material is deposited on the passivation layer 123 and then selectively patterned to form a common electrode wiring 125 and a plurality of common electrodes branched from the common electrode wiring 125. 125a). At this time, a part of the plurality of common electrodes 125a is separated from the common electrode wiring 125a as shown in "B" of FIG. 4, so that a slit is formed between the gate line 103 and the pixel electrode 109. Slits are formed to form fringe fields.

이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상부기판인 투명한 유리기판(미도시) 하부의 박막트랜지스터와 대응하는 부분에 화소영역 이외의 부분에서 빛샘이 발생하는 것을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(미도시)를 형성한다.Subsequently, although not shown in the drawing, a black matrix (not shown) is formed in a portion corresponding to the thin film transistor under the transparent glass substrate (not shown) that is the upper substrate to prevent light leakage from occurring in portions other than the pixel region. .

그 다음, 상기 블랙매트릭스(미도시) 하부 및 유리기판(미도시)에 컬러필터 (미도시)을 형성한다. 이때, 상기 컬러필터는 적(R), 녹(G), 청(B)의 세가지 색이 순차적으로 반복되어 형성되어 있으며, 하나의 색이 하나의 화소영역에 대응된다. 또한, 상기 컬러필터(미도시)는 염색법, 인쇄법, 안료 분산법, 전착법 등에 의해 형성되어질 수 있다.Next, a color filter (not shown) is formed on the black matrix (not shown) and a glass substrate (not shown). In this case, the color filter is formed by sequentially repeating three colors of red (R), green (G), and blue (B), and one color corresponds to one pixel area. In addition, the color filter (not shown) may be formed by a dyeing method, a printing method, a pigment dispersion method, an electrodeposition method, or the like.

이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 칼라필터(미도시) 위에는 이후에 합착되는 하부기판과의 일정한 갭을 유지하기 위해 칼럼스페이서(미도시)를 형성한다.Subsequently, although not shown in the drawings, a column spacer (not shown) is formed on the color filter (not shown) to maintain a constant gap with the lower substrate to be bonded later.

이어서, 상기 블랙 매트릭스와 , 컬러필터가 형성된 상부기판과, 앞서 박막트랜지스터 및 화소전극 등이 형성된 하부기판을 합착하고, 이들 사이에 액정층(151)을 형성함으로써 프린지 필드 방식 액정표시장치 제조를 완료한다.Subsequently, the black matrix, the upper substrate on which the color filter is formed, and the lower substrate on which the thin film transistor, the pixel electrode and the like are formed are bonded together, and the liquid crystal layer 151 is formed therebetween, thereby completing the manufacture of the fringe field type liquid crystal display device. do.

이상에서와 같이, 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 및 그 제조방법은, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극 일부분을 분리하여 게이트라인에 인가되는 게이트전압에 의한 전계 왜곡을 안정시킴으로써, 게이트라인과 인접하는 러빙 디스클리네이션(rubbing disclination) 영역을 최소화하여 블랙매트릭 스 마진을 줄일 수 있으므로 투과율을 개선시킬 수 있다. As described above, the fringe field type liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, by separating a plurality of common electrode portions branched from the common electrode wiring to stabilize the electric field distortion due to the gate voltage applied to the gate line, The black matrix margin can be reduced by minimizing the rubbing disclination area adjacent to the gate line, thereby improving the transmittance.

한편, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. On the other hand, while described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below And can be changed.

도 1은 종래기술에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a fringe field switching type liquid crystal display device according to the prior art.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도로서, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극들의 상태를 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 and illustrates a state of a plurality of common electrodes branched from the common electrode wiring.

도 3은 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭방식 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a fringe field switching liquid crystal display according to the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도로서, 공통전극배선에서 분기된 다수 개의 공통전극들 중 일부가 분리된 상태를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3 and illustrates a state in which some of the plurality of common electrodes branched from the common electrode wiring are separated.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 프린지 필드 방식 액정표시장치 제조방법을 설명하기 위한 평면도이다.5A to 5D are plan views illustrating a method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 ** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings *

101 : 투명기판 103 : 게이트라인101: transparent substrate 103: gate line

103a : 게이트전극 105 : 게이트절연막103a: gate electrode 105: gate insulating film

107 : 액티브층패턴 109 : 화소전극107: active layer pattern 109: pixel electrode

121 : 데이터라인 121a : 소스전극121: data line 121a: source electrode

121b : 드레인전극 123 : 보호막121b: drain electrode 123: protective film

125 : 공통전극배선 125a : 공통전극125 common electrode wiring 125a common electrode

Claims (8)

투명기판 상에 서로 수직 교차되게 형성된 게이트라인과 데이터라인;A gate line and a data line vertically intersecting with each other on the transparent substrate; 상기 게이트라인에서 분기된 게이트전극과, 이 게이트전극 상부에 형성된 게이트절연막, 액티브층패턴 및 상기 액티브층패턴 상에 형성되고 채널영역만큼 이격된 소스전극과 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터;A thin film transistor comprising a gate electrode branched from the gate line, a gate insulating layer formed on the gate electrode, an active layer pattern, and a source electrode and a drain electrode formed on the active layer pattern and spaced apart from each other by a channel region; 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 연결된 화소전극;A pixel electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor; 상기 박막트랜지스터와 화소전극 상부에 형성된 보호막; 및A passivation layer formed on the thin film transistor and the pixel electrode; And 상기 보호막 상에 형성되고, 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치.And a common electrode wiring formed on the passivation layer and having a common electrode on the pixel electrode and having a plurality of slits between the gate line and the pixel electrode. . 제1항에 있어서, 상기 화소영역 상부에 대응하는 다수 개의 공통전극 중 일부는 상기 게이트라인 상부에 위치하는 공통전극배선 부분과 분리된 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치.The fringe field type liquid crystal display device of claim 1, wherein some of the plurality of common electrodes corresponding to the upper portion of the pixel region are separated from a portion of the common electrode wiring disposed above the gate line. 제1항에 있어서, 상기 게이트라인과 화소전극 사이 및 화소전극 상부의 슬릿을 통해 프린지 필드가 형성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치.The fringe field type liquid crystal display device according to claim 1, wherein a fringe field is formed between the gate line and the pixel electrode and through a slit above the pixel electrode. 제1항에 있어서, 블랙매트릭스와 컬러필터가 구비되고, 상기 투명기판과 합착되는 상부기판과, 이들 기판 사이에 형성된 액정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치.The fringe field type liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a black matrix and a color filter, an upper substrate bonded to the transparent substrate, and a liquid crystal layer formed between the substrates. 투명기판 상에 게이트라인을 형성하는 단계;Forming a gate line on the transparent substrate; 상기 게이트라인을 포함한 투명기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on an entire surface of the transparent substrate including the gate line; 상기 게이트절연막 상에 화소전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode on the gate insulating film; 상기 게이트전극 상부의 게이트절연막 상에 액티브층패턴을 형성하는 단계;Forming an active layer pattern on the gate insulating layer on the gate electrode; 상기 액티브층패턴 상에 소스전극과, 상기 화소전극과 연결되는 드레인전극을 형성하는 단계;Forming a source electrode and a drain electrode connected to the pixel electrode on the active layer pattern; 상기 소스전극과 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;Forming a protective film on an entire surface of the substrate including the source electrode and the drain electrode; 상기 보호막 상에 상기 화소전극 상부, 및 상기 게이트라인과 화소전극 사이에 다수 개의 슬릿을 가지는 공통전극을 구비한 공통전극배선을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법.And forming a common electrode wiring on the passivation layer, the common electrode wiring including a common electrode having a plurality of slits between the pixel electrode and the gate line and the pixel electrode. Device manufacturing method. 제5항에 있어서, 상기 화소영역 상부에 대응하는 다수 개의 공통전극 중 일부는 상기 게이트라인 상부에 위치하는 공통전극배선 부분과 분리 형성된 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법.The method of claim 5, wherein a part of the plurality of common electrodes corresponding to the upper portion of the pixel area is separated from a portion of the common electrode wiring positioned above the gate line. 제5항에 있어서, 상기 게이트라인과 화소전극 사이 및 화소전극 상부의 슬릿 을 통해 프린지 필드가 형성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법.6. The method of claim 5, wherein a fringe field is formed between the gate line and the pixel electrode and through a slit above the pixel electrode. 제5항에 있어서, 블랙매트릭스와 컬러필터가 적층된 상부기판을 제공하는 단계;The method of claim 5, further comprising: providing an upper substrate on which the black matrix and the color filter are stacked; 상기 상부기판과 상기 투명기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드방식 액정표시장치 제조방법.And forming a liquid crystal layer between the upper substrate and the transparent substrate.
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