KR20090033159A - Ac light emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 교류전원에 직접 연결하여 동작시킬 수 있는 발광다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 양자 효율 등의 성능이 개선된 교류용 발광다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode that can be operated by connecting directly to an AC power source, and more particularly, to an AC light emitting diode having improved performance such as quantum efficiency.
발광다이오드는 N형 반도체와 P형 반도체가 서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발산한다. 이러한 발광다이오드는 표시소자 및 백라이트로 널리 이용되고 있다. 또한, 발광다이오드는 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길어, 백열전구 및 형광등을 대체하여 일반 조명 용도로 그 사용 영역을 넓히고 있다.The light emitting diode is a photoelectric conversion semiconductor device having a structure in which an N-type semiconductor and a P-type semiconductor are bonded to each other, and emit light by recombination of electrons and holes. Such light emitting diodes are widely used as display devices and backlights. In addition, the light emitting diodes consume less power and have a longer lifespan than conventional light bulbs or fluorescent lamps, thereby replacing the incandescent lamps and fluorescent lamps, thereby expanding their use area for general lighting.
발광다이오드는 교류전원하에서 전류의 방향에 따라 온/오프를 반복한다. 따라서, 발광다이오드를 교류전원에 직접 연결하여 사용할 경우, 발광다이오드가 연속적으로 빛을 방출하지 못하며, 역방향 전류에 의해 쉽게 파손되고 또한 동작 전압이 낮아 일반 교류전원에 직접 연결하여 사용할 수 없다.The light emitting diode is repeatedly turned on and off according to the direction of the current under an AC power supply. Therefore, when the light emitting diodes are directly connected to an AC power source, the light emitting diodes do not emit light continuously, are easily damaged by reverse current, and the operating voltage is low so that they cannot be directly connected to a general AC power source.
이러한 발광다이오드의 문제점을 해결하기 위해 발광다이오드와 교류전원 사이에 정류기를 배치하여 교류를 직류로 정류하여 발광다이오드를 동작시키는 방법 이 사용되기도 하나, 이러한 정류기의 필요성은 형광등과 같은 조명기구를 발광다이오드로 대체하는 것을 어렵게 한다. 또한, 복수개의 발광다이오드를 서로 역병렬로 연결하여 고전압 교류전원에 직접 연결하는 방법이 사용될 수 있으나, 많은 수의 발광다이오드들을 연결하여 동작시켜야 하므로, 발광 장치의 전체 크기가 커지고, 발광다이오드들을 각각 연결함에 따라 와이어 연결 등의 공정수가 증가하는 문제점이 있다.In order to solve the problem of the light emitting diode, a method of operating a light emitting diode by rectifying alternating current by direct current by arranging a rectifier between the light emitting diode and an alternating current power source, but the necessity of such a rectifier is required to illuminate a light fixture such as a fluorescent light emitting diode. Makes it difficult to replace In addition, a method of directly connecting a plurality of light emitting diodes in parallel to each other and directly connecting to a high voltage AC power source may be used. However, since a large number of light emitting diodes must be connected and operated, the overall size of the light emitting device is increased, and the light emitting diodes are respectively connected. There is a problem that the number of processes, such as wire connection increases as the connection.
이에 대하여, 단일 칩 레벨에서 교류전원에 연결하여 동작할 수 있는 교류용 발광다이오드가 종래에 제안된 바 있다. 종래의 교류용 발광다이오드는 단일 기판 상에 복수의 발광셀이 2차원으로 배열된 구조로 이루어진다. 전술한 발광셀들은 단일 기판 상에서 성장된 질화갈륨계 반도체층들로 이루어진다.In contrast, an AC light emitting diode capable of operating by connecting to an AC power source at a single chip level has been conventionally proposed. Conventional AC light emitting diodes have a structure in which a plurality of light emitting cells are arranged in two dimensions on a single substrate. The light emitting cells described above are made of gallium nitride based semiconductor layers grown on a single substrate.
위와 같은 종래의 교류용 발광다이오드는, 실질적으로 기판 위의 모든 평면 영역이 발광영역이 되는 직류용 발광다이오드와 비교할 때, 발광영역의 면적이 적다는 문제점이 있다. 이는 단일 기판 상에 배열된 발광셀에 국한하여 발광이 이루어지는 것에 기인하며, 정해진 발광다이오드 칩의 면적 하에서 발광량을 감소시킨다. The conventional AC light emitting diode as described above has a problem in that the area of the light emitting area is smaller than that of the DC light emitting diode in which substantially all planar areas on the substrate become light emitting areas. This is due to light emission limited to light emitting cells arranged on a single substrate, and reduces the amount of light emission under a predetermined area of the light emitting diode chip.
이에 따라, 본 발명자 등은, 발광셀의 채용에 의해 발광 영역의 면적이 상대적으로 감소된 교류용 발광다이오드에서, 발광 영역의 감소에 의한 발광량 저하를 양자 효율(특히, 내부 양자 효율)을 높이는 것에 의해 보상하는 기술을 제안하게 되었다. Accordingly, the inventors of the present invention have found that in the AC light emitting diode in which the area of the light emitting area is relatively reduced by employing the light emitting cell, the decrease in the light emission amount due to the reduction of the light emitting area is used to increase the quantum efficiency (especially the internal quantum efficiency). To make up for it.
교류용 발광다이오드를 제조함에 있어서, 복수의 발광셀을 형성하기 위해, 단일 기판 상에서 질화갈륨계 반도체층들을 차례로 성장시킨 후, 발광셀들이 되는 영역을 남기고 질화갈륨게 반도체층들을 기판에 이르는 깊이로 제거하는 공정이 이용된다. 이때, 상기 질화갈륨계 반도체층들을 성장시키는 단일 기판으로는 c면{0001} 기판, 특히, c면 사파이어 기판이 이용된다.In manufacturing an AC light emitting diode, in order to form a plurality of light emitting cells, gallium nitride-based semiconductor layers are sequentially grown on a single substrate, and the gallium nitride semiconductor layers are formed to a depth to the substrate, leaving a region of light emitting cells. The removal process is used. In this case, a c-plane {0001} substrate, in particular, a c-plane sapphire substrate is used as a single substrate for growing the gallium nitride-based semiconductor layers.
질화갈륨 또는 그것의 화합물들은 서로 120ㅀ회전되고 고유 c축과 모두 수직인 등가 기저면의 축들에 의해 표현되는 도 5에 도시된 것과 같은 육방정계 결정 구조에서 가장 안정하다. 도 5를 참조하여 설명하면, 결정 구조 내에서의 갈륨과 질소 원자의 위치의 결과로, 각 평면은 c축을 따라 평면별로 진행함에 따라 한 종류의 원자, 즉, Ga 또는 N만을 포함한다. 전하 중성을 유지하기 위해, GaN 결정은 질소 원자만을 포함하는 하나의 c면과 갈륨 원자만을 포함하는 하나의 c면으로 경계를 이룬다. 그 결과, GaN 결정은 c축을 따라 분극화되며, 이들 결정의 자발적인 분극은 벌크 속성으로서의 결정 구조 및 조성에 의존한다.Gallium nitride or its compounds are most stable in a hexagonal crystal structure such as that shown in Figure 5, represented by equivalent base plane axes that are rotated 120 ° to each other and all perpendicular to the intrinsic c-axis. Referring to FIG. 5, as a result of the positions of the gallium and nitrogen atoms in the crystal structure, each plane contains only one type of atom, Ga or N, as it progresses from plane to plane along the c axis. To maintain charge neutrality, GaN crystals are bounded by one c plane containing only nitrogen atoms and one c plane containing only gallium atoms. As a result, GaN crystals are polarized along the c-axis, and spontaneous polarization of these crystals depends on the crystal structure and composition as bulk properties.
Ga 원자가 포함된 c면{0001}을 성장시키는 상대적인 용이함으로 인해, 종래의 거의 모든 질화갈륨계 발광다이오드는 극성의(polar) c축에 평행하게 성장하여 형성된다. 또한, 인접하는 이종 층간의 인터페이스 응력은 압전 분극을 추가로 야기할 수 있으며, 이때, 총 분극은, 자발적인 분극과 압전에 의한 분극의 합이 된다.Due to the relative ease of growing the c plane {0001} containing Ga atoms, almost all conventional gallium nitride based light emitting diodes are formed by growing parallel to the polar c axis. In addition, the interface stress between adjacent heterogeneous layers can further cause piezoelectric polarization, where the total polarization is the sum of spontaneous polarization and polarization due to piezoelectric polarization.
앞서 언급한 바와 같이, 종래의 교류용 발광다이오드는 c축 방향을 따라 성장하는 질화갈륨계 반도체층들로 이루어진 발광셀들을 포함한다. 이러한 교류용 발광다이오드에 있어서, 강한 압전 및 자발적 분극에 의해, 발광다이오드의 c면 양자웰 구조들은 활성영역 내에서 원치 않는 양자-가둠 스타크 효과(Quantum-Confined Stark Effect;QCSE)의 영향을 받으며, c방향을 따른 강한 내부 전기장들에 의해 전자와 정공들이 공간적으로 분리되어, 전자와 정공 사이의 재결합 효율을 크게 떨어뜨린다. As mentioned above, the conventional AC light emitting diode includes light emitting cells made of gallium nitride based semiconductor layers growing along the c-axis direction. In such an alternating light emitting diode, due to strong piezoelectric and spontaneous polarization, the c-plane quantum well structures of the light emitting diode are affected by an unwanted quantum-confined stark effect (QCSE) in the active region. The strong internal electric fields along the c direction separate the electrons and holes spatially, greatly reducing the recombination efficiency between the electrons and the holes.
따라서, 본 발명의 하나의 기술적 과제는, 종래 교류용 발광다이오드의 단일 기판으로 이용되던 극성 기판 대신에, 비극성(nonpolar) 기판을 이용함으로써, 양자 효율을 향상시키고, 그에 의해, 칩당 발광 영역이 작은 교류용 발광다이오드의 발광 효율을 상승시키는데에 있다.Accordingly, one technical problem of the present invention is to improve the quantum efficiency by using a nonpolar substrate instead of a polar substrate conventionally used as a single substrate of an AC light emitting diode, whereby the light emitting area per chip is small. It is for raising the luminous efficiency of an AC light emitting diode.
또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는, 제한된 크기의 칩 레벨에서 양호한 동작 특성 및 광출력을 확보할 수 있도록 발광셀들을 배열시킨 발광다이오드를 제공하는데에 있다. In addition, another technical problem of the present invention is to provide a light emitting diode in which light emitting cells are arranged to ensure good operating characteristics and light output at a limited chip level.
본 발명의 또 다른 기술적 과제는, 동작시 특정 발광셀에 과전압이 인가되는 것을 방지할 수 있는 교류용 발광다이오드를 제공하는데에 있다.Another technical problem of the present invention is to provide an AC light emitting diode which can prevent an overvoltage from being applied to a specific light emitting cell during operation.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여, 본 발명은 교류용 발광다이오드를 제공한다. 본 발명의 실시예들에 따른 교류용 발광다이오드는 단일 기판 상에 2차원적으로 배열된 복수개의 발광셀들을 포함한다. 한편, 배선들이 상기 발광셀들을 전기적으로 연결한다. 상기 배선들에 의해 상기 발광셀들의 직렬 어레이가 형성된다. In order to achieve the above technical problem, the present invention provides an AC light emitting diode. The light emitting diode for alternating current according to the embodiments of the present invention includes a plurality of light emitting cells arranged two-dimensionally on a single substrate. Meanwhile, wires electrically connect the light emitting cells. The series array of light emitting cells is formed by the wirings.
이때, 상기 단일 기판은 비극성의 기판이고, 상기 발광셀들은 상기 비극성 기판 상에서 성장된 비극성의 질화갈륨계 반도체층들로 이루어진다. 일 실시예에 따라, 상기 질화갈륨계 반도체층들은, r면 사파이어 기판 또는 a-GaN 기판을 상기 비극성 기판으로 이용하여 성장된 a면 질화갈륨계 반도체층들일 수 있다. 다른 실시예에 따라, 상기 질화갈륨계 반도체층들은, m면 사파이어 기판 또는 m-GaN 기판을 상기 비극성 기판으로 이용하여 성장된 m면 질화갈륨계 반도체층들일 수 있다.In this case, the single substrate is a nonpolar substrate, and the light emitting cells are formed of nonpolar gallium nitride based semiconductor layers grown on the nonpolar substrate. In example embodiments, the gallium nitride based semiconductor layers may be a planar gallium nitride based semiconductor layers grown using an r surface sapphire substrate or an a-GaN substrate as the nonpolar substrate. According to another embodiment, the gallium nitride based semiconductor layers may be m surface gallium nitride based semiconductor layers grown using an m surface sapphire substrate or an m-GaN substrate as the nonpolar substrate.
본 명세서에서, 용어 '비극성의 기판' 또는 그와 유사한 의미의 '기판'은 비극성의 a면 또는 m면 질화갈륨계 화합물이 성장하는 r면, m면 또는 a면을 갖는 기판인 것으로 정의된다.In the present specification, the term 'nonpolar substrate' or 'substrate' in a similar meaning is defined as a substrate having an r surface, m surface or a surface on which the nonpolar a side or m side gallium nitride compound is grown.
상기 직렬 어레이는 교류전원에 연결되어 동작한다. 이때, 상기 직렬 어레이는 제1 및 제2 직렬 어레이를 포함할 수 있으며, 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들이 상기 교류전원에 역병렬로 연결됨으로써 동작할 수 있다. 또한, 상기 단일 기판 상에 형성된 발광셀들의 일부를 배선들에 의해 연결함으로써 브리지 정류기를 구성할 수 있으며, 상기 발광셀들의 직렬 어레이를 상기 브리지 정류기에 전기적으로 연결함으로써, 교류전원에 의해 상기 직렬 어레이를 동작시킬 수 있다. 이에 따라, 교류전원에 연결하여 동작시킬 수 있는 교류용 발광다이오드가 제공될 수 있다.The series array operates in connection with an AC power source. In this case, the series array may include first and second series arrays, and the first and second series arrays may be operated by being connected in anti-parallel to the AC power supply. In addition, a bridge rectifier may be configured by connecting a portion of the light emitting cells formed on the single substrate by wires, and electrically connecting the series array of the light emitting cells to the bridge rectifier to form the bridge rectifier. Can be operated. Accordingly, an AC light emitting diode that can be operated by being connected to an AC power source can be provided.
한편, 상기 발광셀들은 10∼30 ㎛ 범위 내의 거리로 서로 이격되어 횡방향 및 종방향으로 배열된다. 상기 발광셀들이 10㎛ 이하의 거리로 서로 이격될 경우, 발광셀들 사이의 거리가 좁아서 발광셀들 사이에 파티클 등의 오염물질들이 잔류하여 발광셀들 사이에서 누설전류를 유발할 수 있으며, 또한, 발광셀들을 분리하기 위한 식각 공정 및 배선을 형성하는 것이 어려워진다. 이에 더하여, 배선들 사이에서 단락이 발생될 수 있다. 또한, 상기 발광셀들이 30 ㎛ 이상의 거리로 서로 이격되어 배열된 경우, 발광셀들의 직렬 어레이의 턴온 전압 및 동작 전압이 상승하게 되고, 이에 따라 발광셀들의 동작시간이 짧아진다. 즉, 교류전원하에서 발광다이오드를 동작시킬 경우, 교류전원의 위상이 변함에 따라 발광셀들의 어레이에 인가되는 전압은 사인 파형을 그리면 변한다. 이때, 발광셀들의 직렬 어레이의 턴온전압 및 동작전압이 크면, 인가전압이 상당히 증가했을 때, 발광셀들이 턴온되어 동작하고, 인가전압이 작은 상태에서는 동작하지 않는다. 따라서, 턴온전압 및 동작전압이 높은 경우, 발광셀들이 동작하는 시간이 감소하게 되며, 그 결과, 발광다이오드에서 방출되는 광량이 감소될 뿐만 아니라, 발광다이오드가 턴오프되는 시간이 길어져, 광이 깜박거리며 방출되는 명멸현상(flicker)이 심해진다. 이에 더하여, 발광셀들 사이의 거리를 30 ㎛ 이상 이격시키기 위해서는 반도체층들을 식각하는 시간이 길어지고, 장시간 식각에 의해 발광셀들에 식각손상이 유발되기 쉽다.On the other hand, the light emitting cells are spaced apart from each other by a distance within the range of 10 ~ 30 ㎛ are arranged in the transverse direction and longitudinal direction. When the light emitting cells are spaced apart from each other by a distance of 10 μm or less, the distance between the light emitting cells is narrow, and contaminants such as particles may remain between the light emitting cells, causing leakage current between the light emitting cells. It becomes difficult to form an etching process and wiring for separating the light emitting cells. In addition, a short circuit may occur between the wirings. In addition, when the light emitting cells are arranged to be spaced apart from each other by a distance of 30 μm or more, the turn-on voltage and the operating voltage of the series array of light emitting cells increase, thereby shortening the operating time of the light emitting cells. That is, when the light emitting diode is operated under an AC power source, as the phase of the AC power source changes, the voltage applied to the array of light emitting cells changes when a sine wave is drawn. At this time, when the turn-on voltage and the operating voltage of the series array of light emitting cells are large, when the applied voltage is significantly increased, the light emitting cells are turned on to operate and do not operate when the applied voltage is small. Therefore, when the turn-on voltage and the operating voltage are high, the operation time of the light emitting cells is reduced, and as a result, the amount of light emitted from the light emitting diode is reduced, and the time that the light emitting diode is turned off is long, so that the light flickers. The flicker that is emitted from the street becomes worse. In addition, in order to space the distance between the light emitting cells by 30 μm or more, the etching time of the semiconductor layers becomes long, and the etching damage is likely to be caused to the light emitting cells by the long time etching.
횡방향에서의 상기 발광셀들 사이의 거리들(a)은 대체로 동일한 값을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 위 범위 내에서 서로 다른 값을 가질 수 있다. 또한, 종방향에서의 발광셀들 사이의 거리들(b)은 대체로 동일한 값을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 위 범위 내에서 서로 다른 값을 가질 수 있다.The distances a between the light emitting cells in the lateral direction may have substantially the same value, but are not limited thereto and may have different values within the above range. In addition, the distances b between the light emitting cells in the longitudinal direction may have substantially the same value, but are not limited thereto and may have different values within the above range.
한편, 상기 발광셀들 각각은 상기 비극서으이 기판 상에 형성된 비극성의 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층의 일 영역 상에 위치하는 비극성의 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 비극성의 활성층을 포함한다. 상기 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층은 III-V 화합물 반도체, 특히 (Al, In, Ga)N 계열의 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 배선들은 하나의 발광셀의 제1 도전형 반도체층과 그것에 인접한 발광셀의 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하여 상기 발광셀들의 직렬 어레이를 형성한다.On the other hand, each of the light emitting cells is a non-polar first conductive semiconductor layer formed on the substrate, the non-polar second conductive semiconductor layer located on one region of the first conductive semiconductor layer, and the And a nonpolar active layer interposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer, the active layer and the second conductivity type semiconductor layer may be formed of a III-V compound semiconductor, in particular, (Al, In, Ga) N-based nitride semiconductor. The wirings electrically connect the first conductive semiconductor layer of one light emitting cell and the second conductive semiconductor layer of the light emitting cell adjacent thereto to form a series array of the light emitting cells.
이에 더하여, 적어도 하나의 션트(shunt) 배선이 서로 역병렬로 연결되어 동작하는 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들 내의 대응하는 배선들을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 션트 배선은 동작시 역방향 전압이 인가된 직렬 어레이 내의 특정 발광셀에 과전압이 인가되는 것을 방지한다.In addition, at least one shunt wire may be electrically connected to corresponding wires in the first and second series arrays which operate in anti-parallel connection with each other. The shunt wiring prevents an overvoltage from being applied to a specific light emitting cell in a series array to which a reverse voltage is applied during operation.
상기 적어도 하나의 션트 배선은 상기 배선들과 동일한 재질로 상기 배선들과 함께 형성될 수 있다. 또한, 상기 적어도 하나의 션트 배선은 상기 발광셀들 사이에 배치될 수 있다.The at least one shunt wire may be formed together with the wires of the same material as the wires. In addition, the at least one shunt line may be disposed between the light emitting cells.
또한, 투명전극층이 상기 발광셀들 각각의 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성될 수 있다. 상기 투명전극층은 상기 제2 도전형 반도체층 내에 전류를 고르게 분산시킴과 아울러, 상기 활성층에서 생성된 광이 상기 제2 도전형 반도체층 상부로 방출되도록 한다.In addition, a transparent electrode layer may be formed on the second conductive semiconductor layer of each of the light emitting cells. The transparent electrode layer evenly distributes the current in the second conductive semiconductor layer, and emits light generated in the active layer onto the second conductive semiconductor layer.
한편, 반사층이 상기 발광셀들 각각의 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광셀들은 금속범프들을 통해 서브 마운트 기판 상에 플립본딩될 수 있다. 상기 반사층은 상기 활성층에서 생성된 광이 서브마운트 기판 쪽으로 향하는 것을 반사시키기 위해 채택된다.Meanwhile, a reflective layer may be formed on the second conductive semiconductor layer of each of the light emitting cells. In addition, the light emitting cells may be flip-bonded on the sub-mount substrate through metal bumps. The reflective layer is employed to reflect the light generated in the active layer towards the submount substrate.
상기 금속범프들을 상기 서브마운트 기판 상에 본딩하기 위해, 본딩 패턴들이 상기 서브마운트 기판 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 서브마운트 기판 상에 형성된 본딩패턴들로 상기 배선을 구성할 수 있다.Bonding patterns may be formed on the submount substrate to bond the metal bumps onto the submount substrate. In addition, the wiring may be configured by bonding patterns formed on the submount substrate.
본 발명에 따르면, 발광셀을 이루는 질화갈륨계 반도체층들의 비극 성(nonpolar) 구조의 채택에 의해, 활성영역 내에서의 전자와 정공의 재결합 효율 및 그에 따른 양자 효율의 향상이 가능하며, 따라서, 칩당 발광 영역의 면적이 작은 것에 기인하는 교류용 발광다이오드의 발광량 저하 현상이 크게 개선될 수 있다. According to the present invention, by adopting the nonpolar structure of the gallium nitride-based semiconductor layers constituting the light emitting cell, it is possible to improve the recombination efficiency of electrons and holes in the active region and thus the quantum efficiency. The reduction in the light emission amount of the AC light emitting diode due to the small area of the light emitting area per chip can be greatly improved.
본 발명에 따르면, 교류전원에 연결되어 연속적으로 동작할 수 있는 교류용 발광다이오드를 제공할 수 있으며, 또한 발광셀들의 이격거리를 10㎛내지 30㎛의 범위 내로 함으로써 턴온전압 및 동작전압을 낮출 수 있어, 교류전원에 의한 발광다이오드의 발광시간을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 발광다이오드에서 방출되는 광량을 증가시킬 수 있으며, 또한 교류용 발광다이오드의 명멸현상(flicker)을 완화시킬 수 있다. 이에 더하여, 발광셀들을 10㎛ 이상의 이격거리로 배열함으로써, 발광셀들 을 분리하는 공정이 쉽고 또한 상기 발광셀들을 연결하는 배선들을 용이하게 형성할 수 있으며, 배선들 사이에 발생되는 단락을 방지할 수 있다. 또한 발광셀들을 30㎛ 이하의 이격거리로 배열함으로써 발광셀들을 형성하기 위한 식각시간을 감소시킬 수 있으며, 따라서 발광셀들에 발생될 수 있는 식각손상을 감소시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an AC light emitting diode that can be continuously connected to an AC power source, and also to reduce the turn-on voltage and operating voltage by keeping the distance of the light emitting cells within the range of 10 μm to 30 μm. Therefore, the light emitting time of the light emitting diode by the AC power source can be increased. Accordingly, the amount of light emitted from the light emitting diodes can be increased, and flicker of the light emitting diodes for alternating current can be alleviated. In addition, by arranging the light emitting cells at a distance of 10 μm or more, the process of separating the light emitting cells can be easily formed, and the wirings connecting the light emitting cells can be easily formed, and a short circuit generated between the wirings can be prevented. Can be. In addition, by arranging the light emitting cells at a distance of 30 μm or less, the etching time for forming the light emitting cells can be reduced, and thus, the etching damage that can occur in the light emitting cells can be reduced.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the present invention can be fully conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 교류용 발광다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.1 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(21) 상에 복수개의 발광셀들(30)이 배열된다. 통상 상기 기판(21)은 제한된 크기를 가지며, 예컨대 2000ㅧ2000 ㎛2 이하의 크기를 갖는다. 상기 기판(21)의 크기는 단일칩의 크기를 의미하며, 현재 이러한 단일칩의 규격은 위 크기 이내에서 정해지고 있다.1 and 2, a plurality of light emitting
상기 발광셀들(30) 각각은 제1 도전형 반도체층(25)과, 상기 제1 도전형 반도체층(25)의 일 영역 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층(29) 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층(27)을 포함한다. 상기 제1, 제2 도전형 반도체층 및 활성층은 III-V 화합물 반도체로 형성될 수 있으며, 특히 (Al, In, Ga)N로 형성될 수 있다. 이때, 상기 발광셀들은 횡방향 및 종방향에서 10 ~ 30 ㎛의 범위 이내의 거리(a, b)로 서로 이격되어 배열된다. 이때, 횡방향에서의 발광셀들의 이격거리(a)는 대체로 동일한 값을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 값을 가질 수 있다. 또한, 종방향에서의 발광셀들의 이격거리(b)는 대체로 동일한 값을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 값을 가질 수 있다. Each of the light emitting
본 발명에 따라, 상기 기판(21)은 비극성 기판으로서, 본 실시예에서는 r 면{}(도 5 참조) 사파이어 기판을 이용한다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(25), 제 2 도전형 반도체층 반도체층(29), 및 활성층(27)을 포함하는 질화갈륨계 반도체층은 상기 r면 사파이어 기판 상에서 성장하여, 비극성의 질화갈륨계 반도체층들, 특히, a면{}(도 5 참조) 질화갈륨계 반도체층들이 된다.According to the present invention, the
상기 r면 사파이어 기판 대신에 a면{} 을 성장면으로 하는 a-GaN 기판이 이용될 수 있다. 이때, a-GaN 기판은 r면 사파이어 기판에 성장시켜 형성될 수 있다.A surface {instead of the r surface sapphire substrate { } An a-GaN substrate having a growth surface can be used. In this case, the a-GaN substrate may be formed by growing on an r-plane sapphire substrate.
또한, 상기 비극성 기판은, r면 사파이어 기판이나 a-GaN 기판 대신에, m면{}(도 5 참조) 사파이어 또는 m-GaN 기판이 이용될 수 있다. 그와 같은 비극성의 기판 상에서 성장되는 비극성의 질화갈륨계 반도체층들은 m면 질화갈륨계 반도체층들이 된다.In addition, the nonpolar substrate has an m plane {instead of an r plane sapphire substrate and an a-GaN substrate. } (See FIG. 5) A sapphire or m-GaN substrate can be used. The nonpolar gallium nitride based semiconductor layers grown on such a nonpolar substrate become m plane gallium nitride based semiconductor layers.
r면 또는 면 사파이어 기판 상에서 또는 a-Gan 기판 또는 m-Gan 기판 상에서 비극성 질화갈륨계 반도체층들을 성장시키는 방법에는, 예를 들면, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), LPE(Liquid Phase Epitaxy), PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Deposition) 등이 유리하게 이용될 수 있다.Methods for growing non-polar gallium nitride based semiconductor layers on an r-plane or plane sapphire substrate or on an a-Gan substrate or an m-Gan substrate include, for example, HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy), MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Liquid Phase Epitaxy (LPE), Plasma-Enhanced Chemical Deposition (PECVD) and the like may be advantageously used.
전술한 것과 같이 얻어진 비극성의 질화갈륨계 반도체층들은, 이종 계면들이 극성 c축에 평행하므로, 활성영역에서의 전자와 정공의 재결합율을 떨어뜨리는 분극에 의한 전자기장을 제거하여, 활성층(27) 내에서의 전자와 정공의 재결합 효율 개선에 의해 양자효율을 향상시켜준다.The nonpolar gallium nitride based semiconductor layers obtained as described above remove the electromagnetic field due to polarization, which degrades the recombination rate of electrons and holes in the active region, since the dissimilar interfaces are parallel to the polar c-axis. It improves the quantum efficiency by improving the recombination efficiency of electron and hole at.
상기 발광셀들(30)은 배선들(37)에 의해 서로 전기적으로 연결된다. 상기 배선들(37)은 하나의 발광셀의 제1 도전형 반도체층(25)과 그것에 인접한 다른 발광셀의 제2 도전형 반도체층(29)을 연결한다. 이때, 상기 제1 도전형 반도체층(25) 상에 제1 전극 패드(31)가 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상에 투명전극층(33)이 형성될 수 있다. 상기 투명전극층(33)은 인디움틴산화막(ITO) 또는 Ni/Au 등의 물질로 형성될 수 있다. 일반적으로, 상기 제2 도전형 반도체층(29)이 저항값이 큰 P형 반도체로 형성될 경우, 상기 투명전극층(33)은 상기 제2 도전형 반도체층(29)에서 전류가 고르게 분산되도록 한다. 또한, 상기 투명전극층(33)은 상기 활성층(27)에서 생성된 광에 대해 투광성을 가지므로, 광이 제2 도전형 반도체층(29)의 상부로 방출될 수 있다.The light emitting
도시한 바와 같이, 상기 배선들(37)은 제1 전극패드(31)와 투명전극층(33)을 서로 연결함으로써 이웃한 발광셀들의 제1 도전형 반도체층(25)과 제2 도전형 반도체층(29)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 투명전극층(33) 상에 제2 전극패드(도시하지 않음)가 더 형성될 수 있으며, 상기 배선(37)은 제2 전극패드를 통해 상기 투명전극층에 연결될 수 있다. 한편, 상기 배선들(37)에 의해 발광셀(30) 내의 제1 도전형 반도체층(25)과 제2 도전형 반도체층(29)이 단락되는 것을 방지하기 위해 발광셀들(30)과 배선들(37) 사이에 절연층(35)이 개재된다. 상기 절연층(35)은 발광셀들(30), 투명전극층(33) 및 제1 전극패드(31) 등이 형성된 기판 상에 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(Si3N4) 등을 전면 증착함으로써 형성될 수 있으며, 상기 투명전극층(33) 및 제1 전극패드(31)를 노출시키도록 패터닝된다. 상기 배선들(37)은 노출된 투명전극층(33)과 제1 전극패드(31)를 연결하도록 상기 절연층(35) 상에 형성된다.As illustrated, the
상기 배선들(37)에 의해 발광셀들(30)이 서로 직렬 연결된 제1 및 제2 직렬 어레이들(11, 13)이 형성된다. 동작시, 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들(11, 13)은 교류전원(도시하지 않음)에 서로 역병렬로 연결되어 동작한다. 따라서, 상기 발광다이오드는 교류전원의 위상변화에 따라 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들(11, 13)이 서로 교대로 동작하여 계속해서 광을 방출한다.First and second
한편, 적어도 하나의 션트(shunt) 배선(38)이 제1 및 제2 직렬 어레이들(11, 13) 사이의 대응하는 발광셀들을 전기적으로 연결한다. 션트 배선(38)은 제1 및 제2 직렬 어레이들(11, 13) 사이의 대응하는 발광셀들이 서로 동일한 전위를 갖게 한다. 이에 따라, 교류전원하에서 역병렬로 연결된 직렬 어레이들(11, 13)이 동작할 경우, 역방향 전압이 인가된 직렬 어레이 내의 특정 발광셀에 과전압이 인가되는 것을 방지하여 발광셀들을 보호한다. 상기 션트(shunt) 배선(38)은 제1 및 제2 직렬 어레이들(21, 23) 사이의 대응하는 발광셀들이 모두 동일한 전위를 갖도록 대부분의 발광셀들을 전기적으로 연결할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 몇몇 발광셀들을 연결할 수도 있다.Meanwhile, at least one
상기 션트 배선들(38)은 발광셀들(30) 사이에 배치될 수 있으며, 도시한 바 와 같이, 제1 및 제2 직렬 어레이들(11, 13) 내의 대응하는 배선들(37)을 서로 연결할 수 있다. 또한, 상기 션트 배선들(38)은 배선들(37)과 동일한 재질 및 동일한 공정을 사용하여 함께 형성될 수 있다.The
한편, 상기 발광다이오드를 교류전원에 연결하기 위해, 상기 기판, 즉, 비극성 기판 상에 패드들(41a, 41b)이 형성되며, 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들(11, 13)은 상기 패드들에 역병렬로 연결될 수 있다.Meanwhile, in order to connect the light emitting diode to an AC power source,
이에 더하여, 상기 배선들(37) 및 상기 발광셀들(30)을 보호하기 위해, 배선들이 형성된 기판 상에 보호층(39)이 형성될 수 있다. 상기 보호층(39)은 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(Si3N4) 등으로 형성될 수 있다.In addition, a
본 실시예에 있어서, 상기 발광셀들은 10 ~ 30 ㎛의 범위 이내의 횡방향 및 종방향 거리(a, b)로 서로 이격되어 배열된다. 상기 발광셀들을 10㎛보다 작은 거리로 이격시킬 경우, 발광셀들을 전기적으로 고립시키기 위한 식각 공정이 어렵고, 또한 발광셀들 사이에 파티클 등의 오염물질들이 잔류하게 되어 발광셀들 사이에서 전류누설이 발생될 수 있다. 또한, 발광셀들 사이의 거리가 10㎛보다 작은 경우, 절연층(33) 및 배선들(37)을 형성하기 어렵고, 배선들(37) 사이에 단락이 발생될 수 있다. 따라서, 발광셀들(30)을 10㎛ 이상 이격시킴으로써, 식각기술을 사용하여 발광셀들(30)을 쉽게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 절연층(35), 배선들(37) 및 션트 배선(38)을 쉽게 형성할 수 있다. 이에 더하여, 발광셀들 사이의 누설전류를 방지할 수 있다. 한편, 상기 발광셀들을 30㎛보다 큰 거리로 이격시킬 경우, 직렬 어 레이의 턴온전압이 과도하게 증가하여 교류용 발광다이오드의 동작시간이 감소하며, 따라서 발광다이오드에서 방출되는 광량이 감소하고, 빛이 깜박이는 명멸현상(flicker)이 심해질 수 있고, 또한 반도체층들을 식각하여 발광셀들(30)을 형성하는 동안, 식각시간이 과도하게 증가하여 발광셀들에 식각손상을 유발할 수 있다. 따라서, 발광셀들 사이의 거리를 30㎛ 이하로 제한함으로써, 교류용 발광다이오드의 명멸현상을 완화함과 아울러, 발광셀들에 발생될 수 있는 식각 손상을 감소시킬 수 있다.In the present embodiment, the light emitting cells are arranged spaced apart from each other by a lateral and longitudinal distance (a, b) within the range of 10 ~ 30 ㎛. When the light emitting cells are spaced at a distance smaller than 10 μm, an etching process for electrically isolating the light emitting cells is difficult, and contaminants such as particles remain between the light emitting cells, so that current leakage occurs between the light emitting cells. Can be generated. In addition, when the distance between the light emitting cells is smaller than 10 μm, it is difficult to form the insulating
한편, 본 실시예에 있어서, 제1 및 제2 직렬 어레이들(11, 13)이 서로 역병렬로 연결되어 동작하는 것을 설명하였으나, 단일 기판 상에 배선들에 의해 직렬연결된 단일의 직렬 어레이가 형성될 수도 있다. 이때, 상기 기판 상에 브리지 정류기가 형성되고, 상기 직렬 어레이가 브리지 정류기에 연결되어 교류전원하에서 동작할 수 있다. 한편, 상기 브리지 정류기는 상기 단일 기판 상에 형성된 발광셀들을 배선들을 이용하여 연결함으로써 형성될 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, it has been described that the first and
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 교류용 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view for describing an AC LED according to another embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 비극성의 기판(21) 상에 비극성의 질화갈륨계 반도체층들로 이루어진 복수개의 발광셀들(30)이 2차원적으로 배열된다. 또한, 상기 발광셀들(30)의 제2 도전형 반도체층들(29) 상에 투명전극층(33)이 형성될 수 있으며, 제1 도전형 반도체층들(25) 상에 제1 전극패드들(31)이 형성될 수 있다. 또한, 배선들(47)이 상기 발광셀들(30)을 전기적으 로 연결하여 직렬 어레이들을 형성한다. 다만, 본 실시예에 있어서, 상기 발광셀들(30)을 연결하는 배선들(47)은, 도 2를 참조하여 설명한 배선들(37)과 달리, 에어브리지(air bridge) 공정을 사용하여 형성된 것으로, 각 배선(47)은 그 접점부들을 제외한 부분들이 기판으로부터 떨어져 위치한다. 상기 에어브리지 배선(47)과 함께 직렬 어레이들 사이의 발광셀들을 연결하는 션트 배선(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 한편, 상기 에어브리지 배선들(47)은 발광셀들로부터 떨어져 위치하므로, 상기 배선들(47)에 의해 발광셀들의 제1 도전형 반도체층(25)과 제2 도전형 반도체층(29)이 단락되는 것을 방지하기 위한 절연층(35)은 생략된다.Referring to FIG. 3, as described with reference to FIGS. 1 and 2, a plurality of light emitting
본 실시예에 있어서, 상기 발광셀들은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이 횡방향 및 종방향에서 10~30 ㎛의 범위 이내로 서로 이격되어 배열된다.In the present embodiment, the light emitting cells are spaced apart from each other within a range of 10 to 30 μm in the transverse direction and the longitudinal direction as described with reference to FIGS. 1 and 2.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 비극성의 기판(21) 상에 비극성의 질화갈륨계 반도체층들로 이루어진 복수개의 발광셀들(30)이 2차원적으로 배열된다. 다만, 본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층에 각각 금속범프들(51, 55)이 형성되고, 상기 발광셀들(30)은 금속범프들(51, 55)을 통해 서브마운트 기판(61) 상에 플립본딩된다. 이때, 상기 제2 도전형 반도체층(29) 상에 반사층(53)이 형성되어, 활성층(27)에서 생성되어 서브마운트 기판(61) 쪽으로 향하는 광을 반사시킨다. 또한, 상기 금속범프들(51)과 상기 제1 도전형 반도체층들(25) 사이에 제1 전극패드들(31)가 개재될 수 있다.Referring to FIG. 4, as described with reference to FIG. 3, a plurality of light emitting
한편, 상기 서브마운트 기판 상에 상기 금속범프들(51, 55)을 본딩하기 위한 본딩 패턴들(63)이 형성될 수 있다. 또한, 발광다이오드를 교류전원에 전기적으로 연결하기 위한 패드들(도시하지 않음)이 상기 서브마운트 기판(61) 상에 형성될 수 있다. 도시한 바와 같이, 하나의 발광셀의 제1 도전형 반도체층(25)과 그것에 인접한 발광셀의 제2 도전형 반도체층이 하나의 본딩 패턴(63)에 전기적으로 본딩되도록 상기 발광셀들을 플립본딩함으로써 상기 본딩 패턴들(63)을 이용하여 상기 발광셀들(30)을 직렬 연결할 수 있다. 즉, 상기 본딩 패턴들(63)이 발광셀들을 연결하는 배선으로 기능할 수 있다. 이에 따라, 상기 본딩 패턴들(63)에 의해 상기 발광셀들(30)이 연결되어 제1 및 제2 직렬 어레이들(도 1의 11, 13)이 형성될 수 있다.Meanwhile,
본 실시예에 있어서, 상기 발광셀들(30)이 서브마운트 기판(61)에 플립본딩되므로, 동작하는 동안 발광셀들(30)에서 생성된 열을 서브마운트 기판(61)을 통해 방출할 수 있어 발광효율을 향상시킬 수 있다.In the present embodiment, since the light emitting
한편, 본 실시예에 있어서, 본딩패턴들(63)에 의해 발광셀들(30)이 서로 렬연결되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 발광셀들을 전기적으로 연결하는 배선들(도 2의 37 또는 도 3의 47)이 별도로 형성되고, 상기 발광셀들(30)은 대응하는 본딩패턴들에 각각 금속범프들을 통해 플립본딩될 수 있다. 이 경우, 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 금속범프들(51)은 생략될 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, it has been described that the light emitting
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 교류용 발광다이오드를 설명하기 위한 평면도.1 is a plan view for explaining an AC light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도.2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 교류용 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view for explaining an AC light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 교류용 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view for explaining an AC light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
도 5는 질화갈륨계 반도체층의 성장면 및 성장방향을 설명하기 위해 도시된 육방정계의 구조의 도면.5 is a diagram of the structure of a hexagonal system shown to explain the growth surface and the growth direction of the gallium nitride based semiconductor layer.
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KR101138977B1 (en) * | 2010-04-06 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | Light emitting device and method of fabricating the same |
-
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