KR20090072782A - Organic light emitting device - Google Patents

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KR20090072782A
KR20090072782A KR1020070141001A KR20070141001A KR20090072782A KR 20090072782 A KR20090072782 A KR 20090072782A KR 1020070141001 A KR1020070141001 A KR 1020070141001A KR 20070141001 A KR20070141001 A KR 20070141001A KR 20090072782 A KR20090072782 A KR 20090072782A
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light emitting
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organic light
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이세희
이희동
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

An organic electroluminescent display device is provided to improve a color reproduction range by forming an inorganic layer between a color filter and a second substrate. A first substrate(110) includes a thin film transistor. A first electrode(160) is positioned on the first substrate. The first electrode is connected to the thin film transistor. An organic layer(170W) is positioned on the first electrode. The organic layer emits a white light. A second electrode(180) is positioned on the organic layer. A second substrate(195) includes color filters(185R,185G,185B). An inorganic layer(192) is positioned on a top part or a bottom part of the color filters. Thickness of the inorganic layer is 200~450nm. The first electrode is a cathode electrode. The second electrode is an anode electrode.

Description

유기전계발광표시장치{Organic light emitting device}Organic light emitting device

본 발명은 디스플레이에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display, and more particularly, to an organic light emitting display device.

일반적으로, 정보통신기술의 발달로, 다양화된 정보화 사회의 요구에 따라, 전자 디스플레이의 수요가 증가되고 있고, 요구되는 디스플레이 또한 다양해지고 있다. In general, with the development of information and communication technology, the demand for electronic displays is increasing in accordance with the demands of the diversified information society, and the required displays are also diversifying.

이와 같이 다양화된 정보화 사회의 요구를 만족시키기 위하여, 전자 디스플레이소자는 고정세화, 대형화, 저가격화, 고성능화, 박형화, 소형화 등의 특성을 가질 것이 요구되고 있으며, 이를 위해, 기존의 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT) 이외에 새로운 평판 디스플레이(Flat Panel Display: FPD) 소자가 개발되고 있다.In order to satisfy the demands of the diversified information society, electronic display devices are required to have characteristics such as high definition, large size, low price, high performance, thinness, and miniaturization, and for this purpose, existing cathode ray tubes In addition to Ray Tube (CRT), new flat panel display (FPD) devices are being developed.

특히, 통신 및 컴퓨터에 관련된 반도체와 디스플레이 등의 소재 개발이 각 분야의 기술 진보에 주요한 관건이 되고 있으며, 현재 사용되고 있는 여러 디스플레이 소자들 중에서 천연색 표시 소자로서의 응용면에서 주목 받고 있는 하나가 유 기전계발광표시장치이다.In particular, development of semiconductors and displays related to communication and computers has become a key factor for technological advancement in each field, and one of the various display devices currently used is attracting attention in application as a natural color display device. It is an optical display device.

유기전계발광표시장치는 넓은 시야각, 고속응답성, 고콘트라스트 등의 뛰어난 특징을 갖고 있으므로 그래픽 디스플레이의 픽셀, 텔레비전 영상 디스플레이나 표면광원의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 얇고 가벼우며 색감이 좋기 때문에 차세대 평면 디스플레이에 적합한 소자이다.The organic light emitting display device has excellent features such as wide viewing angle, high-speed response and high contrast, so it can be used as a pixel of graphic display, television image display or pixel of surface light source, and because it is thin, light and has good color, it is a next-generation flat panel display. Suitable device for

유기전계발광표시장치에서는 색재현율 및 광효율을 좋게 하기 위하여 전극 및 유기층의 두께를 조절하는 마이크로캐비티(microcavity) 효과를 이용하곤 한다.In organic light emitting display devices, in order to improve color reproducibility and light efficiency, a microcavity effect of controlling thicknesses of electrodes and organic layers is used.

일반적으로 원하고자 하는 마이크로 캐비티 효과를 내기 위해서는 애노드 전극, 캐소드 전극, 유기층(정공수송층, 정공주입층, 발광층, 전자주입층, 전자수송층) 간의 두께 조절이 적절히 이루어져야 하는데, 이를 콘트롤 하는 것은 매우 어려운 일이다. In general, in order to achieve the desired microcavity effect, thickness control between an anode electrode, a cathode electrode, and an organic layer (hole transport layer, hole injection layer, light emitting layer, electron injection layer, electron transport layer) should be appropriately controlled. to be.

또한, 전극이나 유기층의 재료 및 두께가 바뀌거나 다이오드 외적인 부분의 구성요소가 수치범위나 재료가 변하더라도 마이크로캐비티 효과를 얻기 위하여 다시 다이오드의 적정한 두께 조절이 필요하다.In addition, even if the material and thickness of the electrode or the organic layer is changed, or the components of the non-diode part change the numerical range or material, it is necessary to adjust the thickness of the diode again in order to obtain the microcavity effect.

따라서, 본 발명에서는 마이크로캐비티 효과를 얻으면서도, 간편한 제조공정을 통한 유기전계발광표시장치를 소개하고자 한다.Therefore, the present invention is to introduce an organic light emitting display device through a simple manufacturing process while obtaining a microcavity effect.

본 발명이 해결하고 하는 과제는 광효율 및 색재현율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of improving light efficiency and color reproducibility.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. Could be.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판, 제 2 기판 상에 위치하며 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극, 제 1 전극 상에 위치하는 유기층, 유기층 상에 위치하는 제 2 전극, 유기층과 대응되어 위치하는 컬러필터를 포함하는 제 2 기판, 컬러필터의 상부 또는 하부 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 무기층을 포함할 수 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate including a thin film transistor, a first electrode disposed on a second substrate and connected to the thin film transistor, an organic layer disposed on the first electrode, and an organic layer. The second electrode may include a second substrate, a second substrate including a color filter positioned to correspond to the organic layer, and an inorganic layer positioned at at least one of the upper and lower portions of the color filter.

또한, 제 1 전극은 캐소드 전극이고, 제 2 전극은 애노드 전극일 수 있다.In addition, the first electrode may be a cathode electrode, and the second electrode may be an anode electrode.

또한, 유기층은 백색 발광할 수 있다.In addition, the organic layer may emit white light.

또한, 무기층은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx) 또는 산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나로 이루어지는 단일층인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.In addition, the inorganic layer is an organic light emitting display device, characterized in that a single layer made of any one of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx) or titanium oxide (TiO 2 ).

또한, 무기층은 산화실리콘(SiO2)/질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2)/산화 티타늄(TiO2), 질화실리콘(SiNx)/산화티타늄(TiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)/질화실리콘(SiNx)/산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.In addition, the inorganic layer may be silicon oxide (SiO 2 ) / silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO 2 ) / titanium oxide (TiO 2 ), silicon nitride (SiNx) / titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2). ) / Silicon nitride (SiNx) / titanium oxide (TiO 2 ).

제 2 기판 상의 컬러필터는 적색, 청색 및 녹색 컬러필터가 순차적으로 배열된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치. The color filter on the second substrate is an organic light emitting display device, characterized in that the red, blue and green color filters are arranged in sequence.

또한, 무기층의 두께는 200 내지 450nm일 수 있다.In addition, the thickness of the inorganic layer may be 200 to 450nm.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 광효율 및 색재현율을 높일 수 있는 효과가 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention has an effect of increasing light efficiency and color reproducibility.

후술하는 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Details of the embodiments described below are included in the detailed description and drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 블록도이고, 도 2a내지 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브픽셀 회로의 일 예이다.1 is a block diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A to 2B are examples of a subpixel circuit of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 표시패널(100), 스캔 구동부(200), 데이터 구동부(300) 및 제어부(400)을 포함한다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 100, a scan driver 200, a data driver 300, and a controller 400.

표시패널(100)은 복수의 신호라인(S1~Sn, D1~Dm), 복수의 전원라인(미도시) 및 이들에 연결되어 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브픽셀(PX)을 포함한다. The display panel 100 includes a plurality of signal lines S 1 to Sn and D1 to Dm, a plurality of power lines (not shown), and a plurality of subpixels PX connected to the arrays in a matrix form.

복수의 신호라인(S1~Sn, D1~Dm)은 스캔신호를 전달하는 복수의 스캔라인(S1~Sn) 및 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인(D1~Dm)을 포함하며, 각 전원라인(미도시)은 제 1 전원 전압(VDD)등을 각 서브픽셀(PX)에 전달할 수 있다. The plurality of signal lines S 1 to Sn and D 1 to Dm include a plurality of scan lines S1 to Sn for transferring scan signals and data lines D 1 to Dm for transferring data signals, and each power source. A line (not shown) may transfer the first power voltage VDD to each subpixel PX.

여기서, 복수의 신호라인은 스캔라인(S1~Sn) 및 데이터 라인(D1~Dm)만을 포함하는 것으로 도시하고 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 구동방식에 따라 소거신호를 전달하는 소거라인(미도시)을 더 포함할 수도 있다. Here, although the plurality of signal lines are illustrated and described as including only scan lines S 1 to Sn and data lines D1 to Dm, the plurality of signal lines are not limited thereto. It may also include a).

그러나, 소거 신호가 사용되는 경우에도 소거 라인이 생략되는 것이 가능하다. 이러한 경우에는 소거 신호를 다른 라인으로 공급할 수 있다. 예를 들면, 도시하지는 않았지만, 표시 패널(100)에는 제 1전원 전압(VDD)을 공급하는 전원 라인이 더 포함되는 경우에, 소거 신호는 전원 라인을 통해 공급될 수도 있다. However, it is possible that the erase line is omitted even when the erase signal is used. In this case, the erase signal can be supplied to another line. For example, although not illustrated, when the display panel 100 further includes a power line for supplying the first power voltage VDD, the erase signal may be supplied through the power line.

도 2a를 참조하면, 서브픽셀(PX)은 스캔라인(Sn)으로부터 스캔 신호에 의하여 데이터 신호를 전달하는 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 데이터 신호를 저장하는 커패시터(Cst), 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호와 제 1전원전압(VDD)의 차이에 해당하는 구동 전류를 생성하는 구동 박막 트랜지스터(T2) 및 구동전류에 해당하는 빛을 발광하는 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2A, the subpixel PX is stored in the switching thin film transistor T1 that transfers the data signal from the scan line Sn by the scan signal, the capacitor Cst, and the capacitor Cst, which store the data signal. The display device may include a driving thin film transistor T2 for generating a driving current corresponding to a difference between the data signal and the first power voltage VDD, and a light emitting diode OLED for emitting light corresponding to the driving current.

그리고, 서브픽셀은, 도 2b에 도시한 바와 같이, 스캔라인(Sn)으로부터 스캔 신호에 의하여 데이터 신호를 전달하는 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 데이터 신호를 저장하는 커패시터(Cst), 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호와 제 1전원전압의 차이에 해당하는 구동 전류를 생성하는 구동 박막 트랜지스터(T2), 구동전류에 해당하는 빛을 발광하는 발광 다이오드(OLED) 및 소거 라인(En)으로부터의 소거 신호에 따라 커패시터에 저장된 데이터 신호를 소거하는 소거용 스위칭 박막 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2B, the subpixel includes a switching thin film transistor T1 that transfers a data signal from a scan line Sn by a scan signal, a capacitor Cst, and a capacitor Cst that store the data signal. A driving thin film transistor T2 for generating a driving current corresponding to a difference between the data signal stored in the first power supply voltage and the first power supply voltage, a light emitting diode OLED emitting light corresponding to the driving current, and an erase signal from the erase line En As a result, it may include an erasing switching thin film transistor T3 for erasing the data signal stored in the capacitor.

도 2b에 도시한 픽셀 회로는 하나의 프레임을 복수개의 서브필드로 나누어 계조를 표현하는 디지털 구동 방식에 의하여 유기전계발광표시장치를 구동할 경우, 어드레스 시간보다 발광 시간이 작은 서브필드에 소거 신호를 공급함으로써 발광 시간을 조절할 수 있다. 따라서, 유기전계발광표시장치의 최소 휘도를 낮출 수 있는 장점이 있다.In the pixel circuit shown in FIG. 2B, when the organic light emitting display device is driven by a digital driving method in which one frame is divided into a plurality of subfields to express gray levels, an erase signal is applied to a subfield having a light emission time smaller than an address time. The light emission time can be adjusted by supplying. Accordingly, there is an advantage in that the minimum luminance of the organic light emitting display device can be lowered.

다시 도 1을 참조하면, 스캔 구동부(200)는 표시패널(100)의 스캔라인(S1~Sn)에 연결되어, 제1박막트랜지스터(T1)를 턴온시킬 수 있는 스캔신호를 스캔라인(S1~Sn)에 각각 인가한다. Referring back to FIG. 1, the scan driver 200 is connected to the scan lines S1 to Sn of the display panel 100 to scan the scan signals for turning on the first thin film transistor T1. Sn) respectively.

데이터 구동부(300)는 표시패널(100)의 데이터 라인(D1~Dm)에 연결되어 출력 영상 신호(DAT)를 나타내는 데이터 신호를 데이터 라인(D1~Dm)에 인가한다. 이러한, 데이터 구동부(300)는 데이터 라인(D1~Dm)에 연결되는 적어도 하나의 데이터 구동 집적회로(integrated circuit, IC)를 포함할 수 있다. The data driver 300 is connected to the data lines D 1 to Dm of the display panel 100 to apply a data signal representing the output image signal DAT to the data lines D 1 to Dm. The data driver 300 may include at least one data integrated circuit (IC) connected to the data lines D 1 to Dm.

데이터 구동 IC는 차례로 연결되어 있는 쉬프트 레지스터(shift register), 래치(latch), 디지털-아날로그 변환부(DA-converter) 및 출력 버퍼(output buffer)를 포함할 수 있다. The data driving IC may include a shift register, a latch, a digital-to-analog converter (DA-converter), and an output buffer, which are sequentially connected.

쉬프트 레지스터는 수평동기시작신호(STH)(또는 시프트 클록신호)가 들어오면 데이터 클록신호(HCLK)에 따라 출력 영상 신호(DAT)를 래치에 전달할 수 있다. 데이터 구동부(300)가 복수의 데이터 구동 IC를 포함하는 경우, 한 구동 IC의 시프트 레지스터는 시프트 클록신호를 다음 구동 IC의 시프트 레지스터로 내보낼 수 있다.The shift register may transfer the output image signal DAT to the latch in response to the data clock signal HCLK when the horizontal synchronization start signal STH (or the shift clock signal) is input. When the data driver 300 includes a plurality of data driver ICs, the shift register of one driver IC may export the shift clock signal to the shift register of the next driver IC.

래치는 출력 영상 신호(DAT)를 기억하며, 기억하고 있는 출력 영상 신호(DAT)를 로드 신호(LOAD)에 따라 해당 계조 전압을 선택하여 출력 버퍼로 내보낼 수 있다. The latch stores the output image signal DAT, and selects a corresponding gray voltage according to the load signal LOAD and exports the stored output image signal DAT to the output buffer.

디지털-아날로그 변환부는 출력 영상 신호(DAT)에 따라 해당 계조 전압을 선택하여 출력 버퍼로 내보낼 수 있다. The digital-analog converter may select a corresponding gray voltage according to the output image signal DAT and export it to the output buffer.

출력 버퍼는 디지털-아날로그 변환부로부터의 출력 전압을 데이터 신호로서 데이터 라인(D1~Dm)으로 출력하며, 이를 1 수평 주기(1H) 동안 유지한다. The output buffer outputs the output voltage from the digital-analog converter as a data signal to the data lines D 1 to Dm, and maintains it for one horizontal period 1H.

제어부(400)는 스캔 구동부(200) 및 데이터 구동부(300)의 동작을 제어한다. 또한, 제어부(400)는 입력 영상 신호(R, G, B)를 감마변환하여 출력 영상 신호(DAT)를 생성하는 신호변환부(450)을 포함할 수 있다. The controller 400 controls the operations of the scan driver 200 and the data driver 300. In addition, the controller 400 may include a signal converter 450 that gamma-converts the input image signals R, G, and B to generate an output image signal DAT.

즉, 제어부(400)는 스캔 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한 후, 스캔 제어 신호(CONT1)를 스캔 구동부(200)로 출력하고, 데이터 제어 신호(CONT2)와 처리한 출력 영상 신호(DAT)를 데이터 구동부(300)로 출력한다. That is, the controller 400 generates the scan control signal CONT1 and the data control signal CONT2, and then outputs the scan control signal CONT1 to the scan driver 200, and processes the data control signal CONT2. The output image signal DAT is output to the data driver 300.

또한, 제어부(400)는 외부의 그래픽 콘트롤러(미도시)로부터의 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 여기서, 입력 제어 신호의 예로는 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등이 있다. In addition, the controller 400 receives input image signals R, G, and B from an external graphic controller (not shown) and an input control signal for controlling the display thereof. Here, examples of the input control signal include a vertical sync signal Vsync, a horizontal sync signal Hsync, a main clock MCLK, and a data enable signal DE.

이러한 구동장치(200, 300, 400) 각각은 적어도 하나의 집적 회로 칩의 형태로 표시패널(100) 위에 직접 장착되거나, 가요성 인쇄회로 필름(Flexible Printed Circuit Film)(미도시) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 표시패널(100)에 부착되거나, 별도의 인쇄회로제 1 기판(Printed Circuit Board)(미도시) 위에 장착될 수도 있다. Each of the driving devices 200, 300, and 400 may be mounted directly on the display panel 100 in the form of at least one integrated circuit chip, or mounted on a flexible printed circuit film (not shown). The tape may be attached to the display panel 100 in the form of a tape carrier package or mounted on a separate printed circuit board (not shown).

이와는 달리, 이들 구동장치(200, 300, 400)가 복수의 신호라인(S1~Sn, D1~Dm) 또는 박막 트랜지스터(T1, T2, T3) 등과 함께 표시패널(100)에 집적될 수도 있다. Alternatively, the driving devices 200, 300, and 400 may be integrated in the display panel 100 together with the plurality of signal lines S 1 to Sn and D 1 to Dm or the thin film transistors T1, T2, and T3. have.

또한, 구동장치(200, 300, 400)는 단일 칩으로 집적될 수 있으며, 이 경우 이들 중 적어도 하나 또는 이들을 이루는 적어도 하나의 회로소자가 단일 칩 외부에 있을 수 있다. In addition, the driving devices 200, 300, and 400 may be integrated into a single chip, and in this case, at least one of them or at least one circuit element constituting them may be outside the single chip.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 구조를 도시한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a pixel structure of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 일 방향으로 배열된 스캔 라인(120a), 상기 스캔 라인(120a)과 수직하게 배열된 데이터 라인(140a) 및 상기 데이터 라인(140a)과 평행하게 배열된 전원 라인(140e)에 의해 정의되는 화소 영역 및 상기 화소 영역 외의 비화소 영역을 포함하는 제 1 기판(110)이 위치한다. Referring to FIG. 3, a scan line 120a arranged in one direction, a data line 140a arranged perpendicularly to the scan line 120a, and a power line 140e arranged parallel to the data line 140a. A first substrate 110 including a pixel region defined by and a non-pixel region other than the pixel region is positioned.

상기 화소 영역에는 스캔 라인(120a) 및 데이터 라인(140a)과 연결된 스위칭 박막 트랜지스터(T1)와, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(T1) 및 전원 라인(140e)과 연결된 커패시터(Cst)와, 상기 커패시터(Cst) 및 전원 라인(140e)과 연결된 구동 박막 트랜지스터(T2)가 위치한다. The pixel region includes a switching thin film transistor T1 connected to a scan line 120a and a data line 140a, a capacitor Cst connected to the switching thin film transistor T1 and a power line 140e, and the capacitor Cst. ) And a driving thin film transistor T2 connected to the power line 140e.

상기 커패시터(Cst)는 커패시터 하부전극(120b) 및 커패시터 상부전극(140b)을 포함할 수 있다.The capacitor Cst may include a capacitor lower electrode 120b and a capacitor upper electrode 140b.

상기 화소영역에는 상기 구동 박막 트랜지스터(T2)와 전기적으로 연결된 제 1 전극(160)과, 상기 제 1 전극(160) 상에 유기층(미도시) 및 제 2 전극(미도시)을 포함하는 발광다이오드가 위치한다.The pixel area includes a first electrode 160 electrically connected to the driving thin film transistor T2, and an organic layer (not shown) and a second electrode (not shown) on the first electrode 160. Is located.

상기 화소 영역은 스캔 라인(120a), 데이터 라인(140a) 및 전원 라인(140e)을 포함할 수 있다.The pixel area may include a scan line 120a, a data line 140a, and a power line 140e.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다. 도 4는 도 3의 I-I'에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3.

도 4를 참조하면, 제 1 제 1 기판(110) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 상기 버퍼층(105)은 제 1 제 1 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다. Referring to FIG. 4, a buffer layer 105 is positioned on the first first substrate 110. The buffer layer 105 is formed to protect the thin film transistor formed in a subsequent process from impurities such as alkali ions flowing out of the first first substrate 110, and are formed of silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiNx). And the like can be formed selectively.

여기서, 상기 제 1 제 1 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 금속일 수 있다. Here, the first first substrate 110 may be glass, plastic, or metal.

상기 버퍼층(105) 상에 반도체층(111)이 위치한다. 상기 반도체층(111)은 비정질 실리콘 또는 결정화된 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 111 is positioned on the buffer layer 105. The semiconductor layer 111 may include amorphous silicon or crystallized polycrystalline silicon.

또한, 상기 반도체층(111)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 상기 소오스 영역 및 드레인 영역 이외의 채널 영역을 포함할 수 있다.In addition, the semiconductor layer 111 may include a source region and a drain region including p-type or n-type impurities, and may include a channel region other than the source region and the drain region.

상기 반도체층(111) 상에 게이트 절연막일 수 있는 제 1 절연막(115)이 위치한다. 상기 제 1 절연막(115)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.The first insulating layer 115, which may be a gate insulating layer, is positioned on the semiconductor layer 111. The first insulating layer 115 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof.

상기 제 1 절연막(115) 상에 상기 반도체층(111)의 일정 영역, 즉 불순물이 주입되었을 경우의 채널 영역과 대응되는 위치에 게이트 전극(120c)이 위치한다. 그리고, 상기 게이트 전극(120c)과 동일층 상에 스캔 라인(120a) 및 커패시터 하부 전극(120b)이 위치한다.The gate electrode 120c is positioned on a predetermined region of the semiconductor layer 111, that is, a channel region when impurities are implanted on the first insulating layer 115. The scan line 120a and the capacitor lower electrode 120b are positioned on the same layer as the gate electrode 120c.

상기 게이트 전극(120c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The gate electrode 120c is formed of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be made of any one or an alloy thereof.

또한, 상기 게이트 전극(120c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다.In addition, the gate electrode 120c is formed of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a multilayer consisting of any one or an alloy thereof selected from the group.

예를 들면, 게이트 전극(120c)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.For example, the gate electrode 120c may be a double layer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

상기 스캔 라인(120a)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The scan line 120a may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be made of any one or an alloy thereof.

또한, 상기 스캔 라인(120a)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. In addition, the scan line 120a includes molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a multilayer consisting of any one or an alloy thereof selected from the group.

예를 들면, 스캔 라인(120a)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.For example, scan line 120a may be a bilayer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

층간 절연막일 수 있는 제 2 절연막(125)은 상기 스캔 라인(120a), 커패시터 하부 전극(120b) 및 게이트 전극(120c)을 포함하는 제 1 기판(110) 상에 위치한다. 상기 제 2 절연막(125)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.The second insulating layer 125, which may be an interlayer insulating layer, is positioned on the first substrate 110 including the scan line 120a, the capacitor lower electrode 120b, and the gate electrode 120c. The second insulating layer 125 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof.

상기 제 2 절연막(125) 및 제 1 절연막(115) 내에 반도체층(111)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(130b, 130c)이 위치한다. Contact holes 130b and 130c exposing portions of the semiconductor layer 111 are disposed in the second insulating layer 125 and the first insulating layer 115.

상기 제 2 절연막(125) 및 제 1 절연막(115)을 관통하는 콘택홀들(130b, 130c)을 통하여 반도체층(111)과 전기적으로 연결되는 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 화소 영역에 위치한다.The pixel electrode region includes drain and source electrodes 140c and 140d electrically connected to the semiconductor layer 111 through contact holes 130b and 130c penetrating through the second insulating film 125 and the first insulating film 115. Located in

상기 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 상기 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The drain electrode and the source electrodes 140c and 140d may be formed of a single layer or multiple layers. When the drain electrode and the source electrodes 140c and 140d are a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), and chromium ( Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) may be made of any one or an alloy thereof.

또한, 상기 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.In addition, when the drain electrode and the source electrode (140c, 140d) is a multilayer, it may be composed of a double layer of molybdenum / aluminum-neodymium, a triple layer of molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum.

그리고, 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)과 동일층 상에 데이터 라인(140a), 커패시터 상부 전극(140b) 및 전원 라인(140e)이 위치할 수 있다.The data line 140a, the capacitor upper electrode 140b, and the power line 140e may be positioned on the same layer as the drain electrodes and the source electrodes 140c and 140d.

상기 화소 영역에 위치하는 데이터 라인(140a), 전원 라인(140e)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 상기 데이터 라인(140a) 및 전원 라인(140e)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타 늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The data line 140a and the power line 140e positioned in the pixel region may be formed of a single layer or multiple layers. When the data line 140a and the power line 140e are a single layer, molybdenum (Mo), Aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) may be made of any one or an alloy thereof. .

또한, 상기 데이터 라인(140a) 및 전원 라인(140e)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다. In addition, when the data line 140a and the power line 140e are multiple layers, a double layer of molybdenum / aluminum-neodymium, and a triple layer of molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum may be used.

특히, 상기 데이터 라인(140a) 및 전원 라인(140e)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다. In particular, the data line 140a and the power line 140e may be formed of a triple layer of molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum.

제 3 절연막(145)은 상기 데이터 라인(140a), 커패시터 상부 전극(140b), 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d)과 전원 라인(140e) 상에 위치한다. 상기 제 3 절연막(145)은 하부 구조의 단차를 완화시키기 위한 평탄화막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물 등을 액상 형태로 코팅한 다음 경화시키는 스핀 코팅(spin coating)법으로 형성하거나 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등의 무기물을 SOG(silicate on glass)법으로 형성할 수 있다.The third insulating layer 145 is positioned on the data line 140a, the capacitor upper electrode 140b, the drain and source electrodes 140c and 140d, and the power line 140e. The third insulating layer 145 may be a planarization layer for alleviating the step difference of the lower structure, and may form organic materials such as polyimide, benzocyclobutene series resin, acrylate, and the like in liquid form. It may be formed by spin coating (coating with) and then hardening, or inorganic materials such as silicon oxide or silicon nitride may be formed by a SOG (silicate on glass) method.

이와는 달리, 상기 제 3 절연막(145)은 패시베이션막일 수 있으며, 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.Alternatively, the third insulating layer 145 may be a passivation layer, and may be a silicon nitride layer (SiNx), a silicon oxide layer (SiOx), or a multilayer thereof.

제 3 절연막(145) 내에 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d) 중 어느 하나를 노출시키는 비어홀(165)이 위치하며, 제 3 절연막(145) 상에 비어홀(165)을 통하여 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 제 1 전극(160)이 위치한다.A via hole 165 exposing one of the drain and source electrodes 140c and 140d is disposed in the third insulating layer 145, and the drain and source electrode 140c is disposed on the third insulating layer 145 through the via hole 165. , The first electrode 160 is electrically connected to any one of 140d.

제 3 절연막(145) 상에는 제 1 전극(160) 상에 인접하는 제 1 전극들을 절연시키며, 제 1 전극(160)의 일부를 노출시키는 개구부(175)를 포함하는 제 4 절연막(155)이 위치한다. 제 4 절연막(155)은 화소정의막 또는 뱅크층으로 지칭될 수 있다.A fourth insulating layer 155 is positioned on the third insulating layer 145 and includes an opening 175 that insulates adjacent first electrodes on the first electrode 160 and exposes a portion of the first electrode 160. do. The fourth insulating layer 155 may be referred to as a pixel definition layer or a bank layer.

여기서, 유기전계발광표시장치의 구조 및 발광방식에 따라 각 전극 및 유기층의 적층구조를 도 8 내지 도 9를 통해 설명하기로 한다.Here, the stacked structure of each electrode and the organic layer according to the structure and the light emitting method of the organic light emitting display device will be described with reference to FIGS.

도 8 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 발광다이오드부를 나타내는 단면도이다.8 to 9 are cross-sectional views illustrating light emitting diodes of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8에 따른 발광다이오드부는 전면발광(top-emission)을 하며, 제 1 전극(160), 유기층(170w) 및 제 2 전극(180)으로 구성될 수 있다.The light emitting diode unit according to FIG. 8 performs top-emission, and may include a first electrode 160, an organic layer 170w, and a second electrode 180.

도 8에 따른 유기전계발광표시장치의 발광다이오드부는 제 1 기판(110) 상에는 제 1 전극(160), 유기층(170w) 및 제 2 전극(180)이 위치할 수 있다.In the organic light emitting diode display of FIG. 8, the first electrode 160, the organic layer 170w, and the second electrode 180 may be positioned on the first substrate 110.

여기서, 제 1 전극(160)은 애노드 전극이고, 제 2 전극(180)은 캐소드 전극일 수 있다.Here, the first electrode 160 may be an anode electrode, and the second electrode 180 may be a cathode electrode.

제 1 전극(160)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 투명전극(160a) 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사전극(160b)을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사전극을 포함하는 다중층 구조를 가질 수 있다.The first electrode 160 may further include a reflective electrode 160b formed of any one of aluminum (Al), silver (Ag), or nickel (Ni) under the transparent electrode 160a formed of any one of ITO, IZO, or ZnO. In addition, the present invention may have a multilayer structure including the reflective electrode between two layers made of any one of ITO, IZO, and ZnO.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기층(170w)은 백색발광하는 물질을 포함하는 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은 백색발광층이거나, 적색/청색/녹색 발광층의 조합에 따라 백색을 발광하는 발광층일 수 있다.The organic layer 170w according to an embodiment of the present invention may include a light emitting layer including a white light emitting material. The light emitting layer may be a white light emitting layer or a light emitting layer emitting white light according to a combination of a red / blue / green light emitting layer.

또한, 유기층(170w)은 발광층으로 전자와 정공의 주입 및 수송을 원활하게 하기 위하여 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함할 수 있다.In addition, the organic layer 170w may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order to facilitate injection and transport of electrons and holes into the light emitting layer.

본 도면에서는 유기층(170w) 내에 여러가지 층을 도시하였지만, 백색을 발광하는 유기층은 그 내부 구조가 다양하게 있을 수 있으므로, 특별히 각 층에 대한 명칭을 정의하지는 않기로 한다. Although various layers are illustrated in the organic layer 170w in the drawing, the organic layer emitting white light may have various internal structures, and thus, names for each layer are not particularly defined.

제 2 전극(180)은 캐소드 전극으로서, 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 재료로 매우 얇게 형성되어 유기층(170w)에서 발생하는 빛을 외부로 내보낼 수 있다.The second electrode 180 is a cathode electrode and is formed of a very thin material such as aluminum (Al) or silver (Ag) to emit light generated in the organic layer 170w to the outside.

도 9에 따른 전계발광표시장치의 발광다이오드부는 인버티드(inverted) 구조를 나타낸다. 따라서, 제 1 전극(160)은 캐소드 전극이고, 제 2 전극(180)은 애노드 전극일 수 있다.The light emitting diode portion of the electroluminescent display device shown in FIG. 9 has an inverted structure. Accordingly, the first electrode 160 may be a cathode electrode, and the second electrode 180 may be an anode electrode.

제 1 전극(160)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 단일층이나, 상기 물질의 다중층 등으로 이루어질 수 있다.The first electrode 160 may be formed of a single layer of molybdenum (Mo), aluminum (Al), silver (Ag), or the like, or a multilayer of the above materials.

제 2 전극(180)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 투명전극 등으로 이루어져서, 유기층(170w)에서 발생한 빛이 제 2 전극을 통해 직접 방출되거나, 제 1 전극(160)에 의해 반사된 후 방출될 수 있다.The second electrode 180 is made of a transparent electrode made of any one of ITO, IZO, or ZnO, and the light generated in the organic layer 170w is directly emitted through the second electrode or reflected by the first electrode 160. Can be released.

제 1 전극(160)과 제 2 전극(180) 사이에 있는 유기층(170w)은 발광층으로 전자와 정공의 주입 및 수송을 원활하게 하기 위하여 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함할 수 있다.The organic layer 170w between the first electrode 160 and the second electrode 180 may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order to facilitate injection and transport of electrons and holes into the light emitting layer. It may include.

다시 도 4를 참조하면, 상술한 구조를 가지는 제 1 기판은 컬러필터가 구비된 제 2 기판과 합착될 수 있다.Referring back to FIG. 4, the first substrate having the above-described structure may be bonded to the second substrate provided with the color filter.

제 2 기판(195) 상에는 컬러필터(185R, 185G, 185B)가 위치할 수 있다. 컬러필터(185R, 185G, 185B) 는 제 1 기판의 각 서브픽셀에 따른 유기층에 대응하여 위치할 수 있다. 컬러필터는 적색(185R)/녹색(185G)/청색(185B)의 순서로 각 서브픽셀마다 순차적으로 위치할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Color filters 185R, 185G, and 185B may be positioned on the second substrate 195. The color filters 185R, 185G, and 185B may be positioned to correspond to the organic layers according to each subpixel of the first substrate. The color filter may be sequentially positioned for each subpixel in the order of red 185R / green 185G / blue 185B, but is not limited thereto.

즉, 적색(R)/청색(B)/녹색(G)의 순서로 위치할 수도 있고, 적색(R)/ 청색(B)/녹색(G) 다음의 서브픽셀 순서에서 백색 컬러필터(185w)를 추가하거나 백색 컬러필터(185w)를 구성시키지 않음으로써 적색(R)/청색(B)/녹색(G)/백색(W)의 네 개의 서브픽셀 구조를 가질 수도 있는 것이다.That is, it may be located in the order of red (R) / blue (B) / green (G), and the white color filter (185w) in the subpixel order after red (R) / blue (B) / green (G). By adding or not configuring the white color filter 185w, it may have four subpixel structures of red (R), blue (B), green (G) and white (W).

본 도에서는 적색 컬러필터(185R)/녹색 컬러필터(185G)/청색 컬러필터(185B)의 순서로 조합된 제 2 기판에 대하여 설명하기로 한다.In the drawing, the second substrate combined in the order of the red color filter 185R / green color filter 185G / blue color filter 185B will be described.

제 2 기판(195) 상에는, 제 1 기판의 제 4 절연막(155)에 대응되어 블랙 매트릭스(190)가 위치할 수 있다. 쉽게 설명하면, 블랙 매트릭스(190)는 각각의 컬러필터(185R, 185G, 185B) 사이에 위치하며, 크롬(Cr) 단일층, 크롬옥사이드(CrOx)/크롬(Cr)의 이중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The black matrix 190 may be positioned on the second substrate 195 to correspond to the fourth insulating layer 155 of the first substrate. For simplicity, the black matrix 190 is positioned between each of the color filters 185R, 185G, and 185B, and may include a single layer of chromium (Cr) and a double layer of chromium oxide (CrOx) / chromium (Cr). It is not limited to this.

상기 컬러필터(185R, 185G, 185B) 및 상기 블랙매트릭스(190) 상에는 에폭시 계열, 폴리이미드 계열 또는 감광성 아크릴 계열 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 코팅층(194)이 더 위치하여, 제 2 기판(195)을 평탄화시킬 수 있으며 제 2 기판(195) 상에 위치한 컬러필터(185R, 185G, 185B)를 보호할 수 있다.On the color filters 185R, 185G, and 185B and the black matrix 190, a coating layer 194 made of any one of an epoxy-based, polyimide-based, or photosensitive acrylic-based material is further disposed, and the second substrate 195 is disposed thereon. May be planarized and the color filters 185R, 185G, and 185B positioned on the second substrate 195 may be protected.

컬러필터와 코팅층 사이에는 무기층(192)이 더 위치할 수 있다. 본 도면에서는 컬러필터와 코팅층 사이에 위치하는 무기층(192)을 도시하였지만, 무기층은 컬러필터와 제 2 기판 사이에 위치할 수도 있고, 양쪽에 모두 위치할 수도 있다.An inorganic layer 192 may be further positioned between the color filter and the coating layer. Although the inorganic layer 192 is shown between the color filter and the coating layer in this figure, the inorganic layer may be located between the color filter and the second substrate, or both.

이하에서는 도 5 내지 도 7을 통해 무기층(192)에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the inorganic layer 192 will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 무기층(192)이 컬러필터와 코팅층 사이에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 5, in the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment, an inorganic layer 192 may be positioned between the color filter and the coating layer.

무기층(192)은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2), 산화티타늄(TiO2) 등으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The inorganic layer 192 may be made of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), or the like, but is not limited thereto.

또한 무기층(192)은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2) 또는 산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나로 이루어지는 단일층일 수 있으나, 질화실리콘(SiNx)/산화실리콘(SiO2), 산화실리콘(SiO2)/ 산화티타늄(TiO2), 질화실리콘(SiNx)/ 산화티타늄(TiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)/ 산화티타늄(TiO2)/산화실리콘(SiO2) 등으로 이루어지는 다중층일 수 있다. 이 외에도 상술한 물질로 이루어지는 다른 조합에 따른 다 중층일 수도 있으며, 기타 다른 무기질 재료를 추가할 수 있다.In addition, the inorganic layer 192 may be a single layer made of any one of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO 2 ) or titanium oxide (TiO 2 ), but silicon nitride (SiNx) / silicon oxide (SiO 2 ) and silicon oxide (SiO 2 ) / titanium oxide (TiO 2 ), silicon nitride (SiNx) / titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ) / titanium oxide (TiO 2 ) / silicon oxide (SiO 2 ) Can be. In addition, it may be a multilayer according to other combinations of the above-described materials, and other inorganic materials may be added.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 제 2 기판상에 무기층(192)을 구비함으로써, 마이크로캐비티(microcavity) 현상을 이용하여 광효율과 색재현율을 높일 수 있는 효과가 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention has an effect of increasing light efficiency and color reproduction rate by using a microcavity phenomenon by providing an inorganic layer 192 on a second substrate.

디스플레이 장치에 있어서 마이크로 캐비티 현상이란 애노드전극, 발광층, 캐소드 전극으로 이루어진 발광다이오드에서 각 전극 및 유기층의 두께를 적절히 조절하여 빛의 발광스펙트럼을 변화시키는 것을 말한다.In the display device, the microcavity phenomenon refers to changing the emission spectrum of light by appropriately adjusting the thickness of each electrode and the organic layer in the light emitting diode including the anode electrode, the light emitting layer, and the cathode electrode.

그러나 원하고자 하는 마이크로 캐비티 효과를 내기 위해서는 애노드 전극, 캐소드 전극, 유기층(정공수송층, 정공주입층, 발광층, 전자주입층, 전자수송층) 간의 두께 조절이 적절히 이루어져야 하는데, 이를 콘트롤 하는 것은 매우 어려운 일이다. However, in order to achieve the desired microcavity effect, thickness control between the anode electrode, the cathode electrode, and the organic layer (hole transport layer, hole injection layer, light emitting layer, electron injection layer, electron transport layer) must be appropriately controlled. .

또한, 전극이나 유기층의 재료 및 두께가 바뀌거나 다이오드 외적인 부분의 구성요소가 수치범위나 재료가 변하더라도 마이크로캐비티 효과를 얻기 위하여 다시 다이오드부의 적정한 두께 조절이 필요하다.In addition, even if the material and the thickness of the electrode or the organic layer is changed, or the components of the non-diode part changes in the numerical range or material, it is necessary to adjust the thickness of the diode again to obtain the microcavity effect.

따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는 소자 내부의 구조, 특히 다이오드의 구조 및 그 변화에 의존하지 않고, 제 2 기판상에 별도의 무기층(192)을 형성시킴으로써 마이크로캐비티 현상에 의해 광효율 및 색재현율을 높일 수 있는 효과가 있다.Accordingly, the organic light emitting display device according to the present invention does not depend on the structure inside the device, in particular the structure of the diode and its change, and forms a separate inorganic layer 192 on the second substrate, thereby providing light efficiency by microcavity. And it is effective to increase the color reproducibility.

무기층(192)의 두께는 200 내지 450nm가 될 수 있다. 무기층의 두께가 200nm 이상이면 마이크로 캐비티 현상에 의해 유기전계발광표시장치의 색재현율을 높일 수 있으며, 무기층의 두께가 450nm 이하이면 유기전계발광표시장치의 색재현율을 높이면서 소자의 두께가 두꺼워짐으로 해서 발생하는 휴대의 불편함을 제거할 수 있다The thickness of the inorganic layer 192 may be 200 to 450 nm. If the thickness of the inorganic layer is 200 nm or more, the color reproducibility of the organic light emitting display device can be increased by the microcavity phenomenon. If the thickness of the inorganic layer is 450 nm or less, the thickness of the device is increased while the color reproducibility of the organic light emitting display device is increased. I can eliminate the inconvenience of carrying caused by baggage

도 6 내지 도 7을 참조하면, 무기층(192)은 컬러필터와 제 2 기판 사이에 위치할 수 있다. 또한, 무기층(192a, 192b)은 컬러필터와 제 2 기판 사이 및 컬러필터와 코팅층 사이에 모두 형성될 수도 있다.6 to 7, the inorganic layer 192 may be located between the color filter and the second substrate. In addition, the inorganic layers 192a and 192b may be formed both between the color filter and the second substrate and between the color filter and the coating layer.

본 도에 따른 무기층도 재료, 층의 구조 및 두께에 대해서는 도 5에서 설명한 바와 동일하므로, 설명을 생략하기로 한다.In the inorganic layer according to the present invention, the material, the structure, and the thickness of the layer are the same as those described with reference to FIG. 5, and thus descriptions thereof will be omitted.

또한, 도시되지는 않았으나, 유기층에서 발생되는 빛은 백색으로 동일하지만 적색, 청색, 녹색 컬러필터를 통과하면서 색좌표 및 효율은 현저히 달라질 수 있으므로, 각각의 컬러필터별로 구성되는 무기층의 두께는 달라질 수 있다.In addition, although not shown, the light generated in the organic layer is the same as white, but since the color coordinates and the efficiency may be significantly changed while passing through the red, blue, and green color filters, the thickness of the inorganic layer configured for each color filter may vary. have.

[비교예][Comparative Example]

적색Red 녹색green 청색blue 비고Remarks 색좌표Color coordinates (0.659,0.338)(0.659,0.338) (0.240,0.631)(0.240,0.631) (0.123,0.132)(0.123,0.132) 색재현율 : 76.9%Color Reproduction Rate: 76.9% 광효율(cd/A)Light efficiency (cd / A) 3.13.1 7.37.3 2.12.1

[실험예 1]Experimental Example 1

적색Red 녹색green 청색blue 비고Remarks TIO 2 두께(nm)TIO 2 thickness (nm) 230230 110110 100100 색좌표Color coordinates (0.667,0.338)(0.667,0.338) (0.235,0.661)(0.235,0.661) (0.120,0.131)(0.120,0.131) 색재현율 : 84.1%Color reproduction rate: 84.1% 광효율(cd/A)Light efficiency (cd / A) 3.83.8 8.58.5 2.92.9

[실험예 2]Experimental Example 2

적색Red 녹색green 청색blue 비고Remarks TIO 2 두께(nm)TIO 2 thickness (nm) 110110 110110 140140 색좌표Color coordinates (0.671,0.320)(0.671,0.320) (0.235,0.661)(0.235,0.661) (0.113,0.125)(0.113,0.125) 색재현율 : 87.1%Color reproduction rate: 87.1% 광효율(cd/A)Light efficiency (cd / A) 3.33.3 8.58.5 2.52.5

비교예 및 실험예 1, 2를 참고하면, 백색 유기층에서 발생하는 광은 색좌표가 (0.308,0.380)이고 광효율이 16.5cd/A이며, 상기 표에 나타난 색좌표와 광효율은 백색 유기층에서 발생하는 광이 적색, 청색, 녹색 컬러필터를 통과하고 난 후의 수치를 나타낸 것이다.Referring to Comparative Examples and Experimental Examples 1 and 2, the light generated in the white organic layer has color coordinates of (0.308, 0.380) and the light efficiency of 16.5 cd / A. The figures after passing through the red, blue and green color filters.

그 외 소자의 구조는 실험예에서 제 2 기판 상에 무기층을 추가한 것을 제외하고는 동일하다. 실험예 1 및 2에서는 컬러필터와 코팅층 사이에 산화실리콘(SiO2)/ 산화티타늄(TiO2)/산화실리콘(SiO2)을 추가했으며 산화실리콘(SiO2)운 각각 100nm의 두께로 형성하였다.The structure of the other elements is the same except that the inorganic layer was added on the second substrate in the experimental example. In Experimental Examples 1 and 2, silicon oxide (SiO 2 ) / titanium oxide (TiO 2 ) / silicon oxide (SiO 2 ) was added between the color filter and the coating layer, and silicon oxide (SiO 2 ) was formed to a thickness of 100 nm, respectively.

비교예와 실험예를 통해 알 수 있듯이, 컬러필터 상에 무기층(192)을 삽입함으로써 색재현율이 76.9%에서 84.1%/87.1%로 각각 증가했으며, 광효율 또한 증가했음을 알 수 있다. As can be seen from the comparative example and the experimental example, the color reproducibility increased from 76.9% to 84.1% / 87.1% by inserting the inorganic layer 192 on the color filter, and the light efficiency also increased.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. will be. Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the detailed description, and the meaning and scope of the claims and All changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 블록도이다.1 is a block diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2a내지 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브픽셀 회로의 일 예이다.2A to 2B illustrate an example of a subpixel circuit of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 평면도이다.3 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.5 to 7 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

도 8 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 발광다이오드의 단면도이다.8 to 9 are cross-sectional views of light emitting diodes of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

Claims (7)

박막트랜지스터를 포함하는 제 1 기판;A first substrate including a thin film transistor; 상기 제 2 기판 상에 위치하며, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극;A first electrode on the second substrate and connected to the thin film transistor; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기층;An organic layer on the first electrode; 상기 유기층 상에 위치하는 제 2 전극;A second electrode on the organic layer; 상기 유기층과 대응되어 위치하는 컬러필터를 포함하는 제 2 기판;A second substrate including a color filter positioned to correspond to the organic layer; 상기 컬러필터의 상부 또는 하부 중 적어도 어느 한 곳에 위치하는 무기층;An inorganic layer positioned on at least one of the upper and lower portions of the color filter; 을 포함하는 유기전계발광표시장치.Organic light emitting display device comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 전극은 캐소드 전극이고, 상기 제 2 전극은 애노드 전극인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the first electrode is a cathode electrode and the second electrode is an anode electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기층은 백색 발광하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic layer emits white light. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기층은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx) 또는 산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나로 이루어지는 단일층인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the inorganic layer is a single layer made of any one of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx) or titanium oxide (TiO 2 ). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기층은 산화실리콘(SiO2)/질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2)/산화티타늄(TiO2), 질화실리콘(SiNx)/산화티타늄(TiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)/질화실리콘(SiNx)/산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나로 이루어지는 다중층인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The inorganic layer may be silicon oxide (SiO 2 ) / silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO 2 ) / titanium oxide (TiO 2 ), silicon nitride (SiNx) / titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ). An organic light emitting display device, characterized in that the multilayer is made of any one of silicon nitride (SiNx) and titanium oxide (TiO 2 ). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 기판 상의 컬러필터는 적색, 청색 및 녹색 컬러필터가 순차적으로 배열된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The color filter on the second substrate is an organic light emitting display device, characterized in that the red, blue and green color filters are arranged in sequence. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기층의 두께는 200 내지 450nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device, characterized in that the thickness of the inorganic layer is 200 to 450nm.
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KR20160039105A (en) * 2014-09-30 2016-04-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display
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