KR20100089058A - 샤워 헤드와 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 샤워헤드는, 반응 챔버의 내부로 제1반응가스가 공급되도록 하는 적어도 하나의 가스관을 구비하는 제1헤드; 상기 가스관이 관통하는 소정 크기의 홀을 구비하는 제2헤드; 및 상기 홀을 관통한 상기 가스관과 상기 홀 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부로 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 포함한다.
Description
본 발명은 샤워 헤드와 이를 구비하는 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반응 가스의 분사 구조를 개선한 샤워 헤드와 이를 갖는 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 화학 기상 증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)은 반응 챔버내로 공급된 반응가스가 가열된 웨이퍼의 상부표면에서 화학반응을 통하여 박막을 성장시키는 것이다. 이러한 박막 성장법은 액상 성장법에 비해서 성장시킨 결정의 품질이 뛰어나지만, 결정의 성장 속도가 상대적으로 느린 단점이 있다. 이것을 극복하기 위해 한 번의 성장 싸이클에서 여러 장의 기판상에 동시에 성장을 실행하는 방법이 널리 채택되고 있다.
일반적인 화학 기상 증착 장치는 소정 크기의 내부공간을 갖는 반응 챔버와, 그 내부공간에 설치되어 증착 대상물인 웨이퍼를 탑재하는 서셉터와, 상기 서셉터와 인접하도록 구비되어 소정의 열을 가하는 가열수단, 그리고 상기 서셉터가 탑재하는 웨이퍼로 반응가스를 분사하는 샤워 헤드를 포함하여 구성된다.
본 발명의 목적은 헤드간의 조립공정을 단순화하고 조립에 소요되는 시간을 줄여 작업생산성을 향상시키고, 제조비용을 절감할 수 있는 샤워 헤드를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 서로 다른 반응가스의 혼합 시 발생되는 와류발생을 최소화하여 헤드 하부 면에서의 기생 증착을 억제할 수 있는 샤워 헤드를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 서로 다른 반응가스가 혼합되는 길이를 단축하여 반응 챔버 높이를 낮추고 장치의 전체부피를 소형화할 수 있는 화학 기상 증착장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 샤워헤드는, 반응 챔버의 내부로 제1반응가스가 공급되도록 하는 적어도 하나의 가스관을 구비하는 제1헤드; 상기 가스관이 관통하는 소정 크기의 홀을 구비하는 제2헤드; 및 상기 홀을 관통한 상기 가스관과 상기 홀 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부로 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 포함한다.
또한, 상기 가스유로는 상기 홀의 내면과 상기 가스관의 외면 사이에 형성된 소정 크기의 간격을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관의 중심과 상기 홀의 중심이 서로 실질적으로 일치되도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관 상기 가스관의 하단과 상기 홀의 하단은 실질적으로 동일한 수평 레벨에 배치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관의 두께를 변경시킴으로써 상기 제1반응가스와 제2반응가스가 혼합되는 혼합구간의 길이를 변경시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관은 상기 제1반응가스를 분사하도록 적어도 하나의 가스분사공을 구비하는 중공부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1헤드 및 상기 제2헤드 사이에 구비되며, 상기 가스관이 삽입되도록 소정의 내부공간을 갖는 공급관을 구비하는 제3헤드와, 상기 공급관과 상기 가스관 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부에 제3반응가스를 공급하는 공급유로를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 공급관의 외면과 상기 홀 사이에는 상기 가스유로가 형성되고, 상기 공급관의 내면과 상기 가스관의 내면 사이에는 상기 공급유로가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관의 중심, 상기 홀의 중심, 그리고 상기 공급관의 중심은 서로 실질적으로 일치되도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관의 두께 및 상기 공급관의 두께를 각각 변경시킴으로써 상기 제1반응가스, 상기 제2반응가스, 그리고 상기 제3반응가스가 서로 혼합되는 혼합구간의 길이를 변경시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치는, 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부로 제1반응가스가 공급되도록 하는 적어도 하나의 가스관을 구비하는 제1헤드; 상기 가스관이 관통하는 소정 크기의 홀을 구비하는 제2헤드; 및 상기 홀을 관통한 상기 가스관과 상기 홀 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부로 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 포함한다.
또한, 상기 가스유로는 상기 홀의 내면과 상기 가스관의 외면 사이에 형성된 소정 크기의 간격을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관의 중심과 상기 홀의 중심이 서로 실질적으로 일치되도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관의 두께를 변경시킴으로써 상기 제1반응가스와 제2반응가스가 혼합되는 혼합구간의 길이를 변경시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관은 상기 제1반응가스를 분사하도록 적어도 하나의 가스분사공을 구비하는 중공부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1헤드 및 상기 제2헤드 사이에 구비되며, 상기 가스관이 삽입되도록 소정의 내부공간을 갖는 공급관을 구비하는 제3헤드와, 상기 공급관과 상기 가스관 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부에 제3반응가스를 공급하는 공급유로를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 공급관의 외면과 상기 홀 사이에는 상기 가스유로가 형성되고, 상기 공급관의 내면과 상기 가스관의 내면 사이에는 상기 공급유로가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관의 중심, 상기 홀의 중심, 그리고 상기 공급관의 중심은 서로 실질적으로 일치되도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스관의 두께 및 상기 공급관의 두께를 각각 변경시킴으로써 상기 제1반응가스, 상기 제2반응가스, 그리고 상기 제3반응가스가 서로 혼합되는 혼합구간의 길이를 변경시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
상기한 구성의 본 발명에 의하면, 제1헤드의 가스통로와 제2헤드의 홀사이에 간격을 형성하도록 조립됨으로서 헤드간의 조립공정을 단순화하고 조립에 소요되는 시간을 줄일 수 있기 때문에 작업생산성을 향상시키고, 제조비용을 절감할 수 있다.
또한, 서로 다른 반응가스가 혼합되는 길이를 단축함으로서 제2헤드와 서셉터간의 상하간격을 줄일 수 있기 때문에, 반응 챔버의 전체높이를 낮추어 장치의 소형화 설계를 가능하게 할 수 있고, 반응가스의 소모량을 줄임과 동시에 균일한 가스 유동흐름을 확보하여 균일한 품질의 성장층을 얻을 수 있다.
그리고, 서로 다른 반응가스가 일정거리 이후에 서로 혼합됨으로서 헤드하부면에서 와류가 발생되는 것을 최소화할 수 있기 때문에 헤드 하부면에서의 기생증착을 억제할 수 있는 효과가 얻어진다.
도 1은 본 발명에 따른 샤워 헤드를 갖는 화학기상 증착장치의 실시예를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 샤워 헤드의 실시예를 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 B 부분에 대한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 샤워 헤드의 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 5(a)(b)(c)는 본 발명에 다른 샤워 헤드에 채용되는 가스통로를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 샤워 헤드의 실시예를 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 B 부분에 대한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 샤워 헤드의 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 5(a)(b)(c)는 본 발명에 다른 샤워 헤드에 채용되는 가스통로를 도시한 사시도이다.
이하 본 발명에 대해서 첨부된 도면에 따라 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 샤워 헤드를 갖는 화학기상 증착장치의 실시예를 도시한 단면도이며, 도 2는 본 발명에 따른 샤워 헤드를 도시한 분해 사시도이며, 도 3은 도 2의 B 부분에 대한 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 장치(100)는 도 1 내지 3에 도시한 바와 같이, 반응 챔버(110), 서셉터(120), 가열수단(130) 및 샤워 헤드(200)를 포함한다.
상기 반응 챔버(110)는 그 내부로 유입된 반응가스와 증착 대상물인 웨이퍼(2)간의 화학적 기상 반응이 이루어지도록 소정 크기의 내부공간을 제공하며, 내부면에는 고온 분위기를 견딜 수 있도록 단열재가 구비될 수 도 있다.
이러한 반응 챔버(110)에는 상기 웨이퍼(2)와의 화학적 기상 반응이 종료된 폐가스를 외부로 배출하기 위한 배기구(119)를 구비한다.
상기 서셉터(120)는 상기 웨이퍼(2)가 탑재되는 포켓을 상부면에 적어도 하나 이상 함몰형성하여 상기 반응 챔버(110)의 내부에 배치되는 웨이퍼 지지구조물이다.
이러한 상기 서셉터(120)는 그라파이트(graphite)를 소재로 하여 원반형태로 구비되며, 하부면 정중앙에는 미도시된 구동모터과 연결되는 회전축을 구비함으로서 상기 웨이퍼(2)가 탑재된 서셉터(120)는 상기 구동모터의 회전동력에 의해서 일방향으로 대략 5 내지 50 rpm의 균일속도로 일정하게 회전될 수 있는 것이다.
상기 가열수단(130)은 상기 웨이퍼(2)가 탑재되는 서셉터(120)의 하부면 근방에 배치되어 상기 서셉터(120)에 열을 제공하여 상기 웨이퍼(2)를 가열한다.
이러한 가열수단(130)은 전기히터, 고주파유도, 적외선방사, 레이저 등 중 어느 하나로 구비될 수 있다.
그리고, 상기 반응 챔버(110)에는 상기 서셉터(120)의 외부면이나 상기 가열수단(130)에 근접하도록 배치되어 상기 반응 챔버(110)의 내부 분위기 온도를 수시로 측정하고, 측정값을 근거로 하여 가열온도를 조절할 수 있도록 온도센서(미도시)를 구비하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 샤워 헤드(200)는 상기 서셉터(120)에 탑재된 웨이퍼(2)상으로 적어도 한 종류 이상의 반응가스를 분사하여 상기 반응가스가 웨이퍼(2)에 고르게 접촉할 수 있도록 반응 챔버(110)의 상부에 설치되는 구조물이며, 이러한 샤워 헤드(200)는 제1헤드(210)와, 제2헤드(220)를 포함한다.
상기 제1헤드(210)는 제1반응가스(G1)가 공급되는 제1공급라인(201)과 연결되어 상기 제1공급라인(201)을 통하여 제1반응가스(G1)가 내부공간에 채워지는 구조물이다.
이러한 제1헤드(210)의 하부면에는 일정길이를 갖는 가스관(215)이 적어도 하나 구비되어 상기 가스관(215)을 통하여 제1반응가스(G1)가 반응 챔버(110)의 내부로 분사되도록 한다.
도 1 내지 도 5에서는 제1헤드(210)가 가스관(215)을 복수개 구비한 경우에 관하여 도시하고 있다.
상기 제2헤드(220)에는 상기 가스관(215)이 삽입 될 수 있도록 소정 크기의 홀(225)이 마련된다.
도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에서는, 상기 제1헤드(210)와 제2헤드(220)가 상기 반응 챔버(110)의 상부에 설치된 것에 관하여 나타내고 있고, 이들 사이는 스페이서(203)에 의해서 상하 간격을 유지하면서 소정 크기의 내부공간을 형성한다.
상기 스페이서(203)에 의해 형성된 내부공간은 제2공급라인(202)과 연통되는데, 상기 제2공급라인(202)을 통해 제2반응가스(G2)가 반응 챔버(110) 내부로 공급된다.
그리고 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1헤드(210)와 제2헤드(220)는 상기 가스관(215)이 상기 홀(225)을 관통하도록 배치되는데, 상기 가스관(215)의 외면과 상기 홀(225) 사이에는 소정의 간격이 형성된다.
즉 상기 가스관(215)과 상기 홀(225) 사이에는 소정의 간격이 형성되고, 그 간격은 상기 제2공급라인(202)을 통해 공급되는 제2반응가스(G2)가 반응 챔버(110) 내부로 공급될 수 있도록 하는 가스유로(P)를 형성한다.
따라서 상기 제1헤드(210)의 제1공급라인(201)을 통해 공급되는 제1반응가스(G1)는 가스관(215)을 통해 반응 챔버(110)의 내부로 공급되고, 상기 제2공급라인(202)을 통해 공급되는 제2반응가스(G2)는 상기 가스유로(P)를 통해 반응 챔버(110)로 공급되며, 상기 가스관(215) 및 상기 홀(225)의 아래 쪽 공간에서 혼합된다.
여기서 가스관(215) 또는 홀(225)의 아래와 서셉터(120) 사이에 마련된 공간은 상기 가스관(215)을 통해 공급되는 제1반응가스(G1)와 상기 가스유로(P)를 통해 공급되는 제2반응가스(G2)가 서로 혼합되는 혼합구간이다.
따라서 상기 제1헤드(210)의 내부로 공급된 제1반응가스(G1)는 가스관(215)을 통해 반응 챔버(110) 내부로 분사되고, 상기 제1헤드(210)와 제2헤드(220) 사이의 공간을 통해 공급된 제2반응가스(G2)는 상기 가스관(215)과 상기 홀(225) 사이에 형성되는 가스유로(P)를 통해 반응 챔버(110) 내부로 공급되며, 반응 챔버(110) 내부로 공급되는 제1반응가스(G1)와 제2반응가스(G2)는 혼합구간에서 서로 혼합된다.
또한, 상기 제1헤드(210)와 제2헤드(220)와의 조립시 상기 제1헤드(210)의 가스관(215)이 제2헤드(220)의 홀(225)에 걸림없이 간편하게 삽입배치됨으로서, 종래와 같이 높은 정밀도를 요구하지 않고, 용접작업이 불필요하기 때문에, 작업자의 작업부담을 줄이고, 조립공정을 단순화하면서 조립시간을 단축할 수 있다.
여기서, 상기 제1헤드(210)에 구비되는 가스관(215)는 상기 제2헤드(220)에 구비되는 홀(225)의 형성 갯수와 동일한 갯수로 구비되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 가스관(215)의 중심과 상기 홀(225)의 중심을 서로 일치시킴으로서 상기 간격(W)을 통한 제2반응가스(G2)의 분사가 보다 균일하게 이루어질 수 있는 것이다.
또한, 상기 가스관(215)의 하부단과 상기 홀(225)의 하부단은 상기 제2헤드(120)의 하부면과 실질적으로 동일한 위치에 배치되도록 함으로써, 가스유로(P)를 통하여 분사되는 제2반응가스(G2)와 상기 가스관(215)을 통하여 분사되는 제1반응가스(G1) 상호간의 혼합이 보다 원활하게 이루어질 수있는 것이다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 가스관(215)에서 분사되는 제1반응가스(G1)와 상기 가스유로(P)에서 분사되는 제2반응가스(G2) 간의 혼합구간의 길이(ML)는 상기 홀(225)에 배치된 가스관(215)의 두께(T)를 변화시키는 것에 의해서 하부로 길게 연장하거나 짧게 변경할 수 있다.
즉, 상기 가스유로(P)의 간격(W)을 일정하게 유지한 상태에서 상기 가스관(215)의 두께(T)를 두껍게 하면, 상기 가스관을 통한 제1반응가스(G1)의 분사면적이 좁아짐과 동시에 분사각도가 작아져 가스분사속도가 빨라지기 때문에, 상기 가스유로(P)를 통하여 분사되는 제2반응가스(G2)와의 혼합구간의 길이가 더 길어지게 된다.
즉 제1반응가스(G1)와 제2반응가스(G2)가 충분히 혼합되는데 필요한 구간이 더 길어지게 된다.
반대로, 상기 가스유로(P)의 간격(W)을 일정하게 유지한 상태에서 상기 가스관(215)의 두께(T)를 얇게 하면, 상기 가스관(215)를 통한 제1반응가스(G1)의 분사면적이 넓어짐과 동시에 분사각도가 커져 가스분사속도가 느려지기 때문에, 상기 가스유로(P)를 통하여 분사되는 제2반응가스(G2)와의 혼합구간의 길이가 더 짧아진다.
즉 제1반응가스(G1)와 제2반응가스(G2)가 충분히 혼합되는데 필요한 구간이 더 짧아지게 된다.
따라서, 가스관(215)의 두께를 얇게 함으로써, 상기 제2헤드(220)와 서셉터(120)간의 상하간격을 줄여 상기 반응 챔버(110)의 전체높이를 낮추어 장치의 소형화 설계를 가능하게 할 수 있는 한편, 반응가스의 소모량을 줄임과 동시에 균일한 가스 유동흐름을 확보하여 균일한 품질의 성장층을 얻을 수 있다.
그리고, 상기 제1반응가스(G1)와 제2반응가스(G2)가 일정거리 이후에 서로 혼합됨으로써 가스관(215)의 하부단이나 제2헤드(220)의 하부면에서 기생증착이 발생되는 것을 방지할 수 있는 것이다.
또한, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 가스관(215)의 하단과 상기 홀(225)의 하단은 실질적으로 동일한 수평 레벨을 이루도록 배치되며, 이로 말미암아 상기 가스관(215)을 통해 공급되는 제1반응가스(G1)와 상기 홀(225)의 가스유로(P)를 통해 공급되는 제2반응가스(G2)의 혼합 효율이 더욱 향상될 수 있다. 이와 같은 사항은 후술할 도 4에 도시된 실시예의 경우도 마찬가지이다.
한편, 도 4는 본 발명에 따른 샤워 헤드의 다른 실시예를 도시한 단면도인데, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 샤워 헤드(200a)는 상기 제1헤드(210)와 상기 제2헤드(220)사이에는 제3반응가스(G3)를 공급하는 제3헤드(230)를 포함한다.
상기 제3헤드(230)는 상기 제1헤드(210)에 구비된 가스관(215)과 대응하는 영역에 공급관(235)을 구비하며, 이러한 공급관(235)은 상기 제3헤드(230)에 관통형성된 관통홀(231)에 삽입되어 고정되거나 상기 관통홀(231)과 연통되도록 제3헤드(230)의 하부면에 용접방식으로 고정설치된다.
상기 제1헤드(210)의 가스관(215)은 상기 제3헤드(230)의 공급관(235)에 삽입배치되는바, 상기 공급관(235)에 삽입배치되는 가스관(215)의 외부면과 상기 공급관(235)의 내부면과의 사이에는 상기 제1헤드(210)와 제3헤드(230)사이로 공급된 제3반응가스가 반응 챔버(110) 내부로 공급될 수 있도록 소정 크기의 간격( W1), 즉 공급유로(S)가 마련된다. 또한, 상기 제3헤드(230)의 공급관(235)은 상기 제2헤드(220)의 홀(225)에 삽입배치되는바, 상기 홀(225)에 삽입배치되는 공급관(235)의 외부면과 상기 홀(225)의 내부면사이에는 상기 제3헤드(230)와 제2헤드(220)사이로 공급된 제2반응가스(G2)가 분사되는 일정크기의 간격(W2), 즉 가스유로(P)가 마련된다.
여기서, 상기 제1헤드(210)에 구비되는 가스관(215)은 상기 제2헤드(220)에 구비되는 홀(225)의 형성 갯수 및 상기 제3헤드(230)의 공급관(235)의 형성갯수와 서로 실질적으로 동일한 갯수로 구비되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 가스관(215)의 중심과 상기 홀(225)의 중심 및 상기 공급관(235)의 중심을 실질적으로 일치시킴으로서 상기 가스유로(P) 및 공급유로(S)를 통한 제2반응가스(G2)와 제3반응가스(G3)의 분사가 보다 균일하게 이루어질 수 있는 것이다.
또한, 상기 가스관(215)의 하부단과 상기 홀(225)의 하부단 및 상기 공급관(235)의 하부단은 상기 제2헤드(220)의 하부면과 실질적으로 동일한 위치에 배치시킴으로서, 상기 가스유로(P) 및 공급유로(S)를 통하여 분사되는 제2,3반응가스와 상기 가스관(215)을 통하여 분사되는 제1반응가스(G1) 간의 혼합이 보다 원활하게 이루어질 수 있도록 할 수 있다.
그리고, 상기 가스관(215)에서 분사되는 제1반응가스(G1)와 상기 가스유로(P) 및 공급유로(S)를 통하여 분사되는 제2,3반응가스간의 혼합구간의 길이는 상기 홀(225)에 배치된 공급관(235)의 두께와 상기 공급관(235)에 삽입배치된 가스관(215)의 두께를 변화시키는 것에 의해서 하부로 길게 연장하거나 짧게 변경할 수 있다.
상기 제1헤드(210)에 구비되는 가스관(215) 은 도 5(a)에 도시한 바와 같이, 일정길이의 중공원통부재로 이루어지도록 할 수 있는데, 상기 중공원통부재는 하나 이상의 가스분사공(216, 216a, 216b)을 포함하는 것이 바람직하다. 도 5의 (c)에서는 가스분사공(216b)이 복수개 구비된 경우에 관하여 도시하고 있다.
도 5의 (a), (b) 및 (c)에 도시된 원통부재들에 관한 사항은 반드시 가스관(215)에만 국한되는 것이 아니라 공급관(235)에 대해서도 실질적으로 동일하게 적용된다. 따라서 공급관(235)에 관한 구체적인 설명은 가스관(215)에 관한 설명으로 갈음하기로 한다.
본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시하고 설명하였지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 밝혀두고자 한다.
110 : 반응 챔버 120 : 서셉터
130 : 가열수단 200 : 샤워 헤드
210 : 제1헤드 215 : 가스관
220 : 제2헤드 225 : 홀
230 : 제3헤드 235 : 공급관
P : 가스유로 ML : 혼합구간의 길이
S : 공급유로
130 : 가열수단 200 : 샤워 헤드
210 : 제1헤드 215 : 가스관
220 : 제2헤드 225 : 홀
230 : 제3헤드 235 : 공급관
P : 가스유로 ML : 혼합구간의 길이
S : 공급유로
Claims (20)
- 반응 챔버의 내부로 제1반응가스가 공급되도록 하는 적어도 하나의 가스관을 구비하는 제1헤드;
상기 가스관이 관통하는 소정 크기의 홀을 구비하는 제2헤드; 및
상기 홀을 관통한 상기 가스관과 상기 홀 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부로 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 포함하는 샤워 헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 가스유로는 상기 홀의 내면과 상기 가스관의 외면 사이에 형성된 소정 크기의 간격을 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 가스관의 중심과 상기 홀의 중심이 서로 일치되도록 한 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 가스관의 하단과 상기 홀의 하단은 동일한 수평 레벨에 배치되는 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 가스관의 두께를 변경시킴으로써 상기 제1반응가스와 제2반응가스가 혼합되는 혼합구간의 길이를 변경시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 가스관은 상기 제1반응가스를 분사하도록 적어도 하나의 가스분사공을 구비하는 중공부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 제1헤드 및 상기 제2헤드 사이에 구비되며, 상기 가스관이 삽입되도록 소정의 내부공간을 갖는 공급관을 구비하는 제3헤드와,
상기 공급관과 상기 가스관 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부에 제3반응가스를 공급하는 공급유로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 제7항에 있어서,
상기 공급관의 외면과 상기 홀 사이에는 상기 가스유로가 형성되고, 상기 공급관의 내면과 상기 가스관의 내면 사이에는 상기 공급유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 제7항에 있어서,
상기 가스관의 중심, 상기 홀의 중심, 그리고 상기 공급관의 중심은 서로 일치되도록 한 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 제7항에 있어서,
상기 가스관의 두께 및 상기 공급관의 두께를 각각 변경시킴으로써 상기 제1반응가스, 상기 제2반응가스, 그리고 상기 제3반응가스가 서로 혼합되는 혼합구간의 길이를 변경시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 샤워 헤드.
- 반응 챔버;
상기 반응 챔버의 내부로 제1반응가스가 공급되도록 하는 적어도 하나의 가스관을 구비하는 제1헤드;
상기 가스관이 관통하는 소정 크기의 홀을 구비하는 제2헤드; 및
상기 홀을 관통한 상기 가스관과 상기 홀 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부로 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 포함하는 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서,
상기 가스유로는 상기 홀의 내면과 상기 가스관의 외면 사이에 형성된 소정 크기의 간격을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서,
상기 가스관의 중심과 상기 홀의 중심이 서로 일치되도록 한 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서,
상기 가스관의 두께를 변경시킴으로써 상기 제1반응가스와 제2반응가스가 혼합되는 혼합구간의 길이를 변경시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서,
상기 가스관은 상기 제1반응가스를 분사하도록 적어도 하나의 가스분사공을 구비하는 중공부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서,
상기 제1헤드 및 상기 제2헤드 사이에 구비되며, 상기 가스관이 삽입되도록 소정의 내부공간을 갖는 공급관을 구비하는 제3헤드와,
상기 공급관과 상기 가스관 사이에 형성되어 상기 반응 챔버의 내부에 제3반응가스를 공급하는 공급유로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제16항에 있어서,
상기 공급관의 외면과 상기 홀 사이에는 상기 가스유로가 형성되고, 상기 공급관의 내면과 상기 가스관의 내면 사이에는 상기 공급유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제16항에 있어서,
상기 가스관의 중심, 상기 홀의 중심, 그리고 상기 공급관의 중심은 서로 일치되도록 한 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제16항에 있어서,
상기 가스관의 두께 및 상기 공급관의 두께를 각각 변경시킴으로써 상기 제1반응가스, 상기 제2반응가스, 그리고 상기 제3반응가스가 서로 혼합되는 혼합구간의 길이를 변경시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서,
상기 가스관의 하단과 상기 홀의 하단은 동일한 수평 레벨에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
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KR1020100072960A KR20100089058A (ko) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 샤워 헤드와 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
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KR1020100072960A KR20100089058A (ko) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 샤워 헤드와 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
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Cited By (1)
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WO2012087002A2 (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법 |
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2010
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2012087002A2 (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법 |
WO2012087002A3 (ko) * | 2010-12-20 | 2012-10-04 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법 |
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