KR20110045879A - Plasma display panel and Method for fabricating in thereof - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A plasma display panel and a manufacturing method thereof are provided to improve the secondary-emission characteristic of a plasma display panel by injecting reductive gas and material in discharge cells. CONSTITUTION: A first substrate(170) comprises a protective film(195) including a plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer(190), and a protective layer containing magnesium oxide. A second substrate is attached to the first substrate with a partition interposed. The second substrate comprises a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a fluorescent material layer. Discharge gas containing reductive gas or material is injected in discharge cells defined by the partition in order to remove oxygen atom produced in regrowth of the protective layer.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{Plasma display panel and Method for fabricating in thereof}Plasma display panel and method for manufacturing the same

본 발명은 영상 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an image display device, and more particularly, to a plasma display device.

멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube)는 한계가 있어서, LCD(Liquid Crystal Display)나 PDP(Plasma Display Panel) 및 프로젝션 TV(Television) 등이 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 급속도로 발전하고 있다.With the advent of the multimedia era, display devices that can express more detailed, larger, and more natural colors are required. However, the current CRT (Cathode Ray Tube) has a limit to compose a large screen of 40 inches or more, and the LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and projection TV (Television) are used for high definition video. It is rapidly developing for expansion.

상술한 PDP 등의 디스플레이 장치의 최대 특징은 자체 발광형인 CRT와 비교하여 얇은 두께로 제작될 수 있고, 평면의 대화면(60~80inch) 제작이 손쉬울 뿐 아니라 style이나 design 면에서 종래 CRT와는 명확히 구별이 된다.The maximum feature of the display device such as the PDP can be manufactured in a thin thickness compared to the CRT which is self-luminous, and is easy to manufacture a large flat screen (60 to 80 inches), and clearly distinguished from the conventional CRT in terms of style and design. Becomes

PDP는 어드레스 전극을 구비한 하판과, 서스테인 전극쌍을 구비한 상판과 격벽으로 정의되는 방전 셀을 가지며, 상기 방전 셀 내에는 형광체가 도포되어 화면 을 표시한다.The PDP has a lower plate having an address electrode, a top plate having a sustain electrode pair, and a discharge cell defined by a partition wall, and phosphors are coated on the discharge cell to display a screen.

구체적으로, 상기 상판과 하판 사이의 방전 공간 내에서 방전이 일어나면 이 때 발생된 자외선이 형광체에 입사되어 가시광선이 발생하고, 상기 가시광선에 의하여 화면이 표시된다.Specifically, when discharge occurs in the discharge space between the upper plate and the lower plate, ultraviolet rays generated at this time are incident on the phosphor to generate visible light, and the screen is displayed by the visible light.

본 발명의 목적은, 이차전자 방출 특성을 높여 방출 전압을 낮추고, 고휘도 및 고효율의 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a plasma display panel having a high brightness and high efficiency and a method of manufacturing the same, by increasing secondary electron emission characteristics to lower emission voltages.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 복수개의 방전 전극과, 제1 유전체 층 및 산화마그네슘(이하 "MgO")이 포함된 보호막을 순차적으로 구비하는 제1 기판과; 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 복수개의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 순차적으로 구비하는 제2 기판;을 포함하고, 상기 격벽에 의해 정의되는 방전셀 내부에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 기체 및 물질 중 어느 하나가 포함된 방전 가스가 주입된 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first substrate including a plurality of discharge electrodes, and a protective film including a first dielectric layer and magnesium oxide (hereinafter, “MgO”); And a second substrate bonded to the first substrate with the barrier ribs interposed therebetween, the second substrate including a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a phosphor layer, wherein the discharge cell is defined by the barrier rib. And a discharge gas containing any one of a reducing gas and a substance for removing oxygen atoms generated upon regrowth of the protective film.

이때, 상기 환원성 기체는 CO, 하이드로카본(C_xH_y), H₂, D₂, 알콜 중 어느 하나가 될 수 있고, 상기 환원성 물질은 수소 화합물, 저급(低級) 산화물, 저급산소산의 염, 전기적 양성(陽性)이 큰 금속, 산화 정도가 낮은 유기화합물, 탄소계열 물질, 황화물 계열 물질, 실리콘 계열 물질, 탄화물 계열 물질 중 어느 하나가 될 수 있고, 상기 환원성 기체 및 물질 중 어느 하나는 상기 방전 가스 내에 0.1 내지 2% 혼입된다.In this case, the reducing gas may be any one of CO, hydrocarbon (C _x H _y ), H ₂ , D ₂ , alcohol, and the reducing material may be a hydrogen compound, a lower oxide, a salt of a lower oxygen acid, It can be any one of a highly positive metal, a low oxidation degree organic compound, carbon-based material, sulfide-based material, silicon-based material, carbide-based material, any one of the reducing gas and the material is the discharge 0.1 to 2% incorporation into the gas.

또한, 상기 환원성 물질은 0.1 내지 10㎛의 크기를 가지는 파우더가 될 수 있다.In addition, the reducing material may be a powder having a size of 0.1 to 10㎛.

또한, 상기 보호막 상에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함된 산소 제거막;을 더 포함하여 이루어질 수 있다.The protective film may further include an oxygen removing film including a reducing material for removing oxygen atoms generated upon regrowth of the protective film.

또한, 상기 상기 형광체 층 상에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함된 산소 제거막;을 더 포함하여 이루어질 수 있다.The phosphor layer may further include an oxygen removal layer including a reducing material for removing oxygen atoms generated when the protective layer is regrown.

또한, 상기 형광체 층 내에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함될 수 있다.In addition, the phosphor layer may include a reducing material for removing oxygen atoms generated upon regrowth of the protective film.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 제1 기판상에 복수개의 방전 전극들과 제1 유전체 층 및 산화마그네슘(이하 "MgO")이 포함된 보호막을 순차적으로 형성하는 단계와; 제2 기판 상에 복수의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 형성하는 단계와; 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 제2 기판을 합착하는 단계와; 상기 격벽에 의해 정의되는 방전셀 내부에 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 기체 및 물질 중 어느 하나가 포함된 방전 가스를 주입하는 단계;를 포함하여 이루어진다.In addition, the method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention includes the steps of sequentially forming a protective film including a plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer and magnesium oxide (hereinafter referred to as "MgO") on a first substrate; Forming a plurality of address electrodes, a second dielectric layer and a phosphor layer on the second substrate; Bonding the first substrate and the second substrate to each other with a partition therebetween; And injecting a discharge gas containing any one of a reducing gas and a substance for removing oxygen atoms generated during regrowth of the protective film into a discharge cell defined by the barrier rib.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법은, 방전셀 내부에 보호막의 재성장 시 발생되는 산소원자의 제거를 위한 환원성 기체 및 물질을 주입함으로써, 이차전자 방출 특성이 향상되고, 이로 인해 방전 전압이 낮아지고, 효율이 좋아지는 효과가 있다.In the plasma display panel according to the present invention and a method for manufacturing the same, secondary electron emission characteristics are improved by injecting a reducing gas and a substance for removing oxygen atoms generated during regrowth of the protective film into the discharge cells, thereby improving discharge voltage. It becomes low and there exists an effect which improves efficiency.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention, in which the above object can be specifically realized, are described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다.In the accompanying drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity, and the thickness ratios of the layers in the drawings do not represent actual thickness ratios.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 셀 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a discharge cell structure of a plasma display panel according to the present invention.

도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(170) 상에 일 방향으로 통상 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 스캔 전극과 서스테인 전극(180a, 180b)과 통상 금속 재료로 이루어지는 버스전극(180a', 180b')이 형성된다.As shown in FIG. 1, the plasma display panel of the present invention is formed of a scan electrode and sustain electrodes 180a and 180b made of indium tin oxide (ITO) in one direction on a front substrate 170 and a conventional metal material. Bus electrodes 180a 'and 180b' are formed.

그리고, 스캔 전극과 서스테인 전극 및 버스전극을 덮으면서 전면 기판(170) 상에 제1 유전체 층(190)과 보호막이 순차적으로 형성되어 이루어진다.The first dielectric layer 190 and the passivation layer are sequentially formed on the front substrate 170 while covering the scan electrode, the sustain electrode, and the bus electrode.

전면 기판(170)은 디스플레이 기판용 글라스의 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성된다.The front substrate 170 is formed through a process such as milling and cleaning the glass for the display substrate.

여기서, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 SnO₂를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법 또는 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법 등으로 형성된 것이다.Here, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed by a photoetching method by sputtering ITO (Indium-Tin-Oxide) or SnO ₂ or a lift-off method by CVD. It is formed by such.

그리고, 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag) 등을 포함하여 이루어진다. 또한, 스캔 전극과 서스테인 전극에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.The bus electrodes 180a 'and 180b' include silver (Ag) and the like. In addition, a black matrix may be formed on the scan electrode and the sustain electrode, and may include a low melting glass and a black pigment.

그리고, 스캔 전극과 서스테인 전극 및 버스전극이 형성된 전면 기판(170) 상에는, 제1 유전체 층(190)이 형성된다. 여기서, 제1 유전체 층(190)은 투명한 저융점 유리를 포함하여 이루어지며, 구체적인 조성은 후술한다.The first dielectric layer 190 is formed on the front substrate 170 on which the scan electrode, the sustain electrode, and the bus electrode are formed. Here, the first dielectric layer 190 is made of transparent low melting glass, the specific composition will be described later.

그리고, 제1 유전체 층(190) 상에는 산화 마그네슘 등으로 이루어진 보호막(195)이 형성되어, 방전 시 (+) 이온의 충격으로부터 유전체를 보호하고, 2차 전자 방출을 증가시키기도 한다.A protective film 195 made of magnesium oxide or the like is formed on the first dielectric layer 190 to protect the dielectric from the impact of (+) ions during discharge and to increase secondary electron emission.

그리고, 상기 보호막(195) 상에는 상기 보호막(195)이 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질(50b)이 포함된 산소 제거막(196)이 형성된다.In addition, an oxygen removing film 196 including a reducing material 50b for removing oxygen atoms generated when the protective film 195 is regrown is formed on the protective film 195.

도 5는 보호막의 재성장 과정을 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a regrowth process of the protective film.

도 5를 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 내에 주입된 이온화된 방전 가스가 MgO 보호막(195)에 충돌함에 따라[도 5의 (a)], 상기 보호막(195)의 MgO는 방전 공간으로 스퍼터링(sputtering)되었다가[도 5의 (b)], 다시 보호 막(195)으로 재성장하는 과정을 반복하게 된다[도 5의 (c)].Referring to FIG. 5, as the ionized discharge gas injected into the discharge cell of the plasma display panel collides with the MgO protective film 195 (FIG. 5A), the MgO of the protective film 195 is sputtered into the discharge space. After sputtering (FIG. 5B), the process of regrowing back to the protective film 195 is repeated (FIG. 5C).

이때, MgO가 방전 공간으로 스퍼터링될 때 산소 원자가 발생하게 되고, 상기 보호막(195)이 재성장 시에 상기 발생된 산소 원자의 오염에 의해 2차 전자방출 특성이 열화되어 효율이 감소하기도 한다.At this time, when MgO is sputtered into the discharge space, oxygen atoms are generated, and when the protective film 195 is regrown, secondary electron emission characteristics are deteriorated due to contamination of the generated oxygen atoms, thereby reducing efficiency.

따라서, 본 발명은 방전 공간 내에 상기 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 기체(50a) 또는 물질(50b)을 구비함으로써, 상기 산소 원자를 제거하여 이차 전자 방출 계수(g)를 증가시켜 방전 전압이 낮아지고, 고 효율의 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하기 위한 것이다.Therefore, the present invention includes a reducing gas 50a or a material 50b for removing the oxygen atoms in the discharge space, thereby removing the oxygen atoms to increase the secondary electron emission coefficient g to lower the discharge voltage. To provide a high efficiency plasma display panel.

이때, 상기 환원성 기체(50a)는 CO, 하이드로카본(C_xH_y), H₂, D₂, 알콜 중 어느 하나가 될 수 있고, 방전 가스(160) 내에 0.1 내지 2% 혼입될 수 있다.In this case, the reducing gas 50a may be any one of CO, hydrocarbon (C _x H _y ), H ₂ , D ₂ , and alcohol, and may be incorporated in the discharge gas 160 in 0.1 to 2%.

즉, 상기 환원성 기체(50a)가 상기 방전 가스(160) 내에 0.1 미만으로 혼입될 경우, 상기 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자의 제거 효과가 미비하고, 상기 방전 가스(160) 내에 2%를 초과하여 혼입될 경우 PDP(100)의 방전에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 환원성 기체(50a)를 상기 방전 가스(160) 내에 0.1 내지 2% 혼입함으로써, 최적의 산소 제거 효과 및 방전 효과를 제공하는 것이다.That is, when the reducing gas 50a is mixed in the discharge gas 160 to less than 0.1, the effect of removing oxygen atoms generated during the regrowth of the protective film 195 is insufficient. If more than% is mixed may affect the discharge of the PDP (100). Therefore, in the present invention, by mixing 0.1% to 2% of the reducing gas 50a in the discharge gas 160, an optimum oxygen removal effect and a discharge effect are provided.

또한, 상기 환원성 물질(50b)은 산소 원자와 반응하기 쉬운 물질로써, 수소화합물(요오드화수소, 황화수소, 수소화알루미늄 등)과, 저급(低級)산화물(일산화탄소, 이산화황 등)과, 저급산소산의 염(아황산염, 황화나트륨 등)과, 전기적 양 성(陽性)이 큰 양이온이 되기 쉬운 금속(알칼리 금속, 마그네슘, 아연 등)과, 산화정도가 낮은 유기화합물(알데히드당류, 포름산, 옥살산 등)과, 탄소계열(carbon, graphite, diamond, 석탄, 코크스 등)과, 황화물계열(ZnS, ZrS₂, FeS, Cr₂S₃, CoS 등)과, 실리콘계열(Si, FeSi, FeSi₂, SrSi₂, CaSi₂ 등)과, carbide계열(boron carbide, silicon carbide, titanium carbide 등)을 포함한다.In addition, the reducing substance 50b is a substance which is easily reacted with an oxygen atom, and is a hydrogen compound (hydrogen iodide, hydrogen sulfide, aluminum hydride, etc.), lower oxides (carbon monoxide, sulfur dioxide, etc.), and salts of lower oxygen acids ( Sulfites, sodium sulfide, etc.), metals (alkaline metals, magnesium, zinc, etc.) that are easily cationic with high electrical positivity, organic compounds (aldehyde saccharides, formic acid, oxalic acid, etc.) with low oxidation degree, carbon Series (carbon, graphite, diamond, coal, coke, etc.), sulfide series (ZnS, ZrS ₂ , FeS, Cr ₂ S ₃ , CoS, etc.), and silicon series (Si, FeSi, FeSi ₂ , SrSi ₂ , CaSi ₂₎ Etc.) and carbide series (boron carbide, silicon carbide, titanium carbide, etc.).

이때, 상기 환원성 물질(50b)은 비히클/바인더 등과 혼합되어 페이스트 형태로 제조되고, 상기 환원성 물질(50b)이 포함된 페이스트를 보호막(195) 상에 도포 또는 코팅하여 박막(196) 형태로 형성될 수 있다. In this case, the reducing material 50b is mixed with a vehicle / binder and the like to be manufactured in the form of a paste, and a paste including the reducing material 50b is applied or coated on the protective film 195 to form a thin film 196. Can be.

이하, 본 발명에서는 상기 환원성 물질(50b)이 포함된 박막(196)을 산소 제거막(196)으로 명칭한다. 이때, 상기 환원성 물질(50b)의 분말은 0.1 내지 10㎛의 크기를 가지고, 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 내지 2%로 첨가될 수 있다.Hereinafter, in the present invention, the thin film 196 including the reducing material 50b is referred to as an oxygen removing film 196. At this time, the powder of the reducing material (50b) has a size of 0.1 to 10㎛, it may be added in 0.1 to 2% in the oxygen removing film 196.

즉, 상기 환원성 물질(50b)이 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 미만으로 혼입될 경우, 상기 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자의 제거 효과가 미비하고, 상기 산소 제거막(196) 내에 2%를 초과하여 혼입될 경우 보호막(195)의 방전 효율에 악 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 환원성 물질(50b)를 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 내지 2% 혼입함으로써, 최적의 산소 제거 효과 및 방전 효과를 제공하는 것이다.That is, when the reducing material 50b is mixed in the oxygen removing layer 196 to less than 0.1, the effect of removing oxygen atoms generated when the protective layer 195 is regrown is insufficient, and the oxygen removing layer 196 is insufficient. If more than 2% is incorporated in the battery, the discharge efficiency of the protective film 195 may be adversely affected. Therefore, in the present invention, 0.1 to 2% of the reducing material 50b is incorporated into the oxygen removing film 196 to provide an optimum oxygen removing effect and a discharge effect.

한편, 배면 기판(110)의 일면에는 상기 서스테인 전극쌍과 교차하는 방향을 따라 어드레스 전극(120)이 형성되고, 상기 어드레스 전극(120)을 덮으면서 배면 기판(110)의 전면에 백색의 제2 유전체 층(130)이 형성된다.On the other hand, an address electrode 120 is formed on one surface of the rear substrate 110 along a direction crossing the sustain electrode pair, and covers a white second on the front surface of the rear substrate 110 while covering the address electrode 120. Dielectric layer 130 is formed.

제2 유전체 층(130)은 인쇄법 또는 필름 라미네이팅(laminating) 방법에 의하여 도포된 후, 소성 공정을 통하여 완성된다.The second dielectric layer 130 is applied by a printing method or a film laminating method, and then completed through a firing process.

그리고, 제2 유전체 층(130) 위로 각 어드레스 전극(120) 사이에 배치되도록 격벽(140)이 형성된다. 이때, 격벽(140)은 스트라이프형(stripe-type), 웰형(well-type), 또는 델타형(delta-type)일 수 있고, 상기 격벽(140)내에는 본 발명에 따른 단결정형의 다이아몬드 파우더가 함유될 수 있다.The barrier rib 140 is formed on the second dielectric layer 130 to be disposed between the address electrodes 120. In this case, the partition wall 140 may be stripe-type, well-type, or delta-type, and the partition wall 140 has a single crystal type diamond powder according to the present invention. May be contained.

그리고, 각각의 격벽(140) 사이에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체 층(150a, 150b, 150c)이 형성된다.In addition, phosphor layers 150a, 150b, and 150c of red (R), green (G), and blue (B) are formed between each partition wall 140.

이때, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c)은 방전 공간 내에 노출되는 부분이므로, 본 발명에 따른 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질(50b)을 포함하여 형성될 수 있다.In this case, since the phosphor layers 150a, 150b, and 150c are portions exposed in the discharge space, the phosphor layers 150a, 150b, and 150c may be formed to include a reducing material 50b for removing oxygen atoms generated during regrowth of the protective film 195 according to the present invention. Can be.

즉, 형광체 층 재료와 상기 분말 형태의 환원성 물질(50b)을 혼합한 페이스트를 제조하고, 상기 환원성 물질(50b)이 포함된 페이스트를 상기 격벽(140) 내에 도포함으로써, 본 발명에 따른 환원성 물질(50b)이 포함된 형광체 층(150a, 150b, 150c)을 형성할 수 있는 것이다. 이때, 상기 환원성 물질(50b)은 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에 0.1 내지 2%로 첨가될 수 있다.That is, by preparing a paste in which the phosphor layer material and the reducing material 50b in powder form are mixed, and applying a paste containing the reducing material 50b into the partition wall 140, the reducing material according to the present invention ( It is possible to form the phosphor layer (150a, 150b, 150c) containing 50b). In this case, the reducing material 50b may be added at 0.1 to 2% in the phosphor layers 150a, 150b, and 150c.

즉, 상기 환원성 물질(50b)이 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에 0.1 미만으로 혼입될 경우, 상기 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자의 제거 효과가 미비하고, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에 2%를 초과하여 혼입될 경우 형광체 층의 기능에 악 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 환원성 물질(50b)를 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 내지 2% 혼입함으로써, 최적의 산소 제거 효과를 제공하는 것이다.That is, when the reducing material 50b is incorporated in the phosphor layers 150a, 150b and 150c to less than 0.1, the effect of removing oxygen atoms generated when the protective layer 195 is regrown is insufficient, and the phosphor layer ( Incorporation in excess of 2% within 150a, 150b, 150c) may adversely affect the function of the phosphor layer. Therefore, in the present invention, 0.1 to 2% of the reducing material 50b is incorporated into the oxygen removing film 196 to provide an optimum oxygen removing effect.

또한, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에 상기 환원성 물질(50b)을 첨가하지 않고, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 상에 상기 환원성 물질(50b)이 포함된 산소 제거막(196)을 형성함으로써, 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자를 제거할 수도 있다.In addition, without removing the reducing material 50b into the phosphor layers 150a, 150b and 150c, the oxygen removing layer 196 including the reducing material 50b on the phosphor layers 150a, 150b and 150c. ), Oxygen atoms generated during the regrowth of the protective film 195 may be removed.

한편, 배면 기판(110) 상의 어드레스 전극(120)과 전면 기판(110) 상의 서스테인 전극쌍이 교차하는 지점이 각각 방전셀을 구성하는 부분이 된다.On the other hand, the point where the address electrode 120 on the rear substrate 110 and the pair of sustain electrodes on the front substrate 110 cross each other constitutes a discharge cell.

그리고, 상기 전면 기판(170)과 배면 기판(110)이 격벽(140)을 사이에 두고 접합되는데, 기판의 외곽에 구비된 실링재를 통하여 접합된다.In addition, the front substrate 170 and the rear substrate 110 are bonded to each other with the partition wall 140 interposed therebetween, and are bonded through a sealing material provided at an outer side of the substrate.

그리고, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)은 구동 장치와 연결되어 있다.In addition, the front substrate 170 and the rear substrate 110 are connected to the driving device.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치와 연결부를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a driving device and a connection portion of a plasma display panel according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전체 플라즈마 디스플레이 장치(210)는, 패널(220)과, 상기 패널(220)에 구동 전압을 공급하는 구동 기판(230)과, 상기 패널(220)의 각각의 셀에 대한 전극들과 상기 구동 기판(230)을 연결하는 연성 기판의 일종인 테이프 캐리어 패키지(Tape carrier package, 이하 TCP라 함)(240)로 이루어진다.As shown in FIG. 2, the entire plasma display device 210 according to the present invention includes a panel 220, a driving substrate 230 supplying a driving voltage to the panel 220, and the panel 220. A tape carrier package 240, which is a type of flexible substrate that connects the electrodes for each cell and the driving substrate 230, is formed.

여기서, 패널(220)은 상술한 바와 같이 전면 기판(170)과 배면 기판(110) 및 격벽(140)을 포함하여 이루어진다.As described above, the panel 220 includes the front substrate 170, the rear substrate 110, and the partition wall 140.

그리고, 상기 패널(220)과 상기 TCP(240)의 전기적, 물리적 연결 및 상기 TCP(240)와 구동 기판(230)의 전기적, 물리적 연결은 이방성 전도 필름(Anisotropic conductive film, 이하 ACF라 함)을 사용한다.In addition, an electrical and physical connection between the panel 220 and the TCP 240 and an electrical and physical connection between the TCP 240 and the driving substrate 230 may include an anisotropic conductive film (hereinafter referred to as an ACF). use.

ACF는 금(Au)을 코팅한 니켈(Ni)의 볼(ball)을 이용하여 만든 전도성 수지 필름이다.ACF is a conductive resin film made of nickel (Ni) balls coated with gold (Au).

도 3은 본 발명에 따른 테이프 캐리어 패키지의 기판 배선 구조를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a substrate wiring structure of the tape carrier package according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, TCP(240)는 패널(220)과 구동 기판(230) 사이의 결선을 담당하면서, 구동 드라이버 칩이 탑재되어 있다.As shown in FIG. 3, the TCP 240 is in charge of the connection between the panel 220 and the driving substrate 230, and the driving driver chip is mounted thereon.

TCP(240)는 연성 기판(242) 상에 밀집 배치된 배선(243)과, 상기 배선(243)과 연결되면서 상기 구동 기판(230)으로부터 전력을 제공받아 패널(220)의 특정 전극에 제공하는 구동 드라이버 칩(241)로 이루어져 있다.The TCP 240 is connected to the wiring 243 on the flexible substrate 242 and the wiring 243 and receives power from the driving substrate 230 to provide a specific electrode of the panel 220. The driver chip 241 is formed.

여기서, 구동 드라이버 칩(241)은 저전압과 구동 제어 신호들을 인가 받아 높은 전력의 많은 신호들을 교번하면서 출력하는 구조를 가지므로, 상기 구동 기판(230) 측과 연결되는 배선은 수가 작고, 상기 패널(220)측과 연결되는 배선은 수가 많다.Here, since the driving driver chip 241 has a structure in which a plurality of signals of high power are alternately outputted by receiving low voltage and driving control signals, the number of wirings connected to the driving substrate 230 is small and the panel ( The number of wires connected to the 220 side is large.

따라서, 상기 구동 기판(230)측 공간을 통하여 상기 구동 드라이버 칩(241)의 배선을 연결하는 경우도 있다. 상기 배선(243)은 상기 구동 드라이버 칩(341)의 중심을 경계로 구분되지 않을 수도 있다.Therefore, the wiring of the driving driver chip 241 may be connected through the space on the driving substrate 230 side. The wiring 243 may not be divided by a boundary of the center of the driving driver chip 341.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이다.4 is a view schematically showing another embodiment of a plasma display device according to the present invention.

본 실시예에서, 패널(220)은 구동 장치와 FPC(Flexible printed circuit, 이하 FPC라 함)(250)를 통하여 연결된다.In the present embodiment, the panel 220 is connected to the driving device through a flexible printed circuit (FPC) 250.

여기서, FPC(250)는 polymide를 이용하여 내부에 패턴을 형성한 필름이다. 그리고, 본 실시예에서도 FPC(250)와 패널(220)은 ACF를 통하여 연결된다. 또한, 본 실시예에서 구동 기판(230)은 PCB 회로인 것은 당연하다.Here, the FPC 250 is a film having a pattern formed therein using polymide. In addition, in the present embodiment, the FPC 250 and the panel 220 are connected through the ACF. In addition, in this embodiment, the driving substrate 230 is a natural PCB circuit.

여기서, 구동 장치는 데이타 드라이터와 스캔 드라이버와 서스테인 드라이버 등으로 이루어진다.Here, the driving device includes a data driver, a scan driver, a sustain driver, and the like.

상기 데이타 드라이버는 어드레스 전극에 연결되어 데이터 펄스를 인가한다. 그리고, 스캔 드라이버는 스캔 전극에 연결되어 상승 램프 파형(Ramp-up), 하강 램프 파형(Ramp-down), 스캔 펄스(scan) 및 서스테인 펄스를 공급한다. 또한, 서스테인 드라이버는 공통 서스테인 전극에 서스테인 펄스와 DC 전압을 인가한다.The data driver is connected to an address electrode to apply a data pulse. The scan driver is connected to the scan electrode to supply a rising ramp waveform, a ramping ramp waveform, a scan pulse, and a sustain pulse. The sustain driver also applies a sustain pulse and a DC voltage to the common sustain electrode.

그리고, 플라즈마 디스플레이 패널은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 나뉘어 구동된다.The plasma display panel is driven by being divided into a reset period, an address period, and a sustain period.

리셋 기간에는 스캔 전극들에 상승 램프 파형(Ramp-up)이 동시에 인가된다. 그리고, 어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스(scan)가 스캔 전극들에 순차적으로 인가되며, 동시에 스캔 펄스와 동기되어 어드레스 전극들에 정극성의 데이터펄스가 인가된다. 또한, 서스테인 기간에는 스캔 전극들과 서스테인 전극들에 교번적으로 서스테인 펄스(sus)가 인가된다.In the reset period, a rising ramp waveform Ramp-up is simultaneously applied to the scan electrodes. In the address period, the negative scan pulse scan is sequentially applied to the scan electrodes, and at the same time, the positive data pulse is applied to the address electrodes in synchronization with the scan pulse. In the sustain period, a sustain pulse sus is alternately applied to the scan electrodes and the sustain electrodes.

이하 도면을 참조하여 실시예 별로 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 제조 공정을 나타낸 공정 순서도이다.6A through 6C are flowcharts illustrating a process of manufacturing a front substrate of a plasma display panel according to the present invention.

본 발명의 제1 실시예는 상술한 보호막(195) 상에 상기 보호막(195)이 재성장 시 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질(50b)이 포함된 산소 제거막(196)을 형성함으로써, 상기 보호막(195)이 재성장 시 산소 결핍(oxygen defect)에 의한 이차 전자 방출 계수를 증가시켜 방전 전압을 낮추고 효율을 상승시킬 수 있다.The first embodiment of the present invention forms an oxygen removing film 196 containing a reducing material 50b for removing oxygen atoms generated when the protective film 195 is regrown on the protective film 195 described above. When the passivation layer 195 is regrown, the secondary electron emission coefficient due to oxygen deficiency may be increased to lower the discharge voltage and increase efficiency.

이하, 도 6a 내지 도 6c를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판(170) 제조 공정을 상세히 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing the front substrate 170 of the plasma display panel according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6A to 6C.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이 전면 기판(170) 상에 방전 전극인 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)과 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.First, as illustrated in FIG. 6A, the scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b', which are discharge electrodes, are formed on the front substrate 170.

여기서, 전면 기판(170)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다라임 유리를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning)하여 제조된다.Here, the front substrate 170 is manufactured by milling and cleaning the glass or soda lime glass for the display substrate.

그리고, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed using photoetching by sputtering indium tin oxide (ITO).

또한, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 이온 도금법(Ion Plating) 및 진공 증착법등을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may be formed of indium tin oxide (ITO) using an ion plating method, a vacuum deposition method, or the like.

또한, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 SnO₂를 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법으로 형성할 수 있다.In addition, the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b may form SnO ₂ by a lift-off method by CVD.

상기 ITO(Indium Tin Oxide)를 포토에칭법을 이용하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성할 경우 상기 ITO를 전면 기판(170) 상에 증착하고, 상기 증착된 ITO 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 패터닝된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성한다.When the indium tin oxide (ITO) is formed using the photoetching method, the ITO is deposited on the front substrate 170 when the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b are formed, and the photo is deposited on the deposited ITO. The resist is applied and dried. Thereafter, the patterned photomask is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

또한, 상기 SnO₂를 리프트 오프법을 이용하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성할 경우 전면기판(170) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 도포된 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한다. 이후 상기 현상 공정을 거친 후에 SnO₂를 증착한 후 상기 포토레지스트를 박리하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성한다.In addition, in the case of forming the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b by using the lift-off method, the photoresist is coated on the front substrate 170, and then, the SnO ₂ is formed on the coated photoresist. The photomask on which the pattern is formed is placed and exposed by irradiation with light. After the exposure process, the uncured portion is developed. Thereafter, after the development process, SnO ₂ is deposited, and then the photoresist is removed to form the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

또한, 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.In addition, a black matrix may be formed on the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b, and may include a low melting glass and a black pigment.

상기 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성할 수 있다.The bus electrodes 180a 'and 180b' may be formed of silver (Ag) using a screen printing method or a photosensitive paste method.

또한, 상기 버스 전극(180a', 180b')은 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the bus electrodes 180a 'and 180b' may be formed using a photoetching method by sputtering Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr.

상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 전면 기판(170) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.When the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed by using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the front substrate 170 through a screen mask, and then dried and baked. Form.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 전면기판(170) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.In addition, when the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed by using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the front substrate 170 and dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the bus electrodes 180a 'and 180b'.

또한, 상기 포토에칭법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 전면 기판(170) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.In addition, when the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the front substrate 170, and the deposited Cr The photoresist is applied and dried on / Cu / Cr or Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the bus electrodes 180a 'and 180b'.

상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b) 및 버스 전극(180a', 180b')은 방전(discharger) 전극들로써, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 ITO 물질을 사용하지 않고, 상기 버스 전극(180a', 180b')만으로 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)의 기능을 일체화한 ITO-less 구조의 방전 전극을 형성할 수도 있다.The scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b' are discharge electrodes, and the plasma display panel according to the present invention does not use ITO material and the bus electrode 180a does not use an ITO material. Only 180b 'may form an ITO-less structure discharge electrode integrating the functions of the scan electrode 180a and the sustain electrode 180b.

이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b) 및 버스 전극(180a', 180b')이 형성된 전면기판(170) 상에 제1 유전체 층(190)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 6B, a first dielectric layer 190 is formed on the front substrate 170 on which the scan electrode 180a, the sustain electrode 180b, and the bus electrodes 180a 'and 180b' are formed.

상기 제1 유전체 층(190)은 저융점 글라스 페이스트를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 그린 시트를 라미네이팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The first dielectric layer 190 may be formed by using a screen printing method, a coater method, and a method of laminating the green sheet.

상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이 제1 유전체 층(190) 상에 보호막(195)을 형성한다.Subsequently, a protective film 195 is formed on the first dielectric layer 190 as shown in FIG. 6C.

보호막(195)은 실리콘(Si) 등의 도펀트를 포함하고, 화학적 기상 증착(CVD)법, 전자빔(E-beam)법, 이온 도금(Ion-plating)법, 졸겔법 및 스퍼터링법 등으로 형성될 수 있다. The protective film 195 includes a dopant such as silicon (Si), and may be formed by chemical vapor deposition (CVD), electron beam (E-beam), ion-plating, sol-gel, sputtering, or the like. Can be.

이때, 보호막(195) 내에 실리콘이 도핑되면 어드레스 기간의 지터 값이 줄어들게 되나, 실리콘의 함유량이 일정 값 이상으로 커지면 지터 값이 증가될 수 있다. 따라서, 실리콘은 지터 값이 최소화되는 범위로 도핑되는 것이 바람직하며, 최적 함량으로 보호막 내에 20 내지 500 ppm(parts per million)의 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 그리고, 지터 값을 줄이기 위하여 실리콘 대신 다른 물질을 도펀트로 사용할 수도 있을 것이다.At this time, when the silicon is doped in the protective film 195, the jitter value of the address period is reduced, but when the silicon content is larger than a predetermined value, the jitter value may be increased. Therefore, the silicon is preferably doped in a range where the jitter value is minimized, and it is preferable that the silicon is included in the protective film at an optimum content of 20 to 500 parts per million (ppm). And other materials may be used as dopants instead of silicon to reduce jitter.

그 다음으로, 상기 보호막(195) 상에 본 발명의 제1 실시예에 따른 보호 막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질(50b)이 포함된 산소 제거막(196)을 형성한다.Next, an oxygen removing film 196 including a reducing material 50b for removing oxygen atoms generated during regrowth of the protective film 195 according to the first embodiment of the present invention on the protective film 195. To form.

이때, 상기 환원성 물질(50b)은 산소 원자와 반응하기 쉬운 물질로써, 수소화합물(요오드화수소, 황화수소, 수소화알루미늄 등)과, 저급(低級)산화물(일산화탄소, 이산화황 등)과, 저급산소산의 염(아황산염, 황화나트륨 등)과, 전기적 양성(陽性)이 큰 양이온이 되기 쉬운 금속(알칼리 금속, 마그네슘, 아연 등)과, 산화정도가 낮은 유기화합물(알데히드당류, 포름산, 옥살산 등)과, 탄소계열(carbon, graphite, diamond, 석탄, 코크스 등)과, 황화물계열(ZnS, ZrS₂, FeS, Cr₂S₃, CoS 등)과, 실리콘계열(Si, FeSi, FeSi₂, SrSi₂, CaSi₂ 등)과, carbide계열(boron carbide, silicon carbide, titanium carbide 등)을 포함한다.At this time, the reducing substance 50b is a substance which is easily reacted with an oxygen atom, and is a hydrogen compound (hydrogen iodide, hydrogen sulfide, aluminum hydride, etc.), lower oxides (carbon monoxide, sulfur dioxide, etc.), and salts of lower oxygen acids ( Sulfites, sodium sulfide, etc.), metals (alkali metals, magnesium, zinc, etc.) that are likely to be highly positive cationic, organic compounds (aldehyde saccharides, formic acid, oxalic acid, etc.) with low oxidation degree, carbon series (carbon, graphite, diamond, coal, coke, etc.), sulfide series (ZnS, ZrS ₂ , FeS, Cr ₂ S ₃ , CoS, etc.), silicon series (Si, FeSi, FeSi ₂ , SrSi ₂ , CaSi _2, etc.) ) And carbide series (boron carbide, silicon carbide, titanium carbide, etc.).

또한, 상기 환원성 물질(50b)의 분말은 0.1 내지 10㎛의 크기를 가지고, 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 내지 2%로 첨가될 수 있다.In addition, the powder of the reducing material (50b) has a size of 0.1 to 10㎛, may be added in 0.1 to 2% in the oxygen removing film 196.

수소화합물
함유량(%)Hydrogen compounds
content(%)
0.05
0.05
0.1
0.1
0.2
0.2
0.5
0.5
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.0 방전전압
변동량(V)Discharge voltage
Variation (V)
-0.2
-0.2
-1
-One
-7
-7
-12
-12
-8
-8
-4
-4
-0.1
-0.1

표 1을 참조하면, 기존 보호막 대비 본 발명에 따른 환원성 물질(50b)을 구비한 보호막(195) 간의 방전 전압 변동량을 나타낸 테이블이다.Referring to Table 1, it is a table showing the discharge voltage variation between the protective film 195 having the reducing material 50b according to the present invention compared to the existing protective film.

표 1에서는 상기 환원성 물질(50b) 중 수소화합물을 산소 제거막(196) 내에 첨가한 것을 나타내고 있다.Table 1 shows that the hydrogen compound in the reducing substance 50b was added to the oxygen removing film 196.

표 1에 도시된 바와 같이, 상기 환원성 물질(50b)이 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 미만으로 혼입될 경우, 상기 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자의 제거 효과가 미비함으로써, 이차 전자 방출 특성이 향상되지 않아서 이로 인해 방전 전압이 낮아지는 효과가 미비하다.As shown in Table 1, when the reducing material 50b is incorporated in the oxygen removing layer 196 to less than 0.1, the secondary atom is insufficient because the effect of removing oxygen atoms generated upon regrowth of the protective layer 195 is insufficient. Since the electron emission characteristic is not improved, the effect of lowering the discharge voltage is insignificant.

그러나, 본 발명에 따라, 상기 환원성 물질(50b)을 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 내지 2% 혼입될 경우, 이차 전자 방출 특성이 향상되어서 이로 인해 방전 전압이 낮아지는 것을 알 수 있다.However, according to the present invention, when the reducing material 50b is incorporated in the oxygen removing layer 196 in the amount of 0.1 to 2%, the secondary electron emission characteristics may be improved, thereby lowering the discharge voltage.

또한, 표 1에서 상기 환원성 물질(50b)이 상기 산소 제거막(196) 내에 2%를 초과한 3%가 혼입될 경우 보호막(195)의 방전 효율에 악 영향을 미쳐 방전 전압이 낮아지는 효과가 미비함을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 환원성 물질(50b)를 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 내지 2% 혼입함으로써, 최적의 산소 제거 효과 및 방전 효과를 제공하는 것이다.In addition, in Table 1, when the reducing material 50b contains more than 2% of 3% in the oxygen removing film 196, the reducing efficiency of the protective film 195 is adversely affected, thereby lowering the discharge voltage. It can be seen that it is incomplete. Therefore, in the present invention, 0.1 to 2% of the reducing material 50b is incorporated into the oxygen removing film 196 to provide an optimum oxygen removing effect and a discharge effect.

이하, 상기와 같은 환원성 물질(50b)이 포함된 산소 제거막(196)의 제조 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the oxygen removing film 196 including the reducing material 50b as described above will be described.

먼저, 본 발명에 따른 환원성 물질(50b)의 분말과 분산제를 혼합한다. 그 다음으로, 상기 혼합된 물질을 상기 보호막(195) 상에 스프레이 방식으로 산포한 후 건조하여 상기 산소 제거막(196)을 형성할 수 있다. 상기 환원성 물질(50b)의 분말과 상기 보호막(195)간의 접착력을 높히기 위해 TiO등의 가교재가 상기 혼합된 물질에 더 혼합될 수도 있다. 또한, 상기 환원성 물질(50b)의 분말은 상기 분산제 대비 0.1 내지 2%로 혼합될 수 있다.First, the powder and the dispersant of the reducing material 50b according to the present invention are mixed. Next, the mixed material may be sprayed onto the protective film 195 and then dried to form the oxygen removing film 196. In order to increase the adhesion between the powder of the reducing material 50b and the protective film 195, a crosslinking material such as TiO may be further mixed with the mixed material. In addition, the powder of the reducing material 50b may be mixed with 0.1 to 2% of the dispersant.

또한, 상기 분산제는 아크릴(acryl), 에폭시(epoxy), 우레탄(urethane), 아크릴 우레탄(acrylic urethane), 알키드(alkyd), 폴리아미드 폴리머(poly amid polymer), PCA(Poly Carboxylic Acid) 또는 이들의 혼합물을 사용한다.In addition, the dispersant may be acrylic, epoxy, urethane, acrylic urethane, alkyd, poly amid polymer, polycarboxylic acid or PCA. Use a mixture.

또한, 환원성 물질(50b)과 비히클/바인더 등의 용제를 혼합하고, 상기 혼합된 물질을 상기 보호막(195) 상에 도포 또는 코팅한 후 건조하여 상기 산소 제거막(196)을 형성할 수도 있다.In addition, the reducing material 50b and a solvent such as a vehicle / binder may be mixed, and the mixed material may be coated or coated on the protective film 195 and then dried to form the oxygen removing film 196.

도 7은 본 발명에 따른 보호막 재성장 시 환원성 물질에 의해 산소 원자가 제거되는 과정을 나타낸 도면이다.7 is a view illustrating a process in which oxygen atoms are removed by a reducing material during regrowth of a protective film according to the present invention.

도 8은 기존 보호막 대비 본 발명에 따른 환원성 물질이 포함된 보호막의 효율을 비교한 도면이다.8 is a view comparing the efficiency of the protective film containing a reducing material according to the present invention compared to the existing protective film.

도 7에 도시된 바와 같이, 보호막(195) 상에 환원성 물질(50b)이 구비된 상태에서, 방전셀 내에 주입된 이온화된 방전 가스(160)가 MgO 보호막(195)에 충돌함에 따라[도 7의 (a)], 상기 환원성 물질(50b)과, MgO 및 산소 원자가 방전 공간으로 스퍼터링(sputtering)되었다가[도 7의 (b)], 상기 환원성 물질(50b)과 상기 산소 원자가 서로 반응함으로써[도 7의 (c)], 보호막(195)이 재성장 시에 산소원자가 부족하게 되어 산소 결핍(oxygen defect)이 많은 보호막(195)의 재성장층이 형성된다.As shown in FIG. 7, with the reducing material 50b provided on the protective film 195, the ionized discharge gas 160 injected into the discharge cell collides with the MgO protective film 195 [FIG. 7. (A)], the reducing material 50b, the MgO and the oxygen atoms were sputtered into the discharge space (FIG. 7 (b)), and the reducing material 50b and the oxygen atoms reacted with each other [ (C) of FIG. 7, when the protective film 195 is regrown, oxygen atoms are insufficient to form a regrowth layer of the protective film 195 having a lot of oxygen defects.

상기와 같이, 산소 결핍(oxygen defect)이 많은 보호막(195)의 재성장층은 도 8에 도시된 바와 같이, 기존의 보호막에 비해 이차 전자 방출 계수(g)가 증가하게 되어, 방전 전압이 낮아지고 고효율의 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.As described above, as shown in FIG. 8, the regrowth layer of the protective film 195 having a high oxygen deficiency increases the secondary electron emission coefficient g as compared to the conventional protective film, resulting in a lower discharge voltage. It is to provide a plasma display panel with high efficiency.

도 9a 내지 9g는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이다.9A to 9G are process flowcharts illustrating a method of manufacturing a back substrate of a plasma display panel according to the present invention.

먼저, 도 9a에 도시된 바와 같이, 배면 기판(110) 상에 어드레스 전극(120)을 형성한다. 여기서, 배면 기판(110)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다리임 유리를 밀링(milling) 또는 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성한다.First, as shown in FIG. 9A, the address electrode 120 is formed on the rear substrate 110. Here, the back substrate 110 forms a glass for display substrate or soda-lime glass through a process such as milling or cleaning.

상기 어드레스 전극(120)은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성할 수 있다.The address electrode 120 may be formed of silver (Ag) using a screen printing method or a photosensitive paste method.

또한, 상기 어드레스 전극(120)은 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the address electrode 120 may be formed using a photoetching method by sputtering Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr.

이때, 상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 상기 배면기판(110) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.In this case, when the address electrode 120 is formed using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the rear substrate 110 through a screen mask, and then dried and baked. do.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 배면기판(110) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성한다.In addition, when the address electrode 120 is formed using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the back substrate 110 and dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the address electrode 120.

또한, 상기 포토에칭법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 상기 배면 기판(110) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성한다.In addition, when the address electrode 120 is formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the rear substrate 110, and the deposited Cr / Cu / The photoresist is applied and dried on Cr or Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the address electrode 120.

도 9b를 참조하면, 제2 유전체 층(130)은 저융점 유리와 TiO₂ 등의 충진재(Filler)를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 라미네이트에 의한 그린 시트법 중 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있다.Referring to FIG. 9B, the second dielectric layer 130 is formed by using any one of a screen printing method, a coater method, and a green sheet method by laminating a filler such as low melting glass and TiO ₂ . can do.

상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이어서, 도 9c 내지 9e에 도시된 바와 각각의 방전 셀을 구분하기 위한 격벽을 형성한다.Subsequently, partition walls are formed to distinguish each discharge cell from those shown in Figs. 9C to 9E.

즉, 격벽 재료(140a)에 비히클(바인더 및/또는 솔벤트 포함)를 혼합하여 격벽 제조용 페이스트(140a)를 만든 후, 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 격벽 제조용 페이스트(140a)를 상기 제2 유전체 층(130) 상에 도포한 후, 일정 시간 동안 건조시킨다.That is, after the vehicle (including the binder and / or the solvent) is mixed with the partition material 140a to form the partition 140a for manufacturing the partition wall, as shown in FIG. 9C, the partition wall 140A is made of the second dielectric. After coating on layer 130, it is dried for a period of time.

이후, 상기 도포 및 건조 과정을 반복적으로 수행하여 일정한 두께(예를 들면, 150-200㎛)로 만들고, 상기 격벽 재료(140a)를 패터닝하여, 격벽(140)을 형성한다.Thereafter, the coating and drying processes are repeatedly performed to form a constant thickness (eg, 150-200 μm), and the partition material 140a is patterned to form the partition wall 140.

이때, 상기 패터닝 공정은 도 9d 및 도 9e에 도시된 바와 같이, 마스크(155)를 씌우고 노광한 후, 현상하여 수행된다.In this case, as shown in FIGS. 9D and 9E, the patterning process is performed by covering and exposing a mask 155 and then developing.

즉, 어드레스 전극과 대응되는 부분에 마스크(155)를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 상기 격벽(140)을 형성한다. That is, when the mask 155 is positioned and exposed to a portion corresponding to the address electrode, only the portion irradiated with light remains after the development and baking process to form the partition wall 140.

그 다음으로, 도 9f에 도시된 바와 같이, 상기 제2 유전체(130)의 영역 중 방전 공간에 접하는 영역과, 상기 격벽(140)의 측면에 형광체(150a, 150b, 150c)를 도포하여 형광체 층(150)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 9F, phosphors 150a, 150b, and 150c are coated on the side of the partition wall 140 and the region of the second dielectric 130 that is in contact with the discharge space. 150 is formed.

즉, 상기 형광체 층(250)은 각각의 방전 셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.That is, the phosphor layer 250 is coated with phosphors of R, G, and B in order according to each discharge cell, and is applied by screen printing or photosensitive paste.

이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 형광체 층(150)에는 보호막(195)의 재성장 시에 발생되는 산소 원자의 제거를 위한 환원성 물질(50b)이 포함된다.In this case, the phosphor layer 150 according to the second embodiment of the present invention includes a reducing material 50b for removing oxygen atoms generated upon regrowth of the protective film 195.

또한, 상기 적색(R) 형광 물질로 (Y, Gd)BO³:Eu3⁺ 을 사용하고, 녹색(G) 형광 물질로는 Zn₂SiO₄:Mn2⁺ 을 사용하고, 청색(B) 형광 물질로는 BaMgAl₁₀O₁₇:Eu2⁺ 를 많이 사용한다.Further, as the red (R) fluorescent material (Y, Gd) BO ^3: Use the Eu3 ⁺ and a green (G) fluorescent material, Zn ₂ SiO _4: to use Mn2 ^+, and blue (B) fluorescent materials is BaMgAl ₁₀ O _17: use a lot of Eu2 ^+.

즉, 형광체 층 재료와 상기 분말 형태의 환원성 물질(50b)을 혼합한 페이스트를 제조하고, 상기 환원성 물질(50b)이 포함된 페이스트를 상기 격벽(140) 내에 도포함으로써, 본 발명에 따른 환원성 물질(50b)이 포함된 형광체 층(150a, 150b, 150c)을 형성할 수 있는 것이다. 이때, 상기 환원성 물질(50b)은 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에 0.1 내지 2%로 첨가될 수 있다.That is, by preparing a paste in which the phosphor layer material and the reducing material 50b in powder form are mixed, and applying a paste containing the reducing material 50b into the partition wall 140, the reducing material according to the present invention ( It is possible to form the phosphor layer (150a, 150b, 150c) containing 50b). In this case, the reducing material 50b may be added at 0.1 to 2% in the phosphor layers 150a, 150b, and 150c.

즉, 상기 환원성 물질(50b)이 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에 0.1 미만으로 혼입될 경우, 상기 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자의 제거 효과가 미비하고, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에 2%를 초과하여 혼입될 경우 형광체 층의 기능에 악 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 환원성 물질(50b)를 상기 산소 제거막(196) 내에 0.1 내지 2% 혼입함으로써, 최적의 산소 제거 효과를 제공하는 것이다.That is, when the reducing material 50b is incorporated in the phosphor layers 150a, 150b and 150c to less than 0.1, the effect of removing oxygen atoms generated when the protective layer 195 is regrown is insufficient, and the phosphor layer ( Incorporation in excess of 2% within 150a, 150b, 150c) may adversely affect the function of the phosphor layer. Therefore, in the present invention, 0.1 to 2% of the reducing material 50b is incorporated into the oxygen removing film 196 to provide an optimum oxygen removing effect.

또한, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 내에 상기 환원성 물질(50b)을 첨가하지 않고, 도 9g에 도시된 바와 같이, 상기 형광체 층(150a, 150b, 150c) 상에 상기 환원성 물질(50b)이 포함된 산소 제거막(196)을 형성함으로써, 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자를 제거할 수도 있다.In addition, the reducing material 50b is not added to the phosphor layers 150a, 150b, and 150c, and as shown in FIG. 9G, the reducing material 50b is disposed on the phosphor layers 150a, 150b and 150c. By forming the oxygen removal film 196 included therein, oxygen atoms generated during the regrowth of the protective film 195 may be removed.

그 다음으로, 도 6의 과정에 의해 완성한 전면 기판(170)을 상기 격벽(140)을 사이에 두고 상기 배면 기판(110)과 접합 및 실링하고, 내부의 불순물 등을 배기한 후, 상기 격벽(140)내의 방전셀에 본 발명에 따른 보호막(195)의 재성장 시에 발생되는 산소 원자의 제거를 위한 환원성 가스(50a)가 포함된 방전 가스(160)를 주입한 후 봉입하면, 도 1과 같은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다. Subsequently, the front substrate 170 completed by the process of FIG. 6 is bonded and sealed with the rear substrate 110 with the partition wall 140 interposed therebetween, and after the internal impurities and the like are exhausted, the partition wall ( Injecting and discharging the discharge gas 160 containing the reducing gas 50a for the removal of oxygen atoms generated during the regrowth of the protective film 195 according to the present invention in the discharge cell 140, as shown in FIG. The plasma display panel of the present invention is completed.

이때, 상기 환원성 가스(50a)는 상기 방전 가스(160) 내에 0.1 내지 2% 혼입된다.In this case, the reducing gas 50a is mixed in the discharge gas 160 in 0.1 to 2%.

CH₄
함유량(%)CH ₄
content(%)
0.05
0.05
0.1
0.1
0.2
0.2
0.5
0.5
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.0 방전전압
변동량(V)Discharge voltage
Variation (V)
-0.05
-0.05
-1
-One
-7
-7
-12
-12
-8
-8
-4
-4
-0.01
-0.01

표 2를 참조하면, 기존의 방전 가스 대비 본 발명에 따른 환원성 기체(CH₄)(50a)가 혼입된 방전 가스(160) 간의 방전 전압 변동량을 나타낸 테이블이다.Referring to Table 2, it is a table showing the discharge voltage variation amount between the discharge gas 160 in which the reducing gas (CH ₄ ) 50a according to the present invention is mixed with the conventional discharge gas.

표 2에서는 상기 환원성 가스(50a) 중 CH₄를 방전 가스(160) 내에 첨가한 것을 나타내고 있다.Table 2 shows that CH ₄ was added to the discharge gas 160 in the reducing gas 50a.

표 2에 도시된 바와 같이, 상기 환원성 가스(50a)가 상기 방전 가스(160) 내에 0.1 미만으로 혼입될 경우, 상기 보호막(195)의 재성장 시 발생되는 산소 원자의 제거 효과가 미비함으로써, 이차 전자 방출 특성이 향상되지 않아서 이로 인해 방전 전압이 낮아지는 효과가 미비하다.As shown in Table 2, when the reducing gas 50a is incorporated in the discharge gas 160 to less than 0.1, secondary electrons are removed because the effect of removing oxygen atoms generated when the protective film 195 is regrown is insufficient. Emission characteristics are not improved, and thus the effect of lowering the discharge voltage is insignificant.

그러나, 본 발명에 따라, 상기 환원성 가스(50a)를 상기 방전 가스(160) 내에 0.1 내지 2% 혼입될 경우, 이차 전자 방출 특성이 향상되어서 이로 인해 방전 전압이 낮아지는 것을 알 수 있다.However, according to the present invention, when the reducing gas 50a is incorporated in the discharge gas 160 in 0.1 to 2%, it can be seen that the secondary electron emission characteristics are improved, thereby lowering the discharge voltage.

또한, 표 2에서 상기 환원성 가스(50a)가 상기 방전 가스(160) 내에 2%를 초과한 3%가 혼입될 경우 방전 가스(160)의 방전 효율에 악 영향을 미쳐 방전 전압이 낮아지는 효과가 미비함을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 상기 환원성 가스(50a)를 상기 방전 가스(160) 내에 0.1 내지 2% 혼입함으로써, 최적의 산소 제거 효과 및 방전 효과를 제공하는 것이다.In addition, in Table 2, when the reducing gas 50a is more than 2% mixed in the discharge gas 160, 3% of the reducing gas 50a adversely affects the discharge efficiency of the discharge gas 160, thereby lowering the discharge voltage. It can be seen that it is incomplete. Therefore, in the present invention, 0.1 to 2% of the reducing gas 50a is mixed into the discharge gas 160 to provide an optimum oxygen removal effect and a discharge effect.

이하에서, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)의 실링 공정을 상세히 설명한다.Hereinafter, the sealing process of the front substrate 170 and the back substrate 110 will be described in detail.

상기 실링 공정은 통상적으로 스크린 인쇄법, 디스펜싱법 등으로 수행된다.The sealing process is usually performed by screen printing, dispensing, or the like.

상기 스크린 인쇄법은 패터닝된 스크린을 소정 간격 유지하여 기판 위에 놓고, 실링재 형성에 필요한 페이스트를 압착, 전사시켜서 원하는 형상의 실링재를 인쇄하는 방법이다. 스크린 인쇄법은 생산 설비가 간단하고, 재료의 이용 효율이 높은 장점이 있다.The screen printing method is a method of printing a sealing material having a desired shape by holding a patterned screen at a predetermined interval, placing the patterned screen on a substrate, and pressing and transferring a paste necessary for forming the sealing material. The screen printing method has advantages of simple production equipment and high use efficiency of materials.

그리고, 상기 디스펜싱법은 스크린 마스크 제작에 사용되는 CAD 배선 데이터를 이용하여, 후막 페이스트를 공기 압력을 이용하여 기판 상에 직접 토출하여 실링재를 형성하는 방법이다. 디스펜싱법은 마스크의 제작비용이 절감되고, 후막의 형상에 큰 자유도를 가질 수 있는 장점이 있다.The dispensing method is a method of forming a sealing material by directly discharging a thick film paste onto a substrate using air pressure using CAD wiring data used for screen mask fabrication. The dispensing method has the advantage of reducing the manufacturing cost of the mask and having a large degree of freedom in the shape of the thick film.

도 10a는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판과 배면 기판을 합착하는 공정을 나타낸 도면이다.FIG. 10A illustrates a process of bonding the front substrate and the rear substrate of the plasma display panel.

도 10b는 도 10a의 A-A'의 단면도이다.FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 10A.

도시된 바와 같이, 전면 기판(170) 또는 배면 기판(110) 상에 실링재(600)가 도포된다. 구체적으로, 기판의 최외곽에서 소정 간격을 두고 동시에 인쇄되거나 디스펜싱되어 도포된다.As shown, the sealing material 600 is applied to the front substrate 170 or the rear substrate 110. Specifically, the substrate is printed or dispensed at the same time with a predetermined interval at the outermost side of the substrate and applied.

이어서, 상기 실링재(600)를 소성한다. 상기 소성 과정에서, 실링재(600)에 포함된 유기물이 제거되고, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)이 합착된다.Next, the sealing material 600 is fired. In the firing process, the organic material included in the sealing material 600 is removed, and the front substrate 170 and the rear substrate 110 are bonded.

그리고, 이러한 소성 공정에서 실링재(600)의 폭이 넓어지고 높이가 낮아질 수 있다.In this firing process, the width of the sealing material 600 may be widened and the height may be low.

본 실시예에서는 실링재(600)가 인쇄 또는 도포되었으나, 실링 테이프의 형태로 형성되어 전면 기판(170) 또는 배면 기판(110)에 접착하여 사용할 수도 있다. 그리고, 에이징 공정을 통하여 소정 온도에서 보호막 등의 특성을 향상시킨다.In the present embodiment, the sealing material 600 is printed or coated, but may be formed in the form of a sealing tape and adhered to the front substrate 170 or the rear substrate 110. And the characteristic of a protective film etc. is improved at predetermined temperature through an aging process.

그리고, 전면 기판(170) 상에 전면 필터를 형성할 수 있다.In addition, a front filter may be formed on the front substrate 170.

상기 전면 필터에는 패널에서 외부로 방사되는 전자파(Elctromagnetic Interference;EMI)를 차폐하기 위한 전자파 차폐막이 구비된다. 이러한 전자파 차폐막은 전자파를 차폐하면서도 디스플레이 장치에서 요구되는 가시광 투과율을 확보하기 위하여, 도전성 물질이 특정 형태로 패터닝되기도 한다. The front filter is provided with an electromagnetic shielding film for shielding electromagnetic radiation emitted from the panel to the outside. The electromagnetic shielding film may be patterned in a specific form in order to shield electromagnetic waves while ensuring the visible light transmittance required by the display device.

그리고, 상기 전면 필터에는 근적외선 차폐막, 색보정막 및 반사방지막 등이 형성될 수도 있다.In addition, a near infrared shielding film, a color correction film, an antireflection film, and the like may be formed on the front filter.

이상, 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 예를 들면, 본 기술분야의 당업자에게는 전술한 실시예들을 서로 조합하여 사용하는 것도 매우 용이할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. For example, it will be very easy for those skilled in the art to use the above-described embodiments in combination with each other.

따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다.Accordingly, the above detailed description should not be construed as limiting in all aspects and should be considered as illustrative.

본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 셀 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a discharge cell structure of a plasma display panel according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치와 연결부를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a driving device and a connection portion of a plasma display panel according to the present invention.

도 3은 일반적인 테이프 캐리어 패키지의 기판 배선 구조를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a substrate wiring structure of a typical tape carrier package.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이다.4 is a view schematically showing another embodiment of a plasma display device according to the present invention.

도 5는 보호막의 재성장 과정을 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a regrowth process of the protective film.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판 제조 공정을 나타낸 공정 순서도이다.6A through 6C are flowcharts illustrating a process of manufacturing a front substrate of a plasma display panel according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 보호막 재성장 시 환원성 물질에 의해 산소 원자가 제거되는 과정을 나타낸 도면이다.7 is a view illustrating a process in which oxygen atoms are removed by a reducing material during regrowth of a protective film according to the present invention.

도 8은 기존 보호막 대비 본 발명에 따른 환원성 물질이 포함된 보호막의 효율을 비교한 도면이다.8 is a view comparing the efficiency of the protective film containing a reducing material according to the present invention compared to the existing protective film.

도 9a 내지 9g는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이다.9A to 9G are process flowcharts illustrating a method of manufacturing a back substrate of a plasma display panel according to the present invention.

도 10a는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판과 배면 기판을 합착하는 공정을 나타낸 도면이다.FIG. 10A illustrates a process of bonding the front substrate and the rear substrate of the plasma display panel.

도 10b는 도 10a의 A-A'의 단면도이다.FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 10A.

Claims (13)

복수개의 방전 전극과, 제1 유전체 층 및 산화마그네슘(이하 "MgO")이 포함된 보호막을 순차적으로 구비하는 제1 기판; 및A first substrate sequentially comprising a plurality of discharge electrodes, and a protective film including a first dielectric layer and magnesium oxide (hereinafter, "MgO"); And 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 복수개의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 순차적으로 구비하는 제2 기판;을 포함하고,And a second substrate bonded to the first substrate with a partition therebetween, the second substrate including a plurality of address electrodes, a second dielectric layer, and a phosphor layer sequentially. 상기 격벽에 의해 정의되는 방전셀 내부에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 기체 및 물질 중 어느 하나가 포함된 방전 가스가 주입된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a discharge gas containing any one of a reducing gas and a substance for removing oxygen atoms generated during regrowth of the passivation layer is injected into the discharge cell defined by the barrier rib. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 환원성 기체는, CO, 하이드로카본(C_xH_y), H₂, D₂, 알콜 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The reducing gas is any one of CO, hydrocarbon (C _x H _y ), H ₂ , D ₂ , alcohol. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 환원성 기체 및 물질 중 어느 하나는, 상기 방전 가스 내에 0.1 내지 2% 혼입된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.At least one of the reducing gas and the material is incorporated into the discharge gas, characterized in that the plasma display panel. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 환원성 물질은, 수소 화합물, 저급(低級) 산화물, 저급산소산의 염, 전기적 양성(陽性)이 큰 금속, 산화 정도가 낮은 유기화합물, 탄소계열 물질, 황화물 계열 물질, 실리콘 계열 물질, 탄화물 계열 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The reducing substance may be a hydrogen compound, a lower oxide, a salt of a lower oxygen acid, a metal having a high electrical positiveness, a low oxidation degree organic compound, a carbon-based material, a sulfide-based material, a silicon-based material, or a carbide-based material. Plasma display panel, characterized in that any one of. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 환원성 물질은, 0.1 내지 10㎛의 크기를 가지는 파우더인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The reducing material is a plasma display panel, characterized in that the powder having a size of 0.1 to 10㎛. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 보호막 상에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함된 산소 제거막;을 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.And an oxygen removing layer including a reducing material on the protective layer to remove oxygen atoms generated upon regrowth of the protective layer. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 형광체 층 상에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함된 산소 제거막;을 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.And an oxygen removing layer including a reducing material on the phosphor layer to remove oxygen atoms generated upon regrowth of the passivation layer. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 형광체 층 내에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a reducing material in the phosphor layer to remove oxygen atoms generated upon regrowth of the passivation layer. 제1 기판상에 복수개의 방전 전극들과 제1 유전체 층 및 산화마그네슘(이하 "MgO")이 포함된 보호막을 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming a protective film including a plurality of discharge electrodes, a first dielectric layer, and magnesium oxide (hereinafter, “MgO”) on the first substrate; 제2 기판 상에 복수의 어드레스 전극과, 제2 유전체 층 및 형광체 층을 형성하는 단계;Forming a plurality of address electrodes, a second dielectric layer and a phosphor layer on the second substrate; 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 제2 기판을 합착하는 단계; 및Bonding the first substrate and the second substrate to each other with a partition therebetween; And 상기 격벽에 의해 정의되는 방전셀 내부에 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 기체 및 물질 중 어느 하나가 포함된 방전 가스를 주입하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Injecting a discharge gas containing any one of a reducing gas and a substance for removing oxygen atoms generated upon regrowth of the protective film into a discharge cell defined by the barrier ribs; Way. 제9 항에 있어서, 상기 주입 단계는,The method of claim 9, wherein the injecting step, 상기 환원성 기체 및 물질 중 어느 하나를 상기 방전 가스 내에 0.1 내지 2%로 혼입하는 단계; 및Incorporating any one of the reducing gas and the substance in the discharge gas at 0.1 to 2%; And 상기 환원성 기체 및 물질 중 어느 하나가 포함된 방전 가스를 상기 방전셀 내부에 주입하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Injecting a discharge gas containing any one of the reducing gas and a substance into the discharge cell. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 보호막 상에 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함된 산소 제거막을 형성하는 단계;를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And forming an oxygen removing film including a reducing material for removing oxygen atoms generated upon regrowth of the protective film on the protective film. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 형광체 층 상에 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함된 산소 제거막을 형성하는 단계;를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And forming an oxygen removing film including a reducing material for removing oxygen atoms generated upon regrowth of the protective film on the phosphor layer. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 형광체 층 내에는 상기 보호막의 재성장 시에 발생되는 산소 원자를 제거하기 위한 환원성 물질이 포함된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And a reducing material for removing oxygen atoms generated upon regrowth of the passivation layer in the phosphor layer.

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