KR20100112838A - Method of cleaning process chamber - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for cleaning a process chamber is provided to prevent the contamination of a thin film due to a residual product by discharging the residual product to the outside of a process chamber. CONSTITUTION: A process chamber(12) provides a sealed reaction space. A gas spraying device(14) sprays source gas, reactive gas, and purge gas. A substrate(16) is settled in a substrate stand(18). A gas supplying pipe(20) supplies the source gas, the reactive gas, and the purge gas to the gas spraying device. An exhaust pipe(22) exhausts the gas of the reactive space.

Description

공정챔버의 세정방법{Method of Cleaning Process Chamber}Method of Cleaning Process Chamber

본 발명은 금속질화물 박막을 증착하는 공정챔버를 세정하는 공정챔버의 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a process chamber cleaning method for cleaning a process chamber for depositing a metal nitride thin film.

일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. In general, in order to manufacture a semiconductor device, a display device, and a thin film solar cell, a thin film deposition process of depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process of exposing or hiding selected areas of the thin films using a photosensitive material, The thin film is removed and patterned through an etching process.

박막증착공정에서 금속 유기물의 전구체를 이용하여 금속질화물의 박막을 기판 상에 증착하는 경우, 금속 유기물의 전구체가 다량의 탄소를 포함하고 있어, 탄소를 포함하는 반응 부산물이 생성되어 공정챔버의 내벽에 흡착된다. 공정챔버의 내벽에 흡착된 탄소를 포함한 부산물은 원활하게 분해되어 배출되기 어렵고, 탄소를 포함한 부산물이 축적되면, 박리현상 등에 의해 미립자 형태로 기판 상에 적하되어 기판 상에 증착되는 박막의 특성을 저하시키는 문제를 야기할 수 있다. In the case of depositing a thin film of metal nitride on a substrate by using a precursor of a metal organic material in a thin film deposition process, the precursor of the metal organic material contains a large amount of carbon, and a reaction by-product containing carbon is generated to form an inner wall of the process chamber. Is adsorbed. By-products containing carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber are not easily decomposed and discharged, and when the by-products containing carbon accumulate, they are dropped onto the substrate in the form of fine particles by peeling and the like, thereby degrading the characteristics of the thin film deposited on the substrate. Can cause problems.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 공정챔버의 내벽에 탄소를 포함한 반응 부산물의 흡착을 방지하기 위하여, 소스가스 및 반응가스의 반응에 의해 금속질화물이 형성될 수 있도록 기판과 공정챔버의 내벽을 각각 제 1 온도와 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 유지한 상태에서 금속질화물을 형성하고, 세정가스에 의해 공정챔버의 내벽에 부착된 금속질화물을 제거하는 공정챔버의 세정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. In order to solve the above problems, the present invention, in order to prevent the adsorption of reaction by-products including carbon on the inner wall of the process chamber, so that the metal nitride can be formed by the reaction of the source gas and the reaction gas of the substrate and the process chamber Provided is a process chamber cleaning method for forming a metal nitride in a state where the inner wall is maintained at a first temperature and a second temperature lower than the first temperature, respectively, and removing the metal nitride adhered to the inner wall of the process chamber by a cleaning gas. For the purpose of

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 공정챔버의 세정방법은, 내벽을 가지는 공정챔버를 준비하는 단계; 상기 공정챔버의 내부에 기판을 안치시키는 단계; 소스가스로써 전이금속을 포함한 금속 유기물의 전구체와 반응가스로써 질소를 포함한 물질이 반응하여 금속질화물을 형성할 수 있도록, 상기 기판은 제 1 온도를 유지하고, 상기 공정챔버의 상기 내벽은 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도를 유지시키는 단계; 상기 소스가스와 상기 반응가스를 공급하여, 상기 금속질화물을 상기 기판 상에 제 1 두께로 형성하고, 상기 내벽에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성하는 단계; 상기 공정챔버의 외부로 상기 기판을 반출시키는 단계; 상기 공정챔버에 식각가스를 공급하여, 상기 내벽의 상기 금속질화물을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Cleaning process chamber according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of preparing a process chamber having an inner wall; Placing a substrate in the process chamber; The substrate maintains a first temperature so that the precursor of the metal organic material including the transition metal as the source gas and the material containing nitrogen as the reaction gas react to form the metal nitride, and the inner wall of the process chamber is the first wall. Maintaining a second temperature lower than the temperature; Supplying the source gas and the reaction gas to form the metal nitride on a first thickness on the substrate and to form a second thickness on the inner wall at a second thickness smaller than the first thickness; Carrying out the substrate to the outside of the process chamber; And supplying an etching gas to the process chamber to etch the metal nitride of the inner wall.

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 전이금속은 Ti, Ta 및 Hf 중 하나을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 한다.In the process chamber cleaning method as described above, the transition metal is characterized in that to use one selected from Ti, Ta and Hf.

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 금속질화물은 TiN인 것을 특징으로 한다.In the process chamber cleaning method as described above, the metal nitride is TiN.

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 금속 유기물의 전구체는 TDMAT(tetrakis-(dimethylamido) titanium: Ti[N(CH3)2]4), TDEAT(tetrakis-(diethylamido) titanium: Ti[N(C2H5)2]4), TTIP(Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti(OCH3H7)4), 및 TEMAT(tetrakis-(ethylmethylamino) titanium: Ti[N(CH3)(CH2CH3)]4) 중 하나를 선택하여 사용하고, 상기 반응가스는 해리된 질소 혹은 NH3를 사용하는 것을 특징으로 한다.In the process chamber cleaning method as described above, the precursor of the metal organic material is TDMAT (tetrakis- (dimethylamido) titanium: Ti [N (CH 3 ) 2 ] 4 ), TDEAT (tetrakis- (diethylamido) titanium: Ti [N (C 2 H 5 ) 2 ] 4 ), TTIP (Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti (OCH 3 H 7 ) 4 ), and TEMAT (tetrakis- (ethylmethylamino) titanium: Ti [N (CH 3 ) (CH 2 CH 3 ) 4 ) One of the selected and the reaction gas is characterized in that using dissociated nitrogen or NH 3 .

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 제 1 온도는 240도 내지 300도이고, 상기 제 2 온도는 160도 내지 200도인 것을 특징으로 한다.In the process chamber cleaning method as described above, the first temperature is 240 degrees to 300 degrees, and the second temperature is characterized in that 160 to 200 degrees.

상기와 같은 공정챔버의 세정방법에 있어서, 상기 식각가스는 ClF3인 것을 특징으로 한다. In the process chamber cleaning method as described above, the etching gas is characterized in that ClF 3 .

본 발명에 따른 공정챔버의 세정방법은 다음과 같은 효과가 있다.The cleaning method of the process chamber according to the present invention has the following effects.

금속 유기물의 전구체를 사용하는 소스가스와 질소를 포함한 반응가스의 반응에 의해 금속질화물이 증착될 수 있도록, 기판과 공정챔버의 내벽을 각각 제 1 온도와 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 유지시키고, 소스가스와 반응가스의 공급에 의해 금속질화물을 기판 상에 제 1 두께로 형성하고 공정챔버의 내벽에 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성한다. 금속질화물의 증착공정 동안, 소스가스와 반응가스의 반응에 의해 금속질화물이 형성되는 온도는 금속 유기물의 전구체에 의해 발생되는 탄소를 함유한 반응 부산물이 잔류하기에는 너무 높은 온도이므로, 반응 부산물은 공정챔버의 내벽에 흡착되지 않고 공정챔버의 외부로 배출된다. The inner walls of the substrate and the process chamber are maintained at a first temperature and a second temperature lower than the first temperature so that metal nitrides can be deposited by reaction of a source gas using a precursor of a metal organic material and a reaction gas containing nitrogen. The metal nitride is formed to a first thickness on the substrate by the supply of the source gas and the reactant gas, and is formed to a second thickness thinner than the first thickness on the inner wall of the process chamber. During the deposition process of the metal nitride, the temperature at which the metal nitride is formed by the reaction of the source gas and the reaction gas is so high that carbon-containing reaction by-products generated by the precursor of the metal organic matter remain, so that the reaction by-products are formed in the process chamber. It is not adsorbed on the inner wall of the chamber and discharged to the outside of the process chamber.

따라서, 금속질화물의 증착공정 동안, 탄소를 함유한 반응 부산물은 공정챔버의 외부로 배출되어, 실질적으로 공정챔버의 내벽에 흡착되지 않는다. 세정가스에 의해 분해되기 어려운 탄소를 함유한 반응 부산물이 공정챔버의 내벽에 흡착되지 않으므로, 공정챔버의 세정이 용이하고, 반응 부산물에 의해 기판 상에 증착되는 박막이 오염되지 않으므로 박막의 특성을 개선할 수 있다.Therefore, during the deposition process of the metal nitride, carbon-containing reaction by-products are discharged to the outside of the process chamber, and are not substantially adsorbed to the inner wall of the process chamber. Since reaction by-products containing carbon, which are difficult to be decomposed by the cleaning gas, are not adsorbed on the inner wall of the process chamber, the process chambers are easily cleaned, and the thin films deposited on the substrate are not contaminated by the reaction by-products, thereby improving the characteristics of the thin films. can do.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 내부 구성도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 TiN 박막의 증착률을 도시한 그래프이다. 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하면 다음과 같다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an internal configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a deposition of a TiN thin film according to an embodiment of the present invention. It is a graph showing the rate. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1과 같이 박막증착을 위한 기판처리장치(10)는, 밀폐된 반응공간을 제공하는 공정챔버(12), 공정챔버(12)의 내부에 설치되고, 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스를 분사하기 위한 가스분사장치(14), 가스분사장치(14)의 하부에 설치되고 기판(16)이 안치되는 기판 안치대(18), 가스분사장치(14)에 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스를 공급하는 가스공급관(20) 및 반응공간의 가스를 배기시키는 배기구(22)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 for thin film deposition is installed in a process chamber 12 and a process chamber 12 that provide a closed reaction space, and spray source gas, reaction gas, and purge gas. Source gas, reactive gas, and purge gas to the gas injection device 14, the substrate support 18 installed on the lower part of the gas injection device 14, and the substrate 16 placed thereon, and the gas injection device 14. It includes a gas supply pipe 20 for supplying and an exhaust port 22 for exhausting the gas in the reaction space.

기판안치수단(18)은 공정챔버(12)에서 저면의 중심을 관통하여, 공정챔버(12) 외부의 구동장치(도시하지 않음)와 연결되어 승강 또는 하강이 가능한 샤프트(32), 샤프트(32)와 연결되는 메인 서셉터(34) 및 메인 서셉터(34)에 설치되어 기판(16)이 안치되는 다수의 서브 서셉터(36)으로 구성된다. 도 1과 같은 기판처리장치(10)는 가스분사장치(14) 및 기판안치수단(18) 중에 하나가 회전하거나, 또는 가스분사장치(14) 및 기판안치수단(18)가 서로 반대방향 또는 동일방향으로 모두 회전할 수 있다. The substrate placing means 18 passes through the center of the bottom surface of the process chamber 12, and is connected to a driving device (not shown) outside the process chamber 12 to enable the lifting and lowering of the shaft 32 and the shaft 32. ) And a plurality of sub susceptors 36 installed on the main susceptor 34 connected to the main susceptor 34 and on which the substrate 16 is placed. In the substrate treating apparatus 10 as shown in FIG. Can rotate in both directions.

도 1에서 기판안치수단(18)은 샤프트(32), 메인 서셉터(34) 및 다수의 서브 서셉터(36)로 구성되어 있으나, 도면으로 도시하지 않았지만, 필요에 따라, 메인 서셉터(34) 상에 기판(16)이 안치되는 기판안치영역을 정의하고, 기판안치영역에 메인 서셉터(34)를 관통하고 수직으로 승하강 가능한 다수의 핀을 설치하여, 다수 의 핀의 승하강에 의해 기판(16)을 안치 또는 반출할 수 있는 기판안치수단(18)을 설치할 수 있다. In FIG. 1, the substrate mounting means 18 is composed of a shaft 32, a main susceptor 34 and a plurality of sub susceptors 36. Although not shown in the drawing, if necessary, the main susceptor 34 is required. Defines a substrate settling area on which the substrate 16 is placed, and installs a plurality of pins that penetrate the main susceptor 34 and vertically move up and down in the settling area. The substrate mounting means 18 which can settle or carry out the board | substrate 16 can be provided.

도 2와 같이, 가스분사장치(14)는 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스를 공급하기 위한 다수의 공급관을 포함하는 가스공급관(20), 가스공급관(20)과 연결되는 제 1 내지 제 4 가스분사기(22, 24, 26, 28)로 구성된다. 제 1 내지 제 4 가스 분사기(22, 24, 26, 28)의 하면에는 가스를 분사하기 위한 다수의 가스분사홀(30)이 설치된다. 도 2에서는 4 개의 가스분사기를 도시하였지만, 필요에 따라 8 개의 가스분사기를 설치할 수 있다. 제 1 및 제 3 가스 분사기(22, 26)는 서로 180°를 이루고, 제 2 및 제 4 가스 분사기(24, 28)는 각각 제 1 및 제 3 가스 분사기(22, 26)의 사이에 설치되고, 제 1 및 제 3 가스 분사기(22, 26)와 90°를 이룬다. 제 1 내지 제 4 가스 분사기(22, 24, 26, 28)는 파이프 형태이다. As shown in FIG. 2, the gas injection device 14 includes a gas supply pipe 20 including a plurality of supply pipes for supplying source gas, reaction gas, and purge gas, and first to fourth gases connected to the gas supply pipe 20. Injectors 22, 24, 26, 28. The lower surface of the first to fourth gas injectors 22, 24, 26, 28 is provided with a plurality of gas injection holes 30 for injecting gas. Although four gas injectors are shown in FIG. 2, eight gas injectors may be provided as necessary. The first and third gas injectors 22 and 26 make 180 ° with each other, and the second and fourth gas injectors 24 and 28 are installed between the first and third gas injectors 22 and 26, respectively. And 90 ° with the first and third gas injectors 22, 26. The first to fourth gas injectors 22, 24, 26, 28 are in the form of pipes.

기판안치수단(18) 상에 다수의 기판(16)을 안치시키고, 제 1 내지 제 4 가스분사기(22, 24, 26, 28)를 통하여, 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스를 분사하면, 가스분사장치(14)에 의해, 기판(16) 상에 소스가스, 퍼지가스 및 반응가스가 순차적으로 공급되면서 원하는 박막이 형성된다. 도 1 및 도 2에서는 회전가능한 가스분사장치(14)를 도시하였지만, 가스분사장치(14)가 고정되고 기판안치수단(18)이 회전할 수 있다. 그리고, 다수의 가스분사기를 가진 가스분사장치(14) 대신 샤워헤드를 사용하고, 반응가스는 별도의 가스관을 통하여 공급할 수 있다.When the plurality of substrates 16 are placed on the substrate placing means 18 and the source gas, the reaction gas and the purge gas are injected through the first to fourth gas injectors 22, 24, 26 and 28, the gas By the injector 14, a desired thin film is formed while the source gas, the purge gas, and the reaction gas are sequentially supplied onto the substrate 16. 1 and 2 show a rotatable gas injection device 14, the gas injection device 14 is fixed and the substrate setter 18 can rotate. In addition, a shower head may be used instead of the gas injection device 14 having a plurality of gas injection nozzles, and the reaction gas may be supplied through a separate gas pipe.

도 1 및 도 2와 같은 기판처리장치(10)에서, 소스가스로써 금속 유기물(metal organic)의 전구체(precursor)와 반응가스로써 질소를 포함한 가스를 사용하여 전이금속질화물의 박막을 기판(16) 상에 증착한다. 전이금속은 Ta, Ti, 및 Hf 중 하나를 선택하여 사용한다. 전이금속질화물로써 TiN의 박막을 기판(16) 상에 증착하는 경우, 소스가스인 금속 유기물의 전구체는 제 1 가스분사기(22)를 통하여 분사되고, 반응가스는 제 2 가스분사기(24)를 통하여 분사되고, 퍼지가스는 제 3 및 제 4 가스분사기(26, 28)를 통하여 분사된다. 반응가스로 해리된 질소를 사용하는 경우, 외부에서 플라즈마화 되어 여기된 질소를 별도의 도파관을 통하여 공정챔버(12)의 부로 공급하거나 제 2 가스분사기(24)를 통하여 분사되는 질소를 포함한 가스를 플라즈마화하여 공급할 수 있다.In the substrate processing apparatus 10 as shown in FIGS. 1 and 2, a thin film of transition metal nitride is formed by using a precursor of a metal organic as a source gas and a gas including nitrogen as a reaction gas. Deposition onto. The transition metal is selected from Ta, Ti, and Hf. In the case of depositing a thin film of TiN as the transition metal nitride on the substrate 16, the precursor of the metal organic material, which is the source gas, is injected through the first gas injector 22, and the reaction gas is supplied through the second gas injector 24. And the purge gas is injected through the third and fourth gas injectors 26 and 28. In the case of using the dissociated nitrogen as the reaction gas, a gas containing nitrogen injected into the part of the process chamber 12 through a separate waveguide or injected through the second gas injector 24 is supplied to the plasma plasma excited from the outside. It can supply by plasma.

전이금속화합물로써 TiN 박막을 기판(16) 상에 증착하는 경우, 소스가스로써, 금속 유기물의 전구체는 TDMAT(tetrakis-(dimethylamido) titanium: Ti[N(CH3)2]4), TDEAT(tetrakis-(diethylamido) titanium: Ti[N(C2H5)2]4), TTIP(Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti(OCH3H7)4), 및 TEMAT(tetrakis-(ethylmethylamino) titanium: Ti[N(CH3)(CH2CH3)]4) 중 하나를 선택하여 사용하고, 반응가스는 질소를 포함한 N2, HCN, 혹은 NH3를 사용하고, 퍼지가스는 Ar과 같은 불활성 가스를 사용한다. When the TiN thin film is deposited on the substrate 16 as a transition metal compound, as a source gas, the precursor of the metal organic material is TDMAT (tetrakis- (dimethylamido) titanium: Ti [N (CH 3 ) 2 ] 4 ), TDEAT (tetrakis). -(diethylamido) titanium: Ti [N (C 2 H 5 ) 2 ] 4 ), TTIP (Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti (OCH 3 H 7 ) 4 ), and TEMAT (tetrakis- (ethylmethylamino) titanium: Ti [N ( CH 3 ) (CH 2 CH 3 )] 4 ) is selected and used, the reaction gas uses N 2 , HCN, or NH 3 including nitrogen, and the purge gas uses an inert gas such as Ar.

TiN 박막은 도 1 및 도 2의 기판처리장치(10)를 사용하여 원자층 증착방법으로 형성한다. 가스분사장치(14)를 이용하여 기판(16) 상에 제 1 단계로, 제 1 가스분사기(22)를 통하여 소스가스가 분사되고, 제 2 단계로, 제 1 내지 제 4 가스분사기(22, 24, 26, 28)를 통하여 퍼지가스가 분사되고, 제 3 단계로, 제 2 가스분사기(24)를 통하여 반응가스가 분사되고, 제 4 단계로, 제 1 내지 제 4 가스분사기(22, 24, 26, 28)를 통하여 퍼지가스를 분사시켜 TiN 박막을 형성한다. 제 2 및 제 4 단계에서 반응에 참여하지 않은 소스가스와 반응가스는 퍼지가스에 의해 퍼지된다. 그리고, 제 1 내지 제 4 단계를 일회의 증착주기로 정의하고, 증착주기를 수 회 내지 수 백 회 반복하여 원하는 두께의 TiN 박막을 형성한다. The TiN thin film is formed by an atomic layer deposition method using the substrate processing apparatus 10 of FIGS. 1 and 2. In the first step, the source gas is injected through the first gas injector 22 on the substrate 16 using the gas injector 14, and in the second step, the first to fourth gas injectors 22, Purge gas is injected through 24, 26, and 28, and in a third step, reaction gas is injected through a second gas injector 24, and in a fourth step, first to fourth gas injectors 22 and 24. , Purge gas through the 26, 28 to form a TiN thin film. Source gases and reaction gases not participating in the reaction in the second and fourth stages are purged by the purge gas. The first to fourth steps are defined as one deposition cycle, and the deposition cycle is repeated several times to several hundred times to form a TiN thin film having a desired thickness.

기판(16) 상에 Ti를 포함한 금속 유기물의 전구체와 해리된 질소 혹은 NH3를 반응시킨 TiN 박막을 증착하기 위해서, 기판(16)은 240도 내지 300도의 온도를 유지하여야 한다. 통상의 공정장치는 공정챔버(12)는 기판(16)이 안치되는 기판안치대(18)가 240도 내지 300도의 온도를 유지하지만, 공정챔버(12)의 내벽은 Ti를 포함한 금속 유기물의 전구체와 해리된 질소 혹은 NH3가 반응되지 않도록 하기 위하여, 100도 이하의 온도로 설정된다. 따라서, 공정챔버(12)의 내벽에 완전하게 반응한 TiN 박막이 형성되는 대신, 탄소와 TiN이 불완전하게 결합한 반응 부산물이 흡착 혹은 일부 증착된다.In order to deposit the TiN thin film reacted with the dissociated nitrogen or NH 3 and the precursor of the metal organic material including Ti on the substrate 16, the substrate 16 must maintain a temperature of 240 degrees to 300 degrees. In a typical process apparatus, the process chamber 12 maintains a temperature of 240 to 300 degrees with the substrate support 18 on which the substrate 16 is placed, whereas the inner wall of the process chamber 12 is a precursor of a metal organic material including Ti. In order to prevent the dissociated nitrogen or NH 3 from reacting with each other, the temperature is set to 100 degrees or less. Therefore, instead of the TiN thin film completely reacting with the inner wall of the process chamber 12, reaction by-products in which carbon and TiN are incompletely bonded are adsorbed or partially deposited.

100도 이하의 온도로 설정된 공정챔버(12)의 내벽에 흡착된 다량의 탄소를 함유하는 반응 부산물은 식각가스, 예를 들면 ClF3와 같은 식각가스에 의해 분해되지 않는다. 따라서, 공정챔버(12)의 내벽에 흡착된 탄소를 함유하는 반응 부산물이 식각가스에 의해 분해되어 원활하게 공정챔버(12)의 외부로 배출하는 것이 어렵고, 반응 부산물이 박리현상 등에 의해 미립자 형태로 기판(16) 상에 적하되어 기판(16) 상에 증착되는 박막의 특성을 저하시키는 문제를 야기할 수 있다. Reaction by-products containing a large amount of carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber 12 set at a temperature of 100 degrees or less are not decomposed by an etching gas, for example, an etching gas such as ClF 3 . Therefore, it is difficult for the reaction by-product containing carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber 12 to be decomposed by the etching gas and to be discharged to the outside of the process chamber 12 smoothly, and the reaction by-products are in particulate form due to peeling phenomenon or the like. Dropping on the substrate 16 may cause a problem of degrading the characteristics of the thin film deposited on the substrate 16.

공정챔버(12)의 내벽에 흡착된 탄소를 함유한 반응 부산물로 인한, 박막증착공정에서 TiN 박막의 특성저하를 방지하기 위하여, 공정챔버(12)의 내벽에 흡착된 탄소를 포함하고 불완전하게 결합한 TiN의 반응 부산물에서 탄소를 제거하여, TiN을 고밀도화(densification)시키는 방법을 사용할 수 있다. TiN의 고밀도화는 공정챔버(12)의 내부에 플라즈마 상태의 질소를 공급하여 질소와 탄소의 화합물(CNx)을 생성시켜 공정챔버(12)의 외부로 배출시키면, 공정챔버(12)의 내벽에는 표면에 흡착된 탄소가 제거된 TiN 박막이 고밀도화되어 흡착된 상태를 유지하게 된다. 그러나, 여전히 공정챔버(12)의 내벽에 탄소가 다량 함유된 불안정한 TiN 박막이 증착되어 있고, 이로 인해 박막증착공정을 장기간 지속할 경우 TiN 박막의 박리현상 등에 의해 미립자 형태로 기판(16) 상에 적하되어 기판(16) 상에 증착되는 TiN 박막의 특성을 저하시키는 문제를 야기할 수 있다. In order to prevent the deterioration of the TiN thin film in the thin film deposition process due to the reaction by-product containing carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber 12, the carbon adsorbed on the inner wall of the process chamber 12 is incompletely bonded. A method of densification of TiN may be used by removing carbon from the reaction byproduct of TiN. Densification of TiN is performed by supplying nitrogen in a plasma state to the inside of the process chamber 12 to generate a compound of nitrogen and carbon (CNx) and discharging it to the outside of the process chamber 12. The TiN thin film from which the carbon adsorbed on the substrate is densified to maintain the adsorbed state. However, an unstable TiN thin film containing a large amount of carbon is still deposited on the inner wall of the process chamber 12. Thus, if the thin film deposition process is continued for a long time, the TiN thin film may be separated from the substrate 16 in the form of fine particles. Dropping may cause a problem of deteriorating the properties of the TiN thin film deposited on the substrate 16.

공정챔버(12)의 내벽에 탄소를 함유한 반응 부산물이 흡착되는 이유는, 공정챔버(12)의 내벽이 기판안치대(18)과 다르게 Ti을 포함한 금속 유기물의 전구체인 소스가스와 질소를 포함한 반응가스가 정상적으로 반응하여 TiN 박막을 형성하기 어려운 환경하에 있기 때문이다. 따라서, 본 발명은 공정챔버(12)의 내벽을 TiN 박막이 완전하게 증착될 수 온도를 유지시키고, TiN 박막을 증착하는 공정 동안에 생성된 탄소를 함유한 반응 부산물을 공정챔버(12)의 외부로 배출하여, 공정챔버(12)의 내벽에 탄소를 함유한 반응부산물의 흡착을 방지하는 방법을 사용한다.The reaction by-products containing carbon are adsorbed on the inner wall of the process chamber 12 because the inner wall of the process chamber 12 contains source gas and nitrogen which are precursors of metal organic substances including Ti, unlike the substrate support 18. This is because the reaction gas is normally in an environment in which it is difficult to form a TiN thin film. Accordingly, the present invention maintains the temperature at which the TiN thin film can be completely deposited on the inner wall of the process chamber 12, and the reaction by-products containing carbon generated during the process of depositing the TiN thin film to the outside of the process chamber 12. By discharging, a method of preventing adsorption of reaction byproducts containing carbon on the inner wall of the process chamber 12 is used.

기판(16)은 Ti를 포함한 금속 유기물의 전구체의 소스가스와 질소를 포함한 반응가스가 최적으로 반응하여 TiN 박막이 증착될 수 있는 제 1 온도를 유지하고, 공정챔버(12)의 내벽은 제 1 온도보다 낮지만, 최소한 Ti을 포함한 금속 유기물의 전구체의 소스가스와 질소를 포함한 반응가스가 반응하여 TiN 박막이 증착될 수 있는 제 2 온도로 설정한다. The substrate 16 maintains a first temperature at which a source gas of a precursor of a metal organic material including Ti and a reactant gas including nitrogen may be optimally reacted to deposit a TiN thin film, and an inner wall of the process chamber 12 may have a first temperature. Although lower than the temperature, at least the source gas of the precursor of the metal organic material including Ti and the reaction gas containing nitrogen are set to a second temperature at which the TiN thin film can be deposited.

도 3은 원자층 증착방법으로 TiN 박막을 형성할 때, 증착온도에 따른 증착율을 도시한 그래프이다. 도 3에서, Ti을 포함한 금속 유기물의 전구체는 300 내지 800 mg/min, 질소를 포함한 반응가스는 1 내지 5slm, 및 퍼지가스로써 Ar을 1 내지 3 slm을 공급하여 TiN 박막을 형성한다. 도 3을 참조하면, TiN 박막은 온도가 증가함에 따라 증착률이 증가함을 알 수 있다. 또한 240도 미만의 온도구간에서는 온도 에 따른 증착율의 변화가 비선형적 특징을 나타냄을 알 수 있다.3 is a graph showing the deposition rate according to the deposition temperature when forming the TiN thin film by the atomic layer deposition method. In FIG. 3, the precursor of the metal organic material including Ti is 300 to 800 mg / min, the reaction gas containing nitrogen is 1 to 5 slm, and 1 to 3 slm of Ar is supplied as a purge gas to form a TiN thin film. Referring to FIG. 3, it can be seen that the deposition rate of the TiN thin film increases with increasing temperature. In addition, it can be seen that in the temperature range of less than 240 degrees, the change in deposition rate with temperature shows a nonlinear characteristic.

공정챔버(12)의 환경 및 생산성을 고려하여, 소스가스인 Ti을 포함한 금속유기물의 전구체와 반응가스인 NH3의 최적의 반응온도인 제 1 온도는 240도 내지 300도이고, 최소한 소스가스인 Ti을 포함한 금속 유기물의 전구체와 반응가스인 해리된 질소 혹은 NH3가 반응하여 TiN이 증착될 수 있는 제 2 온도는 160도 내지 200도를 유지한다. 공정챔버(12)의 내벽이 제 2 온도인 160도 내지 200도를 유지하기 위해서, 공정챔버(12) 내부에 위치한 열원의 복사열을 감안하여 공정챔버(12)의 외벽을 130도 내지 180도 정도로 가열한다. In consideration of the environment and productivity of the process chamber 12, the first reaction temperature, which is the optimum reaction temperature of the precursor of the metal organic material including the source gas Ti and the reaction gas NH 3 , is 240 ° to 300 °, and is at least the source gas. The second temperature at which TiN can be deposited by reacting the precursor of the metal organic material including Ti with dissociated nitrogen or NH 3, which is a reaction gas, is maintained at 160 to 200 degrees. In order to maintain the inner wall of the process chamber 12 at the second temperature of 160 degrees to 200 degrees, the outer wall of the process chamber 12 is about 130 degrees to 180 degrees in view of the radiant heat of the heat source located inside the process chamber 12. Heat.

제 1 온도를 유지하는 기판(16) 상에 적층되는 TiN 박막의 제 1 증착률은 제 2 온도를 유지하는 공정챔버(12)의 내벽 상에 적층되는 TiN 박막의 제 2 증착률 보다 높다. 제 1 온도와 제 2 온도를 동일하게 유지하면, 기판(16)과 공정챔버(12)의 내벽 상에 동일한 두께의 TiN 박막이 증착되어, 공정챔버(12)의 세정주기가 단축되어 공정챔버(12)의 생산성이 저하된다. 따라서, 공정챔버(12)의 내벽에 증착되는 TiN 박막의 증착률을 기판(16) 상에 증착되는 TiN 박막의 증착률보다 낮게 유지시켜, 공정챔버(12)의 세정주기를 연장시킨다. 또한, 공정챔버(12)의 내벽온도를 기판(16)온도보다 낮게 함으로써 공정챔버로 유입된 반응가스의 대부분이 기판(16)상에서 반응하여 공정챔버(12)의 내벽에는 증착되는 TiN박막의 증착율이 더욱 낮게 할 수 있다.The first deposition rate of the TiN thin film deposited on the substrate 16 maintaining the first temperature is higher than the second deposition rate of the TiN thin film deposited on the inner wall of the process chamber 12 maintaining the second temperature. If the first temperature and the second temperature are kept the same, the TiN thin film of the same thickness is deposited on the inner wall of the substrate 16 and the process chamber 12, and the cleaning cycle of the process chamber 12 is shortened to make the process chamber ( The productivity of 12) is lowered. Therefore, the deposition rate of the TiN thin film deposited on the inner wall of the process chamber 12 is kept lower than the deposition rate of the TiN thin film deposited on the substrate 16, thereby extending the cleaning cycle of the process chamber 12. In addition, by lowering the inner wall temperature of the process chamber 12 below the temperature of the substrate 16, most of the reaction gas flowing into the process chamber reacts on the substrate 16 to deposit the TiN thin film deposited on the inner wall of the process chamber 12. This can be made even lower.

기판처리의 생산성을 높이기 위해 도 1 및 도 2와 같이, 다수의 기판(16)을 기판안치대(34) 상에 안치하여 동시에 박막증착공정을 진행한다. 물론 기판안치대(34) 상에 하나의 기판(16)을 안치하고 원자층 증착공정을 진행할 수 있다. 기판안치대(34) 상에 하나의 기판(16)을 안치하고 공정을 진행하는 것을 매엽식(single type)이라고 하고, 다수의 기판(16)을 기판안치대(34) 상에 안치하여 공정을 진행하는 방법을 배치방식(batch type)이라 한다. In order to increase the productivity of the substrate treatment, as shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of substrates 16 are placed on the substrate support 34 to simultaneously perform a thin film deposition process. Of course, one substrate 16 may be placed on the substrate support 34 and the atomic layer deposition process may be performed. The process of placing one substrate 16 on the substrate support 34 and carrying out the process is called a single type, and placing a plurality of substrates 16 on the substrate support 34 to perform the process. The way to proceed is called batch type.

공정챔버(12) 내벽의 증착된 박막은 공정챔버(12)로부터 기판(16)을 반출시킨 후에, 세정가스로 염소와 불소를 포함한 ClF3를 공급하여 식각하면, 반응식은 다음과 같다. When the deposited thin film on the inner wall of the process chamber 12 is removed from the process chamber 12 and then etched by supplying ClF 3 including chlorine and fluorine as a cleaning gas, the reaction equation is as follows.

ClF3(기체) + TiN(고체) -> TiF4(기체) + Cl2(기체) + N2(기체)ClF 3 (gas) + TiN (solid)-> TiF 4 (gas) + Cl 2 (gas) + N 2 (gas)

TiN과 ClF3의 반응에 의한 생성물인 TiF4, Cl2 및 N2는 모두 가스상태로 공정챔버(12)의 배기구(22)를 통하여 배출된다. 따라서, 공정챔버(12)의 내벽에서 TiN 박막은 완전히 제거된다.TiF 4 , Cl 2 and N 2, which are products of the reaction of TiN and ClF 3 , are all discharged through the exhaust port 22 of the process chamber 12 in a gaseous state. Therefore, the TiN thin film is completely removed from the inner wall of the process chamber 12.

본 발명의 공정챔버를 세정하는 단계는, 공정챔버(12)의 내부로 기판(16)을 반입하여 기판안치대(18) 상에 기판(16)을 안치시키는 단계, 소스가스로써 전이금속을 포함하는 금속 유기물의 전구체와 반응가스로써 질소를 포함하는 물질이 반응하여 금속 질화물이 형성될 수 있도록, 기판(16)을 240도 내지 300도를 유지하고, 공정챔버(12)의 내벽을 160도 내지 200도로 유지시키는 단계, 가스분사기(14)를 통하여, 소스가스, 반응가스 및 퍼지가스로써 Ar을 공급하고, 소스가스와 반응가스의 반응에 의해, 금속 질화물을 기판(16) 상에 제 1 두께로 형성하고, 공정챔버(12)의 내벽에 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성하고, 소스가스와 반응가스의 반응에 의해 생성되는 탄소를 포함하는 반응 부산물을 공정챔버(12)의 외부로 배출시키는 단계, 공정챔버(12)의 외부로 기판(16)을 반출시키는 단계, 및 공정챔버(12)에 식각가스로써 ClF3을 공급하여, 공정챔버(12)의 내벽에 부착되어 있는 TiN과 같은 금속질화물을 식각하는 단계를 포함한다.The step of cleaning the process chamber of the present invention comprises the step of placing the substrate 16 on the substrate support 18 by bringing the substrate 16 into the process chamber 12, the transition metal as a source gas The substrate 16 is maintained at 240 degrees to 300 degrees, and the inner wall of the process chamber 12 is maintained at 160 degrees to form a metal nitride such that a precursor containing a metal organic material reacts with a nitrogen-containing material as a reaction gas. Maintaining at 200 degrees, through the gas injector 14, Ar is supplied as the source gas, the reaction gas and the purge gas, and by the reaction of the source gas and the reaction gas, the metal nitride on the substrate 16 to the first thickness And a reaction by-product containing carbon generated by the reaction of the source gas and the reaction gas to the outside of the process chamber 12, formed at a second thickness thinner than the first thickness on the inner wall of the process chamber 12. Discharging, the substrate to the outside of the process chamber 12 (16) carrying out, and supplying ClF 3 as an etching gas to the process chamber 12, etching the metal nitride, such as TiN attached to the inner wall of the process chamber 12.

본 발명에서, 기판(16)과 공정챔버(12)의 내벽에 TiN과 같은 금속질화물이 증착될 때, 기판(16)과 공정챔버(12)의 내벽이 각각 240도 내지 300도 및 160도 내지 200도를 유지하여, 소스가스와 반응가스의 반응에 의해 금속질화물이 형성될 수 있는 온도이지만, 금속 유기물의 전구체에 의해 발생되는 탄소를 함유한 반응 부산물이 잔류하기에는 너무 높은 온도를 사용한다. 금속질화물의 증착공정 동안, 탄소를 함유한 반응 부산물은 공정챔버(12)의 외부로 배출되어, 실질적으로 공정챔 버(12)의 내벽에 흡착되지 않는다. 따라서, 세정가스에 의해 분해되기 어려운 탄소를 다량 함유한 반응 부산물이 공정챔버(12)의 내벽에 흡착되지 않으므로, 공정챔버(12)의 세정이 용이하고, 반응 부산물에 의해 기판(16) 상에 증착되는 박막이 오염되지 않으므로 박막의 특성을 개선할 수 있다.In the present invention, when metal nitrides such as TiN are deposited on the inner walls of the substrate 16 and the process chamber 12, the inner walls of the substrate 16 and the process chamber 12 are 240 to 300 and 160 degrees, respectively. At 200 degrees, the temperature at which the metal nitride can be formed by the reaction of the source gas and the reaction gas is used, but the temperature is too high to remain the reaction by-products containing carbon generated by the precursor of the metal organic material. During the deposition process of the metal nitride, carbon-containing reaction by-products are discharged to the outside of the process chamber 12, and are not substantially adsorbed to the inner wall of the process chamber 12. Therefore, since reaction by-products containing a large amount of carbon that are hard to be decomposed by the cleaning gas are not adsorbed on the inner wall of the process chamber 12, the process chamber 12 is easily cleaned, and the reaction by-products are formed on the substrate 16. Since the deposited thin film is not contaminated, the properties of the thin film can be improved.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 내부 구성도2 is a diagram illustrating an internal configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 TiN 박막의 증착률을 도시한 그래프3 is a graph showing the deposition rate of the TiN thin film according to an embodiment of the present invention

Claims (6)

내벽을 가지는 공정챔버를 준비하는 단계;Preparing a process chamber having an inner wall; 상기 공정챔버의 내부에 기판을 안치시키는 단계;Placing a substrate in the process chamber; 소스가스로써 전이금속을 포함한 금속 유기물의 전구체와 반응가스로써 질소를 포함한 물질이 반응하여 금속질화물을 형성할 수 있도록, 상기 기판은 제 1 온도를 유지하고, 상기 공정챔버의 상기 내벽은 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도를 유지시키는 단계;The substrate maintains a first temperature so that the precursor of the metal organic material including the transition metal as the source gas and the material containing nitrogen as the reaction gas react to form the metal nitride, and the inner wall of the process chamber is the first wall. Maintaining a second temperature lower than the temperature; 상기 소스가스와 상기 반응가스를 공급하여, 상기 금속질화물을 상기 기판 상에 제 1 두께로 형성하고, 상기 내벽에 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 형성하는 단계;Supplying the source gas and the reaction gas to form the metal nitride on a first thickness on the substrate and to form a second thickness on the inner wall at a second thickness smaller than the first thickness; 상기 공정챔버의 외부로 상기 기판을 반출시키는 단계;Carrying out the substrate to the outside of the process chamber; 상기 공정챔버에 식각가스를 공급하여, 상기 내벽의 상기 금속질화물을 식각하는 단계;Supplying an etching gas to the process chamber to etch the metal nitride of the inner wall; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버의 세정방법.Cleaning method of the process chamber comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전이금속은 Ti, Ta 및 Hf 중 하나을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 공정챔버의 세정방법.The transition metal is a cleaning method of the process chamber, characterized in that used by selecting one of Ti, Ta and Hf. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속질화물은 TiN인 것을 특징으로 하는 공정챔버의 세정방법.The metal nitride is TiN cleaning method, characterized in that the TiN. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 금속 유기물의 전구체는 TDMAT(tetrakis-(dimethylamido) titanium: Ti[N(CH3)2]4), TDEAT(tetrakis-(diethylamido) titanium: Ti[N(C2H5)2]4), TTIP(Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti(OCH3H7)4), 및 TEMAT(tetrakis-(ethylmethylamino) titanium: Ti[N(CH3)(CH2CH3)]4) 중 하나를 선택하여 사용하고, 상기 반응가스는 해리된 질소 또는 NH3를 사용하는 것을 특징으로 하는 공정챔버의 세정방법.The precursor of the metal organic material is TDMAT (tetrakis- (dimethylamido) titanium: Ti [N (CH 3 ) 2 ] 4 ), TDEAT (tetrakis- (diethylamido) titanium: Ti [N (C 2 H 5 ) 2 ] 4 ), TTIP (Titanium Tetra IsoPropoxide: Ti (OCH 3 H 7 ) 4 ), and TEMAT (tetrakis- (ethylmethylamino) titanium: Ti [N (CH 3 ) (CH 2 CH 3 )] 4 ) are selected and used. The reaction gas is a method for cleaning the process chamber, characterized in that using dissociated nitrogen or NH 3 . 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제 1 온도는 240도 내지 300도이고, 상기 제 2 온도는 160도 내지 200도인 것을 특징으로 하는 공정챔버의 세정방법.And said first temperature is 240 degrees to 300 degrees and said second temperature is 160 degrees to 200 degrees. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 식각가스는 ClF3인 것을 특징으로 하는 공정챔버의 세정방법.The etching gas is a cleaning method of the process chamber, characterized in that ClF 3 .
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2013172683A1 (en) * 2012-05-16 2013-11-21 주식회사 유니텍스 Reactor for vapor deposition and method for manufacturing organic thin film
KR101540718B1 (en) * 2014-03-11 2015-07-31 국제엘렉트릭코리아 주식회사 substrate processing apparatus
US9580800B2 (en) 2014-03-05 2017-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for operating semiconductor manufacturing equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000038130A (en) * 1998-12-04 2000-07-05 황철주 Method for fabricating semiconductor device
KR20010080758A (en) * 1998-12-14 2001-08-22 조셉 제이. 스위니 High temperature chemical vapor deposition chamber
KR100706810B1 (en) * 2006-02-07 2007-04-12 삼성전자주식회사 Cleaning of a thin film deposition apparatus forming of a thin film using the cleaning
KR100753158B1 (en) * 2006-06-19 2007-08-30 삼성전자주식회사 Method for cleaning process chamber

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000038130A (en) * 1998-12-04 2000-07-05 황철주 Method for fabricating semiconductor device
KR20010080758A (en) * 1998-12-14 2001-08-22 조셉 제이. 스위니 High temperature chemical vapor deposition chamber
KR100706810B1 (en) * 2006-02-07 2007-04-12 삼성전자주식회사 Cleaning of a thin film deposition apparatus forming of a thin film using the cleaning
KR100753158B1 (en) * 2006-06-19 2007-08-30 삼성전자주식회사 Method for cleaning process chamber

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013172683A1 (en) * 2012-05-16 2013-11-21 주식회사 유니텍스 Reactor for vapor deposition and method for manufacturing organic thin film
US9580800B2 (en) 2014-03-05 2017-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for operating semiconductor manufacturing equipment
KR101540718B1 (en) * 2014-03-11 2015-07-31 국제엘렉트릭코리아 주식회사 substrate processing apparatus
WO2015137611A1 (en) * 2014-03-11 2015-09-17 국제엘렉트릭코리아 주식회사 Substrate processing apparatus

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