KR20090005697A - Substrate processing apparatus comprising tunable baffle and exhaustion method using the same - Google Patents

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Abstract

The substrate processing apparatus comprising tunable baffle and exhaustion method using the same are provided to maintain the uniform exhaust pressure by controlling the exhaust pressure by operating the baffle of the inside of chamber. The reaction space is formed the chamber(110). The substrate mounting plate(120) is installed inside the chamber. The plasma electrode(140) supplies the high frequency power to the inside of chamber. The gas distribution plate(130) is fixed to the lower part of the plasma electrode. The gas service pipe(150) supplies reactant to the top of the gas distribution plate through the central part of the plasma electrode. The radio frequency power(160) applies the high frequency power in the plasma electrode. The exhaust pipe(190) is formed in the lower part of the chamber to control the pressure and residual chemical ventilation of the inside of chamber. In the inside of the chamber, the first baffle(170) for controlling the exhaust pressure is installed at the side of the substrate pallet. The second baffle(180) is set up in the lower part of the first baffle. And the second baffle is moved by using the baffle driving part(200).

Description

구동 가능한 배플을 가지는 기판처리장치 및 이를 이용한 배기방법{Substrate processing apparatus comprising tunable baffle and exhaustion method using the same}Substrate processing apparatus comprising tunable baffle and exhaustion method using the same

본 발명은 반도체 소자 또는 평면표시장치를 제조하기 위하여 웨이퍼나 글래스(이하 '기판'이라 함)를 처리하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 식각 또는 증착에 관여하는 반응물질의 배기균일도를 향상시키기 위하여 배플을 구동가능하게 설치한 기판처리장치와 이를 이용한 배기방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a wafer or glass (hereinafter, referred to as a substrate) for manufacturing a semiconductor device or a flat panel display device. Specifically, the present invention improves the uniformity of exhaust gases of reactants involved in etching or deposition. The present invention relates to a substrate processing apparatus in which a baffle is movably installed in order to be driven, and an exhaust method using the same.

일반적으로 반도체 소자 또는 평면표시장치를 제조하기 위하여 기판을 처리하는 장치에는 박막을 증착하는 증착장치, 증착된 박막을 패터닝하는 식각장치, 금속배선 등을 증착하는 스퍼터(sputter) 등이 있다. In general, an apparatus for processing a substrate for manufacturing a semiconductor device or a flat panel display device includes a deposition apparatus for depositing a thin film, an etching apparatus for patterning the deposited thin film, a sputter for depositing a metal wiring, and the like.

도 1은 이 중에서 플라즈마를 이용하여 박막증착 또는 식각공정을 진행하는 기판처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 1 schematically illustrates a configuration of a substrate treating apparatus for performing a thin film deposition or etching process using plasma.

플라즈마를 이용한 기판처리장치(10)는 반응공간을 형성하는 챔버(11), 챔버(11)의 내부에 설치되며 기판(s)을 안치하는 기판안치대(12), 챔버(11)의 상부를 밀폐하면서 설치되며 챔버(11) 내부로 고주파전력을 공급하는 플라즈마전극(14), 플라즈마전극(14)의 하부에 고정되는 가스분배판(13), 플라즈마전극(14)의 중앙부를 관통하여 상기 가스분배판(13)의 상부로 반응물질을 공급하는 가스공급관(15), 플라즈마전극(14)에 고주파전력을 인가하는 고주파전원(16), 챔버(11) 내부의 압력조절과 잔류물질 배기를 위하여 챔버(11)의 하부에 형성되는 배기구(18)를 포함한다.Substrate processing apparatus 10 using the plasma is installed in the chamber 11, the chamber 11 to form a reaction space, the substrate holder 12, the upper portion of the chamber 11, which holds the substrate s The gas is installed while being sealed and penetrates the plasma electrode 14, which supplies high frequency power into the chamber 11, the gas distribution plate 13 fixed to the lower part of the plasma electrode 14, and the center of the plasma electrode 14. The gas supply pipe 15 for supplying the reactant to the upper portion of the distribution plate 13, the high frequency power supply 16 for applying high frequency power to the plasma electrode 14, and for controlling pressure inside the chamber 11 and exhausting residual materials. It includes an exhaust port 18 formed in the lower portion of the chamber (11).

한편 기판안치대(12)의 측면에는 배기구(18) 부근에배기압력이 집중되어 공정균일도가 저하되는 것을 방지하기 위해 배플(17)이 설치된다. On the other hand, a baffle 17 is provided on the side surface of the substrate support 12 to prevent the exhaust pressure from being concentrated near the exhaust port 18 so that the process uniformity is lowered.

배플(17)은 도 2의 평면도에 도시된 바와 같이 중앙에 기판안치대(12)가 삽입된 관통부를 가지며, 다수의 배기홀(19)이 원주방향을 따라 균일하게 또는 소정의 패턴으로 배치되어 있다.The baffle 17 has a through portion in which the substrate stabilizer 12 is inserted in the center as shown in the plan view of FIG. 2, and the plurality of exhaust holes 19 are arranged uniformly or in a predetermined pattern along the circumferential direction. have.

배플(17)에 형성된 배기홀(19)의 패턴이나 형상은 배기압력을 조절하는데 직접적인 영향을 미치기 때문에, 공정에 따라 챔버 내부의 배기압력 패턴을 조절하기 위해서는 배플(17)의 위치를 조절하거나 다른 형상이나 패턴의 배기홀(19)을 가지는 배플(17)로 교체하여야 한다.Since the pattern or shape of the exhaust hole 19 formed in the baffle 17 has a direct influence on adjusting the exhaust pressure, the position of the baffle 17 may be adjusted or may be adjusted to adjust the exhaust pressure pattern inside the chamber according to the process. Replace with a baffle 17 having an exhaust hole 19 of shape or pattern.

그런데 진공상태의 챔버(11)의 내부에 있는 배플(17)의 위치를 조절하거나 교체하기 위해서는 기판처리장치(10)의 가동을 중단하고 챔버(11)를 분해 조립해야 하기 때문에 생산성 면에서 결코 바람직하지 않다.However, in order to adjust or replace the position of the baffle 17 inside the vacuum chamber 11, the substrate processing apparatus 10 must be stopped and the chamber 11 must be disassembled and assembled. Not.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버를 분해조립하지 않고서도 배플의 위치를 조절하여 챔버 내부의 배기압력을 조절할 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a method of controlling the exhaust pressure inside the chamber by adjusting the position of the baffle without disassembling and assembling the chamber.

본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 일정한 반응공간을 가지며, 하부에 배기구를 가지는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대; 상기 배기구로 인한 배기압력을 조절하기 위해 상기 기판안치대와 상기 챔버의 내벽 사이에 설치되며, 다수의 제1배기홀을 가지는 제1배플; 상기 제1배플의 하부에 설치되며 다수의 제2배기홀을 가지는 제2배플; 상기 제1배플 또는 상기 제2배플을 구동시켜 상기 제1배기홀과 상기 제2배기홀의 중첩되는 면적을 조절하는 배플구동부를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object, a chamber having a constant reaction space, the exhaust port in the lower; A substrate support installed in the chamber; A first baffle installed between the substrate stabilizer and an inner wall of the chamber to adjust the exhaust pressure due to the exhaust port, and having a plurality of first exhaust holes; A second baffle installed under the first baffle and having a plurality of second exhaust holes; It provides a substrate processing apparatus including a baffle driving unit for controlling the overlapping area of the first exhaust hole and the second exhaust hole by driving the first baffle or the second baffle.

상기 기판처리장치는, 상기 제1배기홀과 상기 제2배기홀은 모양 및 면적이 동일한 것을 특징으로 할 수 있다.The substrate treating apparatus may have the same shape and area as that of the first exhaust hole and the second exhaust hole.

상기 제1배플 또는 상기 제2배플은 다수의 영역으로 분할되어 설치되고, 상기 다수의 영역은 각각 독립적으로 구동될 수 있는 것을 특징으로 할 수 있다.The first baffle or the second baffle may be divided into a plurality of areas, and the plurality of areas may be independently driven.

상기 배플구동부는, 동력발생부; 상기 동력발생부를 상기 챔버의 외측에 고정시키는 고정부재; 상기 동력발생부의 구동력을 상기 챔버에 형성된 관통부를 통 해 상기 제1배플 또는 상기 제2배플로 전달하는 동력전달부재; 상기 챔버의 관통부를 밀폐하는 밀폐부재를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 이때 상기 동력발생부는 공압실린더 또는 유압실린더일 수 있다. 또한 상기 밀폐부재는, 일단이 상기 관통부 주변의 챔버에 고정되고, 타단이 상기 동력전달부재에 고정되는 벨로우즈일 수 있다.The baffle drive unit, a power generation unit; A fixing member for fixing the power generating unit to the outside of the chamber; A power transmission member for transferring the driving force of the power generating unit to the first baffle or the second baffle through a through part formed in the chamber; It may be characterized in that it comprises a sealing member for sealing the through part of the chamber, wherein the power generating unit may be a pneumatic cylinder or a hydraulic cylinder. In addition, the sealing member, one end may be a bellows is fixed to the chamber around the through portion, the other end is fixed to the power transmission member.

또한 상기 기판안치대의 측벽에는 상기 제1배플 또는 상기 제2배플과의 마찰력을 줄이기 위한 마찰저감부재가 설치되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the side wall of the substrate stabilizer may be characterized in that the friction reducing member for reducing friction with the first baffle or the second baffle is installed.

또한 상기 챔버의 내벽에는 상기 제1배플 또는 상기 제2배플과의 마찰력을 줄이기 위한 마찰저감부재가 설치되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the inner wall of the chamber may be characterized in that the friction reducing member for reducing the frictional force with the first baffle or the second baffle is installed.

상기 마찰저감부재는 롤러 또는 볼베어링인 것을 특징으로 할 수 있다.The friction reducing member may be a roller or a ball bearing.

또한 본 발명은, 일정한 반응공간을 가지며, 하부에 배기구를 가지는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대; 상기 배기구로 인한 배기압력을 조절하기 위해 상기 기판안치대와 상기 챔버의 내벽 사이에 설치되며, 다수의 제1배기홀을 가지는 제1배플; 상기 제1배플의 하부에 설치되며 다수의 제2배기홀을 가지는 제2배플; 상기 제1배플에 대해 상기 제2배플을 소정 각도 회전시키는 배플구동부를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.In another aspect, the present invention, the chamber having a constant reaction space, the lower portion having an exhaust port; A substrate support installed in the chamber; A first baffle installed between the substrate stabilizer and an inner wall of the chamber to adjust the exhaust pressure due to the exhaust port, and having a plurality of first exhaust holes; A second baffle installed under the first baffle and having a plurality of second exhaust holes; Provided is a substrate processing apparatus including a baffle driver for rotating the second baffle by a predetermined angle with respect to the first baffle.

또한 본 발명은 상기 기판처리장치에서 상기 반응공간을 배기하는 방법에 있어서, 상기 반응공간을 펌핑하는 단계; 상기 반응공간으로 기판을 반입하여 상기 기판안치대에 안치하는 단계; 상기 반응공간에 원료물질을 공급하고, 반응을 위한 에너지를 공급하여 반응을 진행하는 단계; 상기 배플구동부를 구동하여 상기 제1배 기홀과 상기 제2배기홀의 중첩되는 면적을 조절하는 단계를 포함하는 반응공간의 배기방법을 제공한다.The present invention also provides a method of evacuating the reaction space in the substrate processing apparatus, comprising: pumping the reaction space; Bringing a substrate into the reaction space and placing the substrate in the substrate stabilizer; Supplying a raw material to the reaction space and supplying energy for the reaction to proceed with the reaction; And driving the baffle driver to adjust an overlapping area of the first exhaust hole and the second exhaust hole.

이때 상기 원료물질은 증착공정 또는 식각공정을 위한 가스일 수 있고, 상기 에너지는 고주파전력, 열, 마이크로 웨이브 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.In this case, the raw material may be a gas for a deposition process or an etching process, and the energy may include one or more of high frequency power, heat, and microwave.

또한 본발명은 상기 기판처리장치에서 상기 반응공간을 배기하는 방법에 있어서, 상기 반응공간을 펌핑하는 단계; 상기 반응공간으로 기판을 반입하여 상기 기판안치대에 안치하는 단계; 상기 기판의 상부에 증착물질을 공급하고 증착에 필요한 에너지를 공급하여 증착을 진행하는 단계; 상기 증착단계에서 제 1 조건으로 상기 제 1 배기홀과 상기 제 2 배기홀의 중첩되는 면적을 조정하는 단계; 상기 기판의 상부에 세정물질을 공급하고 세정에 필요한 에너지를 공급하여 세정을 진행하는 단계; 상기 세정단계에서 제 2 조건으로 상기 제 1 배기홀과 상기 제 2 배기홀의 중첩되는 면적으로 조정하는 단계를 포함하는 반응공간의 배기방법을 제공하며, 이때 상기 제1조건과 상기 제2조건은 다른 것을 특징으로 할 수 있다.In another aspect, the present invention provides a method of evacuating the reaction space in the substrate processing apparatus, comprising: pumping the reaction space; Bringing a substrate into the reaction space and placing the substrate in the substrate stabilizer; Supplying a deposition material to the upper portion of the substrate and supplying energy for deposition to perform deposition; Adjusting an overlapping area of the first exhaust hole and the second exhaust hole under a first condition in the deposition step; Supplying a cleaning material to the upper portion of the substrate and supplying energy for cleaning to perform cleaning; And a step of adjusting the overlapping area of the first exhaust hole and the second exhaust hole to a second condition in the cleaning step, wherein the first condition and the second condition are different from each other. It may be characterized by.

본 발명에 따르면, 챔버를 분해하지 않고서도 외부의 동력발생부를 조작하여 챔버 내부의 배플을 구동시켜 배기압력을 조절하는 것이 가능해진다. According to the present invention, it is possible to control the exhaust pressure by driving the baffle inside the chamber by manipulating an external power generator without disassembling the chamber.

또한 챔버의 진공을 유지한 상태에서 배기압력을 조절하는 것이 가능해지며, 압력조건을 다양하게 변화시키는 공정에서 각각의 압력에 대응하여 균일한 배기압력을 유지하는 것이 용이해진다.In addition, it is possible to adjust the exhaust pressure while maintaining the vacuum of the chamber, and in the process of varying the pressure conditions, it becomes easy to maintain a uniform exhaust pressure corresponding to each pressure.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 도 3에 도시된 바와 같이, 반응공간을 형성하는 챔버(110), 상기 챔버(110)의 내부에 설치되는 기판안치대(120), 상기 챔버(110)의 상부를 밀폐하면서 설치되며 챔버(110) 내부로 고주파전력을 공급하는 플라즈마전극(140), 플라즈마전극(140)의 하부에 고정되는 가스분배판(130), 플라즈마전극(140)의 중앙부를 관통하여 상기 가스분배판(130)의 상부로 반응물질을 공급하는 가스공급관(150), 플라즈마전극(140)에 고주파전력을 인가하는 고주파전원(160), 챔버(110) 내부의 압력조절과 잔류물질 배기를 위하여 챔버(110)의 하부에 형성되는 배기구(190)를 포함한다.Substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, as shown in Figure 3, the chamber 110 to form a reaction space, the substrate stabilizer 120 installed in the chamber 110, the Plasma electrode 140 is installed while sealing the upper portion of the chamber 110, the gas distribution plate 130 is fixed to the lower portion of the plasma electrode 140, the plasma electrode 140 to supply a high frequency power into the chamber 110, the plasma electrode 140 Pressure in the chamber 110, the gas supply pipe 150 for supplying the reaction material to the upper portion of the gas distribution plate 130 through the central portion of the gas distribution plate, the high frequency power supply 160 for applying a high frequency power to the plasma electrode 140 An exhaust port 190 is formed in the lower portion of the chamber 110 for the control and exhaust of residual material.

본 발명의 기판처리장치(100)는 챔버(110)의 내부에서 기판안치대(120)의 측면에 배기압력을 조절하기 위한 제1배플(170)을 설치하고, 상기 제1배플(170)의 하부에 제2배플(180)을 설치하며, 상기 제2배플(180)을 배플구동부(200)를 이용하여 움직일 수 있도록 한 점에 특징이 있다.In the substrate processing apparatus 100 of the present invention, a first baffle 170 is installed on the side surface of the substrate stabilizer 120 in the chamber 110 to adjust the exhaust pressure. The second baffle 180 is installed at a lower portion thereof, and the second baffle 180 may be moved using the baffle driver 200.

제1배플(170)과 제2배플(180)은 도 4의 평면도에 도시된 바와 같이, 각각 동일한 형상과 면적을 가지는 슬릿형태의 제1배기홀(172) 및 제2배기홀(182)을 구비하는 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 배기홀의 형상과 면적을 달리하는 것도 가능하다.As shown in the plan view of FIG. 4, the first baffle 170 and the second baffle 180 respectively form the first and second exhaust holes 172 and the second exhaust hole 182 having the same shape and area. Although it is preferable to provide, it is also possible to vary the shape and area of an exhaust hole in some cases.

이와 같이 제1배플(170)의 배기홀(172)과 제2배플(180)의 배기홀(182)이 상하로 배치되면, 제2배플(180)을 회전시킴으로써 상하의 배기홀(172,182)이 중첩되는 면적을 조절할 수 있으며, 이를 통해 배기압력을 조절할 수 있다.As such, when the exhaust hole 172 of the first baffle 170 and the exhaust hole 182 of the second baffle 180 are disposed up and down, the upper and lower exhaust holes 172 and 182 overlap by rotating the second baffle 180. It is possible to adjust the area to be controlled, thereby controlling the exhaust pressure.

제2배플(180)은 일체형으로 제작된 것일 수도 있지만, 다수의 영역으로 분할하여 각 영역이 서로 독립적으로 움직일 수 있도록 제작될 수도 있다. 이 경우 각 영역을 독립적으로 구동시키기 위한 배플구동부를 설치해야 한다.The second baffle 180 may be manufactured in one piece, but may be manufactured to be divided into a plurality of regions so that each region may move independently of each other. In this case, baffle driving units for driving each area independently should be provided.

한편 움직임이 가능한 제2배플(180)을 지지하기 위하여 챔버(110)의 내측벽 또는 기판안치대(120)의 외측벽에는 지지부재(184)를 설치하는 것이 바람직하다. 제1배플(170)을 지지하는 지지부재를 더 설치할 수도 있다.Meanwhile, in order to support the movable second baffle 180, the support member 184 may be installed on the inner wall of the chamber 110 or the outer wall of the substrate support 120. A support member for supporting the first baffle 170 may be further installed.

특히 본 발명의 실시예에서는 제2배플(180)이 움직이기 때문에 제2배플(180)과 그 지지부재(184)의 마찰력을 줄이기 위하여, 지지부재(184)에 볼베어링 또는 롤러(미도시) 등을 설치하는 것이 바람직하다.In particular, in the embodiment of the present invention, because the second baffle 180 moves, in order to reduce the frictional force between the second baffle 180 and the support member 184, a ball bearing or a roller (not shown) or the like is supported on the support member 184. It is desirable to install it.

배플구동부(200)는 공압 또는 유압에 의해 동작하는 동력발생부(210), 상기 동력발생부(210)를 챔버(110)의 외측에 고정시키는 고정부재(220), 상기 동력발생부(210)의 구동력을 챔버(110)의 관통부(112)를 통해 제2배플(180)에 전달하는 동력전달부재(230), 상기 동력전달부재(230)가 움직이는 중에 챔버(110)의 상기 관통부(112)를 밀폐하는 벨로우즈(240)를 포함한다. 동력발생부(210)에는 구동모터, 공압실린더, 유압실린더 등이 사용될 수 있다.The baffle driving unit 200 is a power generating unit 210 that operates by pneumatic or hydraulic pressure, a fixing member 220 for fixing the power generating unit 210 to the outside of the chamber 110, the power generating unit 210 The power transmission member 230 for transmitting the driving force to the second baffle 180 through the through portion 112 of the chamber 110, and the through portion of the chamber 110 while the power transmission member 230 is moving. And bellows 240 sealing 112. The power generator 210 may be a driving motor, a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder and the like.

한편 도 5에 도시된 바와 같이 움직임이 가능한 제2 배플(180)과 챔버내벽의 마찰을 저감시키기 위하여 챔버내벽에 롤러(191)를 설치하고, 제2배플(180)과 기판안치대(120)의 마찰을 줄이기 위하여 기판안치대(120)에도 롤러(192)를 설치하는 것이 바람직하다. 롤러 이외에 볼 베어링 등을 설치할 수도 있음은 물론이다.Meanwhile, as shown in FIG. 5, a roller 191 is installed on the inner wall of the chamber in order to reduce friction between the movable second baffle 180 and the chamber inner wall, and the second baffle 180 and the substrate holder 120 are provided. In order to reduce the friction of the substrate stabilizer 120, it is preferable to install the roller 192. It is a matter of course that ball bearings and the like can be provided in addition to the rollers.

한편, 배플구동부(200)의 동력전달부재(230)와 제2배플(180)의 연결은 매우 다양한 방법으로 구현될 수 있다.On the other hand, the connection of the power transmission member 230 and the second baffle 180 of the baffle driving unit 200 may be implemented in a variety of ways.

가장 간편한 방법은, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이 피스톤로드 형태의 동력전달부재(230)를 제2배플(180)의 하부나 측부에 직접 연결하는 방법이다.The simplest method is a method of directly connecting the piston rod-shaped power transmission member 230 as shown in FIGS. 3 and 5 directly to the bottom or side of the second baffle 180.

본 발명에서는 제1배플(170)의 배기홀(172)과 제2배플(180)의 배기홀(182)이 중첩되는 면적을 조절함으로써 배기압력을 조절하기 때문에 동력전달부재(230)의 구동거리를 그리 크게 설정할 필요는 없다.In the present invention, since the exhaust pressure is adjusted by adjusting the overlapping area of the exhaust hole 172 of the first baffle 170 and the exhaust hole 182 of the second baffle 180, the driving distance of the power transmission member 230 is adjusted. You don't have to set that big.

실제 사용되는 배기홀의 너비가 대부분 수mm 정도에 불과하기 때문에 배플구동부(200)도 대략 이 범위에서 배플을 구동시킬 수 있으면 족하다.Since the width of the actual exhaust hole is only about a few mm, the baffle driving unit 200 also needs to be able to drive the baffle in this range.

따라서 배플구동부(200)의 동력전달부재(230)와 제2배플(180)은 직접 연결하여도 무방하며, 다만 정밀한 움직임이 가능한 동력발생부(210)를 사용하는 것이 바람직하다.Therefore, the power transmission member 230 and the second baffle 180 of the baffle driver 200 may be directly connected, but it is preferable to use the power generator 210 capable of precise movement.

이때 도 5에 도시된 바와 같이 동력전달부재(230)의 구동방향이 제2배플(180)의 접선방향에 근접하도록 배플구동부(200)를 설치하면 안정적으로 제2배플(180)의 움직임을 조절할 수 있다.In this case, as shown in FIG. 5, when the baffle driver 200 is installed such that the driving direction of the power transmission member 230 approaches the tangential direction of the second baffle 180, the movement of the second baffle 180 is stably adjusted. Can be.

한편, 구동거리가 긴 경우에는 회전축(미도시)을 개재한 다관절 형태의 동력전달부재(230)를 이용하여 동력발생부(210)의 동력을 제2배플(180)에 전달할 수도 있다.On the other hand, when the driving distance is long, the power of the power generating unit 210 may be transmitted to the second baffle 180 by using the power transmission member 230 having a multi-joint type via a rotating shaft (not shown).

한편 도 3 및 도 5에서는 제2배플(180)을 1개의 배플구동부(200)를 이용하여 구동시키는 경우를 도시하였으나, 2이상의 배플구동부(200)를 설치할 수도 있다.3 and 5 illustrate the case in which the second baffle 180 is driven by using one baffle driver 200, two or more baffle drivers 200 may be provided.

또한 제2배플(180) 대신에 제1배플(170)을 배플구동부(20)를 이용하여 구동시키는 것도 가능하다. 또한 제1 배플(170) 및 제2 배플(180)을 모두 구동시키는 것도 가능하다. 또한 필요에 따라서는 챔버 내부에 3개 이상의 배플을 상하로 설치하고 적어도 하나의 배플을 구동시킬 수도 있다. In addition, the first baffle 170 may be driven using the baffle driving unit 20 instead of the second baffle 180. It is also possible to drive both the first baffle 170 and the second baffle 180. In addition, if necessary, three or more baffles may be installed up and down inside the chamber, and at least one baffle may be driven.

도 1은 일반적인 기판처리장치의 구성도 1 is a block diagram of a general substrate processing apparatus

도 2는 배플의 형상을 나타낸 평면도2 is a plan view showing the shape of the baffle;

도 3은 본 발명의 실시예에 따라 구동가능한 배플을 포함하는 기판처리장치의 구성도3 is a block diagram of a substrate processing apparatus including a baffle that can be driven according to an embodiment of the present invention.

도 4는 제1배플 및 제2배플이 중첩된 모습을 나타낸 도면4 is a view illustrating a state in which a first baffle and a second baffle overlap each other;

도 5는 배플구동부가 설치된 모습을 예시한 도면5 is a diagram illustrating a state in which a baffle driving unit is installed;

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100: 플라즈마 발생장치 110: 챔버100: plasma generator 110: chamber

120: 기판안치대 130: 가스분배판120: substrate support 130: gas distribution plate

140: 플라즈마전극 170, 180: 제1, 제2배플140: plasma electrodes 170, 180: first and second baffles

200: 배플구동부 210: 동력발생부200: baffle drive unit 210: power generating unit

220: 고정부재 230: 동력전달부재220: fixed member 230: power transmission member

240: 벨로우즈240: bellows

Claims (15)

일정한 반응공간을 가지며, 하부에 배기구를 가지는 챔버;A chamber having a constant reaction space and having an exhaust port therein; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대;A substrate support installed in the chamber; 상기 배기구로 인한 배기압력을 조절하기 위해 상기 기판안치대와 상기 챔버의 내벽 사이에 설치되며, 다수의 제1배기홀을 가지는 제1 배플;A first baffle disposed between the substrate stabilizer and an inner wall of the chamber to adjust the exhaust pressure due to the exhaust port, the first baffle having a plurality of first exhaust holes; 상기 제1배플의 하부에 설치되며 다수의 제2배기홀을 가지는 제2배플;A second baffle installed under the first baffle and having a plurality of second exhaust holes; 상기 제1배플 또는 상기 제2배플을 구동시켜 상기 제1배기홀과 상기 제2배기홀의 중첩되는 면적을 조절하는 배플구동부;A baffle driver configured to drive the first baffle or the second baffle to adjust an overlapping area of the first exhaust hole and the second exhaust hole; 를 포함하는 기판처리장치Substrate processing apparatus comprising a 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1배기홀과 상기 제2배기홀은 모양 및 면적이 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치Wherein the first exhaust hole and the second exhaust hole have the same shape and area. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1배플 또는 상기 제2배플은 다수의 영역으로 분할되어 설치되고, 상기 다수의 영역은 각각 독립적으로 구동될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장 치The first baffle or the second baffle may be divided into a plurality of areas, and each of the plurality of areas may be driven independently. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배플구동부는,The baffle drive unit, 동력발생부;Power generating unit; 상기 동력발생부를 상기 챔버의 외측에 고정시키는 고정부재;A fixing member for fixing the power generating unit to the outside of the chamber; 상기 동력발생부의 구동력을 상기 챔버에 형성된 관통부를 통해 상기 제1배플 또는 상기 제2배플로 전달하는 동력전달부재;A power transmission member configured to transfer the driving force of the power generating unit to the first baffle or the second baffle through a through part formed in the chamber; 상기 챔버의 관통부를 밀폐하는 밀폐부재;A sealing member for sealing the through part of the chamber; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치Substrate processing apparatus comprising a 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 동력발생부는 공압실린더 또는 유압실린더 인 것을 특징으로 하는 기판처리장치The power generating unit substrate processing apparatus, characterized in that the pneumatic cylinder or hydraulic cylinder 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 밀폐부재는, 일단이 상기 관통부 주변의 챔버에 고정되고, 타단이 상기 동력전달부재에 고정되는 벨로우즈인 것을 특징으로 하는 기판처리장치The sealing member is a substrate processing apparatus characterized in that the one end is fixed to the chamber around the through portion, the other end is a bellows fixed to the power transmission member. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판안치대의 측벽에는 상기 제1배플 또는 상기 제2배플과의 마찰력을 줄이기 위한 마찰저감부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치Substrate processing apparatus, characterized in that the friction reducing member for reducing the friction force with the first baffle or the second baffle is installed on the side wall of the substrate support 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버의 내벽에는 상기 제1배플 또는 상기 제2배플과의 마찰력을 줄이기 위한 마찰저감부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치Substrate processing apparatus characterized in that the inner wall of the chamber is provided with a friction reducing member for reducing the frictional force with the first baffle or the second baffle 제7항 또는 제8항에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 마찰저감부재는 롤러 또는 볼베어링인 것을 특징으로 하는 기판처리장치The friction reducing member is a substrate processing apparatus, characterized in that the roller or ball bearing 일정한 반응공간을 가지며, 하부에 배기구를 가지는 챔버;A chamber having a constant reaction space and having an exhaust port therein; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대;A substrate support installed in the chamber; 상기 배기구로 인한 배기압력을 조절하기 위해 상기 기판안치대와 상기 챔버의 내벽 사이에 설치되며, 다수의 제1배기홀을 가지는 제1 배플;A first baffle disposed between the substrate stabilizer and an inner wall of the chamber to adjust the exhaust pressure due to the exhaust port, the first baffle having a plurality of first exhaust holes; 상기 제1배플의 하부에 설치되며 다수의 제2배기홀을 가지는 제2배플;A second baffle installed under the first baffle and having a plurality of second exhaust holes; 상기 제1배플에 대해 상기 제2배플을 소정 각도 회전시키는 배플구동부;A baffle driver configured to rotate the second baffle by a predetermined angle with respect to the first baffle; 를 포함하는 기판처리장치Substrate processing apparatus comprising a 제1항의 기판처리장치에서 상기 반응공간을 배기하는 방법에 있어서,In the method of exhausting the reaction space in the substrate processing apparatus of claim 1, 상기 반응공간을 펌핑하는 단계;Pumping the reaction space; 상기 반응공간으로 기판을 반입하여 상기 기판안치대에 안치하는 단계;Bringing a substrate into the reaction space and placing the substrate in the substrate stabilizer; 상기 반응공간에 원료물질을 공급하고, 반응을 위한 에너지를 공급하여 반응을 진행하는 단계;Supplying a raw material to the reaction space and supplying energy for the reaction to proceed with the reaction; 상기 배플구동부를 구동하여 상기 제1배기홀과 상기 제2배기홀의 중첩되는 면적을 조절하는 단계;Controlling the overlapping area of the first exhaust hole and the second exhaust hole by driving the baffle driver; 를 포함하는 반응공간의 배기방법Method for evacuating the reaction space comprising a 제11항에 있어서, The method of claim 11, 상기 원료물질은 증착공정 또는 식각공정을 위한 가스인 것을 특징으로 하는 반응공간의 배기방법The raw material is a method for evacuating the reaction space, characterized in that the gas for the deposition process or etching process 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 에너지는 고주파전력, 열, 마이크로 웨이브 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반응공간의 배기방법The energy is exhausted method of the reaction space, characterized in that it comprises at least one of high frequency power, heat, microwave 제1항의 기판처리장치에서 상기 반응공간을 배기하는 방법에 있어서,In the method of exhausting the reaction space in the substrate processing apparatus of claim 1, 상기 반응공간을 펌핑하는 단계;Pumping the reaction space; 상기 반응공간으로 기판을 반입하여 상기 기판안치대에 안치하는 단계;Bringing a substrate into the reaction space and placing the substrate in the substrate stabilizer; 상기 기판의 상부에 증착물질을 공급하고 증착에 필요한 에너지를 공급하여 증착을 진행하는 단계;Supplying a deposition material to the upper portion of the substrate and supplying energy for deposition to perform deposition; 상기 증착단계에서 제 1 조건으로 상기 제 1 배기홀과 상기 제 2 배기홀의 중첩되는 면적을 조정하는 단계;Adjusting an overlapping area of the first exhaust hole and the second exhaust hole under a first condition in the deposition step; 상기 기판의 상부에 세정물질을 공급하고 세정에 필요한 에너지를 공급하여 세정을 진행하는 단계;Supplying a cleaning material to the upper portion of the substrate and supplying energy for cleaning to perform cleaning; 상기 세정단계에서 제 2 조건으로 상기 제 1 배기홀과 상기 제 2 배기홀의 중첩되는 면적으로 조정하는 단계;Adjusting an overlapping area of the first exhaust hole and the second exhaust hole under a second condition in the cleaning step; 를 포함하는 반응공간의 배기방법Method for evacuating the reaction space comprising a 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1조건과 상기 제2조건은 다른 것을 특징으로 하는 반응공간의 배기방법And the first condition and the second condition are different.
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