KR20090092939A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 제조 방법

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KR20090092939A
KR20090092939A KR1020080018199A KR20080018199A KR20090092939A KR 20090092939 A KR20090092939 A KR 20090092939A KR 1020080018199 A KR1020080018199 A KR 1020080018199A KR 20080018199 A KR20080018199 A KR 20080018199A KR 20090092939 A KR20090092939 A KR 20090092939A
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liquid crystal
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박홍조
이혁진
윤성재
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 표시 장치는 서로 이격 배치된 제1 전극 및 제2 전극과 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상의 전극 아래에 배치된 돌기 패턴부와 상기 돌기 패턴부와 동일한 소재로 함께 형성된 스페이서부를 포함하는 제1 기판과, 상기 스페이서부와 마주하는 칼럼 스페이서(column spacer)를 포함하며 상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하며, 상기 스페이서부와 상기 칼럼 스페이서는 함께 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 간의 간격을 유지하고, 상기 액정층은 전계 부재시 등방성 상태에서 전계가 인가되면 이방성 상태로 변한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING FOR THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 청색상 액정을 이용한 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치에는 여러 종류가 있다. 그 중에서 급속하게 발전하고 있는 반도체 기술로 인해 성능이 향상되고 소형화 및 경량화된 액정 표시(liquid crystal display, LCD) 장치가 대표적인 표시 장치로 자리 잡고 있다.
액정 표시 장치에서 빛의 투과율은 액정층의 정렬 상태에 의해 결정된다. 광투과율은 액정층의 물리적인 움직임으로 제어되기 때문에 액정 표시 장치는 응답 속도의 문제가 발생한다.
근래에, 응답 속도가 약 3㎛ 정도로 상대적으로 매우 빠른 청색상(blue phase) 액정이 개발되고 있다. 청색상 액정은 작동 온도 범위가 매우 좁아, 모노머를 첨가하고 중합하여 청색상 액정의 결정 구조를 안정화시켜 사용한다.
청색상 액정은 전계 부재시 광학적 등방성을 가지고 청색상을 발현하며 복굴절성을 갖지 않는다. 여기에, 전계를 인가하면 청색상 액정은 광학적 이방성을 가지고 복굴절성을 가지게 된다. 이때, 청색상 액정에 인가되는 전계는 실질적으로 수평 방향으로 인가된다. 여기서, 수평 방향이라 함은 청색상 액정을 사이에 두고 대향 배치된 한 쌍의 기판과 평행한 방향을 말한다. 그리고 기판에 형성된 전극을 통해 청색상 액정에 전계를 인가한다.
하지만 상기와 같은 청색상 액정을 이용한 표시 장치는 상대적으로 구동 전압이 높고, 빛의 투과율이 떨어지는 문제점이 있었다.
이에, 전극을 기판에 교차하는 방향으로 돌출시켜 청색상 액정에 인가되는 수평 전계를 강하게 형성함으로써, 구동 전압이 낮출 수 있게 되었다.
하지만 전극을 돌출 시킬수록 구동 전압은 점점 낮아지나, 빛의 투과율을 확보하기 위해서 셀갭(cell gap)의 크기가 점점 커져야하는 문제점이 있다. 여기서, 셀갭은 청색상 액정을 사이에 두고 대향 배치된 한 쌍의 기판 간의 간격을 말한다. 이는 전극의 상부에 전계가 미치는 공간이 존재하고 전극이 돌출될수록 전계가 미치는 공간이 점점 커지기 때문이다. 전계가 미치는 공간이 충분히 확보되지 않을 경우 빛의 투과율이 떨어지는 현상을 보인다.
본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 구동 전압이 감소됨과 동시에 대향 배치된 한 쌍의 기판 간의 간격을 안정적으로 충분히 확보하여 빛의 투과율이 향상된 표시 장치를 제공하고자 한다.
또한, 상기한 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명에 따른 표시 장치는 서로 이격 배치된 제1 전극 및 제2 전극과 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상의 전극 아래에 배치된 돌기 패턴부와 상기 돌기 패턴부와 동일한 소재로 함께 형성된 스페이서부를 포함하는 제1 기판과, 상기 스페이서부와 마주하는 칼럼 스페이서(column spacer)를 포함하며 상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하며, 상기 스페이서부와 상기 칼럼 스페이서는 함께 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 간의 간격을 유지하고, 상기 액정층은 전계 부재시 등방성 상태에서 전계가 인가되면 이방성 상태로 변한다.
상기 스페이서부와 상기 칼럼 스페이서에 의해 유지되는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 간의 최소 간격은 3㎛ 이상일 수 있다.
상기 스페이서부는 상기 돌기 패턴부보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
상기 스페이서부는 1.1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 가질 수 있다.
상기 돌기 패턴부는 1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 가질 수 있다.
상기 제1 기판은 상기 제1 전극과 연결된 제1 박막 트랜지스터와, 상기 제2 전극과 연결된 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 교호적으로 서로 맞물린 슬릿 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 스페이서부는 상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제2 박막 트랜지스터에 대응하는 위치에 형성되며, 상기 스페이서부는 상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제2 박막 트랜지스터 상의 일 영역을 평탄화할 수 있다.
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 돌기 패턴부는 각각 1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 폭을 가지며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 3㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 이격 거리를 두고 배치될 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 발생하는 전계에 의해 상기 액정층의 액정이 거동하며, 상기 전계는 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판과 실질적으로 평행한 수평 전계일 수 있다.
상기 액정층은 가교된 청색상 액정일 수 있다.
상기 돌기 패턴부 및 상기 스페이서부는 유기 물질로 만들어질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 표시 장치 제조 방법은 기판 부재 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 기판 부재 및 상기 박막 트랜지스터 상에 감광성 유기층을 도포하는 단계와, 상기 감광성 유기층을 노광 및 현상하여 돌기 패턴부 및 스페이서부를 형성하는 단계와, 상기 스페이서부와 마주하도록 칼럼 스페이서를 배치하는 단계를 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는 상기 기판 부재 및 상기 스페이서부 사이에 위치한다.
상기 박막 트랜지스터와 연결된 전극을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는 제1 박막 트랜지스터와 제2 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 전극은 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극과 상기 제2 박막 트랜지스터와 연결되며 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상의 전극 아래에 상기 돌기 패턴이 배치될 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 교호적으로 서로 맞물린 슬릿 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 돌기 패턴부는 각각 1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 폭을 가지며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 3㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 이격 거리를 두고 배치될 수 있다.
상기 스페이서부는 상기 돌기 패턴부보다 두껍게 형성될 수 있다.
상기 스페이서부는 1.1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 가질 수 있다.
상기 돌기 패턴부는 1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 가질 수 있다.
상기 스페이서부는 상기 박막 트랜지스터 상의 일 영역을 평탄화할 수 있다.
상기 기판 부재와 상기 돌기 패턴부 사이에 위치하는 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 장치는 대향 배치된 한 쌍의 기판 간의 간격을 안정적으로 충분히 확보하여 구동 전압이 감소됨과 동시에 빛의 투과율이 향상될 수 있다.
또한, 상기한 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 사용된 청색상 액정을 안정화시키는 과정을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 사용된 청색상 액정에 대한 전계 인가 여부에 따라 변화되는 특성을 나타낸 도면이다.
도 5는 돌기 패턴부의 높이와 구동 전압 및 유효 셀갭 간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 6 내지 도 11은 도 1의 표시 장치 제조 과정을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 제1 기판 101 : 제1 박막 트랜지스터
102 : 제2 박막 트랜지스터 110 : 제1 기판 부재
121 : 게이트 라인 124 : 게이트 전극
128 : 유지 전극 라인 130 : 게이트 절연막
140 : 반도체층 165 : 소스 전극
166 : 드레인 전극 170 : 보호막
175 : 컬러 필터 179 : 캡핑 레이어
181 : 돌기 패턴부 185 : 스페이서부
191 : 제1 전극 192 : 제2 전극
200 : 제2 기판 210 : 제2 기판 부재
285 : 칼럼 스페이서 300 : 액정층
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
첨부 도면에서는, 실시예로 5매 마스크 공정으로 형성된 비정질 실리콘(a-Si) 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)가 사용된 표시 장치가 개략적으로 도시되어 있다. 또한, 첨부 도면에서는 하나의 화소에 두 개의 박막 트랜지스터가 사용되었다. 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말한다. 그러나 본 발명은 박막 트랜지스터가 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(900)의 배치 상태를 나타낸다. 도 2의 우측부는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면을 나타내며, 좌측부는 표시 장치(900)의 가장자리의 단면을 나타낸다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 표시 장치(900)는 제1 기판(100), 제2 기판(200), 및 액정층(300)을 포함한다.
제1 기판(100)은 제1 기판 부재(110), 제1 전극(191), 제2 전극(192), 돌기 패턴부(181) 및 스페이서부(185)를 포함한다.
제1 전극(191)과 제2 전극(192)은 제1 기판 부재(110) 상에 형성되며 서로 이격 배치된다. 또한, 제1 전극(191)과 제2 전극(192)은 교호적으로 서로 맞물린 슬릿 패턴으로 형성된다.
돌기 패턴부(181)는 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 중 하나 이상의 전극 아래에 배치된다. 도 2는 돌기 패턴부(181)가 제1 전극(191)과 제2 전극(192) 아래에 모두 배치된 것으로 나타내고 있다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 돌기 패턴부(181)는 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 중 어느 하나의 전극 아래에만 배치될 수도 있다.
돌기 패턴부(181)가 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 아래에 배치되므로, 제1 전극(191)과 제2 전극(192) 사이에 수평 전계가 효과적으로 형성될 수 있다. 여기서, 수평 전계라 함은 액정층(300)을 사이에 두고 대향 배치된 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)과 실질적으로 평행한 방향을 말한다. 이는 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)이 아래에 배치된 돌기 패턴부(181)에 의해 평면적이 아닌 높이를 갖는 형상으로 형성되기 때문이다. 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)은 각각 1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 폭을 가지며, 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)은 각각 3㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 이격 거리를 두고 배치된다. 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 사이의 이격 거리는 가까울수록 표시 장치의 성능이 좋아진다. 그러나 실제 제조 공정에서 공정상의 마진을 고려하여 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)의 이격 거리를 3㎛ 내지 6㎛ 범위 내로 한정하는 것이 바람직하다.
제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 간의 간격과 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)의 폭과의 관계에 있어서, 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 간의 간격이 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)의 폭보다 크면 빛의 투과율 측면에서 유리하고, 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 간의 간격이 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)의 폭보다 작으면 구동 전압 감소에 유리하다. 청색상 액정을 이용한 표시 장치(900)는 상대적으로 높은 구동 전압을 요구하므로 구동 전압을 감소시키는 것이 보다 유리하다. 따라서 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)의 폭을 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 간의 간격보다 작거나 같게 하는 것이 바람직하다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 구동 전압 감소보다 빛의 투과율을 높이고 싶을 때에는 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)의 폭을 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 간의 간격보다 크게 할 수도 있다.
돌기 패턴부(181)의 돌기들은 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)과 마찬가지로 1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 폭을 가지고 각각 3㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 이격 거리를 두고 배치된다. 그러나 돌기 패턴부(181)가 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 중 어느 하나의 전극 아래에만 배치될 경우, 돌기 패턴부(181)의 돌기들 간의 이격 거리는 3㎛ 내지 6㎛ 범위를 벗어날 수도 있다.
또한, 도 2에서는 돌기 패턴부(181)의 단면을 반원형 또는 반타원형으로 나타내었지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 돌기 패턴부(181)의 단면이 다각형으로 형성될 수도 있다.
또한, 제1 기판(100)은 제1 기판 부재(110) 상에 형성된 박막 트랜지스터(101, 102), 게이트 라인(121) 및 데이터 라인(161a, 161b)을 더 포함한다.
박막 트랜지스터는 제1 박막 트랜지스터(101) 및 제2 박막 트랜지스터(102)를 포함한다. 제1 박막 트랜지스터(101)는 제1 전극(191)과 전기적으로 연결되며, 제2 박막 트랜지스터(102)는 제2 전극(192)과 전기적으로 연결된다. 제1 박막 트랜지스터(101) 및 제2 박막 트랜지스터(102)는 동일한 게이트 라인(121)과 연결되고, 서로 다른 데이터 라인(161a, 161b)과 각각 연결된다. 이에, 제1 전극(191)과 제2 전극(192)에는 서로 다른 전압이 인가되며, 제1 전극(191)과 제2 전극(192) 사이에 수평 전계가 발생된다. 여기서, 수평 전계는 기판(100, 200)과 실질적으로 평행한 방향으로 발생되는 전계를 말한다. 그리고 액정층(300)의 액정은 제1 전극(191)과 제2 전극(192) 사이에서 발생하는 수평 전계에 의해 거동된다.
스페이서부(185)는 제1 박막 트랜지스터(101) 및 제2 박막 트랜지스터(102)에 대응하는 위치에 형성된다. 즉, 제1 박막 트랜지스터(101) 및 제2 박막 트랜지스터(102)는 제1 기판 부재(110)와 스페이서부(185) 사이에 배치된다. 그리고 스페이서부(185)는 제1 박막 트랜지스터(101) 및 제2 박막 트랜지스터(102) 상의 일 영역을 평탄화한다.
돌기 패턴부(181) 및 스페이서부(185)는 유기 물질로 만들어질 수 있다. 구체적으로 감광성 유기 물질을 노광 및 현상 공정을 통해 경화시켜 돌기 패턴부(181) 및 스페이서부(185)를 만들 수 있다.
또한, 제1 기판(100)은 컬러 필터(175)를 더 포함한다. 컬러 필터(175)는 제1 기판 부재(110)와 돌기 패턴부(181) 사이에 배치된다. 컬러 필터(175)는 액정층을 통과하는 빛에 색을 부여하는 역할을 한다.
제2 기판(200)은 제2 기판 부재(210)와, 제2 기판 부재(210) 상에 형성된 칼럼 스페이서(column spacer)(285)를 포함한다. 칼럼 스페이서(285)는 제1 기판(100)의 스페이서부(185)와 마주하도록 배치된다. 칼럼 스페이서(285)와 스페이서부(185)는 함께 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간의 간격을 안정적으로 유지한다.
액정층(300)은 가교된 청색상(blue phase) 액정을 포함하며 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 배치된다. 액정층(300)의 청색상 액정은 제1 전극(191)과 제2 전극(192) 사이에서 발생하는 수평 전계에 의해 거동된다. 청색상 액정은 동작 온도 범위가 넓지 않기 때문에, 청색상을 발현할 수 있는 저분자 액정에 비액정성의 모노머를 첨가하고, 모노머의 자외선을 가하여 중합한다. 중합하게 되면 결정구조가 안정화된 가교된 청색상 액정이 제조된다. 가교된 청색상 액정은 저분자 액정 중에 고분자의 망상구조가 형성되어 있는 형태이다. 즉, 청색상 액정은 카이랄 네마틱 액정에 첨가된 모노머(monomer)를 경화시켜 폴리머화됨으로써 넓은 온도 범위에서 안정화된다. 청색상은 콜레스테릭 상과 등방상 사이의 수 K 의 온도범위에서 나타나는 액정상의 하나이다.
청색상 액정을 포함하는 액정층(300)을 사용할 경우, 제1 기판(100) 및 제2 기판(200) 상에 배향막을 형성할 필요가 없다. 청색상 액정은 전계 부재시 광학적 등방성(isotropic)을 가지고 청색상을 발현하며 복굴절성을 갖지 않는다. 여기에, 전계를 인가하면 청색상 액정은 광학적 이방성을 가지고 복굴절성을 가지게 된다. 전계의 세기가 증가할수록 전계 방향으로 배열하는 방향자(director)가 많아져 굴절율 이방성을 갖게 되어 입력된 편광 상태를 변화시킨다. 즉, 액정층(300)의 청색상 액정은 제1 전극(191)과 제2 전극(192) 사이에서 형성되는 수평 전계(횡전계)에 따라 배향이 바뀌면서 투과율을 조정한다.
또한, 청색상 액정은 전계 부재시 광학적 등방성을 가지므로, 표시 장치(900)는 노말리 블랙 모드(normally black mode)가 된다. 즉, 표시 장치(900)는 전극(191, 192)에 전압이 인가되지 않은 상태에서 블랙을 표시하게 된다.
비액정성의 모노머로는 열 또는 자외선에 의해 중합이 이루어지는 물질로, 이에 한정되지 않으나 아크릴레이트 계열 모노머를 사용할 수 있다. 이 밖에 비액정성의 모노머로는 비닐기, 아크릴로일(acryloyl)기, 푸마레이트(fumarate)기 등 중합성기를 포함하는 것들이 사용될 수 있다. 한편 필요에 따라 가교제와 모노머의 중합을 개시할 수 있는 개시제가 사용될 수도 있다. 개시제로는 아세토페논, 벤조페논 등이 사용될 수 있다. 또한 액정층(300)에 카이럴 네마틱상을 발현시키기 위한 카이럴 불순물(chiral dopant)을 첨가하는 것도 가능하다.
저분자 액정으로는 콜레스테릭상(카이럴 네마틱 상)과 등방상의 사이로 청색상을 발현할 수 있는 물질을 사용한다. 이와 같은 저분자 액정은 비페닐, 시클로 헥실 등의 분자 구조를 포함하며, 그자신이 키라리티를 가지거나, 카이럴 불순물의 첨가에 의해 콜레스테릭 상을 발현할 수 있는 물질을 사용할 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 표시 장치(900)에 사용된 청색상 액정에 대해 보충 설명하면 다음과 같다.
도 3에 도시한 바와 같이, 청색상 액정은 파지티브(positive) 액정에 카이랄 상을 유도하고 약 1K 영역에서 청색상을 형성할 때, 광경화성 폴리머를 형성시켜 상온 영역까지 청색상을 안정화시켜 만들어진다.
폴리머에 의해 더욱 넓은 범위의 온도에서 안정화된 청색상은 매우 큰 K 상수를 가지고 있으므로, 전계 인가에 의해 계조 표현이 가능하며, 전압 부재시 광학적으로 등방성을 갖는다는 특징이 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 청색상 액정은 전계 부재시 광학적 등방성을 가지고 청색상을 발현하며 복굴절성을 갖지 않는다. 여기에, 전계를 인가하면 청색상 액정은 광학적 이방성을 가지고 복굴절성을 가지게 된다. 이때, 청색상 액정에 인가되는 전계는 수평 방향, 즉 액정층(300)을 통과하는 빛의 방향에 교차하는 방향으로 인가된다.
또한, 본 발명에 따른 표시 장치(900)에 사용된 청색상 액정은 카이럴 피치 (chiral pitch)가 300nm 이하, 바람직하게는 200nm 정도의 카이럴 피치를 갖는 것이 좋다. 청색상 액정이 갖는 카이럴 피치는 가시광선의 파장 영역과 겹치지 않는 것이 좋기 때문이다. 가시광선의 파장 영역이 대략 350nm ~ 650nm 정도이므로, 청색상 액정은 300nm 이하의 카이럴 피치를 갖는 것이 좋다.
또한, 청색상 액정은 유전율과 굴절율이 매우 크며, 네마틱(nematic) 상태를 갖는다.
또한, 돌기 패턴부(181)는 1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 갖는다. 돌기 패턴부(181)의 높이가 1㎛보다 낮으면 수평 전계의 세기가 약해 구동 전압 감소의 효과가 미미하다. 또한, 돌기 패턴부(181)의 높이가 6㎛보다 높으면, 구동 전압 감소 효과는 높으나 빛의 투과율을 확보하기 위해 요구되는 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간의 최소 간격이 지나치게 커지는 문제점이 발생한다. 이는 돌기 패턴부(181)가 높아질수록 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)의 상부에 전계가 미치는 공간이 점점 커지기 때문이다. 전계가 미치는 공간이 충분히 확보되지 않을 경우 빛의 투과율이 떨어지는 현상을 보인다.
도 5는 돌기 패턴부(181)의 높이에 따른 구동 전압과 유효 셀갭(cell gap)의 변화를 나타낸다. 여기서, 유효 셀갭은 적정한 투과율을 확보할 수 있는 제1 기판(100)과 제2 기판 간(200)의 최소 간격을 말한다. 도 5를 보면, 돌기 패턴부(181)의 높이가 높아질수록, 표시 장치(900)의 구동 전압은 낮아지는 반면, 유효 셀갭은 커지는 것을 알 수 있다.
스페이서부(185)는 돌기 패턴부(181)보다 두꺼운 두께를 갖는다. 즉, 스페이서부(185)가 돌기 패턴부(181)보다 더 높게 형성된다. 구체적으로, 스페이서부(185)는 1.1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 두께를 갖는다.
또한, 제1 기판(100)의 스페이서부(185)와 제2 기판(200)의 칼럼 스페이서(285)에 의해 유지되는 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간의 최소 간격은 3㎛ 이상이다. 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간의 최소 간격은 돌기 패턴부(181)의 높이보다 높게 형성된다. 구체적으로, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간의 최소 간격은 돌기 패턴부(181)의 높이에 따른 유효 셀갭에 공정상의 마진을 고려하여 결정된다.
따라서 제1 기판(100)과 제2 기판(200)은 돌기 패턴부(181)의 높이에 따라 서로 간에 비교적으로 큰 이격 거리가 요구될 수 있다.
구체적으로, 효과적으로 구동 전압을 감소시키기 위해 대략 3㎛의 높이를 갖는 돌기 패턴부(181)를 형성하게 되면, 유효 셀갭은 대략 5㎛ 이상이 요구된다. 여기에 공정 마진을 고려하면 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간의 최소 간격은 대략 7㎛ 이상이 요구된다.
즉, 청색상 액정을 사용하는 표시 장치(900)는 기판들(100, 200) 간의 이격 거리가 상대적으로 크게 요구된다.
하지만, 종래의 기판 간격 유지 방법과 같이, 제1 기판(100)의 스페이서부(185)없이 제2 기판(200)의 칼럼 스페이서(285)만으로 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간의 간격을 유지하려면, 칼럼 스페이서(285)의 높이가 높아지는 것에 비례하여 칼럼 스페이서(285)의 밑면의 넓이가 넓어지게 된다. 따라서, 칼럼 스페이서(285)가 자치하는 면적이 지나치게 커지게 된다. 이에, 표시 장치(900)의 개구율이 감소하고 표시 장치(900)가 표시하는 화상의 품질이 저하되는 문제점이 발생될 수 있었다.
그러나 본 발명에 따른 실시예와 같이, 제1 기판 부재(110) 상에 스페이서부(185)를 형성하고, 스페이서부(185)에 대응하는 위치의 제2 기판 부재(210) 상에 칼럼 스페이서(285)를 형성함으로써, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 간의 상대적으로 큰 간격을 효과적이고 안정적으로 유지할 수 있다.
또한, 제1 기판(100)의 스페이서부(185)는 돌기 패턴부(181)를 형성하는 공정에서 함께 용이하게 형성할 수 있으므로, 공정상의 손실 없이 형성될 수 있다. 즉, 스페이서부(185)는 돌기 패턴부(181)와 동일한 소재로 동시에 형성된다.
이하, 도 2를 참조하여, 표시 장치(900)의 구조를 적층 순서와 돌기 패턴부(181) 및 스페이서부(185)를 중심으로 구체적으로 설명한다. 도 2는 제1 박막 트랜지스터(101)를 중심으로 도시하고 있다. 이하에서 박막 트랜지스터라 함은 실제로 제1 박막 트랜지스터(101)를 말하지만, 제2 박막 트랜지스터(102)도 제1 박막 트랜지스터(101)와 실질적으로 동일한 구조를 갖는다.
먼저, 제1 기판(100)의 구조에 대해 설명한다.
제1 기판 부재(110)는 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 소재를 포함하여 투명하게 형성된다.
제1 기판 부재(110) 위에는 다수의 게이트 라인들(121)(도 1에 도시)과, 게이트 라인(121)에서 분기된 다수의 게이트 전극들(124), 그리고 다수의 유지 전극 라인들(128)을 포함한다.
게이트 배선(121, 124, 128)은 Al, Ag, Cr, Ti, Ta, Mo, Cu 등의 금속 또는 이들을 포함하는 합금 따위로 만들어진다. 도 2에서 게이트 배선(121, 124, 128)은 단일층으로 도시되었지만, 게이트 배선(121, 124, 128)은 물리 화학적 특성이 우수한 Cr, Mo, Ti, Ta 또는 이들을 포함하는 합금의 금속층과 비저항이 작은 Al 계열 또는 Ag 계열의 금속층을 포함하는 다중층으로 형성될 수도 있다. 이외에도 여러 다양한 금속 또는 도전체로 게이트 배선(121, 124, 128)을 만들 수 있으며, 동일한 식각 조건에 패터닝이 가능한 다층막이면 바람직하다.
게이트 배선(121, 124, 128) 위에는 질화규소(SiNx) 등으로 만들어진 게이트 절연막(130)이 형성된다.
게이트 절연막(130) 위에는 게이트 라인(121)과 교차하는 다수의 데이터 라인들(161a, 161b)(도 1에 도시)과, 데이터 라인(161a, 161b)에서 분기된 다수의 소스 전극들(165)과, 소스 전극(165)과 이격된 다수의 드레인 전극들(166)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다.
데이터 배선(161a, 161b, 165, 166)도 게이트 배선(121, 124, 128)과 마찬가지로 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 구리 또는 이들을 포함하는 합금 등의 도전 물질로 만들어지며, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
그리고 게이트 전극(124) 상의 게이트 절연막(130) 위와 소스 전극(165) 및 드레인 전극(166) 아래를 아우르는 일영역에는 반도체층(140)이 형성된다. 구체적으로, 반도체층(140)은 적어도 일부가 게이트 전극(124), 소스 전극(165) 및 드레인 전극(166)과 중첩된다. 여기서, 게이트전극(124), 소스 전극(165), 및 드레인 전극(166)은 박막 트랜지스터(101)의 3전극이 된다. 소스 전극(165) 및 드레인 전극(166) 사이의 반도체층(140)이 박막 트랜지스터(101)의 채널 영역이 된다.
또한, 반도체층(140)과 소스 전극(165) 및 드레인 전극(166) 사이에는 둘 사이의 접촉 저항을 각각 감소시키기 위한 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(155, 156)가 형성된다. 저항성 접촉 부재(155, 156)는 실리사이드나 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 규소 따위로 만들어진다.
데이터 배선(161a, 161b, 165, 166) 위에는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질, 질화 규소 또는 산화 규소 등의 무기 절연 물질, 또는 유기 절연 물질 등으로 이루어진 보호막(passivation layer)(170)이 형성된다.
보호막(170) 위에는 3원색을 갖는 컬러 필터(175)가 각각 순차적으로 배치된다. 이때, 컬러 필터(175)의 색은 반드시 3원색에 한정되는 것은 아니며, 하나 이상의 색으로 다양하게 구성될 수 있다. 컬러 필터(175)는 표시 장치(900)를 통과하는 빛에 색을 부여하는 역할을 한다.
그리고 컬러 필터(175)가 보호막(170) 위에 형성되었으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 컬러 필터(175)는 보호막(170)과 데이터 배선(161a, 161b, 165, 166) 사이에 형성될 수도 있다. 또한, 컬러 필터(175)는 제1 기판(100)이 아닌 제2 기판(200)에 형성될 수도 있다.
또한, 컬러 필터(175)가 형성되지 않은 박막 트랜지스터(101) 상의 보호막(170) 위에는 차광 부재(176)가 형성된다. 차광 부재(176)는 박막 트랜지스터(101)의 채널 영역에 빛이 유입되어 광 누설 전류의 발생 등으로 인해 박막 트랜지스터(101)의 동작이 불량해지는 것을 억제한다. 차광 부재(176)는 반드시 필요한 구성은 아니며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
컬러 필터(175) 및 차광 부재(176) 위에는 캡핑 레이어(capping layer)(179)가 형성된다. 캡핑 레이어(179)는 컬러 필터(175)를 포함한 유기막들을 보호한다. 캡핑 레이어(179)는 반드시 필요한 구성은 아니며, 필요에 따라 생략될 수도 있다. 캡핑 레이어(179)는 보호막(170)과 유사한 물질을 포함한 무기막 등의 다양한 물질들로 만들어질 수 있다.
캡핑 레이어(179) 위에는 돌기 패턴부(181) 및 스페이서부(185)가 형성된다. 돌기 패턴부(181) 및 스페이서부(185)는 노광 및 현상 공정을 통해 감광성 유기 물질로 만들 수 있다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 그 밖에 다양한 물질을 통해 만들 수도 있다.
돌기 패턴부(181)는 단면이 반원형 또는 반타원형인 돌기들을 포함한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 돌기 패턴부(181)는 단면이 다각형인 돌기들을 포함할 수도 있다.
스페이서부(185)는 돌기 패턴부(181)보다 두꺼운 두께를 갖는다. 그리고 스페이서부(185)는 박막 트랜지스터(101) 상에 형성되며, 박막 트랜지스터 상의 일 영역을 평탄화한다.
그리고 스페이서부(185)는 마주하는 제2 기판(200)의 칼럼 스페이서(285)보다 큰 영역에 걸쳐 형성된다. 이에, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 정렬할 때 스페이서부(185)와 칼럼 스페이서(285)의 위치가 어긋나는 불량이 발생하는 것을 줄일 수 있다.
돌기 패턴부(181) 위에는 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)이 형성된다. 그러나 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 중 어느 하나의 전극 아래에만 돌기 패턴부(181)가 배치된 경우에, 다른 하나의 전극은 캡핑 레이어(179) 위에 바로 형성된다.
그리고 제1 전극(191)은 제1 박막 트랜지스터(101)와 연결되고, 제2 전극(192)은 제2 박막 트랜지스터(102)(도 1에 도시)와 연결된다. 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)은 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등과 같은 투명 도전체 따위를 포함하여 만들어진다. 구체적으로, 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)은 돌기 위에 형성되는 전극부(1912)와, 전극부(1912)와 박막 트랜지스터(101)를 연결하는 연결부(1911)를 포함한다. 또한, 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 중 어느 하나의 일부(1915)는 게이트 배선의 유지 전극 라인(128)과 중첩되어 유지 전기 용량을 형성한다.
또한, 보호막(170) 및 캡핑 레이어(179)는 드레인 전극(166)의 일부를 드러내는 다수의 접촉 구멍들(171, 172)을 갖는다. 경우에 따라, 컬러 필터(175)도 보호막(170) 및 캡핑 레이어(179)와 함께 접촉 구멍(171, 172)을 가질 수 있다. 제1 전극(191)과 제2 전극(192)은 각각 접촉 구멍들(171, 172)을 통해 제1 박막 트랜지스터(101) 및 제2 박막 트랜지스터(102)의 드레인 전극(166)과 전기적으로 연결된다. 또한, 컬러 필터(175)는 유지 전극 라인(128) 상에 형성된 개구부(174)를 더 포함한다.
액정층(300)의 청색상 액정은 제1 전극(191)과 제2 전극(192) 사이에 발생하는 수평 전계에 따라 배열 상태가 달라지고, 이에 의해 빛의 투과율이 조절된다.
다음, 제2 기판(200)의 구조에 대해 설명한다.
제2 기판(200)은 제2 기판 부재(210)와 칼럼 스페이서(285)를 포함한다. 제2 기판 부재(210)는, 제1 기판 부재(110)와 마찬가지로, 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 소재를 포함하여 투명하게 형성된다.
그러나 제2 기판 부재(210)는 무게와 두께를 줄이기 위해 플라스틱으로 이루어질 수도 있다. 플라스틱은 이에 한정되지는 않으나, 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리 이미드(polyimide) , 폴리에테르술폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등 일 수 있다.
칼럼 스페이서(285)는 제1 기판(100)의 스페이서부(185)와 마주한다. 즉, 칼럼 스페이서부(285)와 스페이스부(185)는 함께 맞물려 제1 기판(100)과 제2 기판(200)의 간격을 안정적으로 유지한다.
또한, 칼럼 스페이서(285)는 공지된 다양한 방법으로 만들어질 수 있다. 일반적으로 칼럼 스페이서(285)도 노광 및 현성 공정을 통해 감광성 유기 물질로 만든다.
이와 같은 구성에 의하여, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(900)는 대향 배치된 한 쌍의 기판(100, 200) 간의 간격을 안정적으로 충분히 확보하여 구동 전압이 감소됨과 동시에 빛의 투과율이 향상될 수 있다.
이하, 도 6 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(900)의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 도 6에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(124), 반도체층(140), 저항성 접촉 부재(155, 156), 드레인 전극(166) 및 소스 전극(165)을 포함하는 박막 트랜지스터(101)와 박막 트랜지스터(101)를 덮는 보호막(170)을 형성한다. 여기서, 박막 트랜지스터(101)의 구조는 첨부 도면에 도시한 구조에 한정되지 않으며, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 변경할 수 있는 범위 내에서 공지된 다양한 구조를 가질 수 있다. 또한, 유지 전극 라인(128)도 게이트 전극(124)과 동일한 층에 동일한 소재로 함께 형성된다.
다음, 도 7에 도시한 바와 같이, 보호막(170) 위에 컬러 필터(175)를 형성한다. 여기서, 컬러 필터(175)는 유지 전극 라인(128)에 대응하는 개구부(174)를 갖는다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 차광 부재(176)를 형성하여 박막 트랜지스터(101)를 커버한다.
다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 컬러 필터(175)와 차광 부재(176)를 덮는 캡핑 레이어(179)를 형성한 후, 사진 식각 공정을 통해 박막 트랜지스터(101)의 드레인 전극(166)을 드러내는 접촉 구멍(171)을 형성한다.
다음, 도 10에 도시한 바와 같이, 캡핑 레이어(179) 위에 감광성 유기층을 도포한 후, 이를 노광 및 현상하여 돌기 패턴부(181)와 스페이서부(185)를 형성한다. 스페이서부(185)는 돌기 패턴부(181)보다 두껍게 형성된다. 돌기 패턴부(181)는 1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 갖는다. 그리고 스페이서부(181)는 박막 트랜지스터(101) 상의 일 영역을 평탄화한다. 이와 같이, 스페이서부(185)는 별도의 추가 공정 없이, 돌기 패턴부(181)를 형성하는 과정에서 함께 형성될 수 있다.
다음, 도 11에 도시한 바와 같이, 돌기 패턴부(181) 위에 제1 전극(191) 및 제2 전극(192)을 형성한다. 도 11에는 제1 전극(191)과 제2 전극(192)이 모두 돌기 패턴부(181) 위에 형성되었나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제1 전극(191) 및 제2 전극(192) 중 어느 하나의 전극만 돌기 패턴부(181) 위에 형성될 수도 있다.
제1 전극(191) 및 제2 전극(192)은 서로 이격 배치되며, 각각 접촉 구멍(171, 172)을 통해 제1 박막 트랜지스터(101) 및 제2 박막 트랜지스터(102)와 연결된다. 그리고 제1 전극(191)과 제2 전극(192)은 교호적으로 서루 맞물린 슬릿 패턴으로 형성된다. 또한, 제1 전극(191)과 제2 전극(192)은 각각 1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 폭을 가지며, 서로 3㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 이격 거리를 두고 배치된다.
이와 같은 제조 방법에 의해, 구동 전압이 감소됨과 동시에 대향 배치된 한 쌍의 기판 간의 간격을 안정적으로 충분히 확보하여 빛의 투과율이 향상된 표시 장치(900)를 제조할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 실시예를 통해 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.

Claims (20)

  1. 서로 이격 배치된 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상의 전극 아래에 배치된 돌기 패턴부와, 상기 돌기 패턴부와 동일한 소재로 함께 형성된 스페이서부를 포함하는 제1 기판과,
    상기 스페이서부와 마주하는 칼럼 스페이서(column spacer)를 포함하며 상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판과,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하며,
    상기 스페이서부와 상기 칼럼 스페이서는 함께 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 간의 간격을 유지하고,
    상기 액정층은 전계 부재시 등방성 상태에서 전계가 인가되면 이방성 상태로 변하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 스페이서부와 상기 칼럼 스페이서에 의해 유지되는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 간의 최소 간격은 3㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 스페이서부는 상기 돌기 패턴부보다 두꺼운 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 스페이서부는 1.1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3항에서,
    상기 돌기 패턴부는 1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 제1 기판은 상기 제1 전극과 연결된 제1 박막 트랜지스터와, 상기 제2 전극과 연결된 제2 박막 트랜지스터를 더 포함하며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 교호적으로 서로 맞물린 슬릿 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 스페이서부는 상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제2 박막 트랜지스터에 대응하는 위치에 형성되며,
    상기 스페이서부는 상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제2 박막 트랜지스터 상의 일 영역을 평탄화한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제6항에서,
    상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 돌기 패턴부는 각각 1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 폭을 가지며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 3㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 이격 거리를 두고 배치된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서 발생하는 전계에 의해 상기 액정층의 액정이 거동하며,
    상기 전계는 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판과 실질적으로 평행한 수평 전계인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 액정층은 가교된 청색상 액정인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 돌기 패턴부 및 상기 스페이서부는 유기 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 기판 부재 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와,
    상기 기판 부재 및 상기 박막 트랜지스터 상에 감광성 유기층을 도포하는 단계와,
    상기 감광성 유기층을 노광 및 현상하여 돌기 패턴부 및 스페이서부를 형성하는 단계와,
    상기 스페이서부와 마주하도록 칼럼 스페이서를 배치하는 단계를 포함하며,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 기판 부재 및 상기 스페이서부 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 박막 트랜지스터와 연결된 전극을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 박막 트랜지스터는 제1 박막 트랜지스터와 제2 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 전극은 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극과 상기 제2 박막 트랜지스터와 연결되며 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극을 포함하며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나 이상의 전극 아래에 상기 돌기 패턴이 배치된 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 교호적으로 서로 맞물린 슬릿 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 돌기 패턴부는 각각 1㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 폭을 가지며,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 3㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 이격 거리를 두고 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  16. 제12항에서,
    상기 스페이서부는 상기 돌기 패턴부보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  17. 제12항에서,
    상기 스페이서부는 1.1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  18. 제12항에서,
    상기 돌기 패턴부는 1㎛ 내지 6㎛ 범위 내의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  19. 제12항에서,
    상기 스페이서부는 상기 박막 트랜지스터 상의 일 영역을 평탄화하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  20. 제12항에서,
    상기 기판 부재와 상기 돌기 패턴부 사이에 위치하는 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
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