KR20080085433A - Apparatus for treating high temperature waste water used in substrate processing apparatus - Google Patents

Apparatus for treating high temperature waste water used in substrate processing apparatus Download PDF

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Abstract

An apparatus for treating high temperature waste water used in a substrate processing apparatus is provided to sufficiently lower temperature of the high temperature waste water by using a heat exchanger having a plurality of partition walls. A first pipe(110) discharges high temperature waste water used in a substrate processing apparatus. A heat exchanger(120) includes a heat exchange tank(122) that is connected to the first pipe and into which the high temperature waste water flows, and a plurality of partition walls(124) being arranged in the heat exchange tank and directing the high temperature waste water to flow in a zigzag form in the heat exchange tank in order to lower temperature of the high temperature waste water flowed through the first pipe. A second pipe(130) is connected to the heat exchanger to discharge the waste water of temperature being lowered in the heat exchanger. A check valve(132) is installed on the second pipe to prevent a countercurrent of the waste water.

Description

기판 처리 장치에 사용되는 고온 폐수 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING HIGH TEMPERATURE WASTE WATER USED IN SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}High temperature wastewater treatment apparatus used for substrate processing apparatus {APPARATUS FOR TREATING HIGH TEMPERATURE WASTE WATER USED IN SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 고온 폐수 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a high temperature wastewater treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 열 교환기를 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating the heat exchanger illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 격벽들의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram illustrating another example of the partition walls illustrated in FIG. 1.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 고온 폐수 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.4 is a schematic diagram illustrating a high temperature wastewater treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 기판 20 : 지지부재10 substrate 20 support member

30 : 냉각수 공급 배관 32 : 유량 제어 밸브30: cooling water supply pipe 32: flow control valve

100 : 고온 폐수 처리 장치 110 : 제1 배관100: high temperature wastewater treatment device 110: first pipe

112 : 제1 안전 밸브 120 : 열 교환기112: first safety valve 120: heat exchanger

122 : 열 교환 탱크 124 : 격벽122: heat exchange tank 124: partition wall

126 : 제2 안전 밸브 130 : 제2 배관126: second safety valve 130: second pipe

132 : 체크 밸브 140 : 샤워 노즐132: check valve 140: shower nozzle

142 : 제3 배관 144 : 연동 밸브142: third pipe 144: interlock valve

150 : 밸브 제어부 160 : 냉각핀150: valve control unit 160: cooling fin

본 발명은 가스 공급 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 기판 또는 유리 기판의 처리를 위한 가스를 공급하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply device. More specifically, the present invention relates to an apparatus for supplying a gas for processing a semiconductor substrate or a glass substrate.

일반적으로, 반도체 메모리 장치 또는 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치, OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 장치 등과 같은 평판 디스플레이 장치는 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판 또는 유리 기판 등에 대하여 다양한 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로써 제조될 수 있다.In general, a flat panel display device such as a semiconductor memory device or a liquid crystal display device, a plasma display device, an organic light emitting diode (OLED) display device, or the like is manufactured by repeatedly performing various unit processes on a semiconductor substrate or a glass substrate such as a silicon wafer. Can be.

예를 들면, 반도체 기판 또는 유리 기판과 같은 대상 기판에 대하여 막 형성 공정, 패터닝 공정, 세정 공정 등과 같은 단위 공정들이 수행됨으로써 상기 기판 상에는 목적하는 전기적 또는 광학적 특성들을 갖는 회로 패턴들이 형성될 수 있으며, 이들 단위 공정들은 목적하는 장치를 위해 제공되는 특정 레시피에 따라 클린룸 내에 위치되는 다양한 공정 설비들에 의해 수행될 수 있다.For example, by performing unit processes such as a film forming process, a patterning process, a cleaning process, and the like on a target substrate such as a semiconductor substrate or a glass substrate, circuit patterns having desired electrical or optical characteristics may be formed on the substrate. These unit processes can be performed by various process facilities located in a clean room according to the specific recipe provided for the desired apparatus.

상기 막 형성 공정은 대상 기판 상에 소스 물질을 제공하여 이들을 물리적 화학적으로 반응시킴으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 원자층 증착, 등과 같은 다양한 방법들이 적용될 수 있다. 상기 패터닝 공정은 상기 막 형성 공정에 의해 형성된 막을 목적하는 패턴들로 형성하기 위하여 수행되며, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 세정 공정 등과 같은 단위 공정들을 포함할 수 있다.The film forming process may be formed by providing a source material on a target substrate and reacting them physically and chemically. For example, various methods may be applied, such as chemical vapor deposition, physical vapor deposition, atomic layer deposition, and the like. The patterning process is performed to form the films formed by the film forming process into desired patterns, and may include unit processes such as a photolithography process, an etching process, a cleaning process, and the like.

상기 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정, 상기 포토레지스트 막을 경화시키기 위한 베이크 공정, 상기 경화된 포토레지스트 막 상에 레티클 패턴들을 전사하기 위한 노광 공정, 상기 전사된 레티클 패턴들을 형성화하기 위한 현상 공정, 상기 형상화된 포토레지스트 패턴들을 세정하기 위한 세정 공정 등을 포함할 수 있다.The photolithography process includes a photoresist coating process for forming a photoresist film on a substrate, a bake process for curing the photoresist film, an exposure process for transferring reticle patterns onto the cured photoresist film, and the transferred reticle A developing process for forming patterns, a cleaning process for cleaning the shaped photoresist patterns, and the like.

상기와 같은 단위 공정들을 수행함에 있어서, 기판의 온도는 주요한 공정 제어 변수들 중의 하나이다. 상기 기판의 온도는 다양한 방법으로 제어될 수 있으며, 기판의 온도를 균일하게 제어하기 위하여 다양한 방법들이 연구되고 있다. 예를 들면, 반도체 기판은 전기 저항 열선을 포함하는 히터 상에 배치될 수 있으며, 상기 히터의 온도는 냉각수의 공급에 의해 제어될 수 있다. 즉, 상기 기판을 처리하기 위한 온도로 히터를 가열한 후 고온의 히터는 상기 냉각수의 공급에 의해 냉각될 수 있다.In carrying out such unit processes, the temperature of the substrate is one of the main process control variables. The temperature of the substrate can be controlled in various ways, and various methods have been studied to uniformly control the temperature of the substrate. For example, the semiconductor substrate may be disposed on a heater including an electric resistance heating wire, and the temperature of the heater may be controlled by supply of cooling water. That is, after heating the heater to a temperature for processing the substrate, the high temperature heater may be cooled by the supply of the cooling water.

상기 히터의 냉각에 사용된 고온의 폐수는 폐수 배관을 통해 배출될 수 있다. 그러나, 고온 폐수의 배출시 발생되는 수증기로 인해 배관들의 내부 압력이 증가될 수 있으며, 상기 압력 증가는 상기 폐수 또는 수증기의 역류를 야기시킬 수 있다. 즉, 상기 고온 고압의 폐수의 배출 배관과 연결된 다른 장치들에 고온의 폐수 또는 수증기가 유입될 수 있으며, 이에 따라 장치의 오염, 부식 등과 같은 문제점들이 발생될 수 있다.The high temperature wastewater used for cooling the heater may be discharged through the wastewater pipe. However, the internal pressure of the pipes may be increased due to the water vapor generated during the discharge of the hot waste water, and the pressure increase may cause the back flow of the waste water or the steam. That is, high temperature waste water or water vapor may be introduced into other devices connected to the discharge pipe of the high temperature and high pressure waste water, thereby causing problems such as contamination and corrosion of the device.

또한, 상기 고온의 폐수의 급격한 비등(boiling)에 의해 발생되는 수증기에 의해 배관 내부의 압력 변화가 크게 발생될 수 있으며, 상기 압력 변화에 의한 충격파로 인하여 시스템 안정성이 크게 저하될 수 있다.In addition, the pressure change inside the pipe may be greatly generated by water vapor generated by the rapid boiling of the high temperature wastewater, and the system stability may be greatly reduced due to the shock wave caused by the pressure change.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 기판 처리 장치로부터 배출되는 고온의 폐수를 안전하게 처리할 수 있는 고온 폐수 처리 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a high temperature wastewater treatment apparatus that can safely treat the high temperature wastewater discharged from the substrate processing apparatus.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 고온 폐수 처리 장치는, 기판 처리 장치에서 사용된 고온의 폐수를 배출하기 위한 제1 배관과, 상기 제1 배관에 연결되어 상기 고온 폐수의 온도를 낮추기 위한 열 교환기와, 상기 열 교환기와 연결되어 상기 열 교환기에서 낮아진 온도를 갖는 폐수를 배출하기 위한 제2 배관을 포함할 수 있다. 상기 열 교환기는 상기 제1 배관과 연결되어 상기 고온 폐수가 유입되는 열 교환 탱크와, 상기 열 교환 탱크 내부에 배치되어 상기 제1 배관을 통해 유입된 고온 폐수의 온도를 낮추기 위하여 상기 고온 폐수가 상기 열 교환 탱크 내부에서 지그재그 형태로 흐르도록 하는 다수의 격벽들을 포함할 수 있다.High temperature wastewater treatment apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above object, the first pipe for discharging the high temperature wastewater used in the substrate processing apparatus, and connected to the first pipe to the temperature of the high temperature wastewater A heat exchanger for lowering and a second pipe connected to the heat exchanger for discharging wastewater having a lowered temperature in the heat exchanger may be included. The heat exchanger is connected to the first pipe and the heat exchange tank into which the hot waste water flows, and the hot waste water is disposed inside the heat exchange tank to lower the temperature of the hot waste water introduced through the first pipe. It may include a plurality of partitions to flow in a zigzag form inside the heat exchange tank.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 제1 배관은 기판을 가열하기 위한 히터와 연결되어 있으며, 상기 고온의 폐수는 상기 히터의 온도를 낮추기 위하여 상기 히터로 공급된 후 상기 제1 배관을 통해 배출된다.According to embodiments of the present invention, the first pipe is connected to a heater for heating the substrate, and the high temperature wastewater is supplied to the heater to lower the temperature of the heater and then discharged through the first pipe. do.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 열 교환 탱크는 서로 마주하는 측벽들에 각각 배치되며 상기 제1 배관 및 제2 배관에 각각 연결되는 입구 및 출구를 가질 수 있다.According to embodiments of the present invention, the heat exchange tank may have inlets and outlets respectively disposed on sidewalls facing each other and connected to the first pipe and the second pipe, respectively.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 열 교환 탱크는 상기 입구로부터 출구를 향하여 내부 공간이 감소되도록 경사진 상부를 가질 수 있다.According to embodiments of the invention, the heat exchange tank may have an inclined top such that the internal space is reduced from the inlet toward the outlet.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 고온 폐수 처리 장치는 상기 열 교환 탱크와 연결되어 냉각수를 제공하기 위한 제3 배관과, 상기 열 교환 탱크에 설치되어 상기 냉각수를 상기 열 교환 탱크 내부로 분사하기 위한 노즐을 더 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the high temperature wastewater treatment device is connected to the heat exchange tank and provided with a third pipe for providing cooling water, and installed in the heat exchange tank to spray the coolant into the heat exchange tank. It may further include a nozzle for.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 노즐은 상기 냉각수를 상기 열 교환 탱크 내부에서 넓게 확산시키기 위하여 다수의 분사구들을 갖는 샤워 노즐일 수 있다.According to embodiments of the present invention, the nozzle may be a shower nozzle having a plurality of injection holes in order to diffuse the cooling water widely inside the heat exchange tank.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 제3 배관은 상기 기판 처리 장치로 냉각수를 공급하기 위한 냉각수 공급 배관으로부터 분기될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the third pipe may be branched from the cooling water supply pipe for supplying the cooling water to the substrate processing apparatus.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 냉각수 공급 배관에는 상기 기판 처리 장치로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 밸브가 설치될 수 있으며, 상기 제3 배관에는 상기 유량 제어 밸브의 개폐 동작과 연동하는 연동 밸브가 설치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, the cooling water supply pipe may be provided with a flow control valve for controlling the flow rate of the cooling water supplied to the substrate processing apparatus, the third pipe and the opening and closing operation of the flow control valve An interlocking valve may be installed to interlock.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 고온 폐수 처리 장치는, 상기 제3 배관에 설치되어 상기 열 교환 탱크로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 밸브와, 상기 열 교환 탱크에 설치되어 상기 열 교환 탱크 내부의 온도를 측정하기 위한 온도 센서와, 상기 온도 센서의 신호에 따라 상기 유량 제어 밸브의 동작을 제어하기 위한 밸브 제어부를 더 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the high temperature wastewater treatment device is installed in the third pipe and a flow rate control valve for controlling the flow rate of the cooling water supplied to the heat exchange tank, and installed in the heat exchange tank The apparatus may further include a temperature sensor for measuring a temperature inside the heat exchange tank, and a valve controller for controlling an operation of the flow control valve according to a signal of the temperature sensor.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 열 교환 탱크의 외측면에는 다수의 냉각핀들이 배치될 수 있다.According to embodiments of the present invention, a plurality of cooling fins may be disposed on the outer surface of the heat exchange tank.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 고온 폐수 처리 장치는 상기 제1 배관에 설치되어 상기 기판 처리 장치로부터 배출되는 고온 폐수의 압력에 따라 개폐되는 안전 밸브를 더 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the high temperature wastewater treatment apparatus may further include a safety valve installed in the first pipe and opened and closed according to the pressure of the high temperature wastewater discharged from the substrate processing apparatus.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 고온 폐수 처리 장치는 상기 열 교환 탱크의 상부에 설치되어 상기 열 교환 탱크 내부의 압력에 따라 개폐되는 안전 밸브를 더 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the high temperature wastewater treatment apparatus may further include a safety valve installed on an upper portion of the heat exchange tank to open and close according to a pressure inside the heat exchange tank.

본 발명의 실시예들에 의하면, 상기 고온 폐수 처리 장치는 상기 제2 배관에 설치되어 상기 제2 배관을 통한 폐수의 역류를 방지하기 위한 체크 밸브를 더 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the high temperature wastewater treatment apparatus may further include a check valve installed in the second pipe to prevent backflow of the wastewater through the second pipe.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 기판 처리 장치로부터 배출되는 고온 폐수 및 수증기의 역류를 방지할 수 있으며, 이에 따라 상기 기판 처리 장치의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 상기 고온 폐수 및 수증기의 역류에 의한 온도 제어 불량 및 이에 따른 공정 사고를 방지할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, it is possible to prevent the back flow of the high temperature wastewater and water vapor discharged from the substrate processing apparatus, thereby preventing contamination of the substrate processing apparatus. In addition, poor temperature control due to the backflow of the high temperature wastewater and water vapor and process accidents can be prevented.

실시예Example

이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다. 그러나, 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있으며, 막(층)이 다른 막(층) 또는 기판 상에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 다른 막(층) 또는 기판 상에 직접 형성되거나 그들 사이에 추가적인 막(층)이 개재될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments and may be implemented in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosure more complete and to fully convey the spirit and features of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness of each device or film (layer) and regions has been exaggerated for clarity of the invention, and each device may have a variety of additional devices not described herein. When (layer) is mentioned as being located on another film (layer) or substrate, an additional film (layer) may be formed directly on or between the other film (layer) or substrate.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 고온 폐수 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 열 교환기를 설명하기 위한 평면도이다.FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a high temperature wastewater treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view illustrating the heat exchanger illustrated in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 고온 폐수 처리 장치(100)는 반도체 기판 또는 유리 기판에 대한 고온 처리 공정을 수행하기 위한 기판 처리 장치에 사용될 수 있다. 예를 들면, 반도체 기판 또는 유리 기판과 같은 대상 기판(10)은 다양한 가열 방식의 부재들을 이용하여 가열될 수 있으며, 고온 상태의 기판(10)에 대하여 막 형성, 식각, 베이크 등의 공정들이 수행될 수 있다.1 and 2, the high temperature wastewater treatment apparatus 100 according to the present embodiment may be used in a substrate processing apparatus for performing a high temperature treatment process on a semiconductor substrate or a glass substrate. For example, the target substrate 10, such as a semiconductor substrate or a glass substrate, may be heated using various heating methods, and processes such as film formation, etching, and baking may be performed on the substrate 10 in a high temperature state. Can be.

특히, 상기 기판(10)은 공정 챔버 내에 배치되는 고온의 히터 상에 위치될 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버 내에서 상기 기판(10)을 지지하기 위한 지지부재(20), 예를 들면 진공척 또는 정전척의 내부에는 히팅 부재가 배치될 수 있다. 예를 들면, 전기 저항 열선과 같은 히팅 부재가 스테인리스 스틸 재질의 바디 내부에 구비될 수 있으며, 상기 바디 상에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질의 핫 플레이트가 구비될 수 있다. 상기 바디와 상기 핫 플레이트의 내부에는 냉각을 위한 냉각수가 제공되는 냉각 라인이 형성될 수 있다. 상기 냉각 라인은 냉각수 공급 배관(30)과 연결되어 있으며, 또한 상기 지지부재(20)의 냉각에 사용된 고온 폐수를 배출하기 위한 제1 배관(110)과 연결될 수 있다. 즉, 상기 냉각수 공급 배관(30)을 통해 공급된 냉각수에 의해 발생되는 열 교환을 통해 상기 기판 지지부재(20)의 온도를 낮출 수 있으며, 상기 열 교환에 의해 발생되는 고온 폐수는 상기 제1 배관(102)을 통해 배출될 수 있다.In particular, the substrate 10 may be located on a high temperature heater disposed in a process chamber. For example, a heating member may be disposed in the support member 20, for example, a vacuum chuck or an electrostatic chuck, for supporting the substrate 10 in the process chamber. For example, a heating member such as an electric resistance heating wire may be provided inside the body of stainless steel, and a hot plate of aluminum or aluminum alloy may be provided on the body. Cooling lines provided with cooling water for cooling may be formed in the body and the hot plate. The cooling line may be connected to the cooling water supply pipe 30 and may also be connected to the first pipe 110 for discharging the high temperature wastewater used for cooling the support member 20. That is, the temperature of the substrate support member 20 may be lowered through heat exchange generated by the coolant supplied through the coolant supply pipe 30, and the high temperature wastewater generated by the heat exchange may be the first pipe. May be discharged through 102.

상기 제1 배관(110)은 상기 고온 폐수의 온도를 낮추기 위한 열 교환기(120)와 연결될 수 있으며, 상기 열 교환기(120)에서 온도가 낮추어진 폐수는 상기 열 교환기(120)와 연결된 제2 배관(130)을 통해 배출될 수 있다.The first pipe 110 may be connected to a heat exchanger 120 for lowering the temperature of the high temperature wastewater, and the wastewater having a lower temperature in the heat exchanger 120 may be connected to the heat exchanger 120. May be discharged through 130.

상기 열 교환기(120)는 상기 고온 폐수가 유입되는 열 교환 탱크(122)를 포함할 수 있다. 상기 열 교환 탱크(122)는 상기 제1 배관(110)과 연결되는 입구가 형성된 제1 측벽(122a)과 상기 제1 측벽(122a)에 마주하여 배치되며 상기 제2 배관(130)과 연결되는 출구가 형성된 제2 측벽(122b)을 포함할 수 있다.The heat exchanger 120 may include a heat exchange tank 122 into which the hot waste water flows. The heat exchange tank 122 is disposed to face the first side wall 122a and the first side wall 122a having an inlet connected to the first pipe 110 and connected to the second pipe 130. It may include a second sidewall 122b having an outlet formed therein.

상기 열 교환 탱크(122) 내부에는 상기 고온의 폐수가 상기 입구로부터 출구를 향하여 지그재그 형태로 흐르도록 하는 다수의 격벽들(124)이 배치될 수 있으며, 상기 고온의 폐수의 온도는 상기 열 교환 탱크(122) 내부를 흐르는 동안 충분히 낮추어질 수 있다.A plurality of partition walls 124 may be disposed in the heat exchange tank 122 to allow the hot waste water to flow in a zigzag form from the inlet to the outlet, and the temperature of the hot waste water may be set at the heat exchange tank. 122 can be lowered sufficiently while flowing inside.

상기 격벽들(124)은 서로 평행하게 연장할 수 있으며, 상기 열 교환 탱크(122)의 입구로부터 출구를 향하는 방향으로 지그재그 형태로 배열될 수 있다. 상기 격벽들(124)의 높이는 상기 열 교환 탱크(122)의 높이보다 낮은 것이 바람직하다. The partitions 124 may extend in parallel to each other, and may be arranged in a zigzag form in a direction from the inlet to the outlet of the heat exchange tank 122. The height of the partitions 124 is preferably lower than the height of the heat exchange tank 122.

도 3은 도 1에 도시된 격벽들의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram illustrating another example of the partition walls illustrated in FIG. 1.

도 1에 도시된 바에 의하면, 상기 격벽들(124)은 동일한 높이를 갖고 있으나, 도 3에 도시된 바와 같이 격벽들(124a)의 높이는 상기 입구로부터 출구를 향하여 점차 감소될 수도 있다. 즉, 상기 입구와 가장 인접하는 격벽(124a)의 높이가 가장 높게 구성될 수 있다. 이는 입구를 통해 상대적으로 빠른 유속으로 유입되는 고온 폐수가 첫 번째 격벽(124a)을 넘어가지 않도록 하기 위함이다.As shown in FIG. 1, the partitions 124 have the same height, but as shown in FIG. 3, the heights of the partitions 124a may be gradually decreased from the inlet to the outlet. That is, the height of the partition wall 124a nearest to the inlet may be configured to be the highest. This is to prevent the hot wastewater flowing into the relatively high flow rate through the inlet does not cross the first partition 124a.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 냉각수 공급 배관(30)을 통해 상기 지지부재(20)로 공급된 냉각수의 온도는 상기 지지부재(20)의 내부에서 끓는점 이상으로 급격히 상승될 수 있으며, 상기 제1 배관(110)을 통해 고온의 폐수와 수증기가 배출될 수 있다. 상기 제1 배관(110) 내에는 상기 고온 폐수의 기화에 의해 높은 압력이 형성될 수 있으며, 이에 따라 간헐적이며 불안정한 고온 폐수 및 수증기의 흐름이 발생될 수 있다. 한편, 상기 냉각수로는 약 10 내지 20℃ 정도의 물이 사용될 수 있다. 예를 들면, 약 18℃의 물이 상기 냉각수로서 사용될 수 있다.Referring back to FIGS. 1 and 2, the temperature of the coolant supplied to the support member 20 through the coolant supply pipe 30 may be rapidly increased above the boiling point inside the support member 20. High temperature wastewater and steam may be discharged through the first pipe 110. A high pressure may be formed in the first pipe 110 by vaporization of the high temperature wastewater, and thus an intermittent and unstable high temperature wastewater and steam flow may be generated. On the other hand, about 10 to 20 ℃ water may be used as the cooling water. For example, water of about 18 ° C. may be used as the cooling water.

상기 고온 폐수 및 수증기의 간헐적인 흐름은 제1 배관(110) 내부에서 불규칙적인 압력 변화를 발생시킬 수 있으며, 상기 압력 변화에 따른 충격은 시스템 안 정성을 저하시키는 원인으로 작용할 수 있다. 따라서, 상기 제1 배관(110)에는 상기와 같은 불규칙적인 압력 변화에 의한 충격을 완화시키기 위한 제1 안전 밸브(112)가 설치될 수 있다. 상기 제1 안전 밸브(112)는 상기 제1 배관(110) 내부의 압력 변화에 따라 개폐가 조절되므로 상기 기판 지지부재(20)의 안정성을 향상시킬 수 있다.The intermittent flow of the high temperature wastewater and water vapor may cause an irregular pressure change in the first pipe 110, and the impact caused by the pressure change may act as a cause of deteriorating system stability. Therefore, the first safety valve 112 may be installed in the first pipe 110 to mitigate the impact caused by the irregular pressure change as described above. Since the opening and closing of the first safety valve 112 is controlled according to the pressure change in the first pipe 110, the stability of the substrate support member 20 may be improved.

상기 열 교환 탱크(122)는 상기 입구로부터 출구를 향하여 내부 공간이 감소되도록 경사진 상부를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 열 교환 탱크(122)의 천장(122c)은 상기 입구로부터 출구를 향하여 하향 경사지도록 제공될 수 있다. 따라서, 상기 제1 배관(110)을 통해 열 교환 탱크(122) 내부로 유입되는 고온 폐수로부터 발생된 고온의 수증기는 상기 입구측 공간에 주로 머무르게 되므로 상기 출구를 통해 배출되는 폐수의 온도를 더욱 낮출 수 있다.The heat exchange tank 122 may have an inclined top such that the internal space is reduced from the inlet toward the outlet. Specifically, the ceiling 122c of the heat exchange tank 122 may be provided to be inclined downward from the inlet toward the outlet. Therefore, the high temperature water vapor generated from the high temperature wastewater introduced into the heat exchange tank 122 through the first pipe 110 stays mainly in the inlet space, thereby further reducing the temperature of the wastewater discharged through the outlet. Can be.

상기 열 교환 탱크(122) 내부에 배치되는 격벽들(124)의 높이는 상기 열 교환 탱크(122)의 최저 높이보다 낮은 것이 바람직하다. 따라서, 상기 열 교환 탱크(122) 내부를 흐르는 고온 폐수로부터 발생된 수증기는 열 교환 탱크(122)의 상부에서 자유롭게 유동 가능하다. 특히, 상기 열 교환 탱크(122)의 입구 부위 높이가 가장 높게 형성되기 때문에 상기 입구 부위에 상대적으로 온도가 높은 수증기가 집중될 수 있으며, 열 교환 탱크(122)의 출구 부위로 갈수록 온도가 감소될 수 있다.The height of the partition walls 124 disposed inside the heat exchange tank 122 is preferably lower than the minimum height of the heat exchange tank 122. Accordingly, water vapor generated from the hot wastewater flowing inside the heat exchange tank 122 may freely flow at the top of the heat exchange tank 122. In particular, since the inlet portion of the heat exchange tank 122 has the highest height, water vapor having a relatively high temperature may be concentrated at the inlet portion, and the temperature decreases toward the outlet portion of the heat exchange tank 122. Can be.

상기 열 교환 탱크(122)의 제1 측벽(122a)에는 상기 열 교환 탱크(122) 내부로 냉각수를 분사하기 위한 샤워 노즐(140)이 배치될 수 있다. 상기 샤워 노 즐(140)은 상기 냉각수를 제공하기 위한 제3 배관(142)과 연결되어 있으며, 상기 열 교환 탱크(122) 내부로 냉각수를 넓게 확산시키기 위하여 다수의 분사구들을 가질 수 있다. 상기 샤워 노즐(140)로부터 분사된 냉각수는 상기 열 교환 탱크(122)의 내부 공간에서 고온의 수증기를 액화시키는 기능을 수행할 수 있다.A shower nozzle 140 for spraying coolant into the heat exchange tank 122 may be disposed on the first sidewall 122a of the heat exchange tank 122. The shower nozzle 140 is connected to the third pipe 142 for providing the cooling water, and may have a plurality of injection holes to diffuse the cooling water into the heat exchange tank 122. The cooling water sprayed from the shower nozzle 140 may perform a function of liquefying high temperature water vapor in the internal space of the heat exchange tank 122.

또한, 상기 샤워 노즐(140)이 상대적으로 큰 체적을 갖는 입구 부위에 설치됨으로써 상기 수증기의 액화 효율을 향상시킬 수 있다. 도시된 바에 의하면, 하나의 샤워 노즐(140)이 열 교환 탱크(122)에 설치되어 있으나, 처리하고자 하는 고온 폐수의 유량에 따라 다수의 샤워 노즐들이 열 교환 탱크에 설치될 수도 있다. 또한, 상기 샤워 노즐(140)은 상기 입구와 인접하도록 상기 열 교환 탱크(122)의 천장(122c) 부위에 설치될 수도 있다.In addition, the shower nozzle 140 may be installed at an inlet portion having a relatively large volume, thereby improving the liquefaction efficiency of the water vapor. As shown, one shower nozzle 140 is installed in the heat exchange tank 122, but a plurality of shower nozzles may be installed in the heat exchange tank according to the flow rate of the hot waste water to be treated. In addition, the shower nozzle 140 may be installed at a portion of the ceiling 122c of the heat exchange tank 122 to be adjacent to the inlet.

상기 제3 배관(142)은 상기 지지부재(20)로 냉각수를 공급하는 냉각수 공급 배관(30)으로부터 분기될 수 있다. 상기 냉각수 공급 배관(30) 및 제3 배관(142)에는 각각 유량 제어 밸브(32) 및 연동 밸브(144)가 설치될 수 있다. 구체적으로, 상기 유량 제어 밸브(32)의 개방과 동시에 또는 기 설정된 시간 후, 예를 들면 수 초 후에 상기 연동 밸브(144)가 개방될 수 있다. 즉, 상기 유량 제어 밸브(32)가 개방되어 상기 지지부재(20)의 냉각이 이루어지면, 상기 지지부재(20)를 통해 고온의 폐수가 배출되며, 상기 고온 폐수의 배출에 따라 제1 배관(110)의 제1 안전 밸브(112)가 개방될 수 있으며, 이에 따라 상기 열 교환 탱크(122) 내부로 상기 고온 폐수가 유입된다. 또한, 상기 연동 밸브(144)의 개방에 의해 상기 열 교환 탱크(122) 내부로 냉각수가 분사되며 이에 따라 효율적인 고온 폐수의 처리가 가능해 진다.The third pipe 142 may be branched from the coolant supply pipe 30 that supplies the coolant to the support member 20. Flow control valve 32 and the peristaltic valve 144 may be installed in the cooling water supply pipe 30 and the third pipe 142, respectively. Specifically, the peristaltic valve 144 may be opened at the same time as the opening of the flow control valve 32 or after a predetermined time, for example, a few seconds later. That is, when the flow control valve 32 is opened to cool the support member 20, high temperature wastewater is discharged through the support member 20, and the first pipe ( The first safety valve 112 of 110 may be opened, thereby introducing the high temperature wastewater into the heat exchange tank 122. In addition, by opening the peristaltic valve 144, cooling water is injected into the heat exchange tank 122, thereby enabling efficient treatment of high temperature wastewater.

상기 유량 제어 밸브(32) 및 연동 밸브(144)의 동작은 밸브 제어부(150)에 의해 이루어질 수 있다. 상기 밸브 제어부(150)는 상기 유량 제어 밸브(32) 및 연동 밸브(144)에 동시에 동작 신호를 제공할 수도 있고, 설정된 시간차를 두고 동작 신호를 각각 제공할 수도 있다.Operation of the flow control valve 32 and the peristaltic valve 144 may be performed by the valve controller 150. The valve controller 150 may simultaneously provide an operation signal to the flow control valve 32 and the peristaltic valve 144, or may provide an operation signal with a set time difference.

상기 열 교환 탱크(122)의 외측면에는 다수의 냉각핀들(160)이 설치될 수 있다. 도시된 바에 의하면, 상기 열 교환 탱크(122)의 천장(122c) 상부면에 냉각핀들(160)이 배치되어 있으나, 상기 냉각핀들(160)의 배치 위치는 본 발명의 범위를 제한하지 않는다. 상기 냉각핀들(160)의 설치에 의해 상기 고온 폐수의 냉각 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.A plurality of cooling fins 160 may be installed on the outer surface of the heat exchange tank 122. As shown, although the cooling fins 160 are disposed on an upper surface of the ceiling 122c of the heat exchange tank 122, the arrangement position of the cooling fins 160 does not limit the scope of the present invention. By installing the cooling fins 160, the cooling efficiency of the high temperature wastewater may be further improved.

또한, 상기 열 교환 탱크(122)에는 내부 압력 증가에 따른 폭발 위험을 제거하기 위하여 제2 안전 밸브(126)가 설치될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 안전 밸브(126)는 상기 열 교환 탱크(122) 내부의 압력 증가에 따라 개방될 수 있으며, 이에 따라 고압의 고온 폐수 및 수증기의 유입에 따른 열 교환 탱크(122)의 폭발 위험을 제거할 수 있다. 상기 제2 안전 밸브(126)는 상기 열 교환 탱크(122)의 출구 부위에 설치되는 것이 바람직하다. 이는 상기 열 교환 탱크(122)의 출구 부위의 온도가 상기 입구 부위의 온도보다 상대적으로 낮기 때문이다.In addition, the heat exchange tank 122 may be provided with a second safety valve 126 in order to eliminate the risk of explosion due to the increase in the internal pressure. Specifically, the second safety valve 126 may be opened as the pressure inside the heat exchange tank 122 increases, and thus the explosion of the heat exchange tank 122 according to the inflow of high pressure high temperature wastewater and water vapor is performed. The risk can be eliminated. The second safety valve 126 is preferably installed at the outlet portion of the heat exchange tank 122. This is because the temperature of the outlet portion of the heat exchange tank 122 is relatively lower than the temperature of the inlet portion.

한편, 상기 열 교환 탱크(122)와 연결된 제2 배관(130)에는 체크 밸브(132)가 설치될 수 있다. 상기 체크 밸브(132)는 상기 제2 배관(130)을 통해 상기 배출된 폐수가 역류하는 것을 방지하는 기능을 수행한다.Meanwhile, a check valve 132 may be installed in the second pipe 130 connected to the heat exchange tank 122. The check valve 132 performs a function of preventing the discharged wastewater backflow through the second pipe 130.

또한, 도시되지는 않았으나, 상기 제1 배관(110)에는 상기 지지부재(20)와 인접하는 부위에 제2 체크 밸브(미도시)가 설치될 수도 있다. 상기 제2 체크 밸브는 상기 제1 배관(110) 내부의 고온 폐수가 상기 지지부재(20)로 역류하는 것을 방지하기 위하여 사용될 수 있다. 따라서, 상기 제1 배관(110) 내에서 고온 폐수의 비등에 의해 발생되는 압력 변화 및 이에 따른 충격파가 상기 지지부재(20)로 전달되는 것을 억제할 수 있다.In addition, although not shown, a second check valve (not shown) may be installed at a portion adjacent to the support member 20 in the first pipe 110. The second check valve may be used to prevent the high temperature wastewater inside the first pipe 110 from flowing back to the support member 20. Therefore, it is possible to suppress the change in pressure generated by boiling of the high temperature wastewater in the first pipe 110 and the resulting shock wave to the support member 20.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 고온 폐수 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.4 is a schematic diagram illustrating a high temperature wastewater treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시예의 고온 폐수 처리 장치(200)는 기판(10)을 지지하기 위한 지지부재(20)와 연결된 제1 배관(210), 상기 제1 배관(210)과 연결되어 고온 폐수의 온도를 낮추기 위한 열 교환기(220), 상기 열 교환기(220)와 연결된 제3 배관(230)을 포함할 수 있다. 상기 열 교환기(220)는 열 교환 탱크(222)와 다수의 격벽들(224)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the high temperature wastewater treatment apparatus 200 according to the present exemplary embodiment may include a first pipe 210 connected to a support member 20 for supporting a substrate 10, and a high temperature connected to the first pipe 210. A heat exchanger 220 for lowering the temperature of the waste water may include a third pipe 230 connected to the heat exchanger 220. The heat exchanger 220 may include a heat exchange tank 222 and a plurality of partitions 224.

상기 열 교환 탱크(222)에는 상기 열 교환 탱크(222) 내부로 냉각수를 제공하기 위한 샤워 노즐(240)이 설치될 수 있으며, 상기 샤워 노즐(240)은 상기 냉각수를 공급하는 제3 배관(242)과 연결되어 있다. 상기 제3 배관(242)은 상기 지지부재(20)로 냉각수를 공급하기 위한 냉각수 공급 라인(30)으로부터 분기될 수 있다.The heat exchange tank 222 may be provided with a shower nozzle 240 for providing a coolant into the heat exchange tank 222, the shower nozzle 240 is a third pipe 242 for supplying the coolant ) The third pipe 242 may be branched from the cooling water supply line 30 for supplying the cooling water to the support member 20.

또한, 상기 열 교환 탱크(222)에는 열 교환 탱크(222) 내부의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(228)가 설치될 수 있다. 상기 온도 센서(228)는 가장 온도가 높은 부위, 즉 상기 열 교환 탱크(222)의 입구와 인접한 부위에 설치될 수 있다.In addition, the heat exchange tank 222 may be provided with a temperature sensor 228 for measuring the temperature inside the heat exchange tank 222. The temperature sensor 228 may be installed at a portion having the highest temperature, that is, a portion adjacent to the inlet of the heat exchange tank 222.

한편, 상기 냉각수 공급 라인(30)에는 상기 지지부재(20)로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하기 위한 제1 유량 제어 밸브(34)가 설치될 수 있으며, 상기 제3 배관(242)에는 상기 열 교환 탱크(222) 내부로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하기 위한 제2 유량 제어 밸브(244)가 설치될 수 있다.On the other hand, the cooling water supply line 30 may be provided with a first flow control valve 34 for controlling the flow rate of the cooling water supplied to the support member 20, the third pipe 242 the heat A second flow control valve 244 may be installed to control the flow rate of the cooling water supplied into the exchange tank 222.

상기 제1 및 제2 유량 제어 밸브들(34, 244)은 밸브 제어부(250)에 의해 제어될 수 있다. 상기 밸브 제어부(250)는 상기 지지부재(20)로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하기 위하여 상기 제1 유량 제어 밸브(34)의 동작을 제어한다. 또한, 상기 밸브 제어부(250)는 상기 온도 센서(228)에 의해 측정된 열 교환 탱크(222) 내부의 온도에 따라 상기 제2 유량 제어 밸브(242)의 동작을 제어한다. 상기와 같이 상기 열 교환 탱크(222) 내부의 온도에 따라 상기 열 교환 탱크(222) 내부로 공급되는 냉각수의 유량이 제어되므로, 냉각수의 사용 효율을 향상시킬 수 있으며 상기 제2 배관(230)을 통해 배출되는 폐수의 온도를 보다 일정하게 제어할 수 있다.The first and second flow control valves 34 and 244 may be controlled by the valve controller 250. The valve controller 250 controls the operation of the first flow control valve 34 to control the flow rate of the cooling water supplied to the support member 20. In addition, the valve controller 250 controls the operation of the second flow control valve 242 according to the temperature inside the heat exchange tank 222 measured by the temperature sensor 228. Since the flow rate of the cooling water supplied into the heat exchange tank 222 is controlled according to the temperature inside the heat exchange tank 222 as described above, the use efficiency of the cooling water can be improved and the second pipe 230 is It is possible to control the temperature of the waste water discharged more uniformly.

도 4에 도시된 도면 참조 부호 212, 222a, 222b, 222c, 226, 232 및 260은 각각 제1 안전 밸브, 열 교환 탱크의 제1 측벽, 열 교환 탱크의 제2 측벽, 열 교환 탱크의 천장, 제2 안전 밸브, 체크 밸브 및 냉각핀들을 의미한다. 상기 미 설명된 구성 요소들은 도 1 및 도 2를 참조하여 기 설명된 요소들과 실질적으로 동일하므로 이들에 대한 추가적인 설명은 생략하기로 한다.Reference numerals 212, 222a, 222b, 222c, 226, 232, and 260 shown in FIG. 4 denote a first safety valve, a first sidewall of the heat exchange tank, a second sidewall of the heat exchange tank, a ceiling of the heat exchange tank, The second safety valve, the check valve and the cooling fins. Since the above-described components are substantially the same as the elements previously described with reference to FIGS. 1 and 2, further description thereof will be omitted.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 고온의 기판 지지부재로부터 배출되는 고온 폐수의 처리가 효율적으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 고온 폐수의 온도를 충분히 낮춘 상태에서 배출시킬 수 있으며, 체크 밸브를 이용하여 상기 온도가 낮추어진 폐수의 역류를 방지할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the treatment of the high temperature wastewater discharged from the high temperature substrate support member can be made efficiently. Specifically, the temperature of the hot wastewater may be discharged in a sufficiently lowered state, and a check valve may be used to prevent backflow of the wastewater having the low temperature.

또한, 안전 밸브를 이용하여 고온 폐수 및 수증기의 역류를 방지할 수 있으며, 상기 고온 폐수의 급격한 비등(boiling)에 의하여 발생되는 수증기 및 압력 변화에 의한 충격파를 완화시킬 수 있으며, 이에 의한 시스템 안정성을 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to prevent the back flow of hot wastewater and steam by using a safety valve, it is possible to mitigate shock waves due to the water vapor and pressure changes caused by the rapid boiling of the hot wastewater, thereby improving system stability Can be improved.

더 나아가, 종래의 기술에서 발생되는 고온 폐수 및 수증기의 역류에 의한 온도 제어 불량 및 공정 사고를 방지할 수 있다.Furthermore, poor temperature control and process accidents caused by the reverse flow of hot wastewater and steam generated in the prior art can be prevented.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (13)

기판 처리 장치에서 사용된 고온의 폐수를 배출하기 위한 제1 배관;First piping for discharging hot wastewater used in the substrate processing apparatus; 상기 제1 배관과 연결되어 상기 고온 폐수가 유입되는 열 교환 탱크와, 상기 열 교환 탱크 내부에 배치되어 상기 제1 배관을 통해 유입된 고온 폐수의 온도를 낮추기 위하여 상기 고온 폐수가 상기 열 교환 탱크 내부에서 지그재그 형태로 흐르도록 하는 다수의 격벽들을 포함하는 열 교환기; 및A heat exchange tank connected to the first pipe and into which the hot waste water flows, and disposed inside the heat exchange tank to lower the temperature of the hot waste water introduced through the first pipe, the hot waste water into the heat exchange tank; A heat exchanger including a plurality of partitions to flow in a zigzag form in the apparatus; And 상기 열 교환기와 연결되어 상기 열 교환기에서 낮아진 온도를 갖는 폐수를 배출하기 위한 제2 배관을 포함하는 고온 폐수 처리 장치.And a second piping connected to the heat exchanger for discharging wastewater having a lower temperature in the heat exchanger. 제1항에 있어서, 상기 제1 배관은 기판을 가열하기 위한 히터와 연결되어 있으며, 상기 고온의 폐수는 상기 히터의 온도를 낮추기 위하여 상기 히터로 공급된 후 상기 제1 배관을 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.The method of claim 1, wherein the first pipe is connected to a heater for heating the substrate, the hot waste water is supplied to the heater to lower the temperature of the heater and is discharged through the first pipe High temperature wastewater treatment apparatus. 제1항에 있어서, 상기 열 교환 탱크는 서로 마주하는 측벽들에 각각 배치되며 상기 제1 배관 및 제2 배관에 각각 연결되는 입구 및 출구를 갖는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.The high temperature wastewater treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat exchange tanks have inlets and outlets respectively disposed on sidewalls facing each other and connected to the first pipe and the second pipe, respectively. 제3항에 있어서, 상기 열 교환 탱크는 상기 입구로부터 출구를 향하여 내부 공간이 감소되도록 경사진 상부를 갖는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.4. The high temperature wastewater treatment apparatus of claim 3, wherein the heat exchange tank has an inclined upper portion so as to reduce an internal space from the inlet to the outlet. 제1항에 있어서, 상기 열 교환 탱크와 연결되어 냉각수를 제공하기 위한 제3 배관 및 상기 열 교환 탱크에 설치되어 상기 냉각수를 상기 열 교환 탱크 내부로 분사하기 위한 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.The heat exchange tank of claim 1, further comprising a third pipe connected to the heat exchange tank to provide cooling water and a nozzle installed at the heat exchange tank to spray the coolant into the heat exchange tank. High temperature wastewater treatment device. 제5항에 있어서, 상기 노즐은 상기 냉각수를 분사하기 위한 다수의 분사구들을 갖는 샤워 노즐인 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.6. The hot wastewater treatment apparatus of claim 5, wherein the nozzle is a shower nozzle having a plurality of injection holes for injecting the cooling water. 제5항에 있어서, 상기 제3 배관은 상기 기판 처리 장치로 냉각수를 공급하기 위한 냉각수 공급 배관으로부터 분기되는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.The high temperature wastewater treatment apparatus according to claim 5, wherein the third pipe is branched from a cooling water supply pipe for supplying cooling water to the substrate processing apparatus. 제7항에 있어서, 상기 냉각수 공급 배관에는 상기 기판 처리 장치로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 밸브가 설치되어 있으며, 상기 제3 배관에는 상기 유량 제어 밸브의 개폐 동작과 연동하는 연동 밸브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.According to claim 7, wherein the cooling water supply pipe is provided with a flow rate control valve for controlling the flow rate of the cooling water supplied to the substrate processing apparatus, the third pipe is an interlocking valve in conjunction with the opening and closing operation of the flow control valve High temperature wastewater treatment apparatus, characterized in that is installed. 제7항에 있어서, 상기 제3 배관에 설치되어 상기 열 교환 탱크로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 밸브;The flow rate control valve of claim 7, further comprising: a flow rate control valve installed at the third pipe to control a flow rate of the cooling water supplied to the heat exchange tank; 상기 열 교환 탱크에 설치되어 상기 열 교환 탱크 내부의 온도를 측정하기 위한 온도 센서; 및A temperature sensor installed in the heat exchange tank to measure a temperature inside the heat exchange tank; And 상기 온도 센서의 신호에 따라 상기 유량 제어 밸브의 동작을 제어하기 위한 밸브 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.And a valve control unit for controlling the operation of the flow control valve in response to the signal of the temperature sensor. 제1항에 있어서, 상기 열 교환 탱크의 외측면에는 다수의 냉각핀들이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.The high temperature wastewater treatment apparatus according to claim 1, wherein a plurality of cooling fins are disposed on an outer surface of the heat exchange tank. 제1항에 있어서, 상기 제1 배관에 설치되어 상기 기판 처리 장치로부터 배출되는 고온 폐수의 압력에 따라 개폐되는 안전 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.The high temperature wastewater treatment apparatus according to claim 1, further comprising a safety valve installed in the first pipe and opened and closed according to the pressure of the high temperature wastewater discharged from the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서, 상기 열 교환 탱크의 상부에 설치되어 상기 열 교환 탱크 내부의 압력에 따라 개폐되는 안전 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.The high temperature wastewater treatment apparatus according to claim 1, further comprising a safety valve installed at an upper portion of the heat exchange tank to open and close according to a pressure inside the heat exchange tank. 제1항에 있어서, 상기 제2 배관에 설치되어 상기 제2 배관을 통한 폐수의 역류를 방지하기 위한 체크 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 폐수 처리 장치.The high temperature wastewater treatment apparatus according to claim 1, further comprising a check valve installed in the second pipe to prevent backflow of the wastewater through the second pipe.
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