KR20100079849A - Thin film type thermoelectric element - Google Patents

Thin film type thermoelectric element Download PDF

Info

Publication number
KR20100079849A
KR20100079849A KR1020080138431A KR20080138431A KR20100079849A KR 20100079849 A KR20100079849 A KR 20100079849A KR 1020080138431 A KR1020080138431 A KR 1020080138431A KR 20080138431 A KR20080138431 A KR 20080138431A KR 20100079849 A KR20100079849 A KR 20100079849A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
type
substrate
semiconductor
thermoelectric element
Prior art date
Application number
KR1020080138431A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정용호
Original Assignee
서강정보대학산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서강정보대학산학협력단 filed Critical 서강정보대학산학협력단
Priority to KR1020080138431A priority Critical patent/KR20100079849A/en
Publication of KR20100079849A publication Critical patent/KR20100079849A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth

Abstract

PURPOSE: A thin film type thermoelectric element evaporates N type thin film and P-type thin film in substrate to the thin film type. It manufactures to the thermoelectric element the compact. CONSTITUTION: A semiconductor film(20) and electrode portion are formed in the substrate(10). The above semiconductor thin film is arranged around the central part of substrate as the radial symmetry type. It is composed of the P-type thin film(P) consisting of N type thin film(N) which the above semiconductor thin film is included of the N-type semiconductor and the P-type semiconductor. According to the electrode portion is the polarity of current, an endoergic reaction and radiant heat response occur.

Description

박막형 열전소자{THIN FILM TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT}Thin Film Thermoelectric Device {THIN FILM TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT}

본 발명은 박막형 열전소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 N형반도체로 이루어진 N형박막과, P형반도체로 이루어진 P형박막을 박막의 형태로 증착하여 열전소자를 구성함으로써 컴팩트하게 제작하는 것이 가능하여 미세 부위의 냉각에 사용할 수 있고, 열전소자의 제조단가를 낮출 수 있는 박막형 열전소자에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film type thermoelectric device, and more particularly, to form a thermoelectric device by depositing an N type thin film made of an N type semiconductor and a P type thin film made of a P type semiconductor in the form of a thin film. The present invention relates to a thin film type thermoelectric device capable of cooling the micro site and reducing the manufacturing cost of the thermoelectric device.

주지된 바와 같이 열전소자는 대기오염을 일으키는 원인물질의 하나인 프레온 가스 등을 대체하여 냉각수단으로 활용되고 있을 뿐만아니라, 제벡효과(Seebeck effect)에 의한 소형 발전기로도 널리 사용되고 있는 소자이다.As is well known, the thermoelectric element is not only utilized as a cooling means by replacing a freon gas, which is one of the substances causing air pollution, but is also widely used as a small generator by the Seebeck effect.

특히, 반도체(반도체)를 매개로 금속이 상호 접지되어져 형성된 루프에 전류를 흘리면 페르미에너지 차이로 전위차가 발생하게 되고, 전자가 한쪽 금속면에서 다른 쪽으로 이동하기 위해 필요한 에너지를 가지고 가기 때문에(흡열) 냉각이 일어나는 반면, 다른 금속면은 상기 전자가 가지고 온 에너지만큼 열에너지를 내놓기 때문에(방열) 가열이 일어나는데, 이를 펠티에 효과(Peltier effect)라고 하며 열전소자에 의한 냉각장치의 작동원리가 된다.In particular, when a current flows in a loop formed by metals being grounded through a semiconductor (semiconductor), a potential difference is generated due to a difference in Fermi energy, and electrons carry energy required to move from one metal surface to another (heat absorption). While cooling takes place, heating occurs because other metals give off heat energy as the energy brought by the electrons (radiation), which is called the Peltier effect and is the operating principle of the cooling device by the thermoelectric element.

이때, 상기 반도체의 종류와, 전류가 흐르는 방향에 따라 흡열과 방열의 위치가 결정되며, 재질에 따라 그 효과에도 차이가 발생한다.At this time, the location of the endotherm and the heat dissipation is determined according to the type of the semiconductor and the direction in which the current flows, and a difference occurs in the effect depending on the material.

도 1a는 열전소자에 구비된 N.P형 반도체의 구조도인바 이를 참조하여 열전소자의 작동상태를 설명하면, N형 반도체(N)와 P형 반도체(P)가 도체(M)를 매개로 직렬연결된 회로에 직류전류(D.C)가 가해지면, (-)로 대전된 금속/반도체 접점(1,2)에서는 주위로부터 열에너지를 흡수한 전자가 반도체 내부로 이동되어 흡열이 일어나고, (+)로 대전된 접점에서는 전자의 열에너지 방출에 의해 방열(3, 4)이 일어나게 된다. 또한, 전류의 방향을 역으로 하면 상기 흡열 및 방열부위 또한 뒤바뀌게 된다.FIG. 1A is a structural diagram of an NP type semiconductor provided in a thermoelectric device. Referring to FIG. 1A, an N-type semiconductor N and a P-type semiconductor P are connected in series through a conductor M. Referring to FIG. When a direct current (DC) is applied to the metal, the negatively-charged metal / semiconductor contacts (1, 2) move electrons absorbing thermal energy from the surroundings into the semiconductor, resulting in endothermic, and positively-charged contacts. In the heat radiation (3, 4) is caused by the release of the thermal energy of the electron. In addition, if the direction of the current is reversed, the endothermic and heat dissipating portions are also reversed.

한편, 상기 반도체(N, P)의 재질에 따라서도 열전효율에 차이가 생기는데, 현재 열전지수가 우수하여 널리 활용되고 있는 열전재료에는 BiTe계와, PbTe계등이 있다.On the other hand, there is a difference in thermoelectric efficiency also depending on the material of the semiconductor (N, P), the thermoelectric materials that are widely used due to the excellent number of thermocells are BiTe-based, PbTe-based and the like.

하지만, 상기 열전재료를 활용하여 최적화된 경우라도 N형 반도체와 P형 반도체가 한쌍으로 된 열전쌍의 공급전력당 흡열 및/또는 방열량은 매우 미미하다. 이러한 이유로 반도체(N, P)가 냉각장치 등에 실제로 활용되는 경우에는 상기 열전쌍을 복수개 연결하여 흡열 및/또는 방열량을 양적으로 늘리고 있으며, 이러한 소자를 열전소자라 하여 냉각장치 등에 널리 응용되고 있다.However, even when optimized using the thermoelectric material, the heat absorption and / or heat dissipation per power supply of the thermocouple in which the N-type semiconductor and the P-type semiconductor are paired is very small. For this reason, when the semiconductors N and P are actually used in a cooling device, a plurality of thermocouples are connected to increase the amount of heat absorption and / or heat dissipation, and these devices are widely applied to cooling devices for thermoelectric devices.

미설명부호인 'E.F' 및 'H.F'는 N형 반도체와 P형 반도체에서 각각 일어나는 전자류(Electron Flow)와 정공류(Hole Flow)의 방향을 나타낸 것이다.Unexplained symbols 'E.F' and 'H.F' indicate directions of electron flow and hole flow occurring in N-type semiconductors and P-type semiconductors, respectively.

도 1b는 종래기술에 따른 열전소자의 부분절개 사시도이다. 도면에 도시된 바와 같이 다수의 상기 열전쌍을 평판위에 배치하여 직렬회로가 되도록 도체를 연결한 후 직류전류(+, -)를 가함으로써 상기 열전쌍들을 중심으로 방열과 흡열이 대향하게 발생되는 구조를 이룬다.1B is a partially cutaway perspective view of a thermoelectric device according to the related art. As shown in the drawing, a plurality of thermocouples are arranged on a plate to connect conductors to form a series circuit, and then a direct current (+,-) is applied to form a structure in which heat dissipation and endotherm are generated around the thermocouples. .

하지만, 종래기술에 따른 열전소자는 도 1b에 도시된 바와 같이 3차원적인 구조로 소정의 부피를 갖을 수 밖에 없어 소형기기의 미세부위의 냉각장치로는 활용될 수 없는 한계점이 있었다.However, since the thermoelectric device according to the related art has a predetermined volume in a three-dimensional structure as shown in FIG.

또한, 냉각효율을 증가시키기 위하여 도 1b에 도시된 소정의 부피를 갖는 열전소자를 다층으로 쌓아올린 열전소자도 개발되고 있으나, 이러한 다층 열전소자는 냉각효율은 높일 수 있을지라도 그 부피는 커지게 되어 소형화하기 어렵고 제조단가 또한 올라가는 문제점이 있었다.In addition, in order to increase the cooling efficiency, a thermoelectric device in which a thermoelectric element having a predetermined volume shown in FIG. 1B is stacked in multiple layers has been developed. However, the multi-layer thermoelectric element has a large volume even though the cooling efficiency can be increased. It was difficult to miniaturize and there was a problem that the manufacturing cost also goes up.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 기판에 N형반도체로 이루어진 N형박막과, P형반도체로 이루어진 P형박막을 박막의 형태로 증착하여 열전소자를 구성함으로써 컴팩트하게 제작하는 것이 가능하여 미세 부위의 냉각에 사용할 수 있고, 열전소자의 제조단가를 낮출 수 있는 박막형 열전소자를 제공하는 데에 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to deposit an N-type thin film made of an N-type semiconductor and a P-type thin film made of a P-type semiconductor on the substrate in the form of a thin film It is possible to provide a thin film type thermoelectric element that can be manufactured compactly by constituting a thermoelectric element, which can be used for cooling a minute portion, and which can reduce the manufacturing cost of the thermoelectric element.

본 발명의 다른 목적은 기판에 P형박막을 증착함에 있어서 저항을 최소한으로 하여 열전소자의 효율을 상승시킬 수 있는 안티몬(Sb)의 형태를 제시한 박막형 열전소자를 제공하는 데에 있다.It is another object of the present invention to provide a thin film type thermoelectric device which presents a form of antimony (Sb) that can increase the efficiency of a thermoelectric element with a minimum resistance in depositing a P type thin film on a substrate.

상기와 같은 목적을 달성하고자 본 발명에 따른 박막형 열전소자는 기판과; 상기 기판에 박막의 형태로 증착되되, N형반도체로 이루어진 N형박막과 P형반도체로 이루어진 P형박막이 교대로 소정의 간격을 두고 일단은 상기 기판의 중앙부로 모이고 타단은 상기 기판의 외측부로 펼쳐져 상기 기판의 중앙부를 중심으로 방사대칭형으로 배치되는 반도체박막과; 직류전원에 의해 상기 반도체박막에 전류가 공급되는 경우 펠티에 효과에 의하여 상기 반도체박막의 일단과 타단에 각각 서로 대향되며 전류의 극성에 따라 흡열반응과 방열반응이 일어나도록 상기 직류전원 및 상기 N형박막과 상기 P형박막 상호간에 순차적으로 직렬로 연결되는 전극부를 포함하는 것을 특징으로 한다.To achieve the above object, a thin film type thermoelectric device according to the present invention includes a substrate; Deposition in the form of a thin film on the substrate, an N-type thin film made of N-type semiconductor and a P-type thin film made of P-type semiconductor are alternately spaced at predetermined intervals and one end is gathered to the center of the substrate and the other end is the outside of the substrate. A semiconductor thin film that is unfolded and disposed radially symmetrically about a central portion of the substrate; When the current is supplied to the semiconductor thin film by a DC power source, the DC power source and the N-type thin film face each other at one end and the other end of the semiconductor thin film by the Peltier effect so that an endothermic reaction and a heat dissipation reaction occur according to the polarity of the current. And an electrode unit sequentially connected to each other in series between the P-type thin film.

또한, 본 발명에 따른 박막형 열전소자는 기판과; 상기 기판에 박막의 형태로 증착되되, N형반도체로 이루어진 N형박막과 P형반도체로 이루어진 P형박막으로 구성된 열전쌍이 상기 기판의 일단에서 타단방향으로 단수가 증가함에 딸 상기 열전쌍의 개수는 2배씩 증가되며 피라미드 형태의 다단으로 배치되는 반도체박막과; 직류전원에 의해 상기 반도체박막에 전류가 공급되는 경우 펠티에 효과에 의하여 상기 기판의 일단에 위치한 상기 반도체박막의 일단과 상기 기판의 타단에 위치한 상기 반도체박막의 타단에 각각 서로 대향되며 전류의 극성에 따라 흡열반응과 방열반응이 일어나도록 상기 직류전원 및 상기 N형박막과 상기 P형박막 상호간에 순차적으로 직렬로 연결되는 전극부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the thin film type thermoelectric device according to the present invention includes a substrate; The thermocouple is deposited on the substrate in the form of a thin film, and the number of thermocouples is increased by increasing the number of stages of the thermocouple composed of an N-type semiconductor and an P-type thin film of P-type semiconductor from one end of the substrate to the other end. A semiconductor thin film which is increased by two times and arranged in multiple stages of a pyramid shape; When a current is supplied to the semiconductor thin film by a DC power source, due to the Peltier effect, one end of the semiconductor thin film located at one end of the substrate and the other end of the semiconductor thin film located at the other end of the substrate are respectively opposed to each other according to the polarity of the current. It characterized in that it comprises an electrode portion connected in series between the direct current power source and the N-type thin film and the P-type thin film so that the endothermic reaction and the heat radiation reaction occurs.

또한, 본 발명에 따른 박막형 열전소자는 상기 P형박막은 안티몬(Sb)과 텔루륨(Te)이 병렬로 상기 기판(10)에 증착되되, 상기 안티몬(Sb)은 덩어리 형태로 사용되는 것을 특징으로 한다.In the thin film type thermoelectric device according to the present invention, the P-type thin film is deposited with antimony (Sb) and tellurium (Te) on the substrate 10 in parallel, and the antimony (Sb) is used in a lump form. It is done.

상기와 같은 구성에 의하여 본 발명에 따른 박막형 열전소자는 기판에 박막형태로 N형박막 및 P형박막을 증착함으로써 열전소자를 컴팩트하게 제작하는 것이 가능하여 미세 부위의 냉각에 사용할 수 있고, 열전소자의 제조단가를 낮출 수 있는 효과가 있다.According to the above configuration, the thin film type thermoelectric device according to the present invention is capable of manufacturing a thermoelectric device compactly by depositing an N type thin film and a P type thin film on a substrate, and thus can be used for cooling a minute portion. There is an effect that can lower the manufacturing cost of.

또한, 본 발명에 따른 박막형 열전소자는 P형박막을 기판에 증착함에 있어 안티몬(Sb)을 덩어리 형태로 사용함으로써 저항을 최소한으로 하여 열전소자의 효율을 상승시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the thin film type thermoelectric device according to the present invention has an effect of increasing the efficiency of the thermoelectric device by minimizing the resistance by using antimony (Sb) in the form of agglomerates in depositing a P-type thin film on a substrate.

이하에서는 도면에 도시된 실시예를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 박막형 열전소자를 보다 상세하게 살펴보기로 한다.Hereinafter, a thin film type thermoelectric device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the exemplary embodiment shown in the drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 박막형 열전소자의 평면도이다.2 is a plan view of a thin film thermoelectric device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도면을 살펴보면 본 발명의 일실시예에 따른 박막형 열전소자는 기판(10)과, 반도체박막(20)과, 전극부(30)를 포함하여 구성된다.Referring to the drawings, the thin film type thermoelectric device according to the exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 10, a semiconductor thin film 20, and an electrode part 30.

상기 기판(10)은 상기 반도체박막(20) 및 상기 전극부(30)가 증착되는 베이스역할을 하는 것이다.The substrate 10 serves as a base on which the semiconductor thin film 20 and the electrode part 30 are deposited.

상기 기판(10)은 소다라임 글라스를 알코올과 초순수로 세척하여 사용하는 것이 바람직하다.The substrate 10 is preferably used to wash soda lime glass with alcohol and ultrapure water.

상기와 같은 결과는 기존의 코닝 슬라이드 글라스에 N형박막(N) 및 P형박막(P)을 증착했을 경우보다 우수한 특성을 나타낸다는 것을 실험을 통해 얻을 수 있었다. 즉, 첫째로 거울처럼 맑고 깨끗한 표면이 되었으며, 둘째는 PN판정기에서 전류가 약 10㎂정도 이동하였다. 그러나 너무 얇기 때문에 깨지기 쉬워 취급에는 세심한 주의가 필요하다.The above results were obtained through experiments that the conventional Corning slide glass exhibits better characteristics than when the N-type thin film (N) and the P-type thin film (P) are deposited. That is, firstly, it became a mirror-clear and clean surface, and secondly, the current moved about 10 mA in the PN determiner. However, because it is too thin, it is fragile and requires careful handling.

한편, 상기 기판(10)으로는 양극 산화된 알루미늄판 또는 애노다이징된 알루미늄판 등을 사용할 수도 있다 할 것이다.On the other hand, as the substrate 10 may be used anodized aluminum plate or anodized aluminum plate.

상기 반도체박막(20)은 열전소자를 2D형태로 소형화할 수 있도록 상기 기판(10)에 박막의 형태로 증착되는데, N형반도체로 이루어진 N형박막(N)과 P형반도체로 이루어진 P형박막(P)이 교대로 소정의 간격을 두고 일단은 상기 기판(10)의 중앙부로 모이고 타단은 상기 기판의 외측부로 펼쳐져 상기 기판의 중앙부를 중심으로 방사대칭형으로 배치된다.The semiconductor thin film 20 is deposited in the form of a thin film on the substrate 10 to reduce the size of the thermoelectric element in a 2D form, an N-type thin film (N) made of N-type semiconductor and a P-type thin film made of P-type semiconductor (P) alternately spaced at predetermined intervals, one end is gathered to the center portion of the substrate 10 and the other end is spread out to the outer portion of the substrate and is arranged radially symmetrically about the center portion of the substrate.

본 발명의 일실시예에 따른 상기 N형박막(N) 및 상기 P형박막(P)을 상기 기판(10)에 증착하는 방법으로는 증착장비로 터보 펌프를 사용하여 약 10-5Torr까지 배기한 후 증착하였고. 이는 후술할 전극부(30)를 상기 기판(10)에 증착하는 경우에도 마찬가지이다.In the method of depositing the N-type thin film (N) and the P-type thin film (P) on the substrate 10 according to an embodiment of the present invention, the exhaust gas is exhausted to about 10 -5 Torr using a turbo pump as a deposition equipment. Then deposited. The same applies to the case where the electrode part 30 to be described later is deposited on the substrate 10.

기존의 열전소자는 보고된 결과로서 Bi 와 Sb, Te를 사용하는 것이 일반적이며 특히 P형은 Bi0.5Sb1.5Te3가, N형은 Bi2Sb0.6Te2.4가 가장 성능지수가 높고, 효율이 좋은 것으로 보고되어 있다.It is common to use Bi, Sb, and Te as the reported results. In particular, P type has Bi 0.5 Sb 1.5 Te 3 and N type Bi 2 Sb 0.6 Te 2.4 has the highest performance index and efficiency. It is reported to be good.

본 발명의 일실시예에 따른 상기 N형박막(N)은 Bi2Te3을 상기 기판(10)에 증착하는 것이 바람직하다.In the N-type thin film N according to an embodiment of the present invention, it is preferable to deposit Bi 2 Te 3 on the substrate 10.

상기와 같은 결과는 실험을 통해서 얻게 되었는데, 이러한 결과를 얻게된 실험의 경과를 살펴보면 N형은 결정 4개를 사용하여 0.1g 정도를 증착하였는데 저항은 50㏀ 이 되었으며 열처리를 공기 중 200도에서 30분간 실시하면 300㏀으로 늘어났으며 N형의 성질을 잃고 진성이 되었다.The above results were obtained through experiments. In the experiments, the N-type was deposited about 0.1g using four crystals, and the resistance was 50㏀ and the heat treatment was performed at 200 degrees in air. After a minute, it increased to 300㏀ and lost its N-type properties.

저항을 낮추기 위하여 다른 N형 샘플을 진공 중에서 다시 200도 열처리를 한 결과 36㏀으로 저항은 낮아졌지만 특이하게 P형으로 변화되는 결과가 나타났다.In order to lower the resistance, another N-type sample was heat-treated again in vacuum at 200 degrees, and the resistance was lowered to 36 kV, but it was unusually changed to P-type.

그 이유로서 보트의 오염을 고려하여 새로운 보트로 바꾸고 N형을 증착하였는데 그 결과는 19㏀이 되었으며 100도에서 1시간 정도 열처리 한 결과는 40㏀으로 증가되고 특이하게 P형으로 바뀌었다.For this reason, the boat was changed to a new boat in consideration of the pollution of the boat, and the N-type was deposited. The result was 19㏀, and the result of heat treatment at 100 ° C for 1 hour increased to 40㏀ and specifically changed to P-type.

P형으로 바뀌게 된 것은 융점이 낮은 Te가 고온에서 공기 중으로 조금씩 날아가 버려서 P형 성분이 많아지기 때문이거나 불순물들의 상호작용에 의한 것으로 추측하고 있다.It is speculated that the transition to P-type is due to the fact that Te, which has a low melting point, is gradually blown into the air at high temperatures, thereby increasing the P-type component or by the interaction of impurities.

이러한 문제점들로 인하여 더 이상 N형을 결정형태로 사용하기에는 저항이 너무 높을 것으로 판단되어 Bi2Te3로 물질을 바꾸어 실험을 하게 되었다.Due to these problems, the resistance was too high to use N-type as a crystalline form, so the experiment was performed by changing the material to Bi 2 Te 3 .

그 결과 N형의 성질은 가지고 있었으며 1.2㏀의 저항 390Ω/ㅁ의 표면저항을 나타내었다. 따라서 이와 같은 재질로 N형박막(N)을 제작하는 것이 바람직하다는 결과를 얻게된 것이다.As a result, it had N-type property and showed surface resistance of 390 저항 / ㅁ with 1.2㏀. Therefore, the result that it is preferable to manufacture the N-type thin film (N) with such a material.

상기 P형박막(P)은 안티몬(Sb)과 텔루륨(Te)이 병렬로 상기 기판(10)에 증착되되, 상기 안티몬(Sb)은 덩어리 형태로 사용되는 것이 바람직하다.The P-type thin film P is deposited antimony (Sb) and tellurium (Te) on the substrate 10 in parallel, the antimony (Sb) is preferably used in the form of lumps.

상기와 같은 결과 또한 종전의 선행기술이 없어 실험을 통해서 얻게 되었는데, 이러한 결과를 얻게된 실험의 경과를 살펴보면 안티몬(Sb)의 시료를 분말형태로 사용했을 경우에는 저항이 수천Ω이 되었으나, 안티몬(Sb)의 시료를 분말에서 덩어리 형태로 교체하고 다시 실험한 결과 저항은 80Ω까지 작아지게 되는 것이 확인되었다. 따라서, 안티몬(Sb)은 덩어리 형태로 사용되는 것이 바람직하다는 결과를 얻게된 것이다.The above results were also obtained through experiments because there was no prior art. When the sample of antimony (Sb) was used in powder form, the resistance became thousands of Ω, but the antimony ( As a result of replacing the sample of Sb) from powder to lump form and retesting, it was confirmed that the resistance was reduced to 80 kPa. Therefore, antimony (Sb) is obtained that it is preferable to be used in the form of lumps.

상기 전극부(30)는 직류전원(+,-)에 의해 상기 반도체박막(20)에 전류가 공급되는 경우 펠티에 효과에 의하여 상기 반도체박막(20)의 일단과 타단에 각각 서 로 대향되며 전류의 극성에 따라 흡열반응과 방열반응이 일어나도록 상기 직류전원(+,-) 및 상기 N형박막(N)과 상기 P형박막(P) 상호간에 순차적으로 직렬로 연결되도록 구성되어 있다.When the current is supplied to the semiconductor thin film 20 by a DC power supply (+,-), the electrode part 30 faces each other at one end and the other end of the semiconductor thin film 20 by a Peltier effect, respectively. The DC power source (+,-) and the N-type thin film (N) and the P-type thin film (P) are sequentially connected in series so that endothermic and heat radiating reactions occur according to polarity.

즉, 본 발명의 일실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이 우측 하단에 위치한 N형박막(N)의 타단에 전극부(30a)를 통하여 +전원을 연결하고, 그 일단은 다른 전극부(30b)를 통하여 이웃하는 P형박막(P)의 일단에 연결하며, 이렇게 순차적으로 반시계방향으로 직렬로 연결하고, 반시계방향으로 돌았을 경우 마지막에 위치한 P형박막(P)의 타단에 전극부(30i)를 통하여 -전원을 연결한 것이다.That is, in one embodiment of the present invention, as shown in Fig. 2, + power is connected to the other end of the N-type thin film N located at the lower right through the electrode part 30a, and one end of the other electrode part 30b. Connect to one end of the neighboring P-type thin film (P) through), and sequentially connected in series in the counterclockwise direction, and when turned counterclockwise, the electrode portion at the other end of the last P-shaped thin film (P) The power is connected through 30i.

상기와 같은 전극부(30, 30a 내지 30i)의 구성에 의하여 본 발명의 일실시예에 따른 박막형 열전소자에서는 상기 반도체박막(20)에 직류전원(+,-)에 의해 전류가 공급되는 경우 펠티에 효과에 의하여 상기 기판(10)의 중앙부 부근은 흡열반응(냉각)이 일어나게 되고, 상기 기판(10)의 외측부 부근은 방열반응이 일어나게 된다.In the thin film type thermoelectric device according to the exemplary embodiment of the present invention by the configuration of the electrode parts 30 and 30a to 30i as described above, when a current is supplied to the semiconductor thin film 20 by DC power (+, −), Peltier Due to the effect, an endothermic reaction (cooling) occurs near the central portion of the substrate 10, and a heat radiation reaction occurs near the outer portion of the substrate 10.

한편, 상기 직류전원(+,-)의 극성을 바꿔서 연결한다면 상기 기판(10)의 중앙부 부근은 방열반응이 일어나게 되고, 상기 기판(10)의 외측부 부근은 흡열반응이 일어나게 되는 것은 열전소자의 특성상 당연하다 할 것이다.On the other hand, if the polarity of the DC power supply (+,-) is connected by changing the heat dissipation reaction near the central portion of the substrate 10, the endothermic reaction near the outer portion of the substrate 10 is due to the characteristics of the thermoelectric element It will be natural.

본 발명의 일실시예에 따른 박막형 열전소자의 상기 기판(10)의 중앙부 부근에서 일어나는 흡열반응을 이용한다면 컴퓨터 또는 노트북 등에 사용되는 CPU쿨러 또는 VGA쿨러를 대체하여 사용할 수도 있을 것이다.If the endothermic reaction occurs in the vicinity of the central portion of the substrate 10 of the thin film type thermoelectric device according to an embodiment of the present invention, it may be used in place of a CPU cooler or a VGA cooler used in a computer or a notebook.

한편, 상기 전극부(30) 또한 상기 반도체박막(20)과 마찬가지로 상기 기 판(10)에 증착하여 구성하는 것이 바람직하고, 상기 전극부(30)의 재료로는 은(Ag)을 mesh 분말의 형태로 0.1g 정도 사용하는 것이 바람직하다. On the other hand, the electrode portion 30 is also preferably formed by depositing on the substrate 10 in the same manner as the semiconductor thin film 20, the material of the electrode portion 30 is made of silver (Ag) of the mesh powder It is preferable to use about 0.1 g in the form.

상기와 같은 결과는 실험을 통해서 얻게 되었는데, 이러한 결과를 얻게된 실험의 경과를 살펴보면 전극재료는 밀착성과 열전도도를 모두 만족시켜야 하므로 신중한 선택이 필요한데, 실험결과 은 에폭시 본드의 경우 열전도도는 극히 나쁘며 열전도도를 위해서 주석(Sn)이 절대적으로 필요하다고 판단되어 우선 주석(Sn)을 단독으로 증착시켜 보았으나 진공증착으로는 불가능하였다.The above results were obtained through experiments. Looking at the results of the experiments, these results require careful selection because the electrode material must satisfy both the adhesion and the thermal conductivity, and the experimental results show that the thermal conductivity of the epoxy bond is extremely bad. Since tin (Sn) was determined to be absolutely necessary for thermal conductivity, first, tin (Sn) was deposited alone, but vacuum deposition was impossible.

따라서, 표준적인 열전도 비교에서 최적의 재료인 은(Ag)을 증착하게 된 것이다.As a result, silver (Ag) is deposited as the optimal material in the standard thermal conductivity comparison.

그러나, 은(Ag)의 경우 너무 적은 양을 증착하면 반투명성의 고저항성 막이 되어버리며 너무 많은 양은 잘 녹지 않고 증착되기 어렵다. 이것은 진공증착의 경우 원자량이 큰 재료는 질량을 줄여야 한다고 생각되며 은(Ag)의 경우는 0.1g이 적당한 양인 것으로 실험되었다.However, in the case of silver (Ag), depositing too small an amount becomes a translucent high-resistance film, and too much is difficult to be deposited without melting well. It is thought that in the case of vacuum deposition, a material having a high atomic weight should reduce the mass, and in the case of silver (Ag), 0.1g is an appropriate amount.

또한, 은(Ag)은 너무 큰 덩어리를 사용할 경우에 증착이 어려웠고 그 이유는 은(Ag)의 비중이 크기 때문이라 판단되며, 은의 경우 산화 우려도 없기 때문에 최대한 높은 mesh의 분말이 더 유리할 것이다.In addition, silver (Ag) was difficult to deposit when using too large agglomerate, because the specific gravity of silver (Ag) is determined to be large, because the silver is not concerned about the oxidation of the highest mesh powder will be more advantageous.

이러한 방법으로 증착된 은(Ag)은 4.7Ω정도로 매우 양호한 저항값을 나타내었는데, 그로인해 상기 기판(10)에의 증착을 위한 상기 전극부(30)의 재료로는 은(Ag)을 mesh 분말의 형태로 0.1g 정도 사용하는 것이 바람직하다는 결과를 얻게 된 것이다.Silver (Ag) deposited in this manner exhibited a very good resistance value of about 4.7 kW. Thus, silver (Ag) was used as a material of the mesh powder as the material of the electrode part 30 for the deposition on the substrate 10. The result is that it is preferable to use about 0.1g in the form.

이상에서는 본 발명의 일실시예에 따른 박막형 열전소자을 살펴보았고, 이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 열전소자를 보다 상세하게 살펴보기로 한다.In the above, the thin film type thermoelectric device according to the exemplary embodiment of the present invention has been described. Hereinafter, the thin film type thermoelectric device according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 열전소자의 평면도이다.3 is a plan view of a thin film thermoelectric device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도면을 살펴보면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 열전소자는 본 발명의 일실시예와 마찬가지로 기판(10)과, 반도체박막(20)과, 전극부(30)를 포함하여 구성된다.Referring to the drawings, a thin film type thermoelectric device according to another exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 10, a semiconductor thin film 20, and an electrode unit 30 as in the exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예가 본 발명의 일실시예와 다른 점이 있다면 특히, 상기 반도체박막(20)의 배치라고 할 것이다.If another embodiment of the present invention is different from the embodiment of the present invention, in particular, it will be referred to as the arrangement of the semiconductor thin film 20.

그러므로, 이하에서는 상기 반도체박막(20)의 배치에 대해 중점적으로 살펴보기로 한다.Therefore, the following will focus on the arrangement of the semiconductor thin film 20.

상기 반도체박막(20)은 열전소자를 2D형태로 소형화할 수 있도록 상기 기판(10)에 박막의 형태로 증착되는데, 열전소자의 효율을 상승시킬 수 있도록 다단구조를 취하고 있다.The semiconductor thin film 20 is deposited in the form of a thin film on the substrate 10 to reduce the size of the thermoelectric element in a 2D form, it has a multi-stage structure to increase the efficiency of the thermoelectric element.

즉, 상기 반도체박막(20)은 N형반도체로 이루어진 N형박막(N)과 P형반도체로 이루어진 P형박막(P)으로 구성된 열전쌍(21 내지 27)이 상기 기판(10)의 일단(10a)에서 타단(10b)방향으로 단수가 증가함에 딸 상기 열전쌍(21 내지 27)의 개수는 2배씩 증가되며 피라미드 형태의 다단으로 배치되는 것이다.In other words, the semiconductor thin film 20 includes an N-type thin film (N) made of an N-type semiconductor and a P-type thin film (P) made of a P-type semiconductor (21 to 27) of one end 10a of the substrate (10). As the number of stages increases in the other end 10b), the number of the thermocouples 21 to 27 increases by two times and is arranged in a multi-stage in the form of a pyramid.

상기와 같이 기판(10)상에 평면으로 상기 반도체박막(20)을 다단으로 배치하게 되면 열전소자의 효율을 높이기 위해 방열층의 하부에 흡열층을 배치한 종래의 3D 구조의 다층으로 이루어진 열전소자를 2D로 구성할 수 있게 되는 것이다.When the semiconductor thin film 20 is arranged in multiple stages on the substrate 10 as described above, a thermoelectric element made of a multilayer of a conventional 3D structure in which a heat absorbing layer is disposed below the heat dissipation layer in order to increase the efficiency of the thermoelectric element. Can be configured in 2D.

상기 전극부(30)는 직류전원(+,-)에 의해 상기 반도체박막(20)에 전류가 공급되는 경우 펠티에 효과에 의하여 상기 기판(10)의 일단(10a)에 위치한 상기 반도체박막(20)의 일단과 상기 기판의 타단(10b)에 위치한 상기 반도체박막(20)의 타단에 각각 서로 대향되며 전류의 극성에 따라 흡열반응과 방열반응이 일어나도록 상기 직류전원(+,-) 및 상기 N형박막(N)과 상기 P형박막(P) 상호간에 순차적으로 직렬로 연결되도록 구성되어 있다.The electrode part 30 is the semiconductor thin film 20 positioned at one end 10a of the substrate 10 by a Peltier effect when a current is supplied to the semiconductor thin film 20 by a direct current power source (+,-). The DC power supply (+,-) and the N type to face one another and the other end of the semiconductor thin film 20 located at the other end 10b of the substrate, respectively, so that endothermic reaction and heat dissipation reaction occur according to the polarity of the current. The thin film N and the P-type thin film P are configured to be sequentially connected to each other.

즉, 본 발명의 다른 실시예에서는 도 3에 도시된 바와 같이 1단에 위치한 전극쌍(21)의 N형박막(N)의 타단에 전극부(30a)를 통하여 +전원을 연결하고, 그 일단은 다른 전극부(30b)를 통하여 이웃하는 같은 전극쌍(21)의 P형박막(P)의 일단에 연결하며, 상기 1단에 위치한 전극쌍(21)의 P형박막(P)의 타단은 2단에 위치한 다른 전극쌍(22)의 N형박막(N)의 타단에 또 다른 전극부(30c)로 연결하는 방법으로 이렇게 순차적으로 직렬로 연결하고, 마지막에 위치한 전극쌍(27)의 P형박막(P)의 타단에 전극부(30o)를 통하여 -전원을 연결한 것이다.That is, in another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, the + power source is connected to the other end of the N-type thin film N of the electrode pair 21 located at one end through the electrode part 30a, and one end thereof. Is connected to one end of the P-type thin film P of the same electrode pair 21 adjacent to each other through the other electrode portion 30b, and the other end of the P-type thin film P of the electrode pair 21 located at the first end is The other end of the N-type thin film (N) of the other electrode pair 22 located in the second stage is connected in series in this way by another electrode portion 30c, and the P of the electrode pair 27 located at the end The other end of the thin film P is connected to the negative electrode through the electrode portion 30o.

상기와 같은 전극부(30, 30a 내지 30o)의 구성에 의하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 열전소자에서는 상기 반도체박막(20)에 직류전원(+,-)에 의해 전류가 공급되는 경우 펠티에 효과에 의하여 상기 기판(10)의 일단(10a) 부근은 흡열반응(냉각)이 일어나게 되고, 상기 기판(10)의 타단(10b) 부근은 방열반응이 일어나게 되면서도 다단으로 배치함으로써 열전소자의 효율을 증가시킬 수 있게 된다.In the thin film type thermoelectric device according to another embodiment of the present invention by the configuration of the electrode unit 30, 30a to 30o as described above, when the current is supplied to the semiconductor thin film 20 by a DC power source (+,-) Peltier Due to this effect, an endothermic reaction (cooling) occurs near the one end 10a of the substrate 10, and the heat dissipation reaction occurs near the other end 10b of the substrate 10, while being arranged in multiple stages, thereby improving efficiency of the thermoelectric element. You can increase it.

한편, 상기 직류전원(+,-)의 극성을 바꿔서 연결한다면 상기 기판(10)의 일단(10a) 부근은 방열반응이 일어나게 되고, 상기 기판(10)의 타단(10b) 부근은 흡열반응이 일어나게 되는 것은 열전소자의 특성상 당연하다 할 것이다.On the other hand, if the polarity of the DC power supply (+,-) is connected by changing the heat dissipation reaction near the end (10a) of the substrate 10, the endothermic reaction occurs near the other end (10b) of the substrate 10 Of course, it is natural in the nature of the thermoelectric element.

또 한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 열전소자은 직사각형 형상의 기판을 사용하여 상기 반도체박막을 피라미드 형태로 배치하였으나, 상기와 같은 직사각형 형상의 박막형 열전소자를 다수개 구비하여 상기 기판(10)의 일단(10a)이 상호 모이도록 동심원의 형태로 배치하는 것을 가정할 수 있다면, 도면에 도시되지는 않았지만 본 발명의 또 다른 실시예로 본 발명의 일실시예에서와 같이 상기 기판(10)의 중앙부를 중심으로 상기 반도체박막(20)이 방사대칭형으로 배치되면서도, 본 발명의 다른 실시예에서와 같이 열전소자의 효율을 높이기 위하여 상기 반도체박막(20)가 다단으로 배치되도록 구성할 수도 있다 할 것이다.In addition, the thin film type thermoelectric device according to another exemplary embodiment of the present invention uses a rectangular substrate, and the semiconductor thin film is arranged in a pyramid shape, but the substrate 10 is provided with a plurality of rectangular thin film thermoelectric elements as described above. If it can be assumed that the end (10a) of the arrangement in the form of concentric circles to each other, although not shown in the drawings another embodiment of the present invention as in one embodiment of the present invention of the substrate 10 While the semiconductor thin film 20 is arranged in a radially symmetrical center, the semiconductor thin film 20 may be arranged in multiple stages in order to increase the efficiency of the thermoelectric device as in another embodiment of the present invention. .

앞에서 설명되고 도면에 도시된 박막형 열전소자는 본 발명을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 발명의 보호범위는 이하의 특허청구범위에 기재된 사항에 의해서만 정하여지며, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 개량 및 변경된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속한다고 할 것이다.The thin film type thermoelectric element described above and illustrated in the drawings is only one embodiment for carrying out the present invention, and should not be construed as limiting the technical spirit of the present invention. The scope of protection of the present invention is defined only by the matters set forth in the claims below, and the embodiments which have been improved and changed without departing from the gist of the present invention will be apparent to those skilled in the art. It will be said to belong to the protection scope of the present invention.

도 1a는 열전소자에 구비된 N.P형 반도체의 구조도1A is a structural diagram of an N.P type semiconductor provided in a thermoelectric element

도 1b는 종래기술에 따른 열전소자의 부분절개 사시도1B is a partially cutaway perspective view of a thermoelectric device according to the related art

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 박막형 열전소자의 평면도2 is a plan view of a thin film thermoelectric device according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 열전소자의 평면도3 is a plan view of a thin film thermoelectric device according to another exemplary embodiment of the present invention.

<주요 도면부호에 대한 간단한 설명><Short description of the major reference symbols>

10 기판10 boards

20 반도체박막20 Semiconductor Thin Film

N N형박막     N N-type thin film

P P형박막     P P-type thin film

30 전극부30 electrode parts

Claims (3)

기판과;A substrate; 상기 기판에 박막의 형태로 증착되되, N형반도체로 이루어진 N형박막과 P형반도체로 이루어진 P형박막이 교대로 소정의 간격을 두고 일단은 상기 기판의 중앙부로 모이고 타단은 상기 기판의 외측부로 펼쳐져 상기 기판의 중앙부를 중심으로 방사대칭형으로 배치되는 반도체박막과;Deposition in the form of a thin film on the substrate, an N-type thin film made of N-type semiconductor and a P-type thin film made of P-type semiconductor are alternately spaced at predetermined intervals and one end is gathered to the center of the substrate and the other end is the outside of the substrate. A semiconductor thin film that is unfolded and disposed radially symmetrically about a central portion of the substrate; 직류전원에 의해 상기 반도체박막에 전류가 공급되는 경우 펠티에 효과에 의하여 상기 반도체박막의 일단과 타단에 각각 서로 대향되며 전류의 극성에 따라 흡열반응과 방열반응이 일어나도록 상기 직류전원 및 상기 N형박막과 상기 P형박막 상호간에 순차적으로 직렬로 연결되는 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전소자.When the current is supplied to the semiconductor thin film by a DC power source, the DC power source and the N-type thin film face each other at one end and the other end of the semiconductor thin film by the Peltier effect so that an endothermic reaction and a heat dissipation reaction occur according to the polarity of the current. And the electrode unit sequentially connected to each other in series between the P-type thin film. 기판과;A substrate; 상기 기판에 박막의 형태로 증착되되, N형반도체로 이루어진 N형박막과 P형반도체로 이루어진 P형박막으로 구성된 열전쌍이 상기 기판의 일단에서 타단방향으로 단수가 증가함에 딸 상기 열전쌍의 개수는 2배씩 증가되며 피라미드 형태의 다단으로 배치되는 반도체박막과;The thermocouple is deposited on the substrate in the form of a thin film, and the number of thermocouples is increased by increasing the number of stages of the thermocouple composed of an N-type semiconductor and an P-type thin film of P-type semiconductor from one end of the substrate to the other end. A semiconductor thin film which is increased by two times and arranged in multiple stages of a pyramid shape; 직류전원에 의해 상기 반도체박막에 전류가 공급되는 경우 펠티에 효과에 의하여 상기 기판의 일단에 위치한 상기 반도체박막의 일단과 상기 기판의 타단에 위 치한 상기 반도체박막의 타단에 각각 서로 대향되며 전류의 극성에 따라 흡열반응과 방열반응이 일어나도록 상기 직류전원 및 상기 N형박막과 상기 P형박막 상호간에 순차적으로 직렬로 연결되는 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 열전소자.When a current is supplied to the semiconductor thin film by a direct current power source, due to the Peltier effect, one end of the semiconductor thin film positioned at one end of the substrate and the other end of the semiconductor thin film positioned at the other end of the substrate are respectively opposed to each other and are affected by the polarity of the current. Thin-film thermoelectric element comprising an electrode portion connected in series between the direct current power source and the N-type thin film and the P-type thin film so that the endothermic reaction and the heat radiation reaction occurs. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 P형박막은 안티몬(Sb)과 텔루륨(Te)이 병렬로 상기 기판(10)에 증착되되, 상기 안티몬(Sb)은 덩어리 형태로 사용되는 것을 특징으로 하는 박막형 열전소자.The P-type thin film is antimony (Sb) and tellurium (Te) is deposited on the substrate 10 in parallel, the antimony (Sb) is a thin film type thermoelectric element, characterized in that used in the form of lumps.
KR1020080138431A 2008-12-31 2008-12-31 Thin film type thermoelectric element KR20100079849A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080138431A KR20100079849A (en) 2008-12-31 2008-12-31 Thin film type thermoelectric element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080138431A KR20100079849A (en) 2008-12-31 2008-12-31 Thin film type thermoelectric element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100079849A true KR20100079849A (en) 2010-07-08

Family

ID=42640891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080138431A KR20100079849A (en) 2008-12-31 2008-12-31 Thin film type thermoelectric element

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100079849A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101450088B1 (en) * 2012-03-07 2014-10-16 한국과학기술연구원 Planar multi-stage thermoelectric module and method to fabricate the same
KR101699625B1 (en) * 2015-10-23 2017-01-25 금호타이어 주식회사 Tire having properties of managing pneumatic pressure
WO2022197055A1 (en) * 2021-03-18 2022-09-22 삼성전자주식회사 Multilayered thermoelectric module and method for manufacturing same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101450088B1 (en) * 2012-03-07 2014-10-16 한국과학기술연구원 Planar multi-stage thermoelectric module and method to fabricate the same
KR101699625B1 (en) * 2015-10-23 2017-01-25 금호타이어 주식회사 Tire having properties of managing pneumatic pressure
WO2022197055A1 (en) * 2021-03-18 2022-09-22 삼성전자주식회사 Multilayered thermoelectric module and method for manufacturing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Thermoelectric coolers: progress, challenges, and opportunities
US7777126B2 (en) Thermoelectric device with thin film elements, apparatus and stacks having the same
KR20120064517A (en) A thermoelectric element and a thermoelectric module
US20180190892A1 (en) Thermoelectric conversion module, method of manufacturing thermoelectric conversion module, and thermally conductive substrate
CN101587934A (en) Diaphragm type thermoelectric converting component and manufacturing method thereof
US20180175272A1 (en) Thermoelectric conversion module
JP7104684B2 (en) Thermoelectric conversion module with photothermal conversion board
CN103311262A (en) Micro thermoelectric device, production method thereof and temperature difference generator with same
KR20160117944A (en) Thermoelectric device moudule and device using the same
JP2006237146A (en) Cascade module for thermoelectric conversion
US20180183360A1 (en) Thermoelectric conversion module
KR20100079849A (en) Thin film type thermoelectric element
TWI620354B (en) Thermoelectric conversion device having insulating diamond-like film, method for making the same and thermoelectric conversion module
US8664509B2 (en) Thermoelectric apparatus and method of fabricating the same
JP6659836B2 (en) Thermoelectric conversion module
JP2011047127A (en) Window structure
CN203288656U (en) A micro thermoelectric device
JP2015076607A (en) Semiconductor chip structure
JP6024642B2 (en) Thermoelectric conversion device and manufacturing method thereof
RU2628676C1 (en) Thermoelectric element
KR101046130B1 (en) Thermoelectric element
Tai et al. Fabrication process for pillar GeTe/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory
AU2014262447A1 (en) Thermoelectric device
US20200203592A1 (en) Electric power generation from a thin-film based thermoelectric module placed between each hot plate and cold plate of a number of hot plates and cold plates
KR102368960B1 (en) Thermoelectric element and thermoelectric conversion device comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application