KR20090075515A - Probe card and test apparatus comprising the same - Google Patents

Probe card and test apparatus comprising the same Download PDF

Info

Publication number
KR20090075515A
KR20090075515A KR1020080001396A KR20080001396A KR20090075515A KR 20090075515 A KR20090075515 A KR 20090075515A KR 1020080001396 A KR1020080001396 A KR 1020080001396A KR 20080001396 A KR20080001396 A KR 20080001396A KR 20090075515 A KR20090075515 A KR 20090075515A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
test
probe
signal
probe card
frequency conversion
Prior art date
Application number
KR1020080001396A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
채희창
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020080001396A priority Critical patent/KR20090075515A/en
Publication of KR20090075515A publication Critical patent/KR20090075515A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07385—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using switching of signals between probe tips and test bed, i.e. the standard contact matrix which in its turn connects to the tester
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

A probe card and a test apparatus comprising the same are provided to test a semiconductor which is operated under a high frequency by using a test apparatus for low frequency. In a probe card and a test apparatus comprising the same, a plurality of signal wires are formed on the probe substrate(210). A frequency conversion chip is electrically connected to a probe substrate and it mixes the first plural test signals and outputs a second test signal. A probe card(200) is connected with the frequency conversion chip electrically while being installed on the probe substrate. The probe card comprises a probe needle providing the second test signal for semiconductor device to be tested. The frequency conversion chip duplicates the second test signal and generates a plurality of second signals.

Description

프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장비{Probe card and test apparatus comprising the same}Probe card and test apparatus comprising the same

본 발명은 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a probe card and test equipment comprising the same.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 웨이퍼 상에 다수의 칩(즉, 피테스트 반도체 장치)을 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과, 웨이퍼 상에 형성된 각 칩의 불량 여부를 검사하는 테스트 공정 및, 상기 테스트 공정에 의해 판별된 양품을 개개로 분리시킨 다음 이 칩들을 패키징(packaging)하는 어셈블리(assembly) 공정으로 이루어진다.In general, a semiconductor manufacturing process includes a fabrication process of forming a plurality of chips (ie, a semiconductor device under test) on a wafer, a test process of inspecting whether each chip formed on a wafer is defective, and the test. It is an assembly process that separates the goods determined by the process individually and then packages the chips.

특히, 고주파(예를 들어, mini-LVDS)로 동작하는 반도체 장치들을 테스트하기 위해서, 테스트 장비는 고주파로 반도체 장치들에 테스트 신호를 제공할 수도 있고, 반대로 반도체 장치들로부터 출력되는 테스트 신호를 읽어낼 수도 있어야 한다. 기존에 사용하던 다수의 저주파용 테스트 장비는 이러한 동작을 할 수 없다. 본 발명에서는 저주파용 테스트 장비를 효율적으로 사용하여, 고주파로 동작하는 반도체 장치들을 테스트하고자 한다.In particular, in order to test semiconductor devices operating at a high frequency (eg, mini-LVDS), the test equipment may provide a test signal to the semiconductor devices at a high frequency and vice versa by reading a test signal output from the semiconductor devices. You should be able to pay. Many existing low frequency test equipment cannot do this. In the present invention, a low frequency test equipment is efficiently used to test semiconductor devices operating at a high frequency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 고주파로 동작하는 반도체 장치들을 테스트하기 위한 프로브 카드를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a probe card for testing semiconductor devices operating at a high frequency.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 상기 프로브 카드를 포함하는 테스트 장비를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a test equipment including the probe card.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 프로브 카드의 일 태양은 다수의 신호선이 형성된 프로브 기판, 상기 프로브 기판과 전기적으로 연결되고, 상기 다수의 신호선을 통해서 전달되는 다수의 제1 테스트 신호를 먹싱(muxing)하여 제2 테스트 신호로 출력하는 주파수 변환칩, 및 상기 프로브 기판에 설치되고 상기 주파수 변환칩과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 테스트 신호를 피테스트 반도체 장치에 제공하는 프로브 니들을 포함한다.One aspect of the probe card of the present invention for achieving the above technical problem is a probe substrate formed with a plurality of signal lines, electrically connected to the probe substrate, and a plurality of first test signals transmitted through the plurality of signal lines ( and a probe needle installed on the probe substrate, electrically connected to the frequency conversion chip, and providing the second test signal to the semiconductor device under test.

여기서, 주파수 변환칩은 상기 제2 테스트 신호를 복제하여 다수의 제2 테스트 신호를 생성하고, 생성된 다수의 제2 테스트 신호를 대응되는 다수의 프로브 니들에 제공할 수 있다.Here, the frequency conversion chip may generate the plurality of second test signals by copying the second test signal, and provide the generated plurality of second test signals to the corresponding plurality of probe needles.

또한, 주파수 변환칩은 FPGA(Field Programmable Gate Array) 칩일 수 있다.In addition, the frequency conversion chip may be a field programmable gate array (FPGA) chip.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에 서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

도 1은 본 발명에 몇몇 실시예에 따른 테스트 장비를 도시한 측면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 프로브 카드를 확대 도시한 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 프로브 카드를 설명하기 위한 개념도이다. 도 4는 도 1에 도시한 프로브 카드의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a side view of a test equipment according to some embodiments of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the probe card shown in FIG. 1. 3 is a conceptual diagram illustrating the probe card shown in FIG. 1. 4 is a view for explaining the operation of the probe card shown in FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 장비(100)는 피테스트 반도체 장치를 테스트하기 위한 소정 전기적인 신호(즉, 제1 테스트 신호)를 발생시키고 발생된 신호를 반도체 장치로 전달하는 테스터(120)와, 테스터(120)가 테스트를 수행할 수 있도록 웨이퍼(90)를 이동시켜주는 프로 버(prober)(150) 및, 테스터(120)에서 발생된 신호가 웨이퍼(90)에 형성된 피테스트 반도체 장치에 전달되도록 중간 매개체 역할을 하는 프로브 카드(200)를 포함한다.1 to 3, the test equipment 100 according to an embodiment of the present invention generates a predetermined electrical signal (ie, a first test signal) for testing a semiconductor device under test, and generates the generated signal. The tester 120 for transferring the semiconductor device, the prober 150 for moving the wafer 90 so that the tester 120 can perform a test, and the signal generated by the tester 120 are wafers. And a probe card 200 serving as an intermediate medium to be delivered to the semiconductor device under test formed at 90.

구체적으로, 테스터(120)는 테스트 본체(110)와, 테스트 본체(110)로부터 소정거리 승강되는 테스트 헤드(130)로 구성된다.In detail, the tester 120 includes a test body 110 and a test head 130 that is lifted by a predetermined distance from the test body 110.

테스트 본체(110)는 반도체 장치의 테스트를 전반적으로 제어하고 반도체 장치들의 양ㆍ불량을 판별하는 역할을 한다. 예를 들면, 테스트 본체(110)는 반도체 장치를 테스트하기 위한 제1 테스트 신호를 발생하고 이 발생된 신호를 테스트 헤드(130)로 전달하는 역할 및 이 전달된 신호로부터 체크되는 신호를 감지하고 이 감지된 신호들에 의거하여 피테스트 반도체 장치들의 양ㆍ불량을 판별하는 역할을 한다. The test body 110 controls the test of the semiconductor device as a whole and determines the quantity and defect of the semiconductor devices. For example, the test body 110 generates a first test signal for testing a semiconductor device and transmits the generated signal to the test head 130, and detects and checks a signal checked from the transmitted signal. On the basis of the detected signals, it serves to discriminate between good and bad of the semiconductor devices under test.

테스트 헤드(130)는 테스트 본체(110)로부터 승강되며, 프로브 카드(200)에 선택적으로 도킹된다. 따라서, 테스트 본체(110)로부터 전달되는 제1 테스트 신호는 테스트 헤드(130)를 경유하여 프로브 카드(200)로 전달된다. 이 때, 테스트 헤드(130)에는 테스트될 반도체 장치의 특성에 맞게 만들어진 테스트 보드(test board)(131)와, 테스트 보드(131)의 하부에 결합되는 포고블럭(pogo block)(133)이 구비될 수 있다. 이 경우, 포고블럭(133)의 밑면에는 프로브 카드(200)에 형성된 신호선에 전기적으로 연결되는 다수의 포고핀(pogo pin)(135)이 마련될 수 있다. 따라서, 테스트 본체(110)로부터 발생되어 테스트 헤드(130)로 전달된 제1 테스트 신호는 테스트 헤드(130)의 테스트 보드(131)와 포고블럭(133)의 포고핀(135)을 순 차적으로 경유하여 프로브 카드(200)로 전달된다. The test head 130 is lifted from the test body 110 and selectively docked to the probe card 200. Therefore, the first test signal transmitted from the test body 110 is transmitted to the probe card 200 via the test head 130. In this case, the test head 130 includes a test board 131 made according to the characteristics of the semiconductor device to be tested, and a pogo block 133 coupled to the lower portion of the test board 131. Can be. In this case, a plurality of pogo pins 135 electrically connected to signal lines formed on the probe card 200 may be provided on the bottom surface of the pogo block 133. Therefore, the first test signal generated from the test body 110 and transmitted to the test head 130 sequentially moves the test board 131 of the test head 130 and the pogo pin 135 of the pogo block 133. It is delivered to the probe card 200 via.

프로버(150)는 테스터(120)로부터 제1 테스트 신호를 전달받도록 테스트 헤드(130)의 하부에 배치된다. 이때, 프로버(150)의 상부에는 전술한 프로브 카드(200)가 안착되도록 카드 안착부가 마련된다. 그리고, 프로버(150)의 내부 곧, 카드 안착부의 하부에는 웨이퍼(90)가 안착되는 웨이퍼 척(wafer chuck)(152)이 마련된다. 웨이퍼 척(152)은 진공 흡착 등의 방법으로 웨이퍼(90)를 그 상면에 고정하며, 공정진행에 따라 웨이퍼(90)를 이송하는 역할을 한다. 예를 들면, 웨이퍼 척(152)은 그 상면에 고정된 웨이퍼(90)를 테스트가 수행될 위치로 이송할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 척(152)의 일측면에는 소정 거칠기를 갖는 면 예를 들면, 샌드 페이퍼(미도시)가 마련될 수 있다. 따라서, 프로브 카드(200)는 후술될 프로브 니들(230)의 끝단에 이물질 등이 묻을 경우, 그 프로브 니들(230)의 끝단을 이 샌드 페이퍼와 같은 소정 거칠기를 갖는 면에 샌딩시킴으로써 이물질 등을 제거할 수 있다.The prober 150 is disposed under the test head 130 to receive the first test signal from the tester 120. At this time, the card seating portion is provided on the prober 150 so that the above-described probe card 200 is seated. In addition, a wafer chuck 152 in which the wafer 90 is mounted is provided in the inner portion of the prober 150, that is, under the card seating portion. The wafer chuck 152 fixes the wafer 90 to the upper surface of the wafer chuck by vacuum suction or the like, and transfers the wafer 90 as the process proceeds. For example, the wafer chuck 152 may transfer the wafer 90 fixed on its top surface to a location where the test will be performed. In addition, a surface having a predetermined roughness, for example, sand paper (not shown) may be provided on one side surface of the wafer chuck 152. Therefore, when a foreign matter or the like adheres to the end of the probe needle 230 to be described later, the probe card 200 removes the foreign matter by sanding the end of the probe needle 230 on a surface having a predetermined roughness such as sand paper. can do.

한편, 프로브 카드(200)는 프로브 기판(210), 주파수 변환칩(250) 및 프로브 니들(230)을 포함한다.The probe card 200 includes a probe substrate 210, a frequency conversion chip 250, and a probe needle 230.

프로브 기판(210)은 전술한 카드 안착부에 안착될 수 있는 형상, 예를 들면, 원반 형상으로 형성된다. 프로브 기판(210)에는 다수의 신호선이 형성되어 있다. 신호선은 테스트 본체(110)로부터 발생 및 전달된 제1 테스트 신호를 주파수 변환칩(290)에 전달하는 역할을 한다. 따라서, 신호선은 프로브 기판(210)의 상단으로부터 시작되어 그 내부를 관통한 다음 그 하단까지 연장 형성될 수 있다. 전술한 포고블럭(133)의 포고핀(135)은 이 신호선의 상단에 접촉되어 이 신호선으로 테스트 본체(110)로부터 발생 및 전달된 제1 테스트 신호를 전달하게 된다.The probe substrate 210 is formed in a shape that can be seated on the card mounting portion described above, for example, a disk shape. A plurality of signal lines are formed on the probe substrate 210. The signal line serves to transfer the first test signal generated and transmitted from the test body 110 to the frequency conversion chip 290. Therefore, the signal line may be formed starting from the top of the probe substrate 210, penetrating through the inside of the probe substrate 210, and extending to the bottom thereof. The pogo pin 135 of the pogo block 133 described above is in contact with the upper end of the signal line to transfer the first test signal generated and transmitted from the test body 110 to the signal line.

주파수 변환칩(290)은 도 4에 도시된 바와 같이 다수의 신호선을 통해서 전달된 다수의 제1 테스트 신호(TS01~TS0n)를 먹싱(muxing)하여 제2 테스트 신호(TS0)로 출력한다. 예를 들어, 각 제1 테스트 신호(TS01~TS0n)는 50ns 구간에서 2.5ns의 폭(width)을 갖는 20MHz의 신호일수 있으나, 10개의 제1 테스트 신호(TS01~TS0n)를 먹싱함으로써 제2 테스트 신호(TS0)는 200MHz의 신호가 될 수 있다. 이러한 주파수 변환칩(290)은 예를 들어, FPGA(Field Programmable Gate Array) 칩으로 구현할 수 있다. FPGA 칩은 이미 설계된 하드웨어를 생산하기 전에 최종적으로 하드웨어의 동작/성능을 검증하기 위해 제작하는 중간개발물 형태의 칩일 수 있다. 주파수 변환칩(290)은 프로브 기판(210)에 직접 장착될 수도 있고, 그렇지 않을 수도 있다. 즉, 예를 들어, 별도의 회로 기판에 주파수 변환칩(290)을 장착하고, 상기 별도의 회로 기판과 프로브 기판(210)을 커넥터 등을 이용해서 서로 연결시킬 수도 있다. As illustrated in FIG. 4, the frequency conversion chip 290 muxes the first test signals TS01 to TS0n transmitted through the plurality of signal lines and outputs the second test signals TS0 as the second test signals TS0. For example, each of the first test signals TS01 to TS0n may be a 20 MHz signal having a width of 2.5 ns in a 50 ns interval, but the second test signals are muxed by ten first test signals TS01 to TS0n. The signal TS0 may be a signal of 200 MHz. The frequency conversion chip 290 may be implemented by, for example, a field programmable gate array (FPGA) chip. An FPGA chip may be an intermediate development chip that is built to finally verify the operation / performance of the hardware before producing the already designed hardware. The frequency conversion chip 290 may or may not be mounted directly on the probe substrate 210. That is, for example, the frequency converter chip 290 may be mounted on a separate circuit board, and the separate circuit board and the probe board 210 may be connected to each other using a connector or the like.

다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 프로브 니들(230)은 피테스트 반도체 장치에 형성된 단자 즉, 패드에 그 일단이 접촉되도록 매우 얇은 두께를 갖는 니들(needle) 형상으로 형성되며, 소정 접착제(243) 등에 의해 프로브 기판(200)의 하부에 고정/설치된다. 이때, 프로브 니들(230)은 주파수 변환칩(290)으로부터 전달된 제2 테스트 신호를 피테스트 반도체 장치의 패드로 전달하는 역할을 하는 바, 다수의 피테스트 반도체 장치에 제2 테스트 신호를 한꺼번에 전달할 수 있도록 다 수개로 구현될 수 있다. 이 경우, 프로브 니들(230)은 프로브 기판(210)의 중앙을 중심으로 그 양측 방향 또는 그 상하좌우 방향 등으로 상호 대칭되게 배치될 수 있다. 또한, 이와 같은 경우, 프로브 기판(210)의 중앙부측에 마련된 각 프로브 니들(230)의 일단은 피테스트 반도체 장치의 패드들에 접촉되도록 소정각도로 굴절될 수 있다. 그리고, 프로브 기판(210)의 가장자리측에 마련된 각 프로브 니들(230)의 타단은 프로브 기판(210)에 형성된 신호선의 하단에 납땜 등의 방법으로 연결될 수 있다. Referring back to FIGS. 1 to 3, the probe needle 230 is formed in a needle shape having a very thin thickness such that one end of the probe needle 230 contacts a terminal formed in the semiconductor device under test, that is, a pad, and has a predetermined adhesive 243. ) Is fixed / installed in the lower portion of the probe substrate 200. At this time, the probe needle 230 serves to transfer the second test signal transmitted from the frequency conversion chip 290 to the pad of the semiconductor device under test, and transmits the second test signal to the plurality of semiconductor devices under test at once. Many can be implemented. In this case, the probe needles 230 may be disposed symmetrically with respect to the center of the probe substrate 210 in both sides of the probe substrate 210 or in the up, down, left, and right directions. In this case, one end of each of the probe needles 230 provided at the center portion of the probe substrate 210 may be refracted at a predetermined angle to contact the pads of the semiconductor device under test. The other end of each probe needle 230 provided at the edge of the probe substrate 210 may be connected to the lower end of the signal line formed on the probe substrate 210 by soldering or the like.

한편, 프로브 카드(200)에는 프로브 니들(230)의 고정을 위하여 니들 고정대(240)와 지지판(220)이 더 포함될 수 있다. 이 경우, 지지판(220)은 프로브 기판(210)보다 다소 적은 직경을 갖는 원반 형상으로 형성되어 프로브 기판(210)의 상부 중앙에 고정될 수 있고, 니들 고정대(240)는 이와 같은 지지판(220)에 고정되되 그 하단이 프로브 기판(210)의 하부까지 연장 형성될 수 있다. 따라서, 프로브 니들(230)은 그 중앙부의 일면 등이 소정 접착제(243)에 의하여 이 니들 고정대(240)에 고정될 수 있게 된다. The probe card 200 may further include a needle holder 240 and a support plate 220 to fix the probe needle 230. In this case, the support plate 220 may be formed in a disk shape having a diameter slightly smaller than that of the probe substrate 210 and may be fixed to the upper center of the probe substrate 210, and the needle holder 240 may support the support plate 220. Is fixed to the lower end may extend to the lower portion of the probe substrate 210. Accordingly, the probe needle 230 may be fixed to one side of the center portion of the probe needle 230 to the needle holder 240 by a predetermined adhesive 243.

본 발명의 일 실시예에서와 같이, 프로브 카드(200)에 주파수 변환칩(290)을 설치하고, 주파수 변환칩(290)을 이용함으로써 저주파용 테스트 장비를 이용하여 고주파로 동작하는 반도체 장치들을 테스트할 수 있다. As in the embodiment of the present invention, the frequency conversion chip 290 is installed on the probe card 200, and the frequency conversion chip 290 is used to test semiconductor devices operating at high frequency using low frequency test equipment. can do.

도 5는 도 1에 도시한 프로브 카드의 다른 동작을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining another operation of the probe card shown in FIG.

도 5를 참조하면, 주파수 변환칩(290)은 다수의 제1 테스트 신호(TS01~TS0n)를 먹싱(muxing)하여 제2 테스트 신호(TS0)를 생성하고, 이를 다시 복제하여 다수 의 제2 테스트 신호(TS0)를 생성하고, 생성된 다수의 제2 테스트 신호(TS0)를 대응되는 다수의 프로브 니들에 제공한다. 이와 같이 함으로써, 다수의 피테스트 반도체 장치(DUT0~DUTn)를 동시에(병렬적으로) 테스트할 수 있다.Referring to FIG. 5, the frequency conversion chip 290 muxes the plurality of first test signals TS01 to TS0n to generate a second test signal TS0, and duplicates the plurality of second test signals. The signal TS0 is generated and the generated plurality of second test signals TS0 are provided to the corresponding plurality of probe needles. By doing in this way, many test semiconductor devices DUT0-DUTn can be tested simultaneously (in parallel).

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

도 1은 본 발명에 몇몇 실시예에 따른 테스트 장비를 도시한 측면도이다.1 is a side view illustrating test equipment in accordance with some embodiments of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 프로브 카드를 확대 도시한 단면도이다. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the probe card shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 프로브 카드를 설명하기 위한 개념도이다. 3 is a conceptual diagram illustrating the probe card shown in FIG. 1.

도 4는 도 1에 도시한 프로브 카드의 동작을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the operation of the probe card shown in FIG.

도 5는 도 1에 도시한 프로브 카드의 다른 동작을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining another operation of the probe card shown in FIG.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명) (Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

200 : 프로브 카드 210 : 프로브 기판200: probe card 210: probe substrate

230 : 프로브 니들 250 : 주파수 변환칩230: probe needle 250: frequency conversion chip

Claims (4)

다수의 신호선이 형성된 프로브 기판;A probe substrate on which a plurality of signal lines are formed; 상기 프로브 기판과 전기적으로 연결되고, 상기 다수의 신호선을 통해서 전달되는 다수의 제1 테스트 신호를 먹싱(muxing)하여 제2 테스트 신호로 출력하는 주파수 변환칩; 및A frequency conversion chip electrically connected to the probe substrate and muxing a plurality of first test signals transmitted through the plurality of signal lines to output a second test signal; And 상기 프로브 기판에 설치되고 상기 주파수 변환칩과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 테스트 신호를 피테스트 반도체 장치에 제공하는 프로브 니들을 포함하는 프로브 카드.And a probe needle mounted on the probe substrate and electrically connected to the frequency conversion chip, the probe needle providing the second test signal to the semiconductor device under test. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주파수 변환칩은 상기 제2 테스트 신호를 복제하여 다수의 제2 테스트 신호를 생성하고, 생성된 다수의 제2 테스트 신호를 대응되는 다수의 프로브 니들에 제공하는 프로브 카드.The frequency converter chip duplicates the second test signal to generate a plurality of second test signals, and provides the generated plurality of second test signals to corresponding plurality of probe needles. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주파수 변환칩은 FPGA(Field Programmable Gate Array) 칩인 프로브 카드.The frequency converter chip is a field programmable gate array (FPGA) chip. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항의 프로브 카드를 포함하는 테스트 장비.Test equipment comprising the probe card of any one of claims 1 to 3.
KR1020080001396A 2008-01-04 2008-01-04 Probe card and test apparatus comprising the same KR20090075515A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080001396A KR20090075515A (en) 2008-01-04 2008-01-04 Probe card and test apparatus comprising the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080001396A KR20090075515A (en) 2008-01-04 2008-01-04 Probe card and test apparatus comprising the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090075515A true KR20090075515A (en) 2009-07-08

Family

ID=41332721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080001396A KR20090075515A (en) 2008-01-04 2008-01-04 Probe card and test apparatus comprising the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090075515A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101311177B1 (en) * 2012-06-04 2013-09-26 윌테크놀러지(주) Probe card on mounted active element chip
KR20170011552A (en) * 2015-07-23 2017-02-02 삼성전자주식회사 Test Board, Test Equipment, Test System and Test Method
CN112540281A (en) * 2019-09-20 2021-03-23 中华精测科技股份有限公司 Testing device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101311177B1 (en) * 2012-06-04 2013-09-26 윌테크놀러지(주) Probe card on mounted active element chip
KR20170011552A (en) * 2015-07-23 2017-02-02 삼성전자주식회사 Test Board, Test Equipment, Test System and Test Method
CN112540281A (en) * 2019-09-20 2021-03-23 中华精测科技股份有限公司 Testing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7456643B2 (en) Methods for multi-modal wafer testing using edge-extended wafer translator
US7046027B2 (en) Interface apparatus for semiconductor device tester
KR100609652B1 (en) Space transformer, manufacturing method of the space transformer and probe card having the space transformer
KR101384714B1 (en) Device for semiconductor test
JPH11125646A (en) Vertical needle type probe card, and its manufacture and exchange method for defective probe of the same
CN103887193B (en) Device for three dimensional integrated circuits test
KR100652421B1 (en) Doughnut type parallel probe card and method of wafer testing using the same
KR20100112629A (en) Manufacturing method and wafer unit for testing
TW202206833A (en) Wafer inspection system and wafer inspection equipment thereof
US6737879B2 (en) Method and apparatus for wafer scale testing
US7535239B1 (en) Probe card configured for interchangeable heads
US6724181B2 (en) Method of calibrating a test system for semiconductor components, and test substrate
KR20090075515A (en) Probe card and test apparatus comprising the same
KR102047665B1 (en) Probe card and test device including the same
KR100478261B1 (en) Semiconductor substrate testing apparatus
KR20200063009A (en) Probe card
TW201432269A (en) Probe card, inspection apparatus and inspection method
JP2768310B2 (en) Semiconductor wafer measurement jig
KR101467381B1 (en) Device for Semiconductor Test
TWI344187B (en) Multiple functions testing device
JP2007012709A (en) Semiconductor inspection device, and inspection method of semiconductor device
US7459925B1 (en) Probe card
KR200221077Y1 (en) Conductive polymer probe card
JP2005121553A (en) Probe card and test method for semiconductor chip
CN101452011B (en) Probe card and circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination