KR20100043506A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20100043506A
KR20100043506A KR1020080102567A KR20080102567A KR20100043506A KR 20100043506 A KR20100043506 A KR 20100043506A KR 1020080102567 A KR1020080102567 A KR 1020080102567A KR 20080102567 A KR20080102567 A KR 20080102567A KR 20100043506 A KR20100043506 A KR 20100043506A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric layer
substrate
weight
metal oxide
plasma display
Prior art date
Application number
KR1020080102567A
Other languages
English (en)
Inventor
권태정
유성훈
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020080102567A priority Critical patent/KR20100043506A/ko
Priority to JP2009051056A priority patent/JP2010097921A/ja
Priority to EP09173450A priority patent/EP2178105A3/en
Priority to US12/588,537 priority patent/US8125150B2/en
Priority to CN200910174052A priority patent/CN101728165A/zh
Publication of KR20100043506A publication Critical patent/KR20100043506A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판의 일면에 배치되는 복수의 어드레스 전극, 상기 제1 기판 위에 상기 어드레스 전극을 덮으면서 형성되는 하유전체층, 상기 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 방전 공간에 배치되는 적색, 녹색, 및 청색 형광체층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)에 관한 것이다. 상기 하유전체층은 모유리와, CoO, CuO, MnO2, Cr2O3, Fe2O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 첨가제를 포함한다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 하유전체층은 산화납(PbO)를 포함하고 있지 않아 친환경적이다. 상기 하유전체층은 내산성, 및 내에칭성이 높고, 박리액 또는 에칭액에 의하여 변색되지 않는다. 또한, 상기 하유전체층은 전극과의 반응성이 억제되어, 전극을 형성하는 전도성 금속 금속의 마이그레이션에 의하여 변색되지 않는다.
플라즈마 디스플레이 패널, PDP, 하유전체층, 금속산화물, 무연, Bi₂O₃, ZnO, 변색, 친환경

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANNEL}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산화납(PbO)를 포함하고 있지 않아 친환경적이고, 내산성, 및 내에칭성이 높고, 박리액 또는 에칭액에 의하여 변색되지 않으며, 전극과의 반응성이 억제되어, 전극을 형성하는 전도성 금속 금속의 마이그레이션에 의하여 변색되지 않는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 기체 방전으로 생성된 자외선으로 형광체를 여기시켜 소정의 영상을 구현하는 표시 장치로서, 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시 장치로 각광받고 있다.
일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조는 배면 기판 상에 일방향을 따라 어드레스 전극이 형성되고 이 어드레스 전극을 덮으면서 배면 기판에 하유전체층이 형성된다. 이 하유전체층 위로 각 어드레스 전극 사이에 배치되도록 스트라이프 패턴의 격벽이 형성되며 각각의 격벽 사이에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체 층이 형성된다.
그리고 전면 기판의 일면에는 어드레스 전극과 교차하는 방향을 따라 한 쌍의 투명 전극과 버스 전극으로 구성되는 표시 전극이 형성되고, 이 표시 전극을 덮으면서 전면 기판에 유전체층과 MgO 보호층이 형성된다. 상기 배면 기판 상의 어드레스 전극과 전면 기판 상의 표시 전극이 교차하는 지점이 방전셀을 구성하는 부분이 된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널은 어드레스 전극과 표시 전극 사이에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 행하고 다시 한 쌍의 표시 전극 사이에 유지 전압(Vs)을 인가하여 유지 방전시켜 구동한다. 이 때 발생하는 여기원이 해당 형광체를 여기시켜 투명한 전면 기판을 통하여 가시광을 방출하면서 플라즈마 디스플레이 패널의 화면을 구현하게 된다. 상기 여기원으로는 진공 자외선(vacuum ultraviolet)이 주로 이용된다. 상기 형광체층은 적색, 녹색, 및 청색 형광체를 사용하여 형성되며, 각각의 형광체는 Xe 이온의 공명 방사광(147nm 진공 자외선)에 의해서 가시광을 발생한다.
유해물질사용금지지침(RoHS) 시행을 앞두고, 모든 전기전자 제품은 6 대 유해물질을 사용하면 안 된다. 이에 따라, 플라즈마 디스플레이 패널에서도 현재까지 사용해오던 산화납(PbO)을 사용하는 대신 새로운 재료를 개발하여야 할 필요가 있다. 현재 PbO를 대체하기 위해서 가장 활발히 연구되고 있고, 적용 가능한 재료로는 Bi2O3계와 ZnO계를 들 수 있다.
하판의 반사층으로 사용되는 하유전체층은 격벽의 형성 공법에 따라 재료의 조성이 설계되어야 할 필요가 있다. 즉, 격벽의 형성 공법이 연마재를 이용한 샌드블라스트 공법이라면, 격벽의 샌드블라스트 공법에 적합한 하유전체 재료를 설계하여 사용하여야 하고, 격벽의 형성 공법이 에칭 공법이라면 에칭 공법에 적합한 하유전체 재료를 설계하여 사용하여야 한다.
Bi2O3계 무연 하유전체 재료는 내에칭성에 우수하지만 원재료 가격이 매우 고가이기 때문에, 샌드블라스트의 격벽 공법을 사용하는 경우에는 하유전체 재료로 ZnO계 무연 하유전체 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 ZnO계 무연 하유전체 재료의 경우, ZnO 재료의 특성상 녹는점이 높기 때문에, 소결 온도가 높아져 소성이 잘 되지 않는 특성이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서, 녹는점이 낮은 알칼리 금속 산화물을 첨가하게 되는데, 상기 알칼리 금속 산화물은 전극과의 반응성이 높아서, 전극의 마이그레이션(migration)에 의한 황변 현상이 발생하게 되는 문제점이 있다.
한편, 에칭 격벽 공법을 사용하는 경우 ZnO계는 재료 자체가 내산성에 약하여 에칭액에 매우 약하기 때문에, 격벽 에칭시 하유전체층까지 식각되는 문제가 있다. 따라서, 에칭 격벽 공법에서는 무연 하유전체 재료로는 Bi2O3계를 사용하는 것이 바람직하다. 다만, 상기 Bi2O3계 역시 박리액 또는 에칭액에 의하여 변색되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 산화납(PbO)를 포함하고 있지 않아 친환경적이며, 내산성, 및 내에칭성이 높고, 박리액 또는 에칭액에 의하여 변색되지 않으며, 전극과의 반응성이 억제되어, 전극을 형성하는 전도성 금속 금속의 마이그레이션에 의하여 변색되지 않는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자들에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판의 일면에 배치되는 복수의 어드레스 전극, 상기 제1 기판 위에 상기 어드레스 전극을 덮으면서 형성되는 하유전체층, 상기 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 방전 공간에 배치되는 적색, 녹색, 및 청색 형광체층을 포함한다. 상기 하유전체층은 모유리와, CoO, CuO, MnO2, Cr2O3, Fe2O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 첨가제를 포함한다.
상기 모유리는 ZnO, Bi2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어 느 하나를 포함하는 무연 모유리인 것이 바람직하다.
상기 하유전체층은 Bi2O3계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 금속 산화물 첨가제를 0.01 내지 1.5 중량부로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 하유전체층은 ZnO계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 금속 산화물 첨가제를 0.01 내지 1.5 중량부로 포함하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 하유전체층은 알칼리 금속 산화물을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 알칼리 금속 산화물은 Li, Na, K, Rb, 및 Cs로 이루어진 군에서 선택되는 알칼리 금속의 산화물 또는 이들의 혼합물인 것이 바람직하다. 상기 하유전체층은 ZnO계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 알칼리 금속 산화물을 2 내지 6 중량부로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 금속 산화물 첨가제는 상기 하유전체 전체 중량에 대하여 1.5 중량% 이하로 포함되는 것이 바람직하고, 0.1 내지 1.1 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 하유전체층은 CuO, 및 CoO를 포함하는 금속 산화물 첨가제를 1 : 0.1 내지 3 중량비로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 하유전체층은 CuO, CoO, 및 MnO2를 포함하는 금속 산화물 첨가제를 1 : 0.1 내지 3 : 0.05 내지 1 중량비로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 금속 산화물의 입경은 0.5 내지 2.5 ㎛인 것이 바람직하다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 하유전체층은 산화납(PbO)를 포함하고 있지 않아 친환경적이다. 상기 하유전체층은 내산성, 및 내에칭성이 높고, 박리액 또는 에칭액에 의하여 변색되지 않는다. 또한, 상기 하유전체층은 전극과의 반응성이 억제되어, 전극을 형성하는 전도성 금속 금속의 마이그레이션에 의하여 변색되지 않는다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판의 일면에 배치되는 복수의 어드레스 전극, 상기 제1 기판 위에 상기 어드레스 전극을 덮으면서 형성되는 하유전체층, 상기 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 방전 공간에 배치되는 적색, 녹색, 및 청색 형광체층을 포함한다. 상기 하유전체층은 모유리와, CoO, CuO, MnO2, Cr2O3, Fe2O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 첨가제를 포함한다.
상기 모유리는 ZnO, Bi2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 무연 모유리 것이 바람직하다. 유해물질사용금지지침(RoHS)의 시행을 앞두고, 플라즈마 디스플레이 패널에서도 현재까지 사용해오던 산화납(PbO)을 대체하기 위해서 활발히 연구되고 있다. 적용 가능한 재료로는 Bi2O3계 무연 모 유리와 ZnO계 뮤연 모유리가 적당하다. 보다 구체적으로는 산화아연-산화규소계(ZnO-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄-산화바륨계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3-BaO), 산화비스무스-산화규소계(Bi2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄-산화바륨계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3-BaO), 산화아연-산화붕소-산화알루미늄-산화규소-산화인계(ZnO-B2O3-Al2O3-SiO2-P2O5), 산화아연-산화바륨-산화붕소-산화비스무스-산화규소-산화알루미늄-산화인계(ZnO-BaO-B2O3-Bi2O3-SiO2-Al2O3-P2O5) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있다.
에칭 격벽 공 공법을 사용하는 경우 ZnO계 무연 모유리 재료는 재료 자체가 내산성에 약하여 에칭액에 매우 약하기 때문에, 격벽 에칭시 하유전체층까지 식각되는 문제가 있다. 따라서, 에칭 격벽 법에서는 무연 하유전체 재료로서 Bi2O3계 무연 모유리 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
격벽을 에칭 공법을 이용하여 형성하는 경우, 포토레지스트(photoresist) 현상시 알칼리 세정액으로 현상한 후, 에칭액으로 에칭할 때, 에칭액에 의해 격벽 재료가 식각되고 난 후, 상기 에칭액에 의하여 하유전체 재료도 식각될 수 있으나, 상기 본 발명의 일 구체예에 따른 하유전체는 Bi2O3계 조성의 내에칭성이 강한 재료를 포함하므로 식각되지 않는다. 다만, 이 과정에서 에칭액(질산, HNO3)에 의하여 하유전체 표면에 하이드로기(hydro, OH)가 흡착된다.
이 후, 상기 포토레지스트 층을 제거하기 위한 박리 공정을 진행한다. 이 때, 박리액으로 강염기(알칼리)를 사용한다. 상기 알칼리 박리액은 상기 하유전체 표면에 흡착된 하이드로기와 하유전체 사이에 반응성을 가지게 한다. 이에 따라, 하유전체의 표면이 변색되고, 심할 경우에는 매우 진한 황색으로 변색 된다. 상기 현상은, 은(Ag) 전극의 마이그레이션(migration) 반응에 의한 하유전체층의 황변 현상과 같이 패널의 바디 컬러(body color) 및 품위를 떨어뜨리게 된다.
상기 CoO, CuO, MnO2, Cr2O3, Fe2O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 첨가제는 격벽을 에칭 공법으로 형성하는 경우에도 Bi2O3계 무연 모유리 재료를 포함하는 하유전체의 황변 현상을 억제할 수 있다.
상기 Bi2O3계 무연 모유리 재료는 내에칭성에 우수하지만 원재료 가격이 매우 고가이기 때문에, 샌드블라스트의 격벽 공법을 사용하는 경우에는 하유전체 형 성재로 ZnO계 무연 모유리 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
그러나, 상기 ZnO는 녹는점이 높기 때문에, 상기 ZnO계 무연 모유리 재료는 소결 온도가 높아 소성이 잘 되지 않는다는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위해서, 녹는점이 낮은 알칼리 금속 산화물을 더 첨가하여 사용할 수 있다. 상기 알칼리 금속 산화물의 바람직한 예로는 Li, Na, K, Rb, 및 Cs로 이루어진 군에서 선택되는 알칼리 금속의 산화물 또는 이들의 혼합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이 때, 상기 하유전체층은 ZnO계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 알칼리 금속 산화물을 2 내지 7 중량부로 포함하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하기로는 3 내지 6중량부로 포함하는 것이 좋다. 상기 알칼리 금속 산화물의 함량이 너무 적은 경우 하유전체층의 소성 온도를 충분히 낮추는 효과를 볼 수 없고, 너무 많은 경우에는 하유전체층의 광투과도를 현저히 저하시킬 수 있으므로 상기 함량 범위로 포함되는 것이 좋다. 그러나, 이러한 알칼리 금속 산화물 없이 소성이 가능하다면, 반드시 포함하지 않아도 무관하다.
한편, 상기 알칼리 금속 산화물과 같이 이온화 에너지가 작은 성분들은 전극과의 반응성이 크다. 따라서, 전극을 형성하는 전도성 금속의 마이그레이션(migration)에 의하여 하유전체층의 황변 현상이 발생할 수 있다.
상기 전도성 금속의 마이그레이션은 전극 및 하유전체층을 노랗게 만드는 시각적인 문제점뿐만 아니라, 상기 마이그레이션이 지속될 경우에는 전극과 전극을 단락(쇼트)시키는 기능상의 문제점까지 초래할 수 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 구현예에 따른 하유전체층은 상기 알칼리 금속 산화물과 같이 이온화 에너지가 작은 성분들과의 반응성을 억제하기 위한 금속 산화물 첨가제를 포함한다. 즉, 상기 CoO, CuO, MnO2, Cr2O3, Fe2O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 첨가제는 이온화 에너지가 작은 성분과 전도성 금속과의 반응성을 억제하여 마이그레이션에 의한 황변과 전극간의 단락을 방지할 수 있다.
상기 금속 산화물 첨가제는 상기 하유전체층 전체 중량에 대하여 1.5 중량% 이하로 포함되는 것이 바람직하고, 0.1 내지 1.1 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 특히, 상기 유전체층이 ZnO계 무연 모유리를 포함하는 경우, 상기 하유전체층은 ZnO계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 금속 산화물 첨가제를 0.01 내지 1.5 중량부로 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 유전체층이 Bi2O3계 무연 모유리를 포함하는 경우, 상기 하유전체층은 Bi2O3계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 금속 산화물 첨가제를 0.01 내지 1.5 중량부로로 포함하는 것이 바람직하다. 상기 금속 산화물 첨가제의 함량이 상기 범위 내인 경우, 에칭액에 의하여 Bi2O3계 모유리 재료의 변색을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, ZnO계 무연 모유리 재료에서 알칼리 금속 산화물의 첨가에 따른 황변 현상을 효과적으로 방지할 수 있어 바람직하다.
특히, 하유전체층에 첨가되는 경우 하유전체층이 푸른색을 띄게 하는 CoO, 또는 녹색을 띄게 하는 CuO는 하유전체층의 반사도까지 향상시킬 수 있어, 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 향상에도 유리하다. 이 경우, 상기 CuO는 하유전체층 전체에 대하여 0.05 내지 0.5 중량%로 첨가되는 것이 보다 바람직하다.
이로써, 상기 하유전체층은 CuO, 및 CoO를 포함하는 금속 산화물 첨가제를 1 : 0.1 내지 3 중량비로 포함하는 것이 바람직하다.상기 하유전체층이 상기 CuO와 CoO를 상기 중량비로 포함하는 경우, 반사율을 향상시켜 패널의 발광 효율을 보다 더 증가시킬 수 있으므로 보다 바람직하다.
한편, 상기 하유전체층은 CuO, CoO, 및 MnO2를 포함하는 금속 산화물 첨가제를 1 : 0.1 내지 3 : 0.05 내지 1 중량비로 포함하는 것이 바람직하다. 상기 하유전체층이 상기 CuO, CoO, 및 MnO2를 상기 중량비로 포함하는 경우, 패널의 발광효율의 저하를 최소화하고, 명실 콘트라스트비(CR)를 개선시킬 수 있다는 점에서 보다 바람직하다.
상기 금속 산화물의 입경은 0.5 내지 2.5 ㎛인 것이 바람직하다. 상기 금속 산화물의 입경이 상기 범위 내인 경우 페이스트 제조시 가공성 및 하유전체층의 거침도(roughness)를 향상시키고, 격벽층을 견고하게 형성시킬 수 있다는 점에서 바람직하다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 일 구현예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)을 나타낸 부분 분해 사시도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 구조는 제1 기판(3) 상에 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 어드레스 전극(13)이 형성되고 이 어드레스 전극(13)을 덮으면서 제1 기판(3)에 제1 유전체층(15)이 형성된다. 상기 제1 유전체층(15) 위로 각 어드레스 전극(13) 사이에 배치되도록 격벽(5)이 형성되며 각각의 격벽(5) 사이에 복수의 방전셀(7R, 7G, 7B)이 형성된다. 상기 방전셀(7R, 7G, 7B) 내에는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체층(8R, 8G, 8B)이 형성된다.
상기 제1 유전체층(15)은 하유전체층으로서 모유리, 보다 바람직하기로 ZnO, Bi2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 무연 모유리를 포함하고, 상기 하유전체층의 변색을 방지하기 위하여 CoO, CuO, MnO2, Cr2O3, Fe2O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 첨가제를 포함한다.
상기 제1 유전체층(15)은 상기 모유리와 상기 금속 산화물 첨가제를 고분자 수지 및 유기 용매와 혼합하여 페이스트를 만들고, 상기 페이스트를 이용하여 통상의 인쇄법에 의해 상기 제1 기판(3) 위에 형성할 수 있다. 또는, 상기 페이스트를 이용하여 필름을 제조하고, 이를 상기 제1 기판(3)에 라미네이팅함으로써 형성할 수도 있다.
상기 고분자 수지는 바인더 역할을 하는 것으로, 하유전체층 형성을 위하여 사용되는 고분자 수지이면 어느 것이나 사용 가능하다. 바람직하게는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 셀룰로오즈계 수지, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다. 더욱 바람직하게는 에틸 셀룰로오즈(EC), 니트로 셀룰로오즈(NC), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
상기 유기 용매는 하유전체층 형성을 위하여 사용되는 유기 용매이면 어느 것이나 사용할 수 있다. 바람직하게는 에탄올, 트리메틸펜탄디올모노이소부틸레이트(TPM), 부틸 카비톨(BC: butyl carbitol), 부틸 셀로솔브(BC: butyl cellosolve), 부틸 카비톨 아세테이트(BCA: butyl carbitol acetate), 테르피네올(TP:terpineol), 톨루엔, 텍사놀(texanol), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있다.
상기 격벽(5)은 방전 공간을 구획하는 형상이라면 어느 형태도 가능하며, 다양한 패턴의 격벽들로 형성된다. 예컨대 상기 격벽(5)은 스트라이프 등과 같은 개방형 격벽은 물론, 와플, 매트릭스, 델타 등과 같은 폐쇄형 격벽으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 폐쇄형 격벽은 방전공간의 횡단면이 사각형, 삼각형, 오각형 등의 다각형, 또는 원형, 타원형 등이 되도록 형성될 수 있다.
그리고 제1 기판(3)에 대향하는 제2 기판(1)의 일면에는 어드레스 전극(13)과 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 한 쌍의 투명 전극(9a, 11a)과 버스 전극(9b, 11b)으로 구성되는 표시 전극(9, 11)이 형성되고 이 표시 전극(9, 11)을 덮으면서 제2 기판(1)에 제2 유전체층(17)과 MgO 보호층(19)이 형성된다.
상기 제1 기판(3) 상의 어드레스 전극(13)과 제2 기판(1) 상의 표시 전극(9, 11)이 교차하는 지점이 방전셀을 구성하는 부분이 된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 어드레스 전극(13)과 표시 전극(9, 11) 사이에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 행하고 다시 한 쌍의 표시 전극(9, 11) 사이에 유지 전압(Vs)을 인가하여 유지 방전시켜 구동한다. 이 때, 발생하는 여기원이 해당 형광체를 여기시켜 투명한 제2 기판(1)을 통하여 가시광을 방출하면서 플라즈마 디스플레이 패널의 화면을 구현하게 된다. 상기 여기원으로는 진공 자외선(vacuum ultraviolet)이 주로 이용된다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시에는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(플라즈마 디스플레이 패널의 제조)
(실시예 1-1)
Bi2O3계 무연 모유리를 76.4 g, 고분자 수지로 에틸 셀룰로오즈를 2 g, 유기 용매로 부틸 카비톨 아세테이트 및 테르피네올을 18 g 혼합하고, 상기 혼합물에 CuO(입경: 0.5 ㎛)를 0.6 g, 분산제 BYK-306(BYK 社) 3 g을 첨가, 혼합하여 하유전체층 형성용 조성물을 제조하였다. 이 때 상기 Bi2O3계 무연 모유리는 Bi2O3 60 중량%, B2O3 10 중량%, SiO2 4 중량%, Al2O3 4 중량%, BaO 10 중량%, CuO 0.6 중량% 및 필러(TiO2)성분 11.4 중량%를 포함하는 것이다.
상기 하유전체층 형성용 조성물을 어드레스 전극이 형성된 제1 기판 위에 도포하고, 560℃에서 15분간 소성하여 제 1 유전체층을 형성하였다.
그 후, 통상의 에칭법을 이용하여 상기 제1기판에 일정한 높이와 패턴을 가지는 격벽을 형성하였다.
또한, 부틸 카비톨 아세테이트와 테르피네올을 4:6의 중량비로 혼합하여 제조한 혼합용매 100 중량부에 대하여 에틸 셀룰로오즈 6 중량부를 혼합하여 비히클(vehicle)을 제조하였다. 상기 비히클 100 중량부에 대하여 청색 형광체인 BaMgAl10O17: Eu를 40 중량부로 혼합하여 형광체 페이스트를 제조한 후, 상기 격벽으로 구획된 제1기판의 방전셀의 바닥면과 격벽 측면에 상기 청색 형광체 페이스트를 도포하여 청색 형광체층을 형성하였다.
적색 형광체인 (Y,Gd)BO3:Eu 및 녹색 형광체인 ZnSiO4:Mn를 이용하여 청색 형광체층과 동일한 방법으로 적색 및 녹색 형광체층을 형성하였다.
상기 형광체층이 형성된 제1기판을 200 ℃에서 건조하고, 500 ℃에서 소성하였다.
또한, 표시 전극이 형성된 제2 기판 위에2 유전체층을 형성하고, 상기 제2 유전체층 위에 보호막을 형성하여 제2 기판을 준비한 후, 상기 제1 기판과 제2 기판을 조립, 봉착, 배기, 방전 기체 주입 및 에이징하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 1-2)
상기 실시예 1-1에서 상기 CuO를 0.4 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 1-3)
상기 실시예 1-1에서 상기 CuO를 0.8 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 1-4)
상기 실시예 1-1에서 상기 CuO를 대신하여 CoO를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 1-5)
상기 실시예 1-4에서 상기 CoO를 0.4 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1-4와 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 1-6)
상기 실시예 1-4에서 상기 CoO를 0.2 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1-4와 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 1-7)
상기 실시예 1-1에서 상기 CuO를 대신하여 MnO2를 0.05 g사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 1-8)
상기 실시예 1-7에서 상기 MnO2를 0.1 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1-7과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 1-9)
상기 실시예 1-7에서 상기 상기 MnO2를 0.2 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1-7과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(비교예 1-1)
상기 실시예 1-1에서 상기 CuO를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-1)
ZnO계 무연 모유리를 75.4 g, 고분자 수지로 에틸 셀룰로오즈를 2 g, 유기 용매로 부틸 카비톨 아세테이트 및 테르피네올을 19 g 혼합하고, 상기 혼합물에 CuO(입경: 0.5 ㎛)를 0.6 g, 분산제 BYK-306(BYK 社) 3 g을 첨가, 혼합하여 하유전체층 형성용 조성물을 제조하였다. 이 때 상기 ZnO계 무연 모유리는 ZnO 50 중량%, B2O3 20 중량%, SiO2 3 중량%, Al2O3 3.4 중량%, BaO 11 중량%, CuO 0.6 중량%, 및 필러(TiO2) 성분 12 중량%를 포함하는 것이다.
상기 하유전체층 형성용 조성물을 어드레스 전극이 형성된 제1 기판 위에 도포하고, 565 ℃에서 15 분간 소성하여 제 1 유전체층을 형성하였다.
그 후, 통상의 샌드블라스트법을 이용하여 상기 제1기판에 일정한 높이와 패 턴을 가지는 격벽을 형성하였다.
또한, 부틸 카비톨 아세테이트와 테르피네올을 4:6의 중량비로 혼합하여 제조한 혼합용매 100 중량부에 대하여 에틸 셀룰로오즈 6 중량부를 혼합하여 비히클(vehicle)을 제조하였다. 상기 비히클 100 중량부에 대하여 청색 형광체인 BaMgAl10O17: Eu를 40 중량부로 혼합하여 형광체 페이스트를 제조한 후, 상기 격벽으로 구획된 제1기판의 방전셀의 바닥면과 격벽 측면에 상기 청색 형광체 페이스트를 도포하여 청색 형광체층을 형성하였다.
적색 형광체인 (Y,Gd)BO3:Eu 및 녹색 형광체인 ZnSiO4:Mn를 이용하여 청색 형광체층과 동일한 방법으로 적색 및 녹색 형광체층을 형성하였다.
상기 형광체층이 형성된 제1기판을 200 ℃에서 건조하고, 500 ℃에서 소성하였다.
또한, 표시 전극이 형성된 제2 기판 위에 제2 유전체층을 형성하고, 상기 제2 유전체층 위에 보호막을 형성하여 제2 기판을 준비한 후, 상기 제1 기판과 제2 기판을 조립, 봉착, 배기, 방전 기체 주입 및 에이징하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-2)
상기 실시예 2-1에서 상기 CuO를 0.4 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-3)
상기 실시예 2-1에서 상기 CuO를 0.8 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-4)
상기 실시예 2-1에서 상기 CuO를 대신하여 CoO를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-5)
상기 실시예 2-4에서 상기 CoO를 0.4 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 2-4와 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-6)
상기 실시예 2-4에서 상기 CoO를 0.2 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 2-4와 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-7)
상기 실시예 2-1에서 상기 CuO를 대신하여 MnO2를 0.05 g사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-8)
상기 실시예 2-7에서 상기 MnO2를 0.1 g 첨가한 것을 제외하고는 실시예 2-7과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(실시예 2-9)
상기 실시예 2-7에서 상기 상기 MnO2를 0.2 g 첨가한 것을 제외하고는 실시 예 2-7과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(비교예 2-1)
상기 실시예 2-1에서 상기 CuO를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.
(하유전체층의 변색 정도 측정)
상기 실시예 1-1 내지 1-9, 비교예 1, 실시예 2-1 내지 2-9, 및 비교예 2에서 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 CIE Lab 시스템에 의한 색좌표를 측정하였고, 그 중, b* 값은 하기 표 1, 및 표 2에 정리하였다. 상기 b* 값은 노란색의 색도를 나타내는 지수로서 높을수록 변색이 심한 것을 나타낸다. 상기 측정은 CR321(KONICA MINOLTA) 장비를 이용하여 수행하였다.
[표 1]
패널 위치 실시예 1-1 실시예 1-2 실시예 1-3 실시예 1-4 실시예 1-5 실시예 1-6 실시예 1-7 실시예 1-8 실시예 1-9 비교예 1-1
1 0.6 0.9 0.2 0.3 0.7 0.2 1.4 0.6 0.3 8.1
2 0.4 0.8 0.2 0.4 0.8 0.1 1.5 0.7 0.4 7.8
3 0.5 1.0 0.3 0.3 0.6 0.1 1.4 0.6 0.3 9.1
4 0.5 0.9 0.1 0.4 0.6 0.2 1.6 0.7 0.5 7.5
5 0.6 0.9 0.1 0.4 0.7 0.1 1.5 0.7 0.4 6.8
6 0.4 1.1 0.3 0.5 0.8 0.2 1.4 0.8 0.3 8.5
7 0.6 1.1 0.3 0.3 0.8 0.1 1.6 0.6 0.4 7.4
8 0.5 0.9 0.2 0.3 0.7 0.1 1.6 0.7 0.3 8.2
9 0.6 1.2 0.2 0.4 0.6 0.2 1.3 0.8 0.5 9.3
평균 0.52 0.98 0.21 0.37 0.70 0.14 1.48 0.69 0.38 8.1
[표 2]
패널 위치 실시예 2-1 실시예 2-2 실시예 2-3 실시예 2-4 실시예 2-5 실시예 2-6 실시예 2-7 실시예 2-8 실시예 2-9 비교예 2-1
1 0.4 0.8 0.1 0.3 0.5 0.1 1.1 0.5 0.2 4.1
2 0.5 0.7 0.1 0.4 0.4 0.0 1.2 0.6 0.3 6.2
3 0.5 0.9 0.1 0.3 0.5 0.1 1.2 0.5 0.3 6.3
4 0.4 0.8 0.0 0.4 0.6 0.0 1.3 0.6 0.3 5.7
5 0.5 0.9 0.2 0.3 0.5 0.0 1.1 0.5 0.2 6.5
6 0.5 0.9 0.1 0.4 0.6 0.1 1.3 0.4 0.2 6.1
7 0.4 0.7 0.1 0.2 0.4 0.1 1.3 0.6 0.4 7.2
8 0.4 0.8 0.2 0.4 0.5 0.0 1.2 0.5 0.2 5.5
9 0.3 0.7 0.1 0.3 0.5 0.1 1.2 0.4 0.2 4.6
평균 0.43 0.80 0.11 0.33 0.50 0.06 1.21 0.51 0.26 5.8
상기 표 1 및 표 2를 참조하면, 비교예 1 및 2의 플라즈마 디스플레이 패널은 b* 값이 실시예 1-1 내지 1-9, 또는 실시예 2-1 내지 2-9의 플라즈마 디스플레이 패널에 비하여 매우 큼을 알 수 있다. 이는 실시예 1-1 내지 1-9, 또는 실시예 2-1 내지 2-9의 플라즈마 디스플레이 패널이 비교예 1 및 2의 플라즈마 디스플레이 패널에 비하여 변색이 거의 되지 않음을 의미한다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 분해 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 제2 기판 3 : 제1 기판
5 : 격벽 7 : 방전셀
8 : 형광체층 9, 11 : 표시 전극
13 : 어드레스 전극 15 : 제1 유전체층
17 : 제2 유전체층 19: MgO 보호층
100 : 플라즈마 디스플레이 패널

Claims (12)

  1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판의 일면에 배치되는 복수의 어드레스 전극;
    상기 제1 기판 위에 상기 어드레스 전극을 덮으면서 형성되는 하유전체층;
    상기 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들; 및
    상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 방전 공간에 배치되는 적색, 녹색, 및 청색 형광체층을 포함하며,
    상기 하유전체층은 모유리와, CoO, CuO, MnO2, Cr2O3, Fe2O3, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 첨가제를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 모유리는 ZnO, Bi2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 무연 모유리인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하유전체층은 Bi2O3계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 금속 산화물 첨 가제를 0.01 내지 1.5 중량부로 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하유전체층은 ZnO계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 금속 산화물 첨가제를 0.01 내지 1.5 중량부로 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 하유전체층은 알칼리 금속 산화물을 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 알칼리 금속 산화물은 Li, Na, K, Rb, 및 Cs로 이루어진 군에서 선택되는 알칼리 금속의 산화물 또는 이들의 혼합물인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 하유전체층은 ZnO계 무연 모유리 100 중량부에 대하여 알칼리 금속 산화물을 2 내지 7 중량부로 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물 첨가제는 상기 하유전체 전체 중량에 대하여 1.5 중량% 이 하로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물 첨가제는 상기 하유전체 전체 중량에 대하여 0.1 내지 1.1 중량%로 포함되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 하유전체층은 CuO, 및 CoO를 포함하는 금속 산화물 첨가제를 1 : 0.1 내지 3 중량비로 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 하유전체층은 CuO, CoO, 및 MnO2를 포함하는 금속 산화물 첨가제를 1 : 0.1 내지 3 : 0.05 내지 1 중량비로 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물의 입경은 0.5 내지 2.5 ㎛인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
KR1020080102567A 2008-10-20 2008-10-20 플라즈마 디스플레이 패널 KR20100043506A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080102567A KR20100043506A (ko) 2008-10-20 2008-10-20 플라즈마 디스플레이 패널
JP2009051056A JP2010097921A (ja) 2008-10-20 2009-03-04 プラズマディスプレイパネル
EP09173450A EP2178105A3 (en) 2008-10-20 2009-10-19 Plasma display panel and method of manufacturing the same
US12/588,537 US8125150B2 (en) 2008-10-20 2009-10-19 Lead free plasma display panel and method of manufacturing the same
CN200910174052A CN101728165A (zh) 2008-10-20 2009-10-20 等离子体显示面板及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080102567A KR20100043506A (ko) 2008-10-20 2008-10-20 플라즈마 디스플레이 패널

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100043506A true KR20100043506A (ko) 2010-04-29

Family

ID=41345995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080102567A KR20100043506A (ko) 2008-10-20 2008-10-20 플라즈마 디스플레이 패널

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8125150B2 (ko)
EP (1) EP2178105A3 (ko)
JP (1) JP2010097921A (ko)
KR (1) KR20100043506A (ko)
CN (1) CN101728165A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120256813A1 (en) * 2011-04-11 2012-10-11 General Electric Company Low temperature contact structure for flexible solid state device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001283733A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Mitsubishi Electric Corp プラズマディスプレイパネル用基板、プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイ装置
JP3389243B1 (ja) * 2001-07-03 2003-03-24 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
KR20040080522A (ko) 2003-03-12 2004-09-20 최승철 무연 ac-pdp 전극용 은 페이스트 프릿 개발
TW200503977A (en) * 2003-07-18 2005-02-01 Asahi Glass Co Ltd Lead-free glass, glass powder of electrode coating, and plasma display
JP4930897B2 (ja) 2005-03-09 2012-05-16 日本電気硝子株式会社 Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系封着材料
JP2006310015A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガス放電発光パネル
JP2006342018A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Nihon Yamamura Glass Co Ltd リン酸亜鉛系無鉛ガラス組成物
KR20070010398A (ko) 2005-07-18 2007-01-24 엘지전자 주식회사 모터의 결선구조 및 방법
KR20070013823A (ko) 2005-07-27 2007-01-31 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR20070021720A (ko) 2005-08-19 2007-02-23 엘지전자 주식회사 평판 디스플레이 패널
US7749929B2 (en) 2005-10-05 2010-07-06 Asahi Glass Company, Limited Glass for covering electrodes and plasma display panel
JP4959188B2 (ja) 2005-12-27 2012-06-20 日本山村硝子株式会社 ビスマス系無鉛ガラス
KR100781281B1 (ko) 2006-06-07 2007-12-03 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널
JP2008050252A (ja) * 2006-07-27 2008-03-06 Asahi Glass Co Ltd 隔壁付きガラス基板の製造方法
JP4924985B2 (ja) * 2006-08-04 2012-04-25 日本電気硝子株式会社 プラズマディスプレイパネル用誘電体材料
JP2008201596A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Central Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラス
TW200839960A (en) * 2007-03-22 2008-10-01 Univ Nat Sun Yat Sen Structure of ZnO buffer layer and fabrication method thereof
KR100860277B1 (ko) * 2007-04-04 2008-09-25 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
JP4591478B2 (ja) * 2007-05-28 2010-12-01 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP5228821B2 (ja) * 2007-11-21 2013-07-03 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル

Also Published As

Publication number Publication date
EP2178105A3 (en) 2010-12-15
EP2178105A2 (en) 2010-04-21
CN101728165A (zh) 2010-06-09
US8125150B2 (en) 2012-02-28
JP2010097921A (ja) 2010-04-30
US20100096973A1 (en) 2010-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6897610B1 (en) Plasma display panel
KR100895368B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US20070298956A1 (en) Composition of glass for plasma display panel and fabrication method thereof
JP4331862B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2005336048A (ja) ガラス組成物、ペースト組成物及びプラズマディスプレイパネル
KR20100040442A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체, 이를 포함하는 녹색 형광체 조성물 및 이를 채용한 플라즈마 디스플레이 패널
EP1921654B1 (en) Plasma display panel (PDP)
KR100929477B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
US20090026952A1 (en) Phosphor paste and plasma display panel using the same
JP4519629B2 (ja) プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ
KR20100043506A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100959642B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체 및 이로부터형성된 형광막을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널
KR20090056391A (ko) 내에칭성 글라스 필러 조성물 및 이를 이용한 플라즈마디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR20100000221A (ko) 형광체 페이스트 및 그를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널제조방법
KR100592310B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법
KR20050079005A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR100759566B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널과, 이의 제조 방법
KR20090046273A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체, 이를 구비한 ｐｄｐ및 이의 제조방법
KR100730211B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
US20120326594A1 (en) Plasma display panel
US20120326597A1 (en) Plasma display panel
US20130069521A1 (en) Plasma-display panel
KR20070109361A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판
KR20070109290A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판
KR20090084106A (ko) 형광체 조성물 및 그를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의형광체층 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid