KR20090107753A - Plasma display panel and method for manufacturing the same - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A plasma display panel and a manufacturing method thereof are provided to lower the discharge voltage and implement the high efficiency of the plasma display panel using the cesium oxide and the oxide of the second group elements. CONSTITUTION: A protective film includes a scan electrode, a sustain electrode, and the first dielectrics and the cesium oxide(196) and the oxide(198) of the second group elements in the first top of the substrates. The first panel includes the protective film(195). The fluorescent substance is attached with the first panel, and the partition is arranged therebetween. The fluorescent substance is formed on the side of the address electrode, the second dielectrics, the partition and the second dielectrics.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{Plasma display panel and method for manufacturing the same}Plasma display panel and method for manufacturing the same

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly, to a protective film of a plasma display panel.

멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube)는 한계가 있어서, LCD(Liquid Crystal Display)나 PDP(Plasma Display Panel) 및 프로젝션 TV(Television) 등이 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 급속도로 발전하고 있다.With the advent of the multimedia era, display devices that can express more detailed, larger, and more natural colors are required. However, the current CRT (Cathode Ray Tube) has a limit to compose a large screen of 40 inches or more, and the LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and projection TV (Television) are used for high definition video. It is rapidly developing for expansion.

상술한 PDP 등의 디스플레이 장치의 최대 특징은 자체 발광형인 CRT와 비교하여 얇은 두께로 제작될 수 있고, 평면의 대화면(60~80inch)제작이 손쉬울 뿐 아니라 style이나 design 면에서 종래 CRT와는 명확히 구별이 된다.The maximum characteristics of the display device such as the PDP can be manufactured in a thin thickness compared to the CRT, which is self-luminous, and is easy to manufacture a large flat screen (60 to 80 inches) and clearly distinguished from the conventional CRT in terms of style and design. Becomes

PDP는 어드레스 전극을 구비한 하판과, 서스테인 전극쌍을 구비한 상판과 격벽으로 정의되는 방전셀을 가지며, 방전셀 내에는 형광체가 도포되어 화면을 표시 한다. 구체적으로, 상기 상판과 하판 사이의 방전 공간 내에서 방전이 일어나면 이 때 발생된 자외선이 형광체에 입사되어 가시광선이 발생하고, 상기 가시광선에 의하여 화면이 표시된다.The PDP has a lower plate having an address electrode, a top plate having a sustain electrode pair, and a discharge cell defined as a partition wall, and a phosphor is coated in the discharge cell to display a screen. Specifically, when discharge occurs in the discharge space between the upper plate and the lower plate, ultraviolet rays generated at this time are incident on the phosphor to generate visible light, and the screen is displayed by the visible light.

여기서, 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 패널과 하부 패널에는 각각 서스테인 전극쌍 및 어드레스 전극을 보호하기 위하여 유전체층이 형성된다. 그런데, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전시에 (+) 이온의 충격 때문에 상부 패널에 구비된 상판 유전체가 닳아 없어지고, 이 때 나트륨(Na) 등의 금속 물질이 전극을 단락(short)시키기도 한다. 따라서, 상부 패널에 구비된 상판 유전체 상에 (+) 이온의 충격에 잘 견디는 산화 마그네슘(MgO)을 코팅하여 형성하기도 한다.Here, a dielectric layer is formed on the upper panel and the lower panel of the plasma display panel to protect the sustain electrode pair and the address electrode, respectively. However, due to the impact of (+) ions during the discharge of the plasma display panel, the top dielectric provided in the upper panel is worn out, and at this time, a metallic material such as sodium (Na) may short the electrode. Therefore, it may be formed by coating magnesium oxide (MgO), which withstands the impact of (+) ions, on the top dielectric provided in the upper panel.

그러나, 전술한 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막은 다음과 같은 문제점이 있다.However, the above-described protective film of the plasma display panel has the following problems.

플라즈마 디스플레이 패널은 전극에 전압이 인가되어 방전 가스가 해리되어 플라즈마를 형성할 때, 플라즈마 내의 이온이 보호막에 입사하여 보호막 표면으로부터 2차 전자가 방출되므로 결과적으로 보다 낮은 전압에서 가스 방전이 일어날 수 있도록 도와준다. 산화 마그네슘은 2차 전자 방출계수가 비교적 높고, 내스퍼터링 특성으로 인하여 보호막의 주재료로 사용되고 있다.In the plasma display panel, when a voltage is applied to the electrode to dissociate the discharge gas to form a plasma, ions in the plasma enter the protective film and secondary electrons are emitted from the surface of the protective film, so that gas discharge may occur at a lower voltage. help. Magnesium oxide is used as the main material of the protective film because of its relatively high secondary electron emission coefficient and sputtering characteristics.

최근 들어서 패널의 저전압화가 이루어지고 있으며, 이러한 저전압화는 패널의 전력소모를 줄여서 생산비를 절감시킬 뿐만 아니라, 휘도와 방전효율 등의 향상을 도모할 수 있어야 한다. 따라서, 방전 가스 중 Xe의 함량을 높이거나, 투명전극으로 쓰이는 ITO(Indium-Tin-Oxide) 등의 갭을 넓히는 연구가 진행되고 있다. 그러 나, Xe의 함량을 높이거나 ITO의 갭을 넓히면 방전 전압이 증가하는 문제점이 있다. 따라서, 고효율 플라즈마 디스플레이 패널의 구현을 위하여 방전 전압을 낮추는 것이 필요하다.In recent years, the low voltage of the panel has been made, and such low voltage should reduce the power consumption of the panel to reduce the production cost and improve the brightness and discharge efficiency. Accordingly, studies are being conducted to increase the content of Xe in the discharge gas or to widen the gap of ITO (Indium-Tin-Oxide) used as a transparent electrode. However, increasing the content of Xe or widening the gap of ITO has a problem that the discharge voltage increases. Therefore, it is necessary to lower the discharge voltage in order to implement a high efficiency plasma display panel.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 플라즈마 디스플레이 패널의 고효율을 구현하면서도 방전 전압을 낮추는 것이다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to lower the discharge voltage while implementing a high efficiency of the plasma display panel.

본 발명의 다른 목적은 세슘 산화물과 제 2 족 원소의 산화물을 보호막의 재료로 사용하여, 보호막의 녹는점이 높고 안정성이 확보된 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to use a cesium oxide and an oxide of a group 2 element as a material for the protective film, to provide a plasma display panel having a high melting point and stable stability of the protective film, and a method of manufacturing the same.

상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 제 1 기판 상에, 적어도 하나의 스캔 전극과, 서스테인 전극과, 제 1 유전체, 및 세슘 산화물과 제 2 족 원소의 산화물이 포함된 보호막이 구비된 제 1 패널; 및 격벽을 사이에 두고 상기 제 1 패널과 합착되고, 제 2 기판 상에, 적어도 하나의 어드레스 전극과 제 2 유전체 및 상기 격벽의 측면과 상기 제 2유 전체 상에 형성된 형광체가 구비된 제 2 패널을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides a protective film including a protective film on the first substrate, the protective film including at least one scan electrode, a sustain electrode, a first dielectric and an oxide of cesium oxide and a group 2 element. 1 panel; And a second panel bonded to the first panel with the barrier ribs interposed therebetween, the second panel including at least one address electrode, a second dielectric, and a phosphor formed on a side surface of the barrier rib and the second dielectric on a second substrate. It provides a plasma display panel comprising a.

본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 제 1 기판 상에, 적어도 하나의 스캔 전극과 서스테인 전극과 제 1 유전체를 형성하는 단계; 제 1 유전체 상에, 세슘 산화물과 제 2 족 원소의 산화물이 포함된 보호막을 형성하는 단계; 제 2 기판 상에, 적어도 하나의 어드레스 전극과 제 2 유전체 및 격벽을 형성하는 단계; 상기 격벽의 측면과 상기 제 2 유전체 상에, 형광체를 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method, comprising: forming at least one scan electrode, a sustain electrode, and a first dielectric on a first substrate; Forming a protective film on the first dielectric layer, the protective film including cesium oxide and an oxide of a group 2 element; Forming at least one address electrode, a second dielectric and a partition on the second substrate; Forming a phosphor on the side of the partition and the second dielectric; And attaching the first substrate and the second substrate to each other.

상기에서 설명한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법의 효과를 설명하면 다음과 같다.The effects of the plasma display panel and the manufacturing method according to the present invention described above are as follows.

첫째, 플라즈마 디스플레이 패널의 고효율을 구현하면서도 방전 전압을 낮출 수 있다.First, the discharge voltage can be lowered while realizing the high efficiency of the plasma display panel.

둘째, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 세슘 산화물과 제 2 족 원소의 산화물을 보호막의 재료로 사용하여, 보호막의 녹는점이 높고 안정성을 확보할 수 있다.Second, cesium oxide and oxides of group 2 elements are used as the protective film for the protective film of the plasma display panel, so that the melting point of the protective film is high and stability can be ensured.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described. The same components as in the prior art are given the same names and the same reference numerals for convenience of description, and detailed description thereof will be omitted.

첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다.In the accompanying drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 일실시예의 방전 셀 구조를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 상세히 나타낸 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 일실시예의 방전 셀 구조를 설명하면 다음과 같다.1 is a view showing a discharge cell structure of an embodiment of a plasma display panel according to the present invention, Figure 2 is a view showing in detail a protective film of the plasma display panel shown in FIG. 1 and 2, a discharge cell structure of an embodiment of a plasma display panel according to the present invention will be described.

도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 전면기판(170) 상에 일방향으로 구비된 투명인 전극(180a, 180b)과 통상의 금속 재료로 이루어지는 버스전극(180a', 180b')이 형성된다. 그리고, 투명 전극 및 버스전극을 덮으면서 전면기판(170) 상에 유전체와 보호막(195)이 순차적으로 형성되어 이루어진다.As shown, the plasma display panel of the present invention is formed on the front substrate 170, the transparent electrodes 180a, 180b provided in one direction and the bus electrodes 180a ', 180b' made of a conventional metal material. . A dielectric and a protective film 195 are sequentially formed on the front substrate 170 while covering the transparent electrode and the bus electrode.

전면 기판(170)은 디스플레이 기판용 글라스의 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성된다. 여기서, 투명 전극(180a, 180b)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 SnO₂ 등을, 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법 또는 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법 등으로 형성된 것이다. 그리고, 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag) 등을 포함하여 이루어진다. 또한, 투명 전극쌍과 버스 전극 사이에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.The front substrate 170 is formed through a process such as milling and cleaning the glass for the display substrate. Here, the transparent electrodes 180a and 180b may be formed of indium-tin-oxide (ITO), SnO ₂ , or the like by a photoetching method by sputtering or a lift-off method by CVD. Formed. The bus electrodes 180a 'and 180b' include silver (Ag) and the like. In addition, a black matrix may be formed between the transparent electrode pair and the bus electrode, and includes a low melting glass and a black pigment.

그리고, 투명 전극(180a, 180b) 및 버스전극(180a, 180b)이 형성된 전면 기판(170) 상에는, 상판 유전체(190)가 형성된다. 여기서, 유전체는 투명한 저융점 유리와 필러를 포함하여 이루어진다.An upper dielectric 190 is formed on the front substrate 170 on which the transparent electrodes 180a and 180b and the bus electrodes 180a and 180b are formed. Here, the dielectric comprises transparent low melting glass and filler.

그리고, 상판 유전체(190) 상에 보호막(195)이 형성된다. 보호막(195)은 세슘(Cs) 산화물(196)과 제 2 족 원소의 산화물(198)을 포함하여 이루어진다. 보호막(195) 내에서 세슘 산화물(196, Cs₂O)은 10~90%의 중량비를 갖는다. 여기서, 제 2 족 원소(198)는 Be(베릴륨), Mg(마그네슘), Sr(스트론튬), Ca(칼슘) 및 Ba(바륨) 중 어느 하나일 수 있다. 그리고, 상기 보호막(195)은 리액티브 스퍼터링(Reactive Sputtering)법 또는 전자빔 증착(Electron beam deposition)법으로 증착된 것을 특징으로 한다. 그리고, 보호막(195)은 두께가 100~1000 나노미터이면 충분하다. 만일 보호막(195)의 두께가 100 나노미터 이하이면 오방전의 가능성이 있으며, 1000 나노미터 이상이면 제조 공정과 비용상의 문제점이 발생할 수 있다.A protective film 195 is formed on the upper dielectric 190. The protective film 195 includes a cesium (Cs) oxide 196 and an oxide 198 of a group 2 element. Cesium oxide 196 (Cs ₂ O) in the protective film 195 has a weight ratio of 10 to 90%. Here, the group 2 element 198 may be any one of Be (beryllium), Mg (magnesium), Sr (strontium), Ca (calcium), and Ba (barium). In addition, the protective film 195 may be deposited by reactive sputtering or by electron beam deposition. The protective film 195 is sufficient if the thickness is 100 to 1000 nanometers. If the thickness of the protective film 195 is 100 nanometers or less, there is a possibility of mis-discharge.

한편, 배면기판(110)의 일면에는 상기 투명 전극(180a, 180b)과 교차하는 방향을 따라 어드레스 전극(120)이 형성되고, 이 어드레스 전극(120)을 덮으면서 배면기판(110)의 전면에 백색 유전체(130)가 형성된다. 백색 유전체(130)는 인쇄법 또는 필름 라미네이팅(laminating) 방법에 의하여 도포된 후, 소성 공정을 통하여 완성된다. 그리고, 백색 유전체(130) 위로 각 어드레스 전극(120) 사이에 배치되도록 격벽(140)이 형성된다. 그리고, 격벽(140)은 스트라이프형(stripe-type), 웰형(well-type), 또는 델타형(delta-type)일 수 있다.Meanwhile, an address electrode 120 is formed on one surface of the rear substrate 110 in a direction crossing the transparent electrodes 180a and 180b, and covers the address electrode 120 on the front surface of the rear substrate 110. White dielectric 130 is formed. The white dielectric 130 is applied by a printing method or a film laminating method, and then completed through a firing process. In addition, the partition wall 140 is formed to be disposed between the address electrodes 120 on the white dielectric 130. In addition, the partition wall 140 may be stripe-type, well-type, or delta-type.

도시되지 않았으나, 격벽 (140) 상에는 블랙 탑이 형성될 수 있다. 그리고, 각각의 격벽(140) 사이에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체층(150a, 150b, 150c)이 형성된다. 배면기판(110) 상의 어드레스 전극(120)과 전면기판(110) 상의 서스테인 전극쌍(180a, 180b)이 교차하는 지점이 각각 방전셀을 구성하는 부분이 된다.Although not shown, a black top may be formed on the partition wall 140. The phosphor layers 150a, 150b, and 150c of red (R), green (G), and blue (B) are formed between the partition walls 140. The point where the address electrode 120 on the back substrate 110 and the sustain electrode pairs 180a and 180b on the front substrate 110 cross each other constitutes a discharge cell.

그리고, 상기 전면기판(170)과 배면기판(110)이 격벽(140)을 사이에 두고 접합되는데, 기판의 외곽에 구비된 실링재를 통하여 접합된다. 그리고, 상부 패널과 하부 패널은 구동 장치와 연결되어 있다.In addition, the front substrate 170 and the rear substrate 110 are bonded to each other with the partition wall 140 interposed therebetween, and are bonded through a sealing material provided on the outer side of the substrate. The upper panel and the lower panel are connected to the driving device.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치와 연결부를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 3을 참조하여 상술한 구조의 패널과 구동 장치의 연결부를 설명한다.3 is a view showing a driving device and a connecting portion of the plasma display panel according to the present invention. Hereinafter, referring to FIG. 3, a connection portion between the panel and the driving device having the above-described structure will be described.

도시된 바와 전체 플라즈마 디스플레이 장치는, 패널(220)과, 상기 패널(220)에 구동 전압을 공급하는 구동 기판(230)과, 상기 패널(220)의 각각의 셀에 대한 전극들과 상기 구동 기판(230)을 연결하는 연성 기판의 일종인 테이프 캐리어 패키지(Tape carrier package, 이하 TCP라 함)(240)로 이루어진다. 여기서, 패널(220)은 상술한 바와 같이 전면 기판과 배면 기판 및 격벽을 포함하여 이루어진다.As illustrated, the entire plasma display apparatus includes a panel 220, a driving substrate 230 for supplying a driving voltage to the panel 220, electrodes for each cell of the panel 220, and the driving substrate. A tape carrier package 240, which is a type of flexible substrate connecting the 230, is formed. As described above, the panel 220 includes a front substrate, a rear substrate, and a partition wall.

그리고, 상기 패널(220)과 상기 TCP(240)의 전기적, 물리적 연결 및 상기 TCP(240)와 구동 기판(230)의 전기적, 물리적 연결은 이방성 전도 필름(Anisotropic conductive film, 이하 ACF라 함)을 사용한다. ACF는 금(Au)을 코팅한 니켈(Ni)의 볼(ball)을 이용하여 만든 전도성 수지 필름이다.In addition, an electrical and physical connection between the panel 220 and the TCP 240 and an electrical and physical connection between the TCP 240 and the driving substrate 230 may include an anisotropic conductive film (hereinafter referred to as an ACF). use. ACF is a conductive resin film made of nickel (Ni) balls coated with gold (Au).

도 4는 일반적인 테이프 캐리어 패키지의 기판 배선 구조를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a substrate wiring structure of a typical tape carrier package.

도시된 바와 같이, TCP(240)는 패널(220)과 구동 기판(230) 사이의 결선을 담당하면서, 구동 드라이버 칩이 탑재되어 있다. TCP(240)는 연성 기판(242) 상에 밀집 배치된 배선(243)과, 상기 배선(243)과 연결되면서 상기 구동 기판(230)으로부터 전력을 제공받아 패널(220)의 특정 전극에 제공하는 구동 드라이버 칩(241)로 이루어져 있다. 여기서, 구동 드라이버 칩(241)은 저전압과 구동 제어 신호들을 인가 받아 높은 전력의 많은 신호들을 교번하면서 출력하는 구조를 가지므로, 상기 구동 기판(230) 측과 연결되는 배선은 수가 작고, 상기 패널(220)측과 연결되는 배선은 수가 많다. 따라서, 상기 구동 기판(230)측 공간을 통하여 상기 구동 드라이버 칩(341)의 배선을 연결하는 경우도 있다. 상기 배선(243)은 상기 구동 드라이버 칩(341)의 중심을 경계로 구분되지 않을 수도 있다.As shown, the TCP 240 is in charge of the connection between the panel 220 and the driving substrate 230, the driving driver chip is mounted. The TCP 240 is connected to the wiring 243 on the flexible substrate 242 and the wiring 243 and receives power from the driving substrate 230 to provide a specific electrode of the panel 220. The driver chip 241 is formed. Here, since the driving driver chip 241 has a structure in which a plurality of signals of high power are alternately outputted by receiving low voltage and driving control signals, the number of wirings connected to the driving substrate 230 is small and the panel ( The number of wires connected to the 220 side is large. Therefore, the wiring of the driving driver chip 341 may be connected through a space on the driving substrate 230 side. The wiring 243 may not be divided by a boundary of the center of the driving driver chip 341.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이다.5 is a view schematically showing another embodiment of a plasma display device according to the present invention.

본 실시예에서, 패널(220)은 구동 장치와 FPC(Flexible printed circuit, 이하 FPC라 함)(250)를 통하여 연결된다. 여기서, FPC(250)는 polymide를 이용하여 내부에 패턴을 형성한 필름이다. 그리고, 본 실시예에서도 FPC(250)와 패널(220)은 ACF를 통하여 연결된다. 또한, 본 실시예에서 구동 기판(230)은 PCB 회로인 것은 당연하다.In the present embodiment, the panel 220 is connected to the driving device through a flexible printed circuit (FPC) 250. Here, the FPC 250 is a film having a pattern formed therein using polymide. In addition, in the present embodiment, the FPC 250 and the panel 220 are connected through the ACF. In addition, in this embodiment, the driving substrate 230 is a natural PCB circuit.

여기서, 구동 장치는 데이타 드라이터와 스캔 드라이버와 서스테인 드라이버 등으로 이루어진다. 여기서, 데이타 드라이버는 어드레스 전극에 연결되어 데이터 펄스를 인가한다. 그리고, 스캔 드라이버는 스캔 전극에 연결되어 상승 램프 파형(Ramp-up), 하강 램프 파형(Ramp-down), 스캔 펄스(scan) 및 서스테인 펄스를 공급한다. 또한, 서스테인 드라이버는 공통 서스테인 전극에 서스테인 펄스와 DC 전압을 인가한다.Here, the driving device includes a data driver, a scan driver, a sustain driver, and the like. Here, the data driver is connected to the address electrode to apply a data pulse. The scan driver is connected to the scan electrode to supply a rising ramp waveform, a ramping ramp waveform, a scan pulse, and a sustain pulse. The sustain driver also applies a sustain pulse and a DC voltage to the common sustain electrode.

그리고, 플라즈마 디스플레이 패널은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 나뉘어 구동된다. 리셋 기간에는 스캔 전극들에 상승 램프 파형(Ramp-up)이 동시에 인가된다. 그리고, 어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스(scan)가 스캔 전극들에 순차적으로 인가되며, 동시에 스캔 펄스와 동기되어 어드레스 전극들에 정극성의 데이터펄스가 인가된다. 또한, 서스테인 기간에는 스캔 전극들과 서스테인 전극들에 교번적으로 서스테인 펄스(sus)가 인가된다.The plasma display panel is driven by being divided into a reset period, an address period, and a sustain period. In the reset period, a rising ramp waveform Ramp-up is simultaneously applied to the scan electrodes. In the address period, the negative scan pulse scan is sequentially applied to the scan electrodes, and at the same time, the positive data pulse is applied to the address electrodes in synchronization with the scan pulse. In the sustain period, a sustain pulse sus is alternately applied to the scan electrodes and the sustain electrodes.

도 6a 내지 6k은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다. 도 6a 내지 6k을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.6A to 6K illustrate an embodiment of a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention. Referring to FIGS. 6A to 6K, a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention is as follows.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이 전면 기판(170) 상에 투명 전극(180a, 180b)과 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다. 여기서, 전면 기판(170)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다라임 유리를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning)하여 제조된다.First, as shown in FIG. 6A, transparent electrodes 180a and 180b and bus electrodes 180a 'and 180b' are formed on the front substrate 170. Here, the front substrate 170 is manufactured by milling and cleaning the glass or soda lime glass for the display substrate.

그리고, 투명 전극(180a, 180b)은 ITO 또는 SnO₂ 등을, 스퍼터링에 의한 포토에칭법(photoetching) 또는 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법 등으로 형성한다. 그리고, 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag) 등의 재료를, 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법 등으로 형성한다. 또한, 투명 전극쌍(180a, 180b)에는 상에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법 등으로 형성할 수 있다.The transparent electrodes 180a and 180b form ITO, SnO ₂ , or the like by a photoetching method by sputtering, a lift-off method by CVD, or the like. The bus electrodes 180a 'and 180b' are formed of a material such as silver (Ag) by a screen printing method, a photosensitive paste method, or the like. In addition, a black matrix may be formed on the transparent electrode pairs 180a and 180b. The low melting glass and the black pigment may be formed by a screen printing method or a photosensitive paste method.

이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이 투명 전극쌍(180a, 180b) 및 버스 전극(180a' 180b')이 형성된 전면 기판(170) 상에, 저융점 유리 등을 포함한 재료를 스크린 인쇄법이나 코팅법 또는 그린 시트를 라미네이팅하는 방법 등으로 (XGA 급 의 경우) 적층하여 상판 유전체(190)를 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6B, a material including low melting glass or the like is screen-printed or coated on the front substrate 170 on which the transparent electrode pairs 180a and 180b and the bus electrodes 180a '180b' are formed. Alternatively, the upper plate dielectric 190 is formed by laminating (in the case of XGA class) the green sheet by laminating or the like.

이어서, 상판 유전체(190) 상에 보호막을 형성한다. 보호막(195)은 세슘(Cs) 산화물(196)과 제 2 족 원소의 산화물(198)을 증착하여 형성되며, 보호막(195) 내에서 세슘 산화물(196, Cs₂O)은 10~90%의 중량비를 갖는다. Next, a protective film is formed on the top dielectric 190. The protective film 195 is formed by depositing a cesium (Cs) oxide 196 and an oxide 198 of a group 2 element, and the cesium oxide (196, Cs ₂ O) in the protective film 195 is 10-90%. It has a weight ratio.

먼저, 도 6c를 참조하여 리액티브 스퍼터링법으로 보호막을 증착하는 공정을 설명한다.First, a process of depositing a protective film by reactive sputtering will be described with reference to FIG. 6C.

스퍼터링은 금속판에 아르곤 등의 불활성 원소를 부딪쳐서 금속 분자를 쫓아낸 후, 표면에 막을 부착하는 기술이라 할 수 있다. 도시된 바와 같이, 스퍼터링 장치(600)는, 내부의 하부면에 기판(620)을 지지하는 지지대(610)가 구비되어 있다. 여기서, 기판(620)은 보호막(195)을 형성하고자 하는 대상으로서, 본 실시예에서는 전면 기판 상에 투명전극과 버스 전극 및 상판 유전체가 형성된 구조를 뜻한다. 그러므로, 기판(620)에서 타겟(630)이 적층되는 부분이 상판 유전체에 해당됨은 당연하다. 그리고, 도시되지는 않았으나, 지지대(610) 내에는 스퍼터링 장치(600) 내의 온도 조절이나 기판(620)의 온도 조절을 위한 히터가 구비될 수 있다. 내부의 상부면에는 타겟(target)(630)이 구비된다. 타겟(630)은 보호막 재료들을 포함한다. 즉, 타겟(630)으로 세슘, 그리고 Be(베릴륨), Mg(마그네슘), Sr(스트론튬), Ca(칼슘) 및 Ba(바륨) 중 하나의 제 2 족 원소를 포함한다.Sputtering is a technique of attaching a film to a surface after driving an inert element such as argon on a metal plate to drive out metal molecules. As shown, the sputtering apparatus 600 is provided with a support 610 for supporting the substrate 620 on the lower surface of the inside. Herein, the substrate 620 is an object to form the protective film 195. In this embodiment, the substrate 620 refers to a structure in which a transparent electrode, a bus electrode, and a top dielectric are formed on the front substrate. Therefore, the portion where the target 630 is stacked in the substrate 620 corresponds to the top dielectric. Although not shown, the support 610 may be provided with a heater for controlling the temperature of the sputtering device 600 or the temperature of the substrate 620. A target 630 is provided on an upper surface of the inside. The target 630 includes protective film materials. That is, the target 630 includes cesium and a group 2 element of one of Be (beryllium), Mg (magnesium), Sr (strontium), Ca (calcium), and Ba (barium).

상술한 스퍼터링 장치를 이용하여 보호막(195)을 증착하는 과정을 설명하면 다음과 같다.A process of depositing the protective film 195 using the above-described sputtering apparatus will be described below.

먼저, 먼저 기판(620)이 배치되는 하부면에는 애노드(annode) 전극이 연결되고, 타겟(630)이 배치되는 상부면에는 캐소드(cathod) 전극이 연결된다. 그리고 스퍼터링 가스로서 불활성 가스, 예컨대 Ar(아르곤) 가스가 공급된다. 전원이 공급되면, Ar 가스는 캐소드 전극쪽에서 방출된 전자와 충돌하고 여기되어 Ar⁺가 된다. 상기 여기된 가스는 캐소드 전극이 있는 상부면으로 끌려서 타겟(620)과 충돌하게 된다. 여기된 가스는 hυ만큼의 에너지를 갖고 있으며, 이 에너지는 타겟(630)과의 충돌시 타겟(630) 내의 상술한 보호막 재료(631)에 전이된다. 보호막 재료(631)의 결합력과 전자의 일함수(work function)을 극복될 정도의 에너지가 전이되면, 플라즈마가 방출된다. 그리고, 스퍼터링 장치(600)의 측면에서 공급되는 산소(O₂)에 의하여 보호막 재료(631)는 산화되어, 세슘 산화물, Be(베릴륨), Mg(마그네슘), Sr(스트론튬), Ca(칼슘) 및 Ba(바륨) 등이 형성된다. 그리고, 상술한 산화된 보호막 재료(631)들이 기판(620) 위에 증착된다. 즉, 제 2 족 원소와 세슘이 산소 가스에 의하여 산화된 후, 상판 유전체 상에 박막의 형태로 증착된다.First, an anode electrode is connected to a lower surface on which the substrate 620 is disposed, and a cathode electrode is connected to an upper surface on which the target 630 is disposed. An inert gas such as Ar (argon) gas is supplied as the sputtering gas. When powered, the Ar gas collides with and is excited with electrons emitted from the cathode electrode and becomes Ar ⁺ . The excited gas is attracted to the upper surface with the cathode electrode and collides with the target 620. The excited gas has as much energy as hv, and this energy is transferred to the above-described protective film material 631 in the target 630 upon collision with the target 630. Plasma is emitted when the energy of the bonding film of the protective film material 631 and the energy enough to overcome the work function of the electrons are transferred. Then, the protective film material 631 is oxidized by oxygen (O ₂ ) supplied from the side of the sputtering device 600, and cesium oxide, Be (beryllium), Mg (magnesium), Sr (strontium), and Ca (calcium). And Ba (barium) and the like are formed. The oxidized protective film material 631 described above is then deposited on the substrate 620. That is, after the Group 2 element and cesium are oxidized by oxygen gas, they are deposited in the form of a thin film on the top dielectric.

상술한 리액티브 스퍼터링 방법은 산소와, 산화되지 않는 세슘 또는 제2족원소를 각각 공급하여, 원소들의 함량비를 조절할 수 있다.In the reactive sputtering method described above, oxygen and cesium or group 2 elements which are not oxidized may be respectively supplied to adjust the content ratio of the elements.

이하에서, 도 6d를 참조하여 전자빔 증착(Electron beam deposition)법으로 보호막을 증착하는 공정을 설명한다.Hereinafter, a process of depositing a protective film by an electron beam deposition method will be described with reference to FIG. 6D.

전자빔 증착법은, 전자빔이 보호막 재료에 충돌하면 보호막 재료가 증발되어 확산된 후 상판 유전체 상에 증착되어 보호막을 형성하는 방법으로, 전자빔의 에너 지가 타겟의 표면에 집중되면 고송 증착 및 고순도의 보호막 형성이 가능하다. 즉, 상술한 리액티브 스퍼터링법과는 달리 세슘 산화물과 제 2 족 원소의 산화물을 동시에 증발시켜서, 상판 유전체 상에 증착한다.In the electron beam deposition method, when the electron beam collides with the protective film material, the protective film material is evaporated and diffused and then deposited on the top dielectric to form a protective film.When the energy of the electron beam is concentrated on the surface of the target, high-speed deposition and high purity protective film formation are performed. It is possible. That is, unlike the reactive sputtering method described above, the cesium oxide and the oxide of the group 2 element are simultaneously evaporated and deposited on the top dielectric.

도시된 바와 같이, 보호막 증착장치(700)는 증착 공정을 수행하는 영역을 한정해 주는 챔버(Chamber,720)와, 상기 챔버(720)의 외부에서 챔버(720)의 일측면에 형성된 배관을 통해 연결되어 챔버(720)를 선택적으로 진공유지시키는 진공유지부(740)와, 챔버(720)의 하부 내측면 상에서 상부를 향하도록 형성되어 그 위에 기판(710)이 배치되는 기판 고정부(760)와, 챔버(720)의 일측면에 형성되어 기판 고정부(760) 상의 기판(710)에 증착시킬 보호막 재료를 공급하는 가스 투입구(780)와, 챔버(720) 내부에 있어서 기판 고정부(760) 및 기판(710)의 위치에 비해 상대적으로 상부 영역에 형성된 박막형성부(780)를 포함하고 있었다. 기판(710)은 보호막을 형성하고자 하는 대상으로서, 본 실시예에서는 전면 기판 상에 투명전극과 버스 전극 및 상판 유전체가 형성된 구조를 뜻한다.As shown, the protective film deposition apparatus 700 is connected through a chamber (Chamber, 720) that defines a region for performing the deposition process, and the pipe formed on one side of the chamber 720 from the outside of the chamber 720 And a vacuum holding part 740 for selectively vacuuming the chamber 720, a substrate fixing part 760 formed to face upward on the lower inner side surface of the chamber 720, and having the substrate 710 disposed thereon; And a gas inlet 780 formed on one side of the chamber 720 to supply a protective film material to be deposited on the substrate 710 on the substrate fixing part 760, and the substrate fixing part 760 in the chamber 720. And a thin film forming unit 780 formed in an upper region relative to the position of the substrate 710. The substrate 710 is a target to form a protective film. In this embodiment, the substrate 710 refers to a structure in which a transparent electrode, a bus electrode, and a top dielectric are formed on a front substrate.

여기서, 기판 고정부(760)는 기판 고정부(760)를 챔버(720)의 하부 내측면 상에 고정시키는 고정대(760a)와 기판(710)가 구비되는 기판 지지부(760b)로 구성되어 있었다. 또한, 박막형성부(780)는 기판 지지부(760b) 상의 기판(710)를 마주보도록 형성된 합성 석영창(722)과, 합성 석영창(722)에 인접 형성된 히터(heater,724)와, 합성 석영창(722) 및 히터(724) 보다 상부 영역에서 인접 형성된 다수의 광매체(Excimer lamp, 726)를 포함하고 있었다.Here, the substrate fixing part 760 is composed of a holder 760a for fixing the substrate fixing part 760 on the lower inner side surface of the chamber 720 and a substrate supporting part 760b provided with the substrate 710. In addition, the thin film forming unit 780 may include a synthetic quartz window 722 formed to face the substrate 710 on the substrate support 760b, a heater 724 formed adjacent to the synthetic quartz window 722, and a synthetic quartz window. 722 and a plurality of optical lamps 726 formed adjacent to the upper region of the heater 724.

보호막 재료로는 세슘 산화물, Be(베릴륨), Mg(마그네슘), Sr(스트론튬), Ca(칼슘) 및 Ba(바륨) 등이 사용되고, 상술한 보호막 재료에 전자빔이 충돌하면, 보호막 재료들이 동시에 증발되어 확산된 후 기판(710)의 상판 유전체 상에 증착되어 보호막을 형성한다.Cesium oxide, Be (beryllium), Mg (magnesium), Sr (strontium), Ca (calcium), and Ba (barium) are used as the protective film material.When an electron beam collides with the protective film material described above, the protective film materials evaporate simultaneously. And then diffused, and then deposited on the top dielectric of the substrate 710 to form a protective film.

그리고, 상술한 실시예들에서 보호막(195)을 100~1000 나노미터의 두께로 증착하는 것이 바람직하며, 그 이유는 상술한 바와 같다. 여기서, 보호막(195)에 세슘 산화물이 단독으로 포함되면, 방전 전압은 크게 낮아지나 녹는점이 낮고 물(H₂O)와 쉽게 반응하는 단점이 있다. 그러나, 보호막(195)에 세슘 산화물과 제 2 족 원소의 산화물이 함께 포함되면, 녹는점이 종래보다 낮아지고 물과의 반응성이 줄어들어서 안정성을 확보할 수 있다.In the above-described embodiments, the protective film 195 is preferably deposited to a thickness of 100 to 1000 nanometers, and the reason is as described above. In this case, when cesium oxide is included in the protective film 195 alone, the discharge voltage may be greatly lowered, but the melting point may be low and it may easily react with water (H ₂ O). However, when the cesium oxide and the oxide of the Group 2 element are included together in the protective film 195, the melting point is lower than that of the related art and the reactivity with water is reduced, thereby ensuring stability.

이어서, 도 6e에 도시된 바와 같이, 배면 기판(110) 상에 어드레스 전극(120)을 형성한다. 여기서, 배면 기판(110)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다리임 유리를 밀링(milling) 또는 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성한다. 이어서, 배면 기판(110) 상에 어드레스 전극(120)을 형성한다. 어드레스 전극(120)은 은(Ag) 등을 스크린 인쇄법, 감광성 페이스트법 또는 스퍼터링 후 포토에칭법 등으로 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6E, the address electrode 120 is formed on the rear substrate 110. Here, the back substrate 110 forms a glass for display substrate or soda-lime glass through a process such as milling or cleaning. Next, the address electrode 120 is formed on the back substrate 110. The address electrode 120 is formed of silver (Ag) or the like by a screen printing method, a photosensitive paste method or a photoetching method after sputtering.

그리고, 도 6f에 도시된 바와 같이 어드레스 전극(120)이 형성된 배면 기판(110) 상에 유전체(130)를 형성한다. 상기 유전체(130)는 저융점 유리와 TiO₂ 등의 필러를 포함한 재료를 스크린 인쇄법 또는 그린 시트의 라미네이팅 등의 방법으로 형성한다. 여기서, 하판 유전체(130)는 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도를 증 가시키기 위하여 백색을 나타내는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 6F, the dielectric 130 is formed on the rear substrate 110 on which the address electrode 120 is formed. The dielectric 130 is formed of a material including a low melting point glass and a filler such as TiO ₂ by screen printing or laminating green sheets. Here, the lower dielectric 130 preferably has a white color to increase the luminance of the plasma display panel.

이어서, 도 6g 내지 6i에 도시된 바와 각각의 방전 셀을 구분하기 위한 격벽을 형성한다. 이 때, 격벽 재료(140a)는, 모상 유리와 충진재(filer)를 포함하여 이루어진다. 모상 유리는 PbO와 SiO₂와 B₂O₃ 및 Al₂O₃를 포함하여 이루어지고, 충진재는 TiO₂ 및 Al₂O₃를 포함하여 이루어질 수 있다.Subsequently, a partition wall is formed to distinguish each discharge cell as shown in Figs. 6G to 6I. At this time, the partition material 140a comprises a mother glass and a filler. The mother glass may include PbO, SiO ₂ , B ₂ O _3, and Al ₂ O ₃ , and the filler may include TiO ₂ and Al ₂ O ₃ .

이어서, 격벽 재료(140a)를 패터닝하여, 격벽을 형성한다. 이 때, 패터닝 공정은 마스크를 씌우고 노광한 후, 현상하여 수행된다. 즉, 어드레스 전극과 대응되는 부분에 마스크(145)를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 격벽을 형성한다. 여기서, 격벽 재료에 포토 레지스트(photoresist) 성분을 포함하면, 격벽 재료의 패터닝을 용이하게 수행할 수 있다.Next, the partition material 140a is patterned to form a partition wall. At this time, the patterning process is performed by covering a mask, exposing and then developing. That is, when the mask 145 is positioned and exposed to a portion corresponding to the address electrode, only the portion irradiated with light remains after the development and baking process to form a partition wall. In this case, when the photoresist component is included in the barrier material, the patterning of the barrier material may be easily performed.

이어서, 도 6j에 도시된 바와 같이 상기 하판 유전층(130) 중 방전 공간에 접하는 면과, 격벽의 측면에 형광체(150a, 150b, 150c)를 도포한다. 형광체는 각각의 방전셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 6J, phosphors 150a, 150b, and 150c are applied to a surface of the lower dielectric layer 130 in contact with the discharge space and a side surface of the partition wall. The phosphors are sequentially coated with phosphors of R, G, and B according to each discharge cell, and are applied by screen printing or photosensitive paste.

그리고, 도 6k에 도시된 바와 같이 상부 패널을 격벽을 사이에 두고 하부 패널과 접합하고 실링한 후, 내부의 불순물 등을 배기한 후 방전 가스(160)를 주입한다.Then, as shown in FIG. 6K, the upper panel is bonded to the lower panel with a partition wall therebetween and sealed, and after discharging internal impurities, the discharge gas 160 is injected.

이하에서, 상부 패널과 하부 패널의 실링 공정을 상세히 설명한다.Hereinafter, the sealing process of the upper panel and the lower panel will be described in detail.

실링 공정은 스크린 인쇄법, 디스펜싱법 등으로 수행된다.The sealing process is performed by screen printing, dispensing, or the like.

스크린 인쇄법은 패터닝된 스크린을 소정 간격 유지하여 기판 위에 놓고, 실링재 형성에 필요한 페이스트를 압착, 전사시켜서 원하는 형상의 실링재를 인쇄하는 방법이다. 스크린 인쇄법은 생산 설비가 간단하고, 재료의 이용 효율이 높은 장점이 있다.The screen printing method is a method of printing a sealing material having a desired shape by holding a patterned screen at a predetermined interval, placing the patterned screen on a substrate, and pressing and transferring the paste necessary for forming the sealing material. The screen printing method has advantages of simple production equipment and high use efficiency of materials.

그리고, 디스펜싱법은 스크린 마스크 제작에 사용되는 CAD 배선 데이터를 이용하여, 후막 페이스트를 공기 압력을 이용하여 기판 상에 직접 토출하여 실링재를 형성하는 방법이다. 디스펜싱법은 마스크의 제작비용이 절감되고, 후막의 형상에 큰 자유도를 가질 수 있는 장점이 있다.And the dispensing method is a method of forming a sealing material by directly discharging a thick film paste on a board | substrate using air pressure using the CAD wiring data used for screen mask manufacture. The dispensing method has the advantage of reducing the manufacturing cost of the mask and having a large degree of freedom in the shape of the thick film.

도 7a는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판과 후면 기판을 합착하는 공정을 나타낸 도면이고, 도 7b는 도 7a의 A-A'의 단면도이다.7A is a view illustrating a process of bonding the front substrate and the rear substrate of the plasma display panel, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 7A.

도시된 바와 같이, 도시된 바와 같이, 전면 기판(170) 또는 배면 기판(110) 상에 실링재(600)가 도포된다. 구체적으로, 기판의 최외곽에서 소정 간격을 두고 동시에 인쇄되거나 디스펜싱되어 도포된다.As shown, as shown, the sealing material 600 is applied to the front substrate 170 or the back substrate 110. Specifically, the substrate is printed or dispensed at the same time with a predetermined interval at the outermost side of the substrate and applied.

이어서, 상기 실링재(600)를 소성한다. 소성 과정에서, 실링재(600)에 포함된 유기물이 제거되고, 전면 기판(170)과 배면 기판(110)이 합착된다. 그리고, 이러한 소성 공정에서 실링재(600)의 폭이 넓어지고 높이가 낮아질 수 있다. 본 실시예에서는 실링재(600)가 인쇄 또는 도포되었으나, 실링 테이프의 형태로 형성되어 전면 기판 또는 배면 기판에 접착하여 사용할 수도 있다.Next, the sealing material 600 is fired. In the firing process, the organic material included in the sealing material 600 is removed, and the front substrate 170 and the rear substrate 110 are bonded to each other. In this firing process, the width of the sealing material 600 may be widened and the height may be low. In the present embodiment, the sealing material 600 is printed or coated, but may be formed in the form of a sealing tape and adhered to the front substrate or the rear substrate.

그리고, 에이징 공정을 통하여 소정 온도에서 보호막 등의 특성을 향상시킨 다.The aging process improves the characteristics of the protective film at a predetermined temperature.

그리고, 전면 기판 상에 전면 필터를 형성할 수 있다. 전면 필터에는 패널에서 외부로 외부로 방사되는 전자파(Elctromagnetic Interference;EMI)를 차폐하기 위한 전자파 차폐막이 구비된다. 이러한 전자파 차폐막은 전자파를 차폐하면서도 디스플레이 장치에서 요구되는 가시광 투과율을 확보하기 위하여, 도전성 물질이 특정 형태로 패터닝되기도 한다. 그리고, 전면 필터에는 근적외선 차폐막, 색보정막 및 반사방지막 등이 형성될 수도 있다.Then, a front filter can be formed on the front substrate. The front filter is provided with an electromagnetic shielding film for shielding electromagnetic interference emitted from the panel to the outside. The electromagnetic shielding film may be patterned in a specific form in order to shield electromagnetic waves while ensuring the visible light transmittance required by the display device. In addition, a near infrared shielding film, a color correction film, an antireflection film, and the like may be formed on the front filter.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.

상술한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 고효율을 구현하면서 방전 전압을 낮출 수 있다.The plasma display panel according to the present invention described above can lower the discharge voltage while realizing high efficiency.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 일실시예의 방전 셀 구조를 나타낸 도면이고,1 is a view showing a discharge cell structure of an embodiment of a plasma display panel according to the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 상세히 나타낸 도면이고,FIG. 2 is a view showing in detail a protective film of the plasma display panel shown in FIG.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 장치와 연결부를 나타낸 도면이고,3 is a view showing a driving device and a connecting portion of a plasma display panel according to the present invention;

도 4는 일반적인 테이프 캐리어 패키지의 기판 배선 구조를 나타낸 도면이고,4 is a view showing a substrate wiring structure of a typical tape carrier package,

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 또 다른 실시예를 모식적으로 나타낸 도면이고,5 is a view schematically showing another embodiment of a plasma display panel according to the present invention;

도 6a 내지 도 6k는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,6A to 6K are views illustrating an embodiment of a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention.

도 7a는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 기판과 후면 기판을 합착하는 공정을 나타낸 도면이고,7A is a view illustrating a process of bonding the front substrate and the rear substrate of the plasma display panel;

도 7b는 도 7a의 A-A'의 단면도이다.FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 7A.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110 : 배면 기판 120 : 어드레스 전극110: back substrate 120: address electrode

130 : 하판 유전체 140 : 격벽130: lower plate dielectric 140: partition wall

150a, 150b, 150c : 형광체 160 : 방전 가스150a, 150b, 150c: phosphor 160: discharge gas

170 : 전면 기판 180a, 180b : 투명 전극170: front substrate 180a, 180b: transparent electrode

180a', 180b' : 버스 전극 190 : 상판 유전체180a ', 180b': Bus electrode 190: Top dielectric

195 : 보호막 196 : 세슘 산화물195: protective film 196: cesium oxide

198 : 제 2 족 원소 산화물 220 : 패널198: Group 2 Element Oxide 220: Panel

230 : 구동 기판 240 : TCP230: driving substrate 240: TCP

241 : 구동 드라이버 칩 242 : 연성 기판241: driver driver chip 242: flexible substrate

243 : 배선 250 : FPC243 wiring 250 FPC

260 : 방열판260 heat sink

Claims (10)

제 1 기판 상에, 적어도 하나의 스캔 전극과, 서스테인 전극과, 제 1 유전체, 및 세슘 산화물과 제 2 족 원소의 산화물이 포함된 보호막이 구비된 제 1 패널; 및A first panel having a protective film on the first substrate, the protective film comprising at least one scan electrode, a sustain electrode, a first dielectric, and an oxide of cesium oxide and a group 2 element; And 격벽을 사이에 두고 상기 제 1 패널과 합착되고, 제 2 기판 상에, 적어도 하나의 어드레스 전극과 제 2 유전체 및 상기 격벽의 측면과 상기 제 2유전체 상에 형성된 형광체가 구비된 제 2 패널을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.A second panel bonded to the first panel with the barrier ribs interposed therebetween, the second panel including at least one address electrode, a second dielectric, and a phosphor formed on a side surface of the barrier rib and the second dielectric on a second substrate; Plasma display panel, characterized in that consisting of. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 족 원소는,The method of claim 1, wherein the second group element, Be, Mg, Sr, Ca 및 Ba 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.A plasma display panel comprising any one of Be, Mg, Sr, Ca, and Ba. 제 1 항에 있어서, 상기 세슘 산화물은,The method of claim 1, wherein the cesium oxide, 상기 보호막 내에서 10~90%의 중량비를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.Plasma display panel having a weight ratio of 10 to 90% in the protective film. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막은,The method of claim 1, wherein the protective film, 리액티브 스퍼터링법으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.A plasma display panel formed by a reactive sputtering method. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막은,The method of claim 1, wherein the protective film, 전자빔 증착법으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.A method of manufacturing a plasma display panel, which is formed by electron beam deposition. 제 1 기판 상에, 적어도 하나의 스캔 전극과 서스테인 전극과 제 1 유전체를 형성하는 단계;Forming at least one scan electrode, a sustain electrode and a first dielectric on the first substrate; 제 1 유전체 상에, 세슘 산화물과 제 2 족 원소의 산화물이 포함된 보호막을 형성하는 단계;Forming a protective film on the first dielectric layer, the protective film including cesium oxide and an oxide of a group 2 element; 제 2 기판 상에, 적어도 하나의 어드레스 전극과 제 2 유전체 및 격벽을 형성하는 단계;Forming at least one address electrode, a second dielectric and a partition on the second substrate; 상기 격벽의 측면과 상기 제 2 유전체 상에, 형광체를 형성하는 단계; 및Forming a phosphor on the side of the partition and the second dielectric; And 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And bonding the first substrate and the second substrate together. 제 6 항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계는,The method of claim 6, wherein the forming of the protective film, 제 2 족 원소와 세슘을 증발시키면서 산소를 주입하여, 상기 제 1 유전체 상에 제 2 족 원소의 산화물과 세슘 산화물을 증착하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And injecting oxygen while evaporating the Group 2 element and cesium to deposit an oxide of Group 2 element and cesium oxide on the first dielectric. 제 6 항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계는,The method of claim 6, wherein the forming of the protective film, 제 2 족 원소의 산화물과 세슘 산화물을 증발시켜서, 상기 제 1 유전체 상에 증착하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And evaporating the oxide of the Group 2 element and cesium oxide onto the first dielectric material. 제 6 항 내지 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 족 원소는,The method according to claim 6 to 8, wherein the second group of elements, Be, Mg, Sr, Ca 및 Ba 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.Be, Mg, Sr, Ca and Ba any one of the manufacturing method of the plasma display panel. 제 6 항에 있어서, 상기 세슘 산화물은,The method of claim 6, wherein the cesium oxide, 상기 보호막 내에서 10~90%의 중량비를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The method of manufacturing a plasma display panel having a weight ratio of 10 to 90% in the protective film.

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