KR20110053800A - Light emission device and display device using the same - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A light emitting device equipped with substrate having electronics emission unit and a display device using the same are provided to uniformly maintain luminance by forming a groove, for receiving a structure, on a fist substrate body. CONSTITUTION: A first substrate(10) comprises a first electrode, an electron emission unit arranged on the first electrode, and a second electrodes which are fixed to one of a first substrate main body with separated as a fixed distance. A second substrate(20) comprises a luminous unit formed in one of a second substrate main body, and the second substrate main body faced to the first substrate main body. A sealing member(34) welds the first substrate and second substrate.

Description

발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치{LIGHT EMISSION DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}LIGHT EMISSION DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME

본 발명은 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 전자 방출 유닛이 구비된 기판을 개선한 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device and a display device having the same, and more particularly, to a light emitting device having an improved substrate having an electron emission unit and a display device having the same.

발광 장치는 일반적으로, 발광 유닛을 구비한 전면 기판과 전자 방출 유닛을 구비한 후면 기판이 밀봉 부재에 의해 가장자리가 일체로 접합된 후 내부 공간이 배기되어 구성된다. The light emitting device is generally configured by exhausting an internal space after the front substrate having the light emitting unit and the rear substrate having the electron emitting unit are integrally bonded by the sealing member.

발광 유닛은 구동 전극과 전자 방출부로 이루어질 수 있다. 구동 전극은, 캐소드 전극과, 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극 위에서 이와 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 전극으로 이루어진다. 이 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역마다 게이트 전극과 절연층에 개구부가 형성되고, 이 개구부 내측으로 캐소드 전극 위에 전자 방출부가 배치된다. The light emitting unit may include a driving electrode and an electron emission unit. The driving electrode is composed of a cathode electrode and a gate electrode formed on the cathode electrode in an intersecting direction with the insulating layer interposed therebetween. An opening is formed in the gate electrode and the insulating layer at each intersection region of the cathode electrode and the gate electrode, and the electron emission portion is disposed on the cathode electrode inside the opening.

캐소드 전극과 게이트 전극에 소정의 구동 전압을 인가하면, 두 전극의 전압차에 의해 전자 방출부 주위에 전계가 형성되어 전자 방출부로부터 전자들이 방출 된다. 이때, 전자 방출부와 게이트 전극 사이의 거리가 일정하게 유지되어야 발광 장치의 휘도가 균일하게 유지될 수 있다. 그런데 발광 장치의 다양한 성능을 향상하기 위한 다른 구조체에 의해 전자 방출부와 게이트 전극의 사이가 불균일해질 수 있는데, 이 경우 발광 장치의 휘도가 위치에 따라 달라져서 휘도가 균일하지 않을 수 있다.When a predetermined driving voltage is applied to the cathode electrode and the gate electrode, an electric field is formed around the electron emission part by the voltage difference between the two electrodes, and electrons are emitted from the electron emission part. In this case, the luminance of the light emitting device may be uniformly maintained only when the distance between the electron emission unit and the gate electrode is maintained. However, other structures for improving various performances of the light emitting device may cause non-uniformity between the electron emission unit and the gate electrode. In this case, the brightness of the light emitting device may vary depending on the position, and thus the brightness may not be uniform.

한편, 상술한 구조의 전자 방출 유닛은 캐소드 전극, 절연층, 게이트 전극 및 전자 방출부를 형성하는 다양한 공정을 반복하여야 하며, 캐소드 전극, 게이트 전극, 절연층의 개구부 및 전자 방출부의 정렬 및 이를 확인하기 위한 추가 노력이 요구된다. 따라서 종래 전자 방출 유닛은 제조 방법이 복잡하여 많은 시간과 비용이 소요된다. Meanwhile, the electron emission unit having the above-described structure should repeat various processes of forming the cathode electrode, the insulation layer, the gate electrode, and the electron emission portion, and check the alignment of the cathode electrode, the gate electrode, the opening of the insulation layer, and the electron emission portion, and confirm the same. Additional effort is required. Therefore, the conventional electron emission unit has a complicated manufacturing method and takes a lot of time and cost.

본 발명의 일 실시예는 균일한 전자 방출에 의해 균일한 휘도를 구현할 수 있고 제조 방법을 단순화할 수 있는 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치를 제공하고자 한다. An embodiment of the present invention is to provide a light emitting device and a display device having the same can implement a uniform brightness by a uniform electron emission and simplify the manufacturing method.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 제1 기판, 제2 기판, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서 양 기판을 접함하는 밀봉 부재를 포함한다. 제1 기판은, 일면에 오목부들이 형성되는 제1 기판 본체, 상기 오목부들 내에 위치하는 제1 전극들, 상기 제1 전극들 위에 배치되는 전자 방출부들, 및 상기 전자 방출부들과 거리를 두고 상기 제1 기판 본체의 일면에 고정되는 제2 전극들을 구비한다. 제2 기판은 상기 제1 기판 본체에 대향 배치되는 제2 기판 본체, 및 상기 제2 기판 본체의 일면에 형성되는 발광 유닛을 구비한다. 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 발광이 일어나는 발광 영역 및 이 발광 영역의 외곽에 위치하는 비발광 영역이 정의되고, 상기 제1 기판 본체의 상기 비발광 영역에는, 상기 제2 전극들과 상기 제1 기판 본체 사이에 위치하는 구조체를 수용하기 위한 홈이 형성된다. A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate, a second substrate, and a sealing member contacting both substrates between the first substrate and the second substrate. The first substrate may include a first substrate main body having recesses formed on one surface thereof, first electrodes positioned in the recesses, electron emission parts disposed on the first electrodes, and the electron emission parts at a distance from the first substrate body. Second electrodes fixed to one surface of the first substrate body are provided. The second substrate includes a second substrate body disposed to face the first substrate body, and a light emitting unit formed on one surface of the second substrate body. A light emitting region in which light is emitted from the first substrate and the second substrate and a non-light emitting region positioned outside the light emitting region are defined. In the non-light emitting region of the first substrate body, the second electrodes and the Grooves are formed for receiving the structures located between the first substrate bodies.

상기 밀봉 부재는, 상기 제2 전극들과 상기 제1 기판 본체 사이에서 상기 제2 전극들을 상기 제1 기판 본체에 고정하는 제1 접착층을 포함하고, 상기 홈이 상기 제1 접착층을 수용할 수 있다. 상기 밀봉 부재는, 글라스 프레임, 상기 제2 전극들과 상기 프레임 사이에 위치하는 제2 접착층, 및 상기 글라스 프레임과 상기 제2 기판 본체 사이에 위치하는 제3 접착층을 포함할 수 있다. The sealing member may include a first adhesive layer for fixing the second electrodes to the first substrate body between the second electrodes and the first substrate body, and the groove may accommodate the first adhesive layer. . The sealing member may include a glass frame, a second adhesive layer positioned between the second electrodes and the frame, and a third adhesive layer positioned between the glass frame and the second substrate body.

상기 제2 전극들과 상기 제1 기판 본체 사이에 대전 방지막을 더 구비하고, 상기 홈이 상기 대전 방지막을 수용할 수 있다. 상기 대전 방지막은 상기 제1 기판 본체의 가장자리를 따라 형성될 수 있다. 상기 대전 방지막이 크롬 산화물을 포함할 수 있다. 상기 홈의 깊이와 상기 대전 방지막의 두께가 동일할 수 있다. An antistatic film may be further provided between the second electrodes and the first substrate main body, and the groove may accommodate the antistatic film. The antistatic film may be formed along an edge of the first substrate body. The antistatic film may include chromium oxide. The depth of the groove and the thickness of the antistatic film may be the same.

상기 제2 전극들은 상기 제1 전극들보다 두꺼운 금속판으로 이루어지고, 상기 제2 전극들은 상기 밀봉 부재가 형성된 부분에서 부분적으로 상기 제1 기판 본체에 고정될 수 있다. The second electrodes may be formed of a metal plate thicker than the first electrodes, and the second electrodes may be partially fixed to the first substrate body at a portion where the sealing member is formed.

상기 오목부들은 상기 제1 기판 본체의 발광 영역에 형성될 수 있다. The recesses may be formed in a light emitting area of the first substrate body.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상술한 발광 장치, 및 상기 발광 장치의 전방에 위치하며, 상기 발광 장치로부터 빛을 제공 받아 영상을 표시하는 표시 패널을 포함한다. On the other hand, the display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device described above, and a display panel positioned in front of the light emitting device, and receives the light from the light emitting device to display an image.

본 발명의 실시예에 따른 발광 장치는 비발광 영역에서 게이트 전극과 제1 기판 본체 사이에 위치하는 구조체를 수용하는 홈이 제1 기판 본체에 구비되어 휘도를 균일하게 유지할 수 있다. 이와 더불어, 상술한 구조체가 접착층인 경우에는 게이트 전극을 제1 기판 본체에 좀더 견고하게 밀착시킬 수 있으며, 상술한 구조체가 대전 방지막인 경우에는 제1 기판 본체의 차징(charging)을 효과적으로 방지할 수 있다. In the light emitting device according to the embodiment of the present invention, a groove for accommodating a structure positioned between the gate electrode and the first substrate main body in the non-light emitting area may be provided in the first substrate main body to maintain uniform brightness. In addition, when the structure described above is an adhesive layer, the gate electrode may be more tightly adhered to the first substrate body, and when the structure described above is an antistatic film, charging of the first substrate body may be effectively prevented. have.

또한 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 상술한 바와 같이 균일한 휘도를 지니는 발광 장치를 구비할 수 있다. In addition, the display device according to the exemplary embodiment of the present invention may include a light emitting device having uniform luminance as described above.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

이하 설명에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐 아니라 그 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 그리고 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때는 그 사이에 다른 부분이 없는 것을 의미한다. In the following description, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" or "on" another part, this includes not only the other part "right on" but also another part in between. do. And when a part is "just above" another part, there is no other part in between.

이하, 첨부한 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다. Hereinafter, a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 발광 장치 중 발광 영역의 내부를 나타낸 부분 분해 사시도이다. 1 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially exploded perspective view showing the inside of a light emitting area of the light emitting device shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 장치(101)는, 서로 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(20), 이 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이에 배치되어 이들을 접합하는 밀봉 부재(34)로 이루어진 진공 용기를 포함한다. 이 진공 용기의 내부는 대략 10^-6 토르(torr) 수준의 진공도로 유지될 수 있다. 1 and 2, the light emitting device 101 according to the present embodiment includes a first substrate 10 and a second substrate 20, which are disposed to face each other, and the first substrate 10 and the second substrate. It includes a vacuum container made of a sealing member 34 disposed between the 20 to join them. The interior of this vacuum vessel can be maintained at a vacuum level of approximately 10 ^-6 torr.

제1 기판(10)과 제2 기판(20)에는, 실제로 발광이 일어나는 발광 영역(DA) 과, 이 발광 영역(DA)의 외곽으로 위치하는 비발광 영역(NDA)가 정의된다. In the first substrate 10 and the second substrate 20, a light emitting area DA in which light emission actually occurs and a non-light emitting area NDA positioned outside the light emitting area DA are defined.

발광 영역(DA)에서는, 제1 기판(10)에 전자 방출 유닛이 구비되고, 제2 기판(20)에 발광 유닛이 구비된다. In the light emitting area DA, the electron emission unit is provided in the first substrate 10 and the light emission unit is provided in the second substrate 20.

좀더 상세하게는, 제1 기판(10)은, 제1 기판 본체(11)에 전자 방출 유닛이 형성되어 구성되고, 전자 방출 유닛은, 전자 방출부(15), 이 전자 방출부(15)의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들(12, 32)을 포함한다. 본 실시예에서 구동 전극들(12, 32)은 제1 기판 본체(11)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 형성되는 캐소드 전극들(12)과, 이 캐소드 전극들(12)의 상부에서 이와 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 형성되는 게이트 전극들(32)을 포함한다. In more detail, the 1st board | substrate 10 is comprised by the electron emission unit being formed in the 1st board | substrate main body 11, The electron emission unit is the electron emission part 15 and the electron emission part 15 of this. Drive electrodes 12, 32 for controlling electron emission. In the present exemplary embodiment, the driving electrodes 12 and 32 are formed of cathode electrodes 12 formed along one direction (y-axis direction of the drawing) of the first substrate main body 11, and the cathode electrodes 12 The gate electrodes 32 are formed along a direction intersecting with the upper side in the x-axis direction of the drawing.

도면에서는 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(32)이 스트라이프 형상을 가지는 것으로 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 방출을 제어할 수 있는 전극 형상이라면 다양한 형상을 가질 수 있음은 물론이다. In the drawings, the cathode electrodes 12 and the gate electrodes 32 are illustrated as having a stripe shape, but the present invention is not limited thereto, and the electrode electrodes 12 and the gate electrodes 32 may have various shapes as long as the electrode shapes can control electron emission. Of course.

본 실시예에서 제1 기판 본체(11)의 내면, 즉 제2 기판(20)에 대향하는 면에 소정 깊이를 가지면서 평평한 바닥면을 가지는 오목부(19)가 형성되고, 이 오목부(19)의 평평한 바닥면에 캐소드 전극(12)이 위치한다. 즉 오목부(19)는 캐소드 전극(12)의 길이 방향을 따라 스트라이프 형상으로 형성된다. 그리고 오목부(19)는 수직한 측벽을 가지거나 경사진 측벽을 가질 수 있는데, 도면에서는 일례로 오목부(19)가 경사진 측벽을 가지는 경우를 도시하였다. In this embodiment, a concave portion 19 having a flat bottom surface having a predetermined depth is formed on an inner surface of the first substrate body 11, that is, a surface facing the second substrate 20, and the concave portion 19 is formed. The cathode electrode 12 is located on the flat bottom surface of the (). That is, the recess 19 is formed in a stripe shape along the longitudinal direction of the cathode electrode 12. The recess 19 may have a vertical sidewall or an inclined sidewall. In the drawings, the recess 19 has an example of an inclined sidewall.

이 오목부(19)는 식각 또는 샌드 블라스트(sand blast) 등의 방법으로 제1 기판 본체(11)의 일부를 제거하여 형성될 수 있다. 일례로, 제1 기판 본체(11)는 대략 1.8mm 수준의 두께를 가질 수 있으며, 오목부(19)는 대략 40㎛의 깊이와, 300㎛ 내지 600㎛의 폭을 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 오목부(19)가 캐소드 전극(12)이 위치하기에 적절한 깊이와 폭을 가지면 족하다. The recess 19 may be formed by removing a part of the first substrate main body 11 by an etching method or a sand blast. For example, the first substrate main body 11 may have a thickness of approximately 1.8 mm, and the concave portion 19 may have a depth of approximately 40 μm and a width of 300 μm to 600 μm. However, the present invention is not limited thereto, and the concave portion 19 may have a depth and width suitable for the cathode electrode 12.

오목부(19)의 바닥면에 캐소드 전극(12)이 위치하므로, 캐소드 전극(12)은 제1 기판 본체(11)의 윗면, 즉, 오목부(19)가 형성되지 않은 제1 기판 본체(11)의 내면에 대하여 소정의 높이 차이를 두고 낮게 위치하게 된다. 따라서 오목부들(19) 사이에 위치하는 제1 기판 본체(11)의 부분이 이웃한 캐소드 전극(12)을 분리하는 장벽으로 기능하게 된다.  Since the cathode electrode 12 is located on the bottom surface of the recess 19, the cathode electrode 12 is formed on the upper surface of the first substrate main body 11, that is, the first substrate main body in which the recess 19 is not formed. The lower surface is placed with respect to the inner surface of 11) by a predetermined height difference. Therefore, the portion of the first substrate body 11 positioned between the recesses 19 serves as a barrier separating the neighboring cathode electrode 12.

이 캐소드 전극(12) 위에 전자 방출부(15)가 형성된다. 도면에서는 전자 방출부(15)가 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(32)의 교차 영역에서만 형성된 경우를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 전자 방출부가 캐소드 전극 위에서 이와 나란한 스트라이프 형상으로 형성될 수 있다. The electron emission part 15 is formed on this cathode electrode 12. In the drawing, the case where the electron emission part 15 is formed only at the intersection of the cathode electrode 12 and the gate electrode 32 is illustrated, but the present invention is not limited thereto. Therefore, the electron emission part may be formed in a stripe shape parallel to the cathode electrode.

전자 방출부(15)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질을 포함할 수 있다. 일례로 전자 방출부(15)는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 풀러렌(C₆₀), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함할 수 있다. The electron emission unit 15 may include materials that emit electrons when an electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer-sized material. For example, the electron emission unit 15 may include a material selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, fullerenes (C ₆₀ ), silicon nanowires, and combinations thereof.

전자 방출부(15)는 스크린 인쇄와 같은 후막 공정으로 형성될 수 있다. 좀더 구체적으로 전자 방출부(15)는, 전자 방출 물질을 포함하는 페이스트상 혼합물을 캐소드 전극(12) 위에 스크린 인쇄하는 공정, 인쇄된 혼합물을 건조 및 소성하는 공정, 및 전자 방출 물질들이 전자 방출부(15)의 표면으로 노출되도록 표면을 활성화하는 공정을 차례로 수행하여 형성될 수 있다. The electron emission unit 15 may be formed by a thick film process such as screen printing. More specifically, the electron emitting unit 15 may include screen printing a paste-like mixture including an electron emitting material on the cathode electrode 12, drying and firing the printed mixture, and the electron emitting materials including the electron emitting material. It can be formed by sequentially performing a step of activating the surface to be exposed to the surface of (15).

여기서, 표면을 활성화하는 공정은 전자 방출부(15) 위에 점착 테이프(도시하지 않음)를 부착한 후 이를 떼어내는 작업으로 이루어질 수 있으며, 제1 기판 본체(11) 위에 게이트 전극들(32)을 고정하기 전에 진행된다. 이러한 표면 활성화 공정을 통해 전자 방출부(15)의 표면 일부를 제거하면서 탄소 나노튜브와 같은 전자 방출 물질들을 전자 방출부(15)의 표면에 대해 실질적으로 수직으로 세울 수 있다.In this case, the process of activating the surface may be performed by attaching an adhesive tape (not shown) on the electron emission unit 15 and then detaching the adhesive tape. The gate electrodes 32 may be disposed on the first substrate body 11. Proceed before fixing. This surface activation process removes a portion of the surface of the electron emitting portion 15 and allows electron emitting materials such as carbon nanotubes to be substantially perpendicular to the surface of the electron emitting portion 15.

본 실시예에서 오목부(19)의 깊이는 캐소드 전극(12)의 두께와 전자 방출부(15)의 두께의 합보다 크게 형성되어, 캐소드 전극(12)과 전자 방출부(15)가 제1 기판 본체(11)의 상부면과 소정의 높이 차이를 두고 위치한다. In this embodiment, the depth of the concave portion 19 is greater than the sum of the thickness of the cathode electrode 12 and the thickness of the electron emitting portion 15, so that the cathode electrode 12 and the electron emitting portion 15 are formed in a first manner. The upper surface of the substrate main body 11 is positioned with a predetermined height difference.

그리고 제1 기판 본체(11)의 윗면에 게이트 전극(32)이 고정된다. 좀더 구체적으로는 게이트 전극(32)을 캐소드 전극(12) 및 전자 방출부(15)가 형성된 제1 기판 본체(11)와 별도의 공정에서 제작한 후, 캐소드 전극(12)과 교차하는 방향으로 제1 기판 본체(11)에 고정한다. The gate electrode 32 is fixed to the upper surface of the first substrate main body 11. More specifically, the gate electrode 32 is manufactured in a separate process from the first substrate main body 11 on which the cathode electrode 12 and the electron emission part 15 are formed, and then intersects with the cathode electrode 12. It is fixed to the 1st board | substrate main body 11. As shown in FIG.

이때, 제1 기판 본체(11)에 형성된 오목부(19)에 의해 게이트 전극(32)이 캐소드 전극(12) 및 전자 방출부(15)와 절연된 상태로 제1 기판 본체(11)에 고정될 수 있다. 즉, 제1 기판 본체(11)의 상부면에 게이트 전극(32)을 고정하는 작업만으로 게이트 전극(32)을 캐소드 전극(12) 및 전자 방출부(15)로부터 자동으로 절연시킬 수 있다. 따라서 게이트 전극(32)과 캐소드 전극(12) 사이에서 이들의 절연을 위한 종래의 절연층 및 게이트 전극의 성막 공정 및 이들에 개구부를 형성하는 공정을 생략할 수 있다. At this time, the gate electrode 32 is fixed to the first substrate main body 11 in a state in which the gate electrode 32 is insulated from the cathode electrode 12 and the electron emission part 15 by the recess 19 formed in the first substrate main body 11. Can be. That is, the gate electrode 32 can be automatically insulated from the cathode electrode 12 and the electron emission unit 15 only by fixing the gate electrode 32 to the upper surface of the first substrate main body 11. Therefore, the conventional insulating layer for forming the insulating layer and the gate electrode, and the step of forming openings therebetween can be omitted between the gate electrode 32 and the cathode electrode 12.

게이트 전극(32)은, 전자빔 통과를 위한 개구부들(325)이 형성되는 메쉬(mesh)부(322)와, 이 메쉬부(322)를 둘러싸는 지지부(321)로 구성될 수 있다. 본 실시예에서는, 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 게이트 전극(32)의 메쉬부(322)가 캐소드 전극(12)과의 교차 영역에서만 형성된다. 이에 따라 게이트 전극(32)의 라인 저항을 줄여 전압 강하를 최소화할 수 있다. The gate electrode 32 may be composed of a mesh part 322 in which openings 325 for passing the electron beam are formed, and a support part 321 surrounding the mesh part 322. In the present embodiment, as shown in the figure, in this embodiment, the mesh portion 322 of the gate electrode 32 is formed only at the intersection with the cathode electrode 12. Accordingly, the line resistance of the gate electrode 32 can be reduced to minimize the voltage drop.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 게이트 전극(32)의 메쉬부가 캐소드 전극(12)에 대응하는 부분 뿐만 아니라 캐소드 전극(12)에 대응하지 않는 부분에도 형성될 수 있다. 즉, 오목부(19)가 형성되지 않은 부분, 즉 제1 기판 본체(11)의 윗면에 밀착되는 게이트 전극(32)의 부분에도 개구부들이 형성될 수 있다. 이 경우 게이트 전극(32)에서 양측 단부를 제외한 영역이 메쉬부를 이루게 되므로, 게이트 전극(32)을 제1 기판 본체(11)에 고정할 때, 캐소드 전극(12)과의 정렬 특성을 고려하지 않아도 되는 장점이 있다. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the mesh portion of the gate electrode 32 may be formed not only at the portion corresponding to the cathode electrode 12 but also at the portion not corresponding to the cathode electrode 12. That is, openings may be formed in a portion where the concave portion 19 is not formed, that is, a portion of the gate electrode 32 that is in close contact with the upper surface of the first substrate body 11. In this case, since the region except for both ends of the gate electrode 32 forms a mesh portion, when the gate electrode 32 is fixed to the first substrate main body 11, alignment characteristics with the cathode electrode 12 are not considered. It has the advantage of being.

이러한 게이트 전극(32)은, 예를 들어, 캐소드 전극(12)보다 두꺼운 금속판을 스트라이프 형상으로 절단한 다음, 식각 등의 방법으로 금속판의 일부를 제거하여 개구부(325)를 형성하여 제작될 수 있다. 이때, 게이트 전극(32)을 이루는 금속판은 알루미늄, 니켈, 철, 이들의 합금 또는 그 외의 금속 재료로 구성될 수 있으며, 각 금속판은 대략 50 ㎛의 두께와 대략 10 ㎛의 폭으로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것이 아님은 물론이다. The gate electrode 32 may be manufactured by, for example, cutting a metal plate thicker than the cathode electrode 12 into a stripe shape and then removing a portion of the metal plate by etching to form an opening 325. . In this case, the metal plate constituting the gate electrode 32 may be made of aluminum, nickel, iron, alloys thereof, or other metal materials, and each metal plate may be formed to have a thickness of about 50 μm and a width of about 10 μm. . However, it is a matter of course that the present invention is not limited thereto.

상술한 구조의 발광 장치(101)에서 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(32)의 교차 영역 하나가 화소 영역 하나에 대응할 수 있다. 또는, 2개 이상의 교차 영역이 화소 영역 하나에 대응할 수 있는데, 이 경우에는 같은 화소 영역에 위치하는 캐소드 전극들(12)에 서로 동일한 구동 전압이 인가되고, 같은 화소 영역에 위치하는 게이트 전극들(32)에 서로 동일한 구동 전압이 인가된다. In the light emitting device 101 having the above-described structure, one intersection region of the cathode electrode 12 and the gate electrode 32 may correspond to one pixel region. Alternatively, two or more crossing regions may correspond to one pixel region. In this case, the same driving voltage is applied to the cathode electrodes 12 positioned in the same pixel region, and gate electrodes positioned in the same pixel region ( 32, the same drive voltages are applied to each other.

다음으로, 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이의 비발광 영역(NDA)에는 밀봉 부재(34)가 위치한다. 이 밀봉 부재(34)는, 글라스 프레임(341)과, 게이트 전극(32)과 제1 기판(10)(좀더 정확하게는, 제1 기판 본체(11)) 사이에 위치하는 제1 접착층(342), 게이트 전극(32)과 글라스 프레임(341) 사이에 위치하는 제2 접착층(343), 및 글라스 프레임(341)과 제2 기판(20)과 사이에 위치하는 제3 접착층(344)을 포함한다. Next, the sealing member 34 is positioned in the non-light emitting region NDA between the first substrate 10 and the second substrate 20. The sealing member 34 includes a first adhesive layer 342 positioned between the glass frame 341, the gate electrode 32, and the first substrate 10 (more precisely, the first substrate main body 11). And a second adhesive layer 343 positioned between the gate electrode 32 and the glass frame 341, and a third adhesive layer 344 positioned between the glass frame 341 and the second substrate 20. .

여기서, 제1 내지 제3 접착층(342, 343, 344)은 제1 및 제2 기판(10, 20)과 글래스 프레임(341)을 일체로 접합하는 역할을 하고, 제1 및 제2 접착층(342, 343)은 게이트 전극(32)을 제1 기판 본체(11)에 부분적으로 고정하는 역할을 한다. 즉 게이트 전극(32)은 그 전체가 제1 기판 본체(11) 상에서 고정되어 형성되는 것이 아니라, 밀봉 부재(34)에 의해 부분적으로 제1 기판 본체(11)에 고정된다. Here, the first to third adhesive layers 342, 343, and 344 serve to integrally bond the first and second substrates 10 and 20 and the glass frame 341, and the first and second adhesive layers 342. , 343 partially secures the gate electrode 32 to the first substrate body 11. That is, the entirety of the gate electrode 32 is not fixedly formed on the first substrate main body 11, but is partially fixed to the first substrate main body 11 by the sealing member 34.

본 실시예에서는 게이트 전극(32)의 양측으로 제1 접착층(342)과 제2 접착층(343)을 위치시켜 게이트 전극들(32)을 제1 기판 본체(11)를 좀더 견고하게 고정할 수 있다. 이때, 밀봉 부재(34)에 대응하는 위치에서 제1 기판 본체(11)에 접착층용 홈(36)을 형성하고, 이 접착층용 홈(36)이 제1 접착층(342)을 수용하도록 하 여 게이트 전극들(32)과 전자 방출부(15)의 거리를 균일하게 하도록 한다. In the present exemplary embodiment, the first and second adhesive layers 342 and 343 may be disposed on both sides of the gate electrode 32 to fix the gate electrodes 32 more firmly. . At this time, the adhesive layer groove 36 is formed in the first substrate main body 11 at a position corresponding to the sealing member 34, and the adhesive layer groove 36 receives the first adhesive layer 342 to form a gate. The distance between the electrodes 32 and the electron emission portion 15 is made uniform.

즉, 게이트 전극들(32)를 견고하게 고정하기 위하여 제1 및 제2 접착층(342, 343)을 모두 구비하는 경우에, 제1 기판 본체(11)에 접착층용 홈을 형성하지 않는다면, 게이트 전극들(32)과 제1 기판 본체(11)에 위치하는 제1 접착층(342)에 의해 게이트 전극(32)의 일부가 제1 기판 본체(11)에 밀착될 수 없고, 제1 접착층(342) 주위에서 제1 기판 본체(11)와 크게는 제1 접착층(342)의 두께만큼 이격된다. 이 경우 게이트 전극들(32)과 전자 방출부(15)의 거리가 균일하게 유지될 수 없다. That is, when both the first and second adhesive layers 342 and 343 are provided to firmly fix the gate electrodes 32, the gate electrode is not formed unless the grooves for the adhesive layer are formed in the first substrate body 11. A portion of the gate electrode 32 may not be in close contact with the first substrate body 11 by the first adhesive layer 342 positioned on the field 32 and the first substrate body 11, and the first adhesive layer 342 may be in contact with the first substrate body 11. It is spaced apart from the first substrate main body 11 by the thickness of the first adhesive layer 342. In this case, the distance between the gate electrodes 32 and the electron emission unit 15 may not be maintained uniformly.

이와 같이 본 실시예에서는 비발광 영역(NDA)에서 게이트 전극들(32)과 제1 기판 본체(11) 사이에 위치하는 구조체인 제1 접착층(342)을 수용하는 접착층용 홈(36)이 제1 기판 본체(11)에 위치하여, 게이트 전극들(32)과 전자 방출부(15)의 거리를 균일하게 유지하여, 결과적으로 발광 장치(101)의 휘도를 균일하게 할 수 있다. As described above, in the present exemplary embodiment, the adhesive layer groove 36 for accommodating the first adhesive layer 342, which is a structure positioned between the gate electrodes 32 and the first substrate main body 11 in the non-light emitting region NDA, may be formed. Located in the substrate main body 11, the distance between the gate electrodes 32 and the electron emission unit 15 may be maintained uniformly, resulting in a uniform luminance of the light emitting device 101.

한편, 제2 기판(20)은, 기판 본체(이하, '제2 기판 본체')(21)에 발광 유닛이 형성되어 구성된다. 발광 유닛은, 제2 기판 본체(21)의 내면에 형성되는 제3 전극(이하, '애노드 전극')(22), 이 애노드 전극(22)의 일면에 위치하는 형광층(25), 및 이 형광층(25)을 덮는 반사막(28)을 포함한다. On the other hand, the 2nd board | substrate 20 is comprised by the light emitting unit formed in the board | substrate main body (henceforth "2nd board | substrate main body") 21, and is comprised. The light emitting unit includes a third electrode (hereinafter referred to as 'anode electrode') 22 formed on the inner surface of the second substrate main body 21, a fluorescent layer 25 located on one surface of the anode electrode 22, and A reflective film 28 covering the fluorescent layer 25 is included.

애노드 전극(22)은 형광층(25)으로부터 방출되는 가시광을 투과할 수 있도록 투명한 도전 물질로 형성된다. 일례로 애노드 전극(22)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)와 같은 물질로 구성될 수 있다. 애노드 전극(22)은 전자빔을 끌어당기는 가속 전극으로서, 수천 볼트 이상의 양의 직류 전압(애노드 전압)을 인가 받아 형광층(25)을 고전위 상태로 유지시킨다. The anode electrode 22 is formed of a transparent conductive material so as to transmit visible light emitted from the fluorescent layer 25. For example, the anode electrode 22 may be formed of a material such as indium tin oxide (ITO). The anode electrode 22 is an acceleration electrode for attracting an electron beam, and is applied with a direct current voltage (anode voltage) in the amount of several thousand volts or more to maintain the fluorescent layer 25 in a high potential state.

형광층(25)은 적색, 녹색, 및 청색 형광체가 혼합되어 백색광을 방출하는 혼합 형광체로 이루어질 수 있다. 형광층(25)은 제2 기판 본체(21)의 발광 영역 전체에 형성되거나, 화소 영역마다 분리되어 형성될 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 형광층(25)이 제2 기판 본체(21)의 발광 영역 전체에 형성되는 경우를 도시하였다. The fluorescent layer 25 may be formed of a mixed phosphor in which red, green, and blue phosphors are mixed to emit white light. The fluorescent layer 25 may be formed in the entire light emitting area of the second substrate body 21 or may be formed separately for each pixel area. 1 and 2 illustrate a case in which the fluorescent layer 25 is formed in the entire light emitting region of the second substrate main body 21.

형광층(25) 위에 형성되는 반사막(28)은 수천 옴스트롱(Å) 두께의 알루미늄 박막으로 이루어질 수 있으며, 전자빔 통과를 위한 미세 홀들(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 반사막(28)은 형광층(25)에서 방출된 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방출된 가시광을 반사시켜 발광 장치(101)의 휘도를 높이는 역할을 한다. The reflective film 28 formed on the fluorescent layer 25 may be formed of an aluminum thin film having a thickness of several thousand ohms strong, and fine holes (not shown) for electron beam passage may be formed. The reflective film 28 reflects the visible light emitted toward the first substrate 10 of the visible light emitted from the fluorescent layer 25 to increase the luminance of the light emitting device 101.

여기서, 애노드 전극(25)과 반사막(28) 중 어느 하나는 생략될 수 있다. 애노드 전극(22)이 생략될 경우 반사막(28)이 애노드 전압을 인가 받아 애노드 전극(22)과 같은 기능을 수행할 수 있다. Here, any one of the anode electrode 25 and the reflective film 28 may be omitted. When the anode electrode 22 is omitted, the reflective film 28 may receive an anode voltage to perform the same function as the anode electrode 22.

그리고 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이에는 진공 압력을 견디면서 양 기판(10, 20) 사이의 간격을 일정하게 유지하는 스페이서(도시하지 않음)가 구비된다. 스페이서들은 게이트 전극들(32) 사이에 대응하여 위치할 수 있다. In addition, a spacer (not shown) is provided between the first and second substrates 10 and 20 to maintain a constant gap between the two substrates 10 and 20 while withstanding vacuum pressure. The spacers may be located correspondingly between the gate electrodes 32.

이와 같은 발광 장치(101)에서는, 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(32) 중 어느 한 전극들에 주사 구동 전압을 인가하고, 다른 한 전극에 데이터 구동 전압을 인가하며, 애노드 전극(22)에 수천 볼트 이상의 애노드 전압을 인가한다. In the light emitting device 101, a scan driving voltage is applied to one of the cathode electrodes 12 and the gate electrodes 32, a data driving voltage is applied to the other electrode, and the anode electrode 22 is applied. Apply an anode voltage of more than a thousand volts.

그러면 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(32)의 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(15) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방 출된 전자들은 애노드 전극(22)에 인가된 애노드 전압에 이끌려 대응하는 형광층(25) 부위에 충돌함으로써 형광층(25)을 발광시킨다. 화소별 형광층(25)의 휘도는 해당 화소의 전자빔 방출량에 대응한다. Then, in the pixels where the voltage difference between the cathode electrode 12 and the gate electrode 32 is greater than or equal to the threshold, an electric field is formed around the electron emission part 15 to emit electrons therefrom. The emitted electrons are attracted to the anode voltage applied to the anode electrode 22 and collide with the corresponding fluorescent layer 25 site to emit light of the fluorescent layer 25. The luminance of the fluorescent layer 25 for each pixel corresponds to the electron beam emission amount of the pixel.

본 실시예에서는 오목부(19)의 깊이를 조절하여 게이트 전극(32)을 전자 방출부(15)와 가까이 배치할 수 있으므로, 전자 방출부(15)에서 방출되는 전자들은 빔 퍼짐이 최소화된 상태로 게이트 전극(32)의 개구부(325)를 통과하여 형광층(25)에 도달한다. 따라서 본 실시예에 따른 발광 장치(101)에서는 전자빔의 초기 퍼짐각이 감소되어 오목부(19) 내측벽에서의 전하 차징을 효과적으로 억제할 수 있다. In the present exemplary embodiment, since the gate electrode 32 may be disposed close to the electron emission unit 15 by adjusting the depth of the recess 19, the electrons emitted from the electron emission unit 15 may have a minimum beam spread state. The fluorescent layer 25 is reached through the opening 325 of the furnace gate electrode 32. Therefore, in the light emitting device 101 according to the present embodiment, the initial spreading angle of the electron beam is reduced, so that the charge charging on the inner wall of the recess 19 can be effectively suppressed.

그 결과, 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(32)의 내전압 특성을 높여 구동을 안정화하므로, 애노드 전극(22)에 10 kV 이상, 바람직하게 10 내지 15 kV의 고전압을 인가하여 고휘도를 구현할 수 있다. As a result, since the driving voltage is stabilized by increasing the withstand voltage characteristics of the cathode electrode 12 and the gate electrode 32, high brightness can be achieved by applying a high voltage of 10 kV or more, preferably 10 to 15 kV, to the anode electrode 22. .

또한, 본 실시예에서는, 절연층 형성, 게이트 전극의 형성을 위한 성막 공정 및 절연층과 게이트 전극에 개구부를 형성하는 공정 등을 생략할 수 있어 제조 공정을 단순화할 수 있다. 그리고 앞서 설명한 바와 같이, 하나의 게이트 전극 전체를 하나의 메쉬부로 구성할 경우 게이트 전극(32)을 제1 기판 본체(11)에 배치할 때 캐소드 전극(12)의 정렬 상태를 크게 고려하지 않아도 되므로, 좀더 용이하게 제조할 수 있다. In this embodiment, the formation of the insulating layer, the film forming process for forming the gate electrode, the step of forming openings in the insulating layer and the gate electrode, and the like can be omitted, thereby simplifying the manufacturing process. In addition, as described above, when the entire gate electrode is configured as one mesh part, when the gate electrode 32 is disposed on the first substrate main body 11, the alignment state of the cathode electrode 12 does not need to be greatly considered. It can be manufactured more easily.

더욱이 전자 방출부(15)를 형성한 다음 게이트 전극(32)을 배치하기 때문에 전자 방출부(15)를 형성하는 과정에서 도전성 전자 방출 물질에 의해 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(32)이 단락되는 문제를 방지할 수 있다. Furthermore, since the electron emission part 15 is formed and the gate electrode 32 is disposed, the cathode 12 and the gate electrode 32 are short-circuited by the conductive electron emission material in the process of forming the electron emission part 15. Can be prevented.

상기에서 설명한 전자 방출 유닛 및 발광 유닛은 본 발명의 일 실시예로서 설명한 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 전자 방출부에서 방출되는 전자들의 전자빔 집속을 위한 전극 등을 별도로 구비할 수 있다. 또한, 상기에서는 전자 방출 유닛이 전계 방출 어레이(Field Emission Array, REA)형인 경우에 대하여 설명하였으나, 그 외 표면-전도 에미션(Surface-Conduction Emission, SCE)형 등으로 이루어질 수 있다. The electron emission unit and the light emission unit described above are described as an embodiment of the present invention, but the present invention is not limited thereto. Therefore, an electrode for focusing electron beams of electrons emitted from the electron emission unit may be separately provided. In addition, in the above, the case where the electron emission unit is a field emission array (REA) type has been described, but may be other surface-conduction emission (SCE) type or the like.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시한 발광 장치의 평면도이다. 3 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the light emitting device shown in FIG.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에서는 비발광 영역(NDA)에서 제1 기판 본체(111)의 가장자리를 따라 대전 방지막(38)이 형성된다. 그러나 본 발명이 이러한 대전 방지막(38)의 형상에 한정되는 것은 아니며, 발광 장치(101)의 발광을 방해하지 않는 비발광 영역(NDA)에서 다양한 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다. 3 and 4, in the present exemplary embodiment, the antistatic film 38 is formed along the edge of the first substrate main body 111 in the non-light emitting area NDA. However, the present invention is not limited to the shape of the antistatic film 38, and may be formed in various shapes in the non-light emitting area NDA that does not interfere with the light emission of the light emitting device 101.

이러한 대전 방지막(38)은 절연성의 제1 기판 본체(111)에 전하가 차징(charging)되는 것을 방지하면서도 전류는 흐르지 않는 정도의 아주 적은 도전성을 띄는 물질로 이루어질 수 있다. 일례로 대전 방지막(38)은 크롬 산화물(Cr₂O₃)를 포함할 수 있다. The antistatic film 38 may be made of a material having a very small conductivity such that electric charges are prevented while electric charges are prevented from being charged to the insulating first substrate body 111. As an example, the antistatic film 38 may include chromium oxide (Cr ₂ O ₃ ).

본 실시예에서 대전 방지막(38)은 게이트 전극(32)과 제1 기판 본체(111) 사이에 위치하는데, 제1 기판 본체(111)에는 이 대전 방지막(38)을 수용하는 대전 방지막용 홈(39)이 형성된다. 즉 본 실시예에서는 게이트 전극(32)과 제1 기판 본 체(111) 사이에 위치하는 구조체인 대전 방지막(38)을 수용하는 대전 방지막용 홈(39)을 구비하여, 이러한 구조체를 구비하는 경우에도 게이트 전극(32)이 제1 기판 본체(111)에 전체적으로 밀착될 수 있다. 이에 따라 전자 방출부(15)와 게이트 전극(32) 사이의 거리를 균일하게 유지할 수 있어 휘도 균일도를 향상할 수 있다. In this embodiment, the antistatic film 38 is positioned between the gate electrode 32 and the first substrate main body 111, and the first substrate main body 111 has an antistatic film groove for accommodating the antistatic film 38. 39) is formed. In other words, in the present embodiment, an antistatic film groove 39 for receiving an antistatic film 38, which is a structure located between the gate electrode 32 and the first substrate body 111, is provided. In addition, the gate electrode 32 may be in close contact with the first substrate body 111 as a whole. As a result, the distance between the electron emission unit 15 and the gate electrode 32 may be maintained uniformly, thereby improving luminance uniformity.

본 실시예에서는 제1 기판 본체(111)의 차징을 좀더 효과적으로 방지하기 위하여, 대전 방지막(38)의 두께를 대전 방지막용 홈(39)의 높이와 실질적으로 동일하게 하여, 대전 방지막(38)이 형성되지 않은 제1 기판 본체(111)의 윗면과 대전 방지막(38)의 윗면이 단차지지 않도록 할 수 있다. In this embodiment, in order to more effectively prevent the charging of the first substrate main body 111, the thickness of the antistatic film 38 is substantially equal to the height of the antistatic film groove 39, so that the antistatic film 38 is The upper surface of the first substrate main body 111 that is not formed and the upper surface of the antistatic film 38 may be prevented from being stepped.

도 3에서는 본 실시예에서 대전 방지막용 홈(39)과 접착층용 홈(36)이 모두 구비된 것을 도시하였으나, 제1 접착층(342)이 구비되지 않는 경우라면 접착층용 홈(36)을 별도로 구비하지 않을 수 있다.3 illustrates that both the antistatic film groove 39 and the adhesive layer groove 36 are provided in this embodiment. However, when the first adhesive layer 342 is not provided, the adhesive layer groove 36 is separately provided. You can't.

이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. Hereinafter, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 5 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

본 실시예에 따른 표시 장치(201)는, 발광 장치(101), 및 이 발광 장치(101)의 전방에 위치하는 표시 패널(50)을 포함한다. 발광 장치(101)는 전술한 실시예들 중 어느 한 실시예의 발광 장치이며, 표시 장치(201)에서 광원으로 기능한다. 표시 패널(50)은 투과형 또는 반투과형 액정 표시 패널일 수 있다. 발광 장치(101)와 표시 패널(50) 사이에는 발광 장치(101)에서 출사된 광을 고르게 확산시키는 확산 부재(65)가 위치할 수 있다. The display device 201 according to the present embodiment includes a light emitting device 101 and a display panel 50 positioned in front of the light emitting device 101. The light emitting device 101 is the light emitting device of any one of the above-described embodiments, and functions as a light source in the display device 201. The display panel 50 may be a transmissive or transflective liquid crystal display panel. A diffusion member 65 may be disposed between the light emitting device 101 and the display panel 50 to evenly diffuse the light emitted from the light emitting device 101.

도 6은 도 5에 도시한 표시 패널(50)의 부분 단면도로서, 일례로 투과형 액정 표시 패널을 도시하였다. 도 6을 참조하여 표시 패널(50)이 투과형 액정 표시 패널인 경우에 대해 설명한다. FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the display panel 50 shown in FIG. 5 and illustrates a transmissive liquid crystal display panel as an example. A case in which the display panel 50 is a transmissive liquid crystal display panel will be described with reference to FIG. 6.

도 6을 참조하면, 표시 패널(50)은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(53)와 화소 전극(54)이 형성된 제1 표시판(51)과, 컬러 필터층(55)과 공통 전극(56)이 형성된 제2 표시판(52)과, 이 제1 표시판(51)과 제2 표시판(52) 사이에 주입된 액정층(60)을 포함한다. 제1 표시판(51)의 전면과 제2 표시판(52)의 배면에는 편광판(581, 582)이 부착되어 표시 패널(50)을 통과하는 빛을 편광시킨다. Referring to FIG. 6, the display panel 50 includes a first display panel 51 on which a thin film transistor (TFT) 53 and a pixel electrode 54 are formed, a color filter layer 55, and a common electrode 56. ) And a second display panel 52 formed thereon, and a liquid crystal layer 60 injected between the first display panel 51 and the second display panel 52. Polarizers 581 and 582 are attached to the front surface of the first display panel 51 and the rear surface of the second display panel 52 to polarize light passing through the display panel 50.

화소 전극(54)은 부화소마다 하나씩 위치하며, 박막 트랜지스터(53)에 의해 구동이 제어된다. 여기서, 서로 다른 색상을 구현하는 복수의 부화소들이 모여 하나의 화소를 이루게 되며, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위가 된다. 화소 전극들(54)과 공통 전극(56)은 투명한 도전 물질로 형성된다. 컬러 필터층(55)은 부화소 별로 각각 위치하는 적색 필터층(55R), 녹색 필터층(55G), 및 청색 필터층(55B)을 포함한다. One pixel electrode 54 is positioned for each subpixel, and driving is controlled by the thin film transistor 53. Here, a plurality of subpixels that implement different colors are formed to form one pixel, and the pixel is a minimum unit for displaying an image. The pixel electrodes 54 and the common electrode 56 are formed of a transparent conductive material. The color filter layer 55 includes a red filter layer 55R, a green filter layer 55G, and a blue filter layer 55B which are respectively positioned for each subpixel.

특히 부화소의 박막 트랜지스터(53)가 턴 온되면, 화소 전극(54)과 공통 전극(56) 사이에 전계가 형성된다. 이 전계에 의해 액정층(60)의 액정 분자들의 배열각이 변화되며, 변화된 액정 분자들의 배열각에 따라 광투과도가 변화한다. 표시 패널(50)은 이러한 과정을 통해 화소별 휘도와 발광색을 제어하여 화상을 표시할 수 있다. In particular, when the thin film transistor 53 of the subpixel is turned on, an electric field is formed between the pixel electrode 54 and the common electrode 56. The arrangement angle of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 60 is changed by this electric field, and the light transmittance is changed according to the changed arrangement angle of the liquid crystal molecules. Through this process, the display panel 50 may display an image by controlling luminance and emission color of each pixel.

이러한 표시 패널(50)은 전술한 구조에 한정되지 않으며 다양한 구조로 이루 어질 수 있다. The display panel 50 is not limited to the above-described structure and may have various structures.

도 6과 함께 도 5를 참조하면, 표시 장치(201)는, 표시 패널(50)의 각 박막 트랜지스터(53)의 게이트 전극에 게이트 구동 신호를 공급하는 게이트 회로 기판(44)과, 표시 패널(50)의 각 박막 트랜지스터(53)의 소스 전극에 데이터 구동 신호를 공급하는 데이터 회로 기판(46)을 포함한다. Referring to FIG. 5 together with FIG. 6, the display device 201 includes a gate circuit board 44 for supplying a gate driving signal to the gate electrode of each thin film transistor 53 of the display panel 50, and the display panel ( And a data circuit board 46 for supplying a data driving signal to the source electrode of each of the thin film transistors 53 of 50.

발광 장치(101)는 표시 패널(50)보다 적은 수의 화소들을 형성하여 발광 장치(101)의 한 화소가 두개 이상의 표시 패널(50) 화소에 대응하도록 한다. 발광 장치(101)의 각 화소는 이에 대응하는 표시 패널(50) 화소들의 계조에 대응하여 발광할 수 있으며, 일례로 표시 패널(50) 화소들의 계조들 중 가장 높은 계조에 대응하여 발광할 수 있다. 발광 장치(101)의 각 화소는 2 내지 8 비트의 계조를 표현할 수 있다.The light emitting device 101 forms fewer pixels than the display panel 50 so that one pixel of the light emitting device 101 corresponds to two or more pixels of the display panel 50. Each pixel of the light emitting device 101 may emit light corresponding to the gray levels of the pixels of the display panel 50. For example, each pixel of the light emitting device 101 may emit light corresponding to the highest gray level among the grays of the pixels of the display panel 50. . Each pixel of the light emitting device 101 may express a gray level of 2 to 8 bits.

편의상 표시 패널(50)의 화소를 제1 화소라 하고, 발광 장치(101)의 화소를 제2 화소라 하며, 하나의 제2 화소에 대응하는 제1 화소들을 제1 화소군이라 명칭한다. For convenience, a pixel of the display panel 50 is called a first pixel, a pixel of the light emitting device 101 is called a second pixel, and first pixels corresponding to one second pixel are called a first pixel group.

발광 장치(101)의 구동 과정은, 표시 패널(50)을 제어하는 신호 제어부(미도시)가 제1 화소군의 제1 화소들 중 가장 높은 계조를 검출하는 단계, 검출된 계조에 따라 제2 화소 발광에 필요한 제조를 산출하여 이를 디지털 데이터로 변환하는 단계, 디지털 데이터를 이용하여 발광 장치(101)의 구동 신호를 생성하는 단계, 그리고 생성된 구동 신호를 발광 장치(101)의 구동 전극에 인가하는 단계를 포함할 수 있다. The driving process of the light emitting device 101 may include detecting, by a signal controller (not shown) controlling the display panel 50, the highest gray level among the first pixels of the first pixel group, and according to the detected gray level. Calculating manufacturing required for pixel emission and converting the same into digital data, generating a driving signal of the light emitting device 101 using the digital data, and applying the generated driving signal to the driving electrode of the light emitting device 101. It may include the step.

발광 장치(101)의 구동 신호는 주사 신호와 데이터 신호로 이루어진다. 캐소드 전극(도 1의 참조부호 12, 이하 동일)과 게이트 전극(도 1의 참조부호 32, 이하 동일) 중 어느 한 전극(일례로 게이트 전극)이 주사 신호를 인가받고, 다른 한 전극(일례로 캐소드 전극)이 데이터 신호를 인가받는다. The drive signal of the light emitting device 101 is composed of a scan signal and a data signal. One of the cathode electrode (referenced by reference numeral 12 in FIG. 1 and the same below) and the gate electrode (referenced by reference numeral 32 in FIG. 1 and below) (for example, the gate electrode) receives a scan signal and the other electrode (for example, Cathode electrode) receives a data signal.

또한, 도시하지는 않았으나, 발광 장치(101)의 구동을 위한 데이터 회로 기판과 주사 회로 기판이 발광 장치(101)의 뒷면에 배치될 수 있다. 데이터 회로 기판과 주사 회로 기판은 각각 제1 커넥터(76) 및 제2 커넥터(74)를 통해 캐소드 전극(12) 및 게이트 전극(32)과 연결된다. 그리고 제3 커넥터(72)는 애노드 전극(22)에 애노드 전압을 인가한다. Although not shown, a data circuit board and a scanning circuit board for driving the light emitting device 101 may be disposed on the rear surface of the light emitting device 101. The data circuit board and the scan circuit board are connected to the cathode electrode 12 and the gate electrode 32 through the first connector 76 and the second connector 74, respectively. The third connector 72 applies an anode voltage to the anode electrode 22.

이와 같이, 발광 장치(101)의 제2 화소는 대응하는 제1 화소군에 영상이 표시될 때 제1 화소군에 동기되어 소정의 계조로 발광한다. 즉, 발광 장치(101)는 표시 패널(50)이 구현하는 화면 가운데 밝은 영역에는 높은 휘도의 빛을 제공하고, 어두운 영역에는 낮은 휘도의 빛을 제공한다. 따라서 본 실시예에 따른 표시 장치(201)는 화면의 콘트라스트 비를 높이고, 보다 선명한 화질을 구현할 수 있다. As described above, when the image is displayed in the corresponding first pixel group, the second pixel of the light emitting apparatus 101 emits light with a predetermined gray level in synchronization with the first pixel group. That is, the light emitting device 101 provides light of high luminance in a bright area of the screen implemented by the display panel 50 and light of low luminance in a dark area. Accordingly, the display device 201 according to the present exemplary embodiment may increase the contrast ratio of the screen and implement more clear image quality.

본 실시예의 표시 장치(201)는, 게이트 전극(32)과 전자 방출부(도 1의 참조부호 15) 사이의 거리가 균일하여 균일한 휘도를 가지는 발광 장치(101)를 구비할 수 있다. The display device 201 of the present embodiment may include a light emitting device 101 having a uniform luminance with a uniform distance between the gate electrode 32 and the electron emission portion (reference numeral 15 of FIG. 1).

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범 위에 속하는 것은 당연하다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims, the detailed description of the invention, and the accompanying drawings. Of course it belongs to the range of.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이다. 1 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 발광 장치 중 발광 영역의 내부를 나타낸 부분 분해 사시도이다. FIG. 2 is a partially exploded perspective view illustrating the inside of a light emitting area of the light emitting device illustrated in FIG. 1.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이다. 3 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시한 발광 장치의 평면도이다. 4 is a plan view of the light emitting device illustrated in FIG. 3.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 5 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 6은 도 5에 도시한 표시 패널의 부분 단면도이다. FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the display panel shown in FIG. 5.

Claims (10)

일면에 오목부들이 형성되는 제1 기판 본체, 상기 오목부들 내에 위치하는 제1 전극들, 상기 제1 전극들 위에 배치되는 전자 방출부들, 및 상기 전자 방출부들과 거리를 두고 상기 제1 기판 본체의 일면에 고정되는 제2 전극들을 구비하는 제1 기판; A first substrate body having concave portions formed on one surface thereof, first electrodes positioned in the concave portions, electron emission portions disposed on the first electrodes, and a distance from the electron emission portions of the first substrate body. A first substrate having second electrodes fixed to one surface; 상기 제1 기판 본체에 대향 배치되는 제2 기판 본체, 및 상기 제2 기판 본체의 일면에 형성되는 발광 유닛을 구비하는 제2 기판; 및 A second substrate having a second substrate body disposed to face the first substrate body, and a light emitting unit formed on one surface of the second substrate body; And 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접합하는 밀봉 부재A sealing member for bonding the first substrate and the second substrate between the first substrate and the second substrate 를 포함하고, Including, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 발광이 일어나는 발광 영역 및 이 발광 영역의 외곽에 위치하는 비발광 영역이 정의되고, A light emitting region in which light is emitted from the first substrate and the second substrate, and a non-light emitting region positioned outside the light emitting region is defined, 상기 제1 기판 본체의 상기 비발광 영역에는, 상기 제2 전극들과 상기 제1 기판 본체 사이에 위치하는 구조체를 수용하기 위한 홈이 형성되는 발광 장치. And a groove for accommodating a structure positioned between the second electrodes and the first substrate body in the non-light emitting region of the first substrate body. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 밀봉 부재는, 상기 제2 전극들과 상기 제1 기판 본체 사이에서 상기 제2 전극들을 상기 제1 기판 본체에 고정하는 제1 접착층을 포함하고,The sealing member includes a first adhesive layer for fixing the second electrodes to the first substrate body between the second electrodes and the first substrate body, 상기 홈이 상기 제1 접착층을 수용하는 발광 장치. The light emitting device in which the groove receives the first adhesive layer. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 밀봉 부재는, 글라스 프레임, 상기 제2 전극들과 상기 프레임 사이에 위치하는 제2 접착층, 및 상기 글라스 프레임과 상기 제2 기판 본체 사이에 위치하는 제3 접착층을 포함하는 발광 장치. The sealing member includes a glass frame, a second adhesive layer positioned between the second electrodes and the frame, and a third adhesive layer positioned between the glass frame and the second substrate main body. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 전극들과 상기 제1 기판 본체 사이에 대전 방지막을 더 구비하고, An antistatic film is further provided between the second electrodes and the first substrate body. 상기 홈이 상기 대전 방지막을 수용하는 발광 장치. A light emitting device in which the groove receives the antistatic film. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 대전 방지막은 상기 제1 기판 본체의 가장자리를 따라 형성되는 발광 장치. The antistatic film is formed along the edge of the first substrate body. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 대전 방지막이 크롬 산화물을 포함하는 발광 장치. A light emitting device wherein the antistatic film comprises chromium oxide. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 홈의 깊이와 상기 대전 방지막의 두께가 동일한 발광 장치. The light emitting device having the same depth as the groove and the thickness of the antistatic film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 전극들은 상기 제1 전극들보다 두꺼운 금속판으로 이루어지고, The second electrodes are made of a metal plate thicker than the first electrodes, 상기 제2 전극들은 상기 밀봉 부재가 형성된 부분에서 부분적으로 상기 제1 기판 본체에 고정되는 발광 장치. And the second electrodes are partially fixed to the first substrate body at a portion where the sealing member is formed. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오목부들은 상기 제1 기판 본체의 발광 영역에 형성되는 발광 장치. The concave portion is formed in the light emitting region of the first substrate body. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의한 발광 장치; 및The light emitting device according to any one of claims 1 to 9; And 상기 발광 장치의 전방에 위치하며, 상기 발광 장치로부터 빛을 제공 받아 영상을 표시하는 표시 패널A display panel positioned in front of the light emitting device to display an image by receiving light from the light emitting device; 을 포함하는 표시 장치. Display device comprising a.

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