KR20100099592A - Reactor - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A reacting apparatus is provided to prevent the deposition of reactant on the inner side of a tube main body by including a buffer part between the reactant and the tube main body. CONSTITUTION: A tube furnace uniformly heats reactant(30) which is contained in a crucible(200). A tube main body(110) contains the reactant. A buffer part(120) is arranged between the reactant and the tube main body. Hear source(130) is arranged on the external side of the tube main body and heats the reactant. The inner circumference of the tube main body contacts with the external circumference of the buffer part.

Description

반응 장치{REACTOR}Reaction device {REACTOR}

실시예는 반응 장치에 관한 것이다.The example relates to a reaction device.

실리콘 카바이드는 최근에 다양한 전자 소자 및 목적을 위한 반도체 재료로서 사용되고 있다. 실리콘 카바이드는 특히 물리적 강도 및 화학적 공격에 대한 높은 내성으로 인해 유용하다.Silicon carbide has recently been used as a semiconductor material for various electronic devices and purposes. Silicon carbide is particularly useful because of its high strength against physical strength and chemical attack.

이러한 실리콘 카바이드를 형성하기 위해서, 튜브 및 열선을 포함하는 튜브 로가 사용될 수 있다. 이러한 튜브 로의 내측면에 반응물 또는 생성물이 증착될 수 있고, 튜브 및 증착물 사이의 열 팽창률의 차이에 의해서 튜브의 크랙이 발생될 수 있다.To form such silicon carbide, a tube furnace comprising a tube and a hot wire can be used. Reactants or products may be deposited on the inner side of such tube furnaces, and cracks in the tubes may occur due to differences in thermal expansion rates between the tubes and deposits.

실시예는 향상된 수명을 가지고, 향상된 순도의 생성물을 형성하는 반응 장치를 제공하고자 한다.The examples seek to provide a reaction apparatus having an improved lifetime and forming products of improved purity.

실시예에 따른 반응 장치는 반응물을 수용하는 통 형상의 튜브 몸체; 상기 튜브 몸체 내측에 배치되고, 상기 반응물 및 상기 튜브 몸체 사이에 배치되는 버퍼부; 및 상기 튜브 몸체 외측에 배치되어, 상기 반응물에 열을 가하는 열원을 포함하며, 상기 튜브 몸체의 내주면 및 상기 버퍼부의 외주면이 서로 접촉한다.Reaction apparatus according to the embodiment includes a tubular tube body for receiving the reactants; A buffer unit disposed inside the tube body and disposed between the reactant and the tube body; And a heat source disposed outside the tube body to apply heat to the reactant, wherein the inner circumferential surface of the tube body and the outer circumferential surface of the buffer portion contact each other.

실시예에 따른 반응 장치는 튜브 몸체 내측에 배치되어, 반응물 및 튜브 몸체 사이에 배치되는 버퍼부를 포함한다.The reaction apparatus according to the embodiment is disposed inside the tube body and includes a buffer portion disposed between the reactant and the tube body.

버퍼부에 의해서, 반응물 및/또는 생성물이 튜브 몸체 내측에 증착되는 것이 방지된다. 따라서, 증착된 반응물 및/또는 생성물 및 튜브 몸체 사이의 열팽창 계수 차이로 인한 튜브 몸체의 크랙이 방지된다.By the buffer portion, the reactants and / or products are prevented from depositing inside the tube body. Thus, cracking of the tube body due to the difference in coefficient of thermal expansion between the deposited reactant and / or product and the tube body is prevented.

따라서, 실시예에 따른 반응 장치는 향상된 수명 및 강도를 가진다.Thus, the reaction apparatus according to the embodiment has improved life and strength.

또한, 버퍼부에 의해서, 튜브 몸체에 포함된 물질이 생성물로 확산되는 현상을 방지 또는 감소시킨다.In addition, the buffer unit prevents or reduces the phenomenon in which the material contained in the tube body diffuses into the product.

이에 따라서, 실시예에 따른 반응 장치에 의해서 형성된 생성물은 향상된 순도를 가질 수 있다.Accordingly, the product formed by the reaction apparatus according to the embodiment may have improved purity.

또한, 버퍼부는 기공을 포함할 수 있다. 기공은 열팽창 계수의 차이에 따른 물리적인 충격을 흡수하기 때문에, 버퍼부는 튜브 몸체를 효율적으로 보호할 수 있다.In addition, the buffer unit may include pores. Since the pores absorb the physical impact due to the difference in the coefficient of thermal expansion, the buffer portion can effectively protect the tube body.

따라서, 실시예에 따른 반응 장치는 향상된 강도 및 수명을 가진다.Thus, the reaction apparatus according to the embodiment has improved strength and lifetime.

실시 예의 설명에 있어서, 각 몸체, 부, 열원 또는 면 등이 각 몸체, 부, 열원 또는 면 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, in the case where each body, part, heat source or face, etc. is described as being formed "on" or "under" of each body, part, heat source or face, etc., "On" and "under" include both being formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 반응 장치를 도시한 도면이다. 도 2는 실시예에 따른 반응 장치의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 도 2에서 A부분을 확대하여 도시한 단면도이다.1 is a view showing a reaction device according to an embodiment. 2 is a cross-sectional view showing one cross section of the reaction apparatus according to the embodiment. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 2.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 반응 장치는 튜브 로(100) 및 도가니(200)를 포함한다.1 to 3, the reaction apparatus includes a tube furnace 100 and a crucible 200.

상기 튜브 로(100)는 상기 도가니(200)를 수용한다. 상기 튜브 로(100)는 상기 도가니(200)에 담겨진 반응물(30)에 균일하게 열을 가한다.The tube furnace 100 receives the crucible 200. The tube furnace 100 uniformly applies heat to the reactant 30 contained in the crucible 200.

상기 튜브 로(100)는 튜브 몸체(110), 버퍼부(120) 및 열원(130)을 포함한다.The tube furnace 100 includes a tube body 110, a buffer unit 120, and a heat source 130.

상기 튜브 몸체(110)는 튜브(tube) 형상, 즉, 통 형상을 가진다. 더 자세하게, 상기 튜브 몸체(110)는 원통 형상을 가진다.The tube body 110 has a tube shape, that is, a tubular shape. In more detail, the tube body 110 has a cylindrical shape.

상기 튜브 몸체(110)는 높은 내열성 및 열전도율을 가지며, 상기 튜브 몸체(110)로 사용되는 물질의 예로서는 지르코늄 옥사이드(ZrO), 실리콘 카바이드(SiC), 석영, 뮬라이트(mullite) 또는 알루미나 등을 들 수 있다.The tube body 110 has high heat resistance and thermal conductivity, and examples of the material used as the tube body 110 include zirconium oxide (ZrO), silicon carbide (SiC), quartz, mullite, or alumina. have.

이때, 반응 온도에 따라서, 상기 튜브 몸체(110)로 사용되는 물질의 종류가 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 온도가 약 1000℃ 미만 일때, 상기 튜브 몸체(110)로 석영이 사용되고, 상기 반응 온도가 약 1000℃ 내지 약 1200℃ 일때, 상기 튜브 몸체(110)로 뮬라이트가 사용될 수 있다. 또한, 상기 반응온도가 약 1200℃ 내지 약 1650℃ 일때, 상기 튜브 몸체(110)로 알루미나가 사용될 수 있다.At this time, depending on the reaction temperature, the type of material used as the tube body 110 may vary. For example, quartz may be used as the tube body 110 when the reaction temperature is less than about 1000 ° C., and mullite may be used as the tube body 110 when the reaction temperature is about 1000 ° C. to about 1200 ° C. . In addition, when the reaction temperature is about 1200 ° C to about 1650 ° C, alumina may be used as the tube body 110.

또한, 알루미나는 상기 튜브 몸체(110)로 약 1200℃ 미만의 반응온도 범위에서도 사용될 수 있으며, 뮬라이트는 상기 튜브 몸체(110)로 1000℃ 미만의 반응온도 범위에서도 사용될 수 있다.In addition, alumina may be used in the reaction temperature range of less than about 1200 ℃ to the tube body 110, Mullite may be used in the reaction temperature range of less than 1000 ℃ to the tube body (110).

상기 튜브 몸체(110)는 치밀하게 형성된다. 즉, 상기 튜브 몸체(110)는 기공 등이 없도록 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 튜브 몸체(110)는 상기 버퍼부(120)보다 더 치밀한 조직을 가진다.The tube body 110 is densely formed. That is, the tube body 110 may be formed so that there are no pores. In more detail, the tube body 110 has a denser structure than the buffer unit 120.

상기 튜브 몸체(110)의 두께(T1)는 약 3㎜ 내지 약 20㎜일 수 있다. 상기 튜브 몸체(110)의 직경은 약 40㎜ 내지 약 300㎜ 일 수 있다. 상기 튜브 몸체(110)의 두께(T1) 및 상기 튜브 몸체(110)의 직경은 반응물(30)의 종류 및 공정 온도 및 공정 압력과 같은 공정 조건에 따라서, 다양하게 변형될 수 있다.The thickness T1 of the tube body 110 may be about 3 mm to about 20 mm. The diameter of the tube body 110 may be about 40 mm to about 300 mm. The thickness T1 of the tube body 110 and the diameter of the tube body 110 may be variously modified according to the kind of the reactant 30 and process conditions such as process temperature and process pressure.

상기 튜브 몸체(110)는 양 끝단이 오픈될 수 있다. 이에 따라서, 상기 오픈된 양 끝단을 통하여, 상기 도가니(200)가 삽입될 수 있다.The tube body 110 may be open at both ends. Accordingly, the crucible 200 may be inserted through both open ends.

상기 버퍼부(120)는 상기 튜브 몸체(110) 내측에 배치된다. 상기 버퍼부(120)는 상기 튜브 몸체(110)의 내주면(112)에 배치된다. 더 자세하게, 상기 버퍼부(120)는 상기 튜브 몸체(110)의 내주면(112)에 접촉한다. 예를 들어, 상기 버퍼부(120)의 외주면(121)은 상기 튜브 몸체(110)의 내주면(112)에 접촉할 수 있다. 더 자세하게, 상기 버퍼부(120)의 외주면(121)의 전체가 상기 튜브 몸체(110)의 내주면(112)에 접촉될 수 있다.The buffer unit 120 is disposed inside the tube body 110. The buffer unit 120 is disposed on the inner circumferential surface 112 of the tube body 110. In more detail, the buffer unit 120 contacts the inner circumferential surface 112 of the tube body 110. For example, the outer circumferential surface 121 of the buffer unit 120 may contact the inner circumferential surface 112 of the tube body 110. In more detail, the entire outer circumferential surface 121 of the buffer unit 120 may contact the inner circumferential surface 112 of the tube body 110.

상기 버퍼부(120)는 튜브 형상, 즉, 통 형상을 가진다. 더 자세하게, 상기 튜브 몸체(110)는 원통 형상을 가진다. 상기 버퍼부(120)는 상기 튜브 몸체(110)와 대응하는 형상을 가진다. 더 자세하게, 상기 버퍼부(120)의 외주면(121)의 형상은 상기 튜브 몸체(110)의 내주면(112)의 형상에 대응한다.The buffer unit 120 has a tube shape, that is, a cylindrical shape. In more detail, the tube body 110 has a cylindrical shape. The buffer part 120 has a shape corresponding to the tube body 110. In more detail, the shape of the outer circumferential surface 121 of the buffer unit 120 corresponds to the shape of the inner circumferential surface 112 of the tube body 110.

상기 버퍼부(120)는 다수 개의 기공들(123)을 포함한다. 즉, 상기 버퍼부(120)는 상기 튜브 몸체(110)보다 덜 치밀하게 형성된다. 또한, 상기 버퍼부(120)의 부피에 대한 상기 기공들(123)의 부피의 비(이하, 기공도)는 약 10% 내지 50%이다. 더 자세하게, 상기 기공도는 약 20% 내지 40%이다. 더 자세하게, 상기 기공도는 약 25% 내지 30%이다.The buffer unit 120 includes a plurality of pores 123. In other words, the buffer part 120 is formed to be less dense than the tube body 110. In addition, the ratio (hereinafter, referred to as porosity) of the volume of the pores 123 to the volume of the buffer unit 120 is about 10% to 50%. In more detail, the porosity is about 20% to 40%. In more detail, the porosity is about 25% to 30%.

이때, 상기 기공도는 반응물(30)의 종류 및 공정 온도 및 공정 압력과 같은 공정 조건에 따라서, 다양하게 변형될 수 있다.In this case, the porosity may be variously modified according to the kind of the reactant 30 and process conditions such as process temperature and process pressure.

상기 버퍼부(120)의 기공도가 10% 이하인 경우에는 상기 버퍼부(120)의 파손이 발생될 수 있고, 상기 버퍼부(120)의 기공도가 50% 이상인 경우에는 상기 튜브 몸체(110)의 물질이 반응물(30) 또는 생성물에 용이하게 확산될 수 있다.When the porosity of the buffer unit 120 is 10% or less, breakage of the buffer unit 120 may occur. When the porosity of the buffer unit 120 is 50% or more, the tube body 110 may be damaged. The substance of may be easily diffused into the reactant 30 or the product.

상기 버퍼부(120)의 두께는 약 1㎜ 내지 약 30㎜이다. 더 자세하게, 상기 버퍼부(120)의 두께는 약 2㎜ 내지 10㎜일 수 있다. 더 자세하게, 상기 버퍼부(120)의 두께는 약 3㎜ 내지 5㎜일 수 있다.The buffer portion 120 has a thickness of about 1 mm to about 30 mm. In more detail, the thickness of the buffer unit 120 may be about 2 mm to 10 mm. In more detail, the thickness of the buffer unit 120 may be about 3 mm to 5 mm.

이때, 상기 버퍼부(120)의 두께는 반응물(30)의 종류 및 공정 온도 및 공정 압력과 같은 공정 조건에 따라서, 다양하게 변형될 수 있다.In this case, the thickness of the buffer unit 120 may be variously modified according to the kind of the reactant 30 and process conditions such as process temperature and process pressure.

상기 버퍼부(120)는 높은 내열성 및 열전도율을 가진다. 또한, 상기 버퍼부(120)의 열팽창 계수는 상기 튜브 몸체(110)의 열팽창 계수에 대응할 수 있다. 상기 버퍼부(120)의 열팽창 계수는 상기 튜브 몸체(110)의 열팽창 계수와 실질적으로 동일할 수 있다.The buffer unit 120 has high heat resistance and thermal conductivity. In addition, the thermal expansion coefficient of the buffer unit 120 may correspond to the thermal expansion coefficient of the tube body 110. The thermal expansion coefficient of the buffer unit 120 may be substantially the same as the thermal expansion coefficient of the tube body 110.

상기 버퍼부(120)로 사용되는 물질의 예로서는 흑연, 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 카바이드(SiC), 티타늄 카바이드, 비스무트 카바이드(BiC2) 및 이들의 조합물 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the buffer unit 120 include graphite, silicon oxide (SiOx), silicon carbide (SiC), titanium carbide, bismuth carbide (BiC 2 ), and combinations thereof.

상기 열원(130)은 상기 튜브 몸체(110)의 외측에 배치된다. 더 자세하게, 상기 열원(130)은 상기 튜브 몸체(110)의 외주면에 배치된다.The heat source 130 is disposed outside the tube body 110. In more detail, the heat source 130 is disposed on the outer circumferential surface of the tube body 110.

상기 열원(130)은 상기 튜브 몸체(110) 및 상기 버퍼부(120) 내측에 열을 공급한다. 즉, 상기 열원(130)은 반응물(30)에 열을 공급한다.The heat source 130 supplies heat to the tube body 110 and the buffer unit 120. That is, the heat source 130 supplies heat to the reactant 30.

예를 들어, 상기 열원(130)은 상기 튜브 몸체(110) 외측에 배치되는 히팅 램프 일 수 있다. 예를 들어, 상기 열원(130)은 상기 튜브 몸체(110)의 외주면을 감싸는 열선 일 수 있다.For example, the heat source 130 may be a heating lamp disposed outside the tube body 110. For example, the heat source 130 may be a hot wire surrounding the outer circumferential surface of the tube body 110.

상기 열원(130)은 상기 버퍼부(120) 내측의 온도를 약 800℃ 내지 1800℃로 유지할 수 있다. 이때, 상기 열원(130)은 반응물(30)의 종류 및 공정 온도 및 공정 압력과 같은 공정 조건에 따라서, 상기 버퍼부(120) 내측의 온도를 다양하게 조절 할 수 있다.The heat source 130 may maintain a temperature inside the buffer unit 120 at about 800 ° C to 1800 ° C. In this case, the heat source 130 may control the temperature inside the buffer unit 120 in various ways according to the kind of the reactant 30 and the process conditions such as the process temperature and the process pressure.

상기 도가니(200)는 상기 버퍼부(120) 내측에 삽입된다. 즉, 상기 도가니(200)는 상기 버퍼부(120) 및 상기 튜브 몸체(110) 내측에 배치된다. 이에 따라서, 상기 버퍼부(120)는 상기 도가니(200) 및 상기 튜브 몸체(110) 사이에 배치된다.The crucible 200 is inserted into the buffer part 120. That is, the crucible 200 is disposed inside the buffer unit 120 and the tube body 110. Accordingly, the buffer unit 120 is disposed between the crucible 200 and the tube body 110.

상기 도가니(200)는 반응물(30)을 수용한다. 따라서, 상기 버퍼부(120)는 상기 반응물(30) 및 상기 튜브 몸체(110) 사이에 배치된다. 상기 반응물(30)은 실리콘 옥사이드 및 탄소 등을 들 수 있다. 예를 들어, 상기 도가니(200)에는 실리카 및 카본 블랙이 혼합되어 배치될 수 있다.The crucible 200 accommodates the reactant 30. Thus, the buffer unit 120 is disposed between the reactant 30 and the tube body 110. The reactant 30 may include silicon oxide, carbon, and the like. For example, the crucible 200 may be a mixture of silica and carbon black.

상기 도가니(200)는 상부가 오픈된 반원 통 형상을 가진다. 이와는 다르게, 상기 도가니(200)는 상부가 오픈된 직육면체 형상을 가질 수 있다. 상기 도가니(200)에는 상기 반응물(30)이 약 1/2 높이로 수용된다.The crucible 200 has a semi-cylindrical shape with an open top. Alternatively, the crucible 200 may have a rectangular parallelepiped shape with an open top. The reactant 30 is accommodated in the crucible 200 at about a half height.

상기 도가니(200)는 높은 내열성을 가지며, 상기 도가니(200)로 사용되는 물질의 예로서는 흑연 등을 들 수 있다. 더 자세하게, 상기 도가니(200)는 높은 순도 의 흑연으로 이루어진다. 예를 들어, 상기 도가니(200)는 약 99.99% 내지 약 99.9999%의 순도를 가지는 흑연으로 이루어진다.The crucible 200 has high heat resistance, and examples of the material used as the crucible 200 may include graphite. In more detail, the crucible 200 is made of high purity graphite. For example, the crucible 200 is made of graphite having a purity of about 99.99% to about 99.9999%.

상기 버퍼부(120)는 상기 튜브 몸체(110)보다 덜 치밀하게 형성되고, 기공을 포함하기 때문에, 수축 및 팽창에 의해서, 크랙이 덜 발생된다.Since the buffer part 120 is less dense than the tube body 110 and includes pores, less cracking occurs due to shrinkage and expansion.

이에 따라서, 반응물(30) 및/또는 생성물이 상기 버퍼부(120)에 증착되어 막이 형성될 때, 상기 증착된 막 및 상기 버퍼부(120) 사이의 열팽창 계수 차이에 의한 크랙이 더 발생된다.Accordingly, when the reactant 30 and / or the product is deposited in the buffer unit 120 to form a film, a crack is further generated due to a difference in thermal expansion coefficient between the deposited film and the buffer unit 120.

따라서, 실시예에 따른 반응 장치는 상기 버퍼부(120)에 의해서, 상기 튜브 몸체(110)에 반응물(30) 및/또는 생성물이 직접 증착되는 것을 방지하거나 감소시켜, 더 향상된 강도 및 수명을 가진다.Accordingly, the reaction apparatus according to the embodiment prevents or reduces the deposition of the reactant 30 and / or the product directly on the tube body 110 by the buffer portion 120, thereby having a further improved strength and lifespan. .

또한, 상기 버퍼부(120)은 상기 튜브 몸체(110)를 이루는 물질이 상기 생성물에 확산되는 것을 방지한다.In addition, the buffer unit 120 prevents the material forming the tube body 110 from being diffused into the product.

이에 따라서, 실시예에 따른 반응 장치는 고순도의 생성물을 형성할 수 있다. 특히, 실시예에 따른 반응 장치는 실리콘 옥사이드 및 탄소를 반응시켜서, 고순도의 실리콘 카바이드를 형성할 수 있다.Accordingly, the reaction apparatus according to the embodiment can form a high purity product. In particular, the reaction apparatus according to the embodiment may react with silicon oxide and carbon to form high purity silicon carbide.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응 용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although described above with reference to the embodiment is only an example and is not intended to limit the invention, those of ordinary skill in the art to which the present invention does not exemplify the above within the scope not departing from the essential characteristics of this embodiment It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to these modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

실험예Experimental Example

약 5㎜의 두께를 가지고, 직경이 약 250㎜인 원통 형상의 알루미나 튜브 몸체가 제공되었다. 또한, 상기 튜브 몸체 내측에 기공도가 약 30%이고, 약 5㎜의 두께를 가지고, 흑연으로 이루어진 버퍼부가 배치되었다.A cylindrical alumina tube body having a thickness of about 5 mm and a diameter of about 250 mm was provided. In addition, a buffer portion made of graphite was disposed inside the tube body having a porosity of about 30% and a thickness of about 5 mm.

SiO2 및 카본 블랙이 도가니에 담겨져서 상기 버퍼부에 삽입되었고, 1일 1회 약 23 시간 동안 1600℃에서 실리콘 카바이드를 합성하였다. 이러한 과정은 한 달동안 진행되었다. 상기 버퍼부 내측에 약 0.1㎜의 증착물이 형성되었다.SiO 2 and carbon black were placed in the crucible and inserted into the buffer portion, and silicon carbide was synthesized at 1600 ° C. for about 23 hours once a day. This process lasted for a month. A deposit of about 0.1 mm was formed inside the buffer portion.

또한, 합성된 실리콘 카바이드에서, 약 50ppm의 알루미늄이 검출되었다.In addition, about 50 ppm of aluminum was detected in the synthesized silicon carbide.

비교예Comparative example

약 5㎜의 두께를 가지고, 직경이 약 250㎜인 원통 형상의 알루미나 튜브 몸체가 제공되었다.A cylindrical alumina tube body having a thickness of about 5 mm and a diameter of about 250 mm was provided.

이후, 상기 튜브 몸체 내측에 버퍼부가 형성되지 않고, 실험예와 같은 조건으로 실리콘 카바이드를 합성하였다. 이러한 과정에서, 상기 튜브 몸체 내측에 약 0.2㎜ 두께의 증착물이 형성되었다. 또한, 상기 튜브 몸체에서 크랙이 발생되었다.Thereafter, a buffer unit was not formed inside the tube body, and silicon carbide was synthesized under the same conditions as in the experimental example. In this process, a deposit about 0.2 mm thick was formed inside the tube body. In addition, cracks were generated in the tube body.

또한, 합성된 실리콘 카바이드에서, 약 500ppm의 알루미늄이 검출되었다.In addition, about 500 ppm of aluminum was detected in the synthesized silicon carbide.

비교예 및 실험예에서 살펴본 바와 같이, 버퍼부에 의해서, 튜브 로는 향상된 강도 및 수명을 가지고, 고순도의 생성물을 형성한다는 것을 알 수 있다.As seen in Comparative Examples and Experimental Examples, it can be seen that, by the buffer unit, the tube furnace has an improved strength and lifespan and forms a high purity product.

도 1은 실시예에 따른 반응 장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing a reaction device according to an embodiment.

도 2는 실시예에 따른 반응 장치의 일 단면을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing one cross section of the reaction apparatus according to the embodiment.

도 3은 도 2에서 A부분을 확대하여 도시한 단면도이다.FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 2.

Claims (6)

반응물을 수용하는 통 형상의 튜브 몸체;A tubular tube body for receiving a reactant; 상기 튜브 몸체 내측에 배치되고, 상기 반응물 및 상기 튜브 몸체 사이에 배치되는 버퍼부; 및A buffer unit disposed inside the tube body and disposed between the reactant and the tube body; And 상기 튜브 몸체 외측에 배치되어, 상기 반응물에 열을 가하는 열원을 포함하며,A heat source disposed outside the tube body to heat the reactant, 상기 튜브 몸체의 내주면 및 상기 버퍼부의 외주면이 서로 접촉하는 반응 장치.Reactor of the inner peripheral surface of the tube body and the outer peripheral surface of the buffer portion in contact with each other. 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼부는 원통 형상을 가지며, 상기 버퍼부는 상기 반응물을 수용하는 반응 장치.The reaction apparatus of claim 1, wherein the buffer portion has a cylindrical shape, and the buffer portion accommodates the reactant. 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼부는 기공을 포함하는 반응장치.The reactor of claim 1, wherein the buffer unit comprises pores. 제 3 항에 있어서, 상기 기공의 비율은 상기 버퍼부에 대하여 10 부피% 내지 50 부피%인 반응장치.The reactor of claim 3, wherein the proportion of the pores is 10% by volume to 50% by volume with respect to the buffer part. 제 1 항에 있어서 상기 튜브 몸체는 석영, 뮬라이트 또는 알루미나를 포함하는 반응장치.The reactor of claim 1, wherein the tube body comprises quartz, mullite or alumina. 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼부는 흑연, 실리콘 옥사이드, 실리콘 카바이드, 티타늄 카바이드 또는 비스무트 카바이드를 포함하는 반응장치.The reactor of claim 1, wherein the buffer part comprises graphite, silicon oxide, silicon carbide, titanium carbide, or bismuth carbide.
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