KR20090099269A - Image sensor and method for fabricating the same - Google Patents

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구창효
박성찬
김홍기
황성호
이석하
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Abstract

An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to reduce loss of a light due to reflection of a surface by forming minute light transmitting bodies of a pyramid shape on a micro lens surface of a convex shape. A semiconductor substrate(101) has a plurality of pixel regions. A photoelectric conversion device(110) is formed inside the semiconductor substrate of each pixel region. An interlayer insulation film(240) of multilayer includes wiring layers(232,234) connected to the photoelectric conversion device. A color filter(270) is formed on the interlayer insulation film, and corresponds to the photoelectric conversion device. A plurality of minute light transmitting bodies(300) is formed with a pyramid shape, and transmits a light from outside. A plurality of minute light transmitting bodies is made of light-transmitting photoresist or insulation material.

Description

이미지 센서 및 그 제조 방법{Image sensor and method for fabricating the same}Image sensor and method for manufacturing the same {Image sensor and method for fabricating the same}

본 발명은 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an image sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an image sensor and a method of manufacturing the same that can improve the light sensitivity.

일반적으로 이미지 센서(image sensor)란, 광학적 이미지를 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이러한 이미지 센서는 크게 전하 결합 소자(CCD: Charge Coupled Device)와 CMOS 이미지 센서로 구분할 수 있다. In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal. Such image sensors can be roughly classified into charge coupled devices (CCDs) and CMOS image sensors.

여기서, 전하 결합 소자란, 개개의 모스 캐패시터(MOS Capacitor)가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다. 그리고, CMOS 이미지 센서란, 제어 회로 및 신호처리 회로를 주변 회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소 수만큼 모스 트랜지스터(MOS Transistor)를 만들고 이것을 이용하여 차례 차례로 출력을 검출하는 스위칭(Switching) 방식을 이용하는 소자이다. Here, the charge coupling device is a device in which charge carriers are stored and transported in a capacitor while the respective MOS capacitors are in close proximity to each other. In addition, the CMOS image sensor is a switching method in which a MOS transistor is formed by the number of pixels using CMOS technology using a control circuit and a signal processing circuit as peripheral circuits, and the outputs are sequentially detected using the MOS transistors. It is an element to use.

이 중, CMOS 이미지 센서는 일반적으로 빛을 감지하여 전기 신호를 발생시키는 액티브 픽셀 센서(APS: Active Pixel Sensor) 어레이 영역과, APS 어레이 영역 에서 발생된 전기 신호를 처리하는 로직 영역(주변 회로 영역)으로 구분될 수 있다. 여기서, APS 어레이 영역은 빛을 감지하여 전기적 신호로 변환하는 광전 변환부를 포함한다. Among these, the CMOS image sensor generally includes an active pixel sensor (APS) array region that detects light and generates an electrical signal, and a logic region (a peripheral circuit region) that processes an electrical signal generated in the APS array region. It can be divided into. Here, the APS array area includes a photoelectric conversion unit that detects light and converts it into an electrical signal.

이러한 CMOS 이미지 센서는 광전 변환부, 예를 들어 포토 다이오드(photo diode)에 입사되는 빛의 양이 많을수록 광 감도(Photo Sensitivity) 특성이 양호해진다. 그리고 광감도가 증가될수록 외부 광에 대한 반응성이 높아 우수한 특성을 가질 수 있다.Such a CMOS image sensor may have better photo sensitivity characteristics as the amount of light incident on the photoelectric converter, for example, a photo diode, increases. In addition, as the photosensitivity is increased, the reactivity to external light may be high and thus may have excellent characteristics.

그런데, 포토 다이오드 상에 굴절율이 다른 물질로 이루어진 구조물들이 위치하기 때문에, 외부의 빛이 포토 다이오드에 도달하는 동안 굴절 및 반사되어 손실될 수 있다. 이에 따라, 포토 다이오드에 흡수되는 빛의 양이 줄어들어 이미지 센서의 광감도가 저하될 수 있다. 그러므로, 이미지 센서 외부에서 입사되는 빛을 최대한 손실 없이 포토 다이오드로 입사시키는 것이 요구된다. However, since structures made of materials having different refractive indices are located on the photodiode, external light may be lost due to refraction and reflection while reaching the photodiode. As a result, the amount of light absorbed by the photodiode is reduced, thereby reducing the light sensitivity of the image sensor. Therefore, it is required to inject light incident from the outside of the image sensor into the photodiode without loss as much as possible.

이에 따라, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서를 제공하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an image sensor capable of improving light sensitivity.

그리고, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기와 같은 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the image sensor as described above.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problem, another task that is not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 다수의 픽셀 영역들을 갖는 반도체 기판, 각 픽셀 영역의 반도체 기판 내에 형성된 광전 변환 소자, 광전 변화 소자와 연결되는 배선층들을 포함하는 다층의 층간 절연막, 층간 절연막 상에 광전 변환 소자에 대응하여 형성된 컬러 필터 및 컬러 필터 상에서, 피라미드(pyramid) 형상으로 형성되어 외부로부터 입사된 빛을 투과시키는 다수의 미세 광투과체를 포함한다.In order to achieve the above object, an image sensor according to an embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate having a plurality of pixel regions, a photoelectric conversion element formed in the semiconductor substrate of each pixel region, and wiring layers connected to the photoelectric change element. It includes a multi-layer interlayer insulating film, a color filter formed on the interlayer insulating film corresponding to the photoelectric conversion element and a plurality of fine light transmitting body formed in a pyramid shape to transmit light incident from the outside.

상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서는 다수의 픽셀 영역들을 갖는 반도체 기판, 각 픽셀 영역의 반도체 기판 내에 형성된 광전 변환 소자, 광전 변화 소자와 연결되는 배선층들을 포함하는 다층의 층간 절연막, 층간 절연막 상에 광전 변환 소자에 대응하여 형성된 컬러 필터 및 컬러 필터 상에 형성되며, 위로 볼록한 형상으로서 표면에 피라미드 형상을 갖는 다수의 미세 광투과체들이 형성된 마이크로 렌즈를 포함한다. According to another aspect of the present invention, an image sensor includes a semiconductor substrate having a plurality of pixel regions, a photoelectric conversion element formed in the semiconductor substrate of each pixel region, and wiring layers connected to the photoelectric change element. A multi-layer insulating film, a color filter formed on the interlayer insulating film corresponding to the photoelectric conversion element, and a micro lens formed on the color filter and having a plurality of fine light transmitting bodies having a pyramid shape on the surface thereof. .

상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 다수의 픽셀 영역들을 갖는 반도체 기판을 제공하고, 각 픽셀 영역의 반도체 기판 내에 광전 변화 소자를 형성하고, 광전 변화 소자와 연결되는 배선층들을 포함하는 다층의 층간 절연막을 형성하고, 층간 절연막 상에 광전 변환 소자에 대응하여 컬러 필터를 형성하고, 컬러 필터 상에 광투과성막을 형성하고, 광투과성막 전면에 대해 이방성 식각을 진행하여, 피라미드 형상을 갖는 다수의 미세 광투과체를 형성하는 것을 포함한다. In order to achieve the above object to be solved, an image sensor manufacturing method according to an embodiment of the present invention provides a semiconductor substrate having a plurality of pixel regions, to form a photoelectric conversion element in the semiconductor substrate of each pixel region, Forming a multilayer interlayer insulating film including wiring layers connected to the photoelectric change element, forming a color filter corresponding to the photoelectric conversion element on the interlayer insulating film, forming a light transmissive film on the color filter, and with respect to the entire light transmissive film Anisotropic etching is performed to form a plurality of fine light transmitting bodies having a pyramid shape.

상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 다수의 픽셀 영역들을 갖는 반도체 기판을 제공하고, 각 픽셀 영역의 반도체 기판 내에 광전 변화 소자를 형성하고, 광전 변화 소자와 연결되는 배선층들을 포함하는 다층의 층간 절연막을 형성하고, 층간 절연막 상에 광전 변환 소자에 대응하여 컬러 필터를 형성하고, 컬러 필터 상에 광전 변환 소자에 대응하여 광투과성막 패턴을 형성하고, 광투과성막 패턴을 리플로우시 켜 위로 볼록한 형태의 렌즈 패턴을 형성하고, 렌즈 패턴 전면에 대해 이방성 식각을 진행하여, 표면에 피라미드 형상의 미세 광투과체들을 갖는 마이크로 렌즈를 형성하는 것을 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an image sensor, which includes providing a semiconductor substrate having a plurality of pixel regions, forming a photoelectric changer in the semiconductor substrate of each pixel region, Forming a multi-layer interlayer insulating film including wiring layers connected to the photoelectric conversion element, forming a color filter corresponding to the photoelectric conversion element on the interlayer insulating film, and forming a light transmissive film pattern on the color filter corresponding to the photoelectric conversion element And reflowing the light-transmissive layer pattern to form a convex lens pattern, and performing anisotropic etching on the entire surface of the lens pattern to form a micro lens having pyramidal fine light penetrating bodies on the surface thereof. do.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, including and / or comprising the components, steps, operations and / or elements mentioned exclude the presence or addition of one or more other components, steps, operations and / or elements. I never do that.

이하, 본 발명의 실시예들에서는 이미지 센서의 일 예로 CMOS 이미지 센서를 예시할 것이다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 그대로 전하 결합 소자에도 적용 될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will exemplify a CMOS image sensor as an example of an image sensor. However, it is a matter of course that the technical idea of the present invention can be applied to a charge coupled device as it is.

이하 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 CMOS 이미지 센서에 대해 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a CMOS image sensor according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 개략적인 블록도이다. 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서의 액티브 픽셀 센서(APS) 어레이의 간략 회로도이다. 1 is a schematic block diagram of an image sensor according to an embodiment of the present invention. 2 is a simplified circuit diagram of an active pixel sensor (APS) array of image sensors in accordance with embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 이미지 센서는 광전 변환 소자를 포함하는 픽셀들이 이차원적으로 배열되어 이루어진 액티브 픽셀 센서(APS) 어레이 영역(10)과, APS 어레이 영역(10)을 동작시키기 위한 로직(logic) 영역(20)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an image sensor includes logic for operating an APS array region 10 and an active pixel sensor (APS) array region 10 in which pixels including a photoelectric conversion element are two-dimensionally arranged. Area 20.

APS 어레이 영역(10)은 도 2에 도시된 바와 같이, 2차원적으로 배열된 복수의 단위 픽셀들을 포함하며, 도 3에 도시된 등가 회로도로 구성된 단위 픽셀(100)들이 매트릭스 형태로 배열되어 구성된다 이러한 APS 어레이 영역(10)은 광 신호를 전기적 신호로 변환하며, 행 드라이버(50)로부터 픽셀 선택 신호(SEL), 리셋 신호(RX), 전하 전송 신호(TX) 등 다수의 구동 신호를 수신하여 구동된다. 또한, 변환된 전기적 신호는 수직 신호 라인를 통해서 상관 이중 샘플러(CDS: Correlated Double Sampler; 60)에 제공된다.As shown in FIG. 2, the APS array region 10 includes a plurality of unit pixels arranged in two dimensions, and the unit pixels 100 configured in the equivalent circuit diagram illustrated in FIG. 3 are arranged in a matrix form. The APS array region 10 converts an optical signal into an electrical signal and receives a plurality of driving signals such as a pixel selection signal SEL, a reset signal RX, and a charge transfer signal TX from the row driver 50. Is driven. The converted electrical signal is also provided to a correlated double sampler (CDS) 60 via a vertical signal line.

로직 영역(20)은 타이밍 발생기(timing generator; 30), 행 디코더(row decoder; 40), 행 드라이버(row driver; 50), 상관 이중 샘플러(CDS; 60), 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter; 70), 래치부(latch; 80), 열 디코더(column decoder; 90) 등을 포함할 수 있다.The logic area 20 includes a timing generator 30, a row decoder 40, a row driver 50, a correlated double sampler 60, and an analog to digital converter (ADC). A digital converter 70, a latch 80, a column decoder 90, and the like.

타이밍 발생기(30)는 행 디코더(40) 및 열 디코더(90)에 타이밍(timing) 신호 및 제어 신호를 제공한다.The timing generator 30 provides a timing signal and a control signal to the row decoder 40 and the column decoder 90.

행 드라이버(50)는 행 디코더(40)에서 디코딩된 결과에 따라 다수의 단위 픽셀들을 구동하기 위한 다수의 구동 신호를 APS 어레이 영역(10)으로 제공한다. 일반적으로 행렬 형태로 단위 픽셀이 배열된 경우에는 각 행별로 구동 신호를 제공한다.The row driver 50 provides a plurality of driving signals to the APS array region 10 for driving the plurality of unit pixels according to the result decoded by the row decoder 40. In general, when unit pixels are arranged in a matrix form, a driving signal is provided for each row.

상관 이중 샘플러(60)는 APS 어레이 영역(10)에 형성된 전기 신호를 수직 신호 라인을 통해 수신하여 유지(hold) 및 샘플링한다. 즉, 특정한 잡음 레벨(noise level)과 형성된 전기적 신호에 의한 신호 레벨을 이중으로 샘플링하여, 잡음 레벨과 신호 레벨의 차이에 해당하는 차이 레벨을 출력한다.The correlated double sampler 60 receives, holds, and samples electrical signals formed in the APS array region 10 through vertical signal lines. In other words, the signal level due to the specific noise level and the formed electrical signal is sampled twice, and the difference level corresponding to the difference between the noise level and the signal level is output.

아날로그 디지털 컨버터(70)는 차이 레벨에 해당하는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력한다.The analog-to-digital converter 70 converts an analog signal corresponding to the difference level into a digital signal and outputs the digital signal.

래치부(80)는 디지털 신호를 래치(latch)하고, 래치된 신호는 열 디코더(90)에서 디코딩 결과에 따라 순차적으로 영상 신호 처리부(도면 미도시)로 출력된다.The latch unit 80 latches the digital signal, and the latched signal is sequentially output from the column decoder 90 to the image signal processor (not shown) according to the decoding result.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서의 단위 픽셀의 회로도이다. 3 is a circuit diagram of a unit pixel of an image sensor according to example embodiments.

도 3에서는 단위 픽셀 영역(100)이 4개의 트랜지스터 구조로 이루어진 경우를 도시하고 있으나, 단위 픽셀 영역(100)은 3개의 트랜지스터 구조, 5개의 트랜지스터 구조 또는 4개의 트랜지스터 구조와 유사한 포토게이트 구조로 구성될 수도 있다.In FIG. 3, the unit pixel region 100 includes four transistor structures, but the unit pixel region 100 includes three transistor structures, five transistor structures, or a photogate structure similar to four transistor structures. May be

도 3을 참조하면, 4개의 트랜지스터 구조로 이루어진 각 단위 픽셀 영 역(100)은 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광전 변환 소자(110)와, 광전 변환 소자(110)에 입사된 광 신호를 독출하는 독출 소자로 구분될 수 있다. 독출 소자로는 리셋(reset) 소자(140), 드라이브(drive) 소자(150), 선택(select) 소자(160) 등이 포함될 수 있다. Referring to FIG. 3, each unit pixel region 100 having four transistor structures includes a photoelectric conversion element 110 that receives light and generates and accumulates photocharges, and an optical signal incident to the photoelectric conversion element 110. It may be divided into a read device for reading the. The read device may include a reset device 140, a drive device 150, a select device 160, and the like.

보다 상세히 설명하면, 광전 변환 소자(110)는 입사광에 대응하는 전하를 생성 및 축적하며, 광전 변환 소자로는 포토 다이오드(photo diode), 포토 트랜지스터(photo transistor), 포토 게이트(photo gate), 핀드 포토 다이오드(Pinned Photo Diode; PPD) 및 이들의 조합이 가능하다. 그리고 광전 변환 소자(110)는 축적된 광전하를 플로팅 확산 영역(120, FD; Floating Diffusion region)으로 전달하는 전하 전송 소자(130)와 연결된다. In more detail, the photoelectric conversion element 110 generates and accumulates charges corresponding to incident light, and the photoelectric conversion element includes a photo diode, a photo transistor, a photo gate, and a pind. Pinned Photo Diodes (PPDs) and combinations thereof are possible. The photoelectric conversion element 110 is connected to a charge transfer device 130 that transfers the accumulated photocharges to a floating diffusion region (FD) 120.

플로팅 확산 영역(120)은 광전 변환 소자(110)에서 축적된 전하를 전송받으며, 플로팅 확산 영역(120)은 기생 커패시턴스를 갖고 있기 때문에, 전하가 누적적으로 저장된다. 또한, 플로팅 확산 영역(120)은 드라이브 소자(150)와 전기적으로 연결되어 있어, 드라이브 소자(150)를 제어한다.The floating diffusion region 120 receives charges accumulated in the photoelectric conversion element 110, and since the floating diffusion region 120 has parasitic capacitance, charges are accumulated cumulatively. In addition, the floating diffusion region 120 is electrically connected to the drive element 150 to control the drive element 150.

전하 전송 소자(130)는 광전 변환 소자(110)에서 플로팅 확산 영역(120)으로 전하를 전송한다. 전하 전송 소자(130)는 일반적으로 1개의 트랜지스터로 이루어지며, 전하 전송 신호(TX)에 의해 제어된다. The charge transfer element 130 transfers charges from the photoelectric conversion element 110 to the floating diffusion region 120. The charge transfer element 130 generally consists of one transistor and is controlled by the charge transfer signal TX.

리셋 소자(140)는 플로팅 확산 영역(120)을 주기적으로 리셋시킨다. 리셋 소자(140)의 소스는 플로팅 확산 영역(120)과 연결되며, 드레인은 전압(Vdd)에 연결된다. 그리고 리셋 라인(141)에 의해 제공되는 바이어스에 의해 구동된다. 따라서 리셋 라인(141)에 의해 제공되는 바이어스에 의해 리셋 소자(140)가 턴 온되면, 리셋 소자(140)의 드레인과 연결된 전원 전압(Vdd)이 플로팅 확산 영역(120)으로 전달된다.The reset device 140 periodically resets the floating diffusion region 120. The source of the reset device 140 is connected to the floating diffusion region 120 and the drain is connected to the voltage Vdd. And driven by a bias provided by the reset line 141. Therefore, when the reset device 140 is turned on by the bias provided by the reset line 141, the power supply voltage Vdd connected to the drain of the reset device 140 is transferred to the floating diffusion region 120.

드라이브 소자(150)는 단위 픽셀 영역(100)의 외부에 위치하는 정전류원(미도시)과 조합하여 소스 팔로워 버퍼 증폭기(source follower buffer amplifier) 역할을 하며, 광전 변환 소자(110)에 축적된 광전하를 전달받은 플로팅 확산 영역(120)의 전기적 포텐셜의 변화를 증폭하고 이를 출력 라인(162)으로 출력한다.The drive element 150 serves as a source follower buffer amplifier in combination with a constant current source (not shown) located outside the unit pixel region 100, and the light accumulated in the photoelectric conversion element 110. The change in the electrical potential of the floating diffusion region 120 receiving the charge is amplified and output to the output line 162.

선택 소자(160)는 행 단위로 읽어낼 단위 픽셀(100)들을 선택하는 역할을 한다. 선택 소자(160)는 행 선택 라인(ROW)에 의해 제공되는 바이어스에 의해 구동되며, 선택 소자(160)가 턴 온되면 선택 소자(160)의 드레인과 연결된 전원 전압이 드라이브 소자(150)의 드레인으로 전달 된다. The selection element 160 selects the unit pixels 100 to be read in units of rows. The select device 160 is driven by a bias provided by the row select line ROW. When the select device 160 is turned on, the power supply voltage connected to the drain of the select device 160 is drained by the drive device 150. Is passed.

또한, 전하 전송 소자(130), 리셋 소자(140), 선택 소자(160)의 구동 신호 라인들(131, 141, 161)은 동일한 행에 포함된 단위 픽셀(100)들이 동시에 구동되도록 행 방향(수평 방향)으로 연장된다. In addition, the driving signal lines 131, 141, and 161 of the charge transfer device 130, the reset device 140, and the selection device 160 may be driven in a row direction so that the unit pixels 100 included in the same row are simultaneously driven. Horizontal direction).

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 액티브 픽셀 센서(APS) 어레이를 나타낸 평면도이다. 4 is a plan view illustrating an active pixel sensor (APS) array of an image sensor according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, APS 어레이(도 1 및 도 2의 10 참조) 영역은 단위 픽셀들이 매트릭스 형태로 배열됨에 따라, 기판을 사각 형태의 단위 픽셀 영역(100)들로 구분할 수 있다. 그리고 각 단위 픽셀 영역(100)의 중심에는 수광 소자, 즉, 광전 변환 소자(110)가 위치하며, 광전 변환 소자(110) 주위의 각 단위 픽셀 영역(100) 내에는 플로팅 확산 영역(120), 전하 전송 소자(130), 리셋 소자(140), 드라이브 소자(150) 및 선택 소자(160)가 위치한다.Referring to FIG. 4, an APS array (see 10 of FIGS. 1 and 2) may divide a substrate into rectangular pixel units 100 as unit pixels are arranged in a matrix. A light receiving element, that is, a photoelectric conversion element 110 is positioned at the center of each unit pixel region 100, and a floating diffusion region 120 is formed in each unit pixel region 100 around the photoelectric conversion element 110. The charge transfer device 130, the reset device 140, the drive device 150, and the selection device 160 are positioned.

이러한 APS 어레이의 활성 영역의 형상은 이미지 센서의 디자인 룰에 따라 달라질 수 있을 것이다. The shape of the active area of the APS array may vary depending on the design rules of the image sensor.

다음으로, 도 5를 참조하여, 이미지 센서의 단면 구조에 대해 상세히 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도로서, 단위 픽셀들이 밀집된 APS 어레이 영역의 단면이 도시된다. Next, the cross-sectional structure of the image sensor will be described in detail with reference to FIG. 5. 5 is a cross-sectional view of an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention, and a cross section of an APS array area in which unit pixels are densely illustrated.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 P형 벌크 기판(101a) 상에 P형 에피층(101b)이 형성된 기판(101)을 이용할 수 있다. 그리고 기판(101) 내에는 기판(101) 표면과 이격되어 P형 에피층(101b) 내에 형성된 P형 불순물 영역인 P형 딥-웰(103)이 형성되어 있을 수 있다. Referring to FIG. 5, the image sensor according to the exemplary embodiment may use a substrate 101 having a P-type epitaxial layer 101b formed on the P-type bulk substrate 101a. The P-type deep-well 103, which is a P-type impurity region formed in the P-type epitaxial layer 101b and spaced apart from the surface of the substrate 101, may be formed in the substrate 101.

여기서, P형 딥-웰(103)은 벌크 기판(101a)의 깊은 곳에서 생성된 전하들이 광전 변환 소자(110)로 흘러들어가지 않도록 포텐셜 배리어(potential barrier)를 형성하고, 전하와 홀의 재결합(recombination) 현상을 증가시켜 전하들의 랜덤 드리프트에 의한 화소간 크로스토크를 감소시키는 크로스토크 배리어이다. Here, the P-type deep-well 103 forms a potential barrier to prevent the charges generated in the deep portion of the bulk substrate 101a from flowing into the photoelectric conversion element 110 and recombines the charge and the hole ( Recombination) is a crosstalk barrier that reduces interpixel crosstalk due to random drift of charges.

본 발명의 일 실시예에서는 P형 벌크 기판(101a) 상에 P형 에피층(101b)이 성장되고, P형 에피층(101b) 내에 P형 딥-웰(103)이 형성되어 있는 경우만 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, P형 벌크 기판(101a) 대신 N형 벌크 기판이 이용될 수도 있다. 그리고 P형 에피층(101b) 대신에 N형 에피층이 형성될 수도 있다. 또한, 경우에 따라서는 P형 딥 웰(103)이 형성되지 않을 수도 있다. 즉, 반도체 기판(101)은 이러한 여러 가지의 조합이 가능할 것이다.In the embodiment of the present invention, only the case where the P-type epi layer 101b is grown on the P-type bulk substrate 101a and the P-type deep-well 103 is formed in the P-type epi layer 101b is described. However, it is not limited thereto. For example, an N-type bulk substrate may be used instead of the P-type bulk substrate 101a. An N-type epitaxial layer may be formed instead of the P-type epitaxial layer 101b. In some cases, the P-type deep well 103 may not be formed. That is, the semiconductor substrate 101 may be any of these combinations.

그리고, 반도체 기판(101) 내에는 활성 영역과 필드 영역을 구분하기 위한 소자 분리막(104)이 형성되어 있다. 활성 영역은 도 3에 한정되지 않으며 다른 형태로 변경될 수 있다.In the semiconductor substrate 101, an isolation layer 104 is formed to distinguish the active region from the field region. The active region is not limited to FIG. 3 and may be modified in other forms.

한편, 소자 분리막(104)에 의해 정의된 활성 영역 내에는 빛 에너지를 흡수하여 발생한 전하를 축적하는 광전 변환 소자(110)가 형성되어 있다. 광전 변환 소자(110)는 n형의 포토 다이오드(112)와 p+형의 피닝층(pinning layer; 114)을 포함한다. 여기서, n형 포토다이오드(112)는 p형 에피층(104) 내에 깊게 형성되어 있으며, 피닝층(114)은 n형 포토다이오드(112)의 표면에 얕게 형성되어 있다. 이에 따라 포토다이오드(110)는 p형 에피층(104), n형 포토다이오드(112) 및 피닝층(114)이 적층된 pnp 접합 구조를 갖는다. On the other hand, in the active region defined by the device isolation film 104, a photoelectric conversion element 110 that accumulates electric charges generated by absorbing light energy is formed. The photoelectric conversion element 110 includes an n-type photodiode 112 and a p + type pinning layer 114. Here, the n-type photodiode 112 is deeply formed in the p-type epi layer 104, and the pinning layer 114 is formed shallowly on the surface of the n-type photodiode 112. Accordingly, the photodiode 110 has a pnp junction structure in which a p-type epi layer 104, an n-type photodiode 112, and a pinning layer 114 are stacked.

그리고, n형 포토다이오드(112) 표면에 얕게 형성된 p+형의 피닝층(114)은 n형 포토다이오드(112)의 표면 손상으로 인해 암전류(dark current)가 발생하는 것을 방지한다. 자세히 설명하면, 이미지 센서에서 암전류의 원인 중 하나로 포토 다이오드(110)의 표면 손상을 들 수 있다. 표면 손상은 주로 댕글링 실리콘 결합(dangling silicon bonds)의 형성에 의할 수도 있고, 제조 과정 중에 에칭 스트레스(etching stress)와 관련된 결점에 의해 이루어 질 수도 있다. 따라서, n형 포토 다이오드(112)를 p형 에피층(101b) 내부에 깊게 형성하고, n형 포토다이오드 상에 피닝층(114)을 형성함으로써, p형 에피층(104)의 표면에서 열적으로 생성된(thermally generated) EHP 중에서, 양전하는 피닝층(114)을 통해서 접지된 기판 으로 확산되고, 음전하는 피닝층(114)을 형성하는 과정에서 양전하와 재결합하여 소멸시킬 수 있다. In addition, the p + type pinning layer 114 shallowly formed on the surface of the n-type photodiode 112 prevents dark current from occurring due to the surface damage of the n-type photodiode 112. In detail, one of the causes of the dark current in the image sensor may be surface damage of the photodiode 110. Surface damage may be mainly due to the formation of dangling silicon bonds, or may be caused by defects associated with etching stresses during the manufacturing process. Therefore, the n-type photodiode 112 is deeply formed inside the p-type epilayer 101b and the pinning layer 114 is formed on the n-type photodiode, thereby thermally forming on the surface of the p-type epilayer 104. In the thermally generated EHP, the positive charge may diffuse through the pinning layer 114 to the grounded substrate, and the negative charge may be recombined with the positive charge in the process of forming the pinning layer 114 to dissipate.

또한, p형 에피층(101b) 내에는 광전 변환부(110)와 이격되어 플로팅 확산 영역(120)이 형성되어 있다. 플로팅 확산 영역(120)은 저농도의 n형 불순물과 고농도의 n형 불순물을 이온 주입한 LDD(Lightly Doped Drain) 구조로 형성되어 있다. 이러한 플로팅 확산 영역(120)은 전하 전송 소자(130), 즉 트랜스퍼 게이트를 통해 핀드 포토다이오드(110)에 축적된 광전하를 전송 받아 검출할 수 있다. In the p-type epi layer 101b, the floating diffusion region 120 is formed to be spaced apart from the photoelectric conversion unit 110. The floating diffusion region 120 is formed of a lightly doped drain (LDD) structure in which ion-implanted low concentration n-type impurities and high concentration n-type impurities are ion-implanted. The floating diffusion region 120 may receive and detect photocharges accumulated in the pinned photodiode 110 through the charge transfer device 130, that is, the transfer gate.

그리고 광전 변환 소자(110)와 플로팅 확산 영역(120) 사이의 p형 에피층(101b) 상에는 광전 변환 소자(110) 내에 축적된 광전하를 플로팅 확산 영역(120)으로 전달하는 전하 전송부, 즉, 트랜스퍼 게이트(130)가 위치한다. In addition, on the p-type epi layer 101b between the photoelectric conversion element 110 and the floating diffusion region 120, a charge transfer unit that transfers the photocharges accumulated in the photoelectric conversion element 110 to the floating diffusion region 120, that is, The transfer gate 130 is located.

또한, 트랜스퍼 게이트(130)와 이격되고, 플로팅 확산 영역(120)과 인접한 반도체 기판(101) 상에는 리셋 게이트(도 4의 140), 드라이브 게이트(도 4의 150) 및 선택 게이트(도 4의 160)가 서로 이격되어 위치한다. 이러한 단위 픽셀 영역의 트랜스퍼 게이트(130), 리셋 게이트(140), 드라이버 게이트(150) 및 선택 게이트(160) 양측에는 스페이서가 위치할 수 있다. 그리고, 리셋 게이트(140), 드라이브 게이트(150) 및 선택 게이트(160)의 일측의 기판(101) 내에는 LDD 구조 또는 DDD구조의 불순물 영역이 위치할 것이다. Further, on the semiconductor substrate 101 spaced apart from the transfer gate 130 and adjacent to the floating diffusion region 120, a reset gate (140 in FIG. 4), a drive gate (150 in FIG. 4), and a selection gate (160 in FIG. 4). ) Are spaced apart from each other. Spacers may be positioned on both sides of the transfer gate 130, the reset gate 140, the driver gate 150, and the selection gate 160 in the unit pixel area. An impurity region of an LDD structure or a DDD structure may be located in the substrate 101 on one side of the reset gate 140, the drive gate 150, and the selection gate 160.

이와 같이, 광전 변환 소자(110), 플로팅 확산 영역(120), 전하 전송 소자(130), 리셋 소자(140), 증폭 소자(150) 및 선택 소자(160)들 상에는 반도체 기판(101) 전면을 덮는 제 1 층간 절연막(210)이 형성되어 있다. 이러한 제 1 층간 절연막(210) 내에는 플로팅 확산 영역부(120), 전하 전송 소자(130) 리셋 소자(140), 증폭 소자(150) 또는 선택 소자(160)와 연결되는 컨택(미도시)을 포함할 수 있다.As such, the entire surface of the semiconductor substrate 101 may be disposed on the photoelectric conversion element 110, the floating diffusion region 120, the charge transfer element 130, the reset element 140, the amplification element 150, and the selection elements 160. A covering first interlayer insulating film 210 is formed. In the first interlayer insulating layer 210, a contact (not shown) connected to the floating diffusion region 120, the charge transfer device 130, the reset device 140, the amplification device 150, or the selection device 160 may be formed. It may include.

그리고 제 1 층간 절연막(210) 상에는 다층의 층간 절연막(240)들이 형성되어 있으며, 제 1 층간 절연막(210)과 다층의 층간 절연막(240)의 경계에는 식각 정지막(222)이 형성될 수 있다. 또한, 다층의 층간 절연막(240)들 내에는 다층에 걸쳐 배선층(232)이 형성되어 있으며, 이 때, 배선층(232)들은 외부로부터 광전 변환 소자(110)로 입사되는 빛이 차단되는 것을 방지하기 위해 광전 변환 소자(110)의 상부를 제외한 영역들 상에 위치한다. 그리고 다층의 층간 절연막(240) 내에는 광전 변환 소자(110)와 대응되는 개구부(250)가 형성되어 있다. In addition, multilayer interlayer insulating layers 240 may be formed on the first interlayer insulating layer 210, and an etch stop layer 222 may be formed on the boundary between the first interlayer insulating layer 210 and the multilayer interlayer insulating layer 240. . In addition, the wiring layer 232 is formed in the multilayer interlayer insulating layers 240, and the wiring layers 232 prevent the light incident to the photoelectric conversion element 110 from being blocked from outside. In order to be positioned on regions other than the upper portion of the photoelectric conversion element 110. An opening 250 corresponding to the photoelectric conversion element 110 is formed in the multilayer interlayer insulating layer 240.

개구부(250)는 다층의 층간 절연막(240)의 일부가 제거된 형태로서, 다층의 층간 절연막(240)들이 광특성이 서로 다른 물질로 이루어질 수 있어, 외부로부터 입사되는 빛의 양이 광전 변화 소자(110)로 도달하기 전에 손실되는 것을 방지하기 위해 형성될 수 있다.The opening 250 is formed by removing a part of the multilayer interlayer insulating layer 240. The multilayer interlayer insulating layers 240 may be formed of materials having different optical characteristics, so that the amount of light incident from the outside is changed to the photoelectric change element. It may be formed to prevent the loss before reaching 110.

그리고 개구부(250)가 형성된 다층의 층간 절연막(240) 상에는 개구부(250)를 채우는 광투과부(260)가 형성되어 있다. 광투과부(260)는 개구부(250) 및 다층의 층간 절연막(240)의 상부가 평탄해지도록 형성되어 있다. 그리고 광투광부(260)는 광전 변환 소자(110)로 입사되는 빛이 투과할 수 있는 물질로 형성되며 예를 들어, 열경화성수지(thermosetting resin)로 형성될 수 있다.The light transmitting part 260 filling the opening 250 is formed on the multilayer interlayer insulating layer 240 having the opening 250. The light transmitting part 260 is formed so that the upper part of the opening part 250 and the multilayer interlayer insulation film 240 is planarized. The light transmitting part 260 may be formed of a material through which light incident on the photoelectric conversion element 110 may pass, and may be formed of, for example, a thermosetting resin.

그리고, 광투과부(260) 상에는 컬러 필터(270)가 위치한다. 도 4를 참조하면 컬러 필터(270)는 매트릭스 형대로 배열된 APS 어레이(도 2의 10) 상부에 각 단위 픽셀 영역(100) 별로 위치한다. 이러한 컬러 필터(270)는 고화질의 영상을 얻기 위하여 특정 색의 광을 투과시켜 반도체 기판의 광전 변환 소자(110)에 도달되도록 한다. 컬러 필터(300)는 레드(R: red), 그린(G: green), 블루(B: blue)가 베이어(Bayer)형으로 배치된 컬러 필터(270)가 사용될 수 있다. 여기서, 베이어형은 사람의 눈이 가장 민감하게 반응하여 정확도가 요구되는 그린(green) 컬러 필터(270)가 전체 컬러 필터(300)의 반이 되도록 배열하는 방식이다. 그러나, 컬러 필터(270)의 배열은 다양하게 변형될 수 있다. The color filter 270 is positioned on the light transmitting unit 260. Referring to FIG. 4, the color filter 270 is positioned for each unit pixel region 100 on the APS array (10 of FIG. 2) arranged in a matrix form. The color filter 270 transmits light of a specific color to reach the photoelectric conversion element 110 of the semiconductor substrate in order to obtain a high quality image. The color filter 300 may be a color filter 270 in which red (R), green (G), and blue (B) are arranged in a Bayer type. Here, the Bayer type is a method in which the green color filter 270, which requires the most sensitive response of the human eye, is arranged to be half of the entire color filter 300. However, the arrangement of the color filter 270 may be variously modified.

이러한 컬러 필터(270)를 형성하는 물질로는 염색된 포토레지스트가 주로 사용될 수 있다. 그리고 컬러 필터는 레드(Red), 그린(Green), 및 블루(blue)의 3가지 컬러 중 하나로 형성할 수 있다. 따라서, 각 광전 변환 소자(110)에 대응되게 하나의 컬러 필(270)터가 각각 위치한다. As a material for forming the color filter 270, a dyed photoresist may be mainly used. The color filter may be formed of one of three colors of red, green, and blue. Accordingly, one color filter 270 is positioned to correspond to each photoelectric conversion element 110.

컬러 필터(270) 상에는 외부로부터 입사되는 빛을 손실 없이 광전 변화 소자(110)로 투과시킬 수 있는 피라미드(pyramid) 형상의 미세 광투과체들(300)이 위치할 수 있다. On the color filter 270, pyramid-shaped fine light transmitting members 300 may be disposed to transmit light incident from the outside to the photoelectric change element 110 without loss.

한편, 컬러 필터(270)와 피라미드 형상의 다수의 미세 광투과체들(300) 사이에는 오버 코팅 레이어(OCL: Over-Coating Layer)라고 하는 평탄화막(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(280)은 광투과성이 우수한 폴리이미드(polyimid) 계열 또는 폴리아크릴(polyacryl) 계열 등의 물질을 사용하여 형성될 수 있다. Meanwhile, a planarization layer 280 called an over-coating layer (OCL) may be formed between the color filter 270 and the plurality of fine light transmitting members 300 having a pyramid shape. For example, the planarization layer 280 may be formed using a material such as polyimide or polyacryl, which has excellent light transmittance.

이와 같이, 컬러 필터(270) 상에 평탄화막(280)이 위치하는 경우, 다수의 미 세 광투과체(300)들은 평탄화막(280) 상면에 걸쳐 위치할 수 있다. As such, when the planarization layer 280 is positioned on the color filter 270, the plurality of fine light transmitting members 300 may be positioned over the top surface of the planarization layer 280.

이하, 미세 광투과체(300)에 대해서 도 6 및 도 7을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에 포함된 미세 광투과체의 개략적인 사시도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시에에 따른 이미지 센서에서 광이 입사되는 경로를 나타내는 개략적인 단면도이다. 참고로, 도 7에서, 도면 부호 100은 본 발명의 이미지 센서에서, 빛을 흡수하여 전기적 신호로 변환하는 광전 변환 소자들(도 5의 110 참조), 즉 단위 픽셀들을 포함하는 반도체 기판을 나타내며, 도면 부호 200은 광전 변화 소자들(도 5의 110 참조) 상에 위치하는 배선층(도 5의 232, 234 참조) 및 다층의 층간 절연막(도 5의 240 참조)을 포함한다. Hereinafter, the fine light transmitting body 300 will be described in more detail with reference to FIGS. 6 and 7. 6 is a schematic perspective view of a micro light transmitting body included in an image sensor according to an embodiment of the present invention. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a path through which light is incident in an image sensor according to an exemplary embodiment. For reference, in FIG. 7, reference numeral 100 denotes a semiconductor substrate including photoelectric conversion elements (see 110 of FIG. 5), that is, unit pixels, in the image sensor of the present invention, which absorb light and convert the light into an electrical signal. Reference numeral 200 includes a wiring layer (see 232 and 234 of FIG. 5) and a multilayer interlayer insulating layer (see 240 of FIG. 5) positioned on the photoelectric change elements (see 110 of FIG. 5).

도 6 및 도 7을 참조하면, 다수의 미세 광투과체들(300)은 외부에서 이미지 센서로 빛이 입사될 때, 공기와 이미지 센서 표면에서의 굴절율 차이로 인해, 빛이 반사되어 이미지 센서로의 입사량이 줄어드는 것을 방지하기 위해 형성되어 있다. 6 and 7, when light is incident on the image sensor from the outside, the plurality of fine light transmitting members 300 reflect light to the image sensor due to a difference in refractive index between the air and the image sensor surface. It is formed to prevent the amount of incident light from decreasing.

이러한 미세 광투과체들(300)은 피라미드 형상을 가지고 있으며, 컬러 필터(270) 상에서, 단위 픽셀 영역 당 다수의 미세 광투과체들(300)이 위치한다. 여기서 피라미드 형상의 미세 광투과체들(300)은, 사면체, 육면체 형상 또는 원뿔 형상으로 이해될 수도 있을 것이다. 그리고, 도면에서는 컬러 필터(270) 상의 미세 광투과체들(300)은 각각 균일한 형태로 형성된 것으로 도시하였으나, 다수의 미세 광투과체들(300)은 각각 크키 또는 경사가 다른 불균일한 형태로 형성될 수도 있다. The minute light transmitting members 300 have a pyramid shape, and on the color filter 270, a plurality of minute light transmitting members 300 are positioned per unit pixel area. Here, the pyramid-shaped fine light transmitting bodies 300 may be understood as tetrahedral, hexahedral or conical shapes. In addition, in the drawing, the fine light transmitting members 300 on the color filter 270 are each formed in a uniform shape, but the plurality of fine light transmitting members 300 are in uneven shape having different heights or inclinations, respectively. It may be formed.

즉, 각각의 미세 광투과체들(300)은 다수의 경사면으로 이루어질 수 있으며, 미세 광투과체들(300)이 서로 인접하게 위치한다. 이에 따라 인접한 미세 광투과체들(300)의 경사면 간에 소정 각도(θ2) 즉, 예각이 형성될 수 있다. That is, each of the minute light transmitting members 300 may be formed of a plurality of inclined surfaces, and the minute light transmitting members 300 are adjacent to each other. Accordingly, a predetermined angle θ 2 , that is, an acute angle, may be formed between the inclined surfaces of the adjacent fine light transmitting members 300.

따라서 빛이 입사될 때, 미세 광투과체(300)의 표면에서 빛의 일부가 반사되더라도, 미세 광투과체들(300)의 일면들 사이에 소정 각도를 이루도록 형성되어 있어, 일부 반사된 빛이 인접한 다른 미세 광투과체(300)를 통해 다시 광전 변환 소자(도 5의 110 참조)로 입사될 수 있다. Therefore, when light is incident, even if a part of the light is reflected from the surface of the fine light transmitting body 300, it is formed to form a predetermined angle between one surface of the fine light transmitting members 300, so that the partially reflected light The light may be incident to the photoelectric conversion device (see 110 of FIG. 5) through another adjacent micro light transmitting body 300.

그리고 각각의 미세 광투과체들(300)의 높이(h)가 클수록, 그리고 컬러 필터(270)와 미세 광투과체(300)의 경사면이 이루는 각도(θ1)가 클수록 미세 광투과체(300)의 표면에서 반사되어 손실되는 빛의 양을 줄일 수 있을 것이다. The greater the height h of each of the fine light transmitting members 300 and the larger the angle θ 1 formed between the inclined surface of the color filter 270 and the fine light transmitting body 300, the finer light transmitting body 300. This will reduce the amount of light reflected off the surface.

즉, 이미지 센서에서 최상부에 위치하는 미세 광투과체(300)의 표면에 도달 후, 반사되는 빛을 다시 재반사시켜, 광전 변환 소자(110)로 입사되는 빛의 손실을 줄일 수 있다. 그러므로, 외부로부터 광전 변환 소자(110)로 입사되는 빛의 양이 증가되어, 이미지 센서의 광감도를 향상시킬 수 있다. That is, after reaching the surface of the fine light transmitting body 300 positioned at the top of the image sensor, the reflected light is reflected again to reduce the loss of light incident to the photoelectric conversion element 110. Therefore, the amount of light incident from the outside to the photoelectric conversion element 110 is increased, thereby improving the light sensitivity of the image sensor.

이와 같은 미세 광투과체들(300)을 형성하는 방법에 대해 간략히 설명하면, 먼저 컬러 필터(270) 상에 광이 투과될 수 있는 물질을 형성한다. 그리고, 광투과성 물질 전면에 대해 이방성 식각 공정을 진행함으로써 피라미드 형상의 미세 광투과체들(300)을 형성할 수 있다. Briefly describing the method of forming the fine light transmitting members 300, first, a material capable of transmitting light on the color filter 270 is formed. In addition, the anisotropic etching process may be performed on the entire surface of the light transmissive material to form the pyramid-shaped fine light transmissive bodies 300.

예를 들어, 미세 광투과체들(300)은 컬러 필터(270) 상에 광투과성 포토레지스트막 또는 절연막을 형성하고, 광투과성 포토레지스트막 또는 절연막에 대해 이 방성 식각 공정을 진행하여 형성할 수 있다. For example, the fine light transmitting members 300 may be formed by forming a light transmissive photoresist film or an insulating film on the color filter 270, and performing the anisotropic etching process on the light transmissive photoresist film or the insulating film. have.

본 발명의 일 실시예에서와 같이, 컬러 필터(270) 상에 다수의 미세 광투과체들(300)을 형성하는 경우, 이미지 센서로 입사되는 빛이 광전 변환 소자(110)로 집광될 수 있도록 컬러 필터(270) 상에 형성되는 마이크로 렌즈 없이도 광전 변화 소자(110)로 입사되는 빛의 양을 확보할 수 있다. 즉, 이미지 센서 제조 시 공정 단계를 줄일 수 있다. As in an embodiment of the present invention, when the plurality of fine light transmitting members 300 are formed on the color filter 270, the light incident to the image sensor may be focused on the photoelectric conversion element 110. The amount of light incident on the photoelectric change element 110 may be secured without the microlens formed on the color filter 270. In other words, the manufacturing process of the image sensor can be reduced.

이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, an image sensor according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도로서, 도 4의 Ⅴ-Ⅴ'의 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of an image sensor according to another exemplary embodiment, taken along the line VV ′ of FIG. 4.

본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서에서, 반도체 기판(101)에서부터 컬러 필터(270)까지의 구조는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에서의 구조와 동일하므로, 중복 설명을 피하기 위해 생략하기로 한다. In the image sensor according to another embodiment of the present invention, the structure from the semiconductor substrate 101 to the color filter 270 is the same as the structure in the image sensor according to an embodiment of the present invention, and is omitted to avoid redundant description. Let's do it.

즉, 본 발명의 다른 일 실시예에서는, 컬러 필터(270) 상에 다수의 미세 광투과체들(410)이 표면에 형성된 마이크로 렌즈(400)가 위치할 수 있다. 컬러 필터(270) 상에 평탄화막(280)이 더 위치하는 경우, 마이크로 렌즈(400)는 평탄화막(280) 상면에 위치한다. That is, in another embodiment of the present invention, the micro lens 400 having a plurality of fine light transmitting members 410 on the surface of the color filter 270 may be located. When the planarization layer 280 is further positioned on the color filter 270, the microlens 400 is positioned on the top surface of the planarization layer 280.

마이크로 렌즈(400)는 컬러 필터(270) 상에서 일정한 곡률을 가지며, 위로 볼록한 형태를 가질 수 있다. 그리고, 마이크로 렌즈(400)의 표면에는 마이크로 렌즈(400)를 통해 입사되는 빛의 양의 손실을 줄일 수 있도록 피라미드 형상의 미세 광투과체들(410)이 형성되어 있다. The micro lens 400 has a constant curvature on the color filter 270 and may have a convex shape upward. In addition, pyramid-shaped fine light transmitting bodies 410 are formed on the surface of the micro lens 400 so as to reduce the loss of the light incident through the micro lens 400.

즉, 마이크로 렌즈(400)의 곡선 표면에서 돌출되고, 다수의 경사면으로 이루어진 미세 광투과체들(410)이 형성되어 있다. 그리고, 미세 광투과체들(410)은 마이크로 렌즈(400)의 표면 상에서 서로 인접하게 위치하고 있어, 인접한 미세 광투과체들(410)의 경사면들 사이에 일정 각도, 즉 예각이 형성될 수 있다. That is, the fine light transmitting bodies 410 protruding from the curved surface of the micro lens 400 and formed of a plurality of inclined surfaces are formed. In addition, since the fine light transmitting bodies 410 are positioned adjacent to each other on the surface of the micro lens 400, a predetermined angle, that is, an acute angle may be formed between the inclined surfaces of the adjacent fine light transmitting bodies 410.

따라서 마이크로 렌즈(400)로 빛이 입사될 때 빛의 일부가 반사되더라도, 미세 광투과체들(410)의 일면들 사이에 소정 각도를 이루도록 형성되어 있어, 일부 반사된 빛이 인접한 다른 미세 광투과체(410)를 통해 다시 광전 변환 소자(110)로 입사될 수 있다. Therefore, even when a portion of the light is reflected when the light is incident to the micro lens 400, it is formed to form a predetermined angle between the surfaces of the micro-transmitters 410, so that the partially reflected light is adjacent to other fine light transmission The light may be incident to the photoelectric conversion element 110 through the sieve 410.

이하, 본 발명의 다른 실시예에서 표면에 다수의 미세 광투과체들을 갖는 마이크로 렌즈(400)를 형성하는 방법에 대해 간략히 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of forming the micro lens 400 having a plurality of fine light transmitting bodies on a surface in another embodiment of the present invention will be briefly described.

먼저, 컬러 필터(270) 상에 각각의 광전 변환 소자(110)에 대응하는 광투과성 포토레지스트 패턴(미도시) 또는 절연막 패턴을 형성한다. 그리고 상기 광투과성 포토레지스트 패턴 또는 절연막 패턴에 대해 리플로우(reflow) 공정을 진행한다. 이에 따라 일정한 곡률을 가지며 위로 볼록한 형태의 렌즈 패턴(미도시)을 형성할 수 있을 것이다. First, a light transmissive photoresist pattern (not shown) or an insulating film pattern corresponding to each photoelectric conversion element 110 is formed on the color filter 270. In addition, a reflow process is performed on the light transmissive photoresist pattern or the insulating film pattern. Accordingly, a lens pattern (not shown) having a constant curvature and convex upward may be formed.

이 후, 상기 렌즈 패턴 전면에 대해 이방성 식각 공정을 진행함으로써 렌즈 패턴 표면에 사면체, 육면체 또는 원뿔 형태 등과 같은 피라미드 형상의 미세 광투과체들(410)을 형성할 수 있다. Afterwards, the anisotropic etching process may be performed on the entire surface of the lens pattern to form pyramidal fine light transmitting bodies 410 such as a tetrahedron, a hexahedron, or a cone.

본 발명의 다른 실시예에서와 같이, 위로 볼록한 형태의 마이크로 렌즈(400) 표면에 피라미드 형상의 미세 광투과체들(410)이 형성되어 있으므로, 이미지 센서로 빛이 입사될 때 표면에서 반사되어 손실되는 빛의 양을 줄일 수 있으며, 마이크로 렌즈(400)를 통해 빛이 입사됨으로서 광전 변환 소자(110)로 빛이 집광될 수 있다. 그러므로, 광전 변화 소자(110)로 입사되는 빛의 양을 증가시킬 수 있어, 이미지 센서의 광감도를 향상시킬 수 있다. As in another embodiment of the present invention, since the pyramid-shaped fine light transmitting bodies 410 are formed on the surface of the convex micro lens 400, when the light is incident on the image sensor, it is reflected and lost on the surface. The amount of light may be reduced, and light may be focused onto the photoelectric conversion element 110 by incident light through the microlens 400. Therefore, the amount of light incident on the photoelectric change element 110 can be increased, thereby improving the light sensitivity of the image sensor.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention belongs may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You will understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 블록도이다.1 is a block diagram of an image sensor according to an exemplary embodiment.

도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서의 액티브 픽셀 센서(APS) 어레이의 간략 회로도이다.2 is a simplified circuit diagram of an active pixel sensor (APS) array of image sensors in accordance with embodiments of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서의 단위 픽셀의 회로도이다. 3 is a circuit diagram of a unit pixel of an image sensor according to example embodiments.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 액티브 픽셀 센서(APS) 어레이의 평면도이다.4 is a plan view of an active pixel sensor (APS) array of image sensors according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도로서, 도 4의 Ⅴ-Ⅴ'의 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of the image sensor according to the exemplary embodiment, taken along the line VV ′ of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에 포함된 광 투과체의 개략적인 사시도이다. 6 is a schematic perspective view of a light transmitting member included in an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시에에 따른 이미지 센서에서 광이 입사되는 경로를 나타내는 개략적인 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view illustrating a path through which light is incident in an image sensor according to an exemplary embodiment.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도로서, 도 4의 Ⅴ-Ⅴ'의 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of an image sensor according to another exemplary embodiment, taken along the line VV ′ of FIG. 4.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명> <Explanation of symbols on main parts of the drawings>

100: 단위 픽셀 101: 반도체 기판100: unit pixel 101: semiconductor substrate

103: 딥 웰 104: 소자 분리막103: deep well 104: device isolation film

110: 광전 변환 소자 112: N형 포토다이오드110: photoelectric conversion element 112: N-type photodiode

114: P형 포토다이오드 120: 플로팅 확산 영역114: P-type photodiode 120: floating diffusion region

130: 전하 전송 소자 140: 리셋 소자130: charge transfer element 140: reset element

150: 드라이버 소자 160: 선택 소자150: driver element 160: selection element

210: 제 1 층간 절연막 232, 234: 배선층210: first interlayer insulating film 232, 234: wiring layer

240: 다층의 층간 절연막 270: 컬러 필터240: multilayer interlayer insulating film 270: color filter

280: 평탄화막 300, 410: 미세 광투과체280: planarization film 300, 410: fine light transmitting body

400: 마이크로 렌즈400: microlens

Claims (22)

다수의 픽셀 영역들을 갖는 반도체 기판;A semiconductor substrate having a plurality of pixel regions; 상기 각 픽셀 영역의 상기 반도체 기판 내에 형성된 광전 변환 소자;A photoelectric conversion element formed in the semiconductor substrate in each pixel region; 상기 광전 변화 소자와 연결되는 배선층들을 포함하는 다층의 층간 절연막;A multilayer interlayer insulating film including wiring layers connected to the photoelectric change element; 상기 층간 절연막 상에 상기 광전 변환 소자에 대응하여 형성된 컬러 필터; 및 A color filter formed on the interlayer insulating film corresponding to the photoelectric conversion element; And 상기 컬러 필터 상에서, 피라미드(pyramid) 형상으로 형성되어 외부로부터 입사된 빛을 투과시키는 다수의 미세 광투과체를 포함하는 이미지 센서.On the color filter, the image sensor including a plurality of fine light transmitting body formed in a pyramid shape to transmit light incident from the outside. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 다수의 미세 광투과체는 광투과성 포토 레지스트 또는 절연 물질로 형성된 이미지 센서.The plurality of fine light transmitting body is formed of a light transmissive photoresist or insulating material. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 각 미세 광투과체는 다수의 경사면들로 이루어진 이미지 센서. Each fine light transmitting body is composed of a plurality of inclined surfaces. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 다수의 미세 광투과체는 서로 인접하게 위치하며, 인접한 상기 각 미세 광투과체의 상기 경사면들 사이에 예각을 형성하는 이미지 센서. And the plurality of fine light penetrating bodies are positioned adjacent to each other, and form an acute angle between the inclined surfaces of the adjacent micro light penetrating bodies. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 다수의 미세 광투과체들은 균일하게 형성되거나, 불균일하게 형성된 이미지 센서. The plurality of fine light transmitting bodies are formed uniformly or non-uniformly formed image sensor. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 컬러 필터와 상기 다수의 광투과체들 사이에 평탄화막을 더 포함하는 이미지 센서.And a planarization layer between the color filter and the plurality of light transmitting members. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 층간 절연막 내의 상기 광전 변환 소자 상부에 형성된 개구부; 및An opening formed on the photoelectric conversion element in the interlayer insulating film; And 상기 층간 절연막 상에서 상기 개구부를 매립시키는 광투과부를 더 포함하는 이미지 센서. And a light transmitting portion filling the opening on the interlayer insulating layer. 다수의 픽셀 영역들을 갖는 반도체 기판;A semiconductor substrate having a plurality of pixel regions; 상기 각 픽셀 영역의 상기 반도체 기판 내에 형성된 광전 변환 소자;A photoelectric conversion element formed in the semiconductor substrate in each pixel region; 상기 광전 변화 소자와 연결되는 배선층들을 포함하는 다층의 층간 절연막;A multilayer interlayer insulating film including wiring layers connected to the photoelectric change element; 상기 층간 절연막 상에 상기 광전 변환 소자에 대응하여 형성된 컬러 필터; 및 A color filter formed on the interlayer insulating film corresponding to the photoelectric conversion element; And 상기 컬러 필터 상에 형성되며, 위로 볼록한 형상으로서 표면에 피라미드 형 상을 갖는 다수의 미세 광투과체들이 형성된 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서. And a micro lens formed on the color filter, the micro lens having a plurality of fine light transmitting bodies having a pyramidal shape on the surface thereof as a convex shape. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 미세 광투과체는 광투과성 포토레지스트 또는 절연 물질로 형성된 이미지 센서.The fine light transmitting body is an image sensor formed of a light transmissive photoresist or an insulating material. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 각 미세 광투과체는 다수의 경사면들로 이루어진 이미지 센서. Each fine light transmitting body is composed of a plurality of inclined surfaces. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 다수의 미세 광투과체는 서로 인접하게 위치하며, 인접한 상기 각 미세 광투과체의 상기 경사면들 사이에 예각을 형성하는 이미지 센서. And the plurality of fine light penetrating bodies are positioned adjacent to each other, and form an acute angle between the inclined surfaces of the adjacent micro light penetrating bodies. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 다수의 미세 광투과체들은 균일하게 형성되거나, 불균일하게 형성된 이미지 센서. The plurality of fine light transmitting bodies are formed uniformly or non-uniformly formed image sensor. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 컬러 필터와 상기 마이크로 렌즈 사이에 평탄화막을 더 포함하는 이미 지 센서.And a planarization film between the color filter and the micro lens. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 층간 절연막 내의 상기 광전 변환 소자 상부에 형성된 개구부; 및An opening formed on the photoelectric conversion element in the interlayer insulating film; And 상기 층간 절연막 상에서 상기 개구부를 매립시키는 광투과부를 더 포함하는 이미지 센서. And a light transmitting portion filling the opening on the interlayer insulating layer. 다수의 픽셀 영역들을 갖는 반도체 기판을 제공하고,Providing a semiconductor substrate having a plurality of pixel regions, 상기 각 픽셀 영역의 반도체 기판 내에 광전 변화 소자를 형성하고,Forming a photoelectric conversion element in the semiconductor substrate of each pixel region, 상기 광전 변화 소자와 연결되는 배선층들을 포함하는 다층의 층간 절연막을 형성하고, Forming a multilayer interlayer insulating film including wiring layers connected to the photoelectric change element, 상기 층간 절연막 상에 상기 광전 변환 소자에 대응하여 컬러 필터를 형성하고,Forming a color filter corresponding to the photoelectric conversion element on the interlayer insulating film, 상기 컬러 필터 상에 광투과성막을 형성하고, Forming a light transmitting film on the color filter, 상기 광투과성막 전면에 대해 이방성 식각을 진행하여, 피라미드 형상을 갖는 다수의 미세 광투과체를 형성하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법. And anisotropically etching the entire surface of the light transmissive layer to form a plurality of fine light transmissive bodies having a pyramid shape. 제 15 항에 있어서, The method of claim 15, 상기 광투과성막은 광투과성 포토레지스트막 또는 절연막으로 형성하는 이미지 센서의 제조 방법.And the light transmissive film is formed of a light transmissive photoresist film or an insulating film. 제 15 항에 있어서, The method of claim 15, 상기 컬러 필터를 형성한 다음, 컬러 필터 상에 평탄화막을 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.And forming a planarization film on the color filter after the color filter is formed. 제 15 항에 있어서, 상기 층간 절연막을 형성한 다음,The method of claim 15, wherein after forming the interlayer insulating film, 상기 광전 변화 소자 상부에 위치하는 상기 층간 절연막의 일부를 제거하여 개구부를 형성하고,An opening is formed by removing a portion of the interlayer insulating layer disposed on the photoelectric change element; 상기 개구부를 매립시키는 광투과부를 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.And forming a light transmitting portion filling the opening. 다수의 픽셀 영역들을 갖는 반도체 기판을 제공하고,Providing a semiconductor substrate having a plurality of pixel regions, 상기 각 픽셀 영역의 반도체 기판 내에 광전 변화 소자를 형성하고,Forming a photoelectric conversion element in the semiconductor substrate of each pixel region, 상기 광전 변화 소자와 연결되는 배선층들을 포함하는 다층의 층간 절연막을 형성하고, Forming a multilayer interlayer insulating film including wiring layers connected to the photoelectric change element, 상기 층간 절연막 상에 상기 광전 변환 소자에 대응하여 컬러 필터를 형성하고,Forming a color filter corresponding to the photoelectric conversion element on the interlayer insulating film, 상기 컬러 필터 상에 상기 광전 변환 소자에 대응하여 광투과성막 패턴을 형성하고,Forming a light-transmissive film pattern on the color filter corresponding to the photoelectric conversion element, 상기 광투과성막 패턴을 리플로우시켜 위로 볼록한 형태의 렌즈 패턴을 형성 하고,Reflowing the light-transmitting film pattern to form a convex lens pattern, 상기 렌즈 패턴 전면에 대해 이방성 식각을 진행하여, 표면에 피라미드 형상의 미세 광투과체들을 갖는 마이크로 렌즈를 형성하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법. Performing anisotropic etching on the entire surface of the lens pattern to form a micro lens having pyramidal fine light transmitting bodies on the surface thereof. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 광투과성막은 광투과성 포토레지스트막 또는 절연막으로 형성하는 이미지 센서의 제조 방법.And the light transmissive film is formed of a light transmissive photoresist film or an insulating film. 제 21 항에 있어서, The method of claim 21, 상기 컬러 필터를 형성한 다음, 컬러 필터 상에 평탄화막을 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.And forming a planarization film on the color filter after the color filter is formed. 제 21 항에 있어서, 상기 층간 절연막을 형성한 다음,The method of claim 21, wherein after forming the interlayer insulating film, 상기 광전 변화 소자 상부에 위치하는 상기 층간 절연막의 일부를 제거하여 개구부를 형성하고,An opening is formed by removing a portion of the interlayer insulating layer disposed on the photoelectric change element; 상기 개구부를 매립시키는 광투과부를 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.And forming a light transmitting portion filling the opening.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106057837A (en) * 2015-04-16 2016-10-26 台湾积体电路制造股份有限公司 Cmos image sensor structure
KR20170043141A (en) * 2015-10-12 2017-04-21 삼성전자주식회사 Image sensor
US10488559B2 (en) 2015-06-19 2019-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Anti-reflective film, electronic device including the same, and apparatus for and method of manufacturing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106057837A (en) * 2015-04-16 2016-10-26 台湾积体电路制造股份有限公司 Cmos image sensor structure
US10157944B2 (en) 2015-04-16 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMOS image sensor structure
CN106057837B (en) * 2015-04-16 2021-05-11 台湾积体电路制造股份有限公司 CMOS image sensor structure
US10488559B2 (en) 2015-06-19 2019-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Anti-reflective film, electronic device including the same, and apparatus for and method of manufacturing the same
KR20170043141A (en) * 2015-10-12 2017-04-21 삼성전자주식회사 Image sensor

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