KR20100055861A - 평판 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유효 폭이 작으면서도 기판과 봉지기판을 효과적으로 합착할 수 있는 실런트를 갖는 평판 디스플레이 장치를 위하여, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 디스플레이부와, 상기 디스플레이부가 내측에 위치하도록 상기 기판에 대향하여 배치되는 봉지기판과, 상기 기판과 상기 봉지기판을 합착시키는 실런트를 구비하며, 상기 실런트의 상기 기판 방향의 단부면은 상기 기판 상에 배치되는 실리콘 옥사이드층과 접하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 유효 폭이 작으면서도 기판과 봉지기판을 효과적으로 합착할 수 있는 실런트를 갖는 평판 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판 디스플레이 장치는 디스플레이부가 형성된 기판과 디스플레이부를 덮는 봉지기판을 실런트를 이용하여 합착한다. 이러한 실런트는 통상적으로 디스플레이부 외부에 위치하여 디스플레이부를 감싸는 형상으로 배치된다.
도 1은 종래의 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포(A)가 형성된 것을 보여주는 사진이며, 도 2는 종래의 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 다른 사진이다. 구체적으로 도 1과 도 2는 실리콘 나이트라이드 층이 디스플레이부가 형성된 기판 상에 배치되고 실런트가 실리콘 나이트라이드층과 배면기판 사이에 위치하는 경우의 사진으로서, 이와 같은 종래의 평판 디스플레이 장치의 경우 실런트 내에 형성되는 기포(A)의 크기가 10㎛에 이르기까지 하는 바, 이에 따라 실런트에 의한 기판과 배면기판의 합착력을 약화시킬 수 있다는 문제점이 있었다. 즉, 기포(A)가 형성된 부분의 실런트는 기포(A)에 의해 그 강도가 약화되는 바, 이에 따라 기판과 배면기판을 합착시키는 실런트의 경도가 낮아지는 문제점이 있었다. 또한 실런트를 도포한 후 실런트가 경화되는 과정에서 실런트 내에 기포(A)가 발생하는 바, 이러한 기포(A)의 발생에 의해 최종적으로 경화된 실런트의 폭이 최초 도포된 실런트의 폭보다 훨씬 더 커진다는 문제점이 있었다. 도 2에서는 최종 경화된 실런트의 폭이 기포의 발생에 의해 대략 600㎛에 이르게 되는 경우를 보여주고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 유효 폭이 작으면서도 기판과 봉지기판을 효과적으로 합착할 수 있는 실런트를 갖는 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 배치된 디스플레이부와, 상기 디스플레이부가 내측에 위치하도록 상기 기판에 대향하여 배치되는 봉지기판과, 상기 기판과 상기 봉지기판을 합착시키는 실런트를 구비하며, 상기 실런트의 상기 기판 방향의 단부면은 상기 기판 상에 배치되는 실리콘 옥사이드층과 접하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 실런트의 상기 봉지기판 방향의 단부면은 상기 봉지기판의 상기 기판을 향한 면과 컨택하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 실런트는 비스무스를 포함하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 실런트는 레이저빔 조사에 의해 용융된 후 경화된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 실런트는 내부에 기포가 존재하지 않는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 실리콘 옥사이드층은 상기 디스플레 이부 내에서부터 상기 디스플레이부 외측으로 연장된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 실리콘 옥사이드층의 상기 기판 방향으로의 하부에는 실리콘 나이트라이드층이 배치되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 실런트는 상기 실리콘 나이트라이드층과 컨택하지 않는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 실리콘 옥사이드층의 두께는 2000Å 이상인 것으로 할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 평판 디스플레이 장치에 따르면, 유효 폭이 작으면서도 기판과 봉지기판을 효과적으로 합착할 수 있는 실런트를 갖는 평판 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치는 기판(110), 디스플레이부(100), 봉지기판(600) 및 실런트(700)를 구비한다. 기판(110)은 글라스재, 금속재 또는 플라스틱재 등의 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 디스플레이부(100)는 상기 기판(110) 상에 배치되는데, 다양한 디스플레이 소자를 포함할 수 있다. 예컨대 도 3의 평판 디스플레이 장치가 유기 발광 디스플레이 장치일 경우 디스플레이부(100)는 디스플레이 소자로서 유기 발광 소자를 가질 수 있다. 봉지기판(600)은 기판(110)에 대향하여 배치되는데, 구체적으로 디스플레이부(100)가 내측에 위치하도록 기판(110)에 대향하여 배치된다. 봉지기판(600) 역시 다양한 물질로 형성된 것을 이용할 수 있는데, 예컨대 글라스재, 금속재 또는 플라스틱재 등으로 형성된 것을 이용할 수 있다. 실런트(700)는 이와 같이 배치된 기판(110)과 봉지기판(600)을 합착한다. 이때, 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치에서는 실런트(700)의 기판(110) 방향의 단부면이 기판(110) 상에 배치되는 실리콘 옥사이드층(182)과 접하도록 한다. 실런트(700)의 봉지기판(600) 방향의 단부면은 봉지기판(600)의 기판(110)을 향한 면과 컨택한다. 실리콘 옥사이드층(182)은 디스플레이부(100) 내에서부터 디스플레이부(100) 외측으로 연장된 것일 수 있다. 이에 대해서는 후술한다.
전술한 바와 같이 종래에는 통상적으로 실런트가 실리콘 나이트라이드층과 배면기판 사이에 위치하였는 바, 이에 따라 실런트의 기판 방향의 단부면이 기판 상에 배치된 실리콘 나이트라이드층과 접하였다. 이 경우, 실런트가 경화되는 과정에서 실런트 내에 형성되는 기포의 크기가 10㎛에 이르기까지 하는 바, 이에 따라 실런트에 의한 기판과 배면기판의 합착력을 약화시킬 수 있다는 문제점이 있었다. 또한 실런트를 도포한 후 실런트가 경화되는 과정에서 실런트 내에 기포(A)가 다수 발생하는 바, 이러한 기포(A)의 발생에 의해 최종적으로 경화된 실런트의 폭이 최초 도포된 실런트의 폭보다 훨씬 더 커진다는 문제점이 있었다.
실런트 내에 기포가 발생하는 이유는, 실런트 하부의 실리콘 나이트라이드층의 제조공정과 관련이 있다. 실리콘 나이트라이드층을 형성할 시 SiH4와 NH3를 기체상태에서 합성하여 실리콘 나이트라이드층을 형성하는 바, 이 과정에서 SiN2 및/또는 SiNH 등이 형성된다. 실런트는 레이저빔 조사에 의해 용융된 후 경화되는 바, 따라서 실런트를 도포한 후 실런트의 경화를 위해 실런트에 레이저빔을 조사할 시, H가 기화하여 실런트 내에 기포를 형성하게 된다. 실런트가 레이저빔 조사에 의해 용융된 후 경화되므로, 실런트가 용융된 상태일 시 기화된 H가 약간의 유동성을 갖는 실런트 내로 침투할 수 있기 때문이다.
이러한 문제점이 발생하는 것을 해결하기 위하여, 종래의 평판 디스플레이 장치와 달리 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치에서는 실런트(700)의 기판(110) 방향의 단부면이 실리콘 나이트라이드층이 아닌 실리콘 옥사이드층에 접하도록 한다. 이 경우에는 실런트를 도포한 후 이를 경화시키기 위하여 레이저빔을 조사할 시 실리콘 나이트라이드층에서와 같은 반응이 일어나지 않기 때문이다. 이에 따라 실런트(700) 내의 기포 생성을 억제할 수 있으며 또한 실런트(700)의 최종 폭의 크기 역시 종래보다 얇게 유지할 수 있다.
도 4는 도 3의 평판 디스플레이 장치의 일부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 단면도로서, 유기 발광 디스플레이 장치의 일측 가장자리 부분의 단면도이다. 도 4를 참조하면, 디스플레이부(100)에는 화소 전극(210)과, 이에 대향된 대향 전극(230)과, 화소 전극(210)과 대향 전극(230) 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함 하는 중간층(220)을 포함하는 유기 발광 소자(200)가 구비된다. 기판(110) 상에는 디스플레이부(100)의 유기 발광 소자(200) 외에도, 디스플레이부(100) 외측에 각종 회로부가 배치될 수 있는데, 예컨대 박막 트랜지스터(TFT2)를 포함하는 회로부가 디스플레이부(100) 외측에 배치될 수 있다. 그리고 기판(110)의 가장자리에는 실런트(700)가 배치되어 봉지기판(600)이 디스플레이부(100) 등을 덮도록 한다.
디스플레이부(100) 및 유기 발광 소자(200)의 구성을 더 자세히 설명하자면 다음과 같다.
기판(110)에는 디스플레이부(100)에 박막 트랜지스터(TFT1)가 배치된다. 이 박막 트랜지스터(TFT1)는 소스/드레인전극(170), 반도체층(130) 및 게이트전극(150)을 구비한다. 게이트전극(150)으로부터 반도체층(130)을 절연하기 위하여 게이트절연막(120)이 그 사이에 개재되고, 게이트전극(150)으로부터 소스/드레인전극(170)을 절연하기 위하여 그 사이에 층간절연막(160)이 개재된다. 물론 이러한 박막 트랜지스터(TFT1)와 기판(110) 사이에는 SiO2 등으로 버퍼층(120)이 구비될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT1) 상부에는 패시베이션층인 제1절연막(181)이 구비되어 하부의 박막 트랜지스터(TFT1)를 보호한다. 이 보호막(181)은 다양한 물질로 형성될 수 있는데, 박막 트랜지스터(TFT1)의 보호성능이 우수한 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기물로 형성될 수 있다. 이러한 제1절연막(181)은 도 4에 도시된 바와 같이 디스플레이부(100)에만 형성되는 것이 아니라 디스플레이부(100) 외측까지 연장될 수 있다. 이에 따라 실런트(800)가 이러한 제1절연막(181)에 접할 경우 실런트(800)를 경화시키는 과정에서 전술한 바와 같이 실런트(800) 내에 기포가 발생할 수 있다. 따라서 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 경우에는 제1절연막(181) 상에 실리콘옥사이드로 형성된 제2절연막(182)을 형성한다. 결국, 실리콘 옥사이드층(제2절연막(182))의 기판(110) 방향으로의 하부에는 실리콘 나이트라이드층(제1절연막(181))이 배치되는 구조가 될 수 있다. 이에 따라 실런트(700)는 실리콘 나이트라이드로 형성된 제1절연막(181)이 아닌 실리콘옥사이드로 형성된 제2절연막(182)에 접하게 되고 실리콘 나이트라이드층과는 컨택하지 않게 되므로, 종래와 같이 다수의 큰 기포가 실런트(700) 내에 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 물론 도 4에 도시된 것과 같은 구조에서 실런트(700)를 경화하기 위하여 레이저빔을 조사할 시 이 레이저빔은 실런트(700), 실리콘 옥사이드층(182) 외에 실리콘 나이트라이드층(181)에도 조사될 수 있다. 이에 따라 실리콘 나이트라이드층(181)에서의 H가 기화할 수 있는 바, 이 기화된 H가 실런트(700)로 이동하지 않도록 하기 위하여 실리콘 옥사이드층(182)의 두께를 2000Å 이상으로 할 수 있다. 실리콘 옥사이드층(182)의 두께가 2000Å 이상일 경우, 레이저빔 조사에 의해 실리콘 나이트라이드층(181)에서의 H가 기화되더라도, 이 기화된 H가 실리콘 옥사이드층(182)을 통과할 수 없도록 할 수 있다.
제2절연막(182) 상에는, 화소전극(210), 대향전극(230) 및 그 사이에 개재되는 중간층(220)을 갖는 유기 발광 소자(200)가 배치된다. 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
디스플레이부(100)에서, 제1절연막(181)과 제2절연막(182)에는 박막 트랜지스터(TFT1)의 소스/드레인전극(170) 중 적어도 어느 하나를 노출시키는 개구부가 형성되며, 이 개구부를 통해 소스/드레인전극(170) 중 어느 하나와 컨택하여 박막 트랜지스터(TFT1)와 전기적으로 연결되는 화소전극(210)이 기판(110)의 디스플레이부(100)에, 구체적으로는 제2절연막(182) 상에 배치된다. 화소전극(210)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
제2절연막(182) 상부에는 제3절연막(183)이 배치된다. 즉, 제3절연막(183)은 제2절연막(182)을 덮도록 형성된다. 이 제3절연막(183)은 화소정의막으로서, 이는 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 화소전극(210)의 적어도 일부, 예컨대 중앙부가 노출되도록 하거나 또는 화소전극(210) 전체가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같은 경우, 제3절연막(183)은 화소전극(210)의 단부와 대향전극(230) 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(210)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다.
유기 발광 소자(200)의 중간층(220)은 저분자 또는 고분자 물질로 구비될 수 있다. 저분자 물질로 형성될 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 물질이 사용될 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
고분자 물질로 형성될 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다. 물론 중간층(220)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.
대향전극(230)은 중간층(220) 상부에, 즉 디스플레이부(100) 상부에 배치되는데, 도 4에 도시된 것과 같이 디스플레이부(100)를 덮도록 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 도전층을 가질 수 있 다. 반사형 전극으로 사용될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층일 수 있다. 물론 대향전극(230)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
도 5는 도 3의 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 사진이며, 도 6은 도 3의 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 다른 사진이다. 도 5와 종래의 평판 디스플레이 장치에서의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 사진인 도 1을 비교하면, 종래의 평판 디스플레이 장치의 경우에는 실런트 내에 대략 10㎛ 직경에 이르는 크기의 기포가 생성되었으나 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 경우에는 실런트 내에 형성된 기포의 직경 크기가 대략 3㎛ 이하인 것을 확인할 수 있다. 이를 통해 실런트의 기판과 배면기판의 합착력을 효과적으로 강화할 수 있다.
또한 도 6과 종래의 평판 디스플레이 장치에서의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 사진인 도 2를 비교하면, 종래의 평판 디스플레이 장치에 비해 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 경우 실런트 내에 형성된 기포의 크기뿐만 아니라 그 개수 역시 현저하게 줄어든 것을 확인할 수 있다. 이에 따라 종래의 평판 디스플레이 장치 제조공정에서 실런트를 도포할 시의 실런트의 폭과 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치 제조공정에서 실런트를 도포할 시의 실런트의 폭을 동일하게 하더라도, 실런트 경화 후 종래의 평판 디스플레이 장치에서의 실런트의 폭이 600㎛에 이르는 반면 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치에서의 실런트의 폭이 500㎛ 미만인 것을 확인할 수 있다. 이에 따라 종래의 평판 디스플레이 장치보다 본 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치에서의 실런트의 폭을 줄일 수 있으며, 이는 실런트 경화 과정에서 실런트가 디스플레이부에까지 흘러 들어가는 것을 효과적으로 방지할 수 있도록 한다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 사진이다.
전술한 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치에서의 실런트의 단면사진인 도 5에서는 실런트가 V2O5를 포함하는 물질인 경우의 사진이다. 전술한 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치에서는 실런트가 실리콘 옥사이드층에 컨택하도록 하고 실리콘 나이트라이드층에 직접 컨택하지 않도록 함으로써 실리콘 나이트라이드층에 의해 실런트 내에 기포가 발생하는 것을 효과적으로 저감할 수 있었다. 그러나 이 경우에도 실런트에 포함된 물질인 V2O5에서 O가 기화되어 작은 크기의 기포가 발생할 수는 있었다.
실런트에 의한 기판과 봉지기판의 합착력을 극대화하기 위해서는 그러한 기포 발생을 완전히 방지하는 것이 바람직한 바, 이에 따라 실런트가 V2O5가 아닌 비스무스를 포함하도록 할 수 있다. 이 경우 도 7에 도시된 바와 같이 실런트 내에는 기포가 전혀 발생하지 않음을 알 수 있다. 물론 이는 비스무스를 포함하는 실런트가 실리콘 옥사이드층과 컨택하고 실리콘 나이트라이드층과는 직접 컨택하지 않는 경우이다. 이를 통해 실런트에 의한 기판과 봉지기판의 합착력을 극대화할 수 있 다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래의 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 사진이다.
도 2는 종래의 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 다른 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 3의 평판 디스플레이 장치의 일부분을 확대하여 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 3의 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 사진이다.
도 6은 도 3의 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 다른 사진이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치의 실런트 내에 기포가 형성된 것을 보여주는 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: 기판 100: 디스플레이부
182: 실리콘 옥사이드층 600: 봉지기판
700: 실런트
Claims (9)
- 기판;상기 기판 상에 배치된 디스플레이부;상기 디스플레이부가 내측에 위치하도록 상기 기판에 대향하여 배치되는 봉지기판; 및상기 기판과 상기 봉지기판을 합착시키는 실런트;를 구비하며,상기 실런트의 상기 기판 방향의 단부면은 상기 기판 상에 배치되는 실리콘 옥사이드층과 접하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 실런트의 상기 봉지기판 방향의 단부면은 상기 봉지기판의 상기 기판을 향한 면과 컨택하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 실런트는 비스무스를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 실런트는 레이저빔 조사에 의해 용융된 후 경화된 것임을 특징으로 하 는 평판 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 실런트는 내부에 기포가 존재하지 않는 것임을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 옥사이드층은 상기 디스플레이부 내에서부터 상기 디스플레이부 외측으로 연장된 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 옥사이드층의 상기 기판 방향으로의 하부에는 실리콘 나이트라이드층이 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제7항에 있어서,상기 실런트는 상기 실리콘 나이트라이드층과 컨택하지 않는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 제7항에 있어서,상기 실리콘 옥사이드층의 두께는 2000Å 이상인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
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