KR20100119489A - A method for forming pattern, an apparatus for forming pattern, and a method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

A method for forming pattern, an apparatus for forming pattern, and a method for manufacturing semiconductor device Download PDF

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KR20100119489A
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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

PURPOSE: A method for forming pattern, an apparatus for forming pattern, and a method for manufacturing semiconductor device are provided to increase processing capacity in forming a pattern through an implant method. CONSTITUTION: A target processing maintenance unit(5) holds a target. A template maintaining unit(6) holds a template having a conducive pattern unit. A controller(1) interpose a contactor in the pattern unit to apply power to the pattern unit before hardening an implant material. The contactor is relatively moved to the pattern unit while being contact with a power source.

Description

패턴 형성 방법, 패턴 형성 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{A METHOD FOR FORMING PATTERN, AN APPARATUS FOR FORMING PATTERN, AND A METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}Pattern forming method, pattern forming apparatus and semiconductor device manufacturing method {A METHOD FOR FORMING PATTERN, AN APPARATUS FOR FORMING PATTERN, AND A METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 출원은 일본 특허 출원 제2009-110295호(2009년 4월 30일)에 기초한 것으로서, 그 우선권을 주장하며, 그 전체 내용이 본 명세서에서 참조로서 원용된다.This application is based on the JP Patent application 2009-110295 (April 30, 2009), and claims the priority, The whole content is taken in here as a reference.

본 발명은, 패턴 형성 방법, 패턴 형성 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pattern forming method, a pattern forming apparatus and a manufacturing method of a semiconductor device.

최근, 반도체 디바이스의 패턴 형성에 임프린트 기술이 이용되기 시작하고 있다. 예를 들어 일본 특허 공개 제2008-68612호 공보에는 광 조사 방식의 임프린트 기술이 제안되어 있다. 이것은, 자외선 경화 수지인 임프린트재가 도포된 기판에, 요철 형상의 패턴이 형성된 템플릿을 가압하여 자외선을 조사함으로써 임프린트재를 경화시켜, 템플릿에 형성되어 있는 패턴의 등배(等倍) 패턴을 임프린트재에 전사하는 것이다.In recent years, imprint technology has begun to be used for pattern formation of semiconductor devices. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2008-68612 discloses an imprint technique of a light irradiation method. This pressurizes the template in which the uneven pattern is formed on the board | substrate to which the imprint material which is ultraviolet curable resin was apply | coated, and irradiates an ultraviolet-ray to harden an imprint material, and the pattern of the pattern formed in a template is imposed on the imprint material. It is to die.

[특허문헌1]일본특허공개제2008-68612호공보[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 2008-68612

템플릿을 경화 전의 임프린트재에 가압하는 공정에서는, 임프린트재를 간극 없이 템플릿의 패턴으로 인입시키기 위해 시간을 필요로 하고 있고, 이것이 임프린트법을 이용한 패턴 형성에 있어서의 처리량 향상을 방해하는 요인의 하나로 되고 있었다.In the process of pressurizing the template to the imprint material before curing, time is required to introduce the imprint material into the pattern of the template without a gap, which is one of the factors that hinders the throughput improvement in the pattern formation using the imprint method. there was.

본 발명의 일 형태에 따르면, 피가공체 상에 유전체인 임프린트재를 미경화 상태에서 공급하는 공정과, 상기 임프린트재를 경화시키기 전에, 상기 피가공체와, 상기 피가공체에 대향되는 템플릿의 도전성의 패턴부와의 사이에 전위차를 발생시켜, 상기 임프린트재에 유전 분극을 발생시키는 공정과, 상기 패턴부를 상기 미경화 상태의 임프린트재에 접촉시키는 공정과, 상기 패턴부를 상기 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시키는 공정과, 상기 임프린트재의 경화 후, 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법이 제공된다.According to one embodiment of the present invention, there is provided a process of supplying an imprint material, which is a dielectric material, on a workpiece in an uncured state, and before curing the imprint material, the workpiece and the template opposed to the workpiece. Generating a potential difference between the conductive pattern portion and generating dielectric polarization in the imprint material; contacting the pattern portion with the imprint material in the uncured state; and contacting the pattern portion with the imprint material. And a step of curing the imprint material in a state and a step of peeling the template from the imprint material after curing of the imprint material.

또한, 본 발명의 다른 일 형태에 따르면, 피가공체를 유지 가능한 피가공체 유지부와, 도전성의 패턴부를 갖는 템플릿을 유지 가능한 템플릿 유지부와, 전원과 접속됨과 함께 상기 패턴부에 대하여 상대 이동하여 접촉 가능한 접촉자와, 상기 피가공체 유지부 및 상기 템플릿 유지부를 접근시켜, 상기 패턴부를 상기 피가공체 상에 공급된 미경화 상태의 유전체인 임프린트재에 접촉시키고, 상기 임프린트재의 경화 후에 상기 피가공체 유지부 및 상기 템플릿 유지부를 이격시키는 이동 기구와, 상기 임프린트재를 경화시키기 전에, 상기 패턴부에 접촉한 상기 접촉자를 개재하여 상기 패턴부에 전압을 인가하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 패턴 형성 장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a workpiece holding portion capable of holding a workpiece, a template holding portion capable of holding a template having conductive pattern portions, and a relative movement with respect to the pattern portion while being connected to a power source. Contact with the contactable member, the workpiece holding portion and the template holding portion to bring the pattern portion into contact with an imprint material which is an uncured dielectric material supplied on the workpiece, and after curing of the imprint material A moving mechanism separating the workpiece holding portion and the template holding portion, and a control portion for applying a voltage to the pattern portion via the contactor in contact with the pattern portion before curing the imprint material. A pattern forming apparatus is provided.

또한, 본 발명의 또 다른 일 형태에 따르면, 피가공체 상에 유전체인 임프린트재를 미경화 상태에서 공급하는 공정과, 상기 임프린트재를 경화시키기 전에, 상기 피가공체와, 상기 피가공체에 대향되는 템플릿의 도전성의 패턴부와의 사이에 전위차를 발생시켜, 상기 임프린트재에 유전 분극을 발생시키는 공정과, 상기 패턴부를 상기 미경화 상태의 임프린트재에 접촉시키는 공정과, 상기 패턴부를 상기 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시키는 공정과, 상기 임프린트재의 경화 후, 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하는 공정과, 상기 템플릿이 박리된 상기 임프린트재를 마스크로 하여, 상기 피가공체를 가공하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a process of supplying an imprint material, which is a dielectric material, onto a workpiece in an uncured state, and before hardening the imprint material, to the workpiece and the workpiece. Generating a potential difference between the conductive pattern portions of the opposing template to generate dielectric polarization in the imprint material; contacting the pattern portions with the unprinted imprint material; and imprinting the pattern portions with the imprint material. A process of hardening the said imprint material in the state which contacted the ash, the process of peeling the said template from the said imprint material after hardening of the said imprint material, and the said to-be-processed object using the said imprint material from which the said template was peeled off as a mask Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step of processing a semiconductor device.

본 발명에 따르면, 템플릿을 경화 전의 임프린트재에 가압하는 공정에서, 임프린트재를 간극 없이 템플릿의 패턴으로 인입시키기 위해 시간을 필요로 하지 않아, 임프린트법을 이용한 패턴 형성에 있어서의 처리량을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, in the step of pressing the template onto the imprint material before curing, no time is required to introduce the imprint material into the pattern of the template without a gap, so that the throughput in pattern formation using the imprint method can be improved. have.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 블록도.
도 2의 (a) 내지 도 2의 (e)는, 본 발명의 실시 형태에 관한 패턴 형성에 사용하는 템플릿의 제조 방법을 도시하는 모식도.
도 3의 (a) 내지 도 4의 (c)는, 본 발명의 실시 형태에 관한 패턴 형성 방법을 도시하는 모식도.1 is a block diagram showing a configuration of a pattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 (a) to 2 (e) are schematic diagrams illustrating a method for producing a template used for pattern formation according to the embodiment of the present invention.
3 (a) to 4 (c) are schematic diagrams illustrating a pattern forming method according to the embodiment of the present invention.

템플릿을 미경화 상태의 임프린트재에 가압하는 공정에서는, 임프린트재를 간극 없이 템플릿에 있어서의 요철 패턴의 오목부에 인입시키기 위해 10초 정도의 시간을 필요로 하는 일이 있었다. 통상, 템플릿에 있어서의 패턴이 형성된 표면에는, 경화한 임프린트재를 템플릿으로부터 깨끗하게 이형할 수 있도록 이형재가 코팅되고, 그 이형재와 임프린트재와의 습윤성이 좋지 않은 것이, 패턴 오목부로의 임프린트재의 신속한 충전을 방해하는 요인의 하나로 고려된다.In the step of pressing the template to the imprint material in the uncured state, a time of about 10 seconds may be required to introduce the imprint material into the concave portion of the uneven pattern in the template without a gap. Usually, a release material is coated on the surface on which the pattern in the template is formed so that the cured imprint material can be released from the template cleanly, and the wettability of the release material and the imprint material is poor, and thus the rapid filling of the imprint material into the pattern recess. It is considered as one of the factors that hinders.

이형재의 양을 줄이면, 이형에 필요로 하는 시간을 길게 해야만 한다. 즉, 템플릿을 천천히 임프린트재로부터 박리하지 않으면, 템플릿의 패턴부로부터 임프린트재가 깨끗하게 박리되지 않아, 임프린트재 패턴에 결손이 발생하는 일이 일어날 수 있다.If the amount of release material is reduced, the time required for release must be increased. That is, if the template is not slowly peeled off from the imprint material, the imprint material may not be peeled cleanly from the pattern portion of the template, and defects may occur in the imprint material pattern.

또한, 압전 박막 소자를 임프린트용의 금형의 내측에 형성하고, 그 압전 박막 소자를 수축시켜 이형하기 쉽게 하는 제안도 있다. 그러나, 이것은 임프린트재의 경화 후에 압전 박막 소자에 전압을 인가하여 압전 박막 소자를 구동시킴으로써 이형성 향상을 도모하고 있는 것에 지나지 않아, 미경화 임프린트재의 템플릿 패턴으로의 신속한 충전을 촉진하는 것은 아니다. 또한, 특히 반도체 디바이스의 패턴과 같이 미세하고 고정밀도가 요구되는 패턴의 전사 정밀도를 확보하는 점에서는 템플릿 패턴부는, 팽창, 수축 등 하지 않고 기계적 강도가 높은 재질로 구성되는 것이 바람직하다.There is also a proposal to form a piezoelectric thin film element inside the mold for imprint, to shrink the piezoelectric thin film element and to easily release the same. However, this is only intended to improve releasability by applying a voltage to the piezoelectric thin film element after curing the imprint material to drive the piezoelectric thin film element, and does not promote rapid filling of the uncured imprint material into the template pattern. In particular, the template pattern portion is preferably made of a material having high mechanical strength without expansion, contraction, or the like in order to secure the transfer accuracy of a pattern requiring a fine and high precision, such as a pattern of a semiconductor device.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 패턴 형성 장치의 구성을 도시하는 블록도이다.1 is a block diagram showing the configuration of a pattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 실시 형태에 관한 패턴 형성 장치는, 주로, 패턴 형성 대상인 피가공체와, 템플릿을 서로 대향시킨 상태에서 유지하는 유지부(4)와, 유지부(4)의 이동 기구(2)와, 템플릿의 패턴부가 형성된 후술하는 도전막에 접촉하는 접촉자(7)와, 접촉자(7)에 전압을 공급하는 전원(3)과, 이동 기구(2)나 전원(3)의 동작을 제어하는 제어부(1)를 구비하고 있다.The pattern forming apparatus according to the present embodiment mainly includes the workpiece to be pattern-formed, the holding portion 4 holding the template in a state in which the templates face each other, the moving mechanism 2 of the holding portion 4, and the template. The contactor 7 which contacts the electrically conductive film mentioned later in which the pattern part of this invention was formed, the power supply 3 which supplies a voltage to the contactor 7, and the control part 1 which controls the operation | movement of the moving mechanism 2 or the power supply 3 ).

유지부(4)는, 피가공체를 유지하는 피가공체 유지부(5)와 템플릿을 유지하는 템플릿 유지부(6)를 갖는다. 이동 기구(2)는, 후술하는 바와 같이 대향하여 설치된 피가공체 유지부(5)와 템플릿 유지부(6)를 상대적으로 접근ㆍ이격시킨다.The holding | maintenance part 4 has the to-be-processed body holding part 5 which hold | maintains a to-be-processed object, and the template holding part 6 which hold | maintains a template. The moving mechanism 2 relatively moves and spaces the workpiece holding part 5 and the template holding part 6 which are provided to face each other as described later.

다음에, 본 발명의 실시 형태에 관한 패턴 형성 방법에 대하여 설명한다. 우선, 도 2를 참조하여, 템플릿의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, the pattern formation method which concerns on embodiment of this invention is demonstrated. First, the manufacturing method of a template is demonstrated with reference to FIG.

본 실시 형태에서는, 도 2의 (e)에 도시한 바와 같이, 템플릿(10)은, 예를 들어 석영제의 기판(11)에 대하여 도전성을 갖는 패턴부(15)가 형성된 구조를 갖는다.In the present embodiment, as shown in FIG. 2E, the template 10 has a structure in which a conductive pattern portion 15 is formed, for example, with respect to the substrate 11 made of quartz.

우선, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 석영제의 기판(11) 상에 도전막(12)을 형성한다. 도전막(12)은, 예를 들어, 불순물을 도핑하여 도전성을 갖게 한 DLC(Diamond Like Carbon)막이다. 또한, 도전막(12) 상에 크롬(Cr)막(13)을 성막하고, 또한 그 위에 전자선용 레지스트막(14)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, a conductive film 12 is formed on a quartz substrate 11. The conductive film 12 is, for example, a DLC (Diamond Like Carbon) film which is made conductive by doping impurities. Further, a chromium (Cr) film 13 is formed on the conductive film 12, and an electron beam resist film 14 is formed thereon.

다음에, 레지스트막(14)에 대하여 전자선 묘화를 행한 후, 레지스트막(14)을 현상함으로써, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 레지스트막(14)에 패턴이 형성된다.Next, after electron beam drawing is performed on the resist film 14, the resist film 14 is developed, so that a pattern is formed in the resist film 14 as shown in FIG.

다음에, 패턴이 형성된 레지스트막(14)을 마스크로 하여 크롬막(13)을 건식 에칭하여 선택적으로 제거하고, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이 크롬막(13)에 패턴을 형성한다. 이 후, 그 패턴이 형성된 크롬막(13)을 마스크로 하여 도전막(12)을 건식 에칭하여 선택적으로 제거하고, 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이 도전막(12)에 패턴을 형성한다Next, the chromium film 13 is dry-etched and selectively removed using the resist film 14 having a pattern as a mask, and a pattern is formed in the chromium film 13 as shown in Fig. 2C. . Thereafter, the conductive film 12 is dry-etched and selectively removed using the chromium film 13 having the pattern as a mask, and a pattern is formed in the conductive film 12 as shown in FIG. do

또한, 도전막(12)에 대한 레지스트막(14)의 에칭 선택비가 비교적 높은 경우에는, 도전막(12) 상에 직접 레지스트막(14)을 형성하여, 그 레지스트막(14)의 패터닝을 행하고, 그 패터닝된 레지스트막(14)을 마스크로 하여 도전막(12)의 패터닝을 행해도 된다.In addition, when the etching selectivity of the resist film 14 with respect to the conductive film 12 is comparatively high, the resist film 14 is formed directly on the conductive film 12, and the resist film 14 is patterned. The conductive film 12 may be patterned using the patterned resist film 14 as a mask.

도 2의 (d)의 공정 후, 도전막(12) 상에 남아 있는 크롬막(13)을 제거하여, 도 2의 (e)에 도시한 템플릿(10)이 얻어진다. 도전막(12)에 요철 형상의 패턴이 형성된 패턴부(15)는, 기판(11)에 있어서의 면 방향의 중앙부에 형성되어 있다.After the process of FIG. 2D, the chromium film 13 remaining on the conductive film 12 is removed to obtain the template 10 shown in FIG. 2E. The pattern part 15 in which the uneven | corrugated pattern was formed in the conductive film 12 is formed in the center part of the surface direction in the board | substrate 11. As shown in FIG.

도시에서는, 기판(11)의 두께는 균일하지만, 통상, 패턴부(15)가 형성된 중앙부보다도 외측의 부분은 얇게 되고, 패턴부(15)가 다른 부분보다도 돌출된 소위 메사 구조로 된다. 이에 의해, 패턴부(15)만을 임프린트재와 접촉시킬 수 있고, 필요 이상의 면적에 걸친 템플릿(10)과 임프린트재의 접촉을 피할 수 있어, 이형을 용이하게 한다.In the figure, although the thickness of the board | substrate 11 is uniform, the part of outer side rather than the center part in which the pattern part 15 was formed is thin, and it is what is called a mesa structure in which the pattern part 15 protruded rather than another part. As a result, only the pattern portion 15 can be brought into contact with the imprint material, and contact between the template 10 and the imprint material over an area larger than necessary can be avoided, thereby facilitating mold release.

다음에, 도 3, 도 4를 참조하여, 상기 템플릿(10)을 사용한 패턴 형성 방법에 대하여 설명한다.Next, with reference to FIG. 3, FIG. 4, the pattern formation method using the said template 10 is demonstrated.

도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 피가공체(20)는 피가공체 유지부(5) 상에 유지되고, 템플릿(10)은 피가공체 유지부(5)의 상방에 대향하여 설치된 템플릿 유지부(6)에 유지된다. 피가공체 유지부(5)는 예를 들어 진공 척 기구를 갖는다. 마찬가지로, 템플릿 유지부(6)도 진공 척 기구를 갖는다. 또한, 도 3의 (b) 이후에서는 피가공체 유지부(5) 및 템플릿 유지부(6)의 도시를 생략한다.As shown in FIG. 3A, the workpiece 20 is held on the workpiece holding portion 5, and the template 10 faces upwardly of the workpiece holding portion 5. It is held in the installed template holding part 6. The workpiece holding portion 5 has a vacuum chuck mechanism, for example. Similarly, the template holder 6 also has a vacuum chuck mechanism. In addition, after FIG.3 (b), illustration of the to-be-processed object holding part 5 and the template holding part 6 is abbreviate | omitted.

피가공체(20)는 예를 들어 실리콘 등의 반도체 웨이퍼이며, 그 피가공체(20)는 피가공면을 위를 향한 상태에서 피가공체 유지부(5)에 유지된다. 피가공체(20)에 있어서의 피가공면 상에는 임프린트재(21)가 공급된다. 임프린트재(21)는 유전체이며, 예를 들어 자외선 경화형 수지이다. 임프린트재(21)는, 액상 혹은 페이스트상의 미경화의 상태에서 피가공체(20) 상에 공급된다.The workpiece 20 is, for example, a semiconductor wafer such as silicon, and the workpiece 20 is held by the workpiece holding portion 5 in a state where the workpiece surface faces upward. The imprint material 21 is supplied on the to-be-processed surface in the to-be-processed object 20. The imprint material 21 is a dielectric material, for example, an ultraviolet curable resin. The imprint material 21 is supplied on the to-be-processed object 20 in the liquid or paste-like uncured state.

템플릿(10)은, 그 도전막(12)에 형성된 패턴부(15)를 피가공체(20) 상에 공급된 임프린트재(21)에 대향시킨 상태에서 템플릿 유지부(6)에 유지된다The template 10 is held by the template holding part 6 in a state in which the pattern part 15 formed on the conductive film 12 is opposed to the imprint material 21 supplied on the workpiece 20.

도 3의 (a)에 도시한 상태에서, 도 1에 도시한 제어부(1)의 제어 하에 이동 기구(2)에 의해, 템플릿 유지부(6)와 피가공체 유지부(5)를 상대적으로 접근시킨다. 여기서는, 피가공체 유지부(5)는 정지한 상태에서, 템플릿 유지부(6)를 하강시킨다. 물론, 템플릿 유지부(6)를 정지한 상태에서 피가공체 유지부(5)를 상승시켜도 되고, 혹은 양자를 각각 이동시켜 접근시켜도 된다.In the state shown in FIG. 3A, the template holding part 6 and the workpiece holding part 5 are relatively controlled by the moving mechanism 2 under the control of the control part 1 shown in FIG. Approach. Here, the to-be-processed object holding part 5 lowers the template holding part 6 in the state which stopped. Of course, in the state which stopped the template holding part 6, the to-be-processed object holding part 5 may be raised, or both may be moved and approached, respectively.

템플릿(10)을 임프린트재(21)에 근접해 갈 때, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 템플릿(10)에 있어서의 도전성의 패턴부(15)에 정전압을 인가한다. 구체적으로는, 전원(3)과 접속된 접촉자(7)를 패턴부(15)가 형성된 도전막(12) 표면에 접촉시켜 패턴부(15)에 전압을 인가한다.When the template 10 approaches the imprint material 21, as shown in FIG. 3B, a constant voltage is applied to the conductive pattern portion 15 in the template 10. Specifically, the contactor 7 connected to the power source 3 is brought into contact with the surface of the conductive film 12 having the pattern portion 15 to apply a voltage to the pattern portion 15.

예를 들어, 접촉자(7)는 접촉자 홀더(8)에 외팔보 지지되어 있다. 접촉자 홀더(8)는 도시하지 않은 접촉자 이동 기구에 의해 도전막(12)에 대하여 이동 가능하게 되어 있다. 접촉자(7)는, 패턴부(15)보다 외측의 템플릿(10)과 피가공체(20)와의 대향 공간에서 도전막(12)에 대하여 압접하여 패턴부(15)와 전기적으로 접속된다. 또한, 템플릿(10)의 측면에 노출되어 있는 도전막(12)의 측면에, 접촉자(7)를 접촉시켜도 된다.For example, the contact 7 is cantilevered to the contact holder 8. The contact holder 8 is movable with respect to the conductive film 12 by a contactor moving mechanism (not shown). The contactor 7 is pressed against the conductive film 12 in an opposing space between the template 10 outside the pattern portion 15 and the workpiece 20 to be electrically connected to the pattern portion 15. In addition, the contactor 7 may be brought into contact with the side surface of the conductive film 12 exposed on the side surface of the template 10.

피가공체(20)는 접지되어 있다. 이것은, 피가공체(20)를 직접 접지시켜도 되고, 피가공체 유지부(5)의 쪽을 직접 접지시키고, 그 피가공체 유지부(5)를 통해 피가공체(20)가 접지하도록 해도 된다.The workpiece 20 is grounded. This may cause the workpiece 20 to be directly grounded, the workpiece holding portion 5 may be directly grounded, and the workpiece 20 may be grounded through the workpiece holding portion 5. do.

템플릿(10)의 하강에 의해, 템플릿(10)의 패턴부(15)는, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 미경화 상태의 임프린트재(21)에 접촉하여 가압된다. 이때, 패턴부(15)에 정전압이 인가되고, 피가공체(20)는 접지되어 있기 때문에, 패턴부(15)와 피가공체(20) 사이에 전위차(전계)가 발생한다. 이 전계에 의해, 유전체인 임프린트재(21)에 유전 분극이 발생한다.As the template 10 is lowered, the pattern portion 15 of the template 10 is pressed against the imprint material 21 in an uncured state, as shown in Fig. 3C. At this time, since a constant voltage is applied to the pattern portion 15 and the workpiece 20 is grounded, a potential difference (electric field) is generated between the pattern portion 15 and the workpiece 20. By this electric field, dielectric polarization occurs in the imprint material 21 which is a dielectric.

즉, 정전위가 공급된 패턴부(15)에 가까운 임프린트재(21)의 표면측에 부전하가 나타나고, 임프린트재(21)와 패턴부(15) 사이에 정전 인력이 작용한다. 이 정전 인력에 의해, 임프린트재(21)가 패턴부(15)에 끌어당겨진다. 이 결과, 십수㎚ 내지 수십㎚의 매우 미세한 패턴 오목부(홈)에도 순시에 임프린트재(21)가 인입되어, 불과 1초라는 가압 시간에 모든 패턴 오목부에 임프린트재(21)를 충전시킬 수 있다.That is, a negative charge appears on the surface side of the imprint material 21 near the pattern portion 15 supplied with the electrostatic potential, and an electrostatic attraction acts between the imprint material 21 and the pattern portion 15. By this electrostatic attraction, the imprint material 21 is attracted to the pattern portion 15. As a result, the imprint material 21 is instantaneously introduced into the very fine pattern recesses (grooves) of several tens of nm to several tens of nm, and the imprint material 21 can be filled in all the pattern recesses in a pressing time of only 1 second. have.

다음에, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 템플릿(10)의 상방으로부터 자외선을 조사한다. 석영인 기판(11) 및 DLC막인 도전막(12)은, 자외선에 대한 투과성을 갖기 때문에, 임프린트재(21)에 자외선은 도달한다. 예를 들어 1초 정도 자외선을 조사함으로써, 임프린트재(21)는 경화한다.Next, as shown in Fig. 3D, ultraviolet rays are irradiated from above the template 10. Since the substrate 11, which is quartz, and the conductive film 12, which is a DLC film, have transparency to ultraviolet rays, ultraviolet rays reach the imprint material 21. For example, the imprint material 21 cures by irradiating ultraviolet light for about 1 second.

임프린트재(21)를 경화시킨 후, 템플릿 유지부(6)를 상승시켜, 임프린트재(21)로부터 템플릿(10)을 박리한다. 이때, 템플릿(10)의 패턴부(15)로의 전압 인가를 정지함으로써, 패턴부(15)와 임프린트재(21) 사이의 정전 인력을 소멸시켜, 용이하게 템플릿(10)을 임프린트재(21)로부터 박리할 수 있다.After hardening the imprint material 21, the template holding part 6 is raised and the template 10 is peeled off from the imprint material 21. FIG. At this time, by stopping the application of the voltage to the pattern portion 15 of the template 10, the electrostatic attraction between the pattern portion 15 and the imprint material 21 is dissipated, so that the template 10 can be easily moved to the imprint material 21. Can be peeled off.

혹은, 템플릿(10)을 박리하기 직전에, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 전술한 가압 공정시의 정전압과는 반대의 부전압을 패턴부(15)에 단시간(예를 들어 0.1초)만 인가함으로써, 패턴부(15)와 임프린트재(21) 사이에 척력이 발생하여, 순시에 템플릿(10)을 임프린트재(21)로부터 박리하는 것이 가능해진다.Alternatively, immediately before the template 10 is peeled off, as shown in FIG. 4A, a negative voltage opposite to the constant voltage during the pressing process described above is applied to the pattern portion 15 for a short time (for example, 0.1). By applying only), repulsive force is generated between the pattern portion 15 and the imprint material 21, and the template 10 can be peeled off from the imprint material 21 at once.

유전체인 임프린트재(21) 내에서는 도전막(12) 내에 비해 전하의 이동이 늦고, 도전막(12) 즉 패턴부(15) 표면에 부전위가 공급되어도 이것에 대향하는 임프린트재(21) 표면에는 바로 정전하가 나타나지 않아, 소정의 시간은 도 3의 (b)에 도시한 바와 같은 분극 상태가 유지된다. 따라서, 부전위가 공급된 패턴부(15)와, 부전하가 나타나고 있는 임프린트재(21)의 표면측과의 사이에 척력이 작용하여, 패턴부(15)에 임프린트재(21)가 갖고 가는 일 없이 순시에 패턴부(15)와 임프린트재(21)를 분리할 수 있다.In the imprint material 21, which is a dielectric, the movement of charges is slower than that in the conductive film 12, and even if a negative potential is supplied to the surface of the conductive film 12, that is, the pattern portion 15, the surface of the imprint material 21 facing the same Does not appear immediately, the polarization state as shown in Fig. 3B is maintained for a predetermined time. Therefore, a repulsive force acts between the pattern part 15 to which the negative potential was supplied, and the surface side of the imprint material 21 in which the negative charge was exhibited, and the imprint material 21 takes the pattern part 15 to carry. The pattern portion 15 and the imprint material 21 can be separated at once without work.

이와 같이 패턴부(15)와 임프린트재(21) 사이에 척력을 발생시켜 양자를 분리함으로써, 임프린트재(21)가 패턴부(15)에 있어서의 특히 오목부(홈)에 남게 되는 이형 결함을, 종래의 1/5 정도로 저감시키는 것을 확인할 수 있었다. 구체적으로는, 종래 0.2개/㎠ 정도의 이형 결함이 발생하고 있었지만, 본 실시 형태의 방법을 이용함으로써 0.04개/㎠로 결함 개수가 저감되었다.Thus, by generating a repulsive force between the pattern portion 15 and the imprint material 21 to separate both, release defects in which the imprint material 21 remains in the recesses (grooves), particularly in the pattern portion 15. It was confirmed that it was reduced to about 1/5 of the conventional one. Specifically, release defects of about 0.2 pieces / cm 2 were conventionally produced, but the number of defects was reduced to 0.04 pieces / cm 2 by using the method of the present embodiment.

템플릿(10)을 박리함으로써, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 피가공체(20) 상에, 경화한 임프린트재(21)의 패턴이 형성된다. 이 패턴은, 템플릿(10)에 형성된 요철 형상 패턴의 반전 패턴이다. 그리고, 그 패터닝된 임프린트재(21)를 마스크로 하여 피가공체(20)에 대하여 에칭 등의 가공을 행함으로써, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 피가공체(20)에 요철 형상의 패턴이 형성된다.By peeling the template 10, as shown in FIG.4 (b), the pattern of the hardened imprint material 21 is formed on the to-be-processed object 20. FIG. This pattern is an inversion pattern of the uneven pattern formed in the template 10. Then, the processed object 20 is subjected to processing such as etching using the patterned imprint material 21 as a mask, so that the workpiece 20 is uneven as shown in FIG. A pattern of shapes is formed.

피가공체(20)는, 예를 들어, 실리콘 등의 기판 상에 형성된 절연막, 반도체막, 도전막, 혹은 기판 자체이다. 즉, 본 실시 형태에 관한 패턴 형성 방법은, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정에 상당한다.The workpiece 20 is, for example, an insulating film, a semiconductor film, a conductive film, or the substrate itself formed on a substrate such as silicon. That is, the pattern formation method which concerns on this embodiment is corresponded to one part process in the manufacturing method of a semiconductor device.

종래, 하프 피치 20㎚ 정도의 미세 요철 패턴이 형성된 템플릿을 미경화 상태의 임프린트재에 가압하는 공정에 있어서, 임프린트재를 간극 없이 패턴 오목부에 인입시키기 위해 10초 정도의 시간을 필요로 하고 있었다. 또한, 임프린트재로부터 템플릿을 박리하는 데 있어서는, 이형 결함을 막기 위해 15초 정도의 시간을 들여 천천히 행하고 있었다. 그로 인해, 1회의 패턴 전사에 30초 가까운 시간이 걸리고 있었다.Conventionally, in the step of pressing a template on which a fine concavo-convex pattern having a half pitch of about 20 nm is formed on an uncured imprint material, a time of about 10 seconds is required to introduce the imprint material into the pattern recess without a gap. . Moreover, in peeling a template from an imprint material, in order to prevent a mold release defect, it carried out slowly about 15 seconds. Therefore, it took about 30 seconds for one pattern transfer.

이에 반해, 패턴부(15)와 피가공체(20) 사이에 전위차를 발생시키는 본 실시 형태에서는, 패턴부(15)를 미경화 상태의 임프린트재(21)에 가압하는 시간은 1초 정도로 종래의 1/10의 시간으로도, 임프린트재(21)를 간극 없이 패턴 오목부에 인입시키는 것이 가능하다. 또한, 임프린트재(21)로부터 템플릿(10)을 박리하기 직전에, 그들 양자의 가압시에 패턴부(15)와 피가공체(20) 사이에 공급되어 있었던 전계의 역방향의 전계를 공급함으로써, 이형 결함을 발생시키지 않고 순시에 양자를 분리할 수 있다.On the other hand, in this embodiment which produces a potential difference between the pattern part 15 and the to-be-processed object 20, the time to press the pattern part 15 to the imprint material 21 of an unhardened state is conventionally about 1 second. Even with 1/10 of the time, the imprint material 21 can be led into the pattern recess without gaps. In addition, immediately before peeling the template 10 from the imprint material 21, by supplying an electric field in the reverse direction of the electric field supplied between the pattern portion 15 and the workpiece 20 at the time of pressing them, Both can be separated in an instant without generating a release defect.

결과적으로, 본 실시 형태에서는, 하프 피치 20㎚ 정도의 미세 패턴을 임프린트법에 의해 3초 정도로 형성하는 것이 가능하게 되었다. 이에 의해, 처리량이 향상되어, 반도체 장치의 제조 비용을 크게 저감시키는 것이 가능해진다. 나아가 결함수도 저감시킬 수 있기 때문에, 이것도 반도체 장치 제조 비용을 크게 저감시키는 것으로 이어진다.As a result, in the present embodiment, it is possible to form a fine pattern having a half pitch of about 20 nm by about 3 seconds by the imprint method. As a result, the throughput is improved and the manufacturing cost of the semiconductor device can be greatly reduced. Furthermore, since the number of defects can also be reduced, this also leads to a large reduction in the cost of manufacturing a semiconductor device.

패턴부(15)가 형성된 도전막(12)에 전압을 인가하는 타이밍은, 템플릿(10)을 임프린트재(21)에 근접하고 있을 때이어도 되고, 패턴부(15)가 임프린트재(21)에 접촉한 후이어도 된다. 패턴부(15)가 임프린트재(21)에 접촉하기 전의 시점으로부터 도전막(12)에 전압을 인가해 두면, 패턴부(15)가 임프린트재(21)에 접촉한 그 순간으로부터 즉시 임프린트재(21)가 패턴부(15)에 끌어당겨지므로, 보다 가압 시간의 단축을 도모할 수 있다.The timing of applying a voltage to the conductive film 12 on which the pattern portion 15 is formed may be when the template 10 is close to the imprint material 21, and the pattern portion 15 is applied to the imprint material 21. It may be after contact. When the voltage is applied to the conductive film 12 from the time point before the pattern portion 15 contacts the imprint material 21, the imprint material immediately after the pattern 15 is in contact with the imprint material 21 ( Since 21 is attracted to the pattern portion 15, the pressing time can be shortened.

전술한 효과를 얻기 위해서는, 유전 분극한 임프린트재(21) 표면과, 패턴부(15)와의 사이에 정전 인력이 작용하도록 도전막(12)과 피가공체(20) 사이에 전위차를 발생시키면 된다. 따라서, 전압 인가의 형태는 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 도전막(12)을 접지하고, 피가공체(20)에 전압을 인가해도 되고, 혹은 도전막(12)과 피가공체(20)의 양쪽에 전압을 인가해도 된다.In order to obtain the above-mentioned effects, a potential difference may be generated between the conductive film 12 and the workpiece 20 so that electrostatic attraction acts between the surface of the dielectric-imprinted imprint material 21 and the pattern portion 15. . Therefore, the form of voltage application is not limited to the said embodiment. The conductive film 12 may be grounded and a voltage may be applied to the workpiece 20, or a voltage may be applied to both the conductive film 12 and the workpiece 20.

도전막(12)과 피가공체(20) 사이의 전위차가 지나치게 작으면 임프린트재(21)를 패턴부(15)에 끌어당기는 힘이 약해지고, 반대로 지나치게 크면 도전막(12)과 피가공체(20) 사이의 공간(예를 들어 대기압 분위기)에서의 방전에 의한 패턴부(15)의 결손이나 손상이 우려된다. 이 점을 고려하면, 도전막(12)과 피가공체(20) 사이에 발생시키는 전위차는 30 내지 800V의 범위가 바람직하다. 이 전위차 범위로 설정하는 것은, 임프린트재(21)로부터 템플릿(10)을 박리하기 직전에 전압 인가할 때에도 바람직하다.If the potential difference between the conductive film 12 and the workpiece 20 is too small, the force to pull the imprint material 21 to the pattern portion 15 becomes weak. On the contrary, if the potential difference is too large, the conductive film 12 and the workpiece ( There is a fear that the pattern portion 15 may be missing or damaged due to the discharge in the space between the layers 20 (for example, atmospheric pressure atmosphere). In view of this point, the potential difference generated between the conductive film 12 and the workpiece 20 is preferably in the range of 30 to 800V. Setting to this potential difference range is also preferable when voltage is applied just before peeling the template 10 from the imprint material 21.

또한, 도전막(12) 및 피가공체(20)의 한쪽에 전압을 인가하고, 다른 쪽은 플로팅의 상태이어도 된다. 단, 한쪽에 정 또는 부전압을 인가하고, 다른 쪽에는 한쪽과는 반대 극성의 전압을 인가 또는 접지한 쪽이, 도전막(12)과 피가공체(20) 사이에 발생하는 전위차를 정확하게 파악할 수 있어, 원하는 전위차(예를 들어 30 내지 800V)로의 제어성이 우수하다.In addition, a voltage may be applied to one of the conductive film 12 and the workpiece 20, and the other may be in a floating state. However, a positive or negative voltage is applied to one side and a voltage applied or grounded to the opposite side to the other side can accurately grasp the potential difference generated between the conductive film 12 and the workpiece 20. It is excellent in controllability to desired electric potential difference (for example, 30-800V).

도전막(12)이나 피가공체(20)에 대한 전압의 인가, 정지, 나아가 이형시에 있어서의 반대 극성 전압으로의 절환 등은, 도 1에 도시한 제어부(1)의 제어에 기초하여 행하여진다.The application of the voltage to the conductive film 12 and the workpiece 20, the stop, and the switching to the opposite polarity voltage at the time of release are performed based on the control of the controller 1 shown in FIG. Lose.

미세 요철 형상의 패턴이 형성되는 도전막(12)에는, 도전성 이외에도, 기계적 강도, 자외선에 대한 투과성이 요구된다. 이러한 조건을 만족하는 재료로서는, DLC 이외에도, ITO(indium Tin Oxide), 인듐 산화물, 루테늄 산화물 등을 예로 들 수 있다. 이 중에서도 DLC는 기계적 강도가 우수하고, 미세 패턴을 고정밀도로 전사하는 데 있어서 보다 바람직하다고 할 수 있다.In addition to electroconductivity, mechanical strength and permeability to ultraviolet rays are required for the conductive film 12 in which the fine uneven pattern is formed. Examples of the material that satisfies these conditions include ITO (indium tin oxide), indium oxide, ruthenium oxide, and the like in addition to DLC. Among these, DLC is excellent in mechanical strength, and it can be said that it is more preferable in transferring a fine pattern with high precision.

패턴부(15)를 임프린트재(21)에 가압하여, 패턴 오목부로의 임프린트재(21)의 충전이 완료된 후에는, 상기 전위차를 발생시키는 전압 인가를 정지해도 된다. 단, 가압 공정 후에도, 경화 공정을 거쳐 템플릿(10)을 박리하기 직전까지 상기 전위차를 발생시켜 임프린트재(21)에 유전 분극을 발생시켜 두면, 도전막(12)에 대하여 인가하고 있는 전압의 극성을 절환함으로써, 임프린트재(21) 표면과 패턴부(15) 사이에 전술한 척력을 발생시켜 순시에 양자를 분리할 수 있다.After the pattern portion 15 is pressed against the imprint material 21 and charging of the imprint material 21 to the pattern recess is completed, the voltage application for generating the potential difference may be stopped. However, even after the pressurization step, if the above-described potential difference is generated until the template 10 is peeled off through the curing step and the dielectric polarization is generated in the imprint material 21, the polarity of the voltage applied to the conductive film 12 is applied. By switching over, the aforementioned repulsive force is generated between the surface of the imprint material 21 and the pattern portion 15, so that both can be separated at once.

임프린트재를 경화시키는 데 있어서는, 열 경화 방식을 채용해도 된다. 단, 열 경화 방식에서는 패턴의 열팽창이 우려되어, 반도체 디바이스와 같이 미세하고 고정밀도인 패턴이 요구되는 용도에는 광 경화 방식이 바람직하다.In hardening an imprint material, you may employ | adopt a thermosetting system. However, in the thermosetting method, thermal expansion of a pattern is feared, and the photocuring method is preferable for the use which requires a fine and high precision pattern like a semiconductor device.

Claims (20)

패턴 형성 방법으로서,
피가공체 상에 유전체인 임프린트재를 미경화 상태에서 공급하는 공정과,
상기 임프린트재를 경화시키기 전에, 상기 피가공체와, 상기 피가공체에 대향되는 템플릿의 도전성의 패턴부와의 사이에 전위차를 발생시켜, 상기 임프린트재에 유전 분극을 발생시키는 공정과,
상기 패턴부를 상기 미경화 상태의 임프린트재에 접촉시키는 공정과,
상기 패턴부를 상기 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시키는 공정과,
상기 임프린트재의 경화 후, 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.As a pattern formation method,
Supplying an imprint material, which is a dielectric, on the workpiece to be uncured;
Before hardening the imprint material, generating a potential difference between the workpiece and the conductive pattern portion of the template opposed to the workpiece to generate a dielectric polarization in the imprint material;
Contacting the pattern portion with the unprinted imprint material;
Curing the imprint material in a state where the pattern portion is in contact with the imprint material;
And a step of peeling the template from the imprint material after curing of the imprint material. 제1항에 있어서, 상기 피가공체 및 상기 패턴부의 한쪽에 전압을 인가하고, 다른 쪽은 접지함으로써, 상기 피가공체와 상기 패턴부 사이에 상기 전위차를 발생시키는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The pattern forming method according to claim 1, wherein a voltage is applied to one of the workpiece and the pattern portion, and the other is grounded to generate the potential difference between the workpiece and the pattern portion. 제1항에 있어서, 상기 피가공체 및 상기 패턴부의 한쪽에 전압을 인가하고, 다른 쪽에는 상기 한쪽에 인가한 전압의 반대 극성의 전압을 인가함으로써, 상기 피가공체와 상기 패턴부 사이에 상기 전위차를 발생시키는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method according to claim 1, wherein a voltage is applied to one of the workpiece and the pattern portion, and a voltage of a polarity opposite to the voltage applied to the other is applied to the workpiece and the pattern portion. A method of forming a pattern, characterized by generating a potential difference. 제1항에 있어서, 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하기 직전에, 상기 전위차를 발생시키고 있었던 전계의 역방향의 전계를 상기 패턴부와 상기 피가공체 사이에 발생시키는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The pattern formation method of Claim 1 which produces the electric field of the reverse direction of the electric field which was generating the said electric potential difference between the said pattern part and the to-be-processed object immediately before peeling the said template from the said imprint material. 제4항에 있어서, 상기 피가공체와 상기 패턴부 사이에 상기 전위차를 발생시킨 후, 상기 역방향의 전계로 절환할 때까지 상기 전위차가 발생한 상태를 유지해 두는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The pattern formation method according to claim 4, wherein the potential difference is generated between the workpiece and the pattern portion until the potential difference is generated until the potential difference is changed to the reverse electric field. 제1항에 있어서, 상기 패턴부가 상기 임프린트재에 접촉하기 전부터, 상기 피가공체와 상기 패턴부 사이에 상기 전위차를 발생시켜 두는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The pattern forming method according to claim 1, wherein the potential difference is generated between the workpiece and the pattern portion before the pattern portion contacts the imprint material. 제1항에 있어서, 상기 전위차를 소멸시킨 상태에서, 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The pattern forming method according to claim 1, wherein the template is peeled from the imprint material in a state where the potential difference is eliminated. 제1항에 있어서, 상기 패턴부는 DLC(Diamond Like Carbon)막에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method of claim 1, wherein the pattern portion is formed on a diamond like carbon (DLC) film. 제1항에 있어서, 상기 임프린트재는 자외선 경화형 수지이며,
상기 템플릿은 자외선에 대한 투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method of claim 1, wherein the imprint material is an ultraviolet curable resin,
The template is a pattern forming method, characterized in that having a transmission to ultraviolet. 패턴 형성 장치로서,
피가공체를 유지 가능한 피가공체 유지부와,
도전성의 패턴부를 갖는 템플릿을 유지 가능한 템플릿 유지부와,
전원과 접속됨과 함께 상기 패턴부에 대하여 상대 이동하여 접촉 가능한 접촉자와,
상기 피가공체 유지부 및 상기 템플릿 유지부를 접근시켜, 상기 패턴부를 상기 피가공체 상에 공급된 미경화 상태의 유전체인 임프린트재에 접촉시키고, 상기 임프린트재의 경화 후에 상기 피가공체 유지부 및 상기 템플릿 유지부를 이격시키는 이동 기구와,
상기 임프린트재를 경화시키기 전에, 상기 패턴부에 접촉한 상기 접촉자를 개재하여 상기 패턴부에 전압을 인가하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 패턴 형성 장치.As a pattern forming apparatus,
A workpiece holding part capable of holding the workpiece,
A template holding portion capable of holding a template having conductive pattern portions,
A contactor which is connected to a power source and which can be brought into relative contact with the pattern portion,
The workpiece holding portion and the template holding portion are brought close to each other so that the pattern portion is brought into contact with an imprint material which is an uncured dielectric material supplied on the workpiece, and the workpiece holding portion and the workpiece are formed after curing of the imprint material. A moving mechanism spaced apart from the template holder;
And a control unit for applying a voltage to the pattern portion via the contactor in contact with the pattern portion before curing the imprint material. 제10항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 임프린트재의 경화 후에 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하기 직전에, 상기 임프린트재를 경화시키기 전에 인가한 상기 전압의 반대 극성의 전압을 상기 접촉자를 개재하여 상기 패턴부에 인가하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 장치.The said control part is a said control part via the said contactor through the voltage of the opposite polarity of the said voltage applied before hardening the said imprint material just after peeling the said template from the said imprint material after hardening of the said imprint material. It is applied to a pattern part, The pattern forming apparatus characterized by the above-mentioned. 반도체 장치의 제조 방법으로서,
피가공체 상에 유전체인 임프린트재를 미경화 상태에서 공급하는 공정과,
상기 임프린트재를 경화시키기 전에, 상기 피가공체와, 상기 피가공체에 대향되는 템플릿의 도전성의 패턴부와의 사이에 전위차를 발생시켜, 상기 임프린트재에 유전 분극을 발생시키는 공정과,
상기 패턴부를 상기 미경화 상태의 임프린트재에 접촉시키는 공정과,
상기 패턴부를 상기 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시키는 공정과,
상기 임프린트재의 경화 후, 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하는 공정과,
상기 템플릿이 박리된 상기 임프린트재를 마스크로 하여, 상기 피가공체를 가공하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.As a manufacturing method of a semiconductor device,
Supplying an imprint material, which is a dielectric, on the workpiece to be uncured;
Before hardening the imprint material, generating a potential difference between the workpiece and the conductive pattern portion of the template opposed to the workpiece to generate a dielectric polarization in the imprint material;
Contacting the pattern portion with the unprinted imprint material;
Curing the imprint material in a state where the pattern portion is in contact with the imprint material;
Peeling the template from the imprint material after curing of the imprint material;
And a step of processing the workpiece by using the imprint material from which the template has been peeled off as a mask. 제12항에 있어서, 상기 피가공체 및 상기 패턴부의 한쪽에 전압을 인가하고, 다른 쪽은 접지함으로써, 상기 피가공체와 상기 패턴부 사이에 상기 전위차를 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device according to claim 12, wherein the potential difference is generated between the workpiece and the pattern portion by applying a voltage to one of the workpiece and the pattern portion and grounding the other. Way. 제12항에 있어서, 상기 피가공체 및 상기 패턴부의 한쪽에 전압을 인가하고, 다른 쪽에는 상기 한쪽에 인가한 전압의 반대 극성의 전압을 인가함으로써, 상기 피가공체와 상기 패턴부 사이에 상기 전위차를 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method according to claim 12, wherein a voltage is applied to one of the workpiece and the pattern portion, and a voltage of a polarity opposite to the voltage applied to the other is applied to the workpiece and the pattern portion. A potential difference is generated, The manufacturing method of a semiconductor device characterized by the above-mentioned. 제12항에 있어서, 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하기 직전에, 상기 전위차를 발생시키고 있었던 전계의 역방향의 전계를 상기 패턴부와 상기 피가공체 사이에 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The semiconductor device according to claim 12, wherein an electric field in a reverse direction of the electric field that has generated the potential difference is generated between the pattern portion and the workpiece immediately before the template is peeled from the imprint material. Way. 제15항에 있어서, 상기 피가공체와 상기 패턴부 사이에 상기 전위차를 발생시킨 후, 상기 역방향의 전계로 절환할 때까지 상기 전위차가 발생한 상태를 유지해 두는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 15, wherein the potential difference is generated between the workpiece and the pattern portion until the potential difference is generated until the electric field is switched to the reverse electric field. 제12항에 있어서, 상기 패턴부가 상기 임프린트재에 접촉하기 전부터, 상기 피가공체와 상기 패턴부 사이에 상기 전위차를 발생시켜 두는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법,The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the potential difference is generated between the workpiece and the pattern portion before the pattern portion contacts the imprint material. 제12항에 있어서, 상기 전위차를 소멸시킨 상태에서, 상기 임프린트재로부터 상기 템플릿을 박리하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the template is peeled from the imprint material in a state where the potential difference is eliminated. 제12항에 있어서, 상기 패턴부는, DLC(Diamond Like Carbon)막에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the pattern portion is formed in a DLC (Diamond Like Carbon) film. 제12항에 있어서, 상기 임프린트재는 자외선 경화형 수지이며,
상기 템플릿은, 자외선에 대한 투과성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 12, wherein the imprint material is an ultraviolet curable resin,
The template has a transparency to ultraviolet rays. The method of manufacturing a semiconductor device.
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