KR20110001180A - Organic light emitting device and manufacturing method for thereof - Google Patents

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KR20110001180A KR1020090058587A KR20090058587A KR20110001180A KR 20110001180 A KR20110001180 A KR 20110001180A KR 1020090058587 A KR1020090058587 A KR 1020090058587A KR 20090058587 A KR20090058587 A KR 20090058587A KR 20110001180 A KR20110001180 A KR 20110001180A
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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to increase the durability of the device and implement the thin device by sealing the device with a protective layer including a plurality of composite layers. CONSTITUTION: An organic light emitting diode(120) is located on a substrate(110). The organic light-emitting diode comprises a first electrode(121), an organic film(122), and a second electrode(123). A protective film(130) covers the organic light-emitting diode. The protective film comprises a plurality of composite films(140a, 140b).

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Device And Manufacturing Method For Thereof}Organic Light Emitting Device And Manufacturing Method For Thereof}

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 복수의 복합막을 포함하는 보호막으로 봉지된 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device encapsulated with a protective film including a plurality of composite films and a method of manufacturing the same.

최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.Recently, the importance of flat panel displays (FPDs) has increased with the development of multimedia. In response to this, a variety of liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), field emission displays (FEDs), organic light emitting devices (Organic Light Emitting Devices), etc. Flat panel displays have been put into practical use.

특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.In particular, the organic light emitting device has a high response time with a response speed of 1 ms or less, low power consumption, and self-luminous light. In addition, there is no problem in viewing angle, which is advantageous as a moving image display medium regardless of the size of the device. In addition, low-temperature manufacturing is possible, and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology has attracted attention as the next generation flat panel display device.

종래에 유기전계발광소자는 기판 상에 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광 다이오드를 형성한 후, 유리 또는 금속으로 이루어진 봉지기판과 기판을 접착제로 밀봉하여 제조하였다.Conventionally, an organic light emitting diode is manufactured by forming an organic light emitting diode including a first electrode, an organic layer, and a second electrode on a substrate, and then sealing the substrate and the substrate made of glass or metal with an adhesive.

그러나, 종래 유기전계발광소자는 봉지기판의 사용으로 박형을 구현하는데 어려움이 많으며, 내구성이 약한 문제점이 있다.However, the conventional organic light emitting display device has a lot of difficulties in implementing a thin shape by using an encapsulation substrate, and has a weak durability.

본 발명은 복수의 복합막을 포함하는 보호막으로 유기전계발광소자를 밀봉하여, 내구성이 우수하고 박형을 구현할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention provides an organic electroluminescent device capable of sealing a organic light emitting device with a protective film including a plurality of composite films, which is excellent in durability and thin, and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광 다이오드 및 상기 유기발광 다이오드를 덮는 보호막을 포함하며, 상기 보호막은 표면처리층, 무기막 및 유무기막을 포함하는 복수의 복합막을 포함할 수 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, an organic light emitting diode disposed on the substrate, the organic light emitting diode including a first electrode, an organic layer, and a second electrode, and a protective layer covering the organic light emitting diode, The protective film may include a plurality of composite films including a surface treatment layer, an inorganic film, and an organic / inorganic film.

상기 무기막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 실리콘질산화막으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The inorganic film may include at least one selected from the group consisting of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon nitride oxide film.

상기 유무기막은 유기물 및 무기 스페이서를 포함할 수 있다.The organic / inorganic film may include an organic material and an inorganic spacer.

상기 유기물은 아크릴계, 에폭시계, 실록산계, 우레탄계 및 폴리카보네이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The organic material may include any one or more selected from the group consisting of acrylic, epoxy, siloxane, urethane, and polycarbonates.

상기 무기 스페이서는 산화납(PbO), 산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 산화비스무스(Bi2O3) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The inorganic spacer includes lead oxide (PbO), silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), and Zinc oxide (ZnO) may include any one or more selected from the group consisting of.

상기 무기 스페이서는 상기 유기물 100 중량부에 대해 0.1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.The inorganic spacer may be included in an amount of 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the organic material.

상기 보호막의 두께는 20 내지 210㎛일 수 있다.The protective film may have a thickness of 20 to 210 μm.

상기 표면처리층은 플라즈마 공정 또는 산화 공정으로 표면처리된 것일 수 있다.The surface treatment layer may be surface treated by a plasma process or an oxidation process.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 기판 상에 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광 다이오드를 형성하는 단계 및 상기 제 2 전극을 표면처리하여 표면처리층을 형성하고, 상기 표면처리층 상에 무기막을 형성하고, 상기 무기막 상에 유무기막을 형성하여 복합막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming an organic light emitting diode including a first electrode, an organic layer and a second electrode on a substrate and by surface treatment of the second electrode The method may include forming a surface treatment layer, forming an inorganic layer on the surface treatment layer, and forming an organic / inorganic layer on the inorganic layer.

상기 표면처리는 플라즈마 공정 또는 산화 공정으로 표면처리하는 것일 수 있다.The surface treatment may be surface treatment by a plasma process or an oxidation process.

본 발명의 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 복수의 복합층을 포함하는 보호막으로 소자를 밀봉함으로써, 내구성이 우수하고 박형을 구현할 수 있는 이점이 있다.The organic light emitting display device and the method of manufacturing the same of the present invention have an advantage of excellent durability and thinness by sealing the device with a protective film including a plurality of composite layers.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 유기전계발광소자(100)는 기판(110), 상기 기판(110) 상에 위치하며, 제 1 전극(121), 유기막층(122) 및 제 2 전극(123)을 포함하는 유기발광 다이오드(120) 및 상기 유기발광 다이오드(120)를 덮는 보호막(130)을 포함하며, 상기 보호막(130)은 표면처리층(141a, 141b), 무기막(142a, 142b) 및 유무기막(143a, 143b)을 포함하는 복수의 복합막(140a, 140b)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device 100 of the present invention is positioned on a substrate 110 and the substrate 110, and has a first electrode 121, an organic layer 122, and a second electrode 123. ) And a passivation layer 130 covering the organic light emitting diode 120. The passivation layer 130 includes surface treatment layers 141a and 141b and inorganic layers 142a and 142b. And a plurality of composite films 140a and 140b including organic / inorganic films 143a and 143b.

상기 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 도전성 물질로 이루어진 투명한 기판을 사용할 수 있다. 이러한 기판(110) 상에는 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 유기발광 다이오드를 보호하기 위해 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등의 버퍼층을 더 포함할 수 있다. The substrate 110 may be a transparent substrate made of glass, plastic, or a conductive material. The substrate 110 may further include a buffer layer such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or the like to protect the organic light emitting diode formed in a subsequent process from impurities such as alkali ions flowing out of the substrate 110. Can be.

상기 기판(110) 상에는 제 1 전극(121), 유기막층(123) 및 제 2 전극(124)을 포함하는 유기발광 다이오드(120)가 위치할 수 있다.The organic light emitting diode 120 including the first electrode 121, the organic layer 123, and the second electrode 124 may be positioned on the substrate 110.

상기 제 1 전극(121)은 애노드일 수 있으며, 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 상기 제 1 전극(121)이 투명한 전극인 경우에 상기 제 1 전극(121)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(121)이 반사 전극일 경우에 상기 제 1 전극(121)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사층을 포함할 수 있다.The first electrode 121 may be an anode and may be a transparent electrode or a reflective electrode. When the first electrode 121 is a transparent electrode, the first electrode 121 may be one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO). In addition, when the first electrode 121 is a reflective electrode, the first electrode 121 may be formed of aluminum (Al), silver (Ag), or nickel (Ni) under a layer made of any one of ITO, IZO, or ZnO. It may further include a reflective layer made of any one, and in addition, may include the reflective layer between two layers made of any one of ITO, IZO or ZnO.

상기 제 1 전극(121)은 스퍼터링법(Sputtering), 증발법(Evaporation), 기상증착법(Vapor Phase Deposition) 또는 전자빔증착법(Electron Beam Deposition)을 사용하여 형성할 수 있다.The first electrode 121 may be formed using a sputtering method, an evaporation method, a vapor phase deposition method, or an electron beam deposition method.

제 1 전극(121)이 형성된 기판(110) 상에 제 1 전극(121)의 일부 영역을 노출시키는 절연층(122)이 위치한다. 절연층(122)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The insulating layer 122 exposing a portion of the first electrode 121 is disposed on the substrate 110 on which the first electrode 121 is formed. The insulating layer 122 may include organic materials such as benzocyclobutene (BCB) -based resin, acrylic resin, or polyimide resin, but is not limited thereto.

절연층(122)에 의해 노출된 제 1 전극(121) 상에 유기막층(123)이 위치한다. 유기막층(123)은 적어도 발광층을 포함하며, 발광층의 상부 또는 하부에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.The organic layer 123 is positioned on the first electrode 121 exposed by the insulating layer 122. The organic layer 123 may include at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or an electron injection layer above or below the light emitting layer.

상기 정공주입층은 상기 제 1 전극(121)으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The hole injection layer may play a role of smoothly injecting holes from the first electrode 121 to the light emitting layer, and may include CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene), and PANI (polyaniline). And NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), but may be made of any one or more selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

상기 정공주입층은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 두께는 5 내지 150nm일 수 있다. The hole injection layer may be formed using an evaporation method or a spin coating method, the thickness may be 5 to 150nm.

상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N- dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole transport layer serves to facilitate the transport of holes, NPD (N, N- dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N at least one selected from the group consisting of '-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine) It may be made of but is not limited thereto.

상기 정공수송층은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 두께는 5 내지 150nm일 수 있다. The hole transport layer may be formed using an evaporation method or a spin coating method, the thickness may be 5 to 150nm.

상기 발광층은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.The emission layer may be formed of a material emitting red, green, and blue, and may be formed using phosphorescent or fluorescent materials.

상기 발광층이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the light emitting layer is red, CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl) containing a host material comprising, PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium) , PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) as a phosphor containing a dopant including any one or more selected from the group consisting of Alternatively, the present invention may be made of a fluorescent material including PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or perylene, but is not limited thereto.

상기 발광층이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8- hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the light emitting layer is green, it may include a host material including CBP or mCP and a phosphor including a dopant material including Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium). Alternatively, it may be made of a fluorescent material including Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), but is not limited thereto.

상기 발광층이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the light emitting layer is blue, the phosphor may include a host material including CBP or mCP and a dopant material including (4,6-F 2 ppy) 2 Irpic. It may be made of a fluorescent material including any one selected from the group consisting of DPVBi, spiro-6P, distilbenzene (DSB), distriarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer, but is not limited thereto.

상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The electron transport layer serves to facilitate the transport of electrons, but may be made of any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq and SAlq. It is not limited.

상기 전자수송층은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있으며, 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. The electron transport layer may be formed using an evaporation method or a spin coating method, the thickness may be 1 to 50nm.

상기 전자수송층은 제 1 전극으로부터 주입된 정공이 발광층을 통과하여 제 2 전극으로 이동하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 즉, 정공저지층의 역할을 하여 발광층에서 정공과 전자의 결합을 효율적이게 하는 역할을 하게 된다.The electron transport layer may also prevent the holes injected from the first electrode from moving through the light emitting layer to the second electrode. In other words, it serves as a hole blocking layer to effectively bond holes and electrons in the light emitting layer.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer serves to facilitate the injection of electrons, and may be Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq, but is not limited thereto.

상기 전자주입층은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 상기 무기물은 금속화합 물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer may further include an inorganic material, and the inorganic material may further include a metal compound. The metal compound may include an alkali metal or an alkaline earth metal. Metal compound containing the alkali metal or alkaline earth metal is LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF 2, MgF 2, CaF 2, SrF 2, BaF any one selected from 2 the group consisting of RaF 2 It may be more than but not limited to.

상기 전자주입층은 증발법 또는 스핀코팅법으로 형성하거나 유기물과 무기물을 공증착법으로 형성할 수 있다. 또한, 전자주입층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다.The electron injection layer may be formed by evaporation or spin coating, or organic and inorganic materials may be formed by co-deposition. In addition, the thickness of the electron injection layer may be 1 to 50nm.

상기 제 2 전극(124)은 캐소드 전극일 수 있으며, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 제 2 전극(124)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다. The second electrode 124 may be a cathode electrode, and may be made of magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof having a low work function. Here, the second electrode 124 may be formed to a thickness thin enough to transmit light when the organic light emitting device is a front or double-side light emitting structure, and when the organic light emitting device is a bottom light emitting structure, It can be formed thick enough to reflect.

상기 유기발광 다이오드(120)를 덮는 보호막(130)이 위치할 수 있다. 보호막(130)은 외부의 수분 또는 공기가 침투하는 것을 방지하고 외부의 충격으로부터 유기발광 다이오드(120)를 보호하는 역할을 할 수 있다.The passivation layer 130 covering the organic light emitting diode 120 may be located. The passivation layer 130 may prevent penetration of external moisture or air and protect the organic light emitting diode 120 from external impact.

보호막(130)은 표면처리층(141a, 141b), 무기막(142a, 142b) 및 유무기막(143a, 143b)을 포함하는 복수의 복합막(140a, 140b)을 포함할 수 있다.The passivation layer 130 may include a plurality of composite layers 140a and 140b including surface treatment layers 141a and 141b, inorganic layers 142a and 142b, and organic and inorganic layers 143a and 143b.

상기 표면처리층(141a, 141b)은 표면처리층(141a, 141b)의 하부에 형성된 막에 플라즈마 공정 또는 산화 공정을 통해 형성된 것일 수 있다. 이러한 표면처리 층(141a, 141b)은 추후 형성되는 다른 층과의 접착력을 향상시킬 수 있는 역할을 할 수 있다.The surface treatment layers 141a and 141b may be formed through a plasma process or an oxidation process on a film formed under the surface treatment layers 141a and 141b. The surface treatment layers 141a and 141b may serve to improve adhesion to other layers to be formed later.

상기 무기막(142a, 142b)은 상기 표면처리층(141a, 141b) 상에 위치할 수 있으며, 투명한 무기 절연막일 수 있다. The inorganic layers 142a and 142b may be disposed on the surface treatment layers 141a and 141b, and may be transparent inorganic insulating layers.

무기막(142a, 142b)은 실리콘산화막(SixOy), 실리콘질화막(SixNy) 및 실리콘질산화막(SixOyNz)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The inorganic layers 142a and 142b may include at least one selected from the group consisting of a silicon oxide film (SixOy), a silicon nitride film (SixNy), and a silicon nitride oxide film (SixOyNz).

무기막(142a, 142b)은 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)으로 형성될 수 있으며, 0.01 내지 5㎛의 두께로 이루어질 수 있다.The inorganic layers 142a and 142b may be formed by chemical vapor deposition (CVD), and may have a thickness of 0.01 to 5 μm.

상기 유무기막(143a, 143b)은 상기 무기막(142a, 142b) 상에 위치할 수 있으며, 유기물 및 무기물을 포함하는 절연막일 수 있다.The organic / inorganic layers 143a and 143b may be disposed on the inorganic layers 142a and 142b and may be insulating layers including organic and inorganic materials.

유무기막(143a, 143b)은 유기물에 무기 스페이서(spacer)(144)를 포함할 수 있다. 여기서, 유기물은 아크릴계, 에폭시계, 실록산계, 우레탄계 수지 및 폴리카보네이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 무기 스페이서(144)는 산화납(PbO), 산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 산화비스무스(Bi2O3) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The organic / inorganic layers 143a and 143b may include an inorganic spacer 144 in an organic material. Here, the organic material may include any one or more selected from the group consisting of acrylic, epoxy, siloxane, urethane resin, and polycarbonate, and the inorganic spacer 144 may include lead oxide (PbO), silicon oxide (SiO 2 ), It may include any one or more selected from the group consisting of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) and zinc oxide (ZnO). have.

유무기막(143a, 143b)은 유기물 100 중량부에 대해 무기 스페이서(144)를 0.1 내지 5 중량부로 포함할 수 있다. 여기서, 유기물 100 중량부에 대해 무기 스페이서(144)가 0.1 중량부 이상이면, 유무기막(143a, 143b)의 강도가 증가하고 다 른 층들과의 접착력을 향상시킬 수 있는 이점이 있고, 유기물 100 중량부에 대해 무기 스페이서(144)가 5 중량부 이하이면, 무기 스페이서에 의한 유무기막(143a, 143b)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The organic / inorganic layers 143a and 143b may include 0.1 to 5 parts by weight of the inorganic spacer 144 based on 100 parts by weight of the organic material. Herein, when the inorganic spacer 144 is 0.1 part by weight or more with respect to 100 parts by weight of the organic material, there is an advantage in that the strength of the organic / inorganic films 143a and 143b is increased and the adhesion with other layers is improved, and the organic material is 100 parts by weight. If the inorganic spacer 144 is 5 parts by weight or less, the transmittance of the organic-inorganic films 143a and 143b due to the inorganic spacers can be prevented from being lowered.

유무기막(143a, 143b)은 유기물에 무기 스페이서(144)를 일정량 혼합한 후, 스크린 프링팅법으로 형성할 수 있으며, 10 내지 100㎛의 두께로 이루어질 수 있다.The organic-inorganic films 143a and 143b may be formed by screen printing after mixing a predetermined amount of the inorganic spacer 144 with an organic material, and may have a thickness of 10 to 100 μm.

전술한 표면처리층(141a, 141b), 무기막(142a, 142b) 및 유무기막(143a, 143b)을 포함하는 복수의 복합막(140a, 140b)을 포함하는 보호막(130)은 20 내지 210㎛의 두께로 이루어질 수 있다. 여기서, 보호막(130)의 두께가 20㎛ 이상이면, 외부의 충격, 수분 및 공기로부터 유기발광 다이오드(120)를 보호할 수 있는 이점이 있고, 보호막(130)의 두께가 210㎛ 이하이면, 박형의 유기전계발광소자를 구현할 수 있는 이점이 있다.The passivation layer 130 including the plurality of composite layers 140a and 140b including the surface treatment layers 141a and 141b, the inorganic layers 142a and 142b, and the organic and inorganic layers 143a and 143b may have a thickness of 20 to 210 μm. It may be made of a thickness of. Here, when the thickness of the protective film 130 is 20 μm or more, there is an advantage of protecting the organic light emitting diode 120 from external impact, moisture, and air, and when the thickness of the protective film 130 is 210 μm or less, it is thin There is an advantage that can implement the organic EL device.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 표면처리층, 무기막 및 유무기막으로 이루어진 복수의 복합막을 포함하는 보호막으로 유기발광 다이오드를 봉지함으로써, 내구성이 우수하고 박형의 유기전계발광소자를 구현할 수 있는 이점이 있다.As described above, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is excellent in durability and thin organic light-emitting by encapsulating the organic light emitting diode with a protective film including a plurality of composite films consisting of a surface treatment layer, an inorganic film and an organic-inorganic film. There is an advantage to implement an electroluminescent device.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 전술한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a method of manufacturing the above-described organic electroluminescent device is as follows.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조 방법을 나타낸 공정별 단면도이다.2A to 2C are cross-sectional views of processes illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 유리, 플라스틱 또는 도전성 물질로 이루어진 투명한 기판(210) 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나를 증착하여 제 1 전극(221)을 형성한다.Referring to FIG. 2A, any one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO) may be deposited on a transparent substrate 210 made of glass, plastic, or a conductive material. 221 is formed.

이어, 상기 제 1 전극(221) 상에 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지를 스핀 코팅법 또는 스크린 프링팅법으로 도포하고 이를 포토리소그래피법으로 패터닝하여 제 1 전극(221)의 일부를 노출시키는 절연막(222)을 형성한다.Subsequently, a benzocyclobutene (BCB) -based resin, an acrylic resin, or a polyimide resin is coated on the first electrode 221 by spin coating or screen printing, and then patterned by photolithography. An insulating film 222 exposing a part of 221 is formed.

다음, 상기 절연막(222)에 의해 노출된 제 1 전극(221) 상에 적색, 녹색 또는 청색을 발광하는 물질을 증착하여 적어도 발광층을 포함하는 유기막층(223)을 형성한다. Next, a material emitting red, green, or blue is deposited on the first electrode 221 exposed by the insulating layer 222 to form an organic layer 223 including at least a light emitting layer.

또한, 발광층의 상부 또는 하부에 정공주입층, 정공수송층, 전자주송층 또는 전자주입층을 더 형성할 수도 있다.Further, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer or an electron injection layer may be further formed on or below the light emitting layer.

이어, 상기 유기막층(223)을 포함하는 기판(210) 상에 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금을 증착하여 제 2 전극(224)을 형성하여 유기발광 다이오드(220)를 형성한다.Subsequently, magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof is deposited on the substrate 210 including the organic layer 223 to form the second electrode 224. To form the organic light emitting diode 220.

다음, 도 2b를 참조하면, 상기 제조된 유기발광 다이오드(220)의 제 2 전극(224)에 산화 공정을 수행한다. 이 때, 산화 공정은 제 2 전극(224)을 포함하는 기판(210)에 O2, 오존 또는 CO2 가 0.1 내지 5% 정도 함유된 가스를 5 내지 100초 동안 흘려주어 제 2 전극(224) 표면을 산화시켜 제 1 표면처리층(241a)을 형성한다.Next, referring to FIG. 2B, an oxidation process is performed on the second electrode 224 of the manufactured organic light emitting diode 220. In this case, the oxidation process flows a gas containing 0.1 to 5% of O 2 , ozone, or CO 2 to the substrate 210 including the second electrode 224 for 5 to 100 seconds, thereby allowing the second electrode 224 to flow. The surface is oxidized to form the first surface treatment layer 241a.

이로써, 제 2 전극(224) 표면에 제 1 표면처리층(241a)이 형성되어 이후 공정에서 형성되는 무기막과의 접착력을 향상시킬 수 있다.As a result, the first surface treatment layer 241a is formed on the surface of the second electrode 224, thereby improving adhesion to the inorganic film formed in a subsequent process.

다음, 제 1 표면처리층(241a) 상에 제 1 무기막(242a)을 형성한다. 보다 자세하게는, 제 1 표면처리층(241a)이 형성된 기판(210)을 진공 챔버에 삽입한 후, SiH4, N2, N2O, NH3, NF3, O2 및 H2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 재료를 이용하여 화학기상증착법으로 제 1 무기막(242a)을 형성한다.Next, a first inorganic film 242a is formed on the first surface treatment layer 241a. More specifically, after inserting the substrate 210 on which the first surface treatment layer 241a is formed into a vacuum chamber, the group consists of SiH 4 , N 2 , N 2 O, NH 3 , NF 3 , O 2, and H 2 . The first inorganic layer 242a is formed by chemical vapor deposition using one or more materials selected from the drawings.

이때, 제 1 무기막(242a)은 실리콘산화막(SixOy), 실리콘질화막(SixNy) 및 실리콘질산화막(SixOyNz)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 0.01 내지 5㎛의 두께로 형성할 수 있다.In this case, the first inorganic layer 242a may be formed of at least one selected from the group consisting of a silicon oxide film (SixOy), a silicon nitride film (SixNy), and a silicon nitride oxide film (SixOyNz), and has a thickness of 0.01 to 5 μm. can do.

이어, 제 1 무기막(242a) 상에 제 1 유무기막(243a)을 형성한다. 보다 자세하게는, 아크릴계, 에폭시계, 실록산계, 우레탄계 수지 및 폴리카보네이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 유기물에 산화납(PbO), 산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 산화비스무스(Bi2O3) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 무기 스페이서(244)를 혼합하여 스크린 프링팅법으로 형성할 수 있다. Subsequently, a first organic / inorganic film 243a is formed on the first inorganic film 242a. More specifically, lead oxide (PbO), silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), oxidation to at least one organic material selected from the group consisting of acrylic, epoxy, siloxane, urethane resin and polycarbonate One or more inorganic spacers 244 selected from the group consisting of titanium (TiO 2 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) and zinc oxide (ZnO) may be mixed to form a screen printing method. Can be.

이때, 제 1 유무기막(243a)은 유기물 100 중량부에 대해 무기 스페이서(244)를 0.1 내지 5 중량부로 포함할 수 있으며, 10 내지 100㎛의 두께로 형성할 수 있 다.In this case, the first organic-inorganic film 243a may include 0.1 to 5 parts by weight of the inorganic spacer 244 with respect to 100 parts by weight of the organic material, and may be formed to a thickness of 10 to 100 μm.

즉, 전술한 제 1 표면처리층(241a), 제 1 무기막(242a) 및 제 1 유무기막(243a)을 포함하는 제 1 복합막(240a)을 형성할 수 있다.That is, the first composite film 240a including the first surface treatment layer 241a, the first inorganic film 242a, and the first organic / inorganic film 243a may be formed.

다음, 도 2c를 참조하면, 제 1 복합막(240a)의 최상부에 위치하는 제 1 유무기막(243a)에 플라즈마 공정을 수행한다. 상기 플라즈마 공정은 제 1 유무기막(243a)을 포함하는 기판(210)을 0.01 내지 100mTorr의 진공 분위기 하에 O2, N2, Ar 등의 가스를 약 10 내지 300sccm의 양으로 하여 플라즈마 시간을 10 내지 200초 동안 반응시켜 제 1 유무기막(243a) 상에 제 2 표면처리층(241b)을 형성한다.Next, referring to FIG. 2C, a plasma process is performed on the first organic-inorganic film 243a positioned at the top of the first composite film 240a. In the plasma process, the substrate 210 including the first organic / inorganic film 243a is used in an amount of about 10 to 300 sccm in a gas such as O 2 , N 2 , Ar, etc. under a vacuum atmosphere of 0.01 to 100 mTorr, and the plasma time is 10 to 300 sccm. By reacting for 200 seconds, a second surface treatment layer 241b is formed on the first organic / inorganic film 243a.

이로써, 제 1 유무기막(243a) 표면에 제 2 표면처리층(241b)이 형성되어 이후 공정에서 형성되는 무기막과의 접착력을 향상시킬 수 있다.As a result, the second surface treatment layer 241b is formed on the surface of the first organic / inorganic film 243a, thereby improving adhesion to the inorganic film formed in a subsequent process.

이어, 제 2 표면처리층(241b) 상에 제 2 무기막(242b)을 형성한다. 이때 제 2 무기막(242b)은 전술한 제 1 무기막(242b)과 동일한 방법을 사용하여 형성할 수 있다. Next, a second inorganic film 242b is formed on the second surface treatment layer 241b. In this case, the second inorganic layer 242b may be formed using the same method as the first inorganic layer 242b described above.

다음, 제 2 무기막(242b) 상에 제 2 유무기막(243b)을 형성한다. 이때 제 2 유무기막(243b)은 전술한 제 1 유무기막(243b)과 동일한 방법을 사용하여 형성할 수 있다.Next, a second organic / inorganic film 243b is formed on the second inorganic film 242b. In this case, the second organic inorganic film 243b may be formed using the same method as the first organic inorganic film 243b described above.

따라서, 전술한 제 2 표면처리층(241b), 제 2 무기막(242b) 및 제 2 유무기막(243b)을 포함하는 제 2 복합막(240b)을 형성할 수 있다.Accordingly, the second composite film 240b including the second surface treatment layer 241b, the second inorganic film 242b, and the second organic / inorganic film 243b may be formed.

그러므로, 제 1 복합막(240a) 및 제 2 복합막(240b)을 포함하는 보호막(230) 으로 밀봉된 유기전계발광소자(200)를 형성할 수 있다. Therefore, the organic light emitting diode 200 sealed with the protective film 230 including the first composite film 240a and the second composite film 240b can be formed.

본 발명의 일 실시 예에서는, 2개의 복합막을 포함하는 보호막을 형성하였지만, 이에 한정되지 않으며 3개 이상의 복합막을 포함하는 보호막을 형성할 수도 있다. In one embodiment of the present invention, a protective film including two composite films is formed, but is not limited thereto, and a protective film including three or more composite films may be formed.

또한, 본 발명의 일 실시 예에서는 패시브 매트릭스 유기전계발광소자를 그 예로 설명하였지만, 이에 한정되지 않으며 박막트랜지스터를 포함하는 액티브 매트릭스 유기전계발광소자에도 적용할 수 있다.In addition, in the exemplary embodiment of the present invention, the passive matrix organic light emitting diode has been described as an example, but the present invention is not limited thereto and may be applied to an active matrix organic light emitting diode including a thin film transistor.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in order to help understanding of the present invention. However, the following examples are merely to illustrate the present invention is not limited to the following examples.

실험 : 소자의 수명, 휘도, 전류밀도 및 발광효율 측정Experiment: Measurement of device lifetime, luminance, current density and luminous efficiency

<실시예><Examples>

유리 기판 상에 제 1 전극으로 ITO를 130nm의 두께로 형성하였고, 제 1 전극 상에 호스트로 DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl)에 도펀트로 페릴렌(Perylene)을 2wt%의 농도를 혼합하여 청색 발광층을 25nm의 두께로 형성하고, 이어, 제 2 전극으로 Al막을 두께 150nm로 형성하여 유기발광 다이오드를 제조하였다. ITO was formed on the glass substrate with a thickness of 130 nm as a first electrode, and in DPVBi (4,4'-bis (2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl) as a host on the first electrode. The dopant was mixed with a concentration of 2 wt% perylene to form a blue light emitting layer having a thickness of 25 nm, and then an Al film was formed to have a thickness of 150 nm with a second electrode to manufacture an organic light emitting diode.

그 후, Al막에 30초동안 O2 가스로 처리하여 제 1 표면처리층을 형성하였고, 제 1 표면처리층 상에 PE-CVP법으로 SiH4와 N2 가스를 이용하여 실리콘질화막을 2㎛로 형성하여 제 1 무기막을 형성하였고, 제 1 무기막 상에 우레탄아크릴 100 중량부에 대해 산화알루미늄 스페이서를 3 중량부로 혼합하여 스크린 프린팅법으로 50㎛의 두께를 갖는 제 1 유무기막을 형성하였다.Thereafter, the Al film was treated with O 2 gas for 30 seconds to form a first surface treatment layer, and the silicon nitride film was 2 μm using SiH 4 and N 2 gas by PE-CVP method on the first surface treatment layer. The first inorganic film was formed, and an aluminum oxide spacer was mixed at 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of urethane acryl on the first inorganic film to form a first organic-inorganic film having a thickness of 50 μm by screen printing.

다음, 제 1 유무기막을 포함하는 기판을 20mTorr의 진공 분위기 하에 O2 가스를 이용하여 약 1분간 플라즈마 처리를 하여 제 2 표면처리층을 형성하였고, 제 2 표면처리층 상에 전술한 제 1 무기막 형성방법과 동일한 방법으로 제 2 무기막을 형성하였고, 제 2 무기막 상에 전술한 제 1 유무기막 형성방법과 동일한 방법으로 제 2 유무기막을 형성하여 유기전계발광소자를 제조하였다.Subsequently, the substrate including the first organic-inorganic film was subjected to plasma treatment for about 1 minute using O 2 gas under a vacuum atmosphere of 20 mTorr to form a second surface treatment layer, and the first inorganic layer described above was formed on the second surface treatment layer. The second inorganic film was formed by the same method as the forming method, and the second organic-inorganic film was formed on the second inorganic film by the same method as the first organic-inorganic film forming method, thereby manufacturing an organic light emitting display device.

<비교예>Comparative Example

유리 기판 상에 제 1 전극으로 ITO를 130nm의 두께로 형성하였고, 제 1 전극 상에 호스트로 DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl)에 도펀트로 페릴렌(Perylene)을 2wt%의 농도를 혼합하여 청색 발광층을 25nm의 두께로 형성하고, 이어, 제 2 전극으로 Al막을 두께 150nm로 형성하여 유기발광 다이오드를 제조하였다. 다음, 유기발광 다이오드가 형성된 기판을 실런트를 통해 금속 기판으로 밀봉하여 유기전계발광소자를 제조하였다.ITO was formed on the glass substrate with a thickness of 130 nm as a first electrode, and in DPVBi (4,4'-bis (2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl) as a host on the first electrode. The dopant was mixed with a concentration of 2 wt% perylene to form a blue light emitting layer having a thickness of 25 nm, and then an Al film was formed to have a thickness of 150 nm with a second electrode to manufacture an organic light emitting diode. Next, the organic light emitting diode was manufactured by sealing the substrate on which the organic light emitting diode was formed with a metal substrate through a sealant.

상기 실시예와 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 수명, 휘도, 전류밀도 및 발광효율을 측정하여 도 3a 내지 도 3d에 나타내었다. The lifetime, brightness, current density, and luminous efficiency of the organic light emitting diodes manufactured according to the above Examples and Comparative Examples were measured and shown in FIGS. 3A to 3D.

도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 유기전계발광소자의 수명, 휘도 및 전류밀도는 양 소자가 거의 동등한 수준으로 나타나거나 실시예의 유기전계발광소자가 약간 특성이 떨어지는 것을 알 수 있다. 3A to 3D, the lifespan, brightness, and current density of the organic light emitting display device according to the embodiment and the comparative example of the present invention are almost equal to both devices, or the organic light emitting display device of the embodiment is slightly different. You can see it falling.

그러나, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자가 발광효율 면에서는 비교예보다 우수한 것을 알 수 있다.However, it can be seen that the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention is superior to the comparative example in terms of luminous efficiency.

상기와 같은 실험을 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 종래 금속기판이나 유리기판으로 봉지한 유기전계발광소자와 유사한 수명, 휘도 및 전류밀도 특성을 나타낼 수 있는 것을 알 수 있으며, 발광효율은 보다 우수한 것을 알 수 있다.Through the above experiments, it can be seen that the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention may exhibit similar lifetime, brightness, and current density characteristics as the organic light emitting display device encapsulated with a metal substrate or a glass substrate. It turns out that luminous efficiency is more excellent.

따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 소자로써 적용가능하며, 유리기판이나 금속기판을 사용하지 않음으로써, 박형의 유기전계발광소자를 구현할 수 있는 이점이 있다.Therefore, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is applicable as an element, and there is an advantage that a thin organic light emitting display device can be realized by not using a glass substrate or a metal substrate.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진 다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is represented by the claims to be described later rather than the detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.1 is a view showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 나타낸 공정별 도면.2a to 2c is a process-specific diagram showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예와 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 수명, 휘도, 전류밀도 및 발광효율을 측정한 그래프.3A to 3D are graphs measuring lifetime, luminance, current density, and luminous efficiency of organic light emitting diodes manufactured according to Examples and Comparative Examples of the present invention.

Claims (10)

기판;Board; 상기 기판 상에 위치하며, 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광 다이오드; 및An organic light emitting diode on the substrate, the organic light emitting diode comprising a first electrode, an organic layer, and a second electrode; And 상기 유기발광 다이오드를 덮는 보호막을 포함하며,A protective film covering the organic light emitting diode, 상기 보호막은 표면처리층, 무기막 및 유무기막을 포함하는 복수의 복합막을 포함하는 유기전계발광소자. The protective film includes an organic light emitting display device including a plurality of composite films including a surface treatment layer, an inorganic film, and an organic / inorganic film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 실리콘질산화막으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 유기전계발광소자.The inorganic layer is an organic light emitting device comprising any one or more selected from the group consisting of silicon oxide film, silicon nitride film and silicon nitride oxide film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유무기막은 유기물에 무기 스페이서를 포함하는 유기전계발광소자.The organic / inorganic film is an organic light emitting device comprising an inorganic spacer in an organic material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기물은 아크릴계, 에폭시계, 실록산계, 우레탄계 및 폴리카보네이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 유기전계발광소자.The organic material of the organic light emitting device including any one or more selected from the group consisting of acrylic, epoxy, siloxane, urethane and polycarbonate. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 무기 스페이서는 산화납(PbO), 산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 산화비스무스(Bi2O3) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 유기전계발광소자.The inorganic spacer includes lead oxide (PbO), silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), and An organic light emitting display device including any one or more selected from the group consisting of zinc oxide (ZnO). 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 무기 스페이서는 상기 유기물 100 중량부에 대해 0.1 내지 5 중량부로 포함되는 유기전계발광소자.The inorganic spacer is an organic electroluminescent device comprising 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the organic material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호막의 두께는 20 내지 210㎛인 유기전계발광소자.The protective film has an organic light emitting device having a thickness of 20 to 210㎛. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 표면처리층은 플라즈마 공정 또는 산화 공정으로 표면처리된 유기전계발광소자.The surface treatment layer is an organic light emitting device surface-treated by a plasma process or an oxidation process. 기판 상에 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 유기발광 다이오드를 형성하는 단계; 및Forming an organic light emitting diode comprising a first electrode, an organic layer, and a second electrode on the substrate; And 상기 제 2 전극을 표면처리하여 표면처리층을 형성하고, 상기 표면처리층 상에 무기막을 형성하고, 상기 무기막 상에 유무기막을 형성하여 복합막을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.Surface treatment of the second electrode to form a surface treatment layer, forming an inorganic film on the surface treatment layer, and forming an organic-inorganic film on the inorganic film to form an organic light emitting device comprising the Way. 제 9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 표면처리는 플라즈마 공정 또는 산화 공정으로 표면처리하는 유기전계발광소자의 제조방법.The surface treatment is a method of manufacturing an organic light emitting display device which is surface treated by a plasma process or an oxidation process.
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