KR20090130907A - Compound plasma reactor - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A mixed type plasma reactor is provided to generate uniform plasma of high density by generating capacitively coupled plasma through inductively coupled plasma and a capacitively coupled electrode and inductively coupled plasma. CONSTITUTION: A reactor body(12) includes a substrate support(11) in which a substrate is loaded, and has a plurality of opening parts. An external discharge bridge(20) is connected to the opening part, and provides one or more discharge paths for generating inductively coupled plasma. A magnetic core(22) is mounted to the external discharge bridge, and has a primary coil for generating the inductively coupled plasma. A capacitively coupled electrode(30) is faced with the substrate support, is included to one surface of the reactor body, and generates the capacitively coupled plasma inside the reactor body.

Description

혼합형 플라즈마 반응기{COMPOUND PLASMA REACTOR}Mixed Plasma Reactor {COMPOUND PLASMA REACTOR}

본 발명은 플라즈마 반응기에 관한 것으로, 보다 외부 방전 브리지를 경유하는 공정 챔버 내의 유도 결합 플라즈마와 용량 결합 전극을 이용한 공정 챔버 내의 용량 결합 플라즈마를 복합적으로 발생하는 혼합형 플라즈마 반응기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma reactor, and more particularly, to a hybrid plasma reactor that generates a combination of inductively coupled plasma in a process chamber via an external discharge bridge and a capacitively coupled plasma in a process chamber using a capacitively coupled electrode.

플라즈마는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(elctrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 라디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예를 들어, 식각(eching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ahing) 등에 사용된다. 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitively coupled plasma) 소스와 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma) 소스가 그 일례이다.Plasma is a highly ionized gas containing the same number of positive ions and elctrons. Plasma discharges are used for gas excitation to generate active gases containing ions, free radicals, atoms, molecules. Active gases are widely used in various fields and are typically used in semiconductor manufacturing processes, for example, etching, deposition, cleaning, and ashing. There are a number of plasma sources for generating a plasma, for example, a capacitively coupled plasma source using a radio frequency and an inductively coupled plasma source.

용량 결합 플라즈마는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다. 반면, 무선주파수 전원의 에너지가 거의 배타적으로 용량 결합을 통하여 플라즈마에 연결되기 때문에 플라즈마 이온 밀도는 용량 결합된 무선 주파수 전력의 증가 또는 감소에 의해서만 증가 또는 감소될 수 있다. 그러나 무선 주파수 전력의 증가는 이온 충격 에너지를 증가시킨다. 결과적으로 이온 충격에 의한 손상을 방지하기 위해서는 무선 주파수 전력의 한계성을 갖게 된다.Capacitively coupled plasma has the advantage of high process productivity compared to other plasma sources due to its high capacity for precise capacitive coupling and ion control. On the other hand, since the energy of the radio frequency power supply is almost exclusively connected to the plasma through capacitive coupling, the plasma ion density can only be increased or decreased by increasing or decreasing the capacitively coupled radio frequency power. However, increasing radio frequency power increases ion bombardment energy. As a result, in order to prevent damage due to ion bombardment, radio frequency power is limited.

한편, 유도 결합 플라즈마는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 쉽게 증가시킬 수 있으며 이에 따른 이온 충격은 상대적으로 낮아서 고밀도 플라즈마를 얻기에 매우 적합한 것으로 알려져 있다. 그러나 유도 코일이 플라즈마 이온 에너지를 거의 또는 전혀 제어하지 못함으로 이온 에너지의 조절을 위해서는 별도의 개별적인 장치를 부가하여야만 했다. 예를 들어, 플라즈마 반응기 내부에 구비되는 기판 지지대에 독립된 무선 주파수를 인가하는 바이어스 기술이 그 일 예이다. 그러나 기판 지지대에 인가되는 바이어스 전원은 플라즈마 이온 에너지의 제어성이 낮아서 공정 생산력이 낮다는 문제점이 있었다.On the other hand, the inductively coupled plasma can easily increase the ion density with the increase of the radio frequency power source, and the ion bombardment is relatively low, which is known to be very suitable for obtaining a high density plasma. However, induction coils have little or no control over plasma ion energy, so a separate device must be added to control the ion energy. For example, a bias technique of applying an independent radio frequency to a substrate support provided in a plasma reactor is an example. However, the bias power applied to the substrate support has a problem of low process productivity due to low controllability of plasma ion energy.

반도체 장치의 제조를 위한 웨이퍼나 LCD 글라스 기판은 더욱 대형화 되어 가고 있다. 그럼으로 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높은 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 외부 방전 브리지를 구비한 플라즈마 반응기의 경우에도 대면적의 플라즈마를 고밀도로 균일하게 발생하고 이와 더불어 플라즈마에 대한 이온 에너지의 효과적인 제어가 가능하여야 하지만 단순히 외부 방전 브리지의 구조를 개선하는 것만으로는 어려움이 있다.Wafers and LCD glass substrates for the manufacture of semiconductor devices are becoming larger. Therefore, a plasma source having high control over plasma ion energy is required. Even in the case of a plasma reactor equipped with an external discharge bridge, a large area of plasma should be generated uniformly and with high density, and the effective control of ion energy to the plasma should be possible, but it is difficult to simply improve the structure of the external discharge bridge. have.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 외부 방전 브리지를 이용한 유도 결합 플라즈마와 용량 결합 전극을 이용한 용량 결합 플라즈마를 복합적으로 발생하여 보다 고밀도의 균일한 플라즈마 발생이 가능하며 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높아서 보다 균일한 기판 처리가 가능한 혼합형 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, it is possible to generate a higher density and uniform plasma by generating a combination of the inductively coupled plasma using the external discharge bridge and the capacitively coupled plasma using the capacitively coupled electrode, the ability to control the ion energy The present invention provides a mixed plasma reactor capable of more uniform substrate processing.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 혼합형 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 혼합형 플라즈마 반응기는: 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 구비하며 복수개의 개구부를 갖는 반응기 몸체; 상기 개구부에 연결되며 유도 결합 플라즈마가 발생하기 위한 하나 이상의 방전 경로를 제공하는 외부 방전 브리지; 상기 외부 방전 브리지에 장착되어 상기 외부 방전 브리지와 상기 반응기 몸체의 내부를 경유하는 유도 결합 플라즈마를 발생하기 위한 일차 권선을 갖는 마그네틱 코어; 및 상기 기판 지지대에 대향하여 상기 반응기 몸체의 일 면에 구비되어 상기 반응기 몸체의 내부에 용량 결합 플라즈마를 발생하기 위한 용량 결합 전극을 포함한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a mixed plasma reactor. The mixed plasma reactor of the present invention comprises: a reactor body having a substrate support on which a substrate to be processed is placed and having a plurality of openings; An external discharge bridge connected to the opening and providing one or more discharge paths for generating an inductively coupled plasma; A magnetic core mounted to the external discharge bridge and having a primary winding for generating an inductively coupled plasma via the external discharge bridge and the interior of the reactor body; And a capacitively coupled electrode provided on one surface of the reactor body opposite to the substrate support to generate a capacitively coupled plasma inside the reactor body.

일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 전극을 경유하는 제1 가스 공급 채널을 포함한다.In one embodiment, the first gas supply channel is provided via the capacitively coupled electrode.

일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 전극은 가스가 유동하는 중공의 전극 본체; 상기 전극 본체 내에 구비되어 상기 가스를 분배하는 가스 분배판; 및 상기 분배된 가스가 상기 공정 챔버의 내부로 분산 유입되도록 상기 전극 본체에 구성된 다수개의 가스 공급공을 포함한다.The capacitively coupled electrode may include: a hollow electrode body through which gas flows; A gas distribution plate provided in the electrode body to distribute the gas; And a plurality of gas supply holes configured in the electrode main body such that the distributed gas flows in and flows into the process chamber.

일 실시예에 있어서, 상기 외부 방전 브리지를 경유하는 제2 가스공급채널을 포함한다.In one embodiment, it includes a second gas supply channel via the external discharge bridge.

일 실시예에 있어서, 상기 외부 방전 브리지로부터 유입되는 가스를 확산시키기 위하여 반응기 몸체의 내부에 구성되는 가스 확산 부재를 포함한다.In one embodiment, it includes a gas diffusion member configured inside the reactor body to diffuse the gas flowing from the external discharge bridge.

일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 전극과 상기 반응기 몸체의 사이에 구성되는 진공 절연 부재를 포함한다.In one embodiment, it includes a vacuum insulating member configured between the capacitive coupling electrode and the reactor body.

일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 전극과 상기 반응기 몸체의 사이에 구성되는 전기적 절연 부재를 포함한다.In one embodiment, an electrical insulation member is disposed between the capacitively coupled electrode and the reactor body.

본 발명의 혼합형 플라즈마 반응기에 의하면, 외부 방전 브리지를 이용한 유도 결합 플라즈마와 용량 결합 전극을 이용한 용량 결합 플라즈마를 복합적으로 발생하여 보다 고밀도의 균일한 플라즈마 발생이 가능하며 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높아서 보다 균일한 기판 처리가 가능하다.According to the mixed plasma reactor of the present invention, a combination of an inductively coupled plasma using an external discharge bridge and a capacitively coupled plasma using a capacitively coupled electrode enables the generation of a higher density and uniform plasma, and has a higher control of ion energy. Uniform substrate processing is possible.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보 다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the embodiments described in detail below. This example is provided to those skilled in the art to more fully describe the present invention. Therefore, the shape of the elements in the drawings and the like may be exaggerated to emphasize a more clear description. It should be noted that the same members in each drawing are sometimes shown with the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention are omitted.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 혼합형 플라즈마 반응기의 사시도이고, 도 2는 도 1의 혼합형 플라즈마 반응기에서 다수개의 개구부와 용량 결합 전극이 설치된 반응기 몸체의 상부를 보여주는 도면이다. 그리고 도 3은 도 1의 혼합형 플라즈마 반응기의 주요 구성을 보여주기 위한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a hybrid plasma reactor according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view illustrating an upper portion of a reactor body in which a plurality of openings and capacitively coupled electrodes are installed in the hybrid plasma reactor of FIG. 1. 3 is a cross-sectional view illustrating a main configuration of the mixed plasma reactor of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 혼합형 플라즈마 반응기(10)는 반응기 몸체(11), 반응기 몸체(12)의 상부에 설치되며 일차 권선(미도시)을 갖는 마그네틱 코어(22)가 장착된 외부 방전 브리지(20), 및 반응기 몸체(12)의 일면에 설치되는 용량 결합 전극(30)을 포함한다. 플라즈마 반응기(10)는 외부 방전 브리지(20)에 의해서 발생되는 유도 결합 플라즈마와 용량 결합 전극(30)에 의해서 발생되는 용량 결합 플라즈마를 복합적으로 발생하여 플라즈마 반응기(10)의 내부에 보다 고밀도의 균일한 플라즈마를 발생할 수 있으며 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높아서 보다 균일한 기판 처리가 가능하다.1 to 3, the mixed plasma reactor 10 according to the first embodiment of the present invention is installed on the reactor body 11, the upper portion of the reactor body 12, the magnetic having a primary winding (not shown) An external discharge bridge 20 having a core 22 mounted thereon, and a capacitive coupling electrode 30 installed on one surface of the reactor body 12. The plasma reactor 10 generates a combination of the inductively coupled plasma generated by the external discharge bridge 20 and the capacitively coupled plasma generated by the capacitively coupled electrode 30 to achieve a higher density and uniformity inside the plasma reactor 10. A plasma can be generated and the control of ion energy is high, which enables a more uniform substrate processing.

반응기 몸체(12)는 그 상부 중심에 용량 결합 전극(30)이 위치하고, 그 주변으로 외부 방전 브리지(20)의 다수개의 방전관 브리지(21)가 연결되는 다수개의 개구부(13)가 마련된다. 용량 결합 전극(30)의 중심부에도 하나의 방전관 브리지가 연결될 수 있도록 관통 영역(32)이 마련된다. 후술되겠지만, 용량 결합 전극(30)은 가스 공급 채널을 형성할 수 있는데 이 경우 가스 공급을 위한 가스 주입구(33)가 구성된다. 반응기 몸체(12)의 내부에는 피처리 기판(14)이 놓이는 지지대(11)가 구비된다.In the reactor body 12, a capacitive coupling electrode 30 is positioned at an upper center thereof, and a plurality of openings 13 are provided around the plurality of discharge tube bridges 21 of the external discharge bridge 20. A through region 32 is also provided in the center of the capacitive coupling electrode 30 so that one discharge tube bridge can be connected. As will be described later, the capacitive coupling electrode 30 may form a gas supply channel, in which case a gas inlet 33 for gas supply is configured. Inside the reactor body 12 is provided a support 11 on which the substrate 14 to be processed is placed.

반응기 몸체(12)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 제작될 수 있다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 제작될 수도 있다. 또는 탄소나노튜브가 공유 결합된 복합 금속을 사용할 수도 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)으로 제작될 수도 있다. 또 다른 대안으로 반응기 몸체(12)를 전체적 또는 부분적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 제작하는 것도 가능하다. 이와 같이 반응기 몸체(12)는 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 어떠한 물질로도 제작 될 수 있다.Reactor body 12 may be made of a metal material such as aluminum, stainless steel, copper. Or it may be made of coated metal, for example anodized aluminum or nickel plated aluminum. Alternatively, a composite metal in which carbon nanotubes are covalently bonded may be used. Alternatively, it may be made of refractory metal. Alternatively, it is also possible to fabricate the reactor body 12 in whole or in part with an electrically insulating material such as quartz, ceramic. As such, the reactor body 12 may be made of any material suitable for performing the intended plasma process.

반응기 몸체(11)의 구조는 피처리 기판(13)에 따라 그리고 플라즈마의 균일한 발생을 위하여 적합한 구조 예를 들어, 원형 구조나 사각형 구조 그리고 이외에도 어떠한 형태의 구조를 가질 수 있다. 피처리 기판(14)은 예를 들어, 반도체 장치, 디스플레이 장치, 태양전지 등과 같은 다양한 장치들의 제조를 위한 웨이퍼 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판 등과 같은 기판들이다. 반응기 몸체(12)에 구비되는 가스 출구(15)는 진공펌프(미도시)에 연결된다.The structure of the reactor body 11 may have a structure suitable for uniform generation of the plasma, for example, a circular structure or a square structure, or any other structure depending on the substrate 13 to be processed. The substrate 14 to be processed is, for example, substrates such as wafer substrates, glass substrates, plastic substrates, and the like for manufacturing various devices such as semiconductor devices, display devices, solar cells, and the like. The gas outlet 15 provided in the reactor body 12 is connected to a vacuum pump (not shown).

외부 방전 브리지(20)는 관형 구조를 갖는 다수개의 방전관 브리지(21)와 중공의 방전관 헤드(23)로 구성된다. 다수개의 방전관 브리지(21)는 반응기 몸체(12)의 천정에 형성된 복수개의 개구부(13)에 연결되어 반응기 몸체(12)의 내부 를 경유하는 하나 이상의 방전 경로를 제공한다. 예를 들어, 도 6에 잘 도시된 바와 같이, 다수개의 방전관 브리지(21)는 중심에 위치하는 하나의 방전관 브리지와 그 주변에 방사형으로 배치되는 네 개의 방전관 브리지를 포함한다. 다수개의 방전관 브리지(21)의 상부에는 중공형의 방전관 헤드(23)를 구비된다. 방전관 헤드(23)의 상부에는 가스 입구(24)가 구비되며, 가스 입구(24)는 가스 공급원(미도시)에 연결된다. 방전관 헤드(23)는 중공의 원반형 구조를 갖고, 내부에 가스 분배를 위한 하나 이상의 가스 분배판(25)이 구비될 수 있다. 방전관 헤드(23)와 다수개의 방전관 브리지(21)는 반응기 몸체(12)와 동일하게 금속 또는 비금속 물질로 구성될 수 있다.The external discharge bridge 20 is composed of a plurality of discharge tube bridges 21 having a tubular structure and a hollow discharge tube head 23. A plurality of discharge tube bridges 21 are connected to the plurality of openings 13 formed in the ceiling of the reactor body 12 to provide one or more discharge paths through the interior of the reactor body 12. For example, as illustrated in FIG. 6, the plurality of discharge tube bridges 21 includes one discharge tube bridge centrally located and four discharge tube bridges disposed radially around the discharge tube bridge 21. The upper portion of the plurality of discharge tube bridge 21 is provided with a hollow discharge tube head 23. A gas inlet 24 is provided above the discharge tube head 23, and the gas inlet 24 is connected to a gas supply source (not shown). The discharge tube head 23 has a hollow disk-shaped structure, and may be provided with one or more gas distribution plates 25 for gas distribution therein. The discharge tube head 23 and the plurality of discharge tube bridges 21 may be made of the same metal or nonmetallic material as the reactor body 12.

다수개의 방전관 브리지(21)에는 각기 일차 권선(26)을 갖는 마그네틱 코어(22)가 장착된다. 예를 들어, 다섯 개의 방전관 브리지(21)가 구비되는 경우에는 각각의 방전관 브리지(21)에 일차 권선(26)을 갖는 마그네틱 코어(22)가 각기 장착된다. 일차 권선(26)은 임피던스 정합기(41)를 통하여 제1 메인 전원 공급원(40)에 전기적으로 연결된다.The plurality of discharge tube bridges 21 are equipped with magnetic cores 22 each having a primary winding 26. For example, in the case where five discharge tube bridges 21 are provided, the magnetic cores 22 having the primary windings 26 are respectively mounted to each discharge tube bridge 21. The primary winding 26 is electrically connected to the first main power source 40 through an impedance matcher 41.

도 4는 도 1에서 용량 결합 전극을 확대하여 보여주는 부분 단면도이고, 도 5는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이다.4 is an enlarged partial cross-sectional view of the capacitive coupling electrode of FIG. 1, and FIG. 5 is an enlarged view of region A of FIG. 4.

도 4를 참조하여, 용량 결합 전극(30)은 반응기 몸체(12)의 천정의 일부를 구성한다. 예를 들어, 기판 지지대(11)에 대향되도록 반응기 몸체(12)의 상부에 설치된다. 용량 결합 전극(30)은 반응기 몸체(12)의 내부에 직접적으로 노출되는 구조이지만, 반응기 몸체(12)의 내부 영역과 절연 물질을 사이에 두고 설치되도록 할 수도 있다. 용량 결합 전극(30)은 임피던스 정합기(43)를 통하여 제2 메인 전원 공급원(42)에 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 4, the capacitively coupled electrode 30 forms part of the ceiling of the reactor body 12. For example, it is installed on top of the reactor body 12 to face the substrate support 11. The capacitive coupling electrode 30 is a structure directly exposed to the inside of the reactor body 12, but may be installed to sandwich the inner region of the reactor body 12 and an insulating material therebetween. The capacitive coupling electrode 30 is electrically connected to the second main power supply 42 through the impedance matcher 43.

용량 결합 전극(30)은 가스 공급 채널이 구비될 수 있다. 예를 들어, 용량 결합 전극(30)은 가스가 유동하는 중공의 전극 본체(31), 전극 본체(31) 내에 구비되어 가스를 분배하는 가스 분배판(34), 분배된 가스가 상기 공정 챔버의 내부로 분산 유입되도록 전극 본체에 구성된 다수개의 가스 공급공(35)을 포함하여 전체적으로 가스 샤워 헤드 구조를 갖는다.The capacitive coupling electrode 30 may be provided with a gas supply channel. For example, the capacitive coupling electrode 30 may include a hollow electrode body 31 through which gas flows, a gas distribution plate 34 provided in the electrode body 31 to distribute gas, and the dispensed gas may be disposed in the process chamber. Including a plurality of gas supply holes (35) configured in the electrode body so as to flow into the interior therein has a gas shower head structure as a whole.

플라즈마 반응기(10)는 외부 방전 브리지(20)를 경유하는 하나의 가스 공급 채널과 용량 결합 전극(30)을 경유하는 다른 하나의 가스 공급 채널을 구비할 수 있다. 이 두 개의 가스 공급 채널은 각기 서로 다른 가스(Gas1, Gas2)가 분리 공급될 수 있다. 또는 동일한 가스가 두 개의 가스 공급 채널로 같이 공급될 수도 있다. 또는 어느 하나의 가스 공급 채널을 통해서만 선택적으로 가스 공급이 이루어질 수도 있다. The plasma reactor 10 may have one gas supply channel via the external discharge bridge 20 and the other gas supply channel via the capacitive coupling electrode 30. The two gas supply channels may be separately supplied with different gases Gas1 and Gas2. Alternatively, the same gas may be supplied together to the two gas supply channels. Alternatively, the gas supply may be selectively performed through only one gas supply channel.

반응기 몸체(12)가 금속성 물질로 구성되는 경우에 용량 결합 전극(30)과 전기적으로 절연되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 전기적 절연부재(50)(예를 들어, 세라믹 링)를 사이에 두고 용량 결합 전극(30)의 전극 본체(31)와 반응기 몸체(12)가 연결된다. 이때, 진공 절연을 위한 진공 절연 부재(51)(예를 들어, 진공 오링)를 용량 결합 전극(30)과 반응기 몸체(12) 사이에 같이 구성한다. 특히, 전기적 절연 부재(50)가 내측으로 위치하도록 하는 것이 바람직하다. 방전관 헤드(23)와 다수개의 방전관 브리지(21)가 반응기 몸체(12)와 동 일하게 금속 물질로 구성되는 경우에는 에디 전류(eddy current)가 발생되는 것을 차단하기 위하여 전기적인 절연 영역을 구비한다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 방전관 브리지(21)와 반응기 몸체(12)의 사이에 전기적 절연 부재(52)가 구비되며, 이때 진공 절연 부재(53)도 같이 구비된다. 이러한 전기적 절연 구조와 진공 절연 구조는 용량 결합 전극(30)과 관통 영역(32)에 설치되는 방전관 브리지사이에도 동일하게 구성된다.It is preferred that the reactor body 12 is electrically insulated from the capacitively coupled electrode 30 when it is composed of a metallic material. For example, as shown in FIG. 5, the electrode body 31 and the reactor body 12 of the capacitive coupling electrode 30 are connected to each other with an electrical insulating member 50 (eg, a ceramic ring) interposed therebetween. do. At this time, a vacuum insulation member 51 (for example, a vacuum O-ring) for vacuum insulation is configured between the capacitive coupling electrode 30 and the reactor body 12. In particular, it is preferable that the electrical insulation member 50 is positioned inward. When the discharge tube head 23 and the plurality of discharge tube bridges 21 are made of the same metal material as the reactor body 12, the discharge tube head 23 and the discharge tube head 21 are provided with an electrically insulating region to prevent the eddy current from being generated. . For example, as shown in FIG. 5, an electrical insulation member 52 is provided between the discharge tube bridge 21 and the reactor body 12, and the vacuum insulation member 53 is also provided. The electrical insulation structure and the vacuum insulation structure are similarly configured between the capacitive coupling electrode 30 and the discharge tube bridge provided in the through region 32.

도 6은 외부 방전 브리지에 장착된 다수의 마그네틱 코어의 일차 권선들과 전원 공급원의 전기적 연결 구조의 일 예를 보여주는 도면이다.6 is a diagram illustrating an example of an electrical connection structure between a primary power supply and a primary winding of a plurality of magnetic cores mounted on an external discharge bridge.

도 6을 참조하여, 다수개의 방전관 브리지(21)에는 각기 일차 권선(26)을 갖는 마그네틱 코어(22)가 장착된다. 다수개의 일차 권선(26)은 직렬로 연결되고 그 일단은 임피던스 정합기(41)를 통하여 제1 메인 전원 공급원(40)에 전기적으로 연결되고, 다른 일단은 접지된다. 또는 다수개의 일차 권선(26)은 제1 메인 전원 공급원(40)에 병렬로 연결되거나 직렬과 병렬이 혼합된 구조로 연결될 수 있다. 병렬로 연결되는 경우에는 다수개의 일차 권선으로 공급되는 전류가 상호 균형을 이루도록 자동 전류 균형 회로가 구성될 수 있다.Referring to FIG. 6, a plurality of discharge tube bridges 21 are equipped with magnetic cores 22 each having a primary winding 26. The plurality of primary windings 26 are connected in series, one end of which is electrically connected to the first main power supply 40 via an impedance matcher 41, and the other end is grounded. Alternatively, the plurality of primary windings 26 may be connected in parallel to the first main power supply 40 or in a mixed structure of series and parallel. When connected in parallel, an automatic current balancing circuit can be configured to balance the currents supplied to the plurality of primary windings.

용량 결합 전극(30)은 임피던스 정합기(43)를 통하여 제2 메인 전원 공급원(42)에 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 메인 전원 공급원(40, 42)은 서로 다른 무선 주파수를 발생한다. 그러나 서로 동일한 주파수를 발생할 수도 있다. 또는 하나의 전원 공급원을 사용하여 일차 권선(26)과 용량 결합 전극(30)을 동시에 또는 선택적으로 구동할 수도 있다. 제1 및 제2 메인 전원 공급원(40, 42)은 각기 임피던스 정합기(41, 43)를 사용하지만, 별도의 임피던스 정합기 없이 출력의 제어가 가능한 무선 주파수 발생기를 사용하여 구성될 수도 있다.The capacitive coupling electrode 30 is electrically connected to the second main power supply 42 through the impedance matcher 43. The first and second main power sources 40, 42 generate different radio frequencies. However, they may generate the same frequencies. Alternatively, one power source may be used to drive primary winding 26 and capacitive coupling electrode 30 simultaneously or selectively. The first and second main power supplies 40, 42 use impedance matchers 41, 43, respectively, but may be configured using a radio frequency generator capable of controlling the output without a separate impedance matcher.

도 7은 외부 방전 브리지로부터 유입되는 가스를 확산시키기 위하여 반응기 몸체의 내부에 구성되는 가스 확산 부재를 보여주는 부분 단면도이다.7 is a partial cross-sectional view showing a gas diffusion member configured inside the reactor body to diffuse gas flowing from an external discharge bridge.

도 7을 참조하여, 반응기 몸체(12)에 내부에는 다수개의 방전 브리지(21)로부터 유입되는 가스를 확산시키기 위하여 반응기 몸체(12)의 내부에 가스 확산 부재(16)가 구성될 수 있다. 가스 확산 부재(16)는 예를 들어, 반응기 몸체(12)의 천정에 형성된 다수개의 개구부(13)에 설치될 수 있다. 또한, 용량 결합 전극(30)의 중앙에 형성된 관통 영역(32)의 하부에 설치될 수 있다.Referring to FIG. 7, a gas diffusion member 16 may be configured inside the reactor body 12 to diffuse gas introduced from the plurality of discharge bridges 21 into the reactor body 12. The gas diffusion member 16 may, for example, be installed in a plurality of openings 13 formed in the ceiling of the reactor body 12. In addition, it may be provided under the through region 32 formed in the center of the capacitive coupling electrode 30.

다시, 도 3을 참조하여, 기판 지지대(11)는 하나 이상의 바이어스 전원 공급원(44, 45)에 연결되어 바이어스 된다. 예를 들어, 서로 다른 무선 주파수 전원을 공급하는 두 개의 바이어스 전원 공급원(44, 45)이 공통 임피던스 정합기(44)(또는 각각의 임피던스 정합기)를 통하여 기판 지지대(11)에 전기적으로 연결되어 바이어스 된다. 기판 지지대(11)의 이중 바이어스 구조는 반응기 몸체(12)의 내부에 플라즈마 발생을 용이하게 하고, 플라즈마 이온 에너지 조절을 더욱 개선시켜 공정 생산력을 향상 시킬 수 있다. 또는 단일 바이어스 구조로 변형 실시할 수도 있다. 또는 기판 지지대(11)는 바이어스 전원의 공급 없이 제로 퍼텐셜(zero potential)을 갖는 구조로 변형 실시될 수도 있다. 기판 지지대(11)는 정전척을 포함할 수 있으며, 이와 더불어 또는 별개로 히터를 포함할 수 있다.Again, referring to FIG. 3, the substrate support 11 is connected and biased to one or more bias power sources 44, 45. For example, two bias power sources 44, 45 that supply different radio frequency power sources are electrically connected to the substrate support 11 through a common impedance matcher 44 (or each impedance matcher). Biased. The dual bias structure of the substrate support 11 facilitates plasma generation inside the reactor body 12, and further improves plasma ion energy control to improve process productivity. Alternatively, it may be modified to a single bias structure. Alternatively, the substrate support 11 may be modified to have a zero potential without supplying bias power. The substrate support 11 may comprise an electrostatic chuck, and in addition or separately may include a heater.

이상과 같은 구성을 갖는 본 발명의 일실시예에 따른 혼합형 플라즈마 반응 기(10)는 외부 방전 브리지(20)를 통하여 제1 가스(Gas1)가 공급되고 제1 메인 전원 공급원(40)으로부터 무선 주파수가 다수개의 일차 권선(26)으로 공급되면 외부 방전 브리지(20)의 다수개의 방전관 브리지(21)를 경유하는 유도 결합 플라즈마가 발생된다. 이와 더불어, 제2 가스(Gas2)가 용량 결합 전극(30)을 통하여 공급되고, 제2 메인 전원 공급원(42)으로부터 무선 주파수가 용량 결합 전극(30)으로 공급되면 반응기 몸체(12)의 내부에는 용량 결합 플라즈마가 발생된다. 이와 같이 하여 반응기 몸체(12)의 내부에는 외부 방전 브리지(20)에 의한 유도 결합 플라즈마와 용량 결합 전극(30)에 의한 용량 결합 플라즈마가 복합적으로 발생된다. 특히, 유도 결합 플라즈마와 용량 결합된 플라즈마는 상호 수직으로 교차되도록 형성됨으로서 반응기 몸체(12)의 내부에서 가스 이온 입자들의 나선 운동을 가속시켜 가스 분해 능력이 매우 높으며 균일한 플라즈마를 발생할 수 있다. 제1 및 제2 메인 전원 공급원(40, 42)의 전력 제어에 따라 매우 용이하게 플라즈마 이온 밀도를 제어할 수 있어서 과도한 이온 에너지의 증가 없이 높은 플라즈마 이온 밀도를 얻을 수 있다.Hybrid plasma reactor 10 according to an embodiment of the present invention having the above configuration is supplied with a first gas (Gas1) through the external discharge bridge 20 and the radio frequency from the first main power supply 40 Is supplied to the plurality of primary windings 26, an inductively coupled plasma is generated via the plurality of discharge tube bridges 21 of the external discharge bridge 20. In addition, when the second gas Gas2 is supplied through the capacitive coupling electrode 30, and the radio frequency is supplied from the second main power supply 42 to the capacitive coupling electrode 30, the inside of the reactor body 12 may be A capacitively coupled plasma is generated. In this manner, the inductively coupled plasma by the external discharge bridge 20 and the capacitively coupled plasma by the capacitively coupled electrode 30 are combined in the reactor body 12. In particular, the inductively coupled plasma and the capacitively coupled plasma are formed to cross each other vertically, thereby accelerating the spiral motion of the gas ion particles in the reactor body 12 to generate a very high gas decomposition ability and uniform plasma. The plasma ion density can be controlled very easily according to the power control of the first and second main power sources 40 and 42, so that a high plasma ion density can be obtained without increasing excessive ion energy.

본 발명의 혼합형 플라즈마 반응기(10)는 외부 방전 브리지(20)와 용량 결합 전극(30)을 선택적으로 구동할 수도 있다. 또는 어느 하나를 먼저 구동하여 다른 하나는 나중에 구동하는 방식을 취할 수도 있다. 또는 어느 하나를 먼저 구동하여 하나의 공정을 진행한 후에 정지하고, 다른 하나를 후에 구동하여 다른 공정을 연속해서 진행할 수도 있다.The mixed plasma reactor 10 of the present invention may selectively drive the external discharge bridge 20 and the capacitive coupling electrode 30. Alternatively, one may drive first and the other later. Alternatively, one of the drives may be driven first to stop the process and then the other may be driven later to continue the other process.

도 8은 일 변형에 따른 외부 방전 브리지가 장착된 혼합형 플라즈마 반응기 의 사시도이고, 도 9는 도 8의 외부 방전 브리지의 평면적 배치 구조를 보여주는 도면이다.FIG. 8 is a perspective view of a hybrid plasma reactor equipped with an external discharge bridge according to one variation, and FIG. 9 is a view showing a planar layout structure of the external discharge bridge of FIG. 8.

도 8 및 도 9를 참조하여, 일 변형에 따른 외부 방전 브리지(20)는 방전관 헤드(23, 도 1을 참조)를 구비하지 않고 다수개의 방전관 브리지(21)만을 구비할 수 있다. 다수개의 방전관 브리지(21)도 중심에 위치되는 하나의 방전관 브리지와 그 주변에 방사형으로 여덟 개의 방전관 브리지로 구성될 수 있다. 각각의 방전관 브리지(21)에는 일차 권선(도면에는 도시하지 않음)을 갖는 마그네틱 코어(22)가 장착된다. 이와 같이 외부 방전 브리지(20)는 별도의 방전관 헤드(23)를 구비하지 않을 수도 있으며, 다수개의 방전관 브리지(21)의 개수도 다양하게 구성할 수 있다. 또한, 다수개의 방전관 브리지(21)에 모두 마그네틱 코어(22)를 장착하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 중앙에 위치하는 방전관 브리지에는 마그네틱 코어를 장착하지 않을 수도 있다.8 and 9, the external discharge bridge 20 according to one variation may include only a plurality of discharge tube bridges 21 without the discharge tube head 23 (see FIG. 1). The plurality of discharge tube bridges 21 may also be composed of one discharge tube bridge positioned at the center and eight discharge tube bridges radially around the discharge tube bridge. Each discharge tube bridge 21 is equipped with a magnetic core 22 having a primary winding (not shown in the figure). As such, the external discharge bridge 20 may not include a separate discharge tube head 23, and the number of the plurality of discharge tube bridges 21 may also be variously configured. In addition, the magnetic core 22 may not be attached to all the discharge tube bridges 21. For example, the center of the discharge tube bridge may not be equipped with a magnetic core.

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 혼합형 플라즈마 반응기의 사시도이고, 도 11은 도 10의 혼합형 플라즈마 반응기에서 다수개의 개구부가 형성된 반응기 몸체의 상부를 보여주는 도면이다. 그리고 도 12는 도 10의 혼합형 플라즈마 반응기의 주요 구성을 보여주기 위한 단면도이다.FIG. 10 is a perspective view of a mixed plasma reactor according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a view showing an upper portion of a reactor body in which a plurality of openings are formed in the mixed plasma reactor of FIG. 10. 12 is a cross-sectional view illustrating a main configuration of the mixed plasma reactor of FIG. 10.

도 10 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 혼합형 플라즈마 반응기(10)는 상술한 제1 실시예의 경우와 기본적으로 동일한 구성을 갖는다. 다만, 외부 방전 브리지(20)가 C 형상을 갖는 다수개의 방전관 브리지(21)가 병렬로 배열되어 반응기 몸체(12)의 상부에 설치된다. 반응기 몸체(12)의 천정에는 C 형상을 갖는 다수개의 방전관 브리지(21)와 연결되도록 대응되게 다수개의 개구부(13)가 간격을 두고 구성된다.10 to 12, the mixed plasma reactor 10 according to the second embodiment of the present invention has the same configuration as the case of the first embodiment described above. However, the plurality of discharge tube bridges 21 having the C shape of the external discharge bridges 20 are arranged in parallel and installed on the upper portion of the reactor body 12. In the ceiling of the reactor body 12, a plurality of openings 13 are spaced apart to correspond to the plurality of discharge tube bridges 21 having a C shape.

반응기 몸체(12)의 평면 구조는 정사각 또는 직사각형의 구조를 갖고 그 내부에 위치하는 기판 지지대(11)도 평면 구조가 사각형 구조를 갖는다. 용량 결합 전극(30)의 형상도 정사각 또는 직사각형의 구조를 갖고 반응기 몸체(12)의 상부에 설치되어 다수개의 방전 브리지(21) 아래 영역에 위치하는 배치 구조를 갖는다.The planar structure of the reactor body 12 has a square or rectangular structure, and the substrate support 11 positioned therein also has a rectangular structure. The shape of the capacitive coupling electrode 30 also has a square or rectangular structure and is disposed on the reactor body 12 to have an arrangement structure positioned below the plurality of discharge bridges 21.

외부 방전 브리지(20)를 C 형상을 갖는 다수개의 방전관 브리지(21)로 병렬 구성함으로 용량 결합 전극(30)은 상술한 제1 실시예와 같이 중심부에 별도의 관통 영역(32)(도 2 및 도 3 참조)을 구비하지 않는다. 이와 같은 구성을 갖는 제2 실시예의 혼합형 플라즈마 반응기(10)의 동작은 상술한 제1 실시예와 동일함으로 반복된 설명은 생략한다.By constructing the external discharge bridge 20 in parallel with a plurality of discharge tube bridges 21 having a C shape, the capacitive coupling electrode 30 has a separate through area 32 in the center as shown in the first embodiment (FIG. 2 and 3). Operation of the mixed plasma reactor 10 of the second embodiment having such a configuration is the same as that of the first embodiment described above, and thus repeated description thereof will be omitted.

이와 같이, 혼합형 플라즈마 반응기(10)는 반응기 몸체(12)와 기판 지지대(11) 용량 결합 전극(30)의 평면적 구조를 피처리 기판의 형상에 따라 다양한 형태로 변형하여 실시될 수 있다. 또한 외부 방전 브리지(20)의 구조도 그에 적합하게 다양한 변형이 가능하다.As such, the mixed plasma reactor 10 may be implemented by modifying the planar structure of the reactor body 12 and the substrate support 11 and the capacitive coupling electrode 30 in various forms according to the shape of the substrate to be processed. In addition, the structure of the external discharge bridge 20 can be variously modified accordingly.

이상에서 설명된 본 발명의 혼합형 플라즈마 반응기의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특 허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiment of the mixed plasma reactor of the present invention described above is merely exemplary, and it is well understood that various modifications and equivalent other embodiments are possible to those skilled in the art to which the present invention pertains. Could be. Therefore, it will be understood that the present invention is not limited only to the form mentioned in the above detailed description. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims. It is also to be understood that the present invention includes all modifications, equivalents, and substitutes within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 혼합형 플라즈마 반응기의 사시도이다.1 is a perspective view of a mixed plasma reactor according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 혼합형 플라즈마 반응기에서 다수개의 개구부와 용량 결합 전극이 설치된 반응기 몸체의 상부를 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a view illustrating an upper portion of a reactor body in which a plurality of openings and capacitively coupled electrodes are installed in the mixed plasma reactor of FIG. 1.

도 3은 도 1의 혼합형 플라즈마 반응기의 주요 구성을 보여주기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a main configuration of the mixed plasma reactor of FIG. 1.

도 4는 도 1에서 용량 결합 전극을 확대하여 보여주는 부분 단면도이다.4 is an enlarged partial cross-sectional view of the capacitive coupling electrode of FIG. 1.

도 5는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이다.FIG. 5 is an enlarged view of region A of FIG. 4.

도 6은 외부 방전 브리지에 장착된 다수의 마그네틱 코어의 일차 권선들과 전원 공급원의 전기적 연결 구조의 일 예를 보여주는 도면이다.6 is a diagram illustrating an example of an electrical connection structure between a primary power supply and a primary winding of a plurality of magnetic cores mounted on an external discharge bridge.

도 7은 외부 방전 브리지로부터 유입되는 가스를 확산시키기 위하여 반응기 몸체의 내부에 구성되는 가스 확산 부재를 보여주는 부분 단면도이다.7 is a partial cross-sectional view showing a gas diffusion member configured inside the reactor body to diffuse gas flowing from an external discharge bridge.

도 8은 일 변형에 따른 외부 방전 브리지가 장착된 혼합형 플라즈마 반응기의 사시도이다.8 is a perspective view of a hybrid plasma reactor equipped with an external discharge bridge in accordance with one variation.

도 9는 도 8의 외부 방전 브리지의 평면적 배치 구조를 보여주는 도면이다.FIG. 9 is a diagram illustrating a planar layout structure of the external discharge bridge of FIG. 8.

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 혼합형 플라즈마 반응기의 사시도이다.10 is a perspective view of a mixed plasma reactor according to a second embodiment of the present invention.

도 11은 도 10의 혼합형 플라즈마 반응기에서 다수개의 개구부가 형성된 반응기 몸체의 상부를 보여주는 도면이다.FIG. 11 is a view illustrating an upper portion of a reactor body in which a plurality of openings are formed in the mixed plasma reactor of FIG. 10.

도 12는 도 10의 혼합형 플라즈마 반응기의 주요 구성을 보여주기 위한 단면 도이다.12 is a cross-sectional view illustrating the main configuration of the mixed plasma reactor of FIG. 10.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10: 플라즈마 반응기 11: 기판 지지대10: plasma reactor 11: substrate support

12: 반응기 몸체 13: 개구부12: reactor body 13: opening

14: 피처리 기판 15: 가스 출구14 substrate to be processed 15 gas outlet

16: 가스 확산 부재 20: 외부 방전 브리지16: gas diffusion member 20: external discharge bridge

21: 방전관 브리지 22: 마그네틱 코어21: discharge tube bridge 22: magnetic core

23: 방전관 헤드 24: 가스 입구23: discharge tube head 24: gas inlet

25: 가스 분배판 26: 일차 권선25 gas distribution plate 26 primary winding

30: 용량 결합 전극 31: 전극 본체30: capacitively coupled electrode 31: electrode body

32: 관통 영역 33: 가스 주입구32: through area 33: gas inlet

50: 절연 부재50: insulation member

Claims (7)

피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 구비하며 복수개의 개구부를 갖는 반응기 몸체;A reactor body having a substrate support on which a substrate to be processed is placed and having a plurality of openings; 상기 개구부에 연결되며 유도 결합 플라즈마가 발생하기 위한 하나 이상의 방전 경로를 제공하는 외부 방전 브리지;An external discharge bridge connected to the opening and providing one or more discharge paths for generating an inductively coupled plasma; 상기 외부 방전 브리지에 장착되어 상기 외부 방전 브리지와 상기 반응기 몸체의 내부를 경유하는 유도 결합 플라즈마를 발생하기 위한 일차 권선을 갖는 마그네틱 코어; 및A magnetic core mounted to the external discharge bridge and having a primary winding for generating an inductively coupled plasma via the external discharge bridge and the interior of the reactor body; And 상기 기판 지지대에 대향하여 상기 반응기 몸체의 일 면에 구비되어 상기 반응기 몸체의 내부에 용량 결합 플라즈마를 발생하기 위한 용량 결합 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합형 플라즈마 반응기.And a capacitively coupled electrode provided on one surface of the reactor body opposite to the substrate support to generate a capacitively coupled plasma inside the reactor body. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 용량 결합 전극을 경유하는 제1 가스 공급 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합형 플라즈마 반응기.And a first gas supply channel via said capacitively coupled electrode. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 용량 결합 전극은The capacitive coupling electrode 가스가 유동하는 중공의 전극 본체;A hollow electrode body through which gas flows; 상기 전극 본체 내에 구비되어 상기 가스를 분배하는 가스 분배판; 및A gas distribution plate provided in the electrode body to distribute the gas; And 상기 분배된 가스가 상기 공정 챔버의 내부로 분산 유입되도록 상기 전극 본체에 구성된 다수개의 가스 공급공을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합형 플라즈마 반응기.And a plurality of gas supply holes configured in the electrode body such that the distributed gas flows into the process chamber. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 외부 방전 브리지를 경유하는 제2 가스공급채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합형 플라즈마 반응기.And a second gas supply channel via the external discharge bridge. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 외부 방전 브리지로부터 유입되는 가스를 확산시키기 위하여 반응기 몸체의 내부에 구성되는 가스 확산 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합형 플라즈마 반응기.And a gas diffusion member configured inside the reactor body to diffuse the gas introduced from the external discharge bridge. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 용량 결합 전극과 상기 반응기 몸체의 사이에 구성되는 진공 절연 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합형 플라즈마 반응기.And a vacuum insulation member disposed between the capacitive coupling electrode and the reactor body. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 용량 결합 전극과 상기 반응기 몸체의 사이에 구성되는 전기적 절연 부 재를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합형 플라즈마 반응기.And a electrically insulating member disposed between the capacitively coupled electrode and the reactor body.
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