KR20080110007A - Apparatus for treating substrate and method for cleaning nozzle thereof - Google Patents

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Abstract

A cleaning solution of an equipped nozzle and substrate processing apparatus are provided to minimize a process failure by drug solution used for a board processing. A substrate processing apparatus comprises a medicinal fluid treatment part, and a nozzle cleaning part. The medicinal fluid treatment part has a drug solution nozzle(242), and a intake member. The drug solution nozzle sprays the drug solution on the top of the substrate. The intake member inhales the drug solution within the drug solution nozzle and moves the drug solution to the opposite direction of the chemical dispense direction. The nozzle cleaning part is neighbor-arranged with the medicinal fluid treatment part. The nozzle cleaning part washes the drug solution nozzle prepared for the process progress. The nozzle cleaning part comprises the housing(310), and the lavation supply member. The housing provides the space in which the drug solution nozzle is prepared. The lavation supply member supplies the washing solution to the leading end of the positioned drug solution nozzle in the housing.

Description

기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐의 세정 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR CLEANING NOZZLE THEREOF}Substrate processing apparatus and cleaning method for a nozzle provided therein {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR CLEANING NOZZLE THEREOF}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 측단면도,1 is a side cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention;

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도,2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1;

도 3은 도 2의 노즐 세정부의 측단면도,3 is a side cross-sectional view of the nozzle cleaner of FIG. 2;

도 4a 내지 도 4f는 약액 노즐의 세정 과정을 보여주는 도면들,4A to 4F are views illustrating a cleaning process of a chemical liquid nozzle,

도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 다른 예를 보여주는 평면도이다.5 is a plan view showing another example of a substrate processing apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 처리실 200 : 약액 처리부100: processing chamber 200: chemical liquid processing unit

240 : 약액 공급 부재 242 : 약액 노즐240: chemical liquid supply member 242: chemical liquid nozzle

252 : 흡입 부재 300 : 노즐 세정부252: suction member 300: nozzle cleaning unit

310 : 하우징 312 : 세정액 라인310: housing 312: cleaning liquid line

314 : 건조 가스 라인 400 : 불용액 배스314 dry gas line 400 insoluble bath

본 발명은 기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐을 세정하는 방법에 관한 것 이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method for cleaning a nozzle provided therein.

일반적으로 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 이온 주입 공정, 증착 공정, 사진 공정 및 식각 공정 등과 같은 다수의 단위 공정들이 요구된다. 이러한 단위 공정들 중에서 사진(Photo-Lithography) 공정은 기판상에 원하는 패턴을 형성하기 위한 공정이다.In general, manufacturing a semiconductor device requires a number of unit processes such as an ion implantation process, a deposition process, a photo process, and an etching process. Among these unit processes, a photo-lithography process is a process for forming a desired pattern on a substrate.

사진 공정은 기판의 표면에 포토레지스트(Photoresist)와 같은 감광 물질을 균일하게 도포하고, 도포된 감광막 위에 소정의 레이아웃으로 형성된 포토마스크 상의 특정 패턴에 따라 노광 공정을 수행하며, 노광된 감광막의 불필요한 부위를 현상액으로 제거함으로써, 요구되는 패턴으로 형성하는 공정을 말한다.The photographing process uniformly applies a photosensitive material such as a photoresist to the surface of the substrate, performs an exposure process according to a specific pattern on a photomask formed in a predetermined layout on the applied photoresist, and unnecessary portions of the exposed photoresist film. The process of forming in a required pattern by removing with a developing solution is said.

이 중 감광막을 도포하는 공정은 포토레지스트와 같은 감광 물질이 저장된 약액 용기로부터 펌프로 공급되는 감광 물질을 노즐 측으로 펌핑하고, 노즐을 통해 감광 물질을 기판상에 분사함으로써 수행되며, 기판상에 도포된 감광막의 두께는 포토레지스트의 점성 계수, 다중체 함량 및 기판의 회전 속도 등에 의해 영향을 받는다.The process of applying the photosensitive film is performed by pumping the photosensitive material supplied to the pump from the chemical liquid container in which the photosensitive material such as photoresist is stored to the nozzle side, and spraying the photosensitive material on the substrate through the nozzle. The thickness of the photoresist film is influenced by the viscosity coefficient of the photoresist, the multimer content and the rotational speed of the substrate.

본 발명은 기판을 처리하는 약액에 의한 공정 불량을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐의 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing process defects caused by a chemical liquid for processing a substrate and a cleaning method of a nozzle provided therein.

또한, 본 발명은 기판 처리에 사용되는 약액의 소모량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐의 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can reduce the consumption of the chemical liquid used in the substrate processing and a cleaning method of the nozzle provided therein.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판상에 약액을 분사하는 약액 노즐과, 상기 약액 노즐 내의 약액을 흡입하여 약액 분사 방향의 반대 방향으로 약액을 이동시키는 흡입 부재를 가지는 약액 처리부와; 상기 약액 처리부에 인접 배치되며, 그리고 공정 진행을 위해 대기 중인 상기 약액 노즐을 세정하는 노즐 세정부;를 포함하되, 상기 노즐 세정부는 상기 약액 노즐이 대기하는 공간을 제공하는 하우징과; 상기 하우징에 위치한 상기 약액 노즐의 선단으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재;를 포함한다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention has a chemical liquid nozzle for injecting a chemical liquid onto a substrate, and a chemical liquid having a suction member for sucking the chemical liquid in the chemical liquid nozzle and moving the chemical liquid in a direction opposite to the chemical liquid injection direction. A processing unit; A nozzle cleaning unit disposed adjacent to the chemical processing unit and cleaning the chemical liquid nozzle waiting to proceed with the process, wherein the nozzle cleaning unit includes a housing providing a space in which the chemical liquid nozzle waits; And a cleaning liquid supply member supplying the cleaning liquid to the front end of the chemical liquid nozzle located in the housing.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정액 공급 부재는 상기 약액 노즐의 선단으로 세정액을 공급하도록 상기 하우징에 형성되는 세정액 공급 라인으로 마련될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above, the cleaning liquid supply member may be provided with a cleaning liquid supply line formed in the housing to supply the cleaning liquid to the tip of the chemical liquid nozzle.

상기 하우징에는 상기 약액 노즐로 건조 가스를 분사하는 건조 가스 라인이 형성될 수 있다.The housing may be a dry gas line for injecting a dry gas to the chemical nozzle.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판상에 약액을 분사하는 약액 노즐과, 상기 약액 노즐 내의 약액을 흡입하여 약액 분사 방향의 반대 방향으로 약액을 이동시키는 흡입 부재를 가지는 약액 처리부와; 공정 진행을 위해 대기 중인 상기 약액 노즐을 세정하는 노즐 세정부와; 상기 약액 처리부와 상기 노즐 세정부의 사이에 배치되며, 상기 약액과 혼합되지 않는 불용액이 채워진 불용액 배스;를 포함하되, 상기 노즐 세정부는 상기 약액 노즐이 대기하는 공간을 제공하는 하우징과; 상기 하우징에 위치한 상기 약액 노즐의 선단으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재;를 포함한다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention has a chemical liquid nozzle for injecting a chemical liquid onto a substrate, and a chemical liquid having a suction member for sucking the chemical liquid in the chemical liquid nozzle and moving the chemical liquid in a direction opposite to the chemical liquid injection direction. A processing unit; A nozzle cleaner for cleaning the chemical liquid nozzle waiting for the process to proceed; An insoluble solution bath disposed between the chemical processing unit and the nozzle cleaning unit and filled with an insoluble solution that is not mixed with the chemical solution, wherein the nozzle cleaning unit comprises: a housing providing a space in which the chemical liquid nozzle waits; And a cleaning liquid supply member supplying the cleaning liquid to the front end of the chemical liquid nozzle located in the housing.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정액 공급 부재는 상기 약액 노즐의 선단으로 세정액을 공급하도록 상기 하우징에 형성되는 세정액 공급 라인으로 마련되고, 상기 하우징에는 상기 약액 노즐로 건조 가스를 분사하는 건조 가스 라인이 형성될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above, the cleaning liquid supply member is provided with a cleaning liquid supply line formed in the housing to supply the cleaning liquid to the tip of the chemical liquid nozzle, and the chemical liquid nozzle in the housing. Dry gas lines for injecting dry gas into the furnace may be formed.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 노즐 세정 방법은, 약액 노즐을 세정하는 방법에 있어서, 상기 약액 노즐의 토출구에 인접한 영역으로 세정액을 분사하면서 상기 약액 노즐 내의 약액을 흡입하여 상기 약액 노즐의 토출구로 세정액을 유입시킨다.In order to achieve the above object, the nozzle cleaning method according to the present invention is a method for cleaning a chemical liquid nozzle, wherein the chemical liquid is sucked into the chemical liquid nozzle while spraying the cleaning liquid to a region adjacent to the discharge port of the chemical liquid nozzle to The cleaning liquid is introduced into the discharge port.

상술한 바와 같은 특징을 가지는 본 발명에 의한 노즐 세정 방법에 있어서, 상기 약액 노즐의 토출구에 인접한 영역으로 세정액을 분사하기 전에 상기 약액 노즐 내의 약액을 흡입하여 약액의 액면을 약액 분사 방향의 반대 방향으로 이동시킬 수 있다.In the nozzle cleaning method according to the present invention having the characteristics as described above, the chemical liquid in the chemical liquid nozzle is sucked before the cleaning liquid is injected into a region adjacent to the discharge port of the chemical liquid nozzle, and the liquid surface of the chemical liquid is in a direction opposite to the chemical liquid spraying direction. You can move it.

상기 약액 노즐의 토출구에 인접한 영역으로 세정액을 분사하기 전의 상기 약액 노즐 내의 약액 흡입은 상기 약액 노즐의 토출구로 공기가 유입되도록 대기 상태에서 진행될 수 있다.The suction of the chemical liquid in the chemical liquid nozzle before the injection of the cleaning liquid to the area adjacent to the discharge port of the chemical liquid nozzle may be performed in a standby state so that air flows into the discharge hole of the chemical liquid nozzle.

상기 약액 노즐의 토출구에 인접한 영역으로 세정액을 분사하기 전의 상기 약액 노즐 내의 약액 흡입은 상기 약액 노즐의 토출구로 상기 약액과 혼합되지 않는 불용액이 유입되도록 상기 불용액이 채워진 배스에서 진행될 수 있다.The suction of the chemical liquid in the chemical liquid nozzle before the injection of the cleaning liquid into the area adjacent to the discharge port of the chemical liquid nozzle may be performed in a bath filled with the insoluble liquid such that an insoluble liquid not mixed with the chemical liquid flows into the discharge hole of the chemical liquid nozzle.

상기 약액 노즐로 건조 가스를 공급하여 상기 약액 노즐의 외벽을 적시는 세정액을 건조할 수 있다.The cleaning liquid may be dried by supplying a drying gas to the chemical liquid nozzle to wet the outer wall of the chemical liquid nozzle.

상기 약액 노즐의 토출구로 세정액을 유입시켜 상기 약액 노즐을 세정 처리하는 공정은 상기 약액 노즐이 대기하는 위치에서 진행될 수 있다.The process of cleaning the chemical liquid nozzle by introducing a cleaning liquid into the discharge port of the chemical liquid nozzle may be performed at a position where the chemical liquid nozzle is waiting.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐의 세정 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus and a cleaning method of a nozzle provided therein according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible, even if shown on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

( 실시 예 )(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 측단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a side cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 처리실(100)과, 약액 처리부(200) 및 노즐 세정부(300)를 포함한다. 처리실(100)은 기판 처리 공정이 진행되는 공간을 제공하고, 처리실(100)의 측벽(110)에는 처리실(100)로 기판을 반출입하기 위한 개구(112)가 형성된다. 처리실(100)의 내측에는 약액 처리부(200)와 노즐 세정부(300)가 설치된다. 약액 처리부(200)는 기판상으로 약액을 공급하여 기판을 처리한다. 그리고, 노즐 세정부(300)는 약액 처리부(200) 의 약액 노즐(242)이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하고, 공정 진행을 위해 대기 중인 약액 노즐(242)을 세정한다.1 and 2, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a processing chamber 100, a chemical liquid processing unit 200, and a nozzle cleaning unit 300. The process chamber 100 provides a space where a substrate processing process is performed, and an opening 112 for carrying in and out of the substrate into the process chamber 100 is formed in the sidewall 110 of the process chamber 100. The chemical processing unit 200 and the nozzle cleaning unit 300 are installed inside the processing chamber 100. The chemical liquid processing unit 200 supplies the chemical liquid onto the substrate to process the substrate. Then, the nozzle cleaner 300 provides a place where the chemical liquid nozzle 242 of the chemical liquid processing unit 200 waits for the process progress, and cleans the chemical liquid nozzle 242 that is waiting for the process progress.

약액 처리부(200)는 기판 지지 부재(210), 바울부(220) 및 약액 공급 부재(240)를 포함한다.The chemical processing unit 200 includes a substrate support member 210, a paul 220, and a chemical liquid supply member 240.

기판 지지 부재(210)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 모터 등의 회전 구동 부재(212)에 의해 회전된다. 기판 지지 부재(210)는 원형의 상부 면을 가지는 지지판(214)을 가지며, 지지판(214)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재(216)들이 설치된다. The substrate supporting member 210 supports the substrate W during the process and is rotated by the rotation driving member 212 such as a motor during the process. The substrate support member 210 has a support plate 214 having a circular top surface, and pin members 216 for supporting the substrate W are installed on the upper surface of the support plate 214.

기판 지지 부재(210)의 둘레에는 바울부(220)가 배치된다. 바울부(220)는 대체로 원통 형상을 가지며, 하부 벽(222)에는 배기 홀(224)이 형성되고, 배기 홀(224)에는 배기관(226)이 연통 설치된다. 배기관(226) 상에는 펌프와 같은 배기 부재(228)가 배치되며, 배기 부재(228)는 기판(W)의 회전에 의해 비산된 약액을 포함하는 용기 내부의 공기를 배기시키도록 음압을 제공한다.The pole part 220 is disposed around the substrate support member 210. The paul 220 has a generally cylindrical shape, an exhaust hole 224 is formed in the lower wall 222, and an exhaust pipe 226 is installed in the exhaust hole 224. An exhaust member 228, such as a pump, is disposed on the exhaust pipe 226, and the exhaust member 228 provides a negative pressure to exhaust air inside the container containing the chemical liquid scattered by the rotation of the substrate W.

약액 공급 부재(240)는 기판 지지 부재(210) 상에 놓인 기판(W)의 상면으로 약액을 공급한다. 약액 공급 부재(240)는 수직하게 배치되며 기판(W)으로 약액을 공급하는 약액 노즐(242)을 가진다. 약액 노즐(242)은 노즐 지지대(243)에 의해 지지된다. 노즐 지지대(243)는 수평 방향으로 배치되고 그 일단은 약액 노즐(242)의 끝단에 결합된다. 노즐 지지대(243)의 타단에는 노즐 지지대(243)와 직각을 유지하도록 수직 방향으로 배치된 이동 로드(244)가 결합된다. 이동 로드(244)는 약액 처리부(200)와 노즐 세정부(300)의 배치 방향으로 설치된 가이드 레일(245)을 따라 직선 이동되며, 도시되지 않은 구동 부재에 의해 상하 이동이 가능하다.The chemical liquid supply member 240 supplies the chemical liquid to the upper surface of the substrate W placed on the substrate support member 210. The chemical liquid supply member 240 is vertically disposed and has a chemical liquid nozzle 242 for supplying the chemical liquid to the substrate W. The chemical liquid nozzle 242 is supported by the nozzle support 243. The nozzle support 243 is disposed in the horizontal direction and one end thereof is coupled to the end of the chemical liquid nozzle 242. The other end of the nozzle support 243 is coupled to the moving rod 244 disposed in the vertical direction so as to maintain a right angle with the nozzle support 243. The moving rod 244 is linearly moved along the guide rail 245 provided in the arrangement direction of the chemical processing unit 200 and the nozzle cleaning unit 300, and can be vertically moved by a driving member (not shown).

약액 노즐(242)에는 약액 공급 라인(250)이 접속되고, 약액 공급 라인(250)은 약액을 수용하는 약액 공급원(251)에 연결된다. 약액 공급 라인(250) 상에는 흡입 부재(252), 공기 조작 밸브(253), 필터(254) 및 펌프(255)가 하류 쪽에서 순서대로 설치된다. 흡입 부재(252)는 약액 노즐(252)을 이용한 약액의 분사 공정 후 약액 노즐(252) 내의 약액을 흡입하여 약액을 약액 분사 방향의 반대 방향으로 이동시키기 위한 것으로, 석백 밸브(Suckback Valve)가 사용될 수 있다. 1회의 흡입 작용을 하는 통상적인 석백 밸브의 경우에는 약액 공급 라인(250) 상에 2 개소 이상 설치될 수 있으며, 이와 달리 연속적인 다단계의 흡입 작용이 가능한 모터 구동 방식의 석백 밸브가 사용될 수도 있다. 펌프(255)로는 신축가능한 벨로즈를 가진 벨로즈 펌프나, 액체의 압력으로 수축하여 감광액을 송출하는 튜브프램(Tubephragm)을 가진 튜브프램 펌프가 사용될 수 있다.The chemical liquid supply line 250 is connected to the chemical liquid nozzle 242, and the chemical liquid supply line 250 is connected to a chemical liquid supply source 251 containing the chemical liquid. On the chemical liquid supply line 250, the suction member 252, the air operation valve 253, the filter 254 and the pump 255 are provided in the downstream order. The suction member 252 is for sucking the chemical liquid in the chemical liquid nozzle 252 after the chemical liquid spraying process using the chemical liquid nozzle 252 to move the chemical liquid in a direction opposite to the chemical liquid spraying direction, and a suckback valve may be used. Can be. In the case of a conventional suction bag valve having a single suction action, two or more locations may be installed on the chemical liquid supply line 250. Alternatively, a motor driven suction valve may be used that enables a continuous multi-stage suction action. The pump 255 may be a bellows pump having a flexible bellows, or a tubephragm pump having a tubephragm that contracts to a pressure of the liquid and delivers the photosensitive liquid.

노즐 세정부(300)는 처리실(100) 내의 약액 처리부(200)의 일 측에 설치된다. 노즐 세정부(300)는 약액 처리부(200)의 약액 노즐(242)이 공정 진행을 위해 대기하는 장소를 제공하고, 공정 진행을 위해 대기 중인 약액 노즐(242)을 세정한다.The nozzle cleaner 300 is installed at one side of the chemical processing unit 200 in the processing chamber 100. The nozzle cleaning unit 300 provides a place where the chemical liquid nozzle 242 of the chemical liquid processing unit 200 waits for the process progress, and cleans the chemical liquid nozzle 242 that is waiting for the process progress.

도 3은 도 2의 노즐 세정부의 측단면도이다. 3 is a side cross-sectional view of the nozzle cleaner of FIG. 2.

도 3을 참조하면, 노즐 세정부(300)는 상부가 개방되고, 약액 노즐(242)이 대기하는 공간(S)을 제공하는 하우징(310)을 포함한다. 하우징(310)의 내부 공간(S)은 약액 노즐(242)의 선단부에 대응하는 오목한 형상을 가진다. 그리고, 하우 징(310)에는 내부 공간(S)에 놓인 약액 노즐(242)의 선단으로 세정액을 공급하는 세정액 라인(312)과, 건조 가스를 공급하는 건조 가스 라인(314)이 형성된다. 세정액 라인(312)에는 세정액 공급원(미도시)에 접속된 세정액 공급관(313)이 연결되고, 건조 가스 라인(314)에는 건조 가스 공급원(미도시)에 접속된 건조 가스 공급관(315)이 연결된다. 그리고, 하우징(310)에는 배출 라인(316)이 형성되며, 배출 라인(316)은 세정액 라인(312)으로부터 약액 노즐(242)의 선단부로 공급된 후 낙하하는 세정액 또는 약액 노즐(242)로부터 배출되는 약액 등을 외부로 배출한다.Referring to FIG. 3, the nozzle cleaner 300 includes a housing 310 in which an upper portion thereof is opened and provides a space S in which the chemical liquid nozzle 242 waits. The internal space S of the housing 310 has a concave shape corresponding to the tip of the chemical nozzle 242. The housing 310 is provided with a cleaning liquid line 312 for supplying a cleaning liquid to the front end of the chemical liquid nozzle 242 placed in the internal space S, and a dry gas line 314 for supplying a dry gas. The cleaning solution line 312 is connected to a cleaning solution supply pipe 313 connected to a cleaning solution supply source (not shown), and the drying gas line 314 is connected to a drying gas supply pipe 315 connected to a drying gas supply source (not shown). . In addition, a discharge line 316 is formed in the housing 310, and the discharge line 316 is discharged from the cleaning liquid or the chemical liquid nozzle 242 that falls after being supplied from the cleaning liquid line 312 to the front end of the chemical liquid nozzle 242. Drain the chemical liquid to the outside.

상술한 바와 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치(10)를 이용하여 기판을 처리하고, 기판 처리에 사용된 노즐을 세정하는 과정을 설명하면 다음과 같다.A process of processing a substrate using the substrate processing apparatus 10 having the above-described configuration, and cleaning a nozzle used for the substrate processing will be described as follows.

도 4a 내지 도 4f는 약액 노즐의 세정 과정을 보여주는 도면들이다.4A to 4F are views illustrating a cleaning process of a chemical liquid nozzle.

도 2 및 도 4a 내지 도 4f를 참조하면, 먼저 처리실(100)의 개구(112)를 통해 기판(W)이 처리실(100)로 반입되고, 반입된 기판(W)은 기판 지지 부재(210) 상에 놓인다. 이후, 이동 로드(244)가 가이드 레일(245)에 의해 안내되어 직선 이동함에 따라 노즐 세정부(300)에서 공정 대기 중인 약액 노즐(242)이 기판 상부 공간으로 이동한다. 약액 노즐(242)은 도시되지 않은 구동 부재에 의해 아래 방향으로 이동하여 기판 지지 부재(210)에 놓인 기판과 일정 간격을 유지한다. 이 상태에서 약액 노즐(242)은 기판(W) 상으로 약액을 공급하고, 회전 구동 부재(212)는 기판 지지 부재(210)를 회전시켜 기판(W)을 회전시킨다. 약액에 의한 기판 처리 공정이 진행되는 동안 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 약액은 바울부(220)의 배기관(226)을 통해 외부로 배출된다. 2 and 4A to 4F, the substrate W is first loaded into the processing chamber 100 through the opening 112 of the processing chamber 100, and the loaded substrate W is the substrate supporting member 210. Is put on. Thereafter, as the moving rod 244 is guided by the guide rail 245 and moves linearly, the chemical liquid nozzle 242 waiting for the process in the nozzle cleaner 300 moves to the upper space of the substrate. The chemical liquid nozzle 242 is moved downward by a driving member (not shown) to maintain a predetermined distance from the substrate placed on the substrate supporting member 210. In this state, the chemical liquid nozzle 242 supplies the chemical liquid onto the substrate W, and the rotation driving member 212 rotates the substrate supporting member 210 to rotate the substrate W. During the substrate treating process by the chemical liquid, the chemical liquid scattered by the rotation of the substrate W is discharged to the outside through the exhaust pipe 226 of the paul part 220.

약액을 이용한 기판 처리 공정이 완료되면, 흡입 부재(252)는 약액 노즐(242) 내의 약액을 1 차적으로 흡입하여 약액의 액면을 약액 분사 방향의 반대 방향으로 후퇴시킨다. 이때, 흡입 부재(252)에 의한 약액의 흡입이 대기 상태에서 진행되기 때문에, 약액이 후퇴하여 형성되는 약액 노즐(242) 선단의 공간에는 공기가 유입된다. 그리고, 앞서 설명한 과정의 역순에 의해 약액 노즐(242)이 노즐 세정부(300)의 하우징(310)으로 이동된다.(도 4a)When the substrate treating process using the chemical liquid is completed, the suction member 252 primarily sucks the chemical liquid in the chemical liquid nozzle 242 to retract the liquid surface of the chemical liquid in the direction opposite to the chemical liquid injection direction. At this time, since the suction of the chemical liquid by the suction member 252 proceeds in the standby state, air flows into the space at the tip of the chemical liquid nozzle 242 formed by retreating the chemical liquid. In addition, the chemical liquid nozzle 242 is moved to the housing 310 of the nozzle cleaner 300 in the reverse order of the above-described process (FIG. 4A).

노즐 세정부(300)의 하우징(310)에 약액 노즐(242)이 놓이면, 하우징(310)에 형성된 세정액 라인(312)을 통해 약액 노즐(242)의 선단에 인접한 영역으로 세정액이 공급된다. 약액 노즐(242)의 선단에 공급되는 약액은 약액 노즐(242) 선단의 외벽을 적시면서 낙하하고, 배출 라인(316)을 통해 외부로 배출된다.(도 4b)When the chemical liquid nozzle 242 is placed in the housing 310 of the nozzle cleaner 300, the cleaning liquid is supplied to a region adjacent to the front end of the chemical liquid nozzle 242 through the cleaning liquid line 312 formed in the housing 310. The chemical liquid supplied to the front end of the chemical liquid nozzle 242 drops while wetting the outer wall of the front end of the chemical liquid nozzle 242, and is discharged to the outside through the discharge line 316 (FIG. 4B).

세정액 라인(312)을 통해 약액 노즐(242)의 선단으로 세정액이 분사되는 동안 흡입 부재(252)는 약액 노즐(242) 내의 약액을 2차적으로 흡입한다. 흡입 부재(252)의 흡입 작용에 의해 약액 노즐(242) 내의 약액 및 공기 층이 후퇴하고, 이에 의해 형성되는 약액 노즐(242) 선단의 공간에는 세정액이 유입된다.(도 4c)The suction member 252 secondaryly sucks the chemical liquid in the chemical liquid nozzle 242 while the cleaning liquid is injected through the cleaning liquid line 312 to the tip of the chemical liquid nozzle 242. Due to the suction action of the suction member 252, the chemical liquid and the air layer in the chemical liquid nozzle 242 retreat, and the cleaning liquid flows into the space at the tip of the chemical liquid nozzle 242 formed thereby (FIG. 4C).

약액 노즐(242) 내에 약액, 공기 및 세정액의 층이 형성되면 세정액 라인(312)을 통한 세정액의 공급을 중단한다. 그러면, 도 4d에 도시된 바와 같이 약액 노즐(242)의 선단에 세정액 방울이 맺혀 세정액이 약액 노즐(242)의 선단을 적시게 된다.(도 4d)When a layer of chemical liquid, air, and cleaning liquid is formed in the chemical liquid nozzle 242, the supply of the cleaning liquid through the cleaning liquid line 312 is stopped. Then, as shown in FIG. 4D, a cleaning liquid droplet is formed at the front end of the chemical liquid nozzle 242 so that the cleaning liquid wets the front end of the chemical liquid nozzle 242 (FIG. 4D).

세정액의 공급을 중단한 후, 하우징(310)에 형성된 건조 가스 라인(314)을 통해 약액 노즐(242)의 선단에 인접한 영역으로 건조 가스가 공급된다. 건조 가스 는 약액 노즐(242) 선단의 외벽을 적시고 있는 세정액을 건조시킨다.(도 4e)After the supply of the cleaning liquid is stopped, the drying gas is supplied to a region adjacent to the front end of the chemical liquid nozzle 242 through the dry gas line 314 formed in the housing 310. The drying gas dries the cleaning liquid that wets the outer wall of the tip of the chemical liquid nozzle 242 (FIG. 4E).

이러한 상태에서 약액 노즐(242)은 노즐 세정부(300)의 하우징(310)에서 공정 진행을 대기한다.(도 4f) 그리고, 공정 진행을 위해 약액 처리부(200)로 이동되기 전에 약액 노즐(242) 내부의 소량의 약액, 공기 및 세정액을 배출한다.In this state, the chemical liquid nozzle 242 waits for the process to proceed in the housing 310 of the nozzle cleaner 300 (FIG. 4F). Then, the chemical liquid nozzle 242 is moved to the chemical liquid processing unit 200 to proceed with the process. ) Discharge a small amount of chemical, air and cleaning liquid inside.

이와 같이, 약액 노즐(242)이 공정 진행을 위해 대기하는 동안에 약액이 약액 노즐(242)의 외기와 접하는 것을 방지함으로써, 약액의 변질을 최소화하고, 이에 따른 공정 불량을 예방할 수 있다.As such, by preventing the chemical liquid from contacting the outside air of the chemical liquid nozzle 242 while the chemical liquid nozzle 242 is waiting for the process to proceed, it is possible to minimize the deterioration of the chemical liquid, thereby preventing the process failure.

또한, 약액 노즐(242)의 장시간 대기 시, 앞서 설명한 바와 같은 과정을 주기적으로 반복함으로써, 약액의 변질을 최소화하고, 설령 약액이 변질되더라도 그 소요 시간을 연장시킬 수 있다.In addition, when a long time waiting for the chemical liquid nozzle 242, by periodically repeating the above-described process, it is possible to minimize the deterioration of the chemical liquid, even if the chemical liquid is deteriorated it can be extended the required time.

이상에서 설명한 바와 같은 구성 및 작용으로 이루어진 기판 처리 장치는 도포 장치, 현상 장치, 세정 장치, 식각 장치 등 기판상에 약액을 공급하여 기판을 처리하는 다양한 종류의 장치들에 적용될 수 있다.The substrate processing apparatus having the configuration and operation as described above may be applied to various kinds of apparatuses for treating a substrate by supplying a chemical liquid onto the substrate, such as an application apparatus, a developing apparatus, a cleaning apparatus, and an etching apparatus.

한편, 도 4a를 참조하여 설명한 약액의 1 차적인 흡입 과정은 대기 상태 이외에도 약액과 혼합되지 않는 불용액이 채워진 배스에서 진행될 수도 있다. 이를 위해, 도 5에 도시된 바와 같이, 약액 처리부(200)와 노즐 세정부(300)의 사이에는 불용액 배스(400)가 설치될 수 있다. 불용액으로는, 예를 들어 기판 처리에 사용되는 약액이 포토레지스트와 같은 감광액일 경우, 탈이온수 등이 사용될 수 있다.Meanwhile, the primary inhalation process of the chemical solution described with reference to FIG. 4A may be performed in a bath filled with an insoluble solution that is not mixed with the chemical solution in addition to the standby state. To this end, as shown in FIG. 5, an insoluble bath 400 may be installed between the chemical processing unit 200 and the nozzle cleaning unit 300. As an insoluble solution, deionized water or the like can be used, for example, when the chemical liquid used for substrate processing is a photosensitive liquid such as a photoresist.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질 적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 기판 처리에 사용되는 약액에 의한 공정 불량을 최소화할 수 있다.As described above, according to the present invention, process defects caused by the chemical liquid used for the substrate treatment can be minimized.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 처리에 사용되는 약액의 소모량을 줄일 수 있다.Moreover, according to this invention, the consumption amount of the chemical liquid used for a substrate process can be reduced.

Claims (11)

기판상에 약액을 분사하는 약액 노즐과, 상기 약액 노즐 내의 약액을 흡입하여 약액 분사 방향의 반대 방향으로 약액을 이동시키는 흡입 부재를 가지는 약액 처리부와;A chemical liquid processing unit having a chemical liquid nozzle for injecting the chemical liquid on the substrate, and a suction member for sucking the chemical liquid in the chemical liquid nozzle and moving the chemical liquid in a direction opposite to the chemical liquid injection direction; 상기 약액 처리부에 인접 배치되며, 그리고 공정 진행을 위해 대기 중인 상기 약액 노즐을 세정하는 노즐 세정부;를 포함하되,And a nozzle cleaning unit disposed adjacent to the chemical processing unit and cleaning the chemical liquid nozzle waiting for the process to proceed. 상기 노즐 세정부는,The nozzle cleaning unit, 상기 약액 노즐이 대기하는 공간을 제공하는 하우징과;A housing providing a space in which the chemical liquid nozzle is waiting; 상기 하우징에 위치한 상기 약액 노즐의 선단으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a cleaning liquid supplying member supplying the cleaning liquid to the tip of the chemical liquid nozzle located in the housing. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정액 공급 부재는 상기 약액 노즐의 선단으로 세정액을 공급하도록 상기 하우징에 형성되는 세정액 공급 라인으로 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the cleaning liquid supply member is provided with a cleaning liquid supply line formed in the housing to supply the cleaning liquid to the tip of the chemical nozzle. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 하우징에는 상기 약액 노즐로 건조 가스를 분사하는 건조 가스 라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a dry gas line for injecting dry gas into the chemical liquid nozzle in the housing. 기판상에 약액을 분사하는 약액 노즐과, 상기 약액 노즐 내의 약액을 흡입하여 약액 분사 방향의 반대 방향으로 약액을 이동시키는 흡입 부재를 가지는 약액 처리부와;A chemical liquid processing unit having a chemical liquid nozzle for injecting the chemical liquid on the substrate, and a suction member for sucking the chemical liquid in the chemical liquid nozzle and moving the chemical liquid in a direction opposite to the chemical liquid injection direction; 공정 진행을 위해 대기 중인 상기 약액 노즐을 세정하는 노즐 세정부와;A nozzle cleaner for cleaning the chemical liquid nozzle waiting for the process to proceed; 상기 약액 처리부와 상기 노즐 세정부의 사이에 배치되며, 상기 약액과 혼합되지 않는 불용액이 채워진 불용액 배스;를 포함하되,And an insoluble solution bath disposed between the chemical processing unit and the nozzle cleaning unit and filled with an insoluble solution that is not mixed with the chemical solution. 상기 노즐 세정부는,The nozzle cleaning unit, 상기 약액 노즐이 대기하는 공간을 제공하는 하우징과;A housing providing a space in which the chemical liquid nozzle is waiting; 상기 하우징에 위치한 상기 약액 노즐의 선단으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a cleaning liquid supplying member supplying the cleaning liquid to the tip of the chemical liquid nozzle located in the housing. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 세정액 공급 부재는 상기 약액 노즐의 선단으로 세정액을 공급하도록 상기 하우징에 형성되는 세정액 공급 라인으로 마련되고,The cleaning liquid supply member is provided with a cleaning liquid supply line formed in the housing to supply the cleaning liquid to the tip of the chemical nozzle, 상기 하우징에는 상기 약액 노즐로 건조 가스를 분사하는 건조 가스 라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a dry gas line for injecting dry gas into the chemical liquid nozzle in the housing. 약액 노즐을 세정하는 방법에 있어서,In the method for cleaning the chemical liquid nozzle, 상기 약액 노즐의 토출구에 인접한 영역으로 세정액을 분사하면서 상기 약액 노즐 내의 약액을 흡입하여 상기 약액 노즐의 토출구로 세정액을 유입시키는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.And cleaning the liquid in the chemical liquid nozzle while injecting the cleaning liquid into a region adjacent to the discharge port of the chemical liquid nozzle to introduce the cleaning liquid into the discharge port of the chemical liquid nozzle. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 약액 노즐의 토출구에 인접한 영역으로 세정액을 분사하기 전에 상기 약액 노즐 내의 약액을 흡입하여 약액의 액면을 약액 분사 방향의 반대 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.And injecting the chemical liquid in the chemical liquid nozzle to move the liquid level of the chemical liquid in a direction opposite to the chemical liquid spraying direction before spraying the cleaning liquid to an area adjacent to the discharge port of the chemical liquid nozzle. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 약액 노즐의 토출구에 인접한 영역으로 세정액을 분사하기 전의 상기 약액 노즐 내의 약액 흡입은 상기 약액 노즐의 토출구로 공기가 유입되도록 대기 상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.And the chemical liquid suction in the chemical liquid nozzle before spraying the cleaning liquid to an area adjacent to the discharge port of the chemical liquid nozzle is performed in a standby state so that air flows into the discharge port of the chemical liquid nozzle. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 약액 노즐의 토출구에 인접한 영역으로 세정액을 분사하기 전의 상기 약액 노즐 내의 약액 흡입은 상기 약액 노즐의 토출구로 상기 약액과 혼합되지 않는 불용액이 유입되도록 상기 불용액이 채워진 배스에서 진행되는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.The inhalation of the chemical liquid in the chemical liquid nozzle before spraying the cleaning liquid to the area adjacent to the discharge port of the chemical liquid nozzle is carried out in the bath filled with the insoluble liquid so that the insoluble liquid not mixed with the chemical liquid flows into the discharge port of the chemical liquid nozzle. Cleaning method. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 약액 노즐로 건조 가스를 공급하여 상기 약액 노즐의 외벽을 적시는 세정액을 건조하는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.And supplying a drying gas to the chemical liquid nozzle to dry the cleaning liquid that wets the outer wall of the chemical liquid nozzle. 제 6 항 또는 제 10 항에 있어서,The method of claim 6 or 10, 상기 약액 노즐의 토출구로 세정액을 유입시켜 상기 약액 노즐을 세정 처리하는 공정은 상기 약액 노즐이 대기하는 위치에서 진행되는 것을 특징으로 하는 노즐 세정 방법.And cleaning the chemical liquid nozzle by introducing a cleaning liquid into a discharge port of the chemical liquid nozzle.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130315627A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Minoru Sugiyama Development processing device
KR20140141514A (en) * 2013-05-31 2014-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
KR20150137222A (en) * 2014-05-28 2015-12-09 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20150142865A (en) * 2014-06-12 2015-12-23 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20160013352A (en) * 2014-07-24 2016-02-04 세메스 주식회사 Clean unit, Apparatus for treating substrate
KR20160069611A (en) * 2014-12-08 2016-06-17 주식회사 디엠에스 Unit for cleaning nozzle lip cleaner
JP2020181950A (en) * 2019-04-26 2020-11-05 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2022105296A (en) * 2020-12-31 2022-07-13 セメス カンパニー，リミテッド Substrate processing apparatus and method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5965729B2 (en) * 2012-05-31 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 Nozzle cleaning apparatus, nozzle cleaning method, and substrate processing apparatus
JP2014184357A (en) * 2013-03-21 2014-10-02 Toshiba Corp Nozzle cleaning unit and nozzle cleaning method
KR101953266B1 (en) * 2019-01-10 2019-02-28 임형택 Semiconductor manufacturing equipment

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040053533A (en) * 2002-12-16 2004-06-24 삼성전자주식회사 Cleaning system for chemical jet nozzle and method thereof
KR20060028870A (en) * 2004-09-30 2006-04-04 삼성전자주식회사 Device for controlling dispense error of photo spinner equipment
KR20070036865A (en) * 2005-09-30 2007-04-04 세메스 주식회사 A cleaning device of a nozzle

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130315627A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Minoru Sugiyama Development processing device
US9927760B2 (en) * 2012-05-22 2018-03-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Development processing device
US10960426B2 (en) 2012-05-22 2021-03-30 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Development processing device
KR20140141514A (en) * 2013-05-31 2014-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
KR20150137222A (en) * 2014-05-28 2015-12-09 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20150142865A (en) * 2014-06-12 2015-12-23 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20160013352A (en) * 2014-07-24 2016-02-04 세메스 주식회사 Clean unit, Apparatus for treating substrate
KR20160069611A (en) * 2014-12-08 2016-06-17 주식회사 디엠에스 Unit for cleaning nozzle lip cleaner
JP2020181950A (en) * 2019-04-26 2020-11-05 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2022105296A (en) * 2020-12-31 2022-07-13 セメス カンパニー，リミテッド Substrate processing apparatus and method

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