KR20110059788A - 독립적으로 전기적으로 어드레스가능한 구획을 포함하는 발광 장치 - Google Patents

독립적으로 전기적으로 어드레스가능한 구획을 포함하는 발광 장치 Download PDF

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KR20110059788A
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마이클 림
알렉세이 에이. 어착
홍 루
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루미너스 디바이시즈, 아이엔씨.
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Abstract

본원에는 발광 장치가 개시된다. 몇몇 실시예는 독립적으로 전기적으로 어드레스가능한 발광 구획들을 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다. 이 장치는 조명(illumination)과 일반 조명(lighting)을 포함하는 다양한 용례에 사용될 수 있다.

Description

독립적으로 전기적으로 어드레스가능한 구획을 포함하는 발광 장치{LIGHT-EMITTING DEVICES INCLUDING INDEPENDENTLY ELECTRICALLY ADDRESSABLE SECTIONS}
관련 출원에 관한 참조
본 출원은 모든 내용이 본 명세서에 참조로 통합되어 있는, 2008년 9월 24일자로 출원된 미국 가출원 제61/099,755호에 대한 우선권을 주장한다.
본 발명은 일반적으로 발광 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 독립적으로 전기적으로 어드레스가능한 발광 구획을 구비한 발광 다이오드에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 백색광원 및/또는 형광 광원보다 더 효율적으로 광을 제공할 수 있다. LED와 관련된 비교적 높은 전력 효율은 다양한 조명 용례에서 종래의 광원을 대체하기 위해 LED를 사용하는 것에 대한 관심을 유발하고 있다. 예를 들어, 몇몇 예의 경우, LED는 신호등으로 사용되고 있으며 휴대전화의 키패드와 디스플레이를 조명하는데 사용되고 있다.
통상적으로, LED는 다중층으로 형성되는데, 적어도 일부 층들은 다른 재료로 형성된다. 일반적으로, 층에 대하여 선택된 재료와 두께는 LED에 의해 발산된 광의 파장에 영향을 미친다. 추가적으로, 층의 화학조성은 광으로의 비교적 효율적인 변환을 위한 영역[예컨대, 양자 우물(quantum well)]으로 주입된 전하 캐리어의 고립(isolation)을 촉진하도록 선택될 수 있다. 일반적으로, 양자 우물이 성장하는 정션의 일측의 층은 높은 전자 농도를 야기하는 도너 원자로 도핑되며(이러한 층을 통상적으로 n-형 층이라고 함), 반대쪽의 층은 상대적으로 높은 홀(hole) 농도를 야기하는 억셉터 원자로 도핑된다(이러한 층을 통상적으로 p-형 층이라고 함).
소정의 광을 생성하기 위하여, 인광체(phosphor)와 같은 파장 변환 재료가 LED의 발광 표면에 걸쳐 배치된다. 이 기술은 단일 다이오드로부터 백색광을 생성하는데 사용되어 왔다. 황색-백색을 발광하는 LED는 470nm의 파장의 광(청색광)을 발산하는 LED를 황색 발광 인광체로 코팅함으로써 제조된다. 그러나 결과적인 백색광은 대부분의 전반조명 용례에 사용되기 위해 필요한 색온도를 갖지 못한다.
백색광 발광 장치가 전반조명 용례에 사용될 때는 높은 연색성(color rendering) 백색광이 바람직할 수 있다. 일반적으로, 연색성이란 주어진 조명하에서 대상의 컬러가 얼마나 자연스러운가를 의미하며, 전반조명용 광원에 대한 중요한 특성이 될 수 있다. 연색성은 평균 연색지수(CRI: Color Rendering Index)에 의해 측정된다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 평균 연색지수란 대상의 색현시(color appearance)에 대한 백색광원의 효과를 설명하는 방법이다. 구체적으로, Ra는 색조(hue)의 전 범위에 걸쳐 퍼지면서 중간 포화가 되도록 선택된 8종의 표준색의 평균 현시의 단위이다. 발광 효율(luminous efficacy)은 입력 전력(와트)으로 광원에 의해 발광된 광속(루멘)의 비율이다. 색온도(CT: Color Temperature)는 백색광원으로부터 발산된 광의 현시이다. 색온도는 백색광이 얼마나 따뜻하거나 차갑게 보이는지를 규정한다. 높은 연색성 이외에, 소정의 조명 용례를 나타내는 색온도 및 양호한 발광 효율도 바람직할 수 있다. 이러한 속성을 모두 포함하는 백색광은 컬러 밸런싱을 이룬 백색광으로 여겨진다. 실내 조명이나 실외 조명, 사무실 또는 가정용 조명과 같은 상이한 조명 용례에 대하여 각 속성의 필요한 정도는 다를 수 있다.
본원에서는 발광 장치를 설명한다.
일련의 실시예로서, 발광 장치가 제공된다. 이 발광 장치는 발광하도록 설계된 발광 다이오드를 포함한다. 발광 다이오드는 적어도 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획을 포함한다. 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획은 독립적으로 전기적으로 어드레스가능하도록 구성된다. 적어도 하나의 발광 구획은 광이 통과하는 파장 변환 재료층을 포함한다.
다른 일련의 실시예로서, 발광 장치가 제공된다. 이 발광 장치는 발광하도록 설계된 발광 다이오드를 포함한다. 발광 다이오드는 적어도 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획을 포함한다. 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획 각각은 관련된 2개의 전기 접점을 가지며, 제1 발광 구획과 관련된 적어도 하나의 전기 접점은 제2 발광 구획과 관련된 전기 접점과 상이하다. 적어도 하나의 발광 구획은 광이 통과하는 파장 변환 재료층을 포함한다.
또 다른 일련의 실시예로서, 방법이 제공된다. 이 방법은 발광하도록 설계된 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치를 제공하는 단계를 포함한다. 발광 다이오드는 적어도 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획을 포함한다. 적어도 하나의 발광 구획은 광이 통과하는 파장 변환 재료층을 포함한다. 이 방법은 제2 발광 구획에 전류를 인가하는 것과는 별개로 제1 발광 구획에 전류를 인가하는 단계를 포함한다.
몇몇 실시예에서, 제1 발광 구획으로부터 발산된 광은 제2 발광 구획으로부터 발산된 광과는 상이한 파장을 갖는다. 몇몇 실시예에서, 제1 발광 구획으로부터 발산된 광은 제2 발광 구획으로부터 발산된 광과는 상이한 색온도를 갖는다.
몇몇 실시예에서, 발광 장치는 발광 다이오드의 어레이를 포함한다. 어레이 내의 발광 다이오드는 적어도 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획을 포함할 수 있으며, 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획은 독립적으로 전기적으로 어드레스가능하도록 구성된다.
몇몇 실시예에서, 발광 다이오드는 독립적으로 전기적으로 어드레스가능하도록 구성된 적어도 5개의 발광 구획을 포함한다. 몇몇 실시예에서, 적어도 2개의 발광 구획은 광이 통과하는 파장 변환 재료층을 포함한다.
몇몇 실시예에서, 발광 다이오드는 백색광을 발산하도록 구성된다. 예를 들어, 각각의 발광 구획으로부터 발산된 광은 백색광을 형성하기 위해 결합(combine)될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 적어도 하나의 발광 구획은 발광 다이오드로부터 발산된 광에 컬러 밸런싱을 이루기 위하여 발광하도록 구성된다. 몇몇 실시예에서, 각각의 발광 구획으로부터 발산된 광은 단색 가시광을 생성하기 위해 혼합된다.
몇몇 실시예에서, 발광 다이는 1㎟ 보다 큰 발광 표면을 갖는다. 몇몇 실시예에서, 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획의 영역은 약 200㎛보다 크다.
몇몇 실시예에서, 파장 변환 재료는 인광체 재료를 포함한다.
몇몇 실시예에서, 발광 장치는 서브마운트(submount)를 더 포함하며, 발광 다이오드는 서브마운트 상에 장착된다.
몇몇 실시예에서, 하나 이상의 발광 구획에는 파장 변환 재료가 전혀 없다.
몇몇 실시예에서, 발광 다이오드는 적색 파장 변환 재료를 포함하는 제1 발광 구획과, 황갈색이나 황록색 파장 변환 재료를 포함하는 제2 발광 구획과, 나머지 발광 구획 중 적어도 하나에 인접하게 위치되며 파장 변환 재료가 전혀 없는 제3 발광 구획을 포함한다.
몇몇 실시예에서, 발광 다이오드는 발산된 광의 광로내의 광 발산의 적어도 일부에 걸쳐 배치되는 근접(close proximity) 광학 소자를 더 포함한다.
몇몇 실시예에서, 발광 장치는 조명 조립체의 구성요소이다.
몇몇 실시예에서, 발광 장치는 전반조명 조립체의 구성요소이다.
몇몇 실시예에서, 제1 발광 구획과 제2 발광 구획에는 상이한 전류 레벨이 인가된다.
몇몇 실시예에서, 상기 방법은 발광 다이오드에 의해 발산된 광의 파장을 조절하기 위하여 제1 발광 구획과 제2 발광 구획에 인가된 전류 레벨을 조절하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 다른 양태, 실시예 및 특징은 첨부 도면과 연관하여 고려될 때 이어지는 본 발명의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 첨부 도면은 개략적인 것이며 척도대로 도시되지 않았다. 도면에서, 여러 도면에 도시된 동일하거나 사실상 유사한 구성요소는 단일 도면부호나 지시부호로 표시된다.
명확성을 위하여, 모든 구성요소가 모든 도면에 표시(label)되지는 않는다. 본 기술분야의 통상의 기술자가 본 발명을 이해하는데 필요하지 않은 경우에는 본 발명의 각 실시예의 모든 구성요소가 도시되지 않는다. 본원에 통합되어 있는 모든 특허출원과 특허는 참조로 그 전체가 통합되어 있다. 충돌이 있는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 도면이다.
도 2a는 일 실시예에 다른 발광 다이오드의 평면도이다.
도 2b는 일 실시예에 따른 일반적인 적색 발광 장치의 응답 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 3a는 일 실시예에 따른 발광 장치에 배치된 상이한 파장 변환 재료를 가진 발광 장치의 사시도이다.
도 3b는 일 실시예에 따른 발광 장치에 배치된 상이한 파장 변환 재료를 가진 발광 장치의 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 발광 장치 발광 장치의 평면도이다.
도 5a는 일 실시예에 따른 발광 장치의 평면도이다.
도 5b는 일 실시예에 따른 파손된 도전성 핑거를 가진 도 5a의 패턴 일 구획의 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 장치의 평면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 상이한 실시예에 따른 근접 광학 소자를 가진 발광 장치의 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 발광 다이오드 어레이를 도시하는 도면이다.
도 1a 내지 도 1c는 발광 다이(120)를 포함하는 발광 장치를 도시한다. 발광 다이(120)는 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드 다이일 수 있다. 발광 다이(120)는 반도체 층(33, 34, 35)을 포함할 수 있다. 층(34)은 하나 이상의 양자 우물을 포함할 수 있는 능동 영역으로도 지칭되는 광 발생 영역일 수 있다. 반도체 층(33)은 제1 전도성 타입(예를 들어, n-타입 또는 p-타입)의 반도체일 수 있고, 반도체 층(32)은 제2 전도성 타입(예를 들어, p-타입 또는 n-타입)의 반도체일 수 있으며, 따라서 광 발생 영역이 n-타입 영역과 p-타입 영역 사이에 배치될 수 있는 p-n 접합을 형성한다. 반도체 층(33)은 전기 접점일 수 있는 층(32)에 부착될 수 있다. 층(32)은 반사 층(예를 들어, 금속층 스택, 유전성 또는 반도체 다층 미러) 및/또는 지지 서브마운트 층(예를 들어, 구리 또는 구리-텅스텐 서브마운트와 같은 하나 이상의 금속층)으로서 기능할 수도 있다. 층(32)은 반도체 층(33)과 접촉할 수 있다. 반도체 층(33) 아래에 배치되는 서브마운트 및/또는 임의의 반사 층은 도전성일 수 있고, 따라서 반도체 층(33)으로의 전기 접점을 제공한다.
발광 다이(120)는 제1 발광 구획(37a) 및 제2 전기 구획(37b)을 포함한다. 각각의 발광 구획은 각각의 구획의 표면에 형성된 전기 접점(40a, 40b)을 갖는다. 접점(40a, 40b)은 서로로부터 발광한다. 접점(40a, 40b) 및 접점(32)은 이하에 설명되는 바와 같이 빛을 발생시키기 위해 발광 구획에 전력을 제공하는 기능을 한다. 그러한 접점 구성은 전류가 발광 구획(37a, 37b)에 독립적으로 제공되는 것을 가능하게 한다. 즉, 발광 구획(37a)으로의 전류는 발광 구획(37b)으로 제공되는 전류로부터 독립적으로 제공될 수 있다. 따라서, 발광 구획은 독립적으로 전기적으로 어드레스가능하다고 한다. 이 실시예들에서, 상이한 전류 레벨이 상이한 발광 구획에 제공될 수 있다. 이것은 상이한 광(예를 들어, 상이한 파장을 가짐)이 각각의 구획으로부터 발산되는 것을 가능하게 한다. 빛은 발광 표면(38)을 통해 발산된다.
도시된 실시예에서, 접점(32)은 제1 구획(37a) 및 제2 구획(37b) 모두에 대해 백사이드 접점으로서 기능하지만, 제1 및 제2 구획에 대해 별도의 백사이드 접점이 제공될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
다이는 각자의 전기 접점 중 적어도 하나를 가짐으로써 독립적으로 전기적으로 어드레스가능할 수 있는 추가의 발광 구획을 포함할 수 있다.
이러한 도시된 실시예에서, 발광 장치는 단일 발광 다이(예를 들어, 발광 다이오드)를 포함한다. 그러나, 다른 실시예는 예를 들어 어레이로 배열된 하나보다 많은 발광 다이를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
구획(37a, 37b)은 임의의 적절한 치수를 가질 수 있다. 일부 경우에, 구획의 면적은 200 ㎛보다 크고(예를 들어 200 ㎛ 내지 1000 ㎛), 일부 경우에는 구획의 면적이 500 ㎛보다 크다(예를 들어 200 ㎛ 내지 1000 ㎛). 일부 경우에, 구획들의 면적은 실질적으로 동일할 수 있지만, 일부 경우에 구획들의 면적은 상이할 수 있다.
발광 다이(120)는 예를 들어 그라인딩, 에칭 및/또는 레이저 리프트오프 공정을 사용하여 지지 서브마운트 상에 반도체 층을 전달함으로써 형성될 수 있다. 레이저 리프트오프 공정은 예를 들어 미국 특허 제6,420,242호 및 제6,071,795호에 개시되어 있으며, 이들은 본원에 참고로 인용된다. 발광 다이(120)를 형성하는 다른 방법이 가능하고, 본원에 개시된 실시예들은 이와 관련하여 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다.
일부 실시예에서, 발광 다이는 약 1㎟보다 크거나 그와 동일한 발산 면적을 갖는 대면적 다이일 수 있다. 일부 실시예에서, 발광 다이 발산 면적은 3㎟보다 클 수 있다. 일부 실시예에서, 발광 다이 발산 면적은 5㎟보다 크거나 그와 동일할 수 있다. 일부 실시예에서, 발광 다이 발산 면적은 10㎟보다 클 수 있다. 대면적 발광 다이는 본원에 개시된 패키징된 발광 장치와 같은 칩-스케일의 패키징된 발광 장치로서 그러한 다이를 패키징하는 것을 용이하게 할 수 있다. 대면적 발광 다이로부터 광을 추출하는 것은 하나 이상의 광 추출 특징부의 존재에 의해 용이해질 수 있다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 광 추출 특징부는 거친 표면(예를 들어, 거친 발산 표면)을 포함한다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 광 추출 특징부는 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이 패턴을 가진 표면(예를 들어, 패턴을 가진 발산 표면)을 포함한다.
도시된 실시예에서, 파장 변환 재료 층(43a)이 구획(37a)의 표면 상에 형성되고, 파장 변환 재료 층(43b)이 구획(37b)의 표면 상에 형성된다. 각각의 구획(37a, 37b) 내에서 발생된 광은 각가의 파장 변환 재료 층(43a, 43b)을 통과한다. 이 실시예에서는 발광 구획은 파장 변환 재료 층을 포함하는 것으로 도시되어 있지만, 다른 실시예에서는 발광 구획들 중 하나 이상이 파장 변환 재료 층을 갖지 않을 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 즉, 발광 구획들 중 하나 이상은 파장 변환 재료 층을 포함하지 않을 수 있고, 파장 변환되지 않은 빛을 발산할 수 있다.
파장 변환 재료 층은 하나 이상의 인광체 및/또는 양자점을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서는 인광체가 선호된다. 적절한 파장 변환 재료 및 인광체가 공동 소유의 미국 특허 제7,196,354호에 개시되어 있으며, 이것은 본원에 참고로 인용된다. 파장 변환 재료 층은 LED의 광 발생 영역에 의해 발산된 광을 흡수하고 흡수된 광의 것과 상이한 파장을 가진 광을 발산할 수 있다. 이러한 방식으로, LED는 파장 변환 재료 층을 포함하지 않는 LED로부터 용이하게 얻을 수 없는 파장(그리고, 따라서 색상)의 광을 발산할 수 있다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 파장 변환 재료 층이 발광 장치의 발산 표면[예를 들어, 표면(38)] 위에 (예를 들어, 직접) 배치될 수 있다.
일부 바람직한 실시예에서, 파장 변환 재료는 자외선 또는 자외선에 가까운 광을 가시 스펙트럼 내의 광으로 변환할 수 있다. 파장 변환 재료는 단파장(고 에너지)으로부터 장파장(저 에너지)으로 하강 변환할 수 있다. 인광체는 인광성 입자의 형태를 취할 수 있는 일반적인 파장 변환 재료의 예이다. 양자점도 또한 파장 변환 재료로서의 역할을 할 수 있다. 일부 바람직한 실시예에서, 파장 변환 재료는 인광성 재료이다. 다른 바람직한 실시예에서는, 인광체들의 조합이 사용되어 원하는 파장의 가시광 발산을 발생시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 인광체 재료는 특정한 형태로 존재할 수 있다. 파장 변환 재료 층은 많은 방법에 의해 형성될 수 있다. 프린팅(printing), 몰딩(예를 들어, 사출 성형), 회전 코팅, 분무(spraying), 등사(stenciling), 스핀-온 글래스(spin-on glass), 전기 주조(electroforming), 사출 성형, 및 박층 적층(thin layer deposition) 및/또는 엠보싱(embossing)이 채용될 수 있다. 예를 들어, 프린팅 프로세스(예를 들어, 제트 프린팅 프로세스)는 공간적으로 다양한 밀도를 갖는 파장 변환 재료를 만들어내도록 사용될 수 있다. 프린터 카트리지(printer cartridge)는 파장 변환 재료[예를 들어, 인광체 및/또는 양자점(quantum dot)]를 갖는 용제(solution)를 포함할 수 있다. 이어서, 다양한 두께의 파장 변환 재료 층이 다른 위치들에서 더 긴 프린팅 단계를 수행함으로써 만들어질 수 있다. 대안적으로, 또는 추가로, 소형 크기(예를 들어, 500 ㎛ 미만, 200 ㎛ 미만, 100 ㎛ 미만)를 갖는 작은 형상[예를 들어, 점(dot), 줄무늬(stripe)]들이 공간적으로 다양한 최근접 거리로 프린팅될 수 있다. 다른 실시예에서, 파장 변환 재료는 성형된 광 가이드와 같은 성형 부품의 다른 위치에서 다양한 밀도를 갖게 하기 위해서 몰딩 재료(예를 들어, PMMA 또는 아크릴과 같은 폴리머) 내에 포함될 수 있다. 입자들이 복합 구조 또는 플레이트를 형성하도록 제2 재료(예를 들어, 에폭시와 같은 접착제 또는 캡슐) 내에 분포될 수 있다.
일 실시예에서, 파장 변환 재료는 다결정 또는 단일 결정 인광체 재료일 수 있다. 결정 파장 변환 재료 층은 접합, 소결(sintering) 및 접착과 같은 다양한 기술에 의해 발광 장치의 표면에 부착될 수 있다. 일 실시예에서, 결정 층이 접합 층(도시 생략)에 의해 발광 표면(38)에 부착될 수 있다. 다른 실시예에서, 결정 파장 변환 재료 층은 하나의 층을 형성하기 위해서 실내 온도에서 고압을 이용하면서 소금과 같은 다른 더 부드러운 재료와 함께 인광체 재료를 가압함으로써 형성될 수 있다. 가열 및 압력은 세라믹의 형태로 이러한 동일한 층을 형성하도록 사용될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 다른 두께의 파장 변환 재료는 방출된 광의 원하는 색상 포인트를 달성하기 위해서 웨이퍼의 상단 표면상에 도포될 수 있다. 다른 실시예에서, 파장 변환 재료는 패턴에 따라 웨이퍼의 상단 표면상에 배치될 수 있으며, 패턴은 링, 동심 리지(concentric ridge), 사각형, 직사각형 또는 상상할 수 있는 임의의 형상의 형태로 되어 있다. 패턴은 미리 결정될 수 있다.
다른 실시예에서, 발광 장치는 파장-변환 영역과 접촉하는 열 전도성 영역을 포함할 수 있다. 열 전도성 영역은 단일 재료 층, 다수의 재료 층들 또는 층의 일부분을 포함할 수 있다. 열 전도성 영역은 파장-변환 영역으로부터 열의 배출을 도울 수 있고, 이는 발생된 광의 더 높은 파워 및/또는 더 높은 밝기에서의 작동을 가능하게 할 수 있다. 열 관리는 온도가 주 파장 및 발광 장치 밀도에 영향을 미치기 때문에 상당히 이점을 갖는다. 높은 온도는 주 파장을 이동시킴으로써 발광 장치에 의한 색 출력을 변경시킨다. 추가로, 높은 온도는 시간이 지남에 따라 발광 장치를 저하시켜 장치의 전체 수명을 감소시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 다른 발광 구획들은 다른 파장의 광을 생성할 수 있다. 다른 파장은 가시광의 단일 색상을 생성하도록 함께 혼합한다. 발광 구획들은 다른 전류 레벨에서 전력을 공급받는다. 개별 발광 구획들의 다른 전류 레벨들을 제어함으로써, 발광 장치는 큰 색상 전 영역에 걸쳐서 다양한 색상들로 조정할 수 있다. 광-발생 영역은 발광 장치에 의해 발생된 광이 광-발생 영역을 빠져나가도록 돕는 유전 기능부로서 역할을 하는 패턴화된 표면을 갖는다.
발광 영역의 고립된 구획을 독립적으로 어드레스함으로써, 단일 다이오드가 단일 패키지 내의 다수의 다이오드로서 기능할 수 있다. 각각의 구획들은 발광 다이오드 외부로 방출된 단일 광을 생성하도록 함께 혼합되는 다른 색상의 광을 방출하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 개별 구획들은 다른 전류 레벨에서 독립적으로 전력을 공급받을 수 있다. 다른 구획들을 독립적으로 동력공급하고 이들 구획들에 의해 생성된 광의 파장 및 강도를 제어함으로써, 발광 장치는 큰 색상 범위에 걸쳐서 다양한 색상들로 조정될 수 있다.
발광 장치의 주 파장은 순반향 전류에 따라 변화한다. 도 2b는 전형적인 적색 발광 장치의 응답 곡선을 도시한다. 볼 수 있는 바와 같이, 순반향 전류와 주 파장 사이에 정상관계(positive correlation)가 존재한다. 개별 구획들에 대한 순반향 전류를 점진적으로 변화시킴으로써, 각각의 구획에 대한 이상적인 주 파장이 달성될 수 있고, 이는 발광 장치를 위한 이상적인 색상 포인트를 초래한다. 또한, 주 파장은 시간이 지남에 따라 온도 및 열로 인하여 변화하여, 발광 장치의 출력 광을 변화시킨다. 이들 영향들은 발광 장치가 최초 설치되었을 때의 발광 장치의 주 파장으로 발광 장치를 조정함으로써 무효화시킬 수 있다.
일 실시예에서, 분리화(separation)는 동일한 서브마운트 층 상에 다수의 고립된 구획들 각각으로 개별 전기 연결부를 생성함으로써 달성될 수 있다. 일 실시예에서, 구획들은 다이오드가 원하는 개수의 구획들로 형성된 후에 다이오드의 재료들의 다층-스택(multi-stack)을 분할함으로써 절연될 수 있다.
도 2a는 발광 표면(38) 상에 형성된 3개의 발광 구획(210, 206, 208)들을 포함하는 발광 장치의 평면도를 예시한다. 각각의 구획들은 전기 연결부(204)들의 개별 그룹들에 의해 독립적으로 어드레싱된다. 각각의 구획들은 다른 순반향 전류 레벨에서 구동될 수 있다. 예를 들어, 순반향 전류 레벨은 0 암페어(A 또는 amps)와 35 A 사이의 어느 레벨일 수 있다. 일 실시예에서, 발광 장치는 약 400 nm와 약 450 nm 사이의 범위에서 전자기 스펙트럼의 청색의 근-자외선(near-ultraviolet) 영역에서 광을 방출한다.
도 2a는 3개의 구획(210, 206, 208)에 걸쳐서 배치되는 3개의 다른 파장 변환 재료 층들을 더 예시한다. 예를 들어, 구획(210)은 적색 파장 변환 재료를 포함할 수 있고, 구획(206)은 청색 및 청록색 인광체로 구성되는 그룹으로부터 선택된 파장 변환 재료를 포함할 수 있고, 구획(208)은 황갈색 및 황록색 인광체들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 파장 변환 재료를 포함할 수 있다. 대안적으로, 구획(206)은 파장 변환 재료가 결여될 수 있고, 발광 표면(38)으로부터 광을 직접 방출할 수 있다.
도 3a는 일 실시예에 따라서 3개의 구획들에 걸쳐서 배치된 다른 파장 변환 재료를 갖는 발광 장치의 사시도이다. 발광 구획(210, 206 및 208)들 밖으로 방출된 광은 고립된 구획(210, 206 및 208)에 걸쳐서 배치된 파장 변환 재료에 의해 변환된다. 각각의 구획은 각각 다른 파장(300a, 300b, 및 300c)의 광을 생성한다. 새롭게 변환된 광(300a, 300b, 및 300c)은 가시광의 단일 색상을 생성하도록 함께 혼합할 수 있다. 이에 따라, 각각의 구획에 대한 순반향 전류는 원하는 색상 포인트를 만들기 위해서 증가될 수 있거나 감소될 수 있다.
대안적으로, 도 3b에서 도시된 바와 같이, 하나 이상의 발광 구획은 파장 변환 재료가 결여될 수 있다. 구체적으로, 구획(210 및 208)들로부터 각각 방출된 변환된 광(300a 및 300c)은 가시광(302)의 단일 색상을 생성하도록 구획(206)으로부터 변환되지 않은 광(300b)과 혼합할 수 있다.
파장 변환 발광 구획들의 어느 한 구성은 백색광을 생성하도록 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 백색광은 발광 장치에 대한 순반향 전류의 양을 약간 증가시키거나 감소시킴으로써 조정될 수 있다. 다른 실시예에서, 백색광은 발광 구획 상에 적층된 파장 변환 재료의 선택 및 두께를 다양화함으로써 조정될 수 있다.
도 4는 하나의 실시예에 따라서 7개의 발광 및 독립적 어드레스가능한 구획들을 갖는 발광 장치의 평면도를 예시한다. 7개의 발광 및 독립적 어드레스가능한 구획들은 발광 다이오드 상에 만들어진다. 일 실시예에서, 각각의 구획(208, 206 및 210)은 3개의 파장 변환 재료들 중 하나를 포함한다. 대안적으로, 하나 이상의 구획들은 파장 변환 재료들이 결여될 수 있다. 이어서, 3개의 파장 변환 재료들은 교번적 패턴으로 반복된다. 다른 실시예에서, 7개의 구획들 각각은 다른 파장 변환 재료로 적층된다. 7개의 구획들 각각은 가시광의 단일 광을 생성하도록 다른 구획들로부터의 파장 변환 광과 함께 혼합되는 파장 변환 광을 방출한다. 더 많은 개수의 절연 및 독립적 어드레스가능한 구획들이 더 높은 연색 지수 및 양호한 발광 효율을 갖는 더욱 균형된 백색광을 초래할 수 있다.
일 실시예에서, 전기 연결부(204)를 통해 고립된 구획을 어드레스하는 대신에, 절연된 접합 패드들이 발광 표면(38) 상에 형성될 수 있다. 이들 접합 패드들은 발광 표면상의 구리 접합 패드를 직접 플레이팅(plating)하는 단계를 포함하는 많은 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 5a에는 본 발명의 일 실시예에 따른, 일 패턴으로 배열된 발광 및 독립적으로 어드레스가능한 구획을 구비한 도 2a의 발광 표면 영역의 평면도가 도시되어 있다. 24개의 발광 및 독립적으로 어드레스가능한 구획은 발광 다이오드의 발광 표면에 형성된다. 일 실시예에서, 24개의 구획 각각은 3개의 파장 변환 재료들 중 하나를 포함한다. 3개의 파장 변환 재료는 교번적 패턴에 따라 반복된다. 24개의 구획 각각은 파장 변환 재료에 의해 변환된 광을 방출한다. 변환된 광은 다른 구획으로부터 방출된 변환된 광과 혼합되어 단색 가시광선을 발생시킬 수 있다. 각각의 구획에 할당된 영역은 약 200 ㎛보다 클 수 있다(예를 들면, 약 300 ㎛보다 크거나, 약 400 ㎛보다 크거나, 약 500 ㎛ 보다 클 수 있다). 본 발명은 개시된 파장 변환 재료의 개수 또는 패턴에 제한되지 않음을 알 것이다. 소정의 컬러 포인트의 단색 광을 발생시키는 구획과 파장 변환 재료의 임의 패턴이 이용될 수 있다. 다른 실시예에서, 24개의 발광 및 독립적으로 어드레스가능한 구획 각각은 다수개의 고립된 구획으로 구성된 격실(partition; 218)에 위치될 수 있다. 이들 각각의 격실은 독립적으로 어드레스가능하다.
도 5b에는 본 발명의 일 실시예에 따른, 절결된 전기 도전성 핑거를 구비한 도 5a의 패턴의 일 구획의 평면도가 도시되어 있다. 도 5b에는 24개의 구획 각각이 어떤 방식에 따라 독립적으로 어드레스가능할 수 있는지가 도시되어 있다. 일 실시예에서, 전기 도전성 핑거(216)는 독립형 접촉 패드(212)로부터 표면(38)을 따라 연장됨으로써 발광 장치의 각각의 구획으로 전류 공급을 가능케 한다. 전기 도전성 핑거는 분리될 수 있기 때문에 다른 구획들 사이의 전기적 단락의 가능성을 감소시킬 수 있다. 전기 도전성 핑거는 100㎛보다 큰 간격으로 (예를 들면, 200㎛보다 큰 간격으로, 300㎛보다 큰 간격으로) 분리될 수 있다.
도 6에는 본 발명의 일 실시예에 따른, 5개의 발광 및 독립적으로 어드레스가능한 구획을 구비한 발광 장치의 평면도가 도시되어 있다. 5개의 발광 및 독립적으로 어드레스가능한 구획은 발광 장치의 발광 표면에 형성된다. 구획(210, 206, 208)은 파장 변환 재료로 증착되어 백색광을 발생시키도록 구성될 수 있다. 또한, 구획(216)도 파장 변환 재료를 포함할 수 있고 백색광을 컬러 밸런싱하기 위해 할당된다. 일 실시예에서, 백색광을 발생시키기 위해 할당된 발광 다이오드의 구획은 컬러 밸런싱하도록 할당된 구획의 영역보다 큰 발광 다이오드의 영역을 커버링한다. 다른 실시예에서, 백색광을 발생시키도록 또는 컬러 밸런싱을 하도록 구성된 하나 이상의 구획에는 인광체가 전혀 없을 수 있다. 다른 실시예에서, 백색광을 발생시키도록 할당된 구획은 격실(218)을 형성할 수 있다. 격실(218)은 격실 내 개별적으로 어드레스가능한 구획 외에도 전기적으로 어드레스가능하다.
발광 장치가 다수의 다른 구조를 가질 수 있음을 알 것이다. 예를 들면, 임의 적절한 개수의 독립적으로 전기적으로 어드레스가능한 발광 구획이 포함될 수 있다. 원하는 발광에 따라서 임의 개수의 이들 구획들은 파장 변환 재료 층을 포함하거나, 또는 포함하지 않을 수 있다.
일련의 실시예에서, 발광 다이(120)는 캡슐에 의해 수납될 수 있다. 캡슐은 발광 장치의 패키지 층(108) 대부분의 상부 형상부와 발광 표면 사이의 영역을 채워질 수 있다. 일 실시예에서, 캡슐은 투명한 재료를 포함할 수 있지만, 임의의 광학적 특징을 포함하지 않고 보호층으로서만 제공될 수 있다. 다른 실시예에서, 캡슐은 근접 광학 소자를 포함할 수 있다. 근접 광학 소자는 광학 기술 분야의 당업자에게 널리 공지된 다양한 구조체를 형성할 수 있다. 광학 소자는 사각형 또는 직사각형, 원형, 대칭 또는 비대칭, 정형 또는 비정형일 수 있다.
도 7a에는 근접 광학 소자로서 평평한 직사각형 윈도우를 통합한 조정 가능한 발광 장치가 도시되어 있다. 본 실시예에서, 캡슐(140)은 발광 표면에 광학적으로 커플링되는 근접 광학 소자로서 제공될 수 있다. 광학 소자(140)는 투명 쉘 캡슐화 다이오드(transparent shell encapsulating diode)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 투명 쉘은 쉘의 외부에 강성 재료를, 쉘의 내부에 광학 전달 재료를 가진다. 광학 전달 재료는 적어도 부분적으로 투명할 수 있고, 비교적 높은 굴절률을 가지는 것이 바람직하다. 광학 소자로서 적절한 재료는 높은 굴절률의 유리 및 세라믹과 같은 무기질 재료를 포함할 수 있다. 도 7a에는 패키지 층(106)의 상부 대부분의 형상부와 동일한 높이에 있는 평평한 직사각형 윈도우를 형성하는 광학 소자(140)가 도시되어 있다. 도 7b에는 다이오드를 완전히 캡슐화하는 형상과 같은 돔(dome)을 형성하는 광학 소자의 다른 실시예가 도시되어 있다.
일부 실시예에서, (예를 들면, 광학 소자의 굴절률과 유사한 굴절률을 갖는) 굴절률 정합층(index matching layer)이 발광 다이오드의 발광 표면에 증착된다. 일부 실시예에서, 광학 소자의 상당 부분은 약 1.4 미만의 굴절률을 갖는다. 일부 실시예에서, 굴절률 정합층은 발광 표면과 광학 소자 사이의 갭(gap)을 채우기 위해 사용될 수 있다. 도 7b에는 광학 소자(140)와 발광 다이(120)의 발광 표면 사이의 굴절률 정합층(142)이 도시되어 있다.
다른 실시예에서, 굴절률 정합층은 광학 소자를 발광 다이오드에 부착하기 위해 바인더 재료일 수도 있다. 굴절률 정합층은 본 기술분야에 공지된 방법을 이용하여 부분적으로 둘러싸인 캐비티로 사출되거나, 위킹되거나(wicked), 또는 삽입된 다음, 에폭시를 이용하여 밀봉되거나, 굴절률 정합층이 캐비티 자체를 밀봉하도록 경화될 수 있다.
다양한 바인더 재료는 에폭시와, 글루(glue)와, 실리콘계 접착제와, 본 기술분야의 당업자에게 공지된 재료를 함께 부착시키는 다른 통상의 바인더 재료를 포함할 수 있다. 이들 재료는 동일한 성분으로 제조되거나 다른 성분으로 제조되며, 이는 적절한 바인더 재료의 선택에 영향을 미친다. 이들 바인더 재료의 일부는 경화를 위한 상이한 방법을 갖는다. 예를 들면, 열경화성 에폭시는 완전하게 경화되도록 특정 시간의 주기에 섭씨 150℃로 가열될 필요가 있다. 다른 접착제는 시간 흐름에 따라 경화될 수 있는 반면에, 추가 접착제의 경화 과정은 UV광을 가함으로써 처리될 수 있다.
이들 바인더 재료는 광 인터페이스들 사이의 굴절률 정합을 위해 바람직한 특성을 가질 수 있다. LED의 발광 표면의 굴절률은 공기 또는 유리의 굴절률과 다를 것이다. 굴절률 정합 재료를 가함으로써, 광 인테페이스에서의 입사각이 감소될 수 있고, 이에 의해 광의 대부분이 인터페이스를 통과할 수 있고 적은 양이 광이 인터페이스에서 내부적으로 반사될 수 있다.
일부 실시예에서, 근접 광학 소자는 하나 이상의 광 추출 형상부를 포함한다. 광 추출 형상부는 내부로 전달된 광의 일부 또는 모두를 전도, 확산, 균일화, 산란 및/또는 방출시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 광학 소자는 발광 장치에 의해 출력되는 광을 대체로 균일하게 분포시키는 광 균일화 구역을 포함한다. 도 7c에는 광 균일화 구역(144)을 구비한 광학 소자가 도시되어 있다. 균일화 구역은 굴절률 정합층(142)과 광학 소자(140) 사이에 형성된다. 굴절률 정합층(142)은 광 균일화 구역과 광학 소자 모두에 정합되는 굴절률을 가질 수 있다.
전술한 바와 같은 발광 장치는 발생된 단일 가시광선의 컬러를 원격에서 제어하는 시스템에 통합될 수 있다. 컬러 제어는 시스템의 전체 출력 컬러를 모니터링하거나 개별 구획에 전력을 공급함으로써 폐쇄 루프에서 또는 동적으로 실시될 수 있다. 다르게는, 컬러 제어는 사용자 또는 기계적 제어를 통해 개방 루프에서 또는 수동으로 실시될 수 있다.
도 8에는 본 발명의 일 실시예에 따른, 발광 다이의 구획의 일례일 수 있는 발광 다이오드(LED)의 구획이 도시되어 있다. 본 명세서에 개시된 다양한 실시예들이 다른 발광 다이, 가령 레이저 다이오드 다이, 다른 구조를 갖는 LED 다이(예컨대, OLED로 칭해지기도 하는 유기 LED)에 적용될 수도 있음을 알 것이다. 도 8에 도시된 LED 다이(120)는 (도시되지 않은) 지지 구조부에 배치될 수 있는 다층 적층체(multi-layer stack; 31)를 포함한다. 다층 적층체(31)는 n-도핑층(들)(35)과 p-도핑층(들)(33) 사이에 형성되는 활성층(34)을 포함할 수 있다. 또한, 적층체는 p-측 접점(p-side contact)으로서 또는 광학 반사층으로서 제공될 수 있는 전기 도전층(32)을 포함할 수도 있다. n-측 접촉 패드(n-side contact pad; 36)는 층(35) 상에 배치될 수 있다. (도시되지 않은) 전기 도전성 핑거는 접촉 패드(36)로부터 표면(38)을 따라 연장됨으로써 LED 구조체에 균일한 전류 공급을 가능케 한다. LED의 다른 구획들이 전술한 바와 같이 각각의 접점을 포함할 수 있음을 알 것이다.
LED는 도 8에 도시된 구조로 제한되지 않음을 알 것이다. 예를 들면, 접촉 패드(36)와 접촉하는 p-도핑 구역과, 층(32)과 접촉하는 n-도핑 구역을 갖는 LED를 형성하도록, n-도핑 측면과 p-도핑 측면이 상호 교환될 수 있다. 이하에서 구체적으로 설명된 바와 같이, 전위가 접촉 패드에 인가될 수 있고, 이는 발광 표면(38)을 통해 발생하는 광의 적어도 일부의 방출[화살표(154)로 지시됨]과 활성 영역(34) 내에서의 광 발생을 유도할 수 있다. 이하에서 설명된 바와 같이, 홀(39)은 광 추출(light extraction) 및/또는 광 시준(light collimation)과 같은 발광 특성에 영향을 미칠 수 있는 패턴을 형성하기 위해 발광 표면에 형성될 수 있다. 개시된 예시의 LED 구조체에 대해 다른 변경이 이루어질 수 있다는 점에서 실시예들이 제한되지 않음을 알 것이다.
LED의 활성 영역은 배리어 층에 의해 둘러싸인 하나 이상의 양자 우물을 포함할 수 있다. 양자 우물 구조는 배리어 층에 비해 더 작은 전자 밴드 갭(electronic band gap)을 갖는, (예를 들어, 단일 양자 우물 내의) 반도체 재료 층, 또는 (예를 들어, 다수의 양자 우물 내의) 하나 초과의 반도체 재료 층에 의해 형성될 수 있다. 양자 우물 구조를 위한 적절한 반도체 재료 층은 InGaN, AlGaN, GaN 및 이들 층의 조합[예를 들어, GaN 층이 배리어 층으로서 역할하는 교번식(alternating) InGaN/GaN 층]을 포함할 수 있다. 일반적으로, LED는 III-V 반도체(예를 들어, GaAs, AlGaAs, AlGaP, GaP, GaAsP, InGaAs, InAs, InP, GaN, InGaN, InGaAlP, AlGaN, 및 이들의 조합과 합금), II-VI 반도체(예를 들어, ZnSe, CdSe, ZnCdSe, ZnTe, ZnTeSe, ZnS, ZnSSe, 및 이들의 조합과 합금), 및/또는 다른 반도체를 포함하는 하나 이상의 반도체 재료를 포함하는 활성 영역을 포함할 수 있다. 양자점 또는 유기 발광 층과 같은 다른 발광 재료가 가능하다.
n-도핑된 층(들)(35)은 (예를 들어, 약 4000nm 두께를 갖는) 실리콘-도핑된 GaN 층을 포함할 수 있고, 그리고/또는 p-도핑된 층(들)(33)은 (예를 들어, 약 40nm 두께를 갖는) 마그네슘-도핑된 GaN 층을 포함한다. 전기적으로 전도성인 층(32)은, [예를 들어, 활성 영역(34)에 의해 발생된 모든 하향으로 전파되는 광을 상향으로 반사하는] 반사성 층으로서 기능할 수도 있는, (예를 들어, 약 100nm 두계를 갖는) 은 층(silver layer)일 수 있다. 또한, 도시되지 않았으나, LED 내에 다른 층도 포함될 수 있으며, 예를 들어, AlGaN 층은 활성 영역(34)과 p-도핑된 층(들)(33) 사이에 배치될 수 있다. 본 명세서에 설명된 것과 다른 조합 또한 LED의 층에 적합할 수 있다는 것을 이해해야 한다.
홀(39)의 결과로서, LED는 패턴에 따라 공간적으로 변화하는 유전체 기능(dielectric function)을 가질 수 있다. 전형적인 홀 크기는 약 1 ㎛보다 작을 수 있고(예를 들어, 약 750nm 미만, 약 500nm 미만, 약 250nm 미만), 홀들 사이의 전형적인 가장 가까운 인접 거리는 약 1 ㎛보다 작을 수 있다(예를 들어, 약 750nm 미만, 약 500nm 미만, 약 250nm 미만). 또한, 도면에 도시되는 바와 같이, 홀(39)은 동심이 아닐 수 있다.
패턴에 따라 공간적으로 변화하는 유전체 기능은 추출 효율(extraction efficiency) 및/또는 LED에 의해 방출된 광 시준에 영향을 줄 수 있다. 일부 실시예에서, LED의 층은 패턴에 따라 공간적으로 변화하는 유전체 기능을 가질 수 있다. 도 8의 예시적 LED 다이(120)에서 패턴은 홀로 형성되지만, 인터페이스에서의 유전체 기능의 변화가 반드시 홀로부터 생성될 필요는 없다는 것을 이해해야 한다. 패턴에 따라 유전체 기능의 변화를 생성하는 모든 적절한 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 패턴은 층(35) 및/또는 발광 표면(38)의 조합을 변화시킴으로써 형성될 수 있다. 패턴은 주기적이거나[예를 들어, 단순한 반복 셀(simple repeat cell)을 갖거나 복잡한 반복 수퍼셀(complex repeat super-cell)을 갖음], 비주기적일 수 있다. 본 명세서에서 참조되는 바와 같이, 복잡한 주기적 패턴은, 주기적 형태로 반복되는 각 유닛 셀 내에 하나 초과의 특징을 갖는 패턴이다. 복잡한 주기적 패턴의 예시는 벌집 패턴(honeycomb pattern), 벌집 베이스 패턴(honeycomb base pattern), (2x2) 베이스 패턴, 링 패턴, 및 아르키메데스(Archimedean) 패턴을 포함한다. 일부 실시예에서, 복잡한 주기적 패턴은 하나의 직경을 갖는 임의의 홀과 더 작은 직경을 갖는 다른 홀을 가질 수 있다. 본 명세서에서 참조되는 바와 같이, 비주기적 패턴은, 하나 이상의 광 발생 부분에 의해 발생된 광의 피크 파장의 적어도 50배인 길이를 갖는 유닛 셀에 걸쳐 평행 대칭이지 않은 패턴이다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 피크 파장이란, 예를 들어, 분광복사기(spectroradiometer)를 사용하여 측정되는 최대 광 세기를 갖는 파장을 말한다. 비주기적 패턴의 예시는 비주기 패턴(aperiodic pattern), 유사 결정질 패턴(quasi-crystalline pattern)[예를 들어, 8-절첩 대칭(8-fold symmetry)을 갖는 유사 결정 패턴], 로빈슨(Robinson) 패턴, 및 아만(Amman) 패턴을 포함한다. 또한, 비주기적 패턴은 튜닝되지 않은 패턴(detuned pattern)[어책(Erchak) 등에 허여된 미국 특허 제6,831,302호에 설명되며, 그 전체가 참조로서 본 명세서에 포함됨]을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 장치는 거칠어진 표면(roughened surface)을 포함할 수 있다. 표면 거칠기는, 예를 들어, 방출된 광의 파장과 관련될 수 있는 평균 특징 크기와 대략 동일한 제곱평균(rms) 거칠기를 가질 수 있다.
임의의 실시예에서, 발광 장치의 인터페이스는 광 격자(photonic lattice)를 형성할 수 있는 홀로 패턴화된다. 공간적으로 변화하는 유전체 기능(예를 들어, 광 격자)을 갖는 적절한 LED는, 예를 들어, 2003년 11월 26일에 출원되고 "개선된 추출 효율을 갖는 발광 장치(Light-emitting devices with improved extraction efficiency)"로 명명된 미국 특허 제6,831,302 B2호에 설명되며, 이는 그 전체가 참조로서 본 명세서에 포함된다. LED를 위한 고 추출 효율은 방출된 광의 높은 파워를 의미하고, 따라서 다양한 광학 시스템에서 필요할 수 있는 고휘도를 의미한다.
또한, 각변위 변환(angular displacement transformation)을 포함하되 이에 한정되지 않는 수학적 함수에 따라 전구체 패턴(precursor pattern)의 변환에 따르는 패턴을 포함하는, 다른 패턴이 가능함을 이해해야 한다. 또한, 패턴은 각변위 변환에 따르는 패턴을 포함하되 이에 한정되지 않는 변환된 패턴의 일부를 포함할 수 있다. 또한, 패턴은 회전에 의해 서로에게 관련되는 패턴을 갖는 영역을 포함할 수 있다. 이러한 패턴의 다양성은 2006년 3월 7일에 출원되고 "패턴화된 장치 및 관련 방법(Patterned devices and related methods)"으로 명명된 미국 특허 공보 제20070085098호에 설명되며, 이는 그 전체가 참조로서 본 명세서에 포함된다.
광은 이하에서와 같이 LED에 의해 발생될 수 있다. p-측 접촉 층은 n-측 접촉 패드에 대해 양의 전위에서 유지될 수 있으며, 이는 전류가 LED 내로 주입되게 한다. 전류가 활성 영역을 통과할 때, n-도핑된 층(들)으로부터의 전자는 활성 영역 내에서 p-도핑된 층(들)으로부터의 홀과 결합될 수 있으며, 이는 활성 영역이 광을 발생시키게 할 수 있다. 활성 영역은, 활성 영역을 형성하는 재료의 특성인 파장의 스펙트럼으로 광이 발생되는 다수의 점 쌍극자 방사원(multitude of point dipole radiation source)을 포함할 수 있다. InGaN/GaN 양자 우물에 있어서, 광 발생 영역에 의해 발생된 광의 파장의 스펙트럼은, 인간 눈에 의해 청색 광(blue light)으로 감지되는, 약 445 나노미터(nm)의 피크 파장과 약 30nm의, 최대의 반에서의 전체 폭(full width at half maximum: FWHM)을 가질 수 있다. LED에 의해 방출된 광은 광이 통과하는 모든 패턴화된 표면에 의해 영향을 받을 수 있으며, 따라서, 패턴은 광 추출 및/또는 시준에 영향을 미치도록 배열될 수 있다.
다른 실시예에서, 활성 영역은, 자외선(예를 들어, 약 370 내지 390nm의 피크 파장을 갖음), 자색 광(예를 들어, 약 390 내지 430nm의 피크 파장을 갖음), 청색 광(예를 들어, 약 430 내지 480nm의 피크 파장을 갖음), 청록색 광(예를 들어, 약 480 내지 500nm의 피크 파장을 갖음), 녹색 광(예를 들어, 약 500 내지 550nm의 피크 파장을 갖음), 황록색 광(예를 들어, 약 550 내지 575nm의 피크 파장을 갖음), 황색 광(예를 들어, 약 575 내지 595nm의 피크 파장을 갖음), 황갈색 광(예를 들어, 약 595 내지 605nm의 피크 파장을 갖음), 주황색 광(예를 들어, 약 605 내지 620nm의 피크 파장을 갖음), 적색 광(예를 들어, 약 620 내지 700nm의 피크 파장을 갖음), 및/또는 적외선(예를 들어, 약 700 내지 1200nm의 피크 파장을 갖음)에 대응하는 피크 파장을 갖는 광을 발생시킬 수 있다.
임의의 실시예에서, LED는 높은 광 출력 파워를 갖는 광을 방출할 수 있다. 전술한 바와 같이, 방출된 광의 높은 파워는 LED의 광 추출 효율에 영향을 주는 패턴의 결과일 수 있다. 예를 들어, LED에 의해 방출된 광은 0.5 와트보다 큰 전체 파워를 가질 수 있다(예를 들어, 1 와트보다 크고, 5 와트보다 크고, 또는 10 와트보다 큼). 일부 실시예에서, 발생된 광은 100 와트 미만의 전체 파워를 가지지만, 이는 모든 실시예를 제한하는 것으로 여겨져서는 안 된다. LED로부터 방출된 광의 전체 파워는, 예를 들어, 스피어 옵틱스 랩 시스템즈(Sphere Optics Lab Systems)의 SLM12와 같은 분광계가 설비된 통합 스피어(integrating sphere)를 사용하여 측정될 수 있다. 목표하는 파워는 LED가 내부에 사용되는 광학 시스템에 부분적으로 의존한다. 예를 들어, 디스플레이 시스템(예를 들어, LCD 시스템)은, 디스플레이 시스템을 조사하는 데 사용되는 LED의 전체 개수를 감소시킬 수 있는 고휘도 LED를 포함함으로 인한 이점을 가질 수 있다.
또한, LED에 의해 발생된 광은 높은 전체 파워 플럭스를 가질 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "전체 파워 플럭스(total power flux)"라는 용어는 방출 영역에 의해 분할된 전체 광학 파워를 일컫는다. 일부 실시예에서, 전체 파워 플럭스는 0.03 와트/㎟ 초과, 0.05 와트/㎟ 초과, 0.1 와트/㎟ 초과, 또는 0.2 와트/㎟ 초과이다. 그러나, 본 명세서에 제시된 시스템과 방법에 사용된 LED는 전술한 파워와 파워 플럭스 값에 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다.
도 9는 발광 다이(120)의 배열을 도시한다. 다이는 기판(262) 상의 플립-칩 설계(flip-chip design) 내에 배열된다. 각각의 발광 다이는 각 다이에 관련된 각각의 전기 접점(미도시)에 연결된 전기 연결 라인(264)을 통해 전기적으로 어드레스가능할 수 있다. 다이는 공통의 배면 전기 접점(266)을 공유한다.
일부 실시예에서, 발광 장치는 패키징될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 발광 장치는 다양한 시스템과 응용에 사용될 수 있다. 예를 들어, 발광 장치는 조명 조립체 내에 사용될 수 있다. 적절한 조사 조립체는, 예를 들어, 공동 소유된 미국 특허 제7,450,311호에 설명되며, 이는 그 전체가 참조로서 본 명세서에 포함된다. 또한, 발광 장치는 전반조명 조립체에 사용될 수 있다. 또한, 적절한 시스템은, 예를 들어, 공동 소유된 미국 특허 제7,166,871호에 설명되며, 이는 그 전체가 참조로서 본 명세서에 포함된다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 구조물(예를 들어, 층, 영역)이 다른 구조물 "상에(on)", "위에(over)", "위에 놓인(overlying)" 또는 "에 의해 지지되는(supported by)"으로 언급될 시, 이는 직접 구조물 상에 있거나, 개재된 구조물(예를 들어, 층, 영역)이 또한 존재할 수 있다. 다른 구조물 "직접 위에(directly on)" 또는 "과 접촉한(in contact with)" 구조물은 개재된 구조물이 존재하지 않는다는 것을 의미한다.
본 발명의 적어도 하나의 실시예의 몇몇 태양이 설명되었으며, 따라서, 다양한 변경, 수정, 및 개량이 본 기술분야의 당업자에 의해 쉽게 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있다. 이러한 변경, 수정, 및 개량은 본 명세서의 일부인 것으로 의도되며, 본 발명의 취지와 범주 내에 있는 것으로 의도된다. 따라서, 전술한 설명과 도면은 예시의 목적만을 갖는다.

Claims (23)

  1. 발광 장치이며,
    발광하도록 설계되는 발광 다이오드를 포함하고, 발광 다이오드는 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획을 적어도 포함하고,
    제1 발광 구획 및 제2 발광 구획은 독립적으로 전기적으로 어드레스가능하도록 구성되고,
    발광 구획들 중 적어도 하나는 광이 통과하는 파장 변환 재료 층을 포함하는
    발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    제1 발광 구획으로부터 방출된 광은 제2 발광 구획으로부터 방출된 광과 상이한 파장을 갖는 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    제1 발광 구획으로부터 방출된 광은 제2 발광 구획으로부터 방출된 광과 상이한 색온도를 갖는 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    발광 다이오드 어레이를 더 포함하고,
    어레이 내의 발광 다이오드는 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획을 적어도 포함하고, 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획은 독립적으로 전기적으로 어드레스가능하도록 구성되는 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    발광 다이오드는 독립적으로 전기적으로 어드레스가능하도록 구성되는 적어도 5개의 발광 구획을 포함하는 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    발광 구획들 중 적어도 2개는 광이 통과하는 파장 변환 재료 층을 포함하는 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    발광 다이오드는 백색광을 방출하도록 구성되는 발광 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    발광 구획들 각각으로부터 방출된 광은 백색광을 형성하도록 조합되는 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    발광 구획들 중 적어도 하나는 발광 다이오드로부터의 발광을 컬러 밸런싱시키기 위해 발광하도록 구성되는 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    발광 구획들 각각으로부터 방출된 광은 단색 가시광을 생성하도록 혼합되는 발광 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    단일 발광 다이는 1 mm2보다 큰 발광 표면을 갖는 발광 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    파장 변환 재료는 인광체 재료를 포함하는 발광 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    제1 발광 구획 및 제2 발광 구획의 영역은 약 200 ㎛보다 큰 발광 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    서브마운트를 더 포함하고, 발광 다이오드는 서브마운트 상에 장착되는 발광 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    발광 구획들 중 적어도 하나는 파장 재료 층이 결여된 발광 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    발광 다이오드는 적색 파장 변환 재료 층을 포함하는 제1 발광 구획과, 황갈색 또는 황록색 파장 변환 재료를 포함하는 제2 발광 구획과, 다른 발광 구획들 중 적어도 하나에 인접하여 위치 설정된 파장 변환 재료 층이 결여된 제3 발광 구획을 포함하는 발광 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    방출된 광의 광학 경로에서 발광 영역의 적어도 일부에 걸쳐 배열되는 근접 광학 소자를 더 포함하는 발광 장치.
  18. 제1항에 따른 발광 장치를 포함하는 조명 조립체.
  19. 발광 장치이며,
    발광하도록 설계되는 발광 다이오드를 포함하고, 발광 다이오드는 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획을 적어도 포함하고,
    제1 발광 구획 및 제2 발광 구획 각각은 이들과 관련된 2개의 전기 접점을 갖고, 제1 발광 구획과 관련된 전기 접점들 중 적어도 하나는 제2 발광 구획과 관련된 전기 접점과 상이하고,
    발광 구획들 중 적어도 하나는 파장 변환 재료 층을 포함하고,
    제1 발광 구획으로부터 방출된 광은 제2 발광 구획으로부터 방출된 광과 상이한 파장을 갖는 발광 장치.
  20. 발광하도록 설계되는 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치를 제공하는 단계로서, 발광 다이오드는 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획을 적어도 포함하고, 발광 구획들 중 적어도 하나는 광이 통과하는 파장 변환 재료 층을 포함하는, 발광 장치를 제공하는 단계와,
    제2 구획으로 전류를 제공하는 것과는 별개로 제1 발광 구획으로 전류를 제공하는 단계를 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    제1 발광 구획으로부터 방출된 광은 제2 발광 구획으로부터 방출된 광과 상이한 파장을 갖는 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    제1 발광 구획에 제2 발광 구획과 상이한 전류 레벨이 제공되는 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    발광 다이오드에 의해 방출된 광의 파장을 제어하기 위해 제1 발광 구획 및 제2 발광 구획에 제공되는 전류 레벨을 제어하는 단계를 더 포함하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140143398A (ko) * 2012-03-19 2014-12-16 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 반도체 칩, 및 상기 반도체 칩을 포함한 헤드램프

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006023149A2 (en) 2004-07-08 2006-03-02 Color Kinetics Incorporated Led package methods and systems
US8203260B2 (en) * 2007-04-13 2012-06-19 Intematix Corporation Color temperature tunable white light source
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
CN102257317A (zh) * 2008-10-17 2011-11-23 发光装置公司 远程照明组件和方法
KR20120092614A (ko) * 2009-10-01 2012-08-21 루미너스 디바이시즈, 아이엔씨. 발광 소자 어레이
WO2011122655A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 三菱化学株式会社 発光装置
CN102376832A (zh) * 2010-08-10 2012-03-14 艾笛森光电股份有限公司 白光发光二极管
KR20130129951A (ko) 2010-10-21 2013-11-29 코닌클리케 필립스 엔.브이. 휘도 분포 제어 수단을 갖는 ｏｌｅｄ 장치
US8872217B2 (en) 2011-04-15 2014-10-28 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US9159886B2 (en) * 2011-04-19 2015-10-13 Intellectual Discovery Co., Ltd. Lighting apparatus with a carrier layer
US20130093362A1 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing tunable light emitting device with remote wavelength conversion
US8835961B2 (en) 2012-08-02 2014-09-16 Intermolecular, Inc. Index-matched insulators
US9147816B2 (en) 2012-08-24 2015-09-29 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting material deposition methods and associated articles
US8900897B2 (en) 2013-01-10 2014-12-02 Intermolecular, Inc. Material with tunable index of refraction
USD777121S1 (en) 2013-03-05 2017-01-24 Luminus Devices, Inc. LED package
CN103474451A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 深圳市华星光电技术有限公司 彩色oled器件及其制作方法
CN103579462A (zh) * 2013-11-12 2014-02-12 奇瑞汽车股份有限公司 一种汽车led转向灯的光源
US9995440B2 (en) 2014-12-08 2018-06-12 Intematix Corporation Color temperature tunable and dimmable solid-state linear lighting arrangements
CN114373397B (zh) * 2020-10-15 2023-07-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 发光基板、发光母板、获得发光基板的方法及显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
WO2000017903A2 (en) * 1998-09-22 2000-03-30 Fed Corporation Inorganic-based color conversion matrix element for organic color display devices and method of fabrication
GB2344691A (en) * 1998-12-12 2000-06-14 Sharp Kk An electroluminescent device
GB0011749D0 (en) * 2000-05-17 2000-07-05 Cambridge Display Tech Ltd Light-eminating devices
JP2003017751A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
US20040130263A1 (en) * 2003-01-02 2004-07-08 Ray-Hua Horng High brightness led and method for producing the same
US7166871B2 (en) * 2003-04-15 2007-01-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting systems
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7450311B2 (en) * 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
KR100576853B1 (ko) * 2003-12-18 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
WO2006023149A2 (en) * 2004-07-08 2006-03-02 Color Kinetics Incorporated Led package methods and systems
US20070273290A1 (en) * 2004-11-29 2007-11-29 Ian Ashdown Integrated Modular Light Unit
US8125137B2 (en) * 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
KR20080030038A (ko) * 2005-06-23 2008-04-03 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 장치 및 그 설계 방법
CN101268554A (zh) * 2005-09-19 2008-09-17 皇家飞利浦电子股份有限公司 可变色发光器件及其控制方法
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
US8089074B2 (en) * 2005-09-30 2012-01-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes
EP1770676B1 (en) * 2005-09-30 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US20070085098A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 Luminus Devices, Inc. Patterned devices and related methods
JP2007288139A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Sumitomo Chemical Co Ltd モノシリック発光デバイス及びその駆動方法
ATE474438T1 (de) * 2006-11-10 2010-07-15 Philips Solid State Lighting Verfahren und vorrichtung zur steuerung von hintereinandergeschalteten led
JP2008251644A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Sharp Corp 半導体発光装置
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140143398A (ko) * 2012-03-19 2014-12-16 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전자 반도체 칩, 및 상기 반도체 칩을 포함한 헤드램프

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010036364A1 (en) 2010-04-01
CN102265401A (zh) 2011-11-30
US20100219767A1 (en) 2010-09-02
CN102265401B (zh) 2016-11-09
US8643266B2 (en) 2014-02-04

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