KR20110069374A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR20110069374A KR1020090126083A KR20090126083A KR20110069374A KR 20110069374 A KR20110069374 A KR 20110069374A KR 1020090126083 A KR1020090126083 A KR 1020090126083A KR 20090126083 A KR20090126083 A KR 20090126083A KR 20110069374 A KR20110069374 A KR 20110069374A
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이진복
이수열
김용태
황석민
채승완
이종호
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삼성엘이디 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to improve brightness by reducing an electric path and to reduce a light loss by vertically arranging an n electrode and a p electrode. CONSTITUTION: An active layer(102) and a second conductive semiconductor layer(103) are successively formed on a first region of a first conductive semiconductor layer(101). An n electrode(104) is formed on a second region except for the first region of the first conductive semiconductor layer. An insulator(105) is formed to expose a part of the n electrode to the outside. A transparent electrode layer(106) is electrically connected to the second conductive semiconductor layer. A p electrode(107) is formed on the transparent electrode layer.

Description

반도체 발광소자 {Semiconductor light emitting device}Semiconductor light emitting device

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히, 발광소자의 휘도 향상과 낮은 구동전압을 구현할 수 있는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device capable of improving luminance and low driving voltage of the light emitting device.

발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 친환경적이며, 응답속도가 수 나노 초로 고속 응답이 가능하여 비디오 신호 스트림에 효과적이고, 임펄시브(Impulsive) 구동이 가능하며, 색 재현성이 100% 이상이고 적색, 녹색, 청색 LED의 광량을 조정하여 휘도, 색 온도 등을 임의로 변경할 수 있는 장점을 제공한다.Light Emitting Diodes (LEDs) are environmentally friendly and have fast response times of several nanoseconds, making them effective for video signal streams, enabling impulsive driving, over 100% color reproducibility, It provides the advantage that the brightness, color temperature, etc. can be arbitrarily changed by adjusting the light quantity of green and blue LEDs.

최근에는 질화물계 반도체를 이용한 발광 다이오드를 백색 광원으로 활용하여 이를 키패드, 백라이트, 신호등, 공항 활주로의 안내등, 조명등, 헤드램프와 같은 차량용 조명등 등으로 다양한 분야에서 활용하고 있다.Recently, a light emitting diode using a nitride semiconductor is used as a white light source and used in various fields such as a keypad, a backlight, a traffic light, a guide of an airport runway, a lighting, a vehicle lighting such as a headlamp, and the like.

이러한 발광 다이오드는 기존의 사파이어 기판을 기반으로 한 수평구조 LED, 수직구조 LED 등 다양한 형태로 개발되고 있다. 기존의 수평구조 LED는 p전극과 n 전극이 동일 평면상에 위치하고 있기 때문에, 광학적으로 광손실을 일으키는 주된 요인이 되었다. 즉, 수평구조 LED는 n전극을 형성하기 위해 활성층을 식각해야 하므로, 불가피한 활성층의 손실이 발생한다. 따라서 동일 칩 면적에서 수직구조와 비교하여 평균 전류밀도가 높아지게 되어 내부 광효율이 감소하게 된다. 또한, p전극이 광방출면 상에 위치하기 때문에 광손실이 발생한다. 따라서, 수평구조 LED의 경우 n전극에 의한 손실과 p전극에 의한 손실이 이중으로 발생하여 광학적인 손실이 증가하게 된다. 또한, 수평구조 LED는 p와 n전극이 동일 평면상에 위치하므로 전기적 경로(path)가 길어 전기적 에너지 손실이 커지는 경향이 있다. Such light emitting diodes are being developed in various forms such as horizontal LEDs and vertical LEDs based on existing sapphire substrates. In the conventional horizontal structure LED, since the p-electrode and the n-electrode are located on the same plane, it is a major cause of optical loss. In other words, the horizontal structure LED has to etch the active layer to form the n-electrode, so that inevitable loss of the active layer occurs. As a result, the average current density becomes higher compared to the vertical structure in the same chip area, thereby reducing the internal light efficiency. Further, light loss occurs because the p-electrode is located on the light emitting surface. Accordingly, in the case of the horizontal structure LED, the loss caused by the n electrode and the p electrode is doubled, thereby increasing the optical loss. In addition, in the horizontal structure LED, since the p and n electrodes are located on the same plane, a long electrical path tends to increase the electrical energy loss.

한편, 수직구조 LED의 경우, p와 n전극이 상하 배치됨에 따라 n전극에 의한 광손실만 존재하며, 또한, p와 n전극이 수직으로 위치하여 전기적 경로(path)가 짧아지기 때문에 전기적 에너지 손실이 적어 고출력 LED에 유효하게 채용될 수 있다. 하지만, 수평구조 LED와 비교하여 리프트 오프 공정과 같은 부가 공정이 필요하므로 공정이 복잡하기 때문에 제조 원가의 상승을 초래하고, 양산에 어려움이 있다. 따라서 기존의 수평구조 LED에서 광학적인 손실 및 전기적 에너지 손실을 보완할 수 있는 전극 구조를 갖는 LED의 개발이 요구되고 있다.On the other hand, in the case of the vertical structure LED, only the light loss caused by the n electrode is present as the p and n electrodes are arranged up and down, and the electrical energy is lost because the p and n electrodes are vertically positioned to shorten the electrical path. This can be effectively employed for low power LEDs. However, since an additional process such as a lift-off process is required compared to the horizontal structure LED, the process is complicated, resulting in an increase in manufacturing cost and difficulty in mass production. Therefore, the development of LED having an electrode structure that can compensate for the optical loss and electrical energy loss in the existing horizontal structure LED.

상술한 종래의 문제점을 해소하기 위해서, 본 발명은 n전극과 p전극을 수직으로 배치함으로써 광학적 손실을 줄이는 동시에 전기적 경로(path)를 줄여 휘도를 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다. In order to solve the above problems, the present invention is to provide a semiconductor light emitting device that can improve the brightness by reducing the optical path and at the same time by reducing the optical loss by arranging the n electrode and p electrode vertically. have.

또한, 본 발명은 n전극과 p전극을 수직으로 배치함으로써 전류 분산 효과를 통해 구동 전압을 저감시킬 수 있는 반도체 발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다. In addition, an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device that can reduce the driving voltage through the current dispersion effect by arranging the n electrode and the p electrode vertically.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층의 상면 중 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층의 상면 중 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극을 덮어 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 분리시키되, 상기 제1 전극 중 일부를 외부에 노출시키도록 형성된 절연체; 상기 절연체 상에 형성되어 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 투명전극층; 및 상기 투명전극층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, an aspect of the present invention, the first conductivity type semiconductor layer; An active layer and a second conductive semiconductor layer sequentially formed on a first region of an upper surface of the first conductive semiconductor layer; A first electrode formed on a second region of the first conductive semiconductor layer except for the first region; An insulator covering the first electrode to be electrically separated from the active layer and the second conductivity type semiconductor layer, and configured to expose a portion of the first electrode to the outside; A transparent electrode layer formed on the insulator and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; And a second electrode formed on the transparent electrode layer.

이때, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 수직하도록 상기 투명전극층 상에 배치될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층은 상면에 형성된 홈을 구비하며, 상기 제2 영역은 상기 홈의 저면일 수 있다. In this case, the second electrode may be disposed on the transparent electrode layer to be perpendicular to the first electrode, wherein the first conductive semiconductor layer has a groove formed on an upper surface thereof, and the second region is a bottom surface of the groove. Can be.

또한, 상기 절연체는 상기 제2 영역에 형성될 수 있으며, 또는, 상기 절연체는 상기 제2 영역과 인접한 상기 제2 도전형 반도체층의 상면 중 일부 영역에 더 형성될 수 있다. 또한, 상기 투명전극층은 상기 제2 영역과 인접한 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 절연체의 하부에 더 형성될 수 있다. The insulator may be formed in the second region, or the insulator may be further formed in a portion of an upper surface of the second conductive semiconductor layer adjacent to the second region. In addition, the transparent electrode layer may be further formed under the insulator formed on the second conductive semiconductor layer adjacent to the second region.

또한, 상기 제2 영역은 복수개이며, 서로 대향하는 두 변과 일정한 간격으로 평행하게 형성될 수 있으며, 또는, 상기 제2 영역은 복수개이며, 서로 대향하는 두 변을 따라 일정한 간격으로 평행하게 형성된 부분과, 상기 발광소자의 중앙부에 형성된 부분으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제2 영역은 상기 반도체 발광소자의 상면 중심을 기준하여 대칭되도록 형성될 수 있으며, 상기 제1 전극은 상기 절연체에 의해 노출된 일부 영역 상에 형성된 본딩 패드를 포함할 수 있다. In addition, the plurality of second regions may be formed to be parallel to the two sides facing each other at regular intervals, or the plurality of the second regions may be formed to be parallel to the two sides facing each other in parallel at regular intervals. And, it may be made of a portion formed in the central portion of the light emitting device. In addition, the second region may be formed to be symmetrical with respect to the center of the upper surface of the semiconductor light emitting device, and the first electrode may include a bonding pad formed on a portion of the region exposed by the insulator.

본 발명에 따르면, p전극에 의한 광학적 손실을 감소시키는 것에 의해 휘도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the luminance can be improved by reducing the optical loss caused by the p-electrode.

또한, 본 발명에 따르면, p전극에 의한 광학적 손실 감소를 통해 동일 휘도 대비, 기존 반도체 발광소자와 비교하여 n전극의 가지전극 수를 증가시킬 수 있어 전류 분산 효과를 향상시킬 수 있으며, 이에 의해 구동전압(Vf)을 감소시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, the number of branch electrodes of the n electrode can be increased compared to the conventional semiconductor light emitting device with the same brightness by reducing the optical loss caused by the p electrode, thereby improving the current dispersion effect, thereby driving The voltage Vf can be reduced.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

먼저, 도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 구조를 개략적으로 나타낸 것으로, 도 1(a)는 상기 반도체 발광소자의 전극 구조를 나타낸 평면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 X-X'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.First, FIG. 1 schematically shows a structure of a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view showing an electrode structure of the semiconductor light emitting device, and FIG. It is sectional drawing cut along the X-X 'line | wire of (a).

도 1(a) 및 도 1(b)를 참조하면, 기판(111) 상에 n형 반도체층(101)이 형성되어 있다. 여기서, n형 반도체층(101)은 활성층(102) 및 p형 반도체층(103)이 순차 적층된 제1 영역과, 활성층(102) 및 p형 반도체층(103)을 메사 식각하여 n형 질화물 반도체층(101)이 노출되는 적어도 하나의 제2 영역을 포함한다. Referring to FIGS. 1A and 1B, an n-type semiconductor layer 101 is formed on a substrate 111. The n-type semiconductor layer 101 may be formed by mesa-etching the first region in which the active layer 102 and the p-type semiconductor layer 103 are sequentially stacked, and the active layer 102 and the p-type semiconductor layer 103 by n-type nitride. The semiconductor layer 101 includes at least one second region to which the semiconductor layer 101 is exposed.

또한, n형 반도체층(101)은 n형 반도체층(101)의 일부 영역까지 식각되어 형성된 적어도 하나의 홈을 구비할 수 있으며, 이 경우, 상기 홈의 저면이 제2 영역이 된다. 즉, 제2 영역은 전극 형성 영역을 정의하며, 기판(111)의 중앙을 기준하여 양측이 서로 대칭적으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 영역은 복수개이며, 기판(111)의 대향하는 두 변에 일정한 간격으로 평행하게 형성되며, 이로 인해 균일한 전류 분산이 가능하다.In addition, the n-type semiconductor layer 101 may include at least one groove formed by etching to a portion of the n-type semiconductor layer 101, and in this case, the bottom surface of the groove becomes the second region. That is, the second region defines the electrode formation region, and both sides of the second region may be formed symmetrically with respect to the center of the substrate 111. In addition, a plurality of second regions are formed in parallel to the two opposite sides of the substrate 111 at regular intervals, thereby allowing a uniform current distribution.

기판(111)은 질화물 반도체층의 성장을 위해 제공되는 성장용 기판으로서 사파이어 기판을 사용할 수 있다. 사파이어 기판은 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a축 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다. 하지만, 본 실시예에서 기판(111)은 사파이어 기판으로 제한되는 것은 아니며, 사파이어 기판 대신 SiC, Si, GaN, AlN 등으로 이루어진 기판도 사용 가능하다.The substrate 111 may use a sapphire substrate as a growth substrate provided for growth of the nitride semiconductor layer. Sapphire substrates are hexagonal-Rhombo R3c symmetric crystals with lattice constants of 13.001 및 and 4.758 c in the c-axis and a-axis directions, respectively. 1102) surface and the like. In this case, the C plane is mainly used as a nitride growth substrate because it is relatively easy to grow a nitride thin film and stable at high temperatures. However, in the present embodiment, the substrate 111 is not limited to the sapphire substrate, and a substrate made of SiC, Si, GaN, AlN, or the like may be used instead of the sapphire substrate.

그리고, 도시하지는 않았지만, 기판(111)과 n형 질화물 반도체층(101) 사이의 격자부정합을 완화하기 위해 버퍼층(미도시)이 기판(111) 상에 형성될 수 있으며, 이러한 버퍼층은 AlN 또는 GaN을 포함하는 저온핵성장층일 수 있다. Although not shown, a buffer layer (not shown) may be formed on the substrate 111 to mitigate lattice mismatch between the substrate 111 and the n-type nitride semiconductor layer 101, and the buffer layer may be formed of AlN or GaN. It may be a low temperature nucleus growth layer comprising a.

그리고, n형 반도체층(101) 및 p형 반도체층(103)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖고, 각각 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 대표적으로, GaN, AlGaN, InGaN이 있다. 또한, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 또는 C 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn 또는 Be 등이 대표적이다. 상기 n형 및 p형 반도체층(101, 103)은 질화물 반도체층 성장에 관하여 공지된 공정을 이용할 수 있으며, 예컨대, 유기금속 기상증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 및 하이드라이드 기상증착법(HVPE) 등이 이에 해당한다.In addition, the n-type semiconductor layer 101 and the p-type semiconductor layer 103 are composed of Al x In y Ga (1-xy ) N composition formulas, where 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, and 0 ≦ x + y. ≦ 1) and doped with n-type impurities and p-type impurities, respectively, and typically, GaN, AlGaN, InGaN. In addition, Si, Ge, Se, Te or C may be used as the n-type impurity, and the p-type impurity may be representative of Mg, Zn or Be. The n-type and p-type semiconductor layers 101 and 103 may use a known process for growing nitride semiconductor layers, for example, organometallic vapor deposition (MOCVD), molecular beam growth (MBE) and hydride vapor deposition. (HVPE) and the like.

그리고, 활성층(102)은 전자와 정공이 재결합하여 발광하도록 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 배치된 다중양자우물구조를 가진다. 이때, 양자장벽층은 p형 반도체층(103)으로부터 주입되는 정공이 터널링가능한 두께를 갖는 초격자구조로 이루어질 수 있다. 이러한 양자장벽층은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0<y≤1, 0<x+y≤1)으로 이루어질 수 있으며, 양자우물층은 InzGa(1-z)N(0≤z≤1)으로 이루어질 수 있다. The active layer 102 has a multi-quantum well structure in which a quantum well layer and a quantum barrier layer are alternately disposed so that electrons and holes recombine and emit light. In this case, the quantum barrier layer may have a superlattice structure having a thickness through which tunnels of holes injected from the p-type semiconductor layer 103 can be tunneled. The quantum barrier layer may be formed of Al x In y Ga (1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 <y ≦ 1, 0 <x + y ≦ 1), and the quantum well layer may be formed of In z Ga ( 1-z) N (0 ≦ z ≦ 1).

n 전극(104)은 n형 반도체층(101)의 제2 영역 상에 형성되어 있다. 그리고, n형 전극(104)은 와이어가 본딩되는 패드와 전류의 효율적인 분산을 위해 패드로부 터 연장된 복수의 n형 가지전극을 구비한다. 본 발명에서는 n형 전극(104)을 n형 반도체층(101)에 매립된 구조로 형성할 수 있으며, 구체적으로, 발광소자의 대향하는 두 변 중 일측변을 향하도록, 활성층(102) 및 p형 반도체층(103)의 일부 영역을 메사 식각하여 측벽을 갖는 홈을 형성한다. The n electrode 104 is formed on the second region of the n-type semiconductor layer 101. In addition, the n-type electrode 104 includes a pad to which the wire is bonded and a plurality of n-type branch electrodes extending from the pad to efficiently distribute current. In the present invention, the n-type electrode 104 may be formed in a structure embedded in the n-type semiconductor layer 101, and specifically, the active layer 102 and p to face one side of two opposing sides of the light emitting device. Partial regions of the type semiconductor layer 103 are mesa-etched to form grooves having sidewalls.

그리고, n 전극(104)이 형성된 제2 영역에 절연체(105)가 형성되어 있다. 이때, 절연체(105)는 n 전극(104)을 덮어 활성층(102) 및 p형 반도체층(103)과 n 전극(104)을 전기적으로 분리시키도록 형성되며, n 전극 중 일부를 외부에 노출시킨다. 이때, 외부에 노출된 n 전극에는 와이어 본딩을 위한 본딩 패드가 형성된다. The insulator 105 is formed in the second region where the n electrode 104 is formed. In this case, the insulator 105 is formed to cover the n electrode 104 to electrically separate the active layer 102, the p-type semiconductor layer 103, and the n electrode 104, and expose a portion of the n electrode to the outside. . In this case, a bonding pad for wire bonding is formed on the n electrode exposed to the outside.

그리고, 투명전극층(106)은 p형 반도체층(103) 및 절연부(105) 상에 형성되며, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 도전성 금속산화물이 이용될 수 있으며, 또한, 이에 제한되지 않고, 발광소자의 발광 파장에 대해 투과율이 높다면 도전성이 높고 컨택 저항이 낮은 금속 박막으로도 이루어질 수 있다. In addition, the transparent electrode layer 106 is formed on the p-type semiconductor layer 103 and the insulating portion 105, a conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO) may be used, and is not limited thereto. If the transmittance is high with respect to the emission wavelength of the light emitting device, it may be made of a metal thin film having high conductivity and low contact resistance.

그리고, p 전극(107)은 투명전극층(106) 상에 형성되며, 외이어가 본딩되는 패드와 전류 인가시 전류 분산을 위해 복수의 p형 가지전극으로 구성된다. 이때, p 전극(107)은 투명전극층(106) 상에 형성되되, n 전극(104)이 형성된 위치와 대응되는 위치에 형성된다. 즉, p 전극(107)은 n 전극(104)과 동일한 수직 선상에 배치되도록 형성된다. 이로써, p 전극(107)에 의한 방출광의 반사 및 흡수를 줄일 수 있 어 광학적 손실을 저감할 수 있다. 또한, 상기한 바와 같은 전극 구조에 의해, 수직 배치된 n 전극 및 p 전극의 형성 영역으로부터 측방향으로 이격된 위치에서 발광이 이루어질 수 있다. In addition, the p-electrode 107 is formed on the transparent electrode layer 106, and is composed of a pad to which the outer wire is bonded and a plurality of p-type branch electrodes for current dispersion when the current is applied. In this case, the p-electrode 107 is formed on the transparent electrode layer 106, and is formed at a position corresponding to the position where the n-electrode 104 is formed. That is, the p electrode 107 is formed to be disposed on the same vertical line as the n electrode 104. As a result, the reflection and the absorption of the emitted light by the p-electrode 107 can be reduced, and the optical loss can be reduced. Further, by the electrode structure as described above, light emission can be made at a position spaced laterally from the formation regions of the n- and p-electrodes arranged vertically.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조 및 전류 분산 효과에 대해 도 2를 참조하여 설명하도록 한다.An electrode structure and a current dispersion effect of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2.

도 2는 도 1 (b)의 "A"를 상세하게 나타낸 부분 상세도이다. 여기서, 전류의 흐름을 화살표로 나타내며, 화살표의 굵기는 전류의 밀도를 상대적으로 나타낸 것이다.FIG. 2 is a partial detail view showing "A" in FIG. 1 (b) in detail. Here, the flow of the current is indicated by an arrow, and the thickness of the arrow indicates the density of the current relatively.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조는 n형 반도체층(101)의 상면에 형성된 홈, 즉 제2 영역 상에 n 전극(104), 절연체(105), 투명전극층(1060 및 p 전극(107)이 순차 적층된 구조를 갖는다. 이때, p 전극(107)이 n 전극(104)이 형성된 위치에 해당하는 투명전극층(106) 상에 형성되어, p 전극(107)과 n 전극(104)은 동일한 수직 선상에 배치된다. Referring to FIG. 2, the electrode structure of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention includes an n electrode 104 and an insulator 105 formed on a groove formed in an upper surface of the n-type semiconductor layer 101, that is, the second region. ), The transparent electrode layers 1060 and the p electrode 107 are sequentially stacked, wherein the p electrode 107 is formed on the transparent electrode layer 106 corresponding to the position where the n electrode 104 is formed, The electrode 107 and the n electrode 104 are disposed on the same vertical line.

이러한 전극 구조에 의해, 전류 인가시, p 전극(107)에서 주입되는 전류는 투명전극층(106)을 통해 절연체(105) 주위로 분산된다. 또한, n 전극(104)에서 주입되는 전류는 n형 반도체층(101)을 통해 절연체(105) 주위로 분산된다. 따라서, 전류 집중도를 전극 형성 영역 주위로 분산시킬 수 있다. 이로 인해, 발광 영역을 증가시킬 수 있어 휘도를 향상시킬 수 있다. 또한, 기존 수평구조의 LED와 비교하여 전기적 경로가 짧다. 이로 인해, 전기적 에너지 손실을 줄일 수 있다.With this electrode structure, when the current is applied, the current injected from the p electrode 107 is dispersed around the insulator 105 through the transparent electrode layer 106. In addition, the current injected from the n electrode 104 is distributed around the insulator 105 through the n-type semiconductor layer 101. Thus, the current concentration can be distributed around the electrode formation region. For this reason, it is possible to increase the light emitting area and to improve the brightness. In addition, the electrical path is shorter than that of the LED of the existing horizontal structure. As a result, electrical energy loss can be reduced.

도 3은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조를 나타낸 단면도이며, 도 1 (b)에 도시된 "A"의 다른 실시형태이다. 여기서, 도 1 및 도 2와 동일한 용어는 동일한 구성을 설명하는 것이므로, 상세한 설명은 생략하도록 한다. 그리고, 전류의 흐름을 일부분에 대해서만 화살표로 도시하였다.3 is a cross-sectional view showing the electrode structure of the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention, which is another embodiment of "A" shown in FIG. Here, since the same terms as in FIGS. 1 and 2 describe the same configuration, detailed descriptions thereof will be omitted. And, the flow of current is shown by the arrows for only a portion.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는 기판(311) 상에 n형 반도체층(301)이 적층되어 있으며, n형 반도체층(301)의 상면 중 제1 영역에 활성층(302) 및 p형 반도체층(303)이 순차 적층되어 있다. 그리고, n형 반도체층(301)의 상면 중 제1 영역을 제외한 제2 영역 상에 n 전극(304)이 형성되어 있다. 여기서, 제2 영역은 복수개 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, in the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention, an n-type semiconductor layer 301 is stacked on a substrate 311, and a first region of an upper surface of the n-type semiconductor layer 301 is provided. The active layer 302 and the p-type semiconductor layer 303 are stacked in this order. The n-electrode 304 is formed on the second region of the n-type semiconductor layer 301 except for the first region. Here, a plurality of second regions may be formed.

여기서, 제2 영역은 활성층(302) 및 p형 반도체층(303)을 메사 식각하여 n형 반도체층(301)이 노출되는 영역이다. 이때, n형 반도체층(301)은 n형 반도체층(301)의 일부 영역까지 메사 식각한 홈을 구비할 수도 있으며, 이 경우, 제2 영역은 상기 홈의 저면에 해당한다. The second region is a region in which the n-type semiconductor layer 301 is exposed by mesa etching the active layer 302 and the p-type semiconductor layer 303. In this case, the n-type semiconductor layer 301 may include grooves mesa-etched to a part of the n-type semiconductor layer 301, in which case, the second region corresponds to the bottom of the groove.

즉, 제2 영역은 전극 형성 영역을 정의하며, 도시하지는 않았지만, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 영역은 복수개이며, 기판(311)의 중앙을 기준하여 양측이 서로 대칭적으로 형성될 수 있다. 또한, 기판(311)의 대향하는 두 변에 일정한 간격으로 평행하게 형성되며, 이로 인해 균일한 전류 분산이 가능하게 한다.That is, although the second region defines the electrode formation region and is not illustrated, as illustrated in FIG. 1, the second region may be formed in plural, and both sides may be formed symmetrically with respect to the center of the substrate 311. have. In addition, two opposite sides of the substrate 311 are formed in parallel at regular intervals, thereby enabling a uniform current distribution.

그리고, 본 발명의 제2 실시형태의 반도체 발광소자의 전극 구조는, 도 2와 마찬가지로, 제2 영역 상에 n 전극(104), 절연체(105), 투명전극층(1060 및 p 전극(107)이 순차 적층된 구조를 갖는다. 이때, p 전극(107)이 n 전극(104)이 형성된 위치에 해당하는 투명전극층(106) 상에 형성되어, p 전극(107)과 n 전극(104)은 동일한 수직 선상에 배치된다. In the electrode structure of the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention, the n electrode 104, the insulator 105, and the transparent electrode layers 1060 and the p electrode 107 are formed on the second region as in FIG. 2. In this case, the p electrode 107 is formed on the transparent electrode layer 106 corresponding to the position where the n electrode 104 is formed, so that the p electrode 107 and the n electrode 104 are the same vertical. Placed on board.

여기서, 본 발명의 제2 실시 형태의 반도체 발광소자는 도 2의 제1 실시형태의 반도체 발광소자의 전극 구조와 달리, 절연체(305)가 n 전극(304)을 덮으면서 제2 영역 주위에 형성된 p형 반도체층(303) 상에도 형성된다. Here, unlike the electrode structure of the semiconductor light emitting device of the first embodiment of FIG. 2, the semiconductor light emitting device of the second embodiment of the present invention is formed around the second region while the insulator 305 covers the n electrode 304. It is also formed on the p-type semiconductor layer 303.

이러한 전극 구조에 의해, 전류 인가시, p 전극(307)에서 주입되는 전류는 투명전극층(306)을 통해 p 전극(307)과 절연체(305)가 형성된 영역 주위로 분산된다. 따라서, 도 2에 도시된 전극 구조보다 p 전극(307)의 전류 분산을 더욱 개선시킬 수 있다. 이로 인해, 발광 영역을 더욱 증가시킬 수 있어 휘도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 기존 수평구조의 LED와 비교하여 전기적 경로가 짧다. 이로 인해, 전기적 에너지 손실을 줄일 수 있다.With this electrode structure, when the current is applied, the current injected from the p electrode 307 is distributed around the region where the p electrode 307 and the insulator 305 are formed through the transparent electrode layer 306. Therefore, the current dispersion of the p electrode 307 can be further improved than the electrode structure shown in FIG. 2. For this reason, the light emitting area can be further increased, and the luminance can be further improved. In addition, the electrical path is shorter than that of the LED of the existing horizontal structure. As a result, electrical energy loss can be reduced.

도 4는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조를 나타낸 단면도이며, 도 1 (b)에 도시된 "A"의 다른 실시형태이다. 여기서, 도 1 및 도 2와 동일한 용어는 동일한 구성을 설명하는 것이므로, 상세한 설명은 생략하도록 한다. 그리고, 전류의 흐름을 일부분에 대해서만 화살표로 도시하였다. 4 is a cross-sectional view showing the electrode structure of the semiconductor light emitting device according to the third embodiment of the present invention, which is another embodiment of "A" shown in FIG. Here, since the same terms as in FIGS. 1 and 2 describe the same configuration, detailed descriptions thereof will be omitted. And, the flow of current is shown by the arrows for only a portion.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는 기판(411) 상에 n형 반도체층(401)이 적층되어 있으며, n형 반도체층(401)의 상면 중 제1 영역에 활성층(402) 및 p형 반도체층(403)이 순차 적층되어 있다. 그리고, n형 반도체층(401)의 상면 중 제1 영역을 제외한 제2 영역 상에 n 전극(404)이 형성되어 있다. 여기서, 제2 영역은 복수개 형성될 수 있다.As shown in FIG. 4, in the semiconductor light emitting device according to the third embodiment of the present invention, an n-type semiconductor layer 401 is stacked on a substrate 411, and the first light emitting device is formed of an upper surface of the n-type semiconductor layer 401. The active layer 402 and the p-type semiconductor layer 403 are sequentially stacked in one region. The n-electrode 404 is formed on the second region of the n-type semiconductor layer 401 except for the first region. Here, a plurality of second regions may be formed.

여기서, 제2 영역은 활성층(402) 및 p형 반도체층(403)의 일부 영역을 메사 식각하여 n형 반도체층(401)이 노출되는 영역이다. 이때, n형 반도체층(301)은 n형 반도체층(401)의 일부 영역까지 메사 식각하여 형성된 홈을 구비할 수도 있으며, 이 경우, 제2 영역은 상기 홈의 저면에 해당한다. Here, the second region is a region in which the n-type semiconductor layer 401 is exposed by mesa etching some regions of the active layer 402 and the p-type semiconductor layer 403. In this case, the n-type semiconductor layer 301 may include a groove formed by mesa etching to a portion of the n-type semiconductor layer 401, in which case, the second region corresponds to the bottom of the groove.

따라서, 제2 영역은 전극 형성 영역을 정의하며, 도시하지는 않았지만, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 영역은 복수개이며, 기판(411)의 중앙을 기준하여 양측 이 서로 대칭적으로 형성될 수 있다. 또한, 기판(411)의 대향하는 두 변에 일정한 간격으로 평행하게 형성되며, 이로 인해 균일한 전류 분산이 가능하다.Therefore, although the second region defines the electrode formation region and is not illustrated, as shown in FIG. 1, the second region is plural, and both sides of the second region may be formed symmetrically with respect to the center of the substrate 411. have. In addition, two opposite sides of the substrate 411 are formed parallel to each other at regular intervals, which enables uniform current distribution.

그리고, 본 발명의 제3 실시형태의 반도체 발광소자의 전극 구조는, 도 2와 마찬가지로, 제2 영역 상에 n 전극(404), 절연체(405), 투명전극층(406) 및 p 전극(407)이 순차 적층된 구조를 갖는다. 이때, p 전극(407)은 n 전극(404)이 형성된 위치와 대응되는 투명전극층(406) 상에 형성되어, p 전극(407)과 n 전극(404)은 동일 수직 선상에 배치된다. And the electrode structure of the semiconductor light emitting element of 3rd Embodiment of this invention is the n electrode 404, the insulator 405, the transparent electrode layer 406, and the p electrode 407 on a 2nd area similarly to FIG. This has a laminated structure. In this case, the p electrode 407 is formed on the transparent electrode layer 406 corresponding to the position where the n electrode 404 is formed, so that the p electrode 407 and the n electrode 404 are disposed on the same vertical line.

여기서, 도 2의 제1 실시형태의 반도체 발광소자와 달리, 제3 실시 형태의 반도체 발광소자는 투명전극층(406)이 제2 영역 주위에 형성된 p형 반도체층(403) 상에 형성되며, 절연체(405)가 n 전극(404)을 덮으면서, 제1 영역뿐만 아니라 상기 투명전극층(406)의 상면까지 형성된다. 즉, 도 3에 도시된 반도체 발광소자의 전극 구조에서 절연체의 하부에 투명전극층을 더 형성한 구조이다. Here, unlike the semiconductor light emitting device of the first embodiment of FIG. 2, the semiconductor light emitting device of the third embodiment is formed on the p-type semiconductor layer 403 in which the transparent electrode layer 406 is formed around the second region, and insulator While 405 covers the n electrode 404, not only the first region but also the upper surface of the transparent electrode layer 406 is formed. That is, in the electrode structure of the semiconductor light emitting device illustrated in FIG. 3, a transparent electrode layer is further formed below the insulator.

이러한 전극 구조에 의해, 전류 인가시, p 전극(407)에서 주입되는 전류는 투명전극층(406)을 통해 p 전극(407)과 절연체(405)가 형성된 영역 주위뿐만 아니라, 절연체(405) 하부에도 전류가 분산된다. 따라서, 도 2 및 도 3에 도시된 전극 구조보다 p 전극(407)의 전류 분산을 더욱 개선할 수 있다. 이로 인해, 발광 영역을 더욱 증가시킬 수 있어 휘도를 향상시킬 수 있다. With this electrode structure, when the current is applied, the current injected from the p electrode 407 is not only around the region where the p electrode 407 and the insulator 405 are formed through the transparent electrode layer 406, but also under the insulator 405. The current is distributed. Therefore, the current dispersion of the p electrode 407 can be further improved than the electrode structure shown in FIGS. 2 and 3. As a result, the light emitting area can be further increased, thereby improving the luminance.

한편, 본 발명에서는 epi-up 구조에 대해서 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따른 전극 구조는 수직구조의 발광소자에도 적용될 수 있다. 구체적으로, 일반적인 수직구조는 도전성 기판 위에 p형 반도체층, 활성층, n형 반도체층이 순차 적층된 구조이며, n형 반도체층 상에 n형 전극이 형성되어 있다. 이때, 도전성 기판은 발광구조물을 지지하면서 p형 전극의 역할을 수행한다. 이러한 수직구조의 발광소자는 p형 전극과 n형 전극이 수직하게 배치되어 있어 epi-up 구조의 발광소자보다 전류 주입 경로가 짧지만, 여전히 n형 전극이 형성된 위치에 전류가 집중되는 현상이 존재한다. 따라서, 전류 분산 측면에서 본 발명의 전극 구조를 수직구조의 발광소자에 적용하면, n형 반도체층의 상면에 절연층을 형성하고, 상기 절연층을 덮도록 투명전극층을 형성한다. 그런 다음 투명전극층 상에 n형 전극을 형성함으로써 투명전극층과 n형 반도체층이 접하는 영역을 따라 전류를 분산시킬 수 있다. Meanwhile, the present invention has been described with reference to the epi-up structure, but is not limited thereto. The electrode structure according to the present invention may be applied to a light emitting device having a vertical structure. Specifically, a general vertical structure is a structure in which a p-type semiconductor layer, an active layer, and an n-type semiconductor layer are sequentially stacked on a conductive substrate, and an n-type electrode is formed on the n-type semiconductor layer. In this case, the conductive substrate supports the light emitting structure and serves as a p-type electrode. The light emitting device of the vertical structure has a shorter current injection path than the light emitting device of the epi-up structure because the p-type electrode and the n-type electrode are disposed vertically, but there is still a phenomenon that the current is concentrated at the position where the n-type electrode is formed. do. Therefore, when the electrode structure of the present invention is applied to a light emitting device having a vertical structure in terms of current dispersion, an insulating layer is formed on an upper surface of the n-type semiconductor layer, and a transparent electrode layer is formed to cover the insulating layer. Then, by forming an n-type electrode on the transparent electrode layer, the current can be distributed along the region where the transparent electrode layer and the n-type semiconductor layer contact.

도 5는 종래 기술에 따른 반도체 발광소자의 전류 집중 현상을 시뮬레이션 한 결과이며, 도 6 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 가지전극 수(3개, 5개, 6개)에 따른 전류 집중 현상을 시뮬레이션한 결과이며, 도 9는 도 5 내지 도 8에 도시된 전극 구조에 따른 구동 전압(Vf) 변화를 나타낸 그래프이다. 5 is a result of simulating a current concentration phenomenon of a semiconductor light emitting device according to the prior art, Figures 6 to 8 shows the number of branch electrodes (three, five, six of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention) 9 is a graph showing a change in driving voltage Vf according to the electrode structure shown in FIGS. 5 to 8.

우선, 도 5 내지 도 8을 참조하면, 종래 기술에 따른 반도체 발광소자는 n 전극 및 p 전극이 서로 교대로 배치된 구조로, n 전극 부근에만 전류가 집중되어 있는 것을 알 수 있으며, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자들은 n 전극과 p 전극이 수직배치된 부근에 전류가 집중되며, 가지전극의 수가 증가할수록 전류 분산이 개선되는 것을 알 수 있다.First, referring to FIGS. 5 to 8, the semiconductor light emitting device according to the related art has a structure in which n electrodes and p electrodes are alternately arranged, and it can be seen that current is concentrated only in the vicinity of the n electrode. In the semiconductor light emitting device according to the first embodiment, it is understood that current is concentrated in the vicinity of the vertical arrangement of the n electrode and the p electrode, and the current dispersion is improved as the number of branch electrodes is increased.

도 9를 참조하면, 종래 기술에 따른 반도체 발광소자는 그 구동전압이 3.09인 반면, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자는 가지전극 수가 3개인 경우, 구동 전압(Vf)은 3.01이며, 가지전극 수가 5개인 경우, 구동 전압(Vf)은 2.88이며, 가지전극 수가 6개인 경우, 구동 전압(Vf)은 2.89이다. Referring to FIG. 9, the semiconductor light emitting device according to the related art has a driving voltage of 3.09, whereas in the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention, when the number of branch electrodes is three, the driving voltage Vf is 3.01. When the number of branch electrodes is five, the driving voltage Vf is 2.88. When the number of branch electrodes is six, the driving voltage Vf is 2.89.

따라서, 본 발명과 같이, n전극의 가지전극 수를 증가시키고, n전극의 수직 선상에 p전극을 배치하면, 활성층 면적이 감소되기는 하지만, 전류 분산이 개선되어 광효율의 저하 없이도 구동 전압을 감소시킬 수 있음을 알 수 있다. Therefore, as shown in the present invention, increasing the number of branch electrodes of the n electrode and arranging the p electrode on the vertical line of the n electrode reduces the active layer area, but improves current dispersion to reduce the driving voltage without lowering the light efficiency. It can be seen that.

이와 같이, 본 발명은 n전극과 p전극을 동일 수직선상에 배치함으로써 p전극에 의한 광학적 손실을 막을 수 있으며, 또한, 전기적 경로가 기존 수평구조의 발광소자에 비하여 짧아지기 때문에 투명전극층에 의한 오믹 손실을 감소시킬 수 있다. 또한, n전극을 형성하기 위한 식각 크기를 감소시킴으로써 n전극 형성에 의한 활성층 면적 감소를 최소화하여, n전극의 n형 가지전극 수를 증가시켜도 기존의 전 극 구조와 유사한 활성층 면적을 확보하면서, 전류 분산을 향상시켜 구동전압을 저감시킬 수 있다.As described above, the present invention can prevent the optical loss caused by the p-electrode by arranging the n-electrode and the p-electrode on the same vertical line, and also because the electrical path is shorter than that of the light emitting device having a horizontal structure. The loss can be reduced. In addition, by reducing the etching size for forming the n electrode, the reduction of the active layer area due to the n electrode formation is minimized. The driving voltage can be reduced by improving the dispersion.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다. The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is defined by the appended claims. Therefore, it will be apparent to those skilled in the art that various forms of substitution, modification, and alteration are possible without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, and the appended claims. Will belong to the technical spirit described in.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 구조를 개략적으로 나타낸 것으로, 도 1(a)는 상기 반도체 발광소자의 전극 구조를 나타낸 평면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 X-X'선을 따라 절단하여 나타낸 단면도이다.FIG. 1 schematically shows the structure of a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view showing the electrode structure of the semiconductor light emitting device, and FIG. It is sectional drawing cut along the X-X 'line | wire of a).

도 2는 도 1 (b)의 "A"를 나타낸 부분 상세도이다.FIG. 2 is a partial detail view of "A" in FIG. 1 (b).

도 3은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing an electrode structure of a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing an electrode structure of a semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 5는 종래 기술에 따른 반도체 발광소자의 전류 집중 현상을 시뮬레이션 한 결과를 나타낸 도이다.5 is a view showing a result of simulating a current concentration phenomenon of a semiconductor light emitting device according to the prior art.

도 6 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 가지전극 수(3개, 5개, 6개)에 따른 전류 집중 현상을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 도이다.6 to 8 illustrate simulation results of current concentration according to the number of branch electrodes (three, five, six) of the semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

도 9는 도 5 내지 도 8에 도시된 전극 구조에 따른 구동전압(Vf) 변화를 나타낸 그래프이다. FIG. 9 is a graph illustrating a change in driving voltage Vf according to the electrode structure illustrated in FIGS. 5 to 8.

Claims (10)

제1 도전형 반도체층;A first conductivity type semiconductor layer; 상기 제1 도전형 반도체층의 상면 중 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 활성층 및 제2 도전형 반도체층;An active layer and a second conductive semiconductor layer sequentially formed on a first region of an upper surface of the first conductive semiconductor layer; 상기 제1 도전형 반도체층의 상면 중 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역 상에 형성된 제1 전극;A first electrode formed on a second region of the first conductive semiconductor layer except for the first region; 상기 제1 전극을 덮어 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 분리시키되, 상기 제1 전극 중 일부를 외부에 노출시키도록 형성된 절연체;An insulator covering the first electrode to be electrically separated from the active layer and the second conductivity type semiconductor layer, and configured to expose a portion of the first electrode to the outside; 상기 절연체 상에 형성되어 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 투명전극층; 및A transparent electrode layer formed on the insulator and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; And 상기 투명전극층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하는 반도체 발광소자. And a second electrode formed on the transparent electrode layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 수직하도록 상기 투명전극층 상에 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And the second electrode is disposed on the transparent electrode layer so as to be perpendicular to the first electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 도전형 반도체층은 상면에 형성된 홈을 구비하며, 상기 제2 영역은 상기 홈의 저면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And the first conductivity type semiconductor layer has a groove formed on an upper surface thereof, and the second region is a bottom surface of the groove. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연체는 상기 제2 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The insulator is formed in the second region, the semiconductor light emitting device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연체는 상기 제2 영역과 인접한 상기 제2 도전형 반도체층의 상면 중 일부 영역에 더 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And the insulator is formed on a portion of an upper surface of the second conductive semiconductor layer adjacent to the second region. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 투명전극층은 상기 제2 영역과 인접한 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 절연체의 하부에 더 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And the transparent electrode layer is further formed under an insulator formed on the second conductive semiconductor layer adjacent to the second region. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 영역은 복수개이며, 서로 대향하는 두 변과 일정한 간격으로 평행하게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. A plurality of the second region, the semiconductor light emitting device, characterized in that formed in parallel with the two sides facing each other at a constant interval. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 영역은 복수개이며, 서로 대향하는 두 변을 따라 일정한 간격으로 평행하게 형성된 부분과, 상기 발광소자의 중앙부에 형성된 부분으로 이루어진 것 을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A plurality of the second region, the semiconductor light emitting device comprising a portion formed in parallel at regular intervals along the two sides facing each other, and a portion formed in the central portion of the light emitting device. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 영역은 상기 반도체 발광소자의 상면 중심을 기준하여 대칭되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And the second region is formed to be symmetrical with respect to the center of the upper surface of the semiconductor light emitting device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전극은 상기 절연체에 의해 노출된 일부 영역 상에 형성된 본딩 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And the first electrode includes a bonding pad formed on a part of the region exposed by the insulator.
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