KR20080085507A - 수직형 발광 소자의 제조방법 - Google Patents
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- 수직형 발광 소자의 제조방법에 있어서,기판 상에 반도체층을 성장하는 단계와;상기 반도체층의 단위 소자 구분영역에 상기 반도체층의 격벽이 형성되도록 상기 반도체층을 식각하는 단계와;상기 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와;상기 기판을 반도체층으로부터 분리하는 단계와;상기 기판이 분리된 반도체층의 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 반도체층을 식각하는 단계는, 상기 격벽이 단위 소자 구분영역에서 서로 이어지도록 하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 반도체층을 식각하는 단계는, 상기 단위 소자 구분영역 내에 한 쌍의 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 한 쌍의 트렌치의 폭은 상기 단위 소자 구분영역의 절반 이하인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 한 쌍의 트렌치는, 각각 상기 단위 소자 구분영역의 외측단부에 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1전극을 형성하는 단계는,오믹전극을 형성하는 단계와;상기 오믹전극 상에 반사전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1전극을 형성하는 단계 이후에는, 상기 제1전극 상에 결합금속을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 결합금속을 형성하는 단계 이후에는, 상기 결합금속 상에 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1전극을 형성하는 단계 이후에는, 상기 반도체층의 측면에 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 패시베이션층을 형성하는 단계는, 상기 반도체층을 식각하는 단계에 의하여 형성된 트렌치에 패시베이션 물질을 채우는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 수직형 발광 소자의 제조방법에 있어서,기판 상에 반도체층을 성장하는 단계와;상기 반도체층의 단위 소자 구분영역의 양 단부측 따라 길이방향으로 트렌치를 형성하는 단계와;상기 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계와;상기 기판을 반도체층으로부터 분리하는 단계와;상기 기판이 분리된 반도체층의 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계는, 상기 기판이 드러날 때까지 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
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