KR20100056753A - Anticorrosive electrostatic aftertreatment device for flue gas from semicondutor and lcd manufacturing - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A corrosion resistance device for post-processing exhaust gas in a semiconductor/LCD process are provided to improve durability of the divide by protecting a discharge plate or a dust collecting plate with an injection system for water film installed on an electricity dust collector from an acidic gas. CONSTITUTION: An electricity dust collector(100) is comprised of an injection system(130) for water-film, an electric charge part(110) and a dust collection part(120). The electric charge unit charges with a minute particle of the exhaust gas flowing in into an inlet port. The dust collection unit collects the minute particle charging in the electric charge unit. The injection system for water-film dies of resentment a washing solution on a discharge plate(112) of the electric charge unit. A scrubber device(200) eliminates the gas by spraying the washing solution to a scrubber.

Description

내부식성의 반도체/ＬＣＤ 공정 배가스 정전 후처리 장치{ Anticorrosive electrostatic aftertreatment device for flue gas from semicondutor and LCD manufacturing}Anticorrosive electrostatic aftertreatment device for flue gas from semicondutor and LCD manufacturing}

본 발명은 반도체 및 LCD 제조공정 등에서 배출되는 다량의 산성가스를 포함하는 배출가스를 처리하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an anti-corrosion semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus for treating exhaust gases including a large amount of acid gases emitted from semiconductor and LCD manufacturing processes.

산업의 발달함에 따라 첨단 반도체 및 디스플레이(LCD) 산업도 함께 증가하여, 현재 국내 주력산업의 한 분야를 차지하고 있다.With the development of the industry, the advanced semiconductor and display (LCD) industry has also increased together, and now occupies one of the main industries in Korea.

그러나 국내 주력산업의 한분야를 차지하고 있는 반도체 및 디스플레이(LCD) 산업은 반도체의 제조공정시 사용되는 다양한 케미칼에 의하여 독성, 부식성, 폭발성, 환경오염성의 가스를 배출하며, 특히 디바이스 고집적화, 미세화에 따라 유해물질 사용 등에 의하여 배출가스가 증대되고 있으며, 배출되는 배출가스내에는 지구온난화을 일으키는 PFCs(불소화합물:Per-Fluro-Compounds)이 포함되어 있다.However, the semiconductor and display (LCD) industry, which occupies one of the major industries in Korea, emits toxic, corrosive, explosive and environmental polluting gases by various chemicals used in the semiconductor manufacturing process. Emissions are increasing due to the use of hazardous substances, and the emissions include PFCs (Per-Fluro-Compounds) that cause global warming.

보통 산업체에서 발생하는 배출가스를 처리하는 장치는 배출가스에 포함되어 있는 미세입자를 방전극과 방전판 사이에 고전압을 인가시켜 발생하는 코로나 방전으로 하전시키고, 하전된 미세입자를 전기장이 발생하는 집진부에서 정전기력으로 집진하도록 이루어진 전기집진장치와, 상기 전기집진장치의 전단 또는 후단에 설치되어 배출되는 가스의 흐름을 길게하는 다수의 공극이 형성된 패킹볼이 충진된 스크러버에 세정액을 분사하여 가스를 처리하는 스크러버장치로 이루어진다. In general, an apparatus for processing exhaust gas generated by an industry charges fine particles contained in the exhaust gas to a corona discharge generated by applying a high voltage between the discharge electrode and the discharge plate, and charges the charged fine particles in the dust collecting part where the electric field is generated. A scrubber for treating gas by injecting a cleaning solution into a scrubber filled with an electrostatic precipitator configured to collect dust by electrostatic force and a packing ball having a plurality of pores formed to prolong the flow of the gas discharged at the front or rear end of the electrostatic precipitator. Consists of devices.

즉, 종래에 사용되는 배출가스 처리장치는 도 1과 같이 방전극과 방전판에 고전압을 인가하여 코로나 방전을 시켜 미세입자를 하전시키는 하전부(11)와, 상기 하전부(11)에서 하전된 미세입자를 집진판에 전압을 인가하여 정전기력을 집진하는 집진부(12)로 이루어진 전기집진장치(10)와, 상기 전기집진장치(10)에서 처리된 배출가스를 처리하는 공극이 형성된 패킹볼이 충진되어 있는 스크러버(21)가 설치되고, 상기 스크러버(21)에 세정액을 분사하는 세정액 분사장치(22)와, 상기 세정액 분사장치(22)의 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(23)와, 상기 스크러버(21)를 통과한 배출가스를 처리하는 필터(Demister; 24)로 구성된다.That is, the conventional exhaust gas treatment apparatus has a charge unit 11 for charging the fine particles by applying a high voltage to the discharge electrode and the discharge plate to corona discharge as shown in Figure 1, and the fine charge charged in the charge unit 11 The electrostatic precipitator 10 is composed of a dust collecting unit 12 for collecting the electrostatic force by applying a voltage to the dust collecting plate, and the packing ball is formed with a cavity for processing the exhaust gas treated in the electrostatic precipitator 10 A scrubber 21 is provided, a cleaning liquid injector 22 for injecting a cleaning liquid into the scrubber 21, a concentration adjusting device 23 for adjusting the pH concentration of the cleaning liquid of the cleaning liquid injector 22, and It is composed of a filter (Demister) 24 for processing the exhaust gas passing through the scrubber 21.

상기 세정액 분사장치(22)는 세정액 탱크(22a)와, 상기 세정액 탱크(22a)의 세정액을 공급하는 펌프(22b)와, 상기 펌프(22b)에 의하여 공급되는 세정액을 스크러버에 분사시키는 분사노즐을 포함하는 분사노즐대(22c)로 구성된다.The cleaning liquid injector 22 includes a cleaning liquid tank 22a, a pump 22b for supplying the cleaning liquid of the cleaning liquid tank 22a, and an injection nozzle for injecting the cleaning liquid supplied by the pump 22b to the scrubber. It consists of the injection nozzle stand 22c containing.

이와 같이 이루어진 배출가스 처리장치의 전기집진장치는 금속의 방전판과 집진판의 사용으로HCl, HF 등의 강부식성의 산성가스가 포함되어 있는 배출가스에는 사용하지 못하는 단점이 있다. 즉, 강부식성의 산성가스가 포함되어 있는 배출 가스를 처리하고자 종래의 전기집진장치를 사용할 경우에는 방전판과 집진판의 부식의 속도가 빨라 부식으로 인한 교체시기가 빨라 자주 방전판과 집진판을 교체하여야 함으로써 교체비용과 교체시 가동중지로 인하여 유지비용 상승과 효율성을 저하시키는 단점이 있다.The electrostatic precipitator of the exhaust gas treatment device made as described above has a disadvantage in that it cannot be used for the exhaust gas containing strongly corrosive acid gas such as HCl and HF due to the use of a metal discharge plate and a dust collector plate. In other words, when using a conventional electrostatic precipitator to treat exhaust gas containing strongly corrosive acid gas, the discharge plate and the dust collecting plate should be replaced frequently because the rate of corrosion of the discharge plate and the dust collecting plate is fast and the replacement time due to corrosion is fast. As a result, there is a disadvantage in that the maintenance cost is increased and the efficiency is lowered due to the replacement cost and the shutdown during the replacement.

상기와 같이 산성가스를 포함하는 배출가스 처리시 방전판과 집진판의 부식으로 인하여 배출가스 처리장치에서 전기집진장치를 제거하게 되면, 스크러버장치에서는 입자상의 유해물질를 제거하지 못하고, 패킹볼 공극 및 데미스터(Demister) 막힘으로 인하여 차압이 상승하는 단점이 발생하게 된다. When the electrostatic precipitator is removed from the exhaust gas treatment device due to the corrosion of the discharge plate and the dust collecting plate during the treatment of the exhaust gas containing acidic gas as described above, the scrubber device does not remove particulate harmful substances, and the packing ball voids and demisters (Demister) There is a disadvantage that the differential pressure rises due to blockage.

상기와 같이 산성가스를 포함하는 배출가스처리장치에 대하여 문제점이 있는데 반하여 다량의 산성가스를 포함하는 배출가스를 발생시키는 첨단 반도체 및 디스플레이(LCD) 산업은 계속적으로 증가함으로써 환경오염이 날로 증가되고 있어 반도체 및 디스플레이(LCD) 산업에서 발생하는 배출가스를 처리할 수 있는 배출가스 처리장치의 개발이 시급히 필요한 실정이다.As described above, there is a problem with the exhaust gas treating apparatus containing acidic gas, whereas the high-tech semiconductor and display (LCD) industry that generates the exhaust gas containing a large amount of acidic gas is continuously increasing and environmental pollution is increasing day by day. There is an urgent need to develop an exhaust gas treating apparatus that can treat the exhaust gases generated in the semiconductor and display (LCD) industries.

본 발명은 이와 같은 단점을 해결하고자 발명된 것으로,The present invention was invented to solve such disadvantages,

강부식성의 산성가스를 포함하는 배출가스를 처리하되 유해물질의 제거효율을 높일 수 있는 배출가스 처리장치를 제공하는데 목적이 있다. 즉, 강부식성의 산성가스를 포함하는 배출가스를 배출하는 반도체 및 LCD 제조산업에 사용되는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치를 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an exhaust gas treatment device that can treat exhaust gas containing highly corrosive acid gas, but improve the removal efficiency of harmful substances. That is, an object of the present invention is to provide an anti-corrosion semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus used in the semiconductor and LCD manufacturing industry for discharging exhaust gas containing strongly corrosive acid gas.

즉, 강부식성의 산성가스를 포함하는 배출가스에서도 부식이 잘 발생하지 않는 전기집진장치를 포함하는 배출가스 처리장치를 제공하는데 목적이 있다.That is, an object of the present invention is to provide an exhaust gas treating apparatus including an electrostatic precipitator which does not easily generate corrosion even in an exhaust gas containing strongly corrosive acid gas.

상기 목적을 달성하고자 본 발명의 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치는, 인가되는 고전압에 의하여 하전부에서 코로나 방전이 발생하고, 상기 발생된 코로나 방전에 의하여 배출가스내에 있는 미세입자가 하전되며, 하전된 미세입자는 집진부의 집진판에서 정전집진되는 전기집진장치와, 패킹볼이 충진되어 있는 스크러버에 세정액을 분사하여 가스를 제거하는 스크러버장치로 이루어진 배출가스처리장치에 있어서,Corrosion-resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus of the present invention to achieve the above object, the corona discharge is generated in the charge portion by the high voltage applied, the fine particles in the exhaust gas by the generated corona discharge In the discharge gas treatment device consisting of charged and fine particles are electrostatic precipitator is electrostatically collected from the dust collecting plate of the dust collector, and a scrubber device to remove the gas by spraying the cleaning liquid to the scrubber filled with the packing ball,

상기 전기집진장치는 배출가스에 포함되어 있는 산성가스로부터 산화를 억제시킬 수 있도록 수막용 분사장치가 설치되며,The electrostatic precipitator is a water film injection device is installed to suppress the oxidation from the acid gas contained in the exhaust gas,

상기 스크러버장치에는 분사되는 세정액을 하전시키는 세정액 하전장치가 설 치된다.The scrubber device is provided with a cleaning liquid charging device for charging the cleaning liquid to be injected.

상기 전기집진장치의 수막용 분사장치는 하전부의 방전판 또는 집진부의 집진판에 세정액을 분사시켜 수막을 형성시키게 된다.The water film injector of the electrostatic precipitator forms a water film by spraying a cleaning liquid on the discharge plate of the charged portion or the dust collector plate of the dust collector.

상기 스크러버장치의 세정액 하전장치는 분사되는 세정액이 극성을 가지도록 하전시켜 정전분무를 유도한다.The cleaning solution charging device of the scrubber device is charged so that the cleaning solution is polarized to induce electrostatic spraying.

또는, 고전압을 인가하여 발생되는 코로나 방전에 의하여 미세입자를 하전시켜 정전집진하는 전기집진장치와, 패킹볼이 충진되어 있는 스크러버에 세정액을 분사하여 가스를 제거하는 스크러버장치로 이루어진 배출가스처리장치에 있어서,Alternatively, the exhaust gas treatment apparatus includes an electrostatic precipitator which charges fine particles by corona discharge generated by applying a high voltage, and electrostatically collects the dust, and a scrubber device that removes gas by spraying a scrubber filled with a packing ball. In

상기 전기집진장치는 유입구로 유입되는 배출가스의 미세입자를 하전시키는 하전부와, 상기 하전부의 후단에 설치되어 하전된 미세입자를 집진하는 집진부로 형성되되, 상기 하전부는 다심의 탄소섬유 또는 금속섬유가 다발로 이루어진 방전구와 상기 방전구에 고전압을 인가하는 고전압장치으로 형성되고, The electrostatic precipitator is formed of a charging unit for charging the fine particles of the discharge gas flowing into the inlet, and a dust collector installed at the rear end of the charging unit to collect the charged fine particles, the charge unit is a multi-core carbon fiber or Metal fibers are formed of a discharge port consisting of a bundle and a high voltage device for applying a high voltage to the discharge port,

상기 스크러버장치에는 분사되는 세정액이 정전분무가 이루어지도록 구성된다.The scrubber device is configured such that the cleaning liquid to be sprayed is electrostatically sprayed.

상기와 같이 이루어진 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치는, 전기집진장치에 설치되어 있는 수막용 분사장치에 의하여 방전판 또는 집진판을 산성가스로부터 보호하여 내구성이 좋아지는 효과가 있다.The corrosion resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device made as described above has an effect of improving durability by protecting the discharge plate or the dust collecting plate from acid gas by the water film spraying device provided in the electrostatic precipitator.

또한, 집진판은 수막용 분사장치로분터 분사되는 세정액에 의하여 세척되어 재생됨으로써 집진효율이 높아지는 효과가 있다. In addition, the dust collecting plate is washed and regenerated by a cleaning liquid sprayed into the spray device for water film, thereby increasing the dust collecting efficiency.

또한, 스크러버장치에 설치되어 있는 세정액 하전장치에 의하여 세정액이 정전분무되어 극성을 가짐으로써 하전된 미세입자의 처리효율을 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the cleaning liquid is electrostatically sprayed by the cleaning liquid charging device installed in the scrubber device to have a polarity, thereby increasing the processing efficiency of the charged fine particles.

첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 2와 같이 본 발명의 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치는 크게 전단부에 설치되는 전기집진장치(100)와 상기 전기집진장치(100)의 후단에 설치되는 스크러버장치(200)로 구성된다.As shown in FIG. 2, the corrosion resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus of the present invention is largely equipped with an electrostatic precipitator 100 installed at a front end portion and a scrubber apparatus 200 installed at a rear end of the electrostatic precipitator 100. It consists of.

도 2와 같이 상기 전기집진장치(100)는 유입구로 유입되는 배출가스의 미세입자를 하전시키는 하전부(110)와, 상기 하전부(110)에서 하전된 미세입자를 집진하는 집진부(120)와, 수막용 분사장치(130)로 구성된다.As shown in FIG. 2, the electrostatic precipitator 100 may include a charge unit 110 that charges fine particles of exhaust gas flowing into an inlet, and a dust collector 120 that collects fine particles charged from the charge unit 110. , Water jetting device 130.

상기 하전부(110)는 도 2와 도 3과 같이 다수개의 방전핀(미도시)이 형성된 방전봉(111)과, 상기 방전봉(111)에 이격되게 설치된 방전판(112)과, 상기 방전봉(111)에 고전압을 인가하는 고전압장치(113)로 이루어진다. 이러한 하전부(110)는 방전봉(111)에 고전압장치(113)로 고전압을 인사시키면, 방전봉(111)과 접지극인 방전판(112) 사이에 코로나 방전이 일어나고, 상기 발생된 코로나 방전에 의하여 하전부(110)로 유입된 배출가스는 하전되게 된다.The charging unit 110 is a discharge rod 111 formed with a plurality of discharge pins (not shown), as shown in Figures 2 and 3, the discharge plate 112 provided to be spaced apart from the discharge rod 111, and the discharge It consists of a high voltage device 113 for applying a high voltage to the rod (111). When the charging unit 110 greases the high voltage with the high voltage device 113 to the discharge rod 111, a corona discharge occurs between the discharge rod 111 and the discharge plate 112, which is a ground electrode, and the corona discharge occurs. The discharged gas introduced into the charging unit 110 is charged.

상기 집진부(120)는 도 2와 도 4와 같이 이격되게 설치된 다수개의 집진판(121)과 상기 집진판(121)에 고전압을 인가하는 고전압장치(122)로 이루어진다. 이러한 집진부(120)는 집진판(121)에 고전압장치(122)로 고전압을 인가시키면 집진판(121)은 극성을 띄게 되고, 극성을 띄는 집진판(121)과 하전부(110)에서 하전되어 유입된 배출가스 사이에 정전기력이 발생하여 쉽게 배출가스의 미세입자가 집진판(121)에 집진된다. 상기 집진판(121)의 극성은 하전된 미세입자와 반대극성을 가진다.The dust collecting part 120 includes a plurality of dust collecting plates 121 spaced apart as shown in FIGS. 2 and 4 and a high voltage device 122 for applying a high voltage to the dust collecting plate 121. When the dust collector 120 applies a high voltage to the dust collector 121 with the high voltage device 122, the dust collector 121 has a polarity, and discharged by being charged from the dust collector 121 and the charging unit 110 having a polarity. Electrostatic force is generated between the gas and the fine particles of the exhaust gas are easily collected on the dust collecting plate 121. The polarity of the dust collecting plate 121 has a polarity opposite to that of the charged fine particles.

상기 집진판(121)은 보통 금속성의 판으로 이루어지나, 도 5와 같이 산성가스로부터 부식되는 것을 방지하기 위하여 내측에 금속성 박막(121a)을 포함하는 PE, PP 등의 플라스틱 계열의 판(121b)으로 이루어지거나, 또는 내부식성의 CFRP(carbon fiber reinforced plastic) 재질로 이루어질 수도 있다.The dust collecting plate 121 is usually made of a metallic plate, but in order to prevent corrosion from acidic gas, as shown in FIG. 5, the plastic plate 121b of PE, PP or the like including a metallic thin film 121a therein. It may be made of, or may be made of a corrosion-resistant carbon fiber reinforced plastic (CFRP) material.

상기 수막용 분사장치(130)는 수막용 액체를 저장하는 저장탱크(131)와, 상기 저장탱크(131) 내에 저장되어 있는 세정액을 순환시키는 수막용 펌프(132)와, 상기 수막용 펌프(132)로부터 공급되는 세정액을 분사하는 분사노즐(134)이 설치되어 있는 노즐대(133)로 이루어지며, 상기 저장탱크(131) 내에 저장되는 세정액의 산성화를 방지하기 위하여 pH농도를 조절하기 위한 농도조절장치(135)를 더 포함 할 수 있다. 상기 수막용으로 사용되는 세정액은 보통 물을 사용하며, 유체를 사용할 수도 있다.The water film injection device 130 includes a storage tank 131 for storing a liquid for water film, a water film pump 132 for circulating a cleaning liquid stored in the storage tank 131, and the water film pump 132. Consists of a nozzle unit 133 is provided with a spray nozzle 134 for injecting the cleaning liquid supplied from the), the concentration control for adjusting the pH concentration to prevent acidification of the cleaning liquid stored in the storage tank 131 The device 135 may further include. The cleaning liquid used for the water film usually uses water, and a fluid may be used.

상기 노즐대(133)는 도 2 내지 도 4와 같이 하전부(110)의 방전판(112)과 집진부(120)의 집진판(121)의 표면에 수막을 형성시킬 수 있도록 상측에 설치되어 분사노즐(134)로부터 분사되는 세정액에 의하여 방전판(112)과 집진판(121)의 표면에 수막을 형성시킨다.The nozzle unit 133 is installed on the upper side to form a water film on the surface of the discharge plate 112 of the charge unit 110 and the dust collecting plate 121 of the dust collecting unit 120 as shown in FIGS. A water film is formed on the surfaces of the discharge plate 112 and the dust collecting plate 121 by the cleaning liquid injected from the 134.

상기 노즐대(133)는 도 3과 같이 하전부(110)의 방전판(112)의 상측에만 설치될 수도 있다.The nozzle unit 133 may be installed only on the upper side of the discharge plate 112 of the charging unit 110 as shown in FIG.

상기 집진판(121)은 수막을 형성하기 위하여 분사되는 세정액에 의하여 집진판(121)에 집진되어 있는 미세입자를 세정되고, 상기 집진판(121)이 세정액에 의하여 세정됨으로써 집진판(121)이 재생되어 집진효율을 높이게 된다.The dust collecting plate 121 cleans the fine particles collected in the dust collecting plate 121 by the cleaning liquid sprayed to form the water film, and the dust collecting plate 121 is cleaned by the cleaning liquid to regenerate the dust collecting plate 121 to collect dust. Will increase.

이와 같이 이루어진 본 발명의 전기집진장치(100)는 도 3과 같이 하전부(110)는 고전압장치(113)로 방전봉(111)에 고전압을 인가하면, 접지된 방전판(112) 사이에 코로나 방전이 발생하여 유입구로 유입된 배출가스 내에 포함되어 있는 미세입자는 하전되고, 이때, 하전부(110)의 방전판(112) 표면이 수막용 분사 장치(130)에서 분사되는 분사액에 의하여 수막이 형성됨으로써 유입되는 배출가스 내에 포함되어 있는 강부식성의 산성가스로부터 보호를 하게 된다.In the electrostatic precipitator 100 of the present invention made as described above, as shown in FIG. 3, when the charging unit 110 applies a high voltage to the discharge rod 111 with the high voltage device 113, the corona is discharged between the grounded discharge plates 112. The fine particles contained in the discharge gas introduced into the inlet by discharge is charged, and at this time, the surface of the discharge plate 112 of the charging unit 110 is sprayed by the injection liquid sprayed from the injection device 130 for water film. This formation is to protect from the highly corrosive acid gas contained in the exhaust gas flowing in.

도 4와 같이 집진부(120)는 고전압장치(122)로 집진판(121)에 고전압을 인가하면, 집진판(121)은 극성을 띄게 되고, 집진부(120)에 유입된 하전된 미세입자는 극성을 가지는 집진판(121)과 정전기력이 발생하여 쉽게 집진된다. 이때, 집진부(120)의 집진판(121) 표면이 수막용 분사장치(130)에 의하여 수막이 형성됨으로써 배출가스 내에 포함되어 있는 강부식성의 산성가스에 의하여 부식이 방지되며, 수막을 형성하는 물이 집진판(121)을 흘러 내림으로써 집진판(121)에 집진되어 있는 미세입자를 제거하게 된다. As shown in FIG. 4, when the dust collecting unit 120 applies a high voltage to the dust collecting plate 121 by the high voltage device 122, the dust collecting plate 121 is polarized, and the charged fine particles introduced into the dust collecting unit 120 have polarity. The dust collecting plate 121 and the electrostatic force is generated and easily collected. At this time, the surface of the dust collecting plate 121 of the dust collecting unit 120 is formed by the water film spraying device 130 to prevent corrosion by the strongly corrosive acid gas contained in the exhaust gas, the water forming the water film By flowing down the dust collecting plate 121, the fine particles collected in the dust collecting plate 121 are removed.

도 5와 같이 이루어진 집진판(121)은, 고전압장치(122)로 집진판(121)의 금속성 박막(121a)에 고전압을 인가하면 집진판(121)이 도 5와 같이 미세입자와 반대 극성을 가지도록 하전되어 하전부(110)로부터 하전되어 유입된 배출가스 미세입자를 정전기력의 하여 집진판(121)으로 집진한다. In the dust collecting plate 121 formed as shown in FIG. 5, when the high voltage is applied to the metallic thin film 121a of the dust collecting plate 121 by the high voltage device 122, the dust collecting plate 121 has a polarity opposite to that of the fine particles as shown in FIG. 5. Then, the discharge gas fine particles charged and charged from the charging unit 110 are collected by the dust collecting plate 121 by electrostatic force.

일반적인 전기집진장치는 고전압이 인가되는 방전봉과 접지부인 방전판을 가지되, 방전봉의 교체는 용이하나 방전판의 교체는 불가능하거나 어려운 구조로 이루어진다. 그럼으로 상기와 같이 이루어진 전기집진장치(100)는 수막에 의하여 방전판(112)에 부식이 발생하지 않게 되어 방전봉(111)만을 교체함으로써 수리 및 유지보수가 용이하게 된다.A general electrostatic precipitator has a discharge rod to which a high voltage is applied and a discharge plate which is a ground part, but is easy to replace the discharge rod, but it is impossible or difficult to replace the discharge plate. Thus, the electrostatic precipitator 100 made as described above does not cause corrosion on the discharge plate 112 by the water film, so that only the discharge rod 111 is replaced, thereby making repair and maintenance easy.

도 2와 같이 상기 스크러버장치(200)는 크게 공극이 형성된 패킹볼(211)이 충진되어 있는 스크러버(210)와, 상기 스크러버(210)에 세정액을 분사하는 세정액 분사장치(220)와, 상기 스크러버(210)의 후단에 설치되어 스크러버(210)를 통과한 배출가스 내에 포함되어 있는 미스크(Mist)를 제거하는 필터(230)와, 상기 세정액 분사장치(220)에서 분사되는 세정액을 하전시키는 세정액 하전장치(240)으로 구성된다.As shown in FIG. 2, the scrubber device 200 includes a scrubber 210 filled with a packing ball 211 having large voids, a cleaning liquid injector 220 for injecting a cleaning liquid into the scrubber 210, and the scrubber. The filter 230 is installed at the rear end of the filter 210 to remove the mist contained in the exhaust gas that has passed through the scrubber 210, and the cleaning liquid that charges the cleaning liquid injected from the cleaning liquid injector 220. The charging device 240 is configured.

상기 세정액 분사장치(220)는 도 2와 같이 스크러버의 하측에 설치되는 세정액 탱크(221)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(222)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액을 순환시키는 펌프(223)와, 상기 펌프(223)로부터 공급되는 세정액을 스크러버(210)에 분사시키는 다수개의 분사노즐(225)이 설치된 노즐대(224)로 구성로 이루어진다.The cleaning liquid injector 220 includes a cleaning liquid tank 221 installed below the scrubber as shown in FIG. 2, a concentration adjusting device 222 for adjusting the pH concentration of the cleaning liquid of the cleaning liquid tank 221, and the cleaning liquid tank. The nozzle 224 is provided with a pump 223 for circulating the cleaning liquid of 221 and a plurality of injection nozzles 225 for spraying the cleaning liquid supplied from the pump 223 to the scrubber 210.

상기 세정액 하전장치(240)는 도 2와 같이 접지극인 금속봉(241)과, 고전압을 인가하는 고전압장치(242)로 구성되고, 상기 고전압인가장치(242)는 분사노즐(225)에 고전압을 인가하도록 이루어지진다. 상기 금속봉(241)은 분사되는 세정액을 하전시키도록 세정액이 분사되는 분사노즐(225)의 부근에 이격되게 설치된다.The cleaning liquid charging device 240 is composed of a metal rod 241 which is a ground electrode and a high voltage device 242 for applying a high voltage, as shown in FIG. 2, and the high voltage applying device 242 applies a high voltage to the injection nozzle 225. To be done. The metal rod 241 is spaced apart from the vicinity of the injection nozzle 225 to which the cleaning liquid is injected so as to charge the cleaning liquid to be injected.

이와 같이 이루어진 세정액 하전장치(240)는 고전압장치(242)에서 분사노즐(225)에 고전압을 인가시키면, 고전압이 인가된 노즐대(224)와 접지극인 금속봉(241) 사이에 강한 전기장이 형성되면서 분무되는 세정액(액적)을 이온화 시키게 된다. 즉, 분사되는 세정액은 도 6과 같이 액적분무(c)와 액막(d)이 양(+)극으로 하전되게 되고, 양(+)극으로 하전된 액적분무(c)와 액막(d)은 반대극성을 띄고 있 는 음(-)극으로 하전되어 있는 배출가스(HF이온가스, HCl이온가스 등)의 미세입자와 정전기력에 의하여 쉽게 포집하여 미세입자의 제거율을 상승시키게 된다.In the cleaning liquid charging device 240 configured as described above, when a high voltage is applied to the injection nozzle 225 in the high voltage device 242, a strong electric field is formed between the nozzle pole 224 to which the high voltage is applied and the metal rod 241 that is the ground electrode. The sprayed cleaning liquid (droplets) is ionized. That is, the sprayed cleaning liquid is charged with the droplet spray (c) and the liquid film (d) to the positive electrode, as shown in Figure 6, the droplet spray (c) and the liquid film (d) charged to the positive electrode It is easily collected by the microparticles and the electrostatic force of the discharge gas (HF ion gas, HCl ion gas, etc.) charged to the negative polarity having the opposite polarity to increase the removal rate of the fine particles.

상기 접지극은 보통 첨부된 도 2와 같이 금속봉(241)으로 할 수 있으나, 분사노즐(225)을 접지극으로 하고, 금속봉(241)을 고전압 인가극으로 할 수도 있다.The ground electrode may be generally a metal rod 241 as shown in FIG. 2, but the injection nozzle 225 may be a ground electrode, and the metal rod 241 may be a high voltage applying electrode.

상기 세정액 하전장치(240)는 도 9 (a)와 같이 분사노즐(225)에 이격되게 설치되는 금속봉(241)을 대신하여 도 9 (b)와 같이 링형상의 금속링(241')을 사용할 수 있다. 상기 금속링(241')은 분사노즐(225)을 중심으로 동일하게 이격되게 설치됨으로써 분사노즐(225)에서 분사되는 세정액을 이온화 시키기가 용이하다. The cleaning liquid charging device 240 uses a ring-shaped metal ring 241 ′ as shown in FIG. 9 (b) instead of the metal rod 241 spaced apart from the injection nozzle 225 as shown in FIG. 9 (a). Can be. The metal ring 241 ′ is equally spaced around the spray nozzle 225 to easily ionize the cleaning liquid sprayed from the spray nozzle 225.

도 7과 도 8은 본 발명의 배출가스처리장치의 전기집진장치(100)에 대한 다른 실시예를 나타낸 것이다.7 and 8 show another embodiment of the electrostatic precipitator 100 of the exhaust gas treatment apparatus of the present invention.

도 7과 같이 산성가스를 포함하는 배출가스의 처리장치는 크게 전단부에 설치되는 전기집진장치(100)와 상기 전기집진장치(100)의 후단에 설치되는 스크러버장치(200)로 구성된다.As shown in FIG. 7, an apparatus for treating exhaust gas containing an acid gas is largely composed of an electrostatic precipitator 100 installed at a front end portion and a scrubber apparatus 200 installed at a rear end of the electrostatic precipitator 100.

상기 전기집진장치(100)는 유입구로 유입되는 배출가스의 미세입자를 하전시키는 탄소섬유 또는 금속섬유가 다발로 형성되어 이루어진 방전구(111')가 설치되어 있는 하전부(110')와, 상기 하전부(110)에서 하전된 미세입자를 집진하는 집진부(120)와, 수막용 분사장치(130)로 구성된다.The electrostatic precipitator 100 includes a charge unit 110 ′ having a discharge port 111 ′ formed of a bundle of carbon fibers or metal fibers for charging fine particles of the exhaust gas flowing into the inlet, and the It is composed of a dust collecting unit 120 for collecting the fine particles charged in the charging unit 110, and the injection device 130 for water film.

즉, 상기 전기접진장치(100)는 전술되어 있는 것과 동일하나, 하전부(110')에 낮은 인가전압에서도 이온을 발생시키는 탄소섬유 또는 금속섬유가 다발로 형성 되어 이루어진 방전구(111')를 사용한 것이다. That is, the electric grounding device 100 is the same as described above, but the discharge port 111 'is formed of a bundle of carbon fibers or metal fibers that generate ions even at a low applied voltage to the charging unit 110' I used it.

좀더 상세히 설명하면, 도 8과 같이 하전부(110')를 탄소섬유 또는 금속섬유가 다발로 형성되어 이루어진 방전구(111')와, 상기 방전구(111')에 전압을 인가하는 고전압인가장치(113)로 구성한다.In more detail, as shown in FIG. 8, the discharge part 111 ′ formed of a bundle of carbon fibers or metal fibers in the charged part 110 ′, and a high voltage applying device for applying a voltage to the discharge port 111 ′. It consists of 113.

상기 방전구(111')의 사용은 접지극인 방전판(112)을 제거함으로써 산성가스에 의한 방전판(12)의 부식에 대한 문제점을 해소하며, 낮은전압에서 이온이 발생함으로써 전력소비를 줄일 수 있다.The use of the discharge port 111 ′ eliminates the problem of corrosion of the discharge plate 12 by acidic gas by removing the discharge plate 112, which is a ground electrode, and reduces power consumption by generating ions at a low voltage. have.

상기 스크러버장치(200)는 전술되어 있는 도 2의 실시예를 설명한 바와 같다.The scrubber device 200 is as described in the above-described embodiment of FIG.

상기와 같이 전기집진장치(100)와, 상기 전기집진장치(100)의 후단에 설치되는 스크러버장치(200)로 이루어진 본 발명의 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치의 배출가스의 처리과정에 대하여 살펴보면, Treatment of the exhaust gas of the corrosion resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus of the present invention comprising the electrostatic precipitator 100 and the scrubber 200 installed at the rear end of the electrostatic precipitator 100 as described above. If you look at the process,

유입구로 유입되는 배출가스는 전기집진장치(100)의 하전부(110)에서 방전봉(111)과 방전판(112) 사이에서 발생되는 코로나 방전에 의하여 하전되고, 하전된 배출가스는 하전부(110)의 후단에 설치되어 있는 집진부(120)에서 하전된 집진판(121)에 1차로 집진된다.Exhaust gas flowing into the inlet is charged by the corona discharge generated between the discharge rod 111 and the discharge plate 112 in the charging unit 110 of the electrostatic precipitator 100, the charged discharge gas is charged portion ( The first dust is collected on the dust collecting plate 121 charged from the dust collecting unit 120 installed at the rear end of the 110.

상기 하전부(110)는 도 3과 같이 수막 분사장치(130)에 의하여 접지극인 방전판(112)에 수막이 형성되어 배출가스 내의 산성가스로부터 부식을 방지한다.As shown in FIG. 3, the charged part 110 is formed with a water film on the discharge plate 112 as a ground electrode by the water film spraying device 130 to prevent corrosion from acidic gas in the exhaust gas.

또한, 집진부(120)의 집진판(121)도 도 4와 같이 수막 분사장치(130)에 의하 여 수막이 형성됨으로써 배출가스 내의 산성가스로부터 집진판(121)의 부식을 방지한다.In addition, the dust collecting plate 121 of the dust collecting unit 120 also prevents the corrosion of the dust collecting plate 121 from the acid gas in the exhaust gas by forming a water film by the water film injection device 130 as shown in FIG.

도 4와 같이 수막 분사장치(130)에서 분사되는 분사액에 의하여 집진판(121)이 세척되어 집진되어 있는 미세입자가 제거되며, 이로 인하여 집진판(121)의 효율을 상승시킬 수 있다.As shown in FIG. 4, the dust collecting plate 121 is washed by the spraying liquid sprayed from the water film spraying unit 130 to remove dust particles, thereby increasing the efficiency of the dust collecting plate 121.

1차로 전기집진장치(100)에서 처리된 배출가스는 스크러버장치(200)에 유입되어 2차로 처리된다.Firstly, the exhaust gas treated by the electrostatic precipitator 100 flows into the scrubber apparatus 200 and is treated secondly.

즉, 스크러버장치(200)에 유입되는 배출가스의 미세입자는 도 6과 같이 음극으로 하전(이온화)된 상태로 스크러버(210)에 유입되는 미세입자(a, b)는 세정액 하전장치(240)에 의하여 양(+)극으로 하전된 액적분무(c)와 패킹볼(211)의 액막(d)과 정전기력에 의하여 쉽게 포집된다.That is, the fine particles of the exhaust gas flowing into the scrubber device 200 is the fine particles (a, b) flowing into the scrubber 210 in a state of being charged (ionized) to the cathode as shown in FIG. It is easily collected by the droplet spray (c) and the liquid film (d) of the packing ball 211 and the electrostatic force charged to the positive electrode by the (+).

도 1은 종래 실시중인 스크러버장치의 개략도.1 is a schematic diagram of a conventional scrubber device.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치의 개략도.2 is a schematic diagram of a corrosion resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus showing a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 전기집진장치의 하전부에 대한 개략도.Figure 3 is a schematic view of the charging portion of the electrostatic precipitator of the present invention.

도 4는 본 발명의 전기집진장치의 집진부에 대한 개략도.4 is a schematic view of a dust collecting part of the electrostatic precipitator of the present invention.

도 5는 본 발명의 전기집진장치의 집진부의 집진판에 대한 개략도.5 is a schematic view of the dust collecting plate of the dust collecting part of the electrostatic precipitator of the present invention.

도 6은 본 발명의 스크러버장치의 집진상태를 나타낸 상세도.6 is a detailed view showing a dust collecting state of the scrubber device of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치의 개략도.7 is a schematic diagram of a corrosion resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus showing another embodiment of the present invention.

도 8은 도 7에 나타나 있는 전기집진장치의 하전부에 대한 개략도.FIG. 8 is a schematic view of a charged portion of the electrostatic precipitator shown in FIG.

도 9는 본 발명의 실시예를 나타낸 스크러버장치의 세정액하전장치에 대한 상세도.9 is a detailed view of the cleaning liquid charging device of the scrubber device showing an embodiment of the present invention.

[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명][Explanation of symbols on the main parts of the drawings]

100 : 전기집진장치100: electrostatic precipitator

110, 110' : 하전부 120 : 집진부110, 110 ': charged part 120: dust collecting part

130 : 수막용 분사장치130: water spraying device

200 : 스크러버장치200: scrubber device

210 : 스크러버 220 : 세정액 분사장치210: scrubber 220: cleaning liquid injector

230 : 필터 240 : 세정액 하전장치230: filter 240: cleaning liquid charging device

Claims (18)

인가되는 고전압에 의하여 하전부에서 코로나 방전이 발생하고, 상기 발생된 코로나 방전에 의하여 배출가스내에 있는 미세입자가 하전되며, 하전된 미세입자는 집진부의 집진판에서 정전집진되는 전기집진장치(100)와, 패킹볼이 충진되어 있는 스크러버에 세정액을 분사하여 가스를 제거하는 스크러버장치(200)로 이루어진 배출가스처리장치에 있어서,Corona discharge is generated in the charged portion by the high voltage applied, the fine particles in the discharge gas is charged by the generated corona discharge, the charged fine particles are electrostatic precipitator 100 is electrostatically collected in the dust collecting plate and In the exhaust gas treatment device consisting of a scrubber device 200 for removing the gas by spraying the cleaning liquid to the scrubber is filled with a packing ball, 상기 전기집진장치(100)는 배출가스에 포함되어 있는 산성가스로부터 산화를 억제시킬 수 있도록 수막용 분사장치(130)가 설치됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The electrostatic precipitator (100) is a corrosion resistance semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus, characterized in that the injection device for water film 130 is installed to suppress the oxidation from the acid gas contained in the exhaust gas. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수막용 분사장치(130)는 하전부(110)의 방전판(112)에 세정액을 분사시키는 것을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The water film spraying device 130 is a corrosion-resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device, characterized in that for spraying the cleaning liquid to the discharge plate (112) of the charge portion (110). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수막용 분사장치(130)는 하전부(110)의 방전판(112)과 집진부(120)의 집진판(121)에 세정액을 분사시키는 것을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The water film injector 130 sprays the cleaning solution on the discharge plate 112 of the charge unit 110 and the dust collector plate 121 of the dust collector 120. Device. 제 1항 내지 제 3항 중 어느한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 전기집진장치(100)의 수막용 분사장치(130)는,Water film injection device 130 of the electrostatic precipitator 100, 전기집진장치의 하측에 설치되는 저장탱크(131)와, 상기 저장탱크(131)의 세정액을 순환시키는 펌프(132)와, 상기 펌프(132)에서 공급되는 세정액을 분사하는 분사노즐(134)이 설치된 분사노즐대(133)로 구성되어,The storage tank 131 installed below the electrostatic precipitator, the pump 132 for circulating the cleaning liquid of the storage tank 131, and the injection nozzle 134 for spraying the cleaning liquid supplied from the pump 132 are provided. Consisting of the injection nozzle unit 133 is installed, 상기 분사노즐(133)에서 분사되는 세정액에 의하여 수막이 형성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. Corrosion resistant semiconductor / LCD exhaust gas electrostatic after-treatment apparatus characterized in that the water film is formed by the cleaning liquid injected from the injection nozzle (133). 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 수막용 분사장치(130)의 저장탱크(131) 일측에는 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(135)가 더 설치됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. A corrosion control semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus, characterized in that the concentration control device 135 for adjusting the pH of the cleaning solution is further installed on one side of the storage tank (131) of the water film injection device (130). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 집진판(121)은 내측에 금속성 박막이 설치되어 있는 PE, PP 등의 플라스틱 계열의 판으로 이루어짐을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. The dust collecting plate 121 is a corrosion-resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device, characterized in that made of a plastic-based plate, such as PE, PP is installed with a metallic thin film inside. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 집진판(121)은 내부식성의 CFRP(carbon fiber reinforced plastic) 재 질로 이루어짐을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. The dust collecting plate 121 is a corrosion-resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device, characterized in that made of corrosion-resistant carbon fiber reinforced plastic (CFRP) material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스크러버장치(200)는 분사되는 세정액을 하전시키는 세정액 하전장치(240)가 설치되어 분무되는 세정액은 정전분무됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The scrubber apparatus 200 is a cleaning liquid charge device 240 is installed to charge the cleaning liquid is sprayed cleaning liquid sprayed electrostatic spraying semiconductor / LCD process characterized in that the electrostatic spraying. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스크러버장치(200)는,The scrubber device 200, 패킹볼(211)이 충진된 스크러버(210)와, 상기 스크러버(210)에 세정액을 분사하는 세정액 분사장치(220)와, 상기 스크러버(210)의 후단에 설치되는 필터(230)로 이루어지고,It consists of a scrubber 210 filled with a packing ball 211, a cleaning liquid injector 220 for injecting a cleaning liquid to the scrubber 210, and a filter 230 installed at the rear end of the scrubber 210, 상기 세정액 분사장치(220)는 스크러버(210)의 하측에 설치되는 세정액 탱크(221)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(222)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액을 순환시키는 펌프(223)와, 상기 펌프(223)로부터 공급되는 세정액을 스크러버(210)에 분사시키는 분사노즐(225)이 설치된 노즐대(224)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. The cleaning liquid injector 220 includes a cleaning liquid tank 221 installed below the scrubber 210, a concentration adjusting device 222 for adjusting the pH concentration of the cleaning liquid of the cleaning liquid tank 221, and the cleaning liquid tank ( A pump 223 for circulating the cleaning liquid of 221 and a nozzle unit 224 is provided with a spray nozzle 225 for spraying the cleaning liquid supplied from the pump 223 to the scrubber 210 Semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 스크러버장치(200)에는 정전분무가 이루어지도록 세정액 하전장치(240)가 더 설치됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. The scrubber device 200 is a corrosion-resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus, characterized in that the cleaning liquid charge device 240 is further installed so that the electrostatic spray is made. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 세정액 하전장치(240)는 세정액 분사장치(220)의 분사노즐(225)과 이격되게 설치되는 금속봉(241) 또는 금속링(241')과, 고전압을 인가하는 고전압장치(242)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The cleaning liquid charging device 240 is composed of a metal rod 241 or a metal ring 241 'installed to be spaced apart from the injection nozzle 225 of the cleaning liquid injector 220, and a high voltage device 242 for applying a high voltage. A corrosion resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device. 고전압을 인가하여 발생되는 코로나 방전에 의하여 미세입자를 하전시켜 정전집진하는 전기집진장치(100)와, 패킹볼이 충진되어 있는 스크러버에 세정액을 분사하여 가스를 제거하는 스크러버장치(200)로 이루어진 배출가스처리장치에 있어서,Discharge consisting of an electrostatic precipitator 100 to charge the fine particles by the corona discharge generated by applying a high voltage, electrostatic precipitating, and a scrubber device 200 to remove the gas by spraying the cleaning liquid to the scrubber filled with the packing ball In the gas treating apparatus, 상기 전기집진장치(100)는 유입구로 유입되는 배출가스의 미세입자를 하전시키는 하전부(110')와, 상기 하전부(110')의 후단에 설치되어 하전된 미세입자를 집진하는 집진부(120)로 형성되되, 상기 하전부(110')는 다심의 탄소섬유 또는 금속섬유가 다발로 이루어진 방전구(111')와 상기 방전구(111')에 고전압을 인가하는 고전압장치(113)으로 형성되고, The electrostatic precipitator 100 is charged portion 110 ′ for charging the fine particles of the exhaust gas flowing into the inlet, and dust collector 120 for collecting the charged fine particles installed at the rear end of the charged portion 110 ′ The charging unit 110 'is formed of a discharge port 111' made of a bundle of multi-core carbon fibers or metal fibers and a high voltage device 113 for applying a high voltage to the discharge port 111 '. Become, 상기 스크러버장치(200)에는 분사되는 세정액은 정전분무됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The scrubber device 200, the cleaning liquid is sprayed electrostatic spraying, characterized in that the electrostatic spraying semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 전기집진장치(100)에는 수막용 분사장치(130)가 설치되고,The electrostatic precipitator 100 is installed with a water jet injection device 130, 상기 수막용 분사장치(130)는 집진부(120)의 집진판(121)에 세정액을 분사시킴을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The water film spraying device 130 is a corrosion-resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device, characterized in that for spraying the cleaning liquid to the dust collecting plate 121 of the dust collector (120). 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 전기집진장치(100)의 수막용 분사장치(130)는,Water film injection device 130 of the electrostatic precipitator 100, 전기집진장치의 하측에 설치되는 저장탱크(131)와, 상기 저장탱크의 세정액을 순환시키는 펌프(132)와, 상기 펌프에서 공급되는 세정액을 분사하는 분사노즐(134)이 설치된 분사노즐대(133)로 구성되어,A spray nozzle stand 133 provided with a storage tank 131 installed below the electrostatic precipitator, a pump 132 for circulating the cleaning liquid of the storage tank, and an injection nozzle 134 for spraying the cleaning liquid supplied from the pump. ), 상기 분사노즐(134)에서 분사되는 세정액에 의하여 수막이 형성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. A corrosion resistant semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus, characterized in that the water film is formed by the cleaning liquid injected from the injection nozzle (134). 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 수막용 분사장치(130)의 저장탱크(121) 일측에는 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(135)가 더 설치됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. Corrosion resistance semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment apparatus, characterized in that the concentration control device 135 for adjusting the pH concentration of the cleaning liquid is further installed on one side of the storage tank 121 of the water film injection device (130). 상기 스크러버장치(200)는,The scrubber device 200, 패킹볼(211)이 충진된 스크러버(210)와, 상기 스크러버(210)에 세정액을 분사하는 세정액 분사장치(220)와, 상기 세정액 분사장치(220)로부터 분사되는 세정액을 하전시키는 세정액 하전장치(240)와, 상기 스크러버의 후단에 설치되는 필터(230)로 이루어지고,A scrubber 210 filled with a packing ball 211, a cleaning liquid injector 220 for injecting a cleaning liquid into the scrubber 210, and a cleaning liquid charging device for charging the cleaning liquid injected from the cleaning liquid injector 220 ( 240 and a filter 230 installed at the rear end of the scrubber, 상기 세정액 분사장치(220)는 스크러버(210)의 하측에 설치되는 세정액 탱크(221)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(222)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액을 순환시키는 펌프(223)와, 상기 펌프(223)로부터 공급되는 세정액을 스크러버(210)에 분사시키는 분사노즐(225)이 설치된 노즐대(224)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치. The cleaning liquid injector 220 includes a cleaning liquid tank 221 installed below the scrubber 210, a concentration adjusting device 222 for adjusting the pH concentration of the cleaning liquid of the cleaning liquid tank 221, and the cleaning liquid tank ( A pump 223 for circulating the cleaning liquid of 221 and a nozzle unit 224 is provided with a spray nozzle 225 for spraying the cleaning liquid supplied from the pump 223 to the scrubber 210 Semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device. 제 16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 세정액 하전장치(240)는 세정액 분사장치(220)의 분사노즐(225)와 이격되게 설치되는 금속봉(241)과, 고전압을 인가하는 고전압장치(242)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The cleaning liquid charging device 240 is a corrosion-resistant semiconductor, characterized in that consisting of a metal rod 241 which is spaced apart from the injection nozzle 225 of the cleaning liquid injector 220, and a high voltage device 242 for applying a high voltage / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device. 제 16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 세정액 하전장치(240)는 세정액 분사장치(220)의 분사노즐(225)와 이격 되게 설치되는 금속링(241')과, 고전압을 인가하는 고전압장치(242)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치.The cleaning liquid charging device 240 is a corrosion resistance, characterized in that consisting of a metal ring 241 'is installed to be spaced apart from the injection nozzle 225 of the cleaning liquid injector 220, and a high voltage device 242 for applying a high voltage Semiconductor / LCD process exhaust gas electrostatic post-treatment device.
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