KR20110054726A

KR20110054726A - Appratus for treating substrate

Info

Publication number: KR20110054726A
Application number: KR1020090111481A
Authority: KR
Inventors: 도재철; 전부일; 송명곤; 이정락; 최승대
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2009-11-18
Filing date: 2009-11-18
Publication date: 2011-05-25

Abstract

PURPOSE: A substrate processing device is provided to improve the uniformity of a thin film deposition or etching by uniformly distributing an electromagnetic field. CONSTITUTION: A proves chamber(112) provides a reaction space by combining a lead with an opening with a body and a peripheral part. A plurality of plasma source electrodes(114) are formed on the surface of the lead corresponding to the process chamber. A magnetic filed generating device seals the opening and is installed around the lead to leave the magnetic field in the peripheral part of the reaction space. An RF power source applies power to a plurality of plasma source electrodes. A substrate receiving unit(122) is located in the reaction space and receives the substrate.

Description

기판처리장치{Appratus for treating substrate}Apparatus for treating substrate

본 발명은 반응공간의 플라즈마 밀도를 균일하게 유지하기 위하여 공정챔버의 주변부에 자기장 발생장치를 설치한 기판처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus in which a magnetic field generating device is provided at a periphery of a process chamber in order to maintain a uniform plasma density of a reaction space.

일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다. In general, in order to manufacture a semiconductor device, a display device, and a thin film solar cell, a thin film deposition process of depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process of exposing or hiding selected areas of the thin films using a photosensitive material, The thin film is removed and patterned through an etching process. Among these processes, a thin film deposition process and an etching process are performed in a substrate processing apparatus optimized in a vacuum state.

증착공정 및 식각공정에서 사용되는 기판처리장치는 플라즈마의 발생방식에 따라 유도결합 플라즈마(Inductively coupled plasma: ICP)와 축전결합 플라즈마 (capacitively coupled plasma: CCP)의 방식으로 구분되며, 일반적으로 유도결합 플라즈마는 RIE(reactive ion etching) 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 이용되고, 축전결합 플라즈마는 HDP(high density plasma etching)을 사용하는 식각 및 증착장치에 이용된다. 유도결합 플라즈마와 축전결합 플라즈마 방법은 플라즈마를 발생시키는 원리가 다르고 각각 장단점을 가지고 있어서, 필요에 따라 선택적으로 이용한다. Substrate processing apparatuses used in the deposition process and the etching process are classified into inductively coupled plasma (ICP) and capacitively coupled plasma (CCP) according to the plasma generation method. Is used for reactive ion etching (RIE) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and capacitively coupled plasma is used for etching and deposition apparatus using high density plasma etching (HDP). The inductively coupled plasma and the capacitively coupled plasma method differ in principle of generating plasma and have advantages and disadvantages, respectively, and are selectively used as necessary.

도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 2는 종래기술에 따른 다수의 피딩라인과 연결된 후방 플레이트의 사시도이다. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the prior art, and FIG. 2 is a perspective view of a rear plate connected to a plurality of feeding lines according to the prior art.

도 1과 같이, 축전결합 플라즈마 방식을 이용한 기판처리장치(10)는 반응공간을 제공하는 공정챔버(12), 공정챔버(12) 내부의 상부에 위치하며, 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(14), 후방 플레이트(14)와 연결되고 공정챔버(12)의 내부에 공정가스를 공급하는 가스 공급관(36), 후방 플레이트(14)의 하부에 위치하며, 다수의 분사홀(16)을 가지는 알루미늄 재질의 가스분배판(18), 플라즈마 전극과 대향전극으로 사용되며 기판(20)이 안치되는 기판안치대(22), 기판(20)을 공정챔버(12)로 출입 또는 반출시키기 위한 기판 출입구(40) 및 공정챔버(12)의 내부에서 사용되는 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배출구(24)로 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 using the capacitively coupled plasma method is disposed on the process chamber 12 and the process chamber 12 that provides a reaction space, and the rear plate 14 used as a plasma electrode. ), A gas supply pipe 36 connected to the rear plate 14 and supplying a process gas to the inside of the process chamber 12, positioned below the rear plate 14, and having a plurality of injection holes 16. Substrate entrance 22 which is used as the gas distribution plate 18, the plasma electrode and the counter electrode of the material and the substrate 20 is placed, and the substrate entrance for transporting the substrate 20 into or out of the process chamber 12 ( 40) and an outlet 24 for discharging the reaction gas and by-products used in the process chamber 12.

가스 공급관(36)은 피딩 라인(feeding line)(38)에 의해서 RF 전원(30)과 연결된다. RF 전원(30)과 피딩 라인(38) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매 처(matcher)(32)가 설치된다. 기판안치대(22) 및 공정챔버(12)는 접지된 상태이다. 가스분배판(18)은 후방 플레이트(14)와 버퍼공간(26)을 가지고, 후방 플레이트(14)로부터 연장되어 연결되는 지지대(28)에 거치된다. 일반적으로 RF전원(30)은 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(14)의 중심부에 인가되고, 후방 플레이트(14)와 접지된 기판안치대(22) 사이에서 RF 전자기장이 형성된다. RF 전자기장에 의해 공정가스가 이온화 또는 활성화되어 박막증착 또는 박막식각을 기판처리공정이 수행된다. The gas supply pipe 36 is connected to the RF power supply 30 by a feeding line 38. A matcher 32 for impedance matching is provided between the RF power supply 30 and the feeding line 38. The substrate support 22 and the process chamber 12 are grounded. The gas distribution plate 18 has a rear plate 14 and a buffer space 26 and is mounted on a support 28 which extends from and is connected to the rear plate 14. In general, the RF power source 30 is applied to the center of the rear plate 14 used as the plasma electrode, and an RF electromagnetic field is formed between the rear plate 14 and the grounded substrate stabilizer 22. The process gas is ionized or activated by the RF electromagnetic field to perform a thin film deposition or thin film etching process.

도 1과 같은 축전결합 플라즈마 방식의 기판처리장치(10)에서, 일반적으로 공정챔버(12)의 내부에서 측벽으로 갈수록 중앙부와 비교하여 플라즈마 밀도가 낮아지는 경향이 있다. 또한, 플라즈마 전극으로 사용하는 후방 플레이트(14)의 크기가 RF파의 파장에 가까워질수록, 플라즈마 소스 전극에 인가되는 RF 파장이 일정한 위치를 유지하여 진행하지 않는 파장으로 보이는 정상파 효과(standing wave effect)가 나타난다. 정현파인 정상파에 의해, 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(14)의 중심부는 고전압이 인가되지만 후방 플레이트(14)의 주변부는 저전압이 인가되어 불균일한 전자기장 분포를 나타낸다. 불균일한 전자기장으로 인해, 박막의 증착 또는 식각이 불균일하게 진행된다.In the capacitively coupled plasma substrate processing apparatus 10 as shown in FIG. 1, in general, the plasma density tends to decrease as compared to the central portion of the process chamber 12 toward the side wall. In addition, the closer the size of the rear plate 14 used as the plasma electrode is to the wavelength of the RF wave, the standing wave effect that appears as a wavelength at which the RF wavelength applied to the plasma source electrode does not proceed while maintaining a constant position. ) Appears. Due to the sinusoidal standing wave, a high voltage is applied to the center portion of the rear plate 14 used as the plasma electrode, but a low voltage is applied to the periphery of the rear plate 14 to show non-uniform electromagnetic field distribution. Due to the non-uniform electromagnetic field, the deposition or etching of the thin film proceeds unevenly.

RF 전자기장의 불균일한 분포를 해소하기 위하여, 도 2와 같이, 다수의 피딩 라인(50)을 통하여 RF전원(30)을 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(14)에 인가할 수 있다. 그러나, 후방 플레이트(14)에 다수의 피딩 라인(50)을 통하여 RF 전원(30)을 연결하여도, 정상파 효과에 의한 전기장의 불균일한 분포가 발생한다. In order to solve the non-uniform distribution of the RF electromagnetic field, as shown in FIG. 2, the RF power supply 30 may be applied to the rear plate 14 used as the plasma electrode through the plurality of feeding lines 50. However, even when the RF power source 30 is connected to the rear plate 14 through a plurality of feeding lines 50, an uneven distribution of the electric field due to the standing wave effect occurs.

상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 RF파 파장보다 작은 크기를 가지는 다수의 플라즈마 소스전극을 설치하여 정상파 효과를 극복하고, 공정챔버의 주변부에 자기장 발생장치를 설치하여 주변부의 플라즈마 밀도를 보상하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the problems of the prior art as described above, the present invention overcomes the standing wave effect by installing a plurality of plasma source electrodes having a size smaller than the RF wave wavelength, and by installing a magnetic field generator at the periphery of the process chamber An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that compensates for plasma density.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 몸체 및 주변부에 개구가 형성된 리드가 결합하여 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버 내부와 대응되는 상기 리드의 표면에 형성되는 다수의 플라즈마 소스전극; 상기 반응공간의 주변부에 자기장을 유기시키기 위하여, 상기 개구를 밀봉하면서 상기 리드의 상기 주변부에 설치되는 자기장 발생장치; 상기 다수의 플라즈마 소스전극에 전력을 인가하는 RF전원; 및 상기 반응공간에 위치하고 기판이 안치되는 기판안치수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.Substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the process chamber for providing a reaction space is coupled to the lead formed in the body and the periphery opening; A plurality of plasma source electrodes formed on a surface of the lead corresponding to the inside of the process chamber; A magnetic field generating device installed in the peripheral portion of the lid while sealing the opening to induce a magnetic field in the peripheral portion of the reaction space; An RF power source for applying power to the plurality of plasma source electrodes; And substrate placing means positioned in the reaction space and having a substrate placed therein.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 자기장 발생장치는, 상기 개구를 밀봉하고 삽입홀을 가지는 플레이트; 상기 삽입홀의 내부에 설치되는 도선; 상기 도선과 연결되는 직류전원; 및 상기 삽입홀의 내부에 설치되고 상기 도선을 감싸는 반원형의 단면을 가지는 전자석;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the magnetic field generating apparatus comprises: a plate sealing the opening and having an insertion hole; A conductive wire installed inside the insertion hole; A direct current power source connected to the conductive wires; And an electromagnet installed in the insertion hole and having a semicircular cross section surrounding the conductive wire.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 개구는 상기 리드의 상기 주변부에 다수 설치되고, 상기 자기장 발생장치는, 다수의 상기 개구를 밀봉하고 삽입홀을 가지는 다수의 플레이트; 상기 다수의 플레이트 각각의 상기 삽입홀의 내부 설치되는 다수의 도선;을 포함하고, 상기 다수의 도선은 하나의 상기 직류전원에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 한다. In the substrate processing apparatus as described above, the opening is provided in a plurality of the peripheral portion of the lead, the magnetic field generating device, a plurality of plates sealing the plurality of the opening and having an insertion hole; And a plurality of conductive wires installed inside the insertion hole of each of the plurality of plates, wherein the plurality of conductive wires are connected in parallel to one of the DC power sources.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 플레이트는, 상기 반응공간의 외부와 대응하는 상기 개구에 위치하는 상부 플레이트; 및 상기 상부 플레이트와 결합하여 상기 삽입홀을 형성하고, 상기 반응공간의 내부와 대응하는 상기 개구에 위치한 하부 플레이트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the plate, the upper plate located in the opening corresponding to the outside of the reaction space; And a lower plate coupled to the upper plate to form the insertion hole and positioned in the opening corresponding to the inside of the reaction space.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트는 유전재질의 세라믹으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the upper plate and the lower plate is characterized in that formed of a dielectric ceramic.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 개구의 내부에는 상기 플레이트가 거치되는 거치부가 형성되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, a mounting portion through which the plate is mounted is formed in the opening.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서 상기 거치부 상에 위치한 상기 플레이트 를 고정시키고, 상기 개구를 상기 플레이트에 의해서 밀봉시키는 다수의 고정대를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, it characterized in that it comprises a plurality of fixing rods for fixing the plate located on the mounting portion and sealing the opening by the plate.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 자기장 발생장치는, 상기 개구를 밀봉하고 삽입홀을 가지는 플레이트; 상기 삽입홀의 내부에 설치되고 튜브형태의 전자석; 상기 전자석을 다수의 턴으로 감싸는 도선; 및 상기 도선과 연결되는 직류전원;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the magnetic field generating apparatus comprises: a plate sealing the opening and having an insertion hole; An electromagnet installed in the insertion hole and in the form of a tube; A conductive wire surrounding the electromagnet with a plurality of turns; And a direct current power source connected to the conducting wire.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 개구는 상기 리드의 상기 주변부에 다수 설치되고, 상기 자기장 발생장치는, 다수의 상기 개구를 밀봉하고 삽입홀을 가지는 다수의 플레이트; 상기 다수의 플레이트 각각의 상기 삽입홀의 내부 설치되는 튜브형태의 다수의 전자석; 상기 다수의 전자석 각각을 다수의 턴으로 감싸는 다수의 도선;을 포함하고, 상기 다수의 도선은 하나의 상기 직류전원에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 한다. In the substrate processing apparatus as described above, the opening is provided in a plurality of the peripheral portion of the lead, the magnetic field generating device, a plurality of plates sealing the plurality of the opening and having an insertion hole; A plurality of electromagnets in the form of tubes installed inside the insertion holes of the plurality of plates; And a plurality of conductive wires surrounding each of the plurality of electromagnets with a plurality of turns, wherein the plurality of conductive wires are connected to one DC power source in parallel.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 전자석은 사각형의 단면을 가지는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the electromagnet has a rectangular cross section.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 전자석은 제 1 파트와 상기 제 1 파트에서 수직으로 연장되는 제 2 파트를 포함하는 엘보우 형태로 제작되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the electromagnet is characterized in that it is manufactured in the form of an elbow including a first part and a second part extending vertically from the first part.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 자기장 발생장치는 상기 전자석에 상기 도선을 인접하게 위치시키는 도선 고정부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the magnetic field generating device includes a conductor fixing portion for placing the conductor adjacent to the electromagnet.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 도선 고정부는, 상기 전자석의 상하면 및 양측면을 감싸는 연포부; 및 상기 전자석의 상기 양측면과 대응되는 상기 연포부에 설치되고 상기 도선이 통과하는 다수의 통과부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the conductive wire fixing portion, the soft foam portion surrounding the upper and lower surfaces and both sides of the electromagnet; And a plurality of passage parts installed in the soft foam parts corresponding to both sides of the electromagnet and through which the conductive wire passes.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 플라즈마 소스전극은 서로 평행하게 등간격으로 배열되고 상기 RF전원과 병렬로 연결된 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the plurality of plasma source electrodes are arranged in parallel at equal intervals and connected in parallel with the RF power source.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 리드와 상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각의 사이에 설치된 다수의 절연판을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, it characterized in that it comprises a plurality of insulating plates provided between the lead and each of the plurality of plasma source electrodes.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 자기장 발생장치는 상기 다수의 플라즈마 소스전극이 형성되지 않은 상기 리드의 주변부에 설치되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the magnetic field generating apparatus is installed in the periphery of the lead where the plurality of plasma source electrodes are not formed.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 자기장 발생장치는 상기 리드의 모서리와 대응되는 상기 리드의 주변부에 설치되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the magnetic field generating device is installed on the periphery of the lead corresponding to the edge of the lead.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 플라즈마 소스전극과 상기 RF전원을 연결하는 피딩라인을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, characterized in that it further comprises a feeding line for connecting the plasma source electrode and the RF power source.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 피딩라인은, 상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각을 연결하는 다수의 서브 피딩라인; 및 상기 다수의 서브 피딩라인을 상기 RF전원에 연결하는 메인 서브 피딩라인;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the feeding line comprises: a plurality of sub-feeding lines connecting each of the plurality of plasma source electrodes; And a main sub feeding line connecting the plurality of sub feeding lines to the RF power source.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 반응공간에 공정가스를 공급하는 가스분사수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, further comprising a gas injection means for supplying a process gas to the reaction space.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가스분사수단은 상기 다수의 플라즈마 소스전극 사이의 상기 리드에 설치되는 다수의 제 1 가스분사수단과 상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각에 설치되는 다수의 제 2 가스분사수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the gas injection means includes a plurality of first gas injection means provided in the lead between the plurality of plasma source electrodes and a plurality of second gases provided in each of the plurality of plasma source electrodes. It characterized in that it comprises a injection means.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 제 1 가스분사수단 각각은, 상기 리드에 통하여 인입되는 가스유입관; 상기 리드 내부에 형성되고 상기 가스유입관과 연통되는 수용공간; 상기 수용공간의 하부에 위치하고, 상기 공정가스를 상기 반응공간에 분사하는 가스분배판;을 포함하는 것을 특징으로 힌다.In the substrate processing apparatus as described above, each of the plurality of first gas injection means, the gas inlet pipe introduced through the lead; An accommodation space formed inside the lid and in communication with the gas inlet pipe; Located in the lower portion of the receiving space, the gas distribution plate for injecting the process gas into the reaction space; comprises a.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 2 가스분사수단은, 상기 리드 및 상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각을 통하여 인입되는 가스유입관; 상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각의 내부에 형성되고 상기 가스유입관과 연통되는 수용공 간; 상기 수용공간의 하부에 위치하고, 상기 공정가스를 상기 반응공간에 분사하는 가스분배판;을 포함하는 것을 특징으로 한다. In the substrate processing apparatus as described above, the second gas injection means, the gas inlet pipe introduced through each of the lead and the plurality of plasma source electrodes; A receiving space formed inside each of the plurality of plasma source electrodes and communicating with the gas inlet pipe; Located in the lower portion of the receiving space, the gas distribution plate for injecting the process gas into the reaction space; characterized in that it comprises a.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 리드의 상부에 상기 피딩라인을 수용하기 위한 밀폐공간을 제공하는 하우징; 및 상기 하우징에 설치되는 냉각장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate treating apparatus as described above, comprising: a housing providing an airtight space for accommodating the feeding line on an upper portion of the lid; And a cooling device installed in the housing.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 냉각장치는, 상기 하우징의 측면에 설치되는 다수의 환풍구; 및 상기 다수의 환풍구 각각에 설치되는 다수의 팬;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the cooling device, a plurality of ventilation holes provided on the side of the housing; And a plurality of fans installed in each of the plurality of ventilation holes.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 공정챔버 및 상기 기판안치수단은 플라즈마 접지전극으로 사용되는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus as described above, the process chamber and the substrate placing means are used as a plasma ground electrode.

본 발명은, RF파 파장보다 작은 크기를 가지는 다수의 플라즈마 소스전극을 구비하여, 정상파 효과를 극복하고, 공정챔버의 주변부에 설치된 자기장 발생장치에 의해 반응공간의 주변부에서 플라즈마 밀도를 보상하여, 플라즈마 밀도의 불균일성을 개선할 수 있다. 전자기장을 균일하게 분포시킴으로써, 박막증착 또는 박막식각의 균일도를 개선할 수 있다. The present invention includes a plurality of plasma source electrodes having a size smaller than the wavelength of the RF wave, overcomes standing wave effects, and compensates the plasma density at the periphery of the reaction space by a magnetic field generator installed at the periphery of the process chamber, The nonuniformity of density can be improved. By uniformly distributing the electromagnetic field, it is possible to improve the uniformity of thin film deposition or thin film etching.

이하에서는 도면을 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

제 1 First 실시예Example

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 전극 및 자기장 발생장치의 배치도이고, 도 5는 도 3의 A에 대한 확대 단면도이고, 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 자기장 발생장치의 분해 사시도이고, 도 7a는 도 3의 B에 대한 확대 단면도이고, 도 7b는 도 3의 C에 대한 확대 단면도이고, 도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 하우징의 사시도이다.3 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4 is a layout view of a plasma electrode and a magnetic field generating device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an exploded perspective view of the magnetic field generating device according to the first embodiment of the present invention, FIG. 7A is an enlarged cross-sectional view of FIG. 3B, FIG. 7B is an enlarged cross-sectional view of FIG. 3C, 8 is a perspective view of a housing according to a first embodiment of the present invention.

도 3과 같이, 축전결합 플라즈마 방식을 이용한 기판처리장치(110)는 리드(112a)와 몸체(112b)의 결합에 의해 반응공간이 제공되는 공정챔버(112), 공정챔버(112)의 내부와 대응되는 리드(112a)의 표면에 설치되는 다수의 플라즈마 소스전극(114), 리드(112a)의 주변부에 설치되는 자기장 발생장치(120), 공정챔버(112)의 외부와 대응되는 리드(112a) 상부에 설치되고 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각과 연결되는 피딩라인(118), 다수의 플라즈마 소스전극(114) 또는 다수의 플라즈마 소스전극(114) 사이의 리드(112a)에 설치되는 가스분사수단(124), 및 기판(121)이 안치되고 플라즈마 접지전극으로 사용되는 기판안치수단(122)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 110 using the capacitively coupled plasma method includes a process chamber 112 and an inside of the process chamber 112 in which a reaction space is provided by the coupling of the lead 112a and the body 112b. A plurality of plasma source electrodes 114 provided on the surface of the corresponding lead 112a, the magnetic field generating device 120 provided at the periphery of the lead 112a, and the lead 112a corresponding to the outside of the process chamber 112 Gas injection disposed in the feeding line 118, the plurality of plasma source electrodes 114, or the leads 112a between the plurality of plasma source electrodes 114, which are installed on the upper side and connected to each of the plurality of plasma source electrodes 114. Means 124, and the substrate 121 is disposed and comprises a substrate set means 122 which is used as a plasma ground electrode.

기판처리장치(110)는 공정챔버(112)의 외부와 대응되는 리드(112a)의 상부에 위치하고, 피딩라인(118)을 수용하기 위한 하우징(136), 기판(121)을 반입 및 반출시키기 위한 출입구(130), 반응공간의 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배기구(132), 및 기판(120) 상부의 주변부에 박막이 증착되거나 박막이 식각되는 것을 방지하기 위한 에지 프레임(134)을 더욱 포함하여 구성될 수 있다. The substrate processing apparatus 110 is positioned above the lead 112a corresponding to the outside of the process chamber 112, and the housing 136 for accommodating the feeding line 118 and the carrying in and out of the substrate 121 are provided. The door 130 further includes an exhaust port 132 for discharging the reaction gas and by-products of the reaction space, and an edge frame 134 for preventing the thin film from being deposited or etched in the periphery above the substrate 120. Can be configured.

에지 프레임(134)은 기판(120) 상부의 주변부에서 공정챔버(112)의 내벽 근처까지 연장된다. 에지 프레임(134)은 전기적으로 부유상태(foating state)를 유지한다. 피딩라인(118)은 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각과 연결되는 다수의 서브 피딩라인(118a)과 다수의 서브 피딩라인(118a)을 RF전원(126)과 연결시키는 메인 피딩라인(118b)으로 구성된다.The edge frame 134 extends from the periphery above the substrate 120 to near the inner wall of the process chamber 112. The edge frame 134 is in an electrically floating state. The feeding line 118 is a main feeding line 118b for connecting the plurality of sub-feeding lines 118a connected to each of the plurality of plasma source electrodes 114 and the plurality of sub-feeding lines 118a with the RF power source 126. It consists of.

다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각과 리드(112a) 사이에는 전기적 절연을 위한 다수의 절연판(116)이 설치된다. 공정챔버(112)의 내부와 대응되는 리드(112a)와 직접적으로 밀착하는 다수의 절연판(116)과 다수의 절연판(116) 각각에 직접적으로 밀착하는 다수의 플라즈마 소스전극(114)을 별도로 도시하지 않았지만, 볼트와 같은 체결수단으로 체결한다. A plurality of insulating plates 116 for electrical insulation are provided between each of the plurality of plasma source electrodes 114 and the leads 112a. The plurality of insulating plates 116 directly contacting the leads 112a corresponding to the inside of the process chamber 112 and the plurality of plasma source electrodes 114 directly contacting each of the plurality of insulating plates 116 are not shown separately. Although not fastened by a fastening means such as a bolt.

기판처리장치(110)에서 RF전원(126)이 인가되는 다수의 플라즈마 소스전극(114)에 대하여, 접지되는 리드(112a), 몸체(112b) 및 기판안치수단(122)는 플라 즈마 접지전극으로 사용된다. 리드(112a), 몸체(112b) 및 기판안치수단(122)은 알루미늄 또는 스테인레스 스틸과 같은 금속재질을 사용하여 제작하고, 절연판(116)은 세라믹 재질을 사용하여 제작한다.For the plurality of plasma source electrodes 114 to which the RF power source 126 is applied in the substrate processing apparatus 110, the leads 112a, body 112b, and substrate placing means 122, which are grounded, are plasma ground electrodes. Used. The lead 112a, the body 112b, and the substrate mounting means 122 are made of a metal material such as aluminum or stainless steel, and the insulating plate 116 is made of a ceramic material.

기판안치수단(122)은 기판(121)이 안치되고 기판(121)보다 넓은 면적을 가지는 기판지지판(122a)과 기판지지판(122a)을 승강 및 하강시키는 샤프트(122b)를 포함하여 구성된다. 기판처리장치(110)에서, 기판안치수단(122)은 공정챔버(112)와 동일하게 접지된다. 그러나, 도면에서 도시하지 않았지만, 기판처리공정의 조건에 따라 기판안치수단(122)에 별도의 RF전원이 인가되거나, 전기적으로 부유(floating) 상태를 유지할 수 있다. The substrate mounting means 122 includes a substrate support plate 122a having a larger area than the substrate 121 and a shaft 122b for raising and lowering the substrate support plate 122a. In the substrate processing apparatus 110, the substrate setter 122 is grounded in the same manner as the process chamber 112. However, although not shown in the drawings, a separate RF power source may be applied to the substrate setter 122 or may be electrically floating according to the conditions of the substrate treating process.

기판처리장치(110)에서, 정상파 효과를 방지하기 위하여, RF파의 파장과 비교하여 작은 크기를 가지는 다수의 플라즈마 소스전극(114)을 배열한다. 다수의 플라즈마 전극(114)에 의해, 정상파 효과를 방지하여, 반응공간에서 균일한 플라즈마 밀도를 유지할 수 있다. In the substrate processing apparatus 110, in order to prevent the standing wave effect, a plurality of plasma source electrodes 114 having a small size compared with the wavelength of the RF wave are arranged. By the plurality of plasma electrodes 114, the standing wave effect can be prevented and a uniform plasma density can be maintained in the reaction space.

도 3 및 도 4와 같이 다수의 플라즈마 소스전극(114)을 RF전원(126)과 병렬로 연결시키고, 다수의 플라즈마 소스전극(114)과 RF전원(126) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(128)가 설치된다. RF 전원(126)은 플라즈마 발생효율이 좋은 20 내지 50 MHz 대역의 초고주파(very high frequency: VHF)을 사용할 수 있다. 3 and 4, the plurality of plasma source electrodes 114 are connected in parallel with the RF power source 126, and the matcher 128 for impedance matching between the plurality of plasma source electrodes 114 and the RF power source 126. ) Is installed. The RF power source 126 may use very high frequency (VHF) in the 20 to 50 MHz band having good plasma generation efficiency.

리드(112a)는 장방형 형태이고, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각은 장축과 단축을 가진 스트라이프(stripe) 형태로 제작되고, 서로 동일한 간격으로 평행하게 이격된다. 다수의 서브 피딩라인(118a) 각각은, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각의 양단부에서 연결되거나 또는 도면에서 도시하지 않았지만 다수의 플라즈마 소스전극(114)의 중앙부에서 연결될 수 있다.The leads 112a have a rectangular shape, and each of the plurality of plasma source electrodes 114 is formed in a stripe shape having a long axis and a short axis, and are spaced in parallel at equal intervals. Each of the plurality of sub-feeding lines 118a may be connected at both ends of each of the plurality of plasma source electrodes 114 or at the center of the plurality of plasma source electrodes 114 although not shown in the drawing.

도 4와 같이, 자기장 발생장치(120)는 리드(112a)에서 다수의 플라즈마 소스전극(114)이 형성되지 않은 4 개의 주변부에 각각 설치될 수 있다. 자기장 발생장치(120)는 리드(112a)의 형태에 따라 리드(112a)의 주변부에 다양한 형태로 배열할 수 있다. 4 개의 자기장 발생장치(120)은 직류전원(190)에 병렬로 연결된다.As shown in FIG. 4, the magnetic field generating device 120 may be installed at four peripheral parts of the lead 112a in which the plurality of plasma source electrodes 114 are not formed. The magnetic field generating device 120 may be arranged in various forms at the periphery of the lead 112a according to the shape of the lead 112a. Four magnetic field generators 120 are connected in parallel to the DC power source 190.

도 5는 도 3의 A을 확대한 리드(112a) 및 자기장 발생장치(120)의 단면도이고, 도 5와 같이, 다수의 플라즈마 소스전극(114)이 형성되지 않은 리드(112a)의 주변부에 다수의 개구(160)가 형성된다. 다수의 개구(160) 각각의 내부에는 자기장 발생장치(120)가 거치되는 거치부(162)가 설치된다. FIG. 5 is a cross-sectional view of the lead 112a and the magnetic field generator 120 in which A of FIG. 3 is enlarged, and as shown in FIG. 5, a plurality of portions of the lead 112a in which the plurality of plasma source electrodes 114 are not formed. Openings 160 are formed. Inside each of the plurality of openings 160, a mounting part 162 on which the magnetic field generating device 120 is mounted is installed.

도 5 및 도 6과 같이, 자기장 발생장치(120)는, 절연재질로 형성되는 플레이트(142), 플레이트(142)를 횡축으로 관통하는 삽입홀(144), 삽입홀(144)의 내부에 설치되고 직류전원(190)과 연결되는 도선(146), 삽입홀(144)의 내부에 설치되고 도 선(146)을 감싸는 반원형의 단면을 가지는 전자석(148), 삽입홀(114)의 양단부에서 도선(146)을 고정시키는 지지부(150), 도선(146)에 양단에 연결되어 전류를 인가하는 직류전원(190)을 포함하여 구성된다. As shown in FIGS. 5 and 6, the magnetic field generating device 120 is installed inside the plate 142 formed of an insulating material, the insertion hole 144 penetrating the plate 142 in the horizontal axis, and the insertion hole 144. And a conductive wire 146 connected to the DC power source 190, an electromagnet 148 having a semicircular cross section that is installed inside the insertion hole 144 and surrounds the conductive wire 146, and the conductive wire at both ends of the insertion hole 114. It is configured to include a support 150 for fixing the 146, a DC power source 190 connected to both ends of the conductive wire 146 to apply a current.

플레이트(142)는 일체형으로 형성될 수 있지만, 가공을 용이하게 하기 위하여 상부 및 하부 플레이트(142a, 142b)로 구성할 수 있다. 상부 플레이트(142a)의 하부에는 반원형의 전자석(148)을 수용할 수 있는 반원형의 단면을 가지는 제 1 그루브(144a)가 형성되고, 하부 플레이트(142b)의 상부에는 도선(146)을 수용할 수 있는 반원형의 단면을 가지는 제 2 그루브(144b)가 형성된다. The plate 142 may be formed integrally, but may be configured as the upper and lower plates 142a and 142b to facilitate processing. A first groove 144a having a semicircular cross section for accommodating a semicircular electromagnet 148 may be formed below the upper plate 142a, and a conductive line 146 may be accommodated above the lower plate 142b. A second groove 144b having a semicircular cross section is formed.

제 1 그루브(144a)의 제 1 너비는 제 2 그루브(144b)의 제 2 너비보다 크다. 따라서, 상부 및 하부 플레이트(142a, 142b)가 결합되었을 때, 반원형의 단면을 가지는 전자석(148)은 제 2 그루브(144b)와 인접한 하부 플레이트(142b)에 의해 지지된다. The first width of the first groove 144a is greater than the second width of the second groove 144b. Thus, when the upper and lower plates 142a and 142b are combined, the electromagnet 148 having a semicircular cross section is supported by the lower plate 142b adjacent to the second groove 144b.

플레이트(142)를 상부 및 하부 플레이트(142a, 142b)를 포함하여 구성하는 경우, 도선(146)을 지지하는 지지부(150)는 상부 플레이트(142a)의 제 1 그루브(144a)에 수용되는 상부 지지부(150a)와 하부 플레이트(142b)의 제 2 그루브(144b)에 수용되는 하부 지지부(150b)를 포함하여 구성된다. 제 1 그루브(144a)의 제 1 너비는 제 2 그루브(144b)의 제 2 너비보다 크기 때문에, 상부 지지 부(150a)은 하부 지지부(150b)보다 큰 너비를 가질 수 있다. When the plate 142 is configured to include the upper and lower plates 142a and 142b, the support 150 supporting the conductive line 146 is accommodated in the first groove 144a of the upper plate 142a. And a lower support part 150b accommodated in the second groove 144b of the lower plate 142b. Since the first width of the first groove 144a is larger than the second width of the second groove 144b, the upper support 150a may have a width larger than the lower support 150b.

플레이트(142)는 절연재질로서 세라믹으로 형성될 수 있다. 플레이트(142)가 상부 및 하부 플레이트(142a, 142b)로 구성되는 경우, 상부 및 하부 플레이트(142a, 142b)의 결합에 의해 형성되는 삽입홀(144)이 형성된다. 전자석(148)은 일체형으로 형성할 수 있지만, 조립을 용이하게 하기 위하여 다수로 형성할 수 있다. The plate 142 may be formed of ceramic as an insulating material. When the plate 142 is composed of the upper and lower plates (142a, 142b), the insertion hole 144 is formed by the combination of the upper and lower plates (142a, 142b). The electromagnet 148 may be formed in one piece, but may be formed in plural to facilitate assembly.

도 5와 같이, 하부 플레이트(142b)의 주변부는 제 1 오링(164a)을 개재하여, 거치부(162) 상에 위치된다. 제 1 오링(164a)은 하부 플레이트(142b)의 주변부를 따라 배열된다. 하부 플레이트(142b) 상에 상부 플레이트(142a)를 위치시키고, 다수의 고정대(166)에 의해 상부 플레이트(142a)와 리드(112a)에 체결하여, 자기장 발생장치(120)를 고정시킴과 동시에 개구(160)를 밀봉시킨다. As shown in FIG. 5, the periphery of the lower plate 142b is positioned on the mounting portion 162 via the first O-ring 164a. The first o-ring 164a is arranged along the periphery of the lower plate 142b. The upper plate 142a is positioned on the lower plate 142b and fastened to the upper plate 142a and the lid 112a by a plurality of fixing bars 166 to fix the magnetic field generating device 120 and at the same time the opening. Seal 160.

고정대(166)는 상부 플레이트(142a)와 접촉하는 수직 고정부(166a)와 수직 고정부(166a)의 상단에서 수평으로 연장되어 리드(112a) 상에 위치하는 수평 고정부(166b)로 구성된다. 제 1 볼트(168a)를 사용하여 수평 고정부(166a)와 리드(112a)를 체결하면, 체결압력이 수직 고정부(166a)를 통하여 상부 및 하부 플레이트(142a, 142b)에 전달된다. 따라서, 제 1 오링(164a)을 개재하여 플레이트(142)와 거치부(162)는 기밀을 유지할 수 있다.Fixture 166 is composed of a vertical fixing portion 166a in contact with the upper plate 142a and a horizontal fixing portion 166b extending horizontally from the upper end of the vertical fixing portion 166a and positioned on the lid 112a. . When the horizontal fixing part 166a and the lead 112a are fastened using the first bolt 168a, the fastening pressure is transmitted to the upper and lower plates 142a and 142b through the vertical fixing part 166a. Therefore, the plate 142 and the holder 162 may be kept airtight through the first O-ring 164a.

자기장 발생장치(120)를 리드(112a)의 주변부에 4 개를 설치하는 경우, 도 4와 같이, 직류전원(190)과 4 개의 자기장 발생장치(120)를 병렬로 연결할 수 있다. 필요에 따라, 4 개의 자기장 발생장치(120) 각각에 직류전원을 별도로 설치할 수 있다. 또한, 하나의 직류전원(190)을 사용하여 4 개의 자기장 발생장치(120)를 직렬로 연결할 수 있다. When four magnetic field generators 120 are installed at the periphery of the lead 112a, as illustrated in FIG. 4, the DC power source 190 and the four magnetic field generators 120 may be connected in parallel. If necessary, a DC power source may be separately installed in each of the four magnetic field generators 120. In addition, four magnetic field generators 120 may be connected in series using one DC power source 190.

도 3의 기판처리장치(110)에서, 다수의 플라즈마 소스전극(114)에 RF전력을 인가하여, 반응공간에서 플라즈마를 발생시켰을 때, 다수의 플라즈마 소스전극(114)에 의해 정상파 효과를 극복하였지만, 여전히 공정챔버(112)의 측벽에 인접한 영역이 공정챔버(112)의 중앙부보다 낮은 플라즈마 밀도를 유지한다. 공정챔버(112)의 측벽과 인접한 반응공간에 중앙부보다 낮은 플라즈마 밀도를 보상하기 위하여 전자기 발생장치(120)를 사용한다. In the substrate processing apparatus 110 of FIG. 3, when RF power is applied to a plurality of plasma source electrodes 114 to generate plasma in a reaction space, standing wave effects are overcome by the plurality of plasma source electrodes 114. Still, the area adjacent the sidewall of the process chamber 112 maintains a lower plasma density than the central portion of the process chamber 112. The electromagnetic generator 120 is used to compensate for the plasma density lower than the center portion in the reaction space adjacent to the side wall of the process chamber 112.

다수의 플라즈마 소스전극(114)에 RF전력을 인가함과 동시에, 자기장 발생장치(120)에 직류전원을 인가하면, 도선(146)과 전자석(148)에 의해 발생된 자기장이 세라믹으로 형성된 플레이트(142)를 투과하여 공정챔버(112)의 주변부에 유기되어, 상대적으로 중앙부보다 낮은 주변부의 플라즈마 밀도를 보상한다. 자기장 발생장치(120)에 인가하는 전류의 크기는 실험을 통해서 결정할 수 있다. 다수의 플라즈마 소스전극(114)에 RF전력이 인가되고, 자기장 발생장치(120)에 전류가 인가되면, 가스분사수단(124)을 통하여 공급된 공정가스가 활성화 또는 이온화되어 기판(121)에 공급되어 균일한 기판처리공정을 수행할 수 있다.When RF power is applied to the plurality of plasma source electrodes 114 and DC power is applied to the magnetic field generator 120, the magnetic field generated by the conductive wire 146 and the electromagnet 148 is formed of ceramic ( 142 penetrates into the periphery of the process chamber 112 to compensate for the plasma density of the periphery, which is relatively lower than the central portion. The magnitude of the current applied to the magnetic field generator 120 may be determined through experiments. When RF power is applied to the plurality of plasma source electrodes 114 and a current is applied to the magnetic field generating device 120, the process gas supplied through the gas injection means 124 is activated or ionized and supplied to the substrate 121. Thus, a uniform substrate treatment process can be performed.

도 3과 같이, 다수의 가스분사수단(124)은 다수의 플라즈마 소스전극(114) 사이와 대응되는 리드(112a)에 형성되는 다수의 제 2 가스분사수단(124a)과 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각에 형성되는 다수의 제 1 가스분사수단(124b)을 포함한다. As shown in FIG. 3, the plurality of gas injection means 124 includes a plurality of second gas injection means 124a and a plurality of plasma source electrodes formed on the leads 112a corresponding to the plurality of plasma source electrodes 114. 114) a plurality of first gas injection means 124b formed in each.

도 7a와 같이, 다수의 제 1 가스분사수단(124a) 각각은, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 사이와 대응되는 리드(112a)에 형성된다. 다수의 제 1 가스분사수단(124a) 각각은, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 사이의 리드(112a)를 통하여 인입되어 공정가스를 공급하는 제 1 가스공급관(140a), 제 1 가스공급관(140a)과 연통되고 리드(112a)의 내부에 수직방향으로 형성되는 제 1 가스유로(140b), 리드(112a)의 내부에 형성되고 제 1 가스유로(140b)와 연결되어 공정가스를 수용하는 제 1 수용공간(140c) 및 제 1 수용공간(140c)의 하부에 위치하고 공정가스를 반응공간에 분사하기 위한 제 1 가스분배판(140d)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 7A, each of the plurality of first gas injection means 124a is formed in the lead 112a corresponding to between the plurality of plasma source electrodes 114. Each of the plurality of first gas injection means 124a is introduced through a lead 112a between the plurality of plasma source electrodes 114 to supply a process gas to the first gas supply pipe 140a and the first gas supply pipe 140a. ) And a first gas passage 140b formed in the vertical direction inside the lid 112a and a first gas passage 140b formed in the lid 112a and connected to the first gas passage 140b to receive the process gas. The first gas distribution plate 140d is disposed below the accommodation space 140c and the first accommodation space 140c to inject the process gas into the reaction space.

제 1 가스공급관(140a)과 제 1 가스유로(140b)가 기밀을 유지하면서 연통될 수 있도록, 제 2 오링(164b)을 개재하여 제 1 기밀판(180a)과 리드(112a)를 제 2 볼트(168b)를 사용하여 체결한다. 제 1 가스분배판(140d)은 제 1 수용공간(140c) 의 하부에 설치되는 다수의 제 1 분사구(154a)를 포함한다. 리드(112a)에는 제 1 수용공간(140c)의 주변부에서 확장된 제 1 함몰부(156)가 형성되고, 제 1 함몰부(156)에 제 1 가스분배판(140d)의 주변부가 인입되어 제 3 볼트(168c)에 의해 리드(112a)와 체결된다.The second hermetic plate 180a and the lead 112a are connected to the second bolt through the second O-ring 164b so that the first gas supply pipe 140a and the first gas passage 140b can communicate while maintaining hermeticity. Fasten using 168b. The first gas distribution plate 140d includes a plurality of first injection holes 154a installed under the first accommodation space 140c. The lead 112a is formed with a first recessed portion 156 extending from the periphery of the first accommodating space 140c, and a peripheral portion of the first gas distribution plate 140d is drawn into the first recessed portion 156. It is fastened with the lead 112a by the 3 bolt 168c.

리드(112a)가 알루미늄과 같은 금속으로 제작되어 있기 때문에, 제 1 가스공급관(140a)과 리드(112a)의 접촉지점에서 플라즈마가 방전될 수 있다. 플라즈마의 방전을 방지하기 위해, 제 1 가스공급관(140a)과 연결되는 제 1 가스유로(140b)에 세라믹 계통의 튜브로 만들어진 제 1 절연관(170)을 삽입시킬 수 있다. 다수의 제 1 가스공급관(140a)은 리드(112a)의 상부에 위치한 제 1 운송관(도시하지 않음)을 통하여 공정가스 공급원(도시하지 않음)과 연결된다.Since the lead 112a is made of a metal such as aluminum, plasma may be discharged at a contact point between the first gas supply pipe 140a and the lead 112a. In order to prevent the discharge of the plasma, the first insulating tube 170 made of a ceramic tube may be inserted into the first gas passage 140b connected to the first gas supply tube 140a. The plurality of first gas supply pipes 140a are connected to a process gas supply source (not shown) through a first transport pipe (not shown) positioned above the lid 112a.

도 7b와 같이, 다수의 제 2 가스분사수단(124b) 각각은, 다수의 플라즈마 소스전극(114)에 형성된다. 다수의 제 1 가스분사수단(124a) 각각은, 리드(112a), 절연판(116), 및 플라즈마 소스전극(114)을 통하여 인입되어 공정가스를 공급하는 제 2 가스공급관(141a), 제 2 가스공급관(141a)과 연통되고 플라즈마 소스전극(114)의 내부에 수직방향으로 형성되는 제 2 가스유로(141b), 플라즈마 소스전극(114)의 내부에 형성되고 제 2 가스유로(141b)와 연결되어 공정가스를 수용하는 제 2 수용공간(141c) 및 제 2 수용공간(141c)의 하부에 위치하고 공정가스를 반응공간에 분사하기 위한 제 2 가스분배판(141d)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 7B, each of the plurality of second gas injection means 124b is formed in the plurality of plasma source electrodes 114. Each of the plurality of first gas injection means 124a is led through a lead 112a, an insulating plate 116, and a plasma source electrode 114 to supply a process gas to the second gas supply pipe 141a and the second gas. The second gas flow passage 141b which is in communication with the supply pipe 141a and is formed in the vertical direction inside the plasma source electrode 114, is formed inside the plasma source electrode 114, and is connected to the second gas flow passage 141b. And a second gas distribution plate 141d positioned below the second accommodation space 141c for receiving the process gas and a second gas distribution plate 141d for injecting the process gas into the reaction space.

제 2 가스공급관(141a)과 제 2 가스유로(141b)가 기밀을 유지하면서 연통될 수 있도록, 제 2 오링(164b)을 개재하여 제 2 기밀판(180b)과 리드(112a)를 제 2 볼트(168b)를 사용하여 체결한다. 제 2 가스분배판(141d)은 제 2 수용공간(141c)의 하부에 설치되는 다수의 제 2 분사구(154b)를 포함한다. 플라즈마 소스전극(114)에는 제 2 수용공간(141c)의 주변부에서 확장된 제 2 함몰부(156b)가 형성되고, 제 2 함몰부(156b)에 제 2 가스분배판(141d)의 주변부가 인입되어 제 3 볼트(168c)에 의해 플라즈마 소스전극(114)과 체결된다.The second airtight plate 180b and the lead 112a are connected to the second bolt through the second O-ring 164b so that the second gas supply pipe 141a and the second gas flow path 141b communicate with each other while maintaining airtightness. Fasten using 168b. The second gas distribution plate 141d includes a plurality of second injection holes 154b installed below the second accommodation space 141c. In the plasma source electrode 114, a second depression 156b is formed which extends from the periphery of the second accommodating space 141c, and the periphery of the second gas distribution plate 141d is introduced into the second depression 156b. And the plasma source electrode 114 is fastened by the third bolt 168c.

리드(112a)가 알루미늄과 같은 금속으로 제작되어 있기 때문에, 제 2 가스공급관(141a)과 리드(112a)의 접촉지점에서 플라즈마가 방전될 수 있다. 플라즈마의 방전을 방지하기 위해, 제 2 가스공급관(141a)에 세라믹 계통의 튜브로 만들어진 제 2 절연관(170b)을 삽입시킬 수 있다. 다수의 제 2 가스공급관(140b)은 리드(112a)의 상부에 위치한 제 2 운송관(도시하지 않음)을 통하여 제 2 공정가스 공급원(도시하지 않음)과 연결된다.Since the lead 112a is made of a metal such as aluminum, plasma may be discharged at a contact point between the second gas supply pipe 141a and the lead 112a. In order to prevent the discharge of the plasma, the second insulating tube 170b made of a ceramic tube may be inserted into the second gas supply tube 141a. The plurality of second gas supply pipes 140b are connected to a second process gas supply source (not shown) through a second transport pipe (not shown) positioned above the lid 112a.

도 3의 기판처리장치(110)에서, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 또는 다수의 플라즈마 소스전극(114) 사이와 대응하는 리드(112a) 중 하나에만 다수의 가스분사수단(124)이 설치할 수 있다. In the substrate processing apparatus 110 of FIG. 3, a plurality of gas injection means 124 may be provided only in one of the plurality of plasma source electrodes 114 or the plurality of plasma source electrodes 114 and the corresponding leads 112a. have.

도 3의 기판처리장치(110)에서, RF전력이 인가되는 배선집적기판(120) 상에 형성된 피딩라인(118)에서 열이 발생되어 하우징(136)의 내부에 축적되기 때문에, 하우징(136)의 내부를 냉각시켜야 한다. 따라서, 도 8과 같이, 하우징(136)에 다수의 통풍구(138)와 다수의 통풍구(138) 각각에 설치된 다수의 팬(158)을 포함하는 냉각장치를 설치한다. 다수의 통풍구(138) 및 팬(158)을 포함한 냉각장치에 외에 다양한 방법으로 하우징(136)의 내부를 냉각시킬 수 있다. In the substrate processing apparatus 110 of FIG. 3, since heat is generated in the feeding line 118 formed on the wiring integrated substrate 120 to which RF power is applied, and accumulates inside the housing 136, the housing 136 is formed. Cool the inside of the Accordingly, as shown in FIG. 8, a cooling device including a plurality of ventilation holes 138 and a plurality of fans 158 installed in each of the plurality of ventilation holes 138 is installed in the housing 136. In addition to a cooling device including a plurality of vents 138 and fans 158, the interior of the housing 136 may be cooled in various ways.

제 2 2nd 실시예Example

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 자기장 발생장치의 분해 사시도이고, 도 10은 제 2 실시예에 따른 자기장 발생장치의 단면도이다. 제 2 실시예를 설명함에 있어, 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용한다.9 is an exploded perspective view of a magnetic field generating device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the magnetic field generating device according to the second embodiment. In describing the second embodiment, the same reference numerals are used for the same components as those of the first embodiment.

도 9의 자기장 발생장치(220)는, 절연재질로 형성되는 플레이트(242), 플레이트(242)를 횡축으로 관통하는 삽입홀(214), 삽입홀(214)의 내부에 설치되고 전자석(248), 전자석(248)을 다수의 턴(turn)으로 감싸는 도선(246), 삽입홀(214)의 양단부에서 전자석(248)을 고정시키는 지지부(250), 도선(246)에 양단에 연결되어 전류를 인가하는 직류전원(290)을 포함하여 구성된다. The magnetic field generator 220 of FIG. 9 includes a plate 242 formed of an insulating material, an insertion hole 214 penetrating the plate 242 in the horizontal axis, and an electromagnet 248 installed inside the insertion hole 214. The conductive wire 246 enclosing the electromagnet 248 in a plurality of turns, the support 250 for fixing the electromagnet 248 at both ends of the insertion hole 214, are connected to both ends of the conductive wire 246 to supply current. It comprises a DC power supply 290 to apply.

전자석(248)은 내부에 동공부(252)를 가지는 사각형 형태의 튜브로 제작되고, 삽입홀(214)과 평행하게 배열된다. 도선(246)은 플레이트(242)의 횡축 방향과 평행하도록 전자석(248)의 측면을 다수의 턴으로 감싼다. 전자석(248)을 지지하는 지지부(250)는 상부 지지부(250a)와 하부 지지부(250b)를 포함하여 구성할 수 있다.The electromagnet 248 is made of a rectangular tube having a pupil 252 therein, and is arranged in parallel with the insertion hole 214. The conductive wire 246 wraps the side surface of the electromagnet 248 with a plurality of turns to be parallel to the horizontal axis direction of the plate 242. The support part 250 supporting the electromagnet 248 may include an upper support part 250a and a lower support part 250b.

플레이트(242)는 일체형으로 형성될 수 있지만, 가공을 용이하게 하기 위하여 상부 및 하부 플레이트(242a, 242b)로 구성할 수 있다. 플레이트(242)는 절연재질로서 세라믹으로 형성될 수 있다. 플레이트(242)가 상부 및 하부 플레이트(242a, 242b)로 구성되는 경우, 상부 및 하부 플레이트(242a, 242b)의 결합에 의해 형성되는 삽입홀(244)이 형성된다. The plate 242 may be formed integrally, but may be composed of upper and lower plates 242a and 242b to facilitate processing. The plate 242 may be formed of ceramic as an insulating material. When the plate 242 is composed of the upper and lower plates 242a and 242b, an insertion hole 244 is formed by the combination of the upper and lower plates 242a and 242b.

도 10과 같이, 하부 플레이트(242b)의 주변부는 제 1 오링(164a)을 개재하여, 거치부(162) 상에 위치된다. 제 1 오링(164a)은 하부 플레이트(242b)의 주변부를 따라 배열된다. 하부 플레이트(242b) 상에 상부 플레이트(242a)를 위치시키고, 다수의 고정대(166)에 의해 상부 플레이트(242a)와 리드(112a)에 체결하여, 자기장 발생장치(120)를 고정시킴과 동시에 개구(160)를 밀봉시킨다. As shown in FIG. 10, the periphery of the lower plate 242b is positioned on the mounting portion 162 via the first O-ring 164a. The first o-ring 164a is arranged along the periphery of the lower plate 242b. The upper plate 242a is positioned on the lower plate 242b and fastened to the upper plate 242a and the lid 112a by a plurality of fixing tables 166 to fix the magnetic field generating device 120 and at the same time the opening. Seal 160.

고정대(166)는 상부 플레이트(242a)와 접촉하는 수직 고정부(166a)와 수직 고정부(166a)의 상단에서 수평으로 연장되어 리드(112a) 상에 위치하는 수평 고정부(166b)로 구성된다. 제 1 볼트(168a)를 사용하여 수평 고정부(166a)와 리드(112a)를 체결하면, 체결압력이 수직 고정부(166a)를 통하여 상부 및 하부 플레 이트(242a, 242b)에 전달된다. 따라서, 제 1 오링(164a)을 개재하여 플레이트(242)와 거치부(162)는 기밀을 유지할 수 있다.Fixture 166 is composed of a vertical fixing portion 166a in contact with the upper plate 242a and a horizontal fixing portion 166b extending horizontally from the top of the vertical fixing portion 166a and positioned on the lid 112a. . When the horizontal fixing part 166a and the lead 112a are fastened using the first bolt 168a, the fastening pressure is transmitted to the upper and lower plates 242a and 242b through the vertical fixing part 166a. Therefore, the plate 242 and the mounting portion 162 may be kept airtight through the first O-ring 164a.

제 3 3rd 실시예Example

도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 자기장 발생장치의 분해 사시도이고, 도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도선 고정부의 사시도이고, 도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 소스전극 및 자기장 발생장치의 배치도이다. 제 3 실시예를 설명함에 있어, 제 1 및 제 2 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용한다.11 is an exploded perspective view of a magnetic field generating device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 12 is a perspective view of a wire fixing part according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a third embodiment of the present invention. Arrangement of the plasma source electrode and the magnetic field generating device according to. In describing the third embodiment, the same reference numerals are used for the same components as those of the first and second embodiments.

도 11의 자기장 발생장치(320)는, 절연재질로 형성되는 플레이트(342), 플레이트(342)를 횡축으로 관통하는 삽입홀(314), 삽입홀(314)의 내부에 설치되고 전자석(348), 전자석(348)을 다수의 턴(turn)으로 감싸는 도선(346), 삽입홀(314)의 양단부에서 전자석(348)을 고정시키는 지지부(350), 도선(346)을 전자석(348)에 인접하게 위치시키는 도선 고정부(364), 및 도선(346)에 양단에 연결되어 전류를 인가하는 직류전원(390)을 포함하여 구성된다. The magnetic field generating device 320 of FIG. 11 includes a plate 342 formed of an insulating material, an insertion hole 314 penetrating the plate 342 in a horizontal axis, and an electromagnet 348 installed inside the insertion hole 314. , The conductive wire 346 surrounding the electromagnet 348 with a plurality of turns, the support 350 for fixing the electromagnet 348 at both ends of the insertion hole 314, and the conductive wire 346 adjacent to the electromagnet 348. And a DC power supply 390 connected to both ends of the conductive line fixing part 364 and the conductive wire 346 to apply current.

전자석(348)은 내부에 동공부(352)를 가진다. 전자석(348)은 제 1 파트(348a)와 제 1 파트(348a)의 단부에서 수직으로 연장되는 제 2 파트(348b)를 포함한다. 다시 말하면 전자석(348)은 엘보우(elbow) 형태로 제작된다. 전자석(348) 은 제 1 파트(348a) 및 제 2 파트(348b)가 만나서 돌출되는 외측면(360)과 제 1 파트(348a) 및 제 2 파트(348b)가 만나서 함몰되는 내측면(362)을 가진다. 전자석(348)의 외측면(360)은 도선(346)으로 용이하게 감쌀 수 있지만, 전자석(348)의 내측면(362)을 감싸기 어렵다. 따라서, 전자석(348)의 내측면(362)에서 도선(346)을 전자석(348)과 인접하기 위치시키기 위해, 도선 고정부(364)를 설치한다. 플레이트(342)는 전자석(348)과 동일한 엘보우 형태를 취하여 제작된다. The electromagnet 348 has a pupil 352 therein. The electromagnet 348 includes a first part 348a and a second part 348b extending vertically at the end of the first part 348a. In other words, the electromagnet 348 is manufactured in the form of an elbow. The electromagnet 348 has an outer side surface 360 where the first part 348a and the second part 348b meet and protrude, and an inner side 362 where the first part 348a and the second part 348b meet and are recessed. Has The outer surface 360 of the electromagnet 348 can be easily wrapped with the conductive wire 346, but it is difficult to wrap the inner surface 362 of the electromagnet 348. Therefore, in order to position the conducting wire 346 adjacent to the electromagnet 348 on the inner side 362 of the electromagnet 348, the conducting wire fixing part 364 is provided. The plate 342 is manufactured by taking the same elbow shape as the electromagnet 348.

도선 고정부(364)는 도 12와 같이, 전자석(348)의 상하면 및 양측면을 감싸는 연포부(連抱部)(366) 및 전자석(348)의 양측면과 대응되는 연포부(366)에 설치되어 도선(346)이 통과하는 다수의 통과홀(368)을 포함한다. 도선(346)이 연포부(366)의 다수의 통과홀(368)을 통과하기 때문에, 전자석(348)의 내측면에서 도선(346)이 전자석(348)의 측면과 인접하여 위치할 수 있다.As illustrated in FIG. 12, the conductive wire fixing part 364 is provided in the soft foam part 366 surrounding the upper and lower surfaces and both sides of the electromagnet 348 and the soft foam part 366 corresponding to both side surfaces of the electromagnet 348. The conductive wire 346 includes a plurality of passing holes 368 through which the conductive wire 346 passes. Since the conductive wire 346 passes through the plurality of passage holes 368 of the soft foam part 366, the conductive wire 346 may be positioned adjacent to the side surface of the electromagnet 348 on the inner side surface of the electromagnet 348.

도 13과 같이 다수의 플라즈마 소스전극(114)을 RF전원(126)과 병렬로 연결시키고, 다수의 플라즈마 소스전극(114)과 RF전원(126) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(128)가 설치된다. 리드(112a)는 장방형 형태이고, 다수의 플라즈마 소스전극(114) 각각은 장축과 단축을 가진 스트라이프(stripe) 형태로 제작되고, 서로 동일한 간격으로 평행하게 이격된다. 자기장 발생장치(320)는 리드(112a)의 모서리와 대응되는 영역에 설치된다. 다수의 모서리와 대응되어 다수로 설치되는 자기장 발생장치(320)는 도 11의 직류전원(390)과 병렬로 연결된다.As shown in FIG. 13, a plurality of plasma source electrodes 114 are connected in parallel with the RF power source 126, and a matcher 128 for impedance matching is installed between the plurality of plasma source electrodes 114 and the RF power source 126. do. The leads 112a have a rectangular shape, and each of the plurality of plasma source electrodes 114 is formed in a stripe shape having a long axis and a short axis, and are spaced in parallel at equal intervals. The magnetic field generating device 320 is installed in an area corresponding to the edge of the lead 112a. The magnetic field generating device 320 installed in correspondence with a plurality of corners is connected in parallel with the DC power supply 390 of FIG. 11.

도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the prior art

도 2는 종래기술에 따른 다수의 피딩라인과 연결된 후방 플레이트의 사시도2 is a perspective view of a rear plate connected to a plurality of feeding lines according to the prior art;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도3 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 전극 및 자기장 발생장치의 배치도4 is a layout view of the plasma electrode and the magnetic field generating apparatus according to an embodiment of the present invention

도 5는 도 3의 A에 대한 확대 단면도5 is an enlarged cross sectional view taken along line A of FIG.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 자기장 발생장치의 분해 사시도6 is an exploded perspective view of a magnetic field generating device according to an embodiment of the present invention;

도 7a는 도 3의 B에 대한 확대 단면도FIG. 7A is an enlarged cross-sectional view of FIG. 3B

도 7b는 도 3의 C에 대한 확대 단면도7B is an enlarged cross sectional view taken against C of FIG.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 하우징의 사시도8 is a perspective view of a housing according to an embodiment of the present invention;

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 자기장 발생장치의 분해 사시도9 is an exploded perspective view of a magnetic field generating device according to a second embodiment of the present invention;

도 10은 제 2 실시예에 따른 자기장 발생장치의 단면도10 is a cross-sectional view of the magnetic field generating device according to the second embodiment.

도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 자기장 발생장치의 분해 사시도11 is an exploded perspective view of a magnetic field generating device according to a third embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도선 고정부의 사시도12 is a perspective view of a wire fixing unit according to a third embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 소스전극 및 자기장 발생장치의 배치도13 is a layout view of a plasma source electrode and a magnetic field generating device according to a third embodiment of the present invention;

Claims

몸체 및 주변부에 개구가 형성된 리드가 결합하여 반응공간을 제공하는 공정챔버;A process chamber coupled to a lead having an opening formed in the body and the periphery to provide a reaction space;

상기 공정챔버 내부와 대응되는 상기 리드의 표면에 형성되는 다수의 플라즈마 소스전극;A plurality of plasma source electrodes formed on a surface of the lead corresponding to the inside of the process chamber;

상기 반응공간의 주변부에 자기장을 유기시키기 위하여, 상기 개구를 밀봉하면서 상기 리드의 상기 주변부에 설치되는 자기장 발생장치;A magnetic field generating device installed in the peripheral portion of the lid while sealing the opening to induce a magnetic field in the peripheral portion of the reaction space;

상기 다수의 플라즈마 소스전극에 전력을 인가하는 RF전원; 및An RF power source for applying power to the plurality of plasma source electrodes; And

상기 반응공간에 위치하고 기판이 안치되는 기판안치수단;Substrate placing means positioned in the reaction space and having a substrate placed thereon;

을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Substrate processing apparatus comprising a.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 자기장 발생장치는, The magnetic field generating device,

상기 개구를 밀봉하고 삽입홀을 가지는 플레이트;A plate sealing the opening and having an insertion hole;

상기 삽입홀의 내부에 설치되는 도선;A conductive wire installed inside the insertion hole;

상기 도선과 연결되는 직류전원; 및A direct current power source connected to the conductive wires; And

상기 삽입홀의 내부에 설치되고 상기 도선을 감싸는 반원형의 단면을 가지는 전자석;An electromagnet installed in the insertion hole and having a semicircular cross section surrounding the conductive wire;

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 개구는 상기 리드의 상기 주변부에 다수 설치되고, The opening is provided in plurality in the peripheral portion of the lead,

상기 자기장 발생장치는,The magnetic field generating device,

다수의 상기 개구를 밀봉하고 삽입홀을 가지는 다수의 플레이트;A plurality of plates sealing the plurality of openings and having insertion holes;

상기 다수의 플레이트 각각의 상기 삽입홀의 내부 설치되는 다수의 도선;A plurality of conductive lines installed inside the insertion hole of each of the plurality of plates;

을 포함하고, Including,

상기 다수의 도선은 하나의 상기 직류전원에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. And the plurality of conductive wires are connected in parallel to one of the DC power supplies.

제 2 항에 있어서,The method of claim 2,

상기 플레이트는, The plate,

상기 반응공간의 외부와 대응하는 상기 개구에 위치하는 상부 플레이트; 및An upper plate positioned at the opening corresponding to the outside of the reaction space; And

상기 상부 플레이트와 결합하여 상기 삽입홀을 형성하고, 상기 반응공간의 내부와 대응하는 상기 개구에 위치한 하부 플레이트;A lower plate coupled to the upper plate to form the insertion hole and positioned in the opening corresponding to the inside of the reaction space;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Substrate processing apparatus comprising a.

제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein

상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트는 유전재질의 세라믹으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the upper plate and the lower plate are formed of a ceramic of dielectric material.

제 2 항에 있어서,The method of claim 2,

상기 개구의 내부에는 상기 플레이트가 거치되는 거치부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Substrate processing apparatus, characterized in that the mounting portion in which the plate is mounted is formed in the opening.

제 2 항에 있어서The method of claim 2

상기 거치부 상에 위치한 상기 플레이트를 고정시키고, 상기 개구를 상기 플레이트에 의해서 밀봉시키는 다수의 고정대를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a plurality of holders for fixing the plate located on the holder and sealing the opening by the plate.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 자기장 발생장치는,The magnetic field generating device,

상기 삽입홀의 내부에 설치되고 튜브형태의 전자석Electromagnet in the form of tube and installed inside the insertion hole

상기 전자석을 다수의 턴으로 감싸는 도선; 및A conductive wire surrounding the electromagnet with a plurality of turns; And

상기 도선과 연결되는 직류전원;A direct current power source connected to the conductive wires;

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 자기장 발생장치는,The magnetic field generating device,

상기 다수의 플레이트 각각의 상기 삽입홀의 내부 설치되는 튜브형태의 다수의 전자석;A plurality of electromagnets in the form of tubes installed inside the insertion holes of the plurality of plates;

상기 다수의 전자석 각각을 다수의 턴으로 감싸는 다수의 도선;A plurality of conductors surrounding each of the plurality of electromagnets with a plurality of turns;

을 포함하고,Including,

제 8 항에 있어서,The method of claim 8,

상기 전자석은 사각형의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The electromagnet has a rectangular cross section.

제 8 항에 있어서,The method of claim 8,

상기 전자석은 제 1 파트와 상기 제 1 파트에서 수직으로 연장되는 제 2 파트를 포함하는 엘보우 형태로 제작되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The electromagnet is a substrate processing apparatus characterized in that it is manufactured in the form of an elbow including a first part and a second part extending vertically from the first part.

제 9 항에 있어서, The method of claim 9,

상기 자기장 발생장치는 상기 전자석에 상기 도선을 인접하게 위치시키는 도선 고정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The magnetic field generating device includes a conductor fixing portion for placing the conductor adjacent to the electromagnet.

제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12,

상기 도선 고정부는,The lead wire fixing portion,

상기 전자석의 상하면 및 양측면을 감싸는 연포부; 및Soft foam portion surrounding the upper and lower surfaces and both sides of the electromagnet; And

상기 전자석의 상기 양측면과 대응되는 상기 연포부에 설치되고 상기 도선이 통과하는 다수의 통과부;A plurality of passage portions provided in the soft foam portions corresponding to both sides of the electromagnet and through which the conductive wires pass;

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 다수의 플라즈마 소스전극은 서로 평행하게 등간격으로 배열되고 상기 RF전원과 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the plurality of plasma source electrodes are arranged in parallel at equal intervals and connected in parallel with the RF power source.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 리드와 상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각의 사이에 설치된 다수의 절연판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a plurality of insulating plates disposed between the leads and each of the plurality of plasma source electrodes.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 자기장 발생장치는 상기 다수의 플라즈마 소스전극이 형성되지 않은 상기 리드의 주변부에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The magnetic field generating device is installed on a periphery of the lead where the plurality of plasma source electrodes are not formed.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 자기장 발생장치는 상기 리드의 모서리와 대응되는 상기 리드의 주변부에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The magnetic field generating device is installed on the periphery of the lead corresponding to the edge of the lead.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 다수의 플라즈마 소스전극과 상기 RF전원을 연결하는 피딩라인을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a feeding line for connecting the plurality of plasma source electrodes and the RF power source.

제 18 항에 있어서,The method of claim 18,

상기 피딩라인은,The feeding line,

상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각을 연결하는 다수의 서브 피딩라인; 및A plurality of sub-feeding lines connecting each of the plurality of plasma source electrodes; And

상기 다수의 서브 피딩라인을 상기 RF전원에 연결하는 메인 서브 피딩라인;A main sub feeding line connecting the plurality of sub feeding lines to the RF power source;

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 반응공간에 공정가스를 공급하는 가스분사수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Substrate processing apparatus further comprises a gas injection means for supplying a process gas to the reaction space.

제 20 항에 있어서,The method of claim 20,

상기 가스분사수단은 상기 다수의 플라즈마 소스전극 사이의 상기 리드에 설치되는 다수의 제 1 가스분사수단과 상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각에 설치되 는 다수의 제 2 가스분사수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The gas injection means includes a plurality of first gas injection means installed in the lead between the plurality of plasma source electrodes and a plurality of second gas injection means installed in each of the plurality of plasma source electrodes. Substrate processing apparatus.

제 21 항에 있어서,The method of claim 21,

상기 다수의 제 1 가스분사수단 각각은,Each of the plurality of first gas injection means,

상기 리드에 통하여 인입되는 가스유입관;A gas inlet pipe introduced through the lead;

상기 리드 내부에 형성되고 상기 가스유입관과 연통되는 수용공간;An accommodation space formed inside the lid and in communication with the gas inlet pipe;

상기 수용공간의 하부에 위치하고, 상기 공정가스를 상기 반응공간에 분사하는 가스분배판;A gas distribution plate positioned below the accommodation space and injecting the process gas into the reaction space;

을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. Substrate processing apparatus comprising a.

제 21 항에 있어서,The method of claim 21,

상기 제 2 가스분사수단은,The second gas injection means,

상기 리드 및 상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각을 통하여 인입되는 가스유입관;A gas inlet pipe introduced through each of the leads and the plurality of plasma source electrodes;

상기 다수의 플라즈마 소스전극 각각의 내부에 형성되고 상기 가스유입관과 연통되는 수용공간;A receiving space formed inside each of the plurality of plasma source electrodes and communicating with the gas inlet pipe;

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 리드의 상부에 상기 피딩라인을 수용하기 위한 밀폐공간을 제공하는 하우징; 및A housing providing an airtight space for accommodating the feeding line on an upper portion of the lid; And

상기 하우징에 설치되는 냉각장치;A cooling device installed in the housing;

제 24 항에 있어서,The method of claim 24,

상기 냉각장치는, The cooling device,

상기 하우징의 측면에 설치되는 다수의 환풍구; 및A plurality of vents provided on the side of the housing; And

상기 다수의 환풍구 각각에 설치되는 다수의 팬;A plurality of fans installed in each of the plurality of ventilation holes;

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 공정챔버 및 상기 기판안치수단은 플라즈마 접지전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And said process chamber and said substrate settling means are used as plasma ground electrodes.