KR20090011467A - A exhaust gas disposal appartus of semiconductor - Google Patents

A exhaust gas disposal appartus of semiconductor Download PDF

Info

Publication number
KR20090011467A
KR20090011467A KR1020070075093A KR20070075093A KR20090011467A KR 20090011467 A KR20090011467 A KR 20090011467A KR 1020070075093 A KR1020070075093 A KR 1020070075093A KR 20070075093 A KR20070075093 A KR 20070075093A KR 20090011467 A KR20090011467 A KR 20090011467A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust gas
semiconductor
gas
scrubber
outside air
Prior art date
Application number
KR1020070075093A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
히로시 이마무라
Original Assignee
칸켄 테크노 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칸켄 테크노 가부시키가이샤 filed Critical 칸켄 테크노 가부시키가이샤
Priority to KR1020070075093A priority Critical patent/KR20090011467A/en
Publication of KR20090011467A publication Critical patent/KR20090011467A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/78—Liquid phase processes with gas-liquid contact
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L55/00—Devices or appurtenances for use in, or in connection with, pipes or pipe systems
    • F16L55/07—Arrangement or mounting of devices, e.g. valves, for venting or aerating or draining
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)

Abstract

An exhaust gas disposal apparatus of semiconductor is provided to remove the water soluble gas or the dust and to prevent damage of the semiconductor manufacturing apparatus by using the entrance scrubber. The semiconductor exhaust gas treatment apparatus is connected to the chamber of the manufacturing apparatus for semiconductor through the inlet duct(22). The entrance scrubber(12) of wet type cleans the semiconductor exhaust gas(X) by the water ejected from the spray nozzle(12b). The furnace(14) performs heat decomposition on the semiconductor exhaust gas by using the heat of the electronic heater(34). The exit scrubber(16) of wet type is furnace cools the semiconductor exhaust gas by water. The exhaust fan(18) is mounted on the end part of the gas throughflow direction of the exit scrubber and exhausts the semiconductor exhaust gas.

Description

반도체 배기 가스 처리 장치{A exhaust gas disposal appartus of semiconductor}A exhaust gas disposal appartus of semiconductor

본 발명은 반도체 제조 장치로부터 배출되는 인체나 환경에 대하여 유해한 반도체 배기 가스를 열산화 분해하여 무해화하는 반도체 배기 가스 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor exhaust gas treating apparatus that thermally decomposes and detoxifies a semiconductor exhaust gas harmful to a human body or an environment discharged from a semiconductor manufacturing apparatus.

반도체 제조 장치에서는, 클리닝가스나 에칭가스 등으로서 여러 가지 종류의 불소화합물의 가스가 사용되고 있다. 이러한 불소화합물은 「PFCs(퍼플루오로컴파운드)」라고 불리고 있고, 대표적인 것으로서, 퍼플루오로카본(예를 들면, CF4, C2F6, C3F8, C4F8, C5F8 등), 하이드로플루오로카본(예를 들면, CHF3 등), 및 무기함유불소화합물(예를 들면, SF6이나 NF3 등) 등을 들 수 있다. In semiconductor manufacturing apparatuses, gases of various kinds of fluorine compounds are used as cleaning gas, etching gas and the like. Such fluorine compounds are called "PFCs (perfluoro compounds)", and are representative of perfluorocarbons (for example, CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , C 4 F 8 , C 5 F 8 ), hydrofluorocarbons (e.g., CHF 3 ), and inorganic fluorine compounds (e.g., SF 6 , NF 3, etc.).

그리고, 반도체 제조 장치에서 사용된 여러 가지의 종류의 PFCs는, 캐리어가스나 퍼지가스 등으로서 사용된 질소(N2)나 아르곤(Ar), 또는 첨가가스로서 사용된 산소(O2), 수소(H2), 암모니아(NH3), 메탄(CH4) 등과 같이 반도체 배기 가스로서 배 출된다. The various types of PFCs used in the semiconductor manufacturing apparatus include nitrogen (N 2 ), argon (Ar) used as a carrier gas, purge gas, or oxygen (O 2 ) used as an additive gas, hydrogen ( H 2 ), ammonia (NH 3 ), methane (CH 4 ) and the like are emitted as semiconductor exhaust gases.

여기에서, 반도체 배기 가스에서의 PFCs가 차지하는 비율은 질소(N2)나 아르곤(Ar) 등의 다른 가스와 비교하여 작은 양이지만, 이 PFCs는 지구온난화 계수(GWP)가 이산화탄소(CO2)와 비교하여 수천 내지 수만배로 대단히 크고, 대기수명도 CO2와 비교하여 수천 내지 수만년으로 길기 때문에, 대기 중으로 소량 배출한 경우에도, 그 영향은 상당히 큰 것이 된다. 또, CF4이나 C2F6를 대표로 하는 퍼플루오로카본은 C-F 결합이 안정적이기 때문에(결합 에너지가 130kcal/mol로 커서), 분해가 용이하지 않은 것이 알려져 있다. 이 때문에, 사용이 완료된 PFCs를 반도체 배기 가스 중으로부터 제해(除害)하는 여러 가지 기술의 개발이 행하여지고 있다. Here, the ratio of PFCs in the semiconductor exhaust gas is small compared to other gases such as nitrogen (N 2 ) and argon (Ar), but the PFCs have a global warming coefficient (GWP) and carbon dioxide (CO 2 ). In comparison, they are very large, thousands to tens of thousands of times, and the atmospheric life is also long, thousands to tens of thousands of years, compared to CO 2 , so that even when a small amount is released into the atmosphere, the effect is quite large. In addition, it is known that perfluorocarbons represented by CF 4 or C 2 F 6 are not easy to decompose because the CF bond is stable (the bond energy is large at 130 kcal / mol). For this reason, various techniques for removing used PFCs from semiconductor exhaust gas have been developed.

이러한 난분해성의 PFCs를 포함하는 반도체 배기 가스를 제해하는 기술로서, 예를 들면, 일본특허출원공개공보 2007-69201호에는 반도체 배기 가스를 화염(flame)으로 연소시키는 버너와, 버너에 결합되어 반도체 배기 가스의 연소에 의해 생성되는 파티클을 낙하시키는 연소 챔버와, 연소 챔버의 한쪽의 측에 설치되고, 연소 챔버로부터 보내진 파티클을 물로 흡착하여 낙하시켜, 여과된 가스를 외부로 배출하는 습식 타워(wet tower)와, 연소 챔버 및 습식 타워로부터 낙하하는 파티클을 물로 포집하는 수조 탱크(storage tank)로 이루어지는 소위 번 웨트(burn wet) 방식의 반도체 배기 가스 처리 장치가 개시되어 있다. As a technique for removing a semiconductor exhaust gas containing such hardly decomposable PFCs, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-69201 discloses a burner that burns the semiconductor exhaust gas into a flame, and is coupled to the burner to the semiconductor. A wet tower (wet) installed on one side of the combustion chamber that drops particles generated by combustion of exhaust gas, and a particle sent from the combustion chamber by absorbing and dropping particles with water to discharge the filtered gas to the outside. A so-called burn wet type semiconductor exhaust gas treating apparatus comprising a tower and a storage tank for collecting particles falling from a combustion chamber and a wet tower with water is disclosed.

이와 같은 번 웨트 방식의 반도체 배기 가스 처리 장치에서는 고온의 화염에 의해서 반도체 배기 가스 중의 PFCs 특히 퍼플루오로카본 등의 난분해성 성분을 분 해하여 제해할 수 있다. In such a burn wet type semiconductor exhaust gas treating apparatus, it is possible to decompose and remove hardly decomposable components such as PFCs, particularly perfluorocarbons, in the semiconductor exhaust gas by a high temperature flame.

그렇지만, 이러한 번 웨트 방식의 반도체 배기 가스 처리 장치에서는 이하와 같은 문제가 있었다. 즉, 반도체 배기 가스를 확실하게 연소시켜 제해 효율을 올리기 위해서는 반도체 배기 가스와 고온의 화염의 접촉 효율을 높게 해야만 하지만, 이것을 위해서는 버너에 공급하는 반도체 배기 가스의 공급로를 가늘고 복잡한 형상으로 해야만 한다. 이와 같이 하면, 반도체 배기 가스 중에 분진 등이 포함되어 있는 경우, 이 분진이 상기 공급로에 퇴적되어 이것을 폐색하는 결과, 반도체 배기 가스의 연소 처리를 할 수 없게 된다고 하는 문제가 생길 우려가 있다. However, such a burn wet type semiconductor exhaust gas treating apparatus has the following problems. In other words, in order to reliably burn the semiconductor exhaust gas and increase the decontamination efficiency, the contact efficiency of the semiconductor exhaust gas and the high-temperature flame must be increased, but for this purpose, the supply path of the semiconductor exhaust gas supplied to the burner must be thin and complicated. In such a case, when dust or the like is contained in the semiconductor exhaust gas, there is a concern that the dust may be deposited in the supply path, thereby blocking the combustion process of the semiconductor exhaust gas.

또, 반도체 배기 가스 중에 수소(H2)와 같은 가연성의 가스가 포함되어 있는 경우에는 역화현상(즉 반도체 배기 가스의 배출원인 반도체 제조 장치를 향해서 수소의 연소에 의한 화염이 전파되는 현상)이나 폭발이 일어날 가능성이 있어 위험하다. In the case where the combustible gas such as hydrogen (H 2 ) is contained in the semiconductor exhaust gas, a backfire phenomenon (that is, a flame propagated by the combustion of hydrogen toward the semiconductor manufacturing apparatus that is the source of the semiconductor exhaust gas) or explosion This is dangerous because it is possible to happen.

또, 반도체 제조 장치로부터 배출되는 반도체 배기 가스의 종류나 양이 항상 일정하면 전혀 문제는 없지만, 반도체 제조 장치로부터 간헐적으로 반도체 배기 가스가 배출되는 경우에는 반도체 배기 가스 처리 장치 내부의 압력이 변화하고, 이 변화가 반도체 제조 장치에 악영향을 미치게 된다고 하는 문제가 있었다. 또한, 이와 같이 반도체 제조 장치로부터 간헐적으로 반도체 배기 가스가 배출되는 경우나 종류가 다른 반도체 배기 가스가 배출되는 경우에는 버너의 화염이 안정되지 않아 화염이 소실되거나, 가령 화염이 소실되지 않은 경우에도 연소 챔버 내부의 온도가 불안정해져, 반도체 배기 가스를 확실하게 분해하는 것이 곤란해진다고 하는 문제도 있었다. There is no problem if the type and amount of the semiconductor exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus are always constant, but if the semiconductor exhaust gas is intermittently discharged from the semiconductor manufacturing apparatus, the pressure inside the semiconductor exhaust gas processing apparatus changes, There is a problem that this change adversely affects the semiconductor manufacturing apparatus. In this case, when the semiconductor exhaust gas is intermittently discharged from the semiconductor manufacturing apparatus or when the semiconductor exhaust gas of a different type is discharged, even if the flame of the burner is not stabilized and the flame is lost, for example, the flame is not lost. There was also a problem that the temperature inside the chamber became unstable and it became difficult to reliably decompose the semiconductor exhaust gas.

그리고, 습식 타워를 통과하여 대기 중으로 배출되는 가스는 습도가 높기 때문에, 대기 중으로 통하는 배기덕트 내에서 결로가 생기고, 이 결로에 의해서 상기 배기덕트가 부식되거나 슬라임(slime)이 발생하거나 한다. 이 때문에, 배기덕트를 포함한 대규모의 메인터넌스(maintenance)를 빈번히 해야만 하여, 반도체 배기 가스 처리 장치의 운전 효율, 나아가서는 반도체의 생산 효율을 올리는 것이 곤란하다는 문제도 있었다. In addition, since the gas discharged into the atmosphere through the wet tower is high in humidity, condensation occurs in the exhaust duct leading to the atmosphere, and the exhaust duct is corroded or slime is generated by the condensation. For this reason, a large-scale maintenance including an exhaust duct must be frequently performed, and it also has a problem that it is difficult to raise the operating efficiency of a semiconductor exhaust gas processing apparatus and further, the production efficiency of a semiconductor.

그러므로, 본 발명의 중심 과제는 PFCs를 포함하는 반도체 배기 가스를 효율 좋고 안전하게 또 확실하게 분해하여 무해화할 수 있는 반도체 배기 가스 처리 장치를 제공하는 것이다. Therefore, a central object of the present invention is to provide a semiconductor exhaust gas processing apparatus capable of efficiently, safely and reliably decomposing and harming semiconductor exhaust gas containing PFCs.

청구항 1에 기재한 발명은 「입구 덕트(22)를 통해서 반도체 제조 장치의 챔버에 접속되고, 상기 챔버로부터 배출된 반도체 배기 가스(X)를 스프레이 노즐(12b)로부터 분사되는 물(W)로 세정하는 습식의 입구 스크러버(12; inlet scrubber)와, 입구 스크러버(12)에서 수세된 반도체 배기 가스(X)를 전열 히터(34; electrical heater)에 의한 열로 분해 처리하는 반응로(14)와, 반응로(14)에서 열산화 분해된 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)를 수세·냉각하는 습식의 출구 스크 러버(16; outlet scrubber)와, 출구 스크러버(16)의 가스 통류방향 하류 단부에 장착되어, 반도체 배기 가스(X)를 흡인·배기하는 배기팬(18)과」를 구비하는 반도체 배기 가스 처리 장치(10)이다. The invention described in claim 1 is " connected to a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus via an inlet duct 22, and washes the semiconductor exhaust gas X discharged from the chamber with water W sprayed from the spray nozzle 12b. And a reaction inlet scrubber 12 in which a wet inlet scrubber 12 and a reactor 14 for decomposing the semiconductor exhaust gas X washed at the inlet scrubber 12 with heat by an electric heater 34 are reacted. It is attached to the wet outlet scrubber (16) which washes and cools the processed semiconductor exhaust gas (X) thermally decomposed thermally in the furnace (14), and the gas flow direction downstream end of the outlet scrubber (16). And an exhaust fan 18 that sucks and exhausts semiconductor exhaust gas X ".

본 발명에서는 우선 처음에 반도체 제조 장치의 챔버로부터 배출된 반도체 배기 가스(X)를 입구 스크러버(12)에서 수세하고 있기 때문에, 상기 배기 가스(X) 중으로부터 분진이나 수용성의 가스를 제거할 수 있다. In the present invention, first, since the inlet scrubber 12 washes the semiconductor exhaust gas X discharged from the chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, dust and water-soluble gas can be removed from the exhaust gas X. .

또한, 이 입구 스크러버(12)는 스프레이 노즐(12b)로부터 분무되는 물(W)로 채워져 있기 때문에, 후술하는 반응로(14) 내에서 수소 등의 가연성 성분이 연소하여 화염이 생겼다고 해도, 이 입구 스크러버(12)보다도 상류측, 즉 반도체 제조 장치를 향해서 화염이 전파될 우려는 없다. Moreover, since this inlet scrubber 12 is filled with water W sprayed from the spray nozzle 12b, even if a flammable component, such as hydrogen, burns in the reactor 14 mentioned later, a flame will generate | occur | produce this inlet. There is no possibility that the flame propagates upstream of the scrubber 12, that is, toward the semiconductor manufacturing apparatus.

또한, 입구 스크러버(12)에서 수세된 반도체 배기 가스(X)는 수분을 포함한 상태로 고온의 반응로(14)에 도입되지만, 본 발명의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에서는 반응로(14)의 열원으로서 전열 히터(34)를 사용하고 있기 때문에, 버너와 같이 화염이 소실되어 화로 내의 온도가 급격히 저하된다고 하는 문제는 생기지 않는다. 덧붙여, 이와 같이 수분을 포함한 상태의 반도체 배기 가스(X)를 반응로(14)에 도입함으로써, NF3의 반응 생성물로 악취의 원인이 되는 불소(F2)를, 상기 수분 유래의 수소를 이용하여 HF로 변환한 후, 후술하는 출구 스크러버(16)에서 물에 흡착시켜 반도체 배기 가스(X) 중으로부터 제거할 수 있다. 따라서, 불소(F2)를 제해할 수 없고, 그대로 대기 중으로 방출하는 번 웨트 방식과 달리, 불소(F2)에 의 한 악취의 문제를 해소할 수 있다. In addition, although the semiconductor waste gas X wash | cleaned by the inlet scrubber 12 is introduce | transduced into the high temperature reactor 14 in the state containing water, in the semiconductor waste gas processing apparatus 10 of this invention, the reactor 14 is carried out. Since the heat transfer heater 34 is used as the heat source, the problem that the flame disappears like the burner and the temperature in the furnace suddenly decreases does not occur. In addition, by introducing the semiconductor exhaust gas (X) in a state containing water in this way into the reactor 14, fluorine (F 2 ), which causes odor as the reaction product of NF 3 , uses hydrogen derived from the water. After conversion to HF, it can adsorb | suck to water with the outlet scrubber 16 mentioned later, and can remove from the semiconductor exhaust gas X. Therefore, fluorine (F 2 ) cannot be removed, and unlike the burn-wet method which is released into the atmosphere as it is, the problem of odor caused by fluorine (F 2 ) can be solved.

또, 화염을 사용하는 번 웨트 방식과 같이 반응로(14) 내의 온도가 과도하게 상승하지 않는다. 그러므로, 열산화 분해하는 반도체 배기 가스(X)가 다량의 질소(N2)를 포함하는 경우에도 유해한 서멀 NOx(질소산화물)이 부생할 우려는 없다. Moreover, the temperature in the reactor 14 does not rise excessively like the burn-wet system which uses a flame. Therefore, even when the thermally decomposed semiconductor exhaust gas X contains a large amount of nitrogen (N 2 ), no harmful thermal NOx (nitrogen oxide) is produced by-product.

그리고, 반응로(14) 내에서 열산화 분해한 반도체 배기 가스(X)를 출구 스크러버(16)에서 수세·냉각한 후 대기 중으로 배출하도록 하고 있기 때문에, 반도체 배기 가스(X)의 열산화 분해시에 발생한 분진이나 수용성 성분을 제거할 수 있고, 제해 처리한 반도체 배기 가스(X)를 더욱 청정한 상태로 대기 중으로 배출할 수 있다. 여기에서, 번 웨트 방식에서는 버너에서 화염을 생성하기 때문에, 연료가스와 연소용 공기가 필요하다. 그러므로, 출구 스크러버에서 처리하는 가스의 양이 증가하게 된다. 이와 같이 출구 스크러버에서 처리하는 가스의 양이 증가하면, 장치 내를 일정한 감압상태로 유지하려고 하는 경우, 배기팬의 능력을 올려 배출하는 가스의 양을 증가시켜야만 한다. 이와 같이 하면, 출구 스크러버로부터 배기덕트로의 수분의 반출이 많아져, 배기덕트 내에서 결로가 생기기 쉬워진다. 이것에 대하여, 본 발명 장치(10)에서는 연료가스나 연소용 공기가 필요하지 않기 때문에, 출구 스크러버(16)로부터의 수분의 반출이 적고, 배기덕트 내에서의 결로가 생기기 어렵다. Since the semiconductor exhaust gas X thermally oxidized and decomposed in the reactor 14 is flushed and cooled by the outlet scrubber 16 and then discharged to the atmosphere, the semiconductor exhaust gas X is subjected to thermal oxidation decomposition. The dust and water-soluble component which generate | occur | produced can be removed, and the semiconductor waste gas X which carried out the removal process can be discharged | emitted to the atmosphere in a cleaner state. Here, in the burn wet method, since a flame is generated in the burner, fuel gas and combustion air are required. Therefore, the amount of gas treated in the outlet scrubber is increased. If the amount of gas treated in the outlet scrubber is increased in this way, if the inside of the apparatus is to be maintained at a constant reduced pressure, the capacity of the exhaust fan must be increased to increase the amount of gas discharged. In this way, the water from the outlet scrubber to the exhaust duct is increased, and condensation is likely to occur in the exhaust duct. On the other hand, in the apparatus 10 of the present invention, since no fuel gas or combustion air is required, water is not discharged from the outlet scrubber 16, and condensation in the exhaust duct hardly occurs.

청구항 2에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재된 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에 있어서, 「입구 덕트(22) 내의 압력을 측정하는 압력계(44)와, 압력 계(44)에서 측정된 압력에 기초하여 배기팬(18)의 회전수를 제어하는 인버터(48)로 구성된 배기팬 제어수단(50)이 설치되어 있는」 것을 특징으로 하는 것으로, 이것에 의해 입구 덕트(22) 내의 압력을 일정한 감압상태로 제어할 수 있고, 입구 덕트(22) 내의 압력 변동에 의해서 반도체 제조 장치가 악영향을 받는 것을 방지할 수 있다. 또한, 배기팬 제어수단(50)을 사용하여 입구 덕트(22) 내의 압력이 일정한 감압상태가 되도록 제어한 경우, 반도체 배기 가스 처리 장치(10) 내를 통류하는 가스의 유속이 변화하게 된다. 본 발명의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)는 열원으로서 전열 히터(34)를 사용하고 있기 때문에, 이러한 경우에도 번 웨트 방식과 같이 화염의 소실 등에 의해 반응로(14) 내부의 온도가 불안정해지지 않고, 반도체 배기 가스(X)를 확실하게 열산화 분해할 수 있다. According to the invention described in claim 2, in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 according to claim 1, "the pressure gauge 44 for measuring the pressure in the inlet duct 22 and the pressure measured by the pressure gauge 44 is used. And an exhaust fan control means 50 composed of an inverter 48 for controlling the rotation speed of the exhaust fan 18 on the basis thereof. The state can be controlled, and the semiconductor manufacturing apparatus can be prevented from being adversely affected by the pressure variation in the inlet duct 22. In addition, when the pressure in the inlet duct 22 is controlled to be a constant reduced pressure state using the exhaust fan control means 50, the flow rate of the gas flowing through the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 is changed. Since the semiconductor exhaust gas treating apparatus 10 of the present invention uses the heat transfer heater 34 as a heat source, even in such a case, the temperature inside the reactor 14 does not become unstable due to the loss of flame or the like like the burn wet method. The semiconductor exhaust gas X can be thermally decomposed reliably.

청구항 3에 기재한 발명은, 청구항 1 또는 2에 기재된 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에 있어서, 「배기팬(18)의 흡입구 근방에, 출구 스크러버(16)를 통과한 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)에 외기(A; fresh air)를 가하여 상기 가스(X) 중의 습도를 내리는 외기 도입 배관(52)이 설치되어 있는」 것을 특징으로 하는 것으로, 이것에 의해 배기팬(18)을 통해서 대기 중으로 배출하는 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)의 습도를 내릴 수 있고, 배기팬(18) 이후의 상기 가스 유로(예를 들면, 배기덕트 등)에 결로가 생겨 트러블이 발생하는 것을 예방할 수 있다. In the invention described in claim 3, in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 according to claim 1 or 2, "the semiconductor exhaust gas of the completion of the process which passed through the outlet scrubber 16 near the inlet port of the exhaust fan 18 was carried out. An external air inlet pipe 52 for applying fresh air (A) to (X) to lower the humidity in the gas (X) '' is provided, thereby providing air through the exhaust fan (18). The humidity of the processed semiconductor exhaust gas X discharged to the inside can be lowered, and condensation can be prevented from occurring in the gas flow path (for example, the exhaust duct) after the exhaust fan 18, thereby preventing trouble. .

청구항 4에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재된 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에 있어서, 「입구 덕트(22) 내의 압력을 측정하는 압력계(44), 및 압력계(44)에서 측정된 압력에 기초하여 배기팬(18)의 회전수를 제어하는 인버터(48)로 구성된 배기팬 제어수단(50)과, 배기팬(18)의 흡입구 근방에 장착되어, 출구 스크러버(16)를 통과한 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)에 외기(A)를 가하여 상기 가스(X) 중의 습도를 내리는 외기 도입 배관(52)과, 외기 도입 배관(52)에 장착되어, 출구 스크러버(16)의 외기 도입 배관(52) 접속부와 배기팬(18) 흡입구의 사이에 설치된 습도센서(56)에서 측정된 습도에 따라서 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)에 가하는 외기(A)의 양을 조정하여, 결로가 생기지 않도록 제어하는 외기 조정밸브(54)가 설치되어 있는」 것을 특징으로 한다. The invention described in claim 4 is, in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 according to claim 1, based on "a pressure gauge 44 for measuring the pressure in the inlet duct 22 and the pressure measured by the pressure gauge 44. The exhaust fan control means 50 comprising an inverter 48 for controlling the rotational speed of the exhaust fan 18 and the inlet port of the exhaust fan 18 to pass through the outlet scrubber 16. It is attached to the outside air introduction pipe 52 which applies the outside air A to the semiconductor exhaust gas X, and lowers the humidity in the gas X, and the outside air introduction pipe 52, and the outside air introduction pipe of the outlet scrubber 16 ( 52) According to the humidity measured by the humidity sensor 56 provided between the connection portion and the exhaust fan 18 inlet, the amount of outside air A applied to the semiconductor exhaust gas X which has been processed is adjusted to prevent condensation. The external air control valve 54 to control is provided. "

본 발명에서는, 습도센서(56)에서 측정된 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)의 습도에 따라서 외기 조정밸브(54)가 개폐 작동하여, 배기팬(18) 이후의 가스 유로에 결로가 생기지 않도록 반도체 배기 가스(X)의 습도가 제어된다. In the present invention, the outside air control valve 54 is opened and closed in accordance with the humidity of the processed semiconductor exhaust gas X measured by the humidity sensor 56 so that no condensation occurs in the gas flow path after the exhaust fan 18. The humidity of the semiconductor exhaust gas X is controlled.

여기에서, 외기 조정밸브(54)가 개폐 작동함으로써, 상술과 같이 반도체 배기 가스(X)의 습도 제어가 가능해지지만, 반도체 배기 가스 처리 장치(10)의 내압은 변화하여, 입구 덕트(22)에 있어서도 당연히 압력 변동이 생긴다. Here, the opening and closing operation of the outside air control valve 54 enables the humidity control of the semiconductor exhaust gas X as described above, but the internal pressure of the semiconductor exhaust gas processing device 10 changes to the inlet duct 22. Naturally, pressure fluctuations occur.

그렇지만, 본 발명의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에는, 배기팬 제어수단(50)이 설치되어 있기 때문에, 외기 조정밸브(54)가 개폐 작동하여, 반도체 배기 가스 처리 장치(10)의 내압이 변화하는 경우에도, 이러한 내압 변화를 압력계(44)가 검지하여, 입구 덕트(22) 내의 압력이 일정한 감압상태가 되도록 배기팬(18)의 회전수가 제어된다. However, since the exhaust fan control means 50 is provided in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 of the present invention, the outside air control valve 54 is opened and closed, so that the internal pressure of the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 is increased. Even when it changes, the pressure gauge 44 detects such a change in internal pressure, and the rotation speed of the exhaust fan 18 is controlled so that the pressure in the inlet duct 22 is in a constant reduced pressure state.

요컨대, 배기팬 제어수단(50)과 외기 조정밸브(54)의 상승적(相乘的) 작용에 의해, 입구 덕트(22) 내의 압력을 일정한 감압상태로 유지하고, 입구 덕트(22) 내 의 압력 변동에 의해서 반도체 제조 장치가 악영향을 받는 것을 방지하여, 항상 일정한 조건으로 반도체 배기 가스(X)를 열산화 분해할 수 있는 동시에, 배기팬(18)을 통해서 대기 중으로 배출되는 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)의 유로에 결로가 생기는 것을 방지할 수 있다. In other words, by the synergistic action of the exhaust fan control means 50 and the outside air control valve 54, the pressure in the inlet duct 22 is maintained at a constant depressurized state, and the pressure in the inlet duct 22 is maintained. It is possible to prevent the semiconductor manufacturing apparatus from being adversely affected by the fluctuations, and to thermally decompose the semiconductor exhaust gas X at a constant condition at all times, and at the same time, to complete the processing of the semiconductor exhaust gas discharged into the atmosphere through the exhaust fan 18 Condensation can be prevented from occurring in the flow path of (X).

청구항 5에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재된 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에 있어서, 「반응로(14)와 출구 스크러버(16)를 연결하는 분해가스 송급 배관(40)에, 내부를 상시 수세하는 샤워(60; shower)가 장착되어 있는」 것을 특징으로 하는 것으로, 이것에 의해 반도체 배기 가스(X)의 열산화 분해에 의해서 발생한 분진이 분해가스 송급 배관(40) 내에 퇴적되는 것이나, 반도체 배기 가스(X)의 열산화 분해시에 부생한 플루오르화수소(HF)에 의해서 상기 배관(40)이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 덧붙여, 반응로(14)에서 열산화 분해된 고온의 반도체 배기 가스(X)를 출구 스크러버(16)에 보내기 전에 미리 냉각할 수 있고, 이 샤워(60) 이후의 배기 가스 유로를 형성하는 재료로서 내열성을 억제한 저렴한 것(예를 들면, 표면에 내부식성의 수지 피막을 설치한 스테인레스재 등)을 사용할 수 있다. According to the invention described in claim 5, in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 according to claim 1, "the inside is always on the cracked gas supply pipe 40 which connects the reactor 14 and the outlet scrubber 16. A shower 60 to be washed with water ”, whereby dust generated by thermal oxidative decomposition of the semiconductor exhaust gas X is deposited in the decomposition gas supply pipe 40 or a semiconductor. It is possible to prevent the pipe 40 from being corroded by hydrogen fluoride (HF) produced by the thermal oxidation decomposition of the exhaust gas (X). In addition, the high-temperature semiconductor exhaust gas X thermally oxidized in the reactor 14 can be cooled before being sent to the outlet scrubber 16, and as a material for forming the exhaust gas flow path after the shower 60, An inexpensive one having a low heat resistance (for example, a stainless material having a corrosion resistant resin film provided on its surface) can be used.

청구항 6에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재된 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에 있어서, 「배기팬(18)의 흡입구 근방에 설치된 외기 도입 배관(52)과, 상시 폐쇄 밸브(62)를 통해서 입구 덕트(22) 및 배기팬(18)의 흡입구 근방을 연통하는 바이패스 배관(64; bypass piping)과, 입구 덕트(22) 내의 압력이 소정의 상한 설정압에 도달하였을 때에 상시 폐쇄 밸브(62)를 개방 조작하는 압력 스위치(42)가 설치되어 있는」 것을 특징으로 하는 것으로, 이것에 의해 어떠한 원인으로 반도체 배기 가스 처리 장치(10)의 배기 가스 유로가 폐색되고 입구 덕트(22)의 내압이 상승한 경우, 압력 스위치(42)가 작동하여 상시 폐쇄 밸브(62)가 개방 조작되어, 바이패스 배관(64)이 통류 가능해진다. 이 때문에, 반도체 배기 가스(X)의 발생원인 반도체 제조 장치가, 입구 덕트(22)의 내압상승에 의해서 데미지를 받기 전에, 반도체 배기 가스(X)가 안전한 레벨이 되도록 외기 도입 배관(52)으로부터 도입한 외기(A)로 충분히 희석하면서, 상기 반도체 배기 가스(X)를 긴급하게 배출할 수 있다. According to the invention described in claim 6, in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 according to claim 1, the " through the outside air introduction pipe 52 provided near the intake port of the exhaust fan 18 and the normally closed valve 62. Bypass piping 64 communicating near the inlet duct 22 and the inlet duct 22 and the normally closed valve 62 when the pressure in the inlet duct 22 reaches a predetermined upper limit set pressure. Is provided with a pressure switch 42 for opening and closing the exhaust gas flow path of the semiconductor exhaust gas processing device 10 for some reason, and the internal pressure of the inlet duct 22 is reduced. When it rises, the pressure switch 42 operates, the normally closed valve 62 is opened, and the bypass piping 64 can flow. For this reason, before the semiconductor manufacturing apparatus which is the generation source of the semiconductor exhaust gas X is damaged by the increase in the internal pressure of the inlet duct 22, from the outside air inlet piping 52 so that the semiconductor exhaust gas X becomes a safe level. The semiconductor exhaust gas X can be urgently discharged while sufficiently diluting with the introduced outside air A. FIG.

청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 우선 처음에 반도체 제조 장치의 챔버로부터 배출된 반도체 배기 가스를 입구 스크러버에서 수세하고 있기 때문에, 상기 배기 가스 중으로부터 분진이나 수용성의 가스를 제거할 수 있는 동시에, 역화(逆火)현상이나 폭발에 의해서 반도체 제조 장치가 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반응로의 열원으로서 전열 히터를 사용하고 있기 때문에, 반도체 배기 가스가 수분을 포함한 상태로 고온의 반응로에 도입되어도, 화로 내의 온도가 급격히 저하된다고 하는 문제는 생기지 않는다. According to the invention of claim 1, first, since the semiconductor exhaust gas discharged from the chamber of the semiconductor manufacturing apparatus is washed with an inlet scrubber, it is possible to remove dust and water-soluble gas from the exhaust gas, It is possible to prevent the semiconductor manufacturing apparatus from being damaged by a fire phenomenon or explosion. In addition, since the heat transfer heater is used as the heat source of the reaction furnace, even if the semiconductor exhaust gas is introduced into the high temperature reaction furnace in a state containing water, there is no problem that the temperature in the furnace suddenly decreases.

청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 입구 덕트 내의 압력을 일정한 감압상태로 제어할 수 있고, 압력 변동에 따른 반도체 제조 장치에 대한 악영향을 방지하는 동시에, 항상 일정한 조건으로 반도체 배기 가스를 열산화 분해할 수 있다. According to the invention of claim 2, it is possible to control the pressure in the inlet duct to a constant reduced pressure state, to prevent adverse effects on the semiconductor manufacturing apparatus due to pressure fluctuations, and to thermally decompose the semiconductor exhaust gas under constant conditions at all times. have.

청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 배기팬 이후의 상기 가스 유로에서 결로가 생기는 것을 예방할 수 있고, 배기팬 이후의 가스통 유로의 메인테넌스의 부담 을 경감할 수 있다. According to the invention of claim 3, condensation can be prevented from occurring in the gas flow path after the exhaust fan, and the burden of maintenance of the gas flow path after the exhaust fan can be reduced.

청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 배기팬 제어수단과 외기 조정밸브의 상승적 작용에 의해, 입구 덕트 내의 압력 변동에 의해서 반도체 제조 장치가 악영향을 받는 것을 방지하여, 항상 일정한 조건으로 반도체 배기 가스를 열산화 분해할 수 있는 동시에, 배기팬을 통해서 대기 중으로 배출되는 처리 완료의 반도체 배기 가스의 유로에 결로가 생기는 것을 방지할 수 있다. According to the invention of claim 4, the synergistic action of the exhaust fan control means and the external air control valve prevents the semiconductor manufacturing apparatus from being adversely affected by the pressure fluctuations in the inlet duct, and thermally oxidizes the semiconductor exhaust gas under constant conditions at all times. While decomposing, condensation can be prevented from occurring in the flow path of the completed semiconductor exhaust gas discharged to the atmosphere through the exhaust fan.

청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 분해가스 송급 배관의 폐색이나 부식을 방지하여 메인테넌스 빈도를 저감시킬 수 있는 동시에, 샤워 이후의 배기 가스 유로를 형성하는 재료로서 내열성을 억제한 저렴한 것을 사용할 수 있다. According to the invention of claim 5, an inexpensive material having a low heat resistance can be used as a material for preventing the blockage and corrosion of the cracked gas supply pipe to reduce maintenance frequency and forming an exhaust gas flow path after the shower. .

청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 어떠한 원인으로 반도체 배기 가스 처리 장치의 배기 가스 유로가 폐색된 경우에도, 반도체 배기 가스가 안전한 레벨이 되도록 외기에서 충분히 희석하면서, 상기 반도체 배기 가스를 긴급하게 배출할 수 있다. According to the invention of claim 6, even when the exhaust gas flow path of the semiconductor exhaust gas treating apparatus is blocked for some reason, the semiconductor exhaust gas can be urgently discharged while sufficiently diluting in the outside air so that the semiconductor exhaust gas becomes a safe level. have.

따라서, PFCs를 포함하는 반도체 배기 가스를, 효율 좋고 안전하게 또한 확실하게 분해하여 무해화할 수 있는 반도체 배기 가스 처리 장치를 제공할 수 있다. Therefore, it is possible to provide a semiconductor exhaust gas treating apparatus which can decompose and detoxify semiconductor exhaust gas containing PFCs efficiently, safely and reliably.

이하, 본 발명을 개시하는 실시예에 따라서 설명한다. 도 1은 본 발명장치의 플로를 도시하는 개략도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이 본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)는, 대략, 입구 스크러버(12), 반응로(14), 출구 스크러버(16), 배기팬(18), 및 수조(20; storage tank) 등으로 구성되어 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, it demonstrates according to the Example which discloses this invention. 1 is a schematic diagram showing the flow of the apparatus of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 of the present embodiment has an inlet scrubber 12, a reactor 14, an outlet scrubber 16, an exhaust fan 18, and a water tank 20. ; storage tank).

입구 스크러버(12)는 반응로(14)에 도입하는 반도체 배기 가스(X)에 포함되는 분진이나 수용성의 가스 등을 제거하기 위한 것으로, 직관형의 스크러버 본체(12a)와, 상기 스크러버 본체(12a) 내부의 정상부 근방에 설치되어, 물(W) 또는 약액을 분무형으로 하여 살포하는 스프레이 노즐(12b)을 갖는다. The inlet scrubber 12 removes dust, water-soluble gas, and the like contained in the semiconductor exhaust gas X introduced into the reactor 14, and includes a straight tubular scrubber body 12a and the scrubber body 12a. It has a spray nozzle 12b which is provided in the vicinity of the top part of inside, and sprays water W or a chemical liquid to spray.

이 입구 스크러버(12)의 정상부는 공장의 반도체 제조 장치(도시하지 않음)와 입구 덕트(22)를 통해서 연결되어 있고, 반도체 제조공정으로부터 배출된 각종 반도체 배기 가스(X)가 이 입구 스크러버(12)의 정상부에 도입되도록 되어 있다. The top of the inlet scrubber 12 is connected to a semiconductor manufacturing apparatus (not shown) and an inlet duct 22 of a factory, and various semiconductor exhaust gases X discharged from the semiconductor manufacturing process are the inlet scrubber 12. Is introduced to the top of the).

또, 본 실시예에서는 입구 스크러버(12)가 수조(20)와 별개로 배치되는 동시에, 양자를 수세가스 공급 배관(24) 및 배수관(26)으로 접속하여 입구 스크러버(12)의 배수가 수조(20)로 보내지도록 구성하고 있지만, 이 입구 스크러버(12)를 수조(20)상에 입설하여 내부끼리가 직접 연통하도록 하여도 좋다. In addition, in this embodiment, the inlet scrubber 12 is disposed separately from the water tank 20, and both are connected to the flush gas supply pipe 24 and the drain pipe 26 so that the drainage of the inlet scrubber 12 is connected to the water tank ( 20, but the inlet scrubber 12 may be placed on the water tank 20 so that the insides may directly communicate with each other.

그리고, 스프레이 노즐(12b)과 수조(20)의 사이에는 순환수 펌프(28)가 설치되어 있어, 수조(20) 내에 저류된 물(W)을 스프레이 노즐(12b)에 끌어올리도록 되어 있다. And the circulation water pump 28 is provided between the spray nozzle 12b and the water tank 20, and the water W stored in the water tank 20 is pulled up to the spray nozzle 12b.

반응로(14)는 반도체 배기 가스(X)를 열산화 분해법에 의해서 분해하는 장치로, 반응로 본체(30), 가스 공급 파이프(32) 및 전열 히터(34) 등에 의해서 구성되어 있다. The reactor 14 is a device which decomposes the semiconductor exhaust gas X by the thermal oxidation decomposition method, and is comprised by the reactor main body 30, the gas supply pipe 32, the heat transfer heater 34, etc.

반응로 본체(30)는 스테인레스(SUS)제로 원통형의 외피 재킷과, 내화재로 구성된 내장(內張, lining)부재로 구성되어 있고, 내장부재의 내부에 배기 가스 분해 처리실(36)이 형성되어 있다. 이 반응로 본체(30)의 하부에는 가스 배출부(38)가 개설되는 동시에, 배기 가스 분해 처리실(36)에서 분해 처리된 반도체 배기 가스(X)를 후술하는 출구 스크러버(16)에 송급하는 분해가스 송급 배관(40)이 접속되어 있다. 또한, 반응로 본체(30)의 바닥부의 중심에는 내열성·내부식성이 우수한 금속 파이프로 구성된 가스 공급 파이프(32)가 입설되어 있고, 그 주위를 전열 히터(34)가 둘러싸도록 배치되어 있다. The reactor main body 30 is composed of a stainless outer jacket made of stainless steel and a lining member composed of a fireproof material, and an exhaust gas decomposition treatment chamber 36 is formed inside the inner member. . The gas discharge part 38 is provided in the lower part of this reactor main body 30, and the decomposition which supplies the semiconductor waste gas X decomposed | disassembled by the exhaust gas decomposition processing chamber 36 to the outlet scrubber 16 mentioned later. The gas supply pipe 40 is connected. Moreover, the gas supply pipe 32 comprised from the metal pipe excellent in heat resistance and corrosion resistance is located in the center of the bottom part of the reactor main body 30, and is arrange | positioned so that the heat-transfer heater 34 may surround it.

배기 가스 분해 처리실(36)에 삽입된 상기 가스 공급 파이프(32)에는 입구 스크러버(12)의 하단으로부터 도출되어 입구 스크러버(12)에서 세정된 반도체 배기 가스(X)를 가스 공급 파이프(32)로 보내주는 수세가스 공급 배관(24)이 접속되어 있다. In the gas supply pipe 32 inserted into the exhaust gas decomposition treatment chamber 36, the semiconductor exhaust gas X drawn from the lower end of the inlet scrubber 12 and cleaned by the inlet scrubber 12 is transferred to the gas supply pipe 32. The flush gas supply piping 24 to be sent is connected.

전열 히터(34)는 배기 가스 분해 처리실(36) 내를 가열하여 반도체 배기 가스(X)를 열산화 분해시키기 위한 것이다. 이 전열 히터(34)로서는 예를 들면 탄화규소의 중실(中實) 또는 중공(中空)의 막대형으로 형성된 것 등을 들 수 있다. 또, 전열 히터(34)의 단부에는 급전부(34a; 給電部)가 설치되어 있고, 이 급전부(34a)에 도시하지 않는 전원으로부터 전력이 공급되어, 전열 히터(34)가 발열하도록 되어 있다. The heat transfer heater 34 is for heating the inside of the exhaust gas decomposition treatment chamber 36 to thermally decompose the semiconductor exhaust gas X. As this heat transfer heater 34, the thing formed in the solid or hollow rod shape of silicon carbide, etc. are mentioned, for example. In addition, a power feeding portion 34a is provided at an end portion of the heat transfer heater 34, and electric power is supplied to the power feeding portion 34a from a power source not shown, so that the heat transfer heater 34 generates heat. .

또, 본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에서는 배기 가스 분해 처리실(36) 내부의 온도를 측정하는 온도센서(37)가 장착되어 있고, 이 온도센서(37)에서 측정한 온도에 기초하여 급전부(34a)에 공급하는 전력이 제어되도록 되어 있다. Moreover, in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 of this embodiment, the temperature sensor 37 which measures the temperature inside the waste gas decomposition processing chamber 36 is attached, and based on the temperature measured by this temperature sensor 37, The electric power supplied to the power supply part 34a is controlled.

출구 스크러버(16)는 반응로(14) 내에서 반도체 배기 가스(X)를 열산화 분해 하였을 때에 부생하는 분진이나 수용성의 가스 등을 제거하는 동시에, 고온이 된 반도체 배기 가스(X)를 냉각하기 위한 것으로, 그 하단에 분해가스 송급 배관(40)이 접속된 직관형의 스크러버 본체(16a)와, 반도체 배기 가스(X) 통류방향에 대향하도록 상방으로부터 청정한 물(이하, 「신수(NW; 新水)」라고 함) 또는 약액을 분무하는 하향의 스프레이 노즐(16b)을 갖는다. The outlet scrubber 16 removes by-product dust, water-soluble gas, etc. when thermally oxidizing the semiconductor exhaust gas X in the reactor 14, and cools the semiconductor exhaust gas X which has become a high temperature. For the purpose of this, the straight scrubber main body 16a having the cracked gas supply pipe 40 connected to the lower end thereof, and water that is clean from above so as to face the semiconductor exhaust gas X flow direction (hereinafter referred to as "fresh water NW; Water) or downward spray nozzle 16b for spraying a chemical liquid.

본 실시예에서는 출구 스크러버(16)가 물(W) 등의 약액을 저류하는 수조(20)상에 입설되어 있고, 스프레이 노즐(16b)로부터 분무된 신수(NW)가 수조(20)로 보내지도록 되어 있지만, 이 출구 스크러버(16)를 수조(20)와 별개로 배치하는 동시에 양자를 배관으로 접속하여 출구 스크러버(16)의 배수가 수조(20)로 보내지도록 하여도 좋다. In the present embodiment, the outlet scrubber 16 is installed on the water tank 20 storing the chemical liquid such as water W, and the fresh water NW sprayed from the spray nozzle 16b is sent to the water tank 20. Although this outlet scrubber 16 is arrange | positioned separately from the water tank 20, both may be connected by piping and the drainage of the outlet scrubber 16 may be sent to the water tank 20. FIG.

그리고, 출구 스크러버(16)의 정상부 출구는 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)를 대기 중으로 방출하는 배기팬(18)에 접속되어 있다. The top exit of the outlet scrubber 16 is connected to an exhaust fan 18 that discharges the processed semiconductor exhaust gas X to the atmosphere.

여기에서, 본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에서는 입구 덕트(22) 내의 압력이 소정의 상한 설정압에 도달하였을 때에 후술하는 상시 폐쇄 밸브(62)를 개방 조작하는 압력 스위치(42)와, 입구 덕트(22) 내의 압력을 측정하는 압력계(44)와, 배선(46)을 통해서 압력계(44)에 접속되어, 압력계(44)에서 측정된 압력에 기초하여 배기팬(18)의 회전수를 제어하는 인버터(48)로 구성된 배기팬 제어수단(50)이 설치되어 있다. Here, in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 of this embodiment, when the pressure in the inlet duct 22 reaches the predetermined upper limit set pressure, the pressure switch 42 which opens and closes the normally closed valve 62 mentioned later and , The pressure gauge 44 for measuring the pressure in the inlet duct 22 and the pressure gauge 44 via the wiring 46, and the rotation speed of the exhaust fan 18 based on the pressure measured by the pressure gauge 44. An exhaust fan control means 50 composed of an inverter 48 for controlling the air is provided.

또한, 배기팬(18)의 흡입구 근방에는 출구 스크러버(16)를 통과한 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)에 외기(A)를 가하여 상기 가스(X) 중의 습도를 내리는 외 기 도입 배관(52)이 설치되어 있고, 이 외기 도입 배관(52)에 장착된 외기 조정밸브(54)의 개방도를 조정함으로써, 배기팬(18)의 흡입구 근방에 도입하는 외기(A)의 양이 조정되도록 되어 있다. In addition, the outside air inlet pipe 52 that applies outside air A to the processed semiconductor exhaust gas X that has passed through the outlet scrubber 16 and lowers the humidity in the gas X near the inlet port of the exhaust fan 18. ), And by adjusting the opening degree of the outside air control valve 54 mounted on the outside air inlet pipe 52, the amount of the outside air A to be introduced near the inlet port of the exhaust fan 18 is adjusted. have.

또, 출구 스크러버(16)의 외기 도입 배관(52) 접속부와 배기팬(18) 흡입구의 사이에는 대기 중으로 방출하는 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)의 습도를 측정하는 습도센서(56)가 장착되어 있고, 이 습도센서(56)에서 측정한 습도 신호가 배선(58)을 통해서 외기 조정밸브(54)에 주어지도록 되어 있다. 그리고, 습도센서(56)에서 측정된 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)의 습도에 따라서 외기 조정밸브(54)가 개폐 제어되어, 배기팬(18) 이후의 가스 유로에 결로가 생기지 않도록 반도체 배기 가스(X)의 습도가 자동 조절되어 있다. In addition, a humidity sensor 56 which measures the humidity of the processed semiconductor exhaust gas X discharged to the atmosphere is mounted between the connection portion of the outside air inlet pipe 52 of the outlet scrubber 16 and the exhaust fan 18 suction port. The humidity signal measured by the humidity sensor 56 is provided to the outside air control valve 54 through the wiring 58. Then, the outside air control valve 54 is opened and closed in accordance with the humidity of the processed semiconductor exhaust gas X measured by the humidity sensor 56, so that the semiconductor exhaust is prevented from forming condensation in the gas flow path after the exhaust fan 18. The humidity of the gas X is automatically adjusted.

또한, 반응로(14)와 출구 스크러버(16)를 연결하는 분해가스 송급 배관(40)의 상류측에는 그 내부에 순환수 펌프(28)에서 끌어올린 물(W)을 분사하는 샤워(60)가 장착되어 있다. In addition, a shower 60 spraying water W drawn up from the circulating water pump 28 is disposed upstream of the cracked gas supply pipe 40 connecting the reactor 14 and the outlet scrubber 16. It is installed.

그리고, 배기팬(18)의 흡입구 근방에는 상시 폐쇄 밸브(62)를 통해서 입구 덕트(22)에 접속되는 바이패스 배관(64)이 장착되어 있다. 여기에서, 상시 폐쇄 밸브(62)에는 배선(47)을 통해서 압력 스위치(42)의 신호가 입력되도록 되어 있고, 입구 덕트(22) 내의 압력이 소정의 상한 설정압에 도달하였을 때에 이 상시 폐쇄 밸브(62)가 개방 조작되도록 되어 있다. In the vicinity of the inlet port of the exhaust fan 18, a bypass pipe 64 connected to the inlet duct 22 through the normally closed valve 62 is mounted. Here, the signal of the pressure switch 42 is input to the normally closed valve 62 through the wiring 47, and this normally closed valve is made when the pressure in the inlet duct 22 reaches the predetermined upper limit set pressure. 62 is opened and operated.

수조(20)는 입구 스크러버(12)나 샤워(60) 등에 공급하는 물(W)을 저류하고, 또한, 입구 스크러버(12), 샤워(60) 및 출구 스크러버(16) 등으로부터 배출되는 물(W)을 회수하는 탱크이다. The water tank 20 stores water W to be supplied to the inlet scrubber 12, the shower 60, and the like, and is further discharged from the inlet scrubber 12, the shower 60, the outlet scrubber 16, or the like ( W) A tank to recover.

이 수조(20)에는 출구 스크러버(16)의 스프레이 노즐(16b)로부터 분무된 신수(NW)가 항상 공급되어 있기 때문에, 소정량 이상의 물(W)이 저류하지 않도록 잉여수를 오버플로우시켜 배수 처리 장치(도시하지 않음)에 보내도록 하고 있다. Since the fresh water NW sprayed from the spray nozzle 16b of the outlet scrubber 16 is always supplied to this water tank 20, the excess water overflows so that the water W or more than a predetermined amount may not be stored, and the wastewater treatment is performed. It is sent to an apparatus (not shown).

또, 본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에서의 반응로(14)를 제외하는 다른 부분에는 반도체 배기 가스(X)에 포함되거나, 또는, 상기 배기 가스(X)의 분해에 의해서 생기는 플루오르산 등의 부식성 성분에 의한 부식으로부터 각부를 지키기 위해서, 염화비닐, 폴리에틸렌, 불포화폴리에스테르수지 및 불소수지 등에 의한 내부식성의 라이닝이나 코팅이 실시되어 있다. In the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 of this embodiment, other portions except the reactor 14 are included in the semiconductor exhaust gas X or fluorine generated by decomposition of the exhaust gas X. In order to protect each part from corrosion by corrosive components, such as an acid, corrosion-resistant lining and coating by vinyl chloride, polyethylene, unsaturated polyester resin, a fluororesin, etc. are given.

다음에, 본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)의 작용에 관해서 설명한다. 반도체 제조 장치로부터 배출된 반도체 배기 가스(X)는 입구 덕트(22)를 통해서 입구 스크러버(12) 내에 도입되어, 스프레이 노즐(12b)로부터 살포된 안개형의 물(W)에 접촉하고, 상기 가스(X) 중의 분진이 스프레이 노즐(12b)로부터 살포된 미세 액적에 접촉하여 포착되어 수조(20)에 보내진다. 또한, 이것과 동시에 배기 가스(X) 중의 수용성 성분도 물(W)에 흡수 제거된다. Next, the operation of the semiconductor exhaust gas treating apparatus 10 of the present embodiment will be described. The semiconductor exhaust gas X discharged from the semiconductor manufacturing apparatus is introduced into the inlet scrubber 12 through the inlet duct 22, and comes into contact with the mist-like water W sprayed from the spray nozzle 12b. Dust in (X) is captured in contact with the fine droplets sprayed from the spray nozzle 12b and sent to the water tank 20. At the same time, the water-soluble component in the exhaust gas (X) is also absorbed and removed by the water (W).

입구 스크러버(12)에서 세정된 저온습윤의 반도체 배기 가스(X)는 수세가스 공급 배관(24)을 통해서 가스 공급 파이프(32)로 보내진다. 배기 가스(X)는 가스 공급 파이프(32)를 상승(上昇)하고, 그 상승 중에 주위온도에 의해서 가열되어, 충분히 예열된 시점에서 가스 공급 파이프(32)의 선단으로부터 배기 가스 분해 처리실(36) 내에 방출된다. The low-temperature wet semiconductor exhaust gas X cleaned by the inlet scrubber 12 is sent to the gas supply pipe 32 through the flush gas supply pipe 24. The exhaust gas X raises the gas supply pipe 32 and is heated by the ambient temperature during the rise, and at the point where it is sufficiently preheated, the exhaust gas decomposition treatment chamber 36 is released from the tip of the gas supply pipe 32. Is released within.

충분히 예열된 후, 가스 공급 파이프(32)의 선단으로부터 반응로 본체(30) 내(구체적으로는 배기 가스 분해 처리실(36) 내)에 방출된 배기 가스(X)는 충분한 고온으로 유지되어 있는 배기 가스 분해 처리실(36) 내에서 즉시 열산화 분해된다. After sufficiently preheated, the exhaust gas X discharged from the tip of the gas supply pipe 32 into the reactor main body 30 (specifically, in the exhaust gas decomposition treatment chamber 36) is exhausted at a sufficiently high temperature. It thermally decomposes immediately in the gas decomposition treatment chamber 36.

이 때, 반도체 배기 가스(X)에 불소화합물이 포함되어 있는 경우, 반도체 배기 가스(X)의 열산화 분해에 의해서 불소(F2)가 발생하는 동시에, 이 불소(F2)가 공기 중의 수소나 물과 즉석으로 반응하여 맹독이며, 또한, 물에 극히 녹기 쉬운 플루오르화수소(HF)를 생성한다. At this time, when the fluorine compound is contained in the semiconductor exhaust gas (X), fluorine (F2) is generated by thermal oxidation decomposition of the semiconductor exhaust gas (X), and the fluorine (F2) is hydrogen or water in the air. It reacts on the fly and produces hydrogen fluoride (HF) which is poisonous and extremely soluble in water.

이렇게 하여 열산화 분해된 반도체 배기 가스(X)는 계속해서 가스 배출부(38)를 경유하여 분해가스 송급 배관(40)에 도입된다. The thermally decomposed semiconductor exhaust gas X is introduced into the decomposition gas supply pipe 40 via the gas discharge unit 38.

분해가스 송급 배관(40) 내에는 샤워(60)가 장착되어 있고, 배기 가스 분해 처리실(36)에서 분해된 가장 고온이며 또한 가장 분자운동이 왕성한 상태의 반도체 배기 가스(X)에 직접 물(W)을 분무할 수 있기 때문에, 반도체 배기 가스(X)와 물(W)이 높은 확률로 기액(氣液) 접촉할 수 있다. 요컨대, 반도체 배기 가스(X)의 열산화 분해에 의해서 부생한 분진이나 수용성 성분(예를 들면 HF)과 물(W)이 높은 확률로 기액 접촉할 수 있다. 이 때문에, 분진이나 수용성 성분을 효율 좋게 물(W) 중에 용해·흡수시킬 수 있고, 후술하는 출구 스크러버(16)에서의 배기 가스 처리부하를 경감시킬 수 있는 동시에, 분해가스 송급 배관(40) 내에 분진 등이 퇴적하는 것을 방지할 수 있다. 덧붙여, 반응로(14)에서 열산화 분해된 고온의 반도체 배기 가스(X)를 출구 스크러버(16)에 보내기 전에 미리 냉각할 수 있고, 이 샤워(60) 이후의 배기 가스 유로를 형성하는 재료로서 내열성을 억제한 저렴한 것(예를 들 면, 표면에 내부식성의 수지 피막을 설치한 스테인레스재 등)을 사용할 수 있다. In the cracked gas supply pipe 40, a shower 60 is mounted, and water (W) is directly injected into the semiconductor exhaust gas X having the highest temperature and the most molecular motion decomposed in the exhaust gas cracking processing chamber 36. ), The semiconductor exhaust gas (X) and water (W) can be in gas-liquid contact with a high probability. In short, by-product oxidation of the by-product dust and water-soluble component (for example, HF) and water (W) can be performed by the thermal oxidation decomposition of the semiconductor exhaust gas (X) with high probability. Therefore, dust and water-soluble components can be efficiently dissolved and absorbed in the water W, and the exhaust gas treatment load at the outlet scrubber 16, which will be described later, can be reduced, and in the cracked gas supply pipe 40 The accumulation of dust and the like can be prevented. In addition, the high-temperature semiconductor exhaust gas X thermally oxidized in the reactor 14 can be cooled before being sent to the outlet scrubber 16, and as a material for forming the exhaust gas flow path after the shower 60, An inexpensive one having a low heat resistance (for example, stainless steel having a corrosion resistant resin coating on its surface) can be used.

또, 샤워(60)에서 분무된 물(W)은 분해가스 송급 배관(40)을 흘러내린 후, 출구 스크러버(16)의 하단부를 통해서 수조(20)로 보내진다. Moreover, the water W sprayed by the shower 60 flows down the decomposition gas supply pipe 40, and is sent to the water tank 20 through the lower end part of the outlet scrubber 16. FIG.

계속해서, 샤워(60)에 의해서 분진이나 수용성 성분이 효과적으로 제거되고, 또한 냉각된 반도체 배기 가스(X)는 출구 스크러버(16)에 도입되어, 출구 스크러버(16) 내의 하측으로부터 상측을 향해서 통류한다. Subsequently, dust and water-soluble components are effectively removed by the shower 60, and the cooled semiconductor exhaust gas X is introduced into the outlet scrubber 16 and flows from the lower side in the outlet scrubber 16 toward the upper side. .

그리고, 출구 스크러버(16) 내에서 신수(NW)에 의한 충분한 약액 세정과 온도 저하가 이루어지고, 유해 성분의 제해가 완료된 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)는 외기 도입 배관(52)을 통해서 도입한 외기(A)에서 그 습도를 충분히 저하시킨 후, 배기팬(18)에 의해서 대기 중으로 방출된다. Subsequently, sufficient chemical liquid washing with fresh water NW and temperature reduction are performed in the outlet scrubber 16, and the finished semiconductor exhaust gas X in which removal of harmful components is completed is introduced through the outside air inlet pipe 52. After the humidity is sufficiently lowered in one outside air A, the exhaust fan 18 is released into the atmosphere.

본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에 의하면, 우선 처음에 반도체 제조 장치의 챔버로부터 배출된 반도체 배기 가스(X)를 입구 스크러버(12)에서 수세하고 있기 때문에, 상기 배기 가스(X) 중으로부터 분진이나 수용성의 가스를 제거할 수 있다. 또한, 이 입구 스크러버(12)는 스프레이 노즐(12b)로부터 분무되는 물로 채워져 있기 때문에, 반응로(14) 내에서 수소 등의 가연성 성분이 연소하여 화염이 생겼다고 해도, 이 입구 스크러버(12)보다도 상류측, 즉 반도체 제조 장치를 향해서 화염이 전파될 우려는 없다. 또, 입구 스크러버(12)에서 수세된 반도체 배기 가스(X)는 수분을 포함한 상태로 고온의 반응로(14)에 도입되지만, 본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에서는 반응로(14)의 열원으로서 전열 히터(34)를 사용하고 있기 때문에, 버너와 같이 화염이 소실되어 화로 내의 온도가 급격히 저하된다고 하는 문제는 생기지 않는다. 덧붙여, 이와 같이 수분을 포함한 상태의 반도체 배기 가스(X)를 반응로(14)에 도입함으로써, NF3의 반응 생성물로 악취의 원인이 되는 불소(F2)를, 상기 수분 유래의 수소를 이용하여 HF로 변환한 후, 후술하는 출구 스크러버(16)에서 물에 흡착시켜 반도체 배기 가스(X) 중으로부터 제거할 수 있다. 따라서, 불소(F2)를 제해할 수 없고, 그대로 대기 중으로 방출하는 번 웨트 방식과 달리, 불소(F2)에 의한 악취의 문제를 해소할 수 있다. According to the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 of the present embodiment, first, since the semiconductor exhaust gas X discharged from the chamber of the semiconductor manufacturing apparatus is washed with water by the inlet scrubber 12, the exhaust gas X is discharged into the exhaust gas X. To remove dust or water-soluble gases. Moreover, since this inlet scrubber 12 is filled with water sprayed from the spray nozzle 12b, even if combustible components, such as hydrogen, burn in the reactor 14 and generate | occur | produce a flame, it is upstream than this inlet scrubber 12. There is no fear of flame propagation toward the side, that is, toward the semiconductor manufacturing apparatus. In addition, although the semiconductor waste gas X wash | cleaned by the inlet scrubber 12 is introduce | transduced into the high temperature reactor 14 in the state containing water, in the semiconductor waste gas processing apparatus 10 of this embodiment, the reactor 14 is carried out. Since the heat transfer heater 34 is used as the heat source, the problem that the flame disappears like the burner and the temperature in the furnace suddenly decreases does not occur. In addition, by introducing the semiconductor exhaust gas (X) in a state containing water in this way into the reactor 14, fluorine (F 2 ), which causes odor as the reaction product of NF 3 , uses hydrogen derived from the water. After conversion to HF, it can adsorb | suck to water with the outlet scrubber 16 mentioned later, and can remove from the semiconductor exhaust gas X. Therefore, it is not possible to remove fluorine (F 2 ), and unlike the burn-wet method which is released into the atmosphere as it is, the problem of odor caused by fluorine (F 2 ) can be solved.

또한, 화염을 사용하는 번 웨트 방식과 같이 반응로(14) 내의 온도가 과도하게 상승하지 않는다. 그러므로, 열산화 분해하는 반도체 배기 가스(X)가 다량의 질소(N2)를 포함하는 경우에도, 유해한 서멀 NOx(질소산화물)이 부생할 우려는 없다. In addition, the temperature in the reactor 14 does not rise excessively like the burn wet method using a flame. Therefore, even when the semiconductor exhaust gas X for thermal oxidative decomposition contains a large amount of nitrogen (N 2 ), there is no fear that byproducts of harmful thermal NOx (nitrogen oxides) are byproducts.

그리고, 반응로(14) 내에서 열산화 분해한 반도체 배기 가스(X)를 출구 스크러버(16)에서 수세·냉각한 후 대기 중으로 배출하도록 하고 있기 때문에, 반도체 배기 가스(X)의 열산화 분해시에 발생한 분진이나 수용성의 성분을 제거할 수 있고, 제해 처리한 반도체 배기 가스(X)를 더욱 청정한 상태로 대기 중으로 배출할 수 있다. 여기에서, 번 웨트 방식에서는, 버너로 화염을 생성하기 위해서, 연료가스와 연소용 공기가 필요하다. 그러므로, 출구 스크러버에서 처리하는 가스의 양이 증가하게 된다. 이와 같이 출구 스크러버에서 처리하는 가스의 양이 증가하면, 장치 내를 일정한 감압상태로 유지하려고 하는 경우, 배기팬의 능력을 올려 배출하는 가스의 양을 증가시켜야만 한다. 이와 같이 하면, 출구 스크러버로부터 배기덕트에 대한 수분의 반출이 많아져, 배기덕트 내에서 결로가 생기기 쉬워진다. 이것에 대하여, 본 발명장치(10)에서는, 연료가스나 연소용 공기가 필요하지 않기 때문에, 출구 스크러버(16)로부터의 수분의 반출이 적고, 배기덕트 내에서의 결로가 생기기 어렵다. Since the semiconductor exhaust gas X thermally oxidized and decomposed in the reactor 14 is flushed and cooled by the outlet scrubber 16 and then discharged to the atmosphere, the semiconductor exhaust gas X is subjected to thermal oxidation decomposition. The dust and water-soluble component which generate | occur | produced can be removed, and the semiconductor waste gas X which carried out the removal process can be discharged | emitted to the atmosphere in a cleaner state. Here, in the burnt wet method, fuel gas and combustion air are required in order to generate a flame with a burner. Therefore, the amount of gas treated in the outlet scrubber is increased. If the amount of gas treated in the outlet scrubber is increased in this way, if the inside of the apparatus is to be maintained at a constant reduced pressure, the capacity of the exhaust fan must be increased to increase the amount of gas discharged. This increases the amount of water to be discharged from the outlet scrubber to the exhaust duct, and condensation easily occurs in the exhaust duct. On the other hand, in the apparatus 10 of the present invention, since no fuel gas or combustion air is required, water is not discharged from the outlet scrubber 16, and condensation in the exhaust duct hardly occurs.

또한, 배기팬 제어수단(50)이 설치되어 있기 때문에, 입구 덕트(22) 내의 압력을 일정한 감압상태로 제어할 수 있고, 입구 덕트(22) 내의 압력 변동에 의해서 반도체 제조 장치가 악영향을 받는 것을 방지할 수 있는 데 덧붙여, 장치(10) 내를 통류하는 반도체 배기 가스(X)의 통류 속도를 일정히 유지할 수 있고, 항상 일정한 조건으로 반도체 배기 가스(X)를 열산화 분해할 수 있다. In addition, since the exhaust fan control means 50 is provided, it is possible to control the pressure in the inlet duct 22 to a constant depressurized state, and the semiconductor manufacturing apparatus is adversely affected by the pressure variation in the inlet duct 22. In addition, the flow rate of the semiconductor exhaust gas X flowing through the device 10 can be kept constant, and thermal oxidation decomposition of the semiconductor exhaust gas X can be carried out under constant conditions at all times.

또, 배기팬(18)의 흡입구 근방에, 출구 스크러버(16)를 통과한 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)에 외기(A)를 가하여 상기 가스(X) 중의 습도를 내리는 외기 도입 배관(52)이 설치되어 있기 때문에, 배기팬(18)을 통해서 대기 중으로 배출하는 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)의 습도를 내릴 수 있고, 배기팬(18) 이후의 가스 유로에서 결로가 생겨 트러블이 발생하는 것을 예방할 수 있다. In addition, the outside air inlet pipe 52 that applies outside air A to the processed semiconductor exhaust gas X that has passed through the outlet scrubber 16 and lowers the humidity in the gas X near the inlet port of the exhaust fan 18. ), The humidity of the processed semiconductor exhaust gas X discharged to the atmosphere through the exhaust fan 18 can be reduced, and condensation occurs in the gas flow path after the exhaust fan 18, causing trouble. You can prevent it.

여기에서, 본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에서는 외기 도입 배관(52)에 습도센서(56)에서 측정된 습도에 따라서 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)에 가하는 외기(A)의 양을 조정하는 외기 조정밸브(54)가 장착되어 있고, 이 외기 조정밸브(54)가 개폐 작동하여, 배기팬(18) 이후의 가스 유로에 결로가 생기지 않도록 제어되어 있지만, 외기 조정밸브(54)가 개폐 작동함으로써, 반도체 배기 가스 처리 장치(10)의 내압은 변화하여, 입구 덕트(22)에서도 당연히 압력 변동이 생긴다. Here, in the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 of this embodiment, the amount of outside air A applied to the semiconductor exhaust gas X which has been processed according to the humidity measured by the humidity sensor 56 to the outside air inlet pipe 52. The external air control valve 54 for adjusting the pressure is provided, and the external air control valve 54 is controlled to open and close to prevent condensation from occurring in the gas flow path after the exhaust fan 18. By the opening and closing operation, the internal pressure of the semiconductor exhaust gas processing device 10 changes, and pressure fluctuations naturally occur in the inlet duct 22 as well.

그렇지만, 이와 같은 반도체 배기 가스 처리 장치에는 배기팬 제어수단(50)이 설치되어 있기 때문에, 외기 조정밸브(54)가 개폐 작동하여, 반도체 배기 가스 처리 장치(10)의 내압이 변화하는 경우에도, 이러한 내압 변화를 압력계(44)가 검지하여, 입구 덕트(22) 내의 압력 내압이 일정한 감압상태가 되도록 배기팬(18)의 회전수가 제어된다. 요컨대, 배기팬 제어수단(50)과 외기 조정밸브(54)의 상승적 작용에 의해, 입구 덕트(22) 내의 압력을 일정한 감압상태로 유지하고, 입구 덕트(22) 내의 압력 변동에 의해서 반도체 제조 장치가 악영향을 받는 것을 방지하여, 항상 일정한 조건으로 반도체 배기 가스(X)를 열산화 분해할 수 있는 동시에, 배기팬(18)을 통해서 대기 중으로 배출되는 처리 완료의 반도체 배기 가스(X)의 유로에 결로가 생기는 것을 방지할 수 있다. However, since the exhaust fan control means 50 is provided in such a semiconductor exhaust gas processing apparatus, even when the outside air control valve 54 opens and closes and the internal pressure of the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 changes, The pressure gauge 44 detects such a change in internal pressure, and the rotation speed of the exhaust fan 18 is controlled so that the pressure internal pressure in the inlet duct 22 is in a constant reduced pressure state. In other words, by the synergistic action of the exhaust fan control means 50 and the outside air control valve 54, the pressure in the inlet duct 22 is maintained at a constant reduced pressure state, and the semiconductor manufacturing apparatus is changed by the pressure variation in the inlet duct 22. Is prevented from being adversely affected, and the semiconductor exhaust gas X can be thermally oxidized and decomposed under constant conditions at all times, and the semiconductor exhaust gas X can be discharged to the atmosphere through the exhaust fan 18. Condensation can be prevented.

그리고, 본 실시예의 반도체 배기 가스 처리 장치(10)에서는 상시 폐쇄 밸브(62)가 장착된 바이패스 배관(64)과, 상시 폐쇄 밸브(62)를 개방 조작하는 압력 스위치(42)가 더욱 설치되어 있기 때문에, 어떠한 원인(예를 들면, SiO2 등의 퇴적 등)으로 반도체 배기 가스 처리 장치(10)의 배기 가스 유로가 폐색되어 입구 덕트(22)의 내압이 상승한 경우, 압력 스위치(42)가 작동하여 상시 폐쇄 밸브(62)가 개방 조작되어, 바이패스 배관(64)이 통류 가능해진다. 이 때문에, 반도체 배기 가스(X)의 발생원인 반도체 제조 장치가, 입구 덕트(22)의 내압상승에 의해서 데미지를 받기 전에, 반도체 배기 가스(X)가 안전한 레벨이 되도록 외기 도입 배관(52)으 로부터 도입한 외기(A)로 충분히 희석하면서, 상기 반도체 배기 가스(X)를 긴급하게 배출할 수 있다. In the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 of the present embodiment, a bypass pipe 64 equipped with a normally closed valve 62 and a pressure switch 42 for opening and closing the normally closed valve 62 are further provided. Therefore, when the exhaust gas flow path of the semiconductor exhaust gas processing apparatus 10 is blocked for some reason (for example, deposition such as SiO 2 ), and the internal pressure of the inlet duct 22 rises, the pressure switch 42 By operating, the normally closed valve 62 is opened and the bypass pipe 64 can flow. For this reason, before the semiconductor manufacturing apparatus which is a generation source of the semiconductor exhaust gas X is damaged by the increase in the internal pressure of the inlet duct 22, the outside air inlet piping 52 is brought to a safe level. The semiconductor exhaust gas X can be urgently discharged while sufficiently diluting with the outside air A introduced therefrom.

도 1은 발명의 반도체 배기 가스 처리 장치의 플로를 도시하는 개략도. 1 is a schematic diagram showing a flow of a semiconductor exhaust gas treating apparatus of the invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 반도체 배기 가스 처리 장치 12 : 입구 스크러버 10 semiconductor exhaust gas treatment device 12 inlet scrubber

14 : 반응로 16 : 출구 스크러버14 reactor 16 outlet scrubber

18 : 배기팬 22 : 입구 덕트 18: exhaust fan 22: inlet duct

24 : 수세가스 공급 배관 28 : 순환수 펌프 24: flush gas supply pipe 28: circulating water pump

30 : 반응로 본체 32 : 가스 공급 파이프30: reactor body 32: gas supply pipe

34 : 전열 히터 36 : 배기 가스 분해 처리실34: heat transfer heater 36: exhaust gas decomposition treatment chamber

40 : 분해가스 송급 배관 42 : 압력 스위치 40: decomposition gas supply pipe 42: pressure switch

44 : 압력계 46 : 배선 44 pressure gauge 46 wiring

48 : 인버터 50 : 배기팬 제어수단48: inverter 50: exhaust fan control means

52 : 외기 도입 배관 54 : 외기 조정밸브52: outside air inlet piping 54: outside air control valve

56 : 습도센서 58 : 배선 56: humidity sensor 58: wiring

60 : 샤워 62 : 상시 폐쇄 밸브 60: shower 62: normally closed valve

64 : 바이패스 배관 F : 배기 가스 64: bypass pipe F: exhaust gas

A : 외기 A: outside air

Claims (6)

입구 덕트를 통해서 반도체 제조 장치의 챔버에 접속되고, 상기 챔버로부터 배출된 반도체 배기 가스를 스프레이 노즐로부터 분사되는 물로 세정하는 습식의 입구 스크러버와;A wet inlet scrubber connected to the chamber of the semiconductor manufacturing apparatus via an inlet duct, for cleaning the semiconductor exhaust gas discharged from the chamber with water injected from a spray nozzle; 상기 입구 스크러버에서 수세된 반도체 배기 가스를 전열 히터에 의한 열로 분해 처리하는 반응로와;A reaction furnace for decomposing the semiconductor exhaust gas washed in the inlet scrubber into heat by an electrothermal heater; 상기 반응로에서 열산화 분해된 처리 완료의 반도체 배기 가스를 수세·냉각하는 습식의 출구 스크러버; 및 A wet outlet scrubber for washing and cooling the semiconductor exhaust gas which has been thermally decomposed and treated in the reactor; And 상기 출구 스크러버의 가스 통류방향 하류 단부에 장착되어, 반도체 배기 가스를 흡인·배기하는 배기팬을 구비하는 반도체 배기 가스 처리 장치. And an exhaust fan attached to the gas flow direction downstream end of the outlet scrubber and configured to suck and exhaust the semiconductor exhaust gas. 제 1 항에 있어서, 상기 입구 덕트 내의 압력을 측정하는 압력계와, 상기 압력계에서 측정된 압력에 기초하여 상기 배기팬의 회전수를 제어하는 인버터로 구성된 배기팬 제어수단이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 배기 가스 처리 장치. The semiconductor device according to claim 1, wherein an exhaust fan control means comprising a pressure gauge for measuring the pressure in the inlet duct and an inverter for controlling the rotation speed of the exhaust fan based on the pressure measured by the pressure gauge. Exhaust gas treatment device. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 배기팬의 흡입구 근방에, 상기 출구 스크러버를 통과한 처리 완료의 반도체 배기 가스에 외기를 가하여 상기 가스 중의 습도를 내리는 외기 도입 배관이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 배기 가스 처리 장치. The outside air inlet pipe according to claim 1 or 2, wherein an outside air is introduced to the outside of the inlet of the exhaust fan to reduce the humidity in the gas by applying outside air to the finished semiconductor exhaust gas that has passed through the outlet scrubber. Semiconductor exhaust gas treatment device. 제 1 항에 있어서, 상기 입구 덕트 내의 압력을 측정하는 압력계 및 상기 압력계에서 측정된 압력에 기초하여 상기 배기팬의 회전수를 제어하는 인버터로 구성된 배기팬 제어수단과; The exhaust fan control means according to claim 1, further comprising: an exhaust fan control means composed of a pressure gauge for measuring the pressure in the inlet duct and an inverter for controlling the rotation speed of the exhaust fan based on the pressure measured by the pressure gauge; 상기 배기팬의 흡입구 근방에 장착되고, 상기 출구 스크러버를 통과한 처리 완료의 반도체 배기 가스에 외기를 가하여 상기 가스 중의 습도를 내리는 외기 도입 배관; 및An outside air inlet pipe attached to a suction port of the exhaust fan and configured to apply outside air to the finished semiconductor exhaust gas that has passed through the outlet scrubber to lower humidity in the gas; And 상기 외기 도입 배관에 장착되고, 상기 출구 스크러버의 상기 외기 도입 배관 접속부와 상기 배기팬 흡입구의 사이에 설치된 습도센서에서 측정된 습도에 따라서 처리 완료의 반도체 배기 가스에 가하는 외기의 양을 조정하여, 결로가 생기지 않도록 제어하는 외기 조정밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 배기 가스 처리 장치. The amount of outside air to be applied to the finished semiconductor exhaust gas is adjusted according to the humidity measured by the humidity sensor installed between the outside air inlet pipe connecting portion of the outlet scrubber and the exhaust fan intake port of the outlet scrubber. A semiconductor exhaust gas treating apparatus, characterized in that an outside air regulating valve is installed to control the occurrence of gas. 제 1 항에 있어서, 상기 반응로와 상기 출구 스크러버를 연결하는 분해가스 송급 배관에, 내부를 상시 수세하는 샤워가 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 배기 가스 처리 장치. The semiconductor exhaust gas treatment apparatus according to claim 1, wherein a shower for always washing the inside of the cracked gas supply pipe connecting the reactor and the outlet scrubber is mounted. 제 1 항에 있어서, 상기 배기팬의 흡입구 근방에 설치된 외기 도입 배관과; According to claim 1, Outside air inlet pipes provided in the vicinity of the intake port of the exhaust fan; 상시 폐쇄 밸브를 통해서 상기 입구 덕트 및 상기 배기팬의 흡입구 근방을 연통하는 바이패스 배관; 및A bypass pipe communicating with the inlet duct and the intake port of the exhaust fan through a normally closed valve; And 상기 입구 덕트 내의 압력이 소정의 상한 설정압에 도달하였을 때, 상기 상시 폐쇄 밸브를 개방 조작하는 압력 스위치가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 배기 가스 처리 장치. And a pressure switch for opening and closing the normally closed valve when a pressure in the inlet duct reaches a predetermined upper limit set pressure.
KR1020070075093A 2007-07-26 2007-07-26 A exhaust gas disposal appartus of semiconductor KR20090011467A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070075093A KR20090011467A (en) 2007-07-26 2007-07-26 A exhaust gas disposal appartus of semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070075093A KR20090011467A (en) 2007-07-26 2007-07-26 A exhaust gas disposal appartus of semiconductor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090011467A true KR20090011467A (en) 2009-02-02

Family

ID=40682589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070075093A KR20090011467A (en) 2007-07-26 2007-07-26 A exhaust gas disposal appartus of semiconductor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090011467A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814423B (en) * 2009-02-23 2013-03-13 株式会社日立国际电气 Substrate processing apparatus
KR20160072318A (en) 2014-12-12 2016-06-23 (주)후산 A cartridge with double pipe for adsorbing type of scrubber
KR20160119445A (en) * 2014-02-12 2016-10-14 칸켄 테크노 가부시키가이샤 Burner for processing exhaust gas and exhaust gas treatment device using the same
CN108619888A (en) * 2018-07-11 2018-10-09 安徽京仪自动化装备技术有限公司 A kind of acid-base neutralization equipment of semiconductor waste gas processing
CN112543673A (en) * 2019-06-27 2021-03-23 北京康肯环保设备有限公司 Waste gas harm-removing unit
CN115461131A (en) * 2021-04-01 2022-12-09 北京康肯环保设备有限公司 Treatment device for semiconductor manufacturing waste gas

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814423B (en) * 2009-02-23 2013-03-13 株式会社日立国际电气 Substrate processing apparatus
KR20160119445A (en) * 2014-02-12 2016-10-14 칸켄 테크노 가부시키가이샤 Burner for processing exhaust gas and exhaust gas treatment device using the same
KR20160072318A (en) 2014-12-12 2016-06-23 (주)후산 A cartridge with double pipe for adsorbing type of scrubber
CN108619888A (en) * 2018-07-11 2018-10-09 安徽京仪自动化装备技术有限公司 A kind of acid-base neutralization equipment of semiconductor waste gas processing
CN112543673A (en) * 2019-06-27 2021-03-23 北京康肯环保设备有限公司 Waste gas harm-removing unit
CN115461131A (en) * 2021-04-01 2022-12-09 北京康肯环保设备有限公司 Treatment device for semiconductor manufacturing waste gas
CN115461131B (en) * 2021-04-01 2024-01-16 北京康肯环保设备有限公司 Treatment device for semiconductor manufacturing waste gas

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5307556B2 (en) Gas processing equipment
KR100847916B1 (en) Effluent gas stream treatment device and mehod having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
KR101995211B1 (en) Exhaust gas processing device
EP2000195B1 (en) Method of making hcd gas harmless and apparatus therefor
KR20090011467A (en) A exhaust gas disposal appartus of semiconductor
JP5540035B2 (en) Gas processing equipment
KR20090075037A (en) Plasma scrubber and method for abating toxic gas
JP2009082893A (en) Exhaust gas treating apparatus
JP2010023000A (en) Waste gas detoxification apparatus
KR20170117032A (en) Exhaust gas treatment method and exhaust gas treatment device
JP3016690B2 (en) Semiconductor manufacturing exhaust gas abatement method and apparatus
JP4629967B2 (en) Method and apparatus for treating N2O-containing exhaust gas
JP7021730B1 (en) Semiconductor manufacturing exhaust gas treatment equipment
TW200904511A (en) Semiconductor exhaust gas treating device
JP5004453B2 (en) Exhaust gas treatment method and treatment apparatus
JP2005087958A (en) Exhaust gas introducing structure and exhaust gas treating apparatus using the structure
WO2022092086A1 (en) Exhaust gas treatment facility
CN101357296A (en) Semiconductor discharged-gas processing device
JP4583880B2 (en) Exhaust gas treatment method and treatment apparatus
WO2022208848A1 (en) Device for treating pfc-containing exhaust gas
KR101635065B1 (en) Scrubber With Pre Wet Device
JP2006175317A (en) Treatment apparatus of exhaust gas from semiconductor manufacturing process
WO2023084595A1 (en) Gas processing furnace and exhaust gas processing device using same
KR100992752B1 (en) Scrubber of semiconductor manufacturing apparatus
JP3476779B2 (en) Dust treatment method and structure for semiconductor exhaust gas treatment equipment

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination