KR20100121378A - 유기전기소자 및 그 화합물, 단말 - Google Patents
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Abstract
Description
발광층의 호스트 재료 |
전압 ( V ) |
전류밀도 ( mA/cm2 ) |
휘도 ( cd/m2 ) |
발광효율 ( cd/A ) |
색도좌표 ( x, y ) |
|
실시예 1 | 화합물 A-9 | 5.7 | 0.31 | 107 | 48.9 | ( 0.31, 0.60 ) |
실시예 2 | 화합물 B-10 | 5.9 | 0.30 | 112 | 48.2 | ( 0.31, 0.60 ) |
실시예 3 | 화합물 C-8 | 5.8 | 0.35 | 104 | 46.2 | ( 0.30, 0.61 ) |
실시예 4 | 화합물 D-8 | 5.9 | 0.31 | 108 | 47.4 | ( 0.32, 0.61 ) |
비교예 1 | CBP | 6.1 | 0.31 | 101 | 32.6 | ( 0.33, 0.61 ) |
Claims (12)
- 화학식 1로 표시되는 유도체를 가지는 화합물.[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,(1) 상기 Z는 치환 혹은 무치환인 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기로 이루어지는 연결기를 나타내고, 상기 Y는 하기 화학식 1A로 표현되는 기를 나타내며, n은 0-6의 정수를 나타낸다.[화학식 1a](2) 상기 R1과 상기 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, C1 ~ C60의 알킬기, C1 ~ C60의 알콕시기, C1 ~ C60의 알킬아민기, C1 ~ C60의 알릴아민기, C1~ C60의 알킬 티오펜기, C6 ~ C60의 아릴 티오펜기, C2 ~ C60의 알케닐기, C2 ~ C60의 알키닐기, C3 ~ C60의 시클로알킬기, C6 ~ C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6 ~ C60의 아릴기, C8 ~ C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C5 ~ C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60의 아릴기; 할로겐, CN, NO2, C1 ~ C60의 알킬기, C1 ~ C60의 알콕시기, C1 ~C60의 알킬아민기, C1 ~ C60의 알킬티오기, C2 ~ C60의 알케닐기, C2 ~C60의 알키닐기, C3 ~ C60의 시클로알킬기, C6 ~ C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6 ~ C60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C5 ~ C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C5 ~C60의 헤테로고리기; 또는 C6 ~ C60의 방향족 고리와 C4 ~ C60의 지방족 고리의 축합 고리기이고, 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 지방족 탄화 수소기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 및 비환된 헤테로 아릴기로부터 선택되는 임의의기이다.(3) 상기 환 A는 인접환과 축합하는 하기 화학식 1B로 표현되는 복소환을 나타내며,[화학식 1b](4) 상기 X1 및 X2는 탄소 또는 질소를 나타내고,(5) 상기 R3와 상기 R4는 독립적으로 상기 R1과 상기 R2와 같은 의미를 가진다.(6) 상기 환 B는 인접환과 축합하는 하기 화학식 1C로 표현되는 복소환을 나타내며,[화학식 1c](7) 상기 R5과 상기 R6은 독립적으로 상기 R1 과 상기 R2와 같은 의미를 가진다.
- 아래 화학식 2 내지 화학식 5 중 하나로 표시되는 화합물.[화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5](1) 상기 Z는 치환 혹은 무치환인 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기로 이루어지는 연결기를 나타낸다.(2) 상기 R은 서로 같거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 할로겐기, C1 ~ C60의 알킬기, C1 ~ C60의 알콕시기, C1 ~ C60의 알킬아민기, C1 ~ C60의 알릴아민기, C1~ C60의 알킬 티오펜기, C6 ~ C60의 아릴 티오펜기, C2 ~ C60의 알케닐기, C2 ~ C60의 알키닐기, C3 ~ C60의 시클로알킬기, C6 ~ C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6 ~ C60의 아릴기, C8 ~ C60의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C5 ~ C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C60의 아릴기; 할로겐, CN, NO2, C1 ~ C60의 알킬기, C1 ~ C60의 알콕시기, C1 ~C60의 알킬아민기, C1 ~ C60의 알킬티오기, C2 ~ C60의 알케닐기, C2 ~C60의 알키닐기, C3 ~ C60의 시클로알킬기, C6 ~ C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6 ~ C60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 실란기, 치환 또는 비치환된 붕소기, 치환 또는 비치환된 게르마늄기, 및 치환 또는 비치환된 C5 ~ C60의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C5 ~C60의 헤테로고리기; 또는 C6 ~ C60의 방향족 고리와 C4 ~ C60의 지방족 고리의 축합 고리기이고, 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 지방족 탄화 수소기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 및 비환된 헤테로 아릴기로부터 선택되는 임의의기이다.(3) 상기 X는 탄소 또는 질소를 나타낸다.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 R, R1 내지 R6 중에서 적어도 어느 하나는 인접한 위치끼리 서로 결합하여 고리를 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제1항 또는 제2항의 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자.
- 제5항에 있어서,상기 화합물을 용액 공정(soluble process)에 의해 상기 유기물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제5항에 있어서,상기 유기전자소자는 제1 전극, 상기 1층 이상의 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층된 형태로 포함하는 유기전계발광소자인 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제7항에 있어서,상기 유기물층은 발광층을 포함하며, 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 상기 발광층의 발광 호스트 물질로 사용되는 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제7항에 있어서,상기 유기물층은 정공수송층을 포함하며, 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 상기 정공수송층에 사용되는 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제7항에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층을 포함하며, 상기 제1항 또는 제2항의 화합물이 상기 정공주입층에 사용되는 것을 특징으로 하는 유기전자소자.
- 제5항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와;상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 단말.
- 제11항에 있어서,상기 유기전기소자는 유기전계발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼, 유기트랜지스트(유기 TFT), 포토다이오드(photodiode), 유기레이저(organic laser), 레이저 다이오드(laser diode) 중 하나인 것을 특징으로 하는 단말.
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