KR20100054436A - Patterning method using pattern of self assembled monolayer - Google Patents

Patterning method using pattern of self assembled monolayer Download PDF

Info

Publication number
KR20100054436A
KR20100054436A KR1020080113369A KR20080113369A KR20100054436A KR 20100054436 A KR20100054436 A KR 20100054436A KR 1020080113369 A KR1020080113369 A KR 1020080113369A KR 20080113369 A KR20080113369 A KR 20080113369A KR 20100054436 A KR20100054436 A KR 20100054436A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
substrate
patterning
assembled monolayer
self
Prior art date
Application number
KR1020080113369A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
주병권
윤호규
허진우
권대홍
정진욱
Original Assignee
고려대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고려대학교 산학협력단 filed Critical 고려대학교 산학협력단
Priority to KR1020080113369A priority Critical patent/KR20100054436A/en
Publication of KR20100054436A publication Critical patent/KR20100054436A/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
    • G03F7/2018—Masking pattern obtained by selective application of an ink or a toner, e.g. ink jet printing

Abstract

PURPOSE: A patterning method using pattern of a self assembled monolayer is provided to form a pattern with simple by performing dip coating, Spin coating, Casting, and spraying through a material to be pattern under a creation condition for a certain time. CONSTITUTION: In a patterning method using pattern of a self assembled monolayer, a pattern is formed in a substrate(10) with a SAM layer(30). A pattern which is formed with the SAM layer is coated. The SAM layer has a selectivity since the SAM layer has different hydrophilic property and hydrophobicity against the material to be pattern on the substrate.

Description

자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법{Patterning method using pattern of Self Assembled Monolayer}Patterning method using pattern of Self Assembled Monolayer

본 발명은 직접 패터닝(direct patterning) 방법에 관한 것으로, 특히 자가조립방법(Self Assembled Monolayer, SAM)의 패턴을 이용하여 손쉽게 대면적의 영역에서 바텀-업 패터닝(Bottom-up patterning)이 가능하도록 하기에 적당하도록 한 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a direct patterning method, and in particular, to enable bottom-up patterning in a large area easily by using a pattern of a self-assembled monolayer (SAM). The present invention relates to a direct patterning method using patterning of self-assembled monolayer films.

일반적으로 자가조립(self-assembly) 및 자가조립 분자박막(self-assembled monolayer, SAM) 기술은 실리콘 산화물, 금 또는 백금 등의 기판을 유기규소, 티올계 유기물, 아민계 유기 활성물질 등이 녹아있는 용액에 침지시키면 자발적으로 기판위에 유기 활성물질이 결합하여 초박막의 단분자막을 형성하는 것을 이용하는 기술이다.In general, self-assembly and self-assembled monolayer (SAM) technology is a substrate in which silicon oxide, gold, or platinum is dissolved in organic silicon, thiol-based organic materials, and amine-based organic active materials. When immersed in a solution, an organic active material spontaneously binds to a substrate to form an ultra-thin monomolecular film.

그래서 자가조립기법에 사용되는 계면활성 분자는 기판과 화학적으로 결합하는 머리부분과 분자간 또는 기판과의 반데르발스(van der Waals) 인력으로 상호작 용 하는 몸통부분, 그리고 마지막으로 분자 말단의 기능기 역할을 하는 꼬리 부분으로 나눌 수 있다. 말단 부분의 기능기는 자가조립 단분자막의 표면 성질을 결정하는데, 이러한 기능기가 극성(polarity)이 극성(polar) 또는 비극성(non polar)이냐에 따라 표면젖음성이 친수성(hydrophilic) 또는 소수성(hydrophobic)이 되는데, 이러한 표면특성을 이용하여 소수성 또는 친수성의 용액을 코팅할 때 패턴을 선택적으로 형성할 수 있게 된다. 특히 이러한 기술은 분자단위의 박막두께를 제어할 수 있고, 나노크기의 미세 패턴 형성에도 매우 유용한 기술이다.Therefore, the surface-active molecules used in the self-assembly technique are the head portion that chemically bonds to the substrate, the body portion that interacts with the van der Waals attraction force between the molecules or the substrate, and finally the functional group at the end of the molecule. It can be divided into tails that play a role. The functional groups in the terminal portion determine the surface properties of the self-assembled monolayer, and the surface wetting becomes hydrophilic or hydrophobic depending on whether the functional groups are polar or non polar. Using these surface properties, it is possible to selectively form a pattern when coating a hydrophobic or hydrophilic solution. In particular, this technique can control the thin film thickness of the molecular unit, it is a very useful technique for forming nano-scale fine pattern.

도 1은 종래 SAM의 종류를 보인 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing the type of a conventional SAM.

그래서 SAM의 종류는 도 1에서와 같이 반응의 종류에 따라 나눌 수 있는데, 반응으로는 1) ionic interaction 2) Charge-transfer complex, 3) Covalent chemical reaction 이 있고, 이에 따른 SAM의 종류로는, 1) Al2O3, AgO, CuO 와 반응하는 alkanoic acid, 2) (Au, Ag, Cu 와 반응하는 alkanethiols)과 (Au와 반응하는 diakyl sulfides), 3) (SiO2, TiO2, Si3N4와 반응하는 alkylsilane)과 (Si과 반응하는 olefine), (Si과 반응하는 alcohols)이 있다.Thus, the type of SAM can be divided according to the type of reaction, as shown in Figure 1, the reaction is 1) ionic interaction 2) Charge-transfer complex, 3) Covalent chemical reaction, according to the kind of SAM, 1 Alkanoic acid reacting with Al2O3, AgO, CuO, 2) (alkanethiols reacting with Au, Ag, Cu) and (diakyl sulfides reacting with Au), 3) (alkylsilane reacting with SiO2, TiO2, Si3N4) and ( Olefine) which reacts with Si, (alcohols that react with Si).

SAM 패턴방법은 특별히 얼라인(align) 하지 않고 다층막 패턴을 형성할 수 있는 잇점이 있으나, 주로 매우 작은 영역의 기판크기에서 사용하여 오던 방식이므로, 대면적화가 요구되는 실제 소자제조에 적용되기 어려울 수 있다.The SAM pattern method has the advantage of forming a multi-layered pattern without special alignment. However, since the SAM pattern method is mainly used in a very small area of the substrate, it may be difficult to be applied to actual device manufacturing requiring large area. have.

따라서 이러한 다층막 패턴을 가능하게 하며 대면적의 소자제조 및 양산 적용을 가능하게 하는 패터닝 방법이 요구된다.Therefore, there is a need for a patterning method that enables such a multilayer film pattern and enables large-area device manufacturing and mass production.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 자가조립 단층막(SAM)의 패턴을 이용하여 손쉽게 대면적의 영역에서 바텀-업 패터닝(Bottom-up patterning)이 가능하도록 할 수 있는 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been proposed to solve the above conventional problems, and an object of the present invention is to easily bottom-up patterning in a large area using a pattern of a self-assembled monolayer (SAM). It is to provide a direct patterning method using the patterning of self-assembled monolayer film capable of enabling patterning).

또한 본 발명은 기존의 패턴방법을 이용하되, 패턴영역 이외의 부분을 패턴물질과의 선택성을 가지는 자가조립단층막(SAM)으로 형성하여, 이후 패턴이 형성되는 물질이 그 선택성에 의해 손쉬운 방법(코팅 또는 용액에 담금)에 의해 미세 패턴을 대면적으로 또는 나노크기로 형성할 수 있게 할 뿐만 아니라 동일한 선택성을 가지는 물질을 특별히 얼라인(align)하지 않고도 다층으로 가능하게 하는 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법을 제공하는데 있다.In addition, the present invention uses a conventional pattern method, but forming a portion other than the pattern region as a self-assembled monolayer film (SAM) having a selectivity with the pattern material, and then the material to be patterned is easy by the selectivity ( Patterning of self-assembled monolayer films that allows for the formation of fine patterns in large areas or nanoscales by coating or immersion in a solution, and in multiple layers without special alignment of materials having the same selectivity. It is to provide a direct patterning method using.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법을 보인 흐름도이고, 도 3은 도 2에서 기판에 SAM 레이어로 패턴을 형성하는 예를 보인 개념도이며, 도 4는 도 2에서 패턴에 코팅하는 예를 보인 개념도이다.2 is a flowchart illustrating a direct patterning method using pattern formation of a self-assembled monolayer film according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating an example of forming a pattern with a SAM layer on a substrate in FIG. 2. 2 is a conceptual diagram illustrating an example of coating on a pattern in FIG. 2.

이에 도시된 바와 같이, 기판(10)에 SAM 레이어(layer)(30)로 패턴을 형성하는 제 1 단계(ST1)와; 상기 제 1 단계 후 상기 SAM 레이어(30)로 형성된 패턴에 코 팅을 수행하는 제 2 단계(ST2);를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 한다.As shown therein, a first step ST1 of forming a pattern on the substrate 10 as a SAM layer 30; And a second step (ST2) of coating the pattern formed of the SAM layer 30 after the first step.

상기 제 1 단계에서 상기 SAM 레이어(30)는, 상기 기판(10)에 대해 패턴할 재료와의 표면특성(친수성, 소수성)이 상반된 특성을 가짐으로써 서로에 대해 선택성을 갖도록 한 것을 특징으로 한다.In the first step, the SAM layer 30 is characterized in that the surface characteristics (hydrophilicity, hydrophobicity) of the material to be patterned with respect to the substrate 10 have opposite characteristics, so as to have a selectivity with respect to each other.

상기 제 1 단계에서 패턴을 형성하는 재료는, 소수성을 가지는 -CH3, CF3, -C6H5 중에서 하나 이상의 기능기 또는 친수성을 가지는 -COOH, -SO3, -OH, -SH, -NH2 중에서 하나 이상의 기능기를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the first step, the material forming the pattern may include at least one functional group among -CH 3, CF 3, and -C 6 H 5 having hydrophobicity, or at least one functional group among -COOH, -SO 3, -OH, -SH, and -NH 2 having hydrophilicity. It is characterized by including.

상기 제 1 단계에서 상기 기판(10)은, 기판 표면(20)이 Au, Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, ITO, SiO2 중에서 하나 이상으로 구성되거나 또는 Silicon 기판, glass 기판, 플라스틱 기판 중에서 하나 이상의 기판으로 구성된 것을 특징으로 한다.In the first step, the substrate 10, the substrate surface 20 is composed of one or more of Au, Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, ITO, SiO2 or one of a silicon substrate, a glass substrate, a plastic substrate It is comprised from the above board | substrate.

상기 제 1 단계에서 상기 SAM 레이어(30)의 패턴은, 잉크젯 프린팅(Inkjet printing)을 포함한 직접 프린팅(Direct Printing)에 의해 패턴을 형성하거나, 나노임프린팅(Nanoimprinting) 또는 UV mask로 노광하여 패턴을 형성하거나, 또는 포토리소그래피(Photolithography, 사진식각공정)에 의해 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.In the first step, the pattern of the SAM layer 30 is formed by direct printing including inkjet printing, or the pattern is exposed by nanoimprinting or UV mask. Or a pattern is formed by photolithography (photolithography).

상기 제 2 단계에서 상기 코팅은, 딥 코팅(Dip coating), 스핀 코팅(Spin coating), 캐스팅(Casting) 또는 스프레잉(Spraying) 중에서 하나 이상을 사용하여 코딩을 수행하는 것을 특징으로 한다.In the second step, the coating is characterized in that coding is performed using at least one of dip coating, spin coating, casting, or spraying.

본 발명에 의한 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법은 자가조립방법(SAM)의 패턴을 이용하여 손쉽게 대면적의 영역에서 바텀-업 패터닝이 가능하도록 할 수 있는 효과가 있게 된다.The direct patterning method using the patterning of the self-assembled monolayer film according to the present invention has the effect of enabling bottom-up patterning in a large area easily by using the pattern of the self-assembling method (SAM).

또한 본 발명은 Bottom-up 방식에 의한 패터닝을 간단한 코팅공정(immersing, spin coating, casting..)으로 형성할 수 있다.In addition, the present invention can form the patterning by the bottom-up method by a simple coating process (immersing, spin coating, casting ..).

또한 본 발명은 대면적 기판에서 패터닝 형성이 가능한 공정으로 양산에 적용가능하다.In addition, the present invention is applicable to mass production in a process capable of forming a pattern on a large area substrate.

또한 본 발명은 특별한 얼라인 과정 없이도 다층박막 패턴 형성이 가능하다. In addition, the present invention can form a multilayer thin film pattern without a special alignment process.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 판례 등에 따라 달라질 수 있으며, 이에 따라 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다.A preferred embodiment of the direct patterning method using the patterning of the self-assembled monolayer film according to the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, detailed descriptions of well-known functions or configurations will be omitted if it is determined that the detailed description of the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention. It is to be understood that the following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and may be changed according to the intention of the user, the operator, or the precedent, and the meaning of each term should be interpreted based on the contents will be.

먼저 본 발명은 자가조립방법(SAM)의 패턴을 이용하여 손쉽게 대면적의 영역에서 바텀-업 패터닝을 수행하고자 한 것이다.First, the present invention intends to perform bottom-up patterning in a large area easily by using a pattern of a self-assembly method (SAM).

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법을 보인 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a direct patterning method using pattern formation of a self-assembled monolayer film according to an embodiment of the present invention.

그래서 제 1 단계에서는 기판(10)에 SAM 레이어(layer)(30)로 패턴을 형성한다(ST1).Therefore, in the first step, a pattern is formed on the substrate 10 by the SAM layer 30 (ST1).

또한 제 2 단계에서는 SAM 레이어(30)로 형성된 패턴에 코팅을 수행한다(ST2).In addition, in the second step, coating is performed on the pattern formed of the SAM layer 30 (ST2).

이때 본 발명은 SAM 레이어(30)에 의한 패턴의 대면적 기판(10)을 기존의 대면적 및 양산 가능한 패턴 방법을 이용하여 준비한 뒤, 패턴할 물질의 용액을 간단하게 코팅(Spin coating, Casting, spraying, dip coating...)하는 방법을 사용한다.In this case, the present invention prepares the large-area substrate 10 of the pattern by the SAM layer 30 using the existing large-area and mass-producible pattern method, and then simply coats the solution of the material to be patterned (Spin coating, Casting, spraying, dip coating ...).

도 3은 도 2에서 기판에 SAM 레이어로 패턴을 형성하는 예를 보인 개념도이다.FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating an example of forming a pattern as a SAM layer on a substrate in FIG. 2.

이러한 도 3에서 (a)는 잉크젯 프린팅과 같은 방법을 이용하여 패턴을 형성하는 예를 보인 것이다. 또한 도 3의 (b)에서와 같이 나노크기의 패턴을 형성하기 위해 나노임프린트 방법으로 SAM 용액을 마이크로-컨택트 프린팅(Micro-contact printing)을 적용하여 스탬핑(stamping) 할 수 있다. 또한 도 3의 (c)에서와 같이 기판을 SAM 용액으로 전면 코팅(dip coating...)을 실시한 뒤 미세패턴의 포토마스크를 이용하여 UV 노광하여 노광된 부분의 SAM(alkyltrichlorosilane인 경우)이 소수성에서 친수성으로 바뀜으로써 간단하게 패턴을 형성할 수 있다. 또한 도 3의 (d)에서와 같이 SAM 패턴을 기존의 Photolithography(사진식각)으로 패턴을 형성할 수 있다. 이 방법은 먼저 기판에 PR(Photo Resist) 패턴을 형성한 뒤 SAM 용액으로 침잠 또는 전면 코팅한 뒤 PR을 아세톤 등으로 제거함으로 형성할 수 있다.3 illustrates an example of forming a pattern using a method such as inkjet printing. In addition, in order to form a nano-sized pattern as shown in (b) of FIG. 3, the SAM solution may be stamped by applying micro-contact printing. In addition, as shown in (c) of FIG. 3, the substrate is coated with a SAM solution (dip coating ...), and then UV (exposed to the case of alkyltrichlorosilane) of the exposed portion by UV exposure using a fine pattern photomask is hydrophobic. The pattern can be formed simply by changing to hydrophilic at. In addition, as shown in (d) of FIG. 3, the SAM pattern may be formed by conventional photolithography. This method can be formed by first forming a PR (Photo Resist) pattern on the substrate and then submerging or front coating with a SAM solution and then removing the PR with acetone.

그리도 도 3의 (e)에서와 같이, 이렇게 형성된 SAM 패턴 기판을 패턴할 재료의 용액으로 일정시간 일정조건에서 코팅(Dip coating, Spin coating, Casting, Spraying) 방식으로 간단하게 패턴을 형성할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 3 (e), a pattern of a material for patterning the SAM pattern substrate thus formed can be simply formed by coating (Dip coating, spin coating, casting, spraying) at a predetermined time. .

도 4는 도 2에서 패턴에 코팅하는 예를 보인 개념도이다. 도 4에서 (a)는 딥 코팅을 적용하는 예를 보인 것이고, (b)는 스핀-코팅 또는 캐스팅을 적용하는 예를 보인 것이며, (c)는 이러한 코팅에 의해 패턴이 형성된 예를 보인 것이다.4 is a conceptual diagram illustrating an example of coating on a pattern in FIG. 2. In FIG. 4, (a) shows an example of applying a dip coating, (b) shows an example of applying a spin-coating or casting, and (c) shows an example in which a pattern is formed by such coating.

이처럼 본 발명은 자가조립방법(SAM)의 패턴을 이용하여 손쉽게 대면적의 영역에서 바텀-업 패터닝이 가능하게 되는 것이다.As such, the present invention enables the bottom-up patterning in a large area easily by using a pattern of a self-assembly method (SAM).

이상에서 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술적 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the present invention has been described in more detail with reference to the examples, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

도 1은 종래 SAM의 종류를 보인 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing the type of a conventional SAM.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법을 보인 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a direct patterning method using pattern formation of a self-assembled monolayer film according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에서 기판에 SAM 레이어로 패턴을 형성하는 예를 보인 개념도이다.FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating an example of forming a pattern as a SAM layer on a substrate in FIG. 2.

도 4는 도 2에서 패턴에 코팅하는 예를 보인 개념도이다.4 is a conceptual diagram illustrating an example of coating on a pattern in FIG. 2.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 기판10: substrate

20 : 기판 표면20: substrate surface

30 : SAM 레이어30: SAM layer

Claims (6)

기판에 SAM 레이어로 패턴을 형성하는 제 1 단계와;Forming a pattern with a SAM layer on the substrate; 상기 제 1 단계 후 상기 SAM 레이어로 형성된 패턴에 코팅을 수행하는 제 2 단계;A second step of coating the pattern formed of the SAM layer after the first step; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법.Direct patterning method using the patterning of the self-assembled monolayer film comprising the step of performing. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 단계에서 상기 SAM 레이어는,In the first step, the SAM layer, 상기 기판에 대해 패턴할 재료와의 표면특성(친수성, 소수성)이 상반된 특성을 가짐으로써 서로에 대해 선택성을 갖도록 한 것을 특징으로 하는 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법.Direct patterning method using the patterning of the self-assembled monolayer film, characterized in that the surface characteristics (hydrophilicity, hydrophobicity) with the material to be patterned with respect to the substrate to have a selectivity to each other. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 단계에서 패턴을 형성하는 재료는,The material for forming the pattern in the first step, 소수성을 가지는 -CH3, CF3, -C6H5 중에서 하나 이상의 기능기 또는 친수성을 가지는 -COOH, -SO3, -OH, -SH, -NH2 중에서 하나 이상의 기능기를 포함하는 것 을 특징으로 하는 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법.Pattern of a self-assembled monolayer film comprising at least one functional group of -CH3, CF3, -C6H5 having hydrophobicity or at least one functional group of -COOH, -SO3, -OH, -SH, -NH2 having hydrophilicity Direct patterning method using formation. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 단계에서 상기 기판은,In the first step, the substrate, 기판 표면이 Au, Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, ITO, SiO2 중에서 하나 이상으로 구성되거나 또는 Silicon 기판, glass 기판, 플라스틱 기판 중에서 하나 이상의 기판으로 구성된 것을 특징으로 하는 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법.The patterning of the self-assembled monolayer film is characterized in that the substrate surface is composed of at least one of Au, Ag, Pd, Pt, Cu, Ni, ITO, SiO2, or at least one of a silicon substrate, a glass substrate, and a plastic substrate. Direct patterning method using. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 단계에서 상기 SAM 레이어의 패턴은,The pattern of the SAM layer in the first step, 잉크젯 프린팅을 포함한 직접 프린팅에 의해 패턴을 형성하거나, 나노임프린팅 또는 UV mask로 노광하여 패턴을 형성하거나, 또는 포토리소그래피에 의해 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법.Direct patterning using patterning of a self-assembled monolayer film characterized in that the pattern is formed by direct printing including inkjet printing, the pattern is exposed by nanoimprinting or UV mask, or the pattern is formed by photolithography. Way. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 제 2 단계에서 상기 코팅은,In the second step the coating is, 딥 코팅, 스핀 코팅, 캐스팅 또는 스프레잉 중에서 하나 이상을 사용하여 코딩을 수행하는 것을 특징으로 하는 자가조립 단층막의 패턴형성을 이용한 직접 패터닝 방법.A direct patterning method using patterning of a self-assembled monolayer film, characterized in that coding is performed using at least one of dip coating, spin coating, casting or spraying.
KR1020080113369A 2008-11-14 2008-11-14 Patterning method using pattern of self assembled monolayer KR20100054436A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080113369A KR20100054436A (en) 2008-11-14 2008-11-14 Patterning method using pattern of self assembled monolayer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080113369A KR20100054436A (en) 2008-11-14 2008-11-14 Patterning method using pattern of self assembled monolayer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100054436A true KR20100054436A (en) 2010-05-25

Family

ID=42279163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080113369A KR20100054436A (en) 2008-11-14 2008-11-14 Patterning method using pattern of self assembled monolayer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100054436A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017192980A1 (en) * 2016-05-06 2017-11-09 Applied Materials, Inc. Selective deposition through formation of self-assembled monolayers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017192980A1 (en) * 2016-05-06 2017-11-09 Applied Materials, Inc. Selective deposition through formation of self-assembled monolayers
US10366878B2 (en) 2016-05-06 2019-07-30 Applied Materials, Inc. Selective deposition through formation of self-assembled monolayers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Carvalho et al. Self-assembled monolayers of eicosanethiol on palladium and their use in microcontact printing
US8236670B2 (en) Method of applying a pattern of metal, metal oxide and/or semiconductor material on a substrate
US20050263025A1 (en) Micro-contact printing method
US20080257187A1 (en) Methods of forming a stamp, methods of patterning a substrate, and a stamp and a patterning system for same
US20070105396A1 (en) High resolution structures defined by brush painting fluid onto surface energy patterned substrates
US20080303187A1 (en) Imprint Fluid Control
JP6399975B2 (en) Wet etching method for self-assembled monolayer patterned substrate and metal patterned article
EP1510861A1 (en) Method for patterning organic materials or combinations of organic and inorganic materials
KR20070092219A (en) Etchant solutions and additives therefor
KR101335405B1 (en) Method for forming microstructure pattern by solution process
Hild et al. Formation and characterization of self-assembled monolayers of octadecyltrimethoxysilane on chromium: Application in low-energy electron lithography
US20080311300A1 (en) Composition and Use Thereof
JP3449622B2 (en) SAM substrate selective etching method
US20070145632A1 (en) Elastomeric stamp, patterning method using such a stamp and method for producing such a stamp
KR20100054436A (en) Patterning method using pattern of self assembled monolayer
JP2007508453A (en) Method for patterning a substrate surface
KR100841457B1 (en) Method for preparing nano-circuit including V2O5 nanowire pattern
JP2006303199A (en) Method for forming pattern and organic thin film transistor
KR20110069486A (en) Method for forming metal electrode
Koslovsky et al. Simple method for surface selective adsorption of semiconductor nanocrystals with nanometric resolution
Yamamoto et al. Location control of nanoparticles using combination of top-down and bottom-up nano-fabrication
JP2002353436A (en) Patterning method for silicon nanoparticle and organic molecule used for the same
Sheu et al. Selective deposition of gold nanoparticles on SiO2/Si nanowire
JP2007246949A (en) Conductive pattern forming method, and electronic substrate
US20070212808A1 (en) Method of selective removal of organophosphonic acid molecules from their self-assembled monolayer on Si substrates

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application