KR20090108084A - 치료 시스템 및 치료 장치 - Google Patents

Abstract

치료 시스템(10)은 에너지원(14)과, 한 쌍의 파지부(26)와, 출력부(56, 58)와, 냉각부(98)를 포함한다. 치료 대상인 생체 조직을 파지하기 위해, 한 쌍의 파지부 중 적어도 하나는 다른 파지부에 대해 상대적으로 이동한다. 출력부는 적어도 하나의 파지부 상에 배치되고 에너지원과 연결된다. 또한, 에너지가 에너지원에서 공급될 때 출력부는 생체 조직을 변성시킨다. 냉각부는 출력부에서 멀어지는 방향으로의 열확산을 억제한다.

치료 시스템, 에너지원, 파지부, 출력부, 냉각부, 생체 조직

Description

치료 시스템 및 치료 장치{TREATMENT SYSTEM AND TREATMENT DEVICE}

본 발명은 생체 조직이 파지된 동안 생체 조직에 에너지를 인가하는 치료 시스템 및 치료 장치에 관한 것이다.

인체로부터 조직 등을 적출하여 인체 외부에서 치료를 수행하는 개방형과 복벽을 통해 복강(인체) 내로 삽입되어 치료를 수행하는 복강경형과 같은 사용 방법을 위한 다양한 치료 장치가 알려져 있다.

예컨대, EP1 372 505 B1은 열확산을 감소시키는 전기수술 기구를 개시한다. 전기수술 기구의 말단 작동자의 전극 둘레에는 유연한 재질의 기계식 차단부가 배치된다. 차단부는 전극 표면에서의 열 방사와 증기 확산을 방지한다. 따라서 전기수술 기구는 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직으로의 열확산을 저감할 수 있다.

이로써 열확산은 억제될 수 있다. 그러나, 열확산이 기계식 차단부를 넘어 확장되어 단부 작동자 외부에 위치된 생체 조직에 영향을 미치는 경우가 있다. 따라서 열 작동자 외부에 위치된 생체 조직과 같이 치료 대상 이외의 생체 조직이 열확산으로 인해 영향을 받는 것을 효과적으로 방지하는 것이 요구된다.

본 발명의 목적은 치료중인 생체 조직이 치료를 위한 고주파 전류와 같은 에너지를 받을 때 발생하는 열확산이 치료중인 생체 조직 이외의 생체 조직에 영향을 주는 것을 신뢰성 있게 방지하는 치료 시스템 및 치료 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 제1 태양에 따르면, 치료를 수행하기 위해 생체 조직에 에너지를 인가하는 치료 시스템이 제공된다. 치료 시스템은, 에너지를 인가하는 에너지원과, 생체 조직을 파지하되 둘 중 적어도 하나가 다른 것에 대해 상대적으로 이동하도록 구성되는 한 쌍의 파지부와, 적어도 하나의 파지부에 배치되고 에너지원과 연결되되 에너지원에서 공급된 에너지에 의해 생체 조직을 열적으로 변성시키도록 구성되는 출력부와, 출력부로부터 멀어지는 방향으로의 열확산을 억제하는 냉각부를 포함한다.

본 발명의 제2 태양에 따르면, 생체 조직에 에너지를 인가하는 치료 장치가 제공된다. 치료 장치는, 생체 조직을 파지하는 파지부를 포함하며, 파지부는 서로에 대해 상대적으로 움직이는 제1 및 제2 파지부와, 제1 파지부 및 제2 파지부 중 적어도 하나의 파지부에 배치되고 에너지원과 연결되되 생체 조직이 제1 파지부와 제2 파지부 사이에서 파지되는 시기에 에너지원에서 공급되는 에너지에 의해 생체 조직을 열적으로 변성시키도록 구성되는 출력부와, 변성된 생체 조직에서 그 주변 영역으로 열이 확산되는 것을 억제하는 냉각부를 포함한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 처리 시스템을 도시한 개략도이다.

도 2A는 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치에서 파지부의 제1 파지부와 제2 파지부가 폐쇄된 상태와 샤프트를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 2B는 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치에서 파지부의 제2 파지부가 제1 파지부에 대해 개방된 상태와 샤프트를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 3A는 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제2 파지부에 인접한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 3B는 도 3A의 선 3B-3B를 따라 취한 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 3C는 도 3A의 선 3C-3C를 따라 취한 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부 및 제2 파지부를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 처리 시스템의 변경예를 도시한 개략도이다.

도 5A는 도 3A의 선 3C-3C를 따라 취한 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 5B는 도 3A의 선 3C-3C를 따라 취한 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 5C는 도 3A의 선 3C-3C를 따라 취한 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 5D는 도 3A의 선 3C-3C를 따라 취한 제1 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 6A는 제2 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제2 파지부에 인접 한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 6B는 도 6A의 선 6B-6B를 따라 취한 제2 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 6C는 도 6A의 선 6C-6C를 따라 취한 제2 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 7A는 제3 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제2 파지부에 인접한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 7B는 도 7A의 선 7B-7B를 따라 취한 제3 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 7C는 도 7A의 선 7C-7C를 따라 취한 제3 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 7D는 제3 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제1 파지부의 전극 배열부에 배열된 차단부와 고주파 전극을 개략적으로 도시한 사시도이다.

도 8A는 제4 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제2 파지부에 인접한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 8B는 도 8A의 선 8B-8B를 따라 취한 제4 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 8C는 도 8A의 선 8C-8C를 따라 취한 제4 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 8D는 제4 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제1 파지부의 전극 배열부에 배열된 차단부와 고주파 전극을 개략적으로 도시한 사시도이다.

도 9A는 제5 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제2 파지부에 인접한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 9B는 도 9A의 선 9B-9B를 따라 취한 제5 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 9C는 도 9A의 선 9B-9B를 따라 취한 제5 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 10A는 제6 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제2 파지부에 인접한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 10B는 도 10A의 선 10B-10B를 따라 취한 제6 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 11A는 제7 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제2 파지부에 인접한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 11B는 도 11A의 선 11B-11B를 따라 취한 제7 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 및 제2 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 11C는 도 11A의 선 11B-11B를 따라 취한 제7 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제1 및 제2 파지부의 본체의 말단을 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 12는 본 발명의 제8 실시예에 따른 치료 시스템을 도시한 개략도이다.

도 13A는 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치에서 파지부의 제1 파지부와 제2 파지부가 폐쇄된 상태와 샤프트를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 13B는 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치에서 파지부의 제2 파지부가 제1 파지부에 대해 개방된 상태와 샤프트를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 14A는 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제2 파지부에 인접한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 14B는 도 14A의 선 14B-14B를 따라 취한 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 14C는 도 14A의 선 14C-14C를 따라 취한 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부에서 제1 파지부를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 15A는 도 14A의 선 14C-14C를 따라 취한 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 15B는 도 14A의 선 14C-14C를 따라 취한 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 15C는 도 14A의 선 14C-14C를 따라 절단된 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 15D는 도 14A의 선 14C-14C를 따라 절단된 제8 실시예에 따른 전기 수술 장치의 파지부의 제1 파지부의 변경예를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 16A는 제9 실시예에 따른 레이저 치료 장치의 파지부의 제2 파지부에 인접한 측면에 배치된 제1 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 16B는 도 16A의 선 16B-16B를 따라 취한 제9 실시예에 따른 레이저 치료 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 16C는 도 16A의 선 16C-16C를 따라 취한 제9 실시예에 따른 레이저 치료 장치의 파지부의 제1 파지부를 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 17은 본 발명의 제10 실시예에 따른 치료 시스템을 도시한 개략도이다.

도 18A는 제10 실시예에 따른 전기 수술 장치의 본체측 파지부가 착탈측 파지부와 결합되고 착탈측 파지부가 본체측 파지부에서 멀리 배치된 상태를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 18B는 제10 실시예에 따른 전기 수술 장치의 본체측 파지부가 착탈측 파지부와 결합되고 착탈측 파지부가 본체측 파지부에 인접 배치된 상태를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 19A는 제10 실시예에 따른 전기 수술 장치의 본체측 파지부와 착탈측 파지부가 서로 분리된 상태를 도시한 개략도이다.

도 19B는 제10 실시예에 따른 전기 수술 장치의 본체측 파지부와 착탈측 파지부가 서로 분리된 상태를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

도 20은 제10 실시예에 따른 전기 수술 장치의 본체측 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 21은 제11 실시예에 따른 전기 수술 장치의 본체측 파지부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 22A는 제12 실시예에 따른 전기 수술 장치의 본체측 파지부와 착탈측 파지부가 서로 분리된 상태를 도시한 개략도이다.

도 22B는 제12 실시예에 따른 전기 수술 장치의 본체측 파지부와 착탈측 파지부가 서로 분리된 상태를 개략적으로 도시한 종단면도이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.

[제1 실시예]

이하, 도 1 내지 도 5D를 참조로 제1 실시예를 설명한다.

본 실시예에서는, 에너지 치료 장치의 일예로 예컨대 복벽을 통한 치료를 수행하는 선형 이극식(bipolar) 전기 수술 장치(12)를 설명한다.

도 1에 도시된 바와 같이, 처리 시스템(10)은 전기 수술 장치(치료 장치)(12)와 에너지원(14)을 포함한다.

전기 수술 장치(12)는 핸들(22), 샤프트(24) 및/또는 개폐식 파지부(26)를 포함한다. 핸들(22)은 케이블(28)을 통해 에너지원(14)과 연결된다. 에너지원(14)은 풋 스위치와 핸들 스위치(미도시)에 연결된다. 따라서 이들 풋 스위치와 핸드 스위치는 에너지원(14)에서 전기 수술 장치(12)로의 에너지 공급을 온/오프하도록 사용자에 의해 조작된다.

핸들(22)은 사실상 L-형상으로 형성된다. 샤프트(24)는 핸들(22)의 일단에 배치된다. 케이블(28)은 샤프트(24)와 동축 배치된 핸들(22)의 기부(proxiaml)측에서 연장된다.

한편, 핸들(22)의 타단은 사용자가 파지하는 손잡이이다. 핸들(22)은 핸들(22)의 타단에 배열되는 파지부 개폐 노브(32)를 포함한다. 파지부 개폐 노 브(32)는 핸들(22)의 사실상 중심에 위치하는 샤프트(24)의 후술하는 외피(44)의 기부단(proximal end)과 연결된다. 파지부 개폐 노브(32)가 핸들(22)의 타단으로 접근하거나 멀어질 때, 외피(44)는 샤프트(24)의 축방향을 따라서 이동한다.

도 2A 및 도 2B에 도시된 바와 같이, 샤프트(24)는 원통형 부재(42)와 원통형 부재(42) 외부에 활주 가능하게 배치되는 외피(24)를 포함한다. 원통형 부재(42)의 기부단은 핸들(22)에 고정된다. 외피(44)는 원통형 부재(42)의 축방향을 따라 활주 가능하다.

원통형 부재(42) 외부에는 오목부(46)가 원통형 부재(42)의 축방향을 따라 형성된다. 오목부(46)에는 후술하는 제1 고주파 전극(56)에 연결된 제1 도전 라인(92a)이 마련된다. 후술하는 제2 고주파 전극(58)에 연결된 제2 도전 라인(92b)은 원통형 부재(42)를 통과한다.

또한, 샤프트(24)의 원통형 부재(42)와 외피(44)에는 증기(가스)나 액체(조직액)(후술함)와 같은 유체를 배출하는 유체 배출구(48a, 48b)가 마련된다. 유체 배출구(48a, 48b)는 샤프트(24)의 기부단에 형성된다.

여기에서, 외피(44)의 유체 배출구(48b)에는 연결 마우스피스(미도시)가 배치될 수 있다. 이때, 나중에 배출되는 유체는 제1 유체 배출홈(84a), 제2 유체 배출홈(84b) 및 연결 마우스피스를 통해 배출된다. 이 경우, 증기 또는 액체와 같은 유체가 연결 마우스피스를 통해 흡입되면, 유체는 유체 배출구(48a, 48b)로부터 용이하게 배출될 수 있다.

유체 배출구(48a, 48b)가 샤프트(24)에 배열되는 것이 바람직하지만, 이들 배출구는 샤프트(24)가 아닌 핸들(22)에 배열되는 것도 바람직하다는 것을 주의해야 한다.

도 1 내지 도 2B에 도시된 바와 같이, 샤프트(24)의 말단(distal end)에는 파지부(26)가 배치된다. 도 2A 및 도 2B에 도시된 바와 같이, 파지부(26)는 제1 파지부(52)와, 제2 파지부(54)와, 출력부 또는 에너지 방출부인 제1 고주파 전극(56)과, 다른 출력부 또는 다른 에너지 방출부인 제2 고주파 전극(58)을 포함한다.

바람직하게는, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)는 각각 완전한 절연성을 갖는다. 특히, 후술하는 전극 배열부(86)의 주변 영역은 절연성을 갖도록 형성된다.

제1 파지부(52)는 제1 고주파 전극(56)이 마련된 제1 파지부 본체(이하, 주로 "본체")(62)와 본체(62)의 기부단에 배치된 기부(base portion)(64)를 일체로 포함한다. 제2 파지부(54)는 제2 고주파 전극(58)이 마련된 제2 파지부 본체(이하, 주로 "본체")(66)와 본체(66)의 기부단에 배치된 기부(68)를 일체로 포함한다.

제1 파지부(52)의 기부(64)는 샤프트(24)의 원통형 부재(42)의 말단에 고정된다. 한편, 제2 파지부(54)의 기부(68)는 샤프트(24)의 축방향과 직각으로 교차하는 방향으로 배치된 지지핀(72)에 의해 샤프트(24)의 원통형 부재(42)의 말단에서 회전 가능하게 지지된다. 제2 파지부(54)는 제1 파지부(52)에 대해 개폐되도록 지지핀(72)의 축을 중심으로 회전할 수 있다. 또한, 제2 파지부(54)는 판 스프링과 같은 탄성부재(74)에 의해 제1 파지부(52)에 대해 개방되도록 가압된다.

도 3B 및 도 3C에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 본 체(62, 66)의 외면은 매끄러운 곡면으로 형성된다. 마찬가지로, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)의 외면도 매끄러운 곡면으로 형성된다. 제2 파지부(54)가 제1 파지부(52)에 대해 폐쇄된 동안, 파지부(52, 54)들의 본체(62, 66)의 단면들은 도 3C에 도시된 바와 같이 각각 사실상 원형이나 타원형으로 형성된다. 제2 파지부(54)가 제1 파지부(52)에 대해 폐쇄될 때, 기부(64, 68)는 원통형으로 형성된다. 이 상태에서, 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 본체(62, 66)의 기부단 각각의 직경은 기부(64, 68) 각각의 직경보다 크도록 형성된다. 또한, 각각 본체(62, 66)와 기부(64, 68) 사이에는 단차부(76a, 76b)가 형성된다.

여기에서, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)에서, 제2 파지부(54)가 제1 파지부(52)에 대해 폐쇄된 동안, 파지부(52, 54)의 기부(64, 68)를 결합함으로써 형성되는 사실상 원형 또는 타원형의 외주면은 원통형 부재(42)의 말단의 외주면과 사실상 동일한 평면이거나 외주면의 직경은 원통형 부재(42)의 말단의 외주면보다 약간 크게 형성된다. 따라서 외피(44)는 외피(44)의 말단으로 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)를 덮도록 원통형 부재(42)에 대해 활주될 수 있다. 이 상태에서, 도 2A에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)는 탄성부재(74)의 가압력을 받아 폐쇄된다. 한편, 외피(44)는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)가 외피(44)의 말단에 의해 덮힌 상태로부터 원통형 부재(42)의 기부단쪽으로 활주된다. 이 경우, 도 2B에 도시된 바와 같이, 제2 파지부(54)는 탄성부재(74)의 가압력에 의해 제1 파지부(52)에 대해 개방된다.

도 3B 및 도 3C에 도시된 바와 같이, 제2 파지부(54)의 본체(66)에 인접한 제1 파지부(52)의 본체(62)의 측면에는, 생체 조직과 접촉하는 모서리부(차단부)(82a)의 표면(이하, 접촉면)이 예컨대 편평한 형상으로 형성된다. 도 3A 내지 도 3C에 도시된 바와 같이, 증기나 고온의 액체와 같은 유체의 채널로서 개방된 제1 유체 배출홈(제1 채널)(84a)이 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 내측면 상에 형성된다. 제1 유체 배출홈(84a)은 오목부를 갖도록 환형으로 형성된다. 또한, 제1 파지부(52)의 기부(64)에는 증기나 액체와 같은 유체의 채널로서 개방되고 오목부를 갖도록 환형으로 형성된 제2 유체 배출홈(84b)이 마련된다. 제2 유체 배출홈(84b)은 샤프트(24)의 축방향을 따라 제1 유체 배출홈(84a)으로부터 연속으로 형성된다.

본체(62)에 형성된 제1 유체 배출홈(84a)의 내측면에는 제1 고주파 전극(56)이 배치되는 안착부로서 전극 배열부(86)가 형성된다. 전극 배열부(86)는 본체(62)의 모서리부(82a)의 접촉면의 위치보다 낮은 위치에 존재한다. 즉, 전극 배열부(86)는 본체(62)의 모서리부(82a)에 대해 리세스 상태로 형성된다.

제2 파지부(54)와 대면하는 판형의 생체 조직과 제1 고주파 전극(56) 간의 접촉면은 편평면으로 형성되고, 제1 고주파 전극(56)은 전극 배열부(86)에 고정된다. 예컨대, 제2 파지부(54)와 대면하는 측에 대향하는 측면 상에서 제1 고주파 전극(56)의 기부단은 제1 전극 커넥터(88a)와 전기적으로 접속된다. 제1 전극 커넥터(88a)는 제1 도전 라인(92a)을 거쳐 핸들(22)로부터 연장되는 케이블(28)과 연결된다.

또한, 도 3B 및 도 3C에 도시된 바와 같이, 제1 고주파 전극(56)이 제1 파지 부(52)의 본체(62)의 전극 배열부(86)에 배치된 상태에서, 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 접촉면은 제1 고주파 전극(56)의 표면으로부터 돌출된다. 즉, 제1 파지부(54)의 모서리부(82a)의 접촉면은 제1 고주파 전극(56)의 표면보다 높은 위치에 존재한다. 접촉면과 표면 사이의 높이차는 예컨대 대략 0.5 mm로 설정된다.

비록 도시되지는 않았지만, 제2 파지부(54)의 본체(66)와 제2 고주파 전극(58)은 제1 파지부(52)의 본체(62)와 제1 고주파 전극(56)에 대해 대칭으로 형성되는 것을 주의해야 한다. 따라서 제2 파지부(54)가 제1 파지부(52)에 대해 폐쇄될 때, 제1 파지부(52)의 본체(62)의 모서리부(82a)와 제2 파지부(54)의 본체(66)의 모서리부(82b)가 서로 접하지만(도 3C 참조), 도 2A에 도시된 바와 같이 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58) 사이에는 공간(S)이 형성된다.

도 3A 및 도 3C에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)의 모서리부(차단부)(82a) 외부에는 가스나 액체(냉각수)와 같은 냉각 유체를 통과시키는 도관(제2 채널)(98)이 마련된 도관 배열부(96)가 형성된다. 도관 배열부(96)에 배치된 도관(98)은 예컨대 원통형으로 형성된다. 도관(98)의 외주면은 모서리부(82a)의 접촉면에서 수직 연장되는 표면과 접촉하도록 배치된다. 즉, 축방향을 따르는 도관(98)의 외주면의 일부는 모서리부(82a)의 접촉면의 일부와 사실상 동일한 면이다.

또한, 도관(98)은 예컨대 샤프트(24)의 원통형 부재(42)를 통과하게 되거나, 오목부가 원통형 부재(42)의 외주면에 형성된다. 그 결과, 도관(98)은 예컨대 핸들(22)까지 연장된다. 도관(98)은 핸들(22)에서 연장되어 케이블(28)을 따라 배치 되고 펌프(미도시)와 연결된다. 그 결과, 냉각수와 같은 유체가 도관(98)을 통해 순환될 수 있다.

도관(98)은 높은 열전도도를 갖는 예컨대 금속재 등으로 형성되는 것을 주의해야 한다. 따라서 유체가 도관(98)을 통과할 때, 유체의 온도는 도관(98)의 외주면으로 전달된다. 즉, 도관(98)의 외주면은 냉각된다.

이하, 본 실시예에 따른 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

도 2A에 도시된 바와 같이, 제2 파지부(54)가 제1 파지부(52)에 대해 폐쇄된 동안, 전기 수술 장치(12)의 파지부(26)와 샤프트(24)는 복벽을 통해 복강으로 삽입된다. 전기 수술 장치(12)의 파지부(26)는 치료 대상인 생체 조직에 대향된다.

치료 대상인 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 파지되면, 핸들(22)의 파지부 개폐 노브(32)가 조작된다. 이때, 외피(44)는 원통형 부재(42) 상에서 샤프트(24)의 기부측으로 이동된다. 원통형상은 탄성부재(74)의 가압력으로 인해 기부(64, 68) 사이에서 유지될 수 없으며, 제2 파지부(54)는 제1 파지부(52)로부터 개방된다.

또한, 치료 대상인 생체 조직은 제1 파지부(52)의 제1 고주파 전극(56)과 제2 파지부(54)의 제2 고주파 전극(58) 사이에 배치된다. 이 상태에서, 핸들(22)의 파지부 개폐 노브(32)가 조작된다. 이때, 외피(44)는 원통형 부재(42)에 대해 샤프트(24)의 말단측쪽으로 이동된다. 기부(64, 68)는 기부(64, 68) 사이에 원통 형상을 형성하도록 탄성부재(74)의 가압력에 대해 외피(44)에 의해 폐쇄된다. 그 결과, 기부(64)가 일체로 형성된 제1 파지부 본체(62)와 기부(68)가 일체로 형성된 제2 파지부 본체(66)는 폐쇄된다. 즉, 제2 파지부(54)는 제1 파지부(52)에 대해 폐쇄된다. 그 결과, 치료 대상인 생체 조직은 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 협지된다.

이때, 치료 대상인 생체 조직은 제1 파지부(52)에 배치된 제1 고주파 전극(56) 및 제2 파지부(54)에 배치된 제2 고주파 전극(58)과 접촉하게 된다. 치료 대상인 생체 조직의 주변 조직은 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 접촉면 및 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)의 접촉면 모두와 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 모서리부(82a, 82b) 외부에 배치된 도관(98)과 밀접 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)은 케이블(28), 제1 및 제2 도전 라인(92a, 92b) 및 제1 및 제2 도전 커넥터(88a, 88b)를 거쳐 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58)으로 에너지를 공급한다. 한편, 냉각수는 도관(98)으로 공급된다.

제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58) 사이에는 고주파 전류가 치료 대상인 생체 조직을 통해 통전된다. 그 결과, 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58) 사이에 파지된 생체 조직은 가열된다.

상술한 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 발생한다. 즉, 생체 조직의 열은 생체 조직을 통해 전달된다. 따라서 생체 조직이 제1 및 제2 파지부(52, 54)의 모서리부(82a, 82b)와 밀접 접촉하더라도, 열이 모서리부(82a, 82b)를 넘어 제1 및 제2 파지부(52, 54) 외부에 배치된 생체 조직까지 확산하는 경우가 있다.

여기에서, 냉각수는 모서리부(82a, 82b) 외측에 배열된 도관(98)으로 공급된다. 따라서 높은 열전도도를 갖는 도관(98)의 외주면과 밀접 접촉하는 생체 조직은 냉각된다. 그 결과, 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58) 사이의 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 확산되는 열의 영향은 도관(98)과 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다. 즉, 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직을 냉각할 때 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 진행되는 열의 확산은 억제된다.

또한, 치료 대상인 생체 조직이 가열될 때, 생체 조직은 액체 성분(수분)을 포함하기 때문에 예컨대 고온 증기나 정상 온도에서 고온까지 체액(조직액)과 같은 액체인 유체가 때로 생성된다.

여기에서, 제1 고주파 전극(56)이 제1 파지부(52)의 본체(62)의 전극 배열부(86)에 고정될 때, 제2 파지부(54)측 상에 노출된 제1 고주파 전극(56)의 표면은 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 접촉면의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 마찬가지로, 제2 고주파 전극(58)이 제2 파지부(54)의 본체(66)의 전극 배열부(86)에 고정될 때, 제1 파지부(52)측 상에 노출된 제2 고주파 전극(58)의 표면은 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)의 접촉면의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 따라서 생체 조직에서 생성된 증기나 액체와 같은 유체는 제1 파지부(52)의 모서리부(82a) 및 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)의 내측면과 충돌한다. 이때, 모서리부(82a, 82b)의 접촉면은 치료 대상인 생체 조직의 주변 조직과 밀접 접촉하기 때 문에, 모서리부(82a, 82b)의 내측면은 증기나 액체와 같은 유체가 외부로 누출되는 것을 방지하는 차단부(댐)의 기능을 수행한다.

이 경우, 생체 조직에서 생성되는 증기나 액체와 같은 유체는 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 본체(62, 66)의 모서리부(82a, 82b)의 내측면과 충돌하여 제1 유체 배출홈(84a) 상에서 리드(lead)한다. 또한, 유체는 제1 유체 배출홈(84a)과 연통된 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)의 제2 유체 배출홈(84b)쪽으로 흐른다.

유체는 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)의 제2 유체 배출홈(84b)으로부터 원통형 부재(42) 상에서 리드한다. 또한, 유체는 샤프트(24)로부터 원통형 부재(42)의 유체 배출구(84a)와 외피(44)의 유체 배출구(48b)를 통해 유출된다.

또한, 생체 조직과 모서리부(82a, 82b)의 접촉면 사이에 간극이 있는 경우, 유체는 생체 조직과 모서리부(82a, 82b) 사이의 간극으로부터 배출된다. 이 경우, 유체는 도관(98)과 접촉한다. 그 결과, 유체는 냉각된다. 예컨대, 고온 유체가 이런 방식으로 파지부(26)로부터 배출되더라도, 유체는 도관(98)과 접촉함으로써 냉각되어 파지부(26)에 협지된 생체 조직 주변의 생체 조직이 영향을 받는 것을 방지한다.

치료를 끝내기 위해서, 풋 스위치와 핸드 스위치의 작업이 종료된다. 이 경우, 에너지원(14)에서 제1 고주파 전극(56) 및 제2 고주파 전극(58)으로의 에너지 공급은 종료되고 도관(98)으로의 냉각수 공급도 종료된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 경우, 냉각을 위한 유체가 각각 통과하는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 도관(98)은 치료 대상인 생체 조직의 주변 조직과 밀접 접촉하게 될 수 있다. 그 결과, 도관(98)과 밀접 접촉하는 생체 조직이 냉각될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 진행되는 시기의 영향은 도관(98)과 접촉하는 부분에서 억제될 수 있다. 이 경우, 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의해 대상 조직 이외의 주변 조직이 영향을 받는 것이 보다 확실히 방지될 수 있다.

이런 방식으로 냉각을 위한 유체를 통과시킬 수 있는 도관(98)이 파지부(26) 외부에 배치될 때, 열확산이 발생하는 영역은 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 모서리부(82a, 82b)로 확실히 제한될 수 있다.

따라서 본 실시예에 따르면, 상술한 EP1 372 505 B1과 달리, 생체 조직은 열확산을 보다 확실히 억제하도록 직접 냉각될 수 있다.

또한, 생체 조직에 대한 열적 영향의 억제는 본 실시예에서와 같이 유체가 조직과 접촉하지 않는 위치로 증기나 액체와 같은 유체를 안내하는 채널을 배치하는 것이 유용하다. 예컨대, 파지부(26)를 덮을 정도로 파지부(26)보다 큰 조직이 치료될 때, 파지부(26)의 외측이 배출된 유체에 의해 열적으로 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 이런 특별히 큰 효과가 얻어질 수 있다. 증기나 액체와 같은 유체가 누출되는 작은 개방부(공간)가 파지부(26)에 형성되는 경우, 유체는 이 부분 으로부터 배출되고 파지부(26) 주변의 생체 조직은 열적으로 영향을 받는다.

또한, 이런 개방부를 제거하기 위해 고주파 전극(에너지 방출부)(56, 58)의 주연부가 차단부(82a,82b)로 덮히더라도, 개방부는 생성 증기압과 같은 유체 압력에 의해 형성되며 유체가 배출될 수 있다. 이런 문제를 해결하기 위해서는 유체 압력의 상승으로 인해 유체가 불필요하게 배출되는 것을 방지하고 유체를 배출하도록 소정 방향으로 유체를 안내하는 채널(제1 유체 배출홈(84a))을 배치하는 것이 유용한 수단이다.

즉, 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직 자체가 직접 냉각됨으로써 치료 대상인 생체 조직 주변에서 변성이 바람직하지 않은 생체 조직에 대한 열 손상을 방지한다. 또한, 생체 조직에서 생성된 증기와 같은 유체는 제1 유체 배출홈(84a)으로 배출될 수 있다. 치료 대상 주변의 조직은 생체 조직을 직접 냉각하는 기능과 가열된 생체 조직에서 생성되는 유체를 상술한 방식으로 배출하는 기능을 포함하는 두 기능의 상승 효과로 인해 열적으로 손상되는 것이 보다 확실히 방지될 수 있다. 종래 기술과 달리 이런 뛰어난 기능과 효과를 생성하는 전기 수술 장치(12)가 제공될 수 있다.

또한, 전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하면, 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 접촉면과 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)의 접촉면은 각각 생체 조직과 접촉될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 생성되는 증기나 액체와 같은 유체가 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)와 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)쪽으로 흐르더라도, 유 체는 이들 모서리부(82a, 82b)의 내측면 상에서 제1 유체 배출홈(84a)으로 유입될 수 있다.

즉, 제1 고주파 전극(56)이 제2 고주파 전극(58)과 접촉하지 않고 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 협지되는 경우, 모서리부(82a, 82b)가 생체 조직과 밀접 접촉하면, 모서리부(82a, 82b)는 차단부로서 배열될 필요가 없다. 이런 경우에도, 유체는 제1 유체 배출홈(84a) 안으로 유입될 수 있다.

상술한 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직에서 생성된 유체는 제1 고주파 전극(56)과 제1 파지부(52)의 모서리부(82a) 사이 그리고 제2 고주파 전극(58)과 제2 파지부(54)의 모서리부(82b) 사이에 형성된 제1 유체 배출홈(84a)과, 파지부(26)의 기부(64, 68)에 형성된 제2 유체 배출홈(84b)과, 샤프트(24)의 원통형 부재(42)의 유체 배출구(48a)와, 외피(44)의 유체 배출구(48b)를 통해 전기 수술 장치(12)로부터 배출될 수 있다. 따라서 증기나 액체와 같은 유체가 파지부(26)에 의해 파지된 생체 조직 주변으로 누출되는 것이 방지될 수 있다. 그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 증기에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 상술한 바와 같이, 모서리부(82a, 82b)의 접촉면은 제1 및 제2 고주파 전극(56, 58)의 표면의 위치보다 높은 위치에 차단부로서 배열된다. 그 결과, 생체 조직과 모서리부(82a, 82b) 간의 밀접 접촉 특성을 개선하는 것이 가능하다. 따라서 증기나 액체와 같은 유체는 제1 유체 배출홈(84a)으로 보다 확실히 유입될 수 있다.

또한, 고온의 유체가 생체 조직과 모서리부(82a, 82b) 사이의 간극을 통해 제1 및 제2 파지부(52, 54)로부터 배출되더라도, 유체는 도관(98)과 접촉함으로써 냉각될 수 있다. 따라서 파지부(26)에 의해 파지된 생체 조직 주변의 생체 조직은 영향을 받지 않게 된다.

본 실시예에서는 생체 조직과 접촉하는 고주파 전극(56, 58)의 표면과 모서리부(82a, 82b)의 접촉면이 편평하지만, 이들 표면은 치료 대상인 생체 조직의 형상에 따라 예컨대 요철면, 만곡면 등과 같이 다양하게 변경될 수 있다는 것을 주의해야 한다.

본 실시예에서는, 제1 파지부(52)에 제1 고주파 전극(56)이 마련되고 제2 파지부(54)에 제2 고주파 전극(58)이 마련된 이극성 전기 수술 장치(12)를 설명했다. 또한, 바람직하게는, 본 실시예는 고주파 전극이 예컨대 제1 파지부(52)나 제2 파지부(56)에만 배치되거나 파지부(52, 54)들에 동일한 극성의 전극이 각각 마련되는 단극성 전기 수술 장치(미도시)에도 마찬가지로 적용된다. 즉, 바람직하게는, 제1 유체 배출홈(84a)이 마찬가지로 파지면인 전극과 파지부들(52, 54)의 모서리부(82a, 82b) 사이에 형성된다.

본 실시예에서는, 단차부(76a)가 제1 파지부(52)의 본체(62)와 기부(64) 사이에 배치되고 단차부(76b)가 제2 파지부(54)의 본체(66)와 기부(68) 사이에 배치되는 것으로 설명되었다. 또한, 바람직하게는, 이들 단차부(76a, 76b)를 배치하는 대신에, 본체(62, 66)와 기부(64, 68)는 예컨대 테이퍼 형상으로 형성된다. 물론, 이 경우에 외피(44)의 기부단은 기부(64 또는 68)의 직경보다 큰 직경을 갖도록 형성된다. 이때, 외피(44)가 원통형 부재(42)의 말단쪽으로 이동해서 테이퍼부와 결합되면, 파지부(26)는 폐쇄된다. 외피(44)가 원통형 부재(42)의 기부단쪽으로 이동하여 테이퍼부에서 멀어질 때 파지부(26)는 개방된다.

본 실시예에는 복벽을 통해 (신체 내부의) 복강에서 생체 조직을 치료하기 위한 선형 전기 수술 장치(12)를 일예로 설명했다. 그러나, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 생체 조직을 치료하기 위해 복벽을 통해 신체 외부로 치료 대상 조직을 취출하는 개방식 선형 전기 수술 장치(치료 장치)(12a)가 사용될 수 있다.

전기 수술 장치(12a)는 핸들(22)과 파지부(26)를 포함한다. 즉, 복벽을 통해 조직을 치료하기 위한 전기 수술 장치(12)와 달리, 샤프트(24)(도 1)가 생략된다. 한편, 샤프트(24)의 기능과 유사한 기능을 갖는 부재가 핸들(22)에 배치된다. 따라서 본 실시예의 장치는 도 1을 참조하여 상술한 전기 수술 장치(12)에서와 같은 방식으로 사용될 수 있다.

예컨대, 개방식 선형 전기 수술 장치(12a)가 이런 방식으로 사용될 때, 증기와 같은 유체는 제1 유체 배출홈(84a)을 통해서 제1 및 제2 파지부(52, 54)의 본체(62, 66)로부터 직접 생체 조직으로부터 배출될 수 있다. 즉, 바람직하게는, 제1 및 제2 파지부(52, 54)의 본체(62, 66) 내에 제1 유체 배출홈(84a)과 연통하는 증기 배출용 개구를 배치한다. 생체 조직이 증기와 같은 유체에 의해 열적 영향을 받는다면, 유체는 생체 조직이 사실상 영향을 받지 않도록 선택적으로 배치되는 유 체 배출용 개구(미도시)를 갖는 전기 수술 장치(12a)의 사용에 의해 파지부(26)로부터 배출될 수 있다. 따라서 생체 조직 공동 내의 생체 조직이 치료되는 경우에도, 파지부(26)와 생체 조직 간의 위치 관계에 따라 도 1에 도시된 전기 수술 장치(12)를 이용하는 것이 허용된다. 이는 후술하는 제10 실시예(도 17 참조)의 원형 전기 수술 장치(12c)에도 적용된다.

도 5A 내지 도 5D의 예에서 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 파지부(52, 54)의 구조는 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.

도 5A는 도관 배열부(96)에 배치된 도관(98)의 단면이 사실상 직사각형으로 형성된 상태를 도시한다. 또한, 도관(98)의 측면은 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 접촉면과 사실상 동일 평면에 배치된다. 따라서 생체 조직과 도관(98) 간의 접촉 영역은 더욱 확장될 수 있다.

도 5B는 원통형 도관(98)이 모서리부(82b)의 접촉면 아래에 형성된 상태를 도시한다.

도 5C는 제1 고주파 전극(56)이 도관(98)과 접촉함으로써 원통형 도관(98)이 절연 특성을 갖고 도관(98)이 차단부로서 기능하는 상태를 도시한다. 따라서 모서리부(82a, 82b)를 위한 공간이 전혀 요구되지 않기 때문에, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 폭이 저감될 수 있다. 대안으로서, 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58)의 폭이 증가될 수 있다.

도 5D는 제2 파지부(54)에서 떨어져 있는 측면에 위치된 제1 파지부(52)의 본체가 방열체(방열부재)(108)에 의해 덮힌 상태를 도시한다. 방열체(108)는 예컨 대 높은 열전도도를 갖는 금속재로 형성된다. 외부 공기 등과의 접촉 면적을 증가시키기 위해, 방열체(108)의 외주면에는 도면부호 108a로 지시되는 복수의 돌기 또는 휜(fin)이 마련된다. 모서리부(82a, 82b)와 도관(98)은 제1 파지부(52)의 제1 유체 배출홈(84a)에서 생략되어 있다는 것을 주의해야 한다. 방열체(108)의 단부도 차단부(모서리부의 접촉면)의 기능을 수행한다.

따라서 열적 확산으로 인해 주변 생체 조직으로 열이 전달되는 경우, 생체 조직이 방열체(108)와 접촉하면, 생체 조직을 통해 전달되는 열은 방열체(108)로 전달된다. 방열체(108)는 외부와의 접촉 면적을 확장시키기 위해 형성되기 때문에, 방열체와 외부 사이의 열교환은 생체 조직에서 열을 효율적으로 방출하도록 수행될 수 있다.

방열체(108)가 금속재로 형성되는 경우, 방열체를 절연 코팅으로 피복하는 것이 바람직하다는 것을 주의해야 한다.

[제2 실시예]

다음으로, 도 6A 내지 도 6C를 참조로 제2 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제1 실시예의 변경예이며, 제1 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재는 동일한 도면부호에 의해 지시되며, 그 상세한 설명은 생략한다.

도 6C에 도시된 바와 같이, 제1 유체 배출홈(84a)(도 3A 내지 도 3C 참조)이 제1 파지부(52)의 본체(62)의 모서리부(82a)에서 제거된다. 또한, 제1 파지부(52)의 본체(62)의 모서리부(82a)에서, 제1 고주파 전극(56)이 설치될 안착부인 전극 배열부(86)가 모서리부(82a)에 인접하게 형성된다. 전극 배열부(86)에는 본체(62) 의 축방향을 따라 제1 유체 배출홈(112a)이 마련된다. 도 6B 및 도 6C에 도시된 바와 같이, 제1 유체 배출홈(112a)은 제1 파지부(52)의 기부(64)의 제2 유체 배출홈(112b)과 연속으로 형성된다.

도 6B 및 도 6C에 도시된 바와 같이, 제1 고주파 전극(56)의 표면과 모서리부(82a)의 접촉면 사이에는 단차부가 형성된다. 모서리부(82a)의 접촉면은 제1 고주파 전극(56)의 표면의 위치보다 높은 위치에 배치된다. 이 단차부는 예컨대 약 0.5 mm이다.

제1 고주파 전극(56)에는 본체(62)의 축방향을 따라 소정 간격을 두고 제1 고주파 전극(56)을 통해 연장되는 원형 구멍(114)이 마련된다. 원형 구멍(114)은 전극 배열부(86)의 제1 유체 배출홈(112a)과 연통된다. 본 실시예에서는 원형 구멍(114)이 설명되어 있지만 타원형 구멍이나 다각형 구멍과 같이 다양한 형상의 구멍이 가능하다는 것을 주의해야 한다.

이하, 본 실시예에 따르는 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 파지된다. 이때, 모서리부(차단부, 82a)의 접촉면은 생체 조직과 밀접 접촉하고, 생체 조직은 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58)과 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54) 외부에 배치된 도관(98)과 밀접 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)이 각각 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58)으로 에너지를 공급한다. 한편, 냉각 수는 도관(98)으로 공급된다. 또한, 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58) 사이에 파지된 생체 조직은 가열된다.

상술한 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 발생한다.

여기에서, 냉각수는 각각 모서리부(82a, 82b) 외측에 배열된 도관(98)으로 공급된다. 따라서 높은 열전도도를 갖는 도관(98)의 외주면과 밀접 접촉하는 생체 조직은 냉각된다. 따라서 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58) 사이의 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의한 영향은 도관(98)과 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다. 즉, 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직이 냉각됨으로써 치료 대상인 생체 조직에서 주변 조직으로 진행되는 열의 확산을 억제한다.

또한, 치료 대상인 생체 조직이 가열될 때, 고온 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직의 가열된 부분에서 생성된다.

여기에서, 제1 고주파 전극(56)이 제1 파지부(52)의 본체(62)의 전극 배열부(86)에 고정될 때, 제2 파지부(54)측 상에 노출된 제1 고주파 전극(56)의 표면은 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 접촉면 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 마찬가지로, 제2 고주파 전극(58)이 제2 파지부(54)의 본체(66)의 전극 배열부(86)에 고정될 때, 제1 파지부(52)측 상에 노출된 제2 고주파 전극(58)의 표면은 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)의 접촉면 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 따라서 제1 파지부(52)의 모서리부(82a) 및 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)는 생체 조직에서 생성된 유체가 외부로 누출되는 것을 방지하는 차단부(댐)의 기능을 수행한 다.

이 경우, 생체 조직에서 생성된 유체는 제1 파지부(52)의 본체(62)의 제1 고주파 전극(56)의 원형 구멍(114)과 제2 파지부(54)의 본체(66)의 제2 고주파 전극(58)의 원형 구멍(114)을 통해서 제1 유체 배출홈(112a) 상에서 리드한다. 또한, 유체는 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)의 제2 유체 배출홈(84b)쪽으로 흐른다.

또한, 생체 조직과 모서리부(82a, 82b) 사이에 간극이 있는 경우, 증기나 액체와 같은 유체는 생체 조직과 모서리부(82a, 82b) 사이의 간극으로부터 배출된다. 이 경우, 유체는 도관(98)과 접촉한다. 그 결과, 유체는 냉각된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 경우, 냉각을 위한 유체가 각각 통과하는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 도관(98)들은 치료 대상인 생체 조직의 주변 조직과 밀접 접촉하게 될 수 있다. 그 결과, 도관(98)과 밀접 접촉하는 생체 조직이 냉각될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 진행되는 시기의 영향은 도관(98)과 접촉하는 부분에서 억제될 수 있다. 이 경우, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의해 영향을 받는 것이 확실히 방지될 수 있다.

따라서 제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 냉각을 위한 유체를 통과시킬 수 있는 도관(98)이 파지부(26) 외측에 배치될 때, 열확산이 발생하는 영역은 제1 파 지부(52)와 제2 파지부(54)의 모서리부(82a, 82b)로 확실히 제한될 수 있다.

또한, 전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 협지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하면, 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 접촉면과 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)의 접촉면은 각각 생체 조직과 밀접 접촉될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 생성되는 유체가 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)와 제2 파지부(54)의 모서리부(82b)쪽으로 흐르더라도, 유체는 고주파 전극(56, 58)의 원형 구멍(114)의 내측면 상에서 제1 유체 배출홈(84a)으로 유입될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 제1 실시예와 동일한 방식으로, 고온의 유체가 제1 및 제2 파지부(52, 54)로부터 배출되더라도, 유체는 도관(98)과 접촉함으로써 냉각될 수 있다. 그 결과, 파지부(26)에 의해 파지된 생체 조직 주변의 생체 조직은 영향을 받지 않게 된다.

본 실시예에서는 유체가 원형 구멍(114)을 통해서 제1 유체 배출홈(112a) 상에서 리드하는 것으로 설명되었지만, 제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 제1 유체 배출홈(84a)(도 3A)은 전극 배열부(86) 및 제1 고주파 전극(86)과 모서리부(82a, 82b) 사이에 추가로 배치되는 것도 바람직하다는 것을 주의해야 한다. 즉, 제1 파 지부(52)의 본체(62)에 두 개의 유체 배출홈(84a, 112a)이 구비되는 것도 바람직하다. 이 경우, 유체 배출홈(84a)은 전극 배열부(86)에 위치된 다른 유체 배출홈(112a)과 연통된다.

[제3 실시예]

다음으로, 도 7A 내지 도 7D를 참조로 제3 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제2 실시예의 변경예이며, 제2 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재는 동일한 도면부호에 의해 지시되며, 그 상세한 설명은 생략한다.

도 7A 내지 도 7C에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)의 본체(62)에는 높은 열전도도를 갖는 도관(98)이 배치된 도관 배열부(96)가 마련된다. 도관(98) 상에는 냉각판(146)이 배치된다. 즉, 제1 파지부(52)의 본체(62)에는 도관(98)을 덮기 위한 냉각판(146)이 마련된다. 냉각판(146)에는 두 줄의 원형 전극 배열부(122)가 소정 간격을 두고 형성된다. 전극 배열부(122)에는 차단부들(124)이 마련된다. 각각의 차단부(124)의 내측면 상에는 전극의 중심부에 관통구멍(126a)을 갖는 제1 고주파 전극(126)이 출력부 또는 에너지 방출부로서 배치된다.

제2 파지부(54)에 인접한 측면 상의 제1 고주파 전극(126)의 표면은 차단부(124)의 위치보다 낮은 위치에 존재한다. 즉, 차단부(124)는 제1 고주파 전극(126)의 표면 상부에 존재하며, 차단부(124)와 제1 고주파 전극(126) 사이에는 단차부가 형성된다.

도 7B 및 도 7C에 도시된 바와 같이, 본체(62)에는 본체(62)의 축방향을 따라 제1 유체 배출홈(128a)이 마련된다. 제1 유체 배출홈(128a)은 제1 고주파 전 극(126)의 관통구멍(126a)들과 각각 연통된다. 제1 유체 배출홈(128a)은 제1 파지부(52)의 기부(64)의 제2 유체 배출홈(128b)과 연속으로 형성된다.

제2 파지부(54)는 제1 파지부(52)와 유사한 구조를 갖기 때문에, 차단부와 고주파 전극을 제1 파지부(52)에서 사용된 도면부호를 이용하여 지시하고 그 상세한 설명은 생략함을 주의해야 한다.

다음으로, 본 실시예에 따른 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 협지된다. 이때, 차단부(124)는 생체 조직과 밀접 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 고주파 전극(126) 및 제2 고주파 전극(126)과 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54) 외부에 배치된 냉각판(146)과 밀접 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)은 각각 제1 고주파 전극(126)과 제2 고주파 전극(126)으로 에너지를 공급한다. 한편, 냉각수는 도관(98)으로 공급된다. 또한, 제1 고주파 전극(126)과 제2 고주파 전극(126) 사이에 파지된 생체 조직은 가열된다.

상술한 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 발생한다.

이때, 제2 실시예에서 설명된 것과 유사한 기능에 따라, 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직을 냉각할 때 치료 대상인 생체 조직에서 주변 조직으로 진행되는 열확산은 억제된다.

여기에서, 냉각수는 각각 제1 및 제2 파지부(52, 54) 외부에 배치된 도관(98)으로 공급된다. 따라서 생체 조직은 높은 열전도도를 갖는 도관(98)의 외주면과 밀접 접촉하는 냉각판(146)을 거쳐 냉각된다. 따라서 제1 고주파 전극(126)과 제2 고주파 전극(126) 사이의 치료 대상인 생체 조직에서 확산되는 열에 의한 영향은 냉각판(146)과 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다. 즉, 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직을 냉각할 때 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산은 억제된다.

또한, 치료 대상인 생체 조직이 가열될 때, 생체 조직은 제1 고주파 전극(126)과 제2 고주파 전극(126) 사이에 파지되고 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직의 가열된 부분으로부터 생성된다.

여기에서, 제1 고주파 전극(126)이 제1 파지부(52)의 본체(62)의 각각의 차단부(124)의 내측면에 고정될 때, 제2 파지부(54)측 상에 노출된 제1 고주파 전극(126)의 표면은 차단부(124)의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 이는 제2 고주파 전극(126)에도 적용된다. 또한, 차단부(124)는 생체 조직과 밀접 접촉되기 때문에, 유체는 외부로 누출되는 것이 방지된다. 이 경우, 생체 조직에서 생성된 유체는 제1 고주파 전극(126)의 관통구멍(126a)과 제2 고주파 전극(126)의 관통구멍(126a)을 통해서 제1 유체 배출홈(126a) 상에서 리드한다. 또한, 유체는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)의 제2 유체 배출홈(128b)쪽으로 흐른다. 생체 조직과 차단부(124) 사이에 간극이 있는 경우, 증기나 액체와 같은 유체는 생체 조직과 차단부(124) 사이의 간극으로부터 배출된다. 이 경우, 유체는 도 관(98)과 접촉한다. 그 결과, 유체는 냉각된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 경우, 냉각된 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 냉각판(146)들은 각각 생체 조직과 밀접 접촉하게 될 수 있다. 그 결과, 냉각판(146)과 밀접 접촉된 생체 조직은 냉각될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 진행되는 시기의 영향은 냉각판(146)과 접촉하는 부분에서 억제될 수 있다. 이 경우, 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의해 대상 조직 이외의 주변 조직이 영향을 받는 것이 방지될 수 있다.

따라서 냉각될 수 있는 표면을 갖는 냉각판(146)이 파지부(26)에 배치되는 경우, 열확산이 발생하는 영역은 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 내로 확실히 제한될 수 있다.

전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하면, 제1 파지부(52)의 차단부(124)와 제2 파지부(54)의 차단부(124)는 각각 생체 조직과 밀접 접촉될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 생성되는 유체가 제1 파지부(52)의 차단부(124)와 제2 파지부(54)의 차단부(124)쪽으로 흐르더라도, 유체는 제1 고주파 전극(126)의 관통구멍(126a)의 내측면 상에서 제1 유체 배출홈(128a)으로 유입될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류 가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(126)과 제2 고주파 전극(126) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 제2 실시예의 도관(98)에서와 동일한 방식으로, 고온의 유체가 제1 및 제2 파지부(52, 54)로부터 배출되더라도, 유체는 냉각판(146)과 접촉함으로써 냉각될 수 있다. 그 결과, 파지부(26)에 의해 협지된 생체 조직 주변의 생체 조직은 영향을 받지 않게 된다.

본 실시예의 전기 수술 장치(12)에서, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)에는 복수의 고주파 전극(126)이 분리되어 마련된다. 따라서 치료 대상은 최소화될 수 있다. 즉, 치료 대상 영역이 각각의 차단부(124)의 내측으로 제한되고 차단부(124) 주변의 일 부분의 생체 조직은 정상 상태를 유지하기 때문에, 치료된 생체 조직은 조기에 치유될 수 있다.

본 실시예에서는, 차단부(124)와 제1 고주파 전극(126)이 두 줄로 배열된 경우를 설명했지만, 이들 차단부(124)와 제1 고주파 전극(126)은 랜덤하게 배열될 수 있다.

[제4 실시예]

다음으로, 도 8A 내지 도 8D를 참조로 제4 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제3 실시예의 변경예이며, 제3 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재는 동일한 도면부호에 의해 지시되며, 그 상세한 설명은 생략한다.

도 8B 및 도 8C에 도시된 바와 같이, 제2 파지부(54)에 인접한 측면 상의 제 1 파지부(52)의 본체(62)는 편평하게 형성된다. 도 8A 및 도 8C에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)의 본체(62)에는 서로 분리된 복수의 전극 배열부(오목부)(132)가 마련된다. 각각의 전극 배열부(132)는 직사각형으로 형성된다. 여기서, 도 8A에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)의 본체(62)에서, 직사각형 전극 배열부(132)들은 소정 간격을 두고 두 줄로 배열된다.

도 8A 내지 도 8D에 도시된 바와 같이, 직사각형 차단부(134)들이 이들 전극 배열부(132)의 내측면 상에 배열된다. 각각의 차단부(134)의 내측면 상에는 관통구멍(136a)을 갖는 제1 고주파 전극(136)이 출력부 또는 에너지 방출부로서 배치된다. 관통구멍(136a)은 예컨대 차단부(134)에 인접한 위치에 형성된다. 이 경우, 관통구멍(136a)은 제1 고주파 전극(136)의 단부에 형성된다. 제1 고주파 전극(136)들 중에서 제2 파지부(54)에 인접한 제1 고주파 전극(136)의 표면은 차단부(134)의 위치보다 낮은 위치에 존재한다. 즉, 차단부(134)는 제1 고주파 전극(136)의 표면 위에 존재하며 차단부(134)와 제1 고주파 전극(136) 사이에는 단차부가 있다.

도 8B 및 도 8C에 도시된 바와 같이, 각각의 관통구멍(136a)은 본체(62)에 형성된 제1 유체 배출홈(128a)과 연결된다. 제1 유체 배출홈(128a)은 제1 고주파 전극(136)의 관통구멍(136a)과 연결된다. 제1 유체 배출홈(128a)은 제1 파지부(52)의 기부(64)의 제2 유체 배출홈(128b)과 연속으로 형성된다.

즉, 본 실시예에서는 제3 실시예에 설명된 원형의 전극 배열부(122)가 직사각형 전극 배열부(132)로 대체되고, 원형의 차단부(124)는 직사각형의 차단부(134) 로 대체되고, 원형의 제1 고주파 전극(126)은 직사각형의 제1 고주파 전극(136)으로 대체된다. 본 실시예의 다른 구조는 제3 실시예의 구조와 동일하다. 따라서 본 실시예의 기능과 효과에 대한 설명은 생략한다.

[제5 실시예]

다음으로, 도 9A 내지 도 9C를 참조로 제5 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제1 내지 제4 실시예의 변경예이며, 제1 내지 제4 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재는 동일한 도면부호에 의해 지시되며, 그 상세한 설명은 생략한다.

도 9A 및 도 9B에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)의 본체(62)에는 제2 파지부(54)에서 멀리 떨어진 측면에 덮개부(142)가 마련된다. 출력부 또는 에너지 방출부로서 덮개부(142)에는 복수의 핀형 제1 고주파 전극(144)이 고정된다. 본체(62)에는 제2 파지부(54)에 인접한 측면 상에 편평한 냉각판(방열부재)(146)이 마련된다. 냉각판(146)에는 지그재그식으로 수직한 위치에 배열되는 복수의 원형 구멍(146a)이 마련된다. 각각의 원형 구멍(146a)에는 본체(62)와 일체로 배치된 차단부(148)가 돌출된다. 각각의 차단부(148)는 중공 원통형으로 형성된다. 즉, 각각의 차단부(148)에는 차단부의 중심축을 따라 형성되는 관통구멍(148a)이 마련된다.

도 9B에 도시된 바와 같이, 본체(62)에 덮개부(142)가 마련될 때, 핀 형상을 갖는 각각의 제1 고주파 전극(144)이 차단부(148)의 관통구멍(148a)에 배치된다. 여기서, 제1 고주파 전극(144) 중에서 제2 파지부(54)에 인접한 제1 고주파 전극의 단부는 제2 파지부(54)에 인접한 차단부(148)의 위치보다 낮은 위치에 존재한다.

차단부(148)와 제1 고주파 전극(144) 사이의 공간은 유체 배출홈(유체 통로)(152)이다. 유체 배출홈(152)은 제2 파지부(54)에 인접한 측면과 제2 파지부(54)에서 떨어져 있는 측면 사이에서 연통하며 제2 파지부(54)에서 떨어져 있는 측면 상에서 개방된다.

또한, 냉각판(146)의 이면 상에서 본체(62)의 측면 상에는 도관 배열부(154)가 형성된다. 도관 배열부(154)에는 냉각용 가스나 액체와 같은 유체를 통과시키는 도관(156)이 마련된다.

제2 파지부(54)는 제1 파지부(52)의 구조와 유사한 구조를 갖기 때문에, 차단부와 고주파 전극은 제1 파지부(52)에 사용된 도면부호에 의해 지시되며, 그에 대한 설명은 생략한다.

이하, 본 실시예에 따르는 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 파지된다. 이때, 차단부(148)는 생체 조직과 밀접 접촉하게 된다. 생체 조직은 제1 고주파 전극(144) 및 제2 고주파 전극(144)과 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 본체(62, 66)에 배치된 냉각판(146)들과 밀접 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)은 각각 제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144)으로 에너지를 공급한다. 한편, 냉각수는 도관(156)으로 공급된다.

제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144) 사이에는 고주파 전류가 생체 조직을 통해 통전된다. 그 결과, 제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144) 사이의 생체 조직이 가열된다.

이처럼 치료 대상인 생체 조직이 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 발생한다.

여기에서, 냉각수는 각각 제1 및 제2 파지부(52, 54) 외측에 배열된 도관(156)으로 공급된다. 따라서 생체 조직은 높은 열전도도를 갖는 도관(156)의 외주면과 밀접 접촉하는 냉각판(146)을 거쳐 냉각된다. 따라서 제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144) 사이의 치료 대상인 생체 조직에서 확산되는 열에 의한 영향은 냉각판(146)과 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다. 즉, 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직을 냉각할 때 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산은 억제된다.

또한, 치료 대상인 생체 조직이 가열될 때, 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직의 가열된 부분으로부터 생성된다.

여기에서, 각각의 제1 고주파 전극(144)이 제1 파지부(52)의 본체(62)의 차단부(148)의 내측면에 배치될 때, 제2 파지부(54)에 인접한 제2 파지부(54) 측면 상에 노출된 제1 고주파 전극(144)의 단부는 차단부(148)의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 마찬가지로, 제2 고주파 전극(144)도 차단부(148)의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 따라서 제1 파지부(52)의 차단부(148)와 제2 파지부(54)의 차단부(148)는 생체 조직에서 생성된 유체가 관통구멍(148a)을 통해서 유체 배출홈(152) 상에서 리드할 수 있도록 한다. 이 경우, 생체 조직에서 생성된 유체는 각각 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 본체(62, 66)에 배치된 리드부(142)의 유체 배출홈(152)으로부터 배출된다.

또한, 생체 조직과 차단부(148) 사이에 간극이 있는 경우, 유체는 생체 조직과 차단부(148) 사이의 간극으로부터 배출된다. 이 경우, 유체는 냉각판(146)과 접촉한다. 그 결과, 유체는 냉각된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 경우, 냉각된 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 냉각판(146)들은 각각 생체 조직과 밀접 접촉하게 될 수 있다. 그 결과, 냉각판(146)과 밀접 접촉하는 생체 조직이 냉각될 수 있다. 따라서 열확산이 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 진행되는 시기의 영향은 냉각판(146)과 접촉하는 부분에서 억제될 수 있다. 이 경우, 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의해 대상 조직 이외의 주변 조직이 영향을 받는 것이 방지될 수 있다.

따라서 냉각될 수 있는 표면을 갖는 냉각판(146)이 파지부(26)에 배치되는 경우, 열확산 발생 영역은 제1 및 제2 파지부(52, 54) 내로 확실히 제한될 수 있다.

또한, 전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 협지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하면, 제1 파지부(52)의 차단부(148)와 제2 파지부(54)의 차단부(148)는 각각 생체 조직과 밀접 접촉될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생 체 조직에서 생성되는 유체가 제1 파지부(52)의 차단부(148)와 제2 파지부(54)의 차단부(148)쪽으로 흐르더라도, 유체는 제1 고주파 전극(144)과 차단부(148) 사이에서 관통구멍(148a)을 통해 제1 유체 배출홈(152)으로 유입될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 제1 실시예에서와 동일한 방식으로, 고온의 유체가 제1 및 제2 파지부(52, 54)에서 배출되더라도, 유체는 냉각판(146)과 접촉함으로써 냉각될 수 있다. 그 결과, 파지부(26)에 의해 파지된 생체 조직 주변의 생체 조직은 영향을 받지 않게 된다.

또한, 본 실시예에 따른 전기 수술 장치(12)에서, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)에는 복수의 고주파 전극(144)이 분리되어 마련된다. 따라서 치료 대상은 제한될 수 있다.

따라서 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 치료 영역은 각각의 차단부(148)의 내측으로 제한될 수 있고 차단부(148) 주변 부분의 생체 조직은 정상 상태를 유지하기 때문에 조기 치유에 기여할 수 있다.

도 9C에 도시된 바와 같이, 차단부(148)가 본체(62)의 일부가 아닌 냉각판(146)의 일부로서 형성될 수 있음을 주의해야 한다.

[제6 실시예]

다음으로, 도 10A 및 도 10B를 참조로 제6 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제1 내지 제5 실시예의 변경예이며, 제1 내지 제5 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재는 동일한 도면부호에 의해 지시되며, 그 상세한 설명은 생략한다.

도 10A에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)의 본체(62)는 가스나 액체와 같은 유체가 본체 상에서 리드할 수 있도록 하는 유입용 도관(162a)의 일단에 고정된다. 제1 파지부(52)의 본체(62)는 가스나 액체와 같은 유체가 배출되는 유출용 도관(162b)의 일단에 고정된다. 본체(62)에는 제2 파지부(54)에 인접한 측면 상에 가요성 판형 부재(방열부재)(164)가 마련된다. 판형 부재(164)는 예컨대 실리콘(silicone)재 등으로 형성된다. 판형 부재(164)의 내면과 본체(62) 사이의 공간은 냉각용 유체(예컨대 냉각수)로 충전되며 기밀 방식으로 배치된다.

제1 고주파 전극들(144)이 본체(62)의 길이방향을 따라 소정 간격을 두고 배열된다. 제2 파지부(54)에 인접한 제1 고주파 전극(144)의 일단은 제2 파지부(54)에 인접한 각각의 차단부(148)의 위치보다 낮은 위치에 존재한다.

제2 파지부(54)는 제1 파지부(52)의 구조와 유사한 구조를 갖기 때문에, 차단부와 고주파 전극은 제1 파지부(52)에서 사용되는 도면부호를 이용하여 지시하기로 하며 그에 대한 설명은 생략함을 주의해야 한다.

이하, 본 실시예에 따르는 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 협지된다. 이때, 차단부(148)는 생체 조직과 밀접 접촉 하게 되고, 생체 조직은 제1 고주파 전극(144) 및 제2 고주파 전극(144)과 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 본체(62, 66)에 배치된 판형 부재(164)와 밀접 접촉하게 된다. 판형 부재(164)는 가요성 재료로 형성되기 때문에, 판형 부재는 생체 조직과 밀접 접촉하도록 생체 조직의 형상에 따라 변형된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)은 각각 제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144)으로 에너지를 공급한다. 한편, 냉각수는 도관(162a)을 통해 공급된다. 그 결과, 본체(62)와 판형 부재(164) 사이의 공간은 냉각수로 충전된다.

제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144) 사이에는 고주파 전류가 생체 조직을 통해 통전된다. 따라서 제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144) 사이의 생체 조직이 가열된다.

이처럼 치료 대상인 생체 조직이 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 발생한다.

여기에서, 냉각수는 각각 제1 및 제2 파지부(52, 54) 외측에 배열된 도관(162a)으로 공급되어 도관(162b)으로부터 배수된다. 따라서 본체(62)와 판형 부재(164) 사이의 간극은 도관(162a)에서 공급되는 냉각수로 충전된다. 따라서 판형 부재(164)의 외주면과 밀접 접촉하는 생체 조직은 냉각된다. 이 경우, 제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144) 사이의 치료 대상인 생체 조직에서 확산되는 열에 의한 영향은 판형 부재(164)와 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다. 즉, 치료 대 상인 생체 조직 주변의 생체 조직을 냉각할 때 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산은 억제된다.

또한, 치료 대상인 생체 조직이 가열될 때, 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직의 가열된 부분으로부터 생성된다.

여기에서, 제1 고주파 전극들(144)이 제1 파지부(52)의 본체(62)의 차단부(148)에 배열될 때, 제2 파지부(54)측 상에 노출된 제1 고주파 전극(144)의 단부는 차단부(148)의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 제2 고주파 전극(144)과 차단부(148) 간에도 유사한 관계가 성립된다. 따라서 유체는 관통구멍(148a)을 통해서 유체 배출홈(152)으로부터 배출된다.

또한, 생체 조직과 차단부(148) 사이에 간극이 있는 경우, 유체는 생체 조직과 차단부(148) 사이의 간극으로부터 배출된다. 이 경우, 유체는 판형 부재(164)와 접촉한다. 그 결과, 유체는 냉각된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 경우, 냉각된 제1 파지부(52)의 판형 부재(164)와 제2 파지부(54)의 판형 부재(164)는 각각 생체 조직과 밀접 접촉하게 될 수 있다. 그 결과, 판형 부재(164)와 밀접 접촉하는 생체 조직이 냉각될 수 있다. 따라서 열확산이 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 향하는 시기의 영향은 판형 부재(164)와 접촉하는 부분에서 억제될 수 있다. 이 경우, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 치료 대상인 생체 조직으로부 터의 열확산에 의해 영향을 받는 것이 보다 확실히 방지될 수 있다.

따라서 표면이 냉각될 수 있는 판형 부재(164)가 파지부(26)에 배치될 경우, 열확산이 발생하는 영역은 제1 및 제2 파지부(52, 54) 내로 확실히 제한될 수 있다. 또한, 판형 부재(164)는 가요성 재료로 형성되기 때문에, 생체 조직에 대한 밀접 접촉성은 개선될 수 있다. 따라서 생체 조직은 보다 효율적으로 냉각될 수 있다.

또한, 전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 경우, 제1 파지부(52)의 차단부(148)와 제2 파지부(54)의 차단부(148)는 각각 생체 조직과 밀접 접촉될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 생성되는 유체는 제1 고주파 전극(144)과 차단부(148) 사이의 관통구멍(148a)을 통해 제1 유체 배출홈(152)으로 유입될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(144)과 제2 고주파 전극(144) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 제1 실시예에서와 동일한 방식으로, 고온의 유체가 제1 및 제2 파지부(52, 54)에서 배출되더라도, 유체는 판형 부재(164)와 접촉함으로써 냉각될 수 있다. 그 결과, 파지부(26)에 의해 파지된 생체 조직 주변의 생체 조직은 영향을 받지 않게 된다.

[제7 실시예]

다음으로, 도 11A 내지 도 11C를 참조로 제7 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제1 실시예의 변경예이며, 제1 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재는 동일한 도면부호에 의해 지시되며, 그 상세한 설명은 생략한다.

도 11A 내지 도 11C에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)의 본체(62)에는 볼록부(166a)를 구비한 제1 고주파 전극(166)이 마련된다. 도 11B 및 도 11C에 도시된 바와 같이, 제2 파지부(54)의 본체(66)에는 오목부(168a)를 구비한 제2 고주파 전극(168)이 마련된다.

각각 제1 고주파 전극(166)의 볼록부(166a)와 제2 고주파 전극(168)의 오목부(168a)에는 유체 채널(유체 통로)(166b, 168b)이 마련된다. 유체 채널(166b, 168b)은 제1 유체 배출홈(128a)들과 연통한다.

도 11C에 도시된 바와 같이, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)가 폐쇄되면, 제1 고주파 전극(166)의 편평부와 절연 탄성부재(170) 사이에는 간극(S)이 형성된다. 간극(S)은 제1 고주파 전극(166)의 볼록부(166a)와 제2 고주파 전극(168)의 오목부(168a) 사이에 형성된다.

제1 파지부(52)의 본체(62)와 기부(64)에는 도관 배열부(96)가 마련된다. 도관 배열부(96)에는 높은 열전도도를 갖는 도관(98)이 마련된다. 도관(98)은 냉각판(146)과 접촉하게 된다. 냉각판(146)은 제2 파지부(54)에 인접한 측면 상에서 제1 파지부(52)의 본체(62)와 기부(64)의 표면에 배치된다. 또한, 냉각판(146)에는 제1 고주파 전극(166)의 볼록부(166a)가 배치되는 원형 구멍(166c)이 마련된다.

제2 파지부(54)의 본체(66)와 기부(68)에도 도관 배열부(96)가 마련된다. 도관 배열부(96)에는 도관(98)이 마련된다. 도관(98)은 냉각판(146)과 접촉하게 된다. 냉각판(146)은 제1 파지부(52)에 인접한 측면 상에서 제2 파지부(54)의 본체(66)와 기부(68)의 표면에 배치된다. 또한, 냉각판(146)에는 제2 고주파 전극(168)의 오목부(168a)의 바닥부의 전극을 노출시키는 원형 구멍(168c)이 마련된다. 냉각판(146)은 제2 고주파 전극(168)의 표면뿐만 아니라 오목부(168a)의 내주면 상에 배치됨을 주의해야 한다.

이하, 본 실시예에 따르는 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 협지된다. 이때, 제1 파지부(52)의 본체(62)에 배치된 제1 고주파 전극(166)의 볼록부(166a)는 생체 조직과 밀접 접촉하게 되고, 제2 파지부(54)의 본체(66) 상에 배치된 제2 고주파 전극(168)의 오목부(168a)의 바닥부와도 접촉하게 된다. 즉, 생체 조직은 제1 고주파 전극(166)의 볼록부(166a)와 제2 고주파 전극(168)의 오목부(168a) 사이의 간극(S)에 배치된다. 여기에서, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이의 생체 조직은 각각 제1 및 제2 고주파 전극(166, 168)의 표면에 배치된 냉각판(146)을 거쳐 파지부들과 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)은 각각 제1 고주파 전극(166)과 제2 고주파 전극(168)으로 에너지를 공급한다.

제1 고주파 전극(166)과 제2 고주파 전극(168) 사이에는 고주파 전류가 생체 조직을 통해 통전된다. 그 결과, 제1 고주파 전극(166)과 제2 고주파 전극(168) 사이의 생체 조직이 가열된다.

이처럼 치료 대상인 생체 조직이 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 발생한다.

여기에서, 냉각수는 각각 제1 및 제2 파지부(52, 54) 외측에 배열된 도관(98)으로 공급된다. 따라서 생체 조직은 높은 열전도도를 갖는 도관(98)의 외주면과 밀접 접촉하는 냉각판(146)을 거쳐 냉각된다. 따라서, 제1 고주파 전극(166)과 제2 고주파 전극(168) 사이의 치료 대상인 생체 조직에서 확산되는 열에 의한 영향은 냉각판(146)과 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다. 즉, 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직이 냉각됨으로써 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산을 억제한다.

또한, 치료 대상인 생체 조직이 가열될 때, 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직의 가열된 부분으로부터 생성된다. 여기에서, 제1 고주파 전극(166)과 제2 고주파 전극(168) 사이에 배치된 생체 조직은 각각의 냉각판(146)과 밀접 접촉하게 된다. 따라서 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 냉각판들(146)은 생체 조직에서 생성된 유체가 외부로 누출되는 것을 방지하는 차단부(댐)의 기능을 수행한다.

이 경우, 생체 조직에서 생성된 유체는 제1 고주파 전극(166)의 볼록부(166a)의 유체 채널(166b) 상에서 리드하고 제2 고주파 전극(168)의 오목부(168a)의 유체 채널(168b) 상에서 리드한다. 또한, 이들 유체는 제1 유체 배출홈(128a)을 통해 제1 파지부(52)의 기부(64)의 제2 유체 배출홈(128b)과 제2 파지부(54)의 기부(68) 쪽으로 흐른다.

또한, 생체 조직과 차단부(148) 사이에 간극이 있는 경우, 증기나 액체와 같 은 유체는 생체 조직과 냉각판(146) 사이의 간극으로부터 배출된다. 이 경우, 유체는 냉각판(146)과 접촉한다. 그 결과, 유체는 냉각된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 경우, 냉각된 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 냉각판(146)은 각각 생체 조직과 밀접 접촉할 수 있다. 그 결과, 냉각판(146)과 밀접 접촉하는 생체 조직이 냉각될 수 있다. 따라서 열확산이 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 진행되는 시기의 영향은 냉각판(146)과 접촉하는 부분에서 억제될 수 있다. 이 경우, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다.

따라서 표면이 냉각될 수 있는 냉각판(146)이 파지부(26)에 배치될 경우, 열확산이 발생하는 영역은 제1 및 제2 파지부(52, 54) 내로 확실히 제한될 수 있다.

또한, 전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 협지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가할 때, 제1 파지부(52)의 냉각판(146)과 제2 파지부(54)의 냉각판(146)은 각각 생체 조직과 밀접 접촉될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 생성되는 유체가 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 냉각판(146)쪽으로 흐르더라도, 제2 파지부(54)의 본체(66)의 유체 채널(166b)에 배치된 냉각판(146)은 차단부로 기능함으로써 제1 고주파 전극(166)의 관통구멍(166a)을 통해 제1 유체 배출홈(128a) 및/또는 제2 고주파 전극(168)의 관통구멍(168a)을 통해 제 1 유체 배출홈(128a) 내로 유입될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(166)과 제2 고주파 전극(168) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 고온의 유체가 제1 및 제2 파지부(52, 54)에서 배출되더라도, 유체는 냉각판(146)과 접촉함으로써 냉각될 수 있다. 그 결과, 파지부(26)에 의해 파지된 생체 조직 주변의 생체 조직은 영향을 받지 않게 된다.

[제8 실시예]

다음으로, 도 12 내지 도 15D를 참조로 제8 실시예를 설명한다. 본 실시예는 1 내지 제7 실시예의 변경예이며, 제1 내지 제7 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재는 동일한 도면부호에 의해 지시되며, 그 상세한 설명은 생략한다.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따르는 전기 수술 장치(치료 장치)(12b)의 핸들(22)에는 파지부 개폐 노브(32)를 따라 배치되는 절단기 구동 노브(34)가 마련된다.

도 13A 및 도 13B에 도시된 바와 같이, 구동 로드(172)는 샤프트(24)의 원통형 부재 내에서 원통형 부재(42)의 축방향을 따라 이동 가능하게 배치된다. 구동 로드(172)의 말단에는 박판형 절단기(174)가 마련된다. 따라서 절단기 구동 노브(34)가 작동될 때, 절단기(보조 치료 장치)(174)는 구동 로드(172)를 통해 이동한다.

도 13A 및 도 13B에 도시된 바와 같이, 절단기(174)의 말단에는 블레이드(174a)가 마련되고 구동 로드(172)의 말단는 절단기(174)의 기부단에 고정된다. 절단기(174)의 말단과 기부단 사이에는 종방향 홈(174b)이 형성된다. 종방향 홈(174b)의 일단과, 타단과, 일단 및 타단 사이에는 이동 제한핀(176)과 결합된 결합부(174c)가 형성된다. 종방향 홈(174b)에는, 샤프트(24)의 축방향과 우측 각도에서 직각으로 교차하는 방향으로 연장되는 이동 제한핀(176)이 샤프트(24)의 원통형 부재(42)에 고정된다. 따라서 절단기(174)의 종방향 홈(174b)은 이동 제한핀(176)을 따라 이동한다. 이 경우, 절단기(174)는 선형으로 이동한다. 이때, 절단기(174)는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 절단기 안내홈(유체 배출홈)(182a, 182b, 184a, 184b)을 따라 배치된다.

도 14A 내지 도 14C에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에서 설명된 제1 유체 배출홈(84a)(도 3A 내지 도 3C 참조)은 제1 파지부(52)의 본체(62)의 모서리부(82a)에서 제거되고, 제1 고주파 전극(56)이 배치되는 안착부인 전극 배열부(86)가 모서리부에 인접하게 형성된다.

절단기(174)를 통과시키는 제1 절단기 안내홈(182a)은 제1 파지부(52)의 본체(62)의 전극 배열부(86) 및 제1 고주파 전극(56)에 형성된다. 제1 파지부(52)의 기부(64)에는 제1 절단기 안내홈(182a)과 연속으로 형성되는 제2 절단기 안내홈(182b)이 마련된다. 제2 절단기 안내홈(182b)은 샤프트(24)의 축방향을 따라 형성된다.

따라서 절단기(174)는 제1 파지부(52)에서 절단기 안내홈(182a, 182b)을 따 라 이동 가능하다. 마찬가지로, 절단기(174)는 제2 파지부(54)에서 절단기 안내홈(184a, 184b)을 따라 이동 가능하다.

다른 구조는 제1 실시예에서 설명된 제1 파지부(52)의 구조와 유사하기 때문에, 그에 대한 설명은 생략한다.

이하, 본 실시예에 따르는 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 파지된다. 이때, 모서리부(82a)의 접촉면은 생체 조직과 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 고주파 전극(56) 및 제2 고주파 전극(58)과 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 외측에 배열된 도관(98)들과 밀접 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)은 각각 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58)으로 에너지를 공급한다. 한편, 냉각수가 도관(98)으로 공급된다.

열확산을 방지하는 기능은 제1 실시예에서 설명된 것과 유사한다. 따라서 여기에서는 증기나 액체와 같은 유체가 생성되는 시기의 기능을 설명한다.

이처럼 치료 대상인 생체 조직이 가열되면, 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직에서 생성된다.

여기에서, 치료 대상인 생체 조직에서 생성된 유체는 제1 실시예에서 설명된 제1 유체 배출홈(84a) 대신에 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 본체(62, 66)의 제1 절단기 안내홈들(182a, 184a)인 유체 배출홈 상에서 리드한다. 또한, 유체는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)의 제2 절단기 안내홈(182b, 184b)쪽으로 흐른다.

유체는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)의 제2 절단기 안내홈(182b, 184b)으로부터 원통형 부재(42) 상에서 리드한다. 또한, 유체는 원통형 부재(42)의 유체 배출구(48a)와 외피(44)의 유체 배출구(48b)를 통해 샤프트(24)로부터 배출된다.

또한, 핸들(22)의 절단기 구동 노브(34)가 작동되면, 절단기(174)는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 말단쪽으로 이동한다. 절단기(174)의 말단에는 블레이드(174a)가 마련되기 때문에, 치료된 생체 조직이 절단된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면 제1 실시예에서 설명된 효과와 더불어 다음과 같은 효과가 얻어진다.

전기 수술 장치(12)가 파지부(26)에 의해 협지된 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 시기에 생성되는 유체는 제1 절단기 안내홈(유체 통로)(182a, 184a)으로 유입될 수 있다. 즉, 절단기 안내홈(182a, 182b, 184a, 184b)은 유체 배출홈으로 사용될 수 있다.

도 15A 내지 도 15D의 예에서 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 파지부(52, 54)의 구조는 다양하게 변경될 수 있다. 이들 구조는 제1 유체 배출홈(84a)이 제거되고 절단기 안내홈(182a)이 배치된 점을 제외하고 제1 실시예의 도 5A 내지 도 5D에 대응한다.

도 15A는 도관 배열부(96)에 배치된 도관(98)의 횡단면이 사실상 직사각형으 로 형성된 상태를 도시한다. 또한, 도관(98)의 측면은 제1 파지부(52)의 모서리부(82a)의 접촉면과 사실상 동일 평면에 배치된다. 따라서 생체 조직과 도관(98) 간의 접촉 영역은 더욱 확장될 수 있다.

도 15B는 원통형 도관(98)이 모서리부(82b)의 접촉면 아래에 형성된 상태를 도시한다.

도 15C는 제1 고주파 전극(56)이 도관(98)과 접촉함으로써 원통형 도관(98)이 절연 특성을 갖고 도관(98)이 차단부로서 기능하는 상태를 도시한다. 따라서 모서리부(82a, 82b)를 위한 공간이 전혀 요구되지 않기 때문에, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 폭이 저감될 수 있다. 대안으로서, 제1 고주파 전극(56)과 제2 고주파 전극(58)의 폭이 증가될 수 있다.

도 15D는 제2 파지부(54)에서 떨어져 있는 측면 상에서 제1 파지부(52)의 본체(62)가 방열체(108)에 의해 덮힌 상태를 도시한다. 이 방열체(108)는 예컨대 높은 열전도도를 갖는 금속재로 형성된다. 외부 공기 등과의 접촉 면적을 증가시키기 위해, 방열체(108)의 외주면에는 도면부호 108a로 지시되는 복수의 돌기 또는 휜이 마련된다. 모서리부(82a, 82b)와 도관(98)은 제1 파지부(52)의 제1 유체 배출홈(84a)에서 생략됨을 주의해야 한다. 방열체(108)의 말단도 차단부(모서리부의 접촉면)의 기능을 수행한다.

또한, 절단기(174)와 절단기 안내홈(182a)은 제2 내지 제6 실시예에서 설명된 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)에 적절히 사용될 수 있다.

[제9 실시예]

다음으로, 도 16A 내지 도 16C를 참조로 제9 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제1 실시예의 변경예이지만, 본 실시예에서는 고주파 에너지가 아닌 레이저 에너지를 이용하여 생체 조직을 치료하는 경우를 설명한다. 따라서 비록 도시되지는 않았지만, 에너지원(14)(도 1 참조)은 에너지 치료 장치(레이저 치료 장치)(12)의 후술하는 파이버(198) 내로 레이저 광을 방출한다.

도 16A 내지 도 16C에 도시된 바와 같이, 전극 배열부(86)가 제1 파지부(52)의 본체(62)에서 생략된다. 또한, 제1 고주파 전극(56)도 생략된다. 전극 배열부(86) 대신, 열 전달판 배열부(192)가 배치된다. 열 전달판 배열부(192)는 전달판(194)이 출력부 또는 에너지 방출부로서 배치된 안착부에 형성된다. 열 전달판 배열부(192)는 본체(62)의 모서리부(82a)로부터 리세스되어 있다.

전달판(194)은 제2 파지부(54)에 대면하는 측에 편평면으로 형성된 사실상 판 형상으로 형성되며 열 전달판 배열부(192)에 고정된다.

전달판(194)에는 오목홈(194a)이 형성된다. 전달판(194)의 오목홈(194a)에는 출력부 또는 에너지 방출부로서 확산기(196)가 마련된다. 파이버(198)는 확산기(196)를 통과한다. 따라서 레이저 광이 파이버(198)로 입사할 때, 레이저 광은 확산기(196)로부터 외측으로 확산한다. 이런 레이저 광으로 인해 전달판에 에너지가 조사될 때, 에너지는 열 에너지로 전환되어 전달된다.

또한, 제1 및 제2 파지부(52, 54)에는 도관(98)이 배열된 도관 배열부(96)가 마련된다. 또한, 도관 배열부(96)에는 도관(98)이 마련된다. 이런 도관(98)은 차단부로도 이용된다.

이하, 본 실시예에 따르는 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 파지된다. 이때, 치료 대상인 생체 조직은 전달판(194) 및 확산기(196)와 밀접 접촉하게 된다. 또한, 생체 조직은 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 외부에 배열된 도관(98)과 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)이 각각의 파이버(198)로 레이저 광을 방출한다. 한편, 냉각수는 도관(98)으로 공급된다.

따라서 레이저 광은 확산기(196)로부터 확산되고 레이저 광으로 인한 에너지는 열 에너지로 변환되어 전달판(194)으로 열을 전달한다. 또한, 제1 파지부(52)와 제2 파지부(52)의 전달판(194) 사이에 있는 생체 조직은 가열된다.

상술한 바와 같이, 치료 대상인 생체 조직이 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 발생한다.

여기에서, 냉각수는 각각 제1 및 제2 파지부(52, 54) 외측에 배열된 도관(98)으로 공급된다. 따라서 높은 열전도도를 갖는 도관(98)의 외주면과 밀접 접촉하는 생체 조직은 냉각된다. 따라서 제1 파지부(52)의 전달판(194)과 제2 파지부(54)의 전달판(194) 사이의 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의한 영향은 도관(98)과 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다. 즉, 치료 대상인 생체 조직 주변의 생체 조직이 냉각됨으로써 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 향하는 열의 확산을 억제한다.

또한, 치료 대상인 생체 조직이 가열될 때, 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직의 가열된 부분에서 생성된다.

이 경우, 생체 조직에서 생성된 유체는 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 본체(62, 66)의 제1 유체 배출홈(84a) 상에서 리드한다. 또한, 유체는 제1 파지부(52) 및 제2 파지부(54)의 기부(64, 68)의 제2 유체 배출홈(84b)쪽으로 흐른다.

또한, 생체 조직과 도관(차단부)(98) 사이에 간극이 있는 경우, 유체는 생체 조직과 도관(98) 사이의 간극으로부터 배출된다. 이 경우, 유체는 도관(98)과 접촉한다. 그 결과, 유체는 냉각된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

레이저 광을 이용하는 전기 수술 장치(레이저 치료 장치, 12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 열을 인가하는 경우, 냉각을 위한 유체가 각각 통과하는 제1 파지부(52)의 도관(98)과 제2 파지부(54)의 도관(98)은 생체 조직과 밀접 접촉할 수 있다. 그 결과, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 조직으로의 열확산이 발생할 때, 도관(98)과 밀접 접촉하는 생체 조직은 냉각될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산에 의한 영향은 도관(98)과 접촉하는 부분에서 억제될 수 있다. 이 경우, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 열이 인가된 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의해 영향을 받는 것이 보다 확실히 방지될 수 있다.

따라서 냉각을 위한 유체를 통과시킬 수 있는 도관(98)이 파지부(26) 외측에 배치될 때, 열확산이 발생하는 영역은 도관(98) 내에서 안쪽으로 배열된 제1 및 제2 파지부(52, 54)에서 확실히 제한될 수 있다.

또한, 레이저 광을 이용하는 전기 수술 장치(레이저 치료 장치)(12)가 파지부(26)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 열을 인가할 때, 제1 파지부(52)의 도관(98)과 제2 파지부(54)의 도관(98)은 각각 생체 조직과 밀접 접촉될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 생성되는 유체가 제1 파지부(52)의 도관(98)과 제2 파지부(54)의 도관(98)쪽으로 흐르더라도, 도관(98)은 생체 조직과 밀접 접촉되기 때문에 유체는 제1 유체 배출홈(84a)으로 유입될 수 있다. 즉, 전달판(194)에서 열을 생성하는 에너지 처리 장치가 파지부(26)에 의해 협지된 생체 조직으로 열 에너지를 인가하는 시기에 생성되는 유체는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)의 도관(98)의 내측면에 공급되어 제1 유체 배출홈(84a)으로 유입될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 열이 인가된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54) 사이에 파지된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 제1 실시예와 동일한 방식으로, 고온의 유체가 제1 및 제2 파지부(52, 54)로부터 배출되더라도, 유체는 도관(98)과 접촉함으로써 냉각될 수 있다. 그 결과, 파지부(26)에 의해 파지된 생체 조직 주변의 생체 조직은 영향을 받지 않게 된다.

본 실시예에서는 레이저 광 에너지를 이용한 생체 조직의 치료를 설명했지만, 생체 조직은 초음파 에너지를 이용하여 치료될 수 있다. 이 경우, 도 16A 내 지 도 16C에 도시된 파이버(198) 대신에 초음파 프로브(미도시)가 사용될 수 있으며, 초음파 치료를 마찬가지로 수행하기 위해 전달판(194) 대신에 진동판(미도시)이 사용될 수 있다. 또한, 고주파 전류가 이런 초음파 프로브로 입력될 수 있다. 따라서 이 경우, 초음파 치료와 고주파 치료가 전환될 수 있다.

또한, 제1 내지 제9 실시예에서는 동일한 부재가 제1 파지부(52)와 제2 파지부(54)에 사용되는 것이 설명되었지만, 서로 다른 부재들이 사용될 수 있다. 예컨대, 다른 실시예에서 설명된 구조들이 적절히 조합될 수 있다.

또한, 치료 장치의 형상과, 파지부의 형상과, 고주파 전극, 히터 요소, 확산기 등의 형상과 배치구조는 이들 실시예에로 제한되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다.

[제10 실시예]

이하, 도 17 내지 도 20을 참조로 제10 실시예를 설명한다. 본 실시예에서는, 에너지 치료 장치의 일예로 예컨대 복벽을 통해서 또는 복벽 외부에서 치료를 수행하는 원형 이극식 전기 수술 장치(치료 장치)(12c)를 설명한다.

도 17에 도시된 바와 같이, 전기 수술 장치(12c)는 핸들(202), 샤프트(204) 및 개폐식 파지부(206)를 포함한다. 핸들(202)은 케이블(28)을 통해 에너지원(14)과 연결된다.

핸들(202)에는 파지부 개폐 노브(212)와 절단기 구동 레버(214)가 마련된다. 파지부 개폐 노브(212)는 핸들(202)에 대해 회전 가능하다. 파지부 개폐 노브(212)가 예컨대 핸들(202)에 대해 시계 방향으로 회전될 때, 후술하는 파지 부(206)의 착탈측 파지부(224)가 본체측 파지부(222)에서 멀어진다(도 18A 참조). 노브가 반시계 방향으로 회전될 때, 착탈측 파지부(224)는 본체측 파지부(222)에 가까워진다(도 18B 참조).

샤프트(204)는 원통형으로 형성된다. 샤프트(204)는 생체 조직에 대한 삽입성을 고려하여 적절히 만곡된다. 샤프트(204)가 선형으로 형성될 수 있음은 물론이다.

샤프트(204)의 말단에는 파지부(206)가 마련된다. 도 18A 내지 도 19B에 도시된 바와 같이, 파지부(206)는 샤프트(204)의 말단에 형성된 본체측 파지부(제1 파지부)(222)와 본체측 파지부(222)에 착탈식으로 부착되는 착탈측 파지부(제2 파지부)(224)를 포함한다.

본체측 파지부(222)는 원통형 부재(232)와 프레임(234)과 탄성 도전 배관(236)을 포함한다. 원통형 부재(232)와 프레임(234)은 절연성을 갖는다. 원통형 부재(232)는 샤프트(204)의 말단에 연결된다. 프레임(234)은 원통형 부재(232)에 고정된다.

프레임(234)의 중심축은 개방된다. 프레임(234)의 개방된 중심축에는 프레임(234)의 중심축을 따라 소정 영역에서 이동 가능한 탄성 도전 배관(236)이 마련된다. 파지부 개폐노브(212)가 회전되면, 도 18A 및 도 18B에 도시된 바와 같이, 탄성 도전 배관(236)은 예컨대 볼 스크류(미도시)의 기능으로 인해 소정 영역 내에서 이동 가능하다. 전도성 배관(236)에는 후술하는 전도성 샤프트(262)의 연결부(262a)가 돌기와 분리 가능하게 결합되도록 직경 방향으로 안쪽으로 돌출한 돌기 들(236a)이 마련된다.

도 18A 및 도 18B에 도시된 바와 같이, 원통형 부재(232)와 프레임(234) 사이에는 공간이 형성된다. 원통형 절단기(242)가 원통형 부재(232)와 프레임(234) 사이의 공간에 배치된다. 절단기(242)의 기부단은 샤프트(204)에 배치된 절단기용 가압기(244)의 말단과 연결된다. 절단기(242)는 절단기용 가압기(244)의 외주면에 고정된다. 비록 도시되지는 않았지만, 절단기용 가압기(244)의 기부단은 핸들(202)의 절단기 구동 레버(214)와 연결된다. 따라서 핸들(202)의 절단기 구동 레버(214)가 작동될 때, 절단기(242)는 절단기용 가압기(244)를 거쳐 이동한다.

절단기용 가압기(244)와 프레임(234) 사이에는 제1 유체 흐름 경로(유체 통로)(246a)가 형성된다. 또한, 샤프트(204)나 핸들(202)에는 제1 유체 흐름 경로(246a)를 통과한 유체가 외부로 배출되는 통로인 유체 배출구(미도시)가 마련된다.

도 18A, 도 18B, 도 19B 및 도 20에 도시된 바와 같이, 원통형 부재(232)의 말단에는 환형 전극 배열부(252)가 마련된다. 제1 고주파 전극(254)이 전극 배열부(252)에 출력부나 에너지 방출부로서 배치된다. 제1 도전 라인(254a)의 말단이 제1 고주파 전극(254)에 고정된다. 제1 도전 라인(254a)은 본체측 파지부(222), 샤프트(204) 및 핸들(202)을 거쳐 케이블(28)에 연결된다.

환형 증기 배출홈(256)이 제1 고주파 전극(254) 외부에 형성된다. 유체 배출홈(256)은 제1 유체 흐름 경로(246a)와 연결된다. 유체 배출홈(256) 외부에는 모서리부(258)의 접촉면이 제1 고주파 전극(254)의 표면 위치보다 높은 위치에 형 성된다. 즉, 본체측 파지부(222)의 모서리부(258)의 접촉면은 제1 고주파 전극(254)의 표면보다 후술하는 착탈측 파지부(224)의 헤드부(264)에 인접하게 배치된다.

한편, 착탈측 파지부(224)는 연결부(262a)를 갖는 전도성 샤프트(262)와 헤드부(264)를 포함한다. 전도성 샤프트(262)는 원형 단면을 가지며, 샤프트의 일단은 테이퍼 형으로 형성되고 샤프트의 타단은 헤드부(264)에 고정된다. 연결부(262a)는 전도성 배관(236)의 돌기(236a)와 결합 가능하도록 오목홈 형상으로 형성된다. 전도성 샤프트(262)의 연결부(262a) 이외의 부분이 외면은 코팅 등으로 절연된다.

환형 절단기 수용부(270)가 헤드부(264)에 배치된다. 환형 전극 배열부(272)가 절단기 수용부(270) 외부에 형성된다. 전극 배열부(272)에는 출력부나 에너지 방출부로서 제2 고주파 전극(274)이 마련된다. 제2 도전 라인(274a)의 일단은 제2 고주파 전극(274)에 고정된다. 제2 도전 라인(274a)의 타단은 전도성 샤프트(262)와 전기적으로 연결된다. 환형 유체 배출홈(276)이 제2 고주파 전극(274) 외부에 형성된다. 유체 배출홈(276) 외부에는 모서리부(278)의 접촉면이 제2 고주파 전극(274)의 위치보다 높은 위치에 형성된다. 즉, 착탈측 파지부(224)의 모서리부(278)의 접촉면은 제2 고주파 전극(274)의 표면보다 본체측 파지부(222)에 인접하게 배치된다.

또한, 유체 배출홈(276)은 헤드부(264)와 전도성 샤프트(262)의 유체 배출 경로(280)와 연결된다. 유체 배출 경로(280)는 전도성 배관(236)의 제2 유체 흐름 경로(유체 통로)(246b)와 연통된다. 샤프트(204)나 핸들(202)에는 제2 유체 흐름 경로(246b)를 통과한 유체가 배출되는 유체 배출구(미도시)가 마련된다.

전도성 배관(236)은 샤프트(204)와 핸들(202)을 거쳐 케이블(28)에 연결된다. 따라서 착탈측 파지부(224)의 전도성 샤프트(262)의 연결부(262a)가 전도성 배관(236)의 돌기들(236a)과 결합될 때, 제2 고주파 전극(274)은 전도성 배관(236)과 전기적으로 연결된다.

도 19A에 도시된 바와 같이, 제1 도관(292)은 샤프트(204)와 파지부(206) 외부에 형성된다. 제1 도관(292)은 본체측 파지부(222)의 선단 모서리부의 외주면 둘레에 한번 감겨져서 본체측 파지부(222)로부터 샤프트(204)의 기부단까지 연장된다. 제1 도관(292)이 도면부호 292a로 지시되는 유체 공급측과 도면부호 292b로 지시되는 유체 배수측을 갖는다는 것을 주의해야 한다. 따라서 가스나 냉각수와 같은 유체가 제1 도관(292)으로 공급되거나 그로부터 배수될 수 있다. 즉, 냉각수와 같은 유체는 제1 도관(292)을 통해 순환될 수 있다.

도 18A, 도 18B 및 도 19B에 도시된 바와 같이, 냉각수와 같은 유체를 공급하는 유체 공급관(294a)이 전도성 배관(236) 내에 배치된다. 유체 배수관(294b)이 유체 공급관(294a)에 인접해서 배치된다.

전도성 샤프트(262)에는 유체 공급관(294a)과 유체 배수관(294b)에 연결된 제2 도관(296)이 마련된다. 제2 도관(296)의 양 단부는 전도성 샤프트(262)의 하단부로부터 돌출한다. 제2 도관(296)이 도면부호 296a로 지시되는 유체 공급측과 도면부호 296b로 지시되는 유체 배수측을 갖는다는 것을 주의해야 한다. 제2 도 관(296)은 전도성 샤프트(262)의 하단부로부터 헤드부(264)의 꼭지점까지 연장된다. 제2 도관(296)은 헤드부(264)의 꼭지점으로부터 헤드부(264)의 외측 모서리부 둘레에 한번 감겨져서 다시 전도성 샤프트(262)를 통과하고 전도성 샤프트(262)의 하단부로 삽입된다.

또한, 유체 공급을 위한 제2 도관(296)의 단부는 유체 공급관(294a)에 연결되고 유체 배수를 위한 제2 도관(296)의 단부는 유체 배수관에 연결된다. 따라서 유체 공급관(294a)과 유체 배수관(294b)이 제2 도관(296)에 연결되고 냉각수 등이 유체 공급관(294a)을 통과하면, 냉각수는 제2 도관(296)을 통해서 유체 배수관(294b)으로부터 배수된다. 즉, 냉각수와 같은 유체가 제2 도관(296)을 통해 순환될 수 있다.

다음으로, 본 실시예에 따른 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

도 18B에 도시된 바와 같이, 본체측 파지부(222)가 착탈측 파지부(224)에 대해 폐쇄된 상태에서, 전기 수술 장치(12c)의 파지부(206)와 샤프트(204)는 예컨대 복벽을 통해 복강으로 삽입된다. 전기 수술 장치(12c)의 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224)는 치료 대상인 생체 조직에 대향된다.

본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224) 사이에 치료 대상인 생체 조직을 파지하기 위해 핸들(202)의 파지부 개폐 노브(212)가 조작된다. 이때, 노브는 핸들(202)에 대해 예컨대 시계 방향으로 회전된다. 이런 경우, 도 18A에 도시된 바와 같이, 전도성 배관(236)은 샤프트(204)의 프레임(234)에 대해 말단쪽으로 이동된다. 따라서 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224)는 개방되고 착탈측 파지 부(224)는 본체측 파지부(222)에서 분리될 수 있다.

또한, 치료 대상인 생체 조직은 본체측 파지부(222)의 제1 고주파 전극(254)과 착탈측 파지부(224)의 제2 고주파 전극(274) 사이에 배치된다. 착탈측 파지부(224)의 전도성 샤프트(262)는 본체측 파지부(222)의 전도성 배관(236)으로 삽입된다. 이 상태에서, 핸들(202)의 파지부 개폐 노브(212)가 예컨대 반시계 방향으로 회전된다. 따라서 착탈측 파지부(224)는 본체측 파지부(222)에 대해 폐쇄된다. 이로써, 치료 대상인 생체 조직은 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224) 사이에 파지된다.

이때, 치료 대상인 생체 조직은 제1 고주파 전극(254) 및 제2 고주파 전극(274)과 접촉하게 된다. 치료 대상인 생체 조직의 주변 조직은 본체측 파지부(222) 및 착탈측 파지부(224)의 모서리부(258, 278)와 제1 및 제2 도관(292, 296)과 밀접 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)은 케이블(28)을 통해서 각각 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274)으로 에너지를 공급한다. 냉각수는 제1 및 제2 도관(292, 296)으로 공급된다.

제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이에는 고주파 전류가 생체 조직을 통해 흐른다. 그 결과, 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이의 생체 조직은 가열된다.

치료 대상인 생체 조직이 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 간의 통전에 의해 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산 이 발생한다.

그 결과, 열은 모서리부(258, 278)을 넘어 외측으로 확산된다. 이때, 냉각수는 각각 모서리부(258, 278) 외측에 배열된 제1 및 제2 도관(292, 296)으로 공급된다. 따라서 높은 열전도도를 갖는 제1 및 제2 도관(292, 296)과 밀접 접촉하는 생체 조직의 부분은 냉각된다. 따라서 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이에서 열확산의 영향은 제1 및 제2 도관(292, 296)과 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다.

한편, 고온 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직의 가열된 부분으로부터 생성된다. 여기에서, 제1 고주파 전극(254)이 본체측 파지부(222)에 고정된 동안, 착탈측 파지부(224)측 상에 노출된 제1 고주파 전극(254)의 표면은 본체측 파지부(222)의 모서리부(258)의 접촉면의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 마찬가지로, 제2 고주파 전극(274)이 착탈측 파지부(224)에 고정된 동안, 본체측 파지부(222)측 상에 노출된 제2 고주파 전극(274)의 표면은 제2 파지부(54)의 모서리부(278)의 접촉면의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 따라서 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224)의 모서리부(82a)는 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 간의 통전으로 인해 생체 조직에서 생성된 유체를 유체 배출홈(256, 276)으로 유입시키고 유체가 외부로 누출되는 것을 방지하는 차단부(댐)의 기능을 수행한다.

이 경우, 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224)가 폐쇄된 상태에서, 본체측 파지부(222)의 모서리부(258)가 착탈측 파지부(224)의 모서리부(278)와 접할 때, 생체 조직에서 생성된 유체는 유체 배출홈(256, 276) 상에서 리드한다.

또한, 유체 배출홈(256) 상에서 리드한 유체는 절단기(174) 및 절단기용 가압기(244)가 마련된 제1 유체 흐름 경로(246a)를 통해서 핸들(202)측으로 통과되어 전기 수술 장치(12c)로부터 배출된다.

한편, 유체 배출홈(276) 상에서 리드한 유체는 유체 배출 경로(246b)와 제2 유체 흐름 경로(246b)를 통해서 핸들(202)측으로 통과되어 전기 수술 장치(12c)로부터 배출된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

냉각을 위한 유체가 치료동안 각각 모서리부(258, 278) 외부에 배열된 제1 및 제2 도관(292, 296)을 통과하기 때문에, 제1 및 제2 도관(292, 296)과 밀접 접촉하는 생체 조직은 냉각될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로의 열확산에 의한 영향은 제1 및 제2 도관(292, 296)과 접촉하는 부분에서 제공될 수 있다. 따라서 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분으로부터의 열확산에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다.

따라서 유체가 파지부(206)로부터 누출되는 것이 방지될 수 있으며 열확산이 억제됨으로써 치료 대상의 주변 조직이 치료에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치가 모서리부(258, 278)로부터 내향 배치된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 전기 수술 장치(12c)가 파지부(206)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하면, 본체측 파지부(222)의 모서리부(258)과 착탈측 파지부(224)의 모서리부(278)는 각각 생체 조직과 밀접 접촉될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 생성되는 유체가 본체측 파지부(222)의 모서리부(258)과 착탈측 파지부(224)의 모서리부(278)쪽으로 흐르더라도, 모서리부(258, 278)는 생체 조직과 밀접 접촉하게 된다. 따라서 유체는 모서리부(258, 278)의 내측면과 충돌해서 각각 유체 배출홈(256, 276)으로 유입될 수 있다.

이 경우, 치료 대상인 생체 조직에서 생성된 유체는 제1 고주파 전극(254)과 본체측 파지부(222)의 모서리부(258) 사이 그리고 프레임(234)과 절단기용 가압기(244) 사이에 형성된 제1 유체 흐름 경로(246a)와, 샤프트(204)와, 핸들(202)과, 유체 배출구를 통해 전기 수술 장치(12c)로부터 배출될 수 있다.

또한, 치료 대상인 생체 조직에서 생성된 유체는 제2 고주파 전극(274)과 착탈측 파지부(224)의 모서리부(278) 사이에 형성된 유체 배출홈(276)과, 유체 배출 경로(280)와, 제2 유체 흐름 경로(246b)와, 샤프트(204)와, 핸들(202)과, 유체 배출구를 통해 전기 수술 장치(12c)로부터 배출될 수 있다.

따라서 유체가 파지부(206)에 의해 파지된 생체 조직의 주변 영역으로 누출되는 것이 방지될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

[제11 실시예]

이하, 도 21을 참조로 제11 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제10 실시예의 변경예이다. 제10 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재들은 동일한 도면부호에 의해 지시되며 그 상세한 설명은 생략한다.

도 21에 도시된 전기 수술 장치(12c)의 본체측 파지부(222)에는 전극 배열부(오목부)(282)가 원주를 따라 소정 간격을 두고 형성된다. 이들 전극 배열부(282)에는 차단부(284)가 배치된다. 차단부(284)는 본체측 파지부(222)에 대해 착탈측 파지부(224)쪽으로 약간 돌출된다. 중심 관통구멍(286a)을 갖는 제1 고주파 전극(286)이 차단부(284)에 배열된다. 착탈측 파지부(224)에 인접한 측면 상의 제1 고주파 전극(286)은 차단부(284)의 위치보다 낮은 위치에 존재한다. 즉, 차단부(284)와 제1 고주파 전극(286) 사이에는 단차부가 있다.

또한, 비록 도시되지는 않았지만, 이들 관통구멍(286a)은 제1 유체 흐름 경로(246a)와 연결된다. 따라서 증기는 관통구멍(286a)과 제1 유체 흐름 경로(246a)를 통해 전기 수술 장치(12c)로부터 배출된다.

한편, 비록 착탈측 파지부(224)의 전극 배열부, 차단부 및 관통구멍을 구비한 제2 고주파 전극은 도시되지 않았지만, 이들 구성요소도 마찬가지로 형성된다. 또한, 제2 고주파 전극의 관통구멍은 전도성 샤프트(262)의 유체 배출 경로(280)와 전도성 배관(236)의 제2 유체 흐름 경로(246b)와 연결된다. 그 결과, 착탈측 파지부(224)측 상의 유체는 제2 고주파 전극의 관통구멍, 유체 배출 경로(280) 및 제2 유체 흐름 경로(246b)를 통해서 전기 수술 장치(12c)로부터 배출된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면 다음과 같은 효과가 얻어진다.

치료 대상인 생체 조직에서 생성된 유체는 제1 고주파 전극(286)의 관통구멍(286a)과, 프레임(234) 및 절단기용 가압기(244) 사이에 형성된 제1 유체 흐름 경로(246a)와, 샤프트(204)와, 핸들(202)과, 유체 배출구를 통해 전기 수술 장치(12c)로부터 배출될 수 있다.

또한, 치료 대상인 생체 조직에서 생성된 유체는 제2 고주파 전극의 관통구멍과, 유체 배출 경로(280)와, 제2 유체 흐름 경로(246b)와, 샤프트(204)와, 핸들(202)과, 유체 배출구를 통해 전기 수술 장치(12c)로부터 배출될 수 있다.

따라서 유체가 파지부(206)에 의해 파지된 생체 조직의 주변 영역으로 누출되는 것이 방지될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

제10 및 제11 실시예에서는 도 20 및 도 21에 도시된 고주파 전극의 사용을 설명했지만, 고주파 전극의 형상과 배열은 다양하게 변경될 수 있다.

[제12 실시예]

이하, 도 22A 및 도 22B를 참조로 제12 실시예를 설명한다. 본 실시예는 제3, 제10 및 제11 실시예의 변경예로서 이들 실시예에서 설명된 것과 동일한 부재들은 동일한 도면부호에 의해 지시되며 그 상세한 설명은 생략한다.

도 22A 및 도 22B에 도시된 바와 같이, 본체측 파지부(222)의 원통형 부재(232)의 말단에는 제1 냉각판(298a)이 마련된다. 냉각판(298a)은 제1 도관(292)과 접촉하게 된다. 착탈측 파지부(224)의 헤드부(264)에는 제2 냉각판(298b)이 마련된다. 냉각판(298b)은 제2 도관(296)과 밀접 접촉하게 된다.

다른 구조는 도 19A 및 도 19B에 도시된 제10 실시예의 구조와 유사하다.

다음으로, 본 실시예에 따른 치료 시스템(10)의 기능을 설명한다.

치료 대상인 생체 조직이 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224) 사이에 파지된다. 이때, 치료 대상인 생체 조직은 제1 고주파 전극(254) 및 제2 고주파 전극(274)과 접촉하게 된다. 치료 대상인 생체 조직의 주변 조직은 본체측 파지부(222) 및 착탈측 파지부(224)의 냉각판(298a, 298b)과 접촉하게 된다.

이 상태에서, 풋 스위치와 핸드 스위치가 조작된다. 에너지원(14)은 케이블(28)을 통해서 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274)으로 에너지를 공급한다. 냉각수는 제1 및 제2 도관(292, 296)으로 공급된다.

제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이에는 고주파 전류가 생체 조직을 통해 흐른다. 그 결과, 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이의 생체 조직은 가열된다.

치료 대상인 생체 조직이 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이의 통전에 의해 가열되면, 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 발생한다.

이때, 냉각수는 제1 및 제2 도관(292, 296)으로 공급됨으로써 본체측 파지 부(222)와 착탈측 파지부(224)의 냉각판(298a, 298b)을 냉각시킨다. 따라서 냉각판(298a, 298b)과 밀접 접촉하는 생체 조직은 냉각된다. 따라서 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이에서 열확산에 의한 영향은 냉각판(298a, 298b)과 밀접 접촉하는 부분에서 억제된다.

한편, 고온의 증기나 액체와 같은 유체가 생체 조직의 가열된 부분으로부터 생성된다. 여기에서, 제1 고주파 전극(254)이 본체측 파지부(222)에 고정된 동안, 착탈측 파지부(224)측 상에 노출된 제1 고주파 전극(254)의 표면은 본체측 파지부(222)의 냉각판(298a)의 접촉면의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 마찬가지로, 제2 고주파 전극(274)이 착탈측 파지부(224)에 고정된 동안, 본체측 파지부(222)측 상에 노출된 제2 고주파 전극(274)의 표면은 제2 파지부(54)의 냉각판(298b)의 접촉면의 위치보다 약간 낮은 위치에 존재한다. 따라서 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224)의 냉각판(298a, 298b)은 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이의 통전으로 인해 생체 조직에서 생성된 유체를 유체 배출홈(256, 276)으로 유입시키고 유체가 외부로 누출되는 것을 방지하는 차단부(댐)의 기능을 수행한다.

이 경우, 착탈측 파지부(222)가 본체측 파지부(224)에 대해 폐쇄된 상태에서, 본체측 파지부(222)의 냉각판(298a)과 착탈측 파지부(224)의 냉각판(298b)이 생체 조직 상에서 접하게 될 때, 생체 조직에서 생성된 유체는 각각 유체 배출홈(256, 276) 상에서 리드한다.

또한, 유체 배출홈(256) 상에서 리드한 유체는 절단기(174) 및 절단기용 가 압기(244)가 마련된 제1 유체 흐름 경로(246a)를 통해서 핸들(202)측으로 통과되어 전기 수술 장치(12c)로부터 배출된다.

한편, 유체 배출홈(276) 상에서 리드한 유체는 유체 배출 경로(280)와 제2 유체 흐름 경로(246b)를 통해서 핸들(202)측으로 통과되어 전기 수술 장치(12c)로부터 배출된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과가 얻어진다.

전기 수술 장치(12c)가 파지부(206)에 의해 파지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하는 경우, 냉각된 본체측 파지부(222)의 냉각판(298a)과 착탈측 파지부(224)의 냉각판(298b)은 각각 생체 조직과 밀접 접촉하게 될 수 있다. 그 결과, 냉각판(298a, 298b)과 밀접 접촉하는 생체 조직이 냉각될 수 있다. 따라서 치료 대상인 생체 조직에서 주변 생체 조직으로 열확산이 진행되는 시기의 영향은 냉각판(298a, 298b)과 접촉하는 부분에서 억제될 수 있다. 이 경우, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 치료 대상인 생체 조직으로부터의 열확산에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다.

따라서 그 표면이 냉각될 수 있는 냉각판(298a, 298b)이 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224)에 배치될 경우, 열확산이 발생하는 영역은 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224) 내로 확실히 제한될 수 있다.

또한, 전기 수술 장치(12c)가 파지부(206)에 의해 협지된 치료 대상인 생체 조직으로 고주파 전류를 인가하면, 본체측 파지부(222)의 냉각판(298a)과 착탈측 파지부(224)의 냉각판(298b)은 각각 생체 조직과 밀접 접촉될 수 있다. 따라서 치 료 대상인 생체 조직에서 생성되는 유체가 본체측 파지부(222)의 냉각판(298a)과 착탈측 파지부(224)의 냉각판(298b)쪽으로 흐르더라도, 유체는 제1 고주파 전극(254)과 냉각판(298a) 사이에서 제1 증기 배출홈(256)을 통해 제1 유체 흐름 경로(246a)로 유입될 수 있다. 또한, 유체는 제2 고주파 전극(274)과 냉각판(298b) 사이에서 제2 증기 배출홈(276)을 통해 제2 유체 흐름 경로(246b)로 유입될 수 있다.

그 결과, 대상 조직 이외의 주변 조직이 생체 조직의 치료동안 고주파 전류가 통전된 부분에서 생성되는 유체에 의해 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 즉, 생체 조직의 치료동안 영향을 받는 위치는 제1 고주파 전극(254)과 제2 고주파 전극(274) 사이에서 고주파 전류가 통전된 생체 조직으로 제한될 수 있다.

또한, 고온의 유체가 본체측 파지부(222)와 착탈측 파지부(224)에서 배출되더라도, 유체는 냉각판(298a, 298b)과 접촉함으로써 냉각될 수 있다. 그 결과, 파지부(206)에 의해 파지된 생체 조직 주변의 생체 조직은 영향을 받지 않게 된다.

본 실시예에서 설명된 냉각판(298a, 298b)은 도 20 및 도 21에 도시된 실시예에도 마찬가지로 적용될 수 있음은 물론이다.

또한, 상기 제1 내지 제12 실시예에서는 고주파 전극의 사용을 주로 설명하였지만, 초음파 진동기가 고주파 전극 대신에 사용될 수 있다. 이 경우, 예컨대 평판형, 환형 또는 스폿형 초음파 진동기가 초음파 진동될 때, 초음파 진동기의 표면과 접촉하는 생체 조직이 초음파 치료를 받을 수 있다.

또한, 제2 파지부(54)에 인접한 측면 상의 제1 파지부(152)의 본체(162)의 표면에는 히터 요소(미도시)가 마련되어 마찬가지로 치료를 수행할 수 있다.

Claims (25)

1. 치료를 수행하기 위해 생체 조직에 에너지를 인가하는 치료 시스템(10)으로서,

   에너지를 공급하는 에너지원(14)과,

   생체 조직을 파지(hold)하되 둘 중 적어도 하나가 다른 것에 대해 상대적으로 이동하도록 구성되는 한 쌍의 파지부(26; 206)와,

   적어도 하나의 상기 파지부 상에 배치되고 상기 에너지원과 연결되되 상기 에너지원에서 공급된 에너지에 의해 상기 생체 조직을 열적으로 변성시키도록 구성되는 출력부(56, 58; 126; 136; 144; 166, 168; 194, 196; 254, 274; 286)와,

   상기 출력부로부터 멀어지는 방향으로의 열확산을 억제하는 냉각부(98; 108; 146, 156; 162a, 162b, 164; 292, 296; 298a, 298b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 시스템.
2. 제1항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 출력부에 인접한 위치에 배치되고 열에 의해 변성되는 생체 조직으로부터 그 주변 영역으로의 열의 확산을 억제하는 방열부재(108; 146; 164; 298a, 298b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 시스템(10).
3. 제1항에 있어서, 상기 냉각부는 냉각 매체를 공급하는 도관(98; 156; 162a, 162b; 292, 296)을 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 시스템(10).
4. 제1항에 있어서, 상기 냉각부는 냉각 매체가 상기 파지부를 통해 순환되도록 상기 파지부에 도관(156; 162a, 162b)을 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 시스템(10).
5. 제1항에 있어서,

   상기 출력부에 인접한 위치에 배치되고 유체를 통과시키는 적어도 하나의 유체 통로(84a, 84b; 112a, 112b, 114; 126a; 128a; 128b; 136a; 148a, 152; 166b, 168b; 182a, 182b; 184a, 184b; 246a, 256; 246b, 276, 280; 286a)를 더 포함하며, 상기 유체 통로는 상기 생체 조직이 열적으로 변성되는 시기에 상기 생체 조직에서 생성되는 가스 및/또는 액체를 포함하는 유체를 통과시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 치료 시스템(10).
6. 제1항에 있어서,

   상기 출력부에 인접한 위치에 배치되는 적어도 하나의 차단부(82a, 82b; 124; 134; 146, 148; 258; 278; 284; 298a, 298b)를 더 포함하되,

   상기 차단부는 상기 출력부와 상기 냉각부 사이에 배치되고, 상기 출력부의 높이와 동일한 높이로 배치되거나 상기 출력부의 위치보다 높은 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 치료 시스템(10).
7. 제6항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 차단부의 높이와 동일한 높이로 배치되거나 상기 차단부의 위치보다 낮은 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 치료 시스템(10).
8. 제1항에 있어서, 복수의 상기 출력부(126; 136; 144; 166, 168; 286)는 적어도 하나의 상기 파지부에 배열되는 것을 특징으로 하는 치료 시스템(10).
9. 생체 조직에 에너지를 인가하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c)로서,

   상기 생체 조직을 파지하는 파지부(26; 206)를 포함하되, 상기 파지부는,

   서로에 대해 상대적으로 움직이는 제1 및 제2 파지부들(52, 54; 222, 224)과,

   상기 제1 파지부 및 제2 파지부 중 적어도 하나의 파지부에 배치되고 에너지원과 연결되되, 상기 생체 조직이 상기 제1 파지부와 상기 제2 파지부 사이에서 파지되는 시기에 상기 에너지원에서 공급되는 에너지에 의해 상기 생체 조직을 열적으로 변성시키도록 구성되는 출력부(56, 58; 126; 136; 144; 166, 168; 194, 196; 254, 274; 286)와,

   변성된 생체 조직에서 열이 그 주변 영역으로 확산되는 것을 억제하는 냉각부(98; 108; 146, 156; 162a, 162b, 164; 292, 296; 298a, 298b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치.
10. 제9항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 제1 및 제2 파지부들에서 적어도 상기 출력부가 마련된 파지부에 배치되는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
11. 제10항에 있어서, 상기 냉각부(98; 108; 146, 156; 162a, 162b, 164; 292, 296)는 상기 출력부 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
12. 제9항에 있어서, 상기 냉각부는 냉각 유체가 상기 냉각부를 통과할 때 상기 유체의 열이 도관 외부로 전달되도록 열전도도를 갖는 도관(98; 156; 162a, 162b; 292, 296)을 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
13. 제12항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 도관뿐만 아니라 상기 생체 조직과도 접촉하는 냉각판(146; 164; 298a, 298b)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
14. 제13항에 있어서, 상기 냉각판(146; 164; 298a, 298b)은 상기 냉각판과 상기 출력부 사이에 배치되고 상기 생체 조직에서 생성된 가스 및/또는 액체를 포함하는 유체를 상기 파지부로부터 배출하는 유체를 통과시키는 유체 통로(148a, 152; 256, 276)를 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
15. 제13항에 있어서, 상기 냉각판은 상기 출력부에 의해 상기 생체 조직에서 생성된 유체가 상기 냉각판과 상기 생체 조직 사이의 간극을 통해 상기 파지부 밖으로 누출되는 것을 방지하기 위해 상기 생체 조직과 밀접 접촉되는 차단부(148)를 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
16. 제9항에 있어서, 상기 냉각부는 변성된 생체 조직으로부터의 열확산을 방사하는 방열부재(108; 146; 164; 298a, 298b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
17. 제9항에 있어서, 상기 냉각부는 제1 및 제2 파지부들에서 적어도 상기 출력부가 마련된 파지부에 배치되는 냉각판(146; 164; 298a, 298b)과, 상기 냉각판을 냉각시키기 위한 냉각 수단(156; 162a, 162b; 292, 296)을 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
18. 제17항에 있어서, 상기 냉각 수단(162a, 162b)은 상기 제1 및 제2 파지부들에서 상기 출력부가 마련된 상기 파지부와 상기 냉각판 사이에 상기 냉각판(164)을 냉각시키는 유체를 통과시키기 위한 공간을 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
19. 제9항에 있어서, 상기 냉각부는 상기 파지부 상에 상기 출력부 외부에 배치되는 열전달 부재(146; 164; 298a, 298b)와, 상기 열전달 부재를 냉각시키기 위한 냉각 수단(156; 162a, 162b; 292, 296)을 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
20. 제19항에 있어서, 상기 냉각 수단은 상기 열전달 부재를 냉각시키는 유체인 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
21. 제19항에 있어서, 상기 냉각 수단(156; 292, 296)은 상기 열전달 부재(146; 298a, 298b)와 접촉하게 되고 유체가 통과하는 도관인 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
22. 제9항에 있어서, 상기 파지부는 상기 제1 파지부와 상기 제2 파지부 사이에 파지된 상기 생체 조직을 보조적으로 치료하는 보조 치료 장치(174; 242)를 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
23. 제22항에 있어서, 상기 제1 파지부와 상기 제2 파지부는 상기 보조 치료 장치를 안내하고 변성된 생체 조직에서 생성되는 유체를 배출하는 안내홈들을 포함하는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
24. 제9항에 있어서, 상기 출력부는 고주파 전극(56, 58; 126; 136; 144; 166, 168; 254; 274; 286)인 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).
25. 제9항에 있어서, 상기 출력부(194) 자체는 열을 갖는 것을 특징으로 하는 치료 장치(12; 12a; 12b; 12c).

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