KR20090084533A - Gallium nitride base substrate and fabrication method of gallium nitride wafer - Google Patents

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Abstract

A gallium nitride base substrate and a fabrication method of gallium nitride wafer are provided to improve the productivity and manufacture yield of the GaN wafer using a gallium nitride single crystal seed base substrate. A GaN Base substrate(120) grows GaN. The GaN base substrate is cut in order that the edge part faces the crystallographic direction. The GaN base substrate is cut to the polygon shape. The diameter of the inscribed circle of GaN base substrate is more than 2 inch. The grown up edge part of the nitride gallium film is processed and transformed into the cylindrical shape.

Description

질화갈륨 베이스 기판 및 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법{GALLIUM NITRIDE BASE SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD OF GALLIUM NITRIDE WAFER}GALLIUM NITRIDE BASE SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD OF GALLIUM NITRIDE WAFER

본 발명은 질화갈륨 웨이퍼에 관한 것으로, 성장시 기계적인 손상이 적고 제조 수율이 우수한 질화갈륨 베이스 기판 및 이를 이용한 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법을 제안한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gallium nitride wafer, and proposes a gallium nitride base substrate having low mechanical damage during growth and an excellent production yield, and a method of manufacturing a gallium nitride wafer using the same.

질화갈륨은 에너지 밴드갭(Bandgap Energy)이 3.39eV고, 직접 천이형인 반도체 물질로 단파장 영역의 발광 소자 제작 등에 유용한 물질이다. 질화갈륨 단결정은 융점에서 높은 질소 증기압 때문에 액상 결정 성장은 1500℃ 이상의 고온과 20000 기압의 질소 분위기가 필요하므로 대량 생산이 어려울 뿐만 아니라 현재 사용 가능한 결정 크기도 약 100㎟ 정도의 박판형으로 이를 소자 제작에 사용하기 곤란하다.Gallium nitride is a semiconductor material having a bandgap energy of 3.39 eV and a direct transition type, and is useful for manufacturing light emitting devices in a short wavelength region. Because of the high nitrogen vapor pressure at the melting point, gallium nitride single crystal requires high temperature of 1500 ℃ or higher and 20000 atmosphere of nitrogen atmosphere, which makes it difficult to mass-produce it. Difficult to use

지금까지 질화갈륨막은 이종 기판상에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 또는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법 등의 기상 성장법으로 성장되고 있다. MOCVD법은 고품질의 막을 얻을 수 있음에도 불구하고 성장 속도가 너무 느리기 때문에 수십 또는 수백 ㎛의 GaN 기판을 얻는데 사용하기가 어려운 문 제가 있다. 이러한 이유로 GaN 후막을 얻기 위해서는 HVPE를 이용한 성장 방법이 주로 사용된다.Until now, gallium nitride films have been grown on heterogeneous substrates by vapor phase growth methods such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydraulic vapor phase epitaxy (HVPE). The MOCVD method is difficult to use to obtain a GaN substrate of tens or hundreds of micrometers because the growth rate is too slow even though a high quality film can be obtained. For this reason, a growth method using HVPE is mainly used to obtain a GaN thick film.

질화갈륨막 제조용 이종 기판으로는 사파이어(Sapphire) 기판이 가장 많이 사용되고 있는데, 이는 사파이어가 질화갈륨과 같은 육방정계 구조이며, 값이 싸고, 고온에서 안정하기 때문이다. 그러나 사파이어는 질화갈륨과 격자 상수 차(약 16%) 및 열팽창 계수 차(약 35%)에 의해 계면에서 스트레인(Strain)이 유발되고, 이 스트레인이 결정 내에 격자 결함 및 크랙(crack)을 발생시켜 고품질의 질화갈륨막 성장을 어렵게 하고, 질화갈륨막 상에 제조된 소자의 수명을 단축시킨다.A sapphire substrate is most commonly used as a dissimilar substrate for manufacturing a gallium nitride film because sapphire has a hexagonal structure such as gallium nitride, which is inexpensive and stable at high temperatures. However, sapphire causes strain at the interface due to gallium nitride and lattice constant difference (about 16%) and coefficient of thermal expansion (about 35%), which causes lattice defects and cracks in the crystals. It is difficult to grow a high quality gallium nitride film and shorten the life of the device fabricated on the gallium nitride film.

사파이어 기판 위에 질화갈륨을 성장시키는 경우 사파이어 기판과 질화갈륨의 열팽창계수 차이로 인하여 질화갈륨층 성장시 도 1a에 도시된 바와 같이 사파이어 기판(100)으로부터 질화갈륨층(200)으로 휨이 발생한다. 또한, 질화갈륨층 성장 후 냉각 과정에서는 도 1b에 도시한 바와 같이 반대 방향으로 휨이 발생하여 질화갈륨층엔 전체적으로 스트레스가 가해지므로, 사파이어 기판으로부터 분리된 후에도 질화갈륨 자립층(freestanding layer)의 내구성이 취약하게 된다. When gallium nitride is grown on a sapphire substrate, warpage occurs from the sapphire substrate 100 to the gallium nitride layer 200 when the gallium nitride layer grows due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the sapphire substrate and the gallium nitride. In the cooling process after growth of the gallium nitride layer, as shown in FIG. 1B, warpage occurs in the opposite direction and stress is applied to the gallium nitride layer as a whole, so that the durability of the freestanding layer of gallium nitride even after separation from the sapphire substrate This becomes vulnerable.

이러한 휨을 방지하기 위하여 질화갈륨에 비하여 열팽창계수 차이가 큰 사파이어에 비해서 열팽창계수 차이가 비교적 작은 GaAs 기판을 사용하는 방안에 제안된 바 있지만, GaAs는 고가이고 열에 열화되는 단점이 있다. In order to prevent such warpage, a method of using a GaAs substrate having a relatively smaller thermal expansion coefficient difference than that of sapphire having a large thermal expansion coefficient difference compared to gallium nitride has been proposed, but GaAs has a disadvantage in that it is expensive and degrades in heat.

사파이어 기판 위에 질화갈륨을 성장시키는 경우 문제가 다른 하나는 사파이어 기판에서 성장한 질화갈륨 박막 또는 후막을 기판으로부터 분리하는 것이 용이하지 않다는 점이다. 사파이어 기판으로부터 성장한 질화갈륨을 분리하는 방법으로 는 레이저를 이용한 기계적 분리 방법이 있다. Another problem with growing gallium nitride on a sapphire substrate is that it is not easy to separate the gallium nitride thin film or thick film grown on the sapphire substrate from the substrate. As a method of separating gallium nitride grown from a sapphire substrate, there is a mechanical separation method using a laser.

예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이 사이이어 기판(100)과 질화갈륨층(200)에 레이저를 조사하면 두 물질 사이의 계면에서 레이저에 의한 계면 융착이 발생하고, 그 결과 도 3에 도시한 바와 같이 질화갈륨층(200')을 사파이어 기판으로부터 분리할 수 있다. 그러나, 레이저를 이용한 질화갈륨층의 기계적 방식의 분리는 분리 과정에서 질화갈륨층에 부가적으로 휨을 유발할 수 있다. For example, as shown in FIG. 2, when the laser is irradiated to the sier substrate 100 and the gallium nitride layer 200, interfacial fusion by the laser occurs at the interface between the two materials, and as a result, shown in FIG. 3. As described above, the gallium nitride layer 200 ′ may be separated from the sapphire substrate. However, mechanical separation of the gallium nitride layer using a laser may cause warpage in addition to the gallium nitride layer in the separation process.

이와 같이 성장 과정 및 분리 과정에서 발생되는 질화갈륨의 휨은 다양한 소자에 응용되는데 제약이 되며, 따라서 생산성 및 제품 품질을 향상시킬 수 있는 개선된 질화갈륨 제조 방법이 요청되고 있다.As such, the warping of gallium nitride generated in the growth and separation processes is limited to application to various devices, and thus, there is a need for an improved gallium nitride manufacturing method capable of improving productivity and product quality.

특히, 이종 기판이 아닌 동종의 질화갈륨 베이스 기판을 이용하여 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼를 제조할 수 있는 개선된 기술이 요망되고 있다.In particular, there is a need for improved techniques that can produce gallium nitride bulk single crystal wafers using homogeneous gallium nitride base substrates rather than heterogeneous substrates.

따라서, 본 발명의 목적은 대면적 고품질의 질화갈륨 웨이퍼를 제공하는데 있다. It is therefore an object of the present invention to provide a large area gallium nitride wafer.

또한, 본 발명의 다른 목적은 성장 과정에서 발생될 수 있는 질화갈륨 웨이퍼의 크랙 발생을 방지하여 하여 질화갈륨 웨이퍼의 품질을 향상하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to prevent the generation of cracks in the gallium nitride wafer that can be generated during the growth process to improve the quality of the gallium nitride wafer.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은 대량 생산에 적합하고 수율 측면에서도 유리한 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a gallium nitride wafer manufacturing method which is suitable for mass production and advantageous in terms of yield.

상기 목적을 달성하기 위하여, 질화갈륨을 성장시키기 위한 시드(seed) 질화갈륨 베이스 기판으로서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 가장자리가 결정학적 면방향으로 배향되도록 재단된 것을 특징으로 하는 질화갈륨 베이스 기판을 제공한다.In order to achieve the above object, a seed gallium nitride base substrate for growing gallium nitride, wherein the gallium nitride base substrate is cut so that the edge is oriented in the crystallographic plane direction to provide a gallium nitride base substrate do.

상기 질화갈륨 베이스 기판은 다각형으로 재단되어 있는 것이 바람직하다. 상기 질화갈륨 베이스 기판은 내접원의 지름이 2인치 이상이 되는 크기로 형성된 것이 바람직하며, 상기 질화갈륨 베이스 기판의 가장자리는 예를 들어, 결정학적으로

Figure 112008008690612-PAT00003
또는
Figure 112008008690612-PAT00004
으로 배향될 수 있다. The gallium nitride base substrate is preferably cut in a polygon. The gallium nitride base substrate is preferably formed in a size such that the diameter of the inscribed circle is 2 inches or more, the edge of the gallium nitride base substrate is, for example, crystallographically
Figure 112008008690612-PAT00003
or
Figure 112008008690612-PAT00004
Can be oriented.

또한, 본 발명은 가장자리가 결정학적 면방향으로 배향되도록 재단되어 있는 질화갈륨 베이스 기판을 준비하고, 상기 질화갈륨 베이스 기판 위에 질화갈륨층을 성장시키는 단계를 포함하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법을 제공한다. 성장된 질화갈륨층의 가장자리를 가공하여 원통형으로 변형시키는 단계를 더 포함할 수 있다. The present invention also provides a method of manufacturing a gallium nitride wafer comprising preparing a gallium nitride base substrate whose edge is oriented in the crystallographic plane direction, and growing a gallium nitride layer on the gallium nitride base substrate. The method may further include processing the edges of the grown gallium nitride layer into a cylindrical shape.

본 발명에 따르면, 크랙 발생이 방지된 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼를 제조할 수 있다. 또한, 고품질의 질화갈륨 웨이퍼의 생산성 및 제조 수율을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, a gallium nitride bulk single crystal wafer in which cracking is prevented can be manufactured. In addition, the productivity and production yield of high quality gallium nitride wafers can be improved.

본 발명은 질화갈륨 웨이퍼를 성장시키는 베이스 기판으로서 사파이어 기판이 아닌 질화갈륨 단결정 시드 기판을 사용하는데 특징이 있다. The present invention is characterized by using a gallium nitride single crystal seed substrate rather than a sapphire substrate as a base substrate for growing a gallium nitride wafer.

질화갈륨 단결정 기판은 사파기어 기판에 성장시킨 단결정 질화갈륨 웨이퍼 를 사파이어 기판으로부터 분리하여 질화갈륨 웨이퍼를 재성장 시키기 위한 시드 기판으로 이용할 수 있다. The gallium nitride single crystal substrate can be used as a seed substrate for regrowing a gallium nitride wafer by separating the single crystal gallium nitride wafer grown on the sapphire substrate from the sapphire substrate.

이와 같은 질화갈륨 단결정 시드 기판은 사파이어 기판과 그 위에 성장되는 질화갈륨층 간의 격자부정합으로 인한 사파이어와 질화갈륨층 계면에서 결함이 발생되는 것을 최소화시킬 수 있어, LED나 LD 등의 응용 제품의 수명을 연장시킬 수 있다. Such a gallium nitride single crystal seed substrate can minimize the occurrence of defects at the interface between the sapphire and gallium nitride layer due to the lattice mismatch between the sapphire substrate and the gallium nitride layer grown thereon, thereby reducing the lifespan of applications such as LED and LD. Can be extended.

또한, 사파이어 기판 위에 성장된 후 분리된 질화갈륨 자립막은 품질 특성 측면에서 결정학적 휨이 존재하는 문제가 있으나, 질화갈륨 단결정 시드 기판에서 성장된 질화갈륨 벌크(Bulk) 단결정 웨이퍼는 결정학적 휨이 완화되어 품질 특성이 우수한 장점이 있다. In addition, the gallium nitride self-supporting film separated after growing on the sapphire substrate has a problem in that crystallographic warpage exists in terms of quality characteristics, but the gallium nitride bulk single crystal wafer grown on a gallium nitride single crystal seed substrate has reduced crystallographic warpage. Has the advantage of excellent quality characteristics.

본 발명에서는 이와 같이 질화갈륨 벌크 단결정 성장을 위한 시드용 베이스 기판으로서 웨이퍼의 형태가 원형이 아닌 가장자리에 특정 결정학적 면방향을 갖는 다각 형태의 질화갈륨 단결정 베이스 기판을 제공한다.The present invention provides a gallium nitride single crystal base substrate of a polygonal shape having a specific crystallographic plane direction at the edge of the wafer as the seed base substrate for the growth of gallium nitride bulk single crystal.

도 4를 참조하면, 원형의 질화갈륨 단결정 웨이퍼를 벌크 성장을 위한 시드용 베이스 기판(110)으로 사용하고 그 상면에 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼(210)를 성장시킨 것을 보이고 있다. Referring to FIG. 4, a circular gallium nitride single crystal wafer is used as a seed base substrate 110 for bulk growth, and a gallium nitride bulk single crystal wafer 210 is grown on an upper surface thereof.

이 경우 시드용 베이스 기판(110)의 가장자리(A)가 원형이기 때문에 그 상면에 성장되는 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼(210)도 원형으로 성장된다. 시드용 베이스 기판(110)의 가장자리가 원형으로 형성되었기 때문에 이 가장자리에는 질화갈륨의 모든 결정학적 방향을 포함하고 있으며, 그 결과 성장된 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼(210) 역시 가장자리에 여러가지 결정학적 방향을 포함한다. In this case, since the edge A of the seed base substrate 110 is circular, the gallium nitride bulk single crystal wafer 210 grown on the upper surface thereof is also circularly grown. Since the seed base substrate 110 has a circular edge, the edge includes all the crystallographic directions of gallium nitride. As a result, the grown gallium nitride bulk single crystal wafer 210 also has various crystallographic directions at the edge. Include.

이와 같이 질화갈륨 웨이퍼의 가장자리에 모든 결정학적 방향이 포함되면, 시드용 베이스 기판으로부터 분리된 질화갈륨 벌크 웨이퍼(도 5의 210')는 가장자리(B)가 내부의 단결정 영역(도 6의 215b)과 달리 다결정(215b)으로 성장된 영역이 존재하게 된다. 이와 같이 하나의 웨이퍼에 단결정 영역과 다결정 영역이 경계를 두어 존재하면 질화갈륨 웨이퍼의 분리 과정 또는 냉각 과정에서 단결정 영역과 다결정 영역 간의 미세구조 및 열팽창 특성의 차이에 크랙이 발생하기 쉽다. 이렇게 발생한 크랙은 질화갈륨 웨이퍼의 물리적인 강성, 내구성 등에 치명적인 악역향을 주어 소자로 응용되었을 때 소자 특성을 저하시키는 단점이 있다. As such, when all the crystallographic directions are included at the edge of the gallium nitride wafer, the gallium nitride bulk wafer separated from the seed base substrate (210 'in FIG. 5) has a single crystal region (215b in FIG. 6) having an edge B inside. Unlike this, a region grown by the polycrystal 215b exists. As such, when a single crystal region and a polycrystalline region exist on one wafer, cracks are likely to occur in the difference in microstructure and thermal expansion characteristics between the single crystal region and the polycrystalline region during separation or cooling of the gallium nitride wafer. The cracks thus produced have a disadvantage in that the gallium nitride wafer has a fatal adverse effect on physical rigidity, durability, and the like, and degrades device characteristics when applied to the device.

본 발명은 질화갈륨 단결정 시드 베이스 기판을 사용하여 질화갈륨 (벌크) 단결정 웨이퍼를 성장시킴에 있어서, 가장자리에 형성되는 다결정성 질화갈륨의 생성을 억제하여 이로 인한 크랙 발생을 제어하기 위하여 새로운 형태의 질화갈륨 단결정 베이스 기판을 제공한다. The present invention uses a gallium nitride single crystal seed base substrate to grow a gallium nitride (bulk) single crystal wafer, thereby suppressing the production of polycrystalline gallium nitride formed at the edges and controlling a crack generation thereof. A gallium single crystal base substrate is provided.

도 7을 참조하면, 질화갈륨 단결정 시드용 베이스 기판(120)이 도시되어 있으며 가장자리가 원형이 아닌 다각 형태인 것을 알 수 있다. 이와 같이 질화갈륨 단결정 시드용 베이스 기판의 가장자리를 다각 형태로 함과 더불어 다각형의 면이 결정학적 방향으로 배향되도록 재단함으로써 내부 영역(122) 뿐만 아니라 가장자리 영역(124)에서도 단결정 성장이 유도되도록 할 수 있다. Referring to FIG. 7, it can be seen that the base substrate 120 for gallium nitride single crystal seed is illustrated and the edges are not circular but polygonal. As such, the edges of the base substrate for the gallium nitride single crystal seed are formed in a polygonal shape, and the polygonal planes are oriented in the crystallographic direction so that single crystal growth can be induced not only in the internal region 122 but also in the edge region 124. have.

시드용 베이스 기판의 가장자리를 m-plane이 되도록 하는 것이 바람직하며 구체적인 예로는

Figure 112008008690612-PAT00005
또는
Figure 112008008690612-PAT00006
면으로 배향되도록 할 수 있다. 또한, 시드용 베이스 기판의 형태는 예를 들어, 육각, 팔각 등의 다각 형태로 재단하여 사용할 수 있다. 이와 같은 다각형 베이스 기판을 사용함으로써 질화갈륨 벌크 단결정 성장시 베이스 기판의 가장자리에 다결정 질화갈륨의 생성여부를 관찰하고 이로 인한 크랙발생 여부를 판단한다.It is preferable to set the edge of the seed base substrate to be an m-plane.
Figure 112008008690612-PAT00005
or
Figure 112008008690612-PAT00006
Can be oriented in a plane. In addition, the form of a seed base substrate can be cut | disconnected and used in polygonal forms, such as hexagon and an octagon, for example. By using such a polygonal base substrate, it is observed whether polycrystalline gallium nitride is produced at the edge of the base substrate during the growth of the gallium nitride bulk single crystal, and it is determined whether cracks are caused.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 육각 형태의 질화갈륨 단결정 시드 베이스 기판(120) 위에 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼(220)를 성장시킨 모습을 보인 것이다. 8 shows a growth of a gallium nitride bulk single crystal wafer 220 on a hexagonal gallium nitride single crystal seed base substrate 120 according to an embodiment of the present invention.

베이스 기판(120)의 형태와 유사하게 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼(220)도 육각 형태로 성장한 것을 볼 수 있다. 베이스 기판(120)의 가장자리는

Figure 112008008690612-PAT00007
또는
Figure 112008008690612-PAT00008
면으로 배향되도록 재단하였으며, 이렇게 재단된 시드용 베이스 기판의 크기가 내접원의 지름이 2인치 이상이 되도록 최초 베이스 기판의 크기를 상대적으로 큰 것으로 준비하였다. Similar to the shape of the base substrate 120, the gallium nitride bulk single crystal wafer 220 may be seen to grow in a hexagonal shape. The edge of the base substrate 120 is
Figure 112008008690612-PAT00007
or
Figure 112008008690612-PAT00008
It was cut so as to be oriented in a plane, and the size of the seed base substrate thus cut was prepared as a relatively large size of the initial base substrate so that the diameter of the inscribed circle is 2 inches or more.

베이스 기판으로부터 분리된 자립(freestanding) 질화갈륨 웨이퍼는 가장자리에 다결정이 형성되지 않았기 때문에 성장 과정, 냉각 과정, 그리고 베이스 기판으로부터 분리 과정에서도 크랙이 발생하지 않았다.Freestanding gallium nitride wafers separated from the base substrate had no cracks during growth, cooling, and separation from the base substrate because no polycrystals were formed at the edges.

한편, 본 발명에 따른 가장자리가 결정학적 면방향을 갖도록 재단된 시드용 베이스 기판 위에 성장된 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼(220')는 베이스 기판으로부터 분리되기 전, 또는 분리된 후에 가장자리를 재단하여 원형으로 형성할 수 있다 (도 9 참조). 이와 같이 원형으로 재단된 질화갈륨 웨이퍼는 LED 또는 LD 등을 제조하는 수요자에게 공정상의 이점을 줄 수 있을 것이다. On the other hand, the gallium nitride bulk single crystal wafer 220 'grown on the seed base substrate cut so that the edge has a crystallographic plane direction according to the present invention is cut in a circular shape by cutting the edge before or after separation from the base substrate. Can be formed (see FIG. 9). Such a gallium nitride wafer cut in a circular shape may give a process advantage to a consumer who manufactures an LED or an LD.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.The present invention has been exemplarily described through the preferred embodiments, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various forms within the scope of the technical idea presented in the present invention, specifically, the claims. May be modified, changed, or improved.

도 1a 및 1b는 이종 기판 위에 성장시 발생하는 질화갈륨층의 휨을 보인 모식도.1A and 1B are schematic diagrams showing warpage of a gallium nitride layer generated upon growth on a dissimilar substrate.

도 2는 레이저를 이용한 질화갈륨 분리 방법을 도시한 모식도.2 is a schematic diagram showing a gallium nitride separation method using a laser.

도 3은 기계적 방식으로 분리된 질화갈륨층을 보인 모식도.Figure 3 is a schematic diagram showing a gallium nitride layer separated in a mechanical manner.

도 4는 동종 기판 위에 성장한 질화갈륨층을 보인 단면도.4 is a cross-sectional view showing a gallium nitride layer grown on a homogeneous substrate.

도 5는 성장한 질화갈륨 웨이퍼를 보인 평면도.5 is a plan view showing a grown gallium nitride wafer.

도 6은 도 5의 B 부분 확대도.FIG. 6 is an enlarged view of a portion B of FIG. 5; FIG.

도 7은 가장자리에 결정학적 면방향을 갖는 질화갈륨 단결정 시드 베이스 기판을 보인 평면도.FIG. 7 is a plan view showing a gallium nitride single crystal seed base substrate having a crystallographic face direction at an edge thereof. FIG.

도 8은 질화갈륨 단결정 시드 베이스 기판에 성장한 질화갈륨 웨이퍼를 보인 사시도.8 is a perspective view showing a gallium nitride wafer grown on a gallium nitride single crystal seed base substrate.

도 9는 가장자리를 원형으로 재단한 질화갈륨 웨이퍼를 보인 사시도.9 is a perspective view showing a gallium nitride wafer with the edges cut in a circle.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

100:베이스 기판 120: 질화갈륨 단결정 시드 베이스 기판100: base substrate 120: gallium nitride single crystal seed base substrate

200:질화갈륨층 220:질화갈륨 웨이퍼200: gallium nitride layer 220: gallium nitride wafer

Claims (12)

질화갈륨을 성장시키기 위한 시드(seed) 질화갈륨 베이스 기판으로서, A seed gallium nitride base substrate for growing gallium nitride, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 가장자리가 결정학적 면방향으로 배향되도록 재단된 것을 특징으로 하는 The gallium nitride base substrate is cut so that the edge is oriented in the crystallographic plane direction 질화갈륨 베이스 기판.Gallium nitride base substrate. 제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 다각형으로 재단되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 베이스 기판.The gallium nitride base substrate according to claim 1, wherein the gallium nitride base substrate is cut into a polygon. 제2항에 있어서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 육각형으로 재단되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 베이스 기판.The gallium nitride base substrate according to claim 2, wherein the gallium nitride base substrate is cut into a hexagon. 제2항에 있어서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 내접원의 지름이 2인치 이상이 되는 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨 베이스 기판.3. The gallium nitride base substrate of claim 2, wherein the gallium nitride base substrate is formed to a size such that the diameter of the inscribed circle is 2 inches or more. 제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 가장자리가 결정학적으로
Figure 112008008690612-PAT00009
또는
Figure 112008008690612-PAT00010
으로 배향되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 베이스 기판.The method of claim 1, wherein the gallium nitride base substrate is crystallized at an edge thereof.
Figure 112008008690612-PAT00009
or
Figure 112008008690612-PAT00010
Gallium nitride base substrate, characterized in that the orientation. 가장자리가 결정학적 면방향으로 배향되도록 재단되어 있는 질화갈륨 베이스 기판을 준비하고, Preparing a gallium nitride base substrate cut so that the edges are oriented in the crystallographic plane direction, 상기 질화갈륨 베이스 기판 위에 질화갈륨층을 성장시키는 단계를 포함하는Growing a gallium nitride layer on the gallium nitride base substrate; 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법. Gallium nitride wafer manufacturing method. 제6항에 있어서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 다각형으로 재단되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법. The method of claim 6, wherein the gallium nitride base substrate is cut into polygons. 제7항에 있어서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 육각형으로 재단되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법. The method of claim 7, wherein the gallium nitride base substrate is cut into a hexagon. 제7항에 있어서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 내접원의 지름이 2인치 이상이 되는 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법. The method of claim 7, wherein the gallium nitride base substrate is formed to a size such that a diameter of an inscribed circle is 2 inches or more. 제6항에 있어서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 가장자리가 결정학적으로
Figure 112008008690612-PAT00011
또는
Figure 112008008690612-PAT00012
으로 배향되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법. The method of claim 6, wherein the gallium nitride base substrate has a crystallographic edge
Figure 112008008690612-PAT00011
or
Figure 112008008690612-PAT00012
Gallium nitride wafer manufacturing method characterized by the above-mentioned. 제6항에 있어서, 성장된 질화갈륨층의 가장자리는 다각형인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법. The method of claim 6, wherein the edge of the grown gallium nitride layer is polygonal. 제11항에 있어서, 성장된 질화갈륨층의 가장자리를 가공하여 원통형으로 변형시키는 단계를 더 포함하는 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법. 12. The method of claim 11, further comprising processing the edges of the grown gallium nitride layer to deform it into a cylinder.
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