KR20080063119A - Resist liquid feeder and substrate processing system - Google Patents

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KR20080063119A
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타카시 테라다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

A resist liquid feeder and a substrate processing system are provided to form constantly a resist layer on a substrate by supplying properly resist liquid on the substrate. A resist liquid feeder includes a mixer(105), first and second pumps(103,104), a density measuring unit, and a controller. The mixer mixes resist liquid with solvent. The first pump supplies the resist liquid to the mixer. The second pump supplies the solvent to the mixer. The density measuring unit measures density of resist liquid generated from the mixer. The controller controls supplement amount of the resist liquid supplied from the first pump and the solvent supplied from the second pump so as to set density of the resist liquid to be coated on the substrate by a predetermined density based on the measured density of the resist liquid measured at the density measuring unit.

Description

레지스트액 공급 장치 및 기판 처리 시스템{RESIST LIQUID FEEDER AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Resist liquid supply device and substrate processing system {RESIST LIQUID FEEDER AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은 기판에 도포되는 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치 및 기판 처리 시스템에 관한다.The present invention relates to a resist liquid supply device and a substrate processing system for supplying a resist liquid applied to a substrate.

예를 들면, 액정 디스플레이의 제조 프로세스의 포트리소그래피 공정에서는, 유리 기판상에 레지스트액을 도포해 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리를 하고 있다.For example, in the lithography process of the manufacturing process of a liquid crystal display, the resist coating process which apply | coats a resist liquid on a glass substrate and forms a resist film is performed.

상기 레지스트 도포 처리는 레지스트 도포 처리 장치에 있어서 행해지고 예를 들면 스테이지에 유리 기판이 재치되어 그 유리 기판의 상면을 노즐이 이동하면서 레지스트액을 토출함으로써 행해지고 있다. 상기 토출되는 레지스트액의 농도는 미리 정해진 설정 농도에 조정되고 있어 그 레지스트액을 유리 기판에 도포하는 것에 의해 유리 기판에 설정 막두께의 레지스트막을 형성하고 있다.The said resist coating process is performed in the resist coating apparatus, for example, by placing a glass substrate in a stage, and discharging a resist liquid, moving a nozzle on the upper surface of the glass substrate. The density | concentration of the said resist liquid discharged is adjusted to predetermined predetermined density | concentration, and the resist film of a setting film thickness is formed in a glass substrate by apply | coating this resist liquid to a glass substrate.

종래부터, 고농도의 레지스트 원액과 시너를 혼합해 소정의 농도의 레지스트액을 생성하고 레지스트액을 유리 기판에 도포하는 도포 장치가 제안되고 있다. 상기 도포 장치는, 레지스트 원액과 시너를 각각 저장하는 2개의 탱크와 레지스트 원 액과 시너를 각각 공급하기 위한 2개의 펌프와 레지스트 원액과 시너를 혼합하는 믹서와 레지스트 원액과 시너의 혼합율을 제어하는 제어부를 가지고 있다. 그리고 레지스트액의 생성에 있어서는 먼저 제어부에 있어서 유리 기판에 형성하는 레지스트막의 설정 막두께에 근거해 레지스트 원액과 시너의 혼합율, 즉 레지스트액의 농도가 설정되어 설정된 농도로부터 레지스트 원액의 공급량과 시너의 공급량이 연산된다. 연산된 공급량은 2개의 펌프에 각각 출력되어 이 공급량의 레지스트 원액과 시너가 믹서에 공급된다. 그리고 믹서로 레지스트 원액과 시너를 혼합해 레지스트액이 생성된다(특허 문헌 1 참조).Conventionally, the coating apparatus which mixes high density | concentration resist stock solution and thinner, produces | generates the resist liquid of a predetermined density | concentration, and apply | coats a resist liquid to a glass substrate is proposed. The coating device includes two tanks for storing the resist stock solution and the thinner, two pumps for supplying the resist stock solution and the thinner, a mixer for mixing the resist stock solution and the thinner, and a control unit for controlling the mixing ratio of the resist stock solution and the thinner. Have In the production of the resist solution, first, the mixing ratio of the resist stock solution and the thinner, that is, the concentration of the resist solution is set based on the set film thickness of the resist film formed on the glass substrate in the control section, and the supply amount of the resist stock solution and the supply amount of the thinner are set. Is computed. The calculated feed amount is output to each of the two pumps so that the resist stock solution and thinner of this feed amount are supplied to the mixer. Then, the resist stock solution and thinner are mixed with a mixer to generate a resist solution (see Patent Document 1).

[특허 문헌 1] 일본국 특개평10-242045호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-242045

그렇지만, 종래의 도포 장치를 이용하는 경우, 예를 들면 펌프의 고장 등의 불편함이 발생하면 소정의 공급량의 레지스트 원액과 시너가 믹서에 공급되지 않고, 설정된 농도의 레지스트액이 생성되지 않는 것이 있었다. 그리고 이 레지스트액이 유리 기판에 도포되면 유리 기판상에 원하는 막두께의 레지스트막이 형성되지 않게 된다. However, in the case of using a conventional coating apparatus, for example, when an inconvenience such as a failure of a pump occurs, there is a case that a resist stock solution and thinner of a predetermined supply amount are not supplied to the mixer, and a resist liquid of a set concentration is not produced. And when this resist liquid is apply | coated to a glass substrate, the resist film of a desired film thickness will not be formed on a glass substrate.

본 발명은, 관련되는 점에 비추어 이루어진 것이고, 기판에 소정의 막두께의 레지스트막을 형성하기 위해서 적정한 농도의 레지스트액을 기판에 공급하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the related point, and an object of this invention is to supply the resist liquid of a suitable density | concentration to a board | substrate in order to form the resist film of a predetermined | prescribed film thickness on a board | substrate.

상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 있어서는, 기판에 도포하는 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치로서, 레지스트 원액과 용제를 혼합하는 혼합부와 상기 레지스트 원액을 상기 혼합부에 공급하기 위한 제 1의 펌프와, 상기 용제를 상기 혼합부에 공급하기 위한 제 2의 펌프와, 상기 혼합부에서 생성된 레지스트액의 농도를 측정하는 농도 측정부와, 상기 농도 측정부에서 측정된 레지스트액의 측정 농도에 근거하여 기판에 도포되는 레지스트액의 농도가 미리 정해진 설정 농도가 되도록 상기 제1의 펌프로부터 공급되는 레지스트 원액과 상기 제2의 펌프로부터 공급되는 용제의 공급량을 제어하는 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치가 제공된다.In order to achieve the above object, in the present invention, a resist liquid supply device for supplying a resist liquid to be applied to a substrate, comprising: a mixing portion for mixing a resist stock solution and a solvent and a agent for supplying the resist stock solution to the mixing portion; 1 pump, a 2nd pump for supplying the said solvent to the said mixing part, the density measurement part which measures the density | concentration of the resist liquid produced | generated by the said mixing part, and the measurement of the resist liquid measured by the said concentration measuring part And a control unit for controlling the supply amount of the resist stock solution supplied from the first pump and the solvent supplied from the second pump such that the concentration of the resist liquid applied to the substrate becomes a predetermined set concentration based on the concentration. A resist liquid supply apparatus is provided.

본 발명의 레지스트액 공급 장치에 의하면 혼합부에서 생성된 레지스트액의 농도를 농도 측정부에서 측정하고 이 측정 농도에 근거해 레지스트 원액과 용제의 공급량을 제어함으로써 적정한 농도의 레지스트액을 생성할 수가 있다. 그 결과, 이와 같이 적정한 농도에 생성된 레지스트액은 기판에 도포되어 그 결과, 기판에 소정의 막두께의 레지스트막을 형성할 수가 있다.According to the resist liquid supply apparatus of the present invention, a resist liquid having an appropriate concentration can be generated by measuring the concentration of the resist liquid generated in the mixing unit by the concentration measuring unit and controlling the supply amount of the resist stock solution and the solvent based on the measured concentration. . As a result, the resist liquid produced at such an appropriate concentration is applied to the substrate, and as a result, a resist film having a predetermined film thickness can be formed on the substrate.

상기 제1의 펌프는 레지스트 원액 공급관에 의해 상기 혼합부에 접속되고 상기 제2의 펌프는 용제 공급관에 의해 상기 혼합부에 접속되고 상기 혼합부는, 레지스트액 공급관에 의해 기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 처리 장치에 접속되고, 상기 레지스트액 공급관에는 상기 농도 측정부에 통하는 분기관이 접속되고 있어도 괜찮다.The first pump is connected to the mixing section by a resist stock solution supply pipe, the second pump is connected to the mixing section by a solvent supply pipe, and the mixing section applies a resist to a substrate by a resist liquid supply pipe. It may be connected to the coating processing apparatus, and the branch pipe which connects to the said density | concentration measuring part may be connected to the said resist liquid supply pipe.

상기 농도 측정부에는 그 농도 측정부내의 레지스트액을 상기 레지스트액 공급관에 되돌리는 배관이 접속되고 있어도 괜찮다. 이것에 의해, 예를 들면 레지스트액의 측정 농도가 설정 농도와 같은 경우에, 농도 측정부에서 측정된 레지스트액을 레지스트 도포 처리 장치에 공급할 수가 있어 이 레지스트액을 무용하게 하는 경우 없이 유효하게 사용할 수가 있다.A pipe for returning the resist liquid in the concentration measuring unit to the resist liquid supply pipe may be connected to the concentration measuring unit. As a result, for example, when the measured concentration of the resist liquid is equal to the set concentration, the resist liquid measured by the concentration measuring unit can be supplied to the resist coating processing apparatus, so that it can be effectively used without making the resist liquid useless. have.

상기 레지스트액 공급관에는 상기 레지스트액의 측정 농도가 상기 설정 농도와 다른 경우에 적어도 상기 레지스트액 공급관내의 레지스트액을 회수하는 탱크가 접속되고 있어도 괜찮다. 이것에 의해, 농도 측정기로 측정된 레지스트액의 농도가 설정 농도와 다른 경우에서도 이 레지스트액을 일단 탱크에 회수해, 예를 들면 탱크내의 레지스트액의 농도를 설정 농도에 조정함으로써, 레지스트액을 유효하게 사 용할 수가 있다.The resist liquid supply pipe may be connected to a tank for recovering at least the resist liquid in the resist liquid supply pipe when the measured concentration of the resist liquid is different from the set concentration. As a result, even when the concentration of the resist liquid measured by the concentration meter is different from the set concentration, the resist liquid is once recovered to the tank, and the resist liquid is effective by, for example, adjusting the concentration of the resist liquid in the tank to the set concentration. Can be used.

상기 제1의 펌프와 상기 제2의 펌프는 상기 레지스트액 공급관, 상기 레지스트 원액 공급관 및 상기 용제 공급관과 다른 배관에 의해 상기 탱크에 각각 접속되고 있어도 좋고 혹은 레지스트 원액을 공급하기 위한 제 3의 펌프와 용제를 공급하기 위한 제 4의 펌프를 별도 마련하고 제3의 펌프와 제4의 펌프가 탱크에 접속되고 있어도 괜찮다. 이것에 의해, 탱크에 레지스트 원액 혹은 용제를 공급할 수가 있으므로 탱크에 저장되고 있는 레지스트액의 농도를 조정할 수가 있다.The first pump and the second pump may be connected to the tank by pipes different from the resist liquid supply pipe, the resist stock solution supply pipe, and the solvent supply pipe, respectively, or a third pump for supplying the resist stock solution; The fourth pump for supplying the solvent may be separately provided, and the third pump and the fourth pump may be connected to the tank. Thereby, since the resist stock solution or the solvent can be supplied to the tank, the concentration of the resist liquid stored in the tank can be adjusted.

상기 제어부는, 상기 탱크에 회수된 레지스트액의 농도가 상기 설정 농도가 되도록 상기 탱크에 대한 상기 레지스트 원액 또는 상기 용제의 몇 개의 공급량을 제어해도 괜찮다. 제어부에서는, 탱크내에 저장되고 있는 레지스트액의 농도가 설정 농도가 되도록 탱크에 공급하는 레지스트 원액 혹은 용제의 필요 공급량을 연산한다. 그리고 이 연산 결과에 근거해 예를 들면 제1~ 제4의 몇개의 펌프를 제어함으로써 필요 공급량의 레지스트 원액 혹은 용제를 탱크에 공급하는 것으로, 탱크내의 레지스트액의 농도를 설정 농도에 조제할 수가 있다.The control unit may control the supply amount of the resist stock solution or the solvent to the tank so that the concentration of the resist liquid recovered to the tank becomes the set concentration. The control unit calculates the required supply amount of the resist stock solution or the solvent to be supplied to the tank so that the concentration of the resist liquid stored in the tank becomes the set concentration. Based on this calculation result, for example, by controlling some of the first to fourth pumps, by supplying the resist stock solution or the solvent of the required supply amount to the tank, the concentration of the resist liquid in the tank can be prepared at the set concentration. .

적어도 상기 레지스트액 공급관내의 레지스트액을 가스에 의해 상기 탱크에 송출하는 가스 공급부를 가지고 있어도 괜찮다. 이것에 의해, 레지스트액 공급관내에 레지스트액이 잔류하지 않고 이 레지스트액이 그 후 혼합부에서 생성되는 레지스트액에는 레지스트액이 혼입하는 경우가 없다. 따라서, 후에 생성되는 레지스트액의 농도를 설정 농도에 유지할 수가 있다.You may have the gas supply part which sends at least the resist liquid in the said resist liquid supply pipe | tube to the said tank with gas. As a result, the resist liquid does not remain in the resist liquid supply pipe, and the resist liquid does not mix with the resist liquid in which the resist liquid is subsequently produced in the mixing portion. Therefore, the concentration of the resist liquid generated later can be maintained at the set concentration.

상기 농도 측정부에는, 그 농도 측정부내의 레지스트액을 상기 탱크에 도입 하는 배관이 접속되고 있어도 괜찮다. 이것에 의해 예를 들면 레지스트액의 측정 농도가 설정 농도와 다른 경우에 농도 측정부에서 측정된 레지스트액을 탱크에 도입해 설정 농도에 조정할 수가 있어 이 레지스트액을 무용하게 하는 경우 없이 유효하게 사용할 수가 있다.A pipe for introducing a resist liquid in the concentration measuring unit into the tank may be connected to the concentration measuring unit. As a result, for example, when the measured concentration of the resist liquid is different from the set concentration, the resist liquid measured by the concentration measuring unit can be introduced into the tank and adjusted to the set concentration, so that it can be effectively used without making the resist liquid useless. have.

상기 제어부는 적어도 기판에 도포되는 레지스트액의 도막의 두께와 레지스트액의 종류에 근거해 상기 설정 농도를 결정하고 그 설정 농도가 되도록 상기 레지스트 원액과 상기 용제의 공급량을 제어해도 괜찮다.The controller may determine the set concentration based on at least the thickness of the coating film of the resist liquid applied to the substrate and the type of the resist liquid, and may control the supply amount of the resist stock solution and the solvent so as to become the set concentration.

상기 농도 측정부는 분광 광도계를 가지고 있어도 좋다. 분광 광도계에서는, 측정되는 레지스트액에 빛을 조사해 레지스트액의 흡광도를 측정하고 이 흡광도에 근거해 레지스트액의 농도를 연산할 수가 있다. 그리고 분광 광도계는 빛의 파장을 조절할 수가 있으므로 예를 들면 레지스트액의 종류가 변경된 경우에서도, 그 레지스트액의 특성에 따른 파장을 선택해 레지스트액의 농도를 측정할 수가 있다.The concentration measuring unit may have a spectrophotometer. In a spectrophotometer, the resist liquid to be measured can be irradiated with light to measure the absorbance of the resist liquid and the concentration of the resist liquid can be calculated based on the absorbance. And since the spectrophotometer can adjust the wavelength of light, even when the kind of resist liquid changes, for example, the density | concentration of a resist liquid can be measured by selecting the wavelength according to the characteristic of the resist liquid.

상기 분광 광도계로 사용되는 빛의 측정 파장은 측정 대상이 되는 레지스트액이 감광하지 않는 파장으로서, 또한 측정 대상이 되는 레지스트액의 최대의 흡광도와 최소의 흡광도의 차이가 0.5 abs~1.5 abs가 되는 파장으로 설정해도 좋다. 감광한 레지스트액과 감광전의 레지스트액은 흡광도가 다르기 때문에 레지스트액이 감광하지 않는 파장의 빛을 사용함으로써, 레지스트액의 흡광도를 엄밀하게 측정할 수가 있다. 또 분광 광도계의 측정 능력을 고려하면, 측정 대상의 레지스트액의 최대의 흡광도와 최소의 흡광도의 차이가 0.5 abs~1.5 abs가 되는 파장의 빛을 사용하면 측정 대상의 흡광도를 엄밀하게 측정할 수가 있다. 이와 같이 빛의 측정 파장 을 결정하는 것으로, 분광 광도계내에서 레지스트액의 흡광도를 엄밀하게 측정할 수가 있어 레지스트액의 농도를 적정하게 측정할 수가 있다.The measurement wavelength of light used as the spectrophotometer is a wavelength at which the resist liquid to be measured is not exposed to light, and the wavelength at which the difference between the maximum absorbance and the minimum absorbance of the resist liquid to be measured is 0.5 abs to 1.5 abs. You may set to. Since the photosensitive resist liquid and the resist liquid before photosensitive have different absorbances, the absorbance of the resist liquid can be measured strictly by using light of a wavelength at which the resist liquid is not exposed. In consideration of the measurement capability of the spectrophotometer, the absorbance of the measurement target can be measured strictly by using light having a wavelength in which the difference between the maximum absorbance and the minimum absorbance of the resist liquid to be measured is 0.5 abs to 1.5 abs. . By determining the measurement wavelength of light in this way, the absorbance of the resist liquid can be measured precisely in the spectrophotometer, and the concentration of the resist liquid can be appropriately measured.

상기 레지스트액 공급 장치는 기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 처리 장치와 동일한 기판 처리 시스템내에 설치되어 있어도 괜찮다. 이것에 의해, 인 라인으로 레지스트액을 공급하고, 기판에 레지스트액을 도포할 수가 있으므로, 일련의 기판의 처리를 원활히 실시할 수가 있다.The resist liquid supplying device may be provided in the same substrate processing system as the resist coating apparatus for applying the resist liquid to the substrate. Thereby, since a resist liquid can be supplied in-line and a resist liquid can be apply | coated to a board | substrate, a series of board | substrates can be processed smoothly.

본 발명에 의하면, 적정한 농도의 레지스트액을 기판에 공급할 수가 있어 기판에 소정의 막두께의 레지스트막을 형성할 수가 있다.According to the present invention, a resist liquid having an appropriate concentration can be supplied to a substrate, and a resist film having a predetermined film thickness can be formed on the substrate.

이하, 본 발명의 바람직한 실시의 형태에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시의 형태에 관련되는 레지스트액 공급 장치로서의 레지스트액 공급 장치 (100)을 탑재한 도포 현상 처리 시스템 (1)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described. FIG. 1: is a top view which shows the outline of the structure of the coating-development processing system 1 which mounted the resist liquid supply apparatus 100 as a resist liquid supply apparatus which concerns on this embodiment.

도포 현상 처리 시스템 (1)은 도 1에 나타나는 바와 같이 예를 들면 복수의 유리 기판 (G)를 카셋트 단위로 외부에 대해서 반입출하기 위한 카셋트 스테이션 (2)와 포트리소그래피 공정 중에서 매엽식에 소정의 처리를 가하는 각종 처리 장치가 배치된 처리 스테이션 (3)과 처리 스테이션 (3)에 인접해 설치되고 처리 스테이션 (3)과 노광 장치 (4)의 사이에 유리 기판 (G)의 수수를 실시하는 인터페이스 스테이션 (5)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.As shown in Fig. 1, the coating and developing treatment system 1 has a predetermined treatment in a sheet type in a cassette station 2 and a port lithography step for carrying out a plurality of glass substrates G to the outside in cassette units, for example. The interface station which is provided adjacent to the processing station 3 and the processing station 3 in which the various processing apparatuses which apply | attach, and which carries out the glass substrate G between the processing station 3 and the exposure apparatus 4 is performed. It has the structure which connected (5) integrally.

카셋트 스테이션 (2)에는 카셋트 재치대 (10)이 설치되고 카셋트 재치대 (10)은 복수의 카셋트 (C)를 X방향(도 1안의 상하 방향)으로 일렬로 재치 자유롭게 되어 있다. 카셋트 스테이션 (2)에는 반송로 (11)상을 X방향을 향해 이동 가능한 기판 반송체 (12)가 설치되고 있다. 기판 반송체 (12)는 카셋트 (C)에 수용된 유리 기판 (G)의 배열 방향(Z방향;연직 방향)에도 이동 자유롭고, X방향으로 배열된 각 카셋트 (C)내의 유리 기판 (G)에 대해서 선택적으로 액세스 할 수 있다.The cassette mounting base 10 is provided in the cassette station 2, and the cassette mounting base 10 can arrange | position several cassette C in a line in the X direction (up-down direction in FIG. 1). The cassette station 2 is provided with a substrate carrier 12 capable of moving on the conveying path 11 in the X direction. The substrate carrier 12 is free to move in the arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the glass substrate G accommodated in the cassette C, and with respect to the glass substrate G in each cassette C arranged in the X direction. Optionally accessible.

기판 반송체 (12)는 Z축 주위의 θ방향으로 회전 가능하고, 후술하는 처리 스테이션 (3)측의 엑시머 UV조사 장치 (20)이나 냉각 처리 장치 (33)에 대해서도 액세스 할 수 있다.The board | substrate conveyance body 12 can rotate in the (theta) direction about a Z axis | shaft, and can also access the excimer UV irradiation apparatus 20 and the cooling processing apparatus 33 of the processing station 3 side mentioned later.

처리 스테이션 (3)은 예를 들면 Y방향(도 1의 좌우 방향)으로 연장하는 2열의 반송 라인 (A, B)를 구비하고 있다. 상기 반송 라인 (A, B)는 롤러 컨베이어에 의한 코로반송에 의해 유리 기판 (G)를 수평 방향으로 직선적으로 반송할 수 있다. 처리 스테이션 (3)의 정면측(X방향 부방향측(도 1의 아래 쪽))에 있는 기판 반송로로서의 반송 라인 (A)에는, 카셋트 스테이션 (2)측으로부터 인터페이스 스테이션 (5) 측에 향하여 차례로, 예를 들면 유리 기판 (G)상의 유기물을 제거하는 엑시머 UV조사 장치 (20), 유리 기판 (G)를 세정하는 스크러버 세정 장치 (21), 유리 기판 (G)를 가열 처리하는 가열 처리 장치 (22), 유리 기판 (G)를 냉각 처리하는 냉각 처리 장치 (23), 유리 기판 (G)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 처리 장치 (24), 유리 기판 (G)를 감압 건조하는 감압 건조 장치 (25), 가열 처리 장치 (26), 냉각 처리 장치 (27)및 유리 기판 (G)를 일시적으로 대기시키는 아웃 스테이지 (28)이 직선적으로 일렬로 배치되고 있다. 레지스트 도포 처리 장치 (24)에는, 레 지스트 도포 처리 장치 (24)에 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치 (100)이 접속되고 있다.The processing station 3 is provided with the conveyance lines A and B of 2 rows extended, for example in the Y direction (left-right direction of FIG. 1). The said conveyance lines A and B can convey linearly the glass substrate G to a horizontal direction by the coro conveyance by a roller conveyor. On the transfer line A as the substrate transfer path on the front side (the X-direction negative direction side (lower side in Fig. 1)) of the processing station 3, from the cassette station 2 side to the interface station 5 side. In order, for example, the excimer UV irradiation apparatus 20 which removes the organic substance on glass substrate G, the scrubber cleaning apparatus 21 which wash | cleans glass substrate G, and the heat processing apparatus which heat-processes glass substrate G, for example. (22), the pressure reduction drying which carries out the pressure reduction drying of the cooling processing apparatus 23 which cools glass substrate G, the resist coating processing apparatus 24 which apply | coats a resist liquid to glass substrate G, and glass substrate G under reduced pressure. The out stage 28 which temporarily waits for the apparatus 25, the heat processing apparatus 26, the cooling processing apparatus 27, and the glass substrate G is arrange | positioned linearly in a line. The resist liquid supply apparatus 100 which supplies a resist liquid to the resist coating apparatus 24 is connected to the resist coating apparatus 24.

처리 스테이션 (3)의 배면측 (X방향 정방향측(도 1의 윗쪽측))의 반송 라인 (B)에는, 인터페이스 스테이션 (5)측으로부터 카셋트 스테이션 (2) 측에 향하여 차례로, 예를 들면 유리 기판 (G)를 현상 처리하는 현상 처리 장치 (30), 유리 기판 (G)의 탈색 처리를 실시하는 i선 UV조사 장치 (31), 가열 처리 장치 (32) 및 냉각 처리 장치 (33)이 직선 형상에 일렬로 배치되고 있다.In the conveyance line B of the back side (X direction forward side (upper side of FIG. 1)) of the processing station 3, it is glass from an interface station 5 side to a cassette station 2 side in order, for example, glass The developing device 30 for developing the substrate G, the i-ray UV irradiation device 31 for performing the decoloring treatment of the glass substrate G, the heat treatment device 32 and the cooling treatment device 33 are straight lines. It is arranged in a line in the shape.

반송 라인 (A)의 아웃 스테이지 (28)과 반송 라인 (B)의 현상 처리 장치 (30)의 사이에는 이전의 유리 기판 (G)의 반송을 실시하는 반송체 (40)이 설치되고 있다. 상기 반송체 (40)은 후술하는 인터페이스 스테이션 (5)의 익스텐션·쿨링 장치 (60)에 대해서도 유리 기판 (G)를 반송할 수 있다.Between the out stage 28 of the conveyance line A and the image development processing apparatus 30 of the conveyance line B, the conveyance body 40 which conveys the previous glass substrate G is provided. The said conveyance body 40 can convey glass substrate G also about the extension cooling apparatus 60 of the interface station 5 mentioned later.

인터페이스 스테이션 (5)에는, 예를 들면 냉각 기능을 갖고 유리 기판 (G)의 수수를 실시하는 익스텐션·쿨링 장치 (60)과 유리 기판 (G)를 일시적으로 수용하는 버퍼 카셋트 (61)과 외부 장치 블럭 (62)가 설치되고 있다. 외부 장치 블럭 (62)에는 유리 기판 (G)에 생산 관리용의 코드를 노광하는 타이틀러와 유리 기판 (G)의 주변부를 노광하는 주변 노광 장치가 설치되고 있다. 인터페이스 스테이션 (5)에는, 상기 익스텐션·쿨링 장치 (60), 버퍼 카셋트 (61), 외부 장치 블럭 (62)및 노광 장치 (4)에 대해서, 유리 기판 (G)를 반송 가능한 기판 반송체 (63)이 설치되고 있다.The interface station 5 has, for example, an extension / cooling device 60 having a cooling function and passing the glass substrate G, a buffer cassette 61 temporarily housing the glass substrate G, and an external device. Block 62 is provided. The external device block 62 is provided with a titler for exposing the code for production management to the glass substrate G and a peripheral exposure apparatus for exposing the peripheral portion of the glass substrate G. The board | substrate carrier body 63 which can convey glass substrate G to the interface station 5 with respect to the said extension cooling apparatus 60, the buffer cassette 61, the external device block 62, and the exposure apparatus 4 is carried out. ) Is installed.

다음에, 본 실시의 형태에 관련되는 레지스트 도포 처리 장치 (24)와 레지스 트액 공급 장치 (100)의 구성에 대해서 설명한다.Next, the structure of the resist coating apparatus 24 and the resist liquid supply apparatus 100 which concern on this embodiment is demonstrated.

레지스트 도포 처리 장치 (24)에는 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이 반송 라인 (A)를 따른 Y방향으로 긴 스테이지 (70)이 설치되고 있다. 스테이지 (70)의 상면에는 도 3에 나타나는 바와 같이 다수의 가스 분출구 (71)이 형성되고 있다. 스테이지 (70)의 폭방향(X방향)의 양측에는 Y방향으로 연장하는 한 쌍의 제1의 가이드 레일 (72, 72)가 형성되고 있다. 제1의 가이드 레일 (72)에는 유리 기판 (G)의 폭방향의 양단부를 유지해 제1의 가이드 레일 (72)상을 이동하는 2개의 유지 아암 (73, 74)가 각각 설치되고 있다. 가스 분출구 (71)로부터 가스를 분출함으로써, 유리 기판 (G)를 부상시켜, 그 부상한 유리 기판 (G)를 유지 아암 (73 또는 74)에 의해 유지하고 유리 기판 (G)를 반송 라인 (A)를 따라 이동시킬 수가 있다. 2개의 유지 아암 (73, 74)에 의해, 스테이지 (70)상에서 2매의 유리 기판 (G)를 동시에 반송할 수 있다.As shown in FIG.2 and FIG.3, the resist coating apparatus 24 is provided with the stage 70 elongate in the Y direction along the conveyance line A. As shown in FIG. On the upper surface of the stage 70, a plurality of gas ejection openings 71 are formed as shown in FIG. On both sides of the stage 70 in the width direction (X direction), a pair of first guide rails 72, 72 extending in the Y direction are formed. Two holding arms 73 and 74 are provided on the first guide rail 72 so as to hold both ends in the width direction of the glass substrate G and move on the first guide rail 72. By ejecting gas from the gas ejection port 71, the glass substrate G is floated, the floated glass substrate G is held by the holding arm 73 or 74, and the glass substrate G is conveyed. Can be moved along The two holding arms 73 and 74 can convey two glass substrates G on the stage 70 simultaneously.

레지스트 도포 처리 장치 (24)의 스테이지 (70)상에는 유리 기판 (G)에 레지스트액을 토출하는 노즐 (80)이 설치되고 있다. 노즐 (80)은 도 3 및 도 4에 나타나는 바와 같이 X방향을 향해 긴 대략 직방체 형상에 형성되고 있다. 노즐 (80)은, 예를 들면 유리 기판 (G)의 X방향의 폭보다 길게 형성되고 있다. 노즐 (80)의 하단부에는 도 4에 나타나는 바와 같이 슬릿 형상의 토출구 (80a)가 형성되고 있다. 노즐 (80)의 상부에는 후술 하는 레지스트액 공급 장치 (100)에 통하는 레지스트액 공급관 (118)이 접속되고 있다.On the stage 70 of the resist coating processing apparatus 24, the nozzle 80 which discharges a resist liquid to the glass substrate G is provided. The nozzle 80 is formed in the substantially rectangular parallelepiped shape long toward a X direction as shown to FIG. 3 and FIG. The nozzle 80 is formed longer than the width of the X direction of the glass substrate G, for example. A slit-shaped discharge port 80a is formed in the lower end part of the nozzle 80 as shown in FIG. The resist liquid supply pipe 118 which connects to the resist liquid supply apparatus 100 mentioned later is connected to the upper part of the nozzle 80.

도 3에 나타나는 바와 같이 노즐 (80)의 양측에는, Y방향으로 연장하는 제2 의 가이드 레일 (83, 83)이 형성되고 있다. 노즐 (80)은, 제2의 가이드 레일 (83)상을 이동하는 노즐 아암 (84)에 의해 유지되고 있다. 노즐 (80)은 노즐 아암 (84)의 구동 기구에 의해, 제2의 가이드 레일 (83)을 따라 Y방향으로 이동할 수 있다. 또, 예를 들면 노즐 아암 (84)에는, 승강기구가 설치되고 있고 노즐 (80)은, 소정의 높이에 승강할 수 있다. 관련되는 구성에 의해, 노즐 (80)은 유리 기판 (G)에 레지스트액을 토출하는 토출 위치 (E)와 그보다 Y방향 부방향 측에 있는 후술 하는 회전 롤 (90) 및 대기부 (92)의 사이를 이동할 수 있다.As shown in FIG. 3, the second guide rails 83 and 83 extending in the Y direction are formed on both sides of the nozzle 80. The nozzle 80 is hold | maintained by the nozzle arm 84 which moves on the 2nd guide rail 83. As shown in FIG. The nozzle 80 is movable in the Y direction along the second guide rail 83 by the drive mechanism of the nozzle arm 84. For example, the lifting mechanism is provided in the nozzle arm 84, and the nozzle 80 can raise and lower at a predetermined height. By the related structure, the nozzle 80 of the discharge position E which discharges a resist liquid to the glass substrate G, and the rotating roll 90 mentioned later and the atmospheric part 92 which are located in the negative direction Y direction more than that are the same. You can move between them.

도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이 노즐 (80)의 토출 위치 (E)보다 상류측, 즉 노즐 (80)의 토출 위치 (E)의 Y방향 부방향측에는, 노즐 (80)의 시출을 행하는 회전 롤 (90)이 설치되고 있다. 회전 롤 (90)은 회전축을 X방향을 향해, 예를 들면 노즐 (80)보다 길게 형성되고 있다. 회전 롤 (90)은, 예를 들면 이 회전 롤 (90)을 세정하기 위한 세정 탱크 (91)내에 수용되고 있다. 회전 롤 (90)의 최상부에 노즐 (80)의 토출구 (80a)를 근접시켜, 회전 롤 (90)을 회전시키면서 토출구 (80a)로부터 회전 롤 (90)에 레지스트액을 토출함으로써 노즐 (80)의 토출구 (80a)에 있어서의 레지스트액의 부착 상태를 정돈해 레지스트액의 토출 상태를 안정시킬 수가 있다.As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the rotation which performs a trial run of the nozzle 80 upstream rather than the discharge position E of the nozzle 80, ie, the Y direction negative direction side of the discharge position E of the nozzle 80, is performed. The roll 90 is provided. The rotary roll 90 is formed in the X-axis direction longer than the nozzle 80, for example. The rotary roll 90 is accommodated in the washing tank 91 for washing this rotary roll 90, for example. The discharge port 80a of the nozzle 80 is brought close to the top of the rotary roll 90, and the resist liquid is discharged from the discharge port 80a to the rotary roll 90 while rotating the rotary roll 90. The adhesion state of the resist liquid in the discharge port 80a can be arranged, and the discharge state of the resist liquid can be stabilized.

회전 롤 (90)의 더 상류측에는, 노즐 (80)의 대기부 (92)가 설치되고 있다. 이 대기부 (92)에는 예를 들면 노즐 (80)을 세정하는 기능이나 노즐 (80)의 건조를 방지하는 기능이 설치되고 있다.The standby part 92 of the nozzle 80 is provided further upstream of the rotating roll 90. The standby part 92 is provided with, for example, a function of washing the nozzle 80 and a function of preventing drying of the nozzle 80.

이상과 같이 구성된 레지스트 도포 처리 장치 (24)보다 하류측의 반송 라인 (A), 즉 레지스트 도포 처리 장치 (24)로부터 아웃 스테이지 (28)까지의 반송 라인 (A)에는, 복수의 롤 (R)을 직선적으로 나열되고 있고 유리 기판 (G)를 코로반송할 수 있다.The plurality of rolls R are included in the conveying line A downstream of the resist coating apparatus 24 configured as described above, that is, the conveying line A from the resist coating processing apparatus 24 to the out stage 28. Are lined up linearly and the glass substrate G can be conveyed co-by.

다음에 레지스트 도포 처리 장치 (24)에 접속하는 레지스트액 공급 장치 (100)의 구성에 대해서 설명한다.Next, the structure of the resist liquid supply apparatus 100 connected to the resist coating processing apparatus 24 is demonstrated.

레지스트액 공급 장치 (100)은 도 5에 나타나는 바와 같이 레지스트 원액을 저장하는 레지스트 원액 탱크 (101)과 용제로서 예를 들면 시너를 저장하는 용제 탱크 (102)를 가지고 있다. 레지스트 원액 탱크 (101)의 상류측에는, 배관 (112)를 개재시켜 레지스트액 공급 장치 (100)의 외부에 있는 레지스트 원액 공급원 (110)이 접속되고 배관 (112)에는 밸브 (130)이 설치되고 있다. 레지스트 원액 탱크 (101)의 상부에는, 레지스트 원액이 오버플로우 했을 경우에 레지스트 원액을 레지스트 원액 탱크 (101)외에 배출하는 배관 (125)와 레지스트 원액 탱크 (101)내의 공기압을 조절하는 배관 (126)이 설치되고 있다. 용제 탱크 (102)의 상류측에는, 배관 (113)을 개재시켜 레지스트액 공급 장치 (100)의 외부에 있는 용제 공급원 (111)이 접속되고 배관 (113)에는 밸브 (131)이 설치되고 있다. 용제 탱크 (102)의 상부에는, 용제가 오버플로우 했을 경우에 용제를 용제 탱크 (102)외에 배출하는 배관 (127)과 용제 탱크 (102)내의 공기압을 조절하는 배관 (128)이 설치되고 있다.The resist liquid supply apparatus 100 has the resist stock solution tank 101 which stores a resist stock solution as shown in FIG. 5, and the solvent tank 102 which stores a thinner as a solvent, for example. On the upstream side of the resist stock solution tank 101, a resist stock solution supply source 110 outside the resist liquid supply device 100 is connected via a pipe 112, and a valve 130 is provided on the pipe 112. . The upper portion of the resist stock solution tank 101 includes a pipe 125 for discharging the resist stock solution outside the resist stock solution tank 101 and a pipe 126 for adjusting the air pressure in the resist stock solution tank 101 when the resist stock solution overflows. Is being installed. On the upstream side of the solvent tank 102, a solvent supply source 111 outside the resist liquid supply device 100 is connected via a pipe 113, and a valve 131 is provided on the pipe 113. In the upper part of the solvent tank 102, the piping 127 which discharges a solvent outside the solvent tank 102 when the solvent overflows, and the piping 128 which adjusts the air pressure in the solvent tank 102 are provided.

레지스트 원액 탱크 (101)의 하류측에는 배관 (114)를 개재시켜, 레지스트 원액 탱크 (101)내의 레지스트 원액을 빨아올리고 혼합 블럭 (105)에 도입하는 제1 의 펌프 (103)이 접속되고 있다. 배관 (114)에는 밸브 (132)가 설치되고 있다. 용제 탱크 (102)의 하류측에는 배관 (115)를 개재시켜, 용제 탱크 (102)내의 용제를 빨아올리고 혼합 블럭 (105)에 도입하는 제2의 펌프 (104)가 접속되고 있다. 배관 (115)에는 밸브 (133)이 설치되고 있다. 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)에서는 후술 하는 제어부 (150)의 제어에 의해 그 스트로크를 조정해, 레지스트 원액과 용제의 공급량을 각각 조정할 수가 있다. 또한 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)에는 예를 들면 볼 나사 펄스 제어 구동의 플랜져 펌프가 이용된다.A downstream side of the resist stock solution tank 101 is connected to a first pump 103 that sucks up the resist stock solution in the resist stock solution tank 101 and introduces it into the mixing block 105 via a pipe 114. The valve 114 is provided in the piping 114. On the downstream side of the solvent tank 102, a second pump 104 which sucks up the solvent in the solvent tank 102 and introduces it into the mixing block 105 is connected via a pipe 115. The valve 115 is provided in the piping 115. In the 1st pump 103 and the 2nd pump 104, the stroke can be adjusted by control of the control part 150 mentioned later, and the supply amount of a resist raw liquid and a solvent can be adjusted, respectively. As the first pump 103 and the second pump 104, for example, a flanger pump of ball screw pulse control drive is used.

제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)의 하류측에는, 레지스트 원액 공급관 (116)과 용제 공급관 (117)을 각각 개재시켜, 레지스트 원액과 용제의 유로를 동시에 개폐해 양자를 합류시키는 혼합부로서의 혼합 블럭 (105)가 접속되고 있다. 레지스트 원액 공급관 (116)과 용제 공급관 (117)에는 각각 밸브 (134)와 밸브 (135)가 설치되고 있다.On the downstream side of the first pump 103 and the second pump 104, a resist stock solution supply pipe 116 and a solvent supply pipe 117 are respectively interposed to open and close the resist stock solution and the solvent flow path at the same time to join the two. The mixing block 105 as the mixing portion is connected. The resist stock solution supply pipe 116 and the solvent supply pipe 117 are provided with a valve 134 and a valve 135, respectively.

혼합 블럭 (105)는 레지스트액 공급관 (118)을 개재시켜, 레지스트 도포 장치 (24)에 접속되고 있다. 레지스트액 공급관 (118)에는 혼합 블럭 (105)를 통과한 레지스트 원액과 용제를 교반 혼합하는 스태틱 믹서 (106)이 설치되고 있다. 스태틱 믹서 (106)의 하류측의 레지스트액 공급관 (118)에는 3 방향 입구 밸브 (136)이 설치되고 있다.The mixing block 105 is connected to the resist coating device 24 via the resist liquid supply pipe 118. The resist liquid supply pipe 118 is provided with a static mixer 106 for stirring and mixing the resist stock solution and the solvent that have passed through the mixing block 105. The three-way inlet valve 136 is provided in the resist liquid supply pipe 118 downstream of the static mixer 106.

3 방향 입구 밸브 (136)의 하류측에는, 설정 농도를 갖지 않는 레지스트액을 배출하기 위한 배관 (123)이 접속되고 있다. 3방향 입구 밸브 (136)에서는, 후술 하는 제어부 (150)의 제어에 의해 스태틱 믹서 (106)으로 혼합된 레지스트액을 레 지스트액 공급관 (118), 혹은 배관 (123)의 어느곳에 흘릴지를 선택할 수가 있다.On the downstream side of the three-way inlet valve 136, a pipe 123 for discharging the resist liquid having no set concentration is connected. In the three-way inlet valve 136, it is possible to select which of the resist liquid mixed with the static mixer 106 to the resist liquid supply pipe 118 or the pipe 123 under the control of the controller 150 to be described later. have.

스태틱 믹서 (106)과 3방향 입구 밸브 (136)의 레지스트액 공급관 (118)에는, 분기관 (121)을 개재시켜, 레지스트액의 농도를 측정하는 분광 광도계 (107)이 접속되고 있다. 분기관 (121)에는 밸브 (137)이 설치되고 있다. 분광 광도계 (107)의 내부에는 도 6에 나타나는 바와 같이 측정 대상의 레지스트액에 대해서 빛을 조사하는 발광부 (140)과 발광부로부터 조사된 빛을 수광하는 수광부 (141)이 설치되고 있다. 발광부 (140)과 수광부 (141)의 사이에는, 측정 대상의 레지스트액을 일시적으로 저장하는 셀 (142)가 설치되고 있다. 셀 (142)의 상류측에는 분기관 (121)이 접속되고 셀 (142)의 하류측에는 측정이 종료한 레지스트액을 분광 광도계 (107)의 밖에 배출하기 위한 배관 (124)가 접속되고 있다. 또한 셀 (142)의 재료에는 예를 들면 석영이 이용되고 있다.The spectrophotometer 107 which measures the density | concentration of a resist liquid is connected to the resist liquid supply pipe 118 of the static mixer 106 and the three-way inlet valve 136 through the branch pipe 121. The valve 137 is provided in the branch pipe 121. As shown in FIG. 6, the light emission part 140 which irradiates light with respect to the resist liquid of a measurement object, and the light receiving part 141 which receives the light irradiated from the light emission part is provided inside the spectrophotometer 107. As shown in FIG. Between the light emitting unit 140 and the light receiving unit 141, a cell 142 is provided for temporarily storing the resist liquid to be measured. A branch pipe 121 is connected to an upstream side of the cell 142, and a pipe 124 for discharging the resist liquid whose measurement has been completed outside the spectrophotometer 107 is connected to a downstream side of the cell 142. As the material of the cell 142, for example, quartz is used.

수광부 (141)에서는 수광한 빛의 흡광도(특정의 파장의 빛에 대해서 물질의 흡수 강도를 나타내는 척도)를 측정하고 이 측정 결과는 분광 광도계 (107)내의 연산부 (143)에 출력된다. 연산부 (143)에서는 수광부 (141)로 측정된 흡광도에 근거해 레지스트액의 농도를 연산한다. 연산부 (143)으로 연산된 레지스트액의 농도는, 후술 하는 제어부 (150)에 출력된다.The light receiving unit 141 measures the absorbance of the received light (a measure of the absorption intensity of the substance with respect to light of a specific wavelength), and the measurement result is output to the calculating unit 143 in the spectrophotometer 107. The calculation unit 143 calculates the concentration of the resist liquid based on the absorbance measured by the light receiving unit 141. The concentration of the resist liquid computed by the calculating part 143 is output to the control part 150 mentioned later.

본 실시의 형태에 있어서, 발광부 (140)으로부터 레지스트액에 조사되는 빛의 파장은, 530 nm~550 nm로 설정되어 있다. 분광 광도계에서는 측정 대상의 특성에 따라 빛의 파장을 선택할 수가 있지만, 본 실시의 형태의 빛의 파장 530 nm~550 nm는 다음과 같이 결정되어 있다. 먼저, 측정 대상의 레지스트액이 감광하지 않는 파장을 선택한다. 감광한 레지스트액과 감광전의 레지스트액은 흡광도가 다르므로, 레지스트액이 감광하지 않는 파장의 빛을 사용함으로써, 레지스트액의 흡광도를 엄밀하게 측정할 수가 있다. 레지스트액이 감광하는 파장은 350 nm이하이므로, 측정 파장은 적어도 350 nm이상으로 한다. 다음에, 측정 대상의 레지스트액의 최대의 흡광도와 최소의 흡광도와의 차이가 0.5 abs~1.5 abs가 되는 파장을 선택한다. 분광 광도계 (107)의 측정 능력을 고려하면 관련되는 파장의 빛을 사용한 경우에 측정 대상의 흡광도를 엄밀하게 측정할 수가 있다. 따라서 본 발명에 있어서는, 도 7에 나타나는 바와 같이 가장 높은 흡광도의 측정 대상인 레지스트 원액 (a ;가장 농도가 높은 레지스트액)과 가장 낮은 흡광도의 측정 대상인 레지스트 원액을 10배에 희석한 레지스트액 (b ;가장 농도가 낮은 레지스트액)의 흡광도의 차이 (R)이 0.5 abs~1. 5 abs가 되는 파장의 빛을 선택한다. 그리고 이 측정되는 흡광도는 셀 (142)의 두께를 변경하는 것으로 변화시킬 수가 있다. 발명자들이 셀 (142)의 두께를 변경하면서 흡광도의 차이 (R)이 0. 5 abs~1. 5 abs가 되는 빛의 파장을 조사하니, 적정한 파장은 530 nm~550 nm인 것을 알았다. 따라서, 상기의 양쪽 모두의 조건을 채우는 530 nm~550 nm의 파장의 빛을 이용하는 것으로, 레지스트액의 흡광도를 엄밀하게 측정할 수가 있어 그 결과, 분광 광도계 (107) 에 있어서 레지스트액의 농도를 적정하게 측정할 수가 있다.In this embodiment, the wavelength of the light irradiated to the resist liquid from the light emitting unit 140 is set to 530 nm to 550 nm. In a spectrophotometer, although the wavelength of light can be selected according to the characteristic of a measurement object, the wavelength of the light of this embodiment 530 nm-550 nm is determined as follows. First, the wavelength which the resist liquid of a measurement object does not sensitize is selected. Since the photoresist differs from the photoresist before the photoresist, the absorbance of the resist liquid can be measured strictly by using light of a wavelength at which the resist liquid does not photosensitive. Since the wavelength at which the resist liquid is exposed is 350 nm or less, the measurement wavelength is at least 350 nm. Next, the wavelength at which the difference between the maximum absorbance and the minimum absorbance of the resist liquid to be measured becomes 0.5 abs to 1.5 abs is selected. Considering the measurement capability of the spectrophotometer 107, the absorbance of a measurement object can be measured strictly, when the light of an associated wavelength is used. Therefore, in the present invention, as shown in Fig. 7, the resist solution (a; the resist solution having the highest concentration), which is the measurement of the highest absorbance, and the resist solution (b; The difference in absorbance (R) of the resist liquid having the lowest concentration is 0.5 abs to 1. 5 Select the light whose wavelength is abs. The absorbance measured can be changed by changing the thickness of the cell 142. As the inventors changed the thickness of the cell 142, the difference in absorbance (R) was 0.5 abs-1. When the wavelength of light of 5 abs was examined, it was found that the appropriate wavelength was 530 nm to 550 nm. Therefore, by using light having a wavelength of 530 nm to 550 nm that satisfies both of the above conditions, the absorbance of the resist liquid can be measured strictly, and as a result, the concentration of the resist liquid in the spectrophotometer 107 is appropriate. I can measure it easily.

제어부 (150)은, 레지스트 도포 처리 장치 (24)내에서 도포되는 레지스트액의 도막의 두께와 레지스트액의 종류 등으로부터, 레지스트액의 설정 농도를 결정하기 위한 대응 테이블을 가지고 있다. 제어부 (150)에서는 이 대응 테이블에 근거 해 레지스트액의 설정 농도를 결정하고, 레지스트 원액과 용제의 필요 공급량을 연산한다. 또한 연산된 공급량에 근거해, 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)의 스트로크를 연산한다. 이 때, 레지스트 원액과 용제가 일정한 비율로 혼합 블럭 (105)에 공급되도록 레지스트액과 용제의 공급 속도도 고려해 스트로크를 연산한다. 그리고 이 연산 결과가 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)에 출력되어 레지스트 원액과 용제의 공급량을 제어한다. 또 이 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)의 제어와 동시에, 레지스트 원액과 용제를 각각 레지스트 원액 탱크 (101)과 용제 탱크 (102)로부터 혼합 블럭 (105)에 공급하기 위해서 밸브 (132~135)의 개폐의 제어도 실시한다.The control part 150 has a correspondence table for determining the setting density of a resist liquid from the thickness of the coating film of the resist liquid apply | coated in the resist coating processing apparatus 24, the kind of resist liquid, etc. The control unit 150 determines the set concentration of the resist liquid based on this correspondence table, and calculates the required supply amounts of the resist stock solution and the solvent. Further, based on the calculated supply amount, the strokes of the first pump 103 and the second pump 104 are calculated. At this time, the stroke is calculated in consideration of the supply speed of the resist liquid and the solvent so that the resist stock solution and the solvent are supplied to the mixing block 105 at a constant ratio. The calculation result is output to the first pump 103 and the second pump 104 to control the supply amount of the resist stock solution and the solvent. In addition, to control the first pump 103 and the second pump 104 and to supply the resist stock solution and the solvent from the resist stock solution tank 101 and the solvent tank 102 to the mixing block 105, respectively. Control of opening and closing of the valves 132 to 135 is also performed.

또 제어부 (150)에서는, 레지스트 원액과 용제의 공급량의 피드백 제어를 실시한다. 제어부 (150)에서는 분광 광도계 (107)로 측정된 레지스트액의 측정 농도에 근거해, 레지스트액의 농도가 설정 농도가 되도록, 레지스트 원액과 용제의 공급량의 보정값을 연산한다. 또 연산된 공급량에 근거해, 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)의 스트로크를 연산하고 이 연산 결과가 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)에 출력되어 레지스트 원액과 용제의 공급량이 보정된다. 이 경우, 예를 들면 레지스트액의 측정 농도가 설정 농도보다 낮은 경우, 레지스트 원액의 공급량을 증가시킬지, 혹은 용제의 공급량을 감소시키도록 제어한다. 또 예를 들면 레지스트액의 측정 농도가 설정 농도보다 높은 경우, 레지스트 원액의 공급량을 감소시킬지 혹은 용제의 공급량을 증가시키도록 제어한다.Moreover, the control part 150 performs feedback control of the supply amount of a resist raw liquid and a solvent. The control part 150 calculates the correction value of the supply amount of the stock solution and the solvent so that the density | concentration of a resist liquid may be set concentration based on the measurement density of the resist liquid measured with the spectrophotometer 107. Further, based on the calculated supply amount, the strokes of the first pump 103 and the second pump 104 are calculated, and the result of the calculation is output to the first pump 103 and the second pump 104. The supply amount of the resist stock solution and the solvent is corrected. In this case, for example, when the measured concentration of the resist liquid is lower than the set concentration, it is controlled to increase the supply amount of the resist stock solution or to reduce the supply amount of the solvent. For example, when the measured concentration of the resist liquid is higher than the set concentration, it is controlled to reduce the supply amount of the resist stock solution or to increase the supply amount of the solvent.

또한 제어부 (150)에서는, 3방향 입구 밸브 (136)의 열림 방향의 제어를 실 시한다. 예를 들면 분광 광도계 (107)로 측정된 레지스트액의 측정 농도가 설정 농도와 같은 경우, 3방향 입구 밸브 (136)의 레지스트액 공급관 (118)측을 열도록 제어하고 레지스트액은 레지스트액 공급관 (118)을 통하여 레지스트 도포 처리 장치 (24)에 공급된다. 또 예를 들면 레지스트액의 측정 농도가 설정 농도와 다른 경우, 3방향 입구 밸브 (136)의 배관 (123)측을 열도록 제어하고 레지스트액은 배관 (123)을 통하여 레지스트액 공급 장치 (100)의 밖에 배출된다.The control unit 150 also controls the opening direction of the three-way inlet valve 136. For example, when the measured concentration of the resist liquid measured by the spectrophotometer 107 is equal to the set concentration, the resist liquid supply pipe 118 side of the three-way inlet valve 136 is controlled to be opened, and the resist liquid is supplied to the resist liquid supply pipe ( 118 is supplied to the resist coating processing apparatus 24. For example, when the measured concentration of the resist liquid is different from the set concentration, the control is performed to open the pipe 123 side of the three-way inlet valve 136 and the resist liquid is supplied through the pipe 123 to the resist liquid supply device 100. Will be discharged outside.

제어부 (150)은, 예를 들면 컴퓨터이고, 프로그램 격납부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 격납부에는 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)의 스트로크, 밸브 (132~135)의 개폐, 혹은 3방향 입구 밸브 (136)의 열림 방향 등을 제어하는 프로그램이 격납되고 있다. 또한 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 컴퓨터에 독취 가능한 기록 매체에 기록되고 있던 것으로서, 그 기록 매체로부터 제어부 (150)에 인스톨 된 것 으로서도 좋다.The control part 150 is a computer, for example, and has a program storage part (not shown). The program storing section stores a program for controlling the strokes of the first pump 103 and the second pump 104, the opening and closing of the valves 132 to 135, the opening direction of the three-way inlet valve 136, and the like. have. The program has been recorded in a computer-readable recording medium such as a hard disk, compact disk, magnet optical disk, memory card, or the like, and may be installed in the controller 150 from the recording medium.

본 실시의 형태에 관련되는 도포 현상 처리 시스템 (1)은 이상과 같이 구성되고 있어 다음에 그 도포 현상 처리 시스템 (1)으로 행해지는 유리 기판의 처리에 대해서 설명한다.The coating development processing system 1 which concerns on this embodiment is comprised as mentioned above, and the process of the glass substrate performed by the coating development processing system 1 is demonstrated next.

먼저, 카셋트 스테이션 (2)의 카셋트 (C)내의 복수의 유리 기판 (G)가, 기판 반송체 (12)에 의해, 차례로 처리 스테이션 (3)의 엑시머 UV조사 장치 (20)에 반송된다. 유리 기판 (G)는, 직선적인 반송 라인 (A)를 따라 코로반송에 의해 엑시머 UV조사 장치 (20), 스크러버 세정 장치 (21), 가열 처리 장치 (22), 냉각 처리 장 치 (23), 레지스트 도포 처리 장치 (24), 감압 건조 장치 (25), 가열 처리 장치 (26) 및 냉각 처리 장치 (27)에 차례로 반송되어 각 처리 장치에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 냉각 처리가 종료한 유리 기판 (G)는 아웃 스테이지 (28)에 반송된다. 그 후, 유리 기판 (G)는, 반송체 (40)에 의해 인터페이스 스테이션 (5)에 반송되어 기판 반송체 (63)에 의해 노광 장치 (4)에 반송된다.First, the some glass substrate G in the cassette C of the cassette station 2 is conveyed by the board | substrate carrier 12 to the excimer UV irradiation apparatus 20 of the processing station 3 one by one. The glass substrate G is excimer UV irradiation apparatus 20, scrubber cleaning apparatus 21, heat treatment apparatus 22, cooling treatment apparatus 23, by coro conveyance along linear conveyance line A, It is conveyed to the resist coating apparatus 24, the pressure reduction drying apparatus 25, the heat processing apparatus 26, and the cooling processing apparatus 27 in order, and a predetermined process is performed in each processing apparatus. Glass substrate G after completion of cooling treatment is conveyed to out stage 28. Thereafter, the glass substrate G is conveyed to the interface station 5 by the carrier 40, and is conveyed to the exposure apparatus 4 by the substrate carrier 63.

노광 장치 (4)에 있어서 노광 처리가 종료한 유리 기판 (G)는 기판 반송체 (63)에 의해 인터페이스 스테이션 (5)에 되돌려져 반송체 (40)에 의해 처리 스테이션 (3)의 현상 처리 장치 (30)에 반송된다. 유리 기판 (G)는, 직선적인 반송 라인 (B)를 따라 코로반송에 의해, 현상 처리 장치 (30), i선 UV조사 장치 (31), 가열 처리 장치 (32)와 냉각 처리 장치 (33)에 차례로 반송되어 각 처리 장치에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 냉각 처리 장치 (33)에 있어서 냉각 처리가 종료한 유리 기판 (G)는 기판 반송체 (12)에 의해 카셋트 스테이션 (2)의 카셋트 (C)에 되돌려져, 일련의 포트리소그래피 공정이 종료한다.The glass substrate G in which the exposure process was complete | finished in the exposure apparatus 4 is returned to the interface station 5 by the board | substrate conveyance body 63, and the image development processing apparatus of the processing station 3 by the conveyance body 40 is carried out. It is conveyed to 30. The glass substrate G is a developing processing apparatus 30, an i-line UV irradiation apparatus 31, the heat processing apparatus 32, and the cooling processing apparatus 33 by coro conveyance along the linear conveyance line B. FIG. They are conveyed to each other in turn, and predetermined processing is performed in each processing apparatus. In the cooling processing apparatus 33, the glass substrate G in which the cooling process was complete | finished is returned to the cassette C of the cassette station 2 by the board | substrate carrier body 12, and a series of port lithography processes are complete | finished.

다음에, 레지스트액 공급 장치 (100)에서 레지스트액을 생성하여 레지스트 도포 처리 장치 (24)으로 레지스트액을 공급하고, 레지스트 도포 처리 장치 (24)에서 레지스트액을 유리 기판 (G)에 도포하는 일련의 레지스트 도포 처리에 대해서 설명한다.Next, the resist liquid is generated in the resist liquid supply device 100 to supply the resist liquid to the resist coating apparatus 24, and the resist liquid is applied to the glass substrate G in the resist coating apparatus 24. The resist coating process will be described.

먼저, 밸브 (130)이 열려지고 레지스트 원액 공급원 (110)으로부터 배관 (112)를 통하여 레지스트 원액 탱크 (101)에 소정양의 레지스트 원액이 공급된다. 공급된 레지스트액은 일단 레지스트 원액 탱크 (101)에 저장된다. 밸브 (131)도 열 려 용제 공급원 (111)로부터 배관 (113)을 통하여 용제 탱크 (102)에 소정양의 용제가 공급되어 용제는 일단 용제 탱크 (102)에 저장된다.First, the valve 130 is opened and a predetermined amount of the resist stock solution is supplied from the resist stock solution supply source 110 to the resist stock solution tank 101 through a pipe 112. The supplied resist liquid is once stored in the resist stock solution tank 101. The valve 131 is also opened, and a predetermined amount of solvent is supplied from the solvent supply source 111 through the pipe 113 to the solvent tank 102, and the solvent is once stored in the solvent tank 102.

다음에 제어부 (150)에 있어서, 유리 기판 (G)에 도포하는 레지스트액의 도막의 두께와 레지스트액의 종류 등에 근거해, 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)의 스트로크가 연산되고 이 연산 결과가 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)에 출력된다. 그리고 먼저 밸브 (132)를 열고, 레지스트 원액 탱크 (101)로부터 제1의 펌프 (103)에 레지스트 원액을 빨아올릴 수 있다. 다음에 밸브 (132)를 닫은 후, 밸브 (134)를 열고 제1의 펌프 (103)으로부터 혼합 블럭 (105)에 필요량의 레지스트 원액이 공급된다. 동일하게 밸브 (133)과 밸브 (135)의 개폐를 제어하고 제2의 펌프 (104)에 의해 용제 탱크 (102)로부터 혼합 블럭 (105)에 필요량의 용제가 공급된다.Next, in the control part 150, the stroke of the 1st pump 103 and the 2nd pump 104 is based on the thickness of the coating film of the resist liquid apply | coated to the glass substrate G, the kind of resist liquid, etc. The calculation results are output to the first pump 103 and the second pump 104. Then, first, the valve 132 is opened to suck up the resist stock solution from the resist stock solution tank 101 to the first pump 103. Next, after closing the valve 132, the valve 134 is opened and the required amount of the resist stock solution is supplied from the first pump 103 to the mixing block 105. Similarly, the opening and closing of the valve 133 and the valve 135 are controlled, and the required amount of solvent is supplied from the solvent tank 102 to the mixing block 105 by the second pump 104.

혼합 블럭 (105)에 공급된 레지스트 원액과 용제는 혼합 블럭 (105)내에서 합류하고 스태틱 믹서 (106)에 도입된다. 그리고 스태틱 믹서 (106)으로 레지스트 원액과 용제가 교반 혼합되어 레지스트액이 생성된다.The resist stock solution and the solvent supplied to the mixing block 105 are joined in the mixing block 105 and introduced into the static mixer 106. Then, the resist stock solution and the solvent are stirred and mixed with the static mixer 106 to generate a resist solution.

스태틱 믹서 (106)으로 레지스트액이 생성되면 밸브 (137)이 열려 생성된 레지스트액의 일부가 분기관 (121)을 통하여 분광 광도계 (107)에 도입된다. 도입된 레지스트액은 셀 (142)내에 일단 저장되고 발광부 (140)으로부터 셀 (142)내의 레지스트액을 향해 빛이 발해진다. 그리고 발광부 (140)으로부터 발해진 빛은 수광부 (141)에서 수광되고 수광부 (141)에서 레지스트액의 흡광도가 측정된다. 이 측정 결과는 연산부 (143)에 출력되고 연산부 (143)에서 레지스트액의 농도가 연산된다. 또한 측정이 종료한 레지스트액은 배관 (124)를 통하여, 분광 광도계 (107)의 밖에 배출된다.When the resist liquid is generated by the static mixer 106, the valve 137 is opened to introduce a portion of the generated resist liquid into the spectrophotometer 107 through the branch pipe 121. The resist liquid introduced is stored once in the cell 142 and light is emitted from the light emitting portion 140 toward the resist liquid in the cell 142. Light emitted from the light emitting unit 140 is received by the light receiving unit 141 and the absorbance of the resist liquid is measured by the light receiving unit 141. This measurement result is output to the calculating part 143, and the density | concentration of a resist liquid is calculated by the calculating part 143. FIG. In addition, the resist liquid after the measurement is discharged out of the spectrophotometer 107 through the pipe 124.

분광 광도계 (107)로 측정된 농도는 제어부 (150)에 출력된다. 제어부 (150)에서는 이 레지스트액의 측정 농도와 설정 농도를 비교하고 3방향 입구 밸브 (136)의 열림 방향의 제어를 실시한다. 측정 농도와 설정 농도가 같은 경우, 3방향 입구 밸브 (136)의 레지스트액 공급관 (118)측이 열리도록 제어하고, 레지스트액은 레지스트액 공급관 (118)을 통하여 레지스트 도포 처리 장치 (24)에 공급된다. 측정 농도가 설정 농도와 다른 경우, 3방향 입구 밸브 (136)의 배관 (123)측이 열리도록 제어하고 레지스트액은 배관 (123)을 통하여 레지스트액 공급 장치 (100)의 밖에 배출된다.The concentration measured by the spectrophotometer 107 is output to the control unit 150. The control unit 150 compares the measured concentration and the set concentration of the resist liquid and controls the opening direction of the three-way inlet valve 136. When the measured concentration and the set concentration are the same, the resist liquid supply pipe 118 side of the three-way inlet valve 136 is controlled to be opened, and the resist liquid is supplied to the resist coating processing apparatus 24 through the resist liquid supply pipe 118. do. When the measured concentration is different from the set concentration, the pipe 123 side of the three-way inlet valve 136 is controlled to be opened, and the resist liquid is discharged outside the resist liquid supply device 100 through the pipe 123.

또 제어부 (150)에서는, 측정 농도에 근거해, 레지스트액의 농도가 설정 농도가 되도록 레지스트 원액과 용제의 공급량의 보정값을 연산하고 연산된 공급량에 근거해, 제1의 펌프와 제2의 펌프의 스트로크를 연산한다. 이 연산 결과가 제1의 펌프와 제2의 펌프에 출력되어 레지스트 원액과 용제의 공급량이 보정된다.Moreover, the control part 150 calculates the correction value of the supply amount of a resist stock solution and a solvent so that the density | concentration of a resist liquid may be set concentration based on the measured concentration, and based on the calculated supply amount, the 1st pump and a 2nd pump Calculate the stroke of. The calculation result is output to the first pump and the second pump to correct the supply amounts of the resist stock solution and the solvent.

보정된 공급량의 레지스트 원액과 용제는, 상기와 같이 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프 (104)에 의해 혼합 블럭 (105)에 공급되어 스태틱 믹서 (106)에서 교반 혼합된다. 그리고 적정한 농도의 레지스트액이 생성되어 레지스트 도포 처리 장치 (24)에 공급된다.The corrected supply amount of the resist stock solution and the solvent are supplied to the mixing block 105 by the first pump 103 and the second pump 104 as described above, and are stirred and mixed in the static mixer 106. Then, a resist liquid of an appropriate concentration is generated and supplied to the resist coating processing apparatus 24.

레지스트 도포 처리 장치 (24)에서는, 노즐 (80)에 레지스트액이 공급되면 먼저 도 2에 나타나는 바와 같이 노즐 (80)이 회전 롤 (90)의 윗쪽으로 이동한다. 그리고 회전 롤 (90)이 회전한 상태로 노즐 (80)으로부터 회전 롤 (90)에 레지스트액이 토출되고 레지스트액의 시출을 한다. 그 후, 노즐 (80)이 소정의 토출 위치 (E)로 이동하고, 스테이지 (70)상의 유리 기판 (G)가 유지 아암 (73, 74)에 의해 동시에 일체가 되어 Y방향 정방향측에 반송된다. 이 때, 노즐 (80)으로부터 레지스트액이 토출되어 노즐 (80)의 아래쪽을 통과하는 유리 기판 (G)에 레지스트액이 연속해 도포된다.In the resist coating processing apparatus 24, when a resist liquid is supplied to the nozzle 80, as shown in FIG. 2, the nozzle 80 will move to the upper side of the rotating roll 90 first. And the resist liquid is discharged from the nozzle 80 to the rotating roll 90 in the state which the rotating roll 90 rotated, and the resist liquid is run out. Thereafter, the nozzle 80 moves to the predetermined discharge position E, and the glass substrate G on the stage 70 is simultaneously integrated by the holding arms 73 and 74 and conveyed to the Y-direction forward direction side. . At this time, the resist liquid is discharged from the nozzle 80 and the resist liquid is continuously applied to the glass substrate G passing through the lower portion of the nozzle 80.

이상의 실시의 형태에 의하면, 스태틱 믹서 (106)으로 혼합된 레지스트액의 농도를 분광 광도계 (107)로 측정하고, 제어부 (150)으로 측정된 농도에 근거해 레지스트 원액과 용제의 공급량을 적정하게 제어할 수가 있다. 따라서, 적정한 농도의 레지스트액을 생성해 유리 기판 (G)에 공급할 수가 있고 그 결과, 유리 기판 (G)에 소정의 막두께의 레지스트막을 형성할 수가 있다.According to the above embodiment, the density | concentration of the resist liquid mixed with the static mixer 106 is measured with the spectrophotometer 107, and the supply amount of a resist stock solution and a solvent is appropriately controlled based on the density | concentration measured with the control part 150. You can do it. Therefore, the resist liquid of a suitable density | concentration can be produced and supplied to glass substrate G, As a result, the resist film of predetermined | prescribed film thickness can be formed in glass substrate G. As a result, as shown in FIG.

본 실시의 형태에 있어서는, 제어부 (150)에서 3방향 입구 밸브 (136)의 열림 방향을 제어하고 있으므로, 설정 농도를 가지는 레지스트액만을 레지스트 도포 처리 장치 (24)에 공급할 수가 있다.In the present embodiment, since the opening direction of the three-way inlet valve 136 is controlled by the control unit 150, only the resist liquid having a set concentration can be supplied to the resist coating processing apparatus 24.

본 실시의 형태에 있어서는, 레지스트액의 농도를 측정하는 장치로서 빛의 파장을 조절할 수가 있는 분광 광도계 (107)을 이용하고 있으므로, 레지스트액의 특성에 따른 파장을 선택해 이용할 수가 있다. 본 실시의 형태에 있어서는, 예를 들면 530 nm~550 nm의 파장의 빛을 이용하는 것으로, 레지스트액의 농도를 엄밀하게 측정할 수가 있다.In this embodiment, since the spectrophotometer 107 which can adjust the wavelength of light is used as an apparatus which measures the density | concentration of a resist liquid, the wavelength according to the characteristic of a resist liquid can be selected and used. In this embodiment, the density | concentration of a resist liquid can be measured strictly by using light of the wavelength of 530 nm-550 nm, for example.

이상의 실시의 형태의 배관 (123)에는 도 8에 나타나는 바와 같이 스태틱 믹 서 (106)과 3방향 입구 밸브 (136)의 사이의 레지스트액 공급관 (118)의 내부에 레지스트액을 회수하는 레지스트액 탱크 (160)이 접속되고 있어도 괜찮다. 레지스트액 탱크 (160)은 배관 (161)을 개재시켜 레지스트 원액 공급관 (116)에 접속되고 또 배관 (162)를 개재시켜 용제 공급관 (117)에 접속되고 있다. 배관 (161)과 배관 (162)에는 밸브 (163)과 밸브 (164)가 각각 설치되고 있다. 또 레지스트액 탱크 (160)은 배관 (129)를 개재시켜 3방향 입구 밸브 (136)과 레지스트 도포 처리 장치 (24)의 사이의 레지스트액 공급관 (118)에 접속되고 있다. 레지스트액 탱크 (160)의 내부에는, 예를 들면 교반기(도시하지 않음)가 설치되고 있다.In the piping 123 of the above embodiment, as shown in FIG. 8, the resist liquid tank which collect | recovers resist liquid in the resist liquid supply pipe 118 between the static mixer 106 and the 3-way inlet valve 136 is shown. 160 may be connected. The resist liquid tank 160 is connected to the resist stock solution supply pipe 116 via the pipe 161, and is connected to the solvent supply pipe 117 via the pipe 162. The valve 163 and the valve 164 are respectively provided in the pipe 161 and the pipe 162. Moreover, the resist liquid tank 160 is connected to the resist liquid supply pipe 118 between the three-way inlet valve 136 and the resist coating apparatus 24 via the piping 129. Inside the resist liquid tank 160, a stirrer (not shown) is provided, for example.

제어부 (150)에서는, 레지스트액 탱크 (160)내에 저장된 레지스트액의 농도에서 이 때 저장된 레지스트액의 농도를 설정 농도로 하기 위해서 필요한 레지스트 원액, 또는 용제의 공급량을 연산한다. 이 연산 결과에 근거해 제1의 펌프 (103) 혹은 제2의 펌프 (104)의 스트로크가 연산되고 제1의 펌프 (103)과 제2의 펌프에 출력된다. 그리고 제어부 (150)에서는 밸브 (163)과 밸브 (164)의 개폐도 제어하고 레지스트액 탱크 (160)에 필요량의 레지스트 원액 혹은 용제가 공급된다.The control unit 150 calculates the supply amount of the resist stock solution or the solvent necessary for setting the concentration of the resist liquid stored at this time to the set concentration from the concentration of the resist liquid stored in the resist liquid tank 160. Based on the calculation result, the stroke of the first pump 103 or the second pump 104 is calculated and output to the first pump 103 and the second pump. The control unit 150 also controls the opening and closing of the valve 163 and the valve 164, and supplies the resist stock solution or the solvent in the required amount to the resist liquid tank 160.

또한 스태틱 믹서 (106)과 3방향 입구 밸브 (136)의 사이의 레지스트액 공급관 (118)에는, 배관 (165)를 개재시켜, 레지스트액 공급관 (118)에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스를 공급하고, 레지스트액 공급관 (118)내에 잔류하는 레지스트액을 레지스트액 탱크 (160)에 도입하기 위한 가스 공급부 (166)이 접속되고 있다. 또한 가스 공급부 (166)은, 예를 들면 레지스트 원액 공급관 (116)과 용제 공급관 (117)에 접속되고 있어도 좋고 이 경우 레지스트 원액 공급관 (116)내의 레지스트 원액과 용제 공급관 (117)내의 용제를 레지스트액 탱크 (160)에 도입할 수가 있다.In addition, an inert gas, for example nitrogen gas, is supplied to the resist liquid supply pipe 118 via a pipe 165 through the resist liquid supply pipe 118 between the static mixer 106 and the three-way inlet valve 136. The gas supply part 166 for introducing the resist liquid remaining in the resist liquid supply pipe 118 into the resist liquid tank 160 is connected. In addition, the gas supply part 166 may be connected to the resist stock solution supply pipe 116 and the solvent supply pipe 117, for example, In this case, the resist stock solution in the resist stock solution supply pipe 116 and the solvent in the solvent supply pipe 117 are used as a resist liquid. It can be introduced into the tank 160.

이상의 레지스트액 공급 장치 (100)에 의하면, 예를 들면 스태틱 믹서 (106)으로 생성된 레지스트액의 농도가 설정 농도와 다른 경우, 제어부 (150)으로 3방향 입구 밸브 (136)의 배관 (123)측이 열리도록 제어한다. 그리고 레지스트액은 레지스트액 탱크 (160)에 도입되어 저장된다. 동시에 가스 공급부 (166)으로부터 불활성 가스를 스태틱 믹서 (106)과 3방향 입구 밸브 (136)의 사이의 레지스트액 공급관 (118)내에 분출하고, 레지스트액 공급관 (118)내에 잔류하는 레지스트액을 레지스트액 탱크 (160)에 도입시킨다. 레지스트액 탱크 (160)에 레지스트액이 저장되면 제어부 (150)에서 제1의 펌프 (103) 및 밸브 (163), 혹은 제2의 펌프 (104) 및 밸브 (164)를 제어하고 필요량의 레지스트 원액 혹은 용제를 레지스트액 탱크 (160)에 공급한다. 그리고 레지스트액 탱크 (160)내의 교반기를 가동시켜 레지스트액을 혼합해, 설정 농도의 레지스트액을 생성한다. 이와 같이 생성된 레지스트액은, 배관 (129)와 레지스트액 공급관 (118)을 통하여 레지스트 도포 처리 장치 (24)에 공급된다.According to the resist liquid supply apparatus 100 described above, when the concentration of the resist liquid generated by the static mixer 106 is different from the set concentration, for example, the pipe 123 of the three-way inlet valve 136 to the control unit 150. Control the side to open. The resist liquid is introduced into and stored in the resist liquid tank 160. At the same time, an inert gas is blown from the gas supply part 166 into the resist liquid supply pipe 118 between the static mixer 106 and the three-way inlet valve 136, and the resist liquid remaining in the resist liquid supply pipe 118 is resist liquid. Introduced to tank 160. When the resist liquid is stored in the resist liquid tank 160, the controller 150 controls the first pump 103 and the valve 163, or the second pump 104 and the valve 164, and the required amount of the resist stock solution. Alternatively, the solvent is supplied to the resist liquid tank 160. Then, the stirrer in the resist liquid tank 160 is operated to mix the resist liquid to produce a resist liquid having a predetermined concentration. The resist liquid thus produced is supplied to the resist coating processing apparatus 24 through the pipe 129 and the resist liquid supply pipe 118.

관련되는 경우, 스태틱 믹서 (106)으로 생성된 레지스트액의 농도가 설정 농도와 다른 경우에서도 이 레지스트액을 일단 레지스트액 탱크 (160)에 회수하고, 레지스트 원액 혹은 용제를 레지스트액 탱크 (160)내에 가세하는 것으로 레지스트액을 설정 농도에 조정할 수가 있다. 따라서, 이 레지스트액을 배출하지 않고 유효하게 이용할 수가 있다. 또, 가스 공급부 (166)을 설치하는 것에 의해, 스태틱 믹서 (106)과 3방향 입구 밸브 (136)의 사이의 레지스트액 공급관 (118)에 잔류하 는 레지스트액을 레지스트액 탱크 (160)에 송출하고 레지스트액을 설정 농도에 조정할 수가 있다. 이 경우, 레지스트액 공급관 (118)에 레지스트액이 잔류하지 않기 때문에 이 레지스트액이 그 후 스태틱 믹서 (106)에서 생성되는 레지스트액에 혼입하지 않는다. 그 결과, 후에 생성되는 레지스트액의 농도를 설정 농도에 유지할 수가 있다.In this case, even when the concentration of the resist liquid generated by the static mixer 106 is different from the set concentration, the resist liquid is once recovered to the resist liquid tank 160, and the resist stock solution or the solvent is stored in the resist liquid tank 160. In addition, the resist liquid can be adjusted to the set concentration. Therefore, this resist liquid can be effectively used without discharging. Moreover, by providing the gas supply part 166, the resist liquid remaining in the resist liquid supply pipe 118 between the static mixer 106 and the three-way inlet valve 136 is sent to the resist liquid tank 160. FIG. The resist liquid can be adjusted to the set concentration. In this case, since no resist liquid remains in the resist liquid supply pipe 118, the resist liquid is not mixed into the resist liquid produced by the static mixer 106 after that. As a result, the concentration of the resist liquid generated later can be maintained at the set concentration.

이상의 실시의 형태에서는, 레지스트액 탱크 (160)에 접속되는 배관 (161)과 배관 (162)는 각각 레지스트 원액 공급관 (116)과 용제 공급관 (117)에 접속되고 있지만, 레지스트액 탱크 (160)은, 도 9에 나타나는 바와 같이 레지스트 원액 탱크 (101)과 용제 탱크 (102)에 접속되고 있어도 괜찮다. 레지스트액 탱크 (160)과 레지스트 원액 탱크 (101)의 사이에는, 레지스트 원액 탱크 (101)내의 레지스트 원액을 빨아올리고 레지스트액 탱크 (160)에 공급하는 제3의 펌프 (170)이 설치되고 있다. 레지스트액 탱크 (160)과 제3의 펌프 (170)은 배관 (172)에서 접속되고 배관 (172)에는 밸브 (176)이 설치되고 있다. 레지스트 원액 탱크 (101)과 제3의 펌프 (170)은 배관 (174)에서 접속되고 배관 (174)에는 밸브 (178)이 설치되고 있다. 레지스트액 탱크 (160)과 용제 탱크 (102)의 사이에는, 용제 탱크 (102)내의 용제를 빨아올리고 레지스트액 탱크 (160)에 공급하는 제4의 펌프 (171)이 설치되고 있다. 레지스트액 탱크 (160)과 제4의 펌프 (171)은 배관 (173)에서 접속되고 배관 (173)에는 밸브 (177)이 설치되고 있다. 용제 탱크 (102)와 제4의 펌프 (171)은 배관 (175)에서 접속되고 배관 (175)에는 밸브 (179)가 설치되고 있다. 또한 제3의 펌프 (170)과 제4의 펌프 (171)에는 예를 들면 볼 나사 펄스 제어 구동의 플랜져 펌프가 이용된다.In the above embodiment, the pipe 161 and the pipe 162 connected to the resist liquid tank 160 are connected to the resist stock solution supply pipe 116 and the solvent supply pipe 117, respectively. 9 may be connected to the resist stock solution tank 101 and the solvent tank 102. A third pump 170 is provided between the resist liquid tank 160 and the resist stock liquid tank 101 for sucking up the resist stock solution in the resist stock solution tank 101 and supplying it to the resist liquid tank 160. The resist liquid tank 160 and the third pump 170 are connected by a pipe 172, and a valve 176 is provided in the pipe 172. The resist stock solution tank 101 and the third pump 170 are connected to the pipe 174, and a valve 178 is provided on the pipe 174. Between the resist liquid tank 160 and the solvent tank 102, the 4th pump 171 which sucks up the solvent in the solvent tank 102, and supplies it to the resist liquid tank 160 is provided. The resist liquid tank 160 and the fourth pump 171 are connected by a pipe 173, and a valve 177 is provided in the pipe 173. The solvent tank 102 and the 4th pump 171 are connected by the piping 175, and the valve 179 is provided in the piping 175. As shown in FIG. In addition, the flanger pump of the ball screw pulse control drive is used for the 3rd pump 170 and the 4th pump 171, for example.

관련되는 경우 제어부 (150)에서는, 레지스트액 탱크 (160)내의 레지스트액의 농도에 근거해 제3의 펌프 (170)과 제4의 펌프 (171)의 스트로크를 제어한다. 또 동시에, 제어부 (150)에서는 밸브 (176~179)의 개폐의 제어도 실시한다. 이것에 의해, 레지스트액 탱크 (160)에 필요량의 레지스트 원액 혹은 용제를 공급할 수가 있다. 그 결과, 레지스트액 탱크 (160)내의 레지스트액의 농도를 설정 농도로 할 수 있어 레지스트액을 배출하지 않고 유효하게 이용할 수가 있다.In this case, the controller 150 controls the strokes of the third pump 170 and the fourth pump 171 based on the concentration of the resist liquid in the resist liquid tank 160. At the same time, the control unit 150 also controls the opening and closing of the valves 176 to 179. As a result, the resist stock solution or the solvent in the required amount can be supplied to the resist liquid tank 160. As a result, the concentration of the resist liquid in the resist liquid tank 160 can be set to a predetermined concentration, and can be effectively used without discharging the resist liquid.

이상의 실시의 형태에서는, 분광 광도계 (107)에서 측정이 끝난 레지스트액은 배관 (124)를 통하여 배출되고 있지만, 도 10에 나타나는 바와 같이 배관 (124)의 타단에 3방향 입구 밸브 (180)을 설치하고, 레지스트액을 3방향 입구 밸브 (136)과 레지스트 도포 처리 장치 (24)의 사이의 레지스트액 공급관 (118), 혹은 레지스트액 탱크 (160)에 흘리도록 해도 괜찮다. 3방향 입구 밸브 (180)의 하류측은 배관 (181)을 개재시켜 레지스트액 공급관 (118)에 접속되고 또 배관 (182)를 개재시켜 레지스트액 탱크 (160)에 접속되고 있다. 그리고 예를 들면 레지스트액의 측정 농도가 설정 농도와 같은 경우, 제어부 (150)에서 3방향 입구 밸브 (180)의 배관 (181)측이 열리도록 제어하는 것으로, 레지스트액을 레지스트액 공급관 (118)에 도입해 레지스트 도포 처리 장치 (24)에 공급할 수가 있다. 또 예를 들면 측정 농도가 설정 농도와 다른 경우, 제어부 (150)에서 3방향 입구 밸브 (180)의 배관 (182)측이 열리도록 제어하는 것으로, 레지스트액을 레지스트액 탱크 (160)에 도입하고 레지스트액 탱크 (160)내에서 설정 농도로 할 수 있다. 이것에 의해, 분광 광 도계 (107)로 측정이 끝난 레지스트액도 배출하지 않고 유효하게 이용할 수가 있다.In the above embodiment, the resist liquid measured in the spectrophotometer 107 is discharged through the pipe 124, but as shown in FIG. 10, a three-way inlet valve 180 is provided at the other end of the pipe 124. The resist liquid may be flowed into the resist liquid supply pipe 118 or the resist liquid tank 160 between the three-way inlet valve 136 and the resist coating processing apparatus 24. The downstream side of the three-way inlet valve 180 is connected to the resist liquid supply pipe 118 via a pipe 181 and to the resist liquid tank 160 via a pipe 182. For example, when the measured concentration of the resist liquid is equal to the set concentration, the control unit 150 controls the pipe 181 side of the three-way inlet valve 180 to be opened to control the resist liquid from the resist liquid supply pipe 118. Can be introduced into the resist coating apparatus 24. For example, when the measured concentration is different from the set concentration, the controller 150 controls the pipe 182 side of the three-way inlet valve 180 to be opened to introduce the resist liquid into the resist liquid tank 160. The concentration can be set in the resist liquid tank 160. Thereby, the resist liquid measured by the spectrophotometer 107 can also be utilized effectively, without discharging.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 매우 적합한 실시의 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 관련되는 예로 한정되지 않는다. 당업자이면 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범위내에 있어서, 각종의 변경 예 또는 수정 예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 그들에 대해서도 당연하게 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정하지 않고 여러 가지의 양태를 취할 수 있는 것이다. 본 발명은, LCD 기판 이외의 기판 예를 들면 반도체 웨이퍼, 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although the preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, this invention is not limited to the example which concerns. Those skilled in the art will clearly understand that various modifications or modifications can be made within the scope of the idea described in the claims, and it is understood that they belong naturally to the technical scope of the present invention. The present invention is not limited to this example and can take various aspects. The present invention can also be applied to substrates other than LCD substrates, for example, semiconductor substrates and other substrates such as mask reticles for photomasks.

본 발명은, 기판에 도포되는 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치 및 기판 처리 시스템에 유용하다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful for a resist liquid supply device and a substrate processing system for supplying a resist liquid applied to a substrate.

도 1]은 실시의 형태에 관련되는 레지스트액 공급 장치를 탑재한, 도포 현상 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing an outline of a configuration of a coating and developing treatment system in which a resist liquid supplying device according to an embodiment is mounted.

도 2는 레지스트 도포 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다. 2 is a vertical cross-sectional view showing an outline of the configuration of a resist coating processing apparatus.

도 3은 레지스트 도포 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다. It is a top view which shows the outline of the structure of a resist coating processing apparatus.

도 4는 노즐의 사시도이다.4 is a perspective view of the nozzle.

도 5는 본 실시의 형태에 관련되는 레지스트액 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.5 is a plan view illustrating an outline of a configuration of a resist liquid supply apparatus according to the present embodiment.

도 6은 분광 광도계의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다6 is a plan view illustrating an outline of a configuration of a spectrophotometer.

도 7은 분광 광도계의 빛의 파장과 레지스트액의 흡광도의 관계를 나타낸 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the relationship of the wavelength of the light of a spectrophotometer and the absorbance of a resist liquid.

도 8은 다른 형태에 관련되는 레지스트액 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.8 is a plan view illustrating an outline of a configuration of a resist liquid supply apparatus according to another embodiment.

도 9는 다른 형태에 관련되는 레지스트액 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.9 is a plan view schematically illustrating the configuration of a resist liquid supply apparatus according to another embodiment.

도 10은 다른 형태에 관련되는 레지스트액 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.10 is a plan view schematically illustrating the configuration of a resist liquid supply apparatus according to another embodiment.

**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Description of reference numerals indicating major parts **

1 도포 현상 처리 시스템 1 coating and developing treatment system

24 레지스트 도포 처리 장치 24 resist coating processing apparatus

80 노즐80 nozzles

100 레지스트액 공급 장치 100 resist liquid supply device

101 레지스트 원액 탱크 101 resist stock tank

102 용제 탱크102 Solvent Tank

103 제1의 펌프 103 first pump

104 제2의 펌프 104 second pump

105 혼합 블럭105 mixing block

106 스태틱 믹서 106 static mixer

107 분광 광도계107 spectrophotometer

116 레지스트 원액 공급관116 resist stock solution supply pipe

117 용제 공급관117 Solvent Supply Line

118 레지스트액 공급관 118 resist liquid supply pipe

121 분기관121 branch pipe

150 제어부150 controls

160 레지스트액 탱크 160 resist liquid tank

166 가스 공급부166 gas supply

170 제3의 펌프 170 third pump

171 제 4의 펌프171 fourth pump

Claims (13)

기판에 도포하는 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치로서,A resist liquid supply apparatus which supplies a resist liquid apply | coated to a board | substrate, 레지스트 원액과 용제를 혼합하는 혼합부와,A mixing section for mixing the resist stock solution with a solvent, 상기 레지스트 원액을 상기 혼합부에 공급하기 위한 제 1의 펌프와 상기 용제를 상기 혼합부에 공급하기 위한 제 2의 펌프와,A first pump for supplying the resist stock solution to the mixing section, a second pump for supplying the solvent to the mixing section, 상기 혼합부에서 생성된 레지스트액의 농도를 측정하는 농도 측정부와,A concentration measuring unit for measuring the concentration of the resist solution generated in the mixing unit; 상기 농도 측정부에서 측정된 레지스트액의 측정 농도에 근거하여 기판에 도포되는 레지스트액의 농도가 미리 정해진 설정 농도가 되도록 상기 제1의 펌프로부터 공급되는 레지스트 원액과 상기 제2의 펌프로부터 공급되는 용제의 공급량을 제어하는 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.The resist stock solution supplied from the first pump and the solvent supplied from the second pump such that the concentration of the resist solution applied to the substrate is a predetermined concentration based on the measured concentration of the resist solution measured by the concentration measuring unit. And a control unit for controlling the supply amount of the resist liquid. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1의 펌프는 레지스트 원액 공급관에 의해 상기 혼합부에 접속되고,The first pump is connected to the mixing section by a resist stock solution supply pipe, 상기 제2의 펌프는 용제 공급관에 의해 상기 혼합부에 접속되고,The second pump is connected to the mixing portion by a solvent supply pipe, 상기 혼합부는 레지스트액 공급관에 의해 기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 처리 장치에 접속되어,The said mixing part is connected to the resist coating processing apparatus which apply | coats a resist liquid to a board | substrate by a resist liquid supply pipe, 상기 레지스트액 공급관에는 상기 농도 측정부에 통하는 분기관이 접속되고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.The resist liquid supplying device is connected to the resist liquid supply pipe with a branch pipe connected to the concentration measuring unit. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 농도 측정부에는 농도 측정부내의 레지스트액을 상기 레지스트액 공급관에 되돌리는 배관이 접속되고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.And the pipe for returning the resist liquid in the concentration measuring unit to the resist liquid supply pipe is connected to the concentration measuring unit. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 레지스트액 공급관에는, 상기 레지스트액의 측정 농도가 상기 설정 농도와 다른 경우에 적어도 상기 레지스트액 공급관내의 레지스트액을 회수하는 탱크가 접속되고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.And a tank for collecting at least a resist liquid in the resist liquid supply pipe is connected to the resist liquid supply pipe when the measured concentration of the resist liquid is different from the set concentration. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 제1의 펌프와 상기 제2의 펌프는 상기 레지스트액 공급관, 상기 레지스트 원액 공급관 및 상기 용제 공급관과 다른 배관에 의해 상기 탱크에 각각 접속되고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.The first pump and the second pump are connected to the tank by pipes different from the resist liquid supply pipe, the resist stock solution supply pipe, and the solvent supply pipe, respectively. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 탱크에는, 레지스트 원액을 공급하기 위한 제 3의 펌프와 용제를 공급하기 위한 제 4의 펌프가 접속되고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치. The tank is connected with a third pump for supplying the resist stock solution and a fourth pump for supplying the solvent. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서 The method according to claim 5 or 6 상기 제어부는 상기 탱크에 회수된 레지스트액의 농도가 상기 설정 농도가 되도록 상기 탱크에 대한 상기 레지스트 원액 또는 상기 용제의 어느 것의 공급량을 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.And the control unit controls the supply amount of either the resist stock solution or the solvent to the tank so that the concentration of the resist liquid recovered to the tank becomes the set concentration. 청구항 4 내지 청구항 6중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 4 to 6, 상기 레지스트액 공급관내의 레지스트액을 가스에 의해 상기 탱크에 송출하는 가스 공급부를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.And a gas supply section for sending the resist liquid in the resist liquid supply pipe to the tank with gas. 청구항 4 내지 청구항 6중 어느 한항에 있어서, The method according to any one of claims 4 to 6, 적어도 상기 농도 측정부에는 농도 측정부내의 레지스트액을 상기 탱크에 도입하는 배관이 접속되고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.And at least the pipe for introducing the resist liquid in the concentration measuring unit into the tank is connected to at least the concentration measuring unit. 청구항 1 내지 청구항 6중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 제어부는 적어도 기판에 도포되는 레지스트액의 도막의 두께와 레지스트액의 종류에 근거해 상기 설정 농도를 결정하고 그 설정 농도가 되도록 상기 레지스트 원액과 상기 용제의 공급량을 제어하는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.And the control unit determines the set concentration based on at least the thickness of the coating film of the resist liquid applied to the substrate and the type of the resist liquid, and controls the supply amount of the resist stock solution and the solvent to be at the set concentration. Feeding device. 청구항 1 내지 청구항 6중 어느 한항에 있어서 The method according to any one of claims 1 to 6 상기 농도 측정부는 분광 광도계를 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.And the concentration measuring unit has a spectrophotometer. 청구항 11에 있어서, The method according to claim 11, 상기 분광 광도계로 사용되는 빛의 측정 파장은 측정 대상이 되는 레지스트액이 감광하지 않는 파장으로서,The measurement wavelength of light used as the spectrophotometer is a wavelength at which the resist liquid to be measured is not exposed to light. 또한 측정 대상이 되는 레지스트액의 최대의 흡광도와 최소의 흡광도의 차이가 0. 5 abs~1. 5 abs가 되는 파장으로 설정되는 것을 특징으로 하는 레지스트액 공급 장치.In addition, the difference between the maximum absorbance and the minimum absorbance of the resist liquid to be measured is 0.5 abs-1. A resist liquid supply apparatus, characterized in that the wavelength is set to 5 abs. 청구항 1 내지 청구항 6중 어느 한항에 기재의 레지스트액 공급 장치와 기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 처리 장치를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The resist processing apparatus of any one of Claims 1-6 and the resist coating apparatus which apply | coats a resist liquid to a board | substrate are provided, The substrate processing system characterized by the above-mentioned.
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