KR20080110506A

KR20080110506A - Contact hall forming method, electric conduction post forming method, wiring pattern forming method, manufacturing method for multilayer wiring board, and manufacturing method for electronic device

Info

Publication number: KR20080110506A
Application number: KR1020080055163A
Authority: KR
Inventors: 도시미츠 히라이; 야스시 다카노
Original assignee: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date: 2007-06-14
Filing date: 2008-06-12
Publication date: 2008-12-18
Also published as: CN101325175A; KR101008792B1; JP2009021552A; CN101325175B

Abstract

A method of forming contact hole, electric conduction post and wiring pattern and a manufacturing method of multilayer wiring substrate and electronic device is provided to manufacture the electro-optical device and electronic device of the high quality by having the multilayer wiring substrate of the high quality. The contact hole is connected to wiring covered with a insulating layer(Z1) through an insulating layer. A method for forming contact hole comprises: a process of coating the contact hole formation area on the wiring with the droplet of the repellent material corresponding to the liquid including the insulation layer formation material and forming a repellant part(H); and a process of covering the wiring except the repellant part and coating with the droplet including the insulation layer formation material and forming the insulating layer.

Description

콘택트 홀 형성 방법, 도전 포스트 형성 방법, 배선 패턴 형성 방법, 다층 배선 기판의 제조 방법, 및 전자기기 제조 방법{CONTACT HALL FORMING METHOD, ELECTRIC CONDUCTION POST FORMING METHOD, WIRING PATTERN FORMING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR MULTILAYER WIRING BOARD, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE}Contact hole forming method, conductive post forming method, wiring pattern forming method, multilayer wiring board manufacturing method, and electronic device manufacturing method {CONTACT HALL FORMING METHOD, ELECTRIC CONDUCTION POST FORMING METHOD, WIRING PATTERN FORMING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR MULTILAYER WIRING BOARD , AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은 콘택트 홀 형성 방법, 도전 포스트 형성 방법, 다층 배선 기판의 제조 방법 및 전자기기 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of forming a contact hole, a method of forming a conductive post, a method of manufacturing a multilayer wiring board, and a method of manufacturing an electronic device.

액적(液滴) 토출법(잉크젯 방식)을 이용하여 패턴을 형성하는 경우, 액상체의 액적(잉크)을 토출하고, 기판 상의 소정 위치에 착탄시킴으로써 패턴을 형성하고 있다. 이와 같이, 액적을 토출하여 기판에 착탄시킨 경우, 기판 표면의 특성에 따라서는 착탄한 액적이 지나치게 퍼지거나, 분리하거나 할 우려가 있다. 이 경우, 소망의 배선 패턴을 얻을 수 없다고 하는 문제가 발생한다. When a pattern is formed using the droplet ejection method (inkjet method), the pattern is formed by ejecting the droplet (ink) of the liquid body and reaching a predetermined position on the substrate. In this way, when the droplets are ejected and landed on the substrate, the landed droplets may spread or separate depending on the characteristics of the substrate surface. In this case, a problem arises in that a desired wiring pattern cannot be obtained.

그래서, 특허문헌 1에는, 기판의 패턴 형성면으로 되는 면을 발액(撥液) 가공하고, 이 발액 가공면에 광촉매를 통과한 자외광 레이저빔을 조사하면서 친액(親液) 패턴 형성을 하는 기술이 개시되어 있다. Therefore, Patent Literature 1 discloses a technique for forming a lyophilic pattern while irradiating a surface serving as a pattern forming surface of a substrate and irradiating an ultraviolet light laser beam that has passed through a photocatalyst on the liquid repelling processing surface. Is disclosed.

또한, 특허문헌 2에는, 패턴을 형성하는 기판 상에 광촉매를 함유한 발수성의 하지를 도포한 후에, 마스크를 거쳐 노광함으로써, 노광 부분만을 친수화하는 기술이 개시되어 있다. In addition, Patent Literature 2 discloses a technique of hydrophilizing only an exposed portion by applying a water-repellent base containing a photocatalyst on a substrate forming a pattern and then exposing it through a mask.

그런데, 상기의 배선 패턴을 적층하여 다층 배선 구조를 채용하는 경우, 배선 패턴끼리는 콘택트 홀에 마련된 도전 포스트를 거쳐 접속된다. 이 도전 포스트(콘택트 홀)를 형성하는 기술로서는, 예컨대 제 1 배선상의 도전 포스트(콘택트 홀) 비형성 영역에 절연 재료를 포함하는 액적을 도포, 경화시켜, 절연층을 형성한 후에, 도전 포스트 형성 영역에 도전 재료를 포함하는 액적을 도포·경화시키는 기술이 개시되어 있다(예컨대 특허문헌 3, 4 참조). By the way, when a multilayer wiring structure is employ | adopted by laminating said wiring pattern, wiring patterns are connected via the conductive post provided in the contact hole. As a technique for forming the conductive posts (contact holes), for example, droplets containing an insulating material are applied and cured in the non-conductive post (contact hole) non-formed region on the first wiring to form an insulating layer, followed by formation of conductive posts. The technique of apply | coating and hardening the droplet containing a conductive material in the area | region is disclosed (for example, refer patent document 3, 4).

[특허문헌 1] 일본 특허공개 2004-200244호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Publication No. 2004-200244

[특허문헌 2] 일본 특허공개 평성 제 11-344804호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-344804

[특허문헌 3] 일본 특허공개 2003-282561호 공보[Patent Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-282561

[특허문헌 4] 일본 특허공개 2006-140437호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-140437

그러나, 상술한 바와 같은 종래 기술에는, 이하와 같은 문제가 존재한다. However, the following problems exist in the prior art as described above.

특히 금속 배선에서는, 표면의 습윤성이 좋기 때문에, 콘택트 홀 비형성 영역(도전 포스트 비형성 영역)에 절연 재료를 포함하는 액적을 도포한 경우에, 액적이 넓게 적셔지기 쉬우므로, 콘택트 홀 형성 영역(도전 포스트 형성 영역)을 소망의 크기로 제어하는 것이 곤란하다고 하는 문제가 있었다. Particularly in metal wirings, since the wettability of the surface is good, when a droplet containing an insulating material is applied to a non-contact hole non-forming region (conductive post non-forming region), the droplet is easily wetted widely, thus forming a contact hole forming region ( There was a problem that it was difficult to control the conductive post forming region) to a desired size.

또한, 배선 패턴의 형성에 대해서는, 상기 특허문헌 1, 2에 기재된 기술에서는, 비싼 노광기나 포토마스크, 레이저 광원을 이용하기 때문에, 비용 상승을 초래한다고 하는 문제를 초래한다. 또한, 본래, 비패턴면에만 필요한 발액 재료를 기판 전면에 도포하기 때문에, 재료 절약이라는 관점으로부터도 바람직한 것이라고는 할 수 없다. Moreover, about formation of a wiring pattern, since the technique of the said patent documents 1, 2 uses an expensive exposure machine, a photomask, and a laser light source, it raises a problem that raises a cost. In addition, since the liquid repellent material required only for the non-patterned surface is applied to the entire surface of the substrate, it cannot be said to be preferable also from the viewpoint of material saving.

본 발명은 이상과 같은 점을 고려하여 이루어진 것으로, 크기의 제어성이 우수한 콘택트 홀 형성 방법, 도전 포스트 형성 방법, 다층 배선 기판의 제조 방법 및 전자기기 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of the above, and an object of this invention is to provide the contact hole formation method, the conductive post formation method, the manufacturing method of a multilayer wiring board, and the electronic device manufacturing method which are excellent in the controllability of size.

또한, 본 발명의 별도의 목적은 비용 상승을 초래하지 않고 양질인 상기 패턴이 형성 가능한 콘택트 홀 형성 방법, 도전 포스트 형성 방법, 배선 패턴 형성 방법, 다층 배선 기판의 제조 방법 및 전자기기 제조 방법을 제공하는 것이다. In addition, another object of the present invention is to provide a contact hole forming method, a conductive post forming method, a wiring pattern forming method, a multilayer wiring board manufacturing method and an electronic device manufacturing method capable of forming the above-described quality pattern without incurring a cost increase. It is.

상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은 이하의 구성을 채용하고 있다. In order to achieve the above object, the present invention employs the following configurations.

본 발명의 콘택트 홀 형성 방법은, 절연층으로 덮이는 배선에, 상기 절연층을 관통하여 접속하기 위한 콘택트 홀을 형성하는 방법으로서, 상기 배선상의 콘택트 홀 형성 영역에, 절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하여 발액성을 갖는 발액 재료의 액적을 도포하여 발액부를 형성하는 공정과, 상기 발액부를 제외하고, 상기 배선을 덮어 상기 절연층 형성 재료를 포함하는 액적을 도포하여 절연층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다. The contact hole formation method of this invention is a method of forming the contact hole for connecting through the said insulating layer in the wiring covered by an insulating layer, Comprising: An insulating layer forming material is included in the contact hole formation area on the said wiring. Forming a liquid repellent part by applying droplets of a liquid repellent material having liquid repellency to the liquid body; and applying a liquid droplet containing the insulating layer forming material to cover the wiring, except for the liquid repellent part, to form an insulating layer. It is characterized by having a process.

따라서, 본 발명의 콘택트 홀 형성 방법에서는, 발액부를 제외하고, 배선을 덮어 상기 절연층 형성 재료를 포함하는 액적을 도포했을 때에, 발액부의 발액성에 의해 상기 절연층 형성 재료를 포함하는 액적이 튀기 때문에, 콘택트 홀 형성 영역은 절연층 형성 재료로 덮이는 것이 방지되어, 발액부의 크기로 절연층이 개구함으로써, 배선이 노출되는 콘택트 홀을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에서는, 발액부의 크기에 따른 우수한 제어성으로 콘택트 홀을 형성할 수 있다. Therefore, in the contact hole forming method of the present invention, when the droplet containing the insulating layer forming material is applied by covering the wiring except the liquid repellent portion, the liquid droplet containing the insulating layer forming material is splashed by the liquid repellency of the liquid repellent portion. Therefore, the contact hole forming region is prevented from being covered with the insulating layer forming material, and the contact layer to which the wiring is exposed can be formed by opening the insulating layer in the size of the liquid repellent portion. Accordingly, in the present invention, the contact hole can be formed with excellent controllability according to the size of the liquid repellent part.

또한, 본 발명에서는, 상기 콘택트 홀의 직경을 상기 발액성 액적의 토출량으로 조정하는 수순도 적합하게 채용할 수 있다. Moreover, in this invention, the procedure which adjusts the diameter of the said contact hole to the discharge amount of the said liquid repellent droplet can also be employ | adopted suitably.

이에 따라, 본 발명에서는, 상기 발액성 액적의 토출량, 또는 각 액적의 토출량이 일정한 경우에는 토출 액적수를 조정함으로써, 용이하게 콘택트 홀의 직경을 제어하는 것이 가능하게 된다. Accordingly, in the present invention, when the discharge amount of the liquid-repellent droplets or the discharge amount of each droplet is constant, the diameter of the contact hole can be easily controlled by adjusting the discharge droplet number.

또한, 본 발명에서는, 산소 플라즈마 처리에 의해, 콘택트 홀 형성 영역의 상기 발액부를 제거하는 수순을 채용할 수 있다. Moreover, in this invention, the procedure which removes the said liquid repellent part of a contact hole formation area can be employ | adopted by oxygen plasma process.

이 경우, 산소 플라즈마 처리 시간 또는 UV 조사 처리 시간을 조정함으로써, 발액부에서의 발액성(절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대한 접촉각)을 제어할 수 있다. In this case, by adjusting the oxygen plasma treatment time or the UV irradiation treatment time, the liquid repellency (contact angle with respect to the liquid containing the insulating layer forming material) in the liquid repelling unit can be controlled.

상기 발액 재료로서는, 실란 화합물 및 플루오로 알킬기를 갖는 화합물의 적어도 한쪽을 포함하는 구성을 채용할 수 있다. 이 경우, 상기 실란 화합물로서는, 자기 조직화막인 구성을 채용할 수 있다. As said liquid repellent material, the structure containing at least one of the compound which has a silane compound and a fluoroalkyl group can be employ | adopted. In this case, the structure which is a self-organizing film can be employ | adopted as the said silane compound.

또한, 상기 발액부로서는, 상기 기판의 표면에 상기 플루오로 알킬기를 갖는 화합물로 이루어지는 자기 조직화막에 의해 형성되는 구성도 채용할 수 있다. As the liquid repelling unit, a structure formed of a self-organizing film made of a compound having the fluoroalkyl group on the surface of the substrate can also be adopted.

또한, 상기 발액 재료로서는, 불소 화합물을 포함하는 구성도 채용할 수 있다. Moreover, the structure containing a fluorine compound can also be employ | adopted as said liquid repellent material.

또한, 본 발명에서는, 배선 형성 재료를 포함하는 액적에 대하여 친액성을 갖는 배선 형성면의 비배선 형성 영역에, 상기 배선 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하여 발액성을 갖는 제 2 발액 재료의 액적을 도포하여 배선용 발액부를 형성하는 공정과, 상기 배선용 발액부의 사이의 친액부에 상기 배선 형성 재료를 포함하는 액적을 도포하여 상기 배선을 형성하는 공정을 갖는 수순도 적합하게 채용할 수 있다. Moreover, in this invention, the liquid of the 2nd liquid-repellent material which has liquid repellency with respect to the liquid body containing the said wiring formation material in the non-wiring formation area | region of the wiring formation surface which has lyophilic with respect to the droplet containing wiring formation material. The procedure which has the process of apply | coating a red | mouth and forming the wiring liquid repellent part, and the process of forming the said wiring by apply | coating the droplet containing the said wiring formation material to the lyophilic part between the said liquid repellent parts for wiring can also be employ | adopted suitably.

이에 따라, 본 발명에서는, 친액성을 갖는 배선 형성면에 배선 형성 재료를 포함하는 액적을 도포함으로써, 배선용 발액부에 튀겨진 배선 형성 재료를 포함하는 액상체를, 친액부의 배치(즉 배선용 발액부의 배치)에 따른 배선을 배선 형성면 에 고정밀도로 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 제 2 발액 재료를 포함하는 액적을 도포함으로써 배선용 발액부를 패터닝 형성하기 때문에, 비싼 노광기나 포토마스크, 레이저 광원 등을 이용할 필요가 없어지고, 비용 상승을 방지하는 것이 가능하다. Accordingly, in the present invention, by applying the droplet containing the wiring forming material to the wiring forming surface having lyophilic, the liquid body containing the wiring forming material splashed into the wiring liquid repelling unit is disposed in the lyophilic portion (that is, the liquid repelling portion for wiring). Can be formed with high accuracy on the wiring formation surface. Moreover, in this invention, since the liquid repellent part for wiring is patterned by apply | coating the droplet containing a 2nd liquid repellent material, it is not necessary to use an expensive exposure machine, a photomask, a laser light source, etc., and it is possible to prevent cost increase.

또한, 본 발명의 도전 포스트 형성 방법은, 절연층으로 덮이는 배선에, 상기 절연층을 관통하여 접속하는 도전 포스트를 형성하는 방법으로서, 앞서 기재된 콘택트 홀 형성 방법에 의해, 콘택트 홀을 형성하는 공정과, 형성된 콘택트 홀에 도전 재료를 포함하는 액적을 도포하여 도전 포스트를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다. In addition, the conductive post forming method of the present invention is a method of forming a conductive post that connects through an insulating layer to a wiring covered with an insulating layer, and forms a contact hole by the contact hole forming method described above. And a step of applying a droplet containing a conductive material to the formed contact hole to form a conductive post.

따라서, 본 발명의 도전 포스트 형성 방법에서는, 발액부가 형성된 배선을 덮어 상기 절연층 형성 재료를 포함하는 액적을 도포했을 때에, 발액부의 발액성에 의해 상기 절연층 형성 재료를 포함하는 액적이 튀기기 때문에, 도전 포스트 형성 영역은 절연층 형성 재료로 덮이는 것이 방지되어, 발액부의 크기로 절연층이 개구함으로써, 배선이 노출되는 콘택트 홀을 형성할 수 있다. 그리고, 도전 재료를 포함하는 액적을 도포함으로써, 배선에 접속하여 절연층을 관통하는 도전 포스트를 형성할 수 있다. Therefore, in the conductive post forming method of the present invention, when the liquid droplet containing the insulating layer forming material is coated by covering the wiring on which the liquid repelling unit is formed, the liquid droplet containing the insulating layer forming material is splashed due to the liquid repellency of the liquid repelling unit. The conductive post forming region is prevented from being covered with the insulating layer forming material, and the contact layer to which the wiring is exposed can be formed by opening the insulating layer in the size of the liquid repellent portion. And by apply | coating the droplet containing a conductive material, the electrically conductive post which connects to wiring and penetrates an insulating layer can be formed.

이에 따라, 본 발명에서는, 발액부의 크기에 따른 우수한 제어성으로 도전 포스트를 형성할 수 있다. Accordingly, in the present invention, the conductive post can be formed with excellent controllability according to the size of the liquid repellent portion.

또한, 본 발명에서는, 상기 발액부에 에너지광을 조사하는 공정을 갖는 수순도 적합하게 채용할 수 있다. Moreover, in this invention, the procedure which has a process of irradiating an energy light to the said liquid repellent part can also be employ | adopted suitably.

이에 따라, 본 발명에서는, 절연층을 경화시키고, 또한, 발액부의 발액성을 저하시킨 후에, 도전 재료를 포함하는 액적을 도포함으로써, 배선에 접속하여 절연층을 관통하는 도전 포스트를 형성할 수 있다. Accordingly, in the present invention, after curing the insulating layer and lowering the liquid repellency of the liquid repellent unit, by applying a droplet containing a conductive material, a conductive post that connects to the wiring and penetrates the insulating layer can be formed. .

또한, 본 발명에서는, 적어도 상기 발액부와 상기 도전 포스트를 가열하여, 상기 배선과 상기 도전 포스트를 용착시키는 공정을 갖는 수순도 적합하게 채용할 수 있다. Moreover, in this invention, the procedure which has the process of heating at least the said liquid repellent part and the said conductive post, and welding the said wiring and the said conductive post can also be employ | adopted suitably.

이에 따라, 본 발명에서는, 발액부에 의해 배선과 도전 포스트의 도통을 저해시키지 않고, 확실히 배선과 도전 포스트를 전기적으로 접속하는 것이 가능하게 된다. Accordingly, in the present invention, it is possible to reliably electrically connect the wiring and the conductive post without inhibiting the conduction of the wiring and the conductive post by the liquid repelling unit.

그리고, 본 발명의 배선 패턴 형성 방법은, 절연층으로 덮이는 배선에, 상기 절연층을 관통하는 콘택트 홀을 통해 접속하는 제 2 배선을 형성하는 배선 패턴 형성 방법으로서, 앞서 기재된 콘택트 홀 형성 방법에 의해, 콘택트 홀을 형성하는 공정과, 상기 절연층을 경화시키는 공정과, 상기 발액부 및 상기 절연층에 에너지광을 조사하는 공정과, 상기 절연층 상 및 상기 콘택트 홀에 걸쳐, 상기 제 2 배선을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다. And the wiring pattern formation method of this invention is a wiring pattern formation method which forms the 2nd wiring connected to the wiring covered by the insulating layer through the contact hole which penetrates the said insulating layer, The contact hole formation method mentioned above. The process of forming a contact hole, the process of hardening the said insulating layer, the process of irradiating an energy light to the said liquid repellent part and the said insulating layer, and the said 2nd over the said insulating layer and the said contact hole It is characterized by having the process of forming wiring.

이에 따라, 본 발명에서는, 발액부의 크기로 개구하는 절연층을 경화시킨 후에, 발액부 및 절연층에 에너지광을 조사함으로써, 이들에 친액성을 부여할 수 있다. 그리고, 친액성을 부여된 발액부 및 절연층에 걸쳐 제 2 배선을 형성함으로써, 크기가 규정된 콘택트 홀을 거쳐서 배선과 접속되는 제 2 배선을 형성할 수 있다. Therefore, in this invention, after hardening the insulating layer opening to the magnitude | size of a liquid repellent part, lyophilic can be provided to these by irradiating an energy light to a liquid repellent part and an insulating layer. By forming the second wiring over the liquid repellent portion and the insulating layer provided with the lyophilic property, it is possible to form the second wiring connected to the wiring via the contact hole whose size is defined.

상기의 배선 패턴 형성 방법에 있어서는, 상기 절연층 상 및 상기 콘택트 홀에 걸치는 제 2 배선 형성 영역에, 도전 재료를 포함하는 액적을 도포하여 상기 제 2 배선을 형성하는 수순도 적합하게 채용할 수 있다. In the above wiring pattern forming method, a procedure of forming the second wiring by applying a droplet containing a conductive material to the second wiring formation region over the insulating layer and the contact hole can also be suitably employed. .

이에 따라, 본 발명에서는, 액적 토출 방식으로 상기 절연층 상 및 상기 콘택트 홀에 걸치는 제 2 배선 형성 영역에 도전 재료를 포함하는 액적을 도포함으로써, 크기가 규정된 콘택트 홀에 도포된 도전성 재료를 거쳐 배선과 제 2 배선을 접속시킬 수 있다. Accordingly, in the present invention, droplets containing a conductive material are applied onto the insulating layer and the second wiring formation region covering the contact hole by the droplet ejection method, thereby passing through the conductive material applied to the contact hole whose size is defined. The wiring and the second wiring can be connected.

또한, 상기의 배선 패턴 형성 방법에 있어서는, 상기 절연층 상 및 상기 콘택트 홀에 걸치는 제 2 배선 형성 영역에, 도금용 촉매 재료를 포함하는 액적을 도포하여 도금용 촉매층을 형성하는 공정과, 도금 처리에 의해 상기 도금용 촉매층 상에 상기 제 2 배선을 형성하는 공정을 갖는 수순도 적합하게 채용할 수 있다. In the above wiring pattern forming method, a process of forming a plating catalyst layer by applying a droplet containing a plating catalyst material to the second wiring forming region on the insulating layer and over the contact hole, and plating treatment; The procedure which has a process of forming a said 2nd wiring on the said catalyst layer for plating can also be employ | adopted suitably.

이에 따라, 본 발명에서는, 액적 토출 방식으로 상기 절연층 상 및 상기 콘택트 홀에 걸치는 제 2 배선 형성 영역에 도금용 촉매층을 형성한 후에 도금 처리함으로써, 이 도금용 촉매층 상에 제 2 배선을 석출시킬 수 있어, 크기가 규정된 콘택트 홀에 도포된 도전성 재료를 거쳐 배선과 접속된 치밀하고 도전성이 우수한 제 2 배선을 형성할 수 있다. Accordingly, in the present invention, after forming the plating catalyst layer on the insulating layer and the second wiring formation region covering the contact hole by the droplet ejection method, the plating treatment is performed to deposit the second wiring on the plating catalyst layer. It is possible to form a dense, highly conductive second wiring connected to the wiring via a conductive material applied to the sized contact hole.

한편, 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법은, 절연층을 거쳐 제 1 배선 및 제 2 배선이 적층되고, 상기 제 1 배선과 상기 제 2 배선이 콘택트 홀을 통해 접속되는 다층 배선 기판의 제조 방법으로서, 상기 콘택트 홀을 앞서 기재된 콘택트 홀 형성 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 것이다. On the other hand, in the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention, the 1st wiring and 2nd wiring are laminated | stacked through the insulating layer, and the manufacturing method of the multilayer wiring board with which the said 1st wiring and said 2nd wiring are connected through a contact hole. The contact hole may be formed by the above-described contact hole forming method.

따라서, 본 발명의 다층 배선 기판의 제조 방법에서는, 우수한 제어성으로 콘택트 홀의 크기가 설정된 고품질의 다층 배선 기판을 제조할 수 있다. Therefore, in the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention, it is possible to manufacture a high quality multilayer wiring board in which the size of the contact hole is set with excellent controllability.

그리고, 본 발명의 전기 광학 장치 제조 방법은 앞서 기재된 다층 배선 기판의 제조 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 것이다. And the electro-optical device manufacturing method of this invention is characterized by using the manufacturing method of the multilayer wiring board mentioned above.

또한, 본 발명의 전자기기 제조 방법은 앞서 기재된 다층 배선 기판의 제조 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 것이다. In addition, the electronic device manufacturing method of the present invention is characterized by using the manufacturing method of the multilayer wiring board described above.

따라서, 본 발명에서는, 고품질의 다층 배선 기판을 가짐으로써 고품질의 전기 광학 장치 및 전자기기를 제조하는 것이 가능하게 된다. Therefore, in the present invention, by having a high quality multilayer wiring board, it becomes possible to manufacture high quality electro-optical devices and electronic devices.

이하, 본 발명의 콘택트 홀 형성 방법, 도전 포스트 형성 방법, 배선 패턴 형성 방법, 다층 배선 기판의 제조 방법, 및 전기 광학 장치 제조 방법 및 전자기기 제조 방법의 실시형태를, 도 1 내지 도 16을 참조하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the contact hole formation method, the conductive post formation method, the wiring pattern formation method, the manufacturing method of a multilayer wiring board, the electro-optical device manufacturing method, and the electronic device manufacturing method of this invention are referred to FIGS. Will be explained.

또, 이하의 설명에 이용하는 각 도면에서는, 각 부재를 인식 가능한 크기로 하기 위해, 각 부재의 축척을 적절히 변경하고 있다. In addition, in each figure used for the following description, in order to make each member the magnitude | size which can be recognized, the scale of each member is changed suitably.

(액적 토출 장치)(Droplet ejection device)

우선, 본 실시형태에 대하는 패턴 형성 방법에 이용하는 액적 토출 장치에 대하여 설명한다. First, the droplet ejection apparatus used for the pattern formation method which concerns on this embodiment is demonstrated.

도 1은 액적 토출 장치의 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic configuration diagram of a droplet ejection apparatus.

액적 토출 장치(잉크젯 장치) IJ는, 액적 토출 헤드로부터 기판 P에 대하여 액적을 토출(적하)하는 것으로서, 액적 토출 헤드(301)와, X 방향 구동축(304)과, Y 방향 가이드축(305)과, 제어 장치 CONT와, 스테이지(307)와, 클리닝 기구(308)와, 기대(基臺)(309)와, 히터(315)를 구비하고 있다. 스테이지(307)는, 이 액적 토출 장치 IJ에 의해 잉크(액체 재료)가 마련되는 기판 P을 지지하는 것으로서, 기판 P을 기준 위치에 고정하는 도시하지 않은 고정 기구를 구비하고 있다. The droplet ejection apparatus (inkjet apparatus) IJ ejects (drops) droplets from the droplet ejection head to the substrate P, and the droplet ejection head 301, the X-direction driving shaft 304, and the Y-direction guide shaft 305 are used. And a control device CONT, a stage 307, a cleaning mechanism 308, a base 309, and a heater 315. The stage 307 supports the board | substrate P with which ink (liquid material) is provided by this droplet ejection apparatus IJ, and is provided with the fixing mechanism which is not shown in figure which fixes the board | substrate P to a reference position.

액적 토출 헤드(301)는, 복수의 토출 노즐을 구비한 멀티노즐 타입의 액적 토출 헤드이며, 길이 방향과 X축 방향을 일치시키고 있다. 복수의 토출 노즐은, 액적 토출 헤드(301)의 하면에 X축 방향으로 나열되어 일정 간격으로 마련되어 있다. 액적 토출 헤드(301)의 토출 노즐로부터는, 스테이지(307)에 지지되어 있는 기판 P에 대하여, 상술한 도전성 미립자를 포함하는 잉크가 토출된다. The droplet discharge head 301 is a multi-nozzle type droplet discharge head provided with a plurality of discharge nozzles, and coincides with the longitudinal direction and the X-axis direction. The plurality of discharge nozzles are arranged in the X axis direction on the lower surface of the droplet discharge head 301 and are provided at regular intervals. The ink containing the above-mentioned conductive fine particles is discharged from the discharge nozzle of the droplet discharge head 301 to the substrate P supported by the stage 307.

X 방향 구동축(304)에는, X 방향 구동 모터(302)가 접속되어 있다. X 방향 구동 모터(302)는 스텝핑 모터 등이며, 제어 장치 CONT로부터 X 방향의 구동 신호가 공급되면, X 방향 구동축(304)을 회전시킨다. X 방향 구동축(304)이 회전하면, 액적 토출 헤드(301)는 X축 방향으로 이동한다. The X direction drive motor 302 is connected to the X direction drive shaft 304. The X direction drive motor 302 is a stepping motor or the like, and when the drive signal in the X direction is supplied from the control device CONT, the X direction drive shaft 304 is rotated. When the X direction drive shaft 304 rotates, the droplet discharge head 301 moves in the X axis direction.

Y 방향 가이드축(305)은, 기대(309)에 대하여 움직이지 않도록 고정되어 있다. 스테이지(307)는 Y 방향 구동 모터(303)를 구비하고 있다. Y 방향 구동 모터(303)는 스텝핑 모터 등이며, 제어 장치 CONT로부터 Y 방향의 구동 신호가 공급 되면, 스테이지(307)를 Y 방향으로 이동한다. The Y-direction guide shaft 305 is fixed so as not to move with respect to the base 309. The stage 307 is provided with the Y direction drive motor 303. The Y direction drive motor 303 is a stepping motor or the like. When the drive signal in the Y direction is supplied from the control device CONT, the stage 307 is moved in the Y direction.

제어 장치 CONT는 액적 토출 헤드(301)에 액적의 토출 제어용의 전압을 공급한다. 또한, X 방향 구동 모터(302)에 액적 토출 헤드(301)의 X 방향의 이동을 제어하는 구동 펄스 신호를, Y 방향 구동 모터(303)에 스테이지(307)의 Y 방향의 이동을 제어하는 구동 펄스 신호를 공급한다. The controller CONT supplies the droplet ejection head 301 with a voltage for controlling the ejection of the droplet. In addition, the drive pulse signal for controlling the movement of the droplet discharge head 301 in the X direction to the X direction drive motor 302 is driven to control the movement of the stage 307 in the Y direction to the Y direction drive motor 303. Supply a pulse signal.

클리닝 기구(308)는 액적 토출 헤드(301)를 클리닝하는 것이다. 클리닝 기구(308)에는, 도시하지 않는 Y 방향의 구동 모터가 구비되어 있다. 이 Y 방향의 구동 모터의 구동에 의해, 클리닝 기구는 Y 방향 가이드축(305)에 따라 이동한다. 클리닝 기구(308)의 이동도 제어 장치 CONT에 의해 제어된다. The cleaning mechanism 308 cleans the droplet discharge head 301. The cleaning mechanism 308 is equipped with the drive motor of the Y direction which is not shown in figure. By the drive of the drive motor in the Y direction, the cleaning mechanism moves along the Y direction guide shaft 305. The movement of the cleaning mechanism 308 is also controlled by the control device CONT.

히터(315)는, 여기서는 램프 어닐링에 의해 기판 P을 열 처리하는 수단이며, 기판 P 상에 도포된 액체 재료에 포함되는 용매의 증발 및 건조를 행한다. 이 히터(315)의 전원의 투입 및 차단도 제어 장치 CONT에 의해 제어된다. The heater 315 is a means for heat-processing the board | substrate P by lamp annealing here, and evaporates and dries the solvent contained in the liquid material apply | coated on the board | substrate P. Powering on and off of this heater 315 is also controlled by the control apparatus CONT.

액적 토출 장치 IJ는 액적 토출 헤드(301)와 기판 P을 지지하는 스테이지(307)를 상대적으로 주사하면서 기판 P에 대하여 액적을 토출한다. 여기서, 이하의 설명에 있어서, X 방향을 비주사 방향, X 방향과 직교하는 Y 방향을 주사 방향으로 한다. The droplet ejection apparatus IJ ejects droplets to the substrate P while relatively scanning the droplet ejection head 301 and the stage 307 supporting the substrate P. FIG. Here, in the following description, the X direction is the non-scanning direction and the Y direction orthogonal to the X direction is the scanning direction.

따라서, 액적 토출 헤드(301)의 토출 노즐은, 비주사 방향인 X 방향으로 일정 간격으로 나열되어 마련되어 있다. 또, 도 1에서는, 액적 토출 헤드(301)는, 기판 P의 진행 방향에 대하여 직각으로 배치되어 있지만, 액적 토출 헤드(301)의 각도를 조정하여, 기판 P의 진행 방향에 대하여 교차시키도록 하더라도 좋다. 이 와 같이 하면, 액적 토출 헤드(301)의 각도를 조정하는 것으로, 노즐간의 피치를 조절할 수 있다. 또한, 기판 P와 노즐면과의 거리를 임의로 조절할 수 있도록 하더라도 좋다. Therefore, the ejection nozzles of the droplet ejection head 301 are arranged at regular intervals in the X direction, which is the non-scanning direction. In addition, although the droplet discharge head 301 is arrange | positioned at right angle with respect to the advancing direction of the board | substrate P, even if it adjusts the angle of the droplet discharge head 301 so that it may cross with respect to the advancing direction of the board | substrate P, in FIG. good. In this case, the pitch between the nozzles can be adjusted by adjusting the angle of the droplet ejection head 301. Further, the distance between the substrate P and the nozzle surface may be arbitrarily adjusted.

도 2는 액적 토출 헤드(301)의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of the droplet ejection head 301.

액적 토출 헤드(301)에는, 액체 재료(배선용 잉크 등)를 수용하는 액체실(321)에 인접하여 피에조 소자(322)가 설치되어 있다. 액체실(321)에는, 액체 재료를 수용하는 재료 탱크를 포함하는 액체 재료 공급계(323)를 거쳐 액체 재료가 공급된다. The piezoelectric element 322 is provided in the droplet discharge head 301 adjacent to the liquid chamber 321 which accommodates a liquid material (ink for wiring, etc.). The liquid material is supplied to the liquid chamber 321 via a liquid material supply system 323 including a material tank containing the liquid material.

피에조 소자(322)는 구동 회로(324)에 접속되어 있고, 이 구동 회로(324)를 거쳐 피에조 소자(322)에 전압을 인가하여, 피에조 소자(322)를 변형시키는 것에 의해, 액체실(321)이 변형하고, 노즐(325)로부터 액체 재료가 토출된다. The piezoelectric element 322 is connected to the drive circuit 324, and applies a voltage to the piezoelectric element 322 via the drive circuit 324 to deform the piezoelectric element 322, thereby deforming the liquid chamber 321. ) Is deformed, and the liquid material is discharged from the nozzle 325.

이 경우, 인가 전압의 값을 변화시킴으로써, 피에조 소자(322)의 왜곡량이 제어된다. 또한, 인가 전압의 주파수를 변화시킴으로써, 피에조 소자(322)의 왜곡 속도가 제어된다. 피에조 방식에 의한 액적 토출은 재료에 열을 가하지 않기 때문에, 재료의 조성에 영향을 미치기 어렵다는 이점을 갖는다. In this case, the amount of distortion of the piezo element 322 is controlled by changing the value of the applied voltage. In addition, the distortion speed of the piezoelectric element 322 is controlled by changing the frequency of the applied voltage. Droplet ejection by the piezo method does not apply heat to the material, and thus has the advantage that it is difficult to affect the composition of the material.

또, 액적 토출법의 토출 기술로서는, 상기의 전기 기계 변환식의 외에, 대전 제어 방식, 가압 진동 방식, 전기 열 변환 방식, 정전 흡인 방식 등을 들 수 있다. 대전 제어 방식은, 재료에 대전 전극에 의해 전하를 부여하여, 편향 전극에 의해 재료의 비상 방향을 제어하여 노즐로부터 토출시키는 것이다. 또한, 가압 진동 방 식은, 재료에 예컨대 30kg/cm² 정도의 초고압을 인가하여 노즐 선단측에 재료를 토출시키는 것이며, 제어 전압을 걸지 않는 경우에는 재료가 직진하여 노즐로부터 토출되고, 제어 전압을 걸면 재료 사이에 정전적인 반발이 일어나, 재료가 비산하여 노즐로부터 토출되지 않는다. As the ejection technique of the droplet ejection method, in addition to the above-mentioned electromechanical conversion type, a charge control method, a pressurized vibration method, an electrothermal conversion method, an electrostatic suction method, and the like can be given. In the charge control system, charge is applied to the material by the charging electrode, the deflection electrode controls the emergency direction of the material, and is discharged from the nozzle. In addition, the pressurized vibration method applies a very high pressure of about 30 kg / cm ² to the material to discharge the material at the tip of the nozzle. When the control voltage is not applied, the material is discharged straight out of the nozzle and the control voltage is applied. Electrostatic repulsion occurs between the materials, so that the materials do not scatter and are not ejected from the nozzle.

또한, 전기 열 변환 방식은, 재료를 저류한 공간내에 마련한 히터에 의해, 재료를 급격히 기화시켜 기포(거품)를 발생시키고, 기포의 압력에 의해 공간내의 재료를 토출시키는 것이다. 정전 흡인 방식은 재료를 저류한 공간내에 미소 압력을 가하여, 노즐에 재료의 메니스커스를 형성하고, 이 상태에서 정전 인력을 가하고 나서 재료를 인출하는 것이다. 또한, 이밖에, 전장(電場)에 의한 유체의 점성 변화를 이용하는 방식이나, 방전 불꽃으로 날리는 방식 등의 기술도 적용 가능하다. 액적 토출법은, 재료의 사용에 낭비가 적고, 또한 소망의 위치에 소망의 양의 재료를 적확하게 배치할 수 있다고 하는 이점을 갖는다. 또, 액적 토출법에 의해 토출되는 액상 재료(유동체)의 한 방울의 양은, 예컨대 1∼300나노그램이다. In addition, the electric heat conversion system is to vaporize the material rapidly to generate bubbles (bubbles) by a heater provided in the space in which the material is stored, and to discharge the material in the space by the pressure of the bubble. The electrostatic suction method is to apply a micro pressure in the space in which the material is stored, to form a meniscus of the material in the nozzle, and to take out the material after applying an electrostatic attraction in this state. In addition, techniques such as a method using a change in viscosity of a fluid due to an electric field and a method of blowing with a discharge spark can also be applied. The droplet ejection method has the advantage that the use of the material is less wasteful, and that the desired amount of material can be precisely arranged at the desired position. In addition, the amount of one drop of the liquid material (fluid body) discharged by the droplet discharge method is 1-300 nanograms, for example.

계속해서, 상기의 액적 토출 장치 IJ를 이용하여 콘택트 홀 및 도전 포스트를 형성하는 방법에 대하여, 도 3 내지 도 9를 참조하여 설명한다. Subsequently, a method of forming a contact hole and a conductive post by using the above-described droplet ejection apparatus IJ will be described with reference to FIGS. 3 to 9.

여기서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 배선이 복수층에 걸쳐 형성되는 다층 배선 기판을 제조하는 경우에 대하여 설명한다. Here, as shown in FIG. 3, the case where the multilayer wiring board in which wiring is formed over multiple layers is manufactured is demonstrated.

도 3에 나타내는 다층 배선 기판 CB는, 적어도 표면 Pa가 친액부로서 친액성을 갖는 기판 P 상에 배선 패턴(배선, 제 1 배선) W1이 형성되고, 이 배선 패턴 W1 을 덮는 아크릴 등에 의해 형성된 절연층 Z1 상에 배선 패턴(배선, 제 2 배선) W2가 형성된 구성으로 되어 있다. 배선 패턴 W1, W2는 절연층 Z1을 관통하는 콘택트 홀 CH에 마련된 도전 포스트 DP에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또, 배선 패턴 W2는 절연층 Z2로 덮이고, 또한 다층으로 적층된 배선 패턴과 도통 포스트로 접속되지만, 여기서는 절연층 Z2 이후의 층에 대해서는 설명을 생략한다. In the multilayer wiring board CB shown in FIG. 3, the wiring pattern (wiring, 1st wiring) W1 is formed on the board | substrate P which has at least surface Pa as a lyophilic part and is lyophilic, The insulation formed by acrylic etc. which cover this wiring pattern W1 The wiring pattern (wiring, second wiring) W2 is formed on the layer Z1. The wiring patterns W1 and W2 are electrically connected by a conductive post DP provided in the contact hole CH passing through the insulating layer Z1. In addition, although the wiring pattern W2 is covered by the insulating layer Z2 and connected with the wiring pattern laminated | stacked in multiple layers, and the conduction post, the description after the insulating layer Z2 is abbreviate | omitted here.

기판 P로서는, 유리, 석영유리, Si 웨이퍼, 플라스틱 필름, 금속판, 폴리이미드 등 각종 재료를 이용할 수 있다. 또한, 이들 각종 소재 기판의 표면에 반도체막, 금속막, 유전체막, 유기막 등이 하지층으로서 형성된 것도 포함한다. As the substrate P, various materials such as glass, quartz glass, Si wafer, plastic film, metal plate and polyimide can be used. Moreover, the thing in which a semiconductor film, a metal film, a dielectric film, an organic film, etc. were formed as a base layer on the surface of these various raw material substrates is also included.

우선, 기판 P 상에 배선 패턴 W1을 형성하는 방법에 대하여 설명한다. First, the method of forming the wiring pattern W1 on the board | substrate P is demonstrated.

여기서는, 도 4(a), (b)에 도시하는 바와 같이, 줄무늬로 복수(여기서는 3개소)의 발액부 H가 서로 극간을 두고 마련되고, 이들 발액부 H의 사이에 도전성의 배선 패턴 W1을 형성하는 경우에 대하여 설명한다. 또, 여기서 기재하는 발액부란, 도전성 재료를 포함하는 액적(이하, 패턴용 액적이라 함)에 대한 접촉각이 소정값 이상으로 되는 영역을 나타내고, 친액부란 도전성 재료를 포함하는 액적에 대한 접촉각이 소정값 이하로 되는 영역을 나타내고 있다. In this case, as shown in Figs. 4A and 4B, a plurality of liquid repellent portions H (here, three places) are provided in stripes to form a gap between the liquid repellent portions H1. The case where it forms is demonstrated. In addition, the liquid-repellent part described here shows the area | region in which the contact angle with respect to the droplet containing a conductive material (henceforth a pattern droplet) becomes more than a predetermined value, and a lyophilic part shows a contact angle with respect to the droplet containing a conductive material The following area is shown.

또한, 이 배선 패턴 W1은, 상술한 배선 패턴용의 잉크 액적을 기판 P 상에 도포함으로써 형성되는 것이며, 표면 처리 공정, 발액부 형성 공정, 재료 배치 공정 및 열 처리/광 처리 공정으로 개략 구성된다. In addition, this wiring pattern W1 is formed by apply | coating the ink droplet for wiring patterns mentioned above on the board | substrate P, and is comprised roughly in a surface treatment process, a liquid repellent part formation process, a material arrangement process, and a heat treatment / light treatment process. .

이하, 각 공정마다 상세히 설명한다. Hereinafter, each process is explained in full detail.

(표면 처리 공정)(Surface Treatment Process)

표면 처리 공정에서는, 기판 P의 표면 Pa에 대하여 세정 처리를 하는 것에 의해, 친액성을 높이는 처리를 실시한다. In a surface treatment process, the process which raises a lyophilic property is performed by washing with respect to the surface Pa of the board | substrate P.

예컨대, 기판 P가 유리 기판인 경우, 그 표면은 배선 패턴 형성 재료(잉크)에 대하여 친액성을 갖고 있지만, 이 표면 처리에 의해 또한 친액성을 높인다. For example, when the board | substrate P is a glass substrate, the surface has lyophilic with respect to a wiring pattern formation material (ink), but also improves lyophilic by this surface treatment.

구체적으로는, 표면 처리 공정에서는, 세정 처리로서, UV 엑시머 세정, 저압수은등 세정, O₂ 플라즈마 세정, HF나 황산 등을 이용한 산 세정, 알칼리 세정, 초음파 세정, 메가소닉 세정, 코로나 처리, 글로우 세정, 스크럽 세정, 오존 세정, 수소수 세정, 마이크로 기포 세정, 불소계 세정 등을 실시한다. Specifically, in the surface treatment step, as the cleaning treatment, UV excimer cleaning, low pressure mercury lamp cleaning, O ₂ plasma cleaning, acid cleaning using HF or sulfuric acid, alkali cleaning, ultrasonic cleaning, megasonic cleaning, corona treatment, glow cleaning , Scrub washing, ozone washing, hydrogen water washing, micro bubble washing, fluorine washing and the like are performed.

여기서, 표면(친액부) Pa의 패턴용 액적에 대한 접촉각이 25도를 넘으면 벌지(bulge)(액적 굄)가 발생하기 쉽게 되고, 또한 20도 이하이면 벌지는 발생하지 않는다. 그래서, 본 실시형태에서는, 세정 처리 조건을 조정함으로써, 기판 표면 Pa의 패턴용 액적에 대한 접촉각을 20도 이하로 한다. Here, when the contact angle with respect to the pattern droplet of the surface (liquid part) Pa exceeds 25 degrees, a bulge (droplets 쉽게) will easily occur, and if it is 20 degrees or less, bulge will not occur. Therefore, in this embodiment, the contact angle with respect to the pattern droplet on the substrate surface Pa is made into 20 degrees or less by adjusting washing process conditions.

구체적으로는, 세정 처리가, 예컨대 UV 엑시머 세정인 경우에는 UV광(자외광)의 조사 시간, 강도, 파장, 열 처리(가열)의 조합 등에 의해 조정할 수 있고, 또한, 세정 처리가 예컨대 O₂ 플라즈마 세정인 경우에는, 플라즈마 처리 시간을 조정함으로써, 친액성(접촉각)을 조정할 수 있다. 이 세정 처리에 의해, 표면 Pa에 유기물 등의 이물이 부착하고 있었던 경우에도, 표면 Pa로부터 제거하는 것이 가능하게 되어, 청정도 및 친액성을 유지할 수 있다. Specifically, when the cleaning treatment is, for example, UV excimer cleaning, it can be adjusted by the combination of irradiation time, intensity, wavelength, heat treatment (heating), etc. of UV light (ultraviolet light), and the cleaning treatment is, for example, O _2. In the case of plasma cleaning, the lyophilic (contact angle) can be adjusted by adjusting the plasma treatment time. By this washing process, even when foreign substances, such as an organic substance, adhere to the surface Pa, it becomes possible to remove from surface Pa and can maintain cleanliness and lyophilic.

(발액부 형성 공정)(Liquid repellent part forming process)

계속해서, 세정 처리(친액화 처리)가 행하여진 기판 P의 표면(배선 형성면) Pa의 소정 영역(패턴 W1이 형성하는 영역의 주위; 비배선 영역)에 발액부(배선용 발액부) H를 형성한다. Subsequently, a liquid repellent part (wiring liquid repellent part) H is placed on a predetermined region (a circumference of an area formed by the pattern W1; a non-wiring area) of the surface (wiring forming surface) Pa of the substrate P subjected to the cleaning process (liquid liquefaction treatment). Form.

구체적으로는, 상술한 액적 토출 장치 IJ를 이용하여 액적 토출 헤드(301)로부터 패턴용 액적에 대하여 발액성을 갖는 재료(제 2 발액 재료)를 포함하는 액상체의 액적(이하, 발액성 액적이라 함)을 토출하여, 기판 P 상의 소정 영역에 도포한다. Specifically, liquid droplets (hereinafter referred to as liquid repellent droplets) containing a material (second liquid repellent material) having liquid repellency with respect to the pattern droplets from the droplet discharge head 301 using the liquid droplet discharging device IJ described above. Is applied to a predetermined area on the substrate P.

발액성을 갖는 재료로서는, 실란 화합물, 플루오로 알킬기를 갖는 화합물, 불소 수지(불소를 포함하는 수지), 및 이들 혼합물을 이용할 수 있다. As the material having liquid repellency, a silane compound, a compound having a fluoroalkyl group, a fluororesin (resin containing fluorine), and a mixture thereof can be used.

실란 화합물로서는, (A) 일반식 (1) As a silane compound, (A) General formula (1)

R¹SiX¹ _mX² _(3-m) … (1)R ¹ SiX ¹ _m X ² _(3-m) . (One)

(식 중, R¹은 유기기를 나타내고, X¹ 및 X²는 -OR² , -R², -Cl을 나타내고, R²는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, m은 1부터 3의 정수이다.)로 표시되는 1종 또는 2종 이상의 실란 화합물(성분 A)을 이용할 수 있다. (In formula, R <^1> represents an organic group, X <^1> and X <^2> represent -OR <^2> , -R <^2> , -Cl, R <^2> represents a C1-C4 alkyl group and m is an integer of 1-3. The 1 type, or 2 or more types of silane compound (component A) represented by.) Can be used.

일반식 (1)로 표시되는 실란 화합물은, 실란 원자에 유기기가 치환되고, 나머지의 결합수에 알콕시기 또는 알킬기 또는 염소기가 치환된 것이다. 유기기 R¹의 예로서는, 예컨대, 페닐기, 벤질기, 페네틸기, 히드록시페닐기, 클로로페닐기, 아 미노페닐기, 나프틸기, 안트렌일기, 피레닐기, 티에닐기, 피로릴기, 시클로헥실기, 시클로헥세닐기, 시클로펜틸기, 시클로펜테닐기, 피리디닐기, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 옥타데실기, n-옥틸기, 클로로메틸기, 메톡시에틸기, 히드록시에틸기, 아미노에틸기, 시아노기, 머캅토프로필기, 비닐기, 알릴기, 아크릴록시에틸기, 메타크릴록시에틸기, 글리시독시프로필기, 아세톡시기 등을 예시할 수 있다. In the silane compound represented by the general formula (1), an organic group is substituted for the silane atom, and an alkoxy group, an alkyl group or a chlorine group is substituted for the remaining number of bonds. Examples of the organic group R ¹ are, for example, a phenyl group, benzyl group, phenethyl group, hydroxyphenyl group, chlorophenyl group, aminophenyl group, naphthyl group, anthrenyl group, pyrenyl group, thienyl group, pyridyl group, cyclohexyl group, cyclohex Senyl group, cyclopentyl group, cyclopentenyl group, pyridinyl group, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, octadecyl group , n-octyl group, chloromethyl group, methoxyethyl group, hydroxyethyl group, aminoethyl group, cyano group, mercaptopropyl group, vinyl group, allyl group, acryloxyethyl group, methacryloxyethyl group, glycidoxypropyl group, ace A oxy group etc. can be illustrated.

X¹의 알콕시기나 염소기, Si-O-Si 결합 등을 형성하기 위한 관능기이며, 물에 의해 가수분해되어 알콜이나 산으로서 탈리한다. 알콕시기로서는 예컨대, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기 등을 들 수 있다. It is a functional group for forming an alkoxy group, a chlorine group, a Si-O-Si bond, etc. of X <^1> , and is hydrolyzed by water and it detach | desorbs as alcohol or an acid. As an alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, etc. are mentioned, for example.

R²의 탄소수는 탈리하는 알콜의 분자량이 비교적 작고, 제거가 용이하여 형성되는 막의 치밀성의 저하를 억제할 수 있다고 하는 관점에서, 1∼4의 범위인 것이 바람직하다. It is preferable that carbon number of R <^2> is the range of 1-4 from a viewpoint that the molecular weight of the alcohol to detach | release is comparatively small, and removal is easy and the dense property of the film | membrane formed can be suppressed.

일반식 (1)로 표시되는 실란 화합물로서는, 디메틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 1-프로페닐메틸디클로로실란, 프로필디메틸클로로실란, 프로필메틸디클로로실란, 프로필트리클로로실란, 프로필트리에톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 스티릴에틸트리메톡시실란, 테트라데실트리클로로실란, 3-티오시아네이트프로필트리에톡시실란, p-톨릴디메틸클로로실란, p-톨릴메틸디클로로실란, p-톨릴트리클로로실란, p-톨릴트리메톡시실란, p-톨릴트리에톡시실란, 디-n-프로필디-n-프로폭시 실란, 디이소프로필디이소프로폭시실란, 디-n-부틸디-n-부틸록시실란, 디-sec-부틸디-sec-부틸록시실란, 디-t-부틸디-t-부틸록시실란, 옥타데실트리클로로실란, 옥타데실메틸디에톡시실란, 옥타데실트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란(ODS), 옥타데실디메틸클로로실란, 옥타데실메틸디클로로실란, 옥타데실메톡시디클로로실란, 7-옥테닐디메틸클로로실란, 7-옥테닐트리클로로실란, 7-옥테닐트리메톡시실란, 옥틸메틸디클로로실란, 옥틸디메틸클로로실란, 옥틸트리클로로실란, 10-언데세닐디메틸클로로실란, 언데실트리클로로실란, 비닐디메틸클로로실란, 메틸옥타데실디메톡시실란, 메틸도데실디에톡시실란, 메틸옥타데실디메톡시실란, 메틸옥타데실디에톡시실란, n-옥틸메틸디메톡시실란, n-옥틸메틸디에톡시실란, 트리아콘틸디메틸클로로실란, 트리아콘틸트리클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리-n-프로폭시실란, 메틸이소프로폭시실란, 메틸-n-부틸록시실란, 메틸트리-sec-부틸록시실란, 메틸트리-t-부틸록시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리-n-프로폭시실란, 에틸이소프로폭시실란, 에틸-n-부틸록시실란, 에틸트리-sec-부틸록시실란, 에틸트리-t-부틸록시실란, n-프로필트리메톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, n-도데실트리메톡시실란, n-옥타데실트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, 이소부틸트리에톡시실란, n-헥실트리에톡시실란, 헥사데실트리에톡시실란, n-옥틸트리에톡시실란, n-도데실트리메톡시실란, n-옥타데실트리에톡시실란, 2-〔2-(트리클로로실릴)에틸〕피리딘, 4-〔2-(트리클로로실릴)에틸〕피리딘, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 1, 3-(트리클로로실릴메틸)헵타코산, 디벤질 디메톡시실란, 디벤질디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐메틸디메톡시실란, 페닐디메틸메톡시실란, 페닐디메톡시실란, 페닐디에톡시실란, 페닐메틸디에톡시실란, 페닐디메틸에톡시실란, 벤질트리에톡시실란, 벤질트리메톡시실란, 벤질메틸디메톡시실란, 벤질디메틸메톡시실란, 벤질디메톡시실란, 벤질디에톡시실란, 벤질메틸디에톡시실란, 벤질디메틸에톡시실란, 벤질트리에톡시실란, 디벤질디메톡시실란, 디벤질디에톡시실란, 3-아세톡시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 4-아미노부틸트리에톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 6-(아미노헥실아미노프로필)트리메톡시실란, p-아미노페닐트리메톡시실란, p-아미노페닐에톡시실란, m-아미노페닐트리메톡시실란, m-아미노페닐에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, ω-아미노언데실트리메톡시실란, 아밀트리에톡시실란, 벤조옥사실레핀디메틸에스테르, 5-(비시클로헵테닐)트리에톡시실란, 비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 8-브로모옥틸트리메톡시실란, 브로모페닐트리메톡시실란, 3-브로모프로필트리메톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, 2-클로로메틸트리에톡시실란, 클로로메틸메틸디에톡시실란, 클로로메틸메틸디이소프로폭실란, p-(클로로메틸)페닐트리메톡시실란, 클로로메틸트리에톡시실란, 클로로페닐트리에톡시실란, 3-클로로프로필메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필트리에톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 2-(4-클로로설포닐페닐)에틸트리메톡시실란, 2-시아노에틸트리에톡시실란, 2-시아노에틸트리메톡시실란, 시아노메틸페 네틸트리에톡시실란, 3-시아노프로필트리에톡시실란, 2-(3-시클로헥세닐)에틸트리메톡시실란, 2-(3-시클로헥세닐)에틸트리에톡시실란, 3-시클로헥세닐트리클로로실란, 2-(3-시클로헥세닐)에틸트리클로로실란, 2-(3-시클로헥세닐)에틸디메틸클로로실란, 2-(3-시클로헥세닐)에틸메틸디클로로실란, 시클로헥실디메틸클로로실란, 시클로헥실에틸디메톡시실란, 시클로헥실메틸디클로로실란, 시클로헥실메틸디메톡시실란, (시클로헥실메틸)트리클로로실란, 시클로헥실트리클로로실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로옥틸트리클로로실란, (4-시클로옥테닐)트리클로로실란, 시클로펜틸트리클로로실란, 시클로펜틸트리메톡시실란, 1, 1-디에톡시-1-실라시클로펜타-3-엔, 3-(2,4-디니트로페닐아미노)프로필트리에톡시실란, (디메틸클로로실릴)메틸-7,7-디메틸노르피난, (시클로헥실아미노메틸)메틸디에톡시실란, (3-시클로펜타디에닐프로필)트리에톡시실란, N,N-디에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, (푸르푸릴옥시메틸)트리에톡시실란, 2-히드록시-4-(3-트리에톡시프로폭시)디페닐케톤, 3-(p-메톡시페닐)프로필메틸디클로로실란, 3-(p-메톡시페닐)프로필트리클로로실란, p-(메틸페네틸)메틸디클로로실란, p-(메틸페네틸)트리클로로실란, p-(메틸페네틸)디메틸클로로실란, 3-몰포리노프로필트리메톡시실란, (3-글리시독시프로필)메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 1, 2, 3, 4, 7, 7, -헥사클로로-6-메틸디에톡시실릴-2-노보넨, 1, 2, 3, 4, 7, 7, -헥사클로로-6-트리에톡시실릴-2-노보넨, 3-요오드프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, (머캅토메틸)메틸디에톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3- 머캅토프로필디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 메틸{2-(3-트리메톡시실릴프로필아미노)에틸아미노}-3-프로피오네이트, 7-옥테닐트리메톡시실란, R-N-α-페네틸-N’-트리에톡시실릴프로필우레아, S-N-α-페네틸-N’-트리에톡시실릴프로필우레아, 페네틸트리메톡시실란, 페네틸메틸디메톡시실란, 페네틸디메틸메톡시실란, 페네틸디메톡시실란, 페네틸디에톡시실란, 페네틸메틸디에톡시실란, 페네틸디메틸에톡시실란, 페네틸트리에톡시실란, (3-페닐프로필)디메틸클로로실란, (3-페닐프로필)메틸디클로로실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-(트리에톡시실릴프로필)댄실아미드, N-(3-트리에톡시실릴프로필)-4, 5-디히드로이미다졸, 2-(트리에톡시실릴에틸)-5-(클로로아세톡시)비시클로헵탄, (S)-N-트리에톡시실릴프로필-O-멘트카바메이트, 3-(트리에톡시실릴프로필)-p-니트로벤즈아미드, 3-(트리에톡시실릴)프로필석시닉무수물, N-〔5-(트리메톡시실릴)-2-아자-1-옥소-펜틸〕카프로락탐, 2-(트리메톡시실릴에틸)피리딘, N-(트리메톡시실릴에틸)벤질-N, N, N-트리메틸암모늄클로라이드, 페닐비닐디에톡시실란, 3-티오시아네이트프로필트리에톡시실란, (트리데카플로오로-1, 1, 2, 2,-테트라히드로옥틸)트리에톡시실란, N-{3-(트리에톡시실릴)프로필}프탈아미드산, (3, 3, 3-트리플루오로프로필)메틸디메톡시실란, (3, 3, 3-트리플루오로프로필)트리메톡시실란, 1-트리메톡시실릴-2-(클로로메틸)페닐에탄, 2-(트리메톡시실릴)에틸페닐설포닐아지드, β-트리메톡시실릴에틸-2-피리딘, 트리메톡시실릴프로필디에틸렌트리아민, N-(3-트리메톡시실릴프로필)피롤, N-트리메톡시실릴프로필-N, N, N-트리부틸암모늄브로마이드, N-트리메톡시실릴프로필-N, N, N-트리부틸암모늄클로라이드, N-트리메톡시실릴프로필-N, N, N-트리메틸암모늄클로라이드, 비닐메틸디에톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 비닐디메틸메톡시실란, 비닐디메틸에톡시실란, 비닐메틸디클로로실란, 비닐페닐디클로로실란, 비닐페닐디에톡시실란, 비닐페닐디메틸실란, 비닐페닐메틸클로로실란, 비닐트리페녹시실란, 비닐트리스-t-부톡시실란, 아다맨틸에틸트리클로로실란, 알릴페닐트리클로로실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란, 3-아미노페녹시디메틸비닐실란, 페닐트리클로로실란, 페닐디메틸클로로실란, 페닐메틸디클로로실란, 벤질트리클로로실란, 벤질디메틸클로로실란, 벤질메틸디클로로실란, 페네틸디이소프로필클로로실란, 페네틸트리클로로실란, 페네틸디메틸클로로실란, 페네틸메틸디클로로실란, 5-(비시클로헵테닐)트리클로로실란, 5-(비시클로헵테닐)트리에톡시실란, 2-(비시클로로부틸)디메틸클로로실란, 2-(비시클로로부틸)트리클로로실란, 1, 4-비스(트리메톡시실릴에틸)벤젠, 브로모페닐트리클로로실란, 3-페녹시프로필디메틸클로로실란, 3-페녹시프로필트리클로로실란, t-부틸페닐클로로실란, t-부틸페닐메톡시실란, t-부틸페닐디클로로실란, p-(t-부틸)페네틸디메틸클로로실란, p-(t-부틸)페네틸트리클로로실란, 1, 3-(클로로디메틸실릴메틸)헵타코산, ((클로로메틸)페닐에틸)디메틸클로로실란, ((클로로메틸)페닐에틸)메틸디클로로실란, ((클로로메틸)페닐에틸)트리클로로실란, ((클로로메틸)페닐에틸)트리메톡시실란, 클로로페닐트리클로로실란, 2-시아노에틸트리클로로실란, 2-시아노에틸메틸디클로로실란, 3-시아노프로필메틸디에톡시실란, 3-시아노프로필메틸디클로로실란, 3-시아노프로필메틸디클로로실란, 3-시아노프로필디메틸에톡시실란, 3-시 아노프로필메틸디클로로실란, 3-시아노프로필트리클로로실란 등을 들 수 있다. As the silane compound represented by the general formula (1), dimethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, 1-propenylmethyldichlorosilane, propyldimethylchlorosilane, propylmethyldichlorosilane, propyltrichlorosilane and propyltriethoxy Silane, propyltrimethoxysilane, styrylethyltrimethoxysilane, tetradecyltrichlorosilane, 3-thiocyanatepropyltriethoxysilane, p-tolyldimethylchlorosilane, p-tolylmethyldichlorosilane, p-tolyl Trichlorosilane, p-tolyltrimethoxysilane, p-tolyltriethoxysilane, di-n-propyldi-n-propoxy silane, diisopropyldiisopropoxysilane, di-n-butyldi-n -Butyloxysilane, di-sec-butyldi-sec-butyloxysilane, di-t-butyldi-t-butyloxysilane, octadecyltrichlorosilane, octadecylmethyl diethoxysilane, octadecyltriethoxysilane , Octadecyltrimethoxysilane (ODS), octadecyldimethylchloro Column, octadecylmethyldichlorosilane, octadecylmethoxydichlorosilane, 7-octenyldimethylchlorosilane, 7-octenyltrichlorosilane, 7-octenyltrimethoxysilane, octylmethyldichlorosilane, octyldimethylchlorosilane, Octyltrichlorosilane, 10-Undecenyldimethylchlorosilane, Undecyltrichlorosilane, Vinyldimethylchlorosilane, Methyloctadecyldimethoxysilane, Methyldodecyl diethoxysilane, Methyloctadecyldimethoxysilane, Methyloctadecyl diethoxy Silane, n-octylmethyldimethoxysilane, n-octylmethyldiethoxysilane, triacontyldimethylchlorosilane, triacontyltrichlorosilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-pro Foxysilane, methylisopropoxysilane, methyl-n-butyloxysilane, methyltri-sec-butyloxysilane, methyltri-t-butyloxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri- n-propoxy chamber , Ethyl isopropoxysilane, ethyl-n-butyloxysilane, ethyltri-sec-butyloxysilane, ethyltri-t-butyloxysilane, n-propyltrimethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, n- Hexyltrimethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, n-dodecyltrimethoxysilane, n-octadecyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, isobutyltrier Methoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, hexadecyltriethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-dodecyltrimethoxysilane, n-octadecyltriethoxysilane, 2- [2- ( Trichlorosilyl) ethyl] pyridine, 4- [2- (trichlorosilyl) ethyl] pyridine, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, 1, 3- (trichlorosilylmethyl) heptacoic acid, dibenzyl Dimethoxysilane, dibenzyldiethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenylmethyldimethoxysilane, phenyldimethylmethoxysilane, phenyldimethoxysilane, phenyl Diethoxysilane, phenylmethyldiethoxysilane, phenyldimethylethoxysilane, benzyltriethoxysilane, benzyltrimethoxysilane, benzylmethyldimethoxysilane, benzyldimethylmethoxysilane, benzyldimethoxysilane, benzyldiethoxysilane, Benzylmethyldiethoxysilane, benzyldimethylethoxysilane, benzyltriethoxysilane, dibenzyldimethoxysilane, dibenzyldiethoxysilane, 3-acetoxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, Allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane , N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, p-aminophenyltrimethoxysilane, p-aminophenylethoxysilane, m -Aminophenyltrimethoxysilane, m-aminophenylethoxy Column, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, amyltriethoxysilane, benzooxasilpine dimethyl ester, 5- (bicycloheptenyl Triethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 8-bromooctyltrimethoxysilane, bromophenyltrimethoxysilane, 3-bromopropyltrimethoxysilane , n-butyltrimethoxysilane, 2-chloromethyltriethoxysilane, chloromethylmethyldiethoxysilane, chloromethylmethyldiisopropoxysilane, p- (chloromethyl) phenyltrimethoxysilane, chloromethyltrie Methoxysilane, chlorophenyltriethoxysilane, 3-chloropropylmethyldimethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 2- (4-chlorosulfonylphenyl) ethyltrimeth Methoxysilane, 2-cyanoethyltriethoxysilane, 2-cyanoethyltrimethoxysilane Column, cyanomethylphenethyltriethoxysilane, 3-cyanopropyltriethoxysilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethyltriethoxy Silane, 3-cyclohexenyltrichlorosilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethyltrichlorosilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethyldimethylchlorosilane, 2- (3-cyclohexenyl) ethylmethyl Dichlorosilane, cyclohexyldimethylchlorosilane, cyclohexylethyldimethoxysilane, cyclohexylmethyldichlorosilane, cyclohexylmethyldimethoxysilane, (cyclohexylmethyl) trichlorosilane, cyclohexyltrichlorosilane, cyclohexyltrimethoxysilane , Cyclooctyltrichlorosilane, (4-cyclooctenyl) trichlorosilane, cyclopentyltrichlorosilane, cyclopentyltrimethoxysilane, 1, 1-diethoxy-1-silacyclopenta-3-ene, 3- (2,4-dinitrophenylamino) propyltriethoxysilane, (dimethylchlorosilyl) meth Tyl-7,7-dimethylnorfinan, (cyclohexylaminomethyl) methyldiethoxysilane, (3-cyclopentadienylpropyl) triethoxysilane, N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxy Silane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, (furfuryloxymethyl) triethoxysilane, 2-hydrate Oxy-4- (3-triethoxypropoxy) diphenylketone, 3- (p-methoxyphenyl) propylmethyldichlorosilane, 3- (p-methoxyphenyl) propyltrichlorosilane, p- (methylfe Netyl) methyldichlorosilane, p- (methylphenethyl) trichlorosilane, p- (methylphenethyl) dimethylchlorosilane, 3-morpholinopropyltrimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) methyldiethoxysilane , 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 1, 2, 3, 4, 7, 7, -hexachloro-6-methyldiethoxysilyl-2-norbornene, 1, 2, 3, 4, 7, 7, -hexachloro-6-triethoxysilyl-2-norbornene, 3-iodinepropyl Trimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, (mercaptomethyl) methyldiethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrie Methoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, methyl {2- (3-trimethoxysilylpropylamino) ethylamino} -3-propionate, 7 -Octenyltrimethoxysilane, RN-α-phenethyl-N'-triethoxysilylpropylurea, SN-α-phenethyl-N'-triethoxysilylpropylurea, phenethyltrimethoxysilane, phenethyl Methyldimethoxysilane, phenethyldimethylmethoxysilane, phenethyldimethoxysilane, phenethyldiethoxysilane, phenethylmethyldiethoxysilane, phenethyldimethylethoxysilane, phenethyltriethoxysilane, (3-phenylpropyl) Dimethylchlorosilane, (3-phenylpropyl) methyldichlorosilane, N-phenylaminopropyltrime Sisilane, N- (triethoxysilylpropyl) dansilamide, N- (3-triethoxysilylpropyl) -4, 5-dihydroimidazole, 2- (triethoxysilylethyl) -5- (chloroace Methoxy) bicycloheptane, (S) -N-triethoxysilylpropyl-O-ment carbamate, 3- (triethoxysilylpropyl) -p-nitrobenzamide, 3- (triethoxysilyl) propyl stone Scenic anhydride, N- [5- (trimethoxysilyl) -2-aza-1-oxo-pentyl] caprolactam, 2- (trimethoxysilylethyl) pyridine, N- (trimethoxysilylethyl) benzyl -N, N, N-trimethylammonium chloride, phenylvinyldiethoxysilane, 3-thiocyanatepropyltriethoxysilane, (tridecafluoro-1, 1, 2, 2, -tetrahydrooctyl) triethoxy Silane, N- {3- (triethoxysilyl) propyl} phthalamic acid, (3, 3, 3-trifluoropropyl) methyldimethoxysilane, (3, 3, 3-trifluoropropyl) trimeth Methoxysilane, 1-trimethoxysilyl-2- (chloromethyl) phenylethane, 2- (trimethoxysilyl) ethylphenylsulfonylazide, β-trimethoxysilylethyl-2-pyridine, trimethoxysilylpropyldiethylenetriamine, N- (3-trimethoxysilylpropyl) pyrrole, N -Trimethoxysilylpropyl-N, N, N-tributylammonium bromide, N-trimethoxysilylpropyl-N, N, N-tributylammonium chloride, N-trimethoxysilylpropyl-N, N, N -Trimethylammonium chloride, vinylmethyl diethoxysilane, vinyl triethoxysilane, vinyl trimethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, vinyldimethylmethoxysilane, vinyldimethylethoxysilane, vinylmethyldichlorosilane, vinylphenyldichlorosilane , Vinylphenyl diethoxysilane, vinylphenyldimethylsilane, vinylphenylmethylchlorosilane, vinyltriphenoxysilane, vinyltris-t-butoxysilane, adamantylethyltrichlorosilane, allylphenyltrichlorosilane, (aminoethylamino Methyl) phenethyltrimethoxysilane, 3-amino Phenoxydimethylvinylsilane, phenyltrichlorosilane, phenyldimethylchlorosilane, phenylmethyldichlorosilane, benzyltrichlorosilane, benzyldimethylchlorosilane, benzylmethyldichlorosilane, phenethyldiisopropylchlorosilane, phenethyltrichlorosilane, phenethyl Netyldimethylchlorosilane, phenethylmethyldichlorosilane, 5- (bicycloheptenyl) trichlorosilane, 5- (bicycloheptenyl) triethoxysilane, 2- (bicyclolobutyl) dimethylchlorosilane, 2- ( Bicyclobutyl) trichlorosilane, 1,4-bis (trimethoxysilylethyl) benzene, bromophenyltrichlorosilane, 3-phenoxypropyldimethylchlorosilane, 3-phenoxypropyltrichlorosilane, t-butyl Phenylchlorosilane, t-butylphenylmethoxysilane, t-butylphenyldichlorosilane, p- (t-butyl) phenethyldimethylchlorosilane, p- (t-butyl) phenethyltrichlorosilane, 1, 3- ( To chlorodimethylsilylmethyl) heptacoic acid, ((chloromethyl) phenyl ) Dimethylchlorosilane, ((chloromethyl) phenylethyl) methyldichlorosilane, ((chloromethyl) phenylethyl) trichlorosilane, ((chloromethyl) phenylethyl) trimethoxysilane, chlorophenyltrichlorosilane, 2- Cyanoethyltrichlorosilane, 2-cyanoethylmethyldichlorosilane, 3-cyanopropylmethyldiethoxysilane, 3-cyanopropylmethyldichlorosilane, 3-cyanopropylmethyldichlorosilane, 3-cyanopropyldimethyl Ethoxysilane, 3-cyanopropylmethyldichlorosilane, 3-cyanopropyl trichlorosilane, etc. are mentioned.

불소를 함유하는 실란 화합물(발액성 실란 화합물)로서는, 불소함유알킬실란 화합물을 들 수 있다. 즉, Si와 결합한 퍼플루오로알킬 구조 C_nF_2n ₊₁로 표시되는 구조를 갖는 것이며, 하기 일반식 (2)로 표시되는 화합물을 예시할 수 있다. 식 (2)중, n은 1부터 18의 정수를, m은 2부터 6까지의 정수를 각각 나타내고 있다. X¹ 및 X²는 -OR², -R², -Cl을 나타내고, X¹ 및 X²에 포함되는 R²는, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, a는 1∼3의 정수이다. A fluorine-containing alkyl silane compound is mentioned as a silane compound (liquid silane compound) containing fluorine. That is, the compound which has a structure represented by the perfluoroalkyl structure C _n F _2n ₊₁ couple | bonded with Si, and can be illustrated by the following general formula (2). In formula (2), n represents the integer of 1-18, and m represents the integer of 2-6. X <^1> and X <^2> represent -OR <^2> , -R <^2> , -Cl, R <^2> contained in X <^1> and X <^2> represents a C1-C4 alkyl group, and a is an integer of 1-3.

C_nF_2n ₊₁(CH₂)_mSiX¹ _aX² _(3-a) … (2) C _n F _2n ₊₁ (CH ₂ ) _m SiX ¹ _a X ² _(3-a) . (2)

불소함유알킬실란 화합물을 이용하는 것에 의해, 막의 표면에 플루오로 알킬기가 위치하도록 각 화합물이 배향하여 자기 조직화막이 형성되기 때문에, 막의 표 면에 균일한 발액성을 부여할 수 있다. By using the fluorine-containing alkylsilane compound, since each compound is oriented so that a fluoroalkyl group is located on the surface of the film, a self-organizing film is formed, thereby providing uniform liquid repellency to the surface of the film.

보다 구체적으로는, CF₃-CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃, CF₃(CF₂)₃-CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃, CF₃(CF₂)₅-CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃, CF₃(CF₂)₅-CH₂CH₂-Si(OC₂H₅)₃, CF₃(CF₂)₇-CH₂CH₂-Si(OCH₃)₃, CF₃(CF₂)₁₁-CH₂CH₂-Si(OC₂H₅)₃, CF₃(CF₂)₃-CH₂CH₂-Si(CH₃)(OCH₃)₂, CF₃(CF₂)₇-CH₂CH₂-Si(CH₃)(OCH₃)₂, CF₃(CF₂)₈-CH₂CH₂-Si(CH₃)(OC₂H₅)₂, CF₃(CF₂)₈-CH₂CH₂-Si(C₂H₅)(OC₂H₅)₂ 등을 들 수 있다. More specifically, CF ₃ -CH ₂ CH ₂ -Si (OCH ₃ ) ₃ , CF ₃ (CF ₂ ) ₃ -CH ₂ CH ₂ -Si (OCH ₃ ) ₃ , CF ₃ (CF ₂ ) ₅ -CH ₂ CH ₂ -Si (OCH ₃ ) ₃ , CF ₃ (CF ₂ ) ₅ -CH ₂ CH ₂ -Si (OC ₂ H ₅ ) ₃ , CF ₃ (CF ₂ ) ₇ -CH ₂ CH ₂ -Si (OCH ₃ ) ₃ , CF ₃ (CF ₂ ) ₁₁ -CH ₂ CH ₂ -Si (OC ₂ H ₅ ) ₃ , CF ₃ (CF ₂ ) ₃ -CH ₂ CH ₂ -Si (CH ₃ ) (OCH ₃ ) ₂ , CF ₃ (CF ₂ ) ₇ -CH ₂ CH ₂ -Si (CH ₃ ) (OCH ₃ ) ₂ , CF ₃ (CF ₂ ) ₈ -CH ₂ CH ₂ -Si (CH ₃ ) (OC ₂ H ₅ ) ₂ , CF ₃ (CF ₂ ) ₈ -CH ₂ CH ₂ -Si (C ₂ H ₅ ) (OC ₂ H ₅ ) ₂ , and the like.

또한, 발액부 H의 형성에 불소 수지를 이용하는 경우에는, 소정량의 불소 수지를 소정 용매에 용해시킨 것이 이용된다. 구체적으로는, 스미토모스리엠 주식회사제 「EGC1720」(HFE(하이드로플루오로에테르) 용매에 불소 수지를 0.1wt% 용해시킨 것)을 이용할 수 있다. 이 경우, HFE에 알콜계, 탄화수소계, 케톤계, 에테르계, 에스테르계의 용제를 적절히 혼합함으로써, 액적 토출 헤드(301)로부터 안정하여 토출 가능하게 조정 가능하다. 이밖에, 불소 수지로서는, 아사히글래스주식회사제 「루미플론」(각종 용매에 용해 가능), 다이킨공업주식회사제 「오프툴」(용매; PFC, HFE 등), 다이니폰잉크화학공업주식회사제 「딕가드」(용매;톨루엔, 물·에틸렌글리콜) 등을 이용할 수 있다. In addition, when using a fluororesin for formation of the liquid repellent part H, what melt | dissolved the predetermined amount of fluororesins in the predetermined solvent is used. Specifically, "EGC1720" (made by dissolving 0.1 wt% of fluororesins in a HFE (hydrofluoroether) solvent) manufactured by Sumitomo Industries Co., Ltd. can be used. In this case, by appropriately mixing an alcohol, a hydrocarbon, a ketone, an ether, and an ester solvent with HFE, it can be adjusted stably and dischargeably from the droplet discharge head 301. In addition, as a fluororesin, Asahi Glass Co., Ltd. "Lumi-Flon" (soluble in various solvents), Daikin Industries Co., Ltd. "Off tool" (solvent; PFC, HFE, etc.), "Dinipon Ink Chemical Co., Ltd." Dick Guard "(solvent; toluene, water, ethylene glycol), etc. can be used.

또한, 불소를 포함하는 수지로서는, 측쇄(側鎖)에 F기, -CF₃, -CF₂-, -CF₂CF₃, -(CF₂)nCF₃, -CF₂CFCl-가 포함되는 것을 이용하는 것이 가능하다. Further, as the resin containing fluorine, in the side chain (側鎖) F group, -CF _3, -CF ₂ - that includes the (CF ₂₎ nCF _3, -CF ₂ CFCl- -, CF ₂ -CF _3, It is possible to use.

그리고, 도 5(a), (b)에 도시하는 바와 같이, 상기의 발액성 재료를 포함하 는 발액성 액적 L을 액적 토출 헤드(301)로부터 각 발액부 H에 대하여 연속적으로 토출한다. As shown in Figs. 5A and 5B, the liquid-repellent droplet L containing the liquid-repellent material is continuously discharged from the droplet discharge head 301 to each liquid repellent portion H.

이 때, 각 발액부 H에서는, 기판 P의 표면 Pa에 착탄한 발액성 액적 L이, 인접하는 액적끼리 겹치는 위치에 토출·도포된다. 이에 따라, 각 발액부 H는 액적 토출 헤드(301)와 기판의 1회의 주사로 도포 형성되는 것으로 된다. At this time, in each liquid repellent part H, the liquid repellent droplet L which reached the surface Pa of the board | substrate P is discharged and apply | coated to the position which overlaps adjacent droplets. Thereby, each liquid repellent part H is formed to be apply | coated by one scan of the droplet discharge head 301 and a board | substrate.

여기서, 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 배선 패턴 W1의 폭 WA는, 발액부 H의 배열 피치 HP와 발액부 H의 폭 HA의 차로 설정된다. 이 배열 피치 HP는, 배선 패턴 W1의 사양으로서 결정되기 때문에, 배선 패턴 W1의 폭 WA는 발액부 H의 폭 HA에 의존하게 된다. 이 발액부 H의 폭 HA는, 본 실시형태에서는 액적 토출 헤드(301)로부터 토출하는 발액성 액적 L의 토출량 및 도 5(a)에 나타내는 토출 피치 LP에 의해 관리한다. Here, as shown in Fig. 4A, the width WA of the wiring pattern W1 is set by the difference between the arrangement pitch HP of the liquid repellent portion H and the width HA of the liquid repellent portion H. Since the arrangement pitch HP is determined as the specification of the wiring pattern W1, the width WA of the wiring pattern W1 depends on the width HA of the liquid repellent portion H. In the present embodiment, the width HA of the liquid repellent part H is managed by the discharge amount of the liquid repellent droplet L discharged from the droplet discharge head 301 and the discharge pitch LP shown in Fig. 5A.

구체적으로는, 예컨대 액적 L의 토출량을 2가지(La, Lb로 함, 예컨대 La= 2.5pl, Lb= 4.5pl)로 하고, 각 토출량 La, Lb마다 토출 피치 LP를 10, 20, 30㎛로 각각 토출·도포한 때에, 기판 P 상에 형성되는 발액부 H의 폭 HA를, 토출량 및 토출 피치 LP에 대응시킨 테이블로서 유지해두고, 소망의 폭 HA로 발액부 H를 형성할 때는, 테이블로부터 그 폭 HA에 대응하는 토출량 및 토출 피치 LP를 호출하고, 발액성 액적의 토출 공정에서는, 이 호출한 토출량 및 토출 피치 LP로 액적 L을 토출한다. Specifically, for example, the discharge amount of the droplet L is set to two (La, Lb, for example, La = 2.5pl, Lb = 4.5pl), and the discharge pitch LP is set to 10, 20, 30 µm for each discharge amount La, Lb. At each discharge and application, the width HA of the liquid repellent portion H formed on the substrate P is maintained as a table corresponding to the discharge amount and the discharge pitch LP, and when the liquid repellent portion H is formed at the desired width HA, The discharge amount and the discharge pitch LP corresponding to the width HA are called, and in the discharge step of the liquid-repellent droplets, the droplet L is discharged at the called discharge amount and the discharge pitch LP.

그리고, 기판 P 상에 토출한 발액성 액적 L을 예비 건조함으로써, 도 6(a), (b)에 도시하는 바와 같이, 기판 P 상에 직선형상의 발액부 H가 서로 간격을 두고 수 nm∼수십 nm의 두께로 형성된다. Then, by preliminarily drying the liquid repellent droplet L discharged onto the substrate P, as shown in Figs. 6A and 6B, the linear liquid repellent portions H are spaced apart from each other on the substrate P by several nm to several tens. It is formed to a thickness of nm.

이 발액부 H는, 상술한 발액성 재료를 이용하는 것에 의해, 패턴용 액적에 대한 접촉각을 50도 이상으로 한다. 따라서, 친액부(표면) Pa와 발액부 H와의 콘트라스트(접촉각의 차)는 30도 이상으로 된다. This liquid repelling part H makes the contact angle with respect to the pattern liquid droplet 50 degrees or more by using the liquid repellent material mentioned above. Therefore, the contrast (difference in contact angle) between the lyophilic part (surface) Pa and the liquid repellent part H is 30 degrees or more.

(재료 배치 공정)(Material batch process)

다음에, 기판 P의 표면 Pa의 발액부 H 사이에 패턴용 액적을 토출하여, 배선 패턴 W1을 형성한다. Next, the liquid droplet for a pattern is discharged between the liquid repellent parts H of the surface Pa of the board | substrate P, and wiring pattern W1 is formed.

배선 패턴 형성 재료로서는, 일반적으로, 도전성 미립자를 분산매에 분산시킨 분산액으로 이루어진다. 본 실시형태에서는, 도전성 미립자로서, 예컨대, 금, 은, 구리, 팔라듐, 니켈 및 ITO 중 어느 하나를 함유하는 금속 미립자의 외에, 이들 산화물, 및 도전성 폴리머나 초전도체의 미립자 등이 이용된다. Generally as a wiring pattern formation material, it consists of a dispersion liquid which disperse | distributed electroconductive fine particles to a dispersion medium. In the present embodiment, as the conductive fine particles, in addition to metal fine particles containing any one of gold, silver, copper, palladium, nickel, and ITO, these oxides, fine particles of conductive polymers and superconductors, and the like are used.

이들 도전성 미립자는 분산성을 향상시키기 위해 표면에 유기물 등을 코팅하여 사용할 수도 있다. These conductive fine particles may be used by coating an organic material or the like on the surface in order to improve dispersibility.

도전성 미립자의 입경은 1nm 이상 0.1㎛ 이하인 것이 바람직하다. 0.1㎛보다 크면, 후술하는 액체 토출 헤드의 노즐에 막힘이 발생할 우려가 있다. 또한, 1nm보다 작으면, 도전성 미립자에 대한 코팅제의 부피비가 커져, 얻어지는 막 중의 유기물의 비율이 과다하게 된다. It is preferable that the particle diameter of electroconductive fine particles is 1 nm or more and 0.1 micrometer or less. When larger than 0.1 micrometer, there exists a possibility that blockage may arise in the nozzle of the liquid discharge head mentioned later. Moreover, when smaller than 1 nm, the volume ratio of the coating agent with respect to electroconductive fine particles will become large, and the ratio of the organic substance in the film | membrane obtained will become excessive.

분산매로서는, 상기의 도전성 미립자를 분산할 수 있는 것으로, 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 물 외에, 메탄올, 에탄올, 프 로판올, 부탄올 등의 알콜류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 도데칸, 테트라데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또한 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 1, 2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌카보네이트, γ-부틸올락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭시드, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중, 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또한 액적 토출법(잉크젯법)으로의 적용의 용이함의 점에서, 물, 알콜류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로서는, 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다. As a dispersion medium, the said electroconductive fine particles can be disperse | distributed, It will not specifically limit, if it does not cause aggregation. For example, besides water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, n-heptane, n-octane, decane, dodecane, tetradecane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene Hydrocarbon compounds such as decahydronaphthalene, cyclohexylbenzene, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methylethyl Ether compounds such as ether, 1, 2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, p-dioxane, propylene carbonate, γ-butylollactone, N-methyl-2-pyrrolidone, Polar compounds, such as dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and cyclohexanone, can be illustrated. Among them, water, alcohols, hydrocarbon-based compounds and ether-based compounds are preferred from the viewpoints of dispersibility of the fine particles, stability of the dispersion liquid, and ease of application to the droplet ejection method (ink jet method). And hydrocarbon-based compounds.

상기 도전성 미립자의 분산액의 표면 장력은 0.02N/m 이상 0.07N/m 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 잉크젯법에 의해 액체를 토출할 때, 표면 장력이 0.02N/m 미만이면, 잉크 조성물의 노즐면에 대한 습윤성이 증대하기 때문에 비행굴곡이 발생하기 쉽게 되고, 0.07N/m을 넘으면 노즐 선단에서의 메니스커스의 형상이 안정되지 않기 때문에 토출량이나, 토출 타이밍의 제어가 곤란하게 된다. 표면 장력을 조정하기 위해, 상기 분산액에는, 기판과의 접촉각을 크게 저하시키지 않는 범위에서, 불소계, 실리콘계, 비이온계 등의 표면 장력 조절제를 미량 첨가하면 좋다. 비이온계 표면 장력 조절제는, 액체의 기판으로의 습윤성을 향상시키고, 막의 레벨링성을 개량하여, 막의 미세한 요철의 발생 등의 방지에 도움이 되는 것이다. 상기 표면 장력 조절제는, 필요에 따라, 알콜, 에테르, 에스테르, 케톤 등의 유기 화합물을 포함하더라도 좋다. It is preferable that the surface tension of the dispersion liquid of the said electroconductive fine particles exists in the range of 0.02 N / m or more and 0.07 N / m or less. When the liquid is ejected by the inkjet method, if the surface tension is less than 0.02 N / m, the wettability of the ink composition increases with respect to the nozzle surface, and flight bends are likely to occur, and if it exceeds 0.07 N / m, Since the shape of the meniscus is not stable, it is difficult to control the discharge amount and the discharge timing. In order to adjust surface tension, it is good to add a trace amount of surface tension regulators, such as a fluorine type, a silicone type, and a nonionic type, to the said dispersion liquid in the range which does not significantly reduce the contact angle with a board | substrate. A nonionic surface tension regulator improves the wettability of a liquid to a board | substrate, and improves the leveling property of a film | membrane, and helps to prevent the generation | occurrence | production of fine unevenness | corrugation of a film | membrane. The surface tension modifier may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester, ketone and the like as necessary.

상기 분산액의 점도는 1mPa·s 이상 50mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 잉크젯법을 이용하여 액체 재료를 액적로서 토출할 때, 점도가 1mPa·s보다 작은 경우에는 노즐 주변부가 잉크의 유출에 의해 오염되기 쉽고, 또한 점도가 50mPa·s보다 큰 경우는, 노즐 구멍에서 막히는 빈도가 높아져 원활한 액적의 토출이 곤란해진다. It is preferable that the viscosity of the said dispersion liquid is 1 mPa * s or more and 50 mPa * s or less. When the liquid material is discharged as droplets using the inkjet method, when the viscosity is less than 1 mPa · s, the nozzle periphery is easily contaminated by the outflow of ink, and when the viscosity is larger than 50 mPa · s, it is clogged by the nozzle hole. The frequency increases, making it difficult to discharge the droplets smoothly.

그리고, 도 7(a), (b)에 도시하는 바와 같이, 상기의 배선 패턴 형성 재료를 포함하는 패턴용 액적 WL을 액적 토출 헤드(301)로부터 발액부 H 사이의 극간에 대하여 연속적으로 토출하여 도포한다. 구체적으로는, 발액부 H(친액부 Pa)의 길이 방향(배선 패턴의 형성 방향)을 따라, 액적 토출 헤드(301)와 기판 P을 상대 이동시키면서, 소정의 피치로 패턴용 액적 WL을 복수 토출한다. As shown in Figs. 7A and 7B, the pattern droplet WL containing the wiring pattern forming material is continuously discharged from the droplet discharge head 301 to the gap between the liquid repellent portions H. Apply. Specifically, a plurality of droplets WL for a pattern are ejected at a predetermined pitch while relatively moving the droplet ejection head 301 and the substrate P along the longitudinal direction of the liquid repellent portion H (liquid portion Pa). do.

여기서, 기판 P의 표면 Pa는, 패턴용 액적 WL에 대하여 접촉각이 20도 이하로 되어 있기 때문에, 도포된 패턴용 액적 WL은, 분단되거나 벌지를 생기게 하지 않고 발액부 H 사이를 넓게 적신다. 또한, 발액부 H와 표면 Pa의 패턴용 액적 WL에 대한 접촉각의 차(콘트라스트)가 30도 이상이기 때문에, 패턴용 액적 WL은, 이 습윤성의 차에 근거하여 발액부 H로부터 튀어 발액부 H 사이의 표면 Pa에 도입되어 괸다. 이 콘트라스트로서는, 30도 이상으로 충분하지만, 후술하는 실시예를 고려한 경우, 35도 이상인 것이 보다 바람직하다. Here, since the contact angle of the surface Pa of the board | substrate P is set to 20 degrees or less with respect to the pattern droplet WL, the apply | coated pattern droplet WL wets a wide range between liquid repellent parts H, without segmenting or bulging. In addition, since the difference (contrast) of the contact angle with respect to the pattern droplet WL of the pattern liquid repellent part H and surface Pa is 30 degree or more, the pattern droplet WL bounces from the liquid repellent part H based on this wettability difference, and is between the liquid repellent part H Was introduced into the surface Pa of Although 30 degree or more is enough as this contrast, when considering the Example mentioned later, it is more preferable that it is 35 degree or more.

또, 상기의 발액부 H는, 두께가 수 nm∼수십 nm로 미소량이기 때문에, 도포 된 패턴용 액적 WL의 위치를 규정하는 격벽으로서의 기능을 갖지 않고, 패턴용 액적 WL은 상술한 접촉각(습윤성)의 차에 기인하여 친액부 Pa에 배치되게 된다. In addition, since the said liquid repellent part H has a small amount of thickness from several nm to several tens nm, it does not have a function as a partition which defines the position of the apply | coated droplet WL for a pattern, and the droplet WL for a pattern does not have the contact angle (wetting property mentioned above). Due to the difference of).

(열 처리/광 처리 공정)(Heat treatment / light treatment process)

다음에, 열 처리/광 처리 공정에서는, 기판 상에 배치된 액적에 포함되는 분산매 또는 코팅제를 제거한다. 즉, 기판 상에 배치된 도전막 형성용의 액체 재료는, 미립자 사이의 전기적 접촉을 좋게 하기 위해, 분산매를 완전히 제거해야 한다. 또한, 도전성 미립자의 표면에 분산성을 향상시키기 위해 유기물 등의 코팅제가 코팅되어 있는 경우에는, 이 코팅제도 제거해야 한다. Next, in the heat treatment / light treatment process, the dispersion medium or the coating agent contained in the droplets disposed on the substrate is removed. That is, the liquid material for forming the conductive film disposed on the substrate must completely remove the dispersion medium in order to improve electrical contact between the fine particles. In addition, when coating agents, such as an organic substance, are coated on the surface of electroconductive fine particles, this coating agent must also be removed.

열 처리 및/또는 광 처리는 통상 대기중에서 실행되지만, 필요에 따라, 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스 분위기중에서 행하여도 좋다. 열 처리 및/또는 광 처리의 처리 온도는, 분산매의 비점(증기압), 분위기 가스의 종류나 압력, 미립자의 분산성이나 산화성 등의 열적 거동, 코팅제의 유무나 양, 기재의 내열 온도 등을 고려하여 적절히 결정된다. Although heat treatment and / or light treatment are normally performed in air | atmosphere, you may carry out in inert gas atmosphere, such as nitrogen, argon, and helium, as needed. The treatment temperature of the heat treatment and / or the light treatment takes into consideration the boiling point (vapor pressure) of the dispersion medium, the type and pressure of the atmospheric gas, the thermal behavior such as the dispersibility and oxidization of the fine particles, the presence or absence of the coating agent, the heat resistance temperature of the substrate, and the like. Is determined appropriately.

예컨대, 유기물로 이루어지는 코팅제를 제거하기 위해서는, 대략 300℃로 소성하는 것이 필요하다. 또, 플라스틱 등의 기판을 사용하는 경우에는, 실온 이상100℃ 이하로 실행하는 것이 바람직하다. 여기서는, 250℃, 60분으로 소성했다. For example, in order to remove the coating agent which consists of organic substances, it is necessary to bake at about 300 degreeC. Moreover, when using board | substrates, such as plastic, it is preferable to carry out at room temperature or more and 100 degrees C or less. Here, it baked at 250 degreeC and 60 minutes.

열 처리 및/또는 광 처리는, 예컨대 보온기, 전기로 등의 가열 수단을 이용한 일반적인 가열 처리 외에, 램프 어닐링을 이용하여 행하여도 좋다. 램프 어닐링에 사용하는 광의 광원으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 적외선 램프, 크세논 램프, YAG 레이저, 아르곤 레이저, 탄산 가스 레이저, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl 등의 엑시머 레이저 등을 사용할 수 있다. 이들 광원은 일반적으로는, 출력 10W 이상 5000W 이하의 범위의 것이 이용되지만, 본 실시형태예에서는 100W 이상 1000W 이하의 범위로 충분하다. The heat treatment and / or light treatment may be performed using lamp annealing, in addition to the general heat treatment using, for example, a heating means such as a warmer or an electric furnace. Although it does not specifically limit as a light source of the light used for lamp annealing, Excimer lasers, such as an infrared lamp, a xenon lamp, a YAG laser, argon laser, a carbon dioxide laser, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, etc. can be used. Can be. Generally, these light sources use the range of the output of 10W or more and 5000W or less, but in the example of this embodiment, the range of 100W or more and 1000W or less is enough.

상기 열 처리 및/또는 광 처리에 의해, 미립자 사이의 전기적 접촉이 확보되어, 도전막으로 변환된다. By the heat treatment and / or light treatment, electrical contact between the fine particles is ensured and converted into a conductive film.

이상 설명한 일련의 공정에 의해, 기판 P 상에 도 4(a)에 나타낸 선형상의 배선 패턴 W1이 형성된다. By the series of processes described above, the linear wiring pattern W1 shown in FIG. 4 (a) is formed on the substrate P.

(실시예)(Example)

용매-금속을 글리콜계-ITO, 에테르계-ITO, 글리콜계-Ni, 수계(水系)-Ag, 탄화수소계-Ag로 하고, 발액부 H의 폭 HA= 100㎛, 배선 패턴 W의 폭 WA= 40㎛로 했을 때에, 발액부 H, 친액부 Pa의 접촉각, 콘트라스트, 묘화 결과의 관계를 도 7에 나타낸다. The solvent-metal is made up of glycol-ITO, ether-ITO, glycol-Ni, water-Ag, and hydrocarbon-Ag, the width of the liquid-repellent portion H = 100 μm, the width of the wiring pattern W = WA = When it is 40 micrometers, the relationship of the contact angle, contrast, and drawing result of liquid repellent part H, lyophilic part Pa is shown in FIG.

이 도면에 도시하는 바와 같이, 친액부의 접촉각이 20° 이하이면 벌지가 발생하지 않고, 또한 발액부의 접촉각이 50° 이상이고, 콘트라스트가 30° 이상(바람직하게는 35° 이상)이면, 양호하게 균일한 배선 패턴이 성막되었다. As shown in this figure, bulging does not occur when the contact angle of the lyophilic part is 20 ° or less, and when the contact angle of the liquid repellent part is 50 ° or more and the contrast is 30 ° or more (preferably 35 ° or more), it is preferably uniform. One wiring pattern was formed.

계속해서, 배선 패턴 W1 상에 콘택트 홀 CH 및 도전 포스트 DP을 형성하는 수순에 대하여, 도 9를 참조하여 설명한다. Next, the procedure for forming the contact hole CH and the conductive post DP on the wiring pattern W1 will be described with reference to FIG. 9.

우선, 도 9(a)에 도시하는 바와 같이, 배선 패턴 W1 상의 콘택트 홀 형성 영 역(도전 포스트 형성 영역) DA(후에 콘택트 홀 CH 및 도전 포스트 DP이 형성되는 개소·영역)에, 상술한 액적 토출 장치 IJ을 이용하여 액적 토출 헤드(301)로부터, 절연층 Z1의 절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하여 발액성을 갖는다. 여기서는 상술한 발액성 재료의 중, 불소 수지(발액 재료)를 포함하는 액적 FL을 도포·건조함으로써, 절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대한 발액부(절연층용 발액부) HF를 형성한다. First, as shown in Fig. 9 (a), the above-described droplets are formed in the contact hole forming region (conductive post forming region) DA on the wiring pattern W1 (the place / region in which the contact hole CH and the conductive post DP are formed later). Liquid repellency is provided from the droplet discharge head 301 to the liquid body containing the insulating layer forming material of the insulating layer Z1 using the discharge device IJ. Here, the liquid-repellent part (liquid repellent part for insulating layer) HF with respect to the liquid body containing an insulating layer forming material is formed by apply | coating and drying the droplet FL containing a fluororesin (liquid repellent material) among the liquid repellent materials mentioned above.

여기서, 발액부 HF의 크기(직경)는, 후에 형성되는 도전 포스트 DP의 크기(직경)에 대응하기 때문에, 형성해야 할 도전 포스트 DP의 직경에 따른 직경으로 발액부 HF를 형성한다. 본 실시형태에서는, 액적 FL의 토출 중량과, 이 액적 FL이 배선 패턴 W1 상에 착탄한 후의 직경의 상관 관계(예컨대, 토출 중량 2ng에서 착탄 직경이 대략 40㎛, 토출 중량 3ng에서 착탄 직경이 대략 65㎛)를 구하여 테이블로서 유지해두고, 발액부 HF를 형성할 때는, 형성하는 도전 포스트 DP의 크기에 따라 테이블로부터 토출 중량을 구하고, 이 토출 중량으로 액적 FL을 토출한다. Since the size (diameter) of the liquid repellent part HF corresponds to the size (diameter) of the conductive post DP formed later, the liquid repellent part HF is formed with a diameter corresponding to the diameter of the conductive post DP to be formed. In the present embodiment, the correlation between the discharge weight of the droplet FL and the diameter after the droplet FL reaches the wiring pattern W1 (for example, the impact diameter is approximately 40 µm at the discharge weight of 2 ng and the impact diameter is approximately at the discharge weight of 3 ng) 65 µm) is obtained and maintained as a table, and when the liquid repellent portion HF is formed, the discharge weight is obtained from the table according to the size of the conductive post DP to be formed, and the droplet FL is discharged at this discharge weight.

계속해서, 도 9(b)에 도시하는 바와 같이, 상술한 액적 토출 장치 IJ을 이용하여 액적 토출 헤드(301)로부터, 발액부 HF를 제외하고, 배선 패턴 W1을 덮어 절연층 형성 재료를 포함하는 액적 ZL(이후, 절연층 형성용 액적 ZL이라 함)를 도포한다. 이 절연층 형성 재료로서는, 본 실시형태에서는 광 경화성을 갖는 재료를 포함하고 있다. 구체적으로는, 본 실시형태의 광 경화성 재료는 광 중합 개시제와, 아크릴산의 단량체 및/또는 올리고마를 포함하고 있다. 일반적으로는, 이 광 경화성 재료는 용제와, 용제에 용해한 수지를 함유하면 좋다. 여기서, 이 경우의 광 경화성 재료는, 그 자체가 감광하여 중합도를 올리는 수지를 함유하더라도 좋고, 또는, 수지와, 그 수지의 경화를 시작시키는 광 중합 개시제를 함유하고 있더라도 좋다. 또한, 이러한 형태 대신에, 광 경화성 재료로서, 광 중합하여 불용의 절연 수지를 발생하는 단량체와, 그 단량체의 광 중합을 시작시키는 광 중합 개시제를 함유하더라도 좋다. 단지 이 경우의 광 경화성 재료는, 단량체 자체가 광 관능기를 갖고 있으면, 광 중합 개시제를 함유하지 않더라도 좋다. Subsequently, as shown in FIG. 9 (b), the liquid crystal discharge head 301 is used to cover the wiring pattern W1 except for the liquid repellent portion HF, and includes an insulating layer forming material, using the above-described liquid drop discharging device IJ. Droplet ZL (hereinafter referred to as droplet ZL for insulating layer formation) is applied. As this insulating layer forming material, in this embodiment, the material which has photocurability is included. Specifically, the photocurable material of this embodiment contains the photoinitiator and the monomer and / or oligomer of acrylic acid. Generally, this photocurable material should just contain a solvent and resin melt | dissolved in the solvent. Here, the photocurable material in this case may contain resin which photosensitive itself and raises polymerization degree, or may contain resin and the photoinitiator which starts hardening of this resin. In addition, instead of this form, as a photocurable material, you may contain the monomer which photopolymerizes and produces insoluble insulating resin, and the photoinitiator which starts photopolymerization of this monomer. Only the photocurable material in this case may not contain a photoinitiator, as long as the monomer itself has a photofunctional group.

또한, 열 경화성의 폴리이미드 등을 절연층 형성 재료로 해도 좋다. Moreover, you may make thermosetting polyimide etc. an insulating layer forming material.

배선 패턴 W1 상에 도포된 절연층 형성용 액적 ZL은, 콘택트 홀 형성 영역 DA에 형성된 발액부 H의 발액성에 의해 튀기게 되고, 그 콘택트 홀 형성 영역 DA에서는 미충전 상태로 되어 개구하며, 발액부 HF가 노출되고, 그 발액부 HF의 크기로 규정되는 크기로 콘택트 홀 CH가 형성된다. 이후에, 기판 P의 표면측에서 에너지 광으로서, 자외광(UV광)을 발액부 HF 및 절연층 Z1에 조사한다. 이에 따라, 절연층 Z1가 경화하고, 또한, 발액부 HF가 분해·제거되거나, 또는 발액성이 저하한다. 불소 수지를 이용하여 형성된 발액부 HF의 경우, 자외광의 조사 시간에 따라 발액성이 저하하지만, 발액성이 충분히 저하하는 시간으로 자외광을 조사한다(예컨대, 접촉각이 20° 이하로 되는 60초). The droplet ZL for insulating layer formation applied on the wiring pattern W1 is splashed by the liquid repellency of the liquid repellent portion H formed in the contact hole forming region DA, and is opened in an unfilled state in the contact hole forming region DA, The liquid portion HF is exposed, and a contact hole CH is formed to a size defined by the size of the liquid repellent portion HF. Subsequently, ultraviolet light (UV light) is irradiated to the liquid repellent part HF and the insulating layer Z1 as energy light on the surface side of the substrate P. As shown in FIG. Thereby, the insulating layer Z1 hardens | cures and the liquid repellent part HF is decomposed | disassembled and removed, or liquid repellency falls. In the case of the liquid repellent part HF formed using the fluorine resin, the liquid repellency decreases depending on the irradiation time of ultraviolet light, but the ultraviolet light is irradiated at a time when the liquid repellency sufficiently decreases (for example, 60 seconds at which the contact angle becomes 20 ° or less). ).

이후에, 상술한 액적 토출 장치 IJ을 이용하여, 도전 재료를 포함하는 액적, 여기서는 배선 패턴 W1을 형성할 때에 이용한 액적 WL을 도전 포스트 형성 영역 DA에 위치하는 콘택트 홀 CH에 도포·건조함으로써, 도 9(c)에 도시하는 바와 같이, 도전 포스트 DP을 형성한다. 이 때, 발액부 HF가 자외광 조사로 완전히 제거되어 있지 않더라도, 불소 수지는 수 nm∼수십 nm로 미소량이기 때문에, 발액부 HF는 도전 재료인 미립자의 열 처리 또는 광 처리에 의한 전기적 접촉이 확보될 때에 부분적으로 분해되거나, 도전 재료인 미립자끼리의 융착 등의 반응에 의해, 도전 포스트 DP은 배선 패턴 W1과 양호한 접촉(도통)을 확보한 상태로 형성된다. Subsequently, by using the above-described droplet ejection apparatus IJ, a droplet containing a conductive material, in this case, the droplet WL used when the wiring pattern W1 is formed is applied to and dried on the contact hole CH located in the conductive post formation region DA. As shown in 9 (c), a conductive post DP is formed. At this time, even if the liquid-repellent portion HF is not completely removed by ultraviolet light irradiation, the fluorine resin has a small amount of several nm to several tens of nm, so that the liquid-repellent portion HF has no electrical contact by heat treatment or light treatment of the fine particles which are conductive materials. The conductive post DP is formed in a state in which good contact (conduction) is ensured with the wiring pattern W1 by partially decomposing when secured or by fusion of the fine particles as the conductive material.

그리고, 도통 포스트 DP이 노출되는 절연층 Z1의 표면을 배선 형성면으로서, 상기의 공정을 반복하는 것에 의해, 도통 포스트 DP에 접속하는 배선 패턴 W2 등을 갖는 다층 배선 기판 CB가 제조된다. Then, by repeating the above steps using the surface of the insulating layer Z1 to which the conductive post DP is exposed, the multilayer wiring board CB having the wiring pattern W2 or the like connected to the conductive post DP is manufactured.

이상과 같이, 본 실시예에서는, 미리 배선 패턴 W1 상에, 콘택트 홀 형성 영역 DA에 발액부 HF를 형성한 후에, 절연층 형성용 액적 ZL을 도포하기 때문에, 액적 ZL이 배선 패턴 W1 상에서 넓게 적셔진 경우에도, 콘택트 홀 형성 영역 DA의 크기, 즉 콘택트 홀 CH 및 도전 포스트 DP의 크기를 소망의 값으로 확보·제어하는 것이 가능하게 되어, 고정밀도로 배선 패턴 W1, W2 및 도전 포스트 DP이 형성된 다층 배선 기판 CB를 제조하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시형태에서는, 도통 포스트 DP와 배선 패턴 W1의 접촉을 확보하기 위해 필요한 발액부 HF의 제거 처리를, 자외광의 조사에 의해 절연층 Z1의 경화 처리와 동시에 행하고 있기 때문에, 개별적으로 처리 공정을 마련할 필요가 없어져, 생산성의 향상에 기여할 수 있다.As described above, in the present embodiment, after the liquid repellent portion HF is formed in the contact hole formation region DA on the wiring pattern W1 in advance, the droplet ZL for insulating layer formation is applied, so that the droplet ZL is widely wetted on the wiring pattern W1. Even if it is, the size of the contact hole forming area DA, i.e., the size of the contact hole CH and the conductive post DP can be ensured and controlled to a desired value, and the multilayer formed with the wiring patterns W1, W2 and the conductive post DP with high precision. It becomes possible to manufacture the wiring board CB. In addition, in this embodiment, since the removal process of the liquid repellent part HF which is necessary in order to ensure the contact of the conduction post DP and the wiring pattern W1 is performed simultaneously with the hardening process of the insulating layer Z1 by irradiation of an ultraviolet light, it is processed separately. There is no need to provide a process, and it can contribute to the improvement of productivity.

또한, 본 실시형태에서는, 콘택트 홀 CH 및 도전 포스트 DP의 직경을, 미리 설정한 테이블에 근거하여, 발액성 액적 FL의 토출량으로 조정하고 있기 때문에, 형성해야 할 콘택트 홀 CH 및 도전 포스트 DP의 직경에 따라 설정하는 발액성 액적 FL의 토출량을 용이하고, 또한 신속히 선정하는 것이 가능하게 되어, 한층더 생산 성의 향상에 기여할 수 있다.In addition, in this embodiment, since the diameter of contact hole CH and the conductive post DP is adjusted to the discharge amount of liquid repellent droplet FL based on the table set previously, the diameter of the contact hole CH and conductive post DP which should be formed. The discharge amount of liquid-repellent droplet FL set according to the above can be easily and quickly selected, which can further contribute to the improvement of productivity.

덧붙여, 본 실시형태에서는, 배선 패턴 W1의 형성에 있어서도, 친액부의 표면 Pa를 갖는 기판 P에 대하여 발액성 액적 L을 도포하는 것에 의해 발액부 H를 패터닝 형성하기 때문에, 비싼 노광기나 포토마스크, 레이저 광원 등을 이용할 필요가 없어져, 비용 상승을 방지하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시형태에서는, 발액성 액적 L의 토출량 및 토출 피치를 조정함으로써, 발액부 H의 폭 HA, 즉 배선 패턴 W의 폭을 용이하게 조정할 수 있다. 특히, 본 실시형태에서는, 상기 토출량 및 토출 피치와 발액부 H의 폭 HA와의 상관 관계를 나타내는 테이블을 이용하고 있기 때문에, 형성해야 할 배선 패턴 W의 폭 WA에 따라 설정하는 발액성 액적 L의 토출량 및 토출 피치를 용이하고, 또한 신속히 선정하는 것이 가능하게 되어, 생산성의 향상에 기여할 수 있다. In addition, in this embodiment, also in formation of wiring pattern W1, since liquid repellent droplet H is patterned by apply | coating liquid repellent droplet L with respect to the board | substrate P which has the surface Pa of a lyophilic part, an expensive exposure machine, a photomask, and a laser are formed. It is not necessary to use a light source and the like, and it becomes possible to prevent the cost increase. In addition, in this embodiment, the width | variety HA of the liquid repellent part H, ie, the width | variety of the wiring pattern W, can be easily adjusted by adjusting the discharge amount and discharge pitch of liquid repellent droplet L. FIG. In particular, in the present embodiment, since the table showing the correlation between the discharge amount and the discharge pitch and the width HA of the liquid repellent part H is used, the discharge amount of the liquid repellent droplet L set according to the width WA of the wiring pattern W to be formed is used. And the discharge pitch can be selected easily and quickly, which can contribute to the improvement of the productivity.

(배선 패턴 형성 방법; 제 1 실시형태)(Wiring pattern formation method; 1st embodiment)

다음에, 배선 패턴 형성 방법의 제 1 실시형태에 대하여, 도 10을 참조하여 설명한다. Next, a first embodiment of a wiring pattern forming method will be described with reference to FIG. 10.

도 10(a)는, 도 9(b)에서 나타낸 상태와 같이, 발액부 HF를 제외하고, 배선 패턴 W1을 덮어 절연층 형성용 액적 ZL을 도포함으로써, 콘택트 홀 CH가 형성되어 경화한 절연층 Z1을 도시하는 도면이다. FIG. 10 (a) shows an insulating layer in which contact hole CH is formed and cured by applying droplet ZL for covering the wiring pattern W1 to cover the wiring pattern W1, except for the liquid repellent portion HF, as shown in FIG. 9 (b). It is a figure which shows Z1.

또, 이 도면에서, 도 1 내지 도 9에서 나타낸 상기 실시형태의 구성 요소와 동일한 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. In addition, in this figure, the same code | symbol is attached | subjected about the element same as the component of the said embodiment shown in FIGS. 1-9, and the description is abbreviate | omitted.

도 10(a)에 도시하는 바와 같이, 발액부 HF를 제외하고 배선 패턴 W1을 덮는 절연층 Z1가 형성되면, 기판 P의 표면측에서 에너지광으로서, 자외광을 발액부 HF 및 절연층 Z1에 조사한다. As shown in Fig. 10 (a), when the insulating layer Z1 covering the wiring pattern W1 is formed except for the liquid repellent part HF, ultraviolet light is applied to the liquid repellent part HF and the insulating layer Z1 as energy light on the surface side of the substrate P. Investigate.

이에 따라, 절연층 Z1가 경화하고, 또한, 그 상면이 친액화된다. 또한, 동시에, 도 10(b)에 도시하는 바와 같이, 발액부 HF가 분해·제거되거나, 또는 발액성이 저하한다. 불소 수지를 이용하여 형성된 발액부 HF의 경우, 자외광의 조사 시간에 따라 발액성이 저하하지만, 발액성이 충분히 저하하는 시간으로 자외광을 조사한다. As a result, the insulating layer Z1 is cured, and the upper surface thereof is lyophilized. At the same time, as shown in Fig. 10 (b), the liquid repellent part HF is decomposed and removed, or the liquid repellency is lowered. In the case of the liquid repellent part HF formed using the fluorine resin, the liquid repellency decreases depending on the irradiation time of the ultraviolet light, but the ultraviolet light is irradiated at a time when the liquid repellency sufficiently decreases.

또, 상술한 절연층 Z1에 대한 친액화 처리의 전에, 별도의 경화 공정(예컨대 가열 처리)을 실행하더라도 좋다. Moreover, you may perform another hardening process (for example, heat processing) before the lyophilic process with respect to the insulating layer Z1 mentioned above.

이후에, 도 10(c)에 도시하는 바와 같이, 상기 콘택트 홀 CH 및 절연층 Z1 상에 걸치는 배선 패턴 W2의 형성 영역에, 상술한 배선 패턴 W1과 같이, 상술한 액적 토출 장치 IJ을 이용하여, 도전 재료를 포함하는 액적, 여기서는 배선 패턴 W1을 형성할 때에 이용한 액적 WL을 도포하여, 건조·소성함으로써, 콘택트 홀 CH를 거쳐서 배선 패턴 W1과 접속되는 배선 패턴 W2를 형성할 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 10 (c), the above-described droplet ejection device IJ is used in the formation region of the wiring pattern W2 on the contact hole CH and the insulating layer Z1 as in the wiring pattern W1 described above. , The droplet containing conductive material, the droplet WL used when forming the wiring pattern W1 is apply | coated here, and it can dry and bake to form the wiring pattern W2 connected with the wiring pattern W1 via the contact hole CH.

이와 같이, 본 실시형태에 있어서도, 발액부 HF를 이용하는 것에 의해, 그 발액부 HF에서 규정된 크기의 콘택트 홀 CH를 고밀도로 형성하고, 또한 이 콘택트 홀 CH를 거쳐서 접속된 배선 패턴 W1, W2를 용이하게 형성할 수 있다. Thus, also in this embodiment, by using liquid repellent part HF, the contact pattern CH of the magnitude | size prescribed | regulated by the liquid repellent part HF is formed at high density, and wiring patterns W1 and W2 connected via this contact hole CH are connected. It can be formed easily.

또한, 본 실시형태에서는, 도전 포스트를 별도 형성하는 공정을 마련할 필요가 없어지기 때문에, 제조 효율의 향상에 기여할 수 있다. In addition, in this embodiment, since it becomes unnecessary to provide the process of forming a conductive post separately, it can contribute to the improvement of manufacturing efficiency.

(배선 패턴 형성 방법; 제 2 실시형태)(Wiring pattern formation method; 2nd Embodiment)

계속해서, 배선 패턴 형성 방법의 제 2 실시형태에 대하여, 도 11 내지 도 13을 참조하여 설명한다. Subsequently, a second embodiment of the wiring pattern forming method will be described with reference to FIGS. 11 to 13.

상기 배선 패턴 형성 방법의 제 1 실시형태에서는, 도전 재료를 포함하는 액적을 도포하여 배선 패턴 W1, W2를 형성하는 구성으로 했지만, 제 2 실시형태로서는 도금 처리를 이용하여 배선 패턴을 형성하는 경우에 대하여 설명한다. In the first embodiment of the wiring pattern forming method, a droplet containing a conductive material is applied to form the wiring patterns W1 and W2. However, in the second embodiment, when the wiring pattern is formed using a plating process, Explain.

또, 이 도면에서, 도 1 내지 도 9에서 나타낸 상기 실시형태의 구성요소와 동일한 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. In addition, in this figure, the same code | symbol is attached | subjected about the element same as the component of the said embodiment shown in FIGS. 1-9, and the description is abbreviate | omitted.

도 11(a)에 도시하는 바와 같이, 예컨대 PI(폴리이미드)로 형성된 기판 P의 표면 Pa에 UV 조사 등의 표면 세정 처리를 실시한 후에, O₂ 플라즈마 처리 등의 친액화 처리를 실시한다. As shown in Fig. 11 (a), after surface cleaning treatment such as UV irradiation is performed on the surface Pa of the substrate P formed of PI (polyimide), for example, a lyophilic treatment such as O ₂ plasma treatment is performed.

그리고, 상술한 액적 토출 장치 IJ을 이용하여, 도금 촉매 재료를 포함하는 액적을 표면 Pa의 배선 패턴 형성 영역(제 1 배선 형성 영역)에 도포·건조(예컨대 100℃, 15분간)함으로써, 도금 촉매층 C1을 형성한다. Then, by using the above-described droplet ejection apparatus IJ, the droplet containing the plating catalyst material is applied and dried (for example, 100 ° C. for 15 minutes) to the wiring pattern forming region (first wiring forming region) on the surface Pa, thereby forming a plating catalyst layer. Forms C1.

도금 촉매 재료를 포함하는 액상체로서는, Pd, Ni, Ag, Au, Cu, Fe, Co 등의 촉매 작용을 갖는 금속을 함유하는 유기 용매를 이용할 수 있다. 또한, 이 액상체로서는, 기판 P와의 밀착성을 부여하기 위해서, 커플링제를 함유하는 구성으로 해도 좋다. 커플링제로서는, 예컨대 아미노기를 갖는 Si 커플링제를 들 수 있고, 중성 또는 산성이며, 보다 바람직하게는 액적 토출 헤드에 대한 손상을 경감하는 관 점에서 중성의 것을 이용하는 것이 바람직하다. As a liquid containing a plating catalyst material, an organic solvent containing a metal having a catalytic action such as Pd, Ni, Ag, Au, Cu, Fe, Co or the like can be used. In addition, as this liquid body, in order to provide adhesiveness with the board | substrate P, you may be set as the structure containing a coupling agent. As a coupling agent, Si coupling agent which has an amino group is mentioned, for example, It is neutral or acidic, It is preferable to use a neutral thing from a viewpoint of reducing the damage to a droplet discharge head more preferably.

본 실시형태에서는, 도금 촉매 재료로서 팔라듐(Pd)을 이용하고 있다. In this embodiment, palladium (Pd) is used as a plating catalyst material.

다음에, 무전해 도금 처리를 실시하여, 도 11(b)에 도시하는 바와 같이, 도금 촉매층 C1 상에 도전층 D1을 성막하여, 예컨대 보온기 상에서 120℃, 30분간의 열 처리를 하는 것에 의해 제 2 배선으로서의 배선 패턴 W1을 형성한다. 무전해 도금 처리에 이용되는 무전해 도금액으로서는, 도금 촉매 재료를 포함하는 액상체와 같이, 바람직하게는 중성, 또는 산성이며, 기판 P로의 손상을 고려하면, 중성인 것을 이용하는 것이 바람직하다. Next, electroless plating is performed, and as shown in FIG. 11 (b), the conductive layer D1 is formed on the plating catalyst layer C1, for example, by heat treatment at 120 ° C. for 30 minutes on a warmer. The wiring pattern W1 as two wirings is formed. As the electroless plating solution used for the electroless plating treatment, it is preferable to use neutral or acidic, in consideration of damage to the substrate P, like a liquid body containing a plating catalyst material.

또한, 도전층으로서는, 예컨대 Ag, Ni, Au, Co, Cu 또는 Pd를 이용할 수 있다. 도전층은 복수의 도금층이 적층된 구성이더라도 좋고, 예컨대 Cu 도금층의 위에 Au 도금층이 형성되는 구성이더라도 좋다. As the conductive layer, Ag, Ni, Au, Co, Cu or Pd can be used, for example. The conductive layer may have a structure in which a plurality of plating layers are stacked, for example, a structure in which an Au plating layer is formed on the Cu plating layer.

본 실시형태에서는, 도전층 형성 재료로서 Cu(즉, 구리 도금 처리)을 이용하고 있다. In this embodiment, Cu (that is, copper plating process) is used as a conductive layer formation material.

다음에, 배선 패턴 W1 상의 콘택트 홀 형성 영역 DA에, 상술한 액적 토출 장치 IJ을 이용하여 액적 토출 헤드(301)로부터, 절연층 Z1의 절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하여 발액성을 갖는 액적을 도포·건조함으로써, 절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하는 발액부(절연층용 발액부) HF를 형성한다. 계속해서, 상술한 액적 토출 장치 IJ를 이용하여, 발액부 HF를 제외하고 배선 패턴 W1을 덮어 절연층 형성 재료(PI, 아크릴, 에폭시 수지 등)를 포함하는 액적을 도포하고, 경화 처리를 함으로써, 절연층 Z1을 형성한다. 이 경화 처리로서는, 절연층 형성 재료가 열 경화성 재료이면, 예컨대 200℃, 30분간의 가열 처리를 하고, 절연층 형성 재료가 광 경화성 재료이면, 예컨대 UV 광을 1000∼3000mj 조사하는 처리를 한다. Next, in the contact hole forming region DA on the wiring pattern W1, the liquid-dispersing property is obtained from the droplet ejection head 301 using the above-described droplet ejection apparatus IJ with respect to the liquid body containing the insulating layer forming material of the insulating layer Z1. By apply | coating and drying a droplet, the liquid repellent part (liquid repellent part for insulating layers) HF with respect to the liquid body containing an insulating layer forming material is formed. Subsequently, using the above-described droplet ejection apparatus IJ, except for the liquid repellent portion HF, the wiring pattern W1 is covered to apply a droplet containing an insulating layer forming material (PI, acrylic, epoxy resin, etc.) and subjected to curing treatment. The insulating layer Z1 is formed. As this hardening process, if an insulating layer forming material is a thermosetting material, it will heat-process for 200 degreeC and 30 minutes, for example, and if the insulating layer forming material is a photocurable material, the process which irradiates 1000-3000mj UV light, for example is performed.

이후에, 기판 P의 표면에 대하여, UV 조사 처리 또는 O₂ 플라즈마 처리를 실시함으로써, 절연막 Z1의 표면을 친액화하고, 또한, 발액부 HF(발액성분)가 제거되어, 도 12(a)에 도시하는 바와 같이, 절연막 Z1에 둘러싸여 배선 패턴 W1가 노출되는 콘택트 홀 CH가 형성된다. Subsequently, the surface of the substrate P is subjected to UV irradiation treatment or O ₂ plasma treatment to lyze the surface of the insulating film Z1, and also to remove the liquid-repellent portion HF (liquid repellent component), which is shown in Fig. 12A. As shown in the drawing, a contact hole CH is formed in which the wiring pattern W1 is exposed, surrounded by the insulating film Z1.

계속해서, 상술한 액적 토출 장치 IJ를 이용하여, 상술한 도금 촉매 재료(Pd)를 포함하는 액적을, 도 12(b)에 도시하는 바와 같이, 2개의 콘택트 홀 CH및, 이들 2개의 콘택트 홀 CH의 사이의 절연층 Z1 상에 걸치는 배선 패턴 형성 영역(제 2 배선 형성 영역)에 패터닝 도포하고, 건조(예컨대 보온기 상에서 80℃, 5분간)함으로써, 2개의 콘택트 홀 CH에 충전되고, 또한, 이들 콘택트 홀 CH 사이에 걸쳐져 성막되는 도금 촉매층 C2를 형성한다. Subsequently, using the above-mentioned droplet ejection apparatus IJ, the droplet containing the above-mentioned plating catalyst material Pd is shown as two contact holes CH and these two contact holes as shown in FIG.12 (b). Patterning is applied to the wiring pattern forming region (second wiring forming region) on the insulating layer Z1 between CHs, and the two contact holes CH are filled by drying (for example, 80 ° C. for 5 minutes on a warmer). The plating catalyst layer C2 formed over these contact holes CH is formed.

도금 촉매층 C2가 형성되면, 무전해 도금 처리를 실시하여, 도 12(c)에 도시하는 바와 같이, 도금 촉매층 C2 상에 도전층 D2를 성막하여, 예컨대 보온기 상에서 120℃, 30분간의 열 처리를 행하는 것에 의해 제 2 배선으로서, Cu 도금에 의한 배선 패턴 W2를 형성한다. When the plating catalyst layer C2 is formed, an electroless plating treatment is performed to form a conductive layer D2 on the plating catalyst layer C2, as shown in FIG. 12 (c). For example, heat treatment for 120 minutes at 120 ° C. on a warmer is performed. By performing it, the wiring pattern W2 by Cu plating is formed as a 2nd wiring.

다음에, 도 13(a)에 도시하는 바와 같이, 배선 패턴 W2 상의 콘택트 홀 형성 영역 DA2에, 상술한 액적 토출 장치 IJ을 이용하여, 절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하여 발액성을 갖는 액적을 도포·건조함으로써, 절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하는 발액부(절연층용 발액부) HF2를 형성한다. 계속해서, 상술한 액적 토출 장치 IJ를 이용하여, 발액부 HF2를 제외하고 배선 패턴 W2를 덮어 절연층 형성 재료(PI, 아크릴, 에폭시 수지 등)를 포함하는 액적을 도포하여, 절연층에 대한 경화 처리를 함으로써, 절연층 Z2를 형성한다. 이 경화 처리로서는, 절연층 Z1에 대한 경화 처리와 동일한 처리를 선택할 수 있다. Next, as shown in Fig. 13 (a), the contact hole forming region DA2 on the wiring pattern W2 has liquid repellency with respect to the liquid body containing the insulating layer forming material by using the above-described droplet ejection apparatus IJ. By apply | coating and drying a droplet, the liquid repellent part (liquid repellent part for insulating layers) HF2 with respect to the liquid body containing an insulating layer forming material is formed. Subsequently, using the above-described droplet ejection apparatus IJ, except for the liquid repellent portion HF2, the wiring pattern W2 is covered to apply droplets containing an insulating layer forming material (PI, acrylic, epoxy resin, etc.) to cure the insulating layer. By processing, insulating layer Z2 is formed. As this hardening process, the process similar to the hardening process with respect to insulating layer Z1 can be selected.

이후에, 기판 P의 표면에 대하여, UV 조사 처리 또는 O₂ 플라즈마 처리를 실시함으로써, 절연막 Z2의 표면의 친액화, 발액부 HF2(발액성분)의 제거에 의한 콘택트 홀 CH2의 형성, 도금 촉매 재료(Pd)를 포함하는 액적의 패터닝 도포·건조에 의한 도금 촉매층 C3의 형성, 무전해 도금 처리에 의해 도금 촉매층 C3 상으로의 도전막 D3의 성막을 순차적으로 행함으로써, 도 13(b)에 도시하는 바와 같이, 콘택트 홀 CH2에서 배선 패턴 W2와 접속하는 배선 패턴 W3을 형성할 수 있다. Subsequently, UV irradiation treatment or O ₂ plasma treatment is performed on the surface of the substrate P to form a contact hole CH 2 by lysifying the surface of the insulating film Z2, and removing the liquid-repellent part HF 2 (liquid repellent component), and plating catalyst material. Formation of the plating catalyst layer C3 by patterning coating and drying of the droplet containing (Pd) and film formation of the conductive film D3 onto the plating catalyst layer C3 by electroless plating treatment are carried out sequentially, as shown in Fig. 13B. As described above, the wiring pattern W3 connected to the wiring pattern W2 can be formed in the contact hole CH2.

이어서, 마찬가지로, 도 13(c)에 도시하는 바와 같이, 발액부의 형성, 발액부를 제외한 영역으로의 절연층 Z3의 형성, 절연층 Z3 표면으로의 친액화 및 발액부 제거에 의한 콘택트 홀 CH3의 형성, 도금 촉매 재료(Pd)를 포함하는 액적의 패터닝 도포·건조에 의한 도금 촉매층 C4의 형성, 무전해 도금 처리에 의해 도금 촉매층 C4상으로의 도전막 D4의 성막을 순차적으로 행함으로써, 콘택트 홀 CH3에서 배선 패턴 W3과 접속하는 배선 패턴(패드부) W4를 형성할 수 있다. Subsequently, as shown in Fig. 13 (c), the formation of the contact hole CH3 by formation of the liquid repellent portion, formation of the insulating layer Z3 to the region excluding the liquid repellent portion, lyophilic to the surface of the insulating layer Z3 and removal of the liquid repellent portion Contact hole CH3 by sequentially forming the plating catalyst layer C4 by patterning coating and drying of the droplet containing the plating catalyst material Pd and forming the conductive film D4 onto the plating catalyst layer C4 by electroless plating. The wiring pattern (pad part) W4 for connecting with the wiring pattern W3 can be formed.

이와 같이, 본 실시형태에서는, 발액부 형성, 절연층 형성 및 친액화 처리· 발액부 제거 처리, 도금 촉매층 형성 처리, 도금 촉매층 상으로의 도전층 성막에 의한 배선 패턴 형성 처리를 반복하는 것에 의해, 발액부에 의해 규정된 크기의 콘택트 홀을 고밀도로 형성하고, 또한 이 콘택트 홀을 통해 접속된 적층 구조의 배선 패턴 W1∼W4를 용이하게 형성할 수 있다. As described above, in the present embodiment, by repeating the liquid repellent part formation, the insulating layer formation and the lyophilization treatment, the liquid repellent part removal process, the plating catalyst layer forming process, and the conductive layer film formation on the plating catalyst layer, Contact holes of the size defined by the liquid repelling unit can be formed with high density, and wiring patterns W1 to W4 having a laminated structure connected through the contact holes can be easily formed.

또한, 본 실시형태에서는, 콘택트 홀로의 충전부도 포함시켜 배선 패턴 W1∼W4가 도금 처리에 의해 성막되기 때문에, 액적 토출 방식과 비교해서 치밀하고 전기 저항이 작은 배선을 형성하는 것이 가능하게 된다. In addition, in this embodiment, since the wiring patterns W1 to W4 are formed by the plating process including the charging section to the contact holes, it is possible to form wiring which is dense and has a small electric resistance as compared with the droplet discharging method.

또, 상기 실시형태에서는, 도금 촉매 재료(Pd)를 포함하는 액적의 패터닝 도포 전에, 발액부의 제거 처리를 실시하고 있지만, 예컨대 도금 처리로 형성한 배선상에 도포한 발액재가 넓게 적셔져, 막두께가 얇아진 경우에는, 발액부의 제거 처리를 하지 않고, 콘택트 홀에 노출되는 배선과의 전기적 접속이 가능하게 되는 경우도 있다. 그 때문에, 상기 발액부의 제거 처리는 필수라는 것이 아니라, 콘택트 홀에 노출되는 배선과의 전기적 접속의 가부에 따라 적절히 실시하면 좋다. Moreover, in the said embodiment, although the liquid-repellent part is removed before patterning application | coating of the droplet containing plating catalyst material (Pd), the liquid repellent material apply | coated on the wiring formed by the plating process, for example, widens and the film thickness is carried out. When the thickness becomes thin, the electrical connection with the wiring exposed to the contact hole may be possible without the removal process of the liquid repellent part. Therefore, the removal process of the said liquid repellent part is not essential, but what is necessary is just to perform suitably according to the electrical connection with the wiring exposed to a contact hole.

(다층 배선 기판)(Multilayer Wiring Board)

계속해서, 다층 배선 기판의 다른 형태에 대하여 도 14를 참조하여 설명한다. Next, another form of the multilayer wiring board will be described with reference to FIG. 14.

여기서는, 휴대전화에 탑재되는 다층 배선 기판의 예를 이용하여 설명한다. Here, an explanation will be given using an example of a multilayer wiring board mounted in a cellular phone.

도 14에 나타내는 다층 배선 기판(500)은, 실리콘으로 이루어지는 기재(10) 상에, 3개의 배선층 P1, P2, P3이 적층되어 이루어지는 것이다. In the multilayer wiring board 500 shown in FIG. 14, three wiring layers P1, P2, and P3 are laminated | stacked on the base material 10 which consists of silicon | silicone.

또, 기재(10)로서는, 그 외에도 유리, 석영유리, 금속판 등 각종의 것을 들 수 있다. 또한, 이들 각종 소재 기판의 표면에 반도체막, 금속막, 절연막, 유기막 등이 하지층으로서 형성된 것도 포함한다. Moreover, as the base material 10, various things, such as glass, quartz glass, a metal plate, are mentioned besides. Moreover, the thing in which a semiconductor film, a metal film, an insulating film, an organic film, etc. were formed as a base layer on the surface of these various material substrates is also included.

배선층 P1은, 전극부(20a)를 갖는 칩 부품(전자부품)(20) 및 전극부(21a)를 갖는 칩 부품(전자부품)(21)이 절연막(절연층)(13)에 매립되고, 이 절연막(13) 상에 전극부(20a, 21a)에 접속되는 배선(15)이 성막되어 이루어지는 것이다. 배선(15)은 제 1 층간 절연막(60)으로 덮여 있고, 도 10 중, 양측에 위치하는 배선(15)은, 제 1 층간 절연막(60)을 관통하는 스루홀(도전 포스트) H1, H2에 각각 접속되어 있다. In the wiring layer P1, the chip component (electronic component) 20 having the electrode portion 20a and the chip component (electronic component) 21 having the electrode portion 21a are embedded in the insulating film (insulating layer) 13, The wiring 15 connected to the electrode portions 20a and 21a is formed on the insulating film 13. The wiring 15 is covered with the first interlayer insulating film 60, and in Fig. 10, the wirings 15 located at both sides of the wiring 15 are disposed in the through holes (conductive posts) H1 and H2 that pass through the first interlayer insulating film 60. Each is connected.

상기 칩 부품(20, 21)으로서는, 저항, 콘덴서, IC 칩 등을 들 수 있고, 본 실시형태에서는, 칩 부품(20)으로서 저항을 이용하고, 칩 부품(21)으로서 콘덴서를 이용했다. 또한, 칩 부품(20, 21)은, 그 전극부(20a, 21a)를 위쪽으로 향한 상태로 기재(10) 상에 배치되어 있다. Examples of the chip components 20 and 21 include a resistor, a capacitor, and an IC chip. In this embodiment, a resistor is used as the chip component 20 and a capacitor is used as the chip component 21. In addition, the chip parts 20 and 21 are arrange | positioned on the base material 10 with the electrode part 20a, 21a facing upward.

또, 실제로는 전극부(20a, 21a)는, 칩 부품(20, 21)의 상면과 대략 평평하지만, 여기서는, 돌기 형상으로 도시하고 있다. 또한, 액적 토출 방식 등을 이용하여 도전성 잉크를 토출하는 것으로 실제로 돌기를 형성하더라도 좋다. In addition, although the electrode part 20a, 21a is actually substantially flat with the upper surface of the chip component 20, 21, it is shown in the protrusion shape here. Further, the projections may actually be formed by ejecting the conductive ink using a droplet ejection method or the like.

절연막(절연층)(13, 60)은, 상술한 액적 토출 장치 IJ에 의한 액적 토출 방식을 이용하여 절연성 잉크(절연 재료)를 도포하고, 그 절연성 잉크를 경화시키는 것으로 형성된 것이다. 이 절연성 잉크로서는, 여기서는 광에너지를 부여했을 때에 경화하는 광 경화성, 및 열 에너지를 부여했을 때에 경화하는 열 경화성을 갖는 재료로서, 아크릴계의 감광성 수지를 포함하고 있다. The insulating films (insulating layers) 13 and 60 are formed by applying an insulating ink (insulating material) by using the droplet ejecting method by the above-described droplet ejection apparatus IJ and curing the insulating ink. This insulating ink contains acrylic photosensitive resin as a material which has the photocurability which hardens when light energy is given here, and the thermosetting property which hardens when heat energy is provided.

배선(15) 및 스루홀 H1, H2는, 액적 토출 장치 IJ에 의한 액적 토출 방식을 이용하여 도전성 잉크를 토출하는 것으로 형성된 것이다. 본 실시형태에서는, 은 미립자를 포함하는 도전성 잉크를 이용하고 있다. The wiring 15 and the through holes H1 and H2 are formed by discharging the conductive ink using the droplet discharging method by the droplet discharging device IJ. In this embodiment, the conductive ink containing silver fine particles is used.

배선층 P2은, 제 1 층간 절연막(60) 상에 배치되어 외부 접속용의 단자(72)를 갖는 IC 칩(전자부품)(70)과, 스루홀 H1에 접속되는 배선(61)과, 이들 IC 칩(70) 및 배선(61)이 덮이는 제 2 층간 절연막(62)과, 배선(61)에 접속되어 절연막(62)을 관통하는 스루홀 H3과, 마찬가지로 절연막(62)을 관통하는 상술한 스루홀 H2의 일부를 갖고 있다. The wiring layer P2 is disposed on the first interlayer insulating film 60 and has an IC chip (electronic component) 70 having a terminal 72 for external connection, a wiring 61 connected to the through hole H1, and these ICs. The second interlayer insulating film 62 covered by the chip 70 and the wiring 61, the through hole H3 connected to the wiring 61 and penetrating the insulating film 62, and the above-mentioned penetrating through the insulating film 62. It has a portion of one through-hole H2.

제 2 층간 절연막(62)은 상술한 액적 토출 장치 IJ에 의한 액적 토출 방식을 이용하여 상기 절연막(13, 60)과 동일 재료로 형성되어 있다. The second interlayer insulating film 62 is formed of the same material as the insulating films 13 and 60 by using the droplet discharging method by the above-described droplet discharging device IJ.

또한, 배선(61) 및 스루홀 H3은, 액적 토출 장치 IJ에 의한 액적 토출 방식을 이용하여 배선(15) 및 스루홀 H1, H2와 동일 재료로 형성되어 있다. The wiring 61 and the through hole H3 are formed of the same material as the wiring 15 and the through holes H1 and H2 using the droplet discharge method by the droplet discharge device IJ.

배선층 P3은, 절연막(62) 상에 형성되어 IC 칩(70)의 단자(72) 및 스루홀 H2에 접속되는 배선(63A)과, IC 칩(70)의 단자(72) 및 스루홀 H3에 접속되는 배선(63B)과, 이들 배선(63A, 63B)이 덮이는 제 3 층간 절연막(64)과, 배선(63A)에 접속되어 절연막(64)을 관통하는 스루홀 H4와, 배선(63B)에 접속되어 절연막(64)을 관통하는 스루홀 H5와, 절연막(64) 상에 마련되어 스루홀 H5와 접속되는 칩 부품(전자부품)(24)과, 절연막(64) 상에 마련되고 스루홀 H4와 접속되는 칩 부품(전자부품)(25)을 갖고 있다. The wiring layer P3 is formed on the insulating film 62 and connected to the terminal 72 and the through hole H2 of the IC chip 70 and to the terminal 72 and the through hole H3 of the IC chip 70. The wiring 63B to be connected, the third interlayer insulating film 64 covered by the wirings 63A and 63B, the through hole H4 connected to the wiring 63A and penetrating the insulating film 64, and the wiring 63B. Through-hole H5 connected to the through-insulating film 64, the chip component (electronic component) 24 provided on the insulating film 64 and connected to the through-hole H5, and the through-hole provided on the insulating film 64. It has the chip component (electronic component) 25 connected with H4.

제 3 층간 절연막(64)은, 상술한 액적 토출 장치 IJ에 의한 액적 토출 방식을 이용하여 상기 절연막(13, 60, 62)과 동일 재료로 형성되어 있다. The third interlayer insulating film 64 is formed of the same material as the insulating films 13, 60, and 62 by using the droplet discharging method by the above-described droplet discharging device IJ.

또한, 배선(63A, 63B), 스루홀 H4, H5는, 액적 토출 장치 IJ에 의한 액적 토출 방식을 이용하여 배선(15, 61) 및 스루홀 H1, H2, H3과 동일 재료로 형성되어 있다. The wirings 63A and 63B and the through holes H4 and H5 are formed of the same material as the wirings 15 and 61 and the through holes H1, H2 and H3 using the droplet ejection method by the droplet ejection apparatus IJ.

또한, 칩 부품(24, 25)으로서는, 여기서는, 안테나 소자 및 수정 진동자가 각각 실장된다. In addition, as the chip components 24 and 25, an antenna element and a crystal oscillator are respectively mounted here.

본 실시형태의 다층 배선 기판(500)에 있어서는, 스루홀 H1∼H5가 상술한 콘택트 홀 형성 방법 및 도전 포스트 형성 방법으로 형성되기 때문에, 스루홀의 크기를 소망의 값으로 확보·제어하는 것이 가능하게 되어, 고정밀도로 스루홀이 형성된 다층 배선 기판(500)을 제조하는 것이 가능하게 된다. In the multilayer wiring board 500 of this embodiment, since the through holes H1 to H5 are formed by the above-described contact hole forming method and the conductive post forming method, it is possible to ensure and control the size of the through hole to a desired value. Thus, it becomes possible to manufacture the multilayer wiring board 500 in which the through holes are formed with high precision.

또, 상기 스루홀(도전 포스트)을 별도 형성하는 공정을 마련하지 않고, 상술한 배선 패턴 형성 방법을 이용하여, 상층의 배선 패턴을 형성할 때에, 콘택트 홀에 배선 패턴 형성 재료를 충전함으로써, 하층의 배선 패턴과의 전기적 접속을 확보하는 구성으로 해도 좋다. Moreover, when forming an upper wiring pattern using the above-mentioned wiring pattern formation method, without providing the process of separately forming the said through hole (conductive post), when forming a wiring pattern formation material in a contact hole, a lower layer The electrical connection with the wiring pattern may be secured.

(스위칭 소자(TFT 소자))Switching element (TFT element)

다음에, 상술한 콘택트 홀 형성 방법, 도전 포스트 형성 방법, 배선 패턴 형성 방법을 이용하여 형성된 스위칭 소자(TFT 소자)의 예에 대하여, 도 15를 참조하여 설명한다. Next, an example of a switching element (TFT element) formed using the above-described contact hole forming method, conductive post forming method, and wiring pattern forming method will be described with reference to FIG. 15.

본 실시형태에서는, 복수의 화소 영역을 갖고, 서로 다른 발광 특성에 의해 각 화소 영역에서 복수의 발광색으로 발광하는 유기 EL 장치에 마련된 TFT 소자에 대하여 설명한다. In this embodiment, a TFT element provided in an organic EL device having a plurality of pixel regions and emitting light in a plurality of emission colors in each pixel region by different light emission characteristics will be described.

도 15에, 유기 EL 장치(100)에 있어서의 표시 영역의 단면 구조를 확대한 도면을 나타낸다. 이 도 15에는 3개의 화소 영역 A를 나타내고 있다. 유기 EL 장치(100)는, 기판(202) 상에, TFT 등의 회로 등이 형성된 회로 소자부(214)와, 유기층(발광부)(110)이 형성된 EL 소자부(211)가 순차적으로 적층되어 구성되어 있다. 15 is an enlarged view of the cross-sectional structure of the display area in the organic EL device 100. 15, three pixel regions A are shown. In the organic EL device 100, a circuit element portion 214 on which a circuit such as a TFT is formed, and an EL element portion 211 on which an organic layer (light emitting portion) 110 is formed are sequentially stacked on the substrate 202. It is composed.

이 유기 EL 장치(100)에 있어서는, 유기층(110)으로부터 기판(2)측에 발생한 광이, 회로 소자부(214) 및 기판(202)을 투과하여 기판(202)의 하측(관측자측)으로 출사되고, 또한, 유기층(110)으로부터 기판(202)의 반대측에 발생한 광이 음극(212)에 의해 반사되어, 회로 소자부(214) 및 기판(202)을 투과하여 기판(202)의 하측(관측자측)으로 출사되게 되어 있다. In this organic EL device 100, the light generated from the organic layer 110 to the substrate 2 side passes through the circuit element portion 214 and the substrate 202 to the lower side (the observer side) of the substrate 202. The light emitted from the organic layer 110 on the opposite side of the substrate 202 is reflected by the cathode 212, passes through the circuit element 214 and the substrate 202, and then the lower side of the substrate 202 ( It is going to be emitted to observer side.

또, 음극(212)으로서 투명한 재료를 이용하는 것에 의해, 이 음극(212)측에서 광을 출사시키는 것도 가능하다. In addition, by using a transparent material as the cathode 212, it is possible to emit light from the cathode 212 side.

회로 소자부(214)에는, 기판(202) 상에 실리콘 산화막으로 이루어지는 하지 보호막(202c)이 형성되고, 이 하지 보호막(202c) 상에는 다결정 실리콘으로 이루어지는 섬 형상의 반도체막(141)이 형성되어 있다. 또, 반도체막(141)에는, 소스 영역(141a) 및 드레인 영역(141b)이 고농도 P 투입에 의해 형성되어 있고, 또한, P가 도입되지 않은 부분은 채널 영역(141c)으로 되어 있다. In the circuit element portion 214, a base protective film 202c made of a silicon oxide film is formed on the substrate 202, and an island-like semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed on the base protective film 202c. . In the semiconductor film 141, the source region 141a and the drain region 141b are formed by high concentration P injection, and the portion where P is not introduced is the channel region 141c.

또한, 회로 소자부(214)에는, 하지 보호막(202c) 및 반도체막(141)을 덮는 투명한 게이트 절연막(142)이 형성되고, 게이트 절연막(142) 상에는 Al, Mo, Ta, Ti, W 등으로 이루어지는 게이트 전극(143)이 형성되고, 게이트 전극(143) 및 게이트 절연막(142) 상에는 투명한 제 1 층간 절연막(144a)과 제 2 층간 절연막(144b)이 형성되어 있다. 게이트 전극(143)은 반도체막(141)의 채널 영역(141c)에 대응하는 위치에 마련되어 있다. In the circuit element portion 214, a transparent gate insulating film 142 covering the underlying protective film 202c and the semiconductor film 141 is formed, and the gate insulating film 142 is formed of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like. A gate electrode 143 is formed, and a transparent first interlayer insulating film 144a and a second interlayer insulating film 144b are formed on the gate electrode 143 and the gate insulating film 142. The gate electrode 143 is provided at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141.

또한, 제 1, 제 2 층간 절연막(144a, 144b)에는, 반도체막(141)의 소스·드레인 영역(141a, 141b)에 각각 접속되는 콘택트 홀(145, 146)이 형성되어 있고, 이들 콘택트 홀(145, 146) 내에는 각각 도전 재료가 매립되어 있다. Further, contact holes 145 and 146 connected to the source and drain regions 141a and 141b of the semiconductor film 141 are formed in the first and second interlayer insulating films 144a and 144b, respectively. In 145 and 146, a conductive material is embedded, respectively.

그리고, 제 2 층간 절연막(144b) 상에는, ITO 등으로 이루어지는 투명한 화소 전극(111)이 소정의 형상으로 패터닝되어 형성되고, 한쪽의 콘택트 홀(145)이 이 화소 전극(111)에 접속되어 있다. On the second interlayer insulating film 144b, a transparent pixel electrode 111 made of ITO or the like is patterned and formed in a predetermined shape, and one contact hole 145 is connected to the pixel electrode 111. As shown in FIG.

또한, 다른 한쪽의 콘택트 홀(146)이 전원선(163)에 접속되어 있다. The other contact hole 146 is connected to the power supply line 163.

이렇게 하여, 회로 소자부(14)에는, 각 화소 전극(111)에 접속된 박막 트랜지스터(TFT 소자)(123)가 형성되어 있다. In this way, the thin film transistor (TFT element) 123 connected to each pixel electrode 111 is formed in the circuit element portion 14.

EL 소자부(211)는, 복수의 화소 전극(111) … 위의 각각에 적층된 유기층(110)과, 각 화소 전극(111) 및 유기층(110)의 사이에 구비되고 각 유기층(110)을 구획하는 뱅크부(112)와, 유기층(110) 상에 형성된 대향 전극(음극)(212)을 주체로서 구성되어 있다. The EL element portion 211 includes a plurality of pixel electrodes 111. The organic layer 110 stacked on each of the above, provided between the pixel electrode 111 and the organic layer 110, the bank portion 112 for partitioning each organic layer 110, and formed on the organic layer 110 The counter electrode (cathode) 212 is mainly configured.

여기서, 화소 전극(111)은, 투명 도전성 재료, 예컨대 ITO에 의해 형성된 것으로, 평면에서 보아 대략 직사각형으로 패터닝된 것이다. 이 각 화소 전극(111) …의 사이에는 뱅크부(112)가 마련되어 있다. Here, the pixel electrode 111 is formed of a transparent conductive material, for example, ITO, and is patterned into a substantially rectangular shape in plan view. The pixel electrodes 111. The bank part 112 is provided in between.

뱅크부(112)는, 기판(202)측에 SiO₂ 등으로 이루어지는 무기 뱅크층(112a)과, 이 무기 뱅크층(112a) 상에 형성된 유기 뱅크층(112b)으로 구성된 것이다. Bank section 112 is composed of the substrate 202, the inorganic bank layer made of SiO _2, such as the side (112a) and an organic bank layer (112b) formed on the inorganic bank layer (112a).

무기 뱅크층(112a)은, 화소 전극(111)의 주연부 상에 얹히도록 형성된 것으로, 평면에서 본 상태에서 화소 전극(111)의 주위와 무기 뱅크층(112a)이 평면적으로 겹치도록 배치된 구조로 되어 있다. 또한, 유기 뱅크층(112b)도, 평면에서 본 상태로 화소 전극(111)의 일부와 겹치도록 배치되어 있다. The inorganic bank layer 112a is formed to be placed on the periphery of the pixel electrode 111. The inorganic bank layer 112a is arranged such that the periphery of the pixel electrode 111 and the inorganic bank layer 112a overlap in a planar view in a plan view. It is. In addition, the organic bank layer 112b is also disposed so as to overlap a part of the pixel electrode 111 in a plan view.

또한, 유기 뱅크층(112b)에는 개구부(112c)가 형성되어 있고, 후술하는 바와 같이 이 개구부(112c) 내에 기능층의 형성 재료가 배치되어 성막되는 것에 의해, 기능층으로 이루어지는 유기층(110)이 형성되게 되어 있다. 또, 유기 뱅크층(112b)은, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성이 있는 재료에 의해 형성되어 있다. In addition, the opening 112c is formed in the organic bank layer 112b, and as described later, the forming material of the functional layer is disposed in the opening 112c, whereby the organic layer 110 made of the functional layer is formed. It is to be formed. The organic bank layer 112b is formed of a material having heat resistance and solvent resistance, such as an acrylic resin and a polyimide resin.

유기층(110)은, 화소 전극(양극)(111)과 대향 전극(음극)(212) 사이에 배치된 것에 의해, 이들 화소 전극(111)과 대향 전극(212)과 함께 유기 EL 소자를 구성하는 것으로 되어 있다. 여기서, 본 실시형태에 있어서는, 다른 발광 특성으로서 풀컬러 표시를 하도록, 적색의 발광 특성을 갖는 화소 R로 되는 유기 EL 소자와, 녹색의 발광 특성을 갖는 화소 G로 되는 유기 EL 소자와, 청색의 발광 특성을 갖는 화소 B로 되는 유기 EL 소자가 구비되어 있다. The organic layer 110 is disposed between the pixel electrode (anode) 111 and the counter electrode (cathode) 212 to form an organic EL element together with the pixel electrode 111 and the counter electrode 212. It is supposed to be. Here, in this embodiment, the organic EL element which becomes the pixel R which has the red luminescence characteristic, the organic EL element which becomes the pixel G which has the green luminescence characteristic, and blue is made so that full color display may be performed as another light emission characteristic. The organic electroluminescent element which becomes the pixel B which has a light emission characteristic is provided.

본 실시형태에서는, 이들 3종류의 유기 EL 소자 각각이, 그 유기층(110)으로 서, 정공 주입/수송층(제 1 유기층)(151)(151R, 151G, 151B)과 발광층(제 2 유기층)(150)(150R, 150G, 150B)을 구비한 구성으로 되어 있다. In this embodiment, each of these three types of organic EL elements is a hole injection / transport layer (first organic layer) 151 (151R, 151G, 151B) and a light emitting layer (second organic layer) as the organic layer 110 ( 150) (150R, 150G, 150B) is provided.

그리고, 본 실시형태에서는, 콘택트 홀(145, 146)을 상술한 콘택트 홀 형성 방법이나 도전 포스트 형성 방법을 이용하여 형성할 수 있고, 또한, 그 콘택트 홀(146)과 접속되는 전원선(163)이나, 콘택트 홀(145)과 접속되는 화소 전극(111)을 형성할 때는, 상술한 배선 패턴 형성 방법을 이용할 수 있다. In the present embodiment, the contact holes 145 and 146 can be formed using the above-described contact hole forming method or the conductive post forming method, and the power supply line 163 connected to the contact hole 146. In addition, when forming the pixel electrode 111 connected with the contact hole 145, the wiring pattern formation method mentioned above can be used.

따라서, 본 실시형태에서는, 콘택트 홀의 크기를 소망의 값으로 확보·제어하는 것이 가능하게 되어, 고정밀도로 콘택트 홀이 형성된 박막 트랜지스터(TFT 소자)(123)를 제조하는 것이 가능하게 된다. Therefore, in this embodiment, it becomes possible to ensure and control the size of a contact hole to a desired value, and to manufacture the thin film transistor (TFT element) 123 in which the contact hole was formed with high precision.

(전자기기)(Electronics)

계속해서, 본 발명에 대한 전자기기의 구체예에 대하여 설명한다. Next, the specific example of the electronic device which concerns on this invention is demonstrated.

도 16(a)는 휴대전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 16(a)에 있어서, 참조부호 600은 상기 실시형태의 다층 배선 기판을 구비한 휴대 전화 본체를 나타내고, 참조부호 601은 액정 표시부를 나타내고 있다. Fig. 16A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In Fig. 16A, reference numeral 600 denotes a mobile telephone body provided with the multilayer wiring board of the above embodiment, and reference numeral 601 denotes a liquid crystal display.

도 16(b)는 워드프로세서, 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 16(b)에 있어서, 참조부호 700는 정보 처리 장치, 참조부호 701은 키보드 등의 입력부, 참조부호 703은 상기 실시형태의 다층 배선 기판을 구비한 정보 처리 본체, 참조부호 702는 액정 표시부를 나타내고 있다. 16B is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor and a personal computer. In Fig. 16B, reference numeral 700 denotes an information processing apparatus, reference numeral 701 denotes an input portion such as a keyboard, reference numeral 703 denotes an information processing body having a multilayer wiring board of the above embodiment, and reference numeral 702 denotes a liquid crystal display portion. It is shown.

도 16(c)는 손목 시계형 전자기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 16(c)에 있어서, 참조부호 800는 상기 실시형태의 다층 배선 기판을 구비한 시계 본체를 나타내고, 참조부호 801은 액정 표시부를 나타내고 있다. Fig. 16C is a perspective view showing an example of a wrist watch type electronic device. In Fig. 16C, reference numeral 800 denotes a clock main body provided with the multilayer wiring board of the above embodiment, and reference numeral 801 denotes a liquid crystal display.

도 16(a)∼(c)에 나타내는 전자기기는, 상기 실시형태의 다층 배선 기판 제조 방법을 이용하여 제조된 것이므로, 고정밀도로 형성된 배선, 도전 포스트를 갖기 때문에, 고품질로 제조하는 것이 가능하게 된다. Since the electronic devices shown in Figs. 16A to 16C are manufactured using the multilayer wiring board manufacturing method of the above embodiment, the electronic devices can be manufactured with high quality because they have wiring and conductive posts formed with high precision. .

또, 본 실시형태의 전자기기는 액정 장치를 구비하는 것으로 했지만, 유기 전계 발광 표시 장치, 플라즈마형 표시 장치 등, 다른 전기 광학 장치를 구비한 전자기기로 할 수도 있다. In addition, although the electronic device of this embodiment is equipped with the liquid crystal device, it can also be set as the electronic device provided with other electro-optical devices, such as an organic electroluminescent display device and a plasma display device.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 대한 바람직한 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는 것은 물론이다. 상술한 예에서 나타낸 각 구성 부재의 여러가지 형상이나 조합 등은 일례로서, 본 발명의 주지로부터 일탈하지 않는 범위에서 설계 요구 등에 근거하여 여러가지로 변경 가능하다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to this example. The various shapes, combinations, etc. of each structural member shown by the above-mentioned example are an example, and can be variously changed based on a design request etc. in the range which does not deviate from the well-known of this invention.

또한, 상기 실시형태에서는, 기판 P에 대하여 친액성을 높이기 위해서, 표면 처리 공정으로서 세정 처리를 실시하는 것으로 하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 기능액(패턴용 액적)에 대하여 친액성을 나타내는 실란 커플링제나 티탄 커플링제를 표면 Pa에 도포해 놓은 구성이나, 산화티탄 미립자를 도포해 놓은 구성을 채용하더라도 좋다.In addition, in the said embodiment, in order to improve the lyophilic property with respect to the board | substrate P, it demonstrated as carrying out the washing process as a surface treatment process, However, it is not limited to this, For example, it is lyophilic with respect to a functional liquid (droplets for patterns). You may employ | adopt the structure which apply | coated the silane coupling agent and titanium coupling agent which show to the surface Pa, and the structure which apply | coated the titanium oxide microparticles | fine-particles.

도 1은 액적 토출 장치의 개략적인 구성도,1 is a schematic configuration diagram of a droplet ejection apparatus;

도 2는 액적 토출 헤드(301)의 단면도,2 is a cross-sectional view of the droplet discharge head 301,

도 3은 다층 배선 기판의 개략 구성도,3 is a schematic configuration diagram of a multilayer wiring board;

도 4는 기판 상에 형성된 발액부, 배선 패턴을 도시하는 도면,4 is a view showing a liquid repellent part formed on a substrate, a wiring pattern,

도 5는 패턴 형성 공정을 도시하는 도면,5 is a diagram illustrating a pattern formation process;

도 6은 패턴 형성 공정을 도시하는 도면,6 is a view showing a pattern forming process;

도 7은 패턴 형성 공정을 도시하는 도면,7 is a view showing a pattern forming process;

도 8은 발액부, 친액부의 접촉각, 콘트라스트, 묘화 결과의 관계를 도시하는 도면,8 is a diagram showing a relationship between a contact angle, contrast, and a drawing result of a liquid repellent part and a lyophilic part;

도 9는 도전 포스트를 형성하는 수순을 도시하는 도면,9 is a diagram showing a procedure for forming a conductive post;

도 10은 배선 패턴 형성 방법의 공정을 도시하는 도면,10 is a diagram showing a step of the wiring pattern forming method;

도 11은 배선 패턴 형성 방법의 공정을 도시하는 도면,11 is a diagram showing a step of the wiring pattern forming method;

도 12는 배선 패턴 형성 방법의 공정을 도시하는 도면,12 is a diagram showing a step of the wiring pattern forming method;

도 13은 배선 패턴 형성 방법의 공정을 도시하는 도면,13 is a diagram showing a step of the wiring pattern forming method;

도 14는 다층 배선 기판의 개략 구성을 나타내는 단면도,14 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a multilayer wiring board;

도 15는 유기 EL 장치(100)에 있어서의 표시 영역의 단면 구조를 확대한 도면,15 is an enlarged view of a cross-sectional structure of a display area in the organic EL device 100;

도 16은 전자기기의 구체예를 나타내는 도면.16 is a diagram showing a specific example of an electronic device.

부호의 설명Explanation of the sign

C1 : 도금 촉매층 CB : 다층 배선 기판C1: plating catalyst layer CB: multilayer wiring board

CH : 콘택트 홀 DA : 도전 포스트 형성 영역CH: contact hole DA: conductive post forming area

DP : 도전 포스트 GB : 액자부DP: Post Challenge GB: Frame

H : 발액부(배선용 발액부) HF : 발액부(절연층용 발액부)H: Liquid repellent part (wiring liquid repellent part) HF: Liquid repellent part (Repellent part for insulating layer)

L : 액적 MS : 메시부L: Droplet MS: Mesh part

P : 기판 Pa : 표면(친액부, 배선 형성면)P: substrate Pa: surface (liquid part, wiring forming surface)

SL : 전자파 쉴드(전기 광학 장치) W1 : 배선 패턴(배선, 제 1 배선)SL: Electromagnetic shield (electro-optical device) W1: Wiring pattern (wiring, first wiring)

W2 : 배선 패턴(배선, 제 2 배선)W2: Wiring pattern (wiring, second wiring)

100 : 액정 표시 장치(전기 광학 장치)100: liquid crystal display device (electro-optical device)

400 : 비접촉형 카드 매체(전자기기)400: non-contact card medium (electronic device)

500 : 플라즈마형 표시 장치(전기 광학 장치)500: plasma display device (electro-optical device)

600 : 휴대 전화 본체(전자기기)600: mobile phone body (electronic device)

700 : 정보 처리 장치(전자기기)700: information processing device (electronic device)

800 : 시계 본체(전자기기)800: clock main body (electronic device)

Claims

절연층으로 덮이는 배선에, 상기 절연층을 관통하여 접속하기 위한 콘택트 홀을 형성하는 방법으로서, As a method of forming a contact hole for connecting through an insulating layer in a wiring covered with an insulating layer,

상기 배선상의 콘택트 홀 형성 영역에, 절연층 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하여 발액성(撥液性)을 갖는 발액 재료의 액적(液滴)을 도포하여 발액부를 형성하는 공정과, Forming a liquid repellent part by applying droplets of a liquid repellent material having liquid repellency to a liquid body containing an insulating layer forming material to the contact hole forming region on the wiring;

상기 발액부를 제외하고, 상기 배선을 덮어 상기 절연층 형성 재료를 포함하는 액적을 도포하여 절연층을 형성하는 공정A step of forming an insulating layer by applying a droplet including the insulating layer forming material to cover the wiring except for the liquid repellent portion

을 갖는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 형성 방법. Method for forming a contact hole, characterized in that having a.

제 1 항에 있어서, The method of claim 1,

상기 콘택트 홀의 직경을 상기 발액성 액적의 토출량으로 조정하는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 형성 방법.And a diameter of the contact hole is adjusted to a discharge amount of the liquid repellent droplet.

제 1 항에 있어서, The method of claim 1,

상기 발액 재료는 실란 화합물 및 플루오로알킬기를 갖는 화합물의 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 형성 방법. The liquid-repellent material comprises at least one of a silane compound and a compound having a fluoroalkyl group.

제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein

상기 실란 화합물은 자기 조직화막인 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 형성 방법. The silane compound is a contact hole forming method, characterized in that the self-organizing film.

제 1 항에 있어서, The method of claim 1,

상기 발액 재료는 불소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 형성 방법. And said liquid-repellent material comprises a fluorine compound.

제 1 항에 있어서, The method of claim 1,

배선 형성 재료를 포함하는 액적에 대하여 친액성(親液性)을 갖는 배선 형성면의 비배선 형성 영역에, 상기 배선 형성 재료를 포함하는 액상체에 대하여 발액성을 갖는 제 2 발액 재료의 액적을 도포하여 배선용 발액부를 형성하는 공정과, Droplets of the second liquid-repellent material having liquid repellency with respect to the liquid body containing the wiring-forming material are placed in the non-wiring-forming region of the wiring-forming surface which is lyophilic with respect to the droplet containing the wiring-forming material. Forming a liquid repellent part for wiring by coating;

상기 배선용 발액부의 사이의 친액부에 상기 배선 형성 재료를 포함하는 액적을 도포하여 상기 배선을 형성하는 공정A step of forming the wiring by applying a droplet containing the wiring forming material to the lyophilic portion between the wiring liquid repellent portion

을 더 갖는 것을 특징으로 하는 콘택트 홀 형성 방법. The contact hole forming method further comprising.

절연층으로 덮이는 배선에, 상기 절연층을 관통하여 접속하는 도전 포스트를 형성하는 방법으로서, As a method of forming the conductive post which penetrates the said insulating layer and connects to the wiring covered by an insulating layer,

청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 콘택트 홀 형성 방법에 의해 콘택트 홀을 형성하는 공정과, Forming a contact hole by the contact hole forming method according to any one of claims 1 to 6,

형성된 콘택트 홀에 도전 재료를 포함하는 액적을 도포하여 도전 포스트를 형성하는 공정Applying a droplet containing a conductive material to the formed contact hole to form a conductive post

을 갖는 것을 특징으로 하는 도전 포스트 형성 방법. A conductive post forming method, comprising:

제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein

상기 발액부에 에너지광을 조사하는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 도전 포스트 형성 방법. And a step of irradiating energy light to the liquid repelling unit.

제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein

적어도 상기 발액부와 상기 도전 포스트를 가열하여, 상기 배선과 상기 도전 포스트를 용착(溶着)시키는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 도전 포스트 형성 방법. And a step of heating at least the liquid repelling unit and the conductive post to weld the wiring and the conductive post.

절연층으로 덮이는 배선에, 상기 절연층을 관통하는 콘택트 홀을 통해 접속하는 제 2 배선을 형성하는 배선 패턴 형성 방법으로서, A wiring pattern forming method for forming a second wiring connected to a wiring covered with an insulating layer through a contact hole passing through the insulating layer,

상기 절연층을 경화시키는 공정과, Curing the insulating layer;

상기 발액부 및 상기 절연층에 에너지광을 조사하는 공정과, Irradiating energy light onto the liquid repelling unit and the insulating layer;

상기 절연층 상 및 상기 콘택트 홀에 걸쳐, 상기 제 2 배선을 형성하는 공정Forming the second wiring over the insulating layer and the contact hole;

을 갖는 것을 특징으로 하는 배선 패턴 형성 방법. The wiring pattern forming method characterized by having.

제 10 항에 있어서, The method of claim 10,

상기 절연층 상 및 상기 콘택트 홀에 걸치는 제 2 배선 형성 영역에, 도전 재료를 포함하는 액적을 도포하여 상기 제 2 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴 형성 방법. And forming a second wiring by applying a droplet containing a conductive material to the second wiring formation region over the insulating layer and over the contact hole.

제 10 항에 있어서, The method of claim 10,

상기 절연층 상 및 상기 콘택트 홀에 걸치는 제 2 배선 형성 영역에, 도금용 촉매 재료를 포함하는 액적을 도포하여 도금용 촉매층을 형성하는 공정과, Forming a plating catalyst layer by applying a droplet containing a plating catalyst material to the second wiring forming region on the insulating layer and over the contact hole;

도금 처리에 의해 상기 도금용 촉매층 상에 상기 제 2 배선을 형성하는 공정Forming the second wiring on the catalyst layer for plating by plating;

을 더 갖는 것을 특징으로 하는 배선 패턴 형성 방법. The wiring pattern forming method characterized by further having.

절연층을 거쳐 제 1 배선 및 제 2 배선이 적층되고, 상기 제 1 배선과 상기 제 2 배선이 콘택트 홀을 통해 접속되는 다층 배선 기판의 제조 방법으로서, A method of manufacturing a multilayer wiring board in which a first wiring and a second wiring are laminated via an insulating layer, and the first wiring and the second wiring are connected through a contact hole.

상기 콘택트 홀을 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 콘택트 홀 형성 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 배선 기판의 제조 방법. The said contact hole is formed by the contact hole formation method in any one of Claims 1-6, The manufacturing method of the multilayer wiring board characterized by the above-mentioned.

청구항 13에 기재된 다층 배선 기판의 제조 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전자기기 제조 방법. The manufacturing method of the multilayer wiring board of Claim 13 is used, The electronic device manufacturing method characterized by the above-mentioned.