KR20110016703A - Polishing unit and substrate treating apparatus and method including the unit - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A grinding unit, a substrate process apparatus including the same, and a method thereof are provided to improve the productivity by reducing the required time by grinding the substrate simultaneously using a plurality of grinding pads. CONSTITUTION: A substrate support unit(100) supports a substrate. A container unit(200) retrieves the fluid distributed from the rotating substrate. A grinding unit(300) grinds the substrate supported by the substrate support unit. A processing liquid supplying unit(500) supplies the processing liquid which is offered for cleaning and grinding.

Description

연마 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법{POLISHING UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD INCLUDING THE UNIT}Polishing unit and substrate processing apparatus and method including same TECHNICAL FIELD

본 발명은 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 대한 연마공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method for processing a semiconductor substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for performing a polishing process for a substrate.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 박막의 형성 및 적층을 위해 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다. 웨이퍼 상에 요구되는 소정의 회로 패턴이 형성될 때까지 이들 공정은 반복되며, 회로 패턴이 형성된 후 웨이퍼의 표면에는 많은 굴곡이 생기게 된다. 최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되며, 웨이퍼 표면의 굴곡의 수와 이들 사이의 단차가 증가하고 있다. 웨이퍼 표면의 비평탄화는 사진 공정에서 디포커스(Defocus) 등의 문제를 발생시키므로 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 주기적으로 웨이퍼 표면을 연마하여야 한다.In general, a semiconductor device manufacturing process must repeatedly perform a plurality of unit processes such as a deposition process, a photo process, and an etching process to form and stack thin films. These processes are repeated until the desired circuit pattern is formed on the wafer, and after the circuit pattern is formed, a lot of bending occurs on the surface of the wafer. In recent years, as semiconductor devices become highly integrated, their structures are multilayered, and the number of bends on the surface of the wafer and the step between them are increasing. Unplanarization of the wafer surface causes problems such as defocus in the photolithography process, and thus the wafer surface must be polished periodically to planarize the surface of the wafer.

웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위해 다양한 표면 평탄화 기술이 있으나 이 중 좁은 영역뿐만 아니라 넓은 영역의 평탄화에 있어서도 우수한 평탄도를 얻을 수 있 는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치가 주로 사용된다. 화학적 기계적 연마 장치는 텅스텐이나 산화물 등이 입혀진 웨이퍼의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마시킴과 동시에 화학적 연마재에 의해 연마시키는 장치로서, 아주 미세한 연마를 가능하게 한다. Various surface planarization techniques are used to planarize the surface of the wafer, but chemical mechanical polishing (CMP) apparatuses, which can obtain excellent flatness not only for narrow areas but also for wide areas, are mainly used. The chemical mechanical polishing apparatus is an apparatus for polishing a surface of a wafer coated with tungsten, an oxide, or the like by mechanical friction and polishing with a chemical abrasive, and enables very fine polishing.

또한, 반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체 제조를 위한 각 단위 공정들의 전후 단계에서 기판의 세정 공정이 실시되고 있다.In addition, as semiconductor devices become more dense, highly integrated, and higher in performance, miniaturization of circuit patterns proceeds rapidly, and contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great effect on device characteristics and production yield. Get mad. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the substrate surface is very important in the semiconductor manufacturing process, and the substrate cleaning process is performed at the front and rear stages of each unit process for semiconductor manufacturing.

종래의 연마장치는 일정한 크기를 갖는 하나의 연마패드가 기판의 상면을 이동하며 기판을 연마한다. 종래의 연마장치에 의할 때, 하나의 연마패드가 기판의 전체면을 연마하므로 연마시간이 증가한다. 그리고, 일정한 크기를 갖는 연마패드로 연마하는 경우, 기판의 영역에 따라 발생하는 연마량에 차이를 제어하기 어렵다. 특히, 기판의 가장자리영역이 중심영역보다 과연마되는 현상을 제어하기 어렵다. In the conventional polishing apparatus, one polishing pad having a predetermined size moves the upper surface of the substrate to polish the substrate. In the conventional polishing apparatus, the polishing time is increased because one polishing pad polishes the entire surface of the substrate. In addition, when polishing with a polishing pad having a constant size, it is difficult to control the difference in the amount of polishing generated according to the area of the substrate. In particular, it is difficult to control the phenomenon that the edge region of the substrate is over-polishing than the center region.

본 발명은 기판의 전체면을 균일하게 연마할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and method capable of uniformly polishing the entire surface of a substrate.

또한, 본 발명은 연마공정시간을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a substrate processing apparatus and method that can reduce the polishing process time.

또한, 본 발명은 기판의 연마영역에 따라 연마량을 조절할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. In addition, the present invention provides a substrate processing apparatus and method that can adjust the amount of polishing in accordance with the polishing region of the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 연마하는 연마유닛을 제공한다. 연마유닛은 기판을 연마하는 복수개의 연마패드들; 및 각각의 상기 연마패드들을 독립적으로 회전시키는 연마패드 구동기들; 상기 연마패드들을 동시에 지지하며, 상기 연마패드를 이동시키는 지지아암을 포함한다.The present invention provides a polishing unit for polishing a substrate. The polishing unit includes a plurality of polishing pads for polishing a substrate; Polishing pad drivers for independently rotating each of the polishing pads; And supporting arms for simultaneously supporting the polishing pads and moving the polishing pads.

각각의 상기 연마패드들은 서로 상이한 면적을 갖는다. Each of the polishing pads has a different area from each other.

상기 연마패드들 중 적어도 두 개의 상기 연마패드들의 중심은 상기 지지아암의 길이방향에 평행한 선으로부터 거리가 서로 상이하게 제공된다.The centers of the at least two polishing pads of the polishing pads are provided different from each other in distance from a line parallel to the longitudinal direction of the support arm.

상기 연마패드들은 어느 하나의 상기 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 기판의 영역과 인접한 상기 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 기판의 영역이 중첩되도록 배치된다.The polishing pads are arranged such that an edge region of one of the polishing pads overlaps an area of the substrate to be polished with an edge region of the polishing pad adjacent thereto.

상기 연마패드들은 세 개 제공되며, 두 개의 상기 연마패드들의 중심을 연결하는 직선은 나머지 하나의 상기 연마패드의 중심으로부터 이격하여 위치한다.Three polishing pads are provided, and a straight line connecting the centers of the two polishing pads is located away from the center of the other polishing pad.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지 하는 스핀헤드; 상기 스핀헤드를 회전시키는 스핀헤드 구동기; 상기 스핀헤드에 지지된 기판을 연마하는 제1연마패드; 상기 제1연마패드와 이격하여 배치되며, 상기 기판을 연마하는 제2연마패드; 상기 제1, 2연마패드를 지지하며, 상기 제1, 2연마패드를 이동시키는 지지아암; 상기 제1연마패드를 회전시키는 제1구동기; 상기 제2연마패드를 회전시키는 제2구동기를 포함한다.In addition, the present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a spin head for supporting a substrate; A spin head driver for rotating the spin head; A first polishing pad for polishing a substrate supported by the spin head; A second polishing pad disposed to be spaced apart from the first polishing pad and polishing the substrate; A support arm supporting the first and second polishing pads and moving the first and second polishing pads; A first driver rotating the first polishing pad; And a second driver for rotating the second polishing pad.

상기 제1연마패드는 상기 제2연마패드의 면적과 상이한 면적을 갖는다.The first polishing pad has an area different from that of the second polishing pad.

상기 제1연마패드의 중심과 상기 제2연마패드의 중심을 연결하는 직선은 상기 지지아암의 길이방향 중심과 비평형하다.A straight line connecting the center of the first polishing pad and the center of the second polishing pad is non-equilibrium with the longitudinal center of the support arm.

상기 제2연마패드는 상기 제1연마패드의 가장자리영역이 연마하는 상기 기판의 영역과 상기 제2연마패드의 가장자리영역이 연마하는 상기 기판의 영역이 중첩되도록 상기 제1연마패드와 배치된다.The second polishing pad is disposed with the first polishing pad such that an area of the substrate to be polished by the edge region of the first polishing pad and an area of the substrate to be polished by the edge region of the second polishing pad are overlapped.

상기 제1연마패드와 상기 제2연마패드로부터 이격하여 배치되며, 상기 지지아암에 지지되는, 그리고 상기 기판을 연마하는 제3연마패드; 및 상기 제3연마패드를 회전시키는 제3구동기를 더 포함한다.A third polishing pad spaced apart from the first polishing pad and the second polishing pad, supported by the support arm, and polishing the substrate; And a third driver for rotating the third polishing pad.

상기 제3연마패드의 면적은 상기 제1연마패드와 상기 제2연마패드보다 작은 면적을 가진다.An area of the third polishing pad has an area smaller than that of the first polishing pad and the second polishing pad.

상기 제3연마패드는 상기 제1연마패드의 중심과 상기 제2연마패드의 중심을 연결하는 직선에 대해 상기 제3연마패드의 중심과 상기 제2연마패드의 중심을 연결하는 직선이 수직하도록 배치된다.The third polishing pad is disposed such that a straight line connecting the center of the third polishing pad and the center of the second polishing pad is perpendicular to a straight line connecting the center of the first polishing pad and the center of the second polishing pad. do.

상기 제3연마패드는 상기 제2연마패드의 가장자리영역이 연마하는 상기 기판 의 영역과 상기 제3연마패드의 가장자리영역이 연마하는 상기 기판의 영역이 중첩되도록 배치된다.The third polishing pad is disposed such that an area of the substrate to be polished by the edge region of the second polishing pad and an area of the substrate to be polished by the edge region of the third polishing pad are overlapped.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은 복수개의 연마패드들이 동시에 기판을 연마하되, 각각의 상기 연마패드들이 연마하는 기판의 영역은 서로 상이하다. The present invention also provides a substrate processing method. In the substrate processing method, a plurality of polishing pads polish the substrate at the same time, but the areas of the substrate to which the respective polishing pads polish are different from each other.

기판의 가장자리영역을 연마하는 상기 연마패드의 면적은 기판의 중심영역을 연마하는 상기 연마패드의 면적보다 작다.The area of the polishing pad polishing the edge region of the substrate is smaller than the area of the polishing pad polishing the central region of the substrate.

기판의 중간영역과 가장자리영역 사이를 연마하는 상기 연마패드의 면적은 기판의 중심영역을 연마하는 상기 연마패드의 면적보다 작고, 기판의 가장자리영역을 연마하는 상기 연마패드의 면적보다 크다.The area of the polishing pad for polishing between the middle area and the edge area of the substrate is smaller than the area of the polishing pad for polishing the center area of the substrate and larger than the area of the polishing pad for polishing the edge area of the substrate.

각각의 상기 연마패드들이 연마하는 기판상의 영역은 일부가 중첩된다.The areas on the substrate to which the respective polishing pads polish are partially overlapped.

상기 기판의 연마가 진행되는 동안 상기 연마패드들의 위치는 고정된다.The position of the polishing pads is fixed while polishing of the substrate is in progress.

본 발명에 의하면, 기판의 연마영역에 따라 연마량 조절이 가능하므로 기판의 전체면을 균일하게 연마한다. According to the present invention, since the polishing amount can be adjusted according to the polishing region of the substrate, the entire surface of the substrate is polished uniformly.

또한, 본 발명에 의하면, 복수개의 연마패드가 동시에 기판을 연마하므로 연마공정시간이 감소된다.Further, according to the present invention, a plurality of polishing pads simultaneously polish the substrate, thereby reducing the polishing process time.

또한, 본 발명에 의하면, 복수개의 연마패드들의 면적이 서로 상이하므로 연마영역에 따라 연마량이 조절된다.Further, according to the present invention, since the areas of the plurality of polishing pads are different from each other, the amount of polishing is adjusted according to the polishing area.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 7. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 간략하게 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(2000)은 로드 포트(load fort, 10), 인덱스 모듈(indext module)(20), 그리고 공정 모듈(30)을 포함한다. 로드 포트(10), 인덱스 모듈(20), 그리고 공정 모듈(30)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(10), 인덱스 모듈(20), 그리고 공정 모듈(30)이 배치되는 방향을 제1방향(3)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(3)에 수직한 방향을 제2방향(4)이라 칭하고, 제1방향(3) 및 제2방향(4)과 각각 수직한 방향을 제3방향(5)이라 칭한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing system 2000 of the present invention includes a load fort 10, an indext module 20, and a process module 30. The load port 10, the index module 20, and the process module 30 are sequentially arranged in one direction. Hereinafter, the direction in which the load port 10, the index module 20, and the process module 30 are disposed will be referred to as a first direction 3, and a direction perpendicular to the first direction 3 when viewed from the top will be described. A direction perpendicular to the first direction 3 and a second direction 4, respectively, is referred to as a second direction 4 and is referred to as a third direction 5. Hereinafter, each structure is demonstrated in detail.

로드 포트(10)는 수납된 용기(12)가 놓여지는 재치대(11)를 가진다. 재치대(11)는 복수개가 제공되며, 제2방향(4)을 따라 일렬로 배치된다. 일 실시예에서는 4개의 재치대(11)가 제공되었다. The load port 10 has a mounting base 11 on which the container 12 housed therein is placed. The mounting table 11 is provided in plural and arranged in a line along the second direction 4. In one embodiment four mounting tables 11 are provided.

인덱스 모듈(20)은 재치대(11)에 놓인 용기(12)와 버퍼부(40)간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(20)은 프레임(21), 인덱스 로봇(22), 그리고 가이드 레일(23)을 가진다. 프레임(21)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(10)와 버퍼부(40) 사이에 배치된다. 인덱스 로봇(22)과 가이드 레일(23)은 프레임(21)내에 배치된다. 인덱스 로봇(22)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(24)가 제 1 방향(3), 제 2 방향(4), 제 3 방향(5)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 가이드 레일(23)은 그 길이 방향이 제 2 방향(4)을 따라 배치되도록 제공된다. 인덱스 로봇(22)은 가이드 레일(23)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(23)과 결합한다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(21)에는 용기(12)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 20 transfers the substrate W between the container 12 placed on the mounting table 11 and the buffer portion 40. The index module 20 has a frame 21, an index robot 22, and a guide rail 23. The frame 21 is generally provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 10 and the buffer portion 40. The index robot 22 and the guide rail 23 are arranged in the frame 21. The index robot 22 drives four axes so that the hand 24 directly handling the substrate W can be moved and rotated in the first direction 3, the second direction 4, and the third direction 5. This has a possible structure. The guide rail 23 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 4. The index robot 22 is coupled to the guide rail 23 so as to be linearly movable along the guide rail 23. In addition, although not shown, the frame 21 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the container 12.

공정 모듈(30)은 버퍼부(40), 이송 통로(50), 메인 이송 로봇(Main Transfer Robot)(60), 그리고 다수의 기판 처리 장치(1000)를 포함한다. The process module 30 includes a buffer unit 40, a transfer passage 50, a main transfer robot 60, and a plurality of substrate processing apparatus 1000.

이송 통로(50)는 공정 모듈(30)내에 제 1 방향(3)을 따라 구비되며, 메인 이송 로봇(60)이 이동하는 통로를 제공한다. 이송 통로(50)의 양측에는 기판 처리 장치들(1000)이 서로 마주보며 제1방향(3)을 따라 배치된다. 이송 통로(50)에는 메인 이송 로봇(60)이 제1방향(3)을 따라 이동할 수 있고, 기판 처리 장치(1000)의 상하층, 그리고 버퍼부(340)의 상하층으로 승강할 수 있는 이송 레일(51)이 설치된다.The transfer passage 50 is provided along the first direction 3 in the process module 30, and provides a passage through which the main transfer robot 60 moves. The substrate processing apparatuses 1000 face each other on both sides of the transfer passage 50 and are disposed along the first direction 3. In the transfer passage 50, the main transfer robot 60 may move along the first direction 3 and may move up and down the upper and lower layers of the substrate processing apparatus 1000 and the upper and lower layers of the buffer unit 340. The rail 51 is installed.

메인 이송 로봇(60)은 이송 통로(50)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1000)들 및 버퍼부(40) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(60)은 버퍼부(40)에 대기하는 미처리된 기판을 각 기판 처리 장치(1000)로 제공하거나, 기판 처리 장치(1000)에서 공정이 완료된 기판을 버퍼부(40)로 이송한다. 메인 이송 로봇(60)은 제1핸드부(미도시)와 제2핸드부(미도시)를 갖는다. 제1핸드부와 제2핸드부는 적어도 하나 이상의 핸드를 갖는다. 제1핸드부와 제2핸드부 중 어느 하나는 공정처리가 완료된 기판을 기판 처리 장치(1000)에서 인출하여 버퍼부(40) 상층에 수납하며, 나머지 하나는 미처리된 기판을 버퍼부(40) 하층에서 인출하여 기판 처리 장치(1000)로 이송한다. 제1핸드부와 제2핸드부는 서로 다른 높이에 설치되며, 독립적으로 전후 이동될 수 있다. 제1핸드부와 제2핸드부는 기판이 올려지는 포켓부(미도시)를 포함하며, 포켓부는 메인 이송 로봇(60)의 이동 및 핸드부의 이동시 기판이 이탈하는 것을 방지한다. The main transfer robot 60 is installed in the transfer passage 50 and transfers the substrate between the substrate processing apparatuses 1000 and the buffer unit 40. The main transfer robot 60 provides an unprocessed substrate waiting in the buffer unit 40 to each substrate processing apparatus 1000 or transfers a substrate on which the process is completed in the substrate processing apparatus 1000 to the buffer unit 40. . The main transfer robot 60 has a first hand part (not shown) and a second hand part (not shown). The first hand portion and the second hand portion have at least one hand. One of the first hand part and the second hand part withdraws the substrate, which has been processed, from the substrate processing apparatus 1000, and stores the substrate in the upper portion of the buffer part 40, and the other hand stores the unprocessed substrate in the buffer part 40. It is taken out from the lower layer and transferred to the substrate processing apparatus 1000. The first hand part and the second hand part may be installed at different heights, and may independently move back and forth. The first hand part and the second hand part include a pocket part (not shown) on which the substrate is placed, and the pocket part prevents the substrate from being separated during the movement of the main transfer robot 60 and the hand part.

버퍼부(40)는 메인 이송 로봇(60)에 의해 미처리된 기판이 기판 처리 장치(1000)로 제공되기 전, 또는 기판 처리 장치(1000)에서 공정이 완료된 기판이 인덱스 로봇(22)에 의해 로드 포트(10)로 반송되기 전에 일시적으로 대기하는 장소를 제공한다. 버퍼부(40)는 이송통로(50)의 제1방향(3) 전방에 위치하며, 상층 또는 하층으로 상호 분리된 복층 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 버퍼부(40)의 상층은 공정 처리가 끝난 기판이 용기(12)로 이송되기 전에 대기하는 장소로 제공되고, 하층은 미처리된 기판이 각 기판 처리 장치(1000)로 이송되기 전에 대기하는 장소로 제공될 수 있다. The buffer unit 40 is loaded by the index robot 22 before the substrate which has not been processed by the main transfer robot 60 is provided to the substrate processing apparatus 1000, or whose processing has been completed in the substrate processing apparatus 1000. It provides a place to temporarily wait before being returned to the port 10. The buffer unit 40 may be positioned in front of the first direction 3 of the transfer passage 50 and may have a multi-layer structure separated from each other in an upper layer or a lower layer. For example, the upper layer of the buffer unit 40 is provided to a place where the processed substrate is to be waited before being transferred to the container 12, and the lower layer is to wait before the unprocessed substrate is transferred to each substrate processing apparatus 1000. May be provided in place.

기판 처리 장치(1000)들은 기판을 연마 및 세정한다. 기판 처리 장치들(1000)은 공정 모듈(30) 내부에서 이송통로(60)를 사이에 두고 서로 마주보도록 제1방향(3)을 따라 배치되며, 상층과 하층의 복층 구조를 가질 수 있다. 실시예에 의하면, 기판 처리 장치(1000)는 이송통로(50)의 양측에 각각 두 개의 기판 처리 장치(1000)가 제1방향(3)을 따라 공정처리부(30)의 하층에 배치된다. 공정처리부(30)의 상층에는 하층과 동일한 형태로 기판 처리 장치(1000)가 배치된다. 기판 처리 장치(1000)들은 독립적인 모듈의 형태로 제공될 수 있다. 모듈이라 함은 각 기판 처리 장치(1000)들이 각각의 기판 처리 기능을 수행함에 있어서 독립적인 동작이 가능하도록 관련 파트들이 하나의 독립적인 하우징 내에 설치된 것을 말한다. 모듈의 형태로 제공되는 기판 처리 장치(1000)는 기판 처리 설비의 레이아웃에 따라 공정 모듈(30)을 구성하게 된다. The substrate processing apparatuses 1000 polish and clean the substrate. The substrate processing apparatuses 1000 may be disposed along the first direction 3 to face each other with the transfer passage 60 therebetween within the process module 30, and may have a multilayer structure having an upper layer and a lower layer. According to the embodiment, the substrate processing apparatus 1000 has two substrate processing apparatuses 1000 disposed on both sides of the transfer passage 50 in the lower layer of the processing unit 30 along the first direction 3. The substrate processing apparatus 1000 is disposed on the upper layer of the process processor 30 in the same manner as the lower layer. The substrate processing apparatuses 1000 may be provided in the form of independent modules. The module means that the relevant parts are installed in one independent housing so that each substrate processing apparatus 1000 can operate independently in performing each substrate processing function. The substrate processing apparatus 1000 provided in the form of a module configures the process module 30 according to the layout of the substrate processing equipment.

도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 나타낸 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG.

도 2를 참조하면, 기판 처리 시스템(2000)은 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 공정 및 연마 공정 후 기판(W)의 표면을 세정하는 세정 공정을 하나의 기판 처리 장치(1000) 내에서 순차적으로 진행될 수 있도록 구성된다. 구체적으로, 기판 처리 장치(1000)는 기판 지지 유닛(100), 용기 유닛(bowl unit)(200), 연마 유닛(300), 처리 유체 공급 유닛(500), 브러쉬 유닛(600) 그리고 에어로졸 유닛(700)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing system 2000 includes a polishing process for polishing the upper surface of the substrate W and a cleaning process for cleaning the surface of the substrate W after the polishing process in one substrate processing apparatus 1000. It is configured to proceed sequentially. In detail, the substrate processing apparatus 1000 may include a substrate support unit 100, a container unit 200, a polishing unit 300, a processing fluid supply unit 500, a brush unit 600, and an aerosol unit ( 700).

기판 지지 유닛(100)은 기판(W)을 지지하며, 용기 유닛(200)은 회전하는 기판(W)으로부터 비산되는 유체가 회수되도록 기판 지지 유닛(100)을 감싼다. 연마 유닛(300)은 기판 지지 유닛(100)에 지지된 기판(W)을 연마하며, 처리 유체 공급 유닛(700)은 기판(W)의 세정 및 연마에 제공되는 처리 유체를 공급한다. 브러쉬 유닛(600)과 에어로졸 유닛(700)은 연마된 기판(W) 표면의 이물질을 제거한다. 이하, 각 유닛에 대하여 상세하게 설명한다.The substrate support unit 100 supports the substrate W, and the container unit 200 wraps the substrate support unit 100 so that the fluid scattered from the rotating substrate W is recovered. The polishing unit 300 polishes the substrate W supported by the substrate support unit 100, and the processing fluid supply unit 700 supplies the processing fluid provided for cleaning and polishing the substrate W. The brush unit 600 and the aerosol unit 700 remove foreign substances on the polished substrate W surface. Hereinafter, each unit will be described in detail.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 용기 유닛을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a substrate support unit and a container unit according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 지지 유닛(100)은 기판(W)의 연마 공정과 세정 공정이 이루어지는 동안 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(100)은 기판(W)을 지지하는 스핀 헤드(110), 스핀 헤드(110)를 지지하며 스핀 헤드(110)로 회전력을 전달하는 지지축(120), 그리고 스핀 헤드(110)를 회전시키는 스핀헤드 구동기(미도시)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the substrate support unit 100 supports the substrate W during the polishing process and the cleaning process of the substrate W. The substrate support unit 100 supports the spin head 110 supporting the substrate W, the support shaft 120 supporting the spin head 110, and transmitting rotational force to the spin head 110, and the spin head 110. It includes a spin head driver (not shown) for rotating.

스핀 헤드(110)는 대체로 원판 형상을 가지며, 상면으로부터 하면으로 갈수록 점차 지름이 감소한다. 스핀 헤드(110)는 기판(W)을 지지하며, 기판(W)을 지지한 상태로 중심축(CR1)을 중심으로 회전가능하도록 제공된다. 스핀헤드(110)의 회전축은 기판(W)에 대해 수직하게 형성된다. 스핀 헤드(110)로 진공척(vacuum chuck)이 사용될 수 있다.The spin head 110 generally has a disk shape, and gradually decreases in diameter from the upper surface to the lower surface. The spin head 110 supports the substrate W and is provided to be rotatable about the central axis CR1 while supporting the substrate W. As shown in FIG. The axis of rotation of the spin head 110 is formed perpendicular to the substrate (W). A vacuum chuck may be used as the spin head 110.

지지축(120)은 스핀 헤드(110)의 하부에 위치하며, 스핀 헤드(110)를 지지한다. 지지축(120)는 대체로 원기둥 형상으로 제공되며, 연마 공정 및 세정 공정이 진행되는 동안 스핀헤드 구동기에 의하여 회전되어 스핀 헤드(110)를 회전시킨다.  The support shaft 120 is positioned below the spin head 110 and supports the spin head 110. The support shaft 120 is generally provided in a cylindrical shape, and is rotated by the spin head driver during the polishing process and the cleaning process to rotate the spin head 110.

스핀헤드 구동기는 지지축(120)의 하부에 설치되며, 외부에서 인가된 전력을 이용하여 스핀 헤드(110)를 회전시키는 회전력을 발생시킨다. 스핀헤드 구동기로는 모터가 사용될 수 있다.The spin head driver is installed below the support shaft 120 and generates a rotational force for rotating the spin head 110 by using externally applied power. As the spin head driver, a motor may be used.

용기 유닛(200)은 기판 지지 유닛(100)를 감싸도록 제공된다. 용기 유닛(200)은 제1 및 제2 처리 용기(process bowl)(210, 220), 제1 및 제2 회수 통(recovery vat)(230, 240), 제1 및 제2 회수관(251, 252), 및 승강부재(260)를 포함한다.The container unit 200 is provided to surround the substrate support unit 100. The vessel unit 200 includes first and second process bowls 210 and 220, first and second recovery vats 230 and 240, and first and second recovery tubes 251. 252, and the elevating member 260.

구체적으로, 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 기판 지지 유닛(100)을 둘러싸고, 기판(W)의 연마 공정 및 세정 공정이 이루어지는 공정 공간을 제공한다. 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)는 각각 상부가 개방되며, 제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 개방된 상부를 통해 스핀 헤드(110)가 노출된다. Specifically, the first and second processing containers 210 and 220 surround the substrate support unit 100 and provide a process space in which a polishing process and a cleaning process of the substrate W are performed. Upper portions of the first and second processing vessels 210 and 220 are respectively opened, and the spin head 110 is exposed through the open upper portions of the first and second processing vessels 210 and 220.

제1 처리 용기(210)는 측벽(211), 상판(212) 및 가이드부(213)를 포함한다. 측벽(211)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 기판 지지 유닛(100)을 둘러싼다.The first processing container 210 includes a side wall 211, a top plate 212, and a guide part 213. The side wall 211 has a generally circular ring shape and surrounds the substrate support unit 100.

측벽(211)의 상단부는 상판(212)과 연결된다. 상판(212)은 측벽(211)으로부터 연장되어 형성되고, 측벽(211)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상판(212)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 평면상에서 볼 때 스핀 헤드(110)로부터 이격되어 스핀 헤드(110)를 둘러싼다.The upper end of the side wall 211 is connected to the top plate 212. The top plate 212 is formed to extend from the side wall 211, and is formed of an inclined surface that is inclined upward as it moves away from the side wall 211. The top plate 212 has a generally circular ring shape and is spaced apart from the spin head 110 when viewed in plan view and surrounds the spin head 110.

가이드부(213)는 제1 및 제2 가이드 벽(213a, 213b)을 포함한다. 제1 가이드 벽(213a)은 측벽(211)의 내벽으로부터 돌출되어 상판(212)과 마주하며, 측벽으로부터 멀어질수록 하향 경사진 경사면으로 이루어진다. 제2 가이드 벽(213b)은 제1 가이드 벽(213a)으로부터 아래로 수직하게 연장되고, 측벽(211)과 마주한다. 가이드부(213)는 기판(W)의 연마 공정중 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 상판(212)의 내면들측으로 비산된 처리 유체이 제1 회수통(230) 측으로 흐르도록 가이드한다.The guide portion 213 includes first and second guide walls 213a and 213b. The first guide wall 213a protrudes from the inner wall of the side wall 211 to face the top plate 212, and is formed of an inclined surface that is inclined downward as it moves away from the side wall. The second guide wall 213b extends vertically downward from the first guide wall 213a and faces the side wall 211. The guide part 213 guides the processing fluid scattered to the side surfaces 211 of the first processing container 210 and the inner surfaces of the upper plate 212 to the first recovery container 230 during the polishing process of the substrate W. do.

제1 처리 용기(210)의 외측에는 제2 처리 용기(220)가 설치된다. 제2 처리 용기(220)는 제1 처리 용기(210)를 둘러싸고, 제1 처리 용기(210)보다 큰 크기를 갖는다.The second processing container 220 is installed outside the first processing container 210. The second processing container 220 surrounds the first processing container 210 and has a larger size than the first processing container 210.

제2 처리 용기(220)는 측벽(221) 및 상판(222)을 포함한다. 측벽(221)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)을 둘러싼다. 측벽(221)은 제1 처리 용기(210)의 측벽(211)과 이격되어 위치하며, 제1 처리 용기(210)와 연결된다. 측벽(221)의 상단부는 상판(222)과 연결된다. 상판(222)은 측벽(221)으로부터 연장되어 형성되고, 측벽(221)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 상판(222)은 제1처리 용기(210)의 상판(211)의 상부에서 제1 처리 용기(210)의 상판(211)과 이격하여 서로 마주한다.The second processing container 220 includes a sidewall 221 and a top plate 222. Sidewall 221 has a generally circular ring shape and surrounds sidewall 211 of first processing vessel 210. The side wall 221 is positioned to be spaced apart from the side wall 211 of the first processing container 210 and is connected to the first processing container 210. The upper end of the side wall 221 is connected to the top plate 222. The upper plate 222 extends from the side wall 221 and is formed of an inclined surface that is inclined upwardly away from the side wall 221. The top plate 222 faces each other while being spaced apart from the top plate 211 of the first processing container 210 at an upper portion of the top plate 211 of the first processing container 210.

제1 및 제2 처리 용기(210, 220)의 하부에는 연마 공정 및 세정 공정에서 사용된 처리 유체들을 회수하는 제1 및 제2 회수통(230, 240)이 설치된다. 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 상부가 개방된다. First and second recovery containers 230 and 240 for recovering the processing fluids used in the polishing process and the cleaning process are installed under the first and second processing containers 210 and 220. The first and second recovery containers 230 and 240 have a generally circular ring shape, and the upper portion thereof is opened.

제1 회수통(230)은 제1 처리 용기(210)의 아래에 설치되고, 연마 공정에서 사용된 처리 유체를 회수한다. 제2 회수통(240)은 제2처리 용기(220)의 아래에 설치되고, 세정 공정에서 사용된 처리 유체를 회수한다.The first recovery container 230 is installed under the first processing container 210 to recover the processing fluid used in the polishing process. The second recovery container 240 is installed under the second processing container 220 and recovers the processing fluid used in the cleaning process.

구체적으로, 제1 회수통(230)은 바닥판(231), 제1측벽(232), 제2측벽(233) 및 연결부(234)를 포함한다. 바닥판(231)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 지지부(220)를 둘러싼다. 실시예에 의하면, 바닥판(231)은 제1회수통(230)에 회수된 처리 유체의 배출을 용이하게 하기 위해 종단면이 'V' 형상을 갖는다. Specifically, the first recovery container 230 includes a bottom plate 231, a first side wall 232, a second side wall 233, and a connection part 234. The bottom plate 231 has a generally circular ring shape and surrounds the support 220. According to the embodiment, the bottom plate 231 has a 'V' shape in longitudinal section to facilitate the discharge of the processing fluid recovered in the first recovery container 230.

제1측벽(232)은 바닥판(231)으로부터 수직하게 연장되어 처리 유체을 회수하는 제1회수 공간(RS1)을 형성한다. 제2 측벽(233)은 제1측벽(232)으로부터 이격되 어 제1 측벽(232)과 마주한다. 연결부(234)는 제1측벽(232)의 상단부 및 제2측벽(233)의 상단부와 연결되고, 제1측벽(232)으로부터 제2측벽(233)으로 갈수록 상향 경사진 경사면으로 이루어진다. 연결부(234)는 제1회수공간(RS1) 밖으로 떨어진 처리 유체가 제1 회수 공간(RS1)에 유입되도록 제1회수공간(RS1) 측으로 가이드한다. 제1회수통(230)은 제1회수관(251)과 연결되며, 제1회수공간(RS1)에 회수된 처리 유체를 제1회수관(251)을 통해 외부로 배출된다.The first side wall 232 extends vertically from the bottom plate 231 to form a first recovery space RS1 for recovering the processing fluid. The second sidewall 233 is spaced apart from the first sidewall 232 to face the first sidewall 232. The connection part 234 is connected to the upper end of the first side wall 232 and the upper end of the second side wall 233, and is formed of an inclined surface inclined upward from the first side wall 232 to the second side wall 233. The connection part 234 guides the processing fluid dropped out of the first recovery space RS1 to the first recovery space RS1 so as to flow into the first recovery space RS1. The first recovery container 230 is connected to the first recovery pipe 251, and discharges the processing fluid recovered in the first recovery space RS1 to the outside through the first recovery pipe 251.

제1회수통(230)의 외측에는 제2 회수통(240)이 설치된다. 제2회수통(240)은 제1회수통(230)을 둘러싸고, 제1 회수통(230)으로부터 이격되어 위치한다. 구체적으로, 제2회수통(240)은 바닥판(241), 제1측벽(242) 및 제2측벽(243)을 포함한다. 바닥판(241)은 대체로 원형의 링 형상을 갖고, 제1회수통(230)의 바닥판(231)을 둘러싼다. 실시예에 의하면, 바닥판(241)은 제2회수통(240)에 회수된 처리 유체의 배출을 용이하게 하기 위해 종단면이 'V' 형상을 갖는다. The second recovery container 240 is installed outside the first recovery container 230. The second recovery container 240 surrounds the first recovery container 230 and is spaced apart from the first recovery container 230. In detail, the second collection container 240 includes a bottom plate 241, a first side wall 242, and a second side wall 243. The bottom plate 241 has a generally circular ring shape and surrounds the bottom plate 231 of the first collection container 230. According to the embodiment, the bottom plate 241 has a 'V' shape in longitudinal section to facilitate the discharge of the processing fluid recovered in the second recovery container 240.

제1 및 제2측벽(242, 243)은 바닥판(241)으로부터 수직하게 연장되어 처리 유체을 회수하는 제2회수공간(RS2)을 형성하며, 원형의 링 형상을 갖는다. 제1측벽(242)은 제1회수통(230)의 제1측벽(232)과 제2측벽(233)과의 사이에 위치하고, 제1회수통(230)의 제1측벽(232)을 둘러싼다. 제2회수통(240)의 제2측벽(243)은 바닥판(241)을 사이에 두고 제1측벽(242)과 마주하고, 제1측벽(242)을 둘러싼다. 제2 회수통(240)의 제2측벽(243)은 제1회수통(230)의 제2측벽(233)을 둘러싸며, 상단부가 제2처리 용기(220)의 측벽(221) 외측에 위치한다. 제2회수통(240)은 제2회수관(252)이 연결되며, 제2회수 공간(RS2)에 회수된 처리 유체를 제2회수관(252)을 통해 외부로 배출된다.The first and second side walls 242 and 243 extend vertically from the bottom plate 241 to form a second recovery space RS2 for recovering the processing fluid, and has a circular ring shape. The first side wall 242 is positioned between the first side wall 232 and the second side wall 233 of the first collection container 230, and surrounds the first side wall 232 of the first collection container 230. All. The second side wall 243 of the second collection container 240 faces the first side wall 242 with the bottom plate 241 interposed therebetween, and surrounds the first side wall 242. The second side wall 243 of the second recovery container 240 surrounds the second side wall 233 of the first recovery container 230, and an upper end thereof is located outside the side wall 221 of the second processing container 220. do. The second recovery container 240 is connected to the second recovery pipe 252, and discharges the processing fluid recovered in the second recovery space RS2 to the outside through the second recovery pipe 252.

기판(W)의 연마 및 세정 공정시, 각 공정에 따라 스핀 헤드(110)와 제1 및 2 처리 용기(210, 220) 간의 수직 위치가 변경되며, 제1 및 제2 회수통(230, 240)은 서로 다른 공정에서 사용된 처리 유체를 회수하여 외부로 배출한다. 구체적으로, 연마 공정시 스핀 헤드(110)는 제1 처리 용기(210) 안에 배치되며, 제1처리 용기(210) 내부에서 기판(W)의 연마 공정이 이루어진다. 연마 공정 시 기판(W)에 분사된 처리 유체가 기판(W)의 회전력에 의해 제1처리 용기(210)내측면으로 비산되어 제1회수통(230)에 회수되며, 제1회수관(251)을 통해 외부로 배출된다.During the polishing and cleaning process of the substrate W, the vertical position between the spin head 110 and the first and second processing containers 210 and 220 is changed according to each process, and the first and second recovery containers 230 and 240 are used. ) Recovers the treatment fluid used in the different processes and discharges it to the outside. Specifically, during the polishing process, the spin head 110 is disposed in the first processing container 210, and the substrate W is polished in the first processing container 210. During the polishing process, the processing fluid sprayed on the substrate W is scattered to the inner surface of the first processing container 210 by the rotational force of the substrate W, and is recovered in the first recovery container 230, and the first recovery pipe 251 is provided. Is discharged to outside.

세정 공정시, 스핀 헤드(110)는 상기 제1처리 용기(210)의 상부에서 제2처리 용기(220)의 상판(222) 아래에 배치된다. 세정 공정에서 기판에 제공된 처리 유체은 기판(W)의 회전력에 의해 제2처리 용기(220)내측면으로 비산되어 제2회수통(240)에 회수되며, 제2회수관(252)을 통해 외부로 배출된다.During the cleaning process, the spin head 110 is disposed below the top plate 222 of the second processing container 220 at the top of the first processing container 210. In the cleaning process, the processing fluid provided to the substrate is scattered to the inner side surface of the second processing container 220 by the rotational force of the substrate W, and is recovered to the second recovery container 240, and to the outside through the second recovery pipe 252. Discharged.

제2처리 용기(220)의 외측에는 승강 부재(260)가 설치된다. 승강 부재(260)는 처리 용기(210, 220)와 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 조절한다. 승강 부재(260)는 브라켓(261), 이동축(262) 및 구동기(263)를 포함한다. 브라켓(261)은 제2처리 용기(220)의 외측벽(221)에 고정 설치되고, 이동축(262)과 결합한다. 이동축(262)은 구동기(263)에 연결되고, 구동기(263)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 승강 부재(260)는 스핀 헤드(110)에 기판(W)이 로딩/언로딩되거나 각각의 공정에서 사용된 처리 유체을 분리 회수하기 위해 처리 용기(210, 220)를 승강시켜 처리 용기(210, 220)와 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 조절한다. 선택적으로, 승강 부재(260)는 스핀 헤드(110)를 수직 이동시켜 처리 용기(210, 220)와 스핀 헤드(110) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.An elevating member 260 is installed outside the second processing container 220. The elevating member 260 adjusts the relative vertical position between the processing vessels 210 and 220 and the spin head 110. The lifting member 260 includes a bracket 261, a moving shaft 262, and a driver 263. The bracket 261 is fixed to the outer wall 221 of the second processing container 220 and is coupled to the moving shaft 262. The moving shaft 262 is connected to the driver 263 and is moved up and down by the driver 263. The elevating member 260 lifts the processing vessels 210 and 220 to separate and recover the processing fluids loaded or unloaded to the spin head 110 or used in each process. ) And the relative vertical position between the spin head 110. Optionally, the elevating member 260 may move the spin head 110 vertically to change the relative vertical position between the processing vessels 210, 220 and the spin head 110.

연마 유닛(300)은 기판 지지유닛(100)에 지지된 기판(W)의 표면을 화학적 기계적 방법으로 연마하여 기판(W)의 표면을 평탄화한다. The polishing unit 300 flattens the surface of the substrate W by polishing the surface of the substrate W supported by the substrate support unit 100 by a chemical mechanical method.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 유닛을 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 4의 연마유닛의 저면을 나타내는 도면이다. 4 is a perspective view showing a polishing unit according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a view showing the bottom surface of the polishing unit of FIG.

도 3 내지 5를 참조하면, 연마 유닛(300)은 연마헤드부(310), 연마패드 지지부재(320), 연마패드 이동부재(330), 그리고 구동부(340)를 포함한다3 to 5, the polishing unit 300 includes a polishing head portion 310, a polishing pad supporting member 320, a polishing pad moving member 330, and a driving unit 340.

연마헤드부(310)는 복수개의 연마헤드(310a 내지 310c)를 포함하며, 각각의 연마헤드(310a 내지 310c)는 동시에 기판(W)을 연마한다. 연마헤드들(310a 내지 310c)은 각각 연마패드(311a 내지 311c), 연마본체(312a 내지 312c)를 포함한다.The polishing head portion 310 includes a plurality of polishing heads 310a to 310c, and each polishing head 310a to 310c simultaneously polishes the substrate W. As shown in FIG. The polishing heads 310a to 310c include polishing pads 311a to 311c and polishing bodies 312a to 312c, respectively.

연마패드(311a 내지 311c)들은 각각 원판형상으로 제공되며, 각각의 연마헤드들(310a 내지 310c)의 저면에 제공된다. 연마패드들(311a 내지 311c)은 스핀 헤드(110)의 상면보다 작은 면적을 갖는다. 연마패드들(311a 내지 311c)은 기판(W)의 상면에 접촉된 상태로 중심축을 기준으로 회전하여 동시에 기판(W)을 연마한다. 각각의 연마패드들(311a 내지 311c)이 연마하는 기판(W)의 영역은 대체로 상이하다.The polishing pads 311a to 311c are provided in a disc shape, respectively, and are provided on the bottom surfaces of the respective polishing heads 310a to 310c. The polishing pads 311a to 311c have an area smaller than the top surface of the spin head 110. The polishing pads 311a to 311c are rotated about the central axis while being in contact with the upper surface of the substrate W to simultaneously polish the substrate W. FIG. The areas of the substrate W to which each of the polishing pads 311a to 311c polish are generally different.

연마패드들(311a 내지 311c)은 후술하는 지지아암(331)에 동시에 지지된다. 구체적으로, 연마패드들(311a 내지 311c)은 각각의 연마패드들(311a 내지 311c)이 연마하는 기판(W)의 영역이 대체로 상이하도록 배치되어 지지아암(331)에 지지된다. 실시예에 의하면, 연마패드들(311a 내지 311c) 중 적어도 두 개의 연마패드들 은 그 중심이 지지아암(331)의 길이방향에 평행한 선(A)으로부터 상이한 거리에 위치하도록 배치된다. 그리고, 어느 하나의 연마패드(311c)의 중심(C3)은 두 개의 연마패드들(311a, 311b)의 중심을 연결하는 직선(L1)으로부터 이격하여 위치한다. 또한, 연마패드들(311a 내지 311c)은 어느 하나의 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 기판(W)의 영역이 인접한 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 기판(W)의 영역과 중첩되도록 배치된다. The polishing pads 311a to 311c are simultaneously supported by the support arm 331 described later. Specifically, the polishing pads 311a to 311c are supported by the support arm 331 so that the regions of the substrate W to be polished by the polishing pads 311a to 311c are substantially different. According to an embodiment, at least two of the polishing pads 311a to 311c are arranged so that their centers are located at different distances from a line A parallel to the longitudinal direction of the support arm 331. The center C3 of one polishing pad 311c is spaced apart from a straight line L1 connecting the centers of the two polishing pads 311a and 311b. Further, the polishing pads 311a to 311c are disposed such that the region of the substrate W to be polished by the edge region of any one polishing pad overlaps the region of the substrate W to be polished by the edge region of the adjacent polishing pad.

연마패드들(311a 내지 311c)은 각각 서로 상이한 면적을 갖는다. 구체적으로, 기판(W)의 가장자리영역을 연마하는 연마패드의 면적이 기판(W)의 중심영역을 연마하는 연마패드의 면적보다 작도록 배치된다. The polishing pads 311a to 311c each have a different area from each other. Specifically, the area of the polishing pad for polishing the edge region of the substrate W is smaller than the area of the polishing pad for polishing the central region of the substrate W.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 연마헤드부(310)는 제1 내지 3연마헤드(310a 내지 310c)를 포함한다. 제1 내지 3연마헤드(310a 내지 310c)는 지지아암(331)에 동시에 지지되어 이동한다. 제1 내지 3 연마헤드(310a 내지 310c)의 저면에는 연마패드(311a 내지 311c)가 제공된다. 이하, 제1연마헤드(310a)의 저면에 제공되는 연마패드를 제1연마패드(311a), 제2연마헤드(310b)의 저면에 제공되는 연마패드를 제2연마패드(311b), 그리고 제3연마헤드(310c)의 저면에 제공되는 연마패드를 제3연마패드(311c)라고 한다. 제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c)는 각각의 연마패드들이 연마하는 기판(W)의 영역이 대체로 상이하도록 배치된다. 제1연마패드(311a)는 지지아암(331)의 일단에 지지되고, 제3연마패드(311c)는 제1연마패드(311a)와 지지아암(311)의 타단에 설치되는 구동부(340) 사이의 구간에서 지지아암(331)에 지지된다. 그리고, 제2연마패드(311b)는 그 중심(C2)이 제1연마패드(311a)의 중심(C1) 과 제3연마패드(311c)의 중심(C3) 사이의 구간에서 지지아암(331)에 지지된다. According to an embodiment of the present invention, the polishing head portion 310 includes first to third polishing heads 310a to 310c. The first to third polishing heads 310a to 310c are simultaneously supported by the support arms 331 and move. Polishing pads 311a to 311c are provided on the bottoms of the first to third polishing heads 310a to 310c. Hereinafter, the polishing pad provided on the bottom surface of the first polishing head 310a is the first polishing pad 311a, the polishing pad provided on the bottom surface of the second polishing head 310b is the second polishing pad 311b, and The polishing pad provided on the bottom surface of the tri-polishing head 310c is called a third polishing pad 311c. The first to third polishing pads 311a to 311c are disposed such that regions of the substrate W to be polished by the respective polishing pads are substantially different. The first polishing pad 311a is supported at one end of the support arm 331, and the third polishing pad 311c is between the first polishing pad 311a and the driving unit 340 installed at the other end of the support arm 311. Support arm 331 is supported in the interval of. The second polishing pad 311b has a support arm 331 at a center C2 between the center C1 of the first polishing pad 311a and the center C3 of the third polishing pad 311c. Is supported.

제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c) 중 적어도 두 개의 연마패드는 그 중심이 지지아암(331)의 길이방향과 평행한 선(A)으로부터 상이한 거리에 위치하도록 배치된다. 구체적으로, 제1연마패드(311a)의 중심(C1)으로부터 평행한 선(A)까지의 거리(d1)는 제2연마패드(311b)의 중심으로부터 평행한 선(A)까지의 거리(d2) 또는 제3연마패드(311d)의 중심으로부터 평행한 선(A)까지의 거리(d3)와 상이하다. 제3연마패드(311c)는 그 중심(C3)은 제1연마패드(311a)의 중심(C1)과 제2연마패드(311b)의 중심(C2)을 연결하는 직선(L1)으로부터 이격하여 위치한다.At least two polishing pads of the first to third polishing pads 311a to 311c are disposed so that their centers are located at different distances from the line A parallel to the longitudinal direction of the support arm 331. Specifically, the distance d1 from the center C1 of the first polishing pad 311a to the parallel line A is the distance d2 from the center of the second polishing pad 311b to the parallel line A. Or a distance d3 from the center of the third polishing pad 311d to the parallel line A. FIG. The center C3 of the third polishing pad 311c is spaced apart from a straight line L1 connecting the center C1 of the first polishing pad 311a and the center C2 of the second polishing pad 311b. do.

제1연마패드(311a)와 제2연마패드(311b)는 제1연마패드(311a)의 중심과 제2연마패드(311b)의 중심을 연결하는 직선(L1)이 지지아암(331)의 길이방향과 비평형하도록 배치된다. 그리고, 제3연마패드(311c)는 제1연마패드(311a)의 중심(C1)과 제2연마패드(311b)의 중심(C2)을 연결하는 직선(L1)에 대해 제3연마패드(311c)의 중심(C3)과 제2연마패드(311b)의 중심(C2)을 연결하는 직선(L2)이 일정한 각도(θ)를 이루도록 배치된다. 실시예에 의하면, 상기 각도는 90°을 이룬다.The first polishing pad 311a and the second polishing pad 311b have a straight line L1 connecting the center of the first polishing pad 311a and the center of the second polishing pad 311b to have a length of the support arm 331. It is arranged to be in equilibrium with the direction. The third polishing pad 311c has a third polishing pad 311c with respect to a straight line L1 connecting the center C1 of the first polishing pad 311a and the center C2 of the second polishing pad 311b. A straight line L2 connecting the center C3 of) and the center C2 of the second polishing pad 311b is arranged to form a constant angle θ. According to an embodiment, the angle is at 90 °.

제1 내지 3연마패드들(311a 내지 311c)은 서로 상이한 면적을 가진다. 구체적으로, 제1연마패드(311a)의 반경(R1)이 가장 크고, 제3연마패드(311c)의 반경(R3)이 가장 작게 제공된다. 제2연마패드(311b)의 반경(R2)은 제1연마패드(311a)의 반경(R1)보다 작고, 제3연마패드(311c)의 반경(R3)보다 크다. The first to third polishing pads 311a to 311c have different areas from each other. Specifically, the radius R1 of the first polishing pad 311a is the largest, and the radius R3 of the third polishing pad 311c is provided the smallest. The radius R2 of the second polishing pad 311b is smaller than the radius R1 of the first polishing pad 311a and larger than the radius R3 of the third polishing pad 311c.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 제1 내지 제3연마패드가 기판을 연마하는 연마영역을 나타내는 도면이다.6 is a view illustrating a polishing region in which first to third polishing pads polish a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 5 및 6을 참조하면, 제1연마패드(311a)는 기판(W)의 중심영역을 연마하고, 제3연마패드(311c)는 기판(W)의 가장자리영역을 연마한다. 그리고 제2연마패드(311b)는 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 사이의 구간을 연마한다. 연마패드들이 균일한 압력으로 가압하여 기판(W)을 연마하는 경우, 기판(W)의 영역에 따라 연마되는 양이 다르다. 특히 기판(W)의 가장자리영역은 다른 영역에 비해 과연마가 발생한다. 과연마 발생은 구경이 작은 연마패드를 사용하므로써, 컨트롤이 가능하다. 따라서, 본 발명에서는 기판(W)의 전체면을 균일하게 연마하기 위하여 제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c)의 반경이 순차적으로 작아지도록 제공된다. 5 and 6, the first polishing pad 311a polishes the center region of the substrate W, and the third polishing pad 311c polishes the edge region of the substrate W. Referring to FIGS. The second polishing pad 311b polishes a section between the center region and the edge region of the substrate W. As shown in FIG. When the polishing pads are pressed at a uniform pressure to polish the substrate W, the amount of polishing is different depending on the area of the substrate W. FIG. In particular, the edge region of the substrate W is over-polishing than other regions. Over-polishing can be controlled by using a polishing pad with a small diameter. Therefore, in the present invention, in order to uniformly polish the entire surface of the substrate W, the radiuses of the first to third polishing pads 311a to 311c are provided to be sequentially reduced.

각각의 연마패드들(311a 내지 311c)은 각각의 연마패드들(311a 내지 311c)이 연마하는 기판(W)상의 영역의 일부가 중첩되도록 배치된다. 구체적으로, 각각의 연마패드들(311a 내지 311c)의 가장자리영역이 연마하는 기판(W)의 영역이 인접한 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 영역과 중첩되도록 배치된다. 연마패드의 가장자리영역은 기판(W)을 가압하는 힘이 중심영역보다 작게 제공되므로, 연마패드의 가장자리영역이 기판(W)을 연마하는 양은 중심영역이 연마하는 양보다 작다. 본 발명은 이러한 연마 불균형을 예방하기 위하여 인접한 연마패드들(311a 내지 311c)의 가장자리영역이 연마하는 기판(W)의 영역이 중첩되도록 연마패드들(311a 내지 311c)을 배치한다.Each of the polishing pads 311a to 311c is disposed such that a part of the region on the substrate W to be polished by each of the polishing pads 311a to 311c overlaps. Specifically, the regions of the substrate W to be polished by the edge regions of the respective polishing pads 311a to 311c are arranged to overlap with the regions to which the edge regions of the adjacent polishing pads are polished. Since the edge region of the polishing pad is provided with a force for pressing the substrate W smaller than the center region, the amount of the edge region of the polishing pad polishing the substrate W is smaller than the amount of the center region polishing. In order to prevent such polishing imbalances, the polishing pads 311a to 311c are disposed such that the edge areas of the adjacent polishing pads 311a to 311c overlap the regions of the substrate W to be polished.

실시예에 의하면, 기판(W)의 제1영역(A1)에서 제1연마패드(311a)의 가장자리영역이 연마하는 기판(W)의 영역과 제2연마패드(311b)의 가장자리영역이 연마하는 영역이 중첩되고, 기판(W)의 제2영역(A2)에서 제2연마패드(311b)의 가장자리영역이 연마하는 기판(W)의 영역과 제3연마패드(311c)의 가장자리영역이 연마하는 영역이 중첩된다.According to the embodiment, the area of the substrate W and the edge area of the second polishing pad 311b are polished by the edge area of the first polishing pad 311a in the first area A1 of the substrate W. The area overlaps, and the area of the substrate W and the edge area of the third polishing pad 311c are polished by the edge area of the second polishing pad 311b in the second area A2 of the substrate W. Regions overlap.

도 7는 본 발명의 실시예에 따른 연마헤드 및 연마헤드 지지부재를 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a polishing head and a polishing head supporting member according to an embodiment of the present invention.

도 4 및 7를 참조하면, 연마본체들(312a 내지 312c)는 연마패드들(311a 내지 311c)의 상부에 각각 위치한다. 각각의 연마본체들(312a 내지 312c)은 동일한 구조를 가지므로, 이하, 제1연마헤드(310a)에 제공되는 연마본체(312a)를 실시예로 설명한다.4 and 7, the polishing bodies 312a to 312c are positioned on the polishing pads 311a to 311c, respectively. Since each of the abrasive bodies 312a to 312c has the same structure, the abrasive body 312a provided to the first polishing head 310a will be described below by way of example.

연마 본체(312a)는 연마 하우징(313a), 하부 플레이트(313b), 상부 플레이트(313c), 패더 홀더(314), 클램프 부재(315),벨로우즈(316), 그리고 커버(317)를 포함한다. The polishing body 312a includes a polishing housing 313a, a lower plate 313b, an upper plate 313c, a feather holder 314, a clamp member 315, a bellows 316, and a cover 317.

연마 하우징(313a)은 원통 형상을 가지며, 연마 본체(312a)의 측벽으로 제공된다. 연마 하우징(313a)의 하단에는 하부 플레이트(313b)가 설치된다. 하부 플레이트(313b)는 연마 패드(311a)와 동일한 크기의 면적을 갖는 원판형상으로 제공된다. 하부 플레이트(313b)는 연마 하우징(313a)의 하부를 밀폐시킨다.The polishing housing 313a has a cylindrical shape and is provided as a sidewall of the polishing body 312a. The lower plate 313b is installed at the lower end of the polishing housing 313a. The lower plate 313b is provided in the shape of a disk having the same size as the polishing pad 311a. The lower plate 313b seals the lower portion of the polishing housing 313a.

하부 플레이트(313b)의 아래에는 패더 홀더(314)가 제공되며, 패더 홀더(314)의 하면에는 제1연마패드(311a)가 결합한다. 패더 홀더(314)는 제1연마패드(311a)를 하부 플레이트(313b)에 고정시키기 위한 연결부 역할을 한다. 패더 홀더(314)는 하부 플레이트(313b)로부터 탈착 가능하도록 하부 플레이트(313b)의 저면에 결합된다. 하부 플레이트(313b)와 패드 홀더(312)와의 사이에는 클램프 부 재(315)가 제공된다. 실시예에 의하면, 클램프 부재(315)로 자석이 사용될 수 있다. 클램프 부재(315)는 자력에 의해 패드 홀더(314)를 하부 플레이트(313b)에 고정시킨다. 자력에 의해 패드 홀더(314)가 하부 플레이트(313b)에 부착되므로, 하부 플레이트(313b)로부터 패더 홀더(314)의 탈착이 용이하다. A feather holder 314 is provided below the lower plate 313b, and a first polishing pad 311a is coupled to a lower surface of the feather holder 314. The feather holder 314 serves as a connection part for fixing the first polishing pad 311a to the lower plate 313b. The feather holder 314 is coupled to the bottom of the lower plate 313b to be detachable from the lower plate 313b. The clamp member 315 is provided between the lower plate 313b and the pad holder 312. According to an embodiment, a magnet may be used as the clamp member 315. The clamp member 315 fixes the pad holder 314 to the lower plate 313b by magnetic force. Since the pad holder 314 is attached to the lower plate 313b by magnetic force, detachment of the feather holder 314 from the lower plate 313b is easy.

제1연마패드(311a)에는 연마 공정의 효율을 향상시키기 위해 기판(W)와 접촉하는 면에 소정의 연마 패턴이 형성되어 있는데, 연마 패턴은 기판(W)의 연마량에 따라 마모되므로 제1연마패드(311a)의 주기적인 교체가 요구된다. 본 발명에 의하면, 패더 홀더(314)가 클램프 부재(315)의 자력에 의해 하부 플레이트(313b)에 용이하게 탈부착되므로, 제1연마패드(311a)의 교체에 소요되는 시간이 단축되어 제1연마 패드(311a)의 교체로 인한 공정 대기 시간을 줄일 수 있다.In order to improve the efficiency of the polishing process, the first polishing pad 311a has a predetermined polishing pattern formed on a surface contacting the substrate W. The polishing pattern is worn according to the polishing amount of the substrate W. Periodic replacement of the polishing pad 311a is required. According to the present invention, since the feather holder 314 is easily attached to and detached from the lower plate 313b by the magnetic force of the clamp member 315, the time required for replacing the first polishing pad 311a is shortened and the first polishing is performed. The process waiting time due to the replacement of the pad 311a can be reduced.

상부 플레이트(313c)는 하부 플레이트(313b)에 대향하도록 하우징(313a)의 내부에 제공된다. 상부 플레이트(313c)는 하부 플레이트(313b)와 이격하여 하부 플레이트(313b)의 상부에 위치한다. 상부 플레이트(313c)는 하부 플레이트(313b)에 대응하는 크기를 갖는 원판형상으로 제공된다. 상부 플레이트(313c)의 중심영역에는 상하방향으로 관통하는 제1공기유로(324c)가 형성된다. 제1공기유로(324c)는 후술하는 제2공기유로(324c)와 연결되며, 공기주입홀(324a)을 통해 유입되는 공기가 상부 플레이트(313c)와 하부플레이트(313b) 사이의 공간으로 공급되는 통로로 제공된다. 상부플레이트(313c)의 상면과 결합 플레이트(318)의 하면 사이에는 오링(o-ring)이 제공된다. 오링은 제1공기유로(324c)의 둘레를 따라 제공되며, 제1공기유로(324c)로 공급되는 공기가 상부 플레이트(313c)의 상면과 결합 플레이트(318)의 하면 사이의 공간으로 누설되는 것을 방지한다.The upper plate 313c is provided inside the housing 313a to face the lower plate 313b. The upper plate 313c is positioned above the lower plate 313b to be spaced apart from the lower plate 313b. The upper plate 313c is provided in a disk shape having a size corresponding to the lower plate 313b. The first air passage 324c penetrates in the vertical direction in the center region of the upper plate 313c. The first air passage 324c is connected to a second air passage 324c, which will be described later, and the air introduced through the air injection hole 324a is supplied to the space between the upper plate 313c and the lower plate 313b. Provided by passage. An o-ring is provided between the upper surface of the upper plate 313c and the lower surface of the coupling plate 318. The O-ring is provided along the circumference of the first air passage 324c, and the air supplied to the first air passage 324c leaks into the space between the upper surface of the upper plate 313c and the lower surface of the coupling plate 318. prevent.

상부 플레이트(313c)에는 벨로우즈(316)의 수축 정도를 조절하기 위한 내부 스톱퍼(313d)가 구비된다. 내부 스톱퍼(313d)는 상부 플레이트(313c)의 하면으로부터 돌출된다. 스톱퍼(313d)는 벨로우즈(316) 수축 시 하부 플레이트(313b)와 접촉되어, 하부 플레이트(313b)가 적정 거리 이상 상측으로 이동하는 것을 방지한다.The upper plate 313c is provided with an internal stopper 313d for adjusting the contraction degree of the bellows 316. The inner stopper 313d protrudes from the lower surface of the upper plate 313c. The stopper 313d is in contact with the lower plate 313b when the bellows 316 is contracted to prevent the lower plate 313b from moving upwards by a proper distance or more.

상부 플레이트(313c)의 상단에는 결합 플레이트(318)가 제공된다. 결합 플레이트(318)는 대체로 원형의 플레이트 형상으로 제공된다. 상부플레이트(313c)는 결합 플레이트(318)와 볼트(325)로 체결된다. 결합 플레이트(318)는 상단이 회전축(322)과 결합하며, 회전축(322)의 회전에 의해 함께 회전된다. 결합플레이트(318)의 상면과 회전축의 하면 사이에는 오링(o-ring)이 제공된다. 오링은 제2공기유로(324b)의 둘레를 따라 제공되며, 제2공기유로(324b)로 공급되는 공기가 결합 플레이트(318)의 상면과 회전축(322)의 하면 사이의 공간으로 누설되는 것을 방지한다. 결합 플레이트(318)의 중심영역에는 상하방향으로 관통하는 제2공기유로(324b)가 형성된다. 제2공기유로(324b)는 공기주입홀(324a)과 제1공기유로(324c)를 연결하며, 공기주입홀(324a)을 통해 유입된 공기가 제1공기유로(324c)로 공급되는 통로로 제공된다. At the top of the top plate 313c is a coupling plate 318. The coupling plate 318 is provided in a generally circular plate shape. The upper plate 313c is fastened by the coupling plate 318 and the bolt 325. The coupling plate 318 is coupled to the upper end of the rotation shaft 322, and is rotated together by the rotation of the rotation shaft 322. An o-ring is provided between the upper surface of the coupling plate 318 and the lower surface of the rotating shaft. The O-ring is provided along the circumference of the second air passage 324b and prevents air supplied to the second air passage 324b from leaking into the space between the upper surface of the coupling plate 318 and the lower surface of the rotation shaft 322. do. A second air passage 324b penetrates in the vertical direction in the center region of the coupling plate 318. The second air flow passage 324b connects the air injection hole 324a and the first air flow passage 324c, and is a passage through which air introduced through the air injection hole 324a is supplied to the first air flow passage 324c. Is provided.

커버(317)는 연마 하우징(313a)의 상단에 결합되어, 연마 본체(312a)의 상부를 덮는다. 커버(317)의 중앙부에는 결합 플레이트(318)를 수용할 수 있는 개구부가 형성된다. 결합 플레이트(318)는 일부분이 외부로 돌출되도록 개구부에 삽입된다.The cover 317 is coupled to the top of the polishing housing 313a to cover the top of the polishing body 312a. An opening for accommodating the coupling plate 318 is formed in the central portion of the cover 317. The coupling plate 318 is inserted into the opening so that a portion thereof protrudes outward.

벨로우즈(316)는 연마 하우징(313a) 내부에서 하부 플레이트(313b)와 상부 플레이트(313c)가 이격된 공간 안에 제공된다. 벨로우즈(316)는 금속 재질로 이루어진다. 벨로우즈(316)는 제1공기유로(324c)를 통해 공급되는 공기의 압력에 의해 수직 방향으로 신축 가능하다. 벨로우즈(316)는 연마 공정의 진행시 제1연마패드(311a)가 기판(W)에 밀착되도록 신장될 수 있으며, 제1연마패드(311a)가 기판(W)에 밀착된 상태에서 연마 공정이 진행되면 기판(W)의 연마가 균일하게 효율적으로 진행될 수 있다.The bellows 316 is provided in the space where the lower plate 313b and the upper plate 313c are spaced inside the polishing housing 313a. The bellows 316 is made of a metal material. The bellows 316 is stretchable in the vertical direction by the pressure of the air supplied through the first air passage 324c. The bellows 316 may be extended so that the first polishing pad 311a closely adheres to the substrate W during the polishing process, and the polishing process may be performed while the first polishing pad 311a adheres closely to the substrate W. As it progresses, the polishing of the substrate W may proceed uniformly and efficiently.

연마헤드 지지부재(320)는 각각의 연마헤드(310)들의 상부에 위치하며, 연마 헤드(310)들을 지지한다. 연마헤드 지지부재(320)는 구동부(340)로부터 제공된 회전력에 의해 회전되어 각각의 연마헤드(310)들을 회전시킨다. The polishing head support member 320 is positioned above each polishing head 310 and supports the polishing heads 310. The polishing head support member 320 is rotated by the rotational force provided from the driving unit 340 to rotate the respective polishing heads 310.

실시예에 의하면, 제1 내지 3의 연마헤드(310a 내지 310c)의 상부에 각각 위치하는 연마헤드 지지부재(320a 내지 320c)는 동일한 구성을 가지므로, 이하, 제1연마헤드(310a)의 상부에 위치하는 연마헤드 지지부재(320a)의 실시예로 설명한다. According to the embodiment, since the polishing head support members 320a to 320c respectively positioned on the first to third polishing heads 310a to 310c have the same configuration, the upper portion of the first polishing head 310a will be described below. An embodiment of the polishing head support member 320a positioned at will be described.

연마헤드 지지부재(320a)는 하우징(321), 회전축(322), 제1 및 제2 베어링(323a, 323b), 그리고 공기 주입관(327)을 포함한다. The polishing head support member 320a includes a housing 321, a rotation shaft 322, first and second bearings 323a and 323b, and an air injection pipe 327.

하우징(321)은 대체로 원통형의 관 형상을 갖고, 상단부가 연마헤드 이동부재(330)의 회전 케이스(331) 안에 삽입되어 회전 케이스(331)에 결합되며, 하단부가 연마 헤드(310)와 결합한다.The housing 321 has a generally cylindrical tubular shape, the upper end of which is inserted into the rotating case 331 of the polishing head moving member 330 and coupled to the rotating case 331, and the lower end of which engages with the polishing head 310. .

회전축(322)은 하우징(321) 안에 구비되고, 하우징(321)과 이격하여 위치한다. 회전축(322)은 하우징(321)의 길이 방향으로 연장된다. 회전축(322)의 상단부 는 종동 풀리(333)와 볼트결합되며, 하단부는 결합 플레이트(315)와 결합한다. 회전축(322)은 종동 풀리(333)에 의해 회전되며, 회전축(322)의 회전에 의해 연마 헤드(310)가 회전된다. The rotating shaft 322 is provided in the housing 321 and is spaced apart from the housing 321. The rotating shaft 322 extends in the longitudinal direction of the housing 321. The upper end of the rotating shaft 322 is bolted to the driven pulley 333, the lower end is coupled to the coupling plate 315. The rotating shaft 322 is rotated by the driven pulley 333, the polishing head 310 is rotated by the rotation of the rotating shaft 322.

회전축(322)의 내부에는 회전축(322)의 상단과 하단을 관통하는 공기주입홀(324a)이 형성된다. 공기 주입홀(324a)은 제2공기유로(324b)와 연결되며, 패드 압력조절부(900)에서 공급된 공기를 제2공기유로(324b)로 공급한다.An air injection hole 324a penetrating the upper and lower ends of the rotating shaft 322 is formed inside the rotating shaft 322. The air injection hole 324a is connected to the second air flow passage 324b and supplies air supplied from the pad pressure control unit 900 to the second air flow passage 324b.

회전축(322)의 상단에는 공기 주입홀(324a)과 연결되는 홈이 회전축(322)의 길이방향으로 형성된다. 홈 내부에는 로터리 조인트(325)가 제공한다. 로터리 조인트(325)는 회전축(322)이 길이방향으로 배치되며, 상단에 유체 유입구(325a)가 형성되고 하단에 유체 유출구(325c)가 형성된다. 로터리 조인트(325)의 내부에는 유체 유입구(325a)와 유체 유출구(325c)를 연결하는 통로(325b)가 형성된다. 유체 유입구(325a)로 유입된 공기는 통로를 거쳐 유체 유출구(325b)로 배출되며, 배출된 공기는 공기 유입홀(324a)로 공급된다. 로터리 조인트(325)는 상단이 고정되고, 하단이 회전축(322)과 함께 회전한다. 로터리 조인트(325)는 회전축(322)이 회전되는 동안 공기 유입홀(325a)로 공기를 공급한다.A groove connected to the air injection hole 324a is formed at the upper end of the rotation shaft 322 in the longitudinal direction of the rotation shaft 322. The rotary joint 325 is provided inside the groove. Rotary joint 325 has a rotation shaft 322 is disposed in the longitudinal direction, the fluid inlet 325a is formed at the top and the fluid outlet 325c is formed at the bottom. A passage 325b is formed in the rotary joint 325 to connect the fluid inlet 325a and the fluid outlet 325c. The air introduced into the fluid inlet 325a is discharged to the fluid outlet 325b through the passage, and the discharged air is supplied to the air inlet hole 324a. The rotary joint 325 is fixed at the upper end, and the lower end rotates with the rotation shaft 322. The rotary joint 325 supplies air to the air inlet hole 325a while the rotary shaft 322 is rotated.

제1 및 제2 베어링(323a, 323b)은 하우징(321)과 회전축(322) 사이에 개재된다. 제1 및 제2 베어링(323a. 323b)은 하우징(321)과 회전축(322)을 연결하고, 회전축(322)이 안정적으로 회전하도록 회전축(322)을 지지한다. 제1 베어링(323a)은 연마헤드 이동부재(330)와 인접하게 위치하고, 제2 베어링(323b)은 연마 헤드(310)와 인접하게 위치한다. 제1 및 제2 베어링(323a, 323b)의 내륜들은 상기 회전 축(322)에 끼워져 회전축(322)과 함께 회전하고, 외륜들은 하우징(321)에 결합되어 회전축(322) 회전시 회전되지 않는다. 따라서, 회전축(322)만 회전하고, 하우징(321)은 회전하지 않는다.The first and second bearings 323a and 323b are interposed between the housing 321 and the rotation shaft 322. The first and second bearings 323a and 323b connect the housing 321 and the rotation shaft 322, and support the rotation shaft 322 so that the rotation shaft 322 rotates stably. The first bearing 323a is positioned adjacent to the polishing head moving member 330, and the second bearing 323b is positioned adjacent to the polishing head 310. The inner rings of the first and second bearings 323a and 323b are fitted to the rotation shaft 322 to rotate together with the rotation shaft 322, and the outer rings are coupled to the housing 321 so that they do not rotate when the rotation shaft 322 is rotated. Therefore, only the rotation shaft 322 rotates, and the housing 321 does not rotate.

각각의 연마헤드 지지부재(320)의 상부에는 연마헤드 이동부재(330)가 설치된다. 연마헤드 이동부재(330)는 지지아암(331) 및 구동부(340)에서 발생한 회전력을 연마헤드 지지부(320)로 전달하는 벨트-풀리 어셈블리(미도시)를 포함한다. The polishing head moving member 330 is installed on the top of each polishing head supporting member 320. The polishing head moving member 330 includes a belt-pull assembly (not shown) that transmits the rotational force generated by the support arm 331 and the driving unit 340 to the polishing head support 320.

지지아암(331)은 암(arm)형상으로 제공되며, 연마패드들을 동시에 지지한다. 지지아암(331)은 제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c)를 동시에 지지된다. 지지아암(331)의 타측에는 구동부(340)가 결합되며, 내부에는 벨트-풀리 어셈블리들이 제공된다. 벨트-풀리 어셈블리들은 각각의 연마패드들(311a 내지 311c)마다 제공되며, 후술하는 연마패드 구동기(341)들로부터 회전력을 전달받아 연마패드들(311a 내지 311c)을 독립적으로 회전시킨다. 실시예에 의하면, 제1 내지 3연마패드(310a 내지 310c)에 대응하여 세 개의 벨트-풀리 어셈블리가 제공된다. 각각의 벨트-풀리 어셈블리는 이와 연결되는 어느 하나의 연마패드에 독립하여 회전력을 전달한다. 각각의 벨트-풀리 어셈블리들은 구동 풀리, 종동 풀리 및 벨트를 포함한다. 연마패드 구동기(341)의 구동으로 구동풀리가 회전되고, 구동풀리의 회전력이 구동풀리와 종동풀리를 연결하는 벨트를 통해 종동풀리에 전달되어 종동풀리가 회전한다. 종동풀리의 회전으로 이와 결합하는 연마패드 지지부재(320)의 회전축(322)이 회전되어 연마패드(311)가 회전한다.The support arm 331 is provided in an arm shape and simultaneously supports polishing pads. The support arm 331 simultaneously supports the first to third polishing pads 311a to 311c. The driving part 340 is coupled to the other side of the support arm 331, and a belt-pull assembly is provided therein. Belt-pull assemblies are provided for each of the polishing pads 311a to 311c, and receive rotational force from the polishing pad drivers 341 to be described later to independently rotate the polishing pads 311a to 311c. According to an embodiment, three belt-pull assemblies are provided corresponding to the first to third polishing pads 310a to 310c. Each belt-pulley assembly transmits rotational force independently of any one polishing pad connected thereto. Each belt-pull assembly includes a drive pulley, a driven pulley and a belt. The driving pulley is rotated by the driving of the polishing pad driver 341, and the rotational force of the driving pulley is transmitted to the driven pulley through a belt connecting the driving pulley and the driven pulley to rotate the driven pulley. The rotating shaft 322 of the polishing pad support member 320 coupled thereto by rotation of the driven pulley is rotated to rotate the polishing pad 311.

구동부(340)는 지지아암(331)의 타측에 제공된다. 구동부(340)는 연마패드들 을(311a 내지 311c) 회전시키는 연마패드 구동기(341)와 연마헤드 이동부재(340)를 이동시키는 이동부재 구동기(342)를 포함한다.The driving unit 340 is provided on the other side of the support arm 331. The driving unit 340 includes a polishing pad driver 341 for rotating the polishing pads 311a to 311c and a moving member driver 342 for moving the polishing head moving member 340.

연마패드 구동기(341)는 각각의 연마패드들(311a 내지 311c)을 독립하여 회전시킨다. 실시예에 의하면, 연마패드 구동기(341)는 제1연마패드(311a)를 회전시키는 제1구동기(341a), 제2연마패드(311b)를 회전시키는 제2구동기(341b), 그리고 제3연마패드(311c)를 회전시키는 제3구동기(341c)를 포함한다. 각각의 구동기(341a 내지 341c)는 벨트-풀리 어셈블리를 통하여 어느 하나의 연마패드와 연결된다.The polishing pad driver 341 rotates each of the polishing pads 311a to 311c independently. According to an embodiment, the polishing pad driver 341 includes a first driver 341a for rotating the first polishing pad 311a, a second driver 341b for rotating the second polishing pad 311b, and a third polishing. And a third driver 341c for rotating the pad 311c. Each driver 341a to 341c is connected to either polishing pad via a belt-pull assembly.

이동부재 구동기(342)는 연마헤드 이동부재(330)를 이동시킨다. 이동부재 구동기(342)는 제1, 2구동모터(미도시)를 포함한다. 제1구동모터는 스핀헤드(110)에 대해 연마헤드들(310a 내지 310c)의 상대위치가 변경되도록 지지아암(331)을 회전시키고, 제2구동모터는 스핀헤드(110)의 상면에 대한 연마헤드들(310a 내지 310c)의 수직위치가 조절되도록 지지아암(331)을 승강시킨다.The moving member driver 342 moves the polishing head moving member 330. The moving member driver 342 includes first and second driving motors (not shown). The first driving motor rotates the support arm 331 so that the relative positions of the polishing heads 310a to 310c are changed with respect to the spin head 110, and the second driving motor is polished to the upper surface of the spin head 110. The support arm 331 is raised and lowered so that the vertical positions of the heads 310a to 310c are adjusted.

처리 유체 공급 유닛(500)은 용기 유닛(200)을 사이에 두고 연마 유닛(300)과 마주하게 설치된다. 처리 유체 공급 유닛(500)은 처리 유체을 분사하는 약액 노즐을 구비하고, 세정 공정 시 스핀 헤드(110)에 고정된 기판(W)에 처리 유체을 분사하여 상기 기판(W)를 세정한다. 처리 유체 공급 유닛(500)은 스윙이 가능하며, 세정 공정시 스윙 동작을 통해 약액 노즐을 스핀 헤드(110)의 상부에 배치시킨 상태에서 처리 유체을 분사한다.The processing fluid supply unit 500 is installed to face the polishing unit 300 with the container unit 200 interposed therebetween. The processing fluid supply unit 500 includes a chemical liquid nozzle for injecting a processing fluid and cleans the substrate W by spraying the processing fluid onto the substrate W fixed to the spin head 110 during the cleaning process. The processing fluid supply unit 500 is swingable, and injects the processing fluid while the chemical liquid nozzle is disposed on the spin head 110 through a swinging operation during the cleaning process.

브러쉬 유닛(600)은 연마 공정 후 기판(W) 표면의 이물을 물리적으로 제거한다. 브러쉬 유닛(600)은 기판(W)에 표면에 접촉되어 기판(W) 표면의 이물을 물리적 으로 닦아 내는 브러쉬 패드를 구비하고, 스윙이 가능하다. 세정 공정시, 브러쉬 유닛(600)은 스윙 동작을 통해 브러쉬 패드를 스핀 헤드(110)의 상부에 배치시킨 상태에서 브러쉬 패드를 회전시켜 스핀 헤드(110)에 고정된 기판(W)를 세정한다.The brush unit 600 physically removes foreign substances on the surface of the substrate W after the polishing process. The brush unit 600 includes a brush pad that contacts the surface of the substrate W to physically wipe off the foreign matter on the surface of the substrate W, and is swingable. In the cleaning process, the brush unit 600 rotates the brush pad while the brush pad is disposed on the upper portion of the spin head 110 through a swing operation to clean the substrate W fixed to the spin head 110.

브러쉬 유닛(600)의 일측에는 에어로졸 유닛(700)이 배치된다. 에어로졸 유닛(700)은 스핀 헤드(110)에 고정된 기판(W)에 처리 유체을 미세 입자형태로 고압 분무하여 기판(W) 표면의 이물을 제거한다. 본 발명의 일례로, 에어로졸 유닛(700)은 초음파를 이용하여 처리 유체을 작은 입자 형태로 분무한다. 브러쉬 유닛(600)은 비교적 큰 입자의 이물을 제거하는 데 사용되며, 에어로졸 유닛(700)은 브러쉬 유닛(600)에 비해 비교적으로 작은 입자의 이물을 제거하는 데 사용된다.An aerosol unit 700 is disposed on one side of the brush unit 600. The aerosol unit 700 removes foreign substances on the surface of the substrate W by spraying a high-pressure spraying process fluid in the form of fine particles on the substrate W fixed to the spin head 110. In one example of the invention, the aerosol unit 700 sprays the treatment fluid in the form of small particles using ultrasonic waves. The brush unit 600 is used to remove foreign particles of relatively large particles, and the aerosol unit 700 is used to remove foreign particles of relatively small particles compared to the brush unit 600.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 사용하여 기판을 연마하는 방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the method of polishing the substrate using the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above is as follows.

다시 도 4 내지 6을 참조하면, 지지아암(331)에 동시에 지지되는 제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c)가 스윙이동되어, 제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c)가 기판(W)의 상면과 접촉하도록 위치한다. 제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c)가 기판(W)의 상면과 접촉한 상태에서 중심축을 중심으로 각각 회전하여 동시에 기판(W)을 연마한다. 연마가 진행되는 동안, 제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c)의 위치가 고정되도록 지지아암(W)은 이동하지 않는다. 제1 내지 3연마패드(311a 내지 311c)가 연마하는 기판(W)의 영역은 서로 상이하다. 구제척으로, 제1연마패드(311a)는 기판(W)의 중심영역을 연마하고, 제3연마패드(311c)는 기판(W)의 가장 자리영역을 연마한다. 그리고 제2연마패드(311b)는 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 사이의 영역을 연마한다. 실시예에 의하면, 제1연마패드(311a)의 반경은 제2 및 3 연마패드(311b, 311c)의 반경보다 크고, 제2연마패드(311b)는 제3연마패드(311c)의 반경보다 크게 제공된다. 따라서, 기판(W)의 가장자리영역을 연마하는 연마패드(311c)의 면적은 기판(W)의 중심영역을 연마하는 연마패드(311a)의 면적보다 작게 제공된다. 그리고, 기판(W)의 중심영역과 가장자리영역 사이를 연마하는 연마패드(311b)의 면적은 기판(W)의 중심영역을 연마하는 연마패드(311a)의 면적보다 작고, 기판(W)의 가장자리영역을 연마하는 연마패드(311c)의 면적보다 크게 제공된다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리영역를 연마하는 연마패드(311c)는 구경이 상대적으로 작에 제공되므로 기판(W)의 가장자리영역에서 발생되는 과연마를 컨트롤 할 수 있다. Referring back to FIGS. 4 to 6, the first to third polishing pads 311a to 311c simultaneously supported by the support arm 331 are swing-moved, so that the first to third polishing pads 311a to 311c are the substrate W. FIG. Position it in contact with the top of the In the state where the first to third polishing pads 311a to 311c are in contact with the upper surface of the substrate W, the substrates W are simultaneously polished by rotating about the central axis. While polishing is in progress, the support arm W does not move so that the positions of the first to third polishing pads 311a to 311c are fixed. Regions of the substrate W to be polished by the first to third polishing pads 311a to 311c are different from each other. As a relief, the first polishing pad 311a polishes the center region of the substrate W, and the third polishing pad 311c polishes the edge region of the substrate W. FIG. The second polishing pad 311b polishes an area between the center area and the edge area of the substrate W. As shown in FIG. According to the embodiment, the radius of the first polishing pad 311a is greater than the radius of the second and third polishing pads 311b and 311c, and the second polishing pad 311b is larger than the radius of the third polishing pad 311c. Is provided. Therefore, the area of the polishing pad 311c for polishing the edge region of the substrate W is provided smaller than the area of the polishing pad 311a for polishing the central region of the substrate W. As shown in FIG. The area of the polishing pad 311b for polishing between the center area and the edge area of the substrate W is smaller than the area of the polishing pad 311a for polishing the center area of the substrate W, and the edge of the substrate W is smaller. It is provided larger than the area of the polishing pad 311c for polishing the area. As described above, the polishing pad 311c for polishing the edge region of the substrate W is provided with a relatively small aperture, thereby controlling over-polishing generated in the edge region of the substrate W. FIG.

그리고, 각각의 연마패드들(311a 내지 311c)이 연마하는 기판(W)상의 영역은 일부가 중첩된다. 구체적으로, 각각의 연마패드들(311a 내지 311c)의 가장자리영역이 연마하는 기판(W)의 영역은 인접한 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 영역과 중첩된다. 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 기판의 영역을 연마패드들이 중첩되도록 연마함으로써, 연마패드의 영역에 따른 연마 불균형을 예방할 수 있다. 실시예에 의하면, 제1연마패드(311a)의 가장자리영역과 제2연마패드(311b)의 가장자리영역이 기판(W)의 제1영역(A1)을 중첩하여 연마하고, 제2연마패드(311b)의 가장자리영역과 제3연마패드(311c)의 가장자리영역이 기판(W)의 제2영역(A2)을 중첩하여 연마한다.A portion of the region on the substrate W to be polished by each of the polishing pads 311a to 311c overlaps. Specifically, the area of the substrate W to be polished by the edge areas of the respective polishing pads 311a to 311c overlaps with the area to be polished by the edge areas of the adjacent polishing pads. By polishing the areas of the substrate to which the edge area of the polishing pad is polished so that the polishing pads overlap, polishing imbalance along the area of the polishing pad can be prevented. According to the embodiment, the edge region of the first polishing pad 311a and the edge region of the second polishing pad 311b overlap and polish the first region A1 of the substrate W, and the second polishing pad 311b The edge region of the substrate and the edge region of the third polishing pad 311c overlap and polish the second region A2 of the substrate W. FIG.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. Furthermore, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiments of the invention, and the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 간략하게 나타낸 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 나타낸 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 용기 유닛을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a substrate support unit and a container unit according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 유닛을 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view showing a polishing unit according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 연마유닛의 저면을 나타내는 도면이다. 5 is a view showing the bottom of the polishing unit of FIG.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 제1 내지 제3연마패드가 기판을 연마하는 연마영역을 나타내는 도면이다.6 is a view illustrating a polishing region in which first to third polishing pads polish a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 7는 본 발명의 실시예에 따른 연마헤드 및 연마헤드 지지부재를 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a polishing head and a polishing head supporting member according to an embodiment of the present invention.

Claims (18)

기판을 연마하는 복수개의 연마패드들; 및A plurality of polishing pads for polishing the substrate; And 각각의 상기 연마패드들을 독립적으로 회전시키는 연마패드 구동기들;Polishing pad drivers for rotating each of the polishing pads independently; 상기 연마패드들을 동시에 지지하며, 상기 연마패드를 이동시키는 지지아암을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마유닛.And a support arm which simultaneously supports the polishing pads and moves the polishing pads. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 각각의 상기 연마패드들은Each of the polishing pads 서로 상이한 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 연마유닛.Polishing unit, characterized in that having a different area from each other. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 연마패드들 중 적어도 두 개의 상기 연마패드들의 중심은The center of at least two of the polishing pads is 상기 지지아암의 길이방향에 평행한 선으로부터 거리가 서로 상이하게 제공되는 것을 특징으로 하는 연마유닛.And a distance from the line parallel to the longitudinal direction of the support arm is different from each other. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 연마패드들은 The polishing pads 어느 하나의 상기 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 기판의 영역과 인접한 상기 연마패드의 가장자리영역이 연마하는 기판의 영역이 중첩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 연마유닛.And an edge region of any one of the polishing pads is arranged such that an edge region of the polishing pad adjacent to an area of the substrate to be polished overlaps with an area of the substrate to be polished. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 연마패드들은 세 개 제공되며,Three polishing pads are provided, 두 개의 상기 연마패드들의 중심을 연결하는 직선은 나머지 하나의 상기 연마패드의 중심으로부터 이격하여 위치하는 것을 특징으로 하는 연마유닛.And a straight line connecting the centers of the two polishing pads is spaced apart from the center of the other one polishing pad. 기판을 지지하는 스핀헤드;A spin head supporting the substrate; 상기 스핀헤드를 회전시키는 스핀헤드 구동기;A spin head driver for rotating the spin head; 상기 스핀헤드에 지지된 기판을 연마하는 제1연마패드;A first polishing pad for polishing a substrate supported by the spin head; 상기 제1연마패드와 이격하여 배치되며, 상기 기판을 연마하는 제2연마패드;A second polishing pad disposed to be spaced apart from the first polishing pad and polishing the substrate; 상기 제1, 2연마패드를 지지하며, 상기 제1, 2연마패드를 이동시키는 지지아암;A support arm supporting the first and second polishing pads and moving the first and second polishing pads; 상기 제1연마패드를 회전시키는 제1구동기;A first driver rotating the first polishing pad; 상기 제2연마패드를 회전시키는 제2구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a second driver for rotating the second polishing pad. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1연마패드는The first polishing pad is 상기 제2연마패드의 면적과 상이한 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an area different from that of the second polishing pad. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1연마패드의 중심과 상기 제2연마패드의 중심을 연결하는 직선은 상기 지지아암의 길이방향 중심과 비평형한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a straight line connecting the center of the first polishing pad and the center of the second polishing pad is non-equilibrium with the longitudinal center of the support arm. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 8, 상기 제2연마패드는The second polishing pad is 상기 제1연마패드의 가장자리영역이 연마하는 상기 기판의 영역과An area of the substrate to be polished by an edge area of the first polishing pad; 상기 제2연마패드의 가장자리영역이 연마하는 상기 기판의 영역이 중첩되도록 상기 제1연마패드와 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an edge region of the second polishing pad and the first polishing pad so as to overlap an area of the substrate to be polished. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1연마패드와 상기 제2연마패드로부터 이격하여 배치되며, 상기 지지아암에 지지되는, 그리고 상기 기판을 연마하는 제3연마패드; 및 A third polishing pad spaced apart from the first polishing pad and the second polishing pad, supported by the support arm, and polishing the substrate; And 상기 제3연마패드를 회전시키는 제3구동기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a third driver to rotate the third polishing pad. 제 10 항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 제3연마패드의 면적은The area of the third polishing pad is 상기 제1연마패드와 상기 제2연마패드보다 작은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that having a smaller area than the first polishing pad and the second polishing pad. 제 10 항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 제3연마패드는The third polishing pad is 상기 제1연마패드의 중심과 상기 제2연마패드의 중심을 연결하는 직선에 대해About a straight line connecting the center of the first polishing pad and the center of the second polishing pad 상기 제3연마패드의 중심과 상기 제2연마패드의 중심을 연결하는 직선이 수직하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a straight line connecting the center of the third polishing pad and the center of the second polishing pad to be perpendicular to each other. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 10 to 12, 상기 제3연마패드는The third polishing pad is 상기 제2연마패드의 가장자리영역이 연마하는 상기 기판의 영역과An area of the substrate to be polished by an edge area of the second polishing pad; 상기 제3연마패드의 가장자리영역이 연마하는 상기 기판의 영역이 중첩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an edge region of the third polishing pad is disposed so that an area of the substrate to be polished overlaps. 복수개의 연마패드들이 동시에 기판을 연마하되,A plurality of polishing pads simultaneously polish the substrate, 각각의 상기 연마패드들이 연마하는 기판의 영역은 서로 상이한 것은 특징으로 하는 기판 처리 방법.And wherein the areas of the substrate to be polished by the respective polishing pads are different from each other. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 기판의 가장자리영역을 연마하는 상기 연마패드의 면적은The area of the polishing pad for polishing the edge region of the substrate is 기판의 중심영역을 연마하는 상기 연마패드의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A substrate processing method, characterized in that it is smaller than the area of the polishing pad for polishing the central region of the substrate. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 기판의 중간영역과 가장자리영역 사이를 연마하는 상기 연마패드의 면적은 The area of the polishing pad for polishing between the middle region and the edge region of the substrate is 기판의 중심영역을 연마하는 상기 연마패드의 면적보다 작고, 기판의 가장자리영역을 연마하는 상기 연마패드의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And an area smaller than the area of the polishing pad for polishing the center region of the substrate and greater than the area of the polishing pad for polishing the edge region of the substrate. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 14 to 16, 각각의 상기 연마패드들이 연마하는 기판상의 영역은 일부가 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a portion of the region on the substrate to which each of the polishing pads polishes overlaps. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 기판의 연마가 진행되는 동안 상기 연마패드들의 위치는 고정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Wherein the positions of the polishing pads are fixed while polishing of the substrate is in progress.

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