KR20110070169A

KR20110070169A - Display device

Info

Publication number: KR20110070169A
Application number: KR1020090126892A
Authority: KR
Inventors: 우경돈; 박혜민
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-12-18
Filing date: 2009-12-18
Publication date: 2011-06-24
Also published as: KR101652016B1

Abstract

PURPOSE: A display device is provided to fix the distance between the outer-most dot and a scribe line, thereby lengthening the lifetime of the device. CONSTITUTION: A display unit includes a display area of a shape different from a square. The shape can be a circular, elliptical, or polygonal shape. A dot of a square shape is placed on the display area. The outer-most dot has a smaller size than the size of the dot placed on the central part of the display area when the outer-most dot satisfies a specific condition.

Description

표시소자{Display device}Display device

본 발명은 표시소자에 관한 것이며, 특히 표시영역이 사각형의 구성이 아닌 원 등의 이형(異形) 구성을 갖는 표시소자에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display element, and more particularly, to a display element in which the display area has a heteromorphic configuration such as a circle rather than a rectangular configuration.

근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 최근에는 특히 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 평판표시장치로서 액정표시장치 및 유기전계 발광소자가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 대체하고 있다.In recent years, as the society enters the information age, the display field for processing and displaying a large amount of information has been rapidly developed. In recent years, as a flat panel display device having excellent performance of thinning, light weight, and low power consumption, Liquid crystal displays and organic light emitting diodes have been developed to replace existing cathode ray tubes (CRTs).

한편, 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가지며, 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하므로 최근 평판표시장치로 서 주목 받고 있다. On the other hand, the organic light emitting diode has a high brightness and low operating voltage characteristics, and because it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a high contrast ratio, an ultra-thin display, and a response time of several microseconds ( Iii) It is easy to implement a moving image, there is no limit of viewing angle, it is stable even at low temperature, and it is attracting attention as a flat panel display device because it is easy to manufacture and design a driving circuit because it is driven at a low voltage of DC 5 to 15V.

이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 액티브 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것만큼의 순간 휘도를 내야만 한다. The organic light emitting diode having such characteristics is largely divided into a passive matrix type and an active matrix type. In the passive matrix method, since the scan lines and the signal lines cross each other to form a device in a matrix form, each pixel Since the scan lines are sequentially driven over time in order to drive, the instantaneous luminance must be equal to the average luminance multiplied by the number of lines in order to represent the required average luminance.

그러나 액티브 매트릭스 방식에서는, 픽셀(pixel)을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 화소영역별로 위치하고, 이 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 이 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 공통전극이 된다. However, in the active matrix method, a thin film transistor, which is a switching element that turns a pixel on or off, is positioned for each pixel region, and the first electrode connected to the thin film transistor is for each pixel region. On / off, the second electrode facing the first electrode becomes a common electrode.

그리고 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 화소영역에 인가된 전압이 스토리지 커패시터에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다. 따라서 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다.In the active matrix method, the voltage applied to the pixel region is charged in the storage capacitor, and the power is applied until the next frame signal is applied, thereby continuously driving for one screen regardless of the scanning player. do. Therefore, even when a low current is applied, the same luminance is achieved, and thus, low power consumption, high definition, and large size can be obtained. Recently, an active matrix type organic light emitting diode has been mainly used.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operation characteristics of the active matrix organic light emitting diode will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 회 로도이다. 1 is a circuit diagram of one pixel of a typical active matrix organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 하나의 화소는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다. As illustrated, one pixel of the active matrix organic light emitting diode is a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E. Is made of.

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, the gate line GL is formed in the first direction, is formed in the second direction crossing the first direction to define the pixel region P, and the data line DL is formed. A power supply line PL is formed to be spaced apart from the DL and to apply a power supply voltage.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. In addition, a switching thin film transistor STr is formed at a portion where the data line DL and the gate wiring GL cross, and a driving thin film transistor DTr electrically connected to the switching thin film transistor STr is formed. have.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. In this case, the driving thin film transistor DTr is electrically connected to the organic light emitting diode E. That is, the first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is connected to the power supply line PL. In this case, the power line PL transfers a power supply voltage to the organic light emitting diode E. In addition, a storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr) 의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on, and the signal of the data line DL is transferred to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr to drive the driving signal. Since the thin film transistor DTr is turned on, light is output through the organic light emitting diode E. At this time, when the driving thin film transistor DTr is in an on state, the level of the current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined, and thus the organic light emitting diode E is The gray scale may be implemented, and the storage capacitor StgC maintains the gate voltage of the driving thin film transistor DTr constant when the switching thin film transistor STr is turned off. As a result, even when the switching thin film transistor STr is turned off, the level of the current flowing through the organic light emitting diode E may be maintained until the next frame.

도 2는 일반적인 유기전계 발광소자의 컬러를 표시하는 최소단위인 도트를 도시한 평면도이다. 2 is a plan view illustrating a dot which is the minimum unit for displaying the color of a general organic light emitting diode.

도시한 바와 같이, 일반적인 유기전계 발광소자(1)의 유기전계 발광 다이오드(E)를 포함하는 하나의 화소영역(P)은 직사각형 형태이며, 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 3개의 화소영역(P)이 표현하고자 하는 컬러를 나타내는 하나의 도트(dot)를 이루며 정사각형을 이루고 있다. 각 화소영역(P)의 중앙부에는 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기 발광 다이오드(E)가 배치되며, 이의 상부 또는 하부에 상기 유기전계 발광 다이오드(E)를 구동시키기 위한 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시)가 구비되고 있다. As shown in the drawing, one pixel area P including the organic light emitting diode E of the general organic light emitting diode 1 has a rectangular shape and has three pixel areas emitting red, green, and blue light, respectively. P) forms a square representing a color to be expressed. An organic light emitting diode (E) emitting red, green, and blue light is disposed at the center of each pixel area (P), and a switching and driving thin film transistor for driving the organic light emitting diode (E) on or below it. Not shown).

이러한 구성을 갖는 유기전계 발광소자(1)는 통상적으로 화상이 표시되는 표시영역이 사각형 형태를 갖는 것이 일반적인데, 최근에는 다양한 분야에 응용되면 서 사각형을 제외한 원형, 타원형, 다각형 등 이형의 표시영역을 갖는 유기전계 발광소자가 필요로 하게 되었다. The organic light emitting device 1 having such a configuration generally has a rectangular display area in which an image is displayed. In recent years, various types of display areas of circular, oval, and polygonal shapes, except squares, have been applied to various fields. There is a need for an organic electroluminescent device having a.

도 3은 종래의 원형의 표시영역을 갖는 유기전계 발광소자의 표시영역을 도시한 도면이며, 도 4는 도 3의 D영역을 확대도시한 도면이다.3 is a view illustrating a display area of an organic light emitting device having a conventional circular display area, and FIG. 4 is an enlarged view of the area D of FIG. 3.

도시한 바와 같이, 종래의 원형의 표시영역을 갖는 유기전계 발광소자(50)는 적, 녹, 청색을 발광하는 3개의 화소영역(P)을 하나의 도트(dot)로 하여 원형으로 배치되고 있다. 이때, 적, 녹, 청색을 발광하는 화소영역(P)의 가로폭은 서로 다른 크기를 갖는데, 이는 유기 발광층(미도시)을 이루는 유기물의 발광효율 차이로 인해 이를 보상하여 발광효율을 최적화하기 위해 가로폭의 크기를 달리 형성하고 있다. 통상 청색을 발광하는 유기 발광물질의 발광효율이 낮으므로 청색 화소영역의 폭을 가장 크게 형성하고 있다.As shown in the drawing, the organic EL device 50 having a circular display area in the related art is arranged in a circle with three pixel areas P emitting red, green, and blue as one dot. . In this case, the widths of the pixel areas P emitting red, green, and blue colors have different sizes, which are compensated for by the difference in the luminous efficiency of organic materials constituting the organic light emitting layer (not shown) to optimize luminous efficiency. The width is formed differently. In general, since the luminous efficiency of the organic light emitting material emitting blue is low, the width of the blue pixel region is formed to be the largest.

한편, 원형의 표시영역의 최외각에 배치된 도트(dot)의 배치를 살펴보면, 정사각형의 형태를 원형이 되도록 배치하고 있으므로 그 최외각이 사각형 형태의 표시영역과 달리 매끄럽지 못한 형태 즉, 계단 형태를 갖도록 배치되고 있다. On the other hand, when looking at the arrangement of the dots disposed at the outermost part of the circular display area, since the square shape is arranged to be circular, the outermost part is not smooth unlike the rectangular display area, that is, the step shape It is arranged to have.

따라서, 실제 원형의 화상표시가 되는 것이 가장 바람직하나 도시한 바와 같이 실제적으로는 전술한 구성을 갖는 유기전계 발광소자를 점등하여도 실제 원형의 이미지가 아닌 그 테두리가 거친 형태로 실제 원형과는 차이가 있는 화상이 표시된다.Therefore, it is most desirable to have a real circular image display, but as shown in the figure, even when the organic light emitting device having the above-described structure is turned on, its shape is rough, not an actual circular image, and is different from the actual circular shape. The image with is displayed.

조금 더 완전한 원을 도시한 점선과 전술한 표시장치의 표시영역을 살펴보면, 어떠한 화소라인(PL1)은 최외각 도트(dot)가 일부만이 포함되고 있으며, 또 다 른 화소라인(PL2)은 더 많은 도트(dot) 부분이 상기 원안에 포함되고 있으며, 원(L1)의 외측에 위치하는 도트(dot) 영역의 면적차가 발생하고 있다.Looking at the dotted line showing a more complete circle and the display area of the display device described above, some pixel lines PL1 contain only the outermost dot, and other pixel lines PL2 have more. A dot portion is included in the circle, and an area difference between dot areas located outside the circle L1 is generated.

따라서, 원형의 표시영역을 갖는 종래의 유기전계 발광소자(50)는 도트(dot)로 이루어진 그 테두리가 완전한 원 형태를 이루지 못하므로 표시영역 테두리부에서 표시품질이 저하되고 있는 실정이며, 나아가 각 화소라인(PL1, PL2) 별로 실제 원의 외부로 나가게 되는 도트(dot)의 면적 변화가 커 더욱 표시영역 테두리부에서 표시품질이 저하되고 있다. Therefore, the conventional organic EL device 50 having a circular display area is in a situation in which the display quality is deteriorated at the edge of the display area because its edge formed of dots does not form a perfect circle. The change in the area of the dot which goes out of the actual circle for each of the pixel lines PL1 and PL2 is large, and the display quality is further deteriorated at the edge of the display area.

또한, 이러한 유기전계 발광소자(50)는 최종제품도 이형 형태를 갖도록 형성되므로 절단라인(scribe line)과 상기 최외각 도트(dot)와의 거리 변화가 크므로 이러한 요인이 유기 발광물질의 수명에 영향을 끼쳐 유기전계 발광소자(50)의 수명을 단축시키는 문제가 발생하고 있다. In addition, since the final product is also formed to have a heteromorphic shape, the organic EL device 50 has a large variation in the distance between the scribe line and the outermost dot, so this factor affects the life of the organic light emitting material. This causes a problem of shortening the lifespan of the organic light emitting device 50.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 이형의 표시영역에 있어 최외각의 사각형 형태를 갖는 도트(dot)의 배치 및 형태를 다르게 하여 사각형이 아니 이형의 표시영역에 대해서도 그 테두리부의 표시품질이 우수한 표소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and the display of the edge portion of the non-rectangular display area is also different from the arrangement and shape of the dot having the outermost rectangular shape in the heterogeneous display area. It is an object of the present invention to provide a surface element having excellent quality.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시장치는, 사각형 이외의 이형(異形의 표시영역을 구비하며, 상기 표시영역에 정사각형 형태의 도트로 구성된 표시소자에 있어서, 상기 도트 중 최외각에 위치하는 최외각 도트는 특정 조건을 만족하는 경우 특정 비율로 상기 표시영역의 중앙부에 위치하는 도트의 크기보다 작은 크기를 가지며 형성되는 것이 특징이다. A display device according to the present invention for achieving the above object is a display device having a non-rectangular display area, and composed of square dots in the display area, the display device being located at the outermost of the dots. The outermost dot may be formed to have a size smaller than the size of the dot positioned at the center of the display area at a specific ratio when a specific condition is satisfied.

이때, 상기 이형은 원, 타원 또는 다각형 형태인 것이 특징이다. At this time, the release is characterized in that the shape of a circle, ellipse or polygon.

또한, 상기 특정 조건은, 상기 이형의 표시영역에 대해 실제 설계치의 이형 형태로 가상의 선을 상기 최외각에 위치하는 도트의 중앙부를 지나도록 도시하였을 경우, 상기 가상의 선 내측에 위치하는 최외각 도트의 면적보다 그 외측에 위치하는 면적이 더 큰 면적을 갖는 것이며, 이때, 상기 작은 크기를 갖는 최외각 도트의 한 변 길이를b, 중앙부 도트의 한 변 길이를 a, 상기 가상의 선 내측과 중첩하는 크기 조절 전의 최외각 도트의 중첩 면적이 삼각형 또는 사다리꼴 형태인 경우, 사다리꼴의 윗변을 x1, 삼각형의 밑변 또는 사다리꼴의 아랫변을 x2, 삼각형 또는 사다리꼴의 높이를 y1이라 정의하는 경우, 작은 크기를 갖는 최외각 도트의 한 변 길이 b는 [(x1+x2)*(y1)]^0.5/a 인 것이 특징이다. Further, the specific condition is the outermost portion located inside the imaginary line when the imaginary line is shown to pass through the center portion of the dot located at the outermost portion in the morphology of actual design value with respect to the releasing display area. An area located outside the area of the dot has a larger area, wherein the length of one side of the outermost dot having the small size b, the length of one side of the center dot is a, and the inside of the imaginary line. If the overlapping area of the outermost dot before overlapping resizing is triangular or trapezoidal, x1 is defined as the upper side of the trapezoid, x2 is defined as the base of the triangle or the lower side of the trapezoid, and y1 is defined as the height of the triangle or the trapezoid as y1. The length b of one side of the outermost dot having is [(x1 + x2) * (y1)] ^ 0.5 / a.

또한, 상기 도트는 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 3개의 화소영역으로 구성된 것이 특징이다. In addition, the dot is characterized by consisting of three pixel areas for emitting red, green, and blue, respectively.

또한, 상기 표시소자는, 그 내부에 발광영역과 소자영역을 갖는 화소영역 및 화소 경계영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상의 상기 소자영역 형성된 구동 및 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 발광영역에 상기 구동 박막트랜지스터 와 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와; 상기 제 1 기판과 마주하며 상기 유기전계 발광다이오드의 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판 을 포함하는 유기전계 발광소자인 것이 특징이며, 이때, 상기 제 1 기판에는, 상기 화소 경계영역에 서로 교차하며 형성된 게이트 및 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 나란하게 전원배선이 구비되며, 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 각 화소영역별로 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부에 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상부로 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극으로 이루어진 것이 특징이다. The display device may further include: a first substrate having a pixel region and a pixel boundary region having a light emitting region and an element region therein; A driving and switching thin film transistor formed on the device region on the first substrate; An organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor in the light emitting region; And an organic light emitting device facing the first substrate and including a second substrate for encapsulation of the organic light emitting diode, wherein the first substrate is formed to cross each other at the pixel boundary region. A power supply wiring is provided in parallel with the gate and data wirings, and the data wirings. The organic light emitting diode is connected to a drain electrode of the driving thin film transistor, the first electrode being formed for each pixel region, and an upper portion of the first electrode. And an organic light emitting layer formed on the organic light emitting layer, and a second electrode formed on the entire display area.

본 발명에 따른 표시장치는, 이형의 표시영역의 최외각에 위치하는 도트(dot)의 크기를 달리함으로써 표시영역 테두리에서 실제 설계되는 이형의 표시영역과 최적으로 일치하도록 하여 표시영역 테두리부에서의 표시품질을 향상시키는 효과가 있다.In the display device according to the present invention, by varying the size of the dot located at the outermost part of the display area of the release type, the display device is optimally matched to the display area of the release type actually designed at the display area frame. There is an effect of improving the display quality.

또한, 최외각 도트(dot)와 절단라인(scribe line)까지의 거리를 균일하게 유지할 수 있어 소자수명을 향상시키는 효과가 있다. In addition, the distance between the outermost dot and the scribe line can be maintained uniformly, thereby improving the device life.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 원형의 표시영역을 갖는 유기전계 발광소자 의 표시영역을 도시한 도면이며, 도 6은 도 5의 D영역을 확대도시한 도면이다.5 is a view illustrating a display area of an organic light emitting diode having a circular display area according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged view of area D of FIG. 5.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 이형의 표시영역을 갖는 유기전계 발광소자(101)는 일례로 화상을 표시하는 표시영역이 원형으로 형성되고 있으며, 표시영역 최외각에 있어서 특정 규칙에 의해 최외각에 위치하는 도트(dot)의 크기를 달리함으로써 종래보다 가상의 표시영역(실제 설계치에 의해 나태내지는 이형(異形)의 표시영역)과 유사하게 형성되고 있는 것이 특징이다. As shown, the organic EL device 101 having a heterogeneous display area according to the present invention has, for example, a circular display area for displaying an image, and has an outermost angle according to a specific rule in the outermost area of the display area. By varying the size of the dot located in the present invention, the virtual display area is formed similarly to the conventional (deformation display area shown by the actual design value).

즉, 표시영역의 최외각에 있어서 설계치의 표시영역을 나타내는 가상의 선(L)을 기준으로 이와 실제 도트(dot)의 배치에 의해 표시되는 물리적 표시영역의 최외각 테두리의 차이가 해상도 증가없이 종래보다 더욱 유사하게 표시되고 있는 것이 특징이다. That is, the difference between the outermost edges of the physical display area displayed by the arrangement of the actual dots and the dot based on the imaginary line L representing the display area of the design value at the outermost part of the display area is conventionally increased without increasing the resolution. It is characterized by being displayed more similarly.

이때, 본 발명의 가장 특징적인 구성으로 이형의 표시영역 최외각에 위치하는 도트(dot)의 면적 변화의 규칙에 대해 설명한다.At this time, the rule of the area change of the dot located in the outermost part of the display area of a mold release as a characteristic characteristic of this invention is demonstrated.

도 7a, 7b, 7c는 각각 크기 조절 전의 이형 표시영역의 최외각에 위치하는 도트(dot)와 이를 지나는 설계시의 이형 표시영역을 함께 도시한 도면이다. 7A, 7B, and 7C are diagrams illustrating a dot located at the outermost portion of the release display area before size adjustment and a release display area at the time of designing through the dot.

본 발명에 있어서 최외각 도트(dot) 크기는 상기 설계상의 이형 표시영역을 나타내는 가상의 선(L)을 기준으로 이의 내측으로 포함되는 면적 분포를 분석하여 조절되는 것이 특징이다. In the present invention, the outermost dot size may be adjusted by analyzing an area distribution included in the inner side of the virtual line L representing the design-oriented display area.

즉, 상기 설계상의 이형 표시영역을 나타낸 가상의 선(L)이 최외각 도트(dot)의 중앙부를 관통하여 지나는 경우(도 7a 참조)를 기준으로 이와 동일한 면적 또는 이 보다 더 큰 면적이 상기 가상의 선(L) 내측에 위치(도 7b 참조)하면 상 기 최외각 도트(dot)는 이형의 표시영역 중앙부에 위치하는 도트(dot)와 동일한 크기를 유지하고, 상기 가상의 선이 최외각 도트(dot)의 중앙부를 관통하여 지나는 경우보다 더 작은 면적이 상기 가상의 선(L) 내측에 위치하는 경우 즉, 상기 가상의 선(L) 외측으로 더 큰 면적이 위치하게 되는 경우의 도트(dot)는 크기 조절을 하는 것이 특징이다. That is, on the basis of the case where the imaginary line L showing the heterogeneous display area in the design passes through the center of the outermost dot (see FIG. 7A), the same area or a larger area is the virtual area. When located inside the line L (see FIG. 7B), the outermost dot maintains the same size as the dot positioned in the center of the heterogeneous display area, and the virtual line is the outermost dot. dot when a smaller area is located inside the imaginary line L than when passing through the central portion of the dot, that is, when a larger area is located outside the imaginary line L ) Is characterized by size adjustment.

이때, 상기 이형의 표시영역이 대칭적인 구조를 갖는 원형인 경우 이형의 표시영역은 상/하/좌/우 대칭적으로 도트(dot) 크기 조절을 실시되는 것이 특징이다. At this time, when the display area of the release is a circular shape having a symmetrical structure, the display area of the release is characterized in that dot size is symmetrically adjusted up, down, left, and right.

도 8a와 도 8b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 최외각 도트(dot)의 크기 조절 비율을 설명하기 위해 최외각 도트(dot)를 구획하여 나타낸 도면으로서 설계상의 표시영역의 최외각 라인을 기준선(SL)으로 도시하였다. 이때 설명의 편의를 위해 A는 물리적 표시영역 내의 하나의 도트(dot)의 면적을 2로 나눈 면적(이하 제 1 면적이라 칭함)이라 정의하였으며, 설계치에 의한 표시영역의 테두리가 지나는 최외각 도트(dot) 내의 중첩 면적(이하 제 2 면적이라 칭함)이라 정의하였으며, X는 크기 조절전의 도트(dot)의 가로폭, Y는 크기 조절 던의 도트(dot)의 세로폭이라 정의하였으며, 도트(dot) 내에서 유기전계 발광 다이오드가 구비되어 실제 발광이 발생하는 발광영역을 빗금으로 도시하였다. 또한, 도면에 있어서 정사각형을 이루는 도트 내부에서 가로축을 x, 세로축을 y라 정의하였으며, 상기 중첩면적이 삼각형 형태인 경우 밑변을 x2, 높이를 y1이라 정의 하였으며, 상기 중첩면적이 사다리꼴인 경우 윗변을 x1, 아랫변을 x2, 높이를 y1이라 정의하였다. 8A and 8B are diagrams illustrating the outermost dot in order to explain the size control ratio of the outermost dot of the organic light emitting device according to the present invention. Shown as baseline SL. In this case, for convenience of description, A is defined as an area (hereinafter referred to as a first area) divided by 2 by an area of one dot in the physical display area, and an outermost dot (where the edge of the display area passes by a design value) It is defined as an overlapping area (hereinafter referred to as a second area) within a dot, X is defined as the width of the dot before the size adjustment, Y is defined as the height of the dot of the resizing dot, and dot The light emitting area in which the organic light emitting diode is provided inside the light emitting device is shown by hatching. Also, in the drawing, the horizontal axis is defined as x and the vertical axis is y in a dot forming a square. In the case where the overlapped area is a triangular shape, the bottom side is defined as x2 and the height is y1. x1, the bottom side was defined as x2, and the height was defined as y1.

도면을 참조하면, 정의에 의해 물리적 최외각 도트(dot)를 2로 나눈 제 1 면 적을 나타낸 A는Referring to the drawing, A, which represents, by definition, the first area by dividing the physical outermost dot by two,

A = X * Y * 1/2 로 표시될 수 있으며, Can be represented as A = X * Y * 1/2,

설계치에 의한 표시영역의 테두리가 지나는 최외각 도트(dot) 내의 중첩 면적인 제 2 면적을 나타낸 A'은A 'which represents the second area of the overlapped area in the outermost dot which the edge of the display area passes by a design value is

A'=(x1 + x2)*(y1 + y2)*1/2로 표시될 수 있다.A '= (x1 + x2) * (y1 + y2) * 1/2.

한편, 상기 기준선(SL)을 기준으로 한 제 1 면적보다 발광 면적 즉, 제 2 면적이 작은 경우(A > A'),On the other hand, when the light emitting area, that is, the second area is smaller than the first area based on the reference line SL (A> A '),

그 면적비율은, The area ratio is

A/A'=(X*Y)/[(x1 + x2)*(y1 + y2)] 로 나타낼 수 있다.A / A '= (X * Y) / [(x1 + x2) * (y1 + y2)].

이때, 유기전계 발광소자에 있어서 하나의 도트(dot)는 그 가로폭과 세로폭의 크기가 동일하게 정사각형 형태를 이루도록 형성되므로 상기 도트(dot)의 가로폭과 세로폭을 모두 a라 가정하고, 최외각 도트(dot) 중 전술한 조건(설계치의 표시영역을 나타낸 가상의 선을 기준으로 최외각 도트가 상기 가상의 선 외측보다 내측으로 더 큰 면적이 형성되는 경우)을 만족하여 변경되어야 할 새로운 정사각형 형태의 최외각 도트(dot)의 한 변 길이를 b라 할 때,At this time, one dot in the organic light emitting device is formed so that the width and height of the width is equal to the square shape, it is assumed that both the width and height of the dot (a), Among the outermost dots, a new condition that needs to be changed to satisfy the aforementioned condition (when the outermost dot is formed inwardly larger than the outer virtual line based on the imaginary line representing the display area of the design value). When the length of one side of the square outermost dot b is

도트(dot)의 길이 비율(R이 칭함)은 (기존 최외각 도트(dot)의 한 변 길이 ^ 0.5)/(신규 최외각 도트(dot)의 한 변 길이 ^0.5)로 나타낼 수 있다.The length ratio (referred to as R) of a dot may be expressed as (one side length of the existing outermost dot ^ 0.5) / (one side length of the new outermost dot ^^).

따라서 이를 정의된 부호로 치환하여 정리하면,Therefore, substituting this by the defined sign,

R = (X*Y)^0.5/[(x1 + x2)*(y1 + y2)]^0.5 =a/[(x1 + x2)*(y1 + y2)]^0.5 로 표현될 수 있다. R = (X * Y) ^ 0.5 / [(x1 + x2) * (y1 + y2)] ^ 0.5 = a / [(x1 + x2) * (y1 + y2)] ^ 0.5.

그러므로, 새로운 정사각형 형태의 최외각 도트의 한편 길이 b는 [(x1 + x2)*(y1 + y2)]^0.5 / a 가 된다.Therefore, the length b of the new square outermost dot is [(x1 + x2) * (y1 + y2)] ^ 0.5 / a.

따라서, 이러한 규칙을 적용하여 이형 표시영역의 최외각 도트(dot)를 구성하게 되면, 도 5와 도 6에 도시한 바와 같이, 중앙의 표시영역에 있어서는 한 변 길이가 a인 일정한 크기를 갖는 도트(dot1)가 형성되며, 각 도트 라인(PL1, PL2, PL3)의 끝단에 위치한 최외각 도트(dot2)는 설계치에 의한 이형 표시영역의 최외각을 나타낸 가상의 선(L)을 기준으로 한 변이 a인 도트(dot1)에 대해 상기 가상의 선 내측에 위치하는 면적이 그 외측에 위치하는 면적보다 작은 경우 이를 한 변 길이가 [(x1 + x2)*(y1 + y2)]^0.5 / a 인 도트(dot2)로 변경됨으로써 이형의 표시영역의 테두리부에서 매끄러운 화상을 시청할 수 있다.Accordingly, when the outermost dot of the heterogeneous display area is formed by applying such a rule, as shown in FIGS. 5 and 6, a dot having a constant size with a side length of a in the center display area is shown. (dot1) is formed, and the outermost dot (dot2) located at the end of each dot line (PL1, PL2, PL3) is a shift based on the imaginary line (L) representing the outermost angle of the release display area by the design value. If the area located inside the imaginary line is smaller than the area located outside of the imaginary line for dot a, the length of one side is [(x1 + x2) * (y1 + y2)] ^ 0.5 / a By changing to a dot dot2, a smooth image can be viewed at the edge of the display area of the release type.

나아가, 이렇게 최외각에 위치하는 도트(dot2) 중 일정 조건을 만족하는 것에 대해 그 중앙부에 위치하는 도트(dot1)대비 작을 크기를 갖도록 형성함으로써 해상도 변경없이 이상적인 이형 예를 들면 원형을 구현할 수 있으므로 이를 기준으로 소정 폭 이격하여 절단되는 경우, 상기 절단선에 대해 종래대비 최외각 도트(dot2)까지의 거리를 균일하게 유지할 수 있으므로 그 수명을 향상시키는 효과를 갖는다. Furthermore, by forming a size smaller than the dot (dot1) located at the center of the dot (dot2) located in the outermost part so as to satisfy a certain condition, it is possible to implement an ideal release, for example, a circle without changing the resolution, so When cut by a predetermined width apart as a reference, since the distance to the outermost dot (dot2) can be maintained uniformly with respect to the cutting line has an effect of improving the life.

한편, 본 발명의 실시예에 있어서는 유기전계 발광소자를 일례로 들었지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 이형의 표시영역을 갖는 표시장치에 대해서는 모두 적용될 수 있음은 자명한다.On the other hand, in the embodiment of the present invention, the organic light emitting device is taken as an example, but the present invention is not limited to this, it is obvious that all of the display device having a heterogeneous display area can be applied.

이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면구성에 대해 간단히 설명한다.Hereinafter, the cross-sectional structure of one pixel area of the organic light emitting diode according to the present invention having the above-described configuration will be briefly described.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 이때 설명의 편의를 위해 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되는 영역을 구동영역(DA), 그리고 도면에는 나타내지 않았지만 스위칭 박막트랜지스터가 형성되는 영역을 스위칭 영역이라 정의한다.9 is a cross-sectional view of one pixel area of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention. In this case, for convenience of description, the region in which the driving thin film transistor DTr is formed is defined as the driving region DA and the region in which the switching thin film transistor is formed, although not shown in the drawing, is called a switching region.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자(101)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(110)과, 도면에 나타내지 않았지만 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)으로 구성되고 있다. As shown, the organic light emitting diode 101 according to the present invention includes a first substrate 110 having a driving and switching thin film transistor DTr (not shown) and an organic light emitting diode E, and is not shown in the drawing. It is composed of a second substrate 170 for encapsulation.

상기 제 1 기판(110)의 상부에는 상기 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에 대응하여 순수 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 제 1 영역(113a) 그리고 상기 제 1 영역(113a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제 2 영역(113b)으로 구성된 반도체층(113)이 형성되어 있다. 이때 상기 반도체층(113)과 상기 제 1 기판(110) 사이에는 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층(미도시)은 상기 반도체층(113)의 결정화시 상기 제 1 기판(110) 내부로부터 나오는 알카리 이온의 방출에 의한 상기 반도체층(113)의 특성 저하를 방지하기 위함이다. The upper portion of the first substrate 110 is made of pure polysilicon corresponding to the driving area DA and the switching area (not shown), and a central part thereof includes a first area 113a forming a channel and the first area ( 113a) The semiconductor layer 113 including the second region 113b doped with a high concentration of impurities is formed on both sides. In this case, a buffer layer (not shown) made of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiO ₂ ) or silicon nitride (SiNx) may be further formed between the semiconductor layer 113 and the first substrate 110. . The buffer layer (not shown) is to prevent deterioration of the characteristics of the semiconductor layer 113 due to the release of alkali ions from the inside of the first substrate 110 when the semiconductor layer 113 is crystallized.

또한, 상기 반도체층(113)을 덮으며 게이트 절연막(116)이 전면에 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에 있어 상기 반도체층(113)의 제 1 영역(113a)에 대응하여 게이트 전극(120)이 형성되어 있다. 또한 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 스위칭 영역(미도시)에 형성된 게이트 전극(미도시)과 연결되며 일방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. In addition, a gate insulating layer 116 is formed on the entire surface of the semiconductor layer 113 and above the gate insulating layer 116 in the driving area DA and the switching area (not shown). The gate electrode 120 is formed to correspond to the first region 113a of 113. In addition, the gate insulating layer 116 is connected to a gate electrode (not shown) formed in the switching region (not shown), extends in one direction, and a gate wiring (not shown) is formed.

또한, 상기 게이트 전극(120)과 게이트 배선(미도시) 위로 층간절연막(123)이 형성되어 있다. 이때, 상기 층간절연막(123)과 그 하부의 게이트 절연막(116)은 상기 제 1 영역(113a) 양측면에 위치한 상기 제 2 영역(113b) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(125)이 형성되어 있다. In addition, an interlayer insulating layer 123 is formed on the gate electrode 120 and the gate wiring (not shown). In this case, the interlayer insulating layer 123 and the gate insulating layer 116 thereunder are formed with a semiconductor layer contact hole 125 exposing each of the second regions 113b located on both sides of the first region 113a. .

다음, 상기 반도체층 콘택홀(125)을 포함하는 층간절연막(123) 상부에는 상기 게이트 배선(119)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)과, 이와 이격하여 전원배선(미도시)이 형성되고 있다. Next, an upper portion of the interlayer insulating layer 123 including the semiconductor layer contact hole 125 may intersect with the gate line 119 and define a data line 130 defining the pixel region P, and a power line line spaced apart therefrom. Not shown) is being formed.

또한, 상기 층간절연막(123) 위로 각 구동영역(DA) 및 스위칭 영역(미도시)에는 서로 이격하며 상기 반도체층 콘택홀(125)을 통해 노출된 제 2 영역(113b)과 각각 접촉하며 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. 이때, 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)과, 이들 전극(133, 136)과 접촉하는 제 2 영역(113b)을 포함하는 반도체층(113)과, 상기 반도체층(113) 상부에 형성된 게이트 절연막(116) 및 게이트 전극(120)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이룬다. In addition, the driving area DA and the switching area (not shown) are spaced apart from each other on the interlayer insulating layer 123 and contact the second area 113b exposed through the semiconductor layer contact hole 125, respectively. Drain electrodes 133 and 136 are formed. In this case, the semiconductor layer 113 including the source and drain electrodes 133 and 136, the second region 113b in contact with the electrodes 133 and 136, and a gate formed on the semiconductor layer 113. The insulating layer 116 and the gate electrode 120 form a driving thin film transistor DTr.

한편, 스위칭 영역(미도시)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조의 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 형성된다. 이때, 상기 스위칭 박막트랜지스 터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 게이트 배선(119) 및 데이터 배선(130)과 전기적으로 연결되며 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(130)은 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 소스 전극(미도시)과 연결되고 있다. Meanwhile, a switching thin film transistor (not shown) having the same structure as that of the driving thin film transistor DTr is formed in the switching region (not shown). In this case, the switching thin film transistor (not shown) is electrically connected to the driving thin film transistor DTr, the gate wiring 119, and the data wiring 130, and the data wiring 130 is the switching. It is connected to a source electrode (not shown) of a thin film transistor (not shown).

다음, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다. Next, a passivation layer 140 having a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is formed on the driving and switching thin film transistor DTr (not shown).

또한, 상기 보호층(140) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 접촉되며 각 화소영역(P) 별로 일함수 값이 비교적 크며 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 제 1 전극(147)이 형성되어 있다. In addition, the protective layer 140 is in contact with the drain electrode 136 and the drain contact hole 143 of the driving thin film transistor DTr, and has a large work function for each pixel region P, and has a transparent conductivity. A first electrode 147 made of a material, for example indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), is formed.

이때, 상기 제 1 전극(147)은 도시한 바와 같이 단일층 구조를 이룰 수도 있으며, 나아가 다중층 구조를 이룰 수도 있다. 상기 제 1 전극(147) 다중층 구조를 이룰 경우 상기 투명 도전성 물질 이외에 반사효율이 우수한 금속물질로서 하부층(미도시)이 더욱 구성되어 상기 하부층(미도시)에 의해 유기 발광층(155)으로 나온 빛을 반사시켜 상측으로 출사되도록 함으로써 휘도 특성을 향상시킬 수 있다. In this case, the first electrode 147 may form a single layer structure as shown, or may further form a multilayer structure. When the first electrode 147 has a multi-layer structure, a lower layer (not shown) is further formed as a metal material having excellent reflection efficiency in addition to the transparent conductive material, so that light emitted from the lower layer (not shown) to the organic light emitting layer 155 is formed. By reflecting the reflected light to the upper side, the luminance characteristic can be improved.

다음, 전술한 바와 같이 단일층 또는 다중층 구조를 갖는 상기 제 1 전극(147)의 테두리를 덮으며 각 화소영역(P)의 경계에는 뱅크(150)가 형성되어 있다. 이때 상기 뱅크(150)는 상기 각 화소영역(P)의 경계 중 상기 금속패턴(148)과 상기 격벽(149)이 형성된 부분에 대응해서는 패터닝되어 제거됨으로써 상기 격벽(149)이 형성된 화소영역(P)의 경계 부분을 제외한 각 화소영역(P)의 경계에 형 성되고 있는 것이 특징이다. Next, as described above, the bank 150 is formed at the boundary of each pixel region P while covering the edge of the first electrode 147 having a single layer or multilayer structure. In this case, the bank 150 is patterned and removed to correspond to a portion where the metal pattern 148 and the barrier rib 149 are formed among the boundary of each pixel region P, thereby removing the pixel region P having the barrier rib 149 formed thereon. It is characterized in that it is formed at the boundary of each pixel area P except for the boundary of ().

또한, 상기 뱅크(150)로 둘러싸인 각 화소영역(P)에는 상기 제 1 전극(147) 위로 유기 발광층(155)이 형성되고 있다. In addition, an organic emission layer 155 is formed on the first electrode 147 in each pixel region P surrounded by the bank 150.

상기 유기 발광층(155)과 상기 뱅크(150)의 상부에는 전면에 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를 들면 마그네슘 은 합금(Mg:Ag) 또는 알루미늄 마그네슘 합금(Al:Mg)이 수 십Å 내지 수 백Å정도의 두께를 가지며 표시영역 전면에 형성되고 있다. On the top of the organic light emitting layer 155 and the bank 150, a metal material having a relatively low work function value, for example, magnesium silver alloy (Mg: Ag) or aluminum magnesium alloy (Al: Mg), may be formed on the front surface. It has a thickness of about several hundred micrometers and is formed on the entire display area.

한편, 각 화소영역(P) 내에 순차 적층된 상기 제 1 전극(147)과 상기 유기 발광층(155) 및 제 2 전극(158)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이루게 된다.Meanwhile, the first electrode 147, the organic emission layer 155, and the second electrode 158 sequentially stacked in each pixel area P form an organic light emitting diode E.

이러한 구성을 갖는 제 1 기판에 대응하여 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위해 그 테두리에 접착패턴을 개재하여 제 2 기판이 구비되고 있다.In order to encapsulate the organic light emitting diode E corresponding to the first substrate having such a configuration, a second substrate is provided with an adhesive pattern at an edge thereof.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 회로도.1 is a circuit diagram of one pixel of a typical active matrix organic electroluminescent device.

도 2는 종래의 유기전계 발광소자의 구동 박막트랜지스터를 포함하는 하나의 화소영역에 대한 단면도.2 is a cross-sectional view of one pixel area including a driving thin film transistor of a conventional organic light emitting diode.

도 3은 종래의 원형의 표시영역을 갖는 유기전계 발광소자의 표시영역을 도시한 도면.3 is a view showing a display area of an organic light emitting device having a conventional circular display area.

도 4는 도 3의 D영역을 확대도시한 도면.4 is an enlarged view illustrating a region D of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 원형의 표시영역을 갖는 유기전계 발광소자의 표시영역을 도시한 도면.5 illustrates a display area of an organic light emitting diode having a circular display area according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 D영역을 확대도시한 도면.FIG. 6 is an enlarged view of region D of FIG. 5;

도 7a, 7b, 7c는 각각 크기 조절 전의 이형 표시영역의 최외각에 위치하는 도트(dot)와 이를 지나는 설계시의 이형 표시영역을 함께 도시한 도면.7A, 7B, and 7C are diagrams illustrating a dot located at the outermost portion of a release display area before size adjustment and a release display area at the time of designing through the dot.

도 8a와 도 8b는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 최외각 도트(dot)의 크기 조절 비율을 설명하기 위해 최외각 도트(dot)를 구획하여 나타낸 도면.8A and 8B are diagrams illustrating the outermost dot in order to explain the size control ratio of the outermost dot of the organic light emitting device according to the present invention.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 단면도.9 is a cross-sectional view of one pixel area of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>

101 : 유기전계 발광소자 a : 중앙부 도트 한 변 길이101: organic light emitting device a: length of the center dot side

b : 크기가 변경된 최외각 도트의 한 변 길이b: length of one side of outermost dot with size changed

dot1 : 중앙부 도트 dot2 : 최외각 도트 dot1: center dot dot2: outermost dot

PL1, PL2, Pl3 : 도트 라인 PL1, PL2, Pl3: Dot Line

L : 설계치에 의한 이형 표시영역의 테두리를 나타낸 가상의 선 L: An imaginary line showing the border of the heterogeneous display area by the design value

Claims

사각형 이외의 이형(異形의 표시영역을 구비하며, 상기 표시영역에 정사각형 형태의 도트로 구성된 표시소자에 있어서,In a display device having a non-square display area and comprising a dot having a square shape in the display area,

상기 도트 중 최외각에 위치하는 최외각 도트는 특정 조건을 만족하는 경우 특정 비율로 상기 표시영역의 중앙부에 위치하는 도트의 크기보다 작은 크기를 가지며 형성되는 표시소자.The outermost dot positioned at the outermost part of the dots has a size smaller than the size of the dot located at the center of the display area at a specific ratio when a specific condition is satisfied.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 이형은 원, 타원 또는 다각형 형태인 것이 특징인 표시소자.The deformation is a display device, characterized in that the shape of a circle, ellipse or polygon.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 특정 조건은, 상기 이형의 표시영역에 대해 실제 설계치의 이형 형태로 가상의 선을 상기 최외각에 위치하는 도트의 중앙부를 지나도록 도시하였을 경우, 상기 가상의 선 내측에 위치하는 최외각 도트의 면적보다 그 외측에 위치하는 면적이 더 큰 면적을 갖는 것인 표시소자.The specific condition is that when the virtual line is shown to pass through the center portion of the dot located at the outermost part in the shape of an actual design value with respect to the display area of the mold release, the outermost dot located at the inner side of the virtual line. A display element in which the area located outside the area has a larger area.

제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein

상기 작은 크기를 갖는 최외각 도트의 한 변 길이를b, 중앙부 도트의 한 변 길이를 a, 상기 가상의 선 내측과 중첩하는 크기 조절 전의 최외각 도트의 중첩 면적이 삼각형 또는 사다리꼴 형태인 경우, 사다리꼴의 윗변을 x1, 삼각형의 밑변 또는 사다리꼴의 아랫변을 x2, 삼각형 또는 사다리꼴의 높이를 y1이라 정의하는 경우,When the length of one side of the outermost dot having the small size b, the length of one side of the central dot a, and the overlapping area of the outermost dot before the size adjustment overlapping with the inside of the imaginary line are triangular or trapezoidal, If x1 is defined as the top side of the triangle, x2 is the bottom side of the triangle or the bottom of the trapezoid, and y1 is the height of the triangle or the trapezoid,

작은 크기를 갖는 최외각 도트의 한 변 길이 b는 [(x1+x2)*(y1)]^0.5/a 인 것이 특징인 표시소자.A display element characterized in that one side length b of the outermost dot having a small size is [(x1 + x2) * (y1)] ^ 0.5 / a.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 도트는 적, 녹, 청색을 각각 발광하는 3개의 화소영역으로 구성된 표시소자.And the dot includes three pixel areas emitting red, green, and blue light, respectively.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 표시소자는, The display element,

그 내부에 발광영역과 소자영역을 갖는 화소영역 및 화소 경계영역이 정의된 제 1 기판과;A first substrate having a pixel region and a pixel boundary region having a light emitting region and an element region therein;

상기 제 1 기판 상의 상기 소자영역 형성된 구동 및 스위칭 박막트랜지스터 와;A driving and switching thin film transistor formed on the element substrate on the first substrate;

상기 발광영역에 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며 형성된 유기전계 발광 다이오드와; An organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor in the light emitting region;

상기 제 1 기판과 마주하며 상기 유기전계 발광다이오드의 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판A second substrate facing the first substrate for encapsulation of the organic light emitting diode

을 포함하는 유기전계 발광소자인 것이 특징인 표시소자.Display device characterized in that the organic electroluminescent device comprising a.

제 6 항에 있어서, The method of claim 6,

상기 제 1 기판에는, 상기 화소 경계영역에 서로 교차하며 형성된 게이트 및 데이터 배선과, 상기 데이터 배선과 나란하게 전원배선이 구비되며, The first substrate may include a gate and a data line formed to cross each other at the pixel boundary region, and a power line line to be parallel to the data line.

상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 각 화소영역별로 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부에 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상부로 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극으로 이루어진 것이 특징인 표시소자. The organic light emitting diode is connected to a drain electrode of the driving thin film transistor, and includes a first electrode formed for each pixel region, an organic light emitting layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on an entire surface of the display area above the organic light emitting layer. Display element characterized in that consisting of.