KR20110025408A - Etching solution composition for formation of metal line - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조에 있어서 금속막의 습식 식각에 사용되는 식각액 조성물에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 평판디스플레이의 구성 중, 화소전극, 게이트전극, 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막을 일괄 식각할 수 있는 식각액 조성물에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
평판디스플레이의 화상 구현을 위해서는 TFT(Thin Film Transistor) 어레이에 투명 화소전극, 게이트전극, 소스전극 및 드레인 전극이 사용된다. 통상, 화소전극으로는 인듐을 주성분으로 하는 투명전도막이 사용되며, 게이트 전극, 소스전극 및 드레인 전극으로는 Cr, Cu, Mo, Ti, Al 등을 주성분으로 단일막 또는 다중막이 사용된다. In order to realize an image of a flat panel display, a transparent pixel electrode, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode are used in a thin film transistor (TFT) array. In general, a transparent conductive film containing indium as a main component is used as the pixel electrode, and a single film or multiple films are used as the main component as Cr, Cu, Mo, Ti, Al, etc. as the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode.
최근에는 생산공정을 단순화하여 생산량을 증가시키기 위하여 상층에는 인듐을 주성분으로 하는 인듐계 투명전도막, 중간층에는 알루미늄을 주성분으로 하는 알루미늄계 금속막, 및 하층에는 티타늄을 주성분으로 하는 티타늄계 금속막으로 구성된 새로운 삼중막이 개발되고 있다. 따라서, 이러한 삼중막을 일괄 습식 식각할 수 있는 식각액의 개발도 요구되고 있다.Recently, in order to simplify the production process and increase the yield, an indium transparent conductive film mainly composed of indium in the upper layer, an aluminum metal film mainly composed of aluminum in the middle layer, and a titanium metal film mainly composed of titanium in the lower layer are used. A new triple film composed is being developed. Therefore, there is also a need for the development of an etchant that can wet-etch such triple layers in a batch.
상기 삼중막 중 알루미늄을 주성분으로 하는 알루미늄계 금속막으로는 알루미늄의 열에 의한 힐락(hillock)에 의한 공정상의 문제를 피하기 위하여, 알루미늄과 La, Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt, C 등의 금속으로 이루어진 합금이 다양하게 개발되었으며, 특히 Al-La 합금 또는 Al-La를 주성분으로 하여 추가적으로 다른 금속이 합금된 Al-La-X 형태의 알루미늄 합금이 개발되었다. 상기 다른 금속은 Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt, C 등을 의미하며, 합금 형태는 알루미늄을 주성분으로 구성된 합금으로서, 90% 이상의 알루미늄과 10% 이하의 La, Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt, C 등의 성분이 포함 된다.Among the triple films, the aluminum-based metal film containing aluminum as its main component is made of aluminum, La, Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, in order to avoid process problems caused by hillock caused by the heat of aluminum. Alloys made of metals such as Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt, and C have been developed in various ways. In particular, Al-La alloys or Al-La In addition, aluminum alloys in the form of Al-La-X alloyed with other metals have been developed. The other metal means Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt, C, etc. Is an alloy composed mainly of aluminum, which is 90% or more of aluminum and 10% or less of La, Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Components such as Fe, Si, Ti, Pt, and C are included.
그런데, 기존의 알루미늄 금속막의 경우는 통상의 인산-주성분 알루미늄 식각액으로 식각할 수 있으나, 이러한 Al-La 또는 Al-La-X 형태의 알루미늄 합금막의 경우는 기존 조성의 식각액을 사용하여 식각을 행할 경우, 알루미늄계 금속막과 포토레지스트, 알루미늄계 금속막과 글라스상부와의 식각 속도 차이로 인하여 알루미늄계 금속막 상부의 말림현상이 발생하여 불량한 프로파일이 나타난다. 이러한 불량한 프로파일로 인해 후속 공정에서 단차 커버리지(coverage)가 불량하게 되고 상부층이 경사면에서 단선되거나 또는 상하부 금속이 단락될 확률이 커지게 된다. By the way, the conventional aluminum metal film may be etched with a conventional phosphoric acid-main component aluminum etchant, but in the case of the Al-La or Al-La-X type aluminum alloy film, when etching using an etchant of the existing composition Due to the difference in etching speed between the aluminum-based metal film and the photoresist and the aluminum-based metal film and the glass portion, curling of the upper portion of the aluminum-based metal film occurs, resulting in a poor profile. This poor profile results in poor step coverage in the subsequent process and increases the likelihood that the top layer is disconnected from the slope or the upper and lower metals are shorted.
그러므로, 상기 삼중막을 효율적으로 일괄식각하기 위해서는 인듐계 투명 전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막 각각에 대한 식각특성이 우수한 식각액이 필요하며, 특히, 알루미늄계 금속막으로 사용될 수 있는 Al-La 또는 Al-La-X 형태의 알루미늄 합금막도 효율적으로 식각할 수 있는 식각액이 개발되어야 한다.Therefore, in order to efficiently collectively etch the triple layer, an etchant having excellent etching characteristics for each of the indium-based transparent conductive film, the aluminum-based metal film, and the titanium-based metal film is required, and in particular, Al- which can be used as the aluminum-based metal film. An etching solution capable of efficiently etching La or Al-La-X type aluminum alloy films has to be developed.
본 발명은 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막 각각에 대한 식각특성이 우수하며, 특히 알루미늄계 금속막으로 사용될 수 있는 Al-La계 합금막을 상부 말림현상 없이 식각하여 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막을 효율적으로 일괄 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has excellent etching characteristics for each of the indium-based transparent conductive film, the aluminum-based metal film, and the titanium-based metal film. In particular, the Al-La-based alloy film which can be used as the aluminum-based metal film is etched without the top curling phenomenon. An object of the present invention is to provide an etching liquid composition capable of efficiently collectively etching a triple film made of a transparent conductive film, an aluminum metal film, and a titanium metal film.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 질산 0.1~10 중량%, 황산 0.1~10 중량%, 함불소화합물 0.01~5 중량% 및 조성물 총 중량이 100 중량% 가 되도록 물을 포함하는 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 식각액 조성물을 제공한다. The present invention is an indium-based transparent conductive film containing water such that 0.1 to 10% by weight of nitric acid, 0.1 to 10% by weight of sulfuric acid, 0.01 to 5% by weight of fluorine-containing compounds, and 100% by weight of the total composition, Provided is an etchant composition of a triple layer composed of an aluminum-based metal film and a titanium-based metal film.
본 발명의 식각액 조성물에 의하면, 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막에 각각에 대한 식각특성이 우수하며, 알루미늄계 금속막으로 사용될 수 있는 Al-La계 합금막의 식각특성이 우수하여 Al-La계 합금막 상부의 말림현상 등이 발생하지 않으므로 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막을 효율적으로 일괄 식각할 수 있다. 따라서, 본 발명의 식각액 조성물을 사용하면 식각 공정이 상당히 단순화되므로 생산량을 크게 증가시킬 수 있다. According to the etching liquid composition of the present invention, the etching properties of the indium-based transparent conductive film, the aluminum-based metal film and the titanium-based metal film are excellent, respectively, and the etching properties of the Al-La-based alloy film which can be used as the aluminum-based metal film It is excellent in the curling phenomenon, such as the upper portion of the Al-La-based alloy film does not occur, it is possible to efficiently etch a triple layer consisting of an indium-based transparent conductive film, an aluminum-based metal film and a titanium-based metal film. Therefore, the use of the etchant composition of the present invention can greatly increase the yield since the etching process is significantly simplified.
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하도막은 화소여 질산 0.1~10 중량%, 황산 0.1~10 중량%, 함불소화합물 0.01~5 중량% 및 조성물 총 중량이 100 중량% 가 되도록 물을 포함하는 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막으로 이루어진 삼중막의 식각액 조성물에 관한 것이다. According to the present invention, the coating film is composed of 0.1 to 10% by weight of nitric acid, 0.1 to 10% by weight of sulfuric acid, 0.01 to 5% by weight of a fluorine-containing compound, and 100% by weight of the composition. The etching liquid composition of the triple film | membrane which consists of a type | system | group transparent conductive film, an aluminum type metal film, and a titanium type metal film.
본 발명에 있어서, 상기 인듐계 투명전전극으로 사용되는 것으로써 인듐을 주성분으로 하는 투명전도막을 의미하며, 구체적인 예로는 인듐아연산화막(IZO), 인듐주석산화막(ITO) 등의 인듐산화막을 들 수 있다.In the present invention, used as the indium-based transparent electrode means a transparent conductive film containing indium as a main component, and specific examples include indium oxide films such as indium zinc oxide film (IZO) and indium tin oxide film (ITO). have.
상기 알루미늄계 금속막은 알루미늄을 주성분으로 하는 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막을 의미한다. The aluminum-based metal film means an aluminum film or an aluminum alloy film containing aluminum as a main component.
상기 티타늄계 금속막은 박막간의 전지반응에 대한 박막의 adhesion 및 저항 측면에서 알루미늄계 금속막과 하부막(Glass 또는 Passivation층)간의 완충작용을 하는 티타늄을 주성분으로 하는 티타늄막 또는 티타늄 합금막을 의미한다. 상기 티타늄 합금막으로는 예컨대, Ti를 주성분으로 하는 Ti와 W, Mo, Nd, Ni, Ta 등의 합금막을 들 수 있다.The titanium-based metal film refers to a titanium film or a titanium alloy film containing titanium as a main component, which buffers an aluminum-based metal film and a lower film (Glass or Passivation layer) in terms of adhesion and resistance of the thin film to battery reaction between the thin films. As said titanium alloy film, alloy films, such as Ti and W, Mo, Nd, Ni, Ta which have Ti as a main component, are mentioned, for example.
본 발명에서 상기 알루미늄계 금속막으로는 90중량% 이상의 알루미늄과 10중량% 이하의 La를 포함하는 다른 금속으로 이루어지는 Al-La 또는 Al-La-X(X는 Mg, Zn, In, Ca, Te, Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt 및 C 중에서 선택되는 1종 이상의 금속) 합금막이 사용될 수 있다. In the present invention, the aluminum-based metal film is Al-La or Al-La-X made of 90% by weight or more of aluminum and 10% by weight or less of La (X is Mg, Zn, In, Ca, Te At least one metal) alloy film selected from Sr, Cr, Co, Mo, Nb, Ta, W, Ni, Nd, Sn, Fe, Si, Ti, Pt and C).
상기 알루미늄계 금속막으로서 Al-La 또는 Al-La-X 합금막이 사용되는 경우에는 알루미늄의 열에 의한 힐락(hillock)현상 발생으로 인한 공정상의 문제를 피할 수 있는 장점이 있다.When Al-La or Al-La-X alloy film is used as the aluminum-based metal film, there is an advantage that a process problem due to the occurrence of hillock due to heat of aluminum can be avoided.
본 발명에서 삼중막은 인듐계 투명전도막이 상층에 형성되고, 알루미늄계 금속막이 중간층에 형성되며, 티타늄계 금속막이 하층으로 형성되는 것을 의미한다.In the present invention, the triple layer means that the indium-based transparent conductive film is formed on the upper layer, the aluminum-based metal film is formed on the intermediate layer, and the titanium-based metal film is formed on the lower layer.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 질산은 인듐계 투명전도막, 알루미늄계 금속막 및 티타늄계 금속막의 표면을 산화시키는 역할을 하며 조성물 총 중량에 대하여 0.1~10 중량%, 더욱 바람직하게는 2~7 중량%로 함유된다. 질산이 0.1중량% 미만으로 함유되는 경우에는 알루미늄계 금속막과 티타늄계 금속막의 식각속도 저하가 발생되며, 이러한 현상은 기판내 위치별 식각속도 차이를 유발하므로 티타늄계 금속막의 Tailing현상 발생에 의해 결국 얼룩을 발생시킨다. 질산이 10중량%를 초과하는 경우에는 포토레지스트에 크랙(Crack)이 발생하며, 그에 따르는 약액 침투에 의해 알루미늄계 금속막과 티타늄계 금속막이 단락되는 현상이 발생할 수 있으며, 과식각에 의한 알루미늄계 금속막과 티타늄계 금속막의 소실로 인하여 금속 배선이 기능을 상실할 우려가 있다.Nitric acid contained in the etchant composition of the present invention serves to oxidize the surface of the indium-based transparent conductive film, the aluminum-based metal film, and the titanium-based metal film, and is 0.1 to 10% by weight, more preferably 2 to 7% by weight, based on the total weight of the composition. It is contained in%. When the nitric acid is contained in less than 0.1% by weight, the etching rate of the aluminum-based metal film and the titanium-based metal film is lowered. This phenomenon causes the difference in the etching speed for each position in the substrate, which leads to the tailing phenomenon of the titanium-based metal film. Cause staining; When the nitric acid exceeds 10% by weight, cracks occur in the photoresist, and the aluminum-based metal film and the titanium-based metal film may be short-circuited due to the infiltration of the chemical solution. Due to the loss of the metal film and the titanium-based metal film, the metal wiring may lose its function.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 황산은 알루미늄계 금속막과 티타늄계 금속막의 표면을 산화시키는 역할을 하며, 인듐계 투명전도막의 보조 산화제로서 조성물 총 중량에 대하여 0.1~10 중량%, 더욱 바람직하게는 2~7 중량%로 포함된다. 0.1 중량% 미만으로 함유되는 경우에는 알루미늄계 금속막의 식각 속도가 저하되며, 그에 따르는 잔사의 발생이나 불균일 식각에 의해 기판내에 얼룩이 발생하며, 10중량%를 초과하는 경우에는 과도한 식각속도에 의해서 알루미늄계 금속막과 티타늄계 금속막이 소실 될 수 있다.Sulfuric acid contained in the etchant composition of the present invention serves to oxidize the surface of the aluminum-based metal film and the titanium-based metal film, and as an auxiliary oxidant of the indium-based transparent conductive film, 0.1 to 10% by weight, more preferably based on the total weight of the composition. It is included in 2 to 7% by weight. If the content is less than 0.1% by weight, the etching rate of the aluminum-based metal film is lowered, and staining occurs in the substrate due to the occurrence of residues or non-uniform etching. If the content is more than 10% by weight, the aluminum-based film is caused by excessive etching rate. The metal film and the titanium metal film may be lost.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 함불소 화합물은 산화된 알루미늄계 금속막과 티타늄계 금속막의 표면을 식각하는 역할을 하며, 조성물 총 중량에 대하여 0.01~5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1~2 중량%로 함유된다. 함불소화합물이 0.01 중량% 미만으로 함유되는 경우에는 알루미늄계 금속막과 티타늄계 금속막의 식각속도가 저하되며, 그에 따라 기판내에 불균일 식각이 유발될 수 있다. 함불소화합물이 5 중량%를 초과하는 경우에는 과도한 식각속도에 의해 알루미늄계 금속막과 티타늄계 금속막이 소실될 수 있으며, 하부막의 손상이 발생할 수 있다. The fluorine-containing compound included in the etchant composition of the present invention serves to etch the surface of the oxidized aluminum-based metal film and titanium-based metal film, 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.1 to 2% by weight relative to the total weight of the composition It is contained in%. When the fluorine-containing compound is contained in less than 0.01% by weight, the etching rate of the aluminum-based metal film and the titanium-based metal film is reduced, thereby causing uneven etching in the substrate. When the fluorine-containing compound exceeds 5% by weight, the aluminum-based metal film and the titanium-based metal film may be lost due to excessive etching rate, and damage to the lower layer may occur.
상기 함불소화합물은 용해 상태에서 불소 이온 또는 다원자 불소이온이 해리될 수 있는 화합물을 의미하며, 구체적으로는 불화암모늄, 불화나트륨, 불화칼륨, 중불화암모늄, 중불화나트륨, 중불화칼륨 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다. The fluorine-containing compound means a compound capable of dissociating fluorine ions or polyatomic fluorine ions in a dissolved state, and specifically, ammonium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, ammonium bifluoride, sodium bifluoride, potassium bifluoride, or the like. These may be used alone or in combination of two or more.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물로는 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하며, 상기 탈이온수는 반도체 공정용으로서 18㏁/㎝ 이상의 것을 사용하는 것이 바람직하다. It is preferable to use deionized water as water contained in the etching liquid composition of this invention, and it is preferable to use the deionized water as 18 dl / cm or more for a semiconductor process.
본 발명의 식각액 조성물은 상기에 언급된 성분들 외에 식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 및 pH 조절제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.The etchant composition of the present invention may further include at least one of an etch regulator, a surfactant, a metal ion sequestrant, a corrosion inhibitor and a pH regulator in addition to the above-mentioned components.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention more specifically, but the scope of the present invention is not limited by the following examples. The following examples can be appropriately modified and changed by those skilled in the art within the scope of the present invention.
실시예 1 내지 10 및 비교예 1내지 3: 식각액 조성물의 제조Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 3: Preparation of the etchant composition
하기 표 1에 기재된 성분 및 조성비에 따라 식각액 조성물이 180 kg이 되도록 제조하였다.According to the component and the composition ratio shown in Table 1 was prepared so that the etching solution composition is 180 kg.
(단위: 중량%)(Unit: wt%)
시험예: 식각 특성 평가Test Example: Evaluation of Etch Characteristics
시험용 기판으로는 SiNx층 위에 a-ITO/AlLaNi/Ti 삼중막이 증착 되어있고 일정한 형태의 모양으로 포토레지스트가 패터닝된 것을 사용하였다.As a test substrate, a-ITO / AlLaNi / Ti triple layer was deposited on a SiNx layer, and a photoresist patterned in a uniform shape was used.
분사식 식각 방식의 실험장비(SEMES사 제조, 모델명: ETCHER(TFT)) 내에 상기 실시예 1 내지 10에서 제조된 식각액을 넣고 온도를 30℃로 세팅하여 가온한 후, 온도가 30±0.1℃에 도달한 후, 식각 공정을 수행하였다. 총 에칭 시간을 EPD를 기준으로 30%로 주어 실시하였다. 시편을 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風) 건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토 레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM: HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 식각 프로파일의 경사각, 사이드 에치(CD: critical dimension) 손실, 식각 잔류물 및 하부막 손상을 평가하여, 그 결과를 하기 표 2 에 나타내었다.The etching solution prepared in Examples 1 to 10 was placed in a spray etching experiment apparatus (manufactured by SEMES, model name: ETCHER (TFT)), warmed by setting the temperature to 30 ° C, and the temperature reached 30 ± 0.1 ° C. After that, an etching process was performed. Total etch time was given at 30% based on EPD. Insert the specimen, start spraying, and when the etching is complete, taken out, washed with deionized water, dried using a hot air drying apparatus, and removed the photoresist using a photoresist stripper (PR) stripper. After cleaning and drying, an electron scanning microscope (SEM: manufactured by HITACHI, model name: S-4700) was used to evaluate the inclination angle of the etching profile, the loss of critical dimension (CD), the etching residue and the underlying film damage. The results are shown in Table 2 below.
[식각 프로파일의 평가 기준][Evaluation Criteria of Etch Profile]
◎: 매우 우수(CD Skew:≤1㎛, Taper Angle: 40°~ 80°)◎: Excellent (CD Skew: ≤1㎛, Taper Angle: 40 ° ~ 80 °)
○: 우수(CD Skew:≤1.5㎛, Taper Angle: 40°~ 80°)○: Excellent (CD Skew: ≤1.5㎛, Taper Angle: 40 ° ~ 80 °)
△: 양호(CD Skew:≤2㎛, Taper Angle: 40°~ 80°)△: Good (CD Skew: ≤2㎛, Taper Angle: 40 ° to 80 °)
×: 불량(금속막 소실 및 잔사발생)X: Poor (metal film loss and residue)
a-ITO/AlLaNi/Ti
a-ITO / AlLaNi / Ti
상기 표2로부터 확인되는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1내지 10의 식각액 조성물은 식각 프로파일이 우수하며, 하부막 손상 및 잔사가 발생되지 않아서, a-ITO/AlLaNi/Ti 삼중막에 대한 우수한 식각특성을 가짐을 확인할 수 있었다(도1참조). 그러나, 함불소화합물이 포함되지 않은 비교예1식각액의 경우는 식각프로파일 불량 및 Ti막의 언에치(Unetch)가 발생하였으며, 질산이 과량으로 함유된 비교예2 및 3의 식각액도 식각프로파일 불량 및 하부막 손상이 관찰되었다(도2참조). As can be seen from Table 2, the etchant composition of Examples 1 to 10 of the present invention has an excellent etching profile, no damage to the lower layer and no residue, and thus excellent etching for the a-ITO / AlLaNi / Ti triple layer. It was confirmed that it has a characteristic (see Fig. 1). However, in the case of the comparative example 1 etchant containing no fluorine-containing compound, the etching profile defect and the unetch of the Ti film occurred, and the etching solutions of Comparative Examples 2 and 3 containing the excess nitric acid were also defective in the etching profile and Lower membrane damage was observed (see Figure 2).
도 1은 실시예7의 식각액으로 a-ITO/AlLaNi/Ti 3중막을 식각한 결과를 나타내는 전자주사현미경 사진이다.1 is an electron scanning micrograph showing the result of etching the a-ITO / AlLaNi / Ti triple layer with the etchant of Example 7.
도 2는 비교예2의 식각액으로 a-ITO/AlLaNi/Ti 3중막을 식각한 결과를 나타내는 전자주사현미경 사진이다.FIG. 2 is an electron scanning micrograph showing the result of etching a-ITO / AlLaNi / Ti triple layer with the etchant of Comparative Example 2. FIG.
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