KR20090006270A - Supercritical fluid generating apparatus, and facility and method for treating substrate with the same - Google Patents

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KR20090006270A
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Abstract

The substrate processing equipment including the photoresist strip is provided to reduce the processing time by keeping the concentration of the supercritical fluid constantly. The process gas supplying member(210) supplies the process gas. The processing solution supply member(220) supplies the processing liquid. The mixing member(230) is provided with the process gas and processing liquid from the process gas feed member and processing solution supply member. The mixing member comprises the mixer(236) mixing the process gas and processing liquid, the housing(232) for providing the space for producing the supercritical fluid, and the heater(234), heating up the housing.

Description

초임계유체 생성장치, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법{SUPERCRITICAL FLUID GENERATING APPARATUS, AND FACILITY AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}Supercritical fluid generating apparatus, and substrate processing equipment and method including the same {SUPERCRITICAL FLUID GENERATING APPARATUS, AND FACILITY AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다.1 shows a substrate processing facility according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.2 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 초임계유체 생성장치의 초임계유체 생성과정을 보여주는 순서도이다.3 is a flow chart showing a supercritical fluid generation process of the supercritical fluid generating device according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 설비의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the process of the substrate processing equipment according to the present invention.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 웨이퍼 표면의 감광액 제거 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 5A to 5C are views for explaining a process of removing a photoresist on the surface of a wafer according to the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설비의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이다.6 and 7 are views for explaining the process of the substrate processing equipment according to another embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

10 : 기판 처리 설비10: substrate processing equipment

100 : 공정실100: process room

110 : 챔버110: chamber

120 : 지지부재120: support member

130 : 구동부재130: drive member

140 : 배기부재140: exhaust member

200 : 초임계유체 생성장치200: supercritical fluid generating device

210 : 처리가스 공급부재210: processing gas supply member

220 : 처리액 공급부재220: treatment liquid supply member

230 : 혼합부재230: mixing member

본 발명은 초임계유체 생성장치, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초임계유체를 생성하는 장치, 그리고 상기 장치를 구비하여 기판 표면의 이물질을 제거하는 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a supercritical fluid generating apparatus, and a substrate processing equipment and method including the same, and more particularly, to an apparatus for generating a supercritical fluid, and an apparatus and a substrate provided with the apparatus to remove foreign substances from the surface of the substrate. It relates to a processing method.

일반적인 반도체 제조 공정은 웨이퍼 상에 세정, 도포, 증착, 현상, 이온주입, 화학적 기계적평탄화, 그리고 식각 등의 처리 공정들을 포함한다. 이러한 처리 공정들 중 식각 공정은 웨이퍼 표면의 불필요한 이물질을 제거하는 공정이다. 식각 공정은 건식 식각 공정과 습식 식각 공정으로 나뉘며, 이 중 건식 식각 공정은 웨이퍼 표면에 다양한 종류의 처리유체(특히, 처리가스)를 공급하여 웨이퍼 표면에 불필요한 이물질을 제거한다.Typical semiconductor fabrication processes include processing on the wafer, such as cleaning, applying, depositing, developing, ion implantation, chemical mechanical leveling, and etching. Among these treatment processes, an etching process is a process of removing unnecessary foreign substances on the wafer surface. The etching process is divided into a dry etching process and a wet etching process. Among them, the dry etching process supplies various kinds of processing fluids (especially, processing gases) to the wafer surface to remove unnecessary foreign substances on the wafer surface.

최근에는 초임계유체를 사용하여 웨이퍼 표면의 감광액을 제거하는 기술이 사용된다. 초임계유체를 사용하여 웨이퍼 표면의 감광액을 제거하는 장치는 챔버 를 구비한다. 일반적인 초임계유체를 사용한 감광액 제거장치는 공정시 가압챔버 내부에 웨이퍼 위치시킨 후 가압챔버를 일정압력으로 가압시킨다. 그리고, 가압챔버 내부로 이산화탄소 및 감광액 제거를 위한 처리액을 공급하여 가압챔버 내부에서 초임계유체를 생성시켜 웨이퍼 표면의 감광액을 제거한다.Recently, a technique of removing photoresist on the wafer surface using a supercritical fluid is used. An apparatus for removing the photoresist on the wafer surface using a supercritical fluid has a chamber. In general, a photoresist removal apparatus using a supercritical fluid pressurizes the pressure chamber to a predetermined pressure after placing the wafer inside the pressure chamber during the process. Then, a processing liquid for removing carbon dioxide and a photosensitive liquid is supplied into the pressure chamber to generate a supercritical fluid within the pressure chamber to remove the photosensitive liquid on the wafer surface.

그러나, 이러한 초임계유체를 사용한 감광액 제거 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the photoresist removal apparatus using such a supercritical fluid has the following problems.

첫째, 감광액의 제거 효율이 낮다. 일반적으로 감광액 제거를 수행하기 전의 웨이퍼는 이온 주입 공정이 수행된다. 그러나, 이온 주입 공정 후 감광액 표면은 경화(hardening)된다. 표면이 경화된 감광액은 일반적인 초임계유체 공급에 의해 잘 제거되지 않는다.First, the removal efficiency of the photosensitive liquid is low. In general, an ion implantation process is performed on a wafer before performing photoresist removal. However, after the ion implantation process, the photoresist surface is hardened. The hardened photoresist is hard to remove by normal supercritical fluid supply.

둘째, 초임계유체의 농도를 일정하게 유지시키기 어렵다. 즉, 일반적인 초임계유체를 사용하여 감광액을 제거하는 장치는 공정시 가압챔버로 초임계상태의 이산화탄소와 감광액 제거를 위한 처리액을 공급하여 소정의 농도를 만족하는 초임계유체를 생성한다. 그러나, 이러한 이산화탄소 및 처리액을 직접 가압챔버로 공급시켜 초임계유체를 생성하는 방식은 생성된 초임계유체의 농도가 일정하지 않아 감광액 제거가 불균일하게 이루어진다.Second, it is difficult to keep the concentration of supercritical fluid constant. That is, a device for removing the photoresist using a general supercritical fluid supplies a supercritical carbon dioxide and a treatment liquid for removing the photoresist to the pressure chamber during the process to generate a supercritical fluid that satisfies a predetermined concentration. However, the method of generating supercritical fluid by directly supplying the carbon dioxide and the treatment liquid to the pressurized chamber has a non-uniform concentration of the generated supercritical fluid, resulting in uneven photoresist removal.

셋째, 가압챔버의 가압에 따른 시간에 의해 공정 시간이 증가된다. 즉, 일반 적인 초임계유체를 사용하여 감광액을 제거하는 장치는 낱장의 웨이퍼들을 처리할 때마다 가압챔버 내부를 기설정된 압력 및 온도로 조절하여야 한다. 그러나, 이러한 방식은 가압챔버의 압력 및 온도를 기설정된 압력 및 온도로 조절하는데 많은 시간이 소모되므로 공정 처리 시간이 증가된다.Third, the process time is increased by the time according to the pressurization of the pressure chamber. In other words, the apparatus for removing the photoresist using a general supercritical fluid should adjust the inside of the pressurizing chamber to a predetermined pressure and temperature each time a single wafer is processed. However, this method increases process processing time because much time is spent adjusting the pressure and temperature of the pressure chamber to a predetermined pressure and temperature.

본 발명은 감광액 제거 효율을 향상시키는 초임계유체 생성장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a supercritical fluid generating device for improving the photoresist removal efficiency and a substrate processing equipment and method having the same.

본 발명은 초임계유체의 농도를 일정하게 유지시키는 초임계유체 생성장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a supercritical fluid generating device for maintaining a constant concentration of the supercritical fluid, and a substrate processing equipment and method having the same.

본 발명은 공정 시간을 단축시키는 초임계유체 생성장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a supercritical fluid generating device for shortening the process time and a substrate processing equipment and method having the same.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 초임계유체 생성장치는 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부재, 처리액을 공급하는 처리액 공급부재, 그리고 상기 처리가스 공급부재 및 상기 처리액 공급부재 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받는 혼합부재를 포함하되, 상기 혼합부재는 내부에 초임계유체를 생성하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징을 가열하는 히터, 그리고 상기 하우징 내 처리가스 및 처리액을 혼합시키는 교반기를 포함한다.Supercritical fluid generating apparatus according to the present invention for achieving the above object is a processing gas supply member for supplying a processing gas, a processing liquid supply member for supplying a processing liquid, and the processing gas supply member and the processing liquid supply member, respectively And a mixing member receiving a processing gas and a processing liquid from the housing, wherein the mixing member includes a housing providing a space for generating a supercritical fluid therein, a heater for heating the housing, and a processing gas and a processing liquid in the housing. A stirrer to mix.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리가스는 이산화탄소를 포함하고 상기 처리액은 불산 또는 유기용제 중 적어도 어느 하나를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the treatment gas includes carbon dioxide and the treatment liquid includes at least one of hydrofluoric acid or an organic solvent.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리액 공급부재는 처리액을 저장하는 처리액 공급원, 상기 처리액 공급원으로부터 상기 생성용기로 처리액을 공급하는 처리액 공급라인, 그리고 상기 처리액 공급라인에 설치되어 상기 처리액 공급라인을 따라 이동되는 처리액을 가압하는 제2 가압부재를 포함하되, 상기 제2 가압부재는 기설정량 양만큼의 처리액을 공급하는 정량 펌프이다.According to an embodiment of the present invention, the processing liquid supply member is installed in a processing liquid supply source for storing the processing liquid, a processing liquid supply line for supplying the processing liquid from the processing liquid supply source to the production container, and the processing liquid supply line. And a second pressing member pressurizing the processing liquid moved along the processing liquid supply line, wherein the second pressing member is a metering pump for supplying the processing liquid by a predetermined amount.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 초임계유체 생성장치는 상기 생성용기 내 초임계유체의 온도를 측정하는 온도 측정기, 상기 생성용기 내 초임계유체의 농도를 측정하는 농도 측정기, 그리고 상기 온도 측정기와 상기 농도 측정기가 각각 측정한 온도 데이터 및 농도 데이터를 전송받아 상기 제2 가압부재 및 상기 히터를 제어하는 제어기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the supercritical fluid generating device includes a temperature measuring device for measuring the temperature of the supercritical fluid in the production container, a concentration measuring device for measuring the concentration of the supercritical fluid in the production container, and the temperature measuring device. And a controller for receiving the temperature data and the concentration data measured by the concentration meter, respectively, to control the second pressurizing member and the heater.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 설비는 기판을 처리하는 공정실 및 초임계유체를 생성하여 상기 공정실로 생성된 초임계유체를 공급하는 초임계유체 생성장치를 포함하되, 상기 공정실은 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버 및 공정시 상기 챔버 내부에서 기판을 지지하는 지지부재재를 포함하고, 상기 챔버는 상부벽 및 측벽을 포함하고, 상기 측벽은 상기 초임계유체 생성장치로부터 초임계유체를 공급받는 공급통로가 형성되는 일측벽 및 공급받은 초임계유체를 외부로 배출시키는 배출통로가 형성되는 타측벽을 포함한다.Substrate processing equipment according to the present invention for achieving the above object includes a process chamber for processing a substrate and a supercritical fluid generating device for supplying the supercritical fluid generated to the process chamber by generating a supercritical fluid, the process The chamber includes a chamber for providing a space for processing the substrate therein and a support member material for supporting the substrate within the chamber during processing, the chamber including an upper wall and a side wall, the side wall from the supercritical fluid generating device. And one side wall on which a supply passage for receiving the supercritical fluid is formed and the other side wall on which a discharge passage for discharging the supplied supercritical fluid to the outside is formed.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급통로와 상기 배출통로는 서로 대향되고, 상기 공급통로는 공정시 상기 챔버로 공급되는 초임계유체가 상기 지지부재에 놓여진 기판과 평행하는 방향으로 공급되도록 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the supply passage and the discharge passage are opposed to each other, the supply passage is provided so that the supercritical fluid supplied to the chamber during the process is supplied in a direction parallel to the substrate placed on the support member .

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 설비는 공정시 상기 챔버 내 유체를 상기 챔버 외부로 배출시키는 배기부재를 더 포함하되, 상기 배기부재는 상기 배출통로와 연결되어 공정시 상기 챔버 내 초임계유체를 외부로 배출시키는 배출라인 및 상기 배출라인에 설치되어, 상기 배출라인을 따라 배출되는 초임계유체의 배출량을 조절하는 유량조절부재를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes an exhaust member for discharging the fluid in the chamber to the outside of the chamber during the process, the exhaust member is connected to the discharge passage in the process supercritical in the chamber And a flow rate adjusting member installed at the discharge line for discharging the fluid to the outside and the discharge of the supercritical fluid discharged along the discharge line.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 초임계유체 생성장치는 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부재, 처리액을 공급하는 처리액 공급부재, 그리고 상기 처리가스 공급부재 및 상기 처리액 공급부재 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받는 혼합부재를 포함하되, 상기 혼합부재는 내부에 초임계유체를 생성하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징을 가열하는 히터, 그리고 상기 하우징 내 처리가스 및 처리액을 혼합시키는 교반기를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the supercritical fluid generating apparatus includes a processing gas supply member for supplying a processing gas, a processing liquid supply member for supplying a processing liquid, and a processing gas supply member and the processing liquid supply member, respectively. And a mixing member receiving a gas and a processing liquid, wherein the mixing member mixes a housing providing a space for generating a supercritical fluid therein, a heater for heating the housing, and a processing gas and a processing liquid in the housing. A stirrer.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리액 공급부재는 처리액을 저장하는 처리액 공급원, 상기 처리액 공급원으로부터 상기 생성용기로 처리액을 공급하는 처리액 공급라인, 그리고 상기 처리액 공급라인에 설치되어 상기 처리액 공급라인을 따라 이동되는 처리액을 가압하는 제2 가압부재를 포함하되, 상기 제2 가압부재는 기설정량 양만큼의 처리액을 공급하는 정량 펌프이다.According to an embodiment of the present invention, the processing liquid supply member is installed in a processing liquid supply source for storing the processing liquid, a processing liquid supply line for supplying the processing liquid from the processing liquid supply source to the production container, and the processing liquid supply line. And a second pressing member pressurizing the processing liquid moved along the processing liquid supply line, wherein the second pressing member is a metering pump for supplying the processing liquid by a predetermined amount.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 초임계유체 생성장치는 상기 생성용기 내 초임계유체의 온도를 측정하는 온도 측정기, 상기 생성용기 내 초임계유체의 농도를 측정하는 농도 측정기, 그리고 상기 온도 측정기와 상기 농도 측정기가 각각 측정한 온도 데이터 및 농도 데이터를 전송받아 상기 제2 가압부재 및 상기 히터를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 농도 측정기가 측정한 농도값이 기설정된 농도값을 초과하면, 상기 생성용기로 공급되는 처리액의 양이 감소하도록 상기 제2 가압부재를 제어하고, 상기 농도 측정기가 측정한 농도값이 기설정된 농도값 이하이면, 상기 생성용기로 공급되는 처리액의 양이 증가하도록 상기 제2 가압부재를 제어한다.According to an embodiment of the present invention, the supercritical fluid generating device includes a temperature measuring device for measuring the temperature of the supercritical fluid in the production container, a concentration measuring device for measuring the concentration of the supercritical fluid in the production container, and the temperature measuring device. And a controller for receiving the temperature data and the concentration data measured by the concentration meter, respectively, and controlling the second pressurizing member and the heater. The controller may include a controller in which the concentration value measured by the concentration meter exceeds a predetermined concentration value. The second pressurizing member is controlled to reduce the amount of the processing liquid supplied to the production container, and when the concentration value measured by the concentration meter is less than or equal to a predetermined concentration value, the amount of the processing liquid supplied to the production container is increased. The second pressing member is controlled to increase.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 초임계유체를 생성시키고, 생성된 초임계유체를 기판의 처리면과 평행하는 방향으로 공급하도록 하여 기판 표면의 이물질을 제거한다.The substrate processing method according to the present invention for achieving the above object is to generate a supercritical fluid, and to remove the foreign matter on the surface of the substrate by supplying the generated supercritical fluid in a direction parallel to the processing surface of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판으로 공급되는 초임계유체는 상기 기판의 일측으로부터 타측으로 이동되면서 상기 이물질을 제거한다.According to an embodiment of the present invention, the supercritical fluid supplied to the substrate removes the foreign matter while moving from one side of the substrate to the other side.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼의 일측으로부터 타측으로의 초임계유체 이동은 상기 이물질을 제거하는 공정이 수행되는 챔버를 공정시 개방하여, 상기 챔버로 공급되는 초임계유체가 상기 챔버로부터 배출됨으로써 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the supercritical fluid movement from one side of the wafer to the other side opens a chamber in which the process of removing the foreign matter is performed during the process, and the supercritical fluid supplied to the chamber is discharged from the chamber. By doing so.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 초임계유체의 생성은 상기 이물질을 제거하기 위한 처리액을 상기 처리액을 추진시키는 처리가스에 의해 상기 처리액을 기설정된 압력으로 추진시키고, 상기 추진된 처리액을 기설정된 온도로 가열하여 이루어지되, 상기 처리액의 추진은 상기 처리가스 및 상기 처리액을 공급받아 상기 초임계유체를 생성하는 생성용기에서 이루어지고, 상기 이물질의 제거는 공정시 내부에 기판이 위치되는 챔버에서 이루어지되, 상기 처리액은 기설정된 양만큼이 상기 생성용기로 공급되도록 상기 생성용기로 공급되기전 공급량이 조절된다.According to an embodiment of the present invention, the generation of the supercritical fluid is to propel the treatment liquid to a predetermined pressure by the treatment gas for propelling the treatment liquid to remove the foreign matter, the propelled treatment liquid It is made by heating to a predetermined temperature, the propulsion of the treatment liquid is made in a production vessel that receives the treatment gas and the treatment liquid to generate the supercritical fluid, the removal of the foreign matter is the substrate inside the process The processing liquid is made in a chamber located, the supply amount is adjusted before being supplied to the production container so that a predetermined amount is supplied to the production container.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 생성용기의 압력은 상기 초임계유체를 상기 챔버로 공급하기 전에는 상기 챔버의 압력보다 높고, 상기 초임계유체를 상기 챔버로 공급한 이후에는 상기 챔버의 압력과 동일하다.According to an embodiment of the present invention, the pressure of the production vessel is higher than the pressure of the chamber before supplying the supercritical fluid to the chamber, and the pressure of the chamber after supplying the supercritical fluid to the chamber. Do.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 이물질 제거는 내부에 초임계유체를 공급받아 상기 기판 표면의 이물질 제거를 수행하는 공간을 가지는 챔버에서 이루어지고, 상기 기판 처리 방법은 상기 초임계유체가 상기 챔버 내부에서 상기 기판의 일측으로부터 타측으로 이동되면서 상기 이물질을 제거하는 제1 방식 및 상기 초임계유체가 상기 챔버 내부에서 정체된 상태로 상기 이물질을 제거하는 제2 방식을 선택적으로 수행하여 이루어진다.According to another embodiment of the present invention, the foreign material removal is made in a chamber having a space for receiving a supercritical fluid therein to remove the foreign matter on the surface of the substrate, the substrate processing method is the supercritical fluid is the chamber It is made by selectively performing a first method of removing the foreign matter while moving from one side of the substrate to the other inside and a second method of removing the foreign matter in a state in which the supercritical fluid is stagnant in the chamber.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 방식과 상기 제2 방식의 선택적 수행은 공정시 상기 챔버 내 초임계유체를 상기 챔버로부터 배출시키는지 여부에 따라 이루어진다.According to another embodiment of the present invention, the selective implementation of the first and second schemes is carried out depending on whether or not the supercritical fluid in the chamber is discharged from the chamber during the process.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the invention will be fully conveyed to those skilled in the art. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

또한, 본 실시예에서는 반도체 웨이퍼로 초임계유체를 공급하여 웨이퍼 표면의 감광액을 제거하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 초임계유체를 사 용하여 기판을 처리하는 모든 설비 및 방법에 적용이 가능하다.In addition, in the present embodiment, a device for removing a photoresist on the surface of a wafer by supplying a supercritical fluid to a semiconductor wafer has been described as an example, but the present invention can be applied to all equipment and methods for treating a substrate using a supercritical fluid. Do.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 설비(10)는 공정실(process room)(100) 및 초임계유체 생성장치(supercritical-fluid generating apparatus)(200)를 포함한다.1 shows a substrate processing facility according to the present invention. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a process room 100 and a supercritical-fluid generating apparatus 200.

공정실(100)은 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W)을 처리한다. 공정실(100)은 적어도 하나가 구비된다. 공정실(100)은 챔버(chamber)(110), 지지부재(support member)(120), 구동부재(driving member)(130), 그리고 배기부재(exhaust member)(130)를 포함한다.The process chamber 100 processes a semiconductor substrate (hereinafter referred to as "wafer") W. At least one process chamber 100 is provided. The process chamber 100 includes a chamber 110, a support member 120, a driving member 130, and an exhaust member 130.

챔버(110)는 내부에 웨이퍼(W) 표면의 불필요한 감광액을 제거하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 챔버(110)는 대체로 하부가 개방된 원통 형상을 가진다. 챔버(110)는 상부벽(112) 및 측벽(114)을 가진다. 챔버(110)의 일측벽(114a)에는 공정시 챔버(110) 내부로 초임계유체를 공급시키기 위한 공급통로(supply passage)(114a')가 형성되고, 일측벽(114a)과 마주보는 타측벽(114a)에는 공정시 챔버(110) 내 초임계유체가 배출시키기 위한 배출통로(discharge passage)(114b')가 형성된다. 공급통로(114a')는 공정시 지지부재(120)에 놓여진 기판(W)의 처리면과 평행하는 방향으로 초임계유체를 공급하도록 제공된다. 예컨대, 공급통로(114a')는 공정시 지지부재(120)에 놓여진 웨이퍼(W)의 높이와 유사한 높이에 제공되어, 공정시 웨이퍼(W)의 처리면과 평행하는 방향과 동일한 방향으로 초임계유 체를 공급한다.The chamber 110 provides a space therein for performing a process of removing unnecessary photoresist on the surface of the wafer (W). Chamber 110 has a generally cylindrical shape with an open bottom. Chamber 110 has a top wall 112 and a side wall 114. A supply passage 114a 'is formed in one side wall 114a of the chamber 110 to supply a supercritical fluid into the chamber 110 during the process, and the other side wall facing the one side wall 114a. A discharge passage 114b 'is formed at 114a for discharging the supercritical fluid in the chamber 110 during the process. The supply passage 114a ′ is provided to supply the supercritical fluid in a direction parallel to the processing surface of the substrate W placed on the support member 120 during the process. For example, the supply passage 114a 'is provided at a height similar to the height of the wafer W placed on the support member 120 during the process, so that the supercritical oil in the same direction parallel to the processing surface of the wafer W during the process. Feed the sieve.

지지부재(120)는 공정시 챔버(110) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지부재(120)는 지지체(support body)(122)를 가진다. 지지체(122)는 대체로 원통형상을 가진다. 지지체(122)는 웨이퍼(W)를 지지하는 상부면(122a)을 가지며, 챔버(110)의 하부 중앙에 형성된 개구(116)에 삽입되거나 개구(116)로부터 분리되도록 설치된다. The support member 120 supports the wafer W in the chamber 110 during the process. The support member 120 has a support body 122. The support 122 has a generally cylindrical shape. The support 122 has an upper surface 122a for supporting the wafer W, and is installed to be inserted into or separated from the opening 116 formed in the lower center of the chamber 110.

구동부재(130)는 지지체(122)를 공정위치(a) 및 대기위치(b) 상호간에 이동시킨다. 공정위치(a)는 웨이퍼 표면의 감광액을 제거하는 공정이 수행되기 위한 지지체(122)의 위치이고, 대기위치(b)는 상기 감광액 제거 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 챔버(110) 외부에서 대기시키는 위치이다.The driving member 130 moves the support 122 between the process position (a) and the standby position (b). The process position (a) is the position of the support body 122 for performing the process of removing the photoresist on the wafer surface, and the standby position (b) moves the wafer W outside the chamber 110 before the photoresist removal process is performed. Waiting position at.

배기부재(140)는 공정시 챔버(110) 내 기체(특히, 초임계유체)를 챔버(110)로부터 배출시킨다. 배기부재(140)는 배출라인(discharge line)(142) 및 유량조절밸브(flow control valve)(144)를 가진다. 배출라인(142)은 배출통로(114b')와 연결되어, 공정시 챔버(110) 내부로 공급되는 초임계유체를 배출시킨다. 유량조절밸브(144)는 배출라인(142)의 초임계유체 배출량을 조절한다. 특히, 유량조절밸브(144)는 감광액 제거 공정시 챔버(110) 내부로 공급되는 초임계유체가 챔버(110) 내부에서 일정한 속도로 이동되도록 챔버(110) 내 초임계유체의 배출량을 조절한다.The exhaust member 140 discharges gas (particularly, supercritical fluid) in the chamber 110 from the chamber 110 during the process. The exhaust member 140 has a discharge line 142 and a flow control valve 144. The discharge line 142 is connected to the discharge passage 114b ', and discharges the supercritical fluid supplied into the chamber 110 during the process. The flow control valve 144 regulates the supercritical fluid discharge of the discharge line 142. In particular, the flow control valve 144 controls the discharge of the supercritical fluid in the chamber 110 so that the supercritical fluid supplied into the chamber 110 moves at a constant speed in the chamber 110 during the photoresist removal process.

초임계유체 생성장치(200)는 웨이퍼 표면의 감광액 제거에 필요한 초임계유체를 생성하여 공정실(100)로 공급한다. 초임계유체 생성장치(200)는 처리가스 공 급부재(treating gas supply member)(210), 처리액 공급부재(treating liquid supply source)(220), 그리고 혼합부재(mixing member)(230)를 포함한다.The supercritical fluid generating device 200 generates a supercritical fluid for removing the photoresist on the wafer surface and supplies it to the process chamber 100. The supercritical fluid generating device 200 includes a treating gas supply member 210, a treating liquid supply source 220, and a mixing member 230. do.

처리가스 공급부재(210)는 생성용기(230)로 처리가스를 공급한다. 처리가스 공급부재(210)는 처리가스 공급원(treating gas supply source)(212), 처리가스 공급라인(treating gas supply line)(214), 그리고 제1 가압부재(first presurrization member)(216)을 가진다.The processing gas supply member 210 supplies the processing gas to the production vessel 230. The process gas supply member 210 has a treating gas supply source 212, a treating gas supply line 214, and a first presurrization member 216. .

처리가스 공급원(212)은 처리가스를 저장한다. 처리가스 공급원(212)은 내부에 처리가스를 저장하며, 저장된 처리가스는 공정시 처리가스 공급라인(214)을 통해 혼합부재(230)로 공급된다. 여기서, 처리가스는 처리액을 가압하기 위한 불활성 가스이다. 처리가스로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다.Process gas source 212 stores process gas. The process gas supply source 212 stores the process gas therein, and the stored process gas is supplied to the mixing member 230 through the process gas supply line 214 during the process. Here, the processing gas is an inert gas for pressurizing the processing liquid. Carbon dioxide (CO2) may be used as the treatment gas.

처리가스 공급라인(214)은 처리가스 공급원(212)으로부터 혼합부재(230)로 처리가스를 공급한다. 처리가스 공급라인(214)의 일단은 처리가스 공급원(212)과 연결되고, 처리가스 공급라인(214)의 타단은 혼합부재(230)와 연결된다. The process gas supply line 214 supplies the process gas from the process gas supply source 212 to the mixing member 230. One end of the process gas supply line 214 is connected to the process gas supply source 212, and the other end of the process gas supply line 214 is connected to the mixing member 230.

제1 가압부재(216)는 처리가스 공급라인(214) 내부를 흐르는 처리가스를 가압한다. 제1 가압부재(216)로는 펌프(pump)가 사용된다. 제1 가압부재(216)는 처리가스를 고압으로 가압함으로써 혼합부재(230)로 공급되는 처리액을 추진시킨다. 따라서, 공정시 혼합부재(230)로 공급되는 처리액은 처리가스에 의해 추진되어 초임계유체 상태를 만족하기 위한 압력에 도달된다. 예컨대, 제1 가압부재(216)는 혼합부재(230)로 공급되는 처리액의 압력이 대략 75bar 내지 300bar에 도달되도록 처리가스를 가압한다.The first pressurizing member 216 pressurizes the processing gas flowing through the processing gas supply line 214. A pump is used as the first pressing member 216. The first pressing member 216 pressurizes the processing gas to a high pressure to propel the processing liquid supplied to the mixing member 230. Therefore, the processing liquid supplied to the mixing member 230 during the process is pushed by the processing gas to reach a pressure for satisfying the supercritical fluid state. For example, the first pressing member 216 pressurizes the processing gas so that the pressure of the processing liquid supplied to the mixing member 230 reaches approximately 75 bar to 300 bar.

처리액 공급부재(220)는 혼합부재(230)로 처리액을 공급한다. 여기서, 처리액은 웨이퍼(W) 표면의 감광액(photoresist)을 제거하기 위한 액체이다. 처리액으로는 불산(HF) 또는 다양한 종류의 유기용제(solvent) 중 적어도 어느 하나가 사용된다.The treatment liquid supply member 220 supplies the treatment liquid to the mixing member 230. Here, the processing liquid is a liquid for removing photoresist on the wafer W surface. At least one of hydrofluoric acid (HF) or various kinds of organic solvents is used as the treatment liquid.

처리액 공급부재(220)는 처리액 공급원(treating liquid supply source)(222) 및 처리액 공급라인(treating liquid supply line)(224), 그리고 제2 가압부재(second pressurization member)(226)를 가진다.The treatment liquid supply member 220 has a treatment liquid supply source 222, a treatment liquid supply line 224, and a second pressurization member 226. .

처리액 공급원(222)은 처리액을 저장하고, 처리액 공급라인(224)은 처리액 공급원(222)으로부터 혼합부재(230)로 처리액을 공급한다. 그리고, 제2 가압부재(226)는 처리액 공급라인(224)을 따라 흐르는 처리액에 유동압을 가한다. 이때, 가압부재(226)는 혼합부재(230)로 공급되는 처리액이 혼합부재(230) 내부로 공급될 때, 초임계 상태를 위한 압력에 도달되도록 처리액을 가압한다. The treatment liquid supply source 222 stores the treatment liquid, and the treatment liquid supply line 224 supplies the treatment liquid from the treatment liquid supply source 222 to the mixing member 230. In addition, the second pressing member 226 applies a flow pressure to the processing liquid flowing along the processing liquid supply line 224. At this time, the pressing member 226 pressurizes the processing liquid so that the pressure for the supercritical state is reached when the processing liquid supplied to the mixing member 230 is supplied into the mixing member 230.

또한, 가압부재(226)는 공정시 혼합부재(230)로 공급되는 처리액이 기설정된 유량만큼 혼합부재(230)로 공급되도록, 처리액 공급라인(224)을 따라 흐르는 처리액의 유량을 조절한다. 즉, 공정시 혼합부재(230)로 공급되는 처리가스 및 처리액은 혼합되어 일정 농도를 가지는 초임계유체가 이루어지므로, 가압부재(226)는 혼합부재(230)로 공급되는 처리액의 유량을 조절하여, 혼합부재(230)에서 생성되는 초임계유체의 농도가 기설정된 농도를 만족하도록 한다.In addition, the pressing member 226 adjusts the flow rate of the processing liquid flowing along the processing liquid supply line 224 so that the processing liquid supplied to the mixing member 230 is supplied to the mixing member 230 by a predetermined flow rate during the process. do. That is, since the processing gas and the processing liquid supplied to the mixing member 230 during the process are mixed to form a supercritical fluid having a predetermined concentration, the pressurizing member 226 measures the flow rate of the processing liquid supplied to the mixing member 230. By adjusting, the concentration of the supercritical fluid generated in the mixing member 230 to satisfy the predetermined concentration.

혼합부재(230)는 처리가스 공급부재(210) 및 처리액 공급공급부재(220) 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받아 이를 혼합하여 초임계유체를 생성한다. 혼합부재(230)는 생성용기(generating vessel)(232), 히터(heater)(234), 교반기(agitatior)(236), 그리고 초임계유체 공급라인(supercritical-fluid supply line)(238)을 포함한다.The mixing member 230 receives the processing gas and the processing liquid from each of the processing gas supplying member 210 and the processing liquid supplying supplying member 220 and mixes them to generate a supercritical fluid. The mixing member 230 includes a generating vessel 232, a heater 234, an agitator 236, and a supercritical-fluid supply line 238. do.

생성용기(232)는 내부에 처리가스 및 처리액을 수용받는 공간을 제공한다. 생성용기(232)는 일측(232a)에 처리가스 공급라인(214) 및 처리액 공급라인(224)과 연결되고, 타측(232b)에는 초임계유체 공급라인(238)과 연결된다.The production container 232 provides a space for receiving the processing gas and the processing liquid therein. The production vessel 232 is connected to the processing gas supply line 214 and the processing liquid supply line 224 on one side 232a, and is connected to the supercritical fluid supply line 238 on the other side 232b.

교반기(234)는 생성용기(232) 내부로 분사되는 처리가스 및 처리액을 혼합한다. 교반기(234)는 복수의 블레이드(236a)들 및 구동모터(236b)를 포함한다. 공정시 구동모터(236b)는 일정한 회전속도로 블레이드(236a)들을 회전시키며, 회전되는 블레이드(236a)들에 의해 생성용기(232) 내 처리가스 및 처리액은 균일한 농도로 혼합된다.The stirrer 234 mixes the processing gas and the processing liquid injected into the production vessel 232. The stirrer 234 includes a plurality of blades 236a and a drive motor 236b. In the process, the driving motor 236b rotates the blades 236a at a constant rotation speed, and the processing gas and the processing liquid in the production vessel 232 are mixed at a uniform concentration by the rotating blades 236a.

히터(236)는 생성용기(232) 내부를 가열한다. 히터(236)는 생성용기(232)의 둘레에 설치된다. 이때, 히터(236)는 생성용기(232) 내 처리액이 초임계상태가 유지되도록 생성용기(232)를 가열한다. 예컨대, 히터(236)는 공정시 생성용기(232) 내 유체의 온도가 대략 28℃ 내지 80℃를 만족하도록 생성용기(232)를 가열한다.The heater 236 heats the inside of the production container 232. The heater 236 is installed around the production vessel 232. In this case, the heater 236 heats the production vessel 232 such that the processing liquid in the generation vessel 232 is maintained in a supercritical state. For example, the heater 236 heats the production container 232 such that the temperature of the fluid in the production container 232 satisfies approximately 28 ° C. to 80 ° C. during the process.

초임계유체 공급라인(238)은 생성용기(232)로부터 챔버(110)로 초임계유체를 공급한다. 초임계유체 공급라인(238)의 일단은 생성용기(232)의 타측(232b)과 연결되고, 타단은 챔버(110)의 공급통로(114a')와 연결된다. The supercritical fluid supply line 238 supplies the supercritical fluid from the production vessel 232 to the chamber 110. One end of the supercritical fluid supply line 238 is connected to the other side 232b of the production vessel 232, and the other end is connected to the supply passage 114a ′ of the chamber 110.

본 실시예에서는 처리가스 공급라인(214)과 처리액 공급라인(224)이 독립적으로 혼합부재(230)에 처리가스 및 처리액을 공급하는 경우를 예로 들어 설명하였 으나, 처리가스 공급라인(214)과 처리액 공급라인(224)은 하나의 라인으로 연결되어, 공정시 처리가스와 처리액이 하나의 라인을 통해 혼합부재(230)로 공급될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the process gas supply line 214 and the process liquid supply line 224 independently process the process gas and the process liquid to the mixing member 230, but the process gas supply line 214 has been described as an example. ) And the treatment liquid supply line 224 are connected in one line, so that the treatment gas and the treatment liquid may be supplied to the mixing member 230 through one line during the process.

이하, 상술한 기판 처리 설비의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이고, 도 3은 본 발명에 따른 초임계유체 생성장치의 초임계유체 생성과정을 보여주는 순서도이다. 그리고, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 설비의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 따른 감광액 제거 과정을 설명하기 위한 도면들이다.Hereinafter, the process of the substrate processing equipment described above will be described in detail. Figure 2 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention, Figure 3 is a flow chart showing a supercritical fluid generation process of the supercritical fluid generating apparatus according to the present invention. And, Figure 4 is a view for explaining the process of the substrate processing equipment according to the present invention, Figures 5a and 5b is a view for explaining the process of removing the photosensitive liquid according to the present invention.

공정이 개시되면, 초임계유체 생성장치(100)는 초임계유체를 생성하고, 기판 처리 설비는 초임계유체 생성장치(100)로부터 초임계유체를 공급받아 웨이퍼를 처리하는 공정을 수행한다.When the process starts, the supercritical fluid generating device 100 generates the supercritical fluid, and the substrate processing equipment performs the process of receiving the supercritical fluid from the supercritical fluid generating device 100 to process the wafer.

즉, 도 2를 참조하면, 공정실(100)의 지지부재(120)에 웨이퍼(W)가 로딩(loading)된다(S110). 즉, 웨이퍼(W)는 로봇암(미도시됨)에 의해 대기위치(b)에 위치된 지지부재(120)에 놓여진다. 웨이퍼(W)가 지지부재(120)에 놓여지면, 구동기(130)는 지지부재(120)를 대기위치(b)로부터 공정위치(a)로 이동시킨다. 지지부재(120)가 공정위치(a)에 위치되면, 챔버(110) 내부는 외부와 밀폐된 후 기설정된 온도로 가열된다.That is, referring to FIG. 2, the wafer W is loaded on the support member 120 of the process chamber 100 (S110). That is, the wafer W is placed on the support member 120 positioned at the standby position b by a robot arm (not shown). When the wafer W is placed on the support member 120, the driver 130 moves the support member 120 from the standby position b to the process position a. When the support member 120 is located at the process position (a), the inside of the chamber 110 is sealed to the outside and then heated to a predetermined temperature.

여기서, 지지부재(120)가 공정위치(a)에 위치되면, 웨이퍼(W)는 챔버(110)의 공급통로(114a')와 대향되는 높이에 위치된다. 즉, 공정시 챔버(110)로 공급되는 초임계유체는 웨이퍼(W)의 처리면과 평행하는 방향으로 공급되어 웨이퍼(W)의 일측으로부터 타측으로 이동되면서 감광액을 제거하도록 한다. 이를 위해, 공정시 웨이퍼(W)의 높이는 공급통로(114a')의 높이와 동일하게 위치되는 것이 바람직하다. 또한, 공정시 공급통로(114a')를 통해 웨이퍼(W)의 처리면과 평행하는 방향으로 공급되는 초임계유체가 용이하게 배출통로(114b')를 통해 배출되도록, 배출통로(114b')는 웨이퍼(W)의 타측면과 대향되도록 제공되는 것이 바람직하다.Here, when the support member 120 is located at the process position a, the wafer W is positioned at a height opposite to the supply passage 114a 'of the chamber 110. That is, the supercritical fluid supplied to the chamber 110 during the process is supplied in a direction parallel to the processing surface of the wafer (W) to move from one side of the wafer (W) to the other side to remove the photosensitive liquid. To this end, the height of the wafer (W) during the process is preferably located the same as the height of the supply passage (114a '). In addition, during the process, the discharge passage 114b 'is configured such that the supercritical fluid supplied in a direction parallel to the processing surface of the wafer W through the supply passage 114a' is easily discharged through the discharge passage 114b '. It is preferably provided to face the other side of the wafer (W).

그리고, 초임계유체 생성장치(200)는 기설정된 농도 및 온도를 만족하는 초임계유체를 생성한다(S200). 초임계유체의 생성 및 생성된 초임계유체의 공급 과정은 다음과 같다. 도 3을 참조하면, 처리가스 공급부재(210) 및 처리액 공급부재(220) 각각은 혼합부재(230)로 처리가스 및 처리액을 공급한다(S210). 즉, 밸브(V1)가 오픈되고 제1 가압부재(216)가 가동되어, 처리가스 공급라인(214)은 처리가스 공급원(212)으로부터 생성용기(232)로 처리가스를 공급한다. 이때, 처리가스는 제1 가압부재(216)에 의해 고압으로 가압되어 생성용기(232)로 공급된다. 또한, 밸브(V2)가 오픈되고 제2 가압부재(226)가 가동되어 처리액 공급라인(224)은 처리액 공급원(222)으로부터 생성용기(232)로 처리액을 공급한다. 이때, 처리액은 제2 가압부재(226)에 의해 고압으로 가압되어 생성용기(232)로 공급된다. The supercritical fluid generating device 200 generates a supercritical fluid that satisfies a predetermined concentration and temperature (S200). The production of the supercritical fluid and the supply process of the supercritical fluid produced are as follows. Referring to FIG. 3, each of the processing gas supply member 210 and the processing liquid supply member 220 supplies the processing gas and the processing liquid to the mixing member 230 (S210). That is, the valve V1 is opened and the first pressurizing member 216 is operated so that the processing gas supply line 214 supplies the processing gas from the processing gas supply source 212 to the production vessel 232. At this time, the processing gas is pressurized to a high pressure by the first pressing member 216 is supplied to the production vessel 232. In addition, the valve V2 is opened and the second pressurizing member 226 is operated to supply the processing liquid from the processing liquid supply source 222 to the production vessel 232. At this time, the processing liquid is pressurized to a high pressure by the second pressing member 226 is supplied to the production vessel 232.

생성용기(232)는 공급받은 처리가스 및 처리액을 혼합 및 가열한다(S220). 즉, 생성용기(232)로 공급되는 처리액은 처리가스에 의해 추진되어 생성용기(232)로 분사되며, 생성용기(232)를 통과하는 처리액은 히터(234)에 의해 가열되어 초임계상태로 변환된다. 또한, 생성용기(232)를 통과하는 처리가스 및 처리액은 교반 기(236)에 의해 혼합되어 기설정된 농도를 만족하는 초임계유체가 생성된다. 생성용기(232)를 통과하면서 생성되는 초임계유체는 공정실(100)로 공급된다(S230).The production container 232 mixes and heats the supplied processing gas and the processing liquid (S220). That is, the processing liquid supplied to the production container 232 is propelled by the processing gas and injected into the production container 232, and the processing liquid passing through the production container 232 is heated by the heater 234 to be in a supercritical state. Is converted to. In addition, the processing gas and the processing liquid passing through the production vessel 232 is mixed by the stirrer 236 to generate a supercritical fluid that satisfies the predetermined concentration. The supercritical fluid generated while passing through the production container 232 is supplied to the process chamber 100 (S230).

공정실(100)은 초임계유체 생성장치(200)로부터 초임계유체를 공급받아 웨이퍼(W) 표면의 감광액을 제거한다(S300). 즉, 다시 도 2를 참조하면, 밸브(V3)가 오픈되어 초임계유체 공급라인(238)은 혼합부재(330)로부터 챔버(110)로 초임계유체를 공급한다. 이때, 챔버(110)로 공급되는 초임계유체는 일측벽(114a)으로부터 타측벽(114b)으로 이동된다. 초임계유체는 일측벽(114a)에 제공되는 공급통로(114a')를 통해 웨이퍼(W)의 측면으로 향해 공급된 후 타측벽(114b)에 제공되는 배출통로(114b')를 통해 챔버(110)로부터 배출된다. 따라서, 초임계유체는 웨이퍼(W)의 일측으로부터 타측으로 일정한 이동속도로 이동하면서 웨이퍼(W) 표면에 형성된 감광액을 제거한다. 즉, 도 5a 내지 도 5c를 순차적으로 참조하면, 웨이퍼(W)의 일측으로부터 타측으로 일정속도로 이동되는 초임계유체는 웨이퍼(W) 표면의 감광액층(L1)을 제거한다. 이때, 감광액층(L1)의 표면(L2)은 이온주입공정 후 경화(hardening)되어 있으므로 일반적인 초임계유체에 의해 잘 제거되지 않는다. 따라서, 챔버(110)로 공급되는 초임계유체를 웨이퍼(W)의 측면을 향하도록 공급함으로써, 초임계유체가 감광액층(L1)을 집중적으로 제거하도록 하여 표면(L2)이 같이 제거되도록 한다.The process chamber 100 receives the supercritical fluid from the supercritical fluid generating device 200 and removes the photosensitive liquid on the surface of the wafer W (S300). That is, referring again to FIG. 2, the valve V3 is opened so that the supercritical fluid supply line 238 supplies the supercritical fluid from the mixing member 330 to the chamber 110. At this time, the supercritical fluid supplied to the chamber 110 is moved from one side wall 114a to the other side wall 114b. The supercritical fluid is supplied toward the side of the wafer W through the supply passage 114a 'provided on one side wall 114a, and then the chamber 110 through the discharge passage 114b' provided on the other side wall 114b. Is discharged from Therefore, the supercritical fluid removes the photosensitive liquid formed on the surface of the wafer W while moving from one side of the wafer W to the other at a constant moving speed. That is, referring to FIGS. 5A to 5C sequentially, the supercritical fluid moving at a constant speed from one side of the wafer W to the other side removes the photosensitive liquid layer L1 on the surface of the wafer W. FIG. At this time, the surface (L2) of the photosensitive liquid layer (L1) is hardened (hardened) after the ion implantation process is not removed well by the general supercritical fluid. Accordingly, by supplying the supercritical fluid supplied to the chamber 110 toward the side surface of the wafer W, the supercritical fluid causes the photoresist layer L1 to be concentrated, thereby allowing the surface L2 to be removed together.

또한, 감광액 제거 공정시, 배기부재(140)의 유량조절부재(144)는 공정시 챔버(110) 내부를 이동하는 초임계유체의 유량을 조절한다. 즉, 유량조절부재(144)는 공정시 배출라인(142)를 통해 배출되는 초임계유체의 배출량을 조절하여, 챔 버(110) 내부를 이동하는 초임계유체의 유량이 기설정된 이동속도값을 만족하면서 흐르도록 한다.In addition, during the photoresist removal process, the flow rate adjusting member 144 of the exhaust member 140 adjusts the flow rate of the supercritical fluid moving inside the chamber 110 during the process. That is, the flow rate adjusting member 144 adjusts the discharge of the supercritical fluid discharged through the discharge line 142 during the process, and the flow rate of the supercritical fluid moving inside the chamber 110 is a preset moving speed value. Let it flow with satisfaction

웨이퍼(W) 표면에 감광액이 제거되면, 밸브(V1, V2, V3)가 클로우즈되고, 구동기(130)는 지지부재(120)를 공정위치(a)로부터 대기위치(b)로 이동시킨다. 지지부재(120)가 대기위치(b)에 위치되면, 로봇암(미도시됨)은 지지부재(120)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩시킨 후 후속 공정이 수행되는 설비로 반출한다.When the photosensitive liquid is removed from the surface of the wafer W, the valves V1, V2, and V3 are closed, and the driver 130 moves the support member 120 from the process position a to the standby position b. When the support member 120 is located at the standby position b, the robot arm (not shown) unloads the wafer W from the support member 120 and then transports it to a facility where a subsequent process is performed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 초임계유체 생성장치(200)는 일정 농도를 만족하는 초임계유체를 안정적으로 생성하여 공정실(100)로 공급한다. 즉, 초임계유체 생성장치(200)는 처리가스를 가압하여 혼합부재(230)로 공급하는 처리가스 공급부재(210) 및 일정량만큼의 처리액을 혼합부재(230)로 공급하는 처리액 공급부재(220)를 구비함으로써, 일정 농도를 만족하는 초임계유체를 안정적으로 생성한다.As described above, the supercritical fluid generating apparatus 200 according to the present invention stably generates and supplies the supercritical fluid satisfying a predetermined concentration to the process chamber 100. That is, the supercritical fluid generating apparatus 200 pressurizes the processing gas and supplies the processing gas supply member 210 to supply the mixing member 230 and the processing liquid supply member supplying a predetermined amount of the processing liquid to the mixing member 230. By providing 220, the supercritical fluid that satisfies the predetermined concentration is stably generated.

또한, 본 발명은 기판 표면의 이물질(감광액) 제거 효율을 향상시킨다. 즉, 감광액 제거 공정시 챔버(110) 내부는 외부와 통하도록 개방된다. 따라서, 공정시 공정실(100)로 공급되는 초임계유체는 챔버(110)의 일측으로부터 타측으로 일정한 유량으로 이동되면서 웨이퍼(W) 표면의 감광액을 제거하므로, 감광액을 제거하는 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention improves the efficiency of removing foreign matter (photosensitive liquid) from the substrate surface. That is, during the photoresist removal process, the chamber 110 is opened to communicate with the outside. Therefore, the supercritical fluid supplied to the process chamber 100 during the process removes the photoresist on the surface of the wafer W while moving from one side of the chamber 110 to a constant flow rate, thereby improving efficiency of removing the photoresist. have.

상술한 본 발명의 일 실시예에서는 혼합부재(230)로 공급되는 처리가스 및 처리액이 생성용기(232)를 통과하면서 기설정된 농도 및 온도를 만족하는 초임계 상태의 유체로 변환되면서 공정실(100)로 공급되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 초임계유체의 농도 및 온도 조절은 다양한 방식으로 만족될 수 있다. In the above-described embodiment of the present invention, the process gas and the process liquid supplied to the mixing member 230 are converted into a supercritical state fluid that satisfies a predetermined concentration and temperature while passing through the production container 232 ( In the case of supplying 100), the concentration and temperature control of the supercritical fluid may be satisfied in various ways.

예컨대, 도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설비(10')는 기판 처리 설비(10)에 비해 온도 측정기(temperature measuring part)(240) 및 농도 측정기(concentration measuring part)(250), 그리고 제어기(controller)(260)를 더 포함한다.For example, referring to FIGS. 6 and 7, the substrate treating apparatus 10 ′ according to another embodiment of the present invention is a temperature measuring part 240 and a concentration measuring instrument in comparison with the substrate treating apparatus 10. It further includes a measuring part 250, and a controller 260.

온도 측정기(240)는 혼합부재(230) 내 초임계유체의 온도를 측정하고, 농도 측정기(250)는 혼합부재(230) 내 초임계유체의 농도를 측정한다. 그리고, 제어기(260)는 온도 측정기(240)가 측정한 온도값에 대한 데이터 및 농도 측정기(250)가 측정한 농도값에 대한 데이터를 전송받아 초임계유체 생성장치(200)를 제어한다.The temperature measuring unit 240 measures the temperature of the supercritical fluid in the mixing member 230, and the concentration measuring unit 250 measures the concentration of the supercritical fluid in the mixing member 230. The controller 260 controls the supercritical fluid generating device 200 by receiving data about the temperature value measured by the temperature measuring device 240 and data about the concentration value measured by the concentration measuring device 250.

기판 처리 설비(10')의 공정이 개시되면, 도 6에 도시된 바와 같이, 혼합부재(230)로 공급된 처리액 및 처리가스는 생성용기(232)를 통과하면서 일정 농도를 만족하는 초임계 상태의 유체로 변환된다. 여기서, 밸브(V3)는 클로우즈되어 있으며, 혼합부재(230) 내 생성된 초임계유체는 별도의 배출라인(238)을 통해 배출된다.When the process of the substrate processing equipment 10 ′ is started, as shown in FIG. 6, the processing liquid and the processing gas supplied to the mixing member 230 pass through the production container 232 to satisfy a predetermined concentration. Converted to a state fluid. Here, the valve V3 is closed, and the supercritical fluid generated in the mixing member 230 is discharged through a separate discharge line 238.

이때, 온도 측정기(240) 및 농도 측정기(250)는 각각 생성용기(232) 내 초임계유체의 온도 및 농도를 측정한다. 그리고, 제어기(260)는 온도 측정기(240) 및 농도 측정기(250) 각각으로부터 측정된 초임계유체의 온도값 및 농도값에 대한 데이터를 전송받아 이를 판단한다. 만약, 생성된 초임계유체의 온도값 또는 농도값이 기설정된 온도값 또는 농도값을 벗어나면, 제어기(260)는 생성된 초임계유체가 기설정된 온도값 및 농도값을 만족하도록, 제2 가압부재(226) 및 히터(234)를 제어한다. 예컨대, 생성된 초임계유체의 온도값이 기설정된 온도값을 초과하면, 제어기(260)는 히터(234)의 가열온도가 감소되도록 히터(234)를 제어한다. 또는, 생성된 초임계유체의 온도값이 기설정된 온도값 이하이면, 제어기(260)는 히터(234)의 가열온도가 증가되도록 히터(234)를 제어한다. 또한, 생성된 초임계유체의 농도값이 기설정된 농도값을 초과하면, 제어기(260)는 생성용기(232)로 공급되는 처리액의 양이 증가되도록 제2 가압부재(226)를 제어한다. 또는, 생성된 초임계유체의 농도값이 기설정된 농도값 이하이면, 제어기(260)는 생성용기(232)로 공급되는 처리액의 양이 김소되도록 제2 가압부재(226)를 제어한다.In this case, the temperature measuring unit 240 and the concentration measuring unit 250 respectively measure the temperature and concentration of the supercritical fluid in the production vessel 232. In addition, the controller 260 receives data about the temperature value and the concentration value of the supercritical fluid measured from each of the temperature measuring device 240 and the concentration measuring device 250 to determine this. If the temperature value or concentration value of the generated supercritical fluid is out of the predetermined temperature value or concentration value, the controller 260 presses the second pressure so that the generated supercritical fluid satisfies the predetermined temperature value and concentration value. The member 226 and the heater 234 are controlled. For example, when the temperature value of the generated supercritical fluid exceeds a preset temperature value, the controller 260 controls the heater 234 to reduce the heating temperature of the heater 234. Alternatively, when the temperature value of the generated supercritical fluid is equal to or less than the preset temperature value, the controller 260 controls the heater 234 to increase the heating temperature of the heater 234. In addition, when the concentration value of the generated supercritical fluid exceeds a predetermined concentration value, the controller 260 controls the second pressing member 226 to increase the amount of the processing liquid supplied to the production vessel 232. Alternatively, when the concentration value of the generated supercritical fluid is less than or equal to the predetermined concentration value, the controller 260 controls the second pressing member 226 so that the amount of the processing liquid supplied to the production vessel 232 is reduced.

그리고, 그 후 생성된 초임계유체의 온도값 및 농도값이 기설정된 온도값 및 농도값을 만족하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 제어기(260)는 밸브(V3)를 오픈하여 공정실(100)로 초임계유체를 공급한다. 공급된 초임계 유체는 웨이퍼(W) 표면의 감광액을 제거한 후 배기부재(140)를 통해 챔버(110)로부터 배출된다.When the temperature value and concentration value of the supercritical fluid generated thereafter satisfy the preset temperature value and concentration value, as illustrated in FIG. 7, the controller 260 opens the valve V3 to process the process chamber ( 100) to supply the supercritical fluid. The supercritical fluid supplied is discharged from the chamber 110 through the exhaust member 140 after removing the photosensitive liquid on the surface of the wafer (W).

여기서, 생성용기(232)로부터 공정실(100)로 초임계유체를 공급하기 전의 생성용기(232) 내부 압력은 챔버(110)의 내부 압력보다 높은 것이 바람직하다. 이는 생성용기(232) 내부 압력이 챔버(110) 내부 압력보다 높도록 함으로써, 생성용기(232) 내 초임계유체가 효율적으로 챔버(110)로 공급되도록 하기 위함이다. 또한, 생성용기(232)로부터 공정실(100)로 초임계유체를 공급한 후에는 생성용기(232) 내부 압력은 챔버(110)의 내부 압력과 동일하게 유지되는 것이 바람직하 다. 이는 생성용기(232)로부터 공정실(100)로 초임계유체가 공급되면Here, the internal pressure of the production vessel 232 before supplying the supercritical fluid from the production vessel 232 to the process chamber 100 is preferably higher than the internal pressure of the chamber 110. This is to allow the pressure inside the production vessel 232 to be higher than the pressure inside the chamber 110, so that the supercritical fluid in the production vessel 232 can be efficiently supplied to the chamber 110. In addition, after the supercritical fluid is supplied from the production vessel 232 to the process chamber 100, the internal pressure of the production vessel 232 is preferably maintained to be the same as the internal pressure of the chamber 110. This is when the supercritical fluid is supplied from the production vessel 232 to the process chamber 100.

상술한 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설비(10)는 공정시 초임계유체의 온도 및 농도를 기설정된 온도 및 농도를 유지하는지 여부를 판단한 후 공정실(100)로 공급함으로써, 초임계유체의 온도 및 농도를 정밀하게 관리할 수 있다.Substrate processing equipment 10 according to another embodiment of the present invention described above is determined whether to maintain the temperature and concentration of the supercritical fluid at the time of the process, and then supply to the process chamber 100, supercritical The temperature and concentration of the fluid can be managed precisely.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설비(10)는 생성용기(232) 내부 압력을 챔버(110)의 내부 압력보다 높은 상태에서 생성용기(232)로부터 공정실(110)로 초임계유체를 공급함으로써, 생성용기(232) 내 초임계유체가 효과적으로 공정실(110)로 공급되도록 한다.In addition, the substrate processing apparatus 10 according to another embodiment of the present invention has a supercritical state from the production vessel 232 to the process chamber 110 in a state where the pressure inside the production vessel 232 is higher than the internal pressure of the chamber 110. By supplying the fluid, the supercritical fluid in the production vessel 232 is effectively supplied to the process chamber 110.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 설비(10)는 공정실(100)로 초임계유체를 공급한 이후에는 생성용기(232) 내부 압력이 챔버(110)의 내부 압력과 동일하도록 제공됨으로써, 그 후 새로운 웨이퍼의 감광액 제거 공정시에 초임계유체 생성장치(200)가 바로 공정실(100)로 초임계유체를 공급하도록 하여 공정 시간을 단축한다.In addition, the substrate processing equipment 10 according to another embodiment of the present invention provides the internal pressure of the production vessel 232 to be equal to the internal pressure of the chamber 110 after the supercritical fluid is supplied to the process chamber 100. As a result, the supercritical fluid generating device 200 immediately supplies the supercritical fluid to the process chamber 100 during the photoresist removal process of the new wafer, thereby shortening the process time.

상술한 본 발명의 일 실시예에서는 챔버(110) 내부로 공급되는 초임계유체가 챔버(110) 내부에서 일정한 유량으로 이동되면서 웨이퍼(W)에 형성된 감광액을 제거하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 웨이퍼(W)에 형성된 감광액을 제거하는 방식은 다양하게 응용될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 또 다른 실시예로서, 공정이 개시되면, 초임계유체 생성장치(200)를 공정실(100)로 일정량의 초임계유체를 공정 실(100)로 공급한다. 이때, 배기부재(140)의 챔버(110) 배기를 이루어지지 않으며, 챔버(110)는 외부와 밀폐되어, 기설정된 공정 압력으로 감압된다. 웨이퍼(W)에 형성된 감광액은 공정실(100)로 공급된 초임계유체에 의해 제거된다. 즉, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법은 챔버(110)를 외부와 밀폐한 상태에서 감광액 제거 공정이 수행된다.In the above-described embodiment of the present invention, a case in which the supercritical fluid supplied into the chamber 110 is removed at a constant flow rate inside the chamber 110 to remove the photosensitive liquid formed in the wafer W is described as an example. The method of removing the photosensitive liquid formed in (W) may be variously applied. For example, as another embodiment of the present invention, when the process is started, the supercritical fluid generating device 200 is supplied to the process chamber 100 with a predetermined amount of the supercritical fluid to the process chamber 100. At this time, the exhaust of the chamber 110 of the exhaust member 140 is not made, the chamber 110 is sealed to the outside, the pressure is reduced to a predetermined process pressure. The photosensitive liquid formed on the wafer W is removed by the supercritical fluid supplied to the process chamber 100. That is, in the substrate processing method according to another embodiment of the present invention, the photoresist removing process is performed in a state where the chamber 110 is sealed to the outside.

이러한 챔버(110) 밀폐 방식에 의한 감광액 제거는 챔버(110) 내부 압력을 기설정된 압력으로 감압된 상태에서 진행시킬 수 있다. 또한, 상술한 챔버(110) 밀폐 방식에 의한 감광액 제거는 챔버(110) 개방 방식에 의한 감광액 제거 방식과 교대로 또는 선택적으로 수행될 수 있다.Removal of the photosensitive liquid by the chamber 110 may be performed by depressurizing the internal pressure of the chamber 110 to a predetermined pressure. In addition, the above-described photosensitive liquid removal by the chamber 110 may be alternately or selectively performed with the photosensitive liquid removing method by the chamber 110 opening method.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

본 발명에 따른 초임계유체 생성장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법은 웨이퍼 표면에 형성된 감광액을 효율적으로 제거한다.The supercritical fluid generating apparatus and substrate processing equipment and method including the same according to the present invention efficiently remove the photosensitive liquid formed on the wafer surface.

본 발명에 따른 초임계유체 생성장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법은 초임계유체의 농도를 기설정된 농도값으로 일정하게 유지시켜 공정을 진행한다.The supercritical fluid generating apparatus and substrate processing equipment and method including the same according to the present invention maintain a constant concentration of the supercritical fluid at a predetermined concentration value and proceed with the process.

본 발명에 따른 초임계유체 생성장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 및 방법은 기판을 처리하는 시간을 단축시킨다.The supercritical fluid generating device and substrate processing equipment and method having the same according to the present invention shorten the time for processing the substrate.

Claims (16)

초임계유체를 생성하는 장치에 있어서,In the apparatus for generating a supercritical fluid, 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부재와,A processing gas supply member for supplying a processing gas; 처리액을 공급하는 처리액 공급부재와,A processing liquid supply member for supplying a processing liquid; 상기 처리가스 공급부재 및 상기 처리액 공급부재 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받는 혼합부재를 포함하되,And a mixing member receiving the processing gas and the processing liquid from each of the processing gas supply member and the processing liquid supply member. 상기 혼합부재는,The mixing member, 내부에 초임계유체를 생성하는 공간을 제공하는 하우징과,A housing providing a space for creating a supercritical fluid therein; 상기 하우징을 가열하는 히터, 그리고A heater for heating the housing, and 상기 하우징 내 처리가스 및 처리액을 혼합시키는 교반기를 포함하는 것을 특징으로 하는 초임계유체 생성장치.And a stirrer for mixing the processing gas and the processing liquid in the housing. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리가스는 이산화탄소를 포함하고,The treatment gas includes carbon dioxide, 상기 처리액은 불산 또는 유기용제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 초임계유체 생성장치.The treatment liquid is a supercritical fluid generating device comprising at least one of hydrofluoric acid or an organic solvent. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 처리액 공급부재는,The treatment liquid supply member, 처리액을 저장하는 처리액 공급원과,A processing liquid supply source for storing the processing liquid, 상기 처리액 공급원으로부터 상기 생성용기로 처리액을 공급하는 처리액 공급라인, 그리고A processing liquid supply line for supplying the processing liquid from the processing liquid supply source to the production vessel, and 상기 처리액 공급라인에 설치되어 상기 처리액 공급라인을 따라 이동되는 처리액을 가압하는 제2 가압부재를 포함하되,A second pressing member installed in the treatment liquid supply line and pressurizing the treatment liquid moved along the treatment liquid supply line, 상기 제2 가압부재는,The second pressing member, 기설정량 양만큼의 처리액을 공급하는 정량 펌프인 것을 특징으로 하는 초임계유체 생성장치.A supercritical fluid generating device, characterized in that the metering pump for supplying a processing liquid of a predetermined amount. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 초임계유체 생성장치는,The supercritical fluid generating device, 상기 생성용기 내 초임계유체의 온도를 측정하는 온도 측정기와,A temperature measuring device for measuring a temperature of the supercritical fluid in the production container; 상기 생성용기 내 초임계유체의 농도를 측정하는 농도 측정기, 그리고A concentration meter for measuring the concentration of the supercritical fluid in the production vessel, and 상기 온도 측정기와 상기 농도 측정기가 각각 측정한 온도 데이터 및 농도 데이터를 전송받아 상기 제2 가압부재 및 상기 히터를 제어하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 초임계유체 생성장치.And a controller configured to control the second pressurizing member and the heater by receiving temperature data and concentration data measured by the temperature measuring device and the concentration measuring device, respectively. 기판을 처리하는 공정실과,A process chamber for processing a substrate, 초임계유체를 생성하여 상기 공정실로 생성된 초임계유체를 공급하는 초임계유체 생성장치를 포함하되,A supercritical fluid generating device for generating a supercritical fluid and supplying the supercritical fluid generated to the process chamber, 상기 공정실은,The process room, 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버와,A chamber providing a space therein for processing the substrate; 공정시 상기 챔버 내부에서 기판을 지지하는 지지부재재를 포함하고,Including a support member for supporting a substrate in the chamber during the process, 상기 챔버는,The chamber, 상부벽 및 측벽을 포함하고,A top wall and a side wall, 상기 측벽은,The side wall is, 상기 초임계유체 생성장치로부터 초임계유체를 공급받는 공급통로가 형성되는 일측벽과,A side wall on which a supply passage for receiving a supercritical fluid from the supercritical fluid generating device is formed; 공급받은 초임계유체를 외부로 배출시키는 배출통로가 형성되는 타측벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.And a second side wall on which a discharge passage for discharging the supercritical fluid supplied to the outside is formed. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 공급통로와 상기 배출통로는,The supply passage and the discharge passage, 서로 대향되고,Facing each other, 상기 공급통로는,The supply passage, 공정시 상기 챔버로 공급되는 초임계유체가 상기 지지부재에 놓여진 기판과 평행하는 방향으로 공급되도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.And a supercritical fluid supplied to the chamber during the process is supplied in a direction parallel to the substrate placed on the support member. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 기판 처리 설비는,The substrate processing equipment, 공정시 상기 챔버 내 유체를 상기 챔버 외부로 배출시키는 배기부재를 더 포함하되,Further comprising a exhaust member for discharging the fluid in the chamber to the outside of the chamber during the process, 상기 배기부재는,The exhaust member, 상기 배출통로와 연결되어, 공정시 상기 챔버 내 초임계유체를 외부로 배출시키는 배출라인과,A discharge line connected to the discharge passage to discharge the supercritical fluid in the chamber to the outside during the process; 상기 배출라인에 설치되어, 상기 배출라인을 따라 배출되는 초임계유체의 배출량을 조절하는 유량조절부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.And a flow rate adjusting member installed at the discharge line to control the discharge of the supercritical fluid discharged along the discharge line. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 초임계유체 생성장치는,The supercritical fluid generating device, 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부재와,A processing gas supply member for supplying a processing gas; 처리액을 공급하는 처리액 공급부재, 그리고A treatment liquid supply member for supplying a treatment liquid, and 상기 처리가스 공급부재 및 상기 처리액 공급부재 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받는 혼합부재를 포함하되,And a mixing member receiving the processing gas and the processing liquid from each of the processing gas supply member and the processing liquid supply member. 상기 혼합부재는,The mixing member, 내부에 초임계유체를 생성하는 공간을 제공하는 하우징과,A housing providing a space for creating a supercritical fluid therein; 상기 하우징을 가열하는 히터, 그리고A heater for heating the housing, and 상기 하우징 내 처리가스 및 처리액을 혼합시키는 교반기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.And a stirrer for mixing the processing gas and the processing liquid in the housing. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 처리액 공급부재는,The treatment liquid supply member, 처리액을 저장하는 처리액 공급원과,A processing liquid supply source for storing the processing liquid, 상기 처리액 공급원으로부터 상기 생성용기로 처리액을 공급하는 처리액 공급라인, 그리고A processing liquid supply line for supplying the processing liquid from the processing liquid supply source to the production vessel, and 상기 처리액 공급라인에 설치되어 상기 처리액 공급라인을 따라 이동되는 처리액을 가압하는 제2 가압부재를 포함하되,A second pressing member installed in the treatment liquid supply line and pressurizing the treatment liquid moved along the treatment liquid supply line, 상기 제2 가압부재는,The second pressing member, 기설정량 양만큼의 처리액을 공급하는 정량 펌프인 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.A substrate processing facility comprising a metering pump for supplying a processing liquid by a predetermined amount. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 초임계유체 생성장치는,The supercritical fluid generating device, 상기 생성용기 내 초임계유체의 온도를 측정하는 온도 측정기와,A temperature measuring device for measuring a temperature of the supercritical fluid in the production container; 상기 생성용기 내 초임계유체의 농도를 측정하는 농도 측정기, 그리고A concentration meter for measuring the concentration of the supercritical fluid in the production vessel, and 상기 온도 측정기와 상기 농도 측정기가 각각 측정한 온도 데이터 및 농도 데이터를 전송받아 상기 제2 가압부재 및 상기 히터를 제어하는 제어기를 포함하되,And a controller configured to control the second pressurizing member and the heater by receiving temperature data and concentration data measured by the temperature measuring instrument and the concentration measuring instrument, respectively. 상기 제어기는,The controller, 상기 농도 측정기가 측정한 농도값이 기설정된 농도값을 초과하면, 상기 생 성용기로 공급되는 처리액의 양이 감소하도록 상기 제2 가압부재를 제어하고,When the concentration value measured by the concentration meter exceeds a predetermined concentration value, the second pressing member is controlled to reduce the amount of the processing liquid supplied to the production vessel, 상기 농도 측정기가 측정한 농도값이 기설정된 농도값 이하이면, 상기 생성용기로 공급되는 처리액의 양이 증가하도록 상기 제2 가압부재를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.And controlling the second pressing member to increase the amount of the processing liquid supplied to the production container when the concentration value measured by the concentration meter is equal to or less than a predetermined concentration value. 초임계유체를 생성시키고, 생성된 초임계유체를 기판의 처리면과 평행하는 방향으로 공급하도록 하여 기판 표면의 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A supercritical fluid is generated, and the resulting supercritical fluid is supplied in a direction parallel to the processing surface of the substrate to remove foreign substances on the surface of the substrate. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 기판으로 공급되는 초임계유체는,Supercritical fluid supplied to the substrate, 상기 기판의 일측으로부터 타측으로 이동되면서 상기 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Substrate processing method characterized in that to remove the foreign matter while moving from one side of the substrate to the other side. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 웨이퍼의 일측으로부터 타측으로의 초임계유체 이동은,Supercritical fluid movement from one side of the wafer to the other side, 상기 이물질을 제거하는 공정이 수행되는 챔버를 공정시 개방하여, 상기 챔버로 공급되는 초임계유체가 상기 챔버로부터 배출됨으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And opening a chamber in which the process of removing the foreign matter is performed during the process, wherein the supercritical fluid supplied to the chamber is discharged from the chamber. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 초임계유체의 생성은,Generation of the supercritical fluid, 상기 이물질을 제거하기 위한 처리액을 상기 처리액을 추진시키는 처리가스에 의해 상기 처리액을 기설정된 압력으로 추진시키고, 상기 추진된 처리액을 기설정된 온도로 가열하여 이루어지되,The process liquid for removing the foreign matter is made by the process liquid to the predetermined pressure by the process gas for pushing the process liquid, and the propelled process liquid is heated to a predetermined temperature, 상기 처리액의 추진은,Promotion of the processing liquid, 상기 처리가스 및 상기 처리액을 공급받아 상기 초임계유체를 생성하는 생성용기에서 이루어지고,It is made in the production vessel for receiving the processing gas and the processing liquid to generate the supercritical fluid, 상기 이물질의 제거는 공정시 내부에 기판이 위치되는 챔버에서 이루어지되,Removal of the foreign material is made in the chamber in which the substrate is located inside the process, 상기 처리액은,The treatment liquid, 기설정된 양만큼이 상기 생성용기로 공급되도록 상기 생성용기로 공급되기전 공급량이 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a supply amount is adjusted before being supplied to the production container so that a predetermined amount is supplied to the production container. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 생성용기의 압력은,The pressure of the production vessel, 상기 초임계유체를 상기 챔버로 공급하기 전에는 상기 챔버의 압력보다 높고,Higher than the pressure of the chamber before the supercritical fluid is supplied to the chamber, 상기 초임계유체를 상기 챔버로 공급한 이후에는 상기 챔버의 압력과 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And after the supercritical fluid is supplied to the chamber, equal to the pressure of the chamber. 제 11 항 내지 제 15 항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 11 to 15, 상기 이물질 제거는,The foreign material removal, 내부에 초임계유체를 공급받아 상기 기판 표면의 이물질 제거를 수행하는 공간을 가지는 챔버에서 이루어지고,It is made in a chamber having a space for receiving a supercritical fluid therein to remove foreign substances on the surface of the substrate, 상기 기판 처리 방법은,The substrate processing method, 상기 초임계유체가 상기 챔버 내부에서 상기 기판의 일측으로부터 타측으로 이동되면서 상기 이물질을 제거하는 제1 방식과,A first method of removing the foreign matter while the supercritical fluid is moved from one side of the substrate to the other side in the chamber; 상기 초임계유체가 상기 챔버 내부에서 정체된 상태로 상기 이물질을 제거하는 제2 방식을 선택적으로 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a second method of selectively removing the foreign matter while the supercritical fluid is stagnant in the chamber.
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