KR20100120930A - Copolymer for gap filling material composition, preparation method thereof and gap filling material composition for antireflective coating layer - Google Patents

Copolymer for gap filling material composition, preparation method thereof and gap filling material composition for antireflective coating layer Download PDF

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KR20100120930A
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Abstract

PURPOSE: A copolymer for an anti-reflective film gap filling material composition, a manufacturing method thereof, and a filler composition containing thereof are provided to secure the improved filling property without intermixing with a photoresist. CONSTITUTION: A copolymer for an anti-reflective film gap filling material composition is marked with chemical formula 1. In the chemical formula 1, R1 is hydrogen, or an alkyl group with 1~10 carbons. R2, R3, and R4 are the hydrogen, the alkyl group with 1~10 carbons, or an arylalkyl group with 1~20 carbons. R5, R6, and R7 are the hydrogen or a methyl group.

Description

반사방지막 매립제용 공중합체, 그 제조방법 및 이를 포함하는 매립제 조성물{Copolymer for gap filling material composition, preparation method thereof and gap filling material composition for antireflective coating layer}Copolymer for anti-reflective coating agent, a manufacturing method and a buried agent composition comprising the same {Copolymer for gap filling material composition, preparation method etc. and gap filling material composition for antireflective coating layer}

본 발명은 반사방지막 매립제용 공중합체, 매립제용 공중합체의 제조방법 및 매립제용 공중합체를 포함하는 매립제 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a buried agent composition comprising a copolymer for antireflective coating, a buried copolymer, and a copolymer for buried agent.

최근 반도체 소자의 고집적화에 따라 초 LSI 등의 제조에 있어서 0.10 마이크론 이하의 초미세 패턴이 요구되고 있다. 또한 노광 파장으로 종래 사용되던 g선 또는 i선 영역 보다 더 낮은 파장을 사용한 리소그라피 공정이 이용되고 있다. 즉, 미세화된 반도체 집적회로 장치의 제조공정에서 듀얼 다마신(Dual damascene)이라고 하는 미세배선 형성방법이 주류를 이루고 있는데, 다마신 공정이란 반도체 기판 상의 층간절연막에 미세한 배선홈을 형성한 후 이 배선홈의 내부를 포함하는 층간절연막 위로 금속막을 퇴적시키고, 화학적 기계연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing)법을 이용하여 배선홈의 외부 금속막을 제거함으로써 배선홈의 내부에 미세한 매립 배선을 형성하는 방법으로, 싱글 다마신과 듀얼 다마신으로 분류할 수 있다.In recent years, with the high integration of semiconductor devices, ultrafine patterns of 0.10 microns or less have been required in the manufacture of ultra-LSI. In addition, lithographic processes using wavelengths lower than the g- or i-line regions conventionally used as the exposure wavelength have been used. That is, in the fabrication process of a miniaturized semiconductor integrated circuit device, a micro wiring formation method called dual damascene is mainly used. The damascene process is formed by forming a fine wiring groove in an interlayer insulating film on a semiconductor substrate. By depositing a metal film on the interlayer insulating film including the inside of the groove, and removing the external metal film of the wiring groove using the chemical mechanical polishing (CMP) method to form a fine embedded wiring inside the wiring groove, It can be classified into single damascene and dual damascene.

듀얼 다마신 공정은, 층간절연막에 형성한 배선홈의 하부에 하층 배선 접속용 비어홀을 형성하고, 배선홈과 비어홀에 동시에 금속막을 매립하여 배선을 형성함으로써 공정수의 단축을 꾀하는 방법이다. 싱글 다마신 공정은, 비어홀의 내부에 미리 금속 플러그를 형성한 후 배선홈 내부에 매립 배선을 형성하는 방법이다.The dual damascene process is a method of shortening the number of steps by forming a lower wiring connection via hole in a lower portion of a wiring groove formed in an interlayer insulating film, and forming a wiring by filling a metal film in the wiring groove and the via hole at the same time. The single damascene process is a method of forming a buried wiring in a wiring groove after forming a metal plug in a via hole in advance.

듀얼 다마신 공정은 다음과 같다. 반도체 기판 위로 반도체 소자를 형성하고, 반도체 소자의 상부에 하층 배선을 형성한다. 하층 배선의 상부에 층간절연막을 퇴적시키고, 층간절연막 위로 반사방지막을 형성한 후, 반사방지막 위로 포토레지스트막을 형성한다. 비어홀 패턴이 형성된 포토마스크를 사용하여 노광하고, 계속해서 현상함으로써, 포토레지스트막에 비어홀 형성 영역이 개구된 패턴을 전사한다. 반사방지막은 포토레시지스트막을 노광할 때 하층 배선의 표면에서 반사한 광을 포토레지스트막에 입사시키고, 해상도의 저하를 막기 위해 형성한다. 포토레지스트막의 하층에 형성된 반사방지막을 BARC(Bottom Anti Reflective Coating)이라고 한다. 포토레지스트막을 마스크로 하여 반사방지막 및 층간절연막을 드라이 에칭함으로써 층간절연막에 비어홀을 형성한다. 포토레지스트막과 반사방지막을 제거하고 비어홀의 내부에 매립제를 충전한다. 매립제는 반사방지막과 거의 동일한 조성의 절연 재료로 이루어진다. 비어홀 내부에 매립제를 충전하기 위해서는, 비어홀의 내부를 포함하는 층간절연막 위로 매립제를 퇴적하고 비어홀 외부의 매립제를 에치백 공정으로 제거한다. 에치백을 하면 비어홀에 충전된 매립제의 표면이 거의 평탄해지고 층간절연막의 표면과 거의 같은 높이가 된다. 층간절연막 위로 제2의 반사방지막을 형성하고, 제2 반사방지막 위로 제2의 포토레지스트막을 형성한다. 배선홈 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 노광하고, 계속해서 현상함으로써 제2 포토레지스트막에 배선홈 영역이 개구된 패턴을 전사한다. 제2 포토레지스트막을 마스크로 해서 제2 반사방지막을 드라이 에칭하고, 계속해서 층간절연막의 중간까지 드라이 에칭함으로써 비어홀의 상부에 배선홈을 형성한다. 제2 포토레지스트막을 제거한 후, 제2의 반사방지막을 제거한다. 제2 반사방지막을 제거할 때는, 비어홀에 충전된 매립제도 제거하고, 비어홀의 저부에 하층배선의 표면을 노출시킨다. 배선홈 및 비어홀의 내부에 구리 배선을 형성하는데, 배선홈 및 비어홀의 내부를 포함하는 층간절연막 위로 스퍼터링법 또는 도금법에 의해 구리 막을 형성한 후, 배선홈 외부의 구리 막을 화학적 기계연마법으로 제거한다. 상기 공정을 반복함으로써, 반도체 기판에 다층 구리 배선을 형성한다.The dual damascene process is as follows. A semiconductor element is formed over the semiconductor substrate, and a lower layer wiring is formed on the semiconductor element. An interlayer insulating film is deposited on the lower layer wiring, an antireflection film is formed over the interlayer insulating film, and then a photoresist film is formed over the antireflection film. It exposes using the photomask in which the via-hole pattern was formed, and it develops continuously, and transfers the pattern in which the via-hole formation area was opened to the photoresist film. When the photoresist film is exposed, the anti-reflection film is formed to cause light reflected from the surface of the lower wiring to enter the photoresist film and to prevent a decrease in resolution. The antireflection film formed on the lower layer of the photoresist film is called BARC (Bottom Anti Reflective Coating). A via hole is formed in the interlayer insulating film by dry etching the antireflection film and the interlayer insulating film using the photoresist film as a mask. The photoresist film and the anti-reflection film are removed, and a buried agent is filled in the via hole. The buried agent is made of an insulating material of approximately the same composition as the antireflective film. In order to fill the buried agent inside the via hole, the buried agent is deposited on the interlayer insulating film including the inside of the via hole, and the buried agent outside the via hole is removed by an etch back process. The etch back causes the surface of the buried agent filled in the via hole to be almost flat and at the same height as the surface of the interlayer insulating film. A second antireflection film is formed over the interlayer insulating film, and a second photoresist film is formed over the second antireflection film. It exposes using the photomask in which the wiring groove pattern was formed, and develops it continuously, and transfers the pattern in which the wiring groove area | region was opened to the 2nd photoresist film. The second anti-reflection film is dry-etched using the second photoresist film as a mask, and then dry etching to the middle of the interlayer insulating film to form wiring grooves on the via holes. After removing the second photoresist film, the second anti-reflection film is removed. When the second anti-reflection film is removed, the buried material filled in the via hole is also removed, exposing the surface of the lower layer wiring to the bottom of the via hole. A copper wiring is formed inside the wiring groove and the via hole. After the copper film is formed by the sputtering method or the plating method on the interlayer insulating film including the wiring groove and the via hole, the copper film outside the wiring groove is removed by chemical mechanical polishing. By repeating the above steps, a multilayer copper wiring is formed on a semiconductor substrate.

다마신 공정에서 사용되는 매립제는 반사방지 기능이 없는 물질로, 반도체 기판 상에서 비어홀과 트렌치를 패턴 처리할 때 매립 기능만을 갖는 물질이다. 그 동안 듀얼 다마신 공정에서 비어홀과 콘택트홀을 매립하는데 높은 광학 밀도를 갖는 물질들을 사용하여 왔는데, 매립제가 충분히 충진되지 않거나, 매립이 이루어지더라도 보이드(void)가 생기는 경우가 있었다. 또한 매립제 조성물이 광흡수 성질을 갖지 않는 경우에는 트렌치 패터닝 공정에서 따로 반사방지막을 삽입하거나 포토레지스트를 코팅하기 전에 반사 방지층을 매립제 조성물 위에 코팅하여야 하므로, 제작 단가가 불필요하게 높아지는 문제점이 있었다. 현재까지는, 반사 방지 기능을 가지면서, 동시에 매립 물질로 비어홀을 평탄하게 충진할 수 있는 물질의 개발이 미흡하였다.The buried agent used in the damascene process is a material having no anti-reflection function, and a material having only a buried function when patterning via holes and trenches on a semiconductor substrate. In the dual damascene process, materials having high optical density have been used to fill via holes and contact holes, and there are cases where voids are formed even when the filling agent is not sufficiently filled or when filling is performed. In addition, when the buried agent composition does not have light absorption properties, the antireflective layer should be coated on the buried agent composition before inserting the antireflective film or coating the photoresist separately in the trench patterning process, thereby causing an unnecessary manufacturing cost. Until now, the development of a material capable of flatly filling the via hole with a buried material while having an anti-reflection function has been insufficient.

본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서, 비어홀 및 콘택트홀 등 요철이 있는 기판 상에 매립제를 보이드 없이 채우고 평탄화를 높여 포토레지스트의 리소그래피 공정시 공정 마진을 높이는 매립제 조성물을 제공한다.The present invention provides a buried agent composition for filling a buried agent on a substrate having irregularities such as via holes and contact holes without voids and increasing planarization to increase the process margin during the photolithography process.

또한, 본 발명은 매립제 조성물에 포함되는 매립제용 공중합체와 이의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a copolymer for a landfill agent included in the landfill composition and a method for producing the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지막 매립제용 공중합체는 하기 화학식 1로 나타난다.The anti-reflective coating agent copolymer according to an embodiment of the present invention is represented by the following formula (1).

Figure 112009027485481-PAT00002
Figure 112009027485481-PAT00002

상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적인 것으로, R1 은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, R2, R3 및 R4 는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 아릴알킬기를 나타내며, R5, R6 및 R7 은 수소 또는 메틸기이다. a, b, c, d는 각각 주사슬 내에서의 반복단위를 나타내는 수로서, a+b+c+d=1이고, 0.05 〈 a/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 b/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 c/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 d/(a+b+c+d) 〈 0.95 이다.In Chemical Formula 1, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 And R 7 are independent of each other, R 1 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 2 , R 3 and R 4 Represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an arylalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 5 , R 6 and R 7 are hydrogen or a methyl group. a, b, c, and d are numbers representing repeating units in the main chain, respectively, where a + b + c + d = 1, and 0.05 < a / (a + b + c + d) < 0.95, 0.05 < b / (a + b + c + d) < 0.95, 0.05 < c / (a + b + c + d) < 0.95, 0.05 < d / (a + b + c + d) < 0.95.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 1의 매립제용 공중합체의 제조방법은, 말레인산 무수물과 아크릴레이트계 화합물을 중합하여 하기 화학식 2의 중합체를 생성하는 단계, 및 하기 화학식 2의 중합체와 탄소수 1 내지 10의 알킬알콜을 반응시키는 단계를 포함한다.Method of preparing a copolymer for a landfill agent of Formula 1 according to an embodiment of the present invention, the step of polymerizing maleic anhydride and an acrylate compound to produce a polymer of the formula (2), and a polymer of the formula (2) and carbon number 1 And reacting the alkyl alcohol of 10 to 10.

Figure 112009027485481-PAT00003
Figure 112009027485481-PAT00003

상기 화학식 2에서, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적인 것으로, R2, R3 및 R4 는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 아릴알킬기를 나타내고, R5, R6, 및 R7은 수소 또는 메틸기이며, a, b, c, d는 각각 주사슬 내에서의 반복단위를 나타내는 수로서, a+b+c+d=1이고, 0.05 〈 a/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 b/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 c/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 d/(a+b+c+d) 〈 0.95 이다.In Formula 2, R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are independent of each other, R 2 , R 3 and R 4 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or 1 to An arylalkyl group of 20 and R 5 , R 6 , And R 7 is hydrogen or a methyl group, a, b, c, d are each a number representing a repeating unit in the main chain, a + b + c + d = 1, and 0.05 <a / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <b / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <c / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <d / (a + b + c + d) <0.95.

본 발명의 일 실시예에 따른 매립제 조성물은 상기 화학식 1의 매립제용 공중합체, 흡광제, 열산발생제 및 가교결합제를 포함한다.The landfill composition according to an embodiment of the present invention includes a copolymer for a landfill agent of Formula 1, a light absorber, a thermal acid generator, and a crosslinking agent.

본 발명의 일 실시예에 따른 매립제 조성물을 피식각층 상부에 도포하고, 도포된 조성물을 베이킹 공정으로 경화시키고 매립제 퇴적을 형성한다. 매립제 상부에 포토레지스트를 형성하고, 형성된 포토레지스트를 노광 후 현상하여 포토레지스 트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 매립제를 식각하고, 피식각층을 식각하여 피식각층의 패턴을 형성할 수 있다.A buried agent composition according to an embodiment of the present invention is applied on the etching target layer, the applied composition is cured by a baking process, and a buried agent deposit is formed. After the photoresist is formed on the buried material, the formed photoresist is developed after exposure to form a photoresist pattern. The buried agent is etched using the photoresist pattern as an etch mask, and the etched layer is etched to form a pattern of the etched layer. Can be formed.

본 발명에 따르면, 포토레지스트와 혼합(intermixing)되지 않고, 우수한 매립 특성을 가지며, 접착성 및 보관 안전성이 우수하고, 드라이 에칭 속도가 빠른 매립제 조성물을 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a landfill composition which is not intermixed with a photoresist, has excellent embedding properties, is excellent in adhesiveness and storage safety, and has a high dry etching rate.

본 발명에 따른 매립제 조성물을 사용하면 듀얼 다마신 공정의 매립 과정에서 보이드가 일어나지 않고, 평탄화도 95% 이상의 충분한 매립이 이루어진다. 또한, 본 발명의 매립제 조성물은 매립 후의 리소그래피 공정에서 노광시 발생하는 반사광을 충분히 흡수할 수 있어 반사방지막으로서의 역할을 한다. 본 발명의 매립제 조성물은 포토레지스트와 반사방지막, 절연체 등과 혼합되지 않으며, 포토레지스트와 하부 반사방지막, 이를 포함하는 매립제 간에 에칭 선택비가 높아 공정의 단순화를 이룰 수 있고, 불필요한 공정을 생략할 수 있어 비용의 낭비를 막을 수 있다. When the buried agent composition according to the present invention is used, voids do not occur in the buried process of the dual damascene process, and sufficient filling of 95% or more of flatness is achieved. In addition, the embedding agent composition of the present invention can sufficiently absorb the reflected light generated during exposure in the lithography step after embedding and thus serves as an antireflection film. The buried agent composition of the present invention is not mixed with the photoresist and the antireflective film, the insulator, etc., and the etching selectivity between the photoresist and the lower antireflective film and the buried agent including the same is high, thereby simplifying the process and eliminating unnecessary processes. It can prevent the waste of money.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지막 매립제용 공중합체에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a copolymer for an anti-reflective coating agent according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

상기 반사방지막 매립제용 공중합체는 하기 화학식 1로 표시된다.The anti-reflective coating agent copolymer is represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112009027485481-PAT00004
Figure 112009027485481-PAT00004

상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적인 것으로, R1 은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, R2, R3 및 R4 는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 아릴알킬기를 나타내며, R5, R6 및 R7 은 수소 또는 메틸기이다. a, b, c, d는 각각 주사슬 내에서의 반복단위를 나타내는 수로서, a+b+c+d=1이고, 0.05 〈 a/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 b/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 c/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 d/(a+b+c+d) 〈 0.95 이다.In Chemical Formula 1, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 And R 7 are independent of each other, R 1 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 2 , R 3 and R 4 Represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an arylalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 5 , R 6 and R 7 are hydrogen or a methyl group. a, b, c, and d are numbers representing repeating units in the main chain, respectively, where a + b + c + d = 1, and 0.05 &lt; a / (a + b + c + d) &lt; 0.95, 0.05 &lt; b / (a + b + c + d) &lt; 0.95, 0.05 &lt; c / (a + b + c + d) &lt; 0.95, 0.05 &lt; d / (a + b + c + d) &lt; 0.95.

매립제는 여러 가지 형태로 구조를 설계할 수 있는데, 첫째, 충진성을 높이기 위해 평균 분자량을 낮게 조절하거나, 둘째, 광흡수가 가능한 화학종인 흡광제를 고분자의 주사슬에 포함시키거나, 셋째, 광흡수를 할 수 없는 경화제 중합체와 흡광제를 따로 이용하는 방법이 있다. 광흡수 화학종의 양을 조절하기 위해 흡광제를 따로 사용하는 것이 일반적이다. 경화제 중합체로는 하이드록실 작용기, 글리시딜 작용기, 또는 아세탈 작용기 등을 포함하는 중합체가 많이 이용된다.The landfill agent can be designed in various forms, firstly, to lower the average molecular weight in order to increase the filling property, secondly, to include a light absorber, which is a light absorbing chemical species, in the main chain of the polymer; There exists a method of using a hardening | curing agent polymer which cannot absorb light, and a light absorber separately. It is common to use a light absorber separately to control the amount of light absorbing species. As the curing agent polymer, a polymer containing a hydroxyl functional group, a glycidyl functional group, an acetal functional group, or the like is often used.

상기 화학식 1로 표시되는 본 발명의 반사방지용 매립제용 공중합체는 광흡수 뿐만 아니라 열경화가 가능하도록 카르복실기를 도입하였고, 에칭 속도가 빠르다고 알려진 말레인산 무수물을 함유하도록 하였다.The anti-reflective buried copolymer of the present invention represented by Chemical Formula 1 was introduced with a carboxyl group to enable heat absorption as well as light absorption, and to contain maleic anhydride which is known to have a high etching rate.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지막 매립제용 공중합체(상기 화학식 1)의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method for preparing the anti-reflective coating agent copolymer (Formula 1) according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

상기 화학식 1의 반사방지용 매립제용 공중합체는, 말레인산 무수물과 아크릴레이트계 화합물을 중합시켜 하기 화학식 2의 중합체를 제조하고, 화학식 2의 반응 중간체를 탄소수 1 내지 10의 알킬알콜과 반응시켜 제조할 수 있다.The antireflective copolymer of Chemical Formula 1 may be prepared by polymerizing maleic anhydride and an acrylate compound to prepare a polymer of Chemical Formula 2, and reacting an intermediate of Chemical Formula 2 with an alkyl alcohol having 1 to 10 carbon atoms. have.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112009027485481-PAT00005
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상기 식에서, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적인 것으로, R2, R3 및 R4 는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 아릴알킬기를 나타내고, R5, R6 및 R7은 수소 또는 메틸기이다. a, b, c, d는 각각 주사슬 내에서의 반복단위를 나타내는 수로서, a+b+c+d=1이고, 0.05 〈 a/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 b/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 c/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 d/(a+b+c+d) 〈 0.95 이다.Wherein R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 And R 7 are independent of each other, R 2 , R 3 and R 4 represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an arylalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and R 5 , R 6 and R 7 represent hydrogen or a methyl group to be. a, b, c, and d are numbers representing repeating units in the main chain, respectively, where a + b + c + d = 1, and 0.05 &lt; a / (a + b + c + d) &lt; 0.95, 0.05 &lt; b / (a + b + c + d) &lt; 0.95, 0.05 &lt; c / (a + b + c + d) &lt; 0.95, 0.05 &lt; d / (a + b + c + d) &lt; 0.95.

상기 아크릴레이트계 화합물로는, 메틸아크릴레이트(methyl acrylate), 에틸아크릴레이트(ethyl acrylate), 이소프로필아크릴레이트(isopropyl acrylate), n-프로필아크릴레이트(n-propyl acrylate), n-부틸아크릴레이트(n-butyl acrylate), 이소보르닐아크릴레이트(isobornyl acrylate), 2-에틸헥실아크릴레이트(2- ethylhexyl acrylate), 메틸메타크릴레이트(methyl methacrylate), 에틸메타크릴레이트(ethyl methacrylate), 이소프로필메타크릴레이트(isopropyl methacrylate), n-프로필메타크릴레이트(n-propyl methacrylate), tert-부틸메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate), n-부틸메타크릴레이트(n-butyl methacrylate), 이소부틸메타크릴레이트(isobutyl methacrylate), 시클로헥실메타크릴레이트(cyclohexyl methacrylate), 이소보르닐메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 메타크릴레이트(diethylene glycol monomethyl ether methacrylate), 2-에틸헥실메타크릴레이트(2-ethylhexyl methacrylate), 벤질메타크릴레이트(benzyl methacrylate), 1-나프틸메틸메타크릴레이트(1-naphthylmethyl methacrylate), 2-나프틸메틸메타크릴레이트(2-naphthylmethyl methacrylate), 9-안트릴메틸메타크릴레이트(9-anthrylmethyl methacrylate), 1-안트릴메틸메타크릴레이트(1-anthrylmethyl methacrylate), 2-안트릴메틸메타크릴레이트(2-anthrylmethyl methacrylate)로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된다.Examples of the acrylate compound include methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, n-propyl acrylate and n-butyl acrylate. (n-butyl acrylate), isobornyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-methylhexyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, isopropyl Methacrylate (isopropyl methacrylate), n-propyl methacrylate (n-propyl methacrylate), tert-butyl methacrylate (tert-butyl methacrylate), n-butyl methacrylate (n-butyl methacrylate), isobutyl methacrylate Isobutyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, isobornyl methacrylate, diethylene glycol monomethyl ether methacrylate thyl ether methacrylate), 2-ethylhexyl methacrylate, benzyl methacrylate, 1-naphthylmethyl methacrylate, 2-naphthylmethyl methacrylate 2-naphthylmethyl methacrylate, 9-anthrylmethyl methacrylate, 1-anthrylmethyl methacrylate, 2-anthrylmethyl methacrylate methacrylate).

상기 반응중간체인 화학식 2의 화합물을 알킬알콜로 개환시켜 생성된 카르복실산 작용기는 아세탈 등의 작용기를 갖는 경화제와 반응하여 가교 구조를 형성한다. 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 공중합체를 이용한 매립제는 기판 위에 도포된 후 베이킹 공정을 거치면서 경화가 일어나 용매에 대한 내용해성을 지니게 된다. 즉, 매립제가 콘택트홀과 비어홀에 매립된 다음, 포토레지스트 도포 후에 포토레지스트 용매에 의해 용해되지 않아 안정성이 부여된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 공중합체는 매립제 조성물에서 경화제 중합체로서 이용될 수 있다.The carboxylic acid functional group generated by ring-opening the compound of Formula 2, which is the reaction intermediate, with alkyl alcohol, reacts with a curing agent having a functional group such as acetal to form a crosslinked structure. A buried agent using a copolymer prepared according to an embodiment of the present invention is coated on a substrate and then cured through a baking process to have solvent resistance to a solvent. That is, the embedding agent is embedded in the contact hole and the via hole, and then is not dissolved by the photoresist solvent after the photoresist application, thereby providing stability. Thus, copolymers prepared according to one embodiment of the present invention can be used as a curing agent polymer in a landfill composition.

상기 화학식 2의 중합체 제조에 있어서, 중합 방법은 괴상 중합, 용액 중합, 현탁 중합, 괴상현탁 중합, 유화 중합 등의 통상적인 중합 방법에 의할 수 있으며, 라디칼 중합이 바람직하다. 라디칼 중합 개시제로는 아조비스이소 부티로니트릴(azobisisobutyronitrile), 벤조일 퍼옥시드(benzoyl peroxide), 라우릴 퍼옥시드(lauryl peroxide), 아조비스이소카프로니트릴(azobisiso capronitrile), 아조비스이소발레로니트릴(azobisisovaleronitril), 및 t-부틸 히드로퍼옥시드(t-butyl hydroperoxide) 등과 같이 일반 라디칼 중합 개시제로 사용되는 것이면 특별한 제한은 없다.In preparing the polymer of Chemical Formula 2, the polymerization method may be conventional polymerization methods such as bulk polymerization, solution polymerization, suspension polymerization, bulk suspension polymerization, emulsion polymerization, and the like, and radical polymerization is preferable. As the radical polymerization initiator, azobisisobutyronitrile, benzoyl peroxide, lauryl peroxide, azobisisocapronitrile, azobisisovaleronitrile (azobisisovaleronitril) ), And t-butyl hydroperoxide, and the like, if used as a general radical polymerization initiator, there is no particular limitation.

중합 용매로는 벤젠(benzene), 톨루엔(toluene), 자일렌(xylene), 할로겐화벤젠(halogenated benzene), 디에틸에테르(diethyl ether), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran), 에스테르류(esters), 에테르류(ethers), 락톤류(lactones), 케톤류(ketones), 및 아미드류(amides) 중에서 1 종 이상을 선택하여 사용한다. 중합 온도는 개시제의 종류에 따라 적절히 선택한다. 중합체의 분자량 분포는 중합 개시제의 사용량과 반응시간을 변경하여 적절히 조절할 수 있다. 중합이 완료된 후, 반응 혼합물에 남아 있는 미반응 단량체 및 부생성물들은 용매에 의한 침전법 및 추출법으로 제거하는 것이 바람직하다.Polymerization solvents include benzene, toluene, xylene, halogenated benzene, diethyl ether, tetrahydrofuran, esters and ethers. one or more selected from ethers, lactones, ketones, and amides. The polymerization temperature is appropriately selected depending on the type of initiator. The molecular weight distribution of the polymer can be appropriately adjusted by changing the amount of use of the polymerization initiator and the reaction time. After the polymerization is completed, the unreacted monomers and by-products remaining in the reaction mixture are preferably removed by precipitation and extraction with a solvent.

분자량 조절에 있어서, 개환된 말레인산 무수물을 포함하는 경우에는 만들어진 카르복실산으로 인해 통상적인 겔 퍼미션 크로마토그래피(gel permission chromatography)를 이용하여 원하는 분자량을 얻기 어려우므로, 탄소수 1 내지 10 의 알콜로 개환하기 전의 중합체인 상기 화학식 2의 중합체의 분자량을 참고로 한다. 즉, 개환 전 중합체인 상기 화학식 2의 중합체의 겔 퍼미션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 통상 1,000 내지 100,000 이고, 용매에 대한 용해도, 도포성, 충분한 가교 결합 등을 고려하면 5,000 내지 10,000 이 바람직하다. 중합체의 분자량 분포(PDI)는 1.0 내지 5.0 이 바람직하며, 특히 1.5 내지 3.5 가 바람직하다.In the molecular weight control, in the case of containing the ring-opened maleic anhydride, it is difficult to obtain a desired molecular weight using conventional gel permission chromatography due to the produced carboxylic acid. Reference is made to the molecular weight of the polymer of the formula (2) which is the former polymer. That is, the polystyrene reduced weight average molecular weight of the polymer of Formula 2, which is a polymer before ring-opening, is usually 1,000 to 100,000, and 5,000 to 10,000 is preferable in consideration of solubility in solvents, applicability, sufficient crosslinking, and the like. Do. The molecular weight distribution (PDI) of the polymer is preferably 1.0 to 5.0, particularly preferably 1.5 to 3.5.

상기 화학식 1로 표시되는 중합체의 구체적인 예로 하기 화학식 3 내지 6 의 중합체가 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the polymer represented by Formula 1 include the polymers of the following Formulas 3 to 6. However, the present invention is not limited thereto.

Figure 112009027485481-PAT00006
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Figure 112009027485481-PAT00007
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Figure 112009027485481-PAT00008
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Figure 112009027485481-PAT00009
Figure 112009027485481-PAT00009

상기 화학식 3 내지 6에서, a, b, c, d는 각각 주사슬 내에서의 반복단위를 나타내는 수로서, a+b+c+d=1이고, 0.05 〈 a/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 b/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 c/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 d/(a+b+c+d) 〈 0.95 이다.In Formulas 3 to 6, a, b, c, and d are numbers representing repeating units in the main chain, respectively, a + b + c + d = 1, and 0.05 <a / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <b / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <c / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <d / (a + b + c + d) <0.95.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지막 매립제 조성물에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an anti-reflective coating agent composition according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 실시예에 의한 매립제 조성물은 상기 화학식 1의 매립제용 공중합체 외에 흡광제와 중합체의 경화 및 성능을 향상시키기 위한 첨가제를 포함할 수 있고, 첨가제에는 가교결합제와 열산발생제를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 매립제 조성물은, 흡광제를 화합물에 포함하거나, 광흡수를 할 수 없는 중합체와 흡광제가 따로 분리되어 있을 수 있다. 통상적으로는 광흡수 화학종의 양을 조절할 수 있도록 흡광제를 따로 사용한다. 흡광제는 직쇄 또는 측쇄 말단에 가교 사이트(site)를 포함하고 있는 중합체로, 특별한 제한은 없으나, 하기 화학식 7 또는 화학식 8의 단량체형 흡광제를 포함한다.Filling agent composition according to an embodiment of the present invention may include an additive for improving the curing and performance of the light absorber and the polymer in addition to the copolymer for the landfill of the formula (1), the additive includes a crosslinking agent and a thermal acid generator do. In the buried agent composition according to an embodiment of the present invention, the light absorber may be included in the compound, or the polymer which cannot absorb light may be separated from the light absorber. Typically, a light absorber is used separately to control the amount of light absorbing species. The light absorber is a polymer including a crosslinking site at a straight or side chain terminal, and there is no particular limitation, but includes a monomer-type light absorber of the following Chemical Formula 7 or Formula 8.

Figure 112009027485481-PAT00010
Figure 112009027485481-PAT00010

상기 화학식 7에서, R8은

Figure 112009027485481-PAT00011
또는
Figure 112009027485481-PAT00012
이고, R9는 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 탄소수 1 내지 10의 알콕시를 나타낸다.In Formula 7, R 8 is
Figure 112009027485481-PAT00011
or
Figure 112009027485481-PAT00012
R 9 independently represents hydrogen, alkyl having 1 to 10 carbon atoms, or alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.

Figure 112009027485481-PAT00013
Figure 112009027485481-PAT00013

상기 화학식 8에서, R10은

Figure 112009027485481-PAT00014
또는
Figure 112009027485481-PAT00015
이고, R11은 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 탄소수 1 내지 10의 알콕시를 나타낸다.In Formula 8, R 10
Figure 112009027485481-PAT00014
or
Figure 112009027485481-PAT00015
R 11 independently represents hydrogen, alkyl having 1 to 10 carbon atoms, or alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.

가교결합제는 적어도 2 이상의 가교 형성 관능기를 갖는 화합물로, 아미노플라스틱 화합물, 다관능성 에폭시 레진, 디언하이드라이드의 혼합물 등이 있다. 가교결합제는 예컨대, 옥세타닐기(oxetanyl), 옥사졸린기(oxazolin), 시클로카보네이트기(cyclocarbonate), 알콜시릴기(alcohol silyl), 아미노메틸올기(aminomethylol), 알콕시메틸기(alkoxymethyl), 아지리디닐기(aziridinyl), 메틸올기(methylol), 이소시아네이트기(isocyanate), 알콕시메틸아미노기(alkoxymethylamino), 및 다관능성 에폭시기(multifunctional epoxy) 등으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 한다.Crosslinking agents are compounds having at least two crosslinking functional groups, and include aminoplastic compounds, polyfunctional epoxy resins, mixtures of dianhydrides, and the like. The crosslinking agent is, for example, an oxetanyl group, an oxazolin group, a cyclocarbonate group, a cyclocarbonate group, an alcoholic silyl group, an aminomethylol group, an alkoxymethyl group, an alkoxymethyl group, an aziridinyl group (aziridinyl), methylol group (methylol), isocyanate (isocyanate), alkoxymethylamino (alkoxymethylamino), and at least one selected from the group consisting of multifunctional epoxy (multifunctional epoxy).

아미노플라스틱 화합물로는, 디메톡시메틸글리코우릴(dimethoxymethylglycouril), 디에톡시메틸글리코우릴(diethoxymethylglycouril), 디메톡시메틸글리코우릴과 디에톡시메틸글리코우릴의 혼합물, 디에틸디메틸메틸글리코우릴(diethyldimethylmethylglycouril), 테트라메톡시메틸글리코우릴(tetramethoxymethylglycouril), 또는 헥사메톡시메틸 멜라민 수지(hexamethoxymethyl melamine resin) 등의 화합물이 있다. 다관능성 에폭시 화 합물로는 예컨대, MY720, CY179MA, DENACOL 등을 사용할 수 있다.Examples of the aminoplastic compounds include dimethoxymethylglycouril, diethoxymethylglycouril, mixtures of dimethoxymethylglycoril, diethoxymethylglycouril, diethoxymethylglycouril, diethyldimethylmethylglycouril, and tetramethol. There is a compound such as methoxymethylglycouril, or hexamethoxymethyl melamine resin. As the multifunctional epoxy compound, for example, MY720, CY179MA, DENACOL and the like can be used.

경화반응을 촉진하는 촉매제로서 열산발생제를 사용하는 것이 바람직한데, 예컨대 톨루엔 술폰산(toluenesulfonic acid), 톨루엔 술폰산의 아민염, 톨루엔 술폰산의 피리딘염, 알킬술폰산(alkylsulfonic acid), 알킬술폰산의 아민염, 및 알킬술폰산의 피리딘염 화합물로 이루어진 군으로부터 하나 이상을 선택하여 사용할 수 있다.It is preferable to use a thermal acid generator as a catalyst for promoting the curing reaction, such as toluene sulfonic acid, amine salt of toluene sulfonic acid, pyridine salt of toluene sulfonic acid, alkylsulfonic acid, amine salt of alkylsulfonic acid, And a pyridine salt compound of alkylsulfonic acid.

본 발명의 매립제 조성물에 사용될 수 있는 유기 용매는, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 시클로헥사논(cyclohexanone), 에틸락테이트(ethyl lactate), 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르(propylene glycol n-propyl ether), 디메틸 포름아미드(DMF), 감마-부티로락톤(γ-butyrolactone), 에톡시 에탄올(ethoxy ethanol), 메톡시 에탄올(methoxy ethanol), 메틸 3-메톡시프로피오네이트(MMP), 에틸 3-에톡시프로피오네이트(EEP) 등으로 이루어진 군으로부터 하나 이상을 선택할 수 있다.Organic solvents that can be used in the landfill compositions of the invention include propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), cyclohexanone, ethyl lactate, propylene glycol propylene glycol n-propyl ether, dimethyl formamide (DMF), gamma-butyrolactone, ethoxy ethanol, methoxy ethanol, methyl 3- One or more may be selected from the group consisting of methoxy propionate (MMP), ethyl 3-ethoxypropionate (EEP), and the like.

본 발명의 일 실시예에 따른 매립제 조성물은, 흡광제를 조성물 전체에 대하여 0.1 내지 40 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 15 중량%로 포함한다. 중합체는 조성물 전체에 대하여 0.1 내지 20 중량%로 포함함이 바람직하고, 가교결합제는 조성물 전체에 대하여 0.01 내지 15 중량%, 열산발생제는 조성물 전체에 대하여 0.01 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.01 내지 15 중량%로 포함한다.The buried agent composition according to an embodiment of the present invention, the light absorber comprises 0.1 to 40% by weight, preferably 0.1 to 15% by weight based on the whole composition. The polymer is preferably included in an amount of 0.1 to 20% by weight based on the total composition, the crosslinking agent is 0.01 to 15% by weight based on the whole composition, the thermal acid generator is 0.01 to 20% by weight, preferably 0.01 to 20% by weight of the composition 15 weight percent.

본 발명의 일 실시예에 따른 매립제 조성물을 웨이퍼 상에 도포한 후, 베이킹 등의 열공정을 수행하면 상기 열발산제로부터 산이 발생하고, 발생된 산의 존재 하에 흡광제, 중합체와 첨가제로 사용된 가교결합제 사이에 가교 반응이 촉진되어 유기 용매에 용해되지 않는 매립제가 형성된다. 이러한 매립제가 비어홀과 콘택트홀에 채워짐으로써 듀얼 다마신 공정으로 미세배선을 형성할 수 있다.After applying the landfill composition according to an embodiment of the present invention on a wafer and performing a thermal process such as baking, an acid is generated from the heat dissipating agent and used as a light absorber, a polymer and an additive in the presence of the generated acid. The crosslinking reaction is promoted between the crosslinking agents thus formed to form a landfill agent which is insoluble in an organic solvent. Since the buried agent is filled in the via hole and the contact hole, microwiring can be formed by a dual damascene process.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 매립제 조성물을 사용한 반도체 소자의 패턴 형성방법에 대하여 상세히 설명한다. 유기 매립제 조성물을 피식각층 상부에 도포하고, 도포된 조성물을 베이킹 공정을 통해 경화시키고 가교결합을 형성시켜 매립제를 퇴적하는 매립제 퇴적을 형성한 후, 매립제 상부에 포토레지스트를 도포하고 노광 후 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 매립제를 식각한 후 피식각층을 식각하여 피식각층의 패턴을 형성한다.Hereinafter, a method of forming a pattern of a semiconductor device using a buried agent composition according to an embodiment of the present invention will be described in detail. The organic landfill composition is applied over the etched layer, the applied composition is cured through a baking process and crosslinks are formed to form a landfill deposit that deposits the landfill, followed by photoresist applied over the landfill and exposed. After the development, a photoresist pattern is formed, the buried agent is etched using the photoresist pattern as an etch mask, and the etched layer is etched to form a pattern of the etched layer.

상기 베이킹 공정은 150 내지 250 ℃의 온도에서 0.5 내지 5 분간 진행함이 바람직하다. 또한, 하드 마스크를 도포한 후, 상기 형성된 스핀 온 카본 하드마스크 상부에 매립제 유무기 조성물을 적층하기 전 또는 후에 베이킹 공정을 부가적으로 진행할 수 있으며, 이러한 베이킹 공정은 70 내지 200 ℃의 온도에서 수행함이 바람직하다.The baking process is preferably carried out for 0.5 to 5 minutes at a temperature of 150 to 250 ℃. In addition, after the hard mask is applied, a baking process may be additionally performed before or after laminating the landfill organic-inorganic composition on the formed spin-on carbon hard mask, and the baking process may be performed at a temperature of 70 to 200 ° C. Preference is given to performing.

이하, 본 발명의 합성예와 실시예를 구체적으로 개시한다.Hereinafter, the synthesis examples and examples of the present invention will be described in detail.

[합성예][Synthesis Example]

합성예Synthetic example 1:  One: 매립제용Landfill 중합제Polymerizer A의 합성 Synthesis of A

말레인산 무수물 20g, 메틸 메타크릴레이트 20.42g, 시클로헥실 메타크릴레이트 34.31g, tert-부틸 메타크릴레이트 29g 및 AIBN 10.37g 을 1,4-디옥산 342g 에 용해시킨 후, 80 ℃에서 4 시간 동안 중합반응시켰다. 반응이 완료된 후, 반응 용액을 메틸알콜에 떨어뜨려 생긴 침전물을 여과하고 메틸알콜로 여러 번 세척하여 진공 건조시켰다(분자량: 7800, PDI: 2.84, 수율: 60%). 진공 건조된 중합체 62.23g과 톨루엔 설폰산 모노하이드레이트 1.03 g을 메틸알콜 342g에 섞은 후 80 ℃에서 20 시간 동안 반응시켰다. 반응이 완료된 후 반응 용액을 증류수에 떨어뜨려 생긴 침전물을 여과하고 증류수로 여러 번 세척하여 진공 건조시켰다(수율: 58%).20 g of maleic anhydride, 20.42 g of methyl methacrylate, 34.31 g of cyclohexyl methacrylate, 29 g of tert-butyl methacrylate and 10.37 g of AIBN were dissolved in 342 g of 1,4-dioxane and then polymerized at 80 ° C. for 4 hours. Reacted. After the reaction was completed, the precipitate formed by dropping the reaction solution in methyl alcohol was filtered, washed several times with methyl alcohol and dried in vacuo (molecular weight: 7800, PDI: 2.84, yield: 60%). 62.23 g of the vacuum-dried polymer and 1.03 g of toluene sulfonic acid monohydrate were mixed with 342 g of methyl alcohol and reacted at 80 ° C. for 20 hours. After the reaction was completed, the precipitate formed by dropping the reaction solution in distilled water was filtered, washed several times with distilled water and dried in vacuo (yield: 58%).

합성예Synthetic example 2:  2: 매립제용Landfill 중합체  polymer B 의B of 합성 synthesis

말레인산 무수물 20g, 메틸 메타크릴레이트 20.42g, 시클로헥실 메타크릴레이트 34.31g, 벤질 메타크릴레이트 35.93g 및 AIBN(azobisisobutyronitrile) 11.06g을 1,4-디옥산 365g 에 용해시킨 후, 80 ℃에서 4 시간 동안 중합 반응시켰다. 반응이 완료된 후, 반응 용액을 메틸알콜에 떨어뜨려 생긴 침전물을 여과하고 메틸알콜로 여러 번 세척하여 진공 건조시켰다(분자량: 7780, PDI: 2.79, 수율: 59%). 진공 건조된 중합체 65.28g과 톨루엔 설폰산 모노하이드레이트 1.1 g을 메틸알콜 365g에 섞은 후 80 ℃에서 20 시간 동안 반응시켰다. 반응이 완료된 후 반응 용액을 증류수에 떨어뜨려 생긴 침전물을 여과하고 증류수로 여러 번 세척하여 진공 건조시켰다(수율: 59%).20 g of maleic anhydride, 20.42 g of methyl methacrylate, 34.31 g of cyclohexyl methacrylate, 35.93 g of benzyl methacrylate, and 11.06 g of AIBN (azobisisobutyronitrile) were dissolved in 365 g of 1,4-dioxane, followed by 4 hours at 80 ° C. During the polymerization reaction. After the reaction was completed, the precipitate formed by dropping the reaction solution in methyl alcohol was filtered, washed several times with methyl alcohol and dried in vacuo (molecular weight: 7780, PDI: 2.79, yield: 59%). 65.28 g of the vacuum-dried polymer and 1.1 g of toluene sulfonic acid monohydrate were mixed with 365 g of methyl alcohol and reacted at 80 ° C. for 20 hours. After the reaction was completed, the precipitate formed by dropping the reaction solution in distilled water was filtered, washed several times with distilled water and dried in vacuo (yield: 59%).

합성예Synthetic example 3:  3: 매립제용Landfill 중합체  polymer C 의C 합성 synthesis

말레인산 무수물 20g, 메틸 메타크릴레이트 20.42g, 벤질 메타크릴레이트 35.93g, tert-부틸 메타크릴레이트 29g 및 AIBN 10.53g을 1,4-디옥산 347g 에 용해시킨 후, 80 ℃에서 4 시간 동안 중합 반응시켰다. 반응이 완료된 후, 반응 용액을 메틸알콜에 떨어뜨려 생긴 침전물을 여과하고 메틸알콜로 여러 번 세척하여 진공 건조시켰다(분자량: 7890, PDI: 2.82, 수율: 58%). 진공 건조된 중합체 60.1g과 톨루엔 설폰산 모노하이드레이트 1 g을 메틸알콜 347g에 섞은 후 80 ℃에서 20 시간 동안 반응시켰다. 반응이 완료된 후 반응 용액을 증류수에 떨어뜨려 생긴 침전물을 여과하고 증류수로 여러 번 세척하여 진공 건조시켰다(수율: 59%).20 g of maleic anhydride, 20.42 g of methyl methacrylate, 35.93 g of benzyl methacrylate, 29 g of tert-butyl methacrylate and 10.53 g of AIBN were dissolved in 347 g of 1,4-dioxane, and then polymerized at 80 ° C. for 4 hours. I was. After the reaction was completed, the precipitate formed by dropping the reaction solution in methyl alcohol was filtered, washed several times with methyl alcohol and dried in vacuo (molecular weight: 7890, PDI: 2.82, yield: 58%). 60.1 g of the vacuum-dried polymer and 1 g of toluene sulfonic acid monohydrate were mixed with 347 g of methyl alcohol and reacted at 80 ° C. for 20 hours. After the reaction was completed, the precipitate formed by dropping the reaction solution in distilled water was filtered, washed several times with distilled water and dried in vacuo (yield: 59%).

합성예Synthetic example 4:  4: 매립제용Landfill 중합체  polymer D 의D 합성 synthesis

말레인산 무수물 20g, 메틸 메타크릴레이트 20.42g, 벤질 메타크릴레이트 35.93g, 디에틸렌글리콜 메틸에테르 메타크릴레이트 38.38g 및 AIBN 11.47g을 1,4-디옥산 378g 에 용해시킨 후, 80 ℃에서 4 시간 동안 중합 반응시켰다. 반응이 완료된 후, 반응 용액을 메틸알콜에 떨어뜨려 생긴 침전물을 여과하고 메틸알콜로 여러 번 세척하여 진공 건조시켰다(분자량: 7900, PDI: 2.94, 수율: 62%). 진공 건조된 중합체 71.1g과 톨루엔 설폰산 모노하이드레이트 1.1 g을 메틸알콜 378g에 섞은 후 80 ℃에서 20 시간 동안 반응시켰다. 반응이 완료된 후 반응 용액을 증류수에 떨어뜨려 생긴 침전물을 여과하고 증류수로 여러 번 세척하여 진공 건조시켰다(수 율: 60%).20 g of maleic anhydride, 20.42 g of methyl methacrylate, 35.93 g of benzyl methacrylate, 38.38 g of diethylene glycol methylether methacrylate, and 11.47 g of AIBN were dissolved in 378 g of 1,4-dioxane, followed by 4 hours at 80 ° C. During the polymerization reaction. After the reaction was completed, the precipitate formed by dropping the reaction solution in methyl alcohol was filtered, washed several times with methyl alcohol and dried in vacuo (molecular weight: 7900, PDI: 2.94, yield: 62%). 71.1 g of the vacuum-dried polymer and 1.1 g of toluene sulfonic acid monohydrate were mixed with 378 g of methyl alcohol and reacted at 80 ° C. for 20 hours. After the reaction was completed, the precipitate formed by dropping the reaction solution in distilled water was filtered, washed several times with distilled water and dried in vacuo (yield: 60%).

[실시예][Example]

실시예Example 1:  One: 매립제용Landfill 조성물  Composition A 의A of 제조 Produce

상기 합성예 1에서 제조된 매립제용 중합체 1.90 g과 흡광제 2.85 g, 테트라메톡시메틸글리코우릴 1.43 g 및 열산발생제 0.10 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 93.73 g에 용해시킨 후, 지름 0.2 μm 멤브레인 필터로 여과하여 매립제용 조성물 A 를 제조하였다.1.90 g of the landfill polymer prepared in Synthesis Example 1, 2.85 g of the light absorber, 1.43 g of tetramethoxymethylglycouril, and 0.10 g of the thermal acid generator were dissolved in 93.73 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, followed by a 0.2 μm diameter membrane. Filtration with a filter produced the composition A for landfill.

실시예Example 2:  2: 매립제용Landfill 조성물  Composition B 의B of 제조 Produce

상기 합성예 2에서 제조된 매립제용 중합체 1.90 g과 흡광제 2.85 g, 테트라메톡시메틸글리코우릴 1.43 g 및 열산발생제 0.10 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 93.73 g에 용해시킨 후, 지름 0.2 μm 멤브레인 필터로 여과하여 매립제용 조성물 B 를 제조하였다.1.90 g of the landfill polymer prepared in Synthesis Example 2, 2.85 g of light absorber, 1.43 g of tetramethoxymethylglycouril, and 0.10 g of thermal acid generator were dissolved in 93.73 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, followed by a 0.2 μm membrane diameter. Filter B was used to prepare a composition B for landfill.

실시예Example 3:  3: 매립제용Landfill 조성물  Composition C 의C 제조 Produce

상기 합성예 3에서 제조된 매립제용 중합체 1.90 g과 흡광제 2.85 g, 테트라메톡시메틸글리코우릴 1.43 g 및 열산발생제 0.10 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 93.73 g에 용해시킨 후, 지름 0.2 μm 멤브레인 필터로 여과하여 매립제용 조성물 C 를 제조하였다.1.90 g of the landfill polymer prepared in Synthesis Example 3, 2.85 g of light absorber, 1.43 g of tetramethoxymethylglycouril, and 0.10 g of thermal acid generator were dissolved in 93.73 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, followed by a 0.2 μm membrane diameter. Filtration with a filter produced the composition C for landfill.

실시예Example 4:  4: 매립제용Landfill 조성물  Composition D 의D 제조 Produce

상기 합성예 4에서 제조된 매립제용 중합체 1.90 g과 흡광제 2.85 g, 테트라메톡시메틸글리코우릴 1.43 g 및 열산발생제 0.10 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 93.73 g에 용해시킨 후, 지름 0.2 μm 멤브레인 필터로 여과하여 매립제용 조성물 D 를 제조하였다.1.90 g of the landfill polymer prepared in Synthesis Example 4, 2.85 g of the light absorber, 1.43 g of the tetramethoxymethylglycouril, and 0.10 g of the thermal acid generator were dissolved in 93.73 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, followed by a 0.2 μm membrane diameter. Filtration with a filter produced the composition D for landfill.

[시험예][Test Example]

시험예Test Example 1:  One: 스트리핑Stripping 테스트 Test

상기 실시예 1 내지 4에서 제조된 매립제용 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 도포한 후, 230 ℃로 가열된 플레이트에서 1 분간 베이킹하여 매립제용 막을 형성하였다. 가교 후 매립제용 막의 두께를 측정하고, 매립제용 막이 코팅된 웨이퍼를 용매인 에틸락테이트에 1 분간 담가놓았다. 에틸락테이트를 완전히 제거하고, 100 ℃로 가열된 플레이트 상에서 1 분간 베이킹 한 후, 다시 매립제용 막의 두께를 측정하였다. 측정 결과, 실시예 1 내지 4에서 제조된 매립제용 조성물 모두에서 에틸락테이트 처리 전 및 후의 막의 두께에 변화가 없었다. 이로써 상기 실시예에 의해 제조된 매립제용 조성물들이 베이킹 공정 중 완전히 경화되어 리소그래피 공정이 진행되는 중에 포토레지스트와 혼합(intermixing)되지 않음을 확인할 수 있었다.The landfill composition prepared in Examples 1 to 4 was spin coated on a silicon wafer, and then baked for 1 minute on a plate heated at 230 ° C. to form a landfill film. After crosslinking, the thickness of the film for the landfill agent was measured, and the wafer coated with the landfill film was immersed in ethyl lactate as a solvent for 1 minute. Ethyl lactate was completely removed, baked for 1 minute on a plate heated to 100 ° C., and the thickness of the landfill film was again measured. As a result of the measurement, in all of the landfill compositions prepared in Examples 1 to 4, there was no change in the thickness of the film before and after the ethyl lactate treatment. As a result, it was confirmed that the landfill compositions prepared according to the above example were not completely mixed with the photoresist during the lithography process because they were completely cured during the baking process.

시험예Test Example 2:  2: 매립제용Landfill 막의 채움 특성 확인 Check the filling properties of the membrane

상기 실시예 1 내지 4에서 제조된 매립제용 조성물을 듀얼다마신 공정의 비어홀과 콘택트홀에 채운 후, 스핀 도포하고 230 ℃로 가열된 플레이트 상에서 1 분간 베이킹하여 매립제용 막질을 형성하였다. 상기 매립제용 막을 주사 현미경을 이용하여 확인하였다. Filling the landfill composition prepared in Examples 1 to 4 in the via hole and the contact hole of the dual damascene process, spin-coated and baked for 1 minute on a plate heated to 230 ℃ to form a film for the landfill. The embedding membrane was confirmed using a scanning microscope.

도 1은 실시예 1의 매립제용 조성물을 기판에 도포한 상태의 주사 전자현미경 사진이다. 도 1을 참조하면, 듀얼 다마신 공정의 매립 과정에서 보이드가 일어나지 않았고, 95 %이상의 충분한 매립기능을 가지며, 매립제로 충분히 채워진 후의 평탄성이 뛰어남을 확인할 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a scanning electron microscope photograph of a state in which a landfill composition of Example 1 is applied to a substrate. Referring to FIG. 1, it can be seen that voids did not occur in the buried process of the dual damascene process, having a sufficient embedding function of 95% or more, and excellent flatness after being sufficiently filled with the buried agent.

이상 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can realize that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. I can understand that.

따라서, 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive, The invention is only defined by the scope of the claims.

도 1은 실시예 1의 매립제용 조성물을 기판에 도포한 상태의 주사 전자현미경 사진이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a scanning electron microscope photograph of a state in which a landfill composition of Example 1 is applied to a substrate.

Claims (16)

하기 화학식(1)의 매립제용 공중합체.A copolymer for a landfill agent of the following formula (1).
Figure 112009027485481-PAT00016
Figure 112009027485481-PAT00016
 (1)                (One) (상기 화학식(1)에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적인 것으로, R1 은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, R2, R3 및 R4 는 각각 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 아릴알킬기를 나타내며, R5, R6 및 R7 은 각각 수소 또는 메틸기를 나타내고, a, b, c, d는 각각 주사슬 내에서의 반복단위를 나타내는 수로서, a+b+c+d=1이고, 0.05 〈 a/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 b/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 c/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 d/(a+b+c+d) 〈 0.95 이다.)(In the formula (1), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 And R 7 are independent of each other, R 1 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 2 , R 3 and R 4 Represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an arylalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, respectively, and R 5 , R 6 and R 7 Represents hydrogen or a methyl group, respectively, and a, b, c, and d are the numbers each representing a repeating unit in the main chain, a + b + c + d = 1, and 0.05 <a / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <b / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <c / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <d / (a + b + c + d ) <0.95.) 말레인산 무수물과 아크릴레이트계 화합물을 중합하여 하기 화학식(2)로 표시되는 제1 중합체를 생성하는 단계; 및Polymerizing maleic anhydride and an acrylate compound to produce a first polymer represented by the following Formula (2); And 상기 제1 중합체와 탄소수 1 내지 10의 알킬알콜을 반응시켜 하기 화학식(3)으로 표시되는 제2 중합체를 생성하는 단계를 포함하는 매립제용 공중합체의 제조 방법.A method for producing a copolymer for a landfill agent comprising the step of reacting the first polymer with an alkyl alcohol having 1 to 10 carbon atoms to produce a second polymer represented by the following Formula (3).
Figure 112009027485481-PAT00017
Figure 112009027485481-PAT00017
 (2)                  (2)
Figure 112009027485481-PAT00018
Figure 112009027485481-PAT00018
 (3)               (3) (상기 화학식 (2) 및 (3)에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적인 것으로, R1 은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, R2, R3 및 R4 는 각각 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 아릴알킬기를 나타내며, R5, R6 및 R7 은 각각 수소 또는 메틸기를 나타내고, a, b, c, d는 각각 주사슬 내에서의 반복단위를 나타내는 수로서, a+b+c+d=1이고, 0.05 〈 a/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 b/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 c/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 d/(a+b+c+d) 〈 0.95 이다.)(In the formulas (2) and (3), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 And R 7 are independent of each other, R 1 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 2 , R 3 and R 4 Represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an arylalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, respectively, and R 5 , R 6 and R 7 Represents hydrogen or a methyl group, respectively, and a, b, c, and d are the numbers each representing a repeating unit in the main chain, a + b + c + d = 1, and 0.05 <a / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <b / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <c / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <d / (a + b + c + d ) <0.95.) 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 아크릴레이트계 화합물은, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소 프로필아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, n-프로필메타크릴레이트, tert-부틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 1-나프틸메틸메타크릴레이트, 2-나프틸메틸메타크릴레이트, 9-안트릴메틸메타크릴레이트, 1-안트릴메틸메타크릴레이트 및 2-안트릴메틸메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 매립제용 공중합체의 제조방법.The acrylate compound is methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, n-propyl acrylate, n-butyl acrylate, isobornyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, methyl methacrylate, Ethyl methacrylate, isopropyl methacrylate, n-propyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, isobornyl methacrylate , Diethylene glycol monomethyl ether methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, benzyl methacrylate, 1-naphthylmethyl methacrylate, 2-naphthylmethyl methacrylate, 9-anthrylmethyl methacrylate Landfill agent, characterized in that at least one selected from the group consisting of 1-anthrylmethylmethacrylate and 2-anthrylmethylmethacrylate Method for producing a copolymer for use. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 중합은 괴상 중합, 용액 중합, 현탁 중합, 괴상현탁 중합, 유화 중합 또는 라디칼 중합인 것을 특징으로 하는 매립제용 공중합체의 제조방법.The polymerization is a method for producing a copolymer for a landfill agent, characterized in that the bulk polymerization, solution polymerization, suspension polymerization, bulk suspension polymerization, emulsion polymerization or radical polymerization. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 라디칼 중합을 위한 중합 개시제는 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일 퍼옥시드, 라우릴 퍼옥시드, 아조비스이소카프로니트릴, 아조비스이소 발레로니트릴 및 t-부틸 히드로퍼옥시드로로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 매립제용 공중합체의 제조방법.The polymerization initiator for the radical polymerization is at least one from the group consisting of azobisisobutyronitrile, benzoyl peroxide, lauryl peroxide, azobisisocapronitrile, azobisiso valeronitrile and t-butyl hydroperoxide Method for producing a copolymer for a landfill, characterized in that selected. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 라디칼 중합을 위한 중합 용매는 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 할로겐화벤젠, 디에틸에테르, 테트라하이드로퓨란, 에스테르류, 에테르류, 락톤류, 케톤류 및 아미드류로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 매립제용 공중합체의 제조방법.The polymerization solvent for the radical polymerization is at least one selected from the group consisting of benzene, toluene, xylene, halogenated benzene, diethyl ether, tetrahydrofuran, esters, ethers, lactones, ketones and amides. The manufacturing method of the copolymer for embedding agents to be used. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 중합체의 겔퍼미션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 1,000 내지 100,000 인 것을 특징으로 하는 매립제용 공중합체의 제조방법.Polystyrene conversion weight average molecular weight by gel permeation chromatography of the first polymer is a method for producing a copolymer for a landfill agent, characterized in that 1,000 to 100,000. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 중합체의 분자량 분포는 1.0 내지 5.0 인 것을 특징으로 하는 매립제용 공중합체의 제조방법.The molecular weight distribution of the first polymer is a method for producing a copolymer for a landfill, characterized in that 1.0 to 5.0. 하기 화학식 (4)로 표시되는 매립제용 공중합체, 흡광제, 열산발생제 및 가교결합제를 포함하는 매립제 조성물.A landfill composition comprising a copolymer for a landfill agent represented by the following formula (4), a light absorber, a thermal acid generator, and a crosslinking agent.
Figure 112009027485481-PAT00019
Figure 112009027485481-PAT00019
 (4)                  (4) (상기 화학식(4)에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적인 것으로, R1 은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, R2, R3 및 R4 는 각각 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 아릴알킬기를 나타내며, R5, R6 및 R7 은 각각 수소 또는 메틸기를 나타내고, a, b, c, d는 각각 주사슬 내에서의 반복단위를 나타내는 수로서, a+b+c+d=1이고, 0.05 〈 a/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 b/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 c/(a+b+c+d) 〈 0.95, 0.05 〈 d/(a+b+c+d) 〈 0.95 이다.)(In the formula (4), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 And R 7 are independent of each other, R 1 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 2 , R 3 and R 4 Represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an arylalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, respectively, and R 5 , R 6 and R 7 Represents hydrogen or a methyl group, respectively, and a, b, c, and d are the numbers each representing a repeating unit in the main chain, a + b + c + d = 1, and 0.05 <a / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <b / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <c / (a + b + c + d) <0.95, 0.05 <d / (a + b + c + d ) <0.95.) 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 흡광제는 하기 화학식 (5) 또는 (6) 의 단량체형 흡광제를 포함하는 것을 특징으로 하는 매립제 조성물.The light absorbent comprises a monomer-type light absorber of the formula (5) or (6).
Figure 112009027485481-PAT00020
Figure 112009027485481-PAT00020
 (5)          (5) (상기 화학식(5)에서, R8은
Figure 112009027485481-PAT00021
또는
Figure 112009027485481-PAT00022
이고, R9는 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 탄소수 1 내지 10의 알콕시를 나타낸다.)(In the formula (5), R 8 is
Figure 112009027485481-PAT00021
or
Figure 112009027485481-PAT00022
R 9 independently represents hydrogen, alkyl having 1 to 10 carbon atoms, or alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.)
Figure 112009027485481-PAT00023
Figure 112009027485481-PAT00023
 (6)   (6) (상기 화학식(6)에서, R10은
Figure 112009027485481-PAT00024
또는
Figure 112009027485481-PAT00025
이고, R11는 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 탄소수 1 내지 10의 알콕시를 나타낸다.)(In the formula (6), R 10 is
Figure 112009027485481-PAT00024
or
Figure 112009027485481-PAT00025
R 11 independently represents hydrogen, alkyl having 1 to 10 carbon atoms, or alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.) 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 가교결합제는 적어도 2 이상의 가교형성 관능기를 갖는 화합물로서, 아미노플라스틱 화합물, 다관능성 에폭시 레진, 언하이드라이드(anhydride) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 매립제 조성물.The crosslinking agent is a compound having at least two or more cross-linking functional groups, at least one landfill composition, characterized in that selected from the group consisting of aminoplastic compounds, polyfunctional epoxy resins, anhydrides and mixtures thereof. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 가교결합제는 옥세타닐기, 옥사졸린기, 시클로카보네이트기, 알콜시릴 기, 아미노메틸올기, 알콕시메틸기, 아지리디닐기, 메틸올기, 이소시아네이트기, 알콕시메틸아미노기 및 다관능성 에폭시기로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 매립제 조성물.The crosslinking agent is at least one selected from the group consisting of an oxetanyl group, an oxazoline group, a cyclocarbonate group, an alcohol cyryl group, an aminomethylol group, an alkoxymethyl group, an aziridinyl group, a methylol group, an isocyanate group, an alkoxymethylamino group and a polyfunctional epoxy group A landfill composition, characterized in that selected. 제11항에 있어서, The method of claim 11, 상기 아미노플라스틱 화합물은 디메톡시메틸글리코우릴, 디에톡시메틸글리코우릴, 디메톡시메틸글리코우릴과 디에톡시메틸글리코우릴의 혼합물, 디에틸디메틸메틸글리코우릴, 테트라메톡시메틸글리코우릴 및 헥사메톡시메틸 멜라민 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 매립제 조성물.The aminoplastic compound is dimethoxymethylglycouril, diethoxymethylglycouril, a mixture of dimethoxymethylglycouril and diethoxymethylglycouril, diethyldimethylmethylglycouril, tetramethoxymethylglycouril and hexamethoxymethyl melamine A landfill composition, characterized in that at least one selected from the group consisting of resins. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 열산발생제는 톨루엔술폰산, 톨루엔술폰산의 아민염, 톨루엔술폰산의 피리딘염, 알킬술폰산, 알킬술폰산의 아민염 및 알킬술폰산의 피리딘염 화합물로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 매립제 조성물.The thermal acid generator is at least one selected from the group consisting of toluenesulfonic acid, amine salt of toluenesulfonic acid, pyridine salt of toluenesulfonic acid, alkylsulfonic acid, amine salt of alkylsulfonic acid and pyridine salt compound of alkylsulfonic acid. . 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 매립제 조성물의 제조에 사용되는 유기 용매는, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 시클로헥사논, 에틸락테이트, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 디메틸 포름아미드(DMF), 감마-부티로락톤, 에톡시 에탄올, 메톡시 에탄올, 메틸 3-메톡시프로피오 네이트(MMP) 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트(EEP)로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 매립제 조성물.Organic solvents used in the preparation of the landfill composition include propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), cyclohexanone, ethyl lactate, propylene glycol n-propyl ether, dimethyl formamide (DMF), gamma-butyrolactone, ethoxy ethanol, methoxy ethanol, methyl 3-methoxypropionate (MMP) and ethyl 3-ethoxypropionate (EEP) A landfill composition, characterized in that. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 매립제용 공중합체 0.1 내지 30 중량%, 흡광제 0.1 내지 50 중량%, 열산발생제 0.01 내지 30 중량% 및 가교결합제 0.01 내지 25 중량% 를 포함하는 것을 특징으로 하는 매립제 조성물.A landfill composition comprising 0.1 to 30% by weight of a copolymer for a landfill agent, 0.1 to 50% by weight of a light absorber, 0.01 to 30% by weight of a thermal acid generator, and 0.01 to 25% by weight of a crosslinking agent.
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