KR20110001649A - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20110001649A
KR20110001649A KR1020090059275A KR20090059275A KR20110001649A KR 20110001649 A KR20110001649 A KR 20110001649A KR 1020090059275 A KR1020090059275 A KR 1020090059275A KR 20090059275 A KR20090059275 A KR 20090059275A KR 20110001649 A KR20110001649 A KR 20110001649A
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삼성전자주식회사
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Abstract

전면 및 후면을 각각 가지는 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 포함하고, 상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 제2 태양 전지의 후면이 마주하도록 배치되어 있는 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공한다.
태양 전지, 본딩, 양면, 전극 설계, 효율

Description

태양 전지 및 그 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 기재는 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 소자로서, 무한정 무공해의 차세대 에너지 자원으로 각광받고 있다.
태양 전지는 p형 반도체 및 n형 반도체를 포함하며, 광활성층에서 태양 광 에너지를 흡수하면 반도체 내부에서 전자-정공 쌍(electron-hole pair, EHP)이 생성되고, 여기서 생성된 전자 및 정공이 n형 반도체 및 p형 반도체로 각각 이동하고 이들이 전극에 수집됨으로써 외부에서 전기 에너지로 이용할 수 있다.
이러한 태양 전지는 복수의 셀이 연결된 모듈 형태로 제작되어 태양 에너지를 받을 수 있는 장소에 설치될 수 있다. 예컨대 태양 전지는 건물의 지붕 위에 설치될 수도 있고 최근에는 건물의 창(window)에 장착하는 기술도 연구되고 있다.
그러나 태양 전지를 건물의 창에 장착하는 경우 실외에서는 태양 에너지를 받아 태양 전지의 역할을 할 수 있지만, 실내에서는 태양 전지의 후면, 즉 금속으로 만들어진 전극 측을 보이게 되어 미관을 해칠 뿐만 아니라 태양 에너지를 받지 못하는 야간에는 전기를 생성하지 못하여 태양 전지를 효율적으로 이용하지 못할 수 있다.
따라서 본 발명의 일 구현예는 미관을 고려하고 야간에도 효율적으로 이용할 수 있는 태양 전지를 제공한다.
본 발명의 다른 구현예는 상기 태양 전지의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 태양 전지는 전면 및 후면을 각각 가지는 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 포함하고, 상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 제2 태양 전지의 후면이 마주하도록 배치되어 있다.
상기 제1 태양 전지는 제1 전면 전극과 제1 후면 전극을 포함할 수 있고, 상기 제2 태양 전지는 제2 전면 전극과 제2 후면 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 전면 전극과 상기 제2 전면 전극은 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 제1 후면 전극과 상기 제2 후면 전극은 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 후면 전극과 상기 제2 후면 전극은 본딩되어 있을 수 있다.
상기 태양 전지는 상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 제2 태양 전지의 후면 사이에 위치하는 본딩 부재를 더 포함할 수 있으며, 상기 본딩 부재는 산화규소, 질화규소, 산화질화규소 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제1 후면 전극과 상기 제2 후면 전극은 각각 측면으로 돌출된 부분을 포함할 수 있다.
상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지는 각각 결정질 규소를 포함하는 반도체 층을 포함할 수 있다.
상기 제1 태양 전지는 결정질 규소를 포함하는 반도체 층을 포함하고, 상기 제2 태양 전지는 비정질 규소를 포함하는 반도체 층을 포함할 수 있다.
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지는 각각 p형 및 n형 중에서 선택된 제1 도전성 타입을 가지는 부분과 p형 및 n형 중에서 선택되며 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 가지는 부분을 포함하며 전면으로부터 후면까지 관통하는 복수의 접촉 구멍을 가지는 반도체 층, 상기 반도체 층의 일면에 형성되어 있으며 상기 반도체 층의 상기 제1 도전성 타입을 가지는 부분과 전기적으로 연결되어 있는 전면 전극, 상기 반도체 층의 다른 일면에 형성되어 있으며 상기 접촉 구멍을 통하여 상기 전면 전극과 연결되어 있는 전면 전극 버스 바, 그리고 상기 반도체 층의 다른 일면에 형성되어 있으며 상기 반도체 층의 상기 제2 도전성 타입을 가지는 부분과 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지는 각각 p형 및 n형 중에서 선택된 제1 도전성 타입을 가지는 부분과 p형 및 n형 중에서 선택되며 제1 도전성 타입 과 다른 제2 도전성 타입을 가지는 부분을 포함하는 반도체 층, 상기 반도체 층의 일면에 형성되어 있으며 상기 반도체 층의 상기 제1 도전성 타입을 가지는 부분과 전기적으로 연결되어 있는 전면 전극, 그리고 상기 반도체 층의 일면에 형성되어 있으며 상기 반도체 층의 상기 제2 도전성 타입을 가지는 부분과 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 태양 전지의 전면 전극과 상기 제2 태양 전지의 전면 전극은 마주하게 배치되어 있고, 상기 제1 태양 전지의 후면 전극과 상기 제2 태양 전지의 후면 전극은 마주하게 배치되어 있을 수 있다.
상기 제1 태양 전지의 전면과 상기 제2 태양 전지의 전면은 다른 전극 설계(design)를 가질 수 있다.
상기 태양 전지는 창(window)에 장착되어 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 태양 전지의 제조 방법은 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 각각 준비하는 단계, 상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 제2 태양 전지의 후면을 마주하게 배치하는 단계, 상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지를 본딩하는 단계를 포함한다.
상기 제조 방법은 상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 태양 전지의 후면을 마주하게 배치하는 단계 전에 상기 제1 태양 전지의 후면 및 상기 제2 태양 전지의 후면 중 적어도 하나에 본딩 부재를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제조 방법은 상기 본딩 부재를 형성하는 단계 후에 상기 본딩 부재의 표면을 평탄화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지를 본딩하는 단계는 플라스마 처리 본딩(plasma-treated bonding), 열 본딩(thermal bonding), 가압 본딩(pressure bonding) 또는 이들의 조합의 방법으로 수행할 수 있다.
상기 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 각각 준비하는 단계는 상기 제1 태양 전지의 반도체 층 및 상기 제2 태양 전지의 반도체 층 각각에 pn 접합 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
두 개의 태양 전지를 연결하고 각 태양 전지의 전면(front side)이 외측에 위치하도록 배치함으로써 빛을 양면에서 받을 수 있다. 특히 태양 전지를 건물의 창에 장착하는 경우, 상술한 태양 전지는 양면에서 빛을 받아서 이용할 수 있으므로, 실외를 향하고 있는 태양 전지의 일면은 태양 에너지를 받아 전기를 생성할 수 있고 실내를 향하고 있는 태양 전지의 다른 일면은 형광등과 같은 실내등을 이용하여 야간에도 전기를 생성할 수 있다. 또한 실내를 향하고 있는 태양 전지는 사용자의 구미에 맞추어 전극 모양을 설계함으로써 미관을 고려할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하 는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저 도 1a를 참고하여 본 발명의 일 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1a를 참고하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 태양 전지는 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)를 포함한다.
제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)는 각각 태양 에너지를 받는 전면(front side) 및 상기 전면의 반대측에 위치하는 후면(rear side)를 가지며, 제1 태양 전지(SC1)의 후면과 제2 태양 전지(SC2)의 후면이 마주하도록 배치되어 있다.
먼저 제1 태양 전지(SC1)에 대하여 설명한다.
제1 태양 전지(SC1)는 제1 반도체 층(111a) 및 제2 반도체 층(112a)을 포함하는 반도체 기판(110a)을 포함한다. 반도체 기판(110a)은 결정질 규소 또는 화합물 반도체로 만들어질 수 있으며, 결정질 규소인 경우 예컨대 실리콘 웨이퍼가 사 용될 수 있다. 제1 반도체 층(111a) 및 제2 반도체 층(112a) 중 하나는 p형 불순물로 도핑된 반도체 층일 수 있으며 다른 하나는 n형 불순물로 도핑된 반도체 층일 수 있다. 이 때 p형 불순물은 붕소(B)와 같은 III족 화합물일 수 있고, n형 불순물은 인(P)과 같은 V족 화합물일 수 있다.
반도체 기판(110a)의 표면은 표면 조직화(surface texturing) 되어 있을 수 있다. 표면 조직화된 반도체 기판(110a)은 예컨대 피라미드 모양과 같은 요철 또는 벌집(honeycomb) 모양과 같은 다공성 구조일 수 있다. 표면 조직화된 반도체 기판(110a)은 표면적을 넓혀 빛의 흡수율을 높이고 반사도를 줄여 태양 전지의 효율을 개선할 수 있다.
반도체 기판(110a)의 일면에는 절연막(113a)이 형성되어 있다. 절연막(113a)은 빛을 적게 흡수하고 절연성이 있는 물질로 만들어질 수 있으며, 예컨대 질화규소(SiNx), 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2) 및 이들의 조합일 수 있으며, 단일층 또는 복수 층으로 형성될 수 있다. 절연막(112)은 예컨대 약 200 내지 1500Å의 두께를 가질 수 있다.
절연막(113a)은 태양 전지 표면에서 빛의 반사율을 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시키는 반사 방지막(anti-reflective coating, ARC) 역할을 하는 동시에 반도체 기판(110a)의 표면에 존재하는 실리콘과의 접촉 특성을 개선하여 태양 전지의 효율을 높일 수 있다.
절연막(113a)의 일면에는 복수의 전면 전극(120a)이 형성되어 있다. 전면 전극(120a)은 기판의 일 방향을 따라 나란히 뻗어 있으며, 절연막(113a)을 관통하여 제2 반도체 층(112a)과 접촉하고 있다. 전면 전극(120a)은 은(Ag) 등의 저저항 금속으로 만들어질 수 있으며, 빛 흡수 손실(shadowing loss) 및 면저항을 고려하여 그리드 패턴(grid pattern)으로 설계될 수 있다.
전면 전극(120a) 위에는 전면 전극 버스 바(bus bar)(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 전면 전극 버스 바는 복수의 태양 전지 셀을 조립할 때 이웃하는 태양 전지를 연결하기 위한 것이다.
반도체 기판(110a)의 다른 일면에는 유전막(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 유전막은 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx), 산화알루미늄(Al2O3) 등으로 만들어질 수 있으며, 전하의 재결합을 방지하는 동시에 전류가 새는 것을 방지하여 태양 전지의 효율을 높일 수 있다.
유전막의 일면에는 후면 전극(115a)이 형성되어 있다.
후면 전극(115a)은 알루미늄(Al)과 같은 불투명 금속으로 만들어질 수 있으며, 유전막의 전면에 형성되어 반도체 기판(110a)을 통과한 빛을 다시 반도체 기판으로 반사시킴으로써 빛의 누설을 방지하여 효율을 높일 수 있다. 후면 전극(115a)은 유전막을 관통하여 제1 반도체 층(111a)과 전기적으로 연결되어 있다.
다음, 제2 태양 전지(SC2)에 대하여 설명한다.
제2 태양 전지(SC2)는 제1 태양 전지(SC1)와 마찬가지로, 제1 반도체 층(111b) 및 제2 반도체 층(112b)을 포함하는 반도체 기판(110b)을 포함하고, 반도체 기판(110b)의 일면에 형성되어 있는 절연막(113b) 및 전면 전극(120b)과 반도체 기판(110b)의 다른 일면에 형성되어 있는 유전막(도시하지 않음) 및 후면 전극(115b)을 포함한다.
제2 태양 전지(SC2)는 제1 태양 전지(SC1)와 다르게, 전면 전극(120b)이 형성되어 있는 전면(front side) 측이 하부를 향하고 있다. 즉 제1 태양 전지(SC1)의 전면과 제2 태양 전지(SC2)의 전면은 각각 외측에 위치하여 빛을 받을 수 있으며, 제1 태양 전지(SC1)의 후면과 제2 태양 전지(SC2)의 후면은 내측에 위치하여 마주하게 배치되어 있다.
제1 태양 전지(SC1)의 전면 전극(120a)과 제2 태양 전지(SC2)의 전면 전극(120b)은 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 태양 전지(SC1)의 제2 반도체 층(112a)과 제2 태양 전지(SC2)의 제2 반도체 층(112b)에서 생성된 전하를 모아서 외부로 끌어낼 수 있다.
마찬가지로, 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(115b)은 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 태양 전지(SC1)의 제1 반도체 층(111a)과 제2 태양 전지(SC2)의 제1 반도체 층(111b)에서 생성된 전하를 모아서 외부로 끌어낼 수 있다.
이 때 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(115b)은 본딩되어 일체화된 후면 전극(115)을 형성하고 있다.
이와 같이 두 개의 태양 전지를 연결하고 각 태양 전지의 전면이 외측에 위 치하도록 배치함으로써 빛을 양면에서 받을 수 있다.
특히 태양 전지를 건물의 창에 장착하는 경우, 상술한 태양 전지는 양면에서 빛을 받아서 이용할 수 있으므로, 실외를 향하고 있는 태양 전지의 일면은 태양 에너지를 받아 전기를 생성할 수 있고 실내를 향하고 있는 태양 전지의 다른 일면은 형광등과 같은 실내등을 이용하여 야간에도 전기를 생성할 수 있다.
이 때, 제1 태양 전지(SC1)의 전면이 실외를 향하는 부분이고 제2 태양 전지(SC2)의 전면이 실내를 향하는 부분이라고 할 때, 실내에서 보이는 미관을 고려하여 제1 태양 전지(SC1)의 전면과 제2 태양 전지(SC2)의 전면의 전극 설계(design)를 다르게 제작할 수 있다. 이에 대하여 도 4 및 도 5를 참고하여 설명한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 태양 전지에서 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)의 전면의 전극 설계를 각각 예시적으로 보여주는 평면도이다.
도 4를 참고하면, 실외를 향하는 제1 태양 전지(SC1)의 전면은 일반적인 태양 전지의 전면 구조, 예컨대 복수의 전면 전극(120a)이 일 방향을 따라 나란하게 배열되어 있는 그리드 패턴을 가지며 전면 전극(120a)에 실질적으로 수직하는 방향으로 넓은 폭을 가지는 전면 전극 버스 바(125a)이 형성되어 있으며 복수의 전면 전극(120a) 사이를 통하여 절연막(113a)이 드러나 있는 설계를 가질 수 있다.
반면, 도 5를 참고하면, 실내를 향하는 제2 태양 전지(SC2)의 전면은 사용자가 원하는 설계 모양, 예컨대 전면 전극(120b)이 차지하는 면적을 줄이고 수광할 수 있는 절연막(113b)의 면적을 넓힘으로써 실내등으로부터 빛을 받는 효율을 높이는 동시에 미관을 고려한 설계로 제작할 수 있다. 이에 따라 미관을 고려하면서도 주간 및 야간에 상관없이 태양 전지로부터 전기를 생성할 수 있다.
그러면 도 1a에 도시한 태양 전지를 제조하는 방법에 대하여 도 1b를 도 1a와 함께 참고하여 설명한다.
도 1b는 도 1a의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
먼저, 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)를 각각 준비한다.
제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)를 준비하는 단계는, 예컨대 p형 불순물로 도핑되어 있는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(110a, 110b)을 준비하는 단계, 반도체 기판(110a, 110b)의 전면을 표면 조직화하는 단계, 반도체 기판(110a, 110b)에 예컨대 n형 불순물을 도핑하여 서로 다른 불순물로 도핑된 제1 반도체 층(111a, 111b)과 제2 반도체 층(112a, 112b)을 형성하는 단계, 반도체 기판(110a, 110b)의 일면에 절연막(113a, 113b)을 형성하는 단계, 절연막(113a, 113b) 위에 예컨대 스크린 인쇄 방법으로 전면 전극(120a, 120b)을 형성하는 단계, 반도체 기판(110a, 110b)의 다른 일면에 유전막(도시하지 않음)을 형성하는 단계, 유전막 위에 예컨대 스크린 인쇄 방법으로 후면 전극(115a, 115b)을 형성하는 단계, 그리고 전면 전극(120a, 120b)과 후면 전극(115a, 115b)을 소성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한 상기와 같이 제작된 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)는 전면에 각각 pn 접합 분리(pn junction isolation)를 수행함으로써 회로 가 단락되는 것을 방지할 수 있다.
다음 도 1b에서 보는 바와 같이, 제1 태양 전지(SC1)의 후면과 제2 태양 전지(SC2)의 후면이 마주하도록 배치한다.
다음 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 본딩하여, 도 1a에 도시한 바와 같이 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(115b)을 일체화한다.
여기서 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 본딩하는 단계는 플라스마 처리 본딩(plasma-treated bonding), 열 본딩(thermal bonding), 가압 본딩(pressure bonding) 또는 이들의 조합의 방법으로 수행할 수 있다.
그러면 본 발명의 다른 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 도 2a를 참고하여 설명한다. 전술한 구현예와 중복되는 설명은 생략하며 전술한 구현예와 동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
도 2a는 본 발명의 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 구현예에 따른 태양 전지는 전술한 구현예와 거의 동일한 구조를 가진다. 즉, 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)는 각각 제1 반도체 층(111a, 111b) 및 제2 반도체 층(112a, 112b)을 포함하는 반도체 기판(110a, 110b)을 포함하고, 반도체 기판(110a, 110b)의 일면에 형성되어 있는 절연막(113a, 113b) 및 전면 전극(120a, 120b)과 반도체 기판(110a, 110b)의 다른 일면에 형성되어 있는 유전막(도시하지 않음) 및 후면 전극(115a, 115b)을 포함한다.
그러나 본 구현예는 전술한 구현예와 달리, 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)가 본딩 부재(116)를 개재하여 본딩되어 있다.
제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2) 사이에는 본딩 부재(116)가 형성되어 있다. 본딩 부재(116)는 예컨대 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx), 산화질화규소(SiOyNz) 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있다. 본딩 부재(116)는 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2) 사이에서 접착성을 개선할 수 있다.
상기와 같이 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2) 사이에 절연성의 본딩 부재(116)가 개재됨으로써 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(115b)은 외부에서 연결될 수 있다.
그러면 도 2a에 도시한 태양 전지를 제조하는 방법에 대하여 도 2b를 도 2a와 함께 참고하여 설명한다.
도 2b는 도 2a의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
전술한 구현예와 마찬가지로, 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)를 각각 준비한다. 이 때, 도 2b에 도시한 바와 같이, 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(115a, 115b)을 각각 형성한 후, 후면 전극(115a, 115b) 위에 본딩 부재(116a, 116b)를 각각 형성한다. 그러나 이에 한정되지 않고 본딩 부재(116a, 116b)는 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2) 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다.
본딩 부재(116a, 116b)는 예컨대 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 방법으로 형성할 수 있으며, 본딩 부재(116a, 116b)의 표면을 평탄화할 수 있다. 평탄화 단계를 수행함으로써 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 본딩하였을 때 접착하는 양 면이 들뜨거나 단차가 발생하는 것을 방지하여 접착성을 높일 수 있다. 평탄화는 예컨대 화학기계연마(chemical mechanical polishing, CMP)로 수행할 수 있다.
다음, 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 본딩하여, 도 2a에 도시한 바와 같이 제1 태양 전지(SC1)의 본딩 부재(116a)와 제2 태양 전지(SC2)의 본딩 부재(116b)를 일체화한다.
여기서 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 본딩하는 단계는 플라스마 처리 본딩, 열 본딩, 가압 본딩 또는 이들의 조합의 방법으로 수행할 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 도 3을 참고하여 설명한다. 전술한 구현예와 중복되는 설명은 생략하며 전술한 구현예와 동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
도 3은 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 구현예는 전술한 구현예와 달리, 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(115b)이 각각 측면으로 돌출된 부분을 포함한다. 이와 같이 후면 전극(115a, 115b)이 측면으로 돌출된 부분을 포함함으로써 본딩 부재(116)에 의해 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(115b)을 외부에서 연결해야 할 때 이들을 보다 용이하게 연결할 수 있다.
이하 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 도 6a를 참고하여 설명한다. 전술한 구현예와 중복되는 설명은 생략하며 전술한 구현예와 동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
도 6a는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6a를 참고하면, 본 구현예에 따른 태양 전지는 전술한 구현예와 달리, 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)의 구조가 다르다.
제1 태양 전지(SC1)는 전술한 구현예와 같이, 제1 반도체 층(111a) 및 제2 반도체 층(112a)을 포함하는 반도체 기판(110a)을 포함하고, 반도체 기판(110a)의 일면에 형성되어 있는 절연막(113a) 및 전면 전극(120a)과 반도체 기판(110a)의 다른 일면에 형성되어 있는 유전막(도시하지 않음) 및 후면 전극(115a)을 포함한다.
한편, 제2 태양 전지(SC2)는 전술한 구현예와 달리, 비정질 규소(amorphous silicon) 또는 미세 결정 규소(microcrystalline silicon)를 포함하는 박막형 태양 전지의 구조를 가진다.
제2 태양 전지(SC2)는 유리와 같은 투명 물질로 만들어진 기판(131), 기판(131)의 일면에 형성되어 있으며 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)로 만들어진 전면 전극(132), 전면 전극(132)의 일면에 형성되어 있는 반도체 층(133) 및 반도체 층(133)의 일면에 형성되어 있는 후면 전극(137)을 포함한다. 반도체 층(133)은 p형 반도체 층(134), 진성 반도체 층(135) 및 n형 반도체 층(136)을 포함하는 p-i-n층일 수 있으며, 복수 개가 적층될 수도 있다. 여기서 진성 반도체 층(135)은 빛을 흡수하여 전하를 생성할 수 있고, p형 반도체 층(134) 및 n형 반도체 층(136)은 내부 전기장을 형성하여 진성 반도체 층(135)에서 생성된 전하를 분리할 수 있다.
제2 태양 전지(SC2)는 기판(131) 측이 전면(front side)이고 후면 전극(137) 측이 후면(rear side)이다. 따라서 본 구현예에 따른 태양 전지 또한 전술한 구현예와 마찬가지로 제1 태양 전지(SC1)의 전면과 제2 태양 전지(SC2)의 전면이 각각 외측에 위치하여 빛을 받을 수 있으며, 제1 태양 전지(SC1)의 후면과 제2 태양 전지(SC2)의 후면은 내측에 위치하여 본딩되어 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2) 사이에 본딩 부재가 개재되어 본딩될 수도 있다.
이와 같이 본 구현예에 따른 태양 전지 또한 전술한 구현예와 마찬가지로 서로 다른 구조를 가지는 2개의 태양 전지를 본딩하여 빛을 양면에서 받을 수 있다.
그러면 도 6a에 도시한 태양 전지를 제조하는 방법에 대하여 도 6b를 도 6a와 함께 참고하여 설명한다.
도 6b는 도 6a의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
먼저, 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)를 각각 준비한다.
제1 태양 전지(SC1)는 전술한 구현예와 동일한 방법으로 준비할 수 있다.
제2 태양 전지(SC2)는 다음과 같은 방법으로 준비될 수 있다.
먼저, 유리 또는 투명한 플라스틱 재질로 만들어질 기판(131) 위에 전면 전극(132)을 형성한다. 전면 전극(132)은 예컨대 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide) 또는 이들의 조합과 같은 투명 도전 산화물로 만들어질 수 있으며, 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 형성할 수 있다. 이어서 전면 전극(132)을 표면 조직화할 수 있다.
다음, 전면 전극(132) 위에 p형 반도체 층(134), 진성 반도체 층(135) 및 n형 반도체 층(136)을 포함한 반도체 층(133)을 차례로 적층한다. p형 반도체 층(134), 진성 반도체 층(135) 및 n형 반도체 층(136)은 화학 기상 증착(PECVD) 방법으로 형성할 수 있다.
다음, 반도체 층(133) 위에 후면 전극(137)을 형성한다. 후면 전극(137)은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 조합과 같은 불투명 금속으로 형성할 수 있다.
이어서, 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(137)이 마주하도록 배치한다.
다음, 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 본딩하여, 도 6a에 도시한 바와 같이 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(137)이 접착되도록 한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(115a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(137) 중 적어도 하나에 본딩 부재를 형성한 후 본딩 부재를 개재하여 본딩할 수도 있다.
그러면 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 도 7a 및 도 7b를 참고하여 설명한다. 전술한 구현예와 중복되는 설명은 생략하며 전술한 구현예와 동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
도 7a는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 태양 전지를 IIIb-IIIb 선을 따라 자른 단면도이다.
본 구현예에 따른 태양 전지 또한 전술한 구현예와 마찬가지로 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 포함한다.
제1 태양 전지(SC1)는 복수의 접촉 구멍(115a)을 가지는 반도체 기판(110a)을 포함한다. 반도체 기판(110a)은 중심부에 위치하는 제1 반도체 층(111a)과 상기 제1 반도체 층(111a)을 둘러싸는 제2 반도체 층(112a)을 포함한다. 제1 반도체 층(110a)과 제2 반도체 층(110b) 중 하나는 p형 불순물로 도핑된 반도체 층이고 다른 하나는 n형 불순물로 도핑된 반도체 층일 수 있으며, 예컨대 제1 반도체 층(111a)이 p형 반도체 층이고 제2 반도체 층(112b)이 n형 반도체 층일 수 있다.
복수의 접촉 구멍(115a)은 반도체 기판(110a)의 전면부터 후면까지 관통하고 있으며, 반도체 기판(110a)의 일 방향을 따라 나란하게 배열되어 있다.
반도체 기판(110a)의 일면에는 절연막(112a)이 형성되어 있으며, 절연막(112a)의 일면에는 복수의 전면 전극(120a)이 형성되어 있다.
반도체 기판(110a)의 다른 일면에는 유전막(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 유전막의 일면에는 상기 접촉 구멍(115a)을 통하여 전면 전극(120a)과 연결되어 있는 전면 전극 버스 바(125a)이 형성되어 있다.
또한 반도체 기판(110a)의 다른 일면에는 후면 전극(도시하지 않음)이 형성 되어 있다. 후면 전극과 전면 전극 버스 바(125a)는 동일한 면에 형성되어 있으며 서로 분리되어 있다.
다음, 제2 태양 전지(SC2)에 대하여 설명한다.
제2 태양 전지(SC2)는 제1 태양 전지(SC1)와 마찬가지로, 제1 반도체 층(111b) 및 제2 반도체 층(112b)을 포함하는 반도체 기판(110b)을 포함하고, 반도체 기판(110b)의 일면에 형성되어 있는 절연막(113b) 및 전면 전극(120b)과 반도체 기판(110b)의 다른 일면에 형성되어 있는 유전막(도시하지 않음), 전면 전극 버스 바(125b) 및 후면 전극(도시하지 않음)을 포함한다.
제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)는 본딩 부재(126)가 개재되어 본딩되어 있다. 본딩 부재(116)는 예컨대 산화규소, 질화규소, 산화질화규소 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있다.
본 구현예에 따른 태양 전지는 전술한 구현예와 달리, 전면 전극 버스 바(125a, 125b)가 각 태양 전지(SC1, SC2)의 후면에 형성됨으로써 태양 전지(SC1, SC2)의 전면에서 금속이 차지하는 면적을 줄여 빛 흡수 손실(shadowing loss)을 줄일 수 있고 이에 따라 태양 전지의 효율을 높일 수 있다.
그러면 도 7a 및 도 7b에 도시한 태양 전지를 제조하는 방법에 대하여 도 7c를 도 7a 및 도 7b와 함께 참고하여 설명한다.
도 7c는 도 7a 및 도 7b의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
먼저, 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)를 각각 준비한다.
제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)는 다음과 같은 방법으로 준비될 수 있다.
먼저, 예컨대 p형 불순물로 도핑되어 있는 반도체 기판(110a, 110b)을 준비하고, 반도체 기판(110a, 110b)의 전면부터 후면까지 관통하는 복수의 접촉 구멍(115a, 115b)을 형성한다. 접촉 구멍(115a, 115b)은 레이저를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음, 반도체 기판(110a, 110b)에 예컨대 n형 불순물을 도핑하여 서로 다른 불순물을 포함하는 제1 반도체 층(111a, 111b)과 제2 반도체 층(112a, 112b)으로 분리한다.
이어서 반도체 기판(110a, 110b)의 전면에 절연막(113a, 113b) 및 전면 전극(120a, 120b)을 형성하고, 반도체 기판(110a, 110b)의 후면에 전면 전극 버스 바(125a, 125b) 및 후면 전극(도시하지 않음)을 형성한다. 이어서 전면 전극(120a, 120b), 전면 전극 버스 바(125a, 125b) 및 후면 전극을 소성한다.
이어서, 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)의 후면에 각각 본딩 부재(126a, 126b)를 형성한다. 그러나 이에 한정되지 않고 본딩 부재(126a, 126b)는 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2) 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다.
이어서, 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 본딩하여, 도 7b에 도시한 바와 같이 제1 태양 전지(SC1)의 본딩 부재(126a)와 제2 태양 전지(SC2)의 본딩 부재(126b)를 일체화한다. 여기서 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)를 본딩하는 단계는 플라스마 처리 본딩, 열 본딩, 가압 본딩 또는 이들의 조합의 방 법으로 수행할 수 있다.
그러면 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 도 8a을 참고하여 설명한다. 전술한 구현예와 중복되는 설명은 생략하며 전술한 구현예와 동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
도 8a는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 구현예에 따른 태양 전지 또한 전술한 구현예와 마찬가지로 제1 태양 전지(SC1)와 제2 태양 전지(SC2)가 본딩되어 있다.
제1 태양 전지(SC1)는 p형 또는 n형 불순물로 도핑된 반도체 층(111a)을 포함한다. 반도체 층(111a)은 후면 측에 형성되어 있으며 서로 다른 불순물로 도핑된 복수의 불순물 도핑 영역(141a, 142a)을 포함한다. 제1 도핑 영역(141a)은 예컨대 p형 불순물로 도핑될 수 있고 제2 도핑 영역(142a)은 예컨대 n형 불순물로 도핑될 수 있다.
반도체 층(111a)의 후면에는 유전막(114a)이 형성되어 있으며, 유전막(114a) 일면에는 제1 도핑 영역(141a)에 연결되어 있는 전면 전극(151a)과 제2 도핑 영역(142a)에 연결되어 있는 후면 전극(152a)이 각각 형성되어 있다. 전면 전극(151a)과 후면 전극(152a)은 교대로 배치될 수 있다.
제2 태양 전지(SC2) 또한 제1 태양 전지(SC1)과 마찬가지로, 제1 도핑 영역(141b) 및 제2 도핑 영역(142b)을 포함하는 반도체 층(111b), 반도체 층(111b)의 전면에 형성되어 있는 절연막(113b), 반도체 층(111b)의 후면에 형성되어 있는 유 전막(114b), 유전막(114b)의 일면에 형성되어 있는 전면 전극(151b)과 후면 전극(152b)을 포함한다.
이 때 제1 태양 전지(SC1)의 전면 전극(151a)과 제2 태양 전지(SC2)의 전면 전극(151b)은 마주하게 배치되어 있고, 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(152a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(152b)은 마주하게 배치되어 있다.
제1 태양 전지(SC1)의 전면 전극(151a)과 제2 태양 전지(SC2)의 전면 전극(151b)는 본딩되어 일체화된 전면 전극을 형성하고 있으며, 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(152a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(152b)은 본딩되어 일체화된 후면 전극을 형성하고 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 제1 태양 전지(SC1)의 전면 전극(151a)과 제2 태양 전지(SC2)의 전면 전극(151b)이 본딩 부재를 개재하여 본딩될 수도 있고, 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(152a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(152b)이 본딩 부재를 개재하여 본딩될 수도 있다.
본 구현예에 따른 태양 전지는 전술한 구현예와 달리, 전면 전극(151a, 151b) 및 후면 전극(152a, 152b)이 모두 각 태양 전지(SC1, SC2)의 후면에 위치함으로써 전면에서 금속이 차지하는 면적을 줄여 빛 흡수 손실을 줄일 수 있고 이에 따라 태양 전지의 효율을 높일 수 있다.
그러면 도 8a에 도시한 태양 전지를 제조하는 방법에 대하여 도 8b를 도 8a와 함께 참고하여 설명한다.
도 8b는 도 8a의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
먼저, 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)를 각각 준비한다.
제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)는 다음과 같은 방법으로 준비될 수 있다.
먼저, 예컨대 n형 불순물로 도핑되어 있는 반도체 층(111a, 111b)을 준비하고 반도체 층(111a, 111b)의 후면 측에 예컨대 p형 불순물 및 n형 불순물을 고농도로 도핑하여 제1 도핑 영역(141a, 141b) 및 제2 도핑 영역(142a, 142b)을 형성한다.
이어서 반도체 층(111a, 111b)의 전면 위에 절연막(113a, 113b)을 형성하고 반도체 층(111a, 111b)의 후면 위에 유전막(114a, 114b)을 형성한다.
이어서 유전막(114a, 114b) 위에 제1 도핑 영역(141a, 141b)에 대응하는 영역에 전면 전극(151a, 151b)을 형성하고 제2 도핑 영역(142a, 142b)에 대응하는 영역에 후면 전극(152a, 152b)을 형성한다. 이어서 전면 전극(151a, 151b) 및 후면 전극(152a, 152b)을 소성한다.
다음, 제1 태양 전지(SC1)의 후면과 제2 태양 전지(SC2)의 후면이 마주하도록 배치한 후, 제1 태양 전지(SC1)의 전면 전극(151a)과 제2 태양 전지(SC2)의 전면 전극(151b)을 본딩하고 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(152a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(152b)을 본딩하여, 도 8a에 도시한 바와 같이 제1 태양 전지(SC1)의 전면 전극(151a)과 제2 태양 전지(SC2)의 전면 전극(151b)을 일체화하고 제1 태양 전지(SC1)의 후면 전극(152a)과 제2 태양 전지(SC2)의 후면 전극(152b)을 일체화한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
도 1a는 본 발명의 일 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 1b는 도 1a의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2a는 본 발명의 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2b는 도 2a의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 3은 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 태양 전지에서 제1 태양 전지(SC1) 및 제2 태양 전지(SC2)의 전면의 전극 설계를 각각 예시적으로 보여주는 평면도이고,
도 6a는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 6b는 도 6a의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 7b는 도 7a의 태양 전지를 IIIb-IIIb 선을 따라 자른 단면도이고,
도 7c는 도 7a 및 도 7b의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 8a는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 태양 전지를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 8b는 도 8a의 태양 전지를 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.

Claims (18)

  1. 전면 및 후면을 각각 가지는 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 포함하고,
    상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 제2 태양 전지의 후면이 마주하도록 배치되어 있는
    태양 전지.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 태양 전지는 제1 전면 전극과 제1 후면 전극을 포함하고,
    상기 제2 태양 전지는 제2 전면 전극과 제2 후면 전극을 포함하고,
    상기 제1 전면 전극과 상기 제2 전면 전극은 전기적으로 연결되어 있으며,
    상기 제1 후면 전극과 상기 제2 후면 전극은 전기적으로 연결되어 있는
    태양 전지.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 후면 전극과 상기 제2 후면 전극은 본딩되어 있는 태양 전지.
  4. 제2항에서,
    상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 제2 태양 전지의 후면 사이에 위치하는 본딩 부재를 더 포함하는 태양 전지.
  5. 제4항에서,
    상기 본딩 부재는 산화규소, 질화규소, 산화질화규소 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지.
  6. 제4항에서,
    상기 제1 후면 전극과 상기 제2 후면 전극은 각각 측면으로 돌출된 부분을 포함하는 태양 전지.
  7. 제1항에서,
    상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지는 각각 결정질 규소를 포함하는 반도체 층을 포함하는 태양 전지.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 태양 전지는 결정질 규소를 포함하는 반도체 층을 포함하고,
    상기 제2 태양 전지는 비정질 규소를 포함하는 반도체 층을 포함하는
    태양 전지.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지는 각각
    p형 및 n형 중에서 선택된 제1 도전성 타입을 가지는 부분과 p형 및 n형 중에서 선택되며 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 가지는 부분을 포함하며 전면으로부터 후면까지 관통하는 복수의 접촉 구멍을 가지는 반도체 층,
    상기 반도체 층의 일면에 형성되어 있으며 상기 반도체 층의 상기 제1 도전성 타입을 가지는 부분과 전기적으로 연결되어 있는 전면 전극,
    상기 반도체 층의 다른 일면에 형성되어 있으며 상기 접촉 구멍을 통하여 상기 전면 전극과 연결되어 있는 전면 전극 버스 바, 그리고
    상기 반도체 층의 다른 일면에 형성되어 있으며 상기 반도체 층의 상기 제2 도전성 타입을 가지는 부분과 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극
    을 포함하는 태양 전지.
  10. 제1항에서,
    상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지는 각각
    p형 및 n형 중에서 선택된 제1 도전성 타입을 가지는 부분과 p형 및 n형 중에서 선택되며 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 가지는 부분을 포함하는 반도체 층,
    상기 반도체 층의 일면에 형성되어 있으며 상기 반도체 층의 상기 제1 도전성 타입을 가지는 부분과 전기적으로 연결되어 있는 전면 전극, 그리고
    상기 반도체 층의 일면에 형성되어 있으며 상기 반도체 층의 상기 제2 도전성 타입을 가지는 부분과 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극
    을 포함하는 태양 전지.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 태양 전지의 전면 전극과 상기 제2 태양 전지의 전면 전극은 마주하게 배치되어 있고,
    상기 제1 태양 전지의 후면 전극과 상기 제2 태양 전지의 후면 전극은 마주하게 배치되어 있는
    태양 전지.
  12. 제1항에서,
    상기 제1 태양 전지의 전면과 상기 제2 태양 전지의 전면은 다른 전극 설계(design)를 가지는 태양 전지.
  13. 제1항에서,
    상기 태양 전지는 창(window)에 장착되어 사용될 수 있는 태양 전지.
  14. 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 각각 준비하는 단계,
    상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 제2 태양 전지의 후면을 마주하게 배치하는 단계, 그리고
    상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지를 본딩하는 단계
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 제1 태양 전지의 후면과 상기 태양 전지의 후면을 마주하게 배치하는 단계 전에
    상기 제1 태양 전지의 후면 및 상기 제2 태양 전지의 후면 중 적어도 하나에 본딩 부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 본딩 부재를 형성하는 단계 후에 상기 본딩 부재의 표면을 평탄화하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  17. 제15항에서,
    상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지를 본딩하는 단계는 플라스마 처리 본딩, 열 본딩, 가압 본딩 또는 이들의 조합의 방법으로 수행하는 태양 전지의 제조 방법.
  18. 제14항에서,
    상기 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지를 각각 준비하는 단계는
    상기 제1 태양 전지의 반도체 층 및 상기 제2 태양 전지의 반도체 층 각각에 pn 접합 분리하는 단계를 포함하는
    태양 전지의 제조 방법.
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