KR20100076606A - Dual plate type organic electro-luminescent device and the method for fabricating thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 돌기성 이물에 의한 암점 불량을 수리할 수 있는 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a dual plate organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which can repair a dark spot defect caused by a projection foreign matter.
일반적으로, 평판 표시장치 중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류의 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.In general, organic light emitting diodes, which are one of flat panel displays, have high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, the self-luminous self-illuminating type provides high contrast ratio, enables ultra-thin display, easy response time with several microsecond response time, no restriction on viewing angle, and stable at low temperatures. Since it is driven at a low voltage of 5V to 15V of DC, it is easy to manufacture and design a driving circuit.
이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 수동 매트릭스 방식과 능동 매트릭스 방식으로 구분된다. 상기 수동 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호 선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다.The organic light emitting diode having such characteristics is classified into a passive matrix type and an active matrix type. In the passive matrix method, since a scan line and a signal line cross each other and constitute a device in a matrix form, the scan lines are sequentially driven over time in order to drive each pixel. In order to display, the instantaneous luminance should be as much as the average luminance multiplied by the number of lines.
그러나, 능동 매트릭스 방식에서는, 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 화소 별로 위치하고, 이 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 화소 단위로 온/오프되고, 상기 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 전면에 형성되어 공통전극이 된다.However, in the active matrix method, a thin film transistor, which is a switching element for turning on / off pixels, is positioned for each pixel, and the first electrode connected to the thin film transistor is turned on and off in units of pixels. The second electrode facing the first electrode is formed on the entire surface to become a common electrode.
상기 능동 매트릭스 방식에서는 픽셀에 인가된 전압이 스토리지 커패시터(storage capacitor: Cst)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame)의 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선의 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다. 따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점으로 최근에는 능동 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다.In the active matrix method, a voltage applied to a pixel is charged in a storage capacitor (Cst), and the power is applied until the next frame signal is applied, thereby irrespective of the number of scan lines. Run continuously for one screen. Therefore, even when a low current is applied, the same luminance is achieved, and thus, low power consumption, high definition, and large size can be obtained. Recently, an active matrix type organic light emitting diode is mainly used.
이러한 능동 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서는 이하 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.Basic structure and operation characteristics of the organic light emitting diode of the active matrix method will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 일반적인 능동 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자의 단위 화소에 대해 나타낸 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a unit pixel of a conventional active matrix type organic light emitting diode.
도시한 바와 같이, 종래에 따른 능동 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자의 단위 화소는 스위칭 트랜지스터(Ts), 구동 트랜지스터(Td), 스토리지 커패시 터(Cst) 및 유기발광 다이오드(E)로 이루어진다.As illustrated, the unit pixel of the active matrix organic light emitting diode according to the related art includes a switching transistor Ts, a driving transistor Td, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode E.
즉, 일 방향으로 형성된 게이트 배선(GL)과, 상기 게이트 배선(GL)과 수직 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(DL)과, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 각각 형성된다.That is, the gate line GL formed in one direction, the data line DL defining the pixel region P by crossing the gate line GL perpendicularly, and the power line voltage are spaced apart from the data line DL. Power wirings PL for application are respectively formed.
또한, 상기 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)의 교차지점에는 스위칭 트랜지스터(Ts)가 형성되고, 상기 스위칭 트랜지스터(Ts)와 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터(Td)가 형성된다.In addition, a switching transistor Ts is formed at an intersection point of the gate line GL and the data line DL, and a driving transistor Td electrically connected to the switching transistor Ts is formed.
이 때, 상기 구동 트랜지스터(Td)는 유기발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 유기발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 트랜지스터(Td)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결된다. 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 유기발광 다이오드(E)로 전달하는 기능을 한다. 또한, 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(Cst)가 형성된다.In this case, the driving transistor Td is electrically connected to the organic light emitting diode E. That is, the first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving transistor Td, and the second electrode, which is the other terminal, is connected to the power supply wiring PL. The power wiring PL serves to transfer the power voltage to the organic light emitting diode E. In addition, a storage capacitor Cst is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor Td.
따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극에 전달되어 구동 트랜지스터(Td)의 턴-온으로 이에 연결된 유기발광 다이오드(E)의 전계-전공쌍에 의해 빛이 출력된다. 이 때, 상기 구동 트랜지스터(Td)가 턴-온 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 유기발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching transistor Ts is turned on, and the signal of the data line DL is transferred to the gate electrode of the driving transistor Td. Light is output by the electric field-pole pair of the organic light emitting diode E connected thereto at the turn-on of the driving transistor Td. At this time, when the driving transistor Td is turned on, the level of the current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined, which causes the organic light emitting diode E to have a gray scale (gray). scale).
또한, 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 트랜지스터(Ts)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 트랜지스터(Ts)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.In addition, the storage capacitor Cst serves to maintain a constant gate voltage of the driving transistor Td when the switching transistor Ts is turned off, thereby turning off the switching transistor Ts. Even in the state, the level of the current flowing through the organic light emitting diode E can be kept constant until the next frame.
일반적으로, 이러한 유기전계 발광소자는 하나의 기판에 박막트랜지스터 등의 어레이 소자와 제 1 전극 및 제 2 전극과 유기 발광층을 포함하는 유기발광 다이오드를 형성하고 있으나, 적층 구조가 복잡해짐에 따른 단차 불량을 해소하기 위한 일환으로 어레이 소자와 유기발광 다이오드를 서로 다른 기판에 구성하고, 이들을 기둥형태의 연결전극으로 연결한 구조를 가지는 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.In general, such an organic light emitting diode has an organic light emitting diode including an array element such as a thin film transistor, a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting layer on a single substrate. In order to solve the problem, a study has been actively conducted on a dual plate type organic light emitting device having a structure in which an array device and an organic light emitting diode are formed on different substrates and connected to each other by a columnar connecting electrode.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 일반적인 듀얼 플레이트 방식의 유기전계 발광소자에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a general dual plate type organic light emitting diode will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 일반적인 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a general dual plate type organic light emitting device.
도시한 바와 같이, 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자는 화상을 구현하는 표시 영역(AA)과 화상을 구현하지 않는 비표시 영역(NAA)으로 구분된 제 1 기판(5) 및 제 2 기판(10)을 포함한다. 상기 제 1 기판(5) 및 제 2 기판(10)을 포함하여 패널(30)이라 한다. 이 때, 상기 표시 영역(AA)은 게이트 배선(미도시)과 데 이터 배선(미도시)이 수직 교차하여 정의하는 화소 영역(P)과 구동 트랜지스터(Td)가 형성되는 구동 영역(Dr)으로 세분화된다.As illustrated, the dual plate type organic light emitting diode includes a
상기 제 1 기판(5) 상에는 서로 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점별로 위치하는 스위칭 트랜지스터(미도시) 및, 상기 스위칭 트랜지스터와 이격된 일측으로 이와 일대일 연결된 구동 트랜지스터(Td)를 형성한다.A gate wiring and a data wiring crossing each other on the
상기 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터(Td)의 상부로는 구동 트랜지스터(Td)의 드레인 전극(34)을 노출하는 드레인 콘택홀(DCH)을 포함하는 보호막(55)을 형성한다. 또한, 상기 보호막(55)의 상부로 드레인 콘택홀(DCH)을 통해 드레인 전극(34)과 접촉된 연결전극(70)을 형성한다.A
이 때, 보호막(55)은 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 구성되며, 필요에 따라서는 벤조싸이클로부텐(benzocyclobutene)과 포토 아크릴(photo acryl)을 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택될 수 있다.In this case, the
연결전극(70)은 제 1 층(70a)과 제 2 층(70b)이 차례로 적층된 이중층으로 형성될 수 있다. 제 1 층(70a)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 물질 그룹 중에서, 제 2 층(70b)은 몰리브덴이나 몰리브덴 합금을 포함하는 도전성 물질 그룹 중에서 각각 선택될 수 있다.The
상기 구동 트랜지스터(Td)는 게이트 전극(25), 게이트 절연막(45), 반도체 층(40)과 소스 및 드레인 전극(32, 34)을 포함한다. 상기 반도체층(40)은 결정질 실리콘(p-Si)으로 이루어진 단일층으로 형성할 수 있다. 또한, 반도체층(40)은 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 액티브층과 불순물을 포함하는 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 오믹 콘택층이 차례로 적층된 이중층으로 형성될 수 있다.The driving transistor Td includes a
한편, 상기 제 2 기판(10)의 하부 면에는 제 1 기판(5)의 데이터 배선과 대응되는 위치로 보조전극(60)을 형성한다. 상기 보조전극(60)의 하부 전면으로는 제 1 전극(80)을 형성하고, 제 1 전극(80)의 하부로는 화소 영역(P)별로 보조전극(60)을 덮는 버퍼패턴(62)을 형성한다.Meanwhile, the
또한, 상기 버퍼패턴(62)과 중첩된 하부면으로는 그 단면이 역테이퍼 구조를 가지는 격벽(64)을 형성한다. 상기 격벽(64)과 이격된 일측으로는 화소 영역(P)별로 일대일 대응된 패턴드 스페이서(50)를 형성한다. 상기 격벽(64)에 의해 구분된 화소 영역(P)별로는 제 1 전극(80)과 접촉하는 유기 발광층(82)을 형성하고, 유기 발광층(82)의 하부로는 이와 접촉된 제 2 전극(84)을 차례로 형성한다.In addition, the lower surface overlapping the
이 때, 화소 영역(P) 내에 형성된 유기 발광층(82) 및 제 2 전극(84)은 역테이퍼 형태를 갖는 격벽(64)에 의해 이웃한 화소 영역(P)과 분리되고, 패턴드 스페이서(50)의 측면 및 하부면을 덮으며 형성된다.At this time, the
상기 보조전극(60)은 몰리브덴과 몰리브덴 합금을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로, 상기 제 1 전극(80)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)와 같은 일함수가 비교적 높은 투명한 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 각각 형성될 수 있다.The
이 때, 보조전극(60)은 비교적 저항이 큰 물질로 이루어진 제 1 전극(80)의 저항값을 낮추기 위해 형성하는 것으로, 필요에 따라서는 생략하는 것이 가능하다. 상기 버퍼패턴(62)과 접촉된 하부 면에 위치하는 패턴드 스페이서(50)는 제 1 기판(5)의 연결전극(70)과 제 2 기판(10)의 제 2 전극(84) 간을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다.In this case, the
상기 유기 발광층(82)은 화소 영역(P)별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 발광하는 유기물질로 이루어지도록 설계하여 풀 컬러를 구현하고 있다.The
도면으로 상세히 제시하지는 않았지만, 제 2 전극(84)은 삼중층의 구조로 형성될 수 있는 바, 제 1 층은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(AlNd)으로, 제 2 층은 은(Ag)으로, 상기 제 3 층은 칼슘(Ca)으로 각각 이루어질 수 있다. 이 때, 상기 제 1 층은 유기 발광층(82)과, 제 3 층은 연결전극(70)과 각각 접촉되도록 배치한다. 상기 제 1 전극(80)과 유기 발광층(82)과 제 2 전극(84)을 포함하여 유기발광 다이오드(E2)라 한다.Although not shown in detail in the drawings, the
또한, 상기 유기 발광층(82)과 애노드 전극의 역할을 하는 제 1 전극(80) 사이에는 정공수송층(hole transporting layer)과 정공주입층(hole injection layer)을, 상기 유기 발광층(82)과 캐소드 전극으로의 역할을 하는 제 2 전극(84) 사이에 전자주입층(electron injection layer) 및 전자수송층(electron transporting layer)을 더욱 형성할 수도 있다.In addition, a hole transporting layer and a hole injection layer are disposed between the organic
상기 제 1 기판(5)과 제 2 기판(10)은 비표시 영역(NAA)의 가장자리를 따라 열경화성 수지 및 자외선 경화성 수지로 이루어진 씰패턴(90)에 의해 대향 합착된다.The
전술한 유기발광 다이오드(E)의 제 1 전극(80)은 스퍼터링법을 증착 공정으로 형성된다. 이 때, 제 1 전극(80)의 증착 공정 과정에 있어서, 스퍼터링 챔버 내부의 이물이나 증착 마스크의 이물, 그리고 제 2 기판(10)의 세정 정도 등의 여러 가지 복합적인 원인에 의해 제 1 전극(80)의 노출된 표면으로 돌기성 이물(88)이 다량으로 발생되고 있는 상황이다.The
이 때, 이러한 돌기성 이물(88)은 전기 전도도를 가지는 금속 물질이라는 측면에서 그 문제는 심각한 상황이다. 즉, 전기 전도도를 가지는 돌기성 이물(88)은 후속 공정으로 형성되는 제 2 전극(84)과의 도통 수단으로 작용하여 제 1 및 제 2 전극(80, 84)이 전기적으로 연결되는 쇼트 불량을 유발하게 된다.At this time, the problem is a serious situation in that the projection
이러한 돌기성 이물(88)에 의한 제 1 및 제 2 전극(80, 84) 간의 쇼트 불량은 제 2 기판(10)을 제작하는 최종 단계를 진행한 후, 점등 유무를 확인하기 위한 점등 공정시 암점으로 나타나게 되고, 나아가 진행성 암점으로 작용할 경우 생산 수율을 급격히 저해하는 문제를 유발한다. 또한, 제 1 기판(5)의 최상부면과 제 2 기판(10)의 최하부면의 경우 패널(30)의 외부로부터 침투한 투습이나 산소에 그대로 노출되는 취약한 구조로 이루어지는 데 따른 수명 저하 문제가 대두되고 있다.The short defect between the first and
도 3a는 암점 불량을 설명하기 위한 도면이고, 도 3b는 암점이 발생된 화소를 나타낸 실측 도면으로, 이를 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다.FIG. 3A is a diagram for describing a dark spot defect, and FIG. 3B is an actual view showing a pixel in which a dark spot is generated, and will be described in more detail with reference to the drawing.
도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 전술한 제 1 전극(80)을 형성하는 과정에서 발생된 금속 이물(88)은 제 1 전극(80)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있다. 이러한 금속 이물은 유기 발광층(82)을 뚫고 제 1 전극(80)과 제 2 전극(84)을 도통시키는 수단이 된다. 특히, 상기 제 1 전극(80)은 ITO로, 제 2 전극(84)은 알루미늄으로 형성된 상태를 나타낸 것으로, 이러한 금속 이물(88)에 의한 제 1 및 제 2 전극(80, 84) 간의 쇼트에 의해 암점 불량이 발생된 것을 확인할 수 있다. 이러한 암점 불량의 다발로 인해 생산 수율이 급격히 저하되고 있는 상황이다.As shown in FIGS. 3A and 3B, the metal
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 유기발광 다이오드의 제 1 전극을 형성하는 과정에서 발생되는 돌기성 이물에 의한 쇼트 불량을 방지하는 것을 제 1 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and a first object of the present invention is to prevent short defects due to protruding foreign substances generated in the process of forming the first electrode of the organic light emitting diode.
또한, 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자의 취약점인 투습에 의한 소자 수명의 저하 문제를 개선하는 것을 제 2 목적으로 한다.In addition, a second object of the present invention is to solve a problem of deterioration of device life due to moisture permeation, which is a weak point of a dual plate organic light emitting device.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자는 대향 합착된 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판 상에 수직 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점별로 형성된 스위칭 트랜지스터 및, 상기 스위칭 트랜지스터와 일대일 연결된 구동 트랜지스터와; 상기 구동 트랜지스터와 연결된 연결전극과; 상기 제 2 기판의 하부 전면에 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 하부에 형성된 다수의 버퍼패턴과; 상기 다수의 버퍼패턴과 중첩된 하부로 그 단면이 역테이퍼 형태로 형성된 격벽과; 상기 격벽과 이격된 일측으로 상기 화소 영역별로 위치하는 패턴드 스페이서와; 상기 격벽에 의해 구분된 화소 영역별로 상기 제 1 전극과 차례로 연결된 유기 발광층 및 제 2 전극의 제 1 층과; 상기 제 2 전극의 제 1 층의 하부로, 상기 패턴드 스페이서를 제외한 화소 영역별로 상기 제 1 층을 덮는 칼슘 산화층과; 상기 칼슘 산화층의 하부로, 상기 화소 영역별로 상기 칼슘 산화층을 덮는 제 2 전극의 제 2 층 및 제 3 층과; 상기 제 2 전극의 제 3 층의 하부로, 상기 칼슘 산화층과 대응되는 면적으로 형성된 게터층을 포함하는 것을 특징으로 한다.In accordance with an aspect of the present invention, an organic light emitting display device having a dual plate method includes: a first substrate and a second substrate opposed to each other; Gate wirings and data wirings defining a pixel area perpendicularly crossing the first substrate; A switching transistor formed at each intersection point of the gate wiring and data wiring, and a driving transistor connected one-to-one with the switching transistor; A connection electrode connected to the driving transistor; A first electrode formed on the lower front surface of the second substrate; A plurality of buffer patterns formed under the first electrode; A partition wall formed in an inverse taper shape in a lower portion overlapping the plurality of buffer patterns; A patterned spacer positioned at each pixel area toward one side spaced apart from the partition wall; A first layer of an organic light emitting layer and a second electrode sequentially connected to the first electrode for each pixel region divided by the partition wall; A calcium oxide layer below the first layer of the second electrode and covering the first layer for each pixel region excluding the patterned spacer; A second layer and a third layer of a second electrode below the calcium oxide layer and covering the calcium oxide layer for each pixel region; And a getter layer formed under an area corresponding to the calcium oxide layer below the third layer of the second electrode.
이 때, 상기 제 2 전극은 칼슘 산화층을 사이에 두고, 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층이 샌드위치 구조로 적층된 3 중층 구조로 형성된다. 상기 제 1 층은 알루미늄으로 형성되며 그 증착 두께가 200 ~ 350Å이고, 상기 제 2 층은 알루미늄으로 형성되며 그 증착 두께가 1600 ~ 1900Å이고, 상기 제 3 층은 은으로 형성되며 그 증착 두께가 200 ~ 400Å인 것을 특징으로 한다.At this time, the second electrode is formed in a triple layer structure in which a first layer, a second layer, and a third layer are stacked in a sandwich structure with a calcium oxide layer interposed therebetween. The first layer is made of aluminum and its deposition thickness is 200 to 350Å, the second layer is made of aluminum, its deposition thickness is 1600 to 1900Å, and the third layer is formed of silver and its deposition thickness is 200 It is characterized in that ~ 400Å.
상기 칼슘 산화층은 10 ~ 50Å의 두께로 형성된다. 상기 게터층은 칼슘으로 형성되며, 그 증착 두께는 1800 ~ 2200Å인 것을 특징으로 한다.The calcium oxide layer is formed to a thickness of 10 ~ 50Å. The getter layer is formed of calcium, the deposition thickness is characterized in that 1800 ~ 2200Å.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자용 제 2 기판의 제조방법은 기판 상부 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 상부로 다수의 버퍼패턴을 형성하는 단계와; 상기 다수의 버퍼패턴과 중첩된 상부 화소 영역별로 패턴드 스페이서 및, 역 테이퍼 형태의 격벽을 차례로 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극, 버퍼패턴, 패턴드 스페이서 및 격벽이 형성된 제 2 기판을 180도 회전시킨 상태에서 상기 제 1 새도우 마스크를 이용하여 화소 영역별로 상기 제 1 전극과 연결된 유기 발광층 및 제 2 전극의 제 1 층을 차례로 적층 형성하는 단계와; 상기 제 2 전극의 제 1 층의 하부로, 상기 제 2 새도우 마스크를 이용하여 패턴드 스페이서를 제외한 화소 영역별로 상기 제 1 층을 덮는 칼슘층을 형성하는 단계와; 상기 칼슘층이 형성된 기판에 CDA 또는 CA를 공급하는 것을 통해 칼슘층을 칼슘 산화층으로 변화시키는 단계와; 상기 칼슘 산화층의 하부로, 상기 제 1 새도우 마스크를 이용하여 상기 칼슘 산화층을 덮는 제 2 전극의 제 2 층 및 제 3 층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 전극의 제 3 층의 하부로, 상기 제 1 새도우 마스크를 이용하여 상기 칼슘 산화층과 대응되는 면적으로 게터층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a second substrate for an organic light emitting display device having a dual plate method. Forming a plurality of buffer patterns on the first electrode; Sequentially forming a patterned spacer and an inverse tapered partition wall for each of the upper pixel regions overlapping the plurality of buffer patterns; The organic light emitting layer and the second electrode of the organic light emitting layer and the second electrode which are connected to the first electrode for each pixel region using the first shadow mask while the second substrate on which the first electrode, the buffer pattern, the patterned spacer and the partition wall are formed are rotated by 180 degrees. Laminating and forming one layer in turn; Forming a calcium layer below the first layer of the second electrode to cover the first layer for each pixel region except for the patterned spacer using the second shadow mask; Changing the calcium layer to a calcium oxide layer by supplying CDA or CA to the substrate on which the calcium layer is formed; Forming a second layer and a third layer of a second electrode covering the calcium oxide layer using the first shadow mask below the calcium oxide layer; And forming a getter layer under the third layer of the second electrode by using the first shadow mask to have an area corresponding to the calcium oxide layer.
이 때, 상기 제 2 전극은 칼슘 산화층을 사이에 두고 형성된 제 1 층 및 제 2 층과,상기 제 2 층의 하부에 위치하는 제 3 층이 차례로 적층된 3 중층 구조로 형성된다. 상기 제 1 층은 알루미늄을 200 ~ 350Å으로, 상기 제 2 층은 알루미늄을 1600 ~ 1900Å으로, 상기 제 3 층은 은을 200 ~ 400Å으로 증착하여 형성한 것을 특징으로 한다.In this case, the second electrode is formed in a triple layer structure in which a first layer and a second layer formed with a calcium oxide layer interposed therebetween, and a third layer positioned below the second layer are sequentially stacked. The first layer may be formed by depositing aluminum at 200 to 350 mW, the second layer at 1600 to 1900 mW, and the third layer at 200 to 400 mW.
상기 CDA 또는 CA의 공급 시간은 0.5 ~ 1분인 것을 특징으로 한다. 상기 칼 슘층은 10 ~ 50Å의 두께로 형성된다. 또한, 상기 게터층은 칼슘을 1800 ~ 2200Å의 두께로 증착하는 것을 통해 형성된다.The supply time of the CDA or CA is characterized in that 0.5 to 1 minutes. The calcium layer is formed to a thickness of 10 ~ 50Å. In addition, the getter layer is formed by depositing calcium to a thickness of 1800 ~ 2200Å.
상기 제 1 새도우 마스크는 화상을 구현하는 표시 영역으로는 개구부가, 화상을 구현하지 않는 비표시 영역으로는 차단부가 설계된 오픈 마스크이고, 상기 제 2 새도우 마스크는 제 1 새도우 마스크의 구성에서 상기 표시 영역 중 화소 영역별로 위치하는 패턴드 스페이서가 형성된 부분으로 차단부가 더 설계된 부분 마스크인 것을 특징으로 한다.The first shadow mask is an open mask designed with an opening as a display area for realizing an image and a blocking part for a non-display area without realizing an image, and the second shadow mask is the display area in the configuration of the first shadow mask. The mask may be a partial mask in which the patterned spacers positioned for each pixel region are formed.
본 발명에서는 암점 불량을 수리하는 기능을 하는 칼슘 산화층을 3개의 층이 샌드위치 구조로 이루어진 3중층 구조로 이루어진 제 2 전극의 사이 공간에 개재하는 것을 통해 암점 불량을 수리하는 것을 통해 생산 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 3중층로 이루어진 제 2 전극의 도입으로 제 2 전극의 신뢰성을 개선할 수 있다.In the present invention, the calcium oxide layer functioning to repair the dark spot defect is improved in the production yield through repair of the dark spot defect through the intervening space between the three electrodes of the triple layer structure having a three-layer sandwich structure. Can be. In addition, the reliability of the second electrode can be improved by introducing a second electrode composed of a triple layer.
--- 실시예 ------ Example ---
본 발명은 제 2 전극의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 3 중층 구조로 형성하고, 제 2 전극의 제 1 층 및 제 2 층의 사이 공간으로 돌기성 이물에 의한 쇼트 불량을 미연에 방지하는 기능을 하는 칼슘 산화층을 형성한 것을 특징으로 한다.The present invention is formed in a triple layer structure to improve the reliability of the second electrode, and serves to prevent short defects due to protruding foreign matter into the space between the first layer and the second layer of the second electrode. The calcium oxide layer was formed.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a dual plate type organic light emitting diode according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing an organic light emitting device of a dual plate type according to the present invention.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자는 화상을 구현하는 표시 영역(AA)과 화상을 구현하지 않는 비표시 영역(NAA)으로 구분된 제 1 기판(105) 및 제 2 기판(110)을 포함한다. 상기 제 1 기판(105) 및 제 2 기판(110)을 포함하여 패널(130)이라 한다. 이 때, 상기 표시 영역(AA)은 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(DL)이 수직 교차하여 정의하는 화소 영역(P)과 구동 트랜지스터(Td)가 형성되는 구동 영역(Dr)과 데이터 배선(DL)이 형성되는 데이터 영역(D)으로 세분화된다.As illustrated, the dual plate organic light emitting diode according to the present invention includes a
상기 제 1 기판(105) 상에는 서로 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선(DL)과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선(DL)의 교차지점별로 위치하는 스위칭 트랜지스터(미도시) 및, 상기 스위칭 트랜지스터와 이격된 일측으로 이와 일대일 연결된 구동 트랜지스터(Td)를 형성한다.On the
상기 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터(Td)의 상부로는 구동 트랜지스터(Td)의 드레인 전극(134)을 노출하는 드레인 콘택홀(DCH)을 포함하는 보호막(155)을 형성한다. 또한, 상기 보호막(155)의 상부로 드레인 콘택홀(DCH)을 통해 드레인 전극(134)과 접촉된 연결전극(170)을 형성한다.The
이 때, 보호막(155)은 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 구성되며, 필요에 따라서는 벤조싸이클로부텐(benzocyclobutene)과 포토 아크릴(photo acryl)을 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택될 수 있다.In this case, the
연결전극(170)은 제 1 층(170a)과 제 2 층(170b)이 차례로 적층된 이중층으로 형성될 수 있다. 제 1 층(170a)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 물질 그룹 중에서, 제 2 층(170b)은 몰리브덴이나 몰리브덴 합금을 포함하는 도전성 물질 그룹 중에서 각각 선택될 수 있다.The
상기 구동 트랜지스터(Td)는 게이트 전극(125), 게이트 절연막(145), 반도체층(140)과 소스 및 드레인 전극(132, 134)을 포함한다. 반도체층(140)은 결정질 실리콘(p-Si)으로 이루어진 단일층으로 형성할 수 있다. 또한, 반도체층(140)은 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 액티브층과 불순물을 포함하는 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 오믹 콘택층이 차례로 적층된 이중층으로 형성할 수 있다.The driving transistor Td includes a
한편, 상기 제 2 기판(110)의 하부 면에는 제 1 기판(105)의 데이터 영역(D)과 대응되는 위치로 보조전극(160)을 형성한다. 상기 보조전극(160)의 하부 전면으로는 제 1 전극(180)을 형성하고, 제 1 전극(180)의 하부로는 화소 영역(P)별로 보조전극(160)을 덮는 버퍼패턴(162)을 형성한다.Meanwhile, the
상기 보조전극(160)은 몰리브덴과 몰리브덴 합금을 포함하는 도전성 물질 그 룹 중 선택된 하나로, 상기 제 1 전극(180)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)와 같은 일함수가 비교적 높은 투명한 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 각각 형성될 수 있다. 이 때, 보조전극(160)은 비교적 저항이 큰 물질로 이루어진 제 1 전극(180)의 저항값을 낮추기 위해 형성하는 것으로, 필요에 따라서는 생략하는 것이 가능하다.The
상기 버퍼패턴(162)과 중첩된 하부면으로는 그 단면이 역테이퍼 구조로 이루어진 격벽(164)을 형성한다. 상기 격벽(164)과 이격된 일측으로는 화소 영역(P)별로 일대일 대응된 패턴드 스페이서(150)를 형성한다. 상기 제 1 전극(180)의 하부로는 격벽(164)에 의해 구분된 화소 영역(P)별로 제 1 전극(180)과 연결된 유기 발광층(182) 및 제 2 전극(184)을 차례로 형성한다.The bottom surface overlapping the
이 때, 상기 제 2 전극(184)은 제 1 전극(180)을 형성하는 과정에서 발생될 수 있는 돌기성 이물(미도시)에 의한 암점 불량을 수리하는 기능을 하는 칼슘 산화층(192)을 사이에 두고, 3개의 층이 샌드위치 구조로 이루어진 3중층 구조로 형성한 것을 특징으로 한다.In this case, the
즉, 본 발명에 따른 제 2 전극(184)은 알루미늄(Al)을 200 ~ 350Å, 보다 바람직하게는 250Å의 두께로 증착하는 것을 통해 형성된 제 1 층(184a)과, 상기 제 1 층(184a)의 상부로 칼슘 산화층(192)을 사이에 두고 제 1 층(184a)과 접촉하며, 알루미늄(Al)을 1600 ~ 1900Å, 보다 바람직하게는 1750Å의 두께로 증착하는 것을 통해 형성된 제 2 층(184b)과, 상기 제 2 층(184b)의 상부로 은(Ag)을 200 ~ 400Å, 보다 바람직하게는 300Å의 두께로 증착하는 것을 통해 형성된 제 3 층(184c) 을 포함한다.That is, the
이 때, 상기 제 2 전극(184)의 제 1 층(184a)과 제 2 층(184b)에 개재된 칼슘 산화층(192)은 화소 영역(P)별 패턴드 스페이서(150)를 제외한 제 2 전극(184)의 제 1 층(184a)의 하부 전면에 칼슘 분말을 열증발 증착법으로 증착하여 칼슘층(미도시)을 형성하고 나서 CDA(clean dry air) 또는 CA(clean air)를 공급하는 것을 통해 형성될 수 있다.In this case, the
즉, 상기 칼슘층은 CDA 또는 CA의 주입시, 산화-환원 반응에 의한 자연 산화막에 의해 칼슘 산화층(192)으로 변화시키게 된다. 이러한 칼슘 산화층(192)은 제 1 전극(180)을 형성하는 과정에서 발생될 수 있는 돌기성 이물에 의한 암점 불량을 미연에 방지하는 기능을 한다. 이러한 칼슘 산화층(192)은 10 ~ 150Å, 보다 상게하게는 10 ~ 50Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.That is, the calcium layer is changed to the
따라서, 제 1 전극(180)을 형성하는 과정에서 돌기성 이물이 발생하더라도, 제 2 전극(184)의 하부면으로 칼슘 산화층(192)을 형성할 경우 칼슘 산화층(192)이 제 1 전극(180)과 제 2 전극(184)의 사이에 개재된 돌기성 이물의 외부면을 감싸는 형태로 형성되기 때문에 제 1 전극(180) 및 제 2 전극(184) 간은 전기적으로 절연될 수 있다.Therefore, even when the protruding foreign matter occurs in the process of forming the
또한, 상기 제 2 전극(184)의 하부면으로는 패턴드 스페이서(150)와 대응되는 면적을 제외한 화소 영역(P)별로 제 2 전극(184)의 제 3 층(184c)을 차폐하는 게터층(194)을 형성한다. 상기 게터층(194)은 칼슘을 1800 ~ 2200Å, 보다 바람직하게는 2000Å을 증착하는 것에 의해 형성된다. 이 때, 상기 칼슘 산화층(192)과 게터층(194)은 대응되는 면적으로 형성될 수 있다. 상기 게터층(194)은 패널(130) 외부로부터 유입되는 수분이나 산소를 흡수하는 기능을 한다.The lower surface of the
또한, 상기 유기 발광층(182)은 화소 영역(P)별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 발광하는 유기물질로 이루어지도록 설계하여 풀 컬러를 구현하고 있다. 상기 패턴드 스페이서(150)는 제 1 기판(105)의 연결전극(170)과 제 2 기판(110)의 제 2 전극(184)을 연결시키는 기능을 한다.In addition, the organic
상기 유기 발광층(182)과 애노드 전극의 역할을 하는 제 1 전극(180) 사이에는 정공수송층(hole transporting layer)과 정공주입층(hole injection layer)을, 상기 유기 발광층(182)과 캐소드 전극으로의 역할을 하는 제 2 전극(184)의 제 1 층(184a) 사이에는 전자주입층(electron injection layer) 및 전자수송층(electron transporting layer)을 더 형성할 수도 있다.Between the organic
상기 제 1 기판(105)과 제 2 기판(110)은 비표시 영역(NAA)의 가장자리를 따라 열경화성 수지 및 자외선 경화성 수지로 이루어진 씰패턴(190)에 의해 대향 합착된다.The
전술한 구성은 암점 불량을 수리하는 기능을 하는 칼슘 산화층(192)을 사이에 두고, 3개의 층이 샌드위치 구조로 이루어진 3중층 구조로 이루어진 제 2 전극(184)의 형성으로 제 2 전극(184)의 신뢰성을 개선함과 동시에 암점 불량을 수리하는 것이 가능한 장점으로 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The above-described configuration has a
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전 계 발광소자용 제 2 기판의 제조방법에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a second substrate for an organic light emitting diode of a dual plate type according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자용 제 2 기판의 제조방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.5A to 5F are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a second substrate for an organic light emitting diode of a dual plate type according to the present invention, in order of a process.
도 5a에 도시한 바와 같이, 제 2 기판(110)의 상부로 유기발광 다이오드(도 4의 E)가 형성될 발광 영역(EA)과 보조전극(160)이 형성될 보조 영역(B)을 정의하는 단계를 진행한다. 이 때, 상기 발광 영역(B)은 제 1 기판(도 4의 105)의 화소 영역(P)과 보조 영역(B)은 제 1 기판의 데이터 영역(도 4의 D)과 각각 대응될 수 있다.As shown in FIG. 5A, the emission region EA in which the organic light emitting diode (E in FIG. 4) is to be formed and the auxiliary region B in which the
상기 발광 영역(EA) 및 보조 영역(B)이 정의된 제 2 기판(110)의 상부로 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금(MoNd)을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 이를 패턴하여, 보조 영역(B)에 대응된 보조전극(160)을 형성한다.Deposition and pattern one selected from the group of conductive materials including molybdenum (Mo) and molybdenum alloy (MoNd) on top of the
다음으로, 상기 보조전극(160)이 형성된 제 2 기판(110)의 상부 전면으로 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 1 전극(180)을 형성한다. 상기 제 1 전극(180)이 형성된 제 2 기판(110)의 상부로는 산화 실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 이를 패턴하여, 상기 보조전극(160)을 덮는 다수의 버퍼패턴(162)을 형성한다. 이 때, 상기 보조전극(160)과 제 1 전극(180)은 스퍼터링 공정으로, 버퍼패턴(162)은 플라즈마 화학기상증착 공정으로 각각 형성될 수 있다.Next, one selected from the group of transparent conductive materials including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) is deposited on the upper surface of the
도 5b에 도시한 바와 같이, 보조전극(160), 버퍼패턴(162) 및 제 1 전극(180)이 형성된 제 2 기판(110)의 상부로 다수의 버퍼패턴(162)과 이격된 일측으로 화소 영역(P)별로 일대일 대응되는 패턴드 스페이서(150)를 형성한다. 다음으로, 상기 패턴드 스페이서(150)가 형성된 제 2 기판(110)의 상부로 그 단면이 역테이퍼 형태로 이루어진 격벽(164)을 형성한다. 이 때, 상기 격벽(164)을 먼저 형성하는 것도 무방하다.As shown in FIG. 5B, the pixel is disposed on one side of the
도 5c에 도시한 바와 같이, 보조전극(160), 버퍼패턴(162), 제 1 전극(180), 패턴드 스페이서(150) 및 격벽(164)이 형성된 제 2 기판(110)을 180도 회전한 상태에서 열증발 증착 챔버(HEC)로 이송한 후, 제 2 기판(110)의 하부로 제 1 새도우 마스크(SM1)를 정렬하는 단계를 진행한다. 이 때, 상기 제 1 새도우 마스크(SM1)는 화상을 구현하는 표시 영역(AA)으로는 개구부(OA)가, 화상을 구현하지 않는 비표시 영역(NAA)으로는 차단부(CA)가 위치하도록 설계된 오픈 마스크를 말한다.As shown in FIG. 5C, the
다음으로, 상기 제 1 새도우 마스크(SM1)를 이용한 증착 공정을 진행하게 되면, 상기 격벽(164)에 의해 구분된 발광 영역(EA)별로 제 1 전극(180)과 접촉하는 유기 발광층(182)이 형성된다. 이 때, 상기 유기 발광층(182)은 발광 영역(EA)별로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 유기물질이 채워진 증발원(195)을 순차적으로 가동하는 것을 통해 형성될 수 있다.Next, when the deposition process using the first shadow mask SM1 is performed, the
상기 유기 발광층(182)이 형성된 제 2 기판(110)의 하부로 알루미늄 분말이 채워진 증발원(195)을 가동하여 제 2 기판(110) 방향으로 연속 증착 공정을 진행한다. 이 때, 상기 증발원(195) 자체를 로테이션 방식으로 교대하는 방식이 적용되 거나, 증발원(195)의 증착 소스를 교체하는 방식 등 다양하게 적용될 수 있다. 이러한 증착 공정이 완료되면 제 2 기판(110)에는 격벽(164)에 의해 구분된 발광 영역(EA)별로 제 2 전극(도 4의 184)의 제 1 층(184a)이 형성된다. 이 때, 상기 제 1 층(184a)은 200 ~ 350Å, 보다 바람직하게는 250Å의 두께로 형성한다.The
도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 전극의 제 1 층(184a)이 형성된 제 2 기판(110)의 하부로 제 2 새도우 마스크(SM2)를 정렬하는 단계를 진행한다. 상기 제 2 새도우 마스크(SM2)는 제 1 새도우 마스크(도 5c의 SM1)의 구성에서 표시 영역(AA) 중 발광 영역(EA)별로 위치하는 패턴드 스페이서(150)가 형성된 부분으로 차단부(CA)가 더 설계된 부분 마스크를 말한다.As shown in FIG. 5D, the second shadow mask SM2 is aligned under the
다음으로, 상기 제 2 새도우 마스크(SM2)와 이격된 하부에 위치하는 칼슘 분말이 채워진 증발원(195)을 가동하여 제 2 기판(110) 방향으로 증착 공정을 진행한다. 이러한 증착 공정이 완료되면 제 2 기판(110)에는 패턴드 스페이서(150)가 형성된 부분을 제외한 발광 영역(EA)별로 칼슘층(192a)이 형성된다. 이 때, 상기 칼슘층(192a)은 10 ~ 150Å, 보다 바람직하게는 10 ~ 50Å의 두께로 형성한다.Next, an
도 5e에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 전극의 제 1층(184a)과 칼슘층(도 5d의 192a)이 형성된 제 2 기판(110)을 열증발 증착 챔버에서 빼낸 후, 암점수리 챔버(RC)로 이송하는 단계를 진행한다. 다음으로, 상기 제 2 전극의 제 1 층(184a)과 칼슘층이 형성된 제 2 기판(110)에 CDA 또는 CA를 공급하는 단계를 진행한다. 이 때, CDA 또는 CA는 0.1 ~ 3분, 보다 상세하게는 0.5 ~ 1분간 공급하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 5E, the
이러한 CDA 또는 CA를 공급하는 단계가 완료되고 일정 시간이 경과되면, 칼슘층은 CDA 또는 CA와의 산화-환원 반응에 의해 칼슘 산화층(192)이 된다. 이러한 칼슘 산화층(192)은 제 1 전극(180)을 형성하는 과정에서 발생될 수 있는 돌기성 이물(미도시)에 의해 제 1 전극(180)과 후속 공정으로 형성될 제 2 전극 간의 쇼트 불량을 미연에 방지하는 기능을 한다. 이 때, 칼슘 산화층(192)은 돌기성 이물의 외부면을 감싸는 형태로 그 틈새 없이 메워지며 형성되기 때문에 후속 공정으로 형성되는 제 2 전극(184)과 돌기성 이물이 전기적으로 연결되는 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있게 된다.When the step of supplying the CDA or CA is completed and a predetermined time elapses, the calcium layer becomes the
도 5f에 도시한 바와 같이, 제 2 전극의 제 1 층(184a)과 칼슘 산화층(192)이 형성된 제 2 기판(110)을 다시 열증발 증착 챔버(미도시)로 이송한 후, 제 2 기판(110)의 하부로 상기 제 1 새도우 마스크(미도시)를 위치 정렬하는 단계를 진행한다.As shown in FIG. 5F, the
다음으로, 상기 제 1 새도우 마스크와 이격된 하부에 위치하는 알루미늄 분말이 채워진 증발원(미도시)을 가동하여 제 2 기판(110) 방향으로 증착 공정을 진행한다. 이러한 증착 공정이 완료되면 제 2 전극의 제 1 층(184a)과 칼슘 산화층(192)을 덮는 제 2 전극의 제 2 층(184b)이 형성된다. 이 때, 상기 제 2 층(184a)은 1600 ~ 1900Å, 보다 바람직하게는 1750Å의 두께로 형성한다.Next, an evaporation source (not shown) filled with aluminum powder positioned below the first shadow mask is operated to perform a deposition process toward the
다음으로, 알루미늄 분말이 채워진 증발원의 가동은 정지시키고, 은 분말이 채워진 증발원(미도시)을 가동하여 제 2 기판(110) 방향으로 증착 공정을 진행한다. 이러한 증착 공정이 완료되면 제 2 전극의 제 2 층(184b)의 하부로 제 2 전극 의 제 3 층(184c)이 형성된다. 이 때, 상기 제 2 전극의 제 3 층(184c)은 200 ~ 400Å, 보다 바람직하게는 300Å의 두께로 형성한다. 전술한 공정을 통해 제 2 전극(184)은 제 1 층(184a), 제 2 층(184b) 및 제 3 층(184c)이 칼슘 산화층(192)을 사이에 두고 샌드위치 구조로 이루어진 3중층으로 형성된다.Next, the operation of the evaporation source filled with aluminum powder is stopped, and the evaporation source (not shown) filled with silver powder is operated to perform the deposition process toward the
다음으로, 상기 제 2 전극(184)이 형성된 제 2 기판(110)의 하부로 상기 제 2 새도우 마스크를 위치 정렬하는 단계를 진행한다. 상기 제 1 새도우 마스크와 이격된 하부에 위치하는 칼슘 분말이 채워진 증발원(미도시)을 가동하여 제 2 기판(110) 방향으로 증착 공정을 진행한다. 이러한 증착 공정이 완료되면 제 2 기판(110)에는 패턴드 스페이서(150)가 형성된 부분을 제외한 발광 영역(EA)별로 게터층(194)이 형성된다. 이 때, 상기 게터층(194)은 1800 ~ 2200Å, 보다 바람직하게는 2000Å의 두께로 형성한다.Next, positioning of the second shadow mask is performed under the
상기 칼슘층과 게터층(194)의 증착 공정시, 제 2 새도우 마스크를 사용하는 것은 패턴드 스페이서(150)와 대응되는 부분의 경우 연결전극(170)과 제 2 전극(184) 간의 콘택이 이루어지는 부분으로, 미연에 콘택 불량을 방지하기 위함이다.In the deposition process of the calcium layer and the
상기 제 1 전극(180), 유기 발광층(182) 및 제 2 전극(184)을 포함하여 유기발광 다이오드(E)라 한다.The
이상으로, 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자용 제 2 기판을 제작하는 공정이 완료된다.As described above, the process of manufacturing the second substrate for the organic light emitting device of the dual plate type according to the present invention is completed.
따라서, 본 발명에서는 칼슘 산화층의 도입으로 암점 불량이 발생된 화소를 수리하는 것을 통해 생산 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 칼슘 산화층을 사이에 두고 3개의 층이 샌드위치 구조로 이루어진 3중층으로 제 2 전극을 형성하는 것을 통해 제 2 전극의 신뢰성을 개선할 수 있다.Therefore, in the present invention, the production yield can be improved by repairing pixels in which dark spot defects are generated by the introduction of a calcium oxide layer. In addition, it is possible to improve the reliability of the second electrode by forming the second electrode as a triple layer having a sandwich structure with three layers sandwiching the calcium oxide layer.
그러나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변형 및 변경할 수 있다.However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and spirit of the present invention.
도 1은 일반적인 능동 매트릭스 방식의 유기전계 발광소자의 단위 화소에 대해 나타낸 회로도.1 is a circuit diagram of a unit pixel of a conventional active matrix type organic light emitting display device.
도 2는 일반적인 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자를 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing a general dual plate type organic light emitting device.
도 3a는 암점 불량을 설명하기 위한 도면이고, 도 3b는 암점이 발생된 화소를 나타낸 실측 도면.FIG. 3A is a diagram for explaining a dark spot failure, and FIG. 3B is a measured diagram illustrating a pixel in which a dark spot is generated.
도 4는 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자를 나타낸 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view showing an organic light emitting device of the dual plate method according to the present invention.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명에 따른 듀얼플레이트 방식의 유기전계 발광소자용 제 2 기판의 제조방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도.5A to 5F are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a second substrate for an organic light emitting device of a dual plate type according to the present invention, in order of process order.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *
105 : 제 1 기판 110 : 제 2 기판105: first substrate 110: second substrate
130 : 패널 145 : 게이트 절연막130
150 : 패턴드 스페이서 155 : 보호막150: patterned spacer 155: protective film
160 : 보조전극 162 : 버퍼패턴160: auxiliary electrode 162: buffer pattern
164 : 격벽 170 : 연결전극164: bulkhead 170: connecting electrode
184a, 184b, 184c : 제 2 전극의 제 1 층, 제 2 층 및 제 3 층184a, 184b, 184c: first layer, second layer and third layer of the second electrode
190 : 씰패턴 192 : 칼슘 산화층190: seal pattern 192: calcium oxide layer
194 : 게터층 Td : 구동 트랜지스터194: getter layer Td: driving transistor
E : 유기발광 다이오드E: organic light emitting diode
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|---|---|---|---|
| KR1020080134714A KR20100076606A (en) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Dual plate type organic electro-luminescent device and the method for fabricating thereof |
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| KR1020080134714A KR20100076606A (en) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Dual plate type organic electro-luminescent device and the method for fabricating thereof |
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ID=42638303
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190048776A (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Transparent display apparatus |
-
2008
- 2008-12-26 KR KR1020080134714A patent/KR20100076606A/en not_active Application Discontinuation
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