KR20100010558A - 습식공정을 이용한 광결정 수동소자의 제조방법 - Google Patents

습식공정을 이용한 광결정 수동소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)으로의 비등방적 습식공정과 반도체 공정기술을 적용하여 원하는 전자기파 대역에서 이용할 수 있는 광도파로, 공진기, 필터, 안테나 등의 광결정 수동소자에 사용될 수 있는 광결정 구조를 제조할 수 있고, 일정 반지름과 높이를 갖는 실리콘 결정이 주기적 배열로 구성된 부분과 광도파로, 공진기 등으로 사용하기 위해 축 방향으로의 광 손실을 줄이기 위한 덮개부분으로 이루어지도록 하여 원하는 전자기파 대역에 적용될 수 있는 수동소자로 사용할 수 있으며, 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅을 하지 않고 사용한 유전체 광결정 특성과 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅하여 금속 광결정 특성을 모두 이용할 수 있도록 한 광결정 구조를 갖는 광결정 수동소자의 제조 방법에 관한 것이다. 이를 이용하여 상대적으로 가격이 저렴하며, 높이가 큰 광결정 구조를 빠른 시간 안에 대량으로 제작할 수 있다.
광결정, 수동소자, 실리콘, 웨이퍼, 결정방향 (100), 비등방성, 습식공정, 테라헤르츠

Description

습식공정을 이용한 광결정 수동소자의 제조방법{Manufacturing Method of Photonic Crystal Passive Device using Wet Etching}
본 발명은 광결정(Photonic Crystal) 수동소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)으로의 비등방적 습식공정과 반도체 공정기술을 적용하여 원하는 전자기파 대역에서 이용할 수 있는 광도파로, 공진기, 필터, 안테나 등의 광결정 수동소자에 사용될 수 있는 광결정 구조를 제조할 수 있고, 일정 반지름을 갖는 실리콘 결정이 주기적 배열로 구성된 부분과 광도파로, 공진기 등으로 사용하기 위해 축 방향으로의 광 손실을 줄이기 위한 덮개부분으로 이루어지도록 하여 원하는 전자기파 대역에 적용될 수 있는 수동소자로 사용할 수 있으며, 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅을 하지 않고 사용한 유전체 광결정 특성과 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅하여 금속 광결정 특성을 모두 이용할 수 있도록 한 광결정 구조를 갖는 광결정 수동소자의 제조 방법에 관한 것이다. 이를 이용하여 상대적으로 가격이 저렴하며, 높이가 큰 광결정 구조를 빠른 시간 안에 대량으로 제작할 수 있다.
전자기파를 제어하는 수동소자로서 금속 및 유전체의 주기적인 변화를 이용 하는 광결정 또는 광학결정은 일정 반지름과 높이를 갖는 광결정의 주기적 구조에 의해 형성된 일정 전자기파 대역의 진행을 금지시키는 포토닉 밴드 갭 현상을 이용하여 전자기파의 손실없이 광도파로를 형성하고 필터, 공진기, 파워분배기, 안테나등 다양한 광 수동소자로 사용될 수 있어 다양한 연구가 진행되고 있다. 이러한 광결정 수동소자를 제작하기 위해서 사용되고 있는 기존의 가공방식에는 Deep Reactive Ion Etching(DRIE) 가공, E-beam Lithograpy에 의한 가공, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)에 의한 증착 등의 방식이 있다.
플라즈마를 형성하여 생긴 이온의 충돌과 반응을 이용하는 DRIE 가공 방식은 방향성을 가지면서 실리콘 웨이퍼의 공정이 가능하고, 3차원 구조물의 제작이 가능하며, 수 마이크로미터 크기의 구조물을 제작하는 공정에는 적합하다. 하지만, DRIE 가공 방식은 플라즈마를 생성시키기 위해 고가의 장비가 필요하고 이로 인해 공정비가 고가이며, 테라헤르츠(THz)파 영역의 전자기파 대역에 필요한 광결정 구조를 만들기 위해 수십 마이크로미터부터 수백 마이크로미터 크기의 광결정 구조를 제작하는데 있어 많은 공정 시간이 소요되며, 높이가 큰 구조를 제작하기 위해 Sidewall Passivation과 Isotropic Etching 과정을 거치면서 Sidewall Scalping이 발생하는 문제점을 가지고 있다. 또한, 플라즈마를 발생시키는 챔버의 크기 제한으로 인하여 빠른 시간 안에 대량으로 광결정 구조를 생산하는데 어려움이 있다.
전자빔의 에너지를 이용하는 가공 방식인 E-beam Lithograpy 가공방식은 주기적인 실리콘 광결정 구조를 형성하는데 적합하지 않으며, 유전체에 구멍을 내어 유전체 속으로 전자기파를 진행시키는 광결정 회로에 적합하고 수 마이크로미터 크 기의 유전체 가공에 적합한 기술로서, THz 대역까지의 광결정 제작에는 어려움이 있다. 또한, 전자빔을 이용한 1:1 방식의 가공방식으로 가공방식의 정확도는 매우 높지만 매우 고가의 가공 방식이며 많은 수의 광결정을 제작하는데 많은 시간이 걸리는 등 어려움이 발생한다.
플라즈마를 이용한 증착방식인 PECVD는 수 마이크로미터 크기의 광결정을 제작하는데 적합하며, 증착 높이의 한계로 인하여 다양한 전자기파 대역의 광소자를 제작하는 공정에 적합하지 않다.
이와 같이 다양한 전자기파 대역에 적용될 수 있는 광결정 구조를 선택적인 공정이 수월하고, 상대적으로 가격이 저렴하며, 빠른 시간 안에 대량으로 제작할 수 있는 공정 기술의 개발이 미흡한 상태이다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 공정시간, 온도, 습식공정용 시약 등의 공정 조건을 조절함으로써 실리콘 결정의 높이에 대한 선택성을 높일 수 있으며, 상대적으로 가격이 저렴하며, 높이가 큰 광결정 구조를 빠른 시간 안에 대량으로 제작하기 위하여, 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)으로의 비등방적 습식공정과 반도체 공정기술을 적용하여 광결정 구조를 만들고 원하는 전자기파 대역에서 이용할 수 있는 광도파로, 공진기, 필터, 안테나 등의 광결정 수동소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 원하는 전자기파 대역에 적용될 수 있는 수동 소자로 사용하기 위해 일정 반지름을 갖는 실리콘 결정이 주기적 배열로 구성된 부분과 광도파로, 공진기 등으로 사용하기 위해 축 방향으로의 광 손실을 줄이기 위한 덮개부분으로 이루어진 위와 같은 비등방적 습식공정에 의한 광결정 수동소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
그리고, 본 발명의 또 다른 목적은, 위와 같은 비등방적 습식공정에 따라 주기적 배열로 제작된 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅하여 금속 광결정 특성을 갖는 수동소자, 또는 금속 코팅을 하지 않고 실리콘 결정을 사용하여 유전체 광결정 특성을 갖는 수동소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 광결정 제작방법은, 실리콘 웨이퍼에 광결정 구조를 형성하기 위한 비등방적 습식공정을 포함한다.
상기 비등방적 습식공정은, 상기 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100) 방향으로의 습식공정을 포함한다.
위와 같은 비등방적 습식공정을 포함한 광결정 수동소자 제조방법에 따라 광결정 구조가 형성된 실리콘 웨이퍼를 포함하는 광결정 수동소자를 제작할 수 있다.
상기 광결정 수동소자에는 상기 비등방적 습식공정을 이용하여 제작한 실리콘 광결정 구조 상에, 결정축 방향으로 전자기파 손실을 막아주기 위하여 도전성이 있는 물질로 코팅한 덮개를 더 포함할 수 있다.
금속 광결정 특성을 위하여 상기 실리콘 웨이퍼의 광결정 구조 이외의 부분 에 도전성이 있는 물질로 코팅할 수 있다.
상기 실리콘 웨이퍼에는 상기 비등방적 습식공정을 이용하여 형성된 일정 크기의 광결정 구조가 원형(circle), 정방형(square) 또는 삼각형(triangular) 형태로 주기적으로 배열될 수 있다.
상기 광결정 구조는 양각 또는 음각 형태일 수 있다.
상기 광결정 수동소자는, 전자기파 신호의 처리 또는 송수신을 위한 광도파로, 공진기, 필터, 또는 안테나에 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 광결정 수동소자의 제조 방법에 따르면, 실리콘 웨이퍼에 적용되는 비등방적 습식공정을 광결정 제조 공정에 적용하여 광도파로, 공진기, 필터, 안테나 등의 광결정 수동소자를 제작할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 광결정 수동소자의 제조 방법에 따르면, 위와 같은 비등방적 습식공정 시 공정시간, 온도, 습식공정용 시약 등의 공정 조건을 조절함으로써 실리콘 결정의 높이에 대한 선택성을 높일 수 있으며, 상대적으로 가격이 저렴하며, 높이가 큰 광결정 구조를 빠른 시간 안에 대량으로 제작할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 광결정 수동소자의 제조 방법에 따르면, 주기적 배열로 제작된 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅하여 금속 광결정 특성을 갖는 수동소자 및 금속 코팅을 하지 않고 실리콘 결정을 사용하여 유전체 광결정 특성을 모두 이용할 수 있다.
이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정을 이용하였을 경우의 웨이퍼 단면에 관한 개략도이다.
도 1에서, 광결정 구조의 다양한 포토닉 밴드 갭 특성을 이용하기 위하여 비등방적 습식공정에 사용되는 실리콘 웨이퍼(11)로서 유전체의 특성이 다른 다양한 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있다. 도 1의 12는 비등방적 습식공정에 사용되는 결정 방향 (100)을 보여주고 있고, 도 1의 13은 실리콘 웨이퍼 결정구조의 (111)축과 (110)축 사이의 각도 54.74도로 인하여 비등방적 습식공정을 하였을 때 결정되는 각도 54.74도를 보여준다.
본 발명에서는 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100) 방향으로의 비등방적 습식공정을 이용할 때 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (111)과 (100)의 축 사이의 각도 54.74도에 의하여 습식공정 시 광결정 구조가 결정되고, 이러한 각도를 이용하여 광결정 구조를 만들어 광도파로, 공진기, 필터, 안테나 등과 같은 광결정 수동소자를 제조할 수 있도록 하였다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정과 반도체 공정기술을 적용한 실리콘 광결정 구조의 제조 공정을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 먼저, (A) 실리콘 웨이퍼(21)를 준비한다. (B) 실리콘 웨이퍼(21)에 실리콘 광결정 구조를 제작하기 위하여 식각 마스크(etching mask)로 사용될 유전체층(dielectric layer)(22)으로서 SiO2 혹은 SiN를 PECVD 장비를 이용하여 증착시킨다. 다음에 광학(Photo) 공정을 하기 위하여 웨이퍼(21) 세척(cleaning)을 한 후, Photo 공정용 포토레지스트(Photo-resist: PR)(23)를 스핀 코터(spin coater)를 이용하여 유전체층(22) 위에 코팅시킨다. PR 코팅 후 용매(solvent)를 제거하고 PR(23)의 접착력을 향상시키기 위해 소프트 베이크(soft bake) 공정을 이용한다. 그 후 PR(23)에 원하는 광결정 구조를 패터닝 하기 위하여 포토 마스크(photo mask)와 마스크 얼라이너(mask aligner)를 이용하여 자외선 빛을 통해 패터닝 공정을 수행한다. 이러한 공정을 거친 후 현상공정을 통해 PR(23)에 광결정 구조의 패턴을 형성한다. 다음에, Reactive Ion Etching(RIE) 공정을 이용하여 PR(23)이 남아 있는 부분 이외의 유전체층(22)을 식각함으로써, 광결정 구조가 형성될 부분 이외의 실리콘 부분이 드러나도록 패턴할 수 있다.
(C) 이와 같은 공정을 통해 비등방적 습식공정을 진행하기 위하여 필요한 부분에만 유전체층(22)과 PR(23)이 남도록 패터닝된다.
(D) 이후, 남아있는 PR(23)은 애셔(asher) 장비를 이용하여 제거한 후, 실리콘 웨이퍼(21) 상에 패터닝된 유전체층(22)이 남아 있는 상태에서, 실리콘 웨이퍼의 결정방향 (100)로의 비등방적 습식공정으로 실리콘 웨이퍼(21)에 주기적인 배열의 홈을 형성하여 양각 형태의 실리콘 광결정 구조를 만든다.
(E) 비등방적 습식공정의 식각 마스크로 사용한 유전체층(22)은 RIE 공정을 통하여 제거될 수 있으며, 이에 따라 실리콘 광결정 구조의 각도, 즉, 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (111)과 (100)의 축 사이의 각도가 54.74도로 형성될 수 있다. 이와 같은 실리콘 광결정 구조는 원형(circle), 정방형(square) 또는 삼각형(triangular) 형태 등 다양하게 2차원적으로 주기적인 배열로 형성될 수 있다. 여기서, 양각 형태로 형성된 광결정 구조를 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 광결정 구조 부분이 식각될 수 있도록 위의 공정을 약간 변경함으로써 음각 형태의 광결정 구조도 가능하다.
(F) 이와 같이 제작된 실리콘 광결정 구조를 유전체 광결정 특성을 갖는 광결정 수동소자로 이용하기 위하여, 반도체 공정을 통하여 광결정 옆면이 아닌 부분은 금(Au)과 같이 도전성이 높은 금속 물질(24)로 코팅할 수 있고, (100) 축 방향으로 도전성이 있는 금속 물질로 코팅된 실리콘 웨이퍼 등의 덮개가 있어 축 방향으로의 전자기파 손실을 막아주도록 할 수 있다. 이외에도, 도 3과 같이, 광결정을 포함한 부분과 그 외의 모든 부분이 도전성이 있는 금속 물질(해칭 부분)로 코팅하고, 축 방향으로 도전성이 있는 물질로 코팅된 실리콘 덮개가 있어 축 방향으로의 전자기파 손실을 막아줄 수 있는, 금속 광결정 특성을 갖는 광결정 수동소자로 활용할 수도 있다.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼 밑면에 도전성이 있는 물질(41)로 코팅하여 제작한 광결정 구조이다. 도 4와 같이, 도 2 (F) 방식으로 제작된 광결정 수동소자의 실리콘 웨이퍼 밑면에 도전성이 있는 물질(41), 예를 들어, 금(Au)으로 코팅 함으로써, 전자기파의 손실을 더욱더 막아주는 역할을 하게 할 수도 있다.
도 5 는 본 발명의 일실시예에 따라 도전성이 있는 물질(51)로 코팅된 실리콘 웨이퍼(52)를 광결정이 제작될 실리콘 웨이퍼에 접합시키고, 도 2와 같은 습식공정을 이용하여 제작한 실리콘 광결정 구조이다. 도 5와 같이, 도 2와 같은 방식으로 광결정 구조를 제작하기 전에, 도전성이 있는 물질(51), 예를 들어, 금(Au)으로 코팅된 실리콘 웨이퍼(52)를 광결정이 제작될 실리콘 웨이퍼(21)의 밑면에 접합시킨 후, 도 2 에서 설명한 방식과 유사한 과정으로 광결정 구조를 만들어, 광결정 수동소자를 제조할 수도 있다. 이에 따라, 축 방향으로의 전자기파 손실을 더욱 더 최대로 줄일 수 있다.
도 6는 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정을 이용하여 제작한 실리콘 광결정 구조에 대한 사진을 보여준다. 원형으로 제작된 광결정 구조의 높이는 100 마이크로미터이고, 상면의 지름은 600 마이크로미터, 광결정의 주기는 1000 마이크로미터로 테라헤르츠파 대역의 광 수동소자를 제작할 수 있는 광결정 구조를 보여준다. 습식공정을 위해서 KOH 250g, Normal propanol 200g, H2O 800g를 혼합하여 사용하였으며, 식각 시간은 100분이고, 습식 공정액의 섭씨 온도는 80 도씨를 유지하면서 습식공정을 진행하였다.
도 7는 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정을 이용하여 제작된 높이, 지름, 및 주기가 각각 100, 600, 및 1000 마이크로미터인 실리콘 광결정 구조의 포토닉 밴드 갭 특성을 이용한 광도파로에 대한 3차원 시뮬레이션 결과를 보여준다.
비등방적 습식공정을 이용하여 제작된 광결정 구조의 3차원 시뮬레이션 분석을 위하여, Finite Integration Technology (FIT) Microwave Studio 3차원 시뮬레이션 코드를 이용하여 모델링한 도 7의 51과 같은 광결정 구조의 정방형 배열을 갖는 회로를 이용하였다. 이때 사용된 광결정 구조는 도 6와 같이 제작된 광결정 구조를 이용하였다. 도 7의 72와 같이, 광결정 구조의 왼쪽 편에서 테라헤르츠파 대역의 전자기파를 입사시켰을 때 광결정 구조의 주기성으로 인하여 입사된 전자기파가 오른편으로 진행하지 못하고 모두 반사를 일으키는 포토닉 밴드 갭 현상을 시뮬레이션으로 검증할 수 있었다. 또한, 도 7의 73과 같이, 일정 행의 광결정 구조를 제거하여 만든 광도파로와의 커플링을 위하여, 광결정이 제거된 부분과 연결된 일반적인 도파로를 포함하여 시뮬레이션을 하였다 이때, 습식공정으로 제작된 광결정으로 이루어진 광도파로에서 손실없이 테라헤르츠파 대역의 전자기파가 진행되어 광도파로로 사용할 수 있음을 검증하였다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정을 이용하여 제작된 높이, 지름, 및 주기가 각각 100, 600, 및 1000 마이크로미터인 실리콘 광결정 구조의 포토닉 밴드 갭 특성을 이용한 공진기에 대한 3차원 시뮬레이션 결과를 보여준다.
도 8과 같이, 일정 영역의 광결정을 제거하여 광결정 공진기로 만들수 있으며, 광결정 공진기와의 커플링을 위하여 일정 행의 광결정을 제거한 광도파로가 포 함된 광결정 공진기를 만들 수도 있다. 도 8과 같이, 광결정 공진기 크기에 의하여 결정된 테라헤르츠파 대역의 특정 전자기파 모드가 형성되었고, 이를 이용하여 원하는 전자기파 대역에서 공진을 일으키는 특정모드를 선택적으로 형성할 수 있는 광결정 공진기를 습식공정을 이용하여 제작할 수 있음을 보여준다.
본 발명에서는, 비등방적 습식공정 시 공정시간, 온도, 습식공정용 시약 등의 공정 조건을 조절함으로써 실리콘 결정의 높이에 대한 선택성을 높일 수 있으며, 상대적으로 가격이 저렴하며, 높이가 큰 광결정 구조를 빠른 시간 안에 대량으로 제작할 수 있고, 주기적 배열로 제작된 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅하여 금속 광결정 특성을 갖는 수동소자 및 금속 코팅을 하지 않고 실리콘 결정을 사용하여 유전체 광결정 특성을 모두 이용할 수 있다. 이와 같이 실리콘 웨이퍼에 적용되는 비등방적 습식공정을 광결정 제조 공정에 적용함으로써, 광도파로, 공진기, 필터, 안테나 등의 광결정 수동소자를 제작할 수 있고, 주기적 배열로 제작된 실리콘 결정을 도전성이 있는 물질로 코팅하여 금속 광결정 특성을 갖는 수동소자 및 금속 코팅을 하지 않고 실리콘 결정을 사용하여 유전체 광결정 특성을 모두 이용할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정을 이용하였을 경우의 웨이퍼 단면에 관한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정과 반도체 공정기술을 적용한 실리콘 광결정 구조의 제조 공정을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정과 반도체 공정기술을 적용한 실리콘 광결정 단면 구조의 일례이다.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼 밑면에 도전성이 있는 물질로 코팅하여 제작한 광결정 구조이다.
도 5 는 본 발명의 일실시예에 따라 도전성이 있는 물질로 코팅된 실리콘 웨이퍼를 광결정이 제작될 실리콘 웨이퍼에 접합시키고, 습식공정을 이용하여 제작한 실리콘 광결정 구조이다.
도 6는 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정을 이용하여 제작한 실리콘 광결정 구조에 대한 사진을 보여준다.
도 7는 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정을 이용하여 제작된 높이, 지름, 및 주기가 각각 100, 600, 및 1000 마이크로미터인 실리콘 광결정 구조의 포토닉 밴드 갭 특성을 이용한 광도파로에 대한 3차원 시뮬레이션 결과를 보여준다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따라 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100)로의 비등방적 습식공정을 이용하여 제작된 높이, 지름, 및 주기가 각각 100, 600, 및 1000 마이크로미터인 실리콘 광결정 구조의 포토닉 밴드 갭 특성을 이용한 공진기에 대한 3차원 시뮬레이션 결과를 보여준다.

Claims (10)

  1. 실리콘 웨이퍼에 광결정 구조를 형성하기 위한 비등방적 습식공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 제작방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비등방적 습식공정은, 상기 실리콘 웨이퍼의 결정 방향 (100) 방향으로의 습식공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 제작방법.
  3. 제1항의 방법에 따라 광결정 구조가 형성된 실리콘 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 수동소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 비등방적 습식공정을 이용하여 제작한 실리콘 광결정 구조 상에, 결정축 방향으로 전자기파 손실을 막아주기 위하여 도전성이 있는 물질로 코팅한 덮개
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 수동소자.
  5. 제4항에 있어서,
    금속 광결정 특성을 위하여 상기 실리콘 웨이퍼의 광결정 구조 이외의 부분에 도전성이 있는 물질로 코팅한 것을 특징으로 하는 광결정 수동소자.
  6. 제3항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼에는
    상기 비등방적 습식공정을 이용하여 형성된 일정 크기의 광결정 구조가 원형(circle), 정방형(square) 또는 삼각형(triangular) 형태로 주기적으로 배열된 것을 특징으로 하는 광결정 수동소자.
  7. 제 3항에 있어서, 상기 광결정 구조는 양각 또는 음각 형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 수동소자.
  8. 제3항에 있어서, 상기 광결정 수동소자는,
    전자기파 신호의 처리 또는 송수신을 위한 광도파로, 공진기, 필터, 또는 안테나에 이용되는 것을 특징으로 하는 광결정 수동소자.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼 밑면에 코팅된 도전성 물질
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 수동소자.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼 밑면에 도전성 물질을 코팅한 다른 실리콘 웨이퍼
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 수동소자.
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