KR20090054734A - Method for preparing of solar cell using plasma-surface-treatment - Google Patents

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Abstract

A method for manufacturing a solar cell is provided to improve efficiency of the solar cell by reducing the reflectance of the sunlight and a dead layer in an emitter layer by processing a front surface of the solar cell substrate with the plasma. A solar cell substrate(201) doped with a first conductive type impurity is prepared. An emitter layer(202) is formed by implanting the impurity of a second conductive type opposite to the first conductive type to the front surface of the solar cell substrate. The dead layer is reduced by processing the front surface of the solar cell substrate with the plasma. A reflection preventing layer(203) is formed in the front surface of the solar cell substrate. A front electrode(206) is contacted with the emitter layer by penetrating the reflection preventing layer. A back electrode(204) is contacted with the rear surface of the solar cell substrate. A BSF(Back Surface Field)(205) is formed in the rear surface in contact with the rear electrode.

Description

플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법{Method for preparing of solar cell using plasma-surface-treatment}Method for preparing solar cell using plasma surface treatment {Method for preparing of solar cell using plasma-surface-treatment}

본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지의 제조 공정에서 태양전지 기판의 전면과 후면을 플라즈마 처리하여 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell, and more particularly, to a method of manufacturing a solar cell using a plasma surface treatment that can improve the efficiency of the solar cell by plasma-processing the front and rear surfaces of the solar cell substrate in the solar cell manufacturing process. It is about.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 에너지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목받고 있다. 태양 에너지의 이용방법으로는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 에너지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양광(photons)을 전기 에너지로 변환시키는 태양광 에너지가 있으며, 태양광 에너지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하, '태양전지'라 함)를 일컫는다.Recently, as the prediction of depletion of existing energy sources such as oil and coal is increasing, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, solar energy is particularly attracting attention because it is rich in energy resources and has no problems with environmental pollution. There are two methods of using solar energy: solar energy that generates steam required to rotate turbines using solar heat, and solar energy that converts photons into electrical energy using the properties of semiconductors. In general, it refers to a solar cell (hereinafter referred to as a "solar cell").

태양전지의 기본적인 구조를 나타낸 도 1을 참조하면, 태양전지는 다이오드와 같이 p형 반도체(101)와 n형 반도체(102)의 접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호 작용으로 (-) 전하 를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다. 이를 광기전력효과(光起電力效果, photovoltaic effect)라 하는데, 태양전지를 구성하는 p형(101) 및 n형 반도체(102) 중 전자는 n형 반도체(102) 쪽으로, 정공은 p형 반도체(101) 쪽으로 끌어 당겨져 각각 n형 반도체(101) 및 p형 반도체(102)와 접합된 전극(103, 104)으로 이동하게 되고, 이 전극(103, 104)들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있다.Referring to FIG. 1 showing the basic structure of a solar cell, a solar cell has a junction structure of a p-type semiconductor 101 and an n-type semiconductor 102 like a diode, and when light is incident on the solar cell, Interaction with the materials that make up the semiconductor causes electrons with negative charge and electrons to escape, creating holes with positive charge, and as they move, current flows. This is called a photovoltaic effect. Among the p-type 101 and n-type semiconductors 102 constituting the solar cell, electrons are directed toward the n-type semiconductor 102 and holes are p-type semiconductors ( Pulled toward 101 and moved to the electrodes 103 and 104 bonded to the n-type semiconductor 101 and the p-type semiconductor 102, respectively, and when the electrodes 103 and 104 are connected by wires, electricity flows. Can be obtained.

태양전지의 출력 특성은 태양전지의 출력전류-전압곡선을 측정하여 평가한다. 출력전류-전압 곡선 상에서 출력전류 Ip와 출력전압 Vp의 곱 Ip×Vp가 최대가 되는 점을 최대출력 Pm이라 정의하고, 최대출력 Pm을 태양전지로 입사하는 총 광에너지(S×I: S는 소자면적, I는 태양전지에 조사되는 광의 강도)로 나눈 값을 변환효율 η로 정의한다. 변환효율 η를 높이기 위해서는 단락전류 Jsc(출력전류-전압 곡선 상에서 V=0 일 때의 출력전류) 또는 개방전압 Voc(출력전류-전압 곡선 상에서 I=0일 때의 출력전압)를 높이거나 출력전류-전압곡선의 각형에 가까운 정도를 나타내는 충실도(fill factor)를 높여야 한다. 충실도의 값이 1에 가까울수록 출력전류-전압곡선이 이상적인 각형에 근접하게 되고, 변환효율 η도 높아지는 것을 의미하게 된다.The output characteristics of the solar cell are evaluated by measuring the output current-voltage curve of the solar cell. The maximum output Pm is defined as the point where the product Ip × Vp of the output current Ip and the output voltage Vp becomes maximum on the output current-voltage curve, and the total light energy incident on the solar cell (S × I: S is The element area, I, is defined as the conversion efficiency η divided by the intensity of light irradiated to the solar cell. To increase the conversion efficiency η, increase the short-circuit current Jsc (output current when V = 0 on the output current-voltage curve) or open voltage Voc (output voltage when I = 0 on the output current-voltage curve) or output current. Increase the fill factor, which represents the square of the voltage curve. The closer the fidelity value is to 1, the closer the output current-voltage curve is to the ideal square and the higher the conversion efficiency η.

이러한 태양전지의 제조에 있어서, 태양전지 기판의 p-n 접합은 p형 또는 n형의 불순물이 도핑된 태양전지 기판을 확산로(diffusion furnace)에 넣고 상기 기판과 다른 도전형을 형성할 수 있는 가스를 확산로에 주입한 후 이를 태양전지 기판의 표면에 확산시켜 에미터층을 형성함에 의해 이루어진다.In the manufacture of such a solar cell, the pn junction of the solar cell substrate is a gas that can form a conductivity type different from the substrate by placing a solar cell substrate doped with p-type or n-type impurities into a diffusion furnace. After implanting into the diffusion furnace, it is diffused on the surface of the solar cell substrate to form an emitter layer.

종래에는 p-n 접합 형성 시에 전면 전극과 기판 간의 콘택 특성을 향상시키고, 높은 전류 수집율을 얻을 수 있는 쉘로우(shallow) 접합을 형성하기 위해 불순물을 과도하게 도핑하는 경향이 있었다. 이러한 경우, 에미터층의 최상층부(이하, '데드 레이어(dead layer)'라 명명함)는 도핑된 불순물의 농도가 실리콘 반도체 내에서의 고체 용해도 이상으로 증가하게 된다. 참고로, 데드 레이어는 대략 50 내지 200 ㎚ 정도의 두께를 갖는다. 그 결과, 에미터층 표면 부근에서 캐리어의 이동도가 감소하고 과도한 불순물과의 산란 영향으로 인해 캐리어의 재결합 속도가 증가하고 캐리어의 라이프 타임(life time)이 감소하는 문제가 유발되었다.Conventionally, there is a tendency to excessively dopants to form a shallow junction to improve the contact characteristics between the front electrode and the substrate and to obtain a high current collection rate when forming the p-n junction. In this case, the top layer of the emitter layer (hereinafter referred to as the 'dead layer') causes the concentration of the doped impurities to increase beyond the solid solubility in the silicon semiconductor. For reference, the dead layer has a thickness of about 50 to 200 nm. As a result, there is a problem that the mobility of the carrier is reduced near the emitter layer surface and the scattering effect with excessive impurities increases the recombination rate of the carrier and decreases the life time of the carrier.

본 발명은 상술한 종래기술의 문제를 해결하기 위해 창안된 것으로서, 태양전지 기판의 전면을 플라즈마로 처리하여 태양전지의 에미터층에 형성된 데드 레이어를 감소시키고 태양광의 반사도를 줄임으로써 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, by treating the entire surface of the solar cell substrate with plasma to reduce the dead layer formed on the emitter layer of the solar cell and to reduce the reflectance of the solar light efficiency of the solar cell It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a solar cell using plasma surface treatment which can be improved.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법은, (a) 제1도전형의 불순물이 도핑된 태양전지 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 불순물을 상기 태양전지 전면에 주입하여 에미터층을 형성하는 단계; (c) 상기 태양전지 기판의 전면을 플라즈마 처리하여 데드 레이어(dead layer)를 감소시키는 단계; (d) 상기 태양전지 기판의 전면에 반사방지막을 형성하는 단계; (e) 상기 반사방지막을 관통하여 전면 전극을 상기 에미터층에 콘택시키는 단계; 및 (f) 상기 태양전지 기판 후면에 후면 전극을 콘택시키고, 후면 전극과 접하는 기판 후면에 BSF(back surface field)를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a solar cell using plasma surface treatment, the method comprising: (a) preparing a solar cell substrate doped with impurities of a first conductivity type; (b) forming an emitter layer by implanting impurities of a second conductivity type opposite to the first conductivity type onto the solar cell; (c) plasma processing the entire surface of the solar cell substrate to reduce dead layers; (d) forming an anti-reflection film on the entire surface of the solar cell substrate; (e) contacting the front electrode to the emitter layer through the antireflection film; And (f) contacting a rear electrode on the rear surface of the solar cell substrate, and forming a back surface field (BSF) on the rear surface of the substrate in contact with the rear electrode.

본 발명에 있어서, 상기 (c) 단계는, CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합가스를 이용한 플라즈마에 의한 표면 처리 단계이다. 이 때, 플라즈마 처리는 대기압 하 또는 진공 분위기 하에서 진행될 수 있다.In the present invention, step (c) is a surface treatment step by plasma using any one selected from CF 4 , SF 6 , Cl, and O 2 or a mixed gas thereof. At this time, the plasma treatment may proceed under atmospheric pressure or under a vacuum atmosphere.

본 발명에 따르면, 태양전지의 제조 시 불순물 확산 공정에 의해 에미터층을 형성한 후 태양전지 기판의 전면을 플라즈마로 처리함으로써, 에미터층의 최상부에 형성된 데드 레이어의 두께를 감소시키면서 태양광의 반사율을 저감시킬 수 있다. 그 결과 태양전지의 단락전류와 개방전압을 증가시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by forming an emitter layer by the impurity diffusion process during the manufacturing of the solar cell, by treating the entire surface of the solar cell substrate with plasma, the reflectance of the solar light is reduced while reducing the thickness of the dead layer formed on the top of the emitter layer You can. As a result, the short-circuit current and the open voltage of the solar cell may be increased to improve the efficiency of the solar cell.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙 에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that it can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도들이다.2 to 6 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a solar cell using plasma surface treatment according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은, 먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1도전형의 불순물이 도핑된 태양전지 기판(201)을 준비한다. 바람직하게, 태양전지 기판(201)은 단결정이나 다결정 실리콘 기판 또는 비정질 실리콘 기판이다. 하지만, 본 발명이 이에 한하는 것은 아니다. 상기 태양전지 기판(201)은 전처리 공정으로 슬라이싱 가공 중에 태양전지 기판(201)의 표면에 발생된 소우 데미지(saw damage)를 습식 식각하여 제거한 기판이다.In the method of manufacturing a solar cell according to the present invention, first, as shown in FIG. 2, a solar cell substrate 201 doped with impurities of a first conductivity type is prepared. Preferably, the solar cell substrate 201 is a single crystal, a polycrystalline silicon substrate or an amorphous silicon substrate. However, the present invention is not limited thereto. The solar cell substrate 201 is a substrate removed by wet etching saw damage generated on the surface of the solar cell substrate 201 during slicing by a pretreatment process.

그런 다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 불순물을 상기 태양전지 기판(201)의 전면에 주입하여 에미터층(202)을 형성한다. 에미터층(202)이 형성되면, 태양전지 기판(201)에는 p-n 접합이 형성된다. 여기서, 태양전지 기판(201)은 p형 및 n형이 모두 사용될 수 있으며, 그 중 p형 기판은 소수 캐리어의 수명 및 모빌리티(mobility)가 커서(p형의 경우 전자가 소수 캐리어임) 가장 바람직하게 사용될 수 있다. p형 기판에는 대표적으로 B, Ga, In 등의 3족 원소들이 도핑되어 있다. 기판이 p형인 경우, n형 에미터층은 P, As, Sb 등의 5족 원소들을 확산시켜 형성한다.Next, as shown in FIG. 3, an impurity of the second conductivity type opposite to the first conductivity type is implanted into the entire surface of the solar cell substrate 201 to form an emitter layer 202. When the emitter layer 202 is formed, a p-n junction is formed on the solar cell substrate 201. Here, the p-type substrate and the n-type solar cell substrate 201 may be used, and the p-type substrate has a long life and mobility of minority carriers (in the case of p-type electrons are minority carriers), the most preferable. Can be used. The p-type substrate is typically doped with group III elements such as B, Ga, and In. When the substrate is p-type, the n-type emitter layer is formed by diffusing Group 5 elements such as P, As, and Sb.

상기 제2도전형의 에미터층(202)을 형성할 때에는, 먼저 태양전지 기판(201)을 확산로(diffusion furnace)에 넣고, 산소 가스와 제2도전형의 불순물 가스를 주입하여 기판 상에 불순물이 유입된 산화막을 형성한다. 여기서, 태양전지 기판(201)이 p형인 경우, 불순물 가스로는 POCl3가 사용될 수 있다. 그런 다음, 고온 열처리를 통해 산화막 내의 불순물을 태양전지 기판(201) 표면으로 드라이브-인(drive-in) 시킨다. 그리고 나서, 기판 표면에 잔류하는 산화막인 PSG막을 제거한다. 그러면 태양전지 기판(201)에는 소정 두께의 에미터층(202)이 형성된다. 에미터층(202)은 여기에서 설명된 방법 이외에도 본 발명이 속한 기술분야에서 공지된 여러 가지 방법들을 사용하여 형성할 수 있다.When the emitter layer 202 of the second conductivity type is formed, the solar cell substrate 201 is first placed in a diffusion furnace, and an oxygen gas and an impurity gas of the second conductivity type are injected to impurity on the substrate. This inflow oxide film is formed. Here, when the solar cell substrate 201 is p-type, POCl 3 may be used as the impurity gas. Then, impurities in the oxide film are drive-in to the surface of the solar cell substrate 201 through high temperature heat treatment. Then, the PSG film, which is an oxide film remaining on the substrate surface, is removed. Then, the emitter layer 202 having a predetermined thickness is formed on the solar cell substrate 201. Emitter layer 202 may be formed using a variety of methods known in the art, in addition to the methods described herein.

상술한 불순물 확산 공정을 통해 에미터층(202)에 주입된 n형 불순물의 농도는 에미터층(202)의 표면에서 가장 높고 에미터층(202)의 내부로 들어갈수록 가우시안 분포 또는 에러 함수에 따라 감소된다. 그리고 확산 공정의 진행 시 충분한 량의 n형 불순물이 확산될 수 있도록 공정 조건이 조절되었으므로 에미터층(202)의 최상부에는 고체 용해도 이상의 농도로 n형 불순물이 도핑된 데드 레이어(202')가 존재하게 된다. The concentration of the n-type impurity injected into the emitter layer 202 through the impurity diffusion process described above is the highest on the surface of the emitter layer 202 and decreases according to the Gaussian distribution or error function as it enters the emitter layer 202. . Since the process conditions are adjusted so that a sufficient amount of n-type impurities can be diffused during the diffusion process, the dead layer 202 ′ doped with n-type impurities at a concentration higher than the solid solubility is present at the top of the emitter layer 202. do.

상기 에미터층(202)이 형성되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(201)의 전면에 대해서 플라즈마를 이용한 표면 처리를 시행한다. 여기서, 플라즈마(plasma)는 중성가스 분자가 전자(Electron), 이온(Ion), 자유기(Free Radical) 등이 포함된 활성물질로 여기된 상태를 말한다. 전자는 전장 중에서 전위차로 인하여 가속되는데, 전자가 가속되는 과정 중 다른 가스 분자와 충돌되면서 여기되는 에너지를 방사하게 되고, 충격을 받은 원자가 여기되면서 또 다시 전자를 방출하게 된다. 이러한 과정이 반복되면서, 전자, 이온, 자유기 및 중성분자가 동시에 존재하는 상태가 되는데 이를 플라즈마 상태라고 부른다. 그리고 기본적으로 플라즈마 는 부분적으로 해리된 가스 및 동일한 양의 양전하와 음전하를 띠는 입자로 구성되며, 그 중 함유되는 상기 가스는 높은 활성을 지니고 있다.When the emitter layer 202 is formed, as shown in FIG. 4, surface treatment using plasma is performed on the entire surface of the solar cell substrate 201. Here, the plasma refers to a state in which a neutral gas molecule is excited with an active material including electrons, ions, free radicals, and the like. The electrons are accelerated by the potential difference in the electric field. The electrons collide with other gas molecules during the acceleration process, radiating the excited energy, and the impacted atoms are excited to emit electrons again. As this process is repeated, electrons, ions, free groups, and heavy components exist simultaneously, which is called a plasma state. Basically, the plasma is composed of partially dissociated gas and particles having the same amount of positive and negative charges, among which the gas contained therein has high activity.

상기 태양전지 기판(201)의 전면에 대해서 그 표면을 플라즈마 처리할 때에는, 먼저, 플라즈마 처리를 위한 진공 또는 대기압 챔버 내에 태양전지 기판(201)의 전면이 표면 처리될 수 있도록 위치시킨 상태에서 챔버 내에 플라즈마 가스를 주입시킨다. 이때 주입되는 플라즈마 가스로는 CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합가스이다. 그리고, 주입된 플라즈마 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨 후 태양전지 기판(201)의 전면을 표면 처리한다.When plasma treating the surface of the front surface of the solar cell substrate 201, first, the front surface of the solar cell substrate 201 is positioned in the vacuum or atmospheric chamber for plasma treatment so as to be surface treated. Inject plasma gas. In this case, the injected plasma gas may be any one selected from CF 4 , SF 6 , Cl, and O 2 or a mixed gas thereof. After the injected plasma gas is excited in a plasma state, the entire surface of the solar cell substrate 201 is surface treated.

태양전기 기판(201)의 전면에 대한 플라즈마 표면 처리가 이루어지는 과정에서, 에미터층(202)의 최상부에 고체 용해도 이상의 농도로 n형 불순물이 도핑된 데드 레이어(202')가 플라즈마의 식각 작용에 의해 제거된다. 또한, 데드 레이어(202')가 제거되는 과정에서 기판(201) 최상부 표면의 결함이 함께 제거되면서 태양광의 반사도 또한 감소하게 된다.During the plasma surface treatment of the entire surface of the solar cell substrate 201, the dead layer 202 ′ doped with n-type impurities at a concentration above the solid solubility at the top of the emitter layer 202 is etched by the plasma etching process. Removed. In addition, as the dead layer 202 ′ is removed, defects on the top surface of the substrate 201 are also removed, thereby reducing the reflection of sunlight.

태양전지 기판(201) 전면의 플라즈마 처리가 완료되면, 엣지 분리(edge isolation) 공정을 진행하여 기판 후면에 존재하는 제2도전형 불순물의 도핑층을 제거한다. 엣지 분리는 기계적 스크라이빙, 레이저 식각 또는 플라즈마 식각 등의 공지된 방법을 이용하여 시행한다. 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 엣지 분리 공정에서는 태양전지 기판(201)의 측면에 위치하는 제2도전형 불순물의 도핑층도 함께 제거할 수 있음은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다.When the plasma treatment on the entire surface of the solar cell substrate 201 is completed, an edge isolation process is performed to remove the doped layer of the second conductive impurity present on the rear surface of the substrate. Edge separation is carried out using known methods such as mechanical scribing, laser etching or plasma etching. Although not shown in the drawings, in the edge separation process, the doping layer of the second conductive impurities located on the side of the solar cell substrate 201 may also be removed together with those skilled in the art. Self-explanatory

엣지 분리 공정이 완료되면, 도 6에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(201)의 전면에 형성된 에미터층(202) 상에 반사방지막(203)을 형성한다. 반사방지막(203)은 태양광에 대한 반사율을 낮추기 위해 형성되는 것으로, 대표적으로 실리콘나이트라이드를 포함하여 이루어질 수 있으며, 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 형성될 수 있다. 그리고, 상기 반사방지막(203)을 관통하며 에미터층(202)에 콘택되도록 전면 전극(206)을 형성하고, 상기 태양전지 기판(201)의 반사방지막(203)이 형성된 면과 반대 면에 후면 전극(204)을 형성한다. 전면 전극(206) 및 후면 전극(204)의 형성 순서는 제한되지 않아, 어느 전극을 먼저 형성하여도 무방하다. When the edge separation process is completed, as shown in FIG. 6, an anti-reflection film 203 is formed on the emitter layer 202 formed on the entire surface of the solar cell substrate 201. The anti-reflection film 203 is formed to lower reflectance to sunlight, and may be typically including silicon nitride, and in the group consisting of plasma chemical vapor deposition (PECVD), chemical vapor deposition (CVD), and sputtering It can be formed by the method selected. The front electrode 206 is formed to penetrate the anti-reflection film 203 and contact the emitter layer 202, and a rear electrode on a surface opposite to the surface on which the anti-reflection film 203 of the solar cell substrate 201 is formed. 204 is formed. The order of forming the front electrode 206 and the back electrode 204 is not limited, and any electrode may be formed first.

전면 전극(206)은 은과 글라스 프릿을 포함하는 통상의 전면 전극 형성용 페이스트를 소정 패턴에 따라 반사방지막(203) 위에 스크린 인쇄한 후 열처리 과정을 거쳐 형성될 수 있으며, 열처리를 통해 전면 전극(206)은 반사방지막(203)을 관통하여 에미터층(202)과 콘택되게 된다(punch through). 상기 전면 전극(206)은 은을 포함하고 있어 전기 전도성이 우수하다.The front electrode 206 may be formed by screen printing a conventional front electrode forming paste including silver and glass frit on the anti-reflection film 203 according to a predetermined pattern and then performing a heat treatment process. 206 penetrates the antireflection film 203 and contacts the emitter layer 202. The front electrode 206 includes silver and has excellent electrical conductivity.

후면 전극(204)은 알루미늄을 포함하는 통상의 후면 전극 형성용 페이스트를 상기 태양전지 기판(201)의 후면에 도포한 후 열처리함에 의해 형성될 수 있으며, 열처리에 의해 태양전지 기판(201)은 후면 전극(204)과 접하는 면으로부터 소정 깊이까지 전극 형성 물질(Al)이 도핑되어 BSF(back surface field)(205)가 형성된다. 후면 전극(204)은 알루미늄을 포함하고 있으므로 전기 전도성이 우수할 뿐만 아니라 실리콘과의 친화력이 좋아서 접합성이 우수하다. 또한, 알루미늄은 3족 원소로서 태양전지 기판(201)과의 접면에서 P+층, 즉 BSF(205)을 형성하여 캐리어들이 표면에서 사라지지 않고 BSF 방향으로 모이도록 한다. 본 발명에서는 태양전지 기판(201)의 후면을 플라즈마 표면 처리를 통해 평탄화시킴으로써, 상기 BSF(205)의 형성에 있어 종래보다 균일한 형성이 가능하여 BSF(205)에 의한 효과가 향상되어 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다.The rear electrode 204 may be formed by applying a conventional rear electrode forming paste including aluminum to the rear surface of the solar cell substrate 201 and then heat treating the solar cell substrate 201 by the heat treatment. The electrode forming material Al is doped to a predetermined depth from a surface in contact with the electrode 204 to form a back surface field (BSF) 205. Since the rear electrode 204 includes aluminum, not only the electrical conductivity is excellent, but also the affinity with silicon is excellent, and the bonding property is excellent. In addition, aluminum forms a P + layer, that is, BSF 205 at the interface with the solar cell substrate 201 as a group 3 element, so that the carriers are collected in the BSF direction without disappearing from the surface. In the present invention, by flattening the rear surface of the solar cell substrate 201 through plasma surface treatment, the formation of the BSF 205 can be more uniform than the conventional, the effect of the BSF 205 is improved to improve the The efficiency can be increased.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and is intended by those skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims to be described.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되지 않아야 한다.The following drawings attached to this specification are illustrative of the preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the invention serves to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention is a matter described in such drawings It should not be construed as limited to.

도 1은 태양전지의 기본적인 구조를 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram showing the basic structure of a solar cell.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도들이다.2 to 6 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a solar cell using plasma surface treatment according to a preferred embodiment of the present invention.

Claims (11)

제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계,Forming an emitter layer having a second conductivity type opposite to the first conductivity type on a substrate having a first conductivity type, 상기 에미터층이 형성된 기판의 한 면을 플라즈마 처리하는 단계,Plasma treating one surface of the substrate on which the emitter layer is formed; 상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고Forming a first electrode connected to the emitter layer, and 상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계Forming a second electrode separated from the first electrode and connected to the substrate 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.Method for manufacturing a solar cell comprising a. 제1항에서,In claim 1, 상기 플라즈마 처리된 기판의 한 면은 빛이 입사되는 입사면인 태양 전지의 제조 방법.One surface of the plasma-treated substrate is a solar cell manufacturing method of the incident surface incident light. 제1항에서,In claim 1, 상기 플라즈마 처리 단계는,The plasma treatment step, 상기 에미터층이 형성된 상기 기판을 챔버 내에 위치시키는 단계,Positioning the substrate in which the emitter layer is formed in a chamber, 상기 챔버 내에 플라즈마 소스 가스를 주입하는 단계, 그리고Injecting a plasma source gas into the chamber, and 상기 플라즈마 소스 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 단계Exciting the plasma source gas into a plasma state 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.Method for manufacturing a solar cell comprising a. 제3항에서,In claim 3, 상기 플라즈마 소스 가스는 CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 하나 또는 이들의 혼합 가스인 태양 전지의 제조 방법.The plasma source gas is one of CF 4 , SF 6 , Cl and O 2 or a mixed gas thereof manufacturing method of a solar cell. 제3항에서,In claim 3, 상기 챔버는 진공 또는 대기압 분위기를 갖는 태양 전지의 제조 방법.The chamber is a method of manufacturing a solar cell having a vacuum or atmospheric pressure atmosphere. 제1항에서,In claim 1, 상기 플라즈마 처리 단계 후, 상기 플라즈마 처리되지 않은 기판 면에 형성된 에미터층을 제거하는 단계를 더 포함하고,After the plasma processing step, removing the emitter layer formed on the surface of the non-plasma substrate; 상기 제2 전극은 상기 에미터층이 제거된 기판 면에 형성되는The second electrode is formed on the substrate surface from which the emitter layer is removed 태양 전지의 제조 방법.Method for manufacturing a solar cell. 제1항에서,In claim 1, 상기 제2 전극 형성 단계는 상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 BSF를 형성하는 단계를 포함하고,Forming the second electrode includes forming a BSF between the substrate and the second electrode, 상기 제2 전극은 상기 BSF를 통해 상기 기판과 연결되는 The second electrode is connected to the substrate through the BSF 태양 전지의 제조 방법.Method for manufacturing a solar cell. 제1항에서,In claim 1, 상기 에미터층 형성 단계 후, 상기 에미터층 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.And forming an anti-reflection film on the emitter layer after the emitter layer forming step. 제8항에서,In claim 8, 상기 제1 전극 형성 단계는 상기 반사 방지막 위에 제1 전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계 그리고 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 도포된 상기 기판을 열처리하여, 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 연결되는 상기 제1 전극으로 형성되는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.The forming of the first electrode may include applying a first electrode forming paste on the antireflective film and heat treating the substrate on which the first electrode forming paste is applied, so that the first electrode forming paste is formed on the antireflective film. Forming a first electrode connected to the emitter layer through the solar cell. 제1항에서,In claim 1, 상기 기판은 실리콘 기판인 태양 전지의 제조 방법.The substrate is a silicon substrate manufacturing method of a solar cell. 제10항에서,In claim 10, 상기 기판은 단결정 실리콘 기판, 다결정 실리콘 기판 및 비정질 실리콘 기판 중 하나인 태양 전지의 제조 방법.Wherein said substrate is one of a single crystal silicon substrate, a polycrystalline silicon substrate, and an amorphous silicon substrate.
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