KR20090103205A - Apparatus of chemical mechanical polishing - Google Patents

Abstract

PURPOSE: An apparatus of chemical mechanical polishing is provided to implement the refresh effect about the polishing PAD and to prevent generation of removal rate hunting. CONSTITUTION: The chemical mechanical polishing machine includes the platen(100), a conditioner, and the wafer head unit. The platen is adhered to the polishing PAD(101) used in the grinding of a wafer. The conditioner includes conditioning disk(410) of the pair the bar type guide(400). The conditioning disk makes the pad surface with conditioning. The bar type guide induces the sweep movement of the conditioning disk in the central part of the polishing PAD. The wafer head unit introduces a wafer on the polishing PAD.

Description

화학기계적연마 장비{Apparatus of chemical mechanical polishing}Apparatus of chemical mechanical polishing

본 발명은 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로, 특히, 300㎜ 대구경 웨이퍼(wafer)를 연마하는 화학기계적연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing) 장비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, to chemical mechanical polishing (CMP) equipment for polishing a 300 mm large diameter wafer.

메모리(memory) 소자와 같은 반도체 소자가 급격히 고집적화되고 패턴 크기가 축소됨에 따라, 웨이퍼(wafer) 상에 크게 유발되는 단차를 완화하기 위해서 화학기계적연마를 이용한 평탄화 과정이 도입되고 있다. 이러한 화학기계적연마 과정은 층간절연층의 평탄화 과정뿐만 아니라 도전층의 패터닝(patterning)에도 도입되고 있다. 더욱이, 반도체 소자의 생산성 증대를 위해서 웨이퍼의 구경이 200㎜ 보다 큰 300㎜의 대구경 웨이퍼의 사용이 빈번해지며, CMP 과정 또한 더 많이 도입되고 있다. As semiconductor devices, such as memory devices, are rapidly becoming highly integrated and pattern sizes are reduced, planarization processes using chemical mechanical polishing have been introduced to alleviate the step caused largely on wafers. This chemical mechanical polishing process is introduced not only in the planarization of the interlayer insulating layer but also in the patterning of the conductive layer. Moreover, in order to increase the productivity of semiconductor devices, the use of 300 mm large diameter wafers with a larger aperture diameter than 200 mm is frequently used, and more CMP processes are also introduced.

200㎜ 웨이퍼에서 300㎜ 웨이퍼를 사용함에 따라, 반도체 소자를 제조하는 데 사용되는 장비들 또한 외관상 크기(size)가 대부분 1.5배 이상 커지고 있다. CMP 장비 또한 연마 플레이튼(platen)의 구경이 커지고 있으며, 이에 따라 연마 패드(pad)의 구경 또한 커지고 있다. 이와 같이 CMP 장비의 구경 또는 크기가 커짐에 따라, 웨이퍼를 CMP하는 과정에 스크래치(scratch) 발생 빈도 및 발생 가능성 또한 커지고 있다. 또한, 300㎜ 대구경 웨이퍼를 연마함에 따라, 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐 균일한 연마 제거 속도(removal rate) 분포를 구현하기가 어려워지고 있다. With the use of 200mm wafers and 300mm wafers, the equipment used to fabricate semiconductor devices has also grown in size by more than 1.5 times in size. CMP equipment also has a larger diameter of the polishing platen, and thus a larger diameter of the polishing pad. As the diameter or size of the CMP equipment increases, the frequency and possibility of scratches also increase during the process of CMP wafers. In addition, as the 300 mm large diameter wafer is polished, it is difficult to realize a uniform removal rate distribution over the entire wafer area.

이와 같이 스크래치 발생 가능성이 증가 하고, 또한 균일한 제거 속도 특성을 얻는 것이 어려워짐에도 불구하고, 300㎜ CMP 장비는 상대적으로 커진 연마 패드 직경에 비해 연마 패드 컨디셔닝(conditioning)의 스위프(sweep) 방식이나 컨디셔닝 디스크(conditioning disk) 크기 등은 200㎜ CMP 장비와 실질적으로 대등한 방식 및 크기로 적용하고 있다. 이에 따라, 컨디셔너(conditioner)의 스위프 속도가 상대적으로 느려진 효과가 유발되고 있어 컨디셔닝 효율이 상대적으로 저하되는 문제가 유발되고 있다. 컨디셔닝 효율의 감소에 의해 CMP 연마 시 웨이퍼 표면에 스크래치의 유발 비율이 높아지고 있고, CMP되는 웨이퍼들 간의 제거 속도의 변화가 상당히 증가되고 있다. 이에 따라, 반도체 소자의 수율 또한 감소되고 있다. Despite the increased likelihood of scratches and the difficulty of achieving uniform removal rate characteristics, the 300 mm CMP machine provides a sweeping method of polishing pad conditioning compared to a relatively large polishing pad diameter. Conditioning disk sizes are applied in substantially the same manner and size as 200 mm CMP equipment. As a result, the effect of the relatively slow sweep speed of the conditioner is induced, causing a problem that the conditioning efficiency is relatively lowered. Increasing the incidence of scratches on the wafer surface during CMP polishing due to the decrease in the conditioning efficiency, and the change in the removal rate between the CMP wafers is increasing significantly. Accordingly, the yield of semiconductor devices is also decreasing.

본 발명은 300㎜ 대구경 웨이퍼를 연마하는 연마 패드를 보다 높은 효율로 컨디셔닝할 수 있는 화학기계적연마(CMP) 장비를 제시하고자 한다. The present invention seeks to provide a chemical mechanical polishing (CMP) equipment that can condition polishing pads for polishing 300 mm large diameter wafers with higher efficiency.

본 발명의 일 관점은, 웨이퍼의 연마에 사용될 연마 패드가 부착된 플레이튼(platen); 상기 연마 패드 상에 대면되게 도입되어 상기 패드 표면을 컨디셔닝(conditioning)하는 한 쌍의 컨디셔닝 디스크(disk)들, 및 상기 컨디셔닝 디스크의 스위프(sweep) 이동이 상기 연마 패드의 중심부에서 가장자리부에까지 직선 왕복 이동되게 유도하는 바(bar)형 가이드(guide)를 포함하는 컨디셔너(conditioner); 및 상기 연마 패드 상에 웨이퍼를 도입하는 웨이퍼 헤드(head)부를 포함하는 화학기계적연마 장비를 제시한다. One aspect of the invention is a platen attached with a polishing pad to be used for polishing a wafer; A pair of conditioning disks introduced facing the polishing pad to condition the pad surface, and sweep movement of the conditioning disk is linearly reciprocated from the center to the edge of the polishing pad. A conditioner comprising a bar guide to guide the movement; And a wafer head portion for introducing a wafer onto the polishing pad.

상기 웨이퍼는 300㎜ 구경을 가질 수 있다. The wafer may have a 300 mm aperture.

상기 컨디셔닝 디스크는 다이아몬드(diamond) 디스크를 사용할 수 있다. The conditioning disk may use a diamond disk.

상기 컨디셔닝 디스크는 100㎜ 내지 1000㎜ 크기의 원형 디스크일 수 있다. The conditioning disk may be a circular disk of size 100 mm to 1000 mm.

상기 컨디셔닝 디스크 각각에 연결되어 상기 컨디셔닝 디스크를 독립적으로 각각 회전시키고 상기 가이드를 따라 이동되는 디스크 회전축들을 더 포함할 수 있다. The disks may further include disk rotation axes connected to each of the conditioning disks to independently rotate the conditioning disks and move along the guides.

상기 가이드 내에 상기 컨디셔닝 디스크들에 각각 연결되게 도입되어 상기 컨디셔닝 디스크들이 독립적으로 상기 가이드를 따라 이동되게 구동시키는 구동 체인(chain)들을 더 포함할 수 있다. The guide disk may further include driving chains connected to the conditioning disks, respectively, to drive the conditioning disks independently along the guide.

상기 가이드 내에 상기 컨디셔닝 디스크들에 연결되게 도입되어 상기 컨디셔닝 디스크들이 상호 연동되어 상기 가이드를 따라 이동되게 구동시키는 구동 체인(chain)을 더 포함할 수 있다. The guide disk may further include a driving chain introduced to be connected to the conditioning disks to drive the conditioning disks to move along the guide.

본 발명의 실시예는 300㎜ 대구경 웨이퍼를 연마하는 연마 패드를 보다 높은 효율로 컨디셔닝할 수 있는 화학기계적연마(CMP) 장비를 제시할 수 있다. Embodiments of the present invention can provide chemical mechanical polishing (CMP) equipment that can condition polishing pads for polishing 300 mm large diameter wafers with higher efficiency.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화학기계적연마 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다.1 to 4 are schematic views for explaining the chemical mechanical polishing equipment according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에서는 300㎜ 웨이퍼를 연마하는 화학기계적연마(CMP) 장비에 듀얼 컨디셔너(dual conditioner)를 도입하여, 단일 컨디셔너(single conditioner)보다 상대적으로 높은 스위프 속도를 구현하고, 컨디셔닝 압력을 상대적으로 낮게 적용하는 장점을 구현하는 CMP 장비를 제시한다. 컨디셔닝 디스크(disk)를 상호 평행한 위치에 위치시키고, 각각의 디스크의 스위프 시작 지점을 연마 패드의 패드 중심부로 설정하고, 스위프 방향은 상호 나란하거나 또는 상호 반대 방향으로 하고 스위프 길이는 패드 반경으로 설정할 수 있다. 이때, 각 디스크의 스위프 속도와 스위프 영역(sweep zone)은 상호 독립적으로 제어되어, 동시에 같은 방향, 같은 속도 또는 다른 방향 다른 속도로 회전 및 이동될 수 있다. In an embodiment of the present invention, a dual conditioner is introduced into a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus for polishing a 300 mm wafer, thereby realizing a relatively higher sweep speed than a single conditioner, and adjusting the conditioning pressure to a relative condition. In this paper, we present the CMP equipment that implements the advantages of low application. Position the conditioning disks in parallel positions, set the sweep start point of each disk to the pad center of the polishing pad, the sweep directions are parallel or opposite to each other and the sweep length is set to the pad radius. Can be. At this time, the sweep speed and the sweep zone of each disk are controlled independently of each other so that they can be rotated and moved in the same direction, at the same speed, or in different directions at the same time.

이러한 듀얼 컨디셔너를 도입하여 연마 패드 스위프를 진행할 경우, 연마 슬러리의 분포를 패드의 모든 지점에서 실질적으로 항상 균일하게 유도할 수 있으며, 연마 패드의 편마모를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 연마하는 동안 발생되는 각종 부산 잔류물(residue)들을 실질적으로 실시간 제거할 수 있다. 듀얼 컨디셔너를 도입하여 낮은 컨디셔닝 압력을 적용할 수 있어, 연마 패드의 마모 속도(pad wear rate)를 낮게 유지하며 컨디셔닝 효율을 증대시킬 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 연마 시 웨이퍼 표면에 스크래치가 발생되는 빈도를 상대적으로 낮게 유도할 수 있고, 또한 연마 제거 속도의 균일화를 유도할 수 있다. When the polishing pad sweep is performed by introducing such a dual conditioner, the distribution of the polishing slurry can be induced substantially always uniformly at all points of the pad, reducing the wear of the polishing pad, as well as various by-products generated during polishing. Residues can be removed substantially in real time. By introducing a dual conditioner, low conditioning pressures can be applied, keeping the pad wear rate of the polishing pad low and increasing the conditioning efficiency. Accordingly, it is possible to induce a relatively low frequency of scratches on the wafer surface during wafer polishing, and also to induce a uniform polishing removal rate.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화학기계적연마 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다. 1 to 4 are schematic views for explaining the chemical mechanical polishing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화학기계적연마(CMP) 장비는, 300㎜ 웨이퍼의 연마에 사용될 연마 패드(101)가 부착되어 회전하는 플레이튼(platen: 100)을 포함하여 구성된다. 플레이튼(100) 상에 연마될 웨이퍼를 도입하는 웨이퍼 헤드부(wafer head: 200)가 도입되고, 웨이퍼 헤드부(200)는 웨이퍼의 균일한 연마를 위해서, 연마 패드(101)의 중심부에서 가장자리부 쪽 방향 또는 이의 역 방향으로 미세하게 움직이는 동작을 하게 된다. 웨이퍼의 연마를 위해서 슬러리 노즐(slurry nozzle: 300)이 도입되고, 노즐(300)을 통해 연마를 위한 슬러리가 제공된다. 이러한 슬러리와 연마 패드(101)에 의한 연마 작용에 의해서 웨이퍼는 화학적 및 기계적 연마되게 된다. Referring to FIG. 1, a chemical mechanical polishing (CMP) device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a platen 100 to which a polishing pad 101 to be used for polishing a 300 mm wafer is attached and rotated. do. A wafer head 200 for introducing a wafer to be polished on the platen 100 is introduced, and the wafer head 200 has an edge at the center of the polishing pad 101 for uniform polishing of the wafer. Fine movement is performed in the negative direction or the opposite direction. A slurry nozzle 300 is introduced for polishing the wafer, and a slurry for polishing is provided through the nozzle 300. By the polishing action by the slurry and the polishing pad 101, the wafer is chemically and mechanically polished.

이러한 CMP 과정에서 손상을 받은 연마 패드(101)의 표면을 회복시키고, 연마 패드(101) 표면 상에 잔존하는 연마 부산물 또는 잔류물 등을 제거하여, 웨이퍼의 연마 표면에 스크래치 등과 같은 결함 발생을 억제하기 위해서 컨디셔너가 도입된다. 본 발명의 실시예에 따른 컨디셔너는 연마 패드(101) 상에 대면되게 도입되어 패드(101) 표면을 컨디셔닝(conditioning)하는 한 쌍의 컨디셔닝 디스크(disk: 410)들, 및 이들 디스크(410)를 연마 패드(101) 상에 도입하고 지지하는 바(bar) 형태의 가이드(guide: 400)를 포함하여 구성될 수 있다. The surface of the polishing pad 101 damaged during the CMP process is recovered, and the polishing by-products or residues remaining on the surface of the polishing pad 101 are removed to suppress defects such as scratches on the polishing surface of the wafer. In order to do this, a conditioner is introduced. A conditioner according to an embodiment of the present invention is a pair of conditioning disks (410), which are introduced facing the polishing pad 101 to condition the surface of the pad 101, and these disks 410 It may be configured to include a guide (400) in the form of a bar (bar) to be introduced and supported on the polishing pad 101.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 컨디셔너는, 한 쌍의 디스크(410)가 다이아몬드(diamond) 디스크로 가이드(400)에 체결되게 설치된다. 다이아몬드 디스크는 대략 100㎜ 직경 크기 내지 1000㎜ 직경 크기를 가질 수 있다. 이때, 각각의 디스크(410)는 상호 독립적으로 회전되게, 도 4에 제시된 바와 같이, 제1디스크(411)에 제1회전축(412)이 체결되고, 제2디스크(413) 상에 제2회전축(414)이 체결된다. 제1 및 제2회전축(412, 414)은 가이드(400)에 체결되어 지지된다. 이때, 제1 및 제2회전축(412, 414)은 가이드(400) 내에 도입된 구동 체인(chain: 403)에 연결되어, 체인(403)의 이동에 의해서 제1 및 제2회전축(412, 414)의 위치가 이동된다. 2 and 3, a conditioner according to an embodiment of the present invention is installed such that a pair of disks 410 are fastened to the guide 400 by a diamond disk. Diamond discs may have a size of approximately 100 mm diameter to 1000 mm diameter. At this time, each disk 410 is rotated independently of each other, as shown in Figure 4, the first rotating shaft 412 is fastened to the first disk 411, the second rotating shaft on the second disk 413 414 is fastened. The first and second rotary shafts 412 and 414 are fastened to and supported by the guide 400. In this case, the first and second rotary shafts 412 and 414 are connected to a drive chain 403 introduced into the guide 400, and the first and second rotary shafts 412 and 414 are moved by the movement of the chain 403. ) Position is moved.

제1 및 제2회전축(412, 414)의 위치 이동에 의해, 제1 및 제2회전축(412, 414)에 각각 체결된 제1 및 제2디스크(411, 413)의 위치가 이동된다. 이러한 제1 및 제2디스크(411, 413)의 위치 이동은 제1 및 제2디스크(411, 413)가 각각 다른 회전 속도로 회전하거나 또는 대등한 속도로 회전하는 동작과 함께 구동된다. 이때, 회전 방향은 같은 방향이거나 또는 다른 방향일 수 있다. 구동 체인(403)의 이동 구동은 가이드(400)에 연결 설치된 구동부(401)에 의해 이루어질 수 있다. 이때, 구동 체인(403)은 도 2에 제시된 바와 같이 제1 및 제2디스크(411, 413)가 나란히 같은 방향으로 이동하도록 구동될 수 있다. 가이드(400)가 연마 패드(101)의 중심부에서 가장자리부에 다다르게 연장되므로, 제1 및 제2디스크(411, 413)는 이러한 가이드(400)를 따라 연마 패드(101)의 중심부에서 가장자리부에까지 스위프(sweep) 이동하는 동작을 반복하게 된다. By moving the positions of the first and second rotary shafts 412 and 414, the positions of the first and second disks 411 and 413 fastened to the first and second rotary shafts 412 and 414 are moved. The positional movement of the first and second disks 411 and 413 is driven together with the operation in which the first and second disks 411 and 413 rotate at different rotational speeds or at equivalent speeds, respectively. In this case, the rotation direction may be the same direction or different directions. The movement driving of the drive chain 403 may be made by the driving unit 401 connected to the guide 400. In this case, the drive chain 403 may be driven such that the first and second disks 411 and 413 move side by side in the same direction as shown in FIG. 2. Since the guide 400 extends close to the edge at the center of the polishing pad 101, the first and second discs 411, 413 extend along the guide 400 from the center to the edge of the polishing pad 101. The sweep moving operation is repeated.

한편, 제1 및 제2디스크(411, 413)는 도 2에 제시된 바와 같이 나란히 같은 방향으로 스위프 이동되게 동작될 수 있지만, 도 4에 제시된 바와 같이, 구동 체인(404)이 제1 및 제2디스크(411, 413)가 연동되게 제1 및 제2디스크(411, 413)에 체결됨으로써, 제1 및 제2디스크(411, 413)의 이동 방향이 도 3에 제시된 바와 같이 상호 반대로 향하게 유도할 수도 있다. On the other hand, the first and second disks 411 and 413 can be operated to be swept in the same direction side by side as shown in FIG. 2, but as shown in FIG. As the disks 411 and 413 are fastened to the first and second disks 411 and 413 to be interlocked, the moving directions of the first and second disks 411 and 413 may be directed to opposite directions as shown in FIG. 3. It may be.

도 2를 다시 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 컨디셔너는, 연마 패드(101)가 웨이퍼 표면의 연마 작용을 위해 회전되고 있을 때, 웨이퍼가 연마되고 있는 연마 패드(101) 지점 이외의 다른 지점을 실시간으로 컨디셔닝할 수 있다. 즉, 연마 패드(101) 상에 가이드(400)가 도입되고, 가이드(400)의 중간 부분, 즉, 연마 패드(101)의 중심부와 가장자리부 중간 위치에 컨디셔너 디스크들(410: 411, 413)이 초기 위치하게 된다. 연마가 수행됨에 따라, 제1디스크(411)는 연마 패드(101)의 중심쪽인 제1위치(111)로 스위프 이동하고, 이와 함께 제2디스크(413) 또한 중심쪽의 제2위치(113)로 이동한다. 이후에, 제1 및 제2디스크(411, 413)는 연마 패드(101)의 가장자리쪽의 제3위치(112) 및 이에 나란한 제4위치(114)로 스위프 이동한다. 이때, 제1 및 제2디스크(411, 413)는 각각 회전하게 된다. Referring again to FIG. 2, a conditioner according to an embodiment of the present invention is a point other than the point at which the polishing pad 101 is being polished when the polishing pad 101 is being rotated for the polishing action of the wafer surface. Can be conditioned in real time. That is, the guide 400 is introduced on the polishing pad 101, and the conditioner disks 410 (411, 413) are positioned at the middle portion of the guide 400, that is, at the center portion and the edge portion of the polishing pad 101. This is the initial position. As polishing is performed, the first disk 411 is swept to the first position 111, which is the center side of the polishing pad 101, and with this, the second disk 413 is also the second position 113 at the center side. Go to). Thereafter, the first and second disks 411 and 413 are swept to the third position 112 and the fourth position 114 parallel to the edge of the polishing pad 101. At this time, the first and second disks 411 and 413 rotate respectively.

또는, 도 3에 제시된 바와 같이, 연마 패드(101) 상에 가이드(400)가 도입되고, 가이드(400)의 중간 부분, 즉, 연마 패드(101)의 중심부와 가장자리부 중간 위치에 컨디셔너 디스크들(410: 411, 413)이 초기 위치하게 된다. 연마가 수행됨에 따라, 제1디스크(411)는 연마 패드(101)의 중심쪽인 제1위치(111)로 스위프 이동하고, 이에 반대되는 방향으로 제2디스크(413)는 가장자리쪽의 제4위치(114)로 이동한다. 이후에, 제1디스크(411)는 연마 패드(101)의 가장자리쪽의 제3위치(112)로 스위프 이동하고, 제2디스크(413)는 반대로 중심쪽의 제2위치(113)로 스위프 이동한다. 이때, 제1 및 제2디스크(411, 413)는 각각 회전하게 된다. Alternatively, as shown in FIG. 3, the guide 400 is introduced on the polishing pad 101, and the conditioner disks are positioned at the middle portion of the guide 400, that is, at the center and the edge portion of the polishing pad 101. 410: 411 and 413 are initially located. As the polishing is performed, the first disk 411 is swept to the first position 111, which is the center side of the polishing pad 101, and in the opposite direction, the second disk 413 is the fourth on the edge side. Move to location 114. Subsequently, the first disk 411 is swept to the third position 112 at the edge of the polishing pad 101, and the second disk 413 is swept to the second position 113 at the center opposite. do. At this time, the first and second disks 411 and 413 rotate respectively.

이러한 제1 및 제2디스크(411, 413)의 연마 패드(101)의 중심에서 가장자리쪽 또는 반대 방향으로의 직선적인 스위프 이동에 의해서, 연마 패드(101) 상에 잔류하는 슬러리 잔류물이나 부산물은 보다 신속히 연마 패드(101) 외곽으로 배출될 수 있다. 또한, 제1 및 제2디스크(411, 413)가 상호 연동 또는 반대 방향으로 연동되며 연마 패드(101)를 컨디셔닝함으로써, 연마 패드(101) 표면에 대한 컨디셔닝하는 유효 표면적은 크게 증가된다. 따라서, 연마 패드(101) 표면의 컨디셔닝에 의한 회복을 보다 유효하고 신속하게 구현할 수 있다. Due to the linear sweep movement from the center of the polishing pad 101 of the first and second disks 411 and 413 to the edge or the opposite direction, slurry residues or by-products remaining on the polishing pad 101 It may be discharged to the outside of the polishing pad 101 more quickly. Also, by conditioning the polishing pad 101 with the first and second disks 411 and 413 interlocked or interlocked in opposite directions, the effective surface area for conditioning against the polishing pad 101 surface is greatly increased. Therefore, recovery by conditioning of the polishing pad 101 surface can be realized more effectively and quickly.

이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 컨디셔너는 연마 패드(101)에 대한 회복(refresh) 효과를 유효하게 구현할 수 있어, 제거 속도 헌팅(removal rate hunting)이 유발되는 것을 억제시킬 수 있다. 또한, 컨디셔닝 동작시 디스크(411, 413)에 인가되는 하방 가압 압력(pressure)을 보다 낮출 수 있어, 연마 패드(101)의 손상 또는 소모를 줄여 패드(101)의 수명을 연장시킬 수 있다. 따라서, 연마 패드(101)에 의해 연마되는 웨이퍼의 연마 제거 속도 균일도(uniformity)를 향상시켜 후속 사진 노광 및 식각 과정의 공정 마진을 보다 더 확보할 수 있다. As such, the conditioner according to the embodiment of the present invention can effectively implement a refreshing effect on the polishing pad 101, thereby suppressing the removal rate hunting. In addition, the downward pressurization pressure applied to the disks 411 and 413 during the conditioning operation can be lowered, thereby reducing the damage or consumption of the polishing pad 101, thereby extending the life of the pad 101. Accordingly, the polishing removal rate uniformity of the wafer polished by the polishing pad 101 may be improved to further secure process margins of subsequent photolithography and etching processes.

Claims (7)

웨이퍼의 연마에 사용될 연마 패드가 부착된 플레이튼(platen);A platen attached with a polishing pad to be used for polishing the wafer; 상기 연마 패드 상에 대면되게 도입되어 상기 패드 표면을 컨디셔닝(conditioning)하는 한 쌍의 컨디셔닝 디스크(disk)들, 및 상기 컨디셔닝 디스크의 스위프(sweep) 이동이 상기 연마 패드의 중심부에서 가장자리부에까지 직선 왕복 이동되게 유도하는 바(bar)형 가이드(guide)를 포함하는 컨디셔너(conditioner); 및 A pair of conditioning disks introduced facing the polishing pad to condition the pad surface, and sweep movement of the conditioning disk is linearly reciprocated from the center to the edge of the polishing pad. A conditioner comprising a bar guide to guide the movement; And 상기 연마 패드 상에 웨이퍼를 도입하는 웨이퍼 헤드(head)부를 포함하는 화학기계적연마 장비. And a wafer head portion for introducing a wafer onto the polishing pad. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼는 300㎜ 구경을 가지는 화학기계적연마 장비. The wafer has a 300 mm diameter chemical mechanical polishing equipment. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 컨디셔닝 디스크는 다이아몬드(diamond) 디스크인 화학기계적연마 장비.And the conditioning disk is a diamond disk. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 컨디셔닝 디스크는 100㎜ 내지 1000㎜ 크기의 원형 디스크인 화학기계적연마 장비. And the conditioning disk is a circular disk having a size of 100 mm to 1000 mm. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 컨디셔닝 디스크 각각에 연결되어 상기 컨디셔닝 디스크를 독립적으로 각각 회전시키고 상기 가이드를 따라 이동되는 디스크 회전축들을 더 포함하는 화학기계적연마 장비. And a disk rotating shaft connected to each of the conditioning disks to independently rotate each of the conditioning disks and move along the guide. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가이드 내에 상기 컨디셔닝 디스크들에 각각 연결되게 도입되어 상기 컨디셔닝 디스크들이 독립적으로 상기 가이드를 따라 이동되게 구동시키는 구동 체인(chain)들을 더 포함하는 화학기계적연마 장비. And a drive chain introduced into the guide and connected to the conditioning disks, respectively, to drive the conditioning disks independently to move along the guide. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가이드 내에 상기 컨디셔닝 디스크들에 연결되게 도입되어 상기 컨디셔닝 디스크들이 상호 연동되어 상기 가이드를 따라 이동되게 구동시키는 구동 체인(chain)을 더 포함하는 화학기계적연마 장비. And a drive chain introduced into the guide and connected to the conditioning disks to drive the conditioning disks to move along the guide.