KR20100089338A - Light emitting device comprising micro-rod and manufacturing method of the same - Google Patents

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KR20100089338A
KR20100089338A KR1020090008540A KR20090008540A KR20100089338A KR 20100089338 A KR20100089338 A KR 20100089338A KR 1020090008540 A KR1020090008540 A KR 1020090008540A KR 20090008540 A KR20090008540 A KR 20090008540A KR 20100089338 A KR20100089338 A KR 20100089338A
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윤대호
박성수
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device comprising a micro-rod and manufacturing method of the same are provided to increase emission area of the emitting device and to improve luminous efficiency by controlling a lattice constant difference and a deformity of thermal expansion coefficient difference. CONSTITUTION: A reflecting layer(11) is formed on a conductive substrate(10). A micro-rod is projected from a hole inside of the reflecting layer. The micro-load comprises a reflection conductive layer(13a), an n-GaN layer(13b), an active layer(13c), and a p-GaN layer(13d). A filling layer(14) is formed in the reflecting layer top and the micro-load side. A transparent electrode(15) is formed on the micro-load and the filling layer.

Description

마이크로 로드를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법{Light emitting device comprising micro-rod and manufacturing method of the same}Light emitting device including micro rod and manufacturing method thereof

본 발명의 실시예는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 굴절율이 서로 다른 물질들이 교대로 형성된 반사 패턴 및 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자에 관한 것이다. Embodiments of the present invention relate to a light emitting device including a micro rod and a method of manufacturing the same, and a light emitting device including a micro rod and a reflective pattern formed by alternating materials having different refractive indices.

나노 와이어(nanowire)는 우수한 전기적, 광학적 특성과 전자 소자로서의 응용 가능성을 인정받아 최근에 많은 연구가 진행되고 있다. Nanowires (Nanowire) has been recently researched in recognition of its excellent electrical and optical properties and the possibility of application as an electronic device.

반도체 물질 중 하나인 GaN은 종래의 Si 반도체나 GaAs 화합물 반도체와는 달리 직접 천이형의 밴드갭 구조를 가지면서 In 이나 Al의 합금을 통해 1.9 ~ 6.2eV 까지 밴드갭 조절이 가능함으로 광소자로서의 이용 가치가 매우 높다. 그리고, 항복 전압이 높고 고온에서도 안정된 특성을 지니므로 종래의 반도체 재료로 구현하기 어려운 고출력 소자나 고온 전자 소자 등 여러 분야에 유용되고 있다. 예를 들어 풀칼라 디스플레이(full color display)를 이용한 대형 전광판이나, 신호등, 광기록 매체의 광원, 자동차 엔진의 고출력 트랜지스터 등에 이용되고 있다.Unlike conventional Si semiconductors or GaAs compound semiconductors, GaN, which is one of the semiconductor materials, has a direct transition type band gap structure and can be used as an optical device because the band gap can be controlled from 1.9 to 6.2 eV through an alloy of In or Al. Very high value. In addition, since the breakdown voltage is high and stable at high temperatures, it is useful in various fields such as high output devices or high temperature electronic devices that are difficult to realize in conventional semiconductor materials. For example, it is used for a large display board using a full color display, a signal lamp, a light source of an optical recording medium, a high output transistor of an automobile engine, and the like.

종래 GaN 기반의 전자 소자, 예를 들어 질화물 반도체 발광 다이오드는 일반 적으로 2차원 구조의 박막 형태로 구현되었다. 그러나 박막 형태의 발광 다이오드는 에피탁샬(epitaxial) 성장 시 기판과의 격자 상수와 열팽창 계수의 차이로 결함이 크게 발생하는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 기판과 GaN 사이에 Al1-xGaxN(0<x≤1) 층을 삽입하여 결함 밀도를 많이 감소 시킬 수 있었다. 결과적으로 GaN 계열의 발광 다이오드와 레이저 다이오드 등의 발광소자 특성에 있어 많은 개선이 이루어졌고, 현재 상용화가 이루어지고 있다. 그러나, 이러한 방법을 사용하여 GaN 박막을 성장시키는 경우에도 108cm-2 이상의 결함 밀도가 소자 내의 박막에 포함되어 있어 결함 밀도를 줄이고 효율을 높이기 위한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다.Conventional GaN-based electronic devices, such as nitride semiconductor light emitting diodes, are generally implemented in the form of a thin film having a two-dimensional structure. However, the light emitting diode of the thin film type has a problem that a defect occurs largely due to the difference in lattice constant and thermal expansion coefficient with the substrate during epitaxial growth. In order to solve this problem, an Al 1-x Ga x N (0 <x≤1) layer was inserted between the substrate and GaN, thereby greatly reducing the defect density. As a result, many improvements have been made in the characteristics of light emitting devices such as GaN-based light emitting diodes and laser diodes, and commercialization is currently being made. However, even when the GaN thin film is grown using this method, a defect density of 10 8 cm −2 or more is included in the thin film in the device, and researches for reducing the defect density and increasing efficiency are continuously conducted.

GaN 나노 와이어를 포함하여 형성된 발광 소자는 나노 와이어의 표면 결함 밀도가 소자의 스케일에 비하여 상대적으로 크기 때문에 누설 전류(leakage current)가 발생할 수 있다. 이에 따라 발광 소자의 동작 특성이 저하되는 문제점이 있다. A light emitting device including GaN nanowires may have a leakage current because the surface defect density of the nanowires is relatively large compared to the scale of the device. Accordingly, there is a problem in that the operating characteristics of the light emitting device are deteriorated.

본 발명의 실시예에서는, 격자 상수 차이와 열팽창 계수 차이로 생기는 결함을 줄여 결정성이 향상된 마이크로 로드를 포함하여 소자의 발광 면적을 증가시키고, 발광 효율을 향상시킨 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자 및 그의 제조 방법을 제공한다. According to an embodiment of the present invention, a light emitting device including a microrod including a microrod which includes a microrod with improved crystallinity by reducing defects caused by a lattice constant difference and a thermal expansion coefficient difference, and has improved luminous efficiency, It provides a manufacturing method.

전도성 기판; Conductive substrates;

상기 전도성 기판 상에 형성된 반사층;A reflective layer formed on the conductive substrate;

상기 반사층의 홀 내부로부터 돌출되어 형성된 마이크로 로드;A micro rod protruding from an inside of the hole of the reflective layer;

상기 반사층 상부 및 상기 마이크로 로드 측부에 형성된 충진층; 및A filling layer formed on the reflective layer and on the side of the micro rod; And

상기 마이크로 로드 및 상기 충진층 상에 형성된 투명 전극;을 포함하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자를 제공한다.It provides a light emitting device comprising a micro rod including; the micro rod and a transparent electrode formed on the filling layer.

상기 마이크로 로드는 반사전도층, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 포함할 수 있다. The microrods may include a reflective conductive layer, an n-GaN layer, an active layer, and a p-GaN layer.

상기 활성층은 In1-xGaxN(0<x≤1)으로 형성된 것일 수 있다. The active layer may be formed of In 1-x Ga x N (0 <x ≦ 1).

상기 반사층은 굴절율이 높은 제 1물질과 굴절율이 낮은 제 2물질이 교대로 형성된 다층 구조일 수 있다.The reflective layer may have a multilayer structure in which a first material having a high refractive index and a second material having a low refractive index are alternately formed.

상기 제 1물질은 굴절율이 1.8 이상이며, 상기 제 2물질은 굴절율이 1.5 이 하일 수 있다. The first material may have a refractive index of 1.8 or more, and the second material may have a refractive index of 1.5 or less.

상기 충진층은 Si 산화물 또는 Si 질화물로 형성된 것일 수 있다. The filling layer may be formed of Si oxide or Si nitride.

또한, 기판 상에 반사층을 형성하고 상기 반사층에 상기 기판을 노출시키는 다수의 홀을 형성하는 단계;Forming a reflective layer on the substrate and forming a plurality of holes in the reflective layer to expose the substrate;

상기 홀 내부 및 상기 반사층 표면을 돌출하는 마이크로 로드를 형성하는 단계; Forming a microrod protruding in the hole and the surface of the reflective layer;

상기 반사층 상부 및 상기 마이크로 로드 측부에 충진층을 형성하는 단계; 및Forming a filling layer on the reflective layer and on the side of the microrods; And

상기 충진층 및 상기 마이크로 로드 상에 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. It provides a method of manufacturing a light emitting device comprising a micro-rod comprising; forming a transparent electrode on the filling layer and the micro-rod.

상기 홀 내부로부터 반사전도층, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 순차적으로 형성함으로써 상기 마이크로 로드를 형성할 수 있다. The microrods may be formed by sequentially forming a reflection conductive layer, an n-GaN layer, an active layer, and a p-GaN layer from the inside of the hole.

굴절율이 높은 제 1물질과 굴절율이 낮은 제 2물질을 교대로 형성하여 상기 반사층을 형성할 수 있다. The reflective layer may be formed by alternately forming a first material having a high refractive index and a second material having a low refractive index.

상기 반사층 상에 포토 레지스트를 형성하고 포토리소그래피 공정을 실시함으로써 상기 홀을 형성할 수 있다. The hole may be formed by forming a photoresist on the reflective layer and performing a photolithography process.

상기 마이크로 로드는 MOCVD, MBE 또는 HVPE로 형성할 수 있다. The microrods may be formed of MOCVD, MBE or HVPE.

본 발명의 실시예에 의하면 균일성 및 신뢰성이 향상된 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한, 마이크로 로드의 성장을 위한 마스크 패턴을 반사막으로 사용하고, 식각 또는 연마 공정이 아닌 성장 공정으로 마이크로 로드를 형성하여 간단하면서 경제성이 우수한 발광 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다. According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a light emitting device including a microrod having improved uniformity and reliability. In addition, by using a mask pattern for growing the microrods as a reflective film, and forming the microrods by a growth process other than an etching or polishing process, it is possible to provide a method of manufacturing a light emitting device having a simple and economical efficiency.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings refer to like elements, and the size or thickness of each element may be exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a light emitting device including a micro rod according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판(10), 기판(10) 상에 형성된 반사층(11), 반사층(11)의 홀 내부로부터 돌출되어 형성된 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d), 반사층(11) 상의 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d) 사이에 형성된 충진층(14) 및 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d) 및 충진층(14) 상에 형성된 투명 전극(15)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate 10, the reflective layer 11 formed on the substrate 10, the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d protruding from the inside of the hole of the reflective layer 11, the reflective layer 11 are formed. A filling layer 14 formed between the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d on the top, and a transparent electrode 15 formed on the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d and the filling layer 14.

이하, 도 1의 각 층에 해당하는 물질에 대해 살펴보고자 한다. Hereinafter, the material corresponding to each layer of FIG. 1 will be described.

기판(10)은 통상적으로 반도체 소자에서 사용되는 전도성 기판을 사용할 수 있으며, 예를 들어, GaN, Si, GaAs, CuW 등을 사용할 수 있다. The substrate 10 may be a conductive substrate that is typically used in a semiconductor device, for example, GaN, Si, GaAs, CuW and the like can be used.

반사층(11)은 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자 형성 시 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)를 성장시키기 위한 패턴 마스크(pattern mask) 역할을 하는 것으로, 소자를 완성한 뒤에는 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)에서 방출된 광을 반사시키는 역할을 한다. 반사층(11)은 굴절율이 높은 제 1물질(H)과 굴절율이 낮은 제 2물질(L)이 교대로 형성된 다층 구조를 지니고 있으며, 형성 횟수에는 제한이 없다. 여기서 제 1물질은 굴절율이 약 1.8 이상인 절연 물질일 수 있으며, 제 2물질은 굴절율이 약 1.5 이하인 물질일 수 있으며, 이에 한정되지 아니하며, 굴절율이 상대적으로 차이가 나는 것이면 사용할 수 있다. 예를 들어, 굴절율이 높은 물질(H)로 Ti 산화물을 사용할 수 있으며, 굴절율이 낮은 물질(L)로 Si 산화물을 사용할 수 있다. The reflective layer 11 serves as a pattern mask for growing the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d when forming the light emitting device according to the embodiment of the present invention. After completing the device, the microrods 13a , 13b, 13c, and 13d) reflect light emitted from the light. The reflective layer 11 has a multilayer structure in which the first material H having a high refractive index and the second material L having a low refractive index are alternately formed. The number of formations is not limited. Here, the first material may be an insulating material having a refractive index of about 1.8 or more, and the second material may be a material having a refractive index of about 1.5 or less, and the present invention is not limited thereto and may be used as long as the refractive index is relatively different. For example, Ti oxide may be used as the material (H) having a high refractive index, and Si oxide may be used as the material (L) having a low refractive index.

마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)는 반사전도층(13a), n-GaN층(13b), 활성층(13c) 및 p-GaN층(13d)을 포함할 수 있다. 반사전도층(13a)은 AlN/GaN 등의 분산 브래그 반사기(distributed Bragg reflector; DBR) 구조일 수 있으며, Zr1-xHfxB2 (0 ≤ x < 1)등의 전도성을 지니며 활성층(13c)의 방출 광의 파장을 반사하는 특성을 지닌 물질로 형성된 것일 수 있다. 활성층(13c)은 In1-xGaxN(0<x≤1)으로 형성된 것일 수 있다. 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)는 기둥 형태 뿐만 아니라 측면이 경사진 형태로도 형성된 것일 수 있다. 본 발명의 실시예에 의한 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자는 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)는 활성층(13c)에서 방출된 광이 하부의 반사층(11) 및 반사전도층(13a)에 의해 반사되어 투명 전극(15) 방향으로 방출되는 수직형 발광 소자이다. The microrods 13a, 13b, 13c, and 13d may include a reflective conductive layer 13a, an n-GaN layer 13b, an active layer 13c, and a p-GaN layer 13d. The reflective conductive layer 13a may have a distributed Bragg reflector (DBR) structure such as AlN / GaN, has a conductivity such as Zr 1-x Hf x B 2 (0 ≦ x <1), and has an active layer ( It may be formed of a material having a property of reflecting the wavelength of the emitted light of 13c). The active layer 13c may be formed of In 1-x Ga x N (0 <x ≦ 1). The microrods 13a, 13b, 13c, and 13d may be formed not only in the form of a column but also in the form of inclined sides. In the light emitting device including the microrod according to the embodiment of the present invention, the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d may emit light emitted from the active layer 13c to the lower reflective layer 11 and the reflective conductive layer 13a. It is a vertical light emitting device that is reflected by the light emitted toward the transparent electrode 15.

충진층(14)은 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)들의 사이를 충진하기 위한 것으로, 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)의 기계적 강도 유지, 반사층(11) 보호 및 투명 전극(15) 증착을 위해 형성된다. 충진층(14)은 Si 산화물, Si 질화물 등의 절연 물질로 형성된 것일 수 있다. The filling layer 14 fills the space between the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d, and maintains the mechanical strength of the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d, protects the reflective layer 11, and transparent electrodes ( 15) is formed for deposition. The filling layer 14 may be formed of an insulating material such as Si oxide or Si nitride.

투명 전극(15)은 통상적인 발광 소자의 투명 전극 물질로 형성할 수 있으며, 예를 들어 ITO(Indium, Tin, Oxide)로 형성된 것일 수 있다. The transparent electrode 15 may be formed of a transparent electrode material of a conventional light emitting device, and may be formed of, for example, indium, tin, or oxide (ITO).

이하, 도 2a 내지 도 2h를 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법에 대해 상세히 설명하고자 한다. Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device including a microrod according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2A to 2H.

도 2a를 참조하면, 먼저 기판(10)을 마련한다. 여기서, 기판(10)은 통상적으로 반도체 소자에서 사용되는 전도성 기판을 사용할 수 있으며, 예를 들어, GaN, Si, GaAs, CuW 등을 사용할 수 있다. Referring to FIG. 2A, first, a substrate 10 is prepared. Here, the substrate 10 may be a conductive substrate commonly used in semiconductor devices, for example, GaN, Si, GaAs, CuW, and the like may be used.

도 2b를 참조하면, 기판(10) 상에 다층 구조의 반사층(11)을 형성한다. 반사층(11)은 굴절율이 높은 물질(11a, 11c) 및 굴절율이 낮은 물질(11b, 11d)을 교대로 형성하여 다층 구조 형태로 형성한다. 반사층(11)은 제조 과정에서 마이크로 로드의 형성을 위한 반사 패턴 마스크(reflective pattern mask)의 역할을 할 수 있다. 구체적으로 예를 들면, 고굴절율 물질인 TiO2와 저굴절율 물질인 SiO2를 교대로 증착할 수 있다. 이때, 반사층(11)을 구성하는 층의 횟수에는 제한이 없다, Referring to FIG. 2B, a reflective layer 11 having a multilayer structure is formed on the substrate 10. The reflective layer 11 alternately forms materials 11a and 11c having high refractive index and materials 11b and 11d having low refractive index to form a multilayer structure. The reflective layer 11 may serve as a reflective pattern mask for forming a micro rod in the manufacturing process. Specifically, for example, TiO 2 , which is a high refractive index material, and SiO 2 , which is a low refractive index material, may be alternately deposited. At this time, the number of layers constituting the reflective layer 11 is not limited.

도 2c 및 도 2d를 참조하면, 반사층(11)을 마이크로 로드의 성장을 위한 마스크로 사용하기 위해 반사층(11) 상에 포토 레지스트(12)를 도포하고, 포토리소그라피(photo-lithography) 공정을 실시한다. 그리고, 예를 들어 건식 에칭 공정에 의해 반사층(11) 내에 소정 간격으로 기판(10)을 노출시키는 다수의 홀(h)을 형성 한다. 구체적으로 예를 들어, 홀(h)의 직경은 2μm, 홀(h)의 간격은 5μm로 형성할 수 있다. 2C and 2D, in order to use the reflective layer 11 as a mask for the growth of the microrods, the photoresist 12 is coated on the reflective layer 11, and a photo-lithography process is performed. do. For example, a plurality of holes h are formed in the reflective layer 11 to expose the substrate 10 at predetermined intervals by a dry etching process. Specifically, for example, the diameter of the hole h may be 2 μm, and the interval of the hole h may be 5 μm.

도 2e를 참조하면, 홀(h) 내부로부터 반사층(11) 표면을 돌출하도록 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)를 성장시킨다. 구체적으로 MOCVD, MBE, HVPE 등의 공정으로 방법으로 반사전도층(13a), n-GaN층(13b), 활성층(13c) 및 p-GaN층(13d)을 순차적으로 형성시킨다. 반사전도층(13a)은 약 10-100nm의 길이로 형성할 수 있다. 구체적으로 반사전도층(13a)을 ZrB2로 형성하는 경우 소스 물질로 Zr(BH4)4을 이용하여 섭씨 약 500-1100도의 온도 범위에서 MBE로 형성할 수 있다. 그리고, MOCVD 공정으로 섭씨 약 500-1100도의 온도 범위에서 n-GaN층(13b), In1-xGaxN(0<x≤1) 활성층(13c) 및 p-GaN층(13d)를 순차적으로 형성할 수 있다. 이 때, 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)는 반사층(11) 상에 돌출되어 형성된다. Referring to FIG. 2E, the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d are grown to protrude from the inside of the hole h to reflect the surface of the reflective layer 11. Specifically, the reflective conductive layer 13a, the n-GaN layer 13b, the active layer 13c, and the p-GaN layer 13d are sequentially formed by a method such as MOCVD, MBE, HVPE, or the like. The reflective conductive layer 13a may be formed to a length of about 10-100 nm. Specifically, when the reflective conductive layer 13a is formed of ZrB 2 , it may be formed of MBE in a temperature range of about 500-1100 degrees Celsius using Zr (BH 4 ) 4 as a source material. The n-GaN layer 13b, the In 1-x Ga x N (0 <x≤1) active layer 13c and the p-GaN layer 13d are sequentially formed in a temperature range of about 500-1100 degrees Celsius by the MOCVD process. It can be formed as. At this time, the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d are formed to protrude on the reflective layer 11.

도 2f를 참조하면, 반사층(11) 상부 및 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)들 사이에 충진재(filler)를 도포하여 충진층(14)을 형성한다. 충진재(14)는 통상적인 반도체 소자의 절연 물질로 사용되는 Si 산화물 또는 Si 질화물 등으로 형성할 수 있다. Referring to FIG. 2F, a filler is applied between the reflective layer 11 and the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d to form the filler layer 14. The filler 14 may be formed of Si oxide or Si nitride used as an insulating material of a conventional semiconductor device.

도 2g를 참조하면, 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d)의 표면을 노출시키기 위하여 충진층(14)을 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행한다. Referring to FIG. 2G, the filling layer 14 performs a chemical mechanical polishing (CMP) process to expose the surfaces of the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d.

도 2h를 참조하면, 마이크로 로드(13a, 13b, 13c, 13d) 및 충진층(14) 상에 투명 전극(15)을 형성한다. 투명 전극(15)은 통상적인 반도체 소자의 투명 전극 물 질로 형성할 수 있으며, 구체적으로 ITO(Indium-Tin-Oxide)로 형성할 수 있다. 구체적으로 ITO를 약 500nm 두께 범위로 형성한다. 그리고, 섭씨 약 400-500도의 열처리 공정을 실시하여 오믹 콘택(ohmic contact)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 2H, the transparent electrodes 15 are formed on the microrods 13a, 13b, 13c, and 13d and the filling layer 14. The transparent electrode 15 may be formed of a transparent electrode material of a conventional semiconductor device. Specifically, the transparent electrode 15 may be formed of indium tin oxide (ITO). Specifically, ITO is formed in a thickness range of about 500 nm. In addition, an ohmic contact may be formed by performing a heat treatment process at about 400-500 degrees Celsius.

본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. Although embodiments of the present invention have been described, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a light emitting device including a micro rod according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 실시예에 의한 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.2A to 2H are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device including a microrod according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10... 기판 11... 반사층10 ... substrate 11 ... reflective layer

12... 포토 레지스트 13... 마이크로 로드12 ... Photoresist 13 ... Micro Rod

13a... 반사전도층 13b... n-GaN층13a ... conductive conductive layer 13b ... n-GaN layer

13c... 활성층 13d... p-GaN층13c ... active layer 13d ... p-GaN layer

14... 충진층 15... 투명 전극14 ... filled layer 15 ... transparent electrode

Claims (13)

전도성 기판; Conductive substrates; 상기 전도성 기판 상에 형성된 반사층;A reflective layer formed on the conductive substrate; 상기 반사층의 홀 내부로부터 돌출되어 형성된 마이크로 로드;A micro rod protruding from an inside of the hole of the reflective layer; 상기 반사층 상부 및 상기 마이크로 로드 측부에 형성된 충진층; 및A filling layer formed on the reflective layer and on the side of the micro rod; And 상기 마이크로 로드 및 상기 충진층 상에 형성된 투명 전극;을 포함하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자.And a micro rod including the micro rod and the transparent electrode formed on the filling layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마이크로 로드는 반사전도층, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 포함하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자.The micro rod includes a micro rod including a reflective conductive layer, an n-GaN layer, an active layer, and a p-GaN layer. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 활성층은 In1-xGaxN(0<x≤1)으로 형성된 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자. The active layer includes a microrod formed of In 1-x Ga x N (0 <x ≦ 1). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사층은 굴절율이 높은 제 1물질과 굴절율이 낮은 제 2물질이 교대로 형성된 다층 구조인 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자. The reflective layer includes a microrod having a multilayer structure in which a first material having a high refractive index and a second material having a low refractive index are alternately formed. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1물질은 굴절율이 1.8 이상이며, 상기 제 2물질은 굴절율이 1.5 이하인 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자. The first material has a refractive index of 1.8 or more, and the second material includes a microrod having a refractive index of 1.5 or less. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 충진층은 Si 산화물 또는 Si 질화물로 형성된 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자. The filling layer includes a micro rod formed of Si oxide or Si nitride. 기판 상에 반사층을 형성하고 상기 반사층에 상기 기판을 노출시키는 다수의 홀을 형성하는 단계;Forming a reflective layer on the substrate and forming a plurality of holes in the reflective layer to expose the substrate; 상기 홀 내부 및 상기 반사층 표면을 돌출하는 마이크로 로드를 형성하는 단계; Forming a microrod protruding in the hole and the surface of the reflective layer; 상기 반사층 상부 및 상기 마이크로 로드 측부에 충진층을 형성하는 단계; 및Forming a filling layer on the reflective layer and on the side of the microrods; And 상기 충진층 및 상기 마이크로 로드 상에 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. Forming a transparent electrode on the filling layer and the micro rod; a manufacturing method of a light emitting device comprising a micro rod. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 홀 내부로부터 반사전도층, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층을 순차적으로 형성함으로써 상기 마이크로 로드를 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.And a micro rod forming the micro rod by sequentially forming a reflection conductive layer, an n-GaN layer, an active layer, and a p-GaN layer from the inside of the hole. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 굴절율이 높은 제 1물질과 굴절율이 낮은 제 2물질을 교대로 형성하여 상기 반사층을 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.And a micro rod which alternately forms a first material having a high refractive index and a second material having a low refractive index to form the reflective layer. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 반사층 상에 포토 레지스트를 형성하고 포토리소그래피 공정을 실시함으로써 상기 홀을 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. And forming a hole by forming a photoresist on the reflective layer and performing a photolithography process. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제 1물질은 굴절율이 1.8 이상이며, 상기 제 2물질은 굴절율이 1.5 이하인 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. The first material has a refractive index of 1.8 or more, and the second material includes a microrod having a refractive index of 1.5 or less. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 충진층은 Si 산화물 또는 Si 질화물로 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. The filling layer is a method of manufacturing a light emitting device comprising a micro rod formed of Si oxide or Si nitride. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 마이크로 로드는 MOCVD, MBE 또는 HVPE로 형성하는 마이크로 로드를 포함하는 발광 소자의 제조 방법. The micro rod is a method of manufacturing a light emitting device comprising a micro rod formed of MOCVD, MBE or HVPE.
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